2

ВВЕДЕНИЕ

Целью данной работы является определение величины относительной

диэлектрической проницаемости и нормальной составляющей вектора
поляризации для диэлектрика, помещённого в электрическое поле плоского
конденсатора.

1 ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ И

МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

Схема, используемая для измерений, изображена на рис. 1.1.

Θ G

G – генератор подачи прямоугольных импульсов; C – конденсатор;

R1 – резистор; Θ – осциллограф.

Рис. 1.1 – Схема экспериментальной установки.

Схема состоит из генератора сигналов G, резистора R1, конденсатора

с твёрдым диэлектриком C (резистор и конденсатор образуют RC–цепочку) и
осциллографа Θ. Генератор служит для подачи прямоугольных импульсов
напряжения на RC–цепочку. Осциллограф служит для регистрации формы
импульса напряжения на конденсаторе.
 3

2 ОСНОВНЫЕ РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ

Внутреннее сопротивление цепи:

R1 R 0
r= , (2.1)
R1 + R0

где R0 – входное сопротивление осциллографа (R0=(1,00 ± 0,05)

МОм); R1 – зарядное сопротивление (R1=(1,0 ±0,05) МОм).

Электрическая емкость конденсатора:

∆t
C=
r ∆ ln ⁡ ( ) U0 ,
U
(2.2)

где ( )
U0
∆ ln ⁡
U
=k
– угловой коэффициент графика зависимости
∆t

ln ( )
U0
U
=f (t).

Относительная диэлектрическая проницаемость пластины:

Cd
ε= , (2.3)
ε0 S

где d – толщина пластины (d = 0,8 мм); ε 0=8,85·10-12 Ф/м –

электрическая постоянная; S – площадь пластины (S=100 см2).

Напряженность поля между обкладками конденсатора при разности

потенциалов между ними U 0 :

U0
E0 = . (2.4)
d

Поверхностная плотность связанных поляризационных зарядов σ и

модуль нормальной составляющей вектора поляризации pn:
 4

E0 ε 0
pn=σ= . (2.5)
ε

Относительная погрешность косвенного измерения емкости

конденсатора:

√
2 2
σ (R ) σ (k )
ε (C)= 2
+ 2 . (2.6)
R k

Относительная погрешность косвенного измерения относительной

диэлектрической проницаемости:

√
2
σ (d )
ε ( ε )= ε 2 ( C ) + 2
+ ε 2 ( S ). (2.7)
d

Абсолютная погрешность косвенного измерения емкости

конденсатора:

σ ( C )=ε ( C ) ∙ C . (2.8)

Абсолютная погрешность косвенного измерения относительной

диэлектрической проницаемости:

σ ( ε )=ε ( ε ) ∙ ε . (2.9)

3 РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ИХ АНАЛИЗ

Результаты прямых и косвенных измерений, проделанных в работе,

внесены в таблицу 3.1.

На рис. 3.1 изображен график зависимости ln ( UU )=f (t), с помощью

0

которого проверяем экспоненциальный характер убывания амплитуды

напряжения.
 5

Таблица 3.1 – Результаты прямых и косвенных измерений

Диэлектрик гетинакс
Примечания
Толщина 0,8 мм
№ U, В t, мкс ln(U0/U)
1 2,20 71,6 0,25
U0=2,82 В
2 1,72 155 0,49
ε(U) = 5%
3 1,52 197 0,62
ε(t) = 5%
4 1,18 275 0,87
σ(d) = 0,01 мм
5 0,92 370 1,12
S = 100 см2
6 0,65 490 1,47
ε(S) = 5%
7 0,32 740 2,19
8 0,13 1060 3,05

0 200 400 600 800 1000t, мкс 1200

3.50

3.00

2.50

2.00

1.50

1.00

0.50
ln(U0/U)

0.00

Рис. 3.1 - График зависимости ln ( )

U0
U
=f (t).
 6

Методом наименьших квадратов программно нашли угловой

коэффициент и оценили его погрешность:

k = 2,8*10-3 мкс-1;
σ(k) = 0,000023 мкс-1.

По (2.1) находим:
r = 0,5 Мом.

По (2.2) находим C:
1
С= 6 6
=714 (пкФ) ;
0,5 ∙10 ∙ 0,0028∙ 10

√
6 2 6 2
5∙(0,05∙ 10 ) (0.0028 ∙ 10 )
ε (C)= + =0,057;
2(1∙ 106 )2 (0.0028 ∙ 106 )2

σ (C) = 714·0,057 = 40 (пкФ).

Находим ε по формуле (2.3):

−12 −3
714 ∙10 ∙ 0,8∙ 10
ε= =6 ,45;
8,85· 10−12 ∙100 ∙ 10−4

√
−5 2
(10 )
+( 0,05) =0,05;
2 2
ε ( ε )= (0,0057) + −3 2
(0,8 ∙ 10 )
σ (ε)=0,05 ∙ 6,45=0,33.

Находим pn по формуле (2.5):

2,82 ∙8,85 · 10−12 −9
pn = −3
=4,8 ∙ 10 ¿Кл/м2).
6,45 ∙ 0,8 ∙10
 7

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Исследовав падение напряжения на конденсаторе, доказали

линейность зависимости ln ( )
U0
U
=f ( t ) . В ходе работы получили результаты:

ε =6 ,45±0,33; ε ( ε )=¿5%;

С= (714±40) пФ; ε ( C )=5,7 % ;

pn=4,8 ∙10−9 ¿ Кл/м2).