1. Выберите верные утверждения о гибридных дисках Solid State Hybrid Drive.

2. Упорядочьте предложенные виды внешней памяти по стоимости хранения

информации.

3. Упорядочьте предложенные виды внешней памяти по объему хранения

информации.
4. Упорядочьте предложенные виды внешней памяти по количеству циклов
перезаписи информации.

5. Упорядочьте предложенные виды внешней памяти по скорости доступа к

информации.

6. Выберите верные утверждения о HD-DVD и Blu-ray дисках.

7. Для помещения зарядов на плавающий затвор.

8. Укажите верные утверждения о Multi Level Cell.

9. Для удаления зарядов с плавающего затвора требуется

10. Размер сектора в жестких магнитных дисках

11. Каждая пластина жесткого магнитного диска имеет две намагниченные
поверхности.

12. Современная память на жестких магнитных дисках описывается как

13. Объем современных дисков внешней памяти указывается в

14. Емкость однослойного DVD-диска равна

15. Если на плавающем затворе транзистора присутствует заряд, то

16. Объем современной флеш-памяти указывается в

17. Размер современных жестких дисков измеряется в

18. Каждая поверхность жесткого магнитного диска разбита на дорожки, каждая из

которых содержит некоторое количество секторов.
19. Выберите верные утверждения результатов сравнения жесткого магнитного диска
и твердотельного диска.
20. Выберите верные утверждения о DVD-дисках

21. В каком случае транзистор с плавающим затвором работает в режиме обычного

транзистора.
22. Выберите верные утверждения о флеш-памяти

23. Исходный размер сектора жесткого магнитного диска равен … байт

24. Макроскопическая однородно намагниченная область в ферромагнитных образцах

25. Выберите верные утверждения о принципе черепичной записи

26. Информация, записанная на перезаписываемый CD-диск, может быть со временем

утрачена.

27. В одну ячейку флеш-памяти можно записать только один бит информации.
28. Считывающая головка жесткого магнитного диска шире, чем записывающая.

29. Выберите верные утверждения о 3D XPoint.

30. Объем данных, который можно было записать на CD-диск

31. Твердотельный накопитель SSD характеризуется

32. Укажите верные характеристики NAND-памяти

33. Размер сектора в жестких дисках Advanced Format

34. Для лазерного перезаписываемого диска существует ограничение циклов

перезаписи.

35. Укажите верные характеристики NAND-памяти

36. Современная флеш память реализована на

37. Укажите способы увеличения плотности записи на жесткий магнитный диск

38. Закончите утверждение: неглубокие царапины на поверхности

За всю историю развития информационных технологий внешняя память была
реализована на различных носителях.
Одним из наиболее древних способов записи можно назвать использование перфокарт и
перфолент, которые предполагали нанесение отверстий на бумажной карте или ленте:
есть отверстие/нет отверстия (ноль / единица).
Далее стоит упомянуть магнитные барабаны и магнитные ленты, которые хранили
информацию за счет намагничивания фрагмента поверхности (намагничено/ не
намагничено).
БОльшей популярностью пользовались компактные гибкие магнитные диски, иначе
называемые дискетами.
Все перечисленные способы хранения информации в настоящее время не используются.
Сейчас в качестве основных носителей информации применяются:
 жесткие магнитные диски;
 флеш-память;
 лазерные диски (реже).
Появляются также новые виды памяти. Рассмотрим подробнее каждый вид внешней
памяти.

Магнитный диск.
Все магнитные запоминающие устройства для принципа записи информации используют
намагничивание фрагмента поверхности магнитного носителя в том или ином
направлении (север – юг или юг-север).
В жёстких магнитных дисках в качестве намагничиваемого фрагмента поверхности диска
выступает магнитный домен (от лат. dominium — владение) — макроскопическая
однородно намагниченная область в ферромагнитных образцах, отделенная от соседних
областей тонкими переходными слоями (доменными границами).
Для намагничивания домена (записи информации) применяется электромагнитная
индукция, согласно которой переменное электрическое поле порождает магнитное поле;
и, наоборот, переменное магнитное поле порождает электрическое. Последнее
утверждение обеспечивает чтение информации.

Как видно на картинке, при подаче тока (того или иного направления - 1) в сердечнике
возникает магнитный поток (направление потока зависит от направления тока - 2).
Возникающий магнитный поток намагничивает поверхность носителя информации в
направлении возникшего магнитного потока (3).

Продольная запись на диск.

На рисунке приведено изображение записывающей и считывающей головок при
движении диска.

Запись производится подачей тока на обмотку записывающей головки; возникающее

магнитное поле намагничивает поверхность диска (показано стрелкой светло-серого
цвета).
Чтение производится следующим образом: читающая головка движется над
намагниченным доменом; в ее обмотке возникает переменный ток направления,
определенного намагничиванием домена, над которым в данный момент движется
головка. Направление тока считывается аппаратурой и определяет записанную
информацию.
Обратите внимание: размер считывающей головки существенно меньше размера
записывающей головки.
Головки экранируются от влияния соседних доменов при помощи магнитных экранов.

Устройство жесткого диска.

Жесткий магнитный диск состоит из нескольких пластин (как правило, от 1 до 9),
покрытых магнитным материалом и соединенных между собой при помощи шпинделя.
Каждая пластина имеет две намагничиваемые поверхности. Для каждой поверхности
предусмотрена своя головка чтения/записи.
Вращение пластин и головок обеспечивается при помощи двух электродвигателей.
Скорость вращения дисков составляет примерно 5-10 тысяч оборотов в минуту;
стандартная скорость - 7200 оборотов в минуту.

Жесткий магнитный диск хранит информацию в магнитных доменах. Для упорядочивания

хранимой информации домены располагаются не хаотично на пластинах, а на дорожках
пластин.
Каждая поверхность жесткого магнитного диска разбита на дорожки. Каждая дорожка
содержит некоторое количество секторов.
Сектор – минимальная информация, которая может быть записана или прочитана на
жестком магнитном диске. Размер сектора может быть 512 байт (исходный размер) или
4096 байт (современный размер).
При обращении к данным на диске требуется позиционировать головку на нужном
секторе диска. При этом тратится время на перемещение головки к нужной дорожке (5-
10мс) и на ожидание нужного сектора на дорожке (3-6мс).
Из приведенного описания можно сделать вывод, что жесткий магнитный диск, будучи
механическим устройством, обладает не слишком высокой скоростью обращения к
данным за счет конечной скорости работы механических деталей.

Тенденции развития накопителей на жестких магнитных дисках.

Первый HDD емкостью 5 Мбайт был выпущен в 1956 году и имел следующие
характеристики:
50 дисков диаметром 24 дюйма.
Скорость вращения дисков 1200 об/мин.
Среднее время доступа к произвольной ячейке ~ 1 с.
Плотность записи 2 Кбит на кв. дюйм.
Размер сравним с двумя современными двухкамерными холодильниками.
Вес 971 кг.
В настоящее время объем дисков измеряется терабайтами. Например, в 2013 году
компания HGST (ранее Hitachi Global Storage Technologies, сейчас - подразделение Western
Digital) анонсировала выпуск Ultrastar C10K1200 со следующими характеристиками:
Объем 1,2 ТБ.
Типоразмер 2,5 дюйма.
Интерфейс SAS 6 Гбит/с; буфер 64 МБ.
Среднее время наработки на отказ 2 млн часов (228 лет).
Скорость вращения шпинделя 10 000 об/мин. 
В 2017 году на конференции OCP Summit компания Seagate представила Seagate Enterprise
Capacity 3.5 HDD:
Объем 12 ТБ.
Гарантия пять лет (при беспрерывной работе 24 часа).
Среднее время наработки на отказ 2,5 млн часов (285 лет).
Скорость вращения 7200 об/мин.
Скорость передачи данных 260 МБ/с.
Очевидны следующие тенденции:
Увеличение объема хранимой информации.
Уменьшение физического объема.
Увеличение скорости доступа.
Если проследить тенденцию увеличения объема хранимой информации, то можно
получить следующие цифры:

Увеличение объема информации при сокращении физического объема обеспечивается

различными факторами, наиболее существенным фактором является увеличение
плотности записи.
От первых жестких магнитных дисков плотность записи на пластинах возросла более чем
в десятки миллионов раз. Для увеличения плотности записи сокращается ширина
магнитных дорожек, увеличивая их количество, сокращается размер магнитного домена:

Но в силу природы магнетизма бесконечное сокращение размера магнитного домена

невозможно. Существует конечный минимальный размер домена, при котором домен
будет сохранять намагниченность. И этот предел при использовании описанной
технологии продольной записи к 2005 году был практически достигнут. Потребовалось
внедрение новых технологий. На смену продольной записи пришла поперечная запись на
диск.
Поперечная запись на диск (PMR perpendicular magnetic recording).
Идея новой технологии заключалась в поперечном размещении магнитного домена на
поверхности диска. Размер домена остается прежним, а занимаемая площадь
поверхности уменьшается. Для намагничивания поперечно расположенного домена
пришлось изменить конструкцию записывающей головки: магнитное поле требовалось
перенаправить не вдоль намагничиваемой поверхности, а поперек. И размер
намагничивающей области головки должен был соответствовать размеру самого домена.
Как видно из рисунка, у головки PMR одно «плечо» существенно уже другого: именно
узкое «плечо» дает магнитное поле, необходимое для намагничивания домена.
PMR дала возможность существенно увеличить плотность записи. С усовершенствованием
технологий прогнозируемый предел плотности записи увеличивается, но
приблизительный выигрыш поперечной записи на диск по сравнению с продольной – в 2-
3 раза.
Прогнозируемый предел записи в Гбит/дюйм2
 
До 2005 ~2005 Настоящее время
Продольная запись на диск 30 120  
Поперечная запись на диск   350 1000
Принцип черепичной записи SMR (Shingled Magnetic Recording).
Следующим шагом в развитии технологий магнитной записи стала технология черепичной
записи SMR.
Как уже рассматривалось, информация на диске пишется дорожками. В поперечной и
продольной технологиях записи дорожки располагаются друг от друга на некотором
расстоянии.

При этом считывающая головка имеет меньший размер, чем записывающая.

При черепичной записи дорожки «обрезаются» (чуть сокращается их размер), расстояние
между дорожками уменьшается вплоть до наложения дорожек друг на друга, как при
укладке черепицы.

Очевидно, что при подобной организации количество дорожек можно увеличить,

увеличив объем записываемой информации.
Чтение при черепичной записи производится стандартно, а при записи возникает
проблема наложения дорожек: записывающая головка (ее размер больше читающей)
стирает информацию на соседних дорожках.

Во избежание потери информации на соседних дорожках дорожки объединяются в

пакеты. При записи информации на n+1 дорожку предварительно считывается
информация с n+2 дорожки, после чего возможна запись на n+1 дорожку, которая затрет
предварительно сохраненную информацию на n+2 дорожке. И потом производится
запись данных на n+2 дорожку.

Планируемое увеличение объема магнитного диска за счет SMR составляет 25%.

Данная технология внедрена в 2015 году. Примером может служить Ultrastar He10 на 10
Тбайт:
технология продольной магнитной записи (PMR);
технология черепичной записи (SMR);
заполнение гелием корпуса; гелий легче воздуха, что обеспечивает сокращение уровня
вибрации (турбулентности) между диском и головкой;
снижение нагрузки на электромотор;
снижение потребления диском энергии;
7 пластин, 14 головок, 7200 об/мин;
DRAM для кеширования.
Разрабатываемые технологии повышения плотности записи жестких магнитных дисков.
В настоящее время ведется множество исследований и разработок для дальнейшего
повышения плотности записи на магнитные диски.
Одной из этих технологий является HAMR (Heat-assisted magnetic recording) -
термоассистируемая магнитная запись, которая обещает увеличить плотность записи до 5
Тбит/дюйм2.
Так как основной проблемой уплотнения записи является невозможность уменьшения
размера магнитного домена (домен меньшего размера не может хранить
намагниченность), в рамках данной технологии идет поиск материалов, которые
позволяют создавать меньшие магнитные домены, сохраняющие свою намагниченность.
Но эти материалы гораздо труднее намагничиваются. Чтобы сделать материал более
восприимчивым к намагничиванию, его требуется нагреть лазером в момент
прохождения записывающей головки.
Теоретический предел плотности записи при использовании HAMR оценивают в 50
Тбит/дюйм2, что дает 80 Тбайт на пластину жесткого диска в форм-факторе 3,5 дюйма.
По словам Seagate, прототипы её жёстких дисков на базе HAMR используют головки,
которые локально нагревают пластину до 450 °C, используя лазер с длиной волны 810 нм
и мощностью 20 мВт.
Seagate разрабатывает данную технологию с 1998 года; в 2013 году был достигнут
некоторый результат. В настоящее время плотность записи у винчестеров на базе HAMR
составляет примерно 2 Тбит/дюйм2.
Информации о внедрении данной технологии в промышленную эксплуатацию нет.
Подробнее прочитать о данной технологии
возможно на https://3dnews.ru/907475 (Ссылки на внешний сайт.)Ссылки на внешний
сайт. и https://3dnews.ru/940452.
Другое сходное направление развития - BPMR (Bit Patterned Magnetic Recording) – связано
с поиском материалов, каждая частица которых может хранить один бит информации. Как
решение рассматривается нанолитография. Информации об успешных результатах
исследований пока нет.
Сектор диска и Система Advanced Format.
Еще одним способом увеличения объема жесткого магнитного диска является увеличение
объема сектора диска:
Данные на дорожках диска хранятся посекторно: сектор – минимальная единица
чтения/записи информации на диск. Старый размер сектора был 512 байт.
Каждый сектор обязательно имеет преамбулу размером 15 байт – начальные биты
сектора, содержащие код синхронизации (для позиционирования головки на начало
сектора) и метку адреса данного сектора. Далее непосредственно записываются данные
(512 байт). В конце сектора записывается контрольная сумма, на которую отводится 50
байт.
Если для мегабайтных жестких дисков размер минимальной единицы данных в 512 байт
был оправдан, то в 2007 году было принято решение ввести Advanced Format –
увеличенный в 8 раз размер сектора (до 4096 байтов).

Как наглядно показано на рисунке, полезный размер диска увеличивается за счет

уменьшения количества преамбул и контрольных сумм.
8 секторов размером 512 байт занимают в общей сложности (15+512+50)*8=4616 байт.
Один сектор размером 4096 с контрольной суммой, увеличенной до 100 байт, занимает
(15+4096+100)=4211 байт.
Общий выигрыш введения Advanced Format составил 7-10%.
Проблемы жестких дисков и их решение. RAID. 
Несмотря на постоянно развивающиеся и совершенствующиеся технологии изготовления
жестких магнитных дисков, основными их недостатками остаются:
Низкая скорость доступа к информации, обусловленная механикой работы диска.
Возможность отказа оборудования как по причине повреждения поверхности, так и из-за
повреждения сопутствующей аппаратуры. Объективно оценивая вероятность отказа
жестких магнитных дисков, надо признать, что она невелика, но отлична от нуля.
Ультрасовременные диски имеют гарантию пять лет и среднее время работы на отказ
около двух с половиной миллионов часов (более двухсот лет). Но возможность утери
хранимой информации остается, что побуждает продумать механизм защиты хранимых
данных.
Для решения указанных проблем (одновременно обеих или одной из них) существует
возможность создания RAID-массивов.
Изначально RAID расшифровывался как Redundant Array of Inexpensive Disks —
избыточный массив недорогих дисков. Потом RAID переименовали в  Redundant Array of
Independent Disks — избыточный массив независимых дисков.
Идея RAID: объединить несколько дисков для совместной работы. Рекомендуется
использовать диски одинакового размера; предпочтительнее – одной модели.
Существуют различные варианты создания массивов дисков. Рассмотрим наиболее
популярные: RAID0, RAID1 и RAID5.
RAID 0 (Дисковый массив без отказоустойчивости (Striped Disk Array without Fault
Tolerance)) строится минимум из двух дисков; дисковые пространства соединенных
дисков воспринимаются как непрерывное пространство одного диска. При этом запись
информации производится одновременно на оба диска массива, что повышает скорость
обращения к внешней памяти.

Например, первый сектор файла записывается на первый диск; одновременно с ним

записывается второй сектор этого файла на второй диск. Аналогично параллельно
записываются 3-ий и 4-ый секторы файла.
Таким образом, при чтении и записи данных, скорость обращения возрастает в
количество раз, соответствующее количеству дисков.
Существенным минусом RAID0 является то, что при повреждении одного диска теряется
вся записанная информация.
Объём массива равен сумме объёмов дисков.
RAID 1 (Дисковый массив с зеркалированием (Mirroring & Duplexing)) реализуется, как
правило, на 2-х дисках (необходимо чётное количество дисков); при этом информация,
записываемая на один диск, дублируется на втором диске.
При такой организации надежность хранения данных существенно возрастает: в случае
сбоя одного диска, диск заменяется, контроллер автоматически восстанавливает
информацию на нём, копируя данные уцелевшего диска.

Увеличения скорости RAID1 не обеспечивает; некоторое замедление возможно. Объём

хранимых данных равен объёму одного диска. RAID1 активно применяется в ситуациях,
когда надо обеспечить сохранность данных, в частности – в серверах баз данных.
RAID1 существенно повышает надежность хранения данных, но приводит к не менее
существенным потерям полезной дисковой емкости.
RAID 5 (Отказоустойчивый массив независимых дисков с распределенной четностью
(Independent Data Disks with Distributed Parity Blocks)) обеспечивает одновременно и
повышение надежности хранимой информации, и не столь существенные потери
полезной емкости дисков.
Для создания RAID5 требуется не менее 3-х дисков. Рассмотрим работу RAID5 на примере
объединения 4-х дисков.
При записи данных в RAID5 первая порция данных записывается в n-ый сектор первого
диска; вторая – в n-ый сектор второго диска; третья - в n-ый сектор третьего диска; в
соответствующий n-ый сектор четвертого диска записывается контрольная сумма трех
записанных секторов. Контрольная сумма вычисляется для каждого бита сектора как
сложение соответствующих бит секторов 1-го, 2-го и 3-го дисков по модулю два.

Следующая порция данных пишется в секторы 1-го, 2-го и 4-го дисков; контрольная сумма
при этом пишется в сектор 3-го диска; и т. д.
Таким образом, при повреждении одного из дисков информация на нем
восстанавливается по контрольной сумме. Рассмотрим пример записи одного (для
простоты) бита сектора. Допустим, записывается информация в 1-ый диск «1»; во 2-ой
диск «1»; в третий – «0». В качестве бита четности записывается «0».

При повреждении второго диска требуется обратным ходом восстановить значение

каждого бита.

Для рассматриваемого бита, если бит четности «0»; а 1-ый и 3-ий диски содержат «1» и
«0», - это «1».
Полезная емкость массива RAID5 из N дисков равна суммарной емкости N–1 диска.
Существенного сокращения времени записи (из-за расчета контрольных сумм) не
наблюдается.
В реальных системах применяются как описанные варианты RAID, так и комбинации
описанных RAID; например: комбинация RAID0 и RAID1 для ускорения записи/чтения и
обеспечения надежного хранения. Или RAID1 и RAID5 для повышения надежности
хранимых данных.
Флеш-память.
Флеш-память, как разновидность перезаписываемой ПЗУ, является энергонезависимой
памятью. Для хранения данных энергия не требуется; энергия требуется только для
записи информации.
Флеш-память является полупроводниковой (твердотельной) памятью, не содержащей
механически движущихся частей, построенной на основе интегральных микросхем.
Ячейка флеш-памяти реализована на транзисторе с плавающим затвором.
Устройство транзистора с плавающим затвором.
Транзистор с плавающим затвором отличается от классического транзистора наличием
плавающего затвора, расположенного (плавающего) в диэлектрике между управляющим
затвором, стоком и истоком.
Электрический заряд, занесенный на плавающий затвор, может сохраняться на нем
годами. Например, в одном из исследований было установлено, что за 10 лет при
температуре +125 по Цельсию заряд уменьшился до 70% от первоначального.

Чтение с транзистора с плавающим затвором.

Для чтения Исток заземляется, а на Сток подается +1В.
Если на плавающем затворе нет заряда, то транзистор работает в режиме обычного
транзистора: при подаче напряжения +5В на управляющий затвор (на базу) в транзисторе
возникает ток; данное состояние транзистора трактуется как записанная в транзистор «1».

Если на плавающем затворе присутствует заряд, то отрицательный заряд компенсирует

положительное напряжение на базе; транзистор останется закрытым (более верная
формулировка - «ток будет идти, но чрезвычайно слабый»). Данное состояние
транзистора трактуется как записанный «0».
Запись информации на транзистор с плавающим затвором.
Для записи «0» в ячейку флеш-памяти (помещения зарядов на плавающий затвор)
используется метод инжекции горячих электронов: на управляющий затвор подается
большое положительное напряжение (+12В), на сток – +7В.

Если на сток и управляющий затвор подать высокое напряжение, электроны в канале

получают энергию, достаточную для преодоления барьера тонкого слоя диэлектрика, в
результате чего заносятся на плавающий затвор.
Для записи «1» в ячейку флеш-памяти (удаления зарядов с плавающего затвора)
используется метод туннелирования Фаулера-Нордхейма: на управляющий затвор
подается высокое отрицательное напряжение (- 9 В), а на область истока подается
положительное напряжение: заряд вытесняется с затвора.

Основным недостатком флеш-памяти является ограничение по количеству записи одной

ячейки. Каждая запись/стирание информации приводит к увеличению износа ячейки с
последующим ее разрушением. Для различных видов флеш-памяти количество циклов
записи варьируется от 1000 до 100000 раз.
NOR и NAND память.
NOR– первое архитектурное решение флеш-памяти, представленное Intel в 1988 году.
Как и ячейки оперативной памяти, ячейки NOR на физическом уровне объединяются в
прямоугольную матрицу. Выбор ячейки производится подачей напряжения на
управляющий затвор транзистора. Все управляющие затворы транзисторов в архитектуре
NOR присоединены к линии управления (или линии слов Word Line). При выборе ячейки
транзистор либо открывается (при записанном нуле), либо не открывается (при
записанной единице).
Результат чтения ячейки оценивается по состоянию линии бит (Bit Line), к которой
присоединены все стоки транзисторов. Если линия управления выбирает транзистор с
записанным нулем, выбранный транзистор открывается. Если линия управления выбирает
транзистор с записанной единицей, ток в выбранном транзисторе не идет.
Как видно из названия памяти, логическая операция «ИЛИ-НЕ» (NOR) над несколькими
операндами дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое
значение во всех остальных случаях. Операндами являются значения ячеек памяти.
Конструктивно NOR память реализует схему, когда высокий потенциал на выходе линии
бит устанавливается лишь тогда, когда все транзисторы соответствующего столбца
закрыты.

Архитектура NOR обеспечивает быстрый произвольный доступ к памяти, но процессы

записи и стирания информации происходят достаточно медленно. Кроме того, в силу
технологических особенностей производства микросхем флеш-памяти с архитектурой
NOR (каждому транзистору – свой проводник), размер самой ячейки получается весьма
большим, и поэтому такая память плохо масштабируется.
NAND флеш-память появилась спустя год после NOR как разработка компании Toshiba.
Функция NAND (И-НЕ) дает нулевое значение, когда все операнды равны единице.
Отличие NAND памяти от NOR заключается в том, что NAND память реализована не
двумерной, а трехмерной матрицей памяти. К одной линии бит подсоединено несколько
транзисторов, что позволяет уменьшить количество проводников.
Конструктивно NAND реализует схему, при которой  битовая линия имеет нулевое
значение в случае, когда все операнды равны единице, подсоединенные к ней
транзисторы открыты; единичное значение — когда хотя бы один из транзисторов закрыт.
Для реализации логики NAND транзисторы всех ячеек памяти, расположенных в одном
столбце Bit Line , соединены последовательно.
Для чтения состояния одной ячейки памяти (одного транзистора) надо аналогично памяти
NOR подать на линию слов (на затвор транзистора) пороговое напряжение и следить за
сигналом на линии битов. Но при этом необходимо, чтобы все остальные транзисторы в
цепочке были в открытом состоянии. Для этого на затворы всех остальных транзисторов в
этой цепочке подается повышенное напряжение. Величина напряжения должна быть
такая, чтобы, независимо от состояния плавающего затвора, транзисторы открылись.
NAND архитектура в силу особенностей технологического процесса производства
позволяет более компактно расположить транзисторы, а следовательно, хорошо
масштабируется. В отличие от NOR-архитектуры, где запись информации производится
методом инжекции горячих электронов, в архитектуре NAND запись осуществляется
методом туннелирования FN, что позволяет реализовать более быструю запись, чем для
архитектуры NOR. Чтобы уменьшить негативный эффект низкой скорости чтения,
микросхемы NAND снабжаются внутренним кэшем.
В силу того, что в NAND ячейки группируются в небольшие блоки, она получает
преимущество при последовательном чтении и записи, но проигрывает в операциях с
произвольным доступом.
Существенным недостатком является тот факт, что, если необходимо изменить несколько
бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это, учитывая ограниченность циклов
записи, ведет к повышенному износу ячеек.
Одно из последних предложений Toshiba – внедрение многослойной структуры  (когда
ячейки будут располагаться слоями, как на стеллажах полки). Это позволит без
существенного изменения технологических процессов увеличить количество
элементарных ячеек в одном чипе.
SLC, MLC, TLC.
Описанный механизм работы ячейки флеш-памяти носит название SLC (Single-level cell -
одноуровневые ячейки памяти). Ячейки памяти SLC имеют максимальное количество
циклов записи/стирания(100000) и обладают наименьшим временем доступа.
Развитие технологий флеш-памяти позволило записывать в одну ячейку не один бит
информации, как в SLC, а два бита (MLC - Multi-level cell - многоуровневые ячейки памяти),
и даже три бита информации (TLC - Three Level Cell).
Запись двух битов информации производится градацией количества заряда на
плавающем затворе. Когда ток транзистора очень мал (на плавающем затворе заряд есть
и заряда много), то считается, что в ячейку записаны два нулевых бита "00". Когда ток
транзистора несколько больше (количество заряда меньше), то считается, что в ячейку
записаны биты "01", когда ток еще больше (заряда немного), – то биты "10", а когда
максимальный (заряда нет, транзистор открыт), – то "11".
В одной ячейке TLC (Three Level Cell) хранятся три бита информации; количество заряда
градуируется восемью ступенями, каждая из которых соответствует трем битам двоичного
кода.

Чем больше информации хранится в одной ячейке, тем чаще обращения к ней, тем
больше ее износ, тем меньше срок ее службы, и тем больше время доступа.

В настоящее время появилась флеш-память, хранящая в одной ячейке 4 бита  - QLC (Quad
Level Cell).
Твердотельные диски. Преимущества и недостатки.
Флеш-память в настоящее время активно используется и выпускается в самых различных
форм-факторах: традиционные «флешки», SD, миниSD, микроSD –карты.
Отдельного внимания заслуживает конкурент жестким магнитным дискам -
твердотельный накопитель SSD (solid state drive). SSD состоит из микросхем флеш-памяти,
запаянных на единую плату и работающих как единый носитель информации. SSD
характеризуется:
Быстрым доступом к любым случайным данным: нет необходимости механического
перемещения головок;
Из предыдущего пункта следует некритичность твердотельных накопителей к
фрагментации файлов;
Нет движущихся частей – нет шума в работе;
Повышенная механическая надёжность;
Низкое энергопотребление и нагрев (при небольшой ёмкости; при высоких емкостях
преимущество теряется);
Небольшой вес и габариты (справедливо для относительно малых объёмов памяти SSD,
менее 256Гб);
Высокая стойкость к экстремальным условиям, что актуально для ноутбуков и других
мобильных устройств.
Недостатками SSD являются:
Высокая цена, которая проигрывает HDD.
Ограничение на число циклов перезаписи для SSD. Данный недостаток отчасти
компенсируется применением алгоритмов равномерного износа, которые позволяют
определить место записи новой информации в наиболее редко используемые ячейки.
Уязвимы для статического электричества, сильных магнитных полей, критичны к сбоям в
питании.
По ёмкости устройства SSD уступают жёстким дискам.
Особенности флеш-памяти: стирание информации требует повышенных токов, что
снижает скорость перезаписи по сравнению с чтением.
Ниже приведены результаты сравнения SSD Samsung и HDD Barracuda, опубликованные в
2011 году (http://tradegroup.com.ua/index.php?page=article&id=97).
При последовательном обращении к данным HDD проигрывает SSD, но не критично.

А при случайном обращении к ячейкам проигрыш HDD более существенен: почти на два
порядка SSD превосходит HDD.

Расход энергии SSD меньше примерно в 5 раз.

В настоящее время наблюдается аналогичная тенденция: SSD превосходит HDD по

скорости обращения к данным на пару порядков, выигрывая также в энергопотреблении
и бесшумности.
Гибридные диски SSHD (Solid State Hybrid Drive).
Совместить преимущества HDD и SSD можно в гибридных дисках, в которых хранение
данных производится на HDD носителе, а для увеличения скорости обмена используется
SSD небольшого объема (4-8 ГБ), который используется в качестве кэш-памяти.
Принцип работы гибридного диска: анализ часто используемых данных, размещенных на
HDD, и перенос их в память встроенного SSD-накопителя для повышения скорости чтения
при последующих обращениях пользователя к ним.
Тесты показывают неплохие результаты для гибридных дисков: гибридные диски
проигрывают SSD, но выигрывают у HDD по скорости работы. Но имеют больший объем и
меньшую стоимость, чем SSD.
Лазерные диски.
История развития лазерных дисков началась еще в 70-е гг. минувшего столетия. Первые
диски делались на основе стекла (1970 год, Philips), далее – на поликарбонате (1979 год).
Основные характеристики CD-диска (Compact Disc):
объем 600-650 Мбайт;
диаметр 12 см;
толщина 1,2 мм;
масса 10 г;
время звучания ~74 минуты;
запись на одну сторону диска;
информация пишется по спиральной дорожке;
длина записывающей дорожки ~5 км;
односкоростной CD-привод позволял читать данные со скоростью 150 Кбайт/сек;
впоследствии появились более скоростные устройства, передающие информацию в
несколько раз быстрее (в 2 раза, в 4 раза, в 8 раз, …).
Устройство CD-диска.
На поликарбонатной основе лазерного диска располагается светоотражающий слой,
который и содержит хранимую информацию. Отражающий алюминиевый слой имеет
толстый защитный лаковый слой. На защитное покрытие можно наносить надписи или
иллюстрации.

Первые лазерные диски – CD-диски – предполагали только чтение информации; запись

производилась в заводских условиях: основа прессовалась по шаблону; сверху
наносились светоотражающий и защитный слои.
Информация на диске записывается в виде спиральной дорожки из углублений – питов.
Чтение информации производится лазером: лазерный луч наводится на поверхность
диска и, в зависимости от рельефа поверхности, отражается обратно, где фиксируется
приемником, встроенным в лазерную головку, что соответствует нулю, либо отражается
вбок, фиксации приемником не происходит, что соответствует единице.
Таким образом, фрагменты дорожки поверхности содержат нули, если поверхность
горизонтальная, или единицы, если есть наклон поверхности.
В случае, если на поверхности диска появлялись физические повреждения, не
затрагивающие отражающий слой, диск оставался доступным к чтению. (Лазерный луч
проходил и отражался беспрепятственно ).
CD-R (Recordable - записываемый) и CD-RW (Rewritable - перезаписываемый) диски
изготавливаются по другой технологии: на основу диска наносится активный
(регистрирующий) слой.
Для R-дисков регистрирующий слой делается из органического материала. При записи
разрушаются химические связи материала, что приводит к его потемнению (изменению
коэффициента отражения материала). Запись производится модуляцией мощности
лазера.
У RW-дисков регистрирующий слой под воздействием луча меняет свое состояние: запись
осуществляется изменением коэффициента отражения материала в результате его
перехода из аморфного агрегатного состояния в кристаллическое и наоборот. Для RW-
дисков запись также производится модуляцией мощности лазера, но имеет свои
особенности.
На чистом диске CD-RW регистрирующий слой находится в кристаллической форме.  При
записи мощный луч записывающего лазера разогревает участок поверхности, диск
остывает, часть активного слоя переходит в аморфную форму.
Для стирания информации (возврат вещества активного слоя в кристаллическое
состояние) нагрев производится до меньшей температуры (менее интенсивным лучом).
Для лазерного диска существует ограничение циклов перезаписи – около 1000.
Также надо помнить особенность аморфных веществ кристаллизоваться со временем:
есть вероятность утери информации спустя некоторое количество лет. Также диски могут
быть стерты простым нагреванием.
DVD-диски.
Следующим шагом в развитии технологий лазерных дисков в 1996 году стали DVD –диски:
Digital Versatile Disc — цифровой многоцелевой диск или Digital Video Disc — цифровой
видеодиск.
Отличие DVD от СD заключалось в меньшем размере расстояния между дорожками и в
меньшем размере питов, что позволило создавать однослойные DVD диски емкостью до
4,7 Гбайт.
HD-DVD и Blu-ray диски.
В 2000-2002 гг появились новые стандарты лазерных дисков: HD-DVD и Blu-ray.
Отличие HD-DVD и Blu-ray от CD и DVD заключается (аналогично разнице CD и DVD) в
размере пита и расстоянии между дорожками. Но если CD и DVD используют красный луч
с длиной волны 780 нм, то HD-DVD и Blu-ray используют синий луч с длиной волны 405 нм.
Красный луч, будучи слишком широким, не позволяет распознать отдельные питы.
HD-DVD позволял записывать на одну поверхность данные объемом 15 Гбайт,
двусторонний HD-DVD – 30 Гбайт. Blu-ray позволял записать 25 Гбайт на одну сторону,
двусторонний – 50 Гбайт.
В 2006-2008 гг. данные технологии конкурировали, в 2008 Blu-ray вытеснил конкурента с
рынка.

Blu-ray технология имела еще ряд отличий:

Слой записи информации находится сверху, что позволило уменьшить преломление
лазерного луча и, как результат, размещать питы ближе друг к другу.
Как результат, записываемый слой требовал защиту: наносится прозрачное пленочное
покрытие толщиной 0,1 мм из поликарбоната (свойство очень низкого двойного
лучепреломления ), сверху - твердое покрытие.
Но, несмотря на защиту, стоит помнить, что Blu-ray- диски, в отличие от CD, чувствительны
к повреждениям поверхности.
С 2010 году введен Трехслойный Blu-ray, позволяющий записывать до 100 Гб
информации, и четырехслойный , позволяющий хранить до 128 Гбайт.
Стоит отметить, что в настоящее время, с развитием и повсеместным внедрением сетевых
технологий и флеш-памяти, популярность лазерных дисков резко уменьшилась.

Также появились двусторонние (9,4 Гбайт) и двухслойные диски (8,5 Гбайт).

Двусторонние диски позволяли наносить и читать информацию с двух сторон (сверху и
снизу): не пропадала поверхность. Сама информация располагалась в середине диска.
Двухслойные диски имели два слоя; причем верхний был полупрозрачный, за счет чего
можно было «сквозь» него читать нижний слой.
Новые виды памяти.
В последние десятилетия ведутся постоянные разработки в области создания новых
материалов и технологий, которые позволят создавать новые виды памяти или
увеличивать плотность записи и скорость доступа существующих видов памяти.
Наметилась тенденция создания энергонезависимой памяти с возможностью применения
ее в качестве оперативной памяти (для хранения выполнимых программ и
обрабатываемых данных). Интересным примером является энергонезависимая память 3D
XPoint.
О разработке новой энергонезависимой памяти 3D XPoint сообщили в 2015 году
компании Intel и Micron. По заявлению компаний новый вид памяти в перспективе
должен в 1000 раз увеличить скорость работы твердотельных накопителей и в 1000 раз
снизить износ носителя. На момент анонса разработчики не предоставили информацию о
природе новой памяти.
В настоящий момент выпущены и протестированы модули заявленной памяти в форм-
факторах PCIe-карт или модулей DIMM с 288 контактами с интерфейсами PCI Express 3.0 и
DDR4.
В частности, SSD DC P4800X имеет объем 375 Гбайт, случайную производительность 500‒
550 тысяч IOPS при записи и чтении с латентностью доступа менее 10 микросекунд.
Заявленная надёжность: по 30 полных перезаписей каждый день в течение пятилетнего
срока.
 

По результатам тестирования память 3D Xpoint занимает место между NAND флеш-

памятью и оперативной динамической памятью.

По информации http://ichip.ru/revolyuciya-na-rynke-pamyati-intel-3d-xpoint-zamenit-ram-i-
ssd.html (Ссылки на внешний сайт.)Ссылки на внешний сайт. 3D XPoint память реализована
на основе фазового перехода: используются материалы, которые при нагреве
моментально меняют свое состояние из аморфного в кристаллическое.
 
Помимо описанных ранее в тексте технологий можно также упомянуть технологию,
разрабатываемую с 2010 года, впервые продемонстрированную в 2013 году, лазерной
«5D-записи» данных на оптические диски из кварцевого стекла.
(https://www.ixbt.com/news/2021/11/01/metod-vysokoskorostnoj-lazernoj-zapisi-pozvoljaet-
zapisat-na-stekljannyj-disk-razmerom-s-kompaktdisk-500-tb-dannyh-.html)
Ученые из университета Саутгемптона разработали носитель информации нового типа.
Материал представляет собой наноструктурированное кварцевое стекло, для которого
разработан процесс записи и механизм считывания данных. Лазерные импульсы при
записи диска создают в нём объёмные микрокристаллы различной формы. Длина,
ширина и высота каждого микрокристалла, а также сила и поляризация импульса света,
который возвращается от него при считывании, дают «пять измерений», в которых можно
закодировать данные.
По данным Hubr (https://habr.com/ru/post/390695/) запись идет с использованием
фемтосекундного лазера с длиной волны 1030 нм, импульсами по 8 микроджоулей
продолжительностью 280 фемтосекунд с частотой 200 кГц, с помощью выжигания в
кристалле точек, слоями на расстоянии 5 мкм друг от друга (1 микрометр — одна
миллионная метра) на глубине 140 мкм от поверхности кварцевого стекла.
Достигнутая плотность записи существенно превышает возможности Blu-ray дисков и
составляет порядка 500 ТБ на диск, но скорость записи на диск невелика — порядка 225
килобайт в секунду.
Главное достоинство оптических накопителей из кварцевого стекла — их крайне высокая
надёжность. По заявлениям разработчиков накопители выдерживают температуры до
тысячи градусов; заявлено, что при 190 °C они могут хранить данные в течение 13-14
миллиардов лет.