5 - BQ24726 Ru

Подпишитесь на DeepL Pro и переводите документы большего объема.
Подробнее на www.DeepL.com/pro.
bq24726
www.ti.com SLUSA79A - ИЮЛЬ 2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО НОЯБРЬ
2010
Контроллер заряда SMBus для 1-4-элементных Li+ батарей с N-канальным

драйвером затвора MOSFET с блокировкой обратного хода и расширенной
защитой цепи
Проверить наличие образцов: bq24726
ОСОБЕННОСТИ
• SMBus управляемый хостом NMOS- ОПИСАНИЕ
NMOS
Синхронный Buck-преобразователь сВ bq24726 - это высокоэффективное синхронное
программируемое зарядное устройство с частотой 615 кГц, 750 кГц и 885 кГц ,
предлагающее низкое количество компонентов для частоты переключения. ограниченное
пространство, многохимическая зарядка аккумуляторов
• Внутренний насос заряда при применения.
обратном ходе
Блокирующий МОП-транзистор (RBFET) В bq24726 используется зарядовый насос для
управления n-каналом.
• Управление системой в реальном времени RBFET для повышения эффективности системы.
на выводе ILIM для ограничения
Ток заряда Управляемый по шине SMBus входной ток, ток
заряда и
• Усовершенствованные функции безопасности при перегрузке по напряжению ЦАПы
напряжения заряда обеспечивают высокую степень регулирования
Защита, защита от перегрузки по току, точности, которые могут быть запрограммированы
защита от короткого замыкания батареи, микроконтроллером управления питанием системы.
индуктора и МОП-транзистора
• Программируемый входной ток, напряжение заряда, В bq24726 используется внутренний регистр
входного тока или
Ограничения тока заряда внешний вывод ILIM для уменьшения
дросселирования ШИМ-модуляции до
– ±0,5% Точность напряжения заряда до уменьшить ток заряда.
19,2 В В bq24726 предусмотрен выход IFAULT,
– ±3% Точность тока заряда до 8,128A сигнализирующий о неисправности MOSFET или
превышении тока на входе. Этот тревожный
– ±3% Точность входного тока до 8,064A выход позволяет пользователям отключить
входное питание
– ±2% 20x Ток адаптера или ток заряда селекторы при возникновении неисправности.
Точность выходного сигнала усилителя
bq24726 заряжает одну, две, три или четыре серии.
• Программируемое обнаружение Li+ элементов, и поставляется в 20-контактном
адаптера и корпусе 3,5 x 3,5 мм.2
Индикатор Пакет QFN.
• Встроенный плавный пуск
Ф HI R
• Встроенная компенсация контура V А D
B
E
C З T
R G
• Диапазон работы адаптера переменного тока 5В-24В C А V
S
N
20 19 18 T
17 16
• 15 мкА Ток разряда батареи в выключенном состоянии
• 20-контактный корпус 3,5 x 3,5 мм2 ул 1 15
утбуки
QFN ьт и
рат 2 14 нетбук
он bq24726 и
ПРИЛОЖЕНИЯ кие 3 13
• Персон
• Портативные ноутбуки, UMPC, но
4 12 альный
цифровой помощник ACN LODRV
• Ручной терминал
ACP GND
• Промышленное и медицинское
оборудование CMSRC SRP
• Портативное оборудование
ACDRV SRN
ACOK IFAULT
A IO S S И
C U D C Л
D T A L И
E М
T
Обратите внимание, что в конце данного технического описания содержится важное уведомление о доступности,
стандартной гарантии, использовании в критических приложениях полупроводниковой продукции Texas Instruments и отказ от
ответственности.
PowerPAD является торговой маркой Texas Instruments.
Информация о ДАННЫХ ПРОДУКЦИИ актуальна на дату публикации. Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated
Продукция соответствует спецификациям в соответствии с условиями Техаса
Стандартная гарантия на приборы. Производственная обработка не
обязательно включает тестирование всех параметров.
bq24726
SLUSA79A - ИЮЛЬ 2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО www.ti.com
НОЯБРЬ 2010
Эти устройства имеют ограниченную встроенную защиту от электростатического разряда. Во избежание электростатического
повреждения МОП-затворов выводы следует закоротить или поместить устройство в проводящую пену при хранении или
обращении с ним.
ИНФОРМАЦИЯ ОБ УСТРОЙСТВЕ
Защита Q6 D2
обратног R12 BSS138W BAT54C
о входа 1M
R13
3.01M
Q1 (ACFET) Q2 (RBFET)
Si4435DDY FDS6680A RAC 10м
Адаптер СИСТЕМА
Ri  Общи
Ci 2,2 R9 й Csys
C1 0,1 C3 0,1 10Ω
мкФ Контроли 220
+ руется
мкФ мкФ C5 мкФ
хозяином 1
ACN мкФ
C2 VCC
адаптер 0,1
R11 мкФ Контроли
R10 Q5 (BATFET)
4.02k D3 ACP руется
4.02k Si4435DDY
BAT30K хозяином
C6
- CMSRC 1
мкФ
REGN
ACDRV
D1
D4 R1 БАТ5 C9
BTST C8
RB751V40 430k 4 10uF 10uF
+1.5V ACDET
R2 R14 R8 Q3
Если 66.5k 100k 100k
HIDRV
Sis412DN РСР
C7 0.047
адаптер MODADJ Q7 R7
ИЛИМ
U1 мкФ 10m
отсутствуе MMST3904 316k bq24726 ФАЗА Упаковк
т, а Iout L1 4,7
+3.3V мкГн
C10 C11 а+
R3 R4 R5 R6 10
необходим 10k 10k 10k 10k Q4 10
LODRV мкФ мкФ
, эта шина Sis412DN
включена ХОС SMBus SDA
Упаковк
GND
Т а-
SCL
SRP
ACOK
R15
* C13
Dig I/O 10Ω 0,1
СРН мкФ
IFAULT
C14
R16
7.5Ω
* 0,1
АЦП IOUT мкФ
C4 PowerPad
100p
Fs = 750kHz, Iadpt = 4.096A, Ichrg = 2.944A, Ilim = 4A, Vchrg = 12.592V, адаптер 90W и батарейный блок 3S2P.
Информацию о защите от отрицательного выходного напряжения при жестком замыкании батареи на землю
или обратном подключении батареи см. в информации по применению.
Рисунок 1. Типичная схема системы
ИНФОРМАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ
КОД ЗАКАЗА
НОМЕР ЧАСТИ МАРКИРОВКА ИС ПАКЕТ QUANTITY
(Лента и катушка)
bq24726RGRR 3000
bq24726 BQ726 20-контактный 3,5 x 3,5
мм2 QFN bq24726RGRT 250
2 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

документации Incorporated
Ссылка(и) на папку с
информацией о продукте
:bq24726
bq24726
www.ti.com SLUSA79A - ИЮЛЬ 2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО
НОЯБРЬ 2010
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
в рабочем диапазоне температур свободного воздуха (если не указано иное) (1)(2)
VALUE ЮНИТ
SRN, SRP, ACN, ACP, CMSRC, VCC от -0,3 до
30
Диапазон напряжения ФАЗА от -2 до 30
V
ACDET, SDA, SCL, LODRV, REGN, IOUT, ILIM, ACOK, IFAULT от -0,3 до
7
BTST, HIDRV, ACDRV от -0,3 до
36
Максимальное разностное SRP-SRN, ACP-ACN от -0,5 до
напряжение 0,5
Диапазон температур спая, TJ от -40 до °C
155
Диапазон температур хранения, Tstg от -55 до °C
155
(1) Нагрузки, превышающие указанные в абсолютных максимальных номинальных значениях, могут привести к необратимому
повреждению устройства. Это только номинальные значения напряжения, и функциональная работа устройства при этих или
любых других условиях, кроме указанных в рекомендуемых условиях эксплуатации, не подразумевается. Длительное
воздействие условий с абсолютными максимальными значениями может повлиять на надежность устройства.
(2) Все напряжения указаны относительно GND, если не указано. Токи положительны в указанной клемме и отрицательны вне ее.
Обратитесь к разделу "Упаковка" справочника по тепловым ограничениям и соображениям, связанным с упаковками.
ТЕПЛОВАЯ ИНФОРМАЦИЯ
bq24726
ТЕРМАЛЬНАЯ РГР ЕДИНИЦЫ
МЕТРИКА(1)
20
КОНТАК
ТОВ
JA Тепловое сопротивление перехода от стыка к окружающей среде(2) 46.8
JT Параметр характеристики перехода от стыка к вершине(3) 0.6 °C/В
Параметр характеристики перехода от стыка к плате (4)
15.3 Т
JB
(1) Для получения дополнительной информации о традиционных и новых тепловых метриках см. отчет о применении тепловых
метрик для корпусов ИС, SPRA953.
(2) Тепловое сопротивление от спая до окружающей среды при естественной конвекции получено при моделировании на
стандартной плате JEDEC с высоким К, как указано в JESD51-7, в условиях, описанных в JESD51-2a.
(3) Параметр характеристики перехода от стыка к вершине,JT , оценивает температуру спая устройства в реальной системе и
извлекается из данных моделирования для полученияJA , используя процедуру, описанную в JESD51-2a (разделы 6 и 7).
(4) Параметр характеристики спая с платой,JB , оценивает температуру спая устройства в реальной системе и извлекается из
данных моделирования для полученияJA , используя процедуру, описанную в JESD51-2a (разделы 6 и 7).
РЕКОМЕНДУЕМЫЕ УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ

в рабочем диапазоне температур свободного воздуха (если не указано иное)
МИН NOM MAX ЮНИ
Т
SRN, SRP, ACN, ACP, CMSRC, VCC 0 24
ФАЗА -2 24
Диапазон напряжения V
ACDET, SDA, SCL, LODRV, REGN, IOUT, ILIM, ACOK, IFAULT 0 6.5
BTST, HIDRV, ACDRV 0 30
Максимальное разностное SRP-SRN, ACP-ACN -0.2 0.2 V
напряжение
Диапазон температур спая, TJ 0 125 °C
Диапазон температур хранения, Tstg -55 150 °C
Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 3

Incorporated документации
:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
4,5 В ≤ В(VCC) ≤ 24 В, 0°C ≤ TJ ≤ 125°C, типовые значения приведены при TA = 25°C, относительно GND (если не указано
иное).
ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ MIN TYP МАКС ЮНИ
Т
УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ
VVCC_OPVCC Рабочий диапазон входного напряжения 4.5 24 V
РЕГУЛИРОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ЗАРЯДА
Диапазон регулирования напряжения VBAT_REG_RNGBAT 1.024 19.2 V
16.71616 .8 16.884 V
ChargeVoltage() = 0x41A0H
-0.5% 0.5%
12.529 12.592 12.655 V
ChargeVoltage() = 0x3130H
-0.5% 0.5%
Точность регулирования напряжения VBAT_REG_ACCCharge
8.35 8.4 8.45 V
ChargeVoltage() = 0x20D0H
-0.6% 0.6%
4.163 4.192 4.221 V
-0.7% 0.7%
РЕГУЛИРОВАНИЕ ТОКА ЗАРЯДА
Диапазон дифференциального
VIREG_CHG_RNG VIREG_CHG = VSRP - VSRN 0 81.28 мВ
напряжения регулирования тока
заряда
3973 4096 4219 мА
ChargeCurrent() = 0x1000H
-3% 3%
1946 2048 2150 мА
-5% 5%
Точность регулирования тока заряда 410 512 614 мА
ICHRG_REG_ACC ChargeCurrent() = 0x0200H
10мОм токоизмерительный резистор
-20% 20%
172 256 340 мА
-33% 33%
64 128 192 мА
-50% 50%
РЕГУЛИРОВАНИЕ ВХОДНОГО ТОКА
Дифференциальное напряжение
VIREG_DPM_RNG
регулирования входного тока VIREG_DPM = VACP - VACN 0 80.64 мВ
ассортимент
3973 4096 4219 мА
InputCurrent() = 0x1000H
-3% 3%
1946 2048 2150 мА
Точность регулирования входного тока -5% 5%
IDPM_REG_ACC
10mΩ 870 1024 1178 мА
токоизмерительный резистор InputCurrent() = 0x0400H
-15% 15%
384 512 640 мА
-25% 25%
УСИЛИТЕЛЬ ВХОДНОГО ТОКА ИЛИ УСИЛИТЕЛЬ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА ЗАРЯДА
VACP/N_OPДиапазон общего режима на входе Напряжение на ACP/ACN 4.5 24 V
VSRP/N_OPOutput Common Mode Range Напряжение на SRP/SRN 0 19.2 V
ВIOUT Диапазон выходного напряжения IOUT 0 1.6 V
IIOUT Выходной ток IOUT 0 1 мА
AIOUT Коэффициент усиления токоизмерительного усилителя V(ICOUT)/V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) 20 V/V
V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) = 40,96 мВ -2% 2%
VIOUT_ACCCurrent Точность сенсорного выхода
CIOUT_MAXМаксимальная емкость выходной нагрузки Для стабильности при нагрузке от 0 до 1 мА 100 pF

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (продолжение)
иное).
ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ MIN TYP MAX ЮНИ
Т
РЕГУЛЯТОР РЕГН
VREGN_REG Напряжение регулятора REGN VVCC > 6,5 В, VACDET > 0,6 В (нагрузка 0-55 мА) 5.5 6 6.5 V
VREGN = 0 В, VVCC > UVLO заряд включен и не 65 80
находится в TSHUT
IREGN_LIM Ограничение тока REGN мА
VREGN = 0 В, VVCC > UVLO заряд отключен или 7 16
находится в TSHUT
Выходной конденсатор REGN ILOAD = 100 мкА - 65 мА 1
CREGN мкФ
Требуется для стабильности
ВХОДНОЙ КОМПАРАТОР БЛОКИРОВКИ ПОНИЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (UVLO)
Порог повышения пониженного ВVCC нарастание 3.5 3.75 4 V
UVLO напряжения переменного тока
AC Гистерезис пониженного напряжения, VVCC падение 340 мВ
падение
БЫСТРЫЙ КОМПАРАТОР DPM (FAST_DPM)
Порог нарастания заряда быстрого 108%
компаратора DPM при ограничении
VFAST_DPM
входного тока, нарастающий фронт
напряжения на входном резисторе
(задается конструкцией)
ТОК ПОКОЯ
IBAT Общий ток утечки батареи ISRP + ISRN

+ IPHASE + IVCC + IACP + IACN VVCC < VBAT = 16,8 В, TJ = от 0 до 85°C 15 мкА
ИСТАНДБИ
Ток покоя в режиме ожидания, IVCC + VVCC > UVLO, VACDET > 0,6 В, заряд отключен,
0.5 1 мА
IACP + IACN TJ = от 0 до 85°C.
Ток смещения адаптера во время VVCC > UVLO, 2.4V < VACDET < 3.15V,
IAC_NOSW 1.5 3 мА
заряда, IVCC + IACP + IACN заряд включен, без переключения, TJ = от 0 до
85°C
Ток смещения адаптера во время VVCC > UVLO, 2.4V < VACDET < 3.15V,
IAC_SW 10 мА
заряда, IVCC + IACP + IACN МОП-транзистор Sis412DN с поддержкой заряда,
коммутационный, MOSFET
КОМПАРАТОР ACOK
VACOK_RISE Порог нарастания ACOK VVCC>VUVLO, VACDET повышается 2.376 2.4 2.424 V
VACOK_FALL_HYS Гистерезис падения ACOK VVCC>VUVLO, VACDET падает 35 55 75 мВ
VVCC >VUVLO , VACDET поднимается выше 2,4 В, бит
0.9 1.3 1.7 s
[15] ChargeOption() = 0 (по умолчанию).
tACOK_RISE_DEG ACOK нарастающая деблокировка
(Определяется конструкцией) VVCC >VUVLO , VACDET превышает 2,4 В, бит 10 50
s
ChargeOption() [15] = 1
VWAKEUP_RISE Порог нарастания обнаружения WAKEUP VVCC>VUVLO, VACDET повышается 0.57 0.8 V
VWAKEUP_FALL Порог падения при обнаружении WAKEUP VVCC>VUVLO, VACDET падает 0.3 0.51 V
КОМПАРАТОР VCC - SRN (VCC_SRN)
VVCC-SRN_FALL Порог падения VCC-SRN VVCC падает к VSRN 70 125 180 мВ
VVCC-SRN _RHYS Гистерезис нарастания VCC-SRN VVCC поднимается выше VSRN 70 120 170 мВ
КОМПАРАТОР CMSRC к SRN (CMSRC_SRN)
VCS-SRN_RISE CMSRC к порогу повышения SRN VCMSRC поднимается выше VSRN 300 390 480 мВ
VCS-SRN_FHYS Гистерезис падения CMSRC до SRN VCMSRC падает к VSRN 180 240 300 мВ
КОМПАРАТОР IFAULT НА ВЫСОКОЙ СТОРОНЕ (IFAULT_HI)(1)
ChargeOption() бит [8:7] = 00 200 300 450
VIFAULT_HI_RISE Порог нарастания ACP - PHASE мВ
ChargeOption() бит [8:7] = 10 (по умолчанию) 450 700 1000
КОМПАРАТОР НИЗКОЙ СТОРОНЫ IFAULT (IFAULT_LOW)
VIFAULT_LOW_RIS Порог нарастания ФАЗА - GND 40 110 160 мВ
E
ВХОДНОЙ КОМПАРАТОР ПОВЫШЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (ACOV)
VACOV Порог повышения напряжения ACDET ВACDET нарастание 3.05 3.15 3.25 V
VACOV_HYS Гистерезис падения избыточного VACDET падение 50 75 100 мВ
напряжения ACDET

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
(1) Пользователь может настроить порог через SMBus ChargeOption() REG0x12.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
иное).
ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИН TYP MAX ЮНИ
Т
ВХОДНОЙ КОМПАРАТОР ПЕРЕГРУЗКИ ПО ТОКУ (ACOC)(2)
ChargeOption() бит [2:1] = 01 120% 133% 145%
Порог нарастания перегрузки адаптера по
VACOC току относительно предела входного тока, ChargeOption() бит [2:1] = 10 (по умолчанию) 150% 166% 180%
нарастающий фронт напряжения через
ChargeOption() бит [2:1] = 11 200% 222% 240%
входной резистор ощущений
VACOC_min ChargeOption() Bit [2:1] = 01 (133%), InputCurrent ()
Минимальное пороговое напряжение 40 45 50 мВ
= 0x0400H (10,24 мВ)
зажима ACOC
VACOC_max ChargeOption() Bit [2:1] = 11 (222%), InputCurrent ()
Максимальное пороговое напряжение 140 150 160 мВ
= 0x1F80H (80,64 мВ)
зажима ACOC
Повышение напряжения на резисторе входного
tACOC_DEG Время деблокировки ACOC (задается 1.7 2.5 3.3 мс
сигнала для отключения заряда
проектом)
КОМПАРАТОР ПОВЫШЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ BAT (BAT_OVP)
VOVP_RISE Порог повышения напряжения в ВSRN нарастание 103% 104% 106%
процентах от VBAT_REG
VOVP_FALL Порог падения перенапряжения в VSRN падение 102%
процентах от VBAT_REG
КОМПАРАТОР ПЕРЕГРУЗКИ ПО ТОКУ ЗАРЯДА (CHG_OCP)
ChargeCurrent()=0x0xxxH 54 60 66
Зарядка через порог нарастания
VOCP тока, измерьте падение ChargeCurrent()=0x1000H - 0x17C0H 80 90 100 мВ
напряжения на
ChargeCurrent()=0x1800 H- 0x1FC0H 110 120 130
токоизмерительном резисторе
КОМПАРАТОР ТОКА НЕДОЗАРЯДА (CHG_UCP)
VUCP_FALLCпорог падения тока недозаряда VSRP падает к VSRN 1 5 9 мВ
КОМПАРАТОР ЛЕГКОЙ НАГРУЗКИ (LIGHT_LOAD)
VLL_FALLПорог падения нагрузки освещения Измерьте падение напряжения на 1.25 мВ
токоизмерительном резисторе
VLL_RISE_HYST Гистерезис нарастания при малой Измерьте падение напряжения на 1.25 мВ
нагрузке токоизмерительном резисторе
КОМПАРАТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ БАТАРЕИ (BAT_LOWV)
VBATLV_FALLПорог падения низкого напряжения аккумулятора VSRN падение 2.4 2.5 2.6 V
VBATLV_RHYST Гистерезис нарастания напряжения ВSRN нарастание 200 мВ
батареи LOWV
IBATLV Ограничение тока заряда батареи при Токоизмерительный резистор 10 мОм 0.5 A
низком напряжении
КОМПАРАТОР ТЕПЛОВОГО ОТКЛЮЧЕНИЯ (TSHUT)
TSHUT Температура нарастания теплового отключения Повышение температуры 155 °C
TSHUT_HYS Гистерезис теплового отключения, Снижение температуры 20 °C
падение
КОМПАРАТОР ILIM
VILIM_FALLILIM как порог падения CE VILIM падение 60 75 90 мВ
VILIM_RISE ILIM как порог нарастания CE ВILIM нарастание 90 105 120 мВ
ЛОГИЧЕСКИЙ ВХОД (SDA, SCL)
В IN_LO Нижний порог входа 0.8 V
VIN_ HI Входной высокий порог 2.1 V
IIN_ LEAK Входной ток смещения V=7В -1 1 A
ЛОГИЧЕСКИЙ ВЫХОД С ОТКРЫТЫМ СТОКОМ (ACOK, SDA, IFAULT)
В OUT_LO Выходное напряжение насыщения Ток утечки 5 мА 500 мВ
IOUT_ LEAK Ток утечки V=7В -1 1 A
АНАЛОГОВЫЙ ВХОД (ACDET, ILIM)
I IN_LEAK Входной ток смещения V=7В -1 1 A
ШИМ-ОСЦИЛЛЯТОР
FSW Частота переключения ШИМ ChargeOption () бит [9] = 0 (По умолчанию) 600 750 900 кГц
FSW+ Частота увеличения ШИМ ChargeOption() бит [10:9] = 11 665 885 1100 кГц
FSW- Частота снижения ШИМ ChargeOption() бит [10:9] = 01 465 615 765 кГц

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
иное).
ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИН TYP MAX ЮНИ
Т
ДРАЙВЕР RBFET ЗАТВОРА (ACDRV)
IRBFET Предельный ток насоса заряда ACDRV 40 60 A
VRBFET Напряжение управления затвором на VACDRV-VCMSRC, когда VVCC> UVLO 5.5 6.1 6.5 V
RBFET
RACDRV_LOAD Минимальное сопротивление нагрузки 500 kΩ
между ACDRV и CMSRC
RACDRV_OFF Сопротивление выключения ACDRV I = 30 мкА 5 6.2 7.4 kΩ
VACFET_LOW Прекращение зарядки при низком 5.9 V
напряжении Vgs (задано конструкцией)
PWM ДРАЙВЕР ВЫСОКОЙ СТОРОНЫ (HIDRV)
RDS_HI_ON Сопротивление включения драйвера VBTST - VPH = 5,5 В, I = 10 мА 12 20 Ω
высокой стороны (HSD)
RDS_HI_OFF Сопротивление выключения драйвера VBTST - VPH = 5,5 В, I = 10 мА 0.65 1.3 Ω
высокой стороны
VBTST_REFRES Пороговое напряжение компаратора VBTST - VPH при запросе импульса обновления 4.3 4.7
3.85 V
H обновления бутстрапа низкой стороны
PWM ДРАЙВЕР НИЗКОЙ СТОРОНЫ (LODRV)
RDS_LO_ONСопротивление включения драйвера нижней VREGN = 6 В, I = 10 мА 15 25 Ω
стороны (LSD)
RDS_LO_OFF Сопротивление выключения драйвера VREGN = 6 В, I = 10 мА 0.9 1.4 Ω
низкой стороны
СИНХРОНИЗАЦИЯ ДРАЙВЕРА ПВМ
tLOW_HIGHВремя ожидания драйвера от низкой стороны до 20 ns
высокой стороны
tHIGH_LOW Время ожидания драйвера от высокой 20 ns
стороны до низкой стороны
ВНУТРЕННИЙ ПЛАВНЫЙ ПУСК
ISTEP Шаг тока плавного пуска В режиме CCM 10мОм токоизмерительный 64 мА
резистор
tSTEP Время шага тока плавного пуска В режиме CCM 10мОм токоизмерительный 240 s
резистор
ХАРАКТЕРИСТИКИ ТАЙМИНГА SMBus
tR Время нарастания SCLK/SDATA 1 s
tF Время спада SCLK/SDATA 300 ns
tW(H) Высокий уровень длительности импульса 4 50 s
SCLK
tW(L) SCLK Ширина импульса низкий уровень 4.7 s
tSU(STA) Время установки состояния START 4.7 s
Время удержания состояния START,
tH(STA) 4 s
после которого генерируется первый
тактовый импульс
tSU(DAT) Время установки данных 250 ns
tH(DAT) Время удержания данных 300 ns
tSU(STOP) Время установки состояния СТОП 4 мкс
Время свободного хода шины между
t(BUF) 4.7 s
состояниями СТАРТ и СТОП
FS(CL) Тактовая частота 10 100 кГц
СБОЙ СВЯЗИ С ХОСТОМ
ttimeoutSMBus таймаут освобождения шины(3) 25 35 мс
tBOOT Отключение для сигнала сброса 10 мс
сторожевого таймера
Период тайм-аута сторожевого таймера,
tWDI 35 44 53 s
бит ChargeOption() [14:13] = 01(4)
tWDI 70 88 105 s
бит ChargeOption() [14:13] = 10(4)
tWDI 140 175 210 s
бит ChargeOption() [14:13] = 11(4) (по
умолчанию)

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
(3) Устройства, участвующие в передаче данных, прерывают обмен данными, когда любой низкий уровень тактового сигнала
превышает минимальный период тайм-аута в 25 мс. Устройства, обнаружившие тайм-аут, должны сбросить обмен данными не
позднее, чем через 35 мс максимального периода тайм-аута. И ведущее, и ведомое устройства должны придерживаться
указанного максимального значения, поскольку оно включает в себя суммарный предел растяжения как для ведущего (10 мс),
так и для ведомого (25 мс).

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Рисунок 2. Волновые формы временных характеристик связи SMBus

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Таблица 1. Таблица графиков

РИСУНОК НЕТ.
VCC, ACDET, REGN и ACOK Включение питания Рисунок 3
Разрешение заряда через ILIM Рисунок 4
Ток плавного пуска Рисунок 5
Отключение заряда с помощью ILIM Рисунок 6
Волновые формы переключения в режиме непрерывной проводимости Рисунок 7
Цикл за циклом Синхронный и несинхронный Рисунок 8
100% дежурный и обновляющий импульс Рисунок 9
Переходный процесс нагрузки системы (входной ДПМ) Рисунок 10
Вставка аккумулятора Рисунок 11
Защита от короткого замыкания аккумулятора на землю Рисунок 12
Короткий переход от батареи к земле Рисунок 13
Эффективность в зависимости от выходного тока Рисунок 14
CH1: VCC, 10V/div, CH2: ACDET, 2V/div, CH3: ACOK, 5V/div, CH2:ILIM, 1V/div, CH4: ток индуктора, 1A/div, 10ms/div
CH4: REGN, 5V/div, 200ms/div
Рисунок 3. Включение питания VCC, ACDET, REGN и ACOKРисунок 4. Разрешение заряда с помощью ILIM
CH1: PHASE, 10V/div, CH2: Vin, 10V/div, CH3: LODRV, 5V/div, CH2: ILIM, 1V/div, CH4: ток индуктора, 1A/div, 4us/div
CH4: ток индуктора, 2A/div, 2ms/div
Рисунок 5. Токовый плавный пускРисунок 6. Отключение заряда с помощью ILIM

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
CH1: HIDRV, 10V/div, CH2: LODRV, 5V/div, CH3: PHASE, 10V/div, CH1: HIDRV, 10V/div, CH2: LODRV, 5V/div, CH3: PHASE, 10V/div,
CH4: ток индуктора, 2A/div, 400ns/div CH4: ток индуктора, 1A/div, 400ns/div
Рисунок 7. Переключение в режиме непрерывной проводимости Рисунок8. Синхронные формы
сигналов по циклам Несинхронный
CH1: PHASE, 10V/div, CH2: LODRV, 5V/div, CH4: ток индуктора, CH2: ток батареи, 2A/div, CH3: ток адаптера, 2A/div, CH4: ток
2A/div, 4us/div нагрузки системы, 2A/div, 100us/div
Рисунок 9. 100% дежурный и обновляющий импульсРисунок 10. Переходный процесс нагрузки системы
(входной ДПМ)
CH1: PHASE, 20V/div, CH2: напряжение батареи, 5V/div, CH3: LODRV, CH1: PHASE, 20V/div, CH2: LODRV, 10V/div, CH3:
напряжение батареи, 10V/div, CH4: ток индуктора, 2A/div, 400us/div5V/div
, CH4: ток индуктора, 2A/div, 2ms/div
Рисунок 11. Установка батареиРисунок 12. Защита от короткого замыкания батареи на землю

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
98
97 4-
элементный
16,8 В
96
95
3-
Э элементный
ф 94 12,6 В
ф
ек 93
2-ячеечная
ти
8,4 В
в 92
н
ос 91
ть
-
90 VI = 20 В,
%
f = 750 кГц,
89 L = 4,7 H
88
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Зарядный ток
CH1: PHASE, 20V/div, CH2: LODRV, 10V/div, CH3: напряжение

батареи, 5V/div, CH4: ток индуктора, 2A/div, 4us/div
Рисунок 13. Кратковременный переход от батареи к землеРисунок 14. Эффективность в зависимости от
выходного тока
ФУНКЦИИ КОНТАКТОВ - 20-КОНТАКТНЫЙ QFN

PIN
ОПИСАНИЕ
НЕТ НАЗВАН
. ИЕ
1 ACN Входной токоизмерительный резистор отрицательный вход. Установите дополнительный керамический
конденсатор 0,1 мкФ от ACN до GND для фильтрации синфазного режима. Установите керамический
конденсатор 0,1 мкФ от ACN к ACP для обеспечения фильтрации дифференциального режима.
2 ACP Резистор входного токоизмерительного резистора положительный вход. Установите керамический конденсатор
0,1 мкФ от ACP к GND для фильтрации общего режима. Установите керамический конденсатор 0,1 мкФ от ACN
к ACP для фильтрации дифференциальных мод.
3 CMSRC Вход источника зарядового насоса ACDRV. Установите резистор 4kΩ от CMSRC к источнику обратного
блокирования n-канального MOSFET REFET (Q2) и параллельно диоду, катод которого подключен к выводу
CMSRC.
4 ACDRV Выход зарядового насоса для управления обратно-блокирующим n-канальным МОП-транзистором (RBFET).
Напряжение ACDRV на 6 В выше CMSRC, когда напряжение на выводе ACDET выше 0,6 В, напряжение на
выводе VCC выше UVLO и напряжение на выводе CMSRC на 390 мВ выше напряжения на выводе SRN, так что
ACFET включен с прямым смещением диода корпуса RBFET. Поместите резистор 4kΩ от ACDRV к затвору
RBFET, чтобы ограничить пусковой ток на выводе ACDRV.
5 ACOK Открытый стоковый выход для обнаружения адаптера переменного тока. Он подтягивается HIGH к внешней
шине питания с помощью внешнего подтягивающего резистора, когда напряжение на выводе ACDET находится
между 2,4 В и 3,15 В, напряжение на выводе VCC выше UVLO и напряжение на выводе VCC на 245 мВ выше
напряжения на выводе SRN, что указывает на наличие действующего адаптера для начала зарядки. Если
любое из вышеперечисленных условий не может быть выполнено, он подтягивается к GND внутренним МОП-
транзистором. Подключите подтягивающий резистор 10 кОм от вывода ACOK к подтягивающей шине питания.
6 ACDET Вход обнаружения адаптера. Запрограммируйте порог допустимого входного сигнала адаптера, подключив
резисторный делитель от входа адаптера к выводу ACDET до вывода GND. Когда напряжение на выводе
ACDET выше 0,6 В, а напряжение VCC выше UVLO, присутствует REGN LDO, компаратор ACOK и IOUT
активны.
7 IOUT Буферизованный выход адаптера или выход тока заряда, выбирается командой SMBus ChargeOption().
Напряжение IOUT в 20 раз больше дифференциального напряжения на резисторе. Установите керамический
развязывающий конденсатор емкостью 100 пФ или менее с вывода IOUT на GND.
8 SDA Вход/выход данных SMBus с открытым разрядом. Подключается к линии данных SMBus от хост-
контроллера или интеллектуального аккумулятора. Подключите подтягивающий резистор 10 кОм в
соответствии со спецификациями SMBus.
9 SCL Вход тактового генератора SMBus с открытым разрядом. Подключите к линии синхронизации SMBus от хост-
контроллера или интеллектуального аккумулятора. Подключите подтягивающий резистор 10 кОм в
соответствии со спецификациями SMBus.
10 ИЛИМ Вход ограничения тока заряда. Программируйте напряжение ILIM, подключив резисторный делитель от
системной опорной шины 3,3 В к выводу ILIM и выводу GND. Меньшее из значений напряжения ILIM или
предельного напряжения ЦАП устанавливает предел регулирования тока заряда. Чтобы отключить контроль над
ILIM, установите ILIM выше 1,6 В. Как только напряжение на выводе ILIM упадет ниже 75 мВ, заряд будет
отключен. Заряд включается, когда напряжение на выводе ILIM поднимается выше 105 мВ.

:bq24726
11 IFAULT Выход с открытым затвором, при обнаружении ACOC или короткого замыкания он подтягивается к НИЗКОМУ
bq24726
уровню внутренним MOSFET. В нормальном состоянии он подтягивается к внешней шине питания внешним
подтягивающим резистором.
12 СРН Отрицательный вход резистора определения тока заряда. Контакт SRN также
НОЯБРЬ предназначен для определения
2010
напряжения батареи. Подключите вывод SRN к
сначала резистор 7,5 Ом, затем от резистора к другой клемме подключите керамический конденсатор 0,1 мкФ к
GND для фильтрации общего режима и подключите к токоизмерительному резистору. Подключите
керамический конденсатор 0,1 мкФ между токоизмерительным резистором и для фильтрации
дифференциального режима. См. информацию о защите от отрицательного выходного напряжения при жестком
замыкании батареи на землю или обратном подключении батареи путем добавления небольшого резистора.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Функции контактов - 20-контактный QFN (продолжение)
PIN
ОПИСАНИЕ
НЕТ. НАЗВАН
ИЕ
13 SRP Зарядный токочувствительный резистор положительный вход. Подключите вывод SRP сначала к резистору 10Ω,
затем от резистора другой вывод подключите к токочувствительному резистору. Подключите керамический
конденсатор 0,1 мкФ между токоизмерительными резисторами для обеспечения фильтрации
дифференциального режима. См. информацию по применению о защите от отрицательного выходного
напряжения при жестком замыкании батареи на землю или обратном подключении батареи путем добавления
небольшого резистора.
14 GND Заземление микросхемы. При разводке печатной платы подключите ее к аналоговой плоскости заземления, а к
силовой плоскости заземления подключайте только через площадку питания под ИС.
15 LODRV Выход драйвера MOSFET с низкой стороной мощности. Подключается к затвору n-канального МОП-транзистора с
низкой стороной.
16 REGN Выход линейного регулятора. REGN - это выход линейного регулятора 6 В, питающегося от VCC. LDO
активен, когда напряжение на выводе ACDET выше 0,6 В и напряжение на VCC выше UVLO. Подключите
керамический конденсатор 1 мкФ от REGN к GND.
17 BTST Источник питания драйвера МОП-транзистора с высокой стороной мощности. Подключите конденсатор 0,047
мкФ от BTST к PHASE и загрузочный диод Шоттки от REGN к BTST.
18 HIDRV Выход драйвера силового МОП-транзистора высокой стороны. Подключается к затвору n-канального МОП-
транзистора высокой стороны.
19 ФАЗА Источник драйвера силового МОП-транзистора высокой стороны. Подключается к истоку n-канального МОП-
транзистора высокой стороны.
20 VCC Входное питание, диод ИЛИ от адаптера или напряжения батареи. Используйте резистор 10 Ом и конденсатор
1 мкФ на землю в качестве фильтра низких частот для ограничения пускового тока.
PowerPAD™ Открытая площадка под ИС. Аналоговая земля и земля питания соединены звездой только на плоскости
PowerPad. Всегда припаивайте PowerPAD к плате и располагайте на плоскости PowerPAD отверстия,
соединяющие ее с плоскостями аналоговой земли и земли питания. Она также служит в качестве тепловой
площадки для отвода тепла.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ БЛОК-СХЕМА
3.75V Блок-схема bq24726

UVLO
** Порог или время деглича настраивается функцией
VCC 20 ChargeOption().
EN_REGN ACDRV
CMSRC+6V
WAKEUP ЗАРЯДН
ЗАРЯДН
ACDET 6
CMSRC ЫЙ
0.6V
КМСРК-СРН НАСОС
SRN+390mV
EN_REGN 4 ACDRV
ACOVP
3.15V 3 КМСРК
ACGOOD
WATCHDOG
ТАЙМЕР
VCC_SRN 175s **
2.4V
ACOK 5
WATCHDOG EN_CHRG
ACOK_DRV
TIMEOUT
1.3 восходящий
деглитч**
11 IFAULT
VREF_IAC
ACDRV-CMSRC
ACP 2 ACDRV IFAULT
20X
ACN 1 CMSRC+5.9V
Тип III ACOK_DRV

IOUT 7 1X MUX Компенсация
FBO EAI ЗАРЯД_ИНГИБИТ 17 BTST
IOUT_SEL
ЦАП_ВАЛИ
ИЛИМ10 Д
HSON
ЕАО 18 HIDRV
SRP 13 PWM
20X
SRN 12 19 ФАЗА
VREF_ICHG RAMP EN_REGN REGN
REGN
200 мВ
Частота ** LDO
LDO 16 REGN
VFB
ИЛИ
М CE LSON
105 мВ 15 ЛОДРВ
VREF_VREG
4 мА в 10
БАТОВП мкА Tj 14 GND
ТШУТ
WAKEUP 
Логика
SRP-SRN
работы
CHG_OCP водителя
ЦАП_ВАЛИ
Д 60мВ/90мВ/120мВ
Интерфейс
ЗАРЯД _INHIBIT
SMBus
SDA 8 VREF_VR EG
ChargeOption() 5 мВ CHG_UCP
ChargeCurrent() VREF_ICHG
SRP-SRN
SCL 9 ChargeVoltage()
InputCurrent() VREF_IAC
ManufactureID() LIGHT_LOAD
DeviceID() IOUT_SE L 1,25 мВ
SRP-SRN
ACP-PH IFAULT_HI
700 мВ **
PH-GND IFAULT_LO
110 мВ
ACP-ACN
ACOC
1.66xVREF_IAC **
ACP-ACN FAST_DPM
1.08xVREF_IAC
4.3V REFRESH
BTST-PH
VFB
БАТОВП
104%VREF_VREG
2.5V BAT_LOWV
СРН
VCC
VCC-SRN
SRN+245mV
Рисунок 15. Функциональная блок-схема для bq24726

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
Интерфейс SMBus
bq24726 работает в качестве ведомого устройства, получая управляющие сигналы от встроенного
контроллера-хоста через интерфейс SMBus. В bq24726 используется упрощенное подмножество команд,
документированных в спецификации шины системного управления V1.1, которую можно загрузить с сайта
www.smbus.org. bq24726 использует протоколы SMBus Read-Word и Write-Word (см. Рисунок 16) для связи
с интеллектуальной батареей. bq24726 работает только к а к ведомое устройство SMBus с адресом
0b00010010 (0x12H) и не инициирует обмен данными на шине. Кроме того, bq24726 имеет два регистра
идентификации - 16-битный регистр ID устройства (0xFFH) и 16-битный регистр ID производителя (0xFEH).
Связь по шине SMBus включается при следующих условиях:
• VVCC выше UVLO;
• VACDET выше 0,6 В;
Выводы данных (SDA) и тактового генератора (SCL) имеют входы триггера Шмитта, которые могут
работать с медленными фронтами. Выберите подтягивающие резисторы (10kΩ) для SDA и SCL для
достижения времени нарастания в соответствии со спецификациями SMBus. Обмен данными начинается,
когда ведущее устройство подает сигнал START, который представляет собой переход высокого уровня в
низкий на SDA, в то время как SCL имеет высокий уровень. После завершения обмена данными ведущее
устройство выдает сигнал STOP, который представляет собой переход от низкого уровня к высокому на
SDA, в то время как SCL находится на высоком уровне. После этого шина свободна для другой передачи.
На рисунках 17 и 18 показана временная диаграмма сигналов интерфейса SMBus. Байт адреса, байт
команды и байт данных передаются между состояниями START и STOP. Состояние SDA изменяется
только при низком уровне SCL, за исключением условий START и STOP. Данные передаются 8-битными
байтами и сэмплируются по нарастающему фронту сигнала SCL. Для передачи каждого байта в или из
bq24726 требуется девять тактов, поскольку ведущий или ведомый подтверждает получение правильного
байта во время девятого такта. Устройство bq24726 поддерживает команды зарядного устройства,
описанные в таблице 2.
a) Формат записи
АДРЕС КОМАНДНЫЙ НИЗКИЙ ВЫСОКИЙ
S РАБА W ACK БЫТ ACK ДАННЫЙ ACK ДАННЫ ACK P
БЫТ Й БЫТ
7 БИТС 1b 1b 8 БИТС 1b 8 БИТС 1b 8 БИТС 1b
MSB LSB 0 0 MSB LSB 0 MSB LSB 0 MSB LSB 0
Предварительная установка на 0b0001001

ChargeC
urrent() = 0x14HD7D0 D15D8
InputCurrent() = 0x3FH
ChargeOption() = 0x12H
b) Формат чтения слова
АДРЕС КОМАНДНЫЙ АДРЕС РАБА НИЗКИЙ ВЫСОКИЙ
S W ACK ACK S R ACK ACK НАК P
РАБА БЫТ ДАННЫЙ ДАННЫ
БЫТ Й БЫТ
7 БИТС 1b 1b 8 БИТС 1b 7 БИТС 1b 1b 8 БИТС 1b 8 БИТС 1b
MSB LSB 0 0 MSB LSB 0 MSB LSB 1 0 MSB LSB 0 MSB LSB 1
Установлено на 0b0001001 DeviceID() = 0xFFH Установлено на D7D0 D15D8

ManufactureID() = 0xFEH0b0001001
InputCurrent() = 0x3FH
ChargeOption() = 0x12HLEGEND :
S = УСЛОВИЕ ЗАПУСКА ИЛИ ПОВТОРНОГО ЗАПУСКАP = УСЛОВИЕ ОСТАНОВКИ
ACK = ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ЛОГИЧЕСКИЙ МИНИМУМ) NACK = НЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ЛОГИЧЕСКИЙ МАКСИМУМ)
W = БИТ ЗАПИСИ (ЛОГИЧЕСКИЙ МИНИМУМ) R = БИТ ЧТЕНИЯ (ЛОГИЧЕСКИЙ МАКСИМУМ)
ВЕДУЩИЙ -
ВЕДОМЫЙ
ВЕДОМЫЙ -
ВЕДУЩИЙ
Рисунок 16. Протоколы записи-записи и чтения-записи по шине SMBus

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Рисунок 17. Тайминг записи по шине SMBus
A B C D EF G H I J K
t НИЗКИЙ t ВЫСОКИЙ
SMBCLK
SMBDATA
A = НАЧАЛЬНОЕ УСЛОВИЕ E = ВЕДОМЫЙ ПЕРЕВОДИТ ЛИНИЮ SMBDATA В НИЗКИЙ I = КВИТИРОВАНИЕ ТАКТОВОГО

B = MSB АДРЕСА, ТАКТИРУЕМОГО ВЕДОМЫМ УРОВЕНЬ ИМПУЛЬСА
УСТРОЙСТВОМ F = БИТ КВИТИРОВАНИЯ ПЕРЕДАЕТСЯ В ВЕДУЩЕЕ J = УСЛОВИЕ ОСТАНОВКИ
C = LSB АДРЕСА, ТАКТИРУЕМОГО ВЕДОМЫМ УСТРОЙСТВО K = НОВОЕ НАЧАЛЬНОЕ УСЛОВИЕ
УСТРОЙСТВОМ G = MSB ДАННЫХ, ПОСТУПАЮЩИХ В ВЕДУЩЕЕ
D = БИТ R/W, ПЕРЕДАВАЕМЫЙ В ВЕДОМОЕ УСТРОЙСТВО С ТАКТОВОЙ ЧАСТОТОЙ
УСТРОЙСТВО ПО ТАКТОВОЙ ЧАСТОТЕ H = LSB ДАННЫХ, ТАКТИРУЕМЫХ ВЕДУЩИМ УСТРОЙСТВОМ
Рисунок Тайминг чтения по шине

18. SMBus
Команды зарядного устройства

Устройство bq24726 поддерживает шесть команд зарядного устройства, которые используют протоколы
записи-записи или чтения-записи, как показано в таблице 2. Для идентификации bq24726 можно
использовать команды ManufacturerID() и DeviceID(). Команда ManufacturerID() всегда возвращает
0x0040H, а команда DeviceID() всегда возвращает 0x0009H.
Таблица 2. Сводка команд зарядного устройства

АДРЕС РЕГИСТРА ИМЯ ЧТЕНИЕ/ЗАП ОПИСАНИЕ ПОР ШТАТ
РЕГИСТРАТОРА ИСЬ
0x12H ChargeOption() Читать или Управление параметрами 0x7904H
писать зарядного устройства
0x14H ChargeCurrent() Читать или 7-разрядная настройка тока 0x0000H
писать заряда
0x15H ChargeVoltage() Читать или 11-разрядная настройка 0x0000H
писать напряжения заряда
0x3FH InputCurrent() Читать или 6-битная установка входного 0x1000H
писать тока
0XFEH ManufacturerID() Только Идентификатор 0x0040H
чтение производителя
0xFFH DeviceID() Только Идентификатор устройства 0x0009H
чтение

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Настройка параметров зарядного устройства
Записав команду ChargeOption() (0x12H или 0b00010010), bq24726 позволяет пользователям изменить
несколько опций зарядного устройства после POR (сброс при включении питания), как показано в таблице
3.
Таблица 3. Регистр параметров заряда (0x12H)

БИТ ИМЯ БИТА ОПИСАНИЕ
[15] ACOK Регулировка Настройте время деглича ACOK.
времени 0: Время деблокировки ACOK 1,3 с <по умолчанию при POR>
отключения 1: Время деглича ACOK установлено на минимум (<50 мкс).
Чтобы изменить эту опцию, напряжение на выводе VCC должно быть выше UVLO, а напряжение
на выводе ACDET должно быть выше 0,6 В, чтобы включить связь IC SMBus и установить этот бит
в 1, чтобы отключить таймер ACOK deglitch. После POR значение бита по умолчанию равно 0, а
время деблокировки ACOK составляет 1,3 с.
[14:13] Регулировка Устанавливает максимальную задержку между последовательными командами SMBus Write charge
таймера voltage или charge current. Заряд будет приостановлен, если ИС не получит команду "Запись
WATCHDOG напряжения заряда" или "Запись тока заряда" в течение периода времени сторожевого таймера и
если сторожевой таймер включен.
Заряд будет возобновлен после получения команды записи напряжения заряда или команды
записи тока заряда, когда истечет срок действия сторожевого таймера и заряд приостановится.
00: Отключить сторожевой
таймер 01: Включен, 44 сек.
10: Включено, 88 сек
11: Включить сторожевой таймер (175 с) <по умолчанию при POR>
[12:11] Не используется 11 в ПОР
[10] Регулировка 0: Снижение частоты переключения ШИМ на 18% <по умолчанию при POR>
частоты 1: Увеличение частоты переключения ШИМ на 18%
переключения
EMI
[9] Разрешение 0: Отключить регулировку частоты переключения ШИМ <по умолчанию при POR>
частоты 1: Разрешить регулировку частоты переключения ШИМ
переключения
ЭМИ
[8:7] IFAULT_HI Пороговый компаратор падения напряжения компаратора защиты от
Регулировка короткого замыкания на высокой стороне МОП-транзистора. 00: 300 мВ
порога 01: 500 мВ
компаратора 10: 700 мВ <по умолчанию при POR>
11: 900 мВ
[6] Не используется 0 при POR
[5] Выбор IOUT 0: IOUT - выход усилителя тока адаптера 20x <по умолчанию при POR>
1: IOUT - выход усилителя тока заряда 20x
[2:1] Корректировка 00: Отключить ACOC
порога ACOC 01: 1.33X предел регулирования входного тока
10: 1.66X предела регулирования входного тока <по умолчанию при POR>
11: 2.22X предела регулирования входного тока
[0] Запрет заряда 0: Включить зарядку <по умолчанию при POR>
1: Запрет заряда
Настройка тока заряда

Чтобы установить ток заряда, запишите 16-битную команду ChargeCurrent() (0x14H или 0b00010100),
используя формат данных, приведенный в таблице 4. С резистором 10mΩ, bq24726 обеспечивает
диапазон тока заряда от 128mA до 8.128A, с шаговым разрешением 64mA. Отправка команды
ChargeCurrent() ниже 128 мА или выше 8.128А очищает регистр и прекращает заряд. После POR ток
заряда равен 0A. Рекомендуется установить конденсатор 0,1 мкФ между SRP и SRN для фильтрации
дифференциального режима, конденсатор 0,1 мкФ между SRN и землей для фильтрации общего режима,
и дополнительный конденсатор 0,1 мкФ между SRP и землей для фильтрации общего режима. Между тем,
емкость SRP не должна превышать 0,1 мкФ, чтобы правильно определять напряжение на SRP и SRN для
циклического обнаружения недостаточного и избыточного тока.
:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Выводы SRP и SRN используются для определения RSR со значением по умолчанию 10мОм. Однако,
резисторы других значений

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
также может быть использован. При использовании большего резистора чувствительности вы получаете
большее напряжение чувствительности и более высокую точность регулирования, но за счет больших
потерь проводимости. Если значение токоизмерительного резистора слишком велико, может сработать
порог токовой защиты из-за слишком высокого напряжения пульсаций тока. В этом случае для
ограничения уровня напряжения пульсаций тока следует использовать либо большее значение
индуктивности, либо меньшее значение токоизмерительного резистора. Рекомендуемое значение
токоизмерительного резистора не более 20мОм.
Для обеспечения вторичной защиты bq24726 имеет вывод ILIM, с помощью которого пользователь может
запрограммировать максимально допустимый ток заряда. Внутренний предел тока заряда - это нижнее
значение между напряжением, установленным функцией ChargeCurrent(), и напряжением на выводе ILIM.
Чтобы отключить эту функцию, пользователь может подтянуть ILIM выше 1,6 В, что является
максимальным пределом регулирования тока заряда. Следующее уравнение показывает, какое
напряжение должно быть установлено на выводе ILIM относительно предпочтительного предела тока
заряда:
VILIM = 20 × VSRP VSRN = 20 ICHG РСР
(1)
Таблица 4. Регистр тока заряда (0x14H), использование резистора с чувствительностью 10 мОм

БИ ИМЯ БИТА ОПИСАНИЕ
Т
0 - Не использовались.
6 Ток заряда, DACICHG 0 0 = Добавляет 0 мА тока зарядного устройства.
1 = Добавляет 64 мА зарядного тока.
Настройка напряжения заряда

Чтобы установить выходное напряжение регулирования заряда, запишите 16-битную команду
ChargeVoltage() (0x15H или 0b00010101), используя формат данных, приведенный в таблице 5.
Микросхема bq24726 обеспечивает диапазон напряжения заряда от 1,024 В до 19,200 В с шаговым
разрешением 16 мВ. Отправка команды ChargeVoltage() ниже 1,024 В или выше 19,2 В очищает регистр и
прекращает заряд. При POR предельное напряжение заряда равно 0 В.
Вывод SRN используется для определения напряжения батареи для регулирования напряжения и должен
быть подключен как можно ближе к батарее, а для развязки высокочастотных шумов следует установить
развязывающий конденсатор (рекомендуется 0,1 мкФ) как можно ближе к ИС.
Таблица 5. Регистр напряжения заряда (0x15H)

:bq24726
Т bq24726
www.ti.com 0 - Не использовались. SLUSA79A - ИЮЛЬ 2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО
1 - Не использовались. НОЯБРЬ 2010

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Таблица 5. Регистр напряжения заряда (0x15H) (продолжение)
Т
4 Напряжение заряда, 0 = Добавляет 0 мВ напряжения зарядного устройства.
DACV 0 1 = Добавляет 16 мВ напряжения зарядного устройства.
Настройка Входной ток

Системный ток обычно колеблется, когда части системы включаются или переходят в спящий режим.
Ограничение входного тока позволяет снизить потребление выходного тока настенного адаптера
переменного тока, что снижает стоимость системы.
Общий входной ток от настенного кубика или другого источника постоянного тока представляет собой
сумму тока питания системы и тока, требуемого зарядным устройством. Когда входной ток превышает
установленный предел входного тока, устройство bq24726 уменьшает ток заряда, чтобы обеспечить
приоритет тока нагрузки системы. При увеличении тока системы доступный ток заряда линейно снижается
до нуля. После этого весь входной ток направляется на нагрузку системы, а входной ток увеличивается.
При регулировании DPM общий входной ток представляет собой сумму тока питания устройства IBIAS ,
входного тока зарядного устройства и тока нагрузки системы ILOAD , и может быть оценен следующим
образом:
 VBATTERY
I= I+ +I
ВХОД BIAS
НАГРУЗК VIN η
(2)
А
где - КПД прямого преобразователя зарядного устройства (обычно от 85% до 95%).

Чтобы установить предел входного тока, запишите 16-битную команду InputCurrent() (0x3FH или
0b00111111), используя формат данных, приведенный в таблице 6. При использовании чувствительного
резистора 10мОм, bq24726 обеспечивает предел входного тока в диапазоне от 128мА до 8.064А, с
разрешением 128мА. Предлагается установить предел входного тока не менее 512 мА. Отправка
InputCurrent() ниже 128 мА или выше 8,064 А очищает регистр и прекращает зарядку. При POR
ограничение входного тока по умолчанию составляет 4096 мА.
Выводы ACP и ACN используются для определения RAC со значением по умолчанию 10 мОм. Однако
можно использовать и резисторы других значений. При использовании резистора большего номинала вы
получаете большее напряжение считывания и более высокую точность регулирования, но за счет более
высоких потерь проводимости.

:bq24726
Вместо использования внутреннего контура DPM пользователь может построить внешний контур
регулирования входного тока и подать сигнал обратной связи на ILIM. Чтобы отключить внутренний bq24726
контур
DPM, установите значение регистра ограничения входного тока на
www.ti.com максимум
SLUSA79A 8.064A
- ИЮЛЬ 2010 или значение,
- ПЕРЕСМОТРЕНО
значительно превышающее уставку внешнего DPM. НОЯБРЬ 2010

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Если входной ток превысит 108% от установленного предела входного тока, зарядное устройство
немедленно отключится, чтобы дать входному току быстро снизиться. После остановки зарядки зарядное
устройство мягко перезапустится для зарядки батареи, если у адаптера еще осталась энергия для
зарядки батареи. Это предотвращает перегрузку адаптера и его выход из строя при высокой и быстрой
загрузке системы. Время ожидания между выключением и перезапуском зарядного устройства является
естественным временем реакции контура ограничения входного тока.
Таблица 6. Регистр входного тока (0x3FH), использование резистора с чувствительностью 10мОм

БИТ ИМЯ БИТА ОПИСАНИЕ
7 Входной ток, DACIIN 0 0 = Добавляет 0 мА входного тока.
1 = Добавляет 128 мА входного тока.
Обнаружение адаптера и выход ACOK

В bq24726 используется компаратор ACOK для определения источника питания на выводе VCC, либо от
батареи, либо от адаптера. Внешний резисторный делитель напряжения ослабляет напряжение адаптера,
прежде чем оно попадает на ACDET. Порог обнаружения адаптера обычно программируется на значение
больше, чем максимальное напряжение батареи, но меньше, чем максимально допустимое напряжение
адаптера.
Выход ACOK с открытым стоком требует внешнего подтягивающего резистора к системной цифровой
шине для получения высокого уровня. Он может быть подтянут к внешней шине при следующих условиях:
• VVCC > UVLO;
• 2,4 В < ВACDET < 3,15 В (не в состоянии ACOVP и не в состоянии низкого входного напряжения);
• VVCC -VSRN > 245 мВ (не в спящем режиме);
По умолчанию задержка составляет 1,3 с после того, как на ACDET появится напряжение, необходимое
для формирования высокого уровня ACOK. Она может быть уменьшена командой SMBus (ChargeOption()
bit[15]=0 ACOK delay 1.3s, bit[15]=1 ACOK no delay). Чтобы изменить эту опцию, напряжение на выводе
VCC должно быть выше UVLO, а напряжение на выводе ACDET должно быть выше 0.6 В, чтобы включить
SMBus коммуникацию ИМС и установить бит ChargeOption()[15] в 1, чтобы отключить таймер
деблокировки ACOK.
Перегрузка адаптера по напряжению (ACOVP)

Если напряжение на выводе ACDET превышает 3,15 В, это считается превышением напряжения
адаптера. ACOK будет подтянут к низкому уровню и заряд будет отключен во время ACOVP. RBFET будет

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
работать, пока действуют условия включения. Подробнее см. раздел "Включение и выключение RBFET".
Система может использовать сигнал ACOK для выключения ACFET для защиты адаптера от
перенапряжения. После выключения ACFET, RBFET будет выключен, если условия выключения
действительны.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Когда напряжение на выводе ACDET падает ниже 3,15 В и выше 2,4 В, считается, что напряжение
адаптера возвращается к нормальному напряжению. ACOK будет подтянут внешним подтягивающим
резистором, и заряд может быть возобновлен, если условия разрешения заряда соответствуют
действительности. Подробности см. в разделе "Разрешение и запрет зарядки".
Включение и выключение RBFET

В bq24726 вывод ACDRV управляет n-канальным силовым MOSFET (RBFET), расположенным между
CMSRC и ACP (подробнее см. типовую схему применения). p-канальные ACFET и BATFET управляются
отдельно системной дискретной логикой. RBFET обеспечивает защиту от обратного напряжения адаптера
и защиту от разряда батареи при замыкании адаптера на землю, а также минимизирует рассеиваемую
мощность системы благодаря низкому RDS(ON) по сравнению с диодом Шоттки.
Когда адаптер отсутствует, ACFET выключается дискретной логикой системы. ACDRV закорочен на
CMSRC, а RBFET имеет диод на корпусе, который имеет обратное смещение, если батарея подключена к
системе.
При наличии адаптера ИС выдает сигнал ACOK после стандартной 1,3-секундной задержки в систему.
Дискретная логика системы может включить ACFET на основе сигнала ACOK или по собственному
решению. Когда ACFET включен, диод корпуса RBFET будет смещен вперед, а напряжение ACDRV будет
равно напряжению CMSRC плюс 6 В для включения RBFET при выполнении следующих условий:
• ВVCC > UVLO;
• VACDET > 0,6 В (не в режиме выключения, IC пробуждается);
• VCMSRC > VSRN + 390 мВ (диод в корпусе RBFET смещен вперед);
Напряжение управления затвором RBFET составляет VCMSRC +6V. Если RBFET был включен в течение 10
мс, а напряжение на затворе и истоке все еще меньше 5,9 В, RBFET продолжает работать, но заряд будет
отключен, чтобы уменьшить потери мощности RBFET. Если такая ошибка обнаруживается семь раз в
течение 90 секунд, заряд будет отключен, и для повторного запуска заряда потребуется извлечение
адаптера и выключение системы (убедитесь, что ACDET < 0,6 В для сброса IC). Через 90 секунд счетчик
отказов обнуляется для предотвращения отключения.
Чтобы выключить RBFET, должно выполняться одно из следующих условий:
• VVCC < UVLO;
• VACDET < 0,6 В (в режиме отключения);
• VCMSRC < VSRN + 150 мВ (диод корпуса RBFET почти выходит из состояния прямого смещения);
Для ограничения пускового тока на выводах ACDRV и CMSRC рекомендуется установить резистор 4 кОм
на каждый из выводов.
Включение и отключение зарядки

В режиме заряда для начала заряда должны быть выполнены следующие условия:
• Зарядка разрешена через SMBus (бит ChargeOption() [0]=0, по умолчанию 0, зарядка разрешена);
• Напряжение на выводе ILIM выше 105 мВ;
• Во всех трех ЦАПах пределов регулирования запрограммированы действительные значения;
• ACOK действителен (подробности см. в разделе "Обнаружение адаптера и вывод ACOK");
• RBFET включается, и напряжение на затворе достаточно высокое (см. подробнее "Включение и работа
RBFET");
• VSRN не превышает порог BATOVP;
• Температура ИС не превышает порогового значения TSHUT;
• Не находится в состоянии ACOC (подробнее см. раздел Защита от перегрузки по току на входе (ACOC));
Одно из следующих условий остановит текущую зарядку:
• Зарядка запрещена по шине SMBus (бит ChargeOption()[0]=1);
• Напряжение на выводе ILIM меньше 75 мВ;
• Один из трех ЦАПов пределов регулирования установлен на 0 или находится вне диапазона;
• ACOK подтянут к низкому уровню (подробнее см. раздел "Обнаружение адаптера и выход ACOK");
• Напряжение на затворе RBFET недостаточно высокое (Подробнее см. раздел "Включение и выключение
:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
RBFET");
• VSRN превышает порог BATOVP;
• Достигнут температурный порог TSHUT IC ;
• Обнаружен ACOC (подробности см. в разделе Защита от перегрузки по току на входе (ACOC));

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
• Обнаружено короткое замыкание (подробности см. в разделе "Защита от короткого замыкания
индуктора, MOSFET");
• Истечение срока действия сторожевого таймера, если сторожевой таймер включен (подробнее см.
раздел "Таймаут зарядного устройства");
Автоматический внутренний плавный пуск Ток зарядного устройства

Каждый раз, когда заряд включен, зарядное устройство автоматически применяет плавный пуск тока
заряда, чтобы избежать перегрузки или нагрузки на выходные конденсаторы или преобразователь
питания. Ток заряда начинается со 128 мА, а размер шага составляет 64 мА в режиме CCM для
токоизмерительного резистора 10 мОм. Каждый шаг длится около 240 мкс в режиме CCM, пока не
достигнет запрограммированного предела тока заряда. Для этой функции не требуется никаких внешних
компонентов. В режиме DCM размер шага тока плавного пуска больше, и каждый шаг длится дольше из-за
присущей режиму DCM медленной реакции.
Высокоточный усилитель для измерения тока

В качестве промышленного стандарта используется высокоточный усилитель тока (CSA) для контроля
входного тока или тока заряда, выбираемого через SMBUS (бит ChargeOption()[5]=0 выбирает входной ток,
бит[5]=1 выбирает ток заряда) хостом. CSA измеряет напряжение через резистор чувствительности с
коэффициентом 20 через вывод IOUT. Как только VCC становится выше UVLO и ACDET выше 0,6 В, CSA
включается и выход IOUT становится действительным. Если пользователь хочет снизить напряжение
контроля тока, он может использовать резисторный делитель от IOUT к GND, и при этом достичь точности
по температуре.
Для развязки высокочастотных шумов рекомендуется использовать конденсатор 100пФ, подключенный к
выходу. Дополнительный RC-фильтр необязателен, если требуется дополнительная фильтрация.
Обратите внимание, что добавление фильтрации также добавляет дополнительную задержку отклика.
Тайм-аут зарядки
В bq24726 встроен сторожевой таймер, который прекращает заряд, если зарядное устройство не получает
команду Write ChargeVoltage() или Write ChargeCurrent() в течение 175 с (настраивается с помощью
команды ChargeOption()). Если произошел тайм-аут сторожевого таймера, все значения регистров
остаются неизменными, но заряд приостанавливается. Команды Write ChargeVoltage() или Write
ChargeCurrent() должны быть отправлены повторно, чтобы сбросить таймер сторожевого таймера и
возобновить заряд. Сторожевой таймер может быть отключен или установлен на 44 с, 88 с или 175 с с
помощью команды SMBus (бит ChargeOption()[14:13]). После истечения тайм-аута сторожевого таймера
запишите бит ChargeOption()[14:13], чтобы отключить сторожевой таймер и возобновить зарядку.
Работа конвертера
В синхронном ШИМ-преобразователе используется схема управления режимом напряжения с
фиксированной частотой и внутренняя компенсационная сеть III типа. Выходной фильтр LC дает
характерную резонансную частоту
1
o=
 LoCo (3)
Резонансная частота fo используется для определения компенсации, чтобы обеспечить достаточный запас
по фазе и запас по усилению для целевой полосы пропускания. Выходной LC-фильтр должен быть
выбран так, чтобы резонансная частота составляла 10-20 кГц номинально для достижения наилучших
характеристик. Предлагаемое значение компонентов в качестве тока заряда при частоте переключения по
умолчанию 750 кГц показано в таблице 7.
Керамические конденсаторы проявляют эффект постоянного смещения. Этот эффект уменьшает
эффективную емкость, когда к керамическому конденсатору прикладывается напряжение постоянного
тока, как, например, к выходному конденсатору зарядного устройства. Этот эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно при высоких выходных напряжениях и небольших размерах
конденсаторов. Характеристики при постоянном напряжении смещения см. в спецификации
производителя. Возможно, потребуется выбрать более высокое номинальное напряжение или
номинальное значение емкости, чтобы получить требуемое значение в рабочей точке.

:bq24726
Таблица 7. Предлагаемое значение компонента как ток заряда при частоте
коммутации по умолчанию 750 кГц bq24726
www.ti.com Зарядный ток 2A 3A 4A 6A - ИЮЛЬ 2010 8A
SLUSA79A - ПЕРЕСМОТРЕНО
НОЯБРЬ 2010
Выходной индуктор Lo 6,8 или 8,2 5,6 или 6,8 3,3 или 4,7 3.3 2.2
(µH)
Выходной конденсатор 20 20 20 30 40
Co (мкФ)
Чувствительный 10 10 10 10 10
резистор (мΩ

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
bq24726 имеет три контура регулирования: входной ток, ток заряда и напряжение заряда. Эти три контура
объединяются внутри усилителя ошибки. Максимальное напряжение из трех контуров появляется на
выходе усилителя ошибки EAO (см. рис. 15). Внутренний пилообразный темп сравнивается с внутренним
сигналом управления ошибкой EAO для изменения рабочего цикла преобразователя. Темп имеет
смещение 200 мВ для обеспечения 0% рабочего цикла.
Когда напряжение заряда батареи приближается к входному напряжению, сигналу EAO разрешается
превысить пик пилообразного темпа, чтобы получить 100% рабочий цикл. Если напряжение на выводах
BTST и PHASE падает ниже 4,3 В, начинается цикл обновления и включается низкоомный n-канальный
силовой MOSFET для перезарядки конденсатора BTST. Это позволяет достичь рабочего цикла до 99,5%.
Режим непрерывной проводимости (CCM)

При достаточном токе заряда ток индуктора bq24726 никогда не пересекает ноль, что определяется как
режим непрерывной проводимости. Контроллер начинает новый цикл с темпом, начиная с 200 мВ. Пока
напряжение EAO выше напряжения рампы, МОП-транзистор высокой стороны (HSFET) остается
включенным. Когда напряжение рампы превышает напряжение EAO, HSFET выключается, а MOSFET
низкой стороны (LSFET) включается. В конце цикла рампа сбрасывается и LSFET выключается, готовый к
следующему циклу. Во время перехода всегда присутствует логика break-before-make для
предотвращения перекрестной проводимости и прострела. В течение мертвого времени, когда оба МОП-
транзистора выключены, корпус диода силового МОП-транзистора с низкой стороны проводит ток
индуктивности.
В режиме CCM ток в индукторе течет постоянно и создает фиксированную двухполюсную систему.
Включение LSFET поддерживает низкую рассеиваемую мощность и позволяет безопасно заряжать
устройство при высоких токах.
Режим прерывистой проводимости (DCM)

Во время выключения HSFET, когда LSFET включен, ток индуктора уменьшается. Если ток становится
равным нулю, преобразователь переходит в режим непрерывной проводимости. Каждый цикл, когда
напряжение на SRP и SRN падает ниже 5 мВ (0,5 А на 10 Ом), компаратор защиты от недостаточного тока
(UCP) отключает LSFET, чтобы избежать отрицательного тока индуктивности, который может усилить
систему через диод корпуса HSFET.
В режиме DCM реакция контура автоматически изменяется. Она меняется на однополюсную систему, а
полюс пропорционален току нагрузки.
Как CCM, так и DCM работают синхронно, LSFET включается каждый такт. Если средний ток заряда
становится ниже 125 мА на токоизмерительном резисторе 10мОм или напряжение батареи падает ниже
2,5 В, LSFET продолжает выключаться. Зарядное устройство работает в несинхронном режиме, и ток
протекает через диод в корпусе LSFET. Во время несинхронной работы LSFET включается только для
импульса обновления, чтобы зарядить конденсатор BTST. Если средний ток заряда превышает 250 мА на
токоизмерительном резисторе 10 мОм, LSFET выходит из несинхронного режима и переходит в
синхронный режим, чтобы уменьшить потери мощности LSFET.
Защита входа от перегрузки по току (ACOC)

Устройство bq24726 не может поддерживать уровень входного тока, если ток заряда уже уменьшился до
нуля. После того, как ток системы продолжает увеличиваться до значения 1,66X уставки ЦАП по входному
току (с временем отключения 2,5 мс), IFAULT переводится в низкий уровень, заряд отключается на 1,3 с и
снова плавно запускается для заряда, если исчезнет условие ACOC. Если такой сбой будет обнаружен
семь раз за 90 секунд, заряд будет заблокирован, и для повторного запуска заряда потребуется
извлечение адаптера и выключение системы (убедитесь, что ACDET < 0,6 В для сброса ИС). Через 90
секунд счетчик отказов обнуляется для предотвращения отключения.
Функция ACOC может быть отключена или порог может быть установлен на 1.33X, 1.66X или 2.22X
входного тока DPM через команду SMBus (бит ChargeOption() [2:1]).
Защита от перегрузки по току заряда (CHGOCP)

В bq24726 предусмотрена защита от пиковых перегрузок по току по циклу. Она контролирует напряжение
на SRP и SRN и предотвращает превышение порогового значения тока на основе уставки тока заряда
ЦАП. При обнаружении превышения тока драйвер затвора высокой стороны отключается до конца цикла и
:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
возобновляет работу при начале следующего цикла.
Порог OCP заряда автоматически устанавливается на 6A, 9A и 12A на токоизмерительном резисторе
10mΩ на основании значения регистра тока заряда. Это предотвращает слишком высокий порог, что
небезопасно, или слишком низкий, который может сработать в нормальном режиме работы. Для
предотвращения срабатывания OCP в нормальном режиме работы из-за высоких пульсаций тока
индуктора следует выбрать соответствующую индуктивность.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Защита от перегрузки батареи по напряжению (BATOVP)
Устройство bq24726 не позволит FET высокой и низкой стороны включиться, если напряжение батареи на
SRN превышает 104% от заданного значения напряжения регулирования. Если BATOVP длится более 30
мс, зарядное устройство полностью отключается. Это позволяет быстро реагировать на превышение
напряжения - например, при снятии нагрузки или отсоединении батареи. Токоотвод 4 мА от SRN к GND
включен только во время BATOVP и позволяет разрядить накопленную энергию выходного индуктора,
которая передается на выходные конденсаторы.
Замыкание батареи на землю (BATLOWV)

bq24726 отключит заряд на 1 мс, если напряжение батареи на SRN упадет ниже 2,5 В. После сброса на 1
мс заряд возобновляется с плавным пуском, если выполнены все условия разрешения в разделах
"Разрешение" и "Отключение заряда". Это предотвращает перерегулирование тока в индукторе, которое
может привести к насыщению индуктора и повреждению MOSFET. Ток заряда ограничен 0.5A на
токоизмерительном резисторе 10mΩ, когда состояние BATLOWV сохраняется и LSFET остается
выключенным. LSFET включается только для импульса обновления, чтобы зарядить конденсатор BTST.
Защита от теплового отключения (TSHUT)

Корпус QFN обладает низким тепловым сопротивлением, что обеспечивает хорошую теплопроводность от
кремния к окружающей среде, поддерживая низкую температуру спаев. В качестве дополнительного
уровня защиты, зарядный преобразователь отключается для самозащиты, когда температура спая
превышает 155°C. Зарядное устройство остается выключенным до тех пор, пока температура спая не
упадет ниже 135°C. Во время теплового отключения предельный ток REGN LDO снижается до 16 мА. Как
только температура опускается ниже 135°C, заряд может быть возобновлен с помощью плавного пуска.
Регулировка частоты переключения EMI

Частота переключения зарядного устройства может быть отрегулирована на ±18% для решения проблемы
электромагнитных помех с помощью команды SMBus. Бит ChargeOption() [9]=0 отключает функцию
подстройки частоты. Чтобы включить функцию подстройки частоты, установите бит ChargeOption()[9]=1.
Установите бит ChargeOption() [10]=0 для уменьшения частоты переключения, бит[10]=1 для увеличения
частоты переключения. При уменьшении частоты для фиксированного индуктора увеличивается
пульсация тока. Значение индуктора должно быть тщательно подобрано, чтобы не срабатывала защита
по пиковому току даже при наихудших условиях, таких как повышенное входное напряжение, 50% рабочий
цикл, пониженная индуктивность и пониженная частота переключения.
Защита от короткого замыкания индуктора, короткого замыкания МОП-транзистора

В bq24726 реализована уникальная функция защиты от короткого замыкания. Функция контроля тока по
циклу достигается за счет контроля падения напряжения на RDS(on) МОП-транзисторов после
определенного времени холостого хода. В случае короткого замыкания MOSFET или короткого замыкания
индуктора, состояние перегрузки по току фиксируется двумя компараторами, и срабатывают два счетчика.
После семикратного короткого замыкания зарядное устройство будет отключено. Чтобы вывести зарядное
устройство из состояния блокировки, необходимо подтянуть вывод Vcc микросхемы ниже UVLO или
подтянуть вывод ACDET ниже 0,6В. Этого можно достичь, вынув адаптер и выключив операционную
систему. Порог падения напряжения короткого замыкания MOSFET на низкой стороне фиксирован на
типичном уровне 110 мВ. Порог падения напряжения короткого замыкания МОП-транзистора высокой
стороны может быть отрегулирован с помощью команды SMBus. Бит ChargeOption()[8:7] = 00, 01, 10, 11
устанавливает порог 300мВ, 500мВ, 700мВ и 900мВ соответственно.
Из-за определенного времени холостого хода для предотвращения шума, когда MOSFET только
включается, циклическая защита заряда от перегрузки по току может обнаружить высокий ток и выключить
MOSFET первым, прежде чем схема защиты от короткого замыкания сможет обнаружить короткое
состояние, поскольку время холостого хода не закончилось. В этом случае заряд не сможет обнаружить
короткое замыкание, а счетчик не сможет досчитать до семи и отключиться. Вместо этого зарядное
устройство может постоянно переключаться с очень узким рабочим циклом, чтобы ограничить пиковое
значение тока в каждом цикле. Тем не менее, зарядное устройство должно быть безопасным и не вызовет
сбоя, поскольку рабочий цикл ограничен очень коротким промежутком времени, а MOSFET должен
находиться в зоне безопасной работы. В период плавного пуска для обнаружения короткого замыкания
может потребоваться длительное время вместо семи циклов переключения по той же причине, что и для
:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
обнаружения короткого замыкания.
Таблица 8. Список компонентов для типичной системной схемы рис. 1

ОБОЗНАЧЕНИЕ КОЛ ОПИСАНИЕ
ДЕТАЛИ -ВО
C1, C2, C3, C13, C14 5 Конденсатор, керамический, 0,1 мкФ, 25 В, 10%, X7R, 0603
C4 1 Конденсатор, керамический, 100пФ, 25В, 10%, X7R, 0603
C5, C6 2 Конденсатор, керамический, 1 мкФ, 25 В, 10%, X7R, 0603

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Таблица 8. Список компонентов для типичной системной схемы рис. 1 (продолжение)
ОБОЗНАЧЕНИЕ КОЛ ОПИСАНИЕ
ДЕТАЛИ -ВО
C7 1 Конденсатор, керамический, 0,047 мкФ, 25 В, 10%, X7R, 0603
C8, C9, C10, C11 4 Конденсатор, керамический, 10 мкФ, 25 В, 10%, X7R, 1206
Ci 1 Конденсатор, керамический, 2,2 мкФ, 25 В, 10%, X7R, 1210
Csys 1 Конденсатор, электролитический, 220 мкФ, 25 В
D1 1 Диод, Шоттки, 30 В, 200 мА, SOT-23, Fairchild, BAT54
D2 1 Диод, двойной Шоттки, 30 В, 200 мА, SOT-23, Fairchild, BAT54C
D3 1 Диод, Шоттки, 30 В, 300 мА, SOD-323, ST, BAT30K
D4 1 Диод, Шоттки, 40 В 120 мА, SOD-323, NXP, RB751V40
Q1, Q5 2 P-канальный MOSFET, -30 В, -9,4 А, SO-8, Vishay Siliconix, Si4435DDY
Q2 1 N-канальный МОП-транзистор, 30 В, 12,5 А, SO-8, Fairchild, FDS6680A
Q3, Q4 2 N-канальный МОП-транзистор, 30 В, 12 А, PowerPAK 1212-8, Vishay Siliconix, SiS412DN
Q6 1 N-канальный MOSFET, 50 В, 0,2 А, SOT-323, диоды, BSS138W
Q7 1 NPN транзистор, 60В, 200мА, SOT-323, Диоды, MMST3904
L1 1 Индуктор, SMT, 4.7µH, 5.5A, Vishay Dale, IHLP2525CZER4R7M01
R1 1 Резистор, чип, 430кΩ, 1/10Вт, 1%, 0603
R2 1 Резистор, чип, 66.5kΩ, 1/10W, 1%, 0603
R3, R4, R5, R6 4 Резистор, чип, 10кΩ, 1/10Вт, 1%, 0603
R7 1 Резистор, чип, 316кΩ, 1/10Вт, 1%, 0603
R8, R14 2 Резистор, чип, 100 кΩ, 1/10 Вт, 1%, 0603
R9 1 Резистор, чип, 10Ω, 1/4 Вт, 1%, 1206
R10, R11 2 Резистор, чип, 4.02kΩ, 1/10W, 1%, 0603
R12 1 Резистор, чип, 1.00MΩ, 1/10W, 1%, 0603
R13 1 Резистор, чип, 3.01MΩ, 1/10W, 1%, 0603
R15 1 Резистор, чип, 10Ω, 1/10Вт, 5%, 0603
R16 1 Резистор, чип, 7.5Ω, 1/10W, 5%, 0603
RAC, RSR 2 Резистор, чип, 0.01Ω, 1/2W, 1%, 1206
Ri 1 Резистор, чип, 2Ω, 1/2W, 1%, 1210
U1 1 Контроллер зарядного устройства, 20-контактный VQFN, TI, bq24726RGR
ИНФОРМАЦИЯ О ПРИМЕНЕНИИ
Защита от отрицательного выходного напряжения

Обратная установка аккумуляторной батареи на выход зарядного устройства во время производства или
жесткое замыкание батареи на землю приведет к появлению отрицательного выходного напряжения на
выводах SRP и SRN. Внутренние электростатические диоды (ESD) ИС от вывода GND к выводам SRP или
SRN и два антипараллельных диода (AP) между выводами SRP и SRN могут быть смещены вперед, и
отрицательный ток может проходить через ESD диоды и AP диоды, когда на выходе отрицательное
напряжение. Установите два небольших резистора на выводы SRP и SRN, чтобы ограничить уровень
отрицательного тока при отрицательном напряжении на выходе. Предлагаемое значение резистора - 10
Ом для вывода SRP и 7-8 Ом для вывода SRN. После добавления резисторов предполагаемый ток
предварительного заряда составит не менее 192 мА при токоизмерительном резисторе 10 мОм.
Защита от обратного входного напряжения

Q6, R12 и R13 на рис. 1 обеспечивают защиту системы и ИС от обратного напряжения адаптера. В
нормальном режиме работы Q6 отключен отрицательным напряжением Vgs. Когда напряжение адаптера
меняется на противоположное, напряжение Q6 Vgs становится положительным. В результате Q6
включается, замыкая затвор и исток Q2, так что Q2 выключается. Диод корпуса Q2 блокирует
отрицательное напряжение в системе. Однако для ограничения тока из-за ESD диод этих выводов
включен, для выводов CMSRC и ACDRV нужны R10 и R11. Q6 должен иметь низкое пороговое

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
напряжение Vgs и низкий заряд затвора Qgs, поэтому он включается достаточно быстро, прежде чем
включится Q2. R10 и R11 должны иметь достаточную мощность для рассеивания энергии при включенном
ESD диоде.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Выбор индуктора
bq24726 имеет три выбираемые фиксированные частоты переключения. Более высокая частота
переключения позволяет использовать меньшие значения индуктора и конденсатора. Ток насыщения
индуктора должен быть больше зарядного тока (ICHG ) плюс половина тока пульсаций (IRIPPLE):
ISA ICHG + (1/2) (4)
IRIPPLE
Ток пульсаций индуктора зависит от входного напряжения (VIN ), рабочего цикла (D = VOUT /VIN ), частоты
переключения (fS ) и индуктивности (L):
VIN D (1 D)
IRIPPLE =
fS L
(5)
Максимальный ток пульсаций индуктора имеет место при D = 0,5 или близко к 0,5. Например, диапазон
напряжения зарядки аккумулятора составляет от 9 В до 12,6 В для 3-элементного аккумулятора. Для
напряжения адаптера 20 В напряжение батареи 10 В дает максимальный ток пульсаций индуктора. Другой
пример - 4-элементная батарея, диапазон напряжения батареи составляет от 12 В до 16,8 В, а
напряжение батареи 12 В дает максимальный ток пульсаций индуктора.
Обычно пульсации индуктора проектируются в диапазоне (20-40%) максимального зарядного тока как
компромисс между размером индуктора и эффективностью для практичной конструкции.
bq24726 имеет защиту от недостаточного тока заряда (UCP), контролируя зарядный токоизмерительный
резистор по циклу. Типичный порог UCP по циклу составляет 5 мВ, что соответствует 0,5 А по падающему
фронту для резистора определения тока заряда 10 мОм. Когда средний ток зарядки составляет менее 125
мА для резистора 10мОм, МОП-транзистор низкой стороны выключен до тех пор, пока напряжение
конденсатора BTST не потребуется для повторного заряда. В результате преобразователь полагается на
диод в корпусе MOSFET низкой стороны для обеспечения тока свободного хода индуктора.
Входной конденсатор
Входной конденсатор должен иметь номинальный ток пульсаций, достаточный для поглощения входного
тока пульсаций при переключении. В худшем случае среднеквадратичный ток пульсаций равен половине
зарядного тока при рабочем цикле 0,5. Если преобразователь не работает при 50% рабочем цикле, то
среднеквадратичный ток конденсатора в худшем случае возникает там, где рабочий цикл ближе всего к
50% и может быть оценен по уравнению 6:
D × (1 )
ICIN = ICHG (6)
Керамический конденсатор с низким ESR, такой как X7R или X5R, является предпочтительным для
входного развязывающего конденсатора и должен быть размещен как можно ближе к стоку МОП-
транзистора высокой стороны и истоку МОП-транзистора низкой стороны. Номинальное напряжение
конденсатора должно быть выше, чем обычный уровень входного напряжения. Для входного напряжения
19-20 В предпочтителен конденсатор номиналом 25 В или выше. Для типичного зарядного тока 3-4A
рекомендуется емкость 10-20F.
тока, как, например, к входному конденсатору зарядного устройства. Этот эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно при высоких входных напряжениях и небольших размерах
Выходной конденсатор
Выходной конденсатор также должен иметь достаточный номинал тока пульсаций для поглощения тока
пульсаций выходного коммутатора. Среднеквадратичный ток выходного конденсатора задан:
I= IRIPPLE  0.29 I
COUT RIPPLE
 3 (7)
bq24726 имеет внутренний петлевой компенсатор. Для получения хорошей стабильности контура
резонансная частота выходного индуктора и выходного конденсатора должна быть рассчитана в
:bq24726
диапазоне от 10 кГц до 20 кГц. Для выходного конденсатора предпочтительно использовать керамический
конденсатор 25В X7R или X5R. Для типичного зарядного тока 3-4A рекомендуется емкость 10-20F. bq24726
Для
достижения
www.ti.com наилучшей точности регулирования тока заряда конденсаторы следует
SLUSA79A - ИЮЛЬ размещать после
2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО
резистора измерения тока заряда. НОЯБРЬ 2010

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
тока, как, например, к выходному конденсатору зарядного устройства. Этот эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно при высоких выходных напряжениях и небольших размерах
Выбор силовых МОП-транзисторов

Два внешних N-канальных МОП-транзистора используются для синхронного импульсного зарядного
устройства. Драйверы затворов встроены в ИС с напряжением питания затвора 6 В. Для входного
напряжения 19-20 В предпочтительны МОП-транзисторы с номинальным напряжением 30 В или выше.
Коэффициент полезного действия (FOM) обычно используется для выбора подходящего МОП-
транзистора на основе компромисса между потерями проводимости и потерями при переключении. Для
MOSFET с верхней стороны FOM определяется как произведение сопротивления включения MOSFET,
RDS(ON), и заряда между затвором и стоком, QGD . Для MOSFET с нижней стороны FOM определяется как
произведение сопротивления включения MOSFET, RDS(ON), и общего заряда затвора, QG .
FOMtop = RDS(on) x QGD; FOMbottom = RDS(on) x QG (8)
Чем меньше значение FOM, тем меньше общие потери мощности. Обычно более низкий RDS(ON) имеет
более высокую стоимость при том же размере корпуса.
Потери МОП-транзистора на верхней стороне включают потери проводимости и потери при
переключении. Они являются функцией рабочего цикла (D=VOUT /VIN ), тока зарядки (ICHG ), сопротивления
включения MOSFET (RDS(ON)), входного напряжения (VIN ), частоты переключения (fS ), времени включения
(ton ) и времени выключения (toff ):
2 1
P =DI R + V I (t+ t ) f
топ CHG DS(вкл.) В CHG вкл выкл s
2 (9)
Первый пункт представляет собой потери проводимости. Обычно RDS(ON) MOSFET увеличивается на 50%
при повышении температуры спая на 100°C. Второй член представляет собой потери на переключение.
Время включения и выключения МОП-транзистора определяется:
QSW QSW
t= , t=
на сайте выключено
Iна I (10)
вы
ключено
где Qsw - заряд переключения, Ion - ток управления затвором при включении и Ioff - ток управления
затвором при выключении. Если заряд переключения не указан в техническом описании MOSFET, его
можно оценить по заряду между затворами и стоком (QGD ) и заряду между затворами и истоком (QGS ):
1
QSW = QGD + QGS
2 (11)
Ток управления затвором можно оценить по напряжению REGN (VREGN ), напряжению плато MOSFET (Vplt ),
полному сопротивлению затвора включения (Ron ) и сопротивлению затвора выключения (Roff ) драйвера
затвора:
VREGN - Vplt
Ион , Ioff = R
Vplt R
=
на вы (12)
ключено
Потери проводимости MOSFET с нижней стороны рассчитываются по следующему уравнению, когда он

работает в режиме синхронной непрерывной проводимости:
Pbottom = (1 - D) ICHG2 RDS(on)
(13)
Когда зарядное устройство работает в несинхронном режиме, MOSFET нижней стороны выключен. В
результате весь ток свободного хода проходит через диод корпуса MOSFET нижней стороны. Потери
мощности диода зависят от его прямого падения напряжения (VF ), тока зарядки в несинхронном режиме
(INONSYNC) и рабочего цикла (D).
:bq24726
PD = VF x INONSYNC x (1 - D) (14)
bq24726
Максимальный ток зарядки в несинхронном режиме может достигать 0,25A при использовании резистора
www.ti.com
10mΩ для определения тока зарядки или 0,5A, если напряжение SLUSA79A
батареи- ИЮЛЬ 2010
ниже - ПЕРЕСМОТРЕНО
2,5V. Минимальный
НОЯБРЬ 2010
рабочий цикл происходит при самом низком напряжении батареи. Выберите MOSFET с нижней стороны с
внутренним диодом Шоттки или корпусом, способным выдержать максимальный ток зарядки в
несинхронном режиме.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Проектирование входного фильтра
При горячем подключении адаптера паразитная индуктивность и входной конденсатор кабеля адаптера
образуют систему второго порядка. Всплеск напряжения на выводе VCC может превысить максимальное
номинальное напряжение ИМС и повредить ее. Входной фильтр должен быть тщательно разработан и
протестирован для предотвращения перенапряжения на выводе VCC.
Существует несколько методов гашения или ограничения всплеска перенапряжения при горячем
подключении адаптера. Электролитический конденсатор с высоким ESR в качестве входного
конденсатора может гасить всплеск перенапряжения намного ниже максимального номинального
напряжения на выводах ИС. Диод TVS Zener с высокой токовой способностью также может ограничить
уровень перенапряжения до безопасного для ИС уровня. Однако эти два решения могут не обладать
низкой стоимостью или малыми размерами.
Экономичное и малогабаритное решение показано на рисунке 19. R1 и C1 состоят из демпфирующей RC-
сети для гашения колебаний при горячем подключении. В результате всплеск перенапряжения
ограничивается до безопасного уровня. D1 используется для защиты от обратного напряжения на выводе
VCC. C2 - развязывающий конденсатор для вывода VCC, который должен быть расположен как можно
ближе к выводу VCC. Значение C2 должно быть меньше значения C1, поэтому R1 может доминировать
над эквивалентным значением ESR, чтобы получить достаточный эффект демпфирования. R2
используется для ограничения пускового тока D1, чтобы предотвратить повреждение D1 при горячем
подключении адаптера. R2 и C2 должны иметь постоянную времени 10 с для ограничения dv/dt на выводе
VCC, чтобы уменьшить пусковой ток при горячем подключении адаптера. R1 имеет высокий пусковой ток.
Пакет R1 должен иметь достаточный размер, чтобы выдержать потери мощности пускового тока в
соответствии с техническим описанием производителя резистора. Значение компонентов фильтра всегда
необходимо проверять в реальном приложении, и могут потребоваться незначительные корректировки
для соответствия схеме реального приложения.
D1
R2(1206)
R1(2010) 10-20 Ω
Адаптерн 2Ω
ый Контакт VCC
C1
разъем 2.2μF C2
0.47-1μF
Рисунок 19. Входной фильтр
bq24726 Руководство по проектированию

В bq24726 реализована уникальная функция защиты от короткого замыкания. Функция циклического
контроля тока достигается за счет контроля падения напряжения на Rdson МОП-транзисторов после
определенного времени холостого хода. В случае короткого замыкания MOSFET или короткого замыкания
индуктора, состояние перегрузки по току определяется двумя компараторами, и срабатывают два
счетчика. После семикратного короткого замыкания зарядное устройство будет отключено. Для возврата
зарядного устройства из состояния блокировки необходимо снова подключить адаптер. На рисунке 20
показана блок-схема защиты от короткого замыкания bq24726.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Адаптер
ACP RA ACN R BTST Высокая

ПЕ
C ЧАТ сторона
НА
Я МОП-
SCP1 ПЛ ФАЗА
ТРАНЗ
АТА
ИСТОР
REGN L RD Аккумулятор
C
COMP1 SCP2 Низкая
COMP2 C
сторона
МОП-
ТРАНЗ
ИСТОР
Адаптер Досчитай
Отключе
Подключ те до 7
ние
ение зарядног
CLR
о
Рисунок 20. Блок-схема защиты от короткого замыкания bq24726
устройст
ва
В нормальном режиме работы ток МОП-транзистора низкой стороны идет от истока к стоку, что создает
отрицательное падение напряжения при включении, в результате чего компаратор перегрузки по току не
может сработать. Когда происходит короткое замыкание переключателя высокой стороны или короткое
замыкание индуктора, большой ток MOSFET низкой стороны направляется от стока к истоку и может
вызвать срабатывание компаратора перегрузки по току. bq24726 определяет падение напряжения на
переключателе низкой стороны с помощью контактов PHASE и GND.
Короткое замыкание FET на высокой стороне определяется путем контроля падения напряжения между
ACP и PHASE. В результате он контролирует не только падение напряжения на переключателе высокой
стороны, но и падение напряжения на резисторе зондирования адаптера и падение напряжения на трассе
печатной платы от клеммы ACN RAC до стока переключателя высокой стороны зарядного устройства.
Обычно между входным чувствительным резистором и входом преобразования зарядного устройства
имеется длинный транс, тщательная компоновка позволит минимизировать эффект трассировки.
Для предотвращения непреднамеренного отключения зарядного устройства в нормальном режиме работы
очень важен выбор RDS(on) MOSFET и разводка печатной платы. На рисунке 21 показан пример схемы
печатной платы с улучшенными характеристиками и ее эквивалентная схема. В этой схеме путь
системного тока и путь входного тока зарядного устройства не разделены, в результате чего системный
ток вызывает падение напряжения на меди печатной платы и воспринимается ИС. Наихудшая схема -
когда точка притяжения системного тока находится после входа зарядного устройства; в результате все
падения напряжения системного тока учитываются компаратором защиты от перегрузки по току.
Наихудший случай для ИС - когда сумма тока системы и входного тока зарядного устройства равна току
DPM. Когда система потребляет больший ток, ИС зарядного устройства пытается регулировать ток RAC как
постоянный ток, уменьшая зарядный ток.
IDPM
R AC Системный тракт
Трассировка печатной ISYS
платы Системный ток
R AC R PCB
ICHRGIN
Входной ток зарядного ACP ACN
устройства IBAT
Входной тракт печатной Зарядное
платы зарядного устройство
К АКП К АКН устройства
(a) Макет печатной платы (b) Эквивалентная схема
Рисунок 21. Пример компоновки печатной платы для улучшения
На рисунке 22 показан пример оптимизированной разводки печатной платы. Путь системного тока и путь

:bq24726
входного тока зарядного устройства разделены, в результате чего ИС воспринимает только входной ток
bq24726
зарядного устройства, вызванный падением напряжения на печатной плате, и минимизирует возможность
непреднамеренного
SLUSA79A отключения зарядного устройства в нормальном режиме работы. Это также упрощает
- ИЮЛЬ 2010 - ПЕРЕСМОТРЕНО www.ti.com
разводку
НОЯБРЬ 2010печатной платы для приложений с высоким системным током.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
R AC Системный тракт
Трассировка печатной IDPM ISYS
Системный ток
платы
Одноточечное подключение в RAC

R AC R PCB
Входной ток зарядного
ICHRGIN
устройства
ACP ACN Зарядное IBAT
К АКП К АКН Входной тракт печатной
устройство
платы зарядного
устройства (b) Эквивалентная
схема
(a) Разметка
печатной
платы
Рисунок 22. Пример оптимизированной компоновки печатной платы
Общее падение напряжения, регистрируемое ИС, может быть выражено следующим уравнением.
Vtop = RAC x IDPM + RPCB x (ICHRGIN + (IDPM - ICHRGIN) x k) + RDS(on) x IPEAK (15)
где RAC - сопротивление датчика тока адаптера переменного тока, IDPM - заданное значение тока ДПМ, RPCB
- эквивалентное сопротивление трассы печатной платы, ICHRGIN - входной ток зарядного устройства, k -
коэффициент печатной платы, RDS(on) - сопротивление включения МОП-транзистора высокой стороны,
IPEAK - пиковый ток индуктора. Здесь коэффициент k, равный 0, означает наилучшую схему, показанную на
рисунке 22, где трасса печатной платы проходит только через входной ток зарядного устройства, а k,
равный 1, означает наихудшую схему, показанную на рисунке 21, где трасса печатной платы проходит
через весь ток DPM. Общее падение напряжения должно быть ниже порога защиты от короткого
замыкания на высокой стороне для предотвращения непреднамеренного отключения зарядного
устройства в нормальном режиме работы.
Порог падения напряжения короткого замыкания MOSFET на низкой стороне фиксирован и составляет
типичные 110 мВ. Порог падения напряжения короткого замыкания МОП-транзистора высокой стороны
может быть отрегулирован с помощью команды SMBus. Бит ChargeOption()[8:7] = 00, 01, 10, 11
устанавливает порог 300мВ, 500мВ, 700мВ и 900мВ соответственно. При фиксированной разводке
печатной платы необходимо установить соответствующий пороговый уровень защиты от короткого
замыкания, чтобы предотвратить непреднамеренное отключение зарядного устройства в нормальном
режиме работы.

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Разметка печатной платы
Время нарастания и спада узла переключения должно быть минимизировано для минимальных потерь
при переключении. Правильное расположение компонентов для минимизации высокочастотного контура
тока (см. рис. 23) важно для предотвращения излучения электрического и магнитного поля и
высокочастотных резонансных проблем. Ниже приведен список приоритетов для правильной компоновки
печатной платы. Разметка печатной платы в соответствии с этим конкретным порядком является
обязательной.
1. Разместите входной конденсатор как можно ближе к соединениям питания и заземления
переключающего МОП-транзистора и используйте кратчайшее соединение медных проводников. Эти
детали должны быть размещены на одном слое печатной платы, а не на разных слоях и с
использованием отверстий для этого соединения.
2. ИС следует размещать рядом с выводами затвора переключаемого МОП-транзистора и держать
сигнальные дорожки управления затвором короткими для чистого управления МОП-транзистором. ИС
может быть размещена на другой стороне печатной платы переключаемых МОП-транзисторов.
3. Расположите входной вывод индуктора как можно ближе к выходному выводу переключающего МОП-
транзистора. Минимизируйте площадь меди на этом участке, чтобы снизить излучение электрического
и магнитного поля, но сделайте участок достаточно широким для протекания зарядного тока. Не
используйте для этого соединения несколько параллельных слоев. Минимизируйте паразитную
емкость от этой области до любой другой трассы или плоскости.
4. Резистор определения тока зарядки должен быть размещен непосредственно рядом с выводом
индуктора. Подключенные через резистор чувствительные выводы проложите обратно к ИС в одном
слое, близко друг к другу (минимизируйте площадь петли) и не прокладывайте их по сильноточному
пути (см. рис. 24 для подключения по Кельвину для лучшей точности тока). Установите
развязывающий конденсатор на эти выводы рядом с ИС.
5. Установите выходной конденсатор рядом с выходом резистора зондирования и заземлите его
6. Соединения заземления выходного конденсатора необходимо привязать к той же меди, которая
соединяется с заземлением входного конденсатора, перед подключением к заземлению системы.
7. Используйте одно заземление для соединения земли питания зарядного устройства с аналоговой
землей зарядного устройства. Непосредственно под ИС используйте медную заливку аналоговой
земли, но избегайте силовых контактов, чтобы уменьшить индуктивную и емкостную шумовую связь.
8. Проложите аналоговую землю отдельно от земли питания. Подключите аналоговую землю и силовую
землю отдельно. Соедините аналоговую землю и землю питания вместе, используя площадку питания
как единственную точку подключения земли. Или используйте резистор 0 Ом для соединения
аналоговой земли с силовой землей (в этом случае силовая колодка должна соединяться с
аналоговой землей, если это возможно).
9. Развязывающие конденсаторы должны быть установлены рядом с выводами ИС и сделать соединение
трасс как можно короче.
10. Очень важно, чтобы открытая площадка питания на обратной стороне корпуса ИС была припаяна к
земле печатной платы. Убедитесь, что непосредственно под ИС имеется достаточное количество
тепловых каналов, соединяющихся с плоскостью заземления на других слоях.
11. Размер и количество via должны быть достаточными для данного текущего пути.
Рекомендуемое размещение компонентов с указанием мест расположения трассировок и сквозных
отверстий см. в EVM-дизайне. Информацию о QFN см. в разделах SCBA017 и SLUA271.
L1 R1 VBA
ФАЗА
T
Высокочас
VIN тотный БАТ
ток
Путь GND C2
C1

:bq24726
Рисунок 23. Путь высокочастотного тока
bq24726
НОЯБРЬ 2010

:bq24726
bq24726
НОЯБРЬ 2010
Направление тока
заряда R SNS
К К Конденсатор и батарея
индуктору
Направление измерения тока
К контактам SRP и SRN

Рисунок 24. Макет печатной платы чувствительного резистора
ИСТОРИЯ ПЕРЕСМОТРА
Изменения по сравнению с оригиналом (июль 2010 г.) и редакцией А

Страни
ца
• Изменили функциональную блок-схему, рисунок 1 ........................................................................................................... 2

• Обновлено описание выводов SRN и SRP ....................................................................................................................... 11
• Удален C12, добавлены R15 и R16 в Таблице 8.............................................................................................................. 23
• Добавлен раздел: Защита от отрицательного выходного напряжения .......................................................................... 24

:bq24726
ДОПОЛНЕНИЕ К ПАКЕТНЫМ ОПЦИЯМ
bq24726
НОЯБРЬ 2010
www.ti.com 16-апр-2011
ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ
Заказываемое Статус (1) Тип упаковки Чертеж Бул Пакет Кол- Экоплан (2) Отделк MSL Пиковая Образцы
устройство упаковк авки во а температура (3) (требуется
и свинцом/
шариком вход)
BQ24726RGRR АКТИВ VQFN РГР 20 3000 Зеленый ТС НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД

(RoHS и
без Sb/Br)
BQ24726RGRT АКТИВ VQFN РГР 20 250 Зеленый ТС НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД
(RoHS и
без Sb/Br)
(1)
Значения маркетингового статуса определяются следующим образом:
АКТИВ: Устройство продукта рекомендуется для новых конструкций.
ПОЖИЗНЕННАЯ ПОКУПКА: Компания TI объявила, что устройство будет снято с производства, и в настоящее время действует пожизненный период покупки.
NRND: Не рекомендуется для новых разработок. Устройство находится в производстве для поддержки существующих клиентов, но TI не рекомендует использовать эту деталь в новых
разработках.
ПРЕДВИДЕНИЕ: Устройство было анонсировано, но не запущено в производство. Образцы могут быть или не быть доступны.
УСТАРЕЛО: Компания TI прекратила производство этого устройства.
(2)
Eco Plan - Планируемая классификация по экологичности: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), или Green (RoHS & no Sb/Br) - пожалуйста, проверьте
http://www.ti.com/productcontent для получения последней информации о наличии и дополнительной информации о содержании продукта.
TBD: План конверсии Pb-Free/Green не определен.
Pb-Free (RoHS): Термины TI "бессвинцовые" или "Pb-Free" означают полупроводниковые продукты, которые соответствуют текущим требованиям RoHS для всех 6 веществ, включая
требование, чтобы содержание свинца не превышало 0,1% по весу в однородных материалах. В тех случаях, когда продукция TI Pb-Free предназначена для пайки при высоких
температурах, она пригодна для использования в определенных процессах, не содержащих свинца.
Не содержит Pb (RoHS Exempt): Данный компонент имеет освобождение от RoHS либо для 1) свинцовых припоев для флип-чипов, используемых между матрицей и корпусом, либо
для 2) свинцового клея для матрицы, используемого между матрицей и каркасом. В остальном компонент считается не содержащим Pb (совместимым с RoHS), как определено
выше.
Зеленый (RoHS и без Sb/Br): TI определяет "зеленый" как не содержащий Pb (совместимый с RoHS) и не содержащий брома (Br) и сурьмы (Sb) антипиренов (Br или Sb не
превышают 0,1% по весу в однородном материале).
(3)
MSL, пиковая температура. -- рейтинг уровня чувствительности к влаге в соответствии с классификацией промышленного стандарта JEDEC, а также пиковая температура пайки.
Важная информация и отказ от ответственности:Информация, представленная на этой странице, отражает знания и убеждения TI на дату ее предоставления. TI основывает
свои знания и убеждения на информации, предоставленной третьими сторонами, и не делает никаких заявлений или гарантий в отношении точности такой информации. В
настоящее время предпринимаются усилия по улучшению интеграции информации от третьих сторон. Компания TI предприняла и продолжает предпринимать разумные шаги для
предоставления репрезентативной и точной информации, но, возможно, не проводила разрушительных испытаний или химического анализа поступающих материалов и химикатов.
TI и поставщики TI считают определенную информацию закрытой, поэтому номера CAS и другая ограниченная информация может быть недоступна для публикации.
Ни при каких обстоятельствах ответственность TI, возникающая в связи с такой информацией, не должна превышать общую стоимость покупки детали (деталей) TI, о которой идет
речь в данном документе, проданной TI Заказчику на ежегодной основе.
Дополнение -
Страница 1
ИНФОРМАЦИЯ О МАТЕРИАЛАХ
УПАКОВКИ
www.ti.com1-Dec-2011
ИНФОРМАЦИЯ О ЛЕНТЕ И КАТУШКЕ
*Все размеры указаны номинально

Устройство Тип Чертеж Бул SPQ Диаметр Ширина A0 B0 K0 P1 W Pin1
упако упаковк авки катушки катушки (мм) (мм) (мм) (мм) (мм) Квадран
вки и (мм) W1 (мм) т
BQ24726RGRR VQFN РГР 20 3000 330.0 12.4 3.75 3.75 1.15 8.0 12.0 Q1
BQ24726RGRR VQFN РГР 20 3000 330.0 12.4 3.75 3.75 1.15 8.0 12.0 Q1
BQ24726RGRT VQFN РГР 20 250 180.0 12.4 3.75 3.75 1.15 8.0 12.0 Q1
BQ24726RGRT VQFN РГР 20 250 180.0 12.4 3.75 3.75 1.15 8.0 12.0 Q1
Материалы для упаковки -

страница 1
ИНФОРМАЦИЯ О МАТЕРИАЛАХ
УПАКОВКИ
www.ti.com1-Dec-2011
*Все размеры указаны номинально

Устройство Тип упаковки Чертеж упаковки Бул SPQ Длина (мм) Ширина Высота
авки (мм) (мм)
BQ24726RGRR VQFN РГР 20 3000 346.0 346.0 29.0
BQ24726RGRR VQFN РГР 20 3000 552.0 346.0 36.0
BQ24726RGRT VQFN РГР 20 250 552.0 185.0 36.0
BQ24726RGRT VQFN РГР 20 250 210.0 185.0 35.0
Материалы для упаковки -

страница 2
МЕХАНИЧЕСКИЕ
ДАННЫЕ
RGR (S-PVQFN-N20) ПЛАСТИКОВЫЙ ЧЕТЫРЕХМЕСТНЫЙ
B
11
16 10
I
3,65
+
I
3,35
20
i
Контакт 1
Область 5
индекса сверху
и снизу
£
1,00
0,80
Само
лет
Высота
сидения
C6 t
C
-+---E-- C I
C y_
104
Открытая тепловая
панель
L 20X 0,30
11 0,18
& -$-0,10@C A B
0,05@ C
Вид снизу
4210217/A 04/2009
ПЛОСКИЙ ПАКЕТ БЕЗ СВИНЦА

ПРИМЕЧАНИЯ: A. Все линейные размеры указаны в миллиметрах. Размеры и допуски в соответствии с ASME Y14.5M-1994.
B. Данный чертеж может быть изменен без предварительного уведомления.
C. Конфигурация корпуса QFN (Quad Flatpack No-Lead).
& Для обеспечения тепловых и механических характеристик термопрокладка пакета должна быть припаяна к плате.
Подробную информацию о размерах открытой тепловой площадки см. в техническом паспорте изделия.
£ Идентификаторы выводов 1 расположены как на верхней, так и на нижней части упаковки и в пределах указанной зоны.
Идентификаторы вывода 1 представляют собой литые, маркированные или металлические элементы.
.- A
www.ti.com
МЕХАНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
ТЕРМОПРОКЛАДКИ
RGR (S-PVOFN-N20) ПЛАСТИКОВЫЙ КВАДРАТ В ПЛОСКОЙ

УПАКОВКЕ БЕЗ СВИНЦА
ТЕПЛОВАЯ ИНФОРМАЦИЯ
В этом корпусе имеется открытая термопрокладка, предназначенная для непосредственного крепления к
внешнему радиатору. Термопрокладка должна быть припаяна непосредственно к печатной плате (PCB). После
пайки
Печатная плата может использоваться в качестве радиатора. Кроме того, благодаря использованию тепловых
проходов, термопрокладка может быть прикреплена непосредственно к соответствующей медной плоскости,
показанной на электрической схеме устройства, или, в качестве альтернативы, может быть прикреплена к
специальной структуре радиатора, разработанной в печатной плате. Такая конструкция оптимизирует передачу
тепла от интегральной схемы (ИС).
Информацию о корпусе Quad Flatpack No-Lead (QFN) и его преимуществах см. в Application Report, QFN/SON
PCB Attachment, Texas Instruments Literature No. SLUA271. Этот документ доступен по адресу www.ti.com.
Размеры открытой тепловой площадки для этого корпуса показаны на следующем рисунке.
1 5
uu u u
..
-- Открытая тепловая
20 камера
=:) ' ..
I =:) !
2,05±0,10 =::i ---- l _

. I
16
=:)
=:)
!
!
15
n n n n11
◄ ._ 2,05± 0,1 0
Вид снизу
Размеры открытой тепловой

площадки 4210218/C 11/10
ПРИМЕЧАНИЯ: A. Все линейные размеры указаны в миллиметрах
...Zi:,. TEY""
INS- nUMEN- МЕХАНИЧЕСКИЕ
www.ti.com
ДАННЫЕ
www.ti.com
RGR (S-PVQFN-N20) ПЛАСТИК QUAD ПЛОСКИЙ ПАК БЕЗ
Пример дизайна
трафарета Толщина
- -
Пример компоновки трафарета 0,125 мм
платы 4,30 (Примечание E)
1
DODD□ Приме
чание 1 =□□- -
LJjlW
C=:) c:=J
t D t cj
□□ □0
4,30 2,60
C=:) 4,25
2,05- 2,6 5 I
-- -c==== ) - -=---c==3---
I C=:) 2.05
C=:)
'c::J
mI -
' C3-" ' 'C=:)
r--o
' (a o--I□',, 00 O
.so X 20 PL
rn
I-- j ф-р-1-
□
20x0,2S --". 16x0,50 _ 0,23 x
'°".'°".
16xo}o...
'°". 20 PL.
'°".
'°".'°". 64% покрытия припоем печатной
Пример Схема
Непаяная маска
'°". площади на центральной
расположения виа может
Определенная
'°". термопрокладке
отличаться в зависимости от
'"'
Пример
',,1'°"t+
площадка
.,,..--------.... "- открытия паяльной ограничений
)/ -.. ,
маски (Примечан
ие D, F)
(Примечани
/ o.osj[:
J[p
е F)
'-.,
0,85\ '-
o--+
1,00
\
( ROH
I Пример 4x00,3
геометрии
0,28
, 0,07 _J колодки
I (Примечан
\All Around ие C)
'-..,
'-.
4210932/B 11/10
ЛИДА
ПРИМЕЧАНИЯ: A. Все линейные размеры указаны в миллиметрах.
B. Данный чертеж может быть изменен без предварительного уведомления.
C. Для альтернативных вариантов исполнения рекомендуется публикация IPC- 7351.
D. Этот корпус предназначен для припаивания к термопрокладке на плате. Обратитесь к документу Application
Note, Quad Flat-Pack QFN/SON PCB Attachment, Texas Instruments Literature No. SLUA271, а также к листам
технических данных изделия
для получения специальной информации о тепловых режимах, требованиях к подключению и рекомендуемой разводке платы.
Эти документы доступны по адресу www.ti.com < http://www.ti. com>.
Лазерная резка отверстий с трапециевидными стенками, а также скругление углов обеспечивают лучшее выделение
пасты. Для получения рекомендаций по дизайну трафаретов заказчикам следует обратиться на место сборки платы.
Соображения по конструкции трафарета см. в стандарте IPC 7525. Заказчикам следует обратиться на предприятие по
изготовлению плат для получения информации о минимальных допусках на полотно паяльной маски между
сигнальными площадками.
ДАННЫЕ О
СТРУКТУРЕ ЗЕМЛИ
..Zi:a TEY /\ "
INS nUMEN-
www.ti.com
ВАЖНОЕ ЗАМЕЧАНИЕ
Texas Instruments Incorporated и ее дочерние компании (TI) оставляют за собой право вносить исправления, модификации,
улучшения, усовершенствования и другие изменения в свои продукты и услуги в любое время и прекращать выпуск любого
продукта или услуги без уведомления. Клиенты должны получать последнюю соответствующую информацию перед размещением
заказов и проверять актуальность и полноту такой информации. Все продукты продаются в соответствии с положениями и
условиями продажи TI, предоставленными на момент подтверждения заказа.
Компания TI гарантирует соответствие характеристик своих аппаратных продуктов спецификациям, действующим на момент
продажи, в соответствии со стандартной гарантией TI. Тестирование и другие методы контроля качества используются в той мере,
в какой TI считает необходимым для поддержки этой гарантии. За исключением случаев, предусмотренных государственными
требованиями, тестирование всех параметров каждого продукта не обязательно.
Компания TI не несет ответственности за помощь в разработке приложений или продуктов заказчика. Заказчики несут
ответственность за свои продукты и приложения, использующие компоненты TI. Чтобы минимизировать риски, связанные с
продуктами и приложениями заказчика, заказчики должны обеспечить надлежащие конструктивные и эксплуатационные гарантии.
Компания TI не гарантирует и не заявляет, что предоставляется какая-либо лицензия, явная или подразумеваемая, по любому
патентному праву TI, авторскому праву, праву на работу по маске или другому праву интеллектуальной собственности TI,
относящемуся к любой комбинации, машине или процессу, в котором используются продукты или услуги TI. Информация,
опубликованная компанией TI относительно продуктов или услуг сторонних производителей, не является лицензией компании TI
на использование таких продуктов или услуг, а также их гарантией или одобрением. Для использования такой информации может
потребоваться лицензия от третьей стороны на патенты или другую интеллектуальную собственность третьей стороны или
лицензия от TI на патенты или другую интеллектуальную собственность TI.
Воспроизведение информации TI в книгах данных или листах данных TI допускается только в том случае, если воспроизведение
осуществляется без изменений и сопровождается всеми сопутствующими гарантиями, условиями, ограничениями и
уведомлениями. Воспроизведение этой информации с изменениями является недобросовестной и обманчивой деловой
практикой. TI не несет ответственности за такую измененную документацию. На информацию третьих лиц могут
распространяться дополнительные ограничения.
Перепродажа продуктов или услуг TI с заявлениями, отличающимися от параметров, заявленных компанией TI для данного
продукта или услуги, или выходящими за их пределы, аннулирует все явные и любые подразумеваемые гарантии на
соответствующий продукт или услугу TI и является недобросовестной и обманчивой деловой практикой. TI не несет
ответственности за такие заявления.
Продукция TI не разрешена для использования в критически важных приложениях (таких как жизнеобеспечение), где отказ
продукции TI может привести к тяжелым травмам или смерти, если только должностные лица сторон не заключили соглашение,
специально регламентирующее такое использование. Покупатели заявляют, что они обладают всеми необходимыми знаниями и
опытом в области безопасности и нормативно-правового регулирования своих приложений, а также признают и соглашаются с
тем, что они несут полную ответственность за все юридические, нормативные и связанные с безопасностью требования,
касающиеся их продукции и любого использования продукции TI в таких критически важных приложениях, несмотря на любую
информацию о приложениях или поддержку, которую может предоставить TI. Кроме того, покупатели должны полностью
возместить TI и ее представителям любой ущерб, возникающий в результате использования продуктов TI в таких критически
важных приложениях.
Продукция TI не предназначена для использования в военных/аэрокосмических приложениях или условиях, за исключением
случаев, когда продукция TI специально обозначена компанией TI как продукция военного класса или "улучшенный пластик".
Только продукция, обозначенная компанией TI как продукция военного класса, соответствует военным спецификациям.
Покупатели признают и соглашаются, что любое такое использование продукции TI, которая не обозначена компанией TI как
продукция военного класса, осуществляется исключительно на риск Покупателя, и что он несет полную ответственность за
соблюдение всех юридических и нормативных требований в связи с таким использованием.
Продукция TI не разработана и не предназначена для использования в автомобильных приложениях или средах, если только
конкретная продукция TI не обозначена компанией TI как соответствующая требованиям ISO/TS 16949. Покупатели признают и
соглашаются с тем, что в случае использования в автомобильных приложениях изделий, не имеющих обозначения, компания TI не
несет ответственности за несоответствие таким требованиям.
Ниже приведены URL-адреса, по которым можно получить информацию о других продуктах и прикладных решениях Texas Instruments:
Продукция Приложения
Аудио www.ti.com/audio Связь и телекоммуникации www.ti.com/communications
Усилители amplifier.ti.com Компьютеры и периферийные
устройстваwww.ti.com/computers
Преобразователи данныхdataconverter .ti.com Потребительская
электроникаwww.ti.com/consumer-apps Продукты DLP®www.dlp.com Энергетика и
освещениеwww.ti.com/energy
DSP dsp.ti.com Промышленность www.ti.com/industrial
Часы и таймерыwww.ti.com/clocks Медицинские
www.ti.com/medical
Интерфейс interface.ti.com Безопасность www.ti.com/security
Логика logic.ti.com Космос, авионика и оборонаwww.ti.com/space-avionics-defense
Управление энергопотреблением mgmtpower .ti.com Транспорт и
автомобилестроение www.ti.com/automotive Микроконтроллеры microcontroller.ti.com Видео и
обработка изображенийwww.ti.com/video
RFID www.ti-rfid.com
Мобильные процессоры OMAP www.ti.com/omap
ДАННЫЕ О
СТРУКТУРЕ ЗЕМЛИ
Беспроводное подключение www.ti.com/wirelessconnectivity
Главная страница сообщества TI E2E e2e.ti.com
Почтовый адрес: Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2011, Texas Instruments Incorporated
www.ti.com

5 - BQ24726 Ru

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

5 - BQ24726 Ru

Оригинальное название:

Загружено:

Авторское право:

Подпишитесь на DeepL Pro и переводите документы большего объема.

Контроллер заряда SMBus для 1-4-элементных Li+ батарей с N-канальным

Рисунок 1. Типичная схема системы

2 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

РЕКОМЕНДУЕМЫЕ УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 3

4 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

IBAT Общий ток утечки батареи ISRP + ISRN

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 5

6 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 7

8 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 9

10 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Рисунок 2. Волновые формы временных характеристик связи SMBus

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 11

Таблица 1. Таблица графиков

12 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 13

CH1: PHASE, 20V/div, CH2: LODRV, 10V/div, CH3: напряжение

ФУНКЦИИ КОНТАКТОВ - 20-КОНТАКТНЫЙ QFN

14 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 15

16 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

3.75V Блок-схема bq24726

Тип III ACOK_DRV

Рисунок 15. Функциональная блок-схема для bq24726

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 17

MSB LSB 0 0 MSB LSB 0 MSB LSB 0 MSB LSB 0

Предварительная установка на 0b0001001

Установлено на 0b0001001 DeviceID() = 0xFFH Установлено на D7D0 D15D8

Рисунок 16. Протоколы записи-записи и чтения-записи по шине SMBus

Рисунок 17. Тайминг записи по шине SMBus

A = НАЧАЛЬНОЕ УСЛОВИЕ E = ВЕДОМЫЙ ПЕРЕВОДИТ ЛИНИЮ SMBDATA В НИЗКИЙ I = КВИТИРОВАНИЕ ТАКТОВОГО

Рисунок Тайминг чтения по шине

Команды зарядного устройства

Таблица 2. Сводка команд зарядного устройства

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 19

Таблица 3. Регистр параметров заряда (0x12H)

Настройка тока заряда

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 21

Таблица 4. Регистр тока заряда (0x14H), использование резистора с чувствительностью 10 мОм

Настройка напряжения заряда

Таблица 5. Регистр напряжения заряда (0x15H)

22 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 23

Настройка Входной ток

где - КПД прямого преобразователя зарядного устройства (обычно от 85% до 95%).

24 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 25

Таблица 6. Регистр входного тока (0x3FH), использование резистора с чувствительностью 10мОм

Обнаружение адаптера и выход ACOK

Перегрузка адаптера по напряжению (ACOVP)

26 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 27

Включение и выключение RBFET

Включение и отключение зарядки

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 29

Автоматический внутренний плавный пуск Ток зарядного устройства

Высокоточный усилитель для измерения тока

30 Отправить отзыв о Авторское право © 2010, Texas Instruments

Авторское право © 2010, Texas Instruments Отправить отзыв о 31

Режим непрерывной проводимости (CCM)

Режим прерывистой проводимости (DCM)

Защита входа от перегрузки по току (ACOC)