Отчет
по учебной практике
__________ (___________________)
ФИО Научный руководитель:
д.х.н. проф. П.П. Гладышев
_________________________
Консультант:
аспирант Т.Ю. Зеленяк
______________________
Дубна, 2017
Оглавление
Обозначения и сокращения......................................................................................................3
Введение....................................................................................................................................4
Заключение..............................................................................................................................24
Список литературы.................................................................................................................26
Обозначения и сокращения
ГБЛ – γ-бутиролактон
ДМСО – диметилсульфоксид
ДМФА – N,N-диметилформамид
FF – фактор заполнения
54-55 °С
V MP I MP
FF= ( 1)
V OC I SC
где VMP – напряжение в точке максимальной мощности, IMP – ток в точке
максимальной мощности.
Эффективность (КПД) солнечного элемента показывает, какую часть (в
процентном отношении) солнечной энергии падающего на него света он может
превратить в электричество. Различают КПД по активной площади поверхности (ƞ акт.)
и КПД по общей площади поверхности (ƞ общ.) Если не указан тип КПД солнечного
элемента, то, как правило, речь идет об КПД по общей поверхности.
Кроме собственно производительности солнечного элемента КПД также
зависит от спектра и интенсивности падающего солнечного излучения и температуры
солнечного элемента. Поэтому для сравнения двух элементов нужно тщательно
выполнять принятые стандартные условия. Так в условиях Земли КПД измеряются при
АМ 1.5 и температуре 25 ◦С.
КПД солнечного элемента определяется, как часть падающей энергии,
преобразованной в электричество:
Pmax =V oc I sc FF (2)
V oc I sc FF
ƞ= (3)
P¿
где Pin – мощность падающего на элемент излучения.
Эффективность фотоэлектрических преобразователей во многом определяется
подвижностью электронов и дырок, которые склоны к рекомбинации. Эффективность
переноса зарядов в полупроводниках характеризуется длиной диффузии
(диффузионной длиной) – расстоянием, на котором плоский диффузионный поток
неравновесных носителей заряда в отсутствие электрического поля в результате
рекомбинации электронов и дырок уменьшается в е раз. Длина диффузии зарядов
определяется коэффициентом диффузии D и временем жизни τ зарядов: L =√ Dτ .
Большая длина диффузии позволяет формировать эффективные ФЭП в планарной
архитектуре.
Табл. 1 Длина диффузии и время жизни носителей зарядов в перовскитах CH3NH3PbI3-xClx и CH3NH3PbI3
[7,8]
Тип носителя
Перовскит D (см2/с) 𝞃 (нс) L (нм)
заряда
CH3NH3PbI3-xClx электрон 0,042 450 1069
дырка 0,054 1213
CH3NH3PbI3 электрон 0,017 10 129
дырка 0,011 105
а) б)
в) г)
гетеропереходом, где перовскит наносится еще одним слоем поверх TiO2 каркаса; в – обычная
планарная; г – инвертированная планарная) [9]
Рисунок 5a показывает, что в диапазоне видимого света (от 400 до 700 нм)
образец M-TiO2-CH3NH3PbI3 поглощает свет лучше чем образец, который имеет
планарную архитектуру. Более высокие характеристики могут быть объяснены лучшей
кристалличностью перовскита, и этот вывод находится в хорошем согласии с
результатами XRD.
Хотя два CH3NH3PbI3-xClx образца обладают хорошей кристалличностью,
мезопористая архитектура, очевидно, поглощает свет лучше, чем плоская, когда длина
волны света превышает 500 нм. Это, вероятно, связано с эффектом рассеяния света
мезопористой пленкой TiO2.
При сравнении на одном графике спектров поглощения перовскитных структур
CH3NH3PbI3 и CH3NH3PbI3-xClx (рис. 6) можно видеть, что они практически совпадают,
за исключением сдвига полосы поглощения CH3NH3PbI3-xClx в коротковолновую
область на 30 нм (что связано с изменением ширины запрещенной зоны).
Рис. 6 UV−vis спектры поглощения CH3NH3PbI3 и CH3NH3PbI3-xClx [11]