3. Электромагнетизм - Ч1

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
Лабораторный практикум по физике

Министерство образования и науки Российской Федерации
Балтийский государственный технический университет «Военмех»
ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
Лабораторный практикум по физике
Издание второе,
переработанное и дополненное
Санкт-Петербург
2006
Составители: Д.Л. Федоров, д-р физ.-мат. наук, проф.;
О.С. Алексеева, асс.; Е.С. Кондратова, асс.
УДК 537.8(076)
Э 45
Электромагнетизм: лабораторный прак-

Э 45 тикум по физике. Изд. 2-е, перераб. и доп. /
Сост.: Д.Л. Федоров [и др.]; Балт. гос. тех. ун-т.
– СПб., 2006. – 92 с.
Практикум содержит описания лабораторных

работ по разделам «Электростатика» и «Магне-
тизм». Описанию каждой работы предшествует
краткое теоретическое введение. В приложениях
изложены некоторые методы измерений.
Предназначен для студентов всех специально-
стей.
УДК 537.8(076)
Р е ц е н з е н т д-р техн. наук, проф. П.А. Галайдин
Утверждено
редакционно-издательским
советом университета
© Составители, 2006
© БГТУ, 2006
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ
Цель работы – определение строения некоторого электро-

статического поля экспериментально путем физического модели-
рования стационарным электрическим током.
Краткие сведения из теории
Источниками электростатического поля являются неподвиж-

ные (в данной системе отсчета) электрические заряды. Свойства
электростатического поля в некоторой его точке характеризуются
напряженностью Е и потенциалом φ.
Потенциалом в данной точке поля называется скалярная фи-
зическая величина, численно равная работе, которую совершают
силы поля при удалении единичного положительного заряда из
этой точки в другую, потенциал которой принимается равным
нулю. Потенциал φ – энергетическая характеристика поля.
Напряженностью электрического поля называется векторная
физическая величина, численно равная силе, действующей на
единичный положительный заряд в данной точке поля. Напря-
женность Е – силовая характеристика поля.
Между указанными характеристиками существует связь, вы-
ражаемая формулой
Е = -grad φ = -Δφ , (1.1)
∂ ∂ ∂
где Δ = i +j +k – оператор Гамильтона, а i, j, k – орты
∂x ∂y ∂z
координатных осей. Напряженность поля Е равна градиенту по-
тенциала с обратным знаком. Если, в частности, Еy = Еz = 0, то
∂ϕ
Е = Ех = − , т. е. напряженность поля численно равна измене-
∂x
нию потенциала на единицу длины и направлена в сторону убы-
вания потенциала.
Типовая задача электростатики состоит в нахождении ха-
рактеристик поля (Е и φ) по заданному распределению зарядов
и в теоретическом плане сводится к решению дифференциально-
го уравнения Лапласа для области, не содержащей зарядов, –
3
∂ 2ϕ ∂ 2ϕ ∂ 2ϕ
+ +=0 (1.2)
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
при определенных условиях на границах заряженных тел. Од-
нако в указанной общей постановке решение уравнения (1.2) в
обозримом, аналитическом виде удается получить лишь в неко-
торых наиболее простых случаях. Поэтому часто используются и
другие методы. Так, в ряде задач решение основывается на не-
посредственном применении принципа суперпозиции: искомый
потенциал вычисляется как алгебраическая сумма потенциалов,
создаваемых малыми участками заряженных тел – источников,
принимаемых за точечные. При этом
1 qi
ϕ p = ∑ ϕi = ∑ , (1.3)
i 4πε 0 i ri
где φi – потенциал, создаваемый в точке Р зарядом, удаленным от
искомой точки на расстояние ri. Что же касается величины на-
пряженности поля, то при известной функции φ(Р) она вычисля-
ется по формуле (1.1), т.е. простым дифференцированием.
При изучении электростатических полей наряду с расчетом
большое практическое значение имеет метод физического моде-
лирования. Суть его сводится к созданию условий, при которых
линии вектора плотности стационарного электрического тока j в
проводящей среде совпадают с силовыми линиями моделируемо-
го электростатического поля.
Наибольшую сложность представляет исследование трехмер-
ных электрических полей, в которых потенциал и напряженность
являются функциями трех пространственных координат. Изучение
таких полей связано с необходимостью измерений потенциалов во
всем пространстве, занятом проводящей средой, с помощью зонда,
который перемешается внутри нее. Обычно используется сосуд из
диэлектрика, заполненный электролитом, в котором размещают
электроды, включаемые в цепь источника постоянного тока. Зон-
дом может служить тонкий металлический стержень, хорошо изо-
лированный по всей длине, кроме самого конца. Простейшим при-
мером такого поля является поле системы точечных зарядов, рас-
положенных в однородной диэлектрической среде.
Значительно проще исследовать плоское стационарное элек-
трическое поле. В этом случае нет необходимости, вводить зонд
внутрь проводящей среды. Потенциалы измеряются на поверхно-
4
сти плоской проводящей среды, в качестве которой могут ис-
пользоваться тонкий слой электролита, фольга и электропровод-
ная бумага. Примером плоского поля может служить поле уеди-
ненного прямого бесконечно длинного провода, равномерно за-
ряженного по всей длине и расположенного в однородном ди-
электрике. Если его поперечное сечение остается постоянным по
всей длине, то силовые и изопотенциальные линии поля лежат в
параллельных плоскостях, расположенных перпендикулярно к
оси проводника. Таким же свойством обладают поля системы па-
раллельных бесконечно длинных проводов, цилиндрического
конденсатора, параллельных равномерно заряженных бесконеч-
ных пластин и некоторые другие. Во всех этих случаях напря-
женность и потенциал поля зависят только от двух координат.
Существенной в практическом плане является возможность ис-
пользования плоской проводящей среды (в частности электро-
проводной бумаги) для качественного моделирования ограничен-
ных плоских участков трехмерных электрических полей.
В работе изучается структура конкретного электростатиче-
ского поля, определяемая взаимно ортогональными семействами
изопотенциальных и силовых линий.
Описание экспериментальной установки и метода измерений
Для нахождения потенциала различных точек электрического

поля, образующегося на листе электропроводной бумаги, собира-
ется схема, показанная на рис. 1.1. Реохорд и модель М подключа-
ются параллельно к блоку питания БП и при замкнутом ключе К
находятся под постоянным напряжением U, определяемым по
вольтметру V. Одна из клемм нуль-гальванометра Г соединяется с
подвижным контактом Д, скользящим вдоль реохорда, а другая —
с измерительной иглой И. Если прикоснуться иглой к поверхности
электропроводящей бумаги, то образуется проводящий мостик,
переброшенный от одной параллельной ветви к другой. Так как
поперечное сечение реохорда постоянно, то вдоль него происходит
равномерное падение потенциала, и потенциалы его точек имеют
значения, промежуточные между потенциалами его концов
(− U / 2 и + U / 2) . При нулевых показаниях гальванометра та-
кие же потенциалы имеют и соответствующие точки модели М.
5
Д
Рис. 1.1
Измерение потенциалов производится следующим образом.

Коснувшись зондом некоторой точки электропроводной бумаги,
перемещаем движок Д реохорда до тех пор, пока стрелка гальва-
нометра не установится на нуле. Это означает, что потенциал
подвижного контакта Д реохорда равен потенциалу исследуемой
точки поля. Подставив соответствующее этому положению Д де-
ление шкалы реохорда l в формулу
l − 25
ϕ= U, (1.4)
50
находим искомый потенциал.
Если изучаемое поле обладает симметрией (как, например, в
случаях диполя или двух параллельных пластин), то достаточно
получить линии поля в одном квадранте. Обычно выбирают пер-
вый квадрант, т.е. область положительных х и y (при условии, что
начало координат выбрано в центре модели, ось х направлена
вправо, а ось у – вверх). При подключении источника питания, как
это показано на рис. 1.1, значения l окажутся в интервале 25 – 50.
Построение изопотенциальной линии, проходящей через не-
которую заданную точку модели, производится следующим обра-
зом. Установив зонд в выбранную точку проводящей бумаги, пе-
ремещаем движок Д до исчезновения тока в мостике. По найден-
6
ному при этом значению l вычисляем потенциал ϕ по формуле
(1.4). Остальные точки модели, имеющие такой же потенциал,
находим, перемещая зонд по модели так, чтобы гальванометр во
всех точках показывал ноль. Положение движка Д при этом не
должно изменяться.
Порядок выполнения работы
1. Прикрепить лист электропроводной бумаги на модели,
согласно рис. 1.2.
2. К точкам M и N прижать, соот-
ветственно, отрицательный и положи-
тельный электроды.
3. Включить установку. Установить
напряжение (величина указана на уста-
новке) и записать значение U в протокол.
4. Движок реохорда Д установить
в положение, соответствующее значе-
нию l = 25. Установить зонд И в точку
модели (0;0). При этом убедиться, что
стрелка гальванометра занимает нуле-
вое положение. Если показание гальва- Рис. 1.2
нометра отлично от нуля, необходимо подрегулировать положе-
ния электродов.
5. Установить зонд И в точку модели (1;0). Перемещая дви-
жок реохорда Д, найти такое его положение, при котором гальва-
нометр показывает ноль. Записать соответствующее значение l в
таблицу (табл. 1.1). Перемещая зонд И по модели, найти другие
точки, соответствующие нулевым показаниям гальванометра при
неизменном положении движка Д. Найденные точки отметить на-
жатием иглы зонда. Все точки этой линии имеют одинаковый по-
тенциал, вычисляемый для соответствующего l по формуле (1.4).
6. Действуя подобным же образом, построить изолинии,
проходящие через точки (2;0), (3;0) и (4;0). Изолиния, проходя-
щая через начало координат, должна совпасть с осью у.
7. Выключить установку. Вынуть рабочий лист электропро-
водной бумаги.
8. В протокол записать предел измерений и класс точности
вольтметра.
7
Т а б л и ц а 1.1
U=
Точка (1;0) (2;0) (3;0) (4;0)
l
φ
Обработка и анализ результатов
1. На листе миллиметровки начертить координатные оси.

Полученные экспериментально на электропроводной бумаге точ-
ки перенести на подготовленный лист. Точки, имеющие одинако-
вый потенциал, соединить сплошной линией.
2. По формуле (1.4) рассчитать значения потенциала φ для
каждой изолинии. Полученные значения занести в таблицу
(табл. 1.1) и записать возле построенных изопотенциальных линий.
3. Построить линии напряженности поля (силовые линии),
проходящие через точки (0;1), (0;2), (0;3), (0;4), (0;5). Взаимно
ортогональные семейства изопотенциальных и силовых линий
должны образовать систему так называемых криволинейных
квадратов.
4. Оценить погрешность.
Контрольные вопросы
1. Дать определения напряженности и потенциала электро-

статического поля.
2. Показать связь между напряженностью и потенциалом в
векторной форме.
3. Назвать условие потенциальности электростатического
поля (представить математическую запись и объяснить ее физи-
ческий смысл).
4. Доказать ортогональность эквипотенциальных поверхно-
стей и силовых линий.
Библиогр.: [8] – [10]; [6] гл. I, §§ 5, 6, 8.
8
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЕМКОСТИ КОНДЕНСАТОРОВ

ПРИ ПОМОЩИ БАЛЛИСТИЧЕСКОГО ГАЛЬВАНОМЕТРА
Цель работы — определение баллистической постоянной

гальванометра и измерение емкости конденсаторов.
Приборы и принадлежности: баллистический гальванометр,
конденсаторы, источник постоянного напряжения, реостат,
вольтметр, переключатель.
Уединенные проводники обладают небольшой емкостью, ко-

торая возрастает с приближением к ним других тел. Этот факт
используется при создании конденсаторов, которые могут накап-
ливать (конденсировать) заметные по величине заряды. Конден-
саторы состоят из двух проводников (обкладок), помещенных
близко друг к другу и разделенных слоем диэлектрика. Основной
характеристикой конденсатора является его емкость С, которая
может быть определена как коэффициент пропорциональности
между зарядом обкладок q и разность потенциалов обкладок U:
q
q = CU или C = . (2.1)
U
Емкость измеряется в фарадах (Ф). Величина емкости опре-
деляется геометрией конденсатора (формой и размерами обкла-
док и величиной зазора между ними), а также диэлектрической
проницаемостью среды, заполняющей пространство между об-
кладками. Например, емкость плоского конденсатора определя-
ется по формуле
C = ε 0 εS d ,
где S – площадь обкладки, d – расстояние между обкладками.
При параллельном соединении двух конденсаторов емкость
равна сумме емкостей конденсаторов:
C пар = С1 + С 2 . (2.2)
При последовательном соединении двух конденсаторов

9
1 1 1
= + (2.3)
С посл С1 С 2
или
С1С 2
С посл = .
С1 + С 2
Для определения емкости конденсатора в соответствии с

формулой (2.1) достаточно измерять разность потенциалов U ме-
жду обкладками и заряд конденсатора q. Напряжение измеряется
вольтметром, а заряд q можно измерить с помощью баллистиче-
ского гальванометра (см. прил. 1).
Заряд, протекший через баллистический гальванометр за
промежуток времени, малый по сравнению с периодом колеба-
ний рамки гальванометра, пропорционален первому максималь-
ному отклонению α светового указателя («зайчика») от положе-
ния равновесия: q = C б α , где Сб – баллистическая постоянная
гальванометра, Кл/дел; α – первое максимальное отклонение
«зайчика» в делениях шкалы.
В данной работе для определения Сб через баллистический
гальванометр разряжают конденсатор известной емкости С0, за-
ряженный до разности потенциалов U. Заряд конденсатора
q = C 0U . Измерив α0, можно определить баллистическую посто-
янную гальванометра по формуле
С 0U
Cб = . (2.4)
α0
Схема установки представлена на рис. 2.1, где Э – источник
постоянного напряжения; Г – баллистический гальванометр; R –
реостат, включенный как делитель напряжения; V — вольтметр;
П – переключатель; С – конденсатор. С помощью переключателя
П конденсатор то присоединяется к источнику напряжения и за-
ряжается, то замыкается на баллистический гальванометр и раз-
ряжается через него.
10
1. Собрать установку по схеме, приведенной на рис. 2.1.
Рис. 2.1
2. Включить в сеть выпрямитель и осветитель гальванометра.

3. Установить с помощью делителя напряжения R напряже-
ние U (значение указано на установке). Значения U и класса точ-
ности вольтметра занести в таблицу (табл. 2.1).
4. С помощью соединительных проводов включить в схему
конденсатор С0.
5. Зарядить конденсатор С0, соединив с источником напря-
жения при помощи переключателя П.
6. Отключить конденсатор от источника напряжения и
включить его в цепь гальванометра. Определить величину α0
(первое максимальное отклонение «зайчика» от положения рав-
новесия при разрядке конденсатора С0 через гальванометр), зане-
сти ее в таблицу измерений (табл. 2.1).
7. Повторить пп. 5 и 6 четыре раза.
8. Отсоединить конденсатор С0 и включить в схему вместо
него конденсатор С1.
9. Для конденсатора С1 повторить пять раз измерения, ана-
логичные указанным в пп. 5 и 6, записывая каждый раз макси-
мальное отклонение «зайчика» α1 от положения равновесия.
10. Отсоединить конденсатор С1 и включить в схему вместо
него конденсатор С2. Аналогичным образом измерить пять раз
отброс «зайчика» α2 и занести результаты в таблицу (табл. 2.1).
11. Конденсаторы С1 и С2 соединить параллельно. Измерять от-
брос «зайчика» α3 пять раз, занося результаты в таблицу (табл. 2.1).
11
Определение Сб Определение емкости конденсаторов
U, В α0 , дел. α1 , дел. α2 , дел. α3 , дел. α4 , дел.
Средние <α0> = <α1> = <α2> = <α3> = <α4> =

значения
Класс точности вольтметра К =
С0 =
ΔС0 =
12. Конденсаторы С1 и С2 соединить последовательно. Изме-

рять отброс «зайчика» α4 пять раз, занося результаты в таблицу
(табл. 2.1).
13. Выключить установку. Записать значения С0 и ΔС0, ука-
занные на установке.
Обработка и анализ результатов измерений
1. Вычислить среднее значение <α0> и подставить его в

формулу (2.4) для вычисления баллистической постоянной галь-
ванометра.
2. Оценить погрешность измерения Сб по формуле
2 2 2
ΔC б ⎛ ΔU ⎞ ⎛⎜ ΔC0 ⎞⎟ ⎛⎜ Δα 0 ⎞⎟
= ⎜ ⎟ + + ,
Cб ⎝ U ⎠ ⎜⎝ C0 ⎟⎠ ⎜⎝ α 0 ⎟⎠
где ΔU определить по классу точности вольтметра, Δα0 оценить
по разбросу значений α0 при пяти измерениях.
3. Вычислить средние значения <α1>, <α2>, <α3>, <α4>.
4. Рабочую формулу для вычисления емкости конденсатора
12
С1 можно получить, используя формулы (2.1) и (2.4):
q C α α
C1 = 1 = б 1 = C0 1 .
U U α0
Вычислить емкость С1 по полученной формуле, подставляя
средние значения <α1> и <α0> соответственно.
Емкость С2 вычислить по аналогичной формуле
α
C 2 = C0 2 ,
α0
подставляя средние значения <α2> и <α0> соответственно.
5. Найти емкость параллельно соединенных конденсаторов:
< α3 >
а) по формуле C3 = C 0 ;
< α0 >
б) по формуле (2.2).
Сравнить полученные результаты.
6. Найти емкость последовательно соединенных конденса-
торов:
< α4 >
а) по формуле C3 = C 0 ;
< α0 >
б) по формуле (2.3).
Сравнить полученные результаты.
1. Что называется электроемкостью конденсатора? В каких

единицах она измеряется?
2. От чего зависит электроемкость конденсатора. Привести
вывод формулы для расчета емкости плоского конденсатора.
3. Дать определения параллельного и последовательного со-
единений конденсаторов. В каких случаях они используются?
Привести выводы формул для расчета емкостей последовательно
и параллельно соединенных конденсаторов.
4. Как устроен баллистический гальванометр? Как опреде-
ляется баллистическая постоянная в данной работе?
Библиогр.: [6] гл. III, §§ 26, 27; [2] гл. V, §§ 5.1 – 5.3 .
13
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОНИЦАЕМОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
ОТ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
Цель работы – определение диэлектрической проницаемости

сегнетокерамики при различных значениях напряженности поля.
Приборы и принадлежности: исследуемый сегнетокерамиче-
ский конденсатор, конденсатор известной емкости, источник пи-
тания, переключатели, баллистический гальванометр.
Сегнетоэлектрики – кристаллические диэлектрики, состоя-

щие (в определённом интервале температур) из самопроизвольно
поляризованных областей – доменов. В пределах каждого домена
дипольные моменты всех молекул ориентированы одинаково, но
в различных доменах направления векторов поляризации различ-
ны и их векторная сумма равна нулю. Число доменов, взаимная
ориентация их электрических дипольных моментов зависят от
симметрии кристаллов. Во внешнем электрическом поле границы
доменов смещаются так, что объемы доменов, поляризованных
по полю, увеличиваются за счет других доменов. В сравнительно
сильном электрическом поле сегнетоэлектрик становится одно-
доменным, т. е. поляризуется до насыщения.
Сегнетоэлектрики имеют следующие отличия от других
диэлектриков (параэлектриков):
1) большая величина диэлектрической проницаемости ε. На-
пример, типичным представителем этого класса диэлектриков
является сегнетовая соль, у которой ε = 104 ÷ 105, у титана бария
(BaTi03) ε =103 ÷ 104;
2) нелинейная зависимость поляризованности Р от напря-
женности поля Е. Из формулы P = ε0χE = ε0(ε-1)E следует, что
диэлектрическая восприимчивость χ и диэлектрическая прони-
цаемость ε сегнетоэлектриков зависят от напряженности поля. У
всех остальных диэлектриков ε и χ от Е не зависят;
3) сегнетоэлектрический гистерезис (запаздывание). Он воз-
никает при изменении величины и направления внешнего элек-
14
трического поля и заключается в неоднозначной зависимости по-
ляризованности и других связанных с ней величин от напряжен-
ности поля. Гистерезис обусловлен затратами энергии на пере-
ориентацию доменов;
4) существование фазовых переходов при температурах, на-
зываемых точками Кюри. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках
являются структурными, они связаны с изменением симметрии
кристаллической решетки. При температуре фазового перехода
спонтанная поляризация исчезает и сегнетоэлектрик превращает-
ся в обычный диэлектрик (параэлектрик).
Сегнетоэлектрики используются в конденсаторах (из-за
больших значений ε) как нелинейные элементы: вариконды (эле-
менты диэлектрических усилителей, стабилизаторы тока и на-
пряжения, элементы логических схем и элементы памяти ЭВМ),
пьезоэлектрические преобразователи (излучатели и приемники
звука и ультразвука).
В работе исследуется зависимость диэлектрической прони-
цаемости сегнетокерамического диэлектрика (титанат бария с
добавками) от напряженности электрического поля. Для этого
измеряется заряд на обкладках сегнетоэлектрического конденса-
тора при различных напряжениях. В плоском конденсаторе на-
пряженность электрического поля
σ q
E= = , (3.1)
εε 0 Sεε 0
где σ – поверхностная плотность заряда, q – заряд конденсатора,
ε0 – электрическая постоянная, равная 8,85·10-12 Ф/м; S – пло-
q
щадь обкладки. Из (3.1) следует, что ε = . Выразив Е через
ε 0 SE
разность потенциалов на обкладках конденсатора (U) и расстоя-
ние между обкладками (h):
U
E= , (3.2)
h
получим
qh
ε= . (3.3)
ε 0 SU
Заряд конденсатора определяется при помощи баллистиче-
ского гальванометра (описание баллистического гальванометра
15
см. в прил. 1). Отброс «зайчика» гальванометра пропорционален
электрическому заряду:
q = Cб α , (3.4)
где Сб – баллистическая постоянная гальванометра, Кл/Дел.;
α – отброс «зайчика» в делениях шкалы.
Из (3.3) и (3.4) получаем рабочую формулу для вычисления
относительной диэлектрической проницаемости:
C hα
ε= б . (3.5)
ε0S U
Описание экспериментальной установки
Схема установки представлена на рис. 3.1.
Рис. 3.1
Здесь Э – источник постоянного напряжения, R – делитель

напряжения (потенциометр), V – вольтметр, С – исследуемый
плоский сегнетокерамический конденсатор с круглыми обклад-
ками, С0 − конденсатор известной емкости, Г – баллистический
гальванометр, П1 и П2 – переключатели.
Перед выполнением работы следует ознакомиться с распо-
ложением различных приборов, элементов установки и присое-
динить к ней гальванометр.
Определение баллистической постоянной гальванометра.
1. Включить в цепь с помощью переключателя П1 конденса-
тор С0.
2. Установить с помощью потенциометра R напряжение U0.
Значения С0 и U0 указаны на установке.
16
3. Зарядить конденсатор С0 (подключить с помощью пере-
ключателя П2 к источнику напряжения), а затем переключить его
в цепь гальванометра. Измерить отброс α0 «зайчика» по шкале
гальванометра в делениях шкалы. Измерение α0 произвести пять
раз. Результаты занести в таблицу измерений (см. табл. 3.1).
Измерение заряда сегнетоэлектрического конденсатора
при различных напряжениях.
1. Включить в цепь с помощью переключателя П1 исследуе-
мый конденсатор С.
2. Установить величину зарядного напряжения (см. табл. 3.1).
3. Зарядить, а затем быстро разрядить конденсатор С через
гальванометр; измерить отброс α «зайчика» в делениях шкалы.
Измерения α при каждом напряжении произвести три раза. Ре-
зультаты измерений занести в таблицу (см. табл. 3.1).
4. Записать в таблицу (см. табл. 3.1) данные, указанные на
установке (электроемкость конденсатора С0 и погрешность ΔC0 ,
диаметр d круглых обкладок конденсатора С и расстояние h меж-
ду его обкладками).
5. Записать число делений шкалы, цену деления и класс
точности вольтметра.
Данные установки
С0 = d= Класс точности
U0 = K=
ΔC 0 = h= и диапазон измерений вольтметра
Д=
Определение баллистической постоянной
α0, дел. <α0> =
Измерение заряда сегнетоэлектрического конденсатора при различных
напряжениях
U, В α, дел. <α>, q, Кл Е, В/м ε
1 2 3 дел.
50
100
150
200
250
300
17
1. Вычислить среднее значение <α0>.

2. Вычислить баллистическую постоянную гальванометра
по формуле
СU
Cб = 0 0 .
< α0 >
3. Определить погрешность ΔC б C б (как погрешность кос-

венных измерений):
2 2 2
ΔC б ⎛ ΔС 0 ⎞ ⎛ ΔU 0 ⎞ ⎛ Δα 0 ⎞
= ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ .
Cб ⎝ С0 ⎠ ⎝ U0 ⎠ ⎝ α0 ⎠
Погрешность Δα 0 определяется по разбросу значений α0,
ΔU 0 – по классу точности прибора.
4. Вычислить по формуле (3.2) напряженность электриче-
ского поля в конденсаторе, по формуле (3.4) заряд q и по форму-
ле (3.5) – значения ε сегнетоэлектрика для каждого значения на-
пряженности поля Е.
5. Построить графики зависимости q = q(U) и ε = ε(Е).
6. Проанализировать полученные результаты. Объяснить
ход зависимости ε от Е.
1. Рассказать о поляризации диэлектриков и векторе поля-

ризации.
2. Дать определение сегнетоэлектриков, перечислить их
свойства.
3. Привести вывод формулы для емкости плоского конден-
сатора.
4. Объяснить устройство баллистического гальванометра.
Как определяется баллистическая постоянная в данной работе?
Библиогр.: [2] гл. VI, § 6.4; [4] гл. V, § 50; [6] гл. II, § 23.
18
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПРОНИЦАЕМОСТЕЙ ЖИДКОСТЕЙ
И ПОЛЯРИЗУЕМОСТИ НЕПОЛЯРНОЙ МОЛЕКУЛЫ
РЕЗОНАНСНЫМ МЕТОДОМ
Цель работы – определение диэлектрических проницаемо-

стей жидких диэлектриков и поляризуемости молекулы жидкости
резонансным методом.
Приборы и принадлежности: высокочастотный генератор
синусоидального напряжения, ламповый вольтметр, блок кон-
денсаторов, катушка индуктивности.
Предположим, что Свак – электроемкость некоторого конден-

сатора, между обкладками которого вакуум. Как показывает
опыт, емкость конденсатора практически не изменяется, если
пространство между его обкладками заполнить атмосферным
воздухом. Поэтому с достаточной точностью можно принять
Свак = Свозд. Электроемкость конденсатора существенно зависит
от свойств диэлектрика, заполняющего пространство между об-
кладками конденсатора. Величину, характеризующую указанные
свойства диэлектрика, называют относительной диэлектрической
проницаемостью вещества ε. Она может быть вычислена по фор-
муле
C
ε= , (4.1)
C возд
где С – электроемкость конденсатора, заполненного однородным
диэлектриком.
Таким образом, наличие диэлектрика между обкладками
конденсатора увеличивает его емкость в ε раз, что связано с
взаимодействием электрического поля с веществом. В отсутствие
внешнего электрического поля дипольные моменты молекул ди-
электрика или равны нулю (неполярные молекулы), или распре-
делены по направлениям в пространстве хаотическим образом
(полярные молекулы). В обоих случаях суммарный дипольный
19
момент диэлектрика равен нулю. Под действием внешнего поля
диэлектрик поляризуется, и результирующий дипольный момент
диэлектрика становится отличным от нуля.
Для количественного описания поляризации диэлектрика в
каждой его точке вводят вектор поляризации (поляризованность)
Р. Он равен отношению суммарного дипольного момента всех
молекул, заключенных в малом объеме ΔV, к этому объему. Во
внешнем электрическом поле на границе диэлектрика появляют-
ся так называемые связанные заряды, поэтому результирующее
макроскопическое поле Е в произвольной точке диэлектрика яв-
ляется суперпозицией двух полей: поля Естор, создаваемого сто-
ронними зарядами (такие заряды могут передаваться от одного
тела к другому при их соприкосновении) и поля Е' связанных за-
рядов:
Е = Естор + Е'.
При заполнении всего пространства, где есть поле, однород-
ным и изотропным диэлектриком диэлектрическая проницае-
мость ε показывает, во сколько раз ослабляется электрическое
поле за счет поляризации диэлектрика: E = Eстор ε .
Рассмотрим диэлектрик, состоящий из неполярных молекул.
Под действием внешнего электрического поля заряды в молекуле
смещаются друг относительно друга. В результате у молекулы
появляется электрический дипольный момент p, зависящий от
напряженности поля: p = ε0αEл , где ε0 – электрическая постоян-
ная; α – поляризуемость молекулы — молекулярная константа,
зависящая от ее строения и характеризующая «отклик» молекулы
на действующее на нее поляризующее поле; Ел – напряженность
локального электрического поля, действующего на молекулу. Ес-
ли в единице объема диэлектрика содержится п молекул, то век-
тор поляризации (дипольный момент единицы объема) равен:
P = np = n ε0αEл.. (4.2)
В плотных средах, какими являются жидкости, поле, дейст-
вующее на молекулу, создается внешними зарядами и зарядами
всех соседних молекул, за исключением рассматриваемой. Расчет
показывает, что напряженность локального поля Ел связана с на-
пряженностью Е среднего макроскопического поля в диэлектри-
ке соотношением
20
1
Ел = Е + Р. (4.3)
3ε 0
С учетом (4.3) формула (4.2) перепишется в виде
1
P = n ε0α(Е + Р).
3ε 0
Учитывая, что вектор поляризации Р пропорционален на-
пряженности Е: Р = ε0 (ε -1)Е, получим
3 ε −1
α= . (4.4)
nε+2
Концентрацию молекул п можно, выразить через плотность
диэлектрика ρ, его молярную массу μ, и число Авогадро NA :
n = N Aρ μ . Тогда формула (4.4) примет вид
3μ ε − 1
α= . (4.5)
ρN A ε + 2
Если ρ и μ для диэлектрика известны, то, измерив его от-
носительную диэлектрическую проницаемость ε, можно опреде-
лить поляризуемость молекулы α, которая по порядку величины
равна кубу радиуса молекулы и измеряется в м3.
Опытное определение диэлектрической проницаемости твер-
дых, жидких и газообразных диэлектриков обычно производится на
основе последовательного сравнения емкости конденсатора, запол-
ненного диэлектриком, и такого же воздушного конденсатора. От-
ношение этих двух емкостей в соответствии с формулой (4.1) дает
величину относительной диэлектрической проницаемости ε.
При измерениях диэлектрической проницаемости различных
веществ в переменном электрическом поле следует иметь в виду
зависимость ее значений от частоты электрического поля. Из-
вестно, что время установления электронной поляризации в ди-
электриках, состоящих из неполярных молекул, весьма мало.
Вследствие этого ε таких диэлектриков не зависит от частоты,
вплоть до оптических частот ν = 108 ÷ 109 МГц. Время уста-
новления ориентационной поляризации в жидкостях сравнитель-
но велико и резко уменьшается с ростом температуры. При
большой частоте изменения электрического поля диполи не ус-
певают следовать за этими изменениями и диэлектрическая про-
ницаемость веществ, содержащих полярные молекулы, оказыва-
ется зависящей от частоты: ε = f(ν).
21
В данной работе используется резонансный метод определе-

ния емкости конденсатора. Его сущность состоит в том, что ко-
лебательный контур, содержащий измерительный конденсатор,
заполненный исследуемым жидким диэлектриком, и катушку ин-
дуктивности, настраивается в резонанс при изменении частоты ω
внешнего переменного напряжения. Частота, при которой напря-
жения на конденсаторе и катушке индуктивности достигают мак-
симальных значений, называется резонансной. При малом актив-
ном (омическом) сопротивлении R колебательного контура резо-
нансная частота ωрез приблизительно равна собственной частоте
1
ω0 колебаний в колебательном контуре: ωрез ≈ ω0 = , где
LC '
С' – электроемкость колебательного контура, L – индуктивность,
откуда
1 1
C' = = . (4.6)
Lω рез L ⋅ 4π 2 ν 2рез
2
Схема установки представлена на рис. 4.1.
Рис. 4.1
Основной блок – колебательный контур, содержащий ка-

тушку индуктивности L, закрепленную в корпусе из оргстекла,
и один из измерительных конденсаторов С. Резистор R1 имеет
вспомогательное значение и обеспечивает нужный режим рабо-
ты генератора. Измерительные конденсаторы смонтированы на
22
общей панели и представляют собой коаксиальные цилиндры.
Пространство между обкладками цилиндрических конденсато-
ров заполняется исследуемым диэлектриком. В первом конден-
саторе диэлектриком является воздух, во втором – керосин и в
третьем – масло.
Катушка индуктивности при помощи лапок крепится к клем-
мам измерительного конденсатора. В цепь колебательного конту-
ра подключаются высокочастотный генератор синусоидального
напряжения и ламповый вольтметр ЛВ, который служит для из-
мерения напряжения на конденсаторе. Частоту колебаний генера-
тора можно изменять в широком интервале значений. При изме-
нении частоты генератора показания вольтметра изменяются,
достигая максимального значения при резонансе (ламповый
вольтметр измеряет эффективные значения напряжения
U эфф = U a 2 ).
1. Подключить катушку индуктивности и ламповый вольт-

метр к клеммам первого конденсатора. Включить в гнезда,
имеющиеся на защитном корпусе катушки индуктивности, вы-
ходные провода генератора (земляной провод – белый).
2. Включить генератор и ламповый вольтметр в сеть с на-
пряжением 220 В.
3. Установить переключатель диапазонов генератора в по-
ложение, указанное на установке.
4. Изменять частоту на выходе генератора с помощью ручки
установки частоты и найти такое ее положение, при котором от-
клонение стрелки вольтметра максимально. Частоту ν0, соответ-
ствующую этому положению, и значение напряжения на конден-
саторе занести в таблицу измерений (см. табл. 4.1).
5. Снять резонансную кривую колебательного контура, для
чего снять показания вольтметра для пяти точек в диапазоне час-
тот ν < ν0 и пяти точек в диапазоне ν > ν0 (всего 10 точек). Интер-
валы между соседними значениями частоты вблизи резонанса
должны быть невелики: 0,02–0,1 МГц. Данные измерений занести
в таблицу (см. табл. 4.1).
23
Конденсатор 1 Конденсатор 2 Конденсатор 3
ν, МГц Uэфф, В ν, МГц Uэфф, В ν, МГц Uэфф, В
ν01 = ν02 = ν03 =
6. Переместить катушку индуктивности вместе с подводи-

мыми к ней «выходом» генератора и «входом» вольтметра на
клеммы второго конденсатора. Выполнить измерения, описанные
в пп. 4, 5.
7. Переместить катушку индуктивности вместе с подводи-
мыми к ней «выходом» генератора и «входом» вольтметра на
клеммы третьего конденсатора. Произвести измерения, описан-
ные в пп. 4, 5.
1. По данным измерений построить резонансные кривые

Uэфф = Uэфф(ν) для колебательных контуров с различными кон-
денсаторами. По кривым определить значения резонансных час-
тот νрез1, νрез2, νрез3.
2. По измеренным значениям резонансных частот вычис-
лить электроемкости колебательного контура C1' , C 2' , C3' по фор-
муле (4.6). При этом все величины, входящие в формулу, должны
быть выражены в единицах системы СИ (ν – в герцах, L – в генри,
С' – в фарадах).
3. Определить электроемкости С1, С2, С3 конденсаторов.
При этом следует учесть, что общая электроемкость С' колеба-
тельного контура равна сумме емкостей: емкости С исследуемого
конденсатора и емкости С'', которая складывается из входной ем-
кости лампового вольтметра и межвитковой емкости катушки
индуктивности: С' = С+С''. Поэтому искомая емкость конденса-
тора С = С' — С'', С'' = 5пФ.
24
4. Вычислить относительные диэлектрические проницае-
мости керосина и масла:
С2 С3
ε2 = εк = , ε3 = εм = .
С возд2 С возд3
Значения Свозд2 и Свозд3 указаны на установке.
5. Рассчитать электроемкость воздушного конденсатора Свозд1
по формуле электроемкости цилиндрического конденсатора:
2πε 0 h
C=
r
ln 2
r1
Значения h, r1, r2 указаны на установке. Сделать вывод о том,
как согласуются теоретическое и экспериментальное значения
этой электроемкости.
6. Определить поляризуемость молекулы керосина по фор-
муле (4.5). Для керосина μ = 0,156 кг/моль, ρ = 830 кг/м3.
7. Проанализировать основные источники погрешности при
определении С и ε.
1. Перечислить типы поляризации диэлектриков. В чем со-

стоит различие в поляризации диэлектриков с полярными и не-
полярными молекулами?
2. Дать определение поляризованнности P. Указать связь
между векторами D, E, P.
3. Что называется электроемкостью конденсатора? От чего
она зависит? Привести вывод формул для расчета электроемко-
стей плоского и цилиндрического конденсаторов. В каком случае
при расчете электроемкости цилиндрического конденсатора
можно пользоваться формулой для электроемкости плоского
конденсатора?
4. Рассказать о резонансном методе измерения емкости кон-
денсатора.
Библиогр.: [2] гл. V, § 5.2; гл. VI, §§ 6.1, 6.2; гл. XXII, §§ 22.1, 22.2;
[6] гл. II, §§ 15, 16; гл. III, § 27; гл. XIII, § 91.
25
ЗАКОНЫ КИРХГОФА
Цель работы – экспериментальная проверка справедливости

законов Кирхгофа для разветвленных цепей постоянного тока.
Для поддержания в цепи постоянного тока необходим источ-

ник электрической энергии. Распространенными типами источ-
ников являются электрические батареи и электрические генера-
торы. Они называются источниками электродвижущей силы
(ЭДС). Принцип действия любого источника тока основан на том
или ином механизме разделения электрических зарядов внутри
него. В процессе разделения заряда происходит его перемещение
к одноименным клеммам источника тока, т.е. движение зарядов
осуществляется против сил электрического поля. Для осуществ-
ления такого дрейфа зарядов нужны силы, природа которых от-
личается от электростатической. Эти силы называются сторон-
ними, их примерами могут служить сила трения, силы, возни-
кающие при протекании химических реакций, сила Лоренца и т.д.
Действие сторонних сил можно описать с помощью вектора на-
пряженности поля сторонних сил:
Eст = Fст/q0,
где Fст – сторонняя сила, а q0 – пробный заряд. Работа сторонних
сил характеризуется величиной ЭДС источника тока.
По определению, ЭДС источника тока называется физиче-
ская величина, численно равная работе сторонних сил по перено-
су единичного положительного заряда от отрицательной (1) к по-
2
ложительной (2) клемме источника тока, т. е. ε = ∫ E ст dl .
1
Участок электрической цепи, содержащий ЭДС, называется
неоднородным. Движение по нему электрического заряда проис-
ходит под действием как сил электрического поля, так и сторон-
них сил. Суммарная работа этих сил по переносу единичного по-
ложительного заряда вдоль участка цепи называется падением
напряжения U:
26
2 2 2
U = ∫ (E + E ст ) dl = ∫ E dl + ∫ E ст dl = (ϕ1 − ϕ 2 ) + ε ,
1 1 1
где (ϕ1 − ϕ 2 ) – разность потенциалов на концах участка.
Первый закон Кирхгофа. Алгебраическая сумма сил токов,
сходящихся в узле, равна нулю: ∑ I i = 0 .
i
Узлом электрической схемы называется точка пересечения
трех и более проводников. Электрическая схема (см. рис. 5.1),
содержит четыре узла (цифры 1 – 4 на схеме). При использовании
первого закона Кирхгофа справедливо следующее правило знаков
для сил токов: сила тока, входящего в узел, считается положи-
тельной, сила тока, выходящего из узла – отрицательной.
Физической основой первого закона Кирхгофа является за-
кон сохранения электрического заряда. Действительно, в узле
электрической схемы не происходит накопление заряда и сум-
марный электрический заряд, приносимый к узлу входящими то-
ками, должен равняться суммарному электрическому заряду,
уносимому от узла вытекающими токами.
Второй закон Кирхгофа. При обходе произвольного замк-
нутого контура, выделенного из разветвленной цепи постоянного
тока, алгебраическая сумма ЭДС равна алгебраической сум-
ме произведений сил токов на сопротивления соответствующих
элементов контура: ∑ ε i = ∑ I k Rk .
i k
Правило знаков: ЭДС считается положительной, если при
выбранном направлении обхода контура источник тока прохо-
дится с повышением потенциала, т.е. от отрицательной клеммы
источника тока к положительной; сила тока считается положи-
тельной, если направление обхода контура и направление тока
через соответствующее сопротивление совпадают.
Физической основой второго закона Кирхгофа является закон
сохранения энергии.
Законы Кирхгофа можно применять и при расчете цепей пе-
ременного тока, учитывая фазовые сдвиги, возникающие при
прохождении тока через реактивные сопротивления (что приво-
дит к комплексной форме записи законов Кирхгофа).
27
Электрическая схема установки представлена на рис. 5.1. Ее

составными частями являются:
– собранная разветвленная цепь постоянного тока с вывода-
ми для подключения двух источников питания (ключи К1 и К2
позволяют подключать или выключать источники тока);
– два источника постоянного тока с неизвестными значения-
ми ЭДС и внутренних сопротивлений;
– вольтметр для измерения падений напряжения в цепи.
Рис. 5.1
1. Включить в сеть вольтметр и источники постоянного то-

ка.
2. Ключи К1 и К2 перевести в положение «Выкл.» и изме-
рить значения падений напряжения на выводах установки «Э1» и
«Э2». Полученные значения с хорошей точностью являются зна-
чениями ЭДС источников тока (соответственно ε1, и ε2). Изме-
рения занести в таблицу (см. табл. 5.1).
28
3. Ключ К1 перевести в положение «Вкл.» (К2 – в положе-
ние «Выкл.»). Измерить падение напряжения на выводах «Э1» и
на сопротивлении R1 (соответственно Uε1 и U 1* ). Результаты за-
нести в таблицу (см. табл. 5.1).
4. Ключ К2 перевести в положение «Вкл.» (К1 – в положе-
ние «Выкл.»). Измерить падение напряжения на выводах «Э2» и
на сопротивлении R6 (соответственно Uε2 и U 6* ). Результаты за-
нести в таблицу (см. табл. 5.1).
5. Ключи К1 и К2 перевести в положение «Вкл.». Измерить
падение напряжения на всех сопротивлениях R1 ÷ R6. Результаты
записать в таблицу (см. табл. 5.2). На электрической схеме в про-
токоле указать направление тока через каждое сопротивление.
6. Выключить установку. Записать в протокол класс точно-
сти вольтметра и данные, указанные на установке.
ε1 = Uε1 = Uε 2 =
ε2 =
U =*
1 U 6* =
1 2 3 4 5 6 7
Ri, Ом
Ui, В
ΔUi, В
Ii, А
ΔIi, А

1. Определить внутренние сопротивления источников тока:
(ε − U ) R (ε − U ε 2 ) R6
r1 = 1 *ε1 1 , r2 = 2 .
U1 U 6*
2. Определить абсолютные погрешности внутренних сопро-
тивлений методом расчета погрешностей для величин, измерен-
ных косвенным образом. (Погрешности величин, входящих в
предыдущие формулы, определяются как погрешности прямого
измерения с использованием класса точности вольтметра.)
29
3. Определить силы токов Ii, используя закон Ома, по фор-
муле I i = U i Ri и погрешности сил токов ΔIi по формуле
2 2
⎛ ΔU i ⎞ ⎛ ΔRi ⎞
ΔI i = I i ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ .
⎝ Ui ⎠ ⎝ i ⎠R
Результаты занести в таблицу (табл. 5.2).
4. Проверить справедливость первого закона Кирхгофа в уз-
лах, заданных преподавателем. Вычислить алгебраическую сумму
токов в узлах и рассчитать погрешность суммы токов по формуле
Δ(∑ I i ) = ∑ (ΔI i )2 .
i i
Для каждого узла записать окончательный результат с по-
грешностью.
5. Вычислить для контуров, заданных преподавателем, ве-
личину ( ∑ ε i − ∑U k ). Определить погрешность этой величины
i k
по формуле
⎛ ⎞
Δ⎜⎜ ∑ ε i − ∑ I k Rk ⎟⎟ = ∑ (Δε i ) 2 + ∑ (ΔU k ) 2 .
⎝ i k ⎠ i k
Для каждого контура записать окончательный результат с
погрешностью.
6. Сделать вывод о справедливости законов Кирхгофа на
основании вычислений, описанных в пп. 4, 5.
1. Какие силы называют сторонними? Можно ли создать ис-
точник тока, в котором роль сторонних сил выполняет кулонов-
ская сила?
2. В каком случае участок электрической цепи называют не-
однородным? Приведите закон Ома для неоднородного участка
цепи.
3. Сформулируйте первый и второй законы Кирхгофа.
4. Сформулируйте правила знаков для первого и второго за-
конов Кирхгофа.
Библиогр.: [2] § 9.4; [6] § 36.
30
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОЛЕЗНОЙ
МОЩНОСТИ, КПД ИСТОЧНИКА ТОКА И СИЛЫ ТОКА
В ЦЕПИ ОТ НАГРУЗКИ
Цель работы – исследование зависимости полезной мощно-
сти, КПД источника тока и силы тока в цепи от нагрузки.
Приборы и принадлежности: исследуемый источник тока,
реостат, вольтметр, амперметр и ключ.
При комнатной температуре (Т ≈ 300 К) электроны проводи-
мости в металле можно рассматривать как классические частицы
массой m и зарядом е, равномерно распределенные по объему
проводника. Они находятся в постоянном хаотическом тепловом
движении и взаимодействуют с атомами проводника только при
столкновениях. Взаимодействием между электронами можно
пренебречь. Движение электронов проводимости по объему про-
водника аналогично движению молекул газа, поэтому очень час-
то говорят, что электроны проводимости образуют в металле
«электронный газ».
Так как движение электронов проводимости при отсутствии
внешних полей хаотично, средняя скорость теплового движения
электронов < u > равна нулю. Однако после включения внешнего
однородного электрического поля напряженностью Е на элек-
троны проводимости действует сила F = – еЕ, которая одина-
кова для всех электронов. Под действием этой силы электроны
получают дополнительную скорость v в противоположном век-
тору Е направлении (см. рис. 6.1). Среднее время τ, в течение ко-
торого электрон проводимости движется в поле Е между двумя
столкновениями с ионами проводника, называется временем сво-
бодного пробега.
Рис. 6.1
31
Будем считать, что в результате столкновения с атомом ме-
талла электрон полностью теряет дополнительную скорость v,
которую он приобрел в электрическом поле.
Из классической теории электропроводности металлов сле-
дует, что удельное сопротивление проводника можно вычислить
по формуле
2m
ρ= 2 , (6.1)
ne τ
где n – число электронов проводимости в единице объема.
Рассмотрим движение электрона проводимости после столк-
новения с атомом решетки проводника. В начальный момент его
дополнительная скорость v равна нулю. Ускорение, с которым
e
движется электрон в электрическом поле, равно a = − E.
m
Это значит, что за время свободного пробега дополнительная
скорость электрона увеличится от нуля до величины vmax:
e
vmax = − Eτ, а его полная скорость составит u' = u + vmax. В
m
результате столкновения с атомом решётки проводника электрон
теряет дополнительную скорость vmax, увеличивая энергию коле-
баний атомов решетки. За время свободного пробега τ каждый
электрон в среднем один раз сталкивается с атомами кристалли-
ческой решетки и передает им энергию:
mu ' 2 mu 2 mυ 2 max
w= − = .
2 2 2
Общее количество энергии, которое получат атомы решетки
за время τ, будет равно: Q = nwV , где V – объем проводника.
Иначе говоря, полная мощность Р, рассеиваемая в проводнике,
вычисляется по формуле
Q nVe 2 E 2 τ
P= = .
τ 2m
Она равна энергии, которую получают атомы проводника от
электронов проводимости в единицу времени. Выразим мощ-
ность Р, рассеиваемую во всем объеме проводника, используя
формулу (6.1) как
1
P = E 2V = ρj 2V ,
ρ
32
1
где j – плотность тока (j = E – закон Ома в дифференциальной
ρ
форме).
Учитывая, что для цилиндрического проводника объем
V = SL и падение напряжения U = EL, получим P = I 2 R (закон
L
Джоуля – Ленца), где R = ρ . Мощность, выделяемая в единице
S
объема, вычисляется по формуле Pед = ρj 2 (закон Джоуля – Лен-
ца в дифференциальной форме).
Таким образом, в рамках классической теории электропро-
водности получен закон Джоуля – Ленца. На основании преды-
дущего рассмотрения движения электронов в проводнике можно
сделать следующий вывод. В рамках классической теории выде-
ление тепла в проводнике при протекании по нему электрическо-
го тока объясняется увеличением энергии колебаний атомов ре-
шетки проводника в результате столкновений с электронами про-
водимости, ускоренными в электрическом поле.
Рассмотрим цепь, состоящую из источника тока с внутрен-
ним сопротивлением R0 и электродвижущей силой ε0 (рис. 6.2) и
резистора с переменным сопротивлением R.
Рис. 6.2
Сила тока в цепи

ε0
I= . (6.2)
R + R0
Мощность, расходуемая во внешнем участке цепи, называет-
ся полезной мощностью источника тока, так как она может быть
использована для практических целей. Она равна:
33
P = UI , (6.3)
где U – падение напряжения на внешнем сопротивлении R.
Полная мощность источника тока Pполн = ε 0 I .
Коэффициент полезного действия источника тока
P U
η= = . (6.4)
Pполн ε 0
С учетом формулы (6.2) и того, что U = IR, выражения для
полезной мощности и КПД примут следующий вид:
ε 02 R R
P= ,η = . (6.5)
( R + R0 ) 2 R + R0
Исследование выражений (6.2) и (6.5) показывает, что требо-
вания получения максимального тока в цепи, максимальной по-
лезной мощности и максимального КПД противоречивы (рис. 6.3).
Для получения возможно большего тока сопротивление нагрузки
должно быть малым по сравнению с внутренним сопротивлением
источника, но при этом близки к нулю полезная мощность и КПД:
почти вся совершаемая источником работа идет на выделение теп-
ла во внутреннем сопротивлении. Чтобы получить максимальную
полезную мощность, следует взять нагрузку с сопротивлением,
равным внутреннему сопротивлению источника, но величина КПД
при этом составит только 0,5. Любую полезную мощность, мень-
шую максимальной, можно получить при двух значениях сопро-
тивления нагрузки. В практических целях для получения заданной
полезной мощности в этом случае следует выбирать нагрузку с
большим сопротивлением, так как КПД при этом выше.
Рпол, КПД
КПД
Рпол
Рис. 6.3
34
Схема установки представлена на рис. 6.2. В цепь источника

постоянного тока включены реостат R, электроизмерительные
приборы (амперметр А и вольтметр V) и ключ К.
1. Собрать схему, изображенную на рис. 6.2.

2. Выбрать предел измерений по амперметру и записать в
протокол наблюдений:
а) предел измерений амперметра в амперах;
б) число делений по шкале амперметра;
в) класс точности амперметра;
3. Повторить выбор предела измерений для вольтметра и
записать в протокол наблюдений его параметры.
4. Изменяя сопротивление реостата R, снять отсчеты по ам-
перметру и вольтметру, соответствующие каждому положению
движка реостата (всего 15 точек). Результаты занести в таблицу
(см. табл. 6.1).
5. Разомкнуть внешнюю цепь ключом К и измерить вольт-
метром электродвижущую силу источника ε0. Результат занести в
протокол наблюдений.
U I (эксп.) I (теор.),
R, Ом Р, Вт η
дел. В дел. А А
1. Вычислить значения полезной мощности источника Р по

формуле (6.3), КПД источника тока η – (6.4) и сопротивления R –
по формуле R = U I . Результаты вычислений занести в таблицу
(табл. 6.1).
2. Построить графики зависимостей P = P(R), η = η(R),
I = I(R) .
35
3. Определить ошибки измерения силы тока ΔI и напряже-
ния ΔU по формулам погрешности прямых измерений (с учетом
класса точности приборов). Затем определить погрешности изме-
рения сопротивления внешней цепи ΔR, полезной мощности ΔР
и КПД источника Δη, используя формулы
2 2 2 2 2
ΔR ⎛ ΔI ⎞ ⎛ ΔU ⎞ ΔP ⎛ ΔI ⎞ ⎛ ΔU ⎞ Δη ⎛ Δε 0 ⎞ ⎛ ΔU ⎞ 2
= ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ , = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ , = ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜ ⎟ .
R ⎝ I ⎠ ⎝ U ⎠ P ⎝ I ⎠ ⎝ U ⎠ η ⎝ ε0 ⎠ ⎝ U ⎠
4. Погрешности измерения силы тока, полезной мощности,
КПД и внешнего сопротивления отразить на графиках, построив
на каждом прямоугольники ошибок для трех экспериментальных
значений.
5. Вычислить величину внутреннего сопротивления источ-
ε0 − U
ника, используя формулу R0 = для нескольких (пяти –
I
шести) значений пар величин U и I. При расчете не следует ис-
пользовать результаты измерений, соответствующие малым то-
кам, так как при этом величина ε0 – U мала и ошибка определения
R0 значительна. Усреднить полученные значения R0.
6. Используя формулу (6.2), определить теоретические зна-
чения силы тока в цепи и на одном графике построить теоретиче-
ские и экспериментальные зависимости силы тока I от внешнего
сопротивления цепи R.
1. Каков механизм выделения тепла в проводнике при про-

текании по нему электрического тока?
2. Привести формулировки закона Джоуля – Ленца в инте-
гральной и дифференциальной формах.
3. Сформулировать закон Ома для участка цепи, содержа-
щего источник ЭДС, и для замкнутой цепи.
4. При какой величине внешнего сопротивления цепи по-
лезная мощность источника тока максимальна (вывести)?
Библиогр.: [2] гл. VIII, § 8.5; гл. IX, §§ 9.2, 9.3; [6] гл. V, §§ 34, 35, 37, 38.
36
ГРАДУИРОВАНИЕ ТЕРМОПАРЫ
Цель работы – исследование зависимости термо-ЭДС тер-

мопары от разности температур спаев и построение градуировоч-
ного графика.
Приборы и принадлежности: термопара, нагреватель, сосу-
ды с водой, термометры, установка для измерения термо-ЭДС.
Явление Зеебека состоит в том, что в электрической цепи, со-
стоящей из нескольких разнородных проводников, возникает
электродвижущая сила (термо-ЭДС), если контакты между про-
водниками поддерживаются при различных температурах. Элек-
трическая цепь, состоящая из двух различных проводников, на-
зывается термопарой или термоэлементом. Как показывает опыт,
в относительно узком интервале температур, различном для
разных термопар, термо-ЭДС ЭТ пропорциональна разности тем-
ператур горячего Т1 и холодного Т2 спаев:
εТ = α12(Т1 – Т2),
где α12 – коэффициент термо-ЭДС, или удельная термо-ЭДС дан-
ной пары проводников, т.е. термо-ЭДС, возникающая в цепи при
разности температур контактов в один градус. Удельная термо-
ЭДС зависит от природы проводников и интервала температур.
Она чувствительна к небольшим количествам примесей. Для
большинства пар металлов α12 составляет 10-5 – 10-4 В/К.
Явление возникновения термо-ЭДС можно наблюдать и при
контакте полупроводников. Удельная термо-ЭДС у полупровод-
никовых пар больше, чем у металлических (до 10-3 В/К).
Явление Зеебека используется в измерительных целях, в ча-
стности для измерения температур. Если один спай термопары
поддерживать при постоянной температуре, а другой поместить в
исследуемую среду, то по возникающей термо-ЭДС можно опре-
делить температуру среды. Это явление используется также для
прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.
Устройства такого рода называются термоэлектрогенераторами.
Термоэлектрогенераторы из полупроводниковых материалов об-
ладают гораздо большим КПД, чем из металлов.
37
Возникновение термо-ЭДС обусловлено рядом причин.
1. Средняя энергия электронов различна в разных проводниках
и пo-разному растет с повышением температуры. Если вдоль одно-
родного проводника существует перепад температур, то электроны
на горячем конце приобретают более высокие энергии и скорости,
чем на холодном. Это влечет за собой диффузию более быстрых
электронов к холодному концу, а более медленных – к горячему. В
полупроводниках, в дополнение к этому, концентрация свободных
электронов растет с температурой и будет на горячем конце боль-
ше, чем на холодном. Поэтому в металлах и полупроводниках с
электронной проводимостью на холодном конце накапливается из-
быточный отрицательный заряд, на горячем – положительный. В
процессе накопления заряда возникшая на концах проводника раз-
ность потенциалов вызывает поток электронов в обратном направ-
лении. Благодаря встречным потокам устанавливается динамиче-
ское равновесие. Алгебраическая сумма изменений потенциалов в
цепи, вызванных упомянутой выше диффузией носителей тока, на-
зывается диффузионной или объемной составляющей термо-ЭДС В
металлах и полупроводниках с дырочной проводимостью диффун-
дируют в большем числе к холодному концу дырки, которые и соз-
дают на нем избыточный положительный заряд. В этом случае по-
тенциал холодного конца проводника выше, чем горячего.
2. Вторая составляющая термо-ЭДС (контактная) связана с
температурной зависимостью внутренней контактной разности по-
тенциалов (к.р.п.). В замкнутой цепи, образованной из различных
проводников, все спаи которой находятся при одинаковой темпера-
туре, алгебраическая сумма всех внутренних контактных разностей
потенциалов равна нулю. С изменением температуры спая изменя-
ется скачок потенциала (внутренняя к.р.п.) при переходе от одного
проводника к другому. При различной температуре спаев алгеб-
раическая сумма скачков потенциалов в замкнутой цепи отлична от
нуля. Это и есть контактная составляющая термо-ЭДС.
3. Третья причина возникновения термо-ЭДС заключается в
увлечении электронов фононами – квантами энергии теплового
колебания кристаллической решетки. Многие процессы в кристал-
ле (например, рассеяние частиц) протекают так, как если бы фонон
кроме энергии обладал квазиимпульсом. Поэтому колебания кри-
сталлической решетки можно представить как фононный газ, за-
ключенный в пределах кристалла. При наличии градиента темпе-
38
ратуры вдоль проводника возникает дрейф фононов от горячего
конца к холодному. Существование такого дрейфа приводит к то-
му, что электроны, рассеиваемые на фононах, приобретают на-
правленное движение. В результате происходит накопление элек-
тронов на холодном конце и обеднение электронами горячего кон-
ца, как и в случае диффузии электронов. В дырочных проводниках
увлечение дырок фононами (как и диффузия дырок) приводит к
тому, что потенциал холодного конца выше, чем горячего. Алгеб-
раическая сумма изменений потенциалов в цепи, вызванная про-
цессом увлечения электронов фононами, называется фононной
составляющей термо-ЭДС. При низких температурах эта состав-
ляющая может в десятки и сотни раз превышать первые две.
Термо-ЭДС равна алгебраической сумме всех трех ее со-
ставляющих.
Термопара изготовлена из двух металлических проволок

(сплавы хромель и копель), сваренных в точках I и II (рис. 7.1).
Спай I находится в сосуде С1 с водой, температура в котором
изменяется с помощью нагревателя. Напряжение к электронагре-
вателю подается от источника питания. Для перемешивания воды
в сосуде имеется мешалка. Спай II помещен в сосуд С2, в котором
вода находится при постоянной температуре. Сосуды установле-
ны на стойке, температура в них измеряется термометрами. Для
удобства смены воды в сосудах термопара и термометры могут
перемещаться вверх.
Рис. 7.1
39
Термо-ЭДС, возникающая в цепи термопары при нагревании
спая I, измеряется компенсационным методом (см. прил. 2). Элек-
трическая схема измерительной цепи изображена на рис. 7.1.
Здесь ε0 – вспомогательный источник ЭДС; Г – нуль-гальва-
нометр; Д – подвижный контакт; R – постоянное сопротивление.
На участке АВ включен ряд соединенных последовательно оди-
наковых сопротивлений.
Электрическая схема смонтирована в ящике. На панели уста-
новки имеются тумблер для ее включения, сигнальная лампочка,
переключатель для перемещения контакта Д, указатель числа
одинаковых сопротивлений, включенных на участке AD, нуль-
гальванометр.
Ток через гальванометр равен нулю, если термо-ЭДС εТ тер-
мопары уравнивается падением напряжения на участке AD
(рис. 7.1). Для замкнутого контура, содержащего термопару,
гальванометр и участок AD, при нулевом токе через гальванометр
на основании второго закона Кирхгофа можно записать
ε Т = IR AD . Сила тока на этом участке при нулевом токе в цепи
гальванометра
ε0
I= ,
r + R + R AB
где r – внутреннее сопротивление источника ε0. Величина сопро-
тивления R много больше сопротивлений r и RAB, поэтому I =ε0 /R и
ε
εТ = 0 R AD . (7.1)
R
Если п – число одинаковых сопротивлений, включенных на
участке AD, а N – число сопротивлений на участке АВ, то
R AD nR1 n
= = .
R AB NR1 N
и формула (7.1) примет вид
R n
εТ = ε 0 AB . (7.2)
R N
1. Сравнить показания термометров в обоих сосудах. Если
показания не совпадают, сменить в сосудах воду. Записать значе-
ние температуры воды в сосудах (температура t2).
40
2. Проверить положение стрелки гальванометра. Если
стрелка окажется не на нуле, следует обратиться к преподавателю
или дежурному инженеру.
3. Установить переключатель в положение 1 (n = 1) и вклю-
чить установку. Стрелка гальванометра отклонится от нулевого
положения. Следует подождать, пока она вновь уcтaновитcя на
нуль. В момент прохождения стрелки через нулевое положение
записать температуру горячего спая (температура t1 для соответ-
ствующего значения n).
4. Устанавливая переключатель последовательно в положе-
ния 2, 3, 4 ... 20, повторять измерения, описанные в п. 3. В про-
цессе работы следует перемешивать мешалкой воду в сосуде С1.
Результаты измерений занести в таблицу (см. табл. 7.1).
5. Выключить установку.
t2 =
n 1 2 3 … 20
t1, 0С …
ΔТ = t1 – t2 …
εТ, В …
При расчетах использовать также следующие данные:
ε0 = (4,5 ± 0,1) В
R= (4841 ± 50) Ом
RAB = (3,96 ± 0,04) Ом
N= 20

1. Вычислить по формуле (7.2) значения εТ при различных
температурах горячего спая t1 и занести их в таблицу (табл. 7.1).
2. Построить график εТ = εТ(Δt), для чего нанести экспери-
ментальные точки на лист миллиметровки. Провести прямую
возможно ближе к точкам, чтобы по обе ее стороны оказалось
приблизительно равное их количество.
3. Вычислить относительную погрешность измерения εТ по
формуле
2 2 2
Δε Т ⎛ Δε ⎞ ⎛ ΔR AB ⎞ ΔR ⎞
= ⎜⎜ 0 ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎛⎜ ⎟
εТ ⎝ ε0 ⎠ ⎝ R AB ⎠ ⎝ R ⎠
41
и абсолютную погрешность εТ для четырех – пяти точек, указав
ее на графике.
4. Определить удельную термо-ЭДС α12 как угловой коэф-
ε
фициент наклона прямой, изображенной на графике: α12 = Т .
Δt
При нахождении α12 по графику используются все эксперимен-
тальные данные.
5. Определить α12 аналитическим путем с помощью метода
наименьших квадратов. Пусть Ψ – сумма квадратов отклонений
экспериментальных точек от прямой:
( )2 .
N
Ψ = ∑ εТi − α12 Δti
i =1
Здесь N – число измерений. Для α12 следует выбрать такое
значение, при котором Ψ имеет минимум:
( )
N
dΨ
= −2∑ Δti εТi − α12 Δti = 0 .
dα12 i =1
Отсюда следует, что
N
∑ Δti εT i
i =1
α12 = N
. (7.3)
∑ Δti2
i =1
Рассчитать α12 по формуле (7.3) и сравнить со значением, по-
лученным из графика.
1. В чем состоит явление Зеебека? Каковы причины воз-

никновения термо-ЭДС?
2. Как применяется на практике явление Зеебека?
3. От чего зависит удельная термо-ЭДС? Каков ее физиче-
ский смысл?
4. Описать компенсационный метод измерения ЭДС. Вы-
вести рабочую формулу (7.2).
Библиогр.: [2] гл. X, § 10.2; [4] гл. XIX, §§ 199, 202; [6] гл. IX, §§ 62, 63.
42
ОПРЕДЕЛЕНИЕ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО

ПОЛЯ В ТОЧКАХ ОСИ КРУГОВОГО ТОКА
Цель работы – определение напряженности магнитного поля Н в

центре и в точках оси кругового тока, сопоставление эксперимен-
тальных значений Н с результатами теоретических расчетов.
Приборы и принадлежности: источник постоянного тока, реостат,
амперметр, переключатель, круговой контур и магнитная стрелка.
Вокруг любого проводника с током существует магнитное поле,

напряженность которого в различных точках зависит от формы про-
водника, силы тока и положения точки отно-
сительно проводника. Пользуясь законом
Био – Савара – Лапласа, можно вычислить
напряженность Н магнитного поля в различ-
ных точках оси, проходящей через центр кру-
гового тока перпендикулярно к его плоскости:
H = ( Nr02 I ) /[ 2 (r 2 + r02 ) 3 ] . (8.1)

Здесь r – расстояние по оси от плоско- Рис. 8.1
сти контура до рассматриваемой точки
(рис. 8.1), r0 – радиус контура, I – сила тока, N – число витков в конту-
ре. Если в формуле (8.1) r = 0, то соотношение для вычисления на-
пряженности магнитного поля в центре кругового тока примет вид
H = NI/ 2r0 . (8.2)
Для определения Н измеряется отклонение магнитной стрел-

ки, на которую действует не только измеряемое поле тока, но и
известное магнитное поле Земли. Горизонтальная составляющая
магнитного поля Земли для Санкт-Петербурга Нг = 12 А/м. При
одновременном действии на магнитную стрелку поля контура и
43
горизонтальной составляющей земного магнитного поля стрелка
установится по направлению равнодействующей этих полей Н1,
(рис. 8.2).
Рис. 8.2 Рис. 8.3
Если плоскость витков совпадает с плоскостью магнитного

меридиана (магнитная стрелка параллельна плоскости витков в
отсутствии тока), то угол α, на который отклоняется стрелка от
этой плоскости при прохождении тока, удовлетворяет условию
tgα = H / H г , откуда искомое значение
H = H г tgα . (8.3)
Схема установки приведена на рис. 8.3. Здесь ε – источник
постоянного тока; R – реостат, включенный как делитель на-
пряжения; А – амперметр; П – переключатель; Т – круговой кон-
тур; М – магнитная стрелка. Перемещая движок реостата R, мож-
но изменять силу тока в круговом контуре Т. С помощью пере-
ключателя П можно изменять направление тока. Магнитную
стрелку можно перемещать вдоль оси кругового тока для измере-
ния магнитного поля в различных точках оси.
Конкретные задачи
1. Исследовать зависимость напряженности магнитного поля

Н в центре кругового тока от силы тока I в цепи. Построить гра-
фик зависимости H(I) = H. Сопоставить результаты измерений с
теоретической зависимостью.
2. Исследовать зависимость напряженности H магнитного
поля в точках оси кругового тока от расстояния r до центра кру-
гового тока. Построить график зависимости H(r) = H. Сопоста-
вить результаты измерений с теоретической зависимостью.
44
1. Собрать схему рис. 8.3 и установить магнитную стрелку в
центр контура ( r = 0 ) .
2. Установить контур Т в плоскости магнитного меридиана,
поворачивая контур до тех пор, пока магнитная стрелка не окажется
в его плоскости контура.
3. Исследовать зависимость напряженности поля H в центре
контура Т от силы тока I. Для этого, изменяя силу тока в пределах
от 0,02 до 0,16 А (через 0,02 А), измерить угол отклонения α маг-
нитной стрелки сначала при прямом (α1), а затем при обратном
(α2) направлениях тока. Результаты измерений занести в табл. 8.1.
H, A/м
I, А α 1 ,град α 2 , град <α>, град
экспер. теор.
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0,14
0,16
4. Исследовать зависимость напряженности поля Н от рас-
стояния r при заданной силе тока в контуре I = 0,1 А. Для этого
измерить угол отклонения α магнитной стрелки в различных точ-
ках оси кругового тока через 2 см. Измерения угла отклонения
выполнить при прямом ( α 1 ) и обратном ( α 2 ) направлениях тока и
результаты занести в табл. 8.2.
I = 0,1 A; r0 = ; N =
H, A/м
r, см α 1 , град α 2 , град <α>, град
экспер. теор.
0
24
5. Записать предел измерений и класс точности амперметра.
45
1. Вычислить экспериментальные значения Нэксп в центре кругово-

го тока по формуле (8.3) на основе данных табл. 8.1. Найти теоре-
тические значения Нтеор, используя соотношение (8.2). Результаты
вычислений занести в табл. 8.1.
2. Построить на одном графике зависимости H=Нэксп(I) и
H=Hтеор(I).
3. Вычислить погрешности определения Нэксп для нескольких то-
чек по формуле
[
ΔH эксп = H r ⋅ Δα / cos 2 α , ]
где Δα – абсолютная ошибка определения угла отклонения, выра-
женная в радианах. Найти погрешность ΔI по классу точности ам-
перметра. Погрешности ΔНэксп и ΔI отразить на графике зависимо-
сти, построив прямоугольники ошибок.
4. Сделать вывод о соответствии теоретической и экспери-
ментальной зависимости Н от силы тока I.
5. Вычислить для различных точек оси кругового тока напря-
женность магнитного поля Hэксп по формуле (8.3) и Hтеор по формуле
(8.1). Результаты занести в табл. 8.2.
6. Построить на одном графике зависимости H=Hэксп(r) и
H=Hтеор(r), сопоставить результаты эксперимента и теоретических
расчетов.
1. Дать определение характеристик магнитного поля В и Н.

Какова связь между ними? Назвать единицы измерения.
2. Сформулировать закон Био – Савара – Лапласа.
3. Привести вывод формулы для индукции магнитного поля в
точках оси кругового тока.
4. Как используется магнитная стрелка для определения Н в
данной работе?
Библиогр.: [2] гл. XIV, § 14.1, гл. XV, §§ 15.1, 15.4; [6] гл. VI, §§ 40, 42, 47.
46
ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА
Цель работы – исследование полупроводника на основе изу-

чения эффекта Холла.
Приборы и принадлежности: потенциометр постоянного то-
ка, магазин сопротивлений, миллиамперметр, амперметр, элек-
тромагнит (в зазор которого помещен датчик Холла), реостаты.
Если пластинку из металла или полупроводника, вдоль кото-

рой течет постоянный ток, по-
местить в магнитное поле, век-
тор индукции которого перпен-
дикулярен направлению тока,
то между параллельными на-
правлениям тока и поля граня-
ми возникает разность потен-
циалов Uн = φ1 – φ2 (рис. 9.1).
Это явление называется эффек- Рис. 9.1
том Холла, а разность потен-
циалов Uн – ЭДС Холла. Она определяется выражением
Uн = Rн (IB/d). (9.1)
Здесь d – ширина пластинки, имеющей форму параллелепи-
педа; I – сила тока; В – магнитная индукция поля; Rн – постоян-
ная Холла, которая зависит от концентрации носителей тока в
проводнике.
Простейшая теория эффекта Холла в металлах основана на
классической электронной теории. В отсутствие магнитного поля
ток в пластинке обусловливается электрическим полем Е 0
(рис. 9.2). Его эквипотенциальные поверхности образуют систему
перпендикулярных к вектору Е 0 плоскостей. Одна из них изо-
бражена на рис. 9.2 сплошной прямой линией. Потенциал во всех
точках этой поверхности, а следовательно, и в точках 1 и 2, оди-
наков. Носители тока (электроны) имеют отрицательный заряд,
47
поэтому средняя скорость их упорядоченного движения <v> на-
правлена противоположно вектору напряженности Е 0 (направ-
лению силы тока).
Рис. 9.2
При включении магнитного поля каждый носитель оказыва-

ется под действием магнитной составляющей силы Лоренца F,
среднее значение модуля которой определяется выражением
<F> = e< v >B. Под действием этой силы электроны будут от-
клоняться к верхней (см. рис. 9.2) грани пластинки (направление
отклонения электронов можно найти, пользуясь правилом левой
руки). В результате на одной из граней образуется избыток отри-
цательных зарядов, а на другой – положительных. Следователь-
но, в пластине возникает дополнительное поперечное электриче-
ское поле Ен. Стационарное распределение зарядов в поперечном
направлении установится, когда напряженность дополнительного
поля достигнет такого значения, при котором электрическая со-
ставляющая силы Лоренца будет уравновешивать магнитную со-
ставляющую силы Лоренца: eЕн = e< v >B. Отсюда Ен = < v >B.
Поле Ен складывается с полем Е0 в результирующее поле Е.
Эквипотенциальные поверхности теперь перпендикулярны к век-
тору напряженности Е поля. Следовательно, они повернутся и
займут положение, изображенное на рис. 9.2 пунктиром.
Точки 1 и 2, которые прежде лежали на одной и той же эквипо-
тенциальной поверхности, теперь имеют разные потенциалы.
Чтобы найти разность потенциалов между этими точками, нужно
умножить расстояние а между ними на напряженность Ен:
Uн = аЕн = а< v >B. Выразим < v > через силу тока I: < v > = j/en =
= I/Sen = I/aden, где n – концентрация свободных электронов;
48
S = ad – площадь поперечного сечения пластинки; j – плотность
тока.
В результате получим Uн = (1/ne) · IB/d. Последнее выражение
совпадает с (9.1), если
1
Rн = . (9.2)
ne
Постоянная Холла может быть найдена из опыта, если опре-
делить величины I, B, Uн , d, входящие в формулу (9.1):
Uнd
Rн = . (9.3)
IB
Зная Rн , можно определить концентрацию носителей тока.
Важной характеристикой проводника является подвижность
в нем носителей тока – величина, равная средней скорости, при-
обретаемой носителями при напряженности электрического поля,
равной единице. Если в поле напряженности Е носители приоб-
ретают среднюю скорость <v>, то подвижность их равна:
b = < v >/Е. Удельная проводимость σ выражается через подвиж-
ность носителей тока: j = en< v > = enbЕ = σЕ. Отсюда
σ = neb. (9.4)
Используя формулы (9.2) и (9.4), можно определить подвиж-
ность носителей тока в проводнике по известным значениям Rн и σ.
Эффект Холла наблюдается не только в металлах, но и в по-
лупроводниках, причем по знаку эффекта можно судить о при-
надлежности полупроводника к n- или p-типу (в полупроводни-
ках n-типа знак основных носителей тока отрицателен, а в полу-
проводниках p-типа положителен). Для полупроводников со
«смешанной» проводимостью явление носит более сложный ха-
рактер.
На рис. 9.3 сопоставлен эффект Холла для образцов с поло-
жительными и отрицательными носителями. Направление маг-
нитной силы изменяется на противоположное как при изменении
направления движения заряда, так и при изменении его знака.
Следовательно, при заданных направлениях тока и магнитного
поля сила, действующая на положительные и отрицательные но-
сители, имеет одинаковое направление. Поэтому при положи-
тельных носителях потенциал верхней грани (см. рис. 9.3) выше,
чем нижней, а при отрицательных ниже. Таким образом, опреде-
49
лив знак холловской разности потенциалов, можно установить
знак носителей тока.
Рис. 9.3
Для полупроводников с примесной проводимостью, когда пре-

обладает один тип носителей тока, более строгий вывод дает не-
сколько другое значение постоянной Холла: Rн= (3π/8)·1/en =1,18/en.
Отсюда
1,18
n= . (9.5)
eRн
Тогда из формул (9.4) и (9.5) получаем
8
b= Rн σ = 0,85Rнσ . (9.6)
3π
По формулам (9.5) и (9.6) можно определить концентрацию
n и подвижность b основных носителей тока в полупровод-
нике, если измерить постоянную Холла Rн и удельную проводи-
мость σ.
Явление Холла – один из наиболее эффективных методов ис-
следования носителей тока, в особенности в полупроводниках.
Он позволяет оценить концентрации носителей и определить их
знак, что, в свою очередь, позволяет судить о количестве приме-
сей в полупроводниках и характере химической связи. Темпера-
турная зависимость Rн дает сведения о ширине запрещенной зо-
ны (в случае собственной проводимости) и об энергетической
глубине залегания примесных уровней у примесных полупровод-
ников. Эффектом Холла пользуются в технике для контроля ка-
чества металлов и полупроводников, а также в измерительной и
вычислительной технике, автоматике и радиоэлектронике.
50
Приборы, входящие в токовую цель датчика ЭДС Холла (рис. 9.4)
и в цепь электромагнита (рис. 9.5), смонтированы в один блок, кото-
рый питается от сети переменного напряжения 220 В. Схема, в ко-
торую включается датчик Холла, представлена на рис. 9.4.
Рис. 9.4 Рис. 9.5
Она состоит из двух цепей: токовой цепи АВ образца и цепи

CD холловских электродов. В цепь CD включен потенциометр
постоянного тока ПП, измеряющий ЭДС Холла. Так как концы
холловских электродов при припайке к образцу трудно располо-
жить на эквипотенциальном сечении образца, то при отсутствии маг-
нитного поля наблюдается некоторая разность потенциалов, которая
может быть того же порядка, что и ЭДС Холла. Для компенсации
этой разности потенциалов в схему вводится специальное компенса-
ционное устройство – магазин сопротивлений R2. В токовую цепь
датчика ЭДС Холла включены: реостат R1, миллиамперметр А1,
ключ К1, источник постоянного тока Э1.
Германиевый датчик (пластинка из n-германия) смонтирован
в корпусе из органического стекла, токовые и холловские элек-
троды его имеют выводы на клеммы. Датчик помещен в зазоре
электромагнита. Цепь электромагнита состоит из источника
постоянного напряжения Э2, реостата R3 и амперметра А2
(рис. 9.5). Катушки электромагнита I и II соединены последова-
тельно.
51
Значения магнитной индукции В в зазоре между полюсами
электромагнита, в зависимости от силы тока Iэ через обмотку элек-
тромагнита, измерены и приведены в табл. 9.1.
Iэ , А B, Тл Iэ , А B, Тл Iэ , А B, Тл Iэ , А B, Тл
0,2 0,128 0,6 0,254 1,0 0,288 1,4 0,305
0,4 0,215 0,8 0,275 1,2 0,297 1,6 0,313
В работе используется переносной потенциометр постоянно-

го тока, предназначенный для измерения компенсационным ме-
тодом малых электродвижущих сил.
1. Исследовать зависимость Uн от силы тока I при В = const.

2. Исследовать зависимость Uн от B при I = const.
3. Определить постоянную Холла.
4. Определить концентрацию и подвижность носителей тока
в пластинке n-германия.
1. Подготовить потенциометр постоянного тока к работе, как

указано на рабочем месте.
2. Реостаты R1 и R3 установить в среднее положение во из-
бежание прохождения токов, превышающих допустимые, через
датчик и обмотку электромагнита.
3. Замкнуть ключ Kl в цепи датчика Холла и установить рео-
статом RI силу тока в цепи I = 3 мА.
4. Переведя переключатель потенциометра в положение
«И», добиться установки стрелки нуль-гальванометра на нуль
подбором сопротивления магазина R2. (Этим достигается компен-
сация разности потенциалов между холловскими электродами в
отсутствии магнитного поля.)
5. Замкнуть цепь электромагнита ключом К2 и установить
силу тока в этой цепи Iэ= 0,4 А.
6. Измерить разность потенциалов Холла Uн с помощью по-
тенциометра.
52
7. Произвести измерения разности потенциалов Uн при раз-
личных значениях силы тока I: от 3 до 9 мА, через 1мА при по-
стоянной силе тока Iэ= 0,4 А в цепи электромагнита. Результаты
занести в табл. 9.2.
8. При постоянном значении силы тока в цепи датчика Холла
I= 3 мА произвести измерения Uн , изменяя силу тока в цепи
электромагнита Iэ от 0,4 до 1,0 А через 0,1 А. Результаты занести
в табл. 9.3.
9. По окончании всех измерений выключить установку.
Iэ= 0,4 А
I, мА Uн, мВ Rн, м3/Кл
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
9,0
10,0
I= 3 мА
Iэ B, Тл Uн, мВ Rн, м3/Кл
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0

1. Вычислить значения постоянной Холла по формуле (9.3) по
результатам каждого измерения Uн и полученные значения Rн зане-
сти в табл. 9.2 и 9.3. Толщина пластинки d=(0,450 ± 0,005)·10-3 м.
Значения магнитной индукции взять из графика В =B(Iэ), построен-
ного по данным табл. 9.1.
53
2. Найти среднее значение <Rн> для всех измерений.
3. Вычислить погрешность измерений ΔRн по разбросу зна-
чений Rн:
n
∑ (Rнi − < Rн > )2
i =1
ΔRн = t α ,
n(n − 1)
где n – общее число измерений, tα – коэффициент Стьюден-

та, <Rн> – среднее значение Rн. Записать окончательный ре-
зультат с учетом погрешности.
4. Построить графики зависимости Uн=Uн(I) и Uн=Uн(B).
Сделать вывод о соответствии полученных результатов фор-
муле (9.1).
5. Определить концентрацию электронов п и их подвижность
b по формулам (9.5) и (9.6) соответственно. Удельная проводи-
мость σ = (20,0 ± 1,0) Ом-1·м-1.
6. Сравнить концентрацию электронов в полупроводнике с
концентрацией nм свободных электронов в меди, оценив nм по
формуле nм = δNA/μ, где плотность меди δ = 8,9·103 кг/м3, масса
моля μ = 63,6·10-3 кг/моль, число Авогадро NA = 6,02·1023 1/моль.
1. Какие силы действуют на электрический заряд в электри-

ческом и магнитном полях?
2. В чем состоит эффект Холла?
3. Рассказать о компенсационном методе измерения ЭДС.
Библиогр.: [2] гл. XVIII, §§ 18.1, 18.2; [6] гл. VI, § 43, гл. XI, § 79.
54
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВЗАИМНОЙ ИНДУКТИВНОСТИ

ДВУХ КОНТУРОВ
Цель работы – исследование зависимости взаимной индук-

тивности двух катушек от их взаимного расположения (задание
1); измерение взаимной индуктивности соленоида и одетой на
него катушки при вдвинутом внутрь соленоида ферритовом сер-
дечнике и без вето (задание 2).
Приборы и принадлежности: генератор переменного напря-
жения звуковой частоты (ЗГ), электронный осциллограф (ЭО),
две установки (1 и 2) с исследуемыми контурами.
При протекании тока по контуру в окружающем контур про-

странстве возникает магнитное поле. При этом с любым другим
контуром, который находится в этом поле, оказывается сцеплен-
ным магнитный поток ψ2 , величина которого пропорциональна
силе тока I1 в первом контуре: ψ2 =L21I1, где L21 — взаимная ин-
дуктивность контуров, численно равная магнитному потоку, сце-
пленному со вторым контуром, когда по первому контуру течет
ток I1 = 1А. Аналогично, при протекании во втором контуре тока
I2 возникает сцепленный с первым контуром магнитный поток
ψ1: ψ1= L12I2. При отсутствии ферромагнетиков коэффициенты L12
и L21 равны друг другу. Величина взаимной индуктивности кон-
туров зависит от формы, размеров, взаимного расположения кон-
туров, числа витков, магнитной проницаемости среды.
При изменении силы тока в первом контуре изменяется маг-
нитный поток через второй контур и во втором контуре возника-
ет ЭДС индукции: ε2= – dψ2/dt = –d(L21I1)dt. Явление возникно-
вения ЭДС индукции в одном из контуров при изменении силы
тока в другом называется взаимной индукцией. При отсутствии
ферромагнетиков взаимная индуктивность не зависит от силы
тока, поэтому ЭДС во втором контуре равна ε2= -L21 dI1/dt. Если
через первый контур пропускать переменный ток I1=I1acos2πνt, то
55
ε2=2πνL21I1a sin2πνt= ε2asin2πνt, где ε 2a=2πνL21I1a – амплитудное
значение ЭДС во втором контуре.
Таким образом, взаимную индуктивность можно определить
экспериментально, измерив амплитудные значения силы тока в
первом контуре и ЭДС индукции во втором контуре:
ε
L21 = 2 а . (10.1)
2πνI 1а
В ряде случаев можно теоретически получить формулу для
взаимной индуктивности двух контуров. Выведем формулу для
взаимной индуктивности длинного соленоида и надетой на соле-
ноид катушки. Магнитный поток ψ2, сцепленный с катушкой при
пропускании через соленоид тока I1, определяется по формуле
ψ2 = N2BS = N2μμ0(N1/l)I1S, где N2 – число витков катушки, B –
индукция магнитного поля внутри соленоида, S – площадь попе-
речного сечения соленоида (магнитное поле сосредоточено внут-
ри соленоида), N1 – число витков соленоида, l – длина соленоида,
μ0=4π·10-7 Гн/м – магнитная постоянная, μ – магнитная прони-
цаемость среды.
Отсюда взаимная индуктивность соленоида и катушки
ψ N N
L21 = 2 = μμ 0 1 2 S . (10.2)
I1 l
При отсутствии ферромагнетиков μ ≈ 1. Если внутрь соле-
ноида вставить ферромагнитный сердечник, то взаимная индук-
тивность соленоида и катушки увеличивается.
В радиотехнике для характеристики ферромагнитных сер-
дечников используется эффективная магнитная проницаемость
сердечника μэфф. Измерив взаимную индуктивность соленоида и
катушки с ферритовым сердечником и без него, можно опреде-
лить μэфф сердечника:
μэфф = L'21 / L21, (10.3)
где L'21 и L21 – соответственно взаимная индуктивность с сердеч-
ником и без него. Эффективная магнитная проницаемость сер-
дечника соленоида зависит не только от магнитных свойств фер-
рита, но от формы и размеров сердечника и расположения сер-
дечника относительно соленоида.
При наличии ферромагнетиков взаимная индуктивность кон-
туров зависит от силы тока, так как магнитная проницаемость
56
ферромагнетика зависит от напряженности магнитного поля. В
справочниках приводятся обычно значения начальной магнитной
проницаемости μнач , измеренной в очень слабом магнитном поле
(напряженность магнитного поля H < 0,1 А/м), и значения μмакс.
Принципиальная схема установки для измерения индуктив-

ности двух контуров представлена на рис. 10.1 через первый кон-
тур I пропускают переменный ток частотой ν от звукового гене-
ратора. При этом во втором контуре II индуцируется ЭДС индук-
ции. Измерив амплитудные значения силы тока в первом контуре
и ЭДС во втором контуре, можно определить взаимную индук-
тивность контуров по формуле (10.1).
Рис. 10.1
Силу тока I1 в первом контуре можно определить, если изме-

рить падение напряжения U1 на резисторе R1, сопротивление R
которого известно: I1= U1/ R. Напряжение U1 измеряется с помо-
щью электронного осциллографа с калиброванным усилителем
вертикального отклонения луча.
Отклонению луча на у делений соответствует поданное на
«вход Y» напряжение U=Ky, где K – коэффициент вертикального
отклонения луча, имеющий смысл цены деления вертикальной шка-
лы осциллографа (В/дел.).
ЭДС индукции во втором контуре измеряется с помощью того
же осциллографа; для этого «вход Y» ЭО отсоединяют от клемм «в»
и «б» и присоединяют к клеммам «г» и «д».
57
1. Измерить взаимную индуктивность двух катушек при раз-
личных углах α между осями катушек. Измерения выполнить для
двух значений силы тока I1. Построить график зависимости L21 от α.
2. Измерить взаимную индуктивность соленоида и надетой
на него катушки при отсутствии ферритового сердечника. Изме-
рения выполнить при трех значениях частоты. Полученные ре-
зультаты усреднить и сравнить со значением L21, вычисленным
по формуле (10.2).
3. Измерить взаимную индуктивность L21 соленоида и на-
'
детой на него катушки при вдвинутом внутрь соленоида ферри-

товом сердечнике. Определить по формуле (10.3) эффективную
магнитную проницаемость μэфф ферритового сердечника.
Задание 1. Используется установка 1, состоящая из двух ко-
ротких катушек, причем одна катушка может поворачиваться и
угол между осями катушек может изменяться от нуля до 90°.
1. Собрать схему в соответствии с рис. 10.1. Присоединить
«вход Y» Э0 к клеммам «в» и «б» установки.
2. Включить звуковой генератор в сеть ~220 В. Установить
частоту 1000 Гц. С помощью ручки «Регулировка выхода» уста-
новить выходное напряжение 10 В по шкале вольтметра, распо-
ложенного на панели ЗГ.
3. Включить осциллограф в сеть ~220 В. Добиться устойчи-
вого изображения синусоиды на экране (с помощью ручек «Уро-
вень» и «Стабильность»).
Рис. 10.2
4. С помощью переключателя «Вольт/дел.» подобрать чувстви-

тельность осциллографа так, чтобы удвоенная амплитуда колебаний
2А1 была равна четырем – шести делениям (см. рис. 10.2).
58
5. Измерить удвоенную амплитуду 2А1 колебаний на экране ос-
циллографа. Определить амплитудное значение силы тока в цепи пер-
вой катушки:
U К А
I 1а = 1а = 1 1 , (10.4)
R R
где К1 – цена одного деления вертикальной шкалы осциллографа,
В. Значение К1 задается с помощью переключателя «Вольт/дел.».
Значение R указано на установке. Результат измерения I1а занести
в табл. 10.1.
6. Установить оси катушек параллельно (α=0°). Присоединить
«вход Y» осциллографа к клеммам «г» и «д» (см. рис. 10.1). При
этом отклонение луча ЭО по вертикали пропорционально ЭДС ин-
дукции во второй катушке. С помощью переключателя «Вольт/дел.»
подобрать чувствительность осциллографа так, чтобы удвоенная
амплитуда колебаний 2А2 была равна четырем – шести делениям.
Измерить амплитудное значение ЭДС индукции во второй катушке:
ε 2 а = К 2 А2 , (10.5)
где К2 – цена одного деления вертикальной шкалы осциллографа, В/дел.
Результат измерения ε2а занести в левую часть табл. 10.1.
7. Выполнить измерения ε2а при разных углах α между осями
катушек. Угол α изменять через 10°, от 0 до 90°. Результаты измере-
ний занести в табл. 10.1.
Т а б л и ц а 10.1
ν = 1000 Гц, R=
2А1=… 2А1=…
К1=… К1=…
I1а =… I1а =…
U1а=… U1а=…
α0 2А2, К2, ε2а, L21, α° 2А2, К2, ε2а, L21,
дел. В/дел. В мГн дел. В/дел. В мГн
0 0
10 10
20 20
30 30
40 40
50 50
60 60
70 70
80 80
90 90
59
8. С помощью ручки «Регулировка выхода» уменьшить напря-
жение, подаваемое от звукового генератора в цепь первой катушки,
до 5 В (по шкале вольтметра, расположенного на панели ЗГ).
9. Повторить все измерения пп. 4 – 7 при другой силе тока в
первой катушке. Результаты занести в правую часть табл. 10.1.
10. Выключить ЗГ с помощью тумблера «Сеть» и отсоеди-
нить установку 1 от ЗГ и осциллографа.
Задание 2. Используется установка 2, состоящая из соленои-

да и короткой катушки, надетой на соленоид.
1. Собрать схему в соответствии с рис. 10.1 (теперь I – соле-
ноид, II – катушка).
2. Включить ЗГ. Установить частоту 500 Гц и выходное на-
пряжение ЗГ 10В (по шкале вольтметра на панели ЗГ).
3. С помощью переключателя «Вольт/дел.» подобрать чувстви-
тельность осциллографа так, чтобы удвоенная амплитуда колебаний на
экране была равна четырем – шести делениям ( 2А1 = 4 ÷ 6 дел.).
4. Измерить удвоенную амплитуду колебаний на экране осцил-
лографа и определить по формуле (10.4) амплитудное значение силы
тока I1а в соленоиде. Результаты измерений занести в табл. 10.2.
5. Присоединить «Вход Y» осциллографа к клеммам «г» и «д»
для измерения ЭДС индукции в катушке, надетой на соленоид.
Подобрать чувствительность осциллографа с помощью переключателя
«Вольт/дел.» и измерить удвоенную амплитуду 2А2, Определить по
формуле (10.5) амплитудное значение ЭДС индукции ε2а. Результаты
измерений занести в табл. 10.2.
6. Выполнить измерения амплитудного значения ЭДС индукции
при частотах 1000 и 1500 Гц. При этом следить, чтобы выходное
напряжение ЗГ было равно 10 В. Результаты занести в табл. 10.2.
Т а б л и ц а 10.2
R= ; U1а =
2А1 =…
Соленоид и К1=…
катушка I1а =…
ν, Гц 2А2, дел. К2, В/ дел. ε2а, В L21, мГн
500
Без феррита 1000
1500
С ферритом 500
60
7. Установить частоту 500 Гц. Вставить внутрь соленоида ферри-
товый стержень. Измерить ЭДС индукции ε2а. Результат занести в
табл. 10.2. При частоте 500 Гц сила тока в цепи соленоида практи-
чески одна и та же при вдвинутом ферритовом сердечнике и без него
(уменьшением силы тока в соленоиде из-за увеличения реактивного со-
противления L1ω можно пренебречь).
8. Вытащить ферритовый стержень из соленоида, выключить осцил-
лограф и звуковой генератор, отсоединить их от установки.
Задание 1.
1. Вычислить по формуле (10.1) взаимную индуктивность L12 двух
катушек при разных углах α между осями катушек. Результаты
занести в табл. 10.1.
2. Оценить относительную погрешность измерения взаимной ин-
дуктивности двух катушек:
2 2 2
ΔL21 ⎛ Δε ⎞ ⎛ ΔI ⎞ ⎛ Δν ⎞
= ⎜⎜ 2 а ⎟⎟ + ⎜⎜ 1a ⎟⎟ + ⎜ ⎟ .
L21 ⎝ ε 2а ⎠ ⎝ I 1a ⎠ ⎝ ν ⎠
Ошибка измерения напряжения осциллографом составляет
10%, а погрешность частоты ЗГ 2%.
3. На основе данных табл. 10.1 построить график зависимо-
сти L12 от угла α между осями катушек, нанести на этот график
значения L12, измеренные при различных значениях силы тока.
Убедиться, что взаимная индуктивность катушек не зависит от
силы тока в пределах точности измерений.
Задание 2.
1. Определить по формуле (10.1) взаимную индуктивность
соленоида и надетой на него катушки при отсутствии ферритово-
го сердечника (при трех значениях ν). Результаты занести в
табл. 10.1. Убедиться, что L12 не зависит от ν в пределах точности
измерений. Усреднить значения L12, полученные при различных
частотах ν.
2. Вычислить взаимную индуктивность соленоида и катушки
по теоретической формуле (10.2). Значения N1 и N2 указанны на
установке, длина соленоида l=125 мм, площадь поперечного се-
61
чения соленоида S= πd2/4, где d=28 мм. Сравнить полученное
значение с результатами эксперимента.
3. Определить по формуле (10.1) взаимную индуктивность
L12 соленоида и катушки при вдвинутом внутрь соленоида ферри-
товом сердечнике.
4. Определить по формуле (10.3) эффективную магнитную
проницаемость μэфф ферритового сердечника соленоида.
1. Рассказать о явлении электромагнитной индукции и сфор-
мулировать основной закон электромагнитной индукции.
2. Что называется магнитным потоком, сцепленным с конту-
ром (потокосцеплением)? В каких единицах измеряется магнит-
ный поток?
3. В чем заключается явление взаимной индукции? Чему рав-
на ЭДС взаимной индукции? Привести примеры использования
этого явления в технике.
4. Что называется взаимной индуктивностью? В каких еди-
ницах она измеряется и от каких параметров зависит? Когда вза-
имная индуктивность двух контуров зависит от величины силы
тока?
Библиогр.: [2] гл. XVI, § 16.2; гл. XIX, §§ 19.1, 19.5; [6] гл. VIII, §§ 60,61,66.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №11
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕТЛИ ГИСТЕРЕЗИСА

ФЕРРОМАГНЕТИКА
Цель работы – изучение явления магнитного гистерезиса и

определение магнитных характеристик ферромагнетика.
Приборы и принадлежности: тороид из исследуемого фер-
ромагнетика с двумя обмотками, генератор переменного напря-
жения, осциллограф, сопротивления, конденсатор.
Ферромагнитные материалы часто применяются в трансфор-
маторах, дросселях, машинах переменного тока; в радиоэлектро-
нике, где они подвергаются периодическому перемагничиванию.
62
Изучение магнитных характеристик ферромагнетиков в перемен-
ных полях представляет большой практический интерес. Харак-
терной особенностью ферромагнетиков является нелинейная за-
висимость между магнитной индукцией В и напряженностью на-
магничивающего поля H.
Рис. 11.1
Эта зависимость для предварительно размагниченного фер-

ромагнетика дана на рис. 11.1 кривой 0–1. Она называется основ-
ной или начальной кривой намагничивания. Если теперь начать
уменьшать напряженность H намагничивающего поля, то зави-
симость В от H будет представлена кривой 1–2. Происходит от-
ставание изменения индукции от изменения напряженности поля.
Это явление называется магнитным гистерезисом.
При H = 0 намагничивание не исчезает и характеризуется ве-
личиной остаточной магнитной индукции Вr. Для размагничива-
ния ферромагнетика нужно создать магнитное поле противопо-
ложного направления. При увеличении напряженности этого по-
ля от нуля изменение индукции изобразится кривой 2–3. Напря-
женность поля HC, при которой индукция магнитного поля стано-
вится равной нулю, называется коэрцитивной (задерживающей)
силой. При дальнейшем изменении напряженности поля в обрат-
ном направлении индукция будет изменяться в соответствии с
кривой 3–4. В переменном по величине и направлений магнитном
поле магнитная индукция изменяется в соответствии с кривой 1–
2–3–4–5–1, которая называется петлей гистерезиса. Если ампли-
тудное значение напряженности переменного намагничивающего
63
поля равно или превышает напряженность поля, намагничиваю-
щего ферромагнетик до насыщения (Hmax ≥ HS), то петля гистере-
зиса называется максимальной
Магнитная индукция (предельной). Напряженность поля
Hs соответствует магнитная индукция Bs. При Hmax ≤ HS насыще-
ние не достигается, получаются частные петли гистерезиса, ле-
жащие внутри максимальной петли. В связи с неоднозначной за-
висимостью В от H понятие магнитной проницаемости μ можно
применять лишь к основной кривой намагничивания. Относи-
тельная магнитная проницаемость является функцией напряжен-
ности поля.
Ферромагнетизм обусловлен спиновыми магнитными момен-
тами электронов. В атомах ферромагнетика спины определенной
группы электронов (3d-электронов в металлах группы железа и
4f-электронов в редкоземельных металлах) не скомпенсированы.
Благодаря этому спиновые магнитные моменты атомов достига-
ют значительной величины. В отсутствие внешнего поля ферро-
магнетик состоит из большого числа малых (но макроскопиче-
ских) областей спонтанного намагничивания – доменов. В преде-
лах каждого домена магнитные моменты атомов строго ориенти-
рованы. При отсутствии внешнего магнитного поля полный маг-
нитный поток ферромагнетика равен нулю. В достаточно силь-
ных магнитных полях магнитные моменты всех доменов уста-
навливаются по полю. В этом состоянии ферромагнетик намаг-
ничен до насыщения. При перемагничивании ферромагнетика
происходит изменение его доменной структуры. Необходимая
для этого работа, совершается за счет энергии внешнего магнит-
ного поля. Образец при перемагничивании нагревается и тем
сильнее, чем больше площадь петли гистерезиса (потери энергии
на гистерезис).
Элементарная работа, необходимая для перемагничива-
ния единицы объема образца dAед..об = dωед.об = HdB, площади
заштрихованной полоски на рис. 11.1. тогда полная энергия,
теряемая за один цикл перемагничивания образца и рассчитанная
на единицу его объема, численно равна площади петли гистере-
зиса:
ωед.об= ∫ HdB . (11.1)
64
Петлю гистерезиса можно получить на экране электронного

осциллографа (ЭО) с помощью установки, схема которой пред-
ставлена на рис. 11.2.
Рис. 11.2
На панели П укреплены исследуемый образец Т с двумя об-

мотками, сопротивления и конденсатор. Г – генератор перемен-
ного напряжения синусоидальной формы. Чтобы получить на
экране ЭО петлю гистерезиса, нужно на его «Вход X» подать
сигнал, пропорциональный напряженности H намагничивающего
поля, а на «Вход Y» – сигнал, пропорциональный магнитной ин-
дукции В в образце.
Исследуемый образец выполнен в виде тороида, на поверхно-
сти которого намотаны две обмотки 1 и 2 с числом витков N1 и N2
соответственно. Обмотка 1 через потенциометр R1 с сопротивле-
нием R1 соединена с выходом генератора Г. Средняя напряженность
намагничивающего поля в тороиде
N
H = 1 I1 . (11.2)
l
Здесь l = 2π(r1+r2)/2 = π( r1+r2) – длина средней линии торои-
да, r1 и r2 – внутренний и внешний радиусы тороида; I1 – сила
тока в первичной обмотке 1.
На «Вход X» ЭО подается напряжение U1, величина которого
регулируется с помощью потенциометра R1 (см. рис. 11.2). На-
65
' '
пряжение U1 пропорционально силе тока I1: U1=I1 R1 , где R1 –
сопротивление части потенциометра, напряжение с которой по-
дается на «Вход Х» ЭО. Выразив I1 из формулы (11.2), получим
lR '
U1 = 1 H . (11.3)
N1
Так как в обмотке 1 тороида протекает переменный ток, то на-
пряженность намагничивающего поля будет изменяться в некотором
интервале значений. При этом во вторичной обмотке 2 будет воз-
буждаться ЭДС индукции
dФ dB
ε2 = − N 2 = −N 2S ,
dt dt
где Ф – поток вектора магнитной индукции через сечение тороида S.
Ввиду того, что напряжение на вторичной обмотке пропорциональ-
но не В, a dB/dt, между вторичной обмоткой и «Входом Y» осцилло-
графа включают дополнительное интегрирующее звено, состоящее из
резистора R2 с большим сопротивлением где I2 – сила тока во вто-
ричной обмотке R2 и конденсатора с большой емкостью С. Пренеб-
регая падением напряжения на вторичной обмотке, получим
ε2=I2R2+U2, где I2 – сила тока во вторичной обмотке, U2 – напряже-
ние на конденсаторе С. Если I2R2 >> U2, то
ε N S dB
I2 ≅ 2 = 2 . (11.4)
R2 R2 dt
Мгновенное значение падения напряжения на конденсаторе с
учетом (11.4) равно:
q 1 N S dB N S
U 2 = = ∫ I 2 dt = 2 ∫ dt = 2 B ,
C C R2 C dt R2 C
R2 C
откуда B= U2. (11.5)
N2S
Из формул (11.3) и (11.5) видно, что напряжение U1 пропор-
ционально напряженности намагничивающего поля Н; а напря-
жение U2 пропорционально индукции В магнитного поля в об-
разце. Если напряжение U1 подать на горизонтально отклоняю-
щие пластины («Вход X») ЭО, а напряжение U2 на вертикально
отклоняющие пластины («Вход Y»), то электронный луч в на-
правлении оси X будет отклоняться пропорционально Н, а в на-
правлении оси Y – пропорционально В:
66
Н = Ах Х, (11.6)
В = Аy Y, (11.7)
где Ах и Ау – коэффициенты пропорциональности. За полный
цикл изменения Н луч опишет замкнутую петлю гистерезиса.
Для определения величины напряженности Н намагничивающего
поля следует измерить силу тока I1 в первичной обмотке. Вольт-
метр на панели звукового генератора измеряет эффективное значение
выходного напряжения: U= Uа/ 2 . Поэтому
2U
I 1a = , (11.8)
R1
где I1а – амплитудное значение силы тока в первичной обмотке,
R1 – сопротивление резистора R1. (Сопротивлением первичной
обмотки можно пренебречь по сравнению с R1). Из формул (11.2) и
(11.8) получаем рабочую формулу для определения амплитудного зна-
чения напряженности намагничивающего поля:
N 2 N1
Н max = 1 I 1a = U. (11.9)
l π (r1 + r2 )R1
Индукция магнитного поля В определяется по формуле
(11.5). Напряжение U2, входящее в эту формулу, измеряется с
помощью ЭО с калиброванным усилителем вертикального от-
клонения луча: U2 =К·Y, где К – коэффициент вертикального от-
клонения, имеющий смысл цены деления вертикальной шкалы
осциллографа («Вольт/дел.»); Y – отклонение луча по вертикали,
выраженное в больших делениях шкалы.
1. Определить по предельной петле гистерезиса коэрцитив-

ную силу НC, остаточную индукцию Вr, индукцию насыщения BS
и напряженность поля НS, намагничивающего ферромагнетик до
насыщения.
2. Получить основную кривую намагничивания и рассчитать
на ее основе значения магнитной проницаемости μ при различ-
ных значениях напряженности магнитного поля H. Построить
графики зависимостей В = В(Н) и μ = μ(Н).
3. Определить потери энергии на гистерезис.
67
1. Проверить подключение генератора Г к первичной обмот-

ке образца (см. рис. 11.2). Присоединить «Вход X» и и «Вход Y»
ЭО к соответствующим клеммам установки.
2. Включить генератор Г и ЭО. Выждать две – три минуты
для прогрева приборов.
Задание 1. Определение магнитных характеристик фер-
ромагнетика по предельной петле гистерезиса.
1. Установить выходное напряжение U = 8 – 10 В (по шкале
вольтметра на панели Г). Установить частоту 1000 Гц. После по-
явления на экране ЭО петли гистерезиса добиться, чтобы она
имела участок насыщения. Петля должна быть расположена сим-
метрично относительно центра экрана и занимать его большую
часть. Размер петли по вертикали изменяется с помощью пере-
ключателя «Вольт/дел.», размер по горизонтали регулируется с
помощью потенциометра R1 в цепи первичной обмотки. При вы-
полнении задания 1 положения регулятора потенциометра R1 и
переключателя «Вольт/дел.» должны оставаться неизменными.
2. Занести в табл. 11.1 значение U, измеренное вольтметром,
установленным на панели Г.
3. Вычислить по формуле (11.9) значение Нmax и занести ре-
зультат в табл. 11.1.
Т а б л и ц а 11.1
N1 = ; N2 = ; R1 = ; R2 = ; C = ; r1 = ; r2 = ;h=
U, В Нmax, А/м ее', дел. dd', дел. cc', дел. НS, А/м НС, А/м
4. Измерить по горизонтальной шкале экрана ЭО длины от-

резков ее', dd', сс' (рис. 11.3) и занести результаты в табл. 11.1.
(Длины отрезков выразить в больших делениях шкалы с точно-
стью до десятых долей деления.) Из формулы (11.6) и рис. 11.3
следует, что
dd' cc'
Н S = H max , Н C = H max .
ee' ee'
Вычислить значения НS и НC и занести их в табл. 11.1.
68
Рис. 11.3
5. Для определения Вr и BS измерить по вертикальной шкале

экрана ЭО длины отрезков аа' и bb' (рис. 11.3). Выразить их в
больших делениях шкалы с учетом десятых долей деления. В
табл. 11.2 занести также значение коэффициента вертикального
отклонения К, который задается с помощью переключателя
«Вольт/дел.». занести в табл. 11.2
6. Вычислить остаточную магнитную индукцию Вr, исполь-
зуя формулу (11.5):
R C
Br = 2 U 2 r .
N2S
Здесь S= (r2 - r1)h – площадь поперечного сечения образца,
aa'
U 2 r = KYr = K .
2
Значение Вr занести в табл. 11.2.
Т а б л и ц а 11.2
К, В/дел. aа', дел. U2r, В Вr, Тл bb', дел. ВS, Тл
7. Вычислить индукцию насыщения BS. Из формулы (11.7) и

bb'
рис. 11.3 следует, что ВS = Вr .
aa'
69
Задание 2. Снятие основной кривой намагничивания.
1. Размагнитить образец, уменьшив до нуля выходное на-
пряжение генератора U; при этом петля гистерезиса на экране
стянется в точку.
2. Установить U = l В (по шкале вольтметра на панели Г) и
измерить по вертикальной шкале экрана ЭО Длину отрезка уу'
(см. рис. 11.3), т.е. вертикальный размер частной петли гистере-
зиса. При этом удобно сдвинуть петлю таким образом, чтобы
нижняя ее вершина лежала на одной из горизонтальных линий
сетки, а верхняя – на вертикальной шкале экрана ЭО. Длину от-
резка уу' выразить в больших делениях вертикальной шкалы с
учетом десятых долей деления. В табл. 11.3 записать значение U
(для вычисления напряженности Н намагничивающего поля), а
также значение коэффициента вертикального отклонения К и
длину отрезка уу' (для вычисления индукции магнитного поля В).
Т а б л и ц а 11.3
Определение Н Определение В
U, В Н, А/м К, В/дел. уу', дел. В, Тл
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
9,0
10,0
3. Увеличивать выходное напряжение генератора от 1 до 10 В

через 1 В, выполняя каждый раз измерения уу'. При этом, если
длина отрезка уу' станет больше размера шкалы ЭО, то следует
изменить коэффициент вертикального отклонения К с помощью
переключателя «Вольт/дел.»
4. Выключить генератор и осциллограф.
70
Задание 3. Определение потерь энергии при перемагничи-
вании ферромагнетика.
Выполняется на основе измерений задания 1. Следует занести в
протокол значение ν частоты генератора.
Задание 1.
1. Вычислить погрешности измерения Нmax, НС, HS, Br, BS как
погрешности косвенных измерений. Например, относительная
погрешность измерения Вr вычисляется по формуле:
2 2 2 2
ΔВr ⎛ ΔR ⎞ Δr 2 + Δr22 ⎛ Δh ⎞ ⎛ ΔC ⎞ ⎛ ΔU 2 r ⎞
= ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + 1 +⎜ ⎟ +⎜ ⎟ +⎜ ⎟⎟ .
Br ⎝ R2 ⎠ (r2 − r1 )2 ⎝ h ⎠ ⎝ C ⎠ ⎜⎝ U 2 r ⎠
Относительная погрешность измерения U, связанная с клас-
сом точности осциллографа, составляет 10%. Погрешности изме-
рения остальных величин указаны на установке.
2. Сравнить полученные значения магнитных характеристик
с табличными данными и определить, к какому классу материа-
лов относится исследуемый ферромагнетик. Магнитно-жесткие
материалы: НС =4·103 ÷ 3·105 А/м, Вr = 0,4 ÷ 1,3 Тл; магнитно-
мягкие материалы: HС = 0,4 ÷ 110 А/м, BS = 0,04 ÷ 0,8 Тл.
Задание 2.
1. Вычислить амплитудные значения напряженности Н на-
магничивающего поля для частных петель гистерезиса по форму-
ле (11.9) и результаты занести в табл. 11.3.
2. Вычислить значения индукции магнитного поля В для
вершин частных петель, гистерезиса, используя формулу (11.5):
R C R2 C уу'
В = 2 U2 = К .
N2S ( )
N 2 r2 − r1 h 2
Результаты занести в табл. 11.3.
3. Построить график зависимости В=В(Н) – основную кри-
вую намагничивания, экстраполируя ее до начала координат
(см. кривую 0–1 на рис. 11.1).
4. По графику зависимости В=В(Н) найти значения В, соот-
ветствующие шести – семи значениям Н с интервалом
71
20 – 30 А/м. Эти значения Н и В занести в табл. 11.4. Вычислить
магнитную проницаемость μ: μ = В/(μ0Н), где μ0= 4π·10-7 Гн/м –
магнитная постоянная.
Т а б л и ц а 11.4
Н, А/м
В, Тл
μ
5. Построить график зависимости μ=μ(Н). Сделать вывод о

зависимости магнитной проницаемости μ ферромагнетика от на-
пряженности намагничивающего поля.
Задание 3.
Энергия ωед.об, теряемая в единице объема ферромагнитного
образца за один цикл перемагничивания, определяется уравнени-
ем (11.1). Если частота генератора ν, то энергия, теряемая за одну
секунду в единице объема, Q = v ⋅ ωед.об = v ∫ НdB .
Подставляя Н=АхХ (11.6) и В=АуY (11.7), получим
Q = νAx A y ∫ XdY = νAx A y σ , (11.10)
где σ = ∫ XdY – площадь петли гистерезиса. Она может быть опре-
делена графически как число клеток шкалы экрана ЭО, ограничен-
ных петлей. Для определения Q произвести следующие действия.
1. По результатам измерений, выполненных в задании 1, про-
вести предельную петлю гистерезиса, для чего на листе милли-
метровой бумаги построить координатную сетку, аналогичную
шкале ЭО с одинаковым размером делений по горизонтали и
вертикали (по горизонтали – 10 делений, по вертикали – 6). От
начала координат отложить отрезки ос = ос' = сс' /2 и отрезки
оа = оа' = аа'/2, отметив точки петли с, с' и а, а' (см. рис. 11.3).
По координатам Х = ± dd'/2 и Y = ±bb'/2 найти положение вер-
шин предельной петли гистерезиса. Через отмеченные точки про-
вести петлю гистерезиса.
2. Подсчитать число клеток σ координатной сетки, ограни-
ченной петлей.
3. Вычислить значения коэффициентов Ах и Ау, используя
данные табл. 11.1 и 11.2:
72
Н max B
Ах = 2 , Аy = r 2 .
ee' aa'
4. Зная частоту ν генератора, Ах, Ау и σ, вычислить по форму-
ле (11.10) энергию Q, теряемую в 1 м3 ферромагнетика за одну
секунду.
1. Рассказать о ферромагнетиках, основной кривой намаг-
ничивания, явлении гистерезиса, а также о природе ферромагне-
тизма.
2. Чем вызваны потери энергии на гистерезис и в чем за-
ключается физический смысл площади петли гистерезиса? Рас-
сказать о магнитных материалах и их характеристиках.
3. Объяснить температурную зависимость магнитных
свойств ферромагнетика и дать определение точки Кюри.
4. Какова зависимость между векторами В и Н?
Библиогр.: [2] гл. ХХ, §§ 20.6, 20.7; [4] гл. ХI, §§ 122-124, 131, [6] гл. VII, §59.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №12
ГРАДУИРОВКА ШКАЛЫ ЧАСТОТ ГЕНЕРАТОРА

ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Цель работы – градуировка шкалы частот генератора пере-
менного напряжения методом биений и методом фигур Лиссажу.
Приборы и принадлежности: два генератора переменного
напряжения звуковой частоты, электронный осциллограф, панель
для присоединения генераторов и осциллографа.
Биениями называются периодические изменения амплитуды
колебания, возникающие при сложении двух гармонических ко-
лебаний одного направления с близкими частотами. Пусть ам-
плитуды колебаний а1=а2=а, частоты ω и ω + Δω (Δω << ω). Из
уравнений колебаний
y1=аcosωt и y2=аcos(ω+Δω)t (12.1)
73
видно, что разность фаз складываемых колебаний все время изменя-
ется так, что колебания оказываются в какой-то момент времени син-
фазными, через некоторое время – в противофазе и т.д. В зависи-
мости от разности фаз амплитуда А результирующего колеба-
ния периодически достигает то наибольшего значения:
A= a1 + a2=2a, то наименьшего: А=а1 – а2 = 0 (рис. 12.1).
Это и есть биения. Уравнение биений можно получить, сложив
уравнения (12.1):
⎛ Δω ⎞ ⎛ Δω ⎞
у = а[cos ωt + cos(ω + Δω)t ] = ⎜ 2a cos t ⎟ cos⎜ ω + ⎟t .
⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠
Рис. 12.1
Во втором множителе можно пренебречь членом Δω/2 по

сравнению с ω, так как Δω << ω, и рассматривать полученное
уравнение как уравнение гармонического колебания с частотой
ω и переменной, медленно изменяющейся амплитудой. Амплиту-
да биений определяется модулем первого множителя:
Δω 2 π Δν
А = 2а cos t = 2a cos t.
2 2
Частота изменений амплитуды называется частотой биений
νб = Δν = |ν2 – ν1|. (12.2)
Период изменения амплитуды называется периодом биений:
Тб = 1/νб. Метод биений широко применяется на практике для
сравнения измеряемой и эталонной частот.
Фигурами Лиссажу называются замкнутые траектории, про-
черчиваемые точкой, совершающей одновременно два гармони-
ческих колебания в двух взаимно перпендикулярных направле-
74
ниях. Вид фигур Лиссажу зависит от соотношения между часто-
тами, фазами и амплитудами обоих колебаний. Пусть уравнение
взаимно перпендикулярных колебаний вдоль х и у имеют вид
х = ахcos(ωt+ϕ1), у = ауcos(ωt+ϕ2).
Частоты этих колебаний равны: ωх=ωу=ω=2πν, а начальные
фазы ϕ1 и ϕ2 различны.
Исключив из уравнений взаимно перпендикулярных колеба-
ний время t, получим уравнение траектории движения точки,
участвующей в обоих колебаниях:
х2 у2 2 ху
2
+ 2 − cos Δϕ = sin 2 Δϕ , (12.3)
ах а у а а
х у
где Δϕ = ϕ2 – ϕ1 – разность фаз колебаний.

Полученное уравнение есть уравнение эллипса, оси которого
ориентированы произвольно относительно координатных осей
х и у. Этот эллипс вписывается в прямоугольник со сторонами
2ах и 2ау. Исследуем форму траектории в некоторых частных
случаях, в зависимости от разности начальных фаз Δϕ.
1. Разность фаз Δϕ = ϕ2 – ϕ1 = 2πn, где n = 0, ±1, ±2 .... В этом
случае уравнение (12.3) приводится к виду х/ах – у/ау=0, откуда
получается уравнение прямой у = (ау/ах)х, проходящей через на-
чало координат и расположенной в первом и третьем квадрантах
(рис. 12.2).
ωх : ωу= 1 : 1
Рис. 12.2
75
2. Разность фаз Δϕ = (2n+1)π, где n = 0, ±1, ±2, ±3 ... .
В этом случае уравнение (12.3) приводится к виду х/ах+ у/ау =0,
откуда следует, что результирующее движение точки представляет
собой колебание вдоль прямой у= – (ау/ах)х, проходящей через
начало координат и расположенной во втором и четвертом квад-
рантах.
3. Разность фаз Δϕ=(2n+1)π/2, где n = 0, ±1, ±2 .... Уравнение
(12.3) может быть представлено в виде х 2 /а х2 + у 2 /а 2у = 1 . Это
уравнение эллипса, приведенного к осям координат (рис. 12.2),
причем полуоси эллипса равны соответствующим амплиту-
дам колебаний. При равенстве амплитуд ax=ay=R эллипс выро-
ждается в окружность радиуса R и уравнение принимает вид
х2+ y2 = R2.
Если частоты взаимно перпендикулярных колебаний точно
не совпадают, а отличаются на малую величину Δω, то уравнения
колебаний можно записать так:
х = ахcos(ωt+ϕ1), у = ауcos[ωt+(Δωt+ϕ2)].
Выражение (Δωt+ϕ2) – ϕ1 можно рассматривать как разность
фаз этих колебаний, медленно изменяющуюся со временем.
Вследствие изменения разности фаз эллипс будет непрерывно
деформироваться, что мы и наблюдаем при выполнении работы.
При различных частотах колебаний вдоль осей х и у (ωх ≠ ωу)
траектории результирующего движения имеют вид довольно
сложных кривых. При существенно различных частотах замкну-
тые кривые не наблюдаются, однако, если частоты колебаний
соотносятся как небольшие целые числа m и n: ωх/ωу=νх/νу=m/n,
то движущаяся точка периодически возвращается в исходное по-
ложение. При заданном отношении частот взаимно перпендику-
лярных колебаний форма фигуры Лиссажу
Фигуры Тх/Ту = νх/νу Лиссажу характеризуются следующими
свойствами. Они вписываются в прямоугольник со сторонами 2ах
и 2ау. Отношение числа касаний фигурой Лиссажу сторон прямо-
угольника, в который она вписывается, равно отношению перио-
дов колебаний или обратно отношению частот: Nх/Ny Тх/Ту=νх/νу.
При заданном отношении частот взаимно перпендикулярных ко-
лебаний форма фигуры Лиссажу зависит от разности их фаз (см.
рис. 12.2). Фигуры Лиссажу можно наблюдать на экране элек-
76
тронного осциллографа. Метод фигур Лиссажу удобен при ис-
следовании соотношений между частотами и фазами колебаний.
Установка состоит из двух генераторов переменного напря-

жения (эталонного ГЭ, градуируемого Гх) и электронного осцил-
лографа ЭО.
Метод биений. Схема установки представлена на рис. 12.3.
Напряжение с «выхода» обоих генераторов ГЭ и Гх подается на
«Вход Y» ЭО через сопротивления R (земляные провода генера-
торов и осциллографа соединены вместе).
Генератор ГЭ может отключаться от «входа Y» ЭО тумблером
К. Картина биений (рис. 12.1) наблюдается на экране ЭО. Гори-
зонтальная шкала ЭО позволяет измерять периоды колебатель-
ных процессов. Она проградуирована так, что электронный луч
проходит одно большое деление за определенное время t0 (значе-
ние t0 задается с помощью переключателя «Время/дел.»), а всю
шкалу – за время t´= 10 t0, где 10 – число делений горизонтальной
шкалы ЭО.
Рис. 12.3
Из формулы (12.2) следует, что если приближать частоту ν

генератора Гх к частоте νЭ эталонного генератора ГЭ, то частота
биений νб = |ν – νЭ| будет уменьшаться, а период биений – расти.
Получив на экране ЭО только одно биение (Тб > t´) с периодом,
много большим периода колебаний генератора (Т=l/ν), можно
считать, что частота градуируемого генератора Гх совпадает с
частотой эталонного ГЭ: ν =νЭ. Пусть ν = 104 Гц, t0 = 2 мс, тогда
t´= 10·2 = 20 мс. Если период биений Тб > t´, то νб = Δν < 50Гц и
77
относительная погрешность определения частоты методом бие-
ний Δν/ν <0,5%.
Метод фигур Лиссажу. Для градуировки шкалы частот ге-
нератора Гх по фигурам Лиссажу на одну пару отклоняющих пла-
стин ЭО («Вход Y») подается переменное напряжение от градуи-
руемого генератора Гх, а другую («Вход X») – от эталонного ге-
нератора ГЭ. Схема установки представлена на рис. 12.4.
Рис. 12.4
В этом случае электронный луч, участвуя в двух взаимно

перпендикулярных колебаниях, описывает на экране осцилло-
графа фигуры Лиссажу. Если установить частоту νЭ генератора
ГЭ и изменять частоту ν генератора Гх, то можно добиться появ-
ления на экране ЭО фигур в форме эллипса (окружности) или
прямой. При этом ν = νЭ и генератор Гх может быть проградуиро-
ван в диапазоне частот генератора ГЭ. Наблюдая фигуры Лиссажу
при отношении частот ν/νЭ =1/2, 2/1, 2/3, 1/3 и т.д., можно рас-
ширить диапазон градуируемых частот.

и обработка результатов измерений
1. Собрать схему рис. 12.3.

2. Включить генератор Гх и осциллограф ЭО в сеть и вы-
ждать несколько минут.
3. Установить по шкале вольтметра на панели генератора Гх
напряжение 3–4 В. Установить множитель частоты «×100». На-
блюдая гармонические колебания на экране ЭО, добиться, что-
бы их двойная амплитуда не превышала шести делений по вер-
тикали (это можно сделать с помощью ручки «Per. выхода» ге-
нератора Гх и переключателя «Вольт/дел.» на панели ЭО).
78
4. С помощью ручек «Стабильность» и «Уровень» добиться
устойчивой картины гармонических колебаний на экране ЭО.
Определить частоту ν1 по горизонтальной шкале ЭО. Для этого
определить время t, за которое происходит N полных колебаний.
Время t следует измерить в больших делениях горизонтальной
шкалы ЭО с точностью до десятых долей деления и умножить
;на цену деления шкалы t0. (Значение t0 указывается. переключа-
телем ЭО «Время/дел.».) Измеряемые период гармонических
колебаний и частота равны Т = t/N, ν = 1/Т. Результаты измере-
ний занести в табл.12.1.
5. Произвести измерения п. 5 для частот ν2, ν3, ν4, ν5, повора-
чивая каждый раз лимб. Результаты занести в табл.12.1.
6. Включить генератор ГЭ в сеть и выждать несколько минут.
Установить по шкале вольтметра на панели генератора напряже-
ние UЭ = Uх. Проверить положение множителя частоты «×100».
7. Определить значения частот ν1, ν2, ν3, ν4, ν5 методом бие-
ний. Для этого:
а) установить переключатель ЭО «Время/дел.» в положение
«2 мс/дел»;
б) установить лимб генератора Гх в положение, соответст-
вующее частоте ν1;
в) изменять плавно частоту генератора ГЭ и наблюдать на эк-
ране картину биений. При приближении частоты νЭ генератора ГЭ
к частоте ν генератора Гх число биений на экране ЭО будет
уменьшаться, а их период Тб – расти. Добившись значения
периода биений Тб > 10 t0, записать значение частоты ν=νЭ
в табл. 12.1;
г) аналогично измерить частоты ν2 – ν5 .
Т а б л и ц а 12.1
Метод Метод фи-
Определение по шкале ЭО
ν биений гур Лиссажу
t0, N t
T,мс ν, кГц ν, кГц ν, кГц
мс/дел. дел. мс
ν1
ν2
ν3
ν4
ν5
79
8. Для Определения значений частот по методу фигур
Лиссажу собрать схему рис. 12.4. Отсоединить генератор ГЭ от
«Входа Y» и присоединить его к «Входу X» ЭО.
9. Установить лимб генератора Гх в положение, соответст-
вующее частоте ν1 (затем ν2…ν5). Плавно вращая ручку установ-
ки частоты генератора ГЭ, добиться появления на экране ЭО фи-
гур в форме эллипса (окружности) или прямой. Проследить, что-
бы форма траектории изменялась очень медленно, что будет со-
ответствовать равенству частот обоих генераторов: ν=νЭ. Значе-
ния измеренных частот занести в табл. 12.1.
10. Выполнить методом фигур Лиссажу градуировку шкалы
частот генератора Гх.
11. Получить фигуры Лиссажу при отношениях частот
ν/νЭ = m/n = 1/2, 3/1, 2/3.
12. Сравнить значения частот, измеренных различными ме-
тодами (см. табл. 12.1) и сделать вывод о совпадении результатов
в пределах точности измерений. Учесть, что при определении
частот по шкале ЭО относительная погрешность, связанная с
классом точности осциллографа, Δν/ν = 10%.
1. Как возникают и где применяются биения? Написать

уравнение биений. Как изменяется период биений при изменении
разности частот обоих колебаний?
2. Как возникают фигуры Лиссажу и где они применяются?
3. Написать уравнение траектории движения точки при сло-
жении двух взаимно перпендикулярных колебаний с равными
частотами проанализировать его для частных случаев.
4. Кратко описать принцип действия электронного осцилло-
графа.
Библиогр.: [1] гл. VII, §§ 8.3, 8.4; [5] гл. VII, §§ 56, 57.
80
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОБОДНЫХ КОЛЕБАНИЙ

В КОЛЕБАТЕЛЬНОМ КОНТУРЕ
Цель работы — исследование затухающих электромагнит-

ных колебаний и определение характеристик затухания.
Приборы и принадлежности: колебательный контур и уста-
новка для возбуждения свободных колебаний в контуре, элек-
тронный осциллограф.
Колебательный контур состоит из последовательно соеди-

ненных конденсатора с емкостью С и катушки индуктивностью L
и омическим сопротивлением R (13.1).
Рис. 13.1
При свободных электромагнитных колебаниях в контуре

полная энергия колебаний складывается из энергии электриче-
ского поля конденсатора и энергии магнитного поля катушки ин-
дуктивности. По закону сохранения энергии, убыль энергии элек-
тромагнитного поля за некоторый промежуток времени dt равна
приращению за это же время количества выделившегося тепла,
если можно пренебречь потерями на излучение:
⎛ CU 2 LI 2 ⎞
− d ⎜⎜ + ⎟ = I 2 Rdt ,
⎟
(13.1)
⎝ 2 2 ⎠
где U – мгновенное значение падения напряжения на конденса-
торе; I=dq/dt=C(dU/dt) – мгновенное значение силы тока.
Из выражения (13.1) можно получить дифференциальное
уравнение затухающих колебаний:
81
d 2U R dU 1
2
+ + U =0. (13.2)
dt L dt LC
обозначим R/L ≡ 2β и 1/LC ≡ ω02, где β =R/2L – коэффициент
затухания; ω0 – собственная частота колебаний колебательного
контура, равная частоте свободных незатухающих колебаний при
R≈0. Тогда уравнение (13.2) приводится к виду
d 2U dU
2
+ 2β + ω02U = 0 .
dt dt
Если β < ω0, т.е. затухание мало, то решение этого уравнения
представляет затухающий колебательный процесс:
U = U a 0 e −βt cos(ωt − ϕ ) , (13.3)
1 R2
где ω = ω02 − β 2 = − 2 .
LC 4 L
2 2
Если β << ω0 , то в расчетах можно считать, что
ω ≅ ω0= 1/ LC .
График затухающих колебаний представлен на рис. 13.2. За-
тухающий колебательный процесс не является периодическим,
периодически повторяются лишь нулевые значения падения на-
пряжения на конденсаторе.
Рис. 13.2
Наименьший промежуток времени между двумя моментами,

когда колеблющаяся физическая величина проходит через нуле-
вое значение в одном направлении, называется периодом зату-
хающих колебаний: Т = 2π/ω. В соответствии с видом функции
(13.3), затухающее колебание можно рассматривать как гармони-
ческое колебание с частотой ω и амплитудой, убывающей по экс-
82
поненциальному закону: U a = U a 0 e −βt , где Ua0 – амплитуда ко-
лебаний в начальный момент времени. Пунктирная кривая на
рис. 13.2 дает график зависимости амплитуды колебаний Ua от
времени. Затухание колебаний описывают с помощью логариф-
мического декремента затухания, который характеризует умень-
шение амплитуды за период:
U a (t )
Λ = ln = βT .
U a (t + T )
Логарифмический декремент затухания является характери-
стикой контура, так как зависит от параметров контура L, С, R:
πR
Λ= .
L / C − R2 / 4
Колебательный контур часто характеризуют его добротно-
стью Q, которая обратно пропорциональна логарифмическому
декременту затухания:
π
Q= . (13.4)
Λ
Энергия колебаний уменьшается с течением времени, так как
на сопротивлении R выделяется джоулево тепло. В моменты вре-
мени, когда
dq dU
I= =C ,
dt dt
напряжение на конденсаторе достигает максимального (ампли-
тудного) значения Uа и полная энергия колебаний равна энергии
заряженного конденсатора: W=CUa2/2. Следовательно, полная
энергия колебаний убывает по экспоненциальному закону:
W (t ) = W0 e −βt , (13.5)
где W0 — энергия колебаний в начальный момент времени. Отно-
сительное уменьшение энергии за период равно:
ΔW W (t ) − W (t + T )
= = 1 − e − 2β T = 1 − e − 2 Λ . (13.6)
W W (t )
Если 2Λ<<1, то е-2Λ ≅ 1 – 2Λ и ΔW/W ≅ 2Λ = 2π/Q.
Таким образом, при слабом затухании добротность контура с
точностью до множителя 2π равна отношению энергии, запасен-
ной в контуре, к убыли этой энергии за период: Q = 2πW/ΔW.
83
Колебательный контур (рис. 13.3) состоит из последователь-
но соединенных катушки индуктивности L и двух раздельно под-
ключаемых конденсаторов C1, С2. Активным сопротивлением R
контура является сопротивление проволоки катушки индуктив-
ности. Остальные элементы цепи обеспечивают нормальный ре-
жим работы.
Рис. 13.3
Конденсаторы C1, C2 могут поочередно присоединяться к

контуру с помощью переключателя П. Напряжение с конденсато-
ра подается на «Вход Y» электронного осциллографа (ЭО). От-
клонение луча ЭО по вертикали пропорционально поданному на
«Вход Y» напряжению U, причем одному большому делению
вертикальной шкалы соответствует определенное напряжение,
задаваемое переключателем «Вольт/дел.». Развертка луча по го-
ризонтали осуществляется таким образом, что одно большое де-
ление горизонтальной шкалы луч проходит за определенное вре-
мя t0, задаваемое переключателем «Время/дел.». Поэтому на эк-
ране осциллографа можно наблюдать в определенном масштабе
зависимость U(t), т.е. график затухающих колебаний.
1. Измерить характеристики затухающего колебательного
процесса в контуре с первым конденсатором (логарифмический
декремент затухания Λ, период колебаний Т, коэффициент зату-
хания β, добротность Q).
2. Измерить характеристики колебательного процесса в кон-
туре со вторым конденсатором.
3. Вычислить энергию колебаний в моменты времени, когда
полная энергия равна энергии заряженного конденсатора.
84
4. Построить графики зависимости энергии, запасенной в ко-
лебательном контуре, от времени; определить относительное
уменьшение энергии за период.
1. Соединить «Вход Y» осциллографа с соответствующими
клеммами установки.
2. Включить установку и осциллограф в сеть.
3. С помощью переключателя П включить в контур первый
конденсатор.
4. Вывести изображение колебательного процесса в среднюю
часть экрана осциллографа с помощью ручек «↕» и «↔».
5. Для определения логарифмического декремента затухания
и энергии колебаний измерить шесть последовательных ампли-
тудных значений напряжения на конденсаторе: Uа0, Uа1,…, Uа5.
За Uа0 принять одно из первых амплитудных значений напряже-
ния. Значения Uаm выразить в больших делениях шкалы с точно-
стью до десятых долей большого деления. Результат измерения
занести в табл. 13.1. Записать цену К большого деления верти-
кальной шкалы осциллографа, которая указана переключателем
«Вольт/дел.». Измеренное напряжение в вольтах равно цене де-
ления, умноженной на число делений. (Например, цена деления
К = 0,02 В/дел., отсчет по шкале равен 3,4 деления, тогда
Uam =0,02·3,4 = 0,068 В).
Т а б л и ц а 13.1
L= ; С1= ; С2=
Конденса- m Uam Wm, Дж Wm/W0
тор дел. В эксп. теор.
0
С1 1
К= В/дел. 2
3
4
5
0
С2 1
К= В/дел. 2
3
4
5
85
6. Для измерения периода Т затухающих колебаний опреде-
лить по горизонтальной шкале осциллографа, за какое время t
совершаются несколько полных колебаний. В табл. 13.2 занести
число полных колебаний N; время t, измеренное в больших деле-
ниях горизонтальной шкалы осциллографа (с точностью до деся-
тых долей большого деления), и цену одного деления в мс/дел.
Цена деления t0 горизонтальной шкалы осциллографа задается с
помощью переключателя «Время/дел.». Время t, мс, равно цене
деления t0, умноженной на число больших делений. (Например,
t0 = 0,2 мс/дел., время в больших делениях горизонтальной шкалы
равно 4,2 деления, тогда t = 0,2·4,2 = 0,84 мс). Экспериментальное
значение периода колебаний определяется по формуле
t
Т эксп = . (13.7)
N
Т а б л и ц а 13.2
Конденсатор Число t0, мс/дел. Время t Тэксп, мс
колебаний, N дел. мс
С1
С2
7. С помощью переключателя П включить в контур второй

конденсатор и повторить действия пп. 4 – 6 для колебательного
контура со вторым конденсатором. Результаты измерений зане-
сти в табл. 13.1 и 13.2.
1. На основе результатов измерений Uam из табл. 13.1 опреде-
лить логарифмический декремент затухания Λ для контура с пер-
вым конденсатором. Логарифмический декремент затухания вы-
числяется по формуле.
1 U
Λ = ln a 0 .
5 U a5
Вычислить погрешность определения Λ:
2 2
1 ⎛ ΔU a 0 ⎞ ⎛ ΔU a5 ⎞
ΔΛ = ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ .
5 ⎝ U a0 ⎠ ⎝ U a5 ⎠
86
(Погрешность измерения напряжений, связанная с классом точ-
ности осциллографа, составляет 10%). Результаты занести в
табл. 13.3. Аналогично, по данным табл. 13.1 определить лога-
рифмический декремент затухания для контура со вторым кон-
денсатором.
2. Найти экспериментальные значения периодов затухающих
колебаний по формуле (13.7) на основе данных табл. 13.2. Срав-
нить полученные результаты с теоретическими значениями.
В нашем случае можно принять ω ≅ ω0, так как
2 2
β2 ⎛ βТ ⎞ ⎛Λ⎞
=⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ < 1.
ω 2
⎝ 2π ⎠ ⎝ 2π ⎠
Тогда теоретическое значение периода колебаний вычисля-
ется по формуле
2π
Ттеор = = 2 π LC .
ω0
Результаты занести в табл. 13.3. Сделать вывод о соответст-
вии экспериментальных и теоретических значений периода ко-
лебаний. При этом учесть, что погрешность в измерении времен-
ных интервалов, связанная с классом точности осциллографа,
составляет 10%.
3. Найти добротность Q по формуле (13.4) и коэффициент за-
тухания: β=Λ/Тэксп. Результаты занести в табл. 13.3.
Т а б л и ц а 13.3
Λ ΔΛ Т, мс β, с -1
Q ΔW/W
эксп. теор. эксп. теор.
Контур с
С1
Контур с
С2
4. Вычислить энергию, запасенную в колебательном контуре,

используя для этого экспериментальные данные табл. 13.1. В мо-
мент времени t = 0, когда напряжение на конденсаторе достигает
максимального (амплитудного) значения Uа0, полная энергия ко-
лебаний равна энергии заряженного конденсатора и может быть
вычислена по формуле W0=CUа02/2. Аналогично в моменты вре-
мени t=mT энергию колебаний можно найти по формуле
87
Wm=CUаm2/2. Найти экспериментальные значения отношения
Wm/ W0. Результаты занести в табл. 13.1. При округлении резуль-
татов измерения Uаm и Wm учесть, что погрешность при измере-
нии напряжений, связанная с классом точности осциллографа,
составляет 10%.
5. Найти теоретические значения отношения Wm/ W0. Из фор-
мулы (13.5) следует, что в моменты времени t=mT, энергия коле-
баний равна W (t ) = W0 e −2βТm = W0 e −2 Λm . Отсюда теоретическое
значение отношения Wm/W0 вычисляется по формуле
Wm/ W0=е-2Λm. Полученные результаты занести в табл. 13.1
6. Построить графики зависимости энергии колебаний от
времени (для контуров с первым и вторым конденсатором). По
оси абсцисс отложить t/T, no оси ординат – теоретические значе-
ния Wm/W0. Теоретические значения Wm/W0 взять из табл. 13.1 для
шести значений t/Т (t/Т = 0, 1, 2, 3, 4, 5). На эти же графики на-
нести экспериментальные значения Wm/W0.
7. Найти относительное уменьшение энергии колебаний за
период. Теоретическое значение ΔW/W вычислить по формуле
(13.6) для контуров с первым и вторым конденсатором. Результа-
ты занести в табл. 13.3.
1. Описать процессы, происходящие в колебательном конту-

ре. При каких условиях в нем возникают затухающие колебания?
Привести уравнение и график затухающих колебаний.
2. Каков физический смысл коэффициента затухания, лога-
рифмического декремента затухания, добротности контура?
3. Как энергия затухающих колебаний зависит от времени?
Почему она уменьшается?
4. Объяснить принцип действия осциллографа. Почему на
экране осциллографа можно наблюдать зависимость U(t)?
Библиогр,: [2],Гл XXII, § 22.1; [4] гл. XX, §§234—234; [6] гл. XIII,
88
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Баллистический гальванометр
и баллистический метод измерения зарядов
Баллистический гальванометр применяется для измерения электрических
зарядов при кратковременных импульсах тока, а также электрических и магнит-
ных величин, значения которых пропорциональны заряду. Он является прибо-
ром магнитоэлектрической системы.
В поле постоянного магнита подвешена рамка из N витков. В отсутствие
тока нормаль к плоскости рамки перпендикулярна линиям магнитной индукции.
При протекании тока I через обмотку рамки на нее действует вращающий мо-
мент сил Ампера M 1 = ISNB , где S – площадь, ограниченная витком; В –
индукция магнитного поля между полюсами постоянного магнита. Рамка пово-
рачивается, при этом закручивается нить подвеса и возникает момент сил кру-
чения М2, который пропорционален углу φ поворота рамки: M 2 = − Kϕ , где К
– момент сил кручения, возникающий в нити при повороте на единицу угла.
Если импульс тока протекает в цепи за промежуток времени τ, малый по
сравнению с периодом Т свободных колебаний рамки, то движение рамки начи-
нается после протекания тока через гальванометр. Поэтому уравнение движения
за время t < τ имеет вид
d 2ϕ
J = M 1 = ISNB , (П.1)
dt 2
d 2ϕ
где J – момент инерции рамки; – угловое ускорение.
dt 2
Проинтегрируем уравнение (П.1) от t = 0 до момента t = τ (момента окон-
чания импульса тока):
τ
dϕ
SNB ∫ Idt = SNBq = J
0 dt
где q – полный электрический заряд, протекающий через гальванометр;
dϕ
– угловая скорость рамки гальванометра.
dt
За время импульса τ рамка приобретает кинетическую энергию
2
1 ⎛ dϕ ⎞ 1 S 2N 2B2 2 . (П.2)
Wкин = J⎜ ⎟ = q
2 ⎝ dt ⎠ 2 J
Эта энергия затрачивается на закручивание нити подвеса. Работа, которую
нужно совершить для поворота рамки на угол φ0, может быть вычислена по
формуле
ϕ0
Kϕ 02 . (П.3)
A= ∫ Kϕ dϕ = 2
0
Из формул (П.2) и (П.3) получаем
89
1 S 2 N 2 B 2 2 Kϕ 02
q =
2 J 2
или
KJ
q= ϕ 0 = C б' ϕ 0 , (П.4)
SNB
где C б' – баллистическая постоянная гальванометра, Кл/рад.
Таким образом, электрический заряд q пропорционален первому макси-
мальному отклонению φ0 рамки от положения равновесия. Из формулы (П.4)
видно, что C б' зависит от величины индукции магнитного поля (В), характери-
стик рамки (S и N), момента инерции (J) подвижной системы и упругих свойств
нити (К). Формула (П.4) выведена в предположении об отсутствии торможения.
Практически рамка после пропускания кратковременного тока совершает зату-
хающие колебания. Чтобы рамка быстрее вернулась в положение равновесия,
нужно замкнуть гальванометр накоротко. Тогда происходит электромагнитное
торможение (в обмотке рамки возникают индукционные токи такого направле-
ния, что силы Ампера препятствуют движению рамки).
Так как практически отклонение рамки всегда отсчитывается по линейной
шкале, то баллистическую постоянную удобно выражать через смещение α0
светового указателя («зайчика») по шкале гальванометра: C б = q α 0 , где Сб –
баллистическая постоянная; q – заряд, протекший через гальванометр; α0 – пер-
вое максимальное отклонение «зайчика» от положения равновесия. Зная балли-
стическую постоянную гальванометра Сб, можно измерить заряд q, протекший
через гальванометр за промежуток времени, малый по сравнению с периодом
колебаний рамки гальванометра. В этом заключается баллистический метод
измерения зарядов.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Компенсационный метод измерений

Компенсационный метод является удобным и точным методом измерения
ЭДС, напряжений и сопротивлений. Он широко применяется в современной
измерительной технике. Компенсационная схема представлена на рисунке.
Вспомогательный источник с ЭДС, превосходящей ЭДС источника εх, поддер-
живает рабочий ток в цепи АВСD. Для установления рабочего тока I служат
нормальный элемент εN (его ЭДС известна с большой точностью) и регулиро-
вочное сопротивление r.
Исследуемый источник εх и нормальный элемент εN с помощью переклю-
чателя П могут попеременно подключаться в цепь чувствительного нуль-
гальванометра. Вначале устанавливают рабочий ток I. Для этого переключатель
П переводят в положение К и с помощью регулировочного сопротивления r
изменяют силу рабочего тока до тех пор, пока ток через гальванометр не станет
равным нулю.
90
Отсутствие тока в цепи гальванометра свидетельствует о компенсации
ЭДС εN нормального элемента падением напряжения на сопротивлении R:
εN =IR. П.5)
Затем в цепь гальванометра включают исследуемый источник εх (переклю-
чатель в положении И).
Подбором сопротивления Rх вновь добиваются отсутствия тока в цепи
гальванометра, что имеет место при условии компенсации искомой ЭДС εх па-
дением напряжения на сопротивлении Rх:
εх =IRх . (П.6)
Компенсация ЭДС возможна, если вспомогательный и исследуемый источ-
ники включены одноименными полюсами навстречу друг другу.
Из формул (П.5) и (П.6) получаем
ε х = (ε N R) R х .
Зная εN /R для данной установки и подбором Rх, можно определить εх.
Приборы, основанные на компенсационном методе измерений, называются
потенциометрами или измерительными компенсаторами.
Библиографический список
1. Детлаф А.А., Яворский Б.М., Милковская Л.Б. Курс физики. Т.1. М.: Высшая
школа, 1973.
школа, 1977.
школа, 1979.
4. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1977.
5. Савельев И.В. Курс общей физики. Т.1. М.: Наука, 1982.
8. Миролюбов Н.Н., Костенко М.В., Левинштейн М.Л., Тиходеев Н.Н. Методы рас-
чета электростатических полей. М.: Высшая школа, 1963.
9. Парселл Э. Курс физики. М.: Наука, 1971.
10. Рязанов Г.А. Опыты и моделирование при изучении электромагнитного поля.
М.: Наука, 1966.
91
СОДЕРЖАНИЕ
Лабораторная работа № 1. Изучение электростатического поля .........3

Лабораторная работа № 2. Определение емкости конденсаторов
при помощи баллистического гальванометра ......................................9
Лабораторная работа № 3. Исследование зависимости диэлектри-
ческой проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности
электрического поля ............................................................................14
Лабораторная работа № 4. Определение диэлектрических проница-
емостей жидкостей и поляризуемости неполярных молекул резо-
нансным методом .................................................................................19
Лабораторная работа № 5. Законы Киргофа .......................................26
Лабораторная работа № 6. Исследование зависимости полезной
мощности, КПД источника тока и силы тока в цепи от нагрузки ...31
Лабораторная работа № 7. Градуирование термопары .......................37
Лабораторная работа № 8. Определение напряженности магнит-
ного поля в точках на оси кругового тока ..........................................43
Лабораторная работа № 9. Изучение эффекта Холла..........................47
Лабораторная работа № 10. Определение взаимной индуктивности
двух контуров ........................................................................................55
Лабораторная работа № 11. Исследование петли гистерезиса фер-
ромагнетика ...........................................................................................62
Лабораторная работа № 12. Градуировка шкалы частот генератора
переменного напряжения .....................................................................73
Лабораторная работа № 13. Исследование свободных колебаний в
колебательном контуре.........................................................................81
П р и л о ж е н и е 1. Баллистический гальванометр и баллистичес-
кий метод измерения зарядов ..............................................................89
П р и л о ж е н и е 2. Компенсационный метод измерений ...................90
Библиографический список .......................................................................91
Составители: Федоров Дмитрий Леонидович,

Алексеева Ольга Сергеевна, Кондратова Екатерина Сергеевна
Электромагнетизм
Редактор Г.М. Звягина

Подписано в печать 7.12.2006. Формат бумаги 60х84/16. Бумага документная.
Печать трафаретная. Усл. печ. л. 5,4. Тираж 700 экз. Заказ № 280
Балтийский государственный технический университет
Типография БГТУ
190005, С.-Петербург, 1-я Красноармейская ул., д.1

3. Электромагнетизм - Ч1

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

3. Электромагнетизм - Ч1

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ

Лабораторный практикум по физике

Электромагнетизм: лабораторный прак-

Практикум содержит описания лабораторных

Р е ц е н з е н т д-р техн. наук, проф. П.А. Галайдин

Цель работы – определение строения некоторого электро-

Краткие сведения из теории

Источниками электростатического поля являются неподвиж-

Описание экспериментальной установки и метода измерений

Для нахождения потенциала различных точек электрического

Измерение потенциалов производится следующим образом.

Обработка и анализ результатов

1. На листе миллиметровки начертить координатные оси.

1. Дать определения напряженности и потенциала электро-

Библиогр.: [8] – [10]; [6] гл. I, §§ 5, 6, 8.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЕМКОСТИ КОНДЕНСАТОРОВ

Цель работы — определение баллистической постоянной

Краткие сведения из теории

Уединенные проводники обладают небольшой емкостью, ко-

При последовательном соединении двух конденсаторов

Описание экспериментальной установки и метода измерений

Для определения емкости конденсатора в соответствии с

1. Собрать установку по схеме, приведенной на рис. 2.1.

2. Включить в сеть выпрямитель и осветитель гальванометра.

Средние <α0> = <α1> = <α2> = <α3> = <α4> =

Класс точности вольтметра К =

12. Конденсаторы С1 и С2 соединить последовательно. Изме-

Обработка и анализ результатов измерений

1. Вычислить среднее значение <α0> и подставить его в

1. Что называется электроемкостью конденсатора? В каких

Цель работы – определение диэлектрической проницаемости

Краткие сведения из теории

Сегнетоэлектрики – кристаллические диэлектрики, состоя-

Описание экспериментальной установки

Схема установки представлена на рис. 3.1.

Здесь Э – источник постоянного напряжения, R – делитель

1. Вычислить среднее значение <α0>.

3. Определить погрешность ΔC б C б (как погрешность кос-

1. Рассказать о поляризации диэлектриков и векторе поля-

Цель работы – определение диэлектрических проницаемо-

Краткие сведения из теории

Предположим, что Свак – электроемкость некоторого конден-

В данной работе используется резонансный метод определе-

Схема установки представлена на рис. 4.1.

Основной блок – колебательный контур, содержащий ка-

Порядок выполнения работы

1. Подключить катушку индуктивности и ламповый вольт-

6. Переместить катушку индуктивности вместе с подводи-

Обработка и анализ результатов измерений

1. По данным измерений построить резонансные кривые

1. Перечислить типы поляризации диэлектриков. В чем со-

Цель работы – экспериментальная проверка справедливости

Краткие сведения из теории

Для поддержания в цепи постоянного тока необходим источ-

Электрическая схема установки представлена на рис. 5.1. Ее

Порядок выполнения работы

1. Включить в сеть вольтметр и источники постоянного то-

Обработка и анализ результатов измерений

Библиогр.: [2] § 9.4; [6] § 36.

Сила тока в цепи

Схема установки представлена на рис. 6.2. В цепь источника

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему, изображенную на рис. 6.2.