4. Электромагнетизм - Ч2

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
Лабораторный практикум по физике
Часть 2
Министерство образования и науки Российской Федерации
Балтийский государственный технический университет «Военмех»
ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
Лабораторный практикум по физике
Часть 2
Под редакцией Л.И. Васильевой и В.А. Живулина
Санкт-Петербург
2009
Составители: Д.Л. Федоров, д-р физ.-мат. наук, проф.;
Л.И. Васильева, проф.; Н.А. Иванова, доц.; Е.П. Денисов, доц.;
В.А. Живулин, доц.; А.Н. Старухин, проф.
УДК 537.8(076)
Э45
Электромагнетизм: лабораторный практикум
Э45 по физике / сост.: Д.Л. Федоров [и др.]; Балт. гос.
техн. ун-т. – СПб., 2009. – 90 с.
Практикум содержит описание лабораторных ра-

бот №№ 14–22 по темам «Электричество и магнетизм»
в дополнение к описанию работ №№ 1–13, представ-
ленных в одноименном практикуме, изданном в 2006 г.
Предназначен для студентов всех специальностей.
УДК 537.8(076)
Р е ц е н з е н т: д-р техн. наук, проф., зав. каф. информационно-

энергетических технологий БГТУ С.П. Присяжнюк
Утверждено
редакционно-издательским
советом университета
© Авторы, 2009
© БГТУ, 2009
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 14
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
Цель работы – изучить поляризацию сегнетоэлектриков в за-

висимости от напряженности электрического поля Е, получить
кривую E = f(Е), изучить диэлектрический гистерезис, определить
диэлектрические потери в сегнетоэлектриках.
Краткие сведения из теории
Как известно, молекулы диэлектриков по своим электриче-

ским свойствам эквивалентны электрический диполям и могут
обладать электрическим моментом
 
Pe = ql , (14.1)
где q – абсолютная величина суммарного заряда одного знака в

молекуле (т.е. заряда всех ядер или всех электронов); l – вектор,
проведенный из «центра тяжести» отрицательных зарядов элек-
тронов в «центр тяжести» положительных зарядов ядер (плечо
диполя).
Поляризация диэлектриков обычно описывается на основе
представлений о жестких и индуцированных диполях. Внешнее
электрическое поле либо упорядочивает ориентацию жестких ди-
полей (ориентационная поляризация в диэлектриках с полярными
молекулами), либо приводит к появлению полностью упорядо-
ченных индуцированных диполей (поляризация электронного и
ионного смещения в диэлектриках с неполярными молекулами).
Во всех этих случаях диэлектрики поляризуются.
Поляризация диэлектрика заключается в том, что под дейст-
вием внешнего электрического поля суммарный электрический
момент молекул диэлектрика становится отличным от нуля.
Количественной характеристикой поляризации диэлектри-
ка служит вектор поляризованности (или вектор поляризации),
который равен электрическому моменту единицы объема диэлек-
трика:
3

 ∑ Pe
∆V
P= , (14.2)
∆V

∑ Pe – векторная сумма дипольных электрических моментов всех
∆V
молекул диэлектрика в физически бесконечно малом объеме ∆V .

У изотропных диэлектриков поляризованность P связана с

напряженностью электрического поля E в то й же то чке соо тно-
шением
 
P = æ ε0 E , (14.3)
где æ – коэффициент, не зависящий в первом приближении от
E и называемый диэлектрической восприимчивостью вещества;
ε 0 = 8,85 ⋅ 10 −12 Ф/м – электрическая постоянная.
Для описания электрического поля в диэлектриках, кроме на-
 
пряженности E и поляризованности P , используют вектор элек-

трического смещения D , определяемый равенством
  
D = ε0 E + P . (14.4)
С учетом (14.3) вектор смещения можно представить в виде

 
D = εε 0 E , (14.5)
где ε = 1 + æ – безразмерная величина, называемая диэлектриче-

ской проницаемостью среды. Для всех диэлектриков æ > 0, а ε > 1.
Сегнетоэлектрики представляют собой особую группу кри-
сталлических диэлектриков, обладающих в отсутствие внешнего
электрического поля в определенном интервале температур и дав-
лений спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, направле-
ние которой может быть изменено электрическим полем и в ряде
случаев механическими напряжениями.
В отличие от обычных диэлектриков сегнетоэлектрики обла-
дают рядом характерных свойств, которые были изучены совет-
скими физиками И.В. Курчатовым и П.П. Кобеко. Рассмотрим ос-
новные свойства сегнетоэлектриков.
4
Сегнетоэлектрики характеризуются очень высокими значе-
ниями диэлектрической проницаемости ε , которая может дости-
гать величин порядка 10 3 − 10 6 . Например, диэлектрическая про-
ницаемость сегнетовой соли NaKC4H4O6∙4H2O при комнатной
температуре (~20°С) близка к 10000.
Особенностью сегнетоэлектриков является нелинейный ха-
рактер зависимости поляризованности Р, а значит, и электриче-
ского смещения D от напряженности поля Е (рис. 14.1). При этом
диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков ε оказывается
зависящей от Е. На рис. 14.2 показана эта зависимость для сегне-
товой соли при температуре 20°С.
В
А
0 Е0 Е
Рис. 14.1
ε,10 3
1 2 E ,10 5 В/м
Рис. 14.2
5
Всем сегнетоэлектрикам свойственно явление диэлектриче-
ского гистерезиса, заключающееся в запаздывании изменения по-
ляризованности Р (или смещения D) при изменении напряженно-
сти поля Е. Это запаздывание связано с тем, что величина Р
(или D) не только определяется значением поля Е, но и зависит
еще от предшествовавшего состояния поляризации образца. При
циклических изменениях напряженности поля Е зависимость Р и
смещения D от Е выражается кривой, называемой петлей гистере-
зиса.
На рис. 14.3 представлена петля гистерезиса в координатах D, Е.
А В
D0
Ds
Dr
-Е0max - Е0 -EC E
0 EC ЕВ ЕBmax
-Dr
-Ds
-D0
D C
Рис. 14.3
С увеличением поля Е смещение D в образце, который перво-

начально не был поляризован, изменяется по кривой ОАВ.
Эта кривая называется начальной или основной кривой поляриза-
ции.
С уменьшением поля сегнетоэлектрик ведет себя сначала как
обычный диэлектрик (на участке ВА гистерезис отсутствует), а
затем (от точки А) изменение смещения отстает от изменения на-
пряженности. Когда напряженность поля Е = 0, сегнетоэлектрик
остается поляризованным и величина электрического смещения,
равная Dr , называется остаточным смещением.
6
Для снятия остаточного смещения к сегнетоэлектрику необ-
ходимо приложить электрическое поле противоположного на-
правления с напряженностью – Ec . Величину Ec принято назы-
вать коэрцитивным полем.
Если максимальное значение напряженности поля таково, что
спонтанная поляризация достигает насыщения, то получается пет-
ля гистерезиса, называемая петлей предельного цикла (сплошная
кривая на рис. 14.3).
Если же при максимальной напряженности поля насыщение
не достигается, то получается так называемая петля частного цик-
ла, лежащая внутри предельного цикла (пунктирная кривая на
рис. 14.3). Частных циклов переполяризации может существовать
бесконечное множество, но при этом максимальные значения
смещения D частных циклов всегда лежат на основной кривой по-
ляризации ОА.
Сегнетоэлектрические свойства сильно зависят от температу-
ры. Для каждого сегнетоэлектрика существует такая температура
Т с , выше которой его сегнетоэлектрические свойства исчезают и
он превращается в обычный диэлектрик. Температура Т с называ-
ется точкой Кюри. Для титаната бария ВаTi03 точка Кюри равна
120°С. Некоторые сегнетоэлектрики имеют две точки Кюри
(верхнюю и нижнюю) и ведут себя как сегнетоэлектрики лишь в
температурном интервале между этими точками. К числу таковых
относится сегнетова соль, для которой точки Кюри равны +24°С и
–18°С.
На рис. 14.4 приведен график температурной зависимости
диэлектрической проницаемости монокристалла ВаTi03 (Кристалл
ВаTi03 в сегнетоэлектрическом состоянии анизотропен. На
рис. 14.4 левая ветвь графика относится к направлению в кристал-
ле, перпендикулярному к оси спонтанной поляризации.) В доста-
точно большом интервале температур значения ε ВаTi03 сущест-
венно превышают значения ε обычных диэлектриков, для кото-
рых ε = 1 − 10 . Вблизи точки Кюри наблюдается значительное воз-
растание ε (аномалия).
Все характерные свойства сегнетоэлектриков связаны с суще-
ствованием у них спонтанной поляризации. Спонтанная поляриза-
ция есть следствие собственной асимметрии элементарной ячейки
кристалла, приводящей к появлению у нее дипольного электриче-
7
ского момента. В результате взаимодействия между отдельными
поляризованными ячейками они располагаются так, что их элек-
трические моменты ориентированы параллельно друг другу. Ори-
ентация электрических моментов многих ячеек в одном направле-
нии приводит к образованию областей спонтанной поляризации,
называемых доменами. Очевидно, что каждый домен поляризован
до насыщения. Линейные размеры доменов не превышают 10-6 м.
ε,10 3
12
20 40 60 80 100 120 140 160 180 Тº,С
Рис. 14.4
В отсутствие внешнего электрического поля поляризован-

ность всех доменов различна по направлению, поэтому в це-
лом кристалл оказывается неполяризованным. Это иллюстрирует
рис. 14.5, а, где схематически изображены домены образца, стрел-
ками показаны направления спонтанной поляризации различных
доменов. Под влиянием внешнего электрического поля в много-
доменном кристалле происходит переориентация спонтанной по-
ляризации. Этот процесс осуществляется: а) смещением доменных
стенок (домены, поляризованность которых составляет острый
угол θ с внешним полем, растут за счет доменов у
π
которых θ > ); б) поворотом электрических моментов – доменов
2
– в направлении поля; в) образованием и прорастанием зародышей
новых доменов, электрические моменты которых направлены по
полю.
8

E
E=0 E≠0
а б
Рис. 14.5
Перестройка доменной структуры, происходящая при нало-

жении и увеличении внешнего электрического поля, приводит к
появлению и росту суммарной поляризованности Р кристалла (не-
линейный участок ОА на рис. 14.1 и 14.3). При этом вклад в сум-
марную поляризованность Р, помимо спонтанной поляризации,
вносит также и индуцированная поляризация электронного и ион-
ного смещения, т.е. P = Ps + Pi .
При некоторой напряженности поля (в точке А) во всем кри-
сталле устанавливается единое направление спонтанной поляри-
зации, совпадающее с направлением поля (рис. 14.5, б). Говорят,
что кристалл становится однодоменным с направлением спонтан-
ной поляризации, параллельным полю. Это состояние называется
насыщением. Увеличение поля Е по достижении насыщения со-
провождается дальнейшим ростом общей поляризованности Р
кристалла, но теперь уже только за счет индуцированной поляри-
зации (участок АВ на рис. 14.1 и 14.3). При этом поляризованность
Р и смещение D практически линейно зависят от Е. Экстраполи-
руя линейный участок АВ на ось ординат, можно оценить спон-
танную поляризацию насыщения Ps max , которая приблизительно
равна значению Ds , отсекаемому экстраполированным участком
на оси ординат: Ps max ≅ Ds . Это приблизительное равенство вы-
текает из того, что для большинства сегнетоэлектриков ε 0 E << P
   
и D = ε0 E + P ≅ P .
9
Как отмечалось выше, в точке Кюри при нагревании сегнето-
электрика исчезают его особые свойства и он превращается в
обычный диэлектрик. Это объясняется тем, что при температуре
Кюри происходит фазовый переход сегнетоэлектрика из полярной
фазы, характеризуемой наличием спонтанной поляризации, в не-
полярную, в которой спонтанная поляризация отсутствует. При
этом изменяется симметрия кристаллической решетки. Полярная
фаза часто называется сегнетоэлектрической, а неполярная – пара-
электрической.
В заключение обсудим вопрос о диэлектрических потерях в
сегнетоэлектриках вследствие гистерезиса.
Потери энергии в диэлектриках, находящихся в переменном
электрическом поле, называемые диэлектрическими, могут быть
связаны со следующими явлениями: а) отставанием во времени
поляризованности Р от напряженности поля Е из-за молекулярно-
теплового движения; б) наличием небольших токов проводимо-
сти; в) явлением диэлектрического гистерезиса. Во всех этих слу-
чаях происходит необратимое преобразование электрической
энергии в теплоту.
Диэлектрические потери приводят к тому, что на участке цепи
переменного тока, содержащем конденсатор, сдвиг по фазе между
колебаниями тока и напряжения никогда не бывает точно равным
π 2 , а всегда оказывается меньше, чем π 2 , на угол δ , называе-
мый углом потерь. Диэлектрические потери в конденсаторах оце-
ниваются тангенсом угла потерь:
R
tgδ = , (14.6)
χ
где χ – реактивное сопротивление конденсатора; R – сопротивле-
ние потерь в конденсаторе, определяемое из условия: мощность,
выделяемая на этом сопротивлении при прохождении по нему пе-
ременного тока, равна мощности потерь в конденсаторе.
Тангенс угла потерь есть величина, обратная добротности Q:
tgδ = 1 Q , и для его определения, наряду с (14.6), может быть ис-
пользовано выражение
1 ∆W
tgδ = , (14.7)
επ W
10
где ∆W – потери энергии за период колебаний (в элементе цепи
или во всей цепи); W – энергия колебаний (максимальная для эле-
мента цепи и полная для всей цепи).
Воспользуемся формулой (14.7) для оценки потерь энергии,
вызванных диэлектрическим гистерезисом. Эти потери, как и сам
гистерезис, есть следствие необратимого характера процессов,
ответственных за переориентацию спонтанной поляризации.
Перепишем (14.7) в виде
1 ωr
tgδ = , (14.8)
2π ω0
где ωr – потери энергии переменного электрического поля на ди-

электрический гистерезис в единице объема сегнетоэлектрика за
время одного периода; ω0 – максимальная плотность энергии
электрического поля в кристалле сегнетоэлектрика.
Так как объемная плотность энергии электрического поля
1
ω= εε 0 E 2 , (14.9)
2
то при увеличении напряженности поля на dE она соответственно
изменяется на dω = Ed (εε 0 E ) = EdD . Эта энергия затрачивается на
переполяризацию единицы объема сегнетоэлектрика и идет на
увеличение его внутренней энергии, т.е. на его нагрев. Очевидно,
что за один полный период величина диэлектрических потерь в
единице объема сегнетоэлектрика определяется как
ωr = ∫ EdD (14.10)
и численно равна площади петли гистерезиса в координатах D, E.

Максимальная плотность энергии электрического поля в кристал-
ле составляет:
E0 D0
ω0 = , (14.11)
2
где E0 и D0 – амплитуды напряженности и смещения электриче-
ского поля.
11
Подставляя (14.10) и (14.11) в (14.8), получим следующее вы-
ражение для тангенса угла диэлектрических потерь в сегнетоэлек-
триках:
1 ∫ EdD
tgδ = . (14.12)
π E0 D0
Сегнетоэлектрики применяются для изготовления конденса-

торов большой емкости, но малых размеров, для создания различ-
ных нелинейных элементов. Во многих радиотехнических устрой-
ствах используются вариконды – сегнетоэлектрические конденса-
торы с резко выраженными нелинейными свойствами: емкость
таких конденсаторов сильно зависит от величины приложенного к
ним напряжения. Вариконды характеризуются высокой механиче-
ской прочностью, устойчивостью к вибрации, тряске, влаге. Не-
достатки варикондов – ограниченный диапазон рабочих частот и
температур, высокие значения диэлектрических потерь.
Приборы и оборудование
ФПЭ-02 – модуль, PV – цифровой вольтметр, PO – осцилло-

граф.
На рис. 14.6 приведена структурная схема, а на рис. 14.7 –
принципиальная электрическая схема, с помощью которой изуча-
ются свойства сегнетоэлектриков.
ФПЭ - 02
PV Y
PO X
Рег. U
PV U~
Y PO Х
Рис. 14.6
12
Схема на рис. 14.7 собрана в модуле ФПЭ-02. На передней
панели модуля имеются: ручка «рег. U » потенциометра R3; гнез-
да «PV» для подключения вольтметра; гнезда «PO» («Y» «X» « ⊥ »)
для подключения осциллографа.
C1
R1
Y
~220 В R3
~100 В
X
U
PV R2 C2
● ⊥
Рис. 14.7
От источника питания на схему поступает напряжение сети

~220 В, 50 Гц. Напряжение, снимаемое со вторичной цепи пони-
жающего трансформатора Т (220/100), через потенциометр R3 по-
дается на делитель напряжения, состоящий из сопротивлений R1 и
R2. Параллельно делителю R1, R2 включены последовательно два
конденсатора, образующие емкостной делитель: исследуемый ке-
рамический сегнетоэлектрический конденсатор С1 и эталонный
конденсатор C2. Вольтметр PV обеспечивает измерение величины
напряжения, подаваемого.на делители R1, R2 и С1, С2.
Осциллограф РО служит для наблюдения и изучения поляри-
зации сегнетоэлектрического конденсатора С1 при подаче на него
переменного гармонического напряжения.
Метод измерения
На вертикально отклоняющиеся пластины осциллографа с
эталонного конденсатора подается напряжение U y , равное:
q
Uy = . (14.13)
C2
13
Так как С1 и С2 соединены последовательно, то они имеют
одинаковый заряд q ( q1 = q 2 ) на обкладках. Величина этого заряда
может быть выражена через электрическое смещение D поля в
исследуемом конденсаторе С1:
σ q
E= , D = εε 0 E = σ = ,
εε 0 S
откуда
q = DS , (14.14)
где σ – поверхностная плотность заряда на обкладках конден-

πd 2
сатора С1; S = – площадь, d – диаметр обкладок конденса-
4
тора С1.
С учетом (14.14) напряжение
S
Uy = D. (14.15)
C2
На горизонтально отклоняющиеся пластины подается напря-

жение U x , снимаемое с сопротивления R 2 :
R2
Ux = U. (14.16)
R1 + R2
Это напряжение, как видим, составляет часть полного напря-

жения U , подаваемого на делитель напряжения R1, R2, а значит, и
на емкостной делитель С1, С2. Емкости С1 и С2 подобраны таким
образом, что С1<<С2. Поэтому с достаточной степенью точности
С
(~ 1 ) можно считать, что практически все напряжение U, сни-
С2
маемое с потенциометра R3, на емкостном делителе приложено к
сегнетоэлектрическому конденсатору С1. Действительно, так как
U C
q1 = q 2 , а q = CU , то C1 = 2 >> 1 , а U = U C1 + U C 2 ≈ U C1 . То-
U C 2 C1
гда, полагая электрическое поле внутри конденсатора C1 одно-
родным, имеем
14
U = Eh, (14.17)
где Е – напряженность электрического поля в пластине сегнето-
электрика; h – толщина этой пластины.
С учетом (14.17) напряжение Uх можно представить в виде
R2
Ux = Eh. (14.18)
R1 + R2
Таким образом, в данной электрической схеме на вертикально
и горизонтально отклоняющиеся пластины осциллографа одно-
временно подаются периодически изменяющиеся напряжения,
пропорциональные соответственно электрическому смещению D
и напряженности поля Е в исследуемом сегнетоэлектрике, в ре-
зультате чего на экране осциллографа получается петля гистере-
зиса (см. рис. 14.3).
Выражения (14.15), (14.17) и (14.18) позволяют найти смеще-
ние D и напряженность E электрического поля в сегнетоэлектрике,
если предварительно определены величины U y , U x и U . Напря-
жение U определяется по показанию вольтметра РV. Напряжения
U y и U x измеряются с помощью осциллографа и рассчитываются
по формулам
Uу = Кyy, (14.19)
U х = К х y, (14.20)
где у, х – отклонения электронного луча на экране осциллографа
по осям Y и Х соответственно; Ку, Кх – коэффициенты отклонения
каналов Y и X осциллографа.
Учитывая (14.19) и (14.20), из (14.15) и (14.18) получим
C2 K y
D= y, (14.21)
S
R1 + R2 К х
Е= х. (14.22)
R2 h
Кроме того, из (14.17) следует, что амплитудное значение на-

пряжения электрического поля в диэлектрике Е0 определяется по
формуле
15
U0 2
Е0 = = U, (14.23)
h h
где U – эффективное значение напряжения, измеряемое вольтмет-
ром PV.
Для напряженности поля получили две формулы: формула
(14.22) используется для определения текущего, а (14.23) –
амплитудного значения напряженности поля в сегнетоэлект-
рике.
Применим полученные соотношения для нахождения танген-
са угла диэлектрических потерь в сегнетоэлектрике и исследова-
ния зависимости ε = f (E ).
Подставляем в (14.12) выражения (14.21) и (14.22):
1 ∫ EdD 1 ∫ xdy 1 S п
tgδ = = = , (14.24)
π E0 D0 π x0 y 0 π x0 y 0
где S п – площадь петли гистерезиса в координатах х, у; х0, у0 –

координаты вершины петли гистерезиса.
Для измерения диэлектрической проницаемости сегнетоэлек-
трика используем тот факт, что основная кривая поляризации
(кривая ОАВ на рис. 14.3) является геометрическим местом точек
вершин циклов переполяризации, полученных при различных
максимальных значениях Е0 напряженности поля в образце. Для
каждой ее точки можем записать соотношение (14.5) в виде
D0 = εε 0 E0 , где D0, E0 – координаты вершин циклов переполяри-
зации. Тогда, определив с помощью формул (14.21) и (14.23) зна-
чения D0 и E0 вершин нескольких циклов, можно из (14.5) найти
значения ε при различных значениях Ес:
D0 C2 h K y y0
ε= = (14.25)
ε 0 E0 2ε 0 S U
и изучить зависимость ε = f (E ) .
Порядок выполнения работы
1. Установить ручку «Peг. U» на панели модуля ФПЭ-02

в среднее положение.
16
2. Установить органы управления на панелях осциллографа
РО в положение, обеспечивающее наблюдение фигур Лиссажу,
измерение величины переменного напряжения и исследование
зависимости между двумя внешними сигналами.
3. Подготовить к работе вольтметр РV.
4. Собрать схему согласно рис. 14.6.
5. После проверки схемы преподавателем или лаборантом
присоединить все приборы к сети ~220В, 50 Гц и включить тумб-
леры «Сеть» на панелях всех приборов. На экране осциллографа
должна появиться петля гистерезиса.
6. Установить петлю гистерезиса в центральную часть экрана
осциллографа.
Задание 1. Определение тангенса угла диэлектрических потерь
1. Получить петлю гистерезиса предельного цикла. Для этого

повернуть в крайнее правое положение ручку «Рег. U» на панели
модуля и подобрать, если это необходимо, такой коэффициент
отклонения Ку осциллографа, чтобы кривая гистерезиса предель-
ного цикла целиком размещалась в пределах экрана, занимая не
меньше его половины (по вертикали).
2. Измерить координаты х0 и y0 вершины петли гистерезиса.
Для этого, подводя каждую из вершин петли (точки А и С на рис.
14.3) сначала к оси Х, а затем к оси Y (центральным, градуирован-
ным линиям сетки экрана), определить их координаты +х0 и –х0,
+у0 и –у0 и взять среднее арифметическое из модулей полученных
значений. Записать значение коэффициента отклонения Ку при
измерении у0.
3. Установить кривую гистерезиса симметрично относи-
тельно осей Y и X и перерисовать ее с экрана осциллографа
на миллиметровую бумагу по точкам, снятым с помощью сетки
экрана.
4. Определить площадь петли гистерезиса, используя рису-
нок, выполненный на миллиметровой бумаге.
5. Вычислить tgδ по формуле (14.24) и оценить ошибку из-
мерения этой величины.
17
Задание 2. Определение остаточного смещения Dr ,
коэрцитивного поля Ec и спонтанной поляризации
насыщения Ps max
1. Установить петлю гистерезиса предельного цикла, полу-

ченную в задании 1, п. 1, симметрично относительно оси Y. Изме-
рить значение уr как половину высоты петли при х = 0. Записать
значение Ку, соответствующее этому измерению.
2. Установить петлю гистерезиса симметрично относительно
оси X. Измерить значение хс как половину ширины петли при
у = 0.
3. Продолжить линейные участки петли предельного цикла
(АВ и СD на рис. 14.3) до пересечения с осью Y, используя рису-
нок петли, выполненный в задании 1, п.3. Измерить значение уs
как половину расстояния между точками пересечения экстраполи-
рованных участков с осью Y.
4. По формулам (14.21) и (14.22) рассчитать значения Dr ,
Eс , и Ps max ≅ Ds .
5. Оценить ошибки измерения остаточного смещения Dr и
коэрцитивного поля Eс .
Указание. Значения параметров, необходимые для расчетов, и
точность их задания указаны на рабочем столе.
Задание 3. Получение основной кривой поляризации

и изучение зависимости ε = f (E )
1. Для кривой гистерезиса предельного цикла, полученной в

задании 1, п.1, измерить значения координат x0 max и y 0 max вер-
шины цикла (точки В на рис. 14.3) по методике, описанной в зада-
нии 1, п.2. Записать значение коэффициента Ку при измерении
y 0 max . Определить по показанию вольтметра PV напряжение U.
2. Уменьшить напряжение U с помощью ручки «Рег. U» на
панели модуля и получить петлю предельного цикла, соответст-
вующую такому амплитудному значению Е0 напряженности поля,
ниже которого предельный цикл исчезает (т.е. начинают изме-
няться площадь петли и координаты ее вершин). Для этой петли:
18
а) определить по показанию вольтметра РV напряжение U;
б) взять из задания 1, п.2 значения х0 и у0 и Ку.
3. Получить несколько частных циклов, уменьшая напряже-
ние U ручкой «Рег. U» и изменяя значения коэффициента Кy ос-
циллографа таким образом, чтобы каждая петля гистерезиса зани-
мала не меньше половины экрана (по вертикали). Число частных
циклов должно быть не менее пяти при различных значениях ко-
эффициента Кy. Для каждого частного цикла: а) измерить коорди-
наты x0 и у0 его вершины; б) записать значение коэффициента Кy,
при котором выполнено измерение у0; в) снять показание U с
вольтметра РV.
4. Результаты всех измерений по пп.1–3 занести в табл. 14.1.
5. Построить основную кривую поляризации в координа-
тах x, у.
6. По формулам (14.23) и (14.25) рассчитать значения Е0 и ε
для всех наследованных циклов переполяризации.
7. Оценить погрешности измерения ε .
8. Занести в табл. 14.1 результаты всех вычислений.
9. Построить график зависимости ε = f (E ) .
Т а б л и ц а 14.1
К y y0
Е0, 104 В/м ε , 103 ∆ε, 10 (ε ± ∆ε), 10
3
U, В х0, дел у0, дел Ку, В/дел
3
Контрольные вопросы
1. В чем заключается поляризация диэлектриков? Какая ве-
личина является количественной характеристикой поляризации?
Как эта величина связана с напряженностью электрического поля
в диэлектрике?
2. Опишите различные типы поляризации: электронного
смещения, ионного смещения, ориентационную, спонтанную.
3. Опишите основные свойства сегнетоэлектриков.
4. Нарисуйте принципиальную электрическую схему для по-
лучения петли гистерезиса и объясните ее работу.
5. Получите формулу, по которой в работе определяется ди-
электрическая проницаемость сегнетоэлектрика.
Библиогр.: [1,4,9].
19
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОШЕНИЯ ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА

К ЕГО МАССЕ МЕТОДОМ МАГНЕТРОНА
Цель работы – измерить e / m электрона методом магнетрона.
На заряженную частицу, движущуюся в магнитном поле, дей-

ствует сила, которую называют магнитной:

[ ]

F = q υB ,
 
где q – заряд частицы; υ – ее скорость; B – индукция магнитного
поля.
Эта сила направлена перпендикулярно плоскости, в которой
 
лежат векторы υ и B . Модуль магнитной силы
F = qυB sin α ,
 
где α – угол между векторами υ и B .
Траектория движения заряженной частицы в магнитном поле
определяется его конфигурацией, ориентацией вектора скорости и
отношением заряда частицы к ее массе.
Если имеются одновременно электрическое и магнитное поля,
то сила, действующая на заряженную частицу, называется силой
Лоренца и определяется как

( [ ])
 
F = q E + υB ,

где E – напряженность электрического поля.
ФПЭ-03 – модуль; ИП – модуль питания; РА – миллиампер-
метр (рис. 15.1).
20
ФПЭ-03
РА
РА
ИП
А В
= mA
Рис. 15.1
Существуют различные методы определения отношения e / m ,
в основе которых лежат результаты исследования движения элек-
трона в электрическом и магнитном полях. Один из них – метод
магнетрона. Называется он так потому, что конфигурация полей в
нем напоминает конфигурацию полей в магнетронах – генерато-
рах электромагнитных колебаний сверхвысоких частот. Сущность
метода состоит в следующем: специальная двухэлектродная элек-
тронная лампа, электроды которой представляют собой коакси-
альные цилиндры, помещается внутри соленоида так, что ось лам-
пы совпадает с осью соленоида. Электроны, вылетающие из като-
да лампы, при отсутствии тока в соленоиде движутся радиально к
аноду. При подключении тока к соленоиду в лампе создается маг-
нитное поле, параллельное оси лампы, и на электроны начинает
действовать магнитная сила
 
[ ]
F = − e υB , (15.1)
 
где e – величина заряда электрона; υ – скорость электрона; B –
индукция магнитного поля.
Под действием этой силы, направленной в каждый момент
времени перпендикулярно вектору скорости, траектория электро-
21
нов искривляется. При определенном соотношении между скоро-
стью электрона и индукцией магнитного поля электроны переста-
ют поступать на анод и ток в лампе прекращается.
Рассмотрим подробнее движение электронов в лампе при на-
личии магнитного поля. Для описания этого движения воспользу-
емся цилиндрической системой координат (рис. 15.2), в которой
положение электрона определяется расстоянием его от оси лампы
r, полярным углом ϕ и смещением вдоль оси Z. Электрическое
поле, имеющее только радиальный компонент, действует на элек-
трон с силой, направленной по радиусу от катода к аноду.

v
 
vϕ vr
Рис. 15.2
Магнитная сила, действующая на электрон, не имеет состав-

ляющей, параллельной оси Z. Поэтому электрон, вылетающий из
катода без начальной скорости (начальные скорости электронов,
определяемые температурой катода, много меньше скоростей,
приобретаемых ими при движении в электрическом поле лампы),
движется в плоскости, перпендикулярной оси Z.
22
Момент импульса Lz электрона относительно оси Z
L z = mυ ϕ r , (15.2)
dϕ
где υ ϕ = r – составляющая скорости, перпендикулярная ра-
dt
диусу r.
Момент Мz сил, действующих на электрон, относительно оси
Z, определяется только составляющей магнитной силы, перпенди-
кулярной r. Электрическая сила и составляющая магнитной силы,
направленные вдоль радиуса r, момента относительно оси Z не
создают. Таким образом,
M z = rFϕ = reυ r B, (15.3)
dr
где υ r = радиальная составляющая скорости электрона.
dt
Согласно уравнению динамики вращательного движения

dL 
= M. (15.4)
dt
Проецируя (15.4) на ось Z, получаем
d (mυ ϕ r ) dr
= erυ ϕ B = er B
dt dt
Или
d (mυϕ r ) 1 d (r 2 )
= eB . (15.5)
dt 2 dt
Интегрируем уравнение (15.5):
1
mυ ϕ r = eBr 2 + const.
2
Константу найдем из начальных условий: при r = rк ( rк – ра-

диус катода) υϕ = 0 . Тогда
23
1
const = − eBrк2
2
и
1 e B 2
υϕ = (r − rк2 ) . (15.6)
2m r
Кинетическая энергия электрона равна работе сил электриче-
ского поля:
m(υϕ2 + υ r2 )
= eU , (15.7)
2
где U – потенциал относительно катода точки поля, в которой
находится электрон.
Подставляя в (15.7) значение υ ϕ из (15.6), получаем
m  2 1  e  B2 2 
2
eU = υ r +   2 (r − rк2 ) 2 . (15.8)
2  4m r 

υ2
При некотором значении индукции магнитного поля Bкp , ко-

торое называют критическим, скорость электрона вблизи анода
станет перпендикулярной радиусу r , т.е. υ r = 0 . Тогда уравнение
(15.8) примет вид
( )
2 2
m  e  Bкp 2 2
eU a =   rа − rк2 ,
8  m  ra2
где U a – потенциал анода относительно катода (анодное напря-

жение); ra – радиус анода.
Отсюда находим выражение для удельного заряда электрона:
e 8U a
=
( )
2
, (15.9)
m B2 r 2 1− r 2 r 2
кp a к a
24
Индукция магнитного поля соленоида, длина L которого со-
измерима с диаметром D, находится по формуле
L µ 0 N iкp
Bкр = µ 0 niкр = ,
L2 + D 2 L2 + D 2
где µ 0 = 4π ⋅ 10 −7 Гн м – магнитная постоянная; n – число витков

соленоида на единицу его длины, N – число витков на всей длине
L соленоида.
Таким образом, экспериментально определив Bкp , можно вы-
числить величину e m . Для нахождения Bкp в лампе следует ус-
тановить разность потенциалов между анодом и катодом и, вклю-
чив ток в соленоиде, постепенно наращивать его, что увеличивает
магнитное поле в лампе. Если бы все электроны покидали катод
со скоростью равной нулю, то зависимость величины анодного
тока от величины индукции магнитного поля имела бы вид, пока-
занный на рис. 15.3 (пунктирная линия). В этом случае при
B < Bкp все электроны, испускаемые катодом, достигали бы ано-
да, а при B > Bкp ни один электрон не попадал бы на анод.
iа
Bкр Bс
Рис. 15.3
Однако некоторая некоаксиальность катода и анода, наличие

остаточного газа в лампе, падение напряжения вдоль катода,
25
неоднородность поля соленоида по высоте анода и т.д. приводят к
тому, что критические условия достигаются для разных электро-
нов при различных значениях В. Все же перелом кривой останется
достаточно резким и может быть использован для определе-
ния Bкp .
1. Собрать электрическую схему установки (см. рис. 15.1 и
15.4).
2. Установить анодное напряжение U a ≈ 50 В по вольтметру
ИП.
3. Изменяя ток в соленоиде от минимального (начального)
значения до максимального через 0,1 А при постоянном анодном
напряжении, снять сбросовую характеристику, т.е. зависимость
анодного тока in от тока в соленоиде ic . Значения анодного тока,
определяемые по прибору РА, и значения тока в соленоиде опре-
деляемые по показаниям амперметра ИП, занести в табл. 15.1.
4. Повторить пп. 2 и 3 при двух других значениях анодного
напряжения (больших 50 В). Результаты измерений занести в
табл. 15.1.
Т а б л и ц а 15.1
U a = .......B U a = .......B U a = .......B
ic ia ic ia ic ia
5. Для каждого значения анодного напряжения построить

сбросовую характеристику, откладывая по оси ординат значения
анодного тока, а по оси абсцисс - значения тока в соленоиде. Для
нахождения критического значения тока в соленоиде iкр провести
до взаимного пересечения касательную к точке перегиба сбросо-
вой характеристики (на участке ее спада) и прямую, соответст-
вующую изменению минимальных значений анодного тока (как
показано на рис. 15.5). Занести полученные значения iкр в
табл. 15.2.
Т а б л и ц а 15.2
Ua iкр Вкр е/m
26
Рис. 15.4
ia
iкр ic
Рис. 15.5
6. Для каждого критического значения тока в соленоиде рас-

считать по формуле (15.10) индукцию магнитного поля. Величины
L , D, N, ra и rк принять равными: L =167 мм, D =62 мм,
N =2108, ra = 6 мм, rк = 0,3 м.
7. Вычислить e m по формуле (15.9) для каждого значения
критического поля в соленоиде и определить ее среднее значение.
8. Вычислить погрешность полученной величины е т .
1. В чем суть метода магнетрона для определения отношения
е т?
2. Влияет ли на величину Вкр изменение направления тока в
соленоиде на противоположное?
3. Зависит ли величина e m от величины анодного напряже-
ния?
4. Рассмотреть движение электрона в однородном магнитном
 
поле в двух случаях: а) скорость электрона υ ⊥ В ; б) скорость
 
электрона υ направлена под углом α к полю В .
Библиогр.: [1,4,5].
28
ИЗУЧЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ СОЛЕНОИДА

С ПОМОЩЬЮ ДАТЧИКА ХОЛЛА
Цель работы – познакомиться с холловским методом измере-
ния индукции магнитного поля.

В пространстве, окружающем проводники с током или дви-
жущиеся заряды, возникает магнитное поле, которое можно обна-
ружить по воздействию его на другой проводник с током или на
магнитную стрелку. Магнитное поле в каждой точке пространства
количественно может быть описано с помощью вектора напря-
 
женности Н или вектора индукции В магнитного поля. В вакуу-
 
ме векторы В и Н связаны соотношением
 
B = µ0 H , (16.1)
где µ 0 = 4π ⋅ 10 −7 Гн м – магнитная постоянная.

Для вычисления напряженности и индукции магнитного поля
используют закон Био – Савара – Лапласа, согласно которому эле-

ментарная напряженность магнитного поля dH , создаваемая эле-

ментом проводника dl с силой тока J в некоторой точке про-

странства на расстоянии r , определяется выражением
[ 
]
 
dH = Jdl , r / 4πr 3 . (16.2)
Для нахождения результирующей напряженности, создавае-

мой проводником конечных размеров, надо воспользоваться прин-
ципом суперпозиции магнитных полей и найти векторную сумму

элементарных напряженностей dH :
 
H = ∑ dH k = ∑
 
[
Jdl , r к]. (16.3)
k k 4πrk3
29
В пределе сумма записывается в виде интеграла по контуру
проводника с током. Применим формулу (16.3) для вычисления
напряженности магнитного поля на оси соленоида. Каждый виток
соленоида – это круговой ток, поэтому первоначально вычислим
напряженность поля на оси кругового витка с током (рис. 16.1).

При сложении составляющих магнитного поля dH 2 , перпендику-
лярных оси ОА, они компенсируют друг друга вследствие симмет-
рии контура. Поэтому результирующая напряженность магнитного
поля в точке А направлена вдоль оси кругового тока и равна по
модулю:
H = ∫ dH1 ; (16.4)
L
JdlR
dH1 = dH sin α = . (16.5)
4πr 3
Рис. 16.1
 
В (16.5) учтено, что векторы dl и r взаимно перпендикуляр-
ны. Подставив (16.5) в (16.4) и учитывая, что величины J, R и r
постоянны, получим
2 πR
JdlR JR 2
H= ∫ 4πr 3
=
2r 3
. (16.6)
0
30
Перейдем теперь к вычислению поля соленоида, изображен-
ного на рис. 16.2. Пусть на единицу длины соленоида приходится
п витков, тогда на участке dz будет ndz витков, которые в точке 0
соленоида согласно (16.6) создадут напряженность
JR 2
dH z = ndz. (16.7)
2r 3
На рис. 16.3 отдельно изображены элемент dz, радиус-вектор

r и углы θ и dθ . Из геометрических построений рис. 16.2 и 16.3
следует:
R rdθ
r= , dz = . (16.8)
sin θ sin θ
Рис. 16.2
Рис. 16.3
31
Подставляем (16.8) в (16.7) и интегрируем в пределах от θ1 до θ 2 :
θ2
1 1
Hz = ∫ 2 Jn sin θdθ = 2 Jn(cos θ1 − cos θ 2 ). (16.9)
θ1
В случае бесконечного соленоида
θ1 = 0, θ 2 = π, H z = Jn. (16.10)
ИП – источник питания, PV – цифровой вольтметр, ФПЭ-04 –
модуль, С – соленоид, Ш – шток с нанесенной шкалой и закреп-
ленным на торце датчиком Холла.
Для экспериментального исследования напряженности маг-
нитного поля на оси соленоида в настоящей работе используется
метод, основанный на явлении Холла. Если через проводящую
пластинку поперечным сечением a ⋅ hд пропустить ток плотно-

стью j и поместить ее в поперечное магнитное поле с индукцией
  
B , то перпендикулярно векторам j и B создастся электрическое

поле напряженностью E (рис. 16.4).
hд
Рис. 16.4
Возникающая при этом разность потенциалов ∆ϕ x (ЭДС Хол-

ла) пропорциональна величине тока и индукции магнитного поля:
i B
∆ϕ x = R x jBa = R x д (16.11)
hд
где iд = jahд .
32
Коэффициент пропорциональности Rx называется постоянной
Холла. В работе используется полупроводниковый датчик Холла
марки X501 с управляющим током iд = 90 мА, поскольку посто-
янная Холла для полупроводников значительно больше, чем для
проводников.
Силовые линии магнитного поля на оси соленоида направле-
ны вдоль оси, поэтому датчик Холла должен располагаться на
торце специального штока, вставляемого в соленоид. Толщина
датчика hд в направлении магнитного поля равна 0,2 мм. Для из-
мерения положения датчика внутри соленоида на боковой грани
штока нанесена миллиметровая шкала.
При отсутствии магнитного поля ЭДС Холла должна быть
равна нулю. Однако вследствие различных побочных явлений, на-
пример недостаточно точной установки выходных электродов
датчика, измерительный прибор может показать некоторую
разность потенциалов даже при отсутствии тока в соленоиде. Что-
бы исключить погрешности, измерения проводят дважды при
двух противоположных направлениях тока в соленоиде. Тогда
1
∆ϕ x = (∆ϕ x1 + ∆ϕ x 2 ). Однако в данной работе изменение направ-
2
ления тока в соленоиде не предусмотрено. Поэтому погрешность в
определении δϕ x указана в паспорте ФПЭ-04.

Задание 1. Определение зависимости магнитной индукции
в средней точке на оси соленоида и тарировка датчика Холла
1. Собрать схему, изображенную на рис. 16.5 и 16.6.
2. Поставить шток с датчиком Холла в среднее положение на
оси соленоида («0» по шкале).
3. Включить источник питания и цифровой вольтметр в сеть
220 В. Измерить ЭДС Холла в центре соленоида для токов 0,5; 1,0;
1,5; 2,0 А, при этом из измеренного значения необходимо вычесть
поправку δϕ x , указанную в паспорте. Данные занести в табл. 16.1.
4. Вычислить индукцию магнитного поля для заданных зна-
чений силы тока J c по формулам (16.10) и (16.1); данные занести
в таблицу.
33
Рис. 16.5
Рис. 16.6
Т а б л и ц а 16.1
Постоянная
Ток соленои- ЭДС датчика Индукция В,
№ измерения Холла Rx,
да Jc, А Холла, Δφх В Тл
B·м/Тл·А
1
…
5. Вычислить значения постоянной Холла Rx для каждого

измерения по формуле (16.11); данные занести в таблицу. Найти
среднее значение Rx .
6. Построить графики зависимости B = f ( J c ) и ∆ϕ x = f ( J c )
по данным табл. 16.1.
34
Задание 2. Исследование зависимости индукции
магнитного поля от координаты z, отсчитываемой
от средней точки
1. Установить величину тока в катушке соленоида по указа-
нию преподавателя.
2. Перемещая шток с датчиком Холла вдоль оси соленоида с
интервалом ∆z = 1 см, измерить ЭДС Холла. Полученные данные
занести в табл. 16.2.
Т а б л и ц а 16.2
J c = ... А
Положение датчика z, мм 110 100 90 80 …
ЭДС датчика Холла, В
Индукция, Тл
3. Вычислить индукцию поля В для каждого положения дат-

чика Холла по формуле (16.11). При расчете использовать значе-
ние Rx , полученное в задании 1. Данные занести в табл. 16.2.
4. Построить график зависимости B = f (z ) по данным
табл. 16.2.
5. Повторить измерения и расчеты по пп. 2–4 для нового зна-
чения J c (по заданию преподавателя).
6. Для одного из полученных значений В рассчитать абсо-
лютную и относительную погрешности измерения.
1. Сформулируйте закон Био – Савара – Лапласа. Пользуясь
этим законом, выведите формулу для индукции магнитного поля
на оси кругового витка с током.
2. Сформулируйте теорему о циркуляции вектора В по конту-
ру L. Пользуясь этой теоремой, выведите формулу для индукции
магнитного поля бесконечного соленоида.
3. Пользуясь принципом суперпозиции, выведите формулы
для индукции магнитного поля бесконечного соленоида.
4. Выведите формулу для ЭДС Холла.
5. Нарисуйте схему измерений для исследования зависимости
B = f (z ) .
Библиогр.: [1, 3, 4, 5]
35
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №17
ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ВЗАИМНОЙ ИНДУКЦИИ
Цель работы – исследовать явление взаимной индукции двух

коаксиально расположенных катушек.
Рассмотрим два контура 1 и 2, расположенные на некотором

расстоянии друг от друга (рис. 17.1). Если по контуру 1 пропус-
тить ток I1, то он создает поток магнитной индукции через контур
2, который будет пропорционален току I1:
Ф21 = М 21 I1 . (17.1)
Коэффициент пропорциональности М21 называется коэффици-

ентом взаимной индукции кон-
туров или взаимной индуктив-
ностью контуров. Он зависит от
формы и взаимного расположе-
ния контуров 1 и 2, а также от
магнитных свойств окружаю-
щей среды. При изменении тока
Рис. 17.1 в первом контуре магнитный
поток через второй контур
изменяется, следовательно, в нем наводится ЭДС взаимной индук-
ции:
dФ21 dI
ε2 = − = − M 21 1 . (17.2)
dt dt
Формула (17.2) справедлива в отсутствие ферромагнетиков.

Если поменять местами контуры 1 и 2 и провести все предыдущие
рассуждения, получим
dФ12 dI
ε1 = − = − M 12 2 . (17.3)
dt dt
36
Можно показать, что коэффициенты взаимной индукции равны:
M 12 = M 21
PQ – звуковой генератор, РО – электронный осциллограф,

ФПЭ-05 – модуль, L1, L2 – две катушки индуктивности на одной
оси; Ш – шток со шкалой, показывающей взаимное расположение
катушек L1 и L2.
В данной работе изучается коэффициент взаимной индукции

между длинной катушкой 1 и короткой 2, которая надевается на
катушку 1 и может перемешаться вдоль ее оси. Питание одной из
катушек, например 1, осуществляется от генератора звуковой
частоты PQ, напряжение с которого изменяется по гармоничес-
кому закону:
U = U 0 cos ωt (17.5)
и подается на схему через сопротивление R. Вольтметр, располо-

женный на панели PQ, измеряет действующие значения напряже-
ния U д = U 0 / 2 . R выбирается таким образом, чтобы выполня-
лось неравенство
R >> R12 + L12 ω2 (17.6)
где L1 – индуктивность катушки 1; R1 – ее активное сопротивле-

ние.
В этом случае ток, протекающий через катушку 1, можно оп-
ределить по формуле
U U0
I1 = = cos ωt = I 01 cos ωt. (17.7)
R R
37
Переменный ток в катушке 1 создает переменную ЭДС взаим-
ной индукции в катушке 2:
dI1 U
ε 2 = − M 21 = M 21 0 ω sin ωt. (17.8)
dt R
Для измерения ε 2 используется осциллограф. Амплитуда

ЭДС взаимной индукции
U0 U
ε 02 = M 21 ω = M 21 0 2πf , (17.9)
R R
где f – частота звукового генератора. Из (17.9)
M 21 = ε 02 R / 2πfU 0 . (17.10)
Если поменять местами катушки 1 и 2, то можно измерить
M 12 = ε 01 R / 2πfU 0 . (17.11)
Для перестановки катушек необходимо переключатели П1 и

П2 перебросить в противоположное положение (рис. 17.2).
Рис. 17.2
38
Задание 1. Измерение коэффициентов взаимной индукции M21
и M12 и исследование их зависимости от взаимного
расположения катушек
1. Собрать схему, изображенную на рис. 17.3 и 17.4.
2. Ознакомиться с работой электронного осциллографа и
звукового генератора.
Рис. 17.3
Рис. 17.4
39
3. Задать напряжение U д и частоту f сигнала генератора (по
указанию преподавателя), подать напряжение на катушку 1 (с по-
мощью переключателя П1), а ЭДС катушки 2 подать на осцилло-
граф (с помощью переключателя П2).
4. Установить подвижную катушку 1 в крайнее положение.
Перемещая ее в противоположное крайнее положение через 1 см,
записывать значение ЭДС взаимной индукции в цепи катушки 2 в
табл. 17.1. Метод измерения ЭДС с помощью электронного осцил-
лографа описан в [6, 11].
5. По формуле (17.10) рассчитать значение M21. Полученные
данные занести в табл. 17.1.
6. Поменяв местами катушки L1 и L2 (с помощью переключа-
телей П1 и П2), повторить измерения по пп. 2, 3 и рассчитать М12.
7. Построить графики зависимости М12 и М21 как функции ко-
ординаты z (z – расстояние между центрами катушек 1 и 2).
Т а б л и ц а 17.1
Uд=… f=…
ε02 ε01
z, см М21, Гн М12, Гн
дел. B дел. B
Задание 2. Измерение М21 при различных значениях амплитуды

питающего напряжения
1. Поставить катушку 1 в среднее положение относительно ка-
тушки 2.
2. Задать частоту питающего генератора по указанию препо-
давателя (например, 104 Гц).
3. Измерить амплитуду ЭДС взаимной индукции ε 02 при раз-
личных значениях напряжения U д в цепи катушки 1 в интервале
0–5 В через 0,1 В.
4. По формуле (17.10) рассчитать М21. Полученные данные за-
нести в табл. 17.2.
Т а б л и ц а 17.2
f=… R=104Ом
Uд, В
ε02, В
М21, Гн
40
Задание 3. Измерение М21 при различных частотах
питающего напряжения
1. Поставить катушку 1 в среднее положение относительно

катушки 2.
2. Задать амплитуду напряжения генератора по указанию
преподавателя (например, 2 В).
3. Измерить амплитуду ЭДС взаимной индукции ε 02 при
различных частотах звукового генератора от 5 до 20 кГц (не менее
10 значений).
4. По формуле (17.10) рассчитать М21. Полученные данные
занести в табл. 17.3.
Т а б л и ц а 17.3
Uд R=104Ом
f, Гц
ε02, В
М21, Гн
5. Для одного из полученных значений М21 рассчитать абсо-

лютную и относительную погрешности ∆ М21 и ΔМ21/М21.
1. Сформулируйте закон электромагнитной индукции Фара-

дея и правило Ленца.
2. В чем состоит явление взаимной индукции?
3. Чему равна ЭДС взаимной индукции двух контуров?
4. От чего зависит коэффициент взаимной индукции?
5. Объясните график зависимости М 21 = f ( z ) , полученный в
данной работе.
Библиогр.: [1, 3, 4].
41
ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ

ИЗ МЕТАЛЛА
Цель работы – построить и изучить вольт-амперную характе-

ристику диода; исследовать зависимость плотности тока насыще-
ния термоэмиссии от температуры катода и определить работу вы-
хода электрона из вольфрама методом прямых Ричардсона.
Свойства металлов в значительной степени определяются со-

стоянием электронов проводимости, т.е. электронов, способных
перемещаться в металле.
Схема энергетических уровней электрона в металле представ-
лена на рис. 18.1. За нулевую энергию здесь выбрана энергия сво-
бодного электрона вне металла с кинетической энергией, равной
нулю.
Пунктиром изображены незанятые энергетические уровни при
Т = 0 К. Энер гетические ур о вни электронов обозначены тонкими
горизонтальными линиями, заполняющими интервал энергий от
дна потенциальной ямы с энергией W0 до энергии E F – энергии
Ферми – максимальной кинетической энергии, которой может об-
ладать электрон при Т = 0 К.
Рис. 18.1
42
Электронам, находящимся в потенциальной яме на разных
уровнях энергии, для выхода за пределы металла необходимо со-
общать разную энергию. Минимальная кинетическая энергия, не-
обходимая для удаления электрона из металла,
Авых = W0 − E F , (18.1)
называется работой выхода электрона из металла в вакуум при Т =

=0 К. При такой температуре электроны находятся в тепловом
равновесии, поэтому к энергии Ферми прибавляется еще некото-
рая тепловая энергия. Величина работы выхода зависит от состоя-
ния поверхности металла. Положение уровня Ферми при нагреве
металла вплоть до расплавления практически не меняется, но при
этом возникает некоторое число (небольшой процент) быстрых
электронов, способных преодолеть работу выхода и выйти из ме-
талла.
Рассмотрим природу сил, препятствующих выходу электронов
из металла и образующих работу выхода Авых. Отдельные электро-
ны проводимости, двигаясь внутри металла с большими скоростя-
ми, могут пересекать его поверхность. Вылетевший из металла
электрон удаляется от поверхности до тех пор, пока кулоновское
взаимодействие с избыточным положительным зарядом, возник-
шим на месте, которое покинул электрон, не заставит его вернуть-
ся обратно.
Одни электроны постоянно «испаряются» с поверхности ме-
талла, другие возвращаются обратно. Поэтому металл оказывается
окутанным облаком электронов, образующих совместно с наруж-
ным слоем положительных ионов двойной электрический слой,
подобно плоскому конденсатору. Поле двойного слоя препятству-
ет выходу электронов из металла.
Другой силой, препятствующей выходу электрона из металла,
является кулонова сила индуцированного им положительного за-
ряда (рис. 18.2). Эта сила носит название «силы электрического
изображения», так как действие распределенного по поверхности
проводника заряда эквивалентно действию равного по величине
положительного заряда, являющегося зеркальным изображением
электрона в плоскости PP. Оба этих физических процесса и опре-
деляют величину Авых. При комнатной температуре практически
все свободные электроны заперты в пределах проводника, имеется
43
лишь небольшое число электронов, энергии которых достаточно
для того, чтобы преодолеть потенциальный барьер и выйти из ме-
талла.
Рис. 18.2
Однако электронам можно различными способами сообщить

дополнительную энергию. В этом случае часть электронов полу-
чает возможность покинуть металл и наблюдается испускание
электронов – электронная эмиссия. В зависимости от того, каким
способом сообщена электронам энергия, различают типы элек-
тронной эмиссии. Если электроны получают энергию за счет теп-
ловой энергии тела при повышении его температуры, можно гово-
рить о термоэлектронной эмиссии. Если энергия подводится све-
том, то это фотоэмиссия. Если энергия сообщается электронам при
бомбардировке извне какими-то другими частицами, наблюдается
вторичная эмиссия.
Для наблюдения термоэлектронной эмиссии можно использо-
вать электронную лампу, содержащую два электрода: накаливае-
мый током катод и холодный электрод, собирающий термоэлек-
троны, – анод. Такие лампы носят название вакуумных диодов. На
рис. 18.3 изображена схема включения такого диода. Ток в этой
цепи появляется только в том случае, если положительный полюс
батареи соединен с анодом, а отрицательный – с катодом. Это под-
тверждает, что катод испускает отрицательные частицы – электро-
ны. Сила термоэлектронного тока в диоде зависит от величины
потенциала анода относительно катода.
44
Рис. 18.3 Рис. 18.4
Кривая, изображающая зависимость силы тока в диоде от анод-

ного напряжения, называется вольт-амперной характеристикой.
На рис. 18.4 показаны вольт-амперные характеристики диода
при разных температурах катода. Когда потенциал анода равен
нулю, сила тока мала и определяется лишь самыми быстрыми тер-
моэлектронами, способными достигнуть анода. При увеличении
положительного потенциала анода сила тока возрастает и затем
достигает насыщения, т.е. почти перестает зависеть от анодного
напряжения.
При увеличении температуры катода увеличивается и значе-
ние тока, при котором достигается насыщение. Одновременно
увеличивается и то анодное напряжение, при котором устанавли-
вается ток насыщения.
Таким образом, вольт-амперная характеристика диода оказы-
вается нелинейной, т.е. не выполняется закон Ома. Это объясняет-
ся тем, что при термоэлектронной эмиссии у поверхности катода
создается довольно большая плотность электронов. Они образуют
общий отрицательный заряд, и электроны, вылетающие с малой
скоростью, не могут его проскочить. С увеличением анодного на-
пряжения концентрация электронов в облаке пространственного
заряда уменьшается. Поэтому и тормозящее действие пространст-
венного заряда делается меньше, а анодный ток растет быстрее,
чем в прямой зависимости от анодного напряжения.
Теоретически зависимость анодного тока от анодного напря-
жения на участке 1–2 была получена Ленгмюром и Богуславским.
Она называется еще «законом трех вторых».
По мере роста анодного напряжения все больше электронов,
вылетевших из катода, отсасывается к аноду. При определенном
45
значении U a все вылетевшие из катода за единицу времени элек-
троны достигают анода. Дальнейший рост анодного напряжения
не может увеличить силу анодного тока, поскольку достигается
насыщение.
Максимальный термоэлектронный ток, возможный при дан-
ной температуре катода, называется током насыщения.
При повышении температуры увеличивается скорость хаоти-
ческого движения электронов в металле. При этом число электро-
нов, способных покинуть металл, резко возрастает. Плотность тока
насыщения, т.е. сила тока насыщения на каждую единицу поверх-
ности катода S, вычисляется по формуле Ричардсона – Дешмена:
jнас = BT 2 e − Aвых / kT , (18.2)
где В – постоянная эмиссии, k – постоянная Больцмана, k =
=1,38 10-23 Дж/К. Плотность тока насыщения характеризует эмис-
сионную способность катода, которая зависит от природы катода и
его температуры.
ИП – источник питания; 06 – модуль ФПЭ-06; PV – вольтметр.

Электрическая схема для проведения опыта представлена на
рис. 18.6 и 18.7. В качестве диода в работе используется радио-
лампа с вольфрамовым катодом прямого накала. Нагрев катода
осуществляется постоянным током. Амперметр и вольтметр в це-
пи накала служат для определения мощности, расходуемой на на-
грев катода, что необходимо для определения температуры.
Рис. 18.6 Рис. 18.7
46
Измеряя на опыте зависимость тока насыщения от температу-

ры, можно определить работу выхода для данного металла.
В нашем случае для определения работы выхода используем
метод прямых Ричардсона.
Для этого прологарифмируем уравнение (18.2):
jнас Aвых 1
ln = ln B − ⋅ . (18.3)
Т 2 k T
Переходя к десятичным логарифмам, находим
jнас Aвых 1
lg = lg B − lg e ⋅ . (18.4)
Т 2 k T
Подставляя lg e = 0,43, получаем
jнас 0,43 Aвых 1
lg = lg B − ⋅ . (18.5)
Т 2 k T
Такой вид уравнения удобен для его экспериментальной проверки.
График зависимости lg jнас Т 2 от 1 Т является прямой лини-
ей с угловым коэффициентом 0,43 Aвых k . Определив тангенс на-
клона прямой к оси абсцисс, рассчитаем работу выхода:
ktgα
Авых = , (18.6)
0,43
∆y
где tgα = (рис. 18.5).
∆x
Для построения графика не- iнас
y = lg
обходимо знать плотность анод- T2
ного тока насыщения jнас и тем-
пературу катода. Температуру
рассчитаем следующим образом.
Подводимая к катоду мощность
расходуется в вакуумной лампе в α 1
основном на тепловое излучение. x=
T
Для вольфрама была эксперимен-
тально определена зависимость Рис. 18.5
47
температуры катода от расходуемой на его нагрев джоулевой
мощности, приходящейся на единицу площади поверхности като-
да. На графике, который прилагается к работе, приведены резуль-
таты этих измерений. По этому графику, зная мощность, подводи-
мую к катоду, можно определить его температуру.

1. Подключить модуль ФПЭ-06 соединительным кабелем к
источнику питания (см. рис. 18.6). Амперметр на панели источни-
ка питания служит для контроля тока накала I н , максимальное
значение которого не должно превышать 2,2 А. Плавная регули-
ровка напряжения накала осуществляется ручкой, расположенной
под амперметром. Напряжение накала Uн измеряется вольтметром
(РV), который подключается к тем клеммам на источнике питания,
где указано напряжение 2,5–4,5 В.
Вольтметр на панели источника питания измеряет анодное на-
пряжение UА, регулировка которого осуществляется ручкой на па-
нели источника питания, расположенной непосредственно под
вольтметром.
Для измерения анодного тока IА используется амперметр
(РА на рис. 18.7), который подключается на модуле ФПЭ-06 к
клеммам РА. Он должен работать в режиме миллиамперметра, из-
меряя ток до 20 мА.
2. Установить напряжение накала 3,7 В и, увеличивая анод-
ное напряжение от 10 до 100 В через каждые 10 В, записать значе-
ния анодного тока в табл. 18.1.
Т а б л и ц а 18.1
Uн=
Iн=
UА IА
3. Провести измерения (п. 2) для 4–5 любых значений напря-

жения накала в интервале от 3,7 до 4,3 В.
4. Для каждого значения тока накала построить вольт-
амперную характеристику и точку перегиба полученной кривой
считать точкой насыщения.
48
5. Для всех значений напряжения накала рассчитать мощ-
ность, выделяемую на катоде, по формуле P = I нU н , а также мощ-
ность, приходящуюся на единицу площади поверхности катода.
Для данной лампы площадь поверхности катода принять равной:
S п = 3,52 ⋅ 10 −2 см2.
6. По графику (рис. 18.8) зависимости температуры катода от
P / S п определить температуру катода для каждого значения мощ-
ности нагрева.
7. Рассчитать плотность анодного тока насыщения по форму-
I
ле jнас = нас , принять S = 11 ⋅10 −6 м2.
S
8. Все полученные данные занести в табл. 18.2.
Т а б л и ц а 18.2
№ Т, j нас j
lg нас
Iнас, Iн , Uн, P/Sп, 1 j нас ,
п/п мА А В Вт/см2 К Т мА/м2 2 2
Т Т
Рис. 18.8
49
9. Построить график зависимости lg jнас Т 2 от 1 Т , откла-
дывая по оси абсцисс 1 Т , а по оси ординат – lg jнас Т 2 .
10. Определить тангенс угла наклона полученной прямой к оси
абсцисс и рассчитать работу выхода по формуле (18.6).
11. Рассчитать погрешность измерений.
1. Что называется работой выхода электрона?

2. Какова природа сил, удерживающих электрон в металле?
3. Нарисуйте и объясните вольт-амперные характеристики
диода.
4. Что такое ток насыщения и как он зависит от температуры?
5. Объясните физическую природу закона трех вторых.
Библиогр.: [1, 7-9].
ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ ЗАРЯДА

И РАЗРЯДА КОНДЕНСАТОРОВ
Цель работы – изучить кривые заряда и разряда конденсатора

при различных параметрах RC электрической цепи и вычислить
время релаксации.

Рассмотрим процесс заряда кон-
денсатора в электрической цепи,
содержащей последовательно соеди-
ненные конденсатор С, сопротивление
R и ε – источник ЭДС (рис. 19.1).
Первоначально конденсатор не за-
ряжен. Пусть J, q, U – мгновенные зна-
Рис. 19.1 чения силы тока, заряда и разности по-
50
тенциалов между обкладками конденсатора. Полагаем, что токи и
напряжения удовлетворяют условиям квазистационарности, т.е.
мгновенное значение силы тока во всех сечениях провода и эле-
ментах цепи одно и то же, а соотношение между мгновенными
значениями J, q, и U такое же, как и в цепях постоянного тока. В
момент времени t = 0 ключ К замкнули и в цепи пошел ток, заря-
dq
жающий конденсатор J = , где q – заряд конденсатора. Приме-
dt
ним закон Ома к цепи:
JR=ε – U, (19.1)
где R – полное сопротивление цепи, включающее внутреннее со-
противление источника ЭДС. Учитывая, что разность потенциалов
на пластинах конденсатора U = q / C , запишем предыдущее урав-
нение в виде
dq ε − q C
= . (19.2)
dt R
Разделим переменные и проинтегрируем это уравнение с уче-
том начального условия при t = 0, q = 0:
q t
Rdq q
∫ ε − q / C = ∫ dt ′; RC ln(1 − εC ) = −t ,
0 0
откуда
t
−
q = q m (1 − e RC ), (19.3)
где qm = εC – предельное значение заряда на конденсаторе.
Напряжение на конденсаторе изменяется по закону
t
q −
U=
= ε(1 − e RC ),
C
закон изменения силы тока в цепи получим дифференцированием
t
dq −
I= = J 0 e RC , (19.4)
dt
ε
где J 0 = . Графики зависимостей q(t) и J(t) представлены на
R
рис. 19.2.
51
Рассмотрим процесс разряда конденсатора емкостью С, пла-
стины которого замкнуты сопротивлением R. Пусть dq – уменьше-
ние заряда конденсатора за время dt. При разряде конденсатора в
dq
цепи (рис. 19.3) протекает ток J = − .
dt
Рис. 19.2 Рис. 19.3
Известно, что q = CU , где U – разность потенциалов на кон-

денсаторе, а следовательно, и на сопротивлении R. По закону Ома
U = IR , тогда
dq U q
− = = . (19.5)
dt R CR
Уравнение (19.5) показывает, что скорость уменьшения заряда

конденсатора пропорциональна величине этого заряда. Интегри-
руя уравнение (19.5) при условии, что в момент времени t = 0 ,
q = q0 , получим
q t
dq 1
∫ q = − RC ∫ dt ′;
q
0 0
q t
ln =− , (19.6)
q0 RC
откуда
t
−
q = q0 e RC . (19.7)
52
Функция q(t) называется экспоненциальной. График зависи-
мости q(t) приведен на рис. 19.4. Закон из-
менения напряжения на конденсаторе в
процессе разряда аналогичен (19.7):
t
q −
U (t ) = = U 0 e RC , (19.8)
C
q
где U 0 = 0 . Рис. 19.4
C
Произведение RC имеет размерность времени τ = RC и назы-
вается постоянной времени или временем релаксации τ . За время
τ заряд конденсатора уменьшается в е раз. Для определения RC
часто удобно измерять время, за которое величина заряда падает
до половины первоначального значения, так называемое «поло-
винное время» t1/ 2 . «Половинное время» определяется из выраже-
ния
−t 1 / 2
1
e RC = . (19.9)
2
Взяв натуральный логарифм от обеих частей уравнения (19.9),
получаем t1/ 2 = RC ln 2 = RC ⋅ 0,693 или
RC = 1,4425 t 1 / 2 . (19.10)
Способ измерения постоянной времени состоит в определении

t1/2 и умножении полученной величины на 1,44. Так как экспонента
асимптотически приближается к оси абсцисс, то точно установить
окончание процесса разряда конденсатора (так же как и процесса
заряда) не представляется возможным. Поэтому целесообразно
измерять время уменьшения величины заряда в два раза, т.е. «по-
ловинное время». За каждый интервал времени RC = 1,4425 t 1 / 2
заряд на емкости уменьшается в два раза (рис. 19.5).
Если обкладки конденсатора попеременно подключать к
источнику тока и к сопротивлению R (рис. 19.6), то график про-
цесса заряд-разряд конденсатора будет иметь вид, показанный
на рис. 19.7. Процесс заряда-разряда можно наблюдать с помощью
осциллографа, подавая на вход Y напряжение с конденсатора С.
53
Рис. 19.5
Рис. 19.6
q0
τзар τразр t
0
Рис. 19.7
54
Блок-схема установки приведена на рис. 19.8. ИП – источник

питания, PQ – звуковой генератор, ПИ – преобразователь сину-
соидальных импульсов (модуль ФПЭ-08), МС - магазин сопротив-
лений (R1), МС – магазин сопротивлений (R2), ME – магазин ем-
костей (С), РО – электронный осциллограф.
Схема (рис. 19.8, 19.9) состоит из источника постоянного тока
(ИП), генератора низкочастотных синусоидальных импульсов
(звукового генератора), преобразователя (ПИ) синусоидальных
импульсов в прямоугольные положительной полярности (преобра-
зователь импульсов позволяет получить прямоугольные импуль-
сы, скважность которых меняется регулятором на лицевой пане-
ли), двух магазинов сопротивлений R1 и R2, магазина емкостей С
и электронного осциллографа.
Рис. 19.8
Рис. 19.9
55
Подаваемый с выхода генератора синусоидальный импульс
преобразуется в прямоугольный и через магазин сопротивлений
R2 подается на магазин емкостей С. Конденсатор заряжается. Вре-
мя его заряда можно изменять сопротивлением R2. В момент пау-
зы происходит разряд конденсатора по цепи R1R2С. Время разряда
определяется параметрами этой цепи.
Визуально процесс заряда-разряда конденсатора можно на-
блюдать на экране осциллографа. Наиболее устойчивый режим
работы данной схемы обеспечивается при изменении номиналь-
ных величин элементов RС-цепи в следующих пределах:
С = 0,02…0,04 мкФ; R1 = 102…103 Ом; R2 = 1…5 кОм;
fген = =0,5…5 кГц.
При этом сравнительно полно происходит процесс заряда-
разряда конденсатора. При увеличении сопротивлений и емкости
больше определенных значений конденсатор не успевает полно-
стью зарядиться и разрядиться за один период цикла. Наблюдае-
мые при этом кривые заряда и разряда изображены на рис. 19.10
штрихпунктирной линией.
Uзар
τзар τразр t
Рис. 19.10

1. Собрать электрическую схему согласно рис. 19.8 и 19.9.
2. Ознакомиться с работой звукового генератора и электрон-
ного осциллографа.
3. Подготовить звуковой генератор к работе. Установить сле-
дующие параметры выходного напряжения звукового генератора:
частота 2 кГц, напряжение 2–3 В.
4. Установить импульсы наибольшей скважности. Для этого
нажать левую кнопку «скважность – грубо» преобразователя им-
56
пульсов ПИ (модуль ФПЭ-08). Ручку «скважность – точно» уста-
новить в крайнее правое положение.
5. Подготовить осциллограф к работе.
5.1. Включить развертку электронного усилителя Y и устано-
вить частоту развертки, удобную для наблюдения сигналов часто-
той 2–10 кГц, что соответствует цене деления Кх осциллографа по
горизонтали 0,5–0,1 мс/дел.
5.2. Усиление по оси Y электронного осциллографа установить
таким, чтобы можно было измерять переменное напряжение до
10 В, что соответствует цене деления осциллографа по вертикали
Ку = 1 В/дел.
5.3. Установить время горизонтальной развертки луча таким,
чтобы на экране помещалось 1–2 периода синусоидального на-
пряжения частотой 2 кГц (Кх = 0,1 мс/дел).
6. Включить лабораторный стенд и приборы.
7. Установить на экране осциллографа устойчивую картину.
8. Установить на магазине сопротивлений R1 значение
R1 = 102 Ом.
9. Установить на магазине сопротивлений R2 значение
R2 = 103 Ом.
10. Установить на магазине емкостей значение С = 2∙10-2 мкФ.
Задание 1. Изучение кривых заряда и разряда конденсатора

1. Установить усиление канала Y осциллографа таким, чтобы
высота импульса на экране была максимальной. Совместить нача-
ло кривой заряда с началом шкалы осциллографа. Установить час-
тоту развертки осциллографа такой, чтобы на экране уместилась
полная кривая заряда и разряда конденсатора. Снять зависимость
Y = f ( X ) , измеряя X в секундах, а Y – в вольтах. Записать 8–10
значений X и Y. Результаты занести в табл. 19.1. Построить кри-
вую заряда конденсатора.
Т а б л и ц а 19.1
Х, с
Y, В
2. Аналогичные измерения провести для кривой разряда, со-

вместив ее начало с началом координат на шкале осциллографа.
57
Результаты занести в табл. 19.2. Построить кривую разряда кон-
денсатора.
Т а б л и ц а 19.2
Х, с
Y, В
3. По кривым заряда и разряда конденсатора определить вре-

мя, за которое величина напряжения падает до половины первона-
чального значения («половинное время») и по формуле (19.10) вы-
числить время релаксации τ = RC .
4. Не изменяя усиление канала Y осциллографа, получить на
экране кривые заряда и разряда конденсатора при других значе-
ниях R2 и С, оставляя неизменной величину сопротивления
R1 = 102 Ом. Рекомендуемые значения R2 и С следующие:
R2 = 103 Ом; С = 2∙10-2 …4∙10-2 мкФ;
R2 = 2∙103 Ом; С = 10-2 мкФ;
R2 = 3∙103 Ом; С = 10-2 мкФ.
Измерить по наблюдаемым на экране осциллографа кривым
релаксации заряда «половинное время» в делениях шкалы. Затем
перевести t1/ 2 в секунды.
Для получения достаточно полного процесса заряда и разряда
конденсатора можно изменять частоту следования импульсов, ме-
няя частоту сигнала звукового генератора.
5. Вычислить постоянную времени RC, используя значения
параметров RС-цепи. Учесть, что при заряде конденсатора
R = R 2 , а при разряде R = R1 + R 2 . Рассчитать отношение t1/ 2 к
RC для всех случаев по формуле
t
A = 1/ 2 . (19.11)
RC
6. Сравнить величину А с теоретическим значением, равным
ln 2,0 = 0,693 .
7. Оценить погрешность измерений по формуле
< Aизм > − Атеор
δ= 100%,
Атеор
где < Aизм > – среднее значение выполненных измерений.
58
Задание. 2. Построение кривой разряда конденсатора
в логарифмическом масштабе
Из формулы (19.8) находим

t
U0
= e RC . (19.12)
U (t )
Логарифмируя обе части формулы (19.12), получаем
U0 t
ln = . (19.13)
U (t ) RC
Воспользовавшись данными табл. 19.2, построить логарифми-

U
ческую зависимость, функции ln 0 от времени t, учитывая, что
U (t )
при t = 0 U (t ) = U 0 . Котангенс угла наклона полученной прямой
есть характеристическое время релаксации заряда или постоянная
времени RC:
ctgα = τ = RC . (19.14)
Сравнить полученные результаты со значениями постоянной

времени, найденными в задании 1.
1. Что такое кривая релаксации заряда?

2. Как определяется характеристическое время релаксации τ ?
3. Опишите блок-схему установки.
4. Как зависит время заряда и разряда конденсатора от эле-
ментов цепи R1, R2, С?
5. Какова зависимость напряжения на конденсаторе U и тока
в цепи J от времени, т.е. U (t ) и J (t ) , в процессе заряда и разряда
конденсатора?
Библиогр.: [5, 4, 6].
59
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАТУХАЮЩИХ КОЛЕБАНИЙ
В КОЛЕБАТЕЛЬНОМ КОНТУРЕ
Цель работы – изучить параметры и характеристики колеба-

тельного контура.
Если зарядить конденсатор от батареи до напряжения U a

(рис. 20.1), а затем повернуть переключатель К, то конденсатор
начнет разряжаться через катушку и в контуре возникнут электро-
магнитные колебания.
Рассмотрим, как происходят эти колебания в контуре, сопро-
тивление которого R = 0. При замыкании
контура в нем появляется ток I, создаю-
щий магнитное поле. Изменение маг-
нитного поля тока приводит к возникно-
вению в цепи электродвижущей силы
самоиндукции Ei, замедляющей быстро-
ту разряда. При уменьшении тока возни-
кает электродвижущая сила, направлен-
Рис. 20.1
ная в ту же сторону, что и вызвавший ее
появление ток. Это приводит к тому, что
после разряда конденсатора ток не прекращается сразу, а в течение
некоторого времени продолжает течь в том же направлении и пе-
резаряжает обкладки конденсатора. Затем процесс разряда начина-
ется снова, но протекает теперь в обратном направлении. В ре-
зультате вторичного перезаряжения конденсатора система воз-
вращается в исходное состояние, после чего повторяются те же
процессы. Время от начала процесса до конца вторичного переза-
ряжения называется периодом собственных колебаний.
В начальный момент, когда конденсатор полностью заряжен, в
нем накоплена электрическая энергия: WE = CU 02 2. Во время
разряжения конденсатора электрическая энергия превращается в
энергию магнитного поля катушки и, когда конденсатор полно-
стью разряжен, вся электрическая энергия переходит в магнитную:
WM = LI 02 2 , где I0 – наибольшая величина тока, в контуре.
60
При перезаряжении конденсатора энергия магнитного поля
снова превращается в энергию электрического поля. В контуре
возникают незатухающие электромагнитные колебания.
Проводники контура всегда обладают электрическим сопро-
тивлением, поэтому часть энергии в процессе колебаний расходу-
ется на нагрев проводников. Вследствие этого амплитуда электро-
магнитных колебаний в контуре постепенно уменьшается и в нем
происходят затухающие колебания (рис. 20.2). При достаточно
большом сопротивлении контура или малой индуктивности коле-
бания в нем вообще не возникают, а происходит так называемый
апериодический разряд конденсатора (рис. 20.3).
Рис. 20.2 Рис. 20.3
По второму закону Кирхгофа
U + IR = Ei ; (20.1)
dI
Ei = − L , (20.2)
dt
где
dq
I= . (20.3)
dt
Так как q = CU , то из (20.2) и (20.3) получаем
dU d 2U
I =C ; Ei = − LC 2 .
dt dt
61
Подставим последние выражения в (20.1):
d 2U R dU 1
2
+ + U = 0. (20.4)
dt L dt LC
Как известно, дифференциальное уравнение (20.4) описывает
затухающие колебания. Его решение:
U = U 0 e −βt cos ωt , (20.5)
где β – коэффициент затухания,
R
β= ; (20.6)
2L
ω – циклическая частота затухавших колебаний:
2
1  R 
ω= −  , (20.7)
LC  2 L 
при этом
2π 2π
ω= иT= . (20.7а)
T 1  R 
2
− 
LC  2 L 
q dI
Если (20.1) записать в виде + IR = − L и продифференци-
C dt
ровать по времени, то получим уравнение того же типа, что и
(20.4):
d 2I R dI 1
2
+ + I = 0,
dt L dt LC
из чего следует, что ток в контуре также совершает затухающие
колебания, для которых значения β , ω и Т определяются по фор-
мулам (20.6), (20.7) и (20.7а).
Из (20.7) и (20.7а) следует, что в контуре возможны затухаю-
2
1  R 
щие колебания лишь в том случае, если ω > 0 , т.е. > 
LC  2 L 
62
L
(частота и период – действительные величины) или R < 2 . Ес-
C
L
ли R > 2 , то частота и период мнимые, колебаний нет и проис-
C
ходит апериодический разряд конденсатора (см. рис. 20.З).
Сопротивление, при котором частота ω обращается в нуль,
называется критическим:
L
Rкр = 2 . (20.8)
C
В этом случае конденсатор также разряжается апериодически.
Для характеристики степени затухания колебаний, кроме ко-
эффициента затухания β , используется еще логарифмический
декремент затухания.
Логарифмическим декрементом затухания колебаний называ-
ется натуральный логарифм отношения двух значений напряже-
ния, разделенных интервалом времени, равным периоду колеба-
ний:
U1 U (t1 )
λ = ln = ln (20.9)
U2 U (t1 + T )
или
U1
λ = 2,3 lg . (20.9а)
U2
Подставив в (20.9) значения U (t1 ) = U 0 e −βt1 и

U (t1 + T ) = U 0 e −β(t1+T ) , получим
λ = βT (20.10)
или, согласно (10.6),
R
λ= T. (20.10а)
2L
63
В ряде случаев удобно изучать колебательный процесс в сис-
теме координат I и U, т.е. откладывать
по оси абсцисс величину силы тока в
U
контуре в заданный момент времени, а
по оси ординат – напряжение на кон-
денсаторе в тот же момент времени.
Плоскость U − I носит название плос-
I кости состояний или фазовой плоско-
сти, а кривая, изображающая зависи-
мость напряжения от силы тока, назы-
Рис. 20.4
вается фазовой кривой (рис. 20.4).
Найдем фазовую кривую для контура, сопротивление которо-
R
го R = 0. В этом случае β = = 0 и из (20.5), (20.7) и (20.7а) сле-
2L
дует:
1
ω= и T = 2π LC ; (20.11)
LC
U = U 0 cos ωt ;
dU
I =C = −CU 0 ω sin ωt. (20.12)
dt
Уравнения (20.12) описывают незатухающие колебания. Ис-
ключив из них время t , получим уравнение фазовой кривой:
2 2
U   I 
  +   = 1.
 U 0   CU 0 ω 
Это уравнение эллипса. Эллипс получается в результате сло-

жения двух взаимно перпендикулярных гармонических колебаний
(20.12), сдвинутых по фазе на четверть периода. В контуре, сопро-
тивление которого R > 0, происходят затухающие колебания на-
пряжения (20.5) и тока:
dU
I =C = −U 0 Ce −βt (β cos ωt + ω sin ωt ). (20.13)
dt
64
В этом случае амплитуды напряжения и тока в контуре непре-
рывно убывают, не повторяясь через период времени, и фазовая
кривая получается незамкнутой (см. рис. 20.4).
PQ – генератор звуковых сигналов, РО – осциллограф;
ФПЭ-10 – модуль с колебательным контуром; ФПЭ-08 – преобра-
зователь импульсов; ИП – источник питания; МС – магазин сопро-
тивлений.
Принципиальная схема экспериментальной установки изо-
бражена на рис. 20.5.
Рис. 20.5
В работе для получения колебаний в контуре используется

модуль ФПЭ-10 с контуром, изображен-
ным на рис. 20.6.
Происходящие в контуре затухаю-
щие колебания (см. рис. 20.2) наблюда-
ются на экране осциллографа. Цикл за-
ряжения и разряжения конденсатора
длится 1 ν с, где ν – частота, задаваемая
звуковым генератором. На экране осцил-
лографа ему соответствует отрезок l1 .
Это позволяет определить период Т зату- Рис. 20.6
65
хающих колебаний, которому на рис. 20.2 соответствует отрезок
l
l . Из пропорции = l1ν получаем
T
l
T= . (20.14)
l1ν
Задание 1. Измерение периода, логарифмического декремента

и параметров L, С, R колебательного контура

ного осциллографа в режиме измерения амплитуды синусоидаль-
ного напряжения и получения фигур Лиссажу.
2. Подготовить приборы к работе.
2.1. Установить следующие параметры выходного напряжения
звукового генератора: частота 250 Гц, напряжение 2–3 В.
2.2. На преобразователе импульсов ФПЭ-08 нажать клавишу
«П» и правую клавишу «Cкважность грубо».
2.3. Ручку магазина сопротивлений поставить в положение
«1» и нажать клавишу «х102».
3. Включить лабораторный стенд и приборы.
4. Получить на экране осциллографа устойчивую картину ко-
лебаний (см. рис. 20.2).
5. Измерить расстояния l, l1 и вычислить период колебаний
по формуле (20.14).
6. Измерить амплитуду колебаний U10 , U 20 , U 30 и, комбини-
руя их попарно, вычислить по (20.9) логарифмический декремент
затухания λ . По формуле (20.10) определить коэффициент затуха-
ния β . Результаты измерений и расчетов занести в табл. 20.1.
7. Выполнить измерения пп. 5, 6, включив в магазине сопро-
тивления 100, 300, 500, 600 Ом.
Т а б л и ц а 20.1
Rм U10 U20 U30 λ β L C Rк R
66
8. Построить график зависимости логарифмического декре-
мента затухания λ от сопротивления Rм магазина (см. рис. 20.7),
откладывая значения Rм по оси абсцисс от произвольной точки 0 в
экстраполируя график к λ = 0. Полное сопротивление контура R
складывается из сопротивления Rк катушки самоиндукции и со-
противления магазина Rм: R = Rк + Rм . Поэтому, согласно (20.10),
R + Rм
λ= к T (20.15)
2L
и сопротивление Rк , очевидно, измеряется отрезком, обозначен-
ным на рис. 20.7.
Используя найденное значение Rк и
значение периода Т, найденное ранее по
формуле (20.14), вычислить индуктив-
ность по формуле (20.15) по любой точ-
ке графика (рис. 20.7) в области Rк > 0,
а затем емкость С – по формуле (20.11).
Подобрать сопротивление магазина Рис. 20.7
сопротивлений Rмк, при котором наблю-
дается апериодический разряд конденсатора. Согласно (20.8)
должно быть Rк + Rмк = 2 L C . Проверить расчетом это соотно-
шение.
Задание 2. Исследование фазовых кривых
Для наблюдения на экране фазовой кривой на вертикально от-

клоняющие пластины осциллографа подают напряжение с обкла-
док конденсатора, а на горизонтально отклоняющие пластины –
напряжение U R с клемм магазина сопротивлений Rм , пропорцио-
нальное току U R = IRм . Таким образом, на экране осциллографа
изображается зависимость напряжения U на обкладках конденса-
тора от тока I в контуре.
1. Включить осциллограф. Получить на экране фазовую кри-
вую (см. рис. 20.4).
2. Установить картину в центре экрана.
3. Вращая ручку магазина сопротивлений, получить фазовые
кривые при различных сопротивлениях.
67
4. Измерить значения напряжения, разделенные периодом
колебаний, т.е. расстояния от центра фазовой кривой до точки пе-
ресечения витков спирали с осью напряжения U , и вычислить ло-
гарифмический декремент затухания:
U10
λ = 2,3 lg.
U 20
Аналогичным образом вычислить логарифмический декре-
мент по значениям силы тока I, измеренным через период колеба-
ний:
I
λ = 2,3 lg 10 .
I 20
Измерения выполнить по всем виткам фазовой кривой. Ре-
зультат записать в табл. 20.2.
Т а б л и ц а 20.2
Rм R=Rк+Rм U10 U20 U30 λ I10 I20 I30 λ
5. Повторить измерения п. 4 при значениях сопротивления

магазина 100, 200, 300, 400, 500, 600 0м.
6. Зарисовать фазовую кривую при апериодическом разряде
конденсатора.
7. Рассчитать погрешность определения λ :
∆λ = [(lnU )′ ]
10
2
∆U 10
2
[ ]
+ (ln U 20 )′ ∆U 20
2
2
,
2 2
 ∆U 10   ∆U 20 
∆λ =   +   ,
 U 10   U 20 
где ∆U – погрешность измерения U на экране.
1. Что такое колебательный контур, и как в нем возникают
колебания?
2. Что такое логарифмический декремент затухания?
3. Что представляет собой апериодический разряд в контуре,
и при каких условиях он происходит?
68
4. Что такое фазовая плоскость и фазовая кривая?
5. Какова форма фазовой кривой: а) при незатухающих коле-
баниях; б) при затухающих колебаниях; в) при апериодическом
разряде?
Библиогр.: [1, 2, 11].

ИЗУЧЕНИЕ ВЫНУЖДЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ
В КОЛЕБАТЕЛЬНОМ КОНТУРЕ
Цель работы – изучить зависимость силы тока в колебатель-

ном контуре от частоты источника ЭДС, включенного в контур, и
измерить резонансную частоту контура.
Рассмотрим процессы, протекающие в колебательном конту-

ре, подключенном к источнику, ЭДС которого изменяется по гар-
моническому закону:
E = E0 cos Ωt , (21.1)
где U – напряжение на конденсаторе емкостью С; I – ток в контуре.

Полагаем, что мгновенные
значения токов и напряжений
удовлетворяют законам, установ-
ленным для цепей постоянного
тока. Такие токи называют квази-
стационарными. В любой момент
времени сумма падений напряже-
ния на элементах цепи равна ЭДС
(рис. 21.1): Рис. 21.1
U L + IR + U = E cos Ωt . (21.2)
Падение напряжения на катушке индуктивностью L
dI
U L = − Ei = L , (21.3)
dt
69
ток в катушке и в контуре
dq d dU
I= = (CU ) = C . (21.4)
dt dt dt
Подстановка (21.3) и (21.4) в (21.2) дает
d 2U dU
LC 2
+ RC + U = E0 cos Ωt. (21.5)
dt dt
Разделим это уравнение на LC и введем обозначения:
1 R
ω02 = ; β= .
LC 2L
Обозначая дифференцирование по времени точкой, получим
дифференциальное уравнение
U + 2βU + ω02U = E0 ω02 cos Ωt. (21.6)

Его решение дает закон изменения напряжения на конденса-
торе с течением времени и равно сумме общего решения однород-
ного уравнения (21.7) и частного решения неоднородного уравне-
ния (21.6):
U + 2βU + ω2U = 0. 0 (21.7)
Однородное уравнение (21.7) имеет решение
U 1 = U 10 e −βt cos ωt , (21.8)

являющееся уравнением затухающих колебаний (см. лаборатор-
ную работу №19). Затухание определяется членом e −βt . За время
t = 1 β амплитуда колебаний уменьшится в е раз. Затухание в ко-
лебательном контуре связано с превращением анергии колебаний
в джоулево тепло на сопротивлении R . При t >> 1 β составляю-
щей U1 решения (21.6) (она отражает переходный процесс, опре-
деленный начальными условиями и параметрами контура) обычно
пренебрегают, так как она становится весьма малой по сравнению
с частным решением вышеупомянутого уравнения. Последнее
можно представить в следующем виде:
70
U = U 0 cos(Ωt + ϕ) , (21.9)
где U 0 и ϕ определяются путем подстановки (21.9) в (21.6). В ре-

зультате получаются следующие равенства:
E0 ω02
U0 = ; (21.10)
( ω02 −Ω )
2 2
+ 4β Ω2 2
2βΩ
tgϕ = − . (21.11)
ω02 − Ω2
Таким образом, установившиеся колебания в цепи происходят
с частотой Ω и сдвигом по фазе ϕ, причем амплитуда и фаза на-
пряжения на конденсаторе зависят от соотношения частоты ис-
точника ЭДС Ω и частоты ω0 .
Ток в контуре
dU
I =C = −CΩU 0 sin(Ωt + ϕ) = I 0 cos(Ωt + ϕ1 ),
dt
π
где ϕ1 = ϕ + . Амплитуда тока в контуре также зависит от соот-
2
ношения частот Ω и ω0 :
E0 Cω02 Ω
I0 = . (21.12)
(ω 2
0 − Ω2 )
2
+ 4β 2 Ω 2
График зависимости I 0 от Ω / ω0 представлен на рис. 21.2.

Из графика видно, что амплитуда силы тока резко возрастает
при приближении циклической частоты Ω источника ЭДС к час-
тоте ω0 . Это явление называется резонансом, а кривые – резо-
нансными кривыми. Величина максимума зависит от β : при β = 0
I от1 → ∞ (кривая 3); при увеличении β максимальное значение
I от уменьшается (кривые 2 и 1), ϕ1 определяет разность фаз коле-
баний тока в контуре и внешней ЭДС:
π  1 ω2 − Ω 2
tgϕ1 = tg + ϕ  = − = 0 . (21.13)
2  tgϕ 2βΩ
71
Рис. 21.2 Рис. 21.3
График зависимости от частоты представлен на рис. 21.3.

Кривые 1 и 2 соответствуют разным значениям β . При ω0 = Ω
ω
tgϕ1 = 0 и ϕ1 = 0 . Величина Q = , где ω = ω02 − β 2 , называет-
2β
ся добротностью колебательного контура. Добротность контура
связана с остротой резонансных кривых. Найдем ширину резо-
нансной кривой (рис. 21.4) при I 0 = I 0 т 2 . Из формулы (21.12)
следует, что максимальное значение силы тока
E 0 Cω02
I 0т = ,
2β
а
2βΩI 0 т
I0 = . (21.14)
(
ω02 −Ω 2 2
) + 4β Ω2 2
При I 0 = I 0 т / 2 из (21.14) следует равенство
1 2βΩ
= . (21.15)
2
(ω02 −Ω )
2 2
+ 4β Ω
2 2
Выражение (21.15) можно преобразовать к виду

2βΩ = ω02 − Ω или 2βΩ = (ω0 − Ω )(ω0 + Ω ) . В последнем равенст-
2
72
∆Ω
ве (полученном при I 0 = I 0 m / 2 ) величина ω0 − Ω = ( ∆Ω
2
обозначена на рис. 21.4), и вблизи резонансной частоты можно
положить ω0 ≈ Ω . Отсюда ∆Ω = 2β и
∆Ω 2β
= . (21.16)
ω0 ω0
Рис. 21.4
При малом затухании β << ω0 и ω ≈ ω0 . Тогда
∆Ω 2β 1
= ≈ , (21.16а)
ω0 ω0 Q
т.е. относительная ширина резонансной кривой численно равна

обратной величине добротности контура.
Таким образом, в этом случае добротность может быть рас-
считана по формуле
ω 1 L
Q≈ 0 = . (21.16б)
2β R C
Содержанием работы является изучение резонанса в последо-

вательной цепи RCL. Принципиальная электрическая схема лабо-
раторной установки приведена на рис. 21.5.
73
Колебательный контур состоит из катушки L , магазина емко-
стей C переменного сопротивления R и сопротивления R1 . На-
пряжение на сопротивлении R1 , пропорциональное току в конту-
ре, подается на вход Y электронного осциллографа. Для снятия
резонансных кривых, изменяя частоту звукового генератора PQ,
определяют зависимость I0 = f( Ω ) при различных сопротивлениях
контура R .
Рис. 21.5
Для измерения сдвига фаз ϕ1 можно использовать фигуры

Лиссажу, получаемые на экране осциллографа. Пусть имеются два
синусоидальных напряжения одинаковой частоты Ω . Подадим их
на вертикальные и горизонтальные пластины осциллографа. Сме-
щение луча под действием этих напряжений пропорционально на-
пряжению, и по горизонтали: x = x0 sin Ωt , а по вертикали
y = y 0 sin (Ωt + ϕ) , где ϕ – сдвиг фаз между напряжениями; х0 и
y0 – амплитуды смещения луча, пропорциональные амплитудам
напряжения и коэффициентам усиления соответствующих каналов
осциллографа. Исключив время, получим
2 2
 x   y  2 xy
  +   − cos ϕ = sin 2 ϕ. (21.17)
 x0   y0  x0 y 0
Выражение (21.17) – уравнение эллипса, описываемого элек-

тронным лучом на экране осциллографа. Выберем коэффициенты
усиления вертикального и горизонтального каналов осциллографа
такими, чтобы x0 = y0 . В этом случае
x 2 + y 2 − 2 xy cos ϕ = x02 sin 2 ϕ . (21.18)

74
Уравнение (21.18) – уравнение эллипса, оси которого составля-
ют угол π 4 с осями координат.
При ϕ = 0 эллипс вырождается в
прямую y = x , при ϕ = π 2 – в
окружность радиуса х0. Для точки
М эллипса (рис. 21.6) у = х, следо-
вательно, a 2 = x 2 + y 2 = 2 x 2 , а
уравнение (21.18) для этой точки
примет вид
Рис. 21.6
2 x 2 − 2 x 2 cos ϕ = x02 sin 2 ϕ ;

2 x 2 (1 − cos ϕ) = x02 sin 2 ϕ;
ϕ ϕ ϕ
a 2 2 sin 2 = x02 4 sin 2 cos 2 ;
2 2 2
отсюда
ϕ
a 2 = 2 x02 cos 2 . (21.19)
2
Аналогично для точки N эллипса (см. рис. 21.6), где у = – х,
получим
ϕ
b 2 = 2 x02 sin 2 . (21.20)
2
Из (21.19) и (21.20)
ϕ b
tg = . (21.21)
2 a
Таким образом, для измерения сдвига фаз между напряжения-
ми одинаковой частоты достаточно измерить полуоси а и b эллип-
са, вписанного в квадрат на экране осциллографа. При ϕ = 0 эл-
липс вырождается в прямую, что позволяет по фигурам Лиссажу
установить момент наступления резонанса. Для получения фигур
Лиссажу на вход Y осциллографа (см. рис. 21.5) подается напря-
жение с сопротивления R1 , пропорциональное току, а на вход X –
напряжение со звукового генератора.
75
На рис. 21.7 приведена электрическая схема: РQ – звуковой

генератор; PO – электронный осциллограф; ФПЭ-11 – модуль;
МС – магазин сопротивлений; ME – магазин емкостей.
Рис. 21.7
Собрать электрическую схему (рис. 21.8).
Рис. 21.8
76
Задание 1. Снятие резонансных кривых
1. Установить переключателями магазина емкостей

С = 3∙10 мкФ и переключателями магазина сопротивлений R = 0 .
-3
2. Используя приблизительное значение индуктивнос-

ти L = 400 мГн, рассчитать резонансную частоту контура по фор-
1
муле f p = .
2π LC
ного осциллографа в режиме измерения амплитуды синусоидаль-
ного напряжения и получении фигур Лиссажу.
звукового генератора: частота 2 кГц, величина напряжения – до 1 В.
4.2. Включить развертку электронного осциллографа с запус-
ком от усилителя Y и установить частоту развертки, удобную для
наблюдения сигналов частотой 2–16 кГц.
4.3. Усиление по оси Y электронного осциллографа установить
таким, чтобы можно было измерять переменные напряжения
до 1 В.
5. Включить лабораторный стенд и приборы. Напряжение
звукового генератора установить равным 0,8 В. Это значение при
всех измерениях поддерживать неизменным. Получить на экране
осциллографа устойчивое изображение синусоиды. Измерить ам-
плитуду синусоидального напряжения в вольтах. Результаты из-
мерения записать в табл. 21.1.
Т а б л и ц а 21.1
f, кГц
U0,В
I0,мА
6. Измерить амплитуды при других частотах в диапазоне от 2

до 16 кГц. Частоту изменять с интервалом 1–2 кГц, вблизи резо-
нанса (в пределах f ± 1 кГц) с интервалом 0,2 кГц. Результаты из-
мерений занести в табл. 21.1.
77
7. Рассчитать амплитуду силы тока в колебательном контуре
по формуле I 0 = U 0 R1 , где R1 = 75 Ом. Расчет провести для каж-
дого значения частоты, результаты вычислений записать в
табл. 21.1 в миллиамперах.
8. Установить сопротивление магазина R = 500 Ом. Провести
измерения (пп. 5–7), результаты записать в таблицу.
9. Снять резонансную кривую (пп. 5–7) при R = 3000 Ом.
10. Построить на одном чертеже графики зависимостей I 0 от f.
11. По графикам при R = 0 и R = 500 Ом найти ширину резо-
нансной кривой ∆f (см. рис. 21.5) и рассчитать значения доброт-
fp
ности контура по формуле Q ≈ .
∆f
Задание 2. Определение зависимости резонансной частоты

от емкости С
1. Установить сопротивление R = 0 , емкость C = 10 −3 мкФ.

2. Выключить развертку осциллографа. На экране осцилло-
графа наблюдать эллипс (см. рис. 21.6). Изменяя частоту звуково-
го генератора, добиться превращения эллипса в прямую, располо-
женную примерно под углом 45° к оси X. При необходимости из-
менять усиление усилителя Y. При этом частота звукового генера-
тора равна резонансной частоте f p .
3. Значения f p и С записать в табл. 21.2.
4. Провести измерения f p (пп. 2 и 3) при других значениях С
от 10 −3 до 10 ⋅ 10 −3 мкФ с интервалом 10 −3 мкФ.
1
5. Вычислить значения Z = и построить график зави-
( )
2πf p 2
симости Z от С, который должен представлять собой прямую ли-
нию, проходящую через начало координат.
Т а б л и ц а 21.2
С·10 , Ф
9
fр, кГц
Z
78
6. При построении графика учесть следующее. Точность зна-
чений емкостей, устанавливаемых на магазине емкостей, составляет
5%. Поэтому на графике следует
изобразить пределы, в которых
известно данное значение С, так,
как показано на рис. 21.9. Затем
провести прямую, не выходя-
щую за нижние границы С (пря-
мая 1), и прямую, не выходящую
за верхние границы (прямая 2).
В этих пределах должна распо-
лагаться истинная зависимость
Рис. 21.9
Z = f(C).
Рассчитать значение индуктивности катушки как тангенс угла
наклона прямых на графике Z = f(C):
∆Z L + L2
L= ; Lcp = 1 .
∆C 2
( L1 – по кривой 1, L2 – по кривой 2).

Оценить погрешность определения L:
∆L L2 − Lcp
δ= = .
Lcp Lcp
1. Выведите формулу зависимости амплитуды силы тока в
колебательном контуре от частоты внешней ЭДС.
2. Выведите формулу для вычисления сдвига фаз с помощью
фигур Лиссажу.
3. Что такое резонанс?
4. Что такое добротность колебательного контура?
5. Покажите, что резонанс токов наступает при частоте
внешней ЭДС Ω = ω0 .
Библиогр.: [1, 3, 4, 11].
79
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ

В СВЯЗАННЫХ КОНТУРАХ
Цель работы – изучить обмен энергии в системе электриче-
ских контуров, слабо связанных между собой.

Колебательные процессы (осцилляции) в электрических кон-
турах имеют аналогии в механике. Поведение простейшего осцил-
лятора – одиночного маятника, представляющего собой массу,
подвешенную на длинном стержне, хорошо изучено: это гармони-
ческие колебания с частотой ω0 .
Существенно более сложную структуру при колебаниях пред-
ставляет собой система двух оди-
наковых маятников, связанных
между собой слабой пружиной, как
это показано на рис. 22.1. Маятни-
ки будут участвовать в коллектив-
ных колебаниях, амплитудно-
частотная характеристика которых
зависит от фазы смещения маятни-
ков относительно друг друга
Рис. 22.1 (относительная фаза).
Если оба маятника имеют вна-
чале (при t = 0) равные смещения, то они будут колебаться как
единое целое с постоянной амплитудой и частотой, равными час-
тоте и амплитуде колебаний одиночного маятника ω0 . Если при
t = 0 имеются равные и противоположные амплитуды, то маятники
будут колебаться с постоянной амплитудой, но с некоторой дру-
гой, слегка повышенной по отношению к ω0 , частотой ω1 . Эти
два вида движения называются нормальными модами колебаний
системы связанных осцилляторов, причем вид колебаний с часто-
той ω0 называют четной модой нормальных колебаний и обозна-
чают знаком «+»( ω+ = ω 0), а вид колебаний с повышенной часто-
той ω1 – нечетной модой нормальных колебаний и обозначают
80
знаком «-» ( ω+ = ω ). Нормальная мода колебаний – это коллек-
тивное колебание, при котором амплитуда колебаний каждой
движущейся частицы системы остаётся неизменной. В более
сложных случаях, когда при t = 0 имеется относительный сдвиг
фаз, результирующее движение можно рассматривать как комби-
нацию (суперпозицию) двух нормальных мод колебаний, как ам-
плитудно-модулированное колебание.
С суперпозицией гармонических колебаний разных частот
приходится встречаться в самых разнообразных явлениях. Приме-
ром могут служить не только маятники, но и два звучащих камер-
тона с разными собственными частотами, причем наиболее инте-
ресным образом проявляется «смесовая» природа коллективных
колебаний, когда частоты колебаний камертонов мало отличаются
друг от друга. В этом случае человеческое ухо наиболее явственно
воспринимает результирующее колебание как гармоническое ко-
лебание с переменной амплитудой, т.е. ухо слышит музыкальный
тон, интенсивность которого периодически меняется с частотой
2π
ωб = ω1 − ω0 и периодом Tб = . Такой вид суперпозиции гар-
ωб
монических колебаний (при ω1 ≈ ω0 , но и ω1 > ω0 ) иллюстрирует
рис. 22.2. Само это явление называется биениями, а величины Tб и
ωб – периодом и частотой биений соответственно.
Рис. 22.2
В системе двух связанных слабой пружиной маятников биения

могут установиться, если сместить один из них (например, маят-
ник 1, слева на рис. 22.1), удерживая другой на месте, а затем отпус-
тить их одновременно. В этом случае маятник 1 начинает колебать-
ся один, но с течением времени колебания маятника 2 будут посто-
янно нарастать, а маятника 1 – затухать. Через некоторое время
81
маятник 2 испытает сильные колебания, а маятник 1 остановится.
В случае четной моды нормальных колебаний маятники движутся
вместе, пружина не растянута и частота такая же, как у одиночного
маятника. В случае нечетной моды колебаний пружина растянута,
что увеличивает частоту этой моды. Если в какой-то момент време-
ни смещен только один из маятников, то возникают две нормальные
моды колебания, находящегося в определенной относительной фа-
зе. Но поскольку частота нечетного колебания немного выше часто-
ты четного, относительная фаза изменяется в процессе коллектив-
ного колебания. Амплитуда колебаний первого маятника оказыва-
ется равной нулю, а амплитуда второго достигает максимума, когда
два нормальных вида колебаний окажутся в противофазе, затем
начнется увеличение амплитуды первого маятника и т.д.
Поведение связанных осцилляторов легко объяснить с энерге-
тической точки зрения. При t = 0 вся энергия сосредоточена в ма-
ятнике 1. В результате связи через пружину энергия постепенно
передается от маятника 1 к маятнику 2 до тех пор, пока вся энер-
гия не скопится в маятнике 2, затем, конечно, если система осцил-
ляторов подпитывается извне энергией для компенсации затуха-
ния из-за трения и т.д., процесс обмена энергией повторяется от
маятника 2 к маятнику 1 и т.д. Таким образом, в процессе «бие-
ний» происходит обмен энергией между двумя гармоническими
осцилляторами, собственные частоты которых различаются мало,
а при t = 0 наблюдается относительный сдвиг фаз.
Биения можно наблюдать и в электрической системе – в двух
одинаковых LC-контурах, связанных между собой слабой емкост-
ной связью С в – аналог механической связи в виде пружины. Ко-
лебания в контурах (рис. 22.3) возбуждаются с помощью преобра-
зователя импульсов (ПИ).
ПИ
Рис. 22.3
82
Для теоретических расчетов рассмотрим упрощенный вариант
этой схемы (рис. 22.4), где обозначены знаки зарядов в контурах и
положительное направление тока; С в = С12 ; L1 = L2 = L. Причем
для наблюдения биений важно, чтобы I1 и I 2 были сонаправлены.
Для двух контуров, соединенных по схеме рис. 22.4, можно запи-
сать два уравнения, описывающих колебания зарядов Q в кон-
турах:
dI1 Q1 Q1 − Q2 dI Q Q − Q2
L + + = 0, L 2 + 2 − 1 = 0. (22.1)
dt C C12 dt C C12
Рис. 22.4
dQ1 dQ2
Подставляя I1 = , I2 = , получаем
dt dt
d 2 Q1 Q1 Q2 − Q1 d 2 Q2 Q Q − Q1
L =− + , L =− 2 − 2 .
dt 2 C C12 dt 2 C C12 (22.2)
Получились довольно сложные уравнения для двух перемен-

ных. Можно упростить ситуацию, написав новые уравнения, по-
лученные сложением и вычитанием уравнений (22.2).
Сложив эти уравнения, получаем
d 2 (Q1 + Q2 ) Q1 + Q2
L 2
=− . (22.3)
dt C
83
Разность (22.2) имеет вид
d 2 (Q1 − Q2 ) Q1 − Q2 2(Q1 − Q2 )
L =− − . (22.4)
dt 2 C C12
С помощью проведенных математических операций удалось

записать уравнения (22.2) через переменные (Q1 + Q2 ) и
(Q1 − Q2 ) . Если при t = 0 переменная (Q1 + Q2 ) имеет значение
(Q1 + Q2 ) 0 , то решением (22.3) будет
(Q1 + Q2 ) = (Q1 + Q2 ) 0 cos ω+ t , (22.5)
1
частота ω+ = равна частоте собственных колебаний одиноч-
LC
ного контура. Аналогично решение (22.4) приобретает вид
(Q1 − Q2 ) = (Q1 − Q2 ) 0 cos ω− t , (22.6)
11 2 
где ω− =  +  ; (Q1 − Q2 ) 0 – значение при t = 0 перемен-
L  C C12 
ной (Q1 − Q2 ) .
Два вида движения, описываемые уравнениями типа (22.5) и
(22.6), называются нормальными модами колебаний системы свя-
занных осцилляторов. В данном случае они описывают колебания
заряда (и, соответственно, силы тока) в системе двух связанных
электрических контуров.
Если сместить из положения равновесия один из контуров, то
возникают две нормальные моды колебаний. При Q20 = 0 из (22.5)
и (22.6) получаем
1
Q1 = Q10 (cos ω + t + cos ω− t ), (22.7)
2
1
Q2 = Q10 (cos ω+ t − cos ω− t ). (22.8)
2
Используя известные тригонометрические тождества:
84
1 1
cos A + cos B = 2 cos ( A + B) cos ( A − B), (22.9)
2 2
1 1
cos A − cos B = 2 sin ( A + B) sin ( A − B), (22.10)
2 2
можно записать (22.7) и (22.8) в виде


1
2
( 

) 1
( )
Q1 = Q10 cos ω+ − ω− ⋅ t  cos ω+ + ω− ⋅ t ,
2
(22.11)


1
2
( )

1
( )
Q2 = Q10 sin ω + − ω − ⋅ t  sin ω + + ω − ⋅ t.
2
(22.12)
Заключенные в квадратные скобки множители изменяются го-

раздо медленнее, чем множители вне скобок. Это дает основание
рассматривать колебания (22.11) и (22.12) как гармонические коле-
( )
бания частоты ω+ + ω− , амплитуды (множители в квадратных
скобках) которых изменяются по периодическим законам, с часто-
( )
той ω+ − ω− .
Графики Q1 и Q2 (уравнения (22.11) и (22.12) приведены на
рис. 22.2. При t = 0 амплитуда Q2 равна нулю. Амплитуда Q2 уве-
личивается, а Q1 падает до тех пор, пока в момент времени, опре-
1 π
деленный из соотношения ω + − ω − ⋅ t = , Q1 не станет равной
2 2
нулю, а Q2 достигнет максимума.
Ситуацию, показанную на рис. 22.2, можно рассмотреть с
энергетической точки зрения. При t = 0 вся энергия сосредоточена
в контуре 1. В результате связи через емкость C12 энергия посто-
янно передается от контура 1 к контуру 2 до тех пор, пока вся
энергия не соберется в контуре 2. Время, необходимое для перехо-
да энергии из контура 1 в контур 2 и обратно, можно получить из
1
уравнения ω + − ω− ⋅ t обм = π , а частота, с которой контуры об-
2
мениваются энергией, равна:
2π
ωобм = = ω+ − ω− . (22.13)
t обм
В теории колебаний эту частоту называют частотой биений.
85
Для четной моды колебаний, обозначенной знаком «+», токи
текут в одинаковом направлении, тогда на емкости C12 нет заря-
да. При этом частота ω+ остается такой же, как для несвязанных
1
контуров, т.е. ω+ = = ω . В случае нечетной моды нормаль-
LC
ных колебаний (знак «–»), емкость C12 заряжена, что увеличивает
11 2 
частоту колебаний, т.е. ω − =  + .
L  C C12 
Следует отметить, что, для того чтобы применить к связанным
контурам рассмотренную выше теорию, они должны иметь одина-
1
ковую резонансную частоту ω0 = , и, кроме того, предпола-
LC
C
гается, что C12 велика по сравнению с С, т.е. << 1 («слабая
C12
связь»). Тогда (22.13) можно преобразовать следующим образом:
1 1 2 1 2C
ωобм = − + = 1− 1+ ≈
LC LC LC12 LC C12
(22.14)
1  C 1  2C  
2
1 C C
≈ 1 − 1 + −    ≈ − = ω0 .
LC  C12 8  C12   LC C12 C12
 
Полученное значение частоты обмена ωобм (имеется в виду
обмен энергии) или частоты «биений» ωбиен = ωобм можно изме-
нять, настраивая систему контуров путем изменения номиналов
радиоэлементов С, С12, L, R и т.д., добиваясь того, чтобы разност-
ная частота ω + − ω − = ωобм была сведена к минимуму.
Исследование биений, т.е. обмена энергий в связанных конту-
рах, и является одной из практических задач данной работы.
На рис. 22.5 приведена электрическая схема, где ИП – источник
питания; ПИ – преобразователь импульсов; FQ –звуковой генера-
тор; РО – осциллограф; ME – магазин емкостей; ФПЭ-13 – модуль.
86
Рис. 22.5

ного осциллографа.
2. Собрать схему измерений согласно рис. 22.6.
Рис. 22.6

3.1. С помощью магазина емкостей МЕ установить
С = 4×10 -2 мкФ.
звукового генератора: частота 200 Гц, величина напряжения 2–4 В,
режим работы – генерация синусоидальных колебаний.
87
3.3. Включить развертку электронного осциллографа с запус-
ком от усилителя и установить частоту развертки, удобную для
наблюдения сигналов частотой 200 Гц.
3.4. Усиление по оси Y электронного осциллографа устано-
вить таким, чтобы можно было измерить переменное напряжение
до 5 В.
4. Включить лабораторный стенд и приборы. Регулировкой
ручек управления на панели осциллографа добиться стабильной
картины процесса «биений» в контурах.
5. Вычислить Т рез для одного из контуров (резонансные час-
тоты контуров близки) по формуле Томcона Т рез = 2π LC. Вели-
чины L и С указаны на рабочем столе.
6. Изменяя величину емкости конденсатора связи С12 на ма-
газине емкостей от 4∙10 -2 до 4∙10 -1 мкФ, измерить периоды «бие-
ний». Период «биения» определяется следующим образом: под-
считывается количество периодов (количество максимумов), укла-
дывающихся в одно «биение» (число N – рис. 22.7). Эта величина
умножается на Т рез , вычисленное по формуле Томсона, т.е.
Tб = Т рез N . Полученные результаты записать в табл. 22.1. По по-
лученным таким образом значениям Т б построить график зависи-
мости Т б = f (C12 ).
Рис. 22.7
C12
7. Провести расчет Т б по формуле Т б = Tрез и сравнить
C
его с экспериментальным значением.
88
Т а б л и ц а 22.1
С12, мкФ
N
Тб, с,эксп.
Тб, с, теор.
1. Объясните, почему токи I1 и I 2 (см. рис. 22.4) должны

иметь одинаковое направление.
2. Почему емкость С12 должна быть << C?
3. Покажите, что существуют два максимума тока, приходя-
щиеся на частоты нормальных мод колебаний.
4. Объясните картину биений (см. рис. 22.2) с энергетической
точки зрения.
5. Чему равна частота обмена энергией между двумя связан-
ными осцилляторами?
Библиогр.: [3, 11].
Библиографический список
1. Савельев И.В. Курс общей физики. Т. 2, 3. СПб. М.: Лань, 2007.

2. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1985.
3. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. 2, 3, 5. М.: Физматлит, 2005.
4. Матвеев А.Н. Электричество и магнетизм. М.: Наука, 1983.
5. Иродов И.Е. Электромагнетизм. М., СПб.: Физматлит, 2005.
6. Фриш С.Э., Тимофеева А.В. Курс общей физики. Т. 1, 2. М.: СПб.-Красно-
дар: Лань, 2007.
7. Трофимова Т.И. Курс физики. М.: Высшая школа, 2003.
8. Детлав А.А., Яворский Б.М. Курс физики. М.: Академия, 2003.
9. Гинзбург И.Ф. Введение в физику твердого тела. СПб.: Лань, 2007.
10. Лентовский В.В. Оценка ошибок результатов измерений: методические
указания к лабораторным работам по физике. СПб.: БГТУ, 2005.
11. Стрелков С.П. Введение в теорию колебаний. СПб.: Лань, 2005.
89
ОГЛАВЛЕНИЕ
Лабораторная работа № 14. Изучение электрических свойств сегнетоэлек-

триков ............................................................................................................................. 3
Лабораторная работа № 15. Определение отношения заряда электрона к его
массе методом магнетрона ......................................................................................... 20
Лабораторная работа № 16. Изучение магнитного поля соленоида с помощью
датчика Холла.............................................................................................................. 29
Лабораторная работа №17. Изучение явления взаимной индукции ......................... 36
Лабораторная работа №18. Определение работы выхода электронов из металла ..42
Лабораторная работа №19. Изучение процессов заряда и разряда конден-
саторов ......................................................................................................................... 50
Лабораторная работа №20. Исследование затухающих колебаний в колебатель-
ном контуре ................................................................................................................. 60
Лабораторная работа №21. Изучение вынужденных колебаний в колебатель-
ном контуре ................................................................................................................. 69
Лабораторная работа № 22. Изучение электрических колебаний в связанных
контурах ....................................................................................................................... 80
Библиографический список ......................................................................................... 89
Электромагнетизм
Составители: Федоров Дмитрий Леонидович,

Васильева Людмила Ивановна, Иванова Наталья Александровна,
Денисов Евгений Петрович, Живулин Виктор Александрович,
Старухин Анатолий Николаевич
Редактор Г.М. Звягина

Корректор Л.А. Петрова
Подписано в печать 25.09.2009. Формат бумаги 60х84/16. Бумага документная.
Печать трафаретная. Усл. печ. л. 5,3. Тираж 500 экз. Заказ № 171
Балтийский государственный технический университет
Типография БГТУ
190005, С.-Петербург, 1-я Красноармейская ул., д.1

Язык

4. Электромагнетизм - Ч2

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

4. Электромагнетизм - Ч2

Загружено:

Авторское право:

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ

Лабораторный практикум по физике

Под редакцией Л.И. Васильевой и В.А. Живулина

Практикум содержит описание лабораторных ра-

Р е ц е н з е н т: д-р техн. наук, проф., зав. каф. информационно-

ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Цель работы – изучить поляризацию сегнетоэлектриков в за-

Краткие сведения из теории

Как известно, молекулы диэлектриков по своим электриче-

где q – абсолютная величина суммарного заряда одного знака в

С учетом (14.3) вектор смещения можно представить в виде

где ε = 1 + æ – безразмерная величина, называемая диэлектриче-

С увеличением поля Е смещение D в образце, который перво-

20 40 60 80 100 120 140 160 180 Тº,С

В отсутствие внешнего электрического поля поляризован-

Перестройка доменной структуры, происходящая при нало-

где ωr – потери энергии переменного электрического поля на ди-

и численно равна площади петли гистерезиса в координатах D, E.

Сегнетоэлектрики применяются для изготовления конденса-

ФПЭ-02 – модуль, PV – цифровой вольтметр, PO – осцилло-

От источника питания на схему поступает напряжение сети

где σ – поверхностная плотность заряда на обкладках конден-

На горизонтально отклоняющиеся пластины подается напря-

Это напряжение, как видим, составляет часть полного напря-

Кроме того, из (14.17) следует, что амплитудное значение на-

где S п – площадь петли гистерезиса в координатах х, у; х0, у0 –

Порядок выполнения работы

1. Установить ручку «Peг. U» на панели модуля ФПЭ-02

Задание 1. Определение тангенса угла диэлектрических потерь

1. Получить петлю гистерезиса предельного цикла. Для этого

1. Установить петлю гистерезиса предельного цикла, полу-

Задание 3. Получение основной кривой поляризации

1. Для кривой гистерезиса предельного цикла, полученной в

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОШЕНИЯ ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА

Цель работы – измерить e / m электрона методом магнетрона.

Краткие сведения из теории

На заряженную частицу, движущуюся в магнитном поле, дей-

Магнитная сила, действующая на электрон, не имеет состав-

Константу найдем из начальных условий: при r = rк ( rк – ра-

При некотором значении индукции магнитного поля Bкp , ко-

где U a – потенциал анода относительно катода (анодное напря-

где µ 0 = 4π ⋅ 10 −7 Гн м – магнитная постоянная; n – число витков

Однако некоторая некоаксиальность катода и анода, наличие

5. Для каждого значения анодного напряжения построить

6. Для каждого критического значения тока в соленоиде рас-

ИЗУЧЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ СОЛЕНОИДА

Краткие сведения из теории

где µ 0 = 4π ⋅ 10 −7 Гн м – магнитная постоянная.

Для нахождения результирующей напряженности, создавае-

Возникающая при этом разность потенциалов ∆ϕ x (ЭДС Хол-

Порядок выполнения работы

5. Вычислить значения постоянной Холла Rx для каждого

3. Вычислить индукцию поля В для каждого положения дат-

ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ВЗАИМНОЙ ИНДУКЦИИ

Цель работы – исследовать явление взаимной индукции двух

Краткие сведения из теории

Рассмотрим два контура 1 и 2, расположенные на некотором

Коэффициент пропорциональности М21 называется коэффици-

Формула (17.2) справедлива в отсутствие ферромагнетиков.

PQ – звуковой генератор, РО – электронный осциллограф,

В данной работе изучается коэффициент взаимной индукции

и подается на схему через сопротивление R. Вольтметр, располо-

R >> R12 + L12 ω2 (17.6)

где L1 – индуктивность катушки 1; R1 – ее активное сопротивле-

Для измерения ε 2 используется осциллограф. Амплитуда