Semiconductores: Para estudiar los semiconductores, es til empezar revisando los conductores.

Hay dos perspectivas desde las que se puede analizar la conduccin: En trminos de los parmetros elctricos bsicos (voltaje, resistencia, corriente) En trminos de materiales, tomando as un punto de vista microscpico, en trminos de campo elctrico, densidad de corriente, etc. Las propiedades elctricas de los materiales se pueden expresar en trminos de resistividad o bien de su inverso, la conductividad la cual se expresa en Siemens (o mho/m).

Figura Clasificacion de materiales segn resistividad

1.

Las propiedades de conduccin de un material puro se pueden relacionar directamente con la distribucin de sus electrones, los cuales se ubican dentro de una serie de niveles de energa que stos llenan sistemticamente. Un metal tiene una banda parcialmente llena de niveles de energa, lo que permite que los electrones se muevan libremente entre ellos y, por lo tanto, por todo el material. Un aislante tiene una banda completamente llena y, por lo tanto, una gran separacin energtica antes de la siguiente banda vaca ms baja. Los electrones slo se pueden mover si adquieren la energa necesaria para saltar hasta ese conjunto de niveles vacos. Cuanto mayor es la separacin energtica, ms difcil es que lo consigan y, por lo tanto, mejor es el aislante.

Los semiconductores tienen bandas llenas, como los aislantes pero con una separacin de banda con los niveles vacos ms bajos relativamente pequea. As, algunos electrones pueden alcanzar la energa necesaria para tener movilidad. Por supuesto, la energa media de un electrn es una funcin de temperatura, y por lo tanto la conductividad es una funcin de temperatura. A modo de ejemplo, el cobre es un conductor. S se tiene en cuenta su estructura atmica, como se ve en la figura adjunta. El ncleo o centro del tomo contiene 29 protones (cargas positivas). Cuando un tomo de cobre tiene una carga neutra, 29 electrones (cargas negativas) circulan alrededor del ncleo.

Figura 2.

tomos de cobre

rbitas estables El ncleo positivo en la figura 2 atrae los electrones orbitales. stos no caen hacia el ncleo debido a la fuerza centrfuga (hacia fuera) creada por su movimiento orbital. Cuando un electrn se halla en una rbita estable, la fuerza centrfuga equilibra exactamente la atraccin elctrica ejercida por el ncleo. La fuerza centrfuga es menor en los electrones ms lentos. Los electrones de las rbitas ms alejadas del centro se mueven a menor velocidad que los electrones de las rbitas ms cercanas. Se necesita menos fuerza centrfuga para contrarrestar la atraccin del ncleo. La parte interna del tomo y el electrn libre De la figura 2 se puede concluir que el ncleo y los electrones de rbitas internas son de poco inters en el estudio de la electrnica. Nuestro inters estar puesto en la rbita exterior, tambin llamada rbita de valencia. Es esta la que determina las propiedades elctricas del tomo. Para subrayar la importancia de la rbita exterior, se define la parte interna (core) de un tomo como el ncleo ms todas las rbitas internas. Para un tomo de cobre, la parte interna es el ncleo (+29) y las tres primeras rbitas (-28). La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga resultante de +1, porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. Como el electrn de valencia se

encuentra en una rbita exterior alrededor de la parte interna con una carga resultante de +1, la atraccin que sufre este es muy pequea. Como la atraccin es tan dbil, este electrn recibe el nombre de electrn libre. De lo anterior, se puede concluir que como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte interna, una fuerza externa puede arrancar fcilmente este electrn libre del tomo. A ello se debe que el cobre sea buen conductor. Aun la tensin ms pequea puede hacer que los electrones libres de un conductor de cobre se muevan de un tomo al siguiente. Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un nico electrn de valencia. Aislantes elctricos Los materiales aislantes siempre conducen algo la electricidad, pero presentan una resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5 10 24 veces mayor que la de los buenos conductores elctricos como la plata o el cobre. Los conductores tienen un gran nmero de electrones que pueden transportar la corriente; los buenos aislantes apenas poseen estos electrones. Un aislante tiene una banda completamente llena y, por lo tanto, una gran separacin energtica antes de la siguiente banda vaca ms baja. Los electrones slo se pueden mover si adquieren la energa necesaria para saltar hasta ese conjunto de niveles vacos. Cuanto mayor es la separacin energtica, ms difcil es que lo consigan y, por lo tanto, mejor es el aislante. Semiconductores Los semiconductores tienen bandas llenas como los aislantes, pero con una separacin de banda con los niveles vacos ms bajos relativamente pequea. As, algunos electrones pueden alcanzar la energa necesaria para tener movilidad. La energa media de un electrn es una funcin de temperatura, y por lo tanto la conductividad es una funcin de temperatura.

Figura 3.Estructura de bandas

Las bandas de energa Adems de la ya mencionada banda de valencia, la fsica cuntica explica que los electrones estn distribuidos en diferentes capas y subniveles alrededor del ncleo. Distinguimos: Banda saturada: Es la banda o nivel ms prximo al ncleo. Los electrones de esta banda apenas tienen movilidad.

Banda de valencia: Est ms separada del ncleo y, en ella, los electrones son semilibres. Banda de conduccin: Es la zona ms alejada del ncleo y, en ella, los electrones tienen la suficiente energa para moverse por el cuerpo. Estas bandas estn definidas por su radio, y estan separadas por bandas prohibidas donde los electrones no pueden viajar, aunque tuviesen la energa suficiente. Un material conductor tiene solapadas las bandas de valencia y de conduccin y, en cambio, un material aislante tiene una gran separacin entre ambas bandas. Puede deducirse que en un material semiconductor existe una separacin entre ambas bandas inferior a la de un material aislante. Normalmente, la separacin entre la banda de conduccin y de valencia en un material semiconductor es de 1eV. Para que los electrones realicen el salto de una capa a otra requieren de una aportacin de energa, traducible a un incremento de temperatura. Los semiconductores intrnsecos son aislantes perfectos a la temperatura del cero absoluto (-276 C). En el cero absoluto, la banda de conduccin del semiconductor estar vaca y no podr existir ninguna corriente. A medida que aumente la temperatura, se irn rompiendo enlaces covalentes, y algunos electrones de la banda de valencia pasarn a la conduccin. A la temperatura ambiente (25C), el silicio se comporta como un semiconductor: no es ni buen aislante, ni buen conductor. Enlaces covalentes Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central. De esta forma, el tomo central parece tener 4 electrones adicionales, sumando un total de 8 electrones en su rbita de valencia. En realidad, los electrones dejan de pertenecer a un slo tomo, ya que ahora estn compartidos por tomos adyacentes. En la figura anterior, cada parte interna presenta una carga de +4. Podemos observar la parte interna central y la que est a su derecha. Estas dos partes mantienen el par de electrones entre ellas atrayndolos con fuerzas iguales y opuestas. Este equilibrio entre las fuerzas es el que mantiene unidos a los tomos de silicio. La idea es similar a la del juego de tirar de la cuerda. Mientras los equipos tiren con fuerzas iguales y opuestas, permanecern unidos. Como cada uno de los electrones compartidos en la figura 4 est siendo atrado en direcciones opuestas, el electrn constituye un enlace entre las partes internas opuestas. A este tipo de enlace qumico se el da el nombre de enlace covalente. En un cristal de silicio hay miles de millones de tomos de silicio, cada

uno con 8 electrones de valencia. Estos electrones de valencia son los enlaces covalentes que mantienen unido el cristal, dndole solidez.

Figura 4. Enlaces covalentes El fsforo y otros elementos del grupo V tienen cinco electrones de conduccin y por eso, cuando se aade al silicio como impureza introduce transportadores de electrones. Dichos materiales se conocen como "de tipo n", porque la mayora de los transportadores tienen carga negativa (un electrn). Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb); al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

Figura 5.

Energia necesaria para liberar un electron con dopaje pentavalente

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la

energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir:n > ni = pi > p, tal que: np = ni Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

Figura 6.

Liberacion de electron con para dopado trivalente

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. El boro y otros elementos del grupo III tienen slo electrones de valencia 3 y por ello, cuando se aaden al silicio introducen huecos (ausencia de electrn) transportadores. Estos elementos se llaman "de tipo p" porque el tipo de transportador efectivo parece estar cargado positivamente. Es importante reconocer que, aunque las impurezas aaden portadores y por lo tanto varan de manera significativa la conductividad del material compuesto, no cambian la carga. Los dopantes se aaden como neutros y el material general permanece elctricamente neutro.

Del mismo modo que un buen conductor (como, por ejemplo, el cobre) tambin es neutro. Desde el punto de vista de la fsica del estado slido, el efecto del dopaje consiste en introducir niveles de energa en la banda prohibida entre la banda de valencia llena del silicio y la banda de conduccin del nivel ms alto. Estos niveles donadores o aceptadores reducen de manera efectiva la banda prohibida y facilitan la conduccin. El trmino donador se debe a que en los materiales de tipo n cada tomo dopante dona un electrn. Del mismo modo, aceptador proviene del hecho de que en los materiales de tipo p cada tomo dopante acepta un electrn (o es un hueco). SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por excitacin trmica. Al principio la conduccin es bastante baja para el silicio puro. No es cero, por lo comn se puede pensar en l como un conjunto de tomos con enlaces covalentes. Adems, se puede purificar mucho, para que cualquier impureza que se le aada intencionadamente pueda dominar fcilmente efectos no intencionados. Por ltimo, aunque el silicio puro es mal conductor, el dixido de silicio (cristal) es un excelente aislante. Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por esto se los contamina para darles alguna propiedad especial, como alterar la probalilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear centros de recombinacin, y otros. Estrucura atmica del silicio y del germanio El tomo, como hemos visto antes, est constituido por un ncleo rodeado de electrones. El ncleo atrae a los electrones, pues tiene una carga positiva, pero, gracias a la fuerza centrfuga, el electrn se mueve en una rbita estable. Basndonos en la teora de Bohr y Sommerfeld sobre la estructura atmica, analizaremos la distribucin de protones, electrones y neutrones en los tomos del silicio y del germanio. El germanio El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura 2 se muestra un tomo de germanio. En el centro se halla un ncleo con 32 protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera rbita, 8 en la

segunda y 18 en la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita exterior o de valencia.

Figura 7. tomo de germanio

Figura 7.1. tomo de silicio

El silicio El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura 7.1, la primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la rbita exterior. En la figura 7.1, el ncleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del tomo de silicio. Esta parte interna tiene una carga resultante de +4 debido a los 14 protones en el ncleo y los 10 electrones de las dos primeras rbitas. Obsrvese que hay 4 electrones en la rbita exterior o de valencia; por este motivo, el silicio es un semiconductor. Cristales de silicio Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los tomos de silicio vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se muestra en la figura 4. Cuando un tomo posee 8 electrones en su rbita de valencia, como se aprecia aqu, se vuelve qumicamente estable. Los crculos sobreados representan las partes internas del silicio. Aunque el tomo central tena originalmente 4 elctrones en su rbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa rbita. Comportamiento elctrico El ncleo atrae a los electrones, por tanto para que un electrn vaya de una rbita pequea a una ms grande debe efectuar un trabajo para no ser atrado por el ncleo. As, los electrones ms alejados del ncleo poseern ms energa potencial. Cuando un electrn salta de la banda de valencia a la de conduccin, se libera del enlace covalente y se convierte en un portador de carga; as facilita la conduccin de la corriente.

El electrn que salta deja un hueco (carga positiva), que ser rellenado por un electrn que pertenezca a un tomo prximo. Ese hueco ser rellenado por otro electrn y as sucesivamente.

Flujo de electrones libres La figura 8 muestra parte de un cristal de silicio entre dos placas metlicas cargadas. Supngase que la energa trmica ha producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en una rbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a la placa cargada negativamente, el electrn libre es repelido hacia la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva.

Figura 8. Flujo de huecos Flujo de huecos Obsrvese el hueco a la izquierda de la figura 8. Este hueco atrae al electrn de valencia del punto A, lo que provoca que el electrn de valencia se mueva hacia el hueco. Esta accin no es la misma que la recombinacin, en la cual un electrn libre, cae en un hueco. En vez de un electrn libre se tiene un electrn de valencia movindose hacia un hueco. Cuando el electrn de valencia en el punto A se mueve hacia la izquierda, crea un nuevo hueco en el punto A. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco en el punto A puede atraer y capturar otro electrn de valencia. De esta forma los electrones de valencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria A-B-C-D-E-F. Dos tipos de flujo La figura 8.1 muestra un semiconductor intrnseco. Obsrvese que tiene el mismo nmero de electrones libres que de huecos. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares. La tensin aplicada forzar a los electrones libres a circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal, entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batera. Por otra parte, los electrones libres en el terminal negativo de la batera fluirn hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran en el cristal y se

recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del cristal. As, se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

Figura 8.1. Semiconductor intrnseco

En la figura 8.1, los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas. A partir de ahora concebiremos la corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos tipos de flujo: el de los electrones libres en una direccin y el de los huecos en direccin opuesta. Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominacin comn de portadores debido a que transportan la carga elctrica de un lugar a otro. Dopado de un semiconductor: Semiconductores extrnsecos Como ya se dijo, una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se aadan tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco. Aumento del nmero de electrones libres A continuacin comentaremos el proceso de dopado de un cristal de silicio. El primer paso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y cambiar el estado del silicio de slido. Con el fin de aumentar el nmero de electrones libres, se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido. Los tomos pentavalentes tienen 5 electrones en la rbita de valencia. El arsnico, antimonio y el fsforo son ejemplos de tomos pentavalentes. Como estos materiales donarn un electrn extra al cristal de silicio se les conoce como impurezas donadoras. La figura 9.1 muestra cmo queda el cristal de silicio despus de enfriarse y volver a tomar su estructura de cristal slido. En el centro se halla un tomo pentavalente rodeado por cuatro tomos de silicio. Como antes, los tomos vecinos comparten un electrn con el tomo con el tomo central. Pero en este caso queda un electrn adicional. Recurdese que cada tomo pentavalente tiene 5 electrones de valencia. Como nicamente pueden situarse 8 electrones en la rbita de valencia, el electrn adicional queda en una rbita mayor. En otras palabras, se trata de un electrn libre. Cada tomo pentavalente, o donador, en un cristal de silicio produce un electrn libre.Un fabricante controla as la conductividad de un semiconductor dopado. Cuantas ms impurezas se aadan, mayor ser la conductividad. As, un semiconductor se puede dopar ligera o fuertemente. Un semiconductor dopado

ligeramente tiene una gran resistencia elctrica y uno fuertemente dopado tiene resistencia pequea.

Figura 9.1. Incremento del nmero de electrones

Aumento del nmero de huecos Para dopar un cristal de silicio y obtener un exceso de huecos debemos utilizar una impureza trivalente; es decir, una impureza cuyos tomos tengan slo 3 electrones de valencia, como, por ejemplo, el aluminio, el boro o el galio. La figura 9.2 muestra un tomo trivalente en el centro. Est rodeado por cuatro tomos de silicio, cada uno compartiendo uno de sus electrones de valencia. Como el tomo trivalente tena al principio slo 3 electrones de valencia y comparte un electrn con cada uno de sus vecinos, hay slo 7 electrones en la rbita de valencia. Esto significa que hay un hueco en la rbita de valencia de cada tomo trivalente. Un tomo trivalente se denomina tambin tomo aceptor, porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin. Por recombinacin se entiende la unin de un electrn libre y un hueco.

Figura 9.2. Incremento del nmero de huecos Semiconductor tipo n El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Los electrones libres mostrados en la figura 6.1 circulan hacia el extremo izquierdo, donde entran al conductor y fluyen hacia el terminal positivo de la batera. Adems de los electrones libres, algn electrn de valencia abandona ocasionalmente el extremo izquierdo del cristal. La salida de este electrn de valencia crea un hueco en el extremo izquierdo de cristal.

Figura 10.1. Semiconductor

tipo n

Semiconductor tipo p El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. La Figura 10.2 representa un semiconductor tipo p. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la Figura 6.2, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el diagrama de la Figura 6.2 hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

Figura 10.2. Semiconductor tipo p

Unin PN Si se produce un cristal que tenga una mitad de tipo p y la otra de tipo n, conseguiremos una unin donde se encuentran las regiones p y n. Recordemos que el lado p tiene un exceso de huecos, mientras que el lado n tiene muchos electrones libres. En el lado n existir una repulsin entre todos los

electrones, que har que se difundan en todas las direcciones. Si un electrn libre abandona esta region n, dejar un ion positivo (tomo cargado positivamente) en la regin n. Cuando el electrn entre la zona p, encontrar muchos huecos y rpidamente caer en uno de ellos. En este momento desaparecer el hueco y aparecer un ion negativo (tomo cargado negativamente). Vemos que en este proceso se genera un par de iones. Los iones quedan fijos en la estructura covalente del crsital y no pueden moverse. Llega el momento que los pares de iones son cada vez ms numerosos e impiden que haya movimiento entre los electrones libres y huecos. La regin cerca de la unin que se agota de electrones libres y huecos recibe el nombre de barrera de potencial. Tenemos as una carga positiva en la regin n y una negativa en la regin de tipo p. Recibe el nombre de barrera, porque en ausencia de polarizacin repele los electrones de la regin n y los huecos de la region p, manteniendo a ambos alejados de la unin como se puede observar en la figura 11.

Figura 11. Unin pn Polarizacin de una unin pn. Veamos ahora qu sucede cuando a una unin pn se le conecta una fuente de alimentacin electrica. Dependiendo del sentido de la polarizacin se tiene: Polarizacin directa de la unin pn: Se obtiene conectando el terminal positivo al semiconductor tipo p y el negativo al semiconductor tipo n. Cuando la tensin de la fuente aumenta a partir de cero, un gran nmero de electrones es empujado hacia la unin. Este hecho consigue disminuir la barrera de potencial, reducindose tanto ms cuanto mayor sea la tensin aplicada. Ello consigue que a travs de la unin aparezca una corriente que aumenta rpidamente, aunque los incrementos de tensin sean pequeos. En la figura 12.1 puede apreciarse que el flujo de electrones se mantiene gracias a la fuente y que circula con el sentido elctrico real, que es el contrario al convencional indicado por I.

Esta corriente puede llegar a fundirse. Para evitarlo, habr que conectar una resistencia limitadora en serie y controlar la tensin aplicada.

Figura 12.1. Unin pn polarizada en directo

Polarizacin inversa de la unin pn: Esta polarizacin se conseguir cuando se inviertan los polos de la fuente en la Figura 12.1. Los electrones de la regin n se alejarn de la zona de unin hacia el polo positivo, por su parte, los huecos de la regin p se alejarn dirigindose al polo negativo de la pila. Los electrones que se han alejado dejarn iones positivos a la unin, mientras que los huecos dejan ms iones negativos. Como consecuencia, la barrera de potencial se ensanchar, a medida que aumente la tensin de la fuente. La barrera impedir la circulacin de electrones y huecos a partir de la unin. No obstante, la energa trmica crea un nmero limitado de electrones libres y huecos a cada lado de la unin, que har que exista una pequesima corriente, que recibe el nombre de corriente de saturacin. Si se aumenta el voltaje inverso sobrepasando el denominado voltaje de ruptura, el diodo puede conducir intensamente. El electrn es atrado al polo positivo de la fuente y, a medida que aumenta la tensin, el electrn gana velocidad a la vez que gana energa. Si la energa es la suficiente, puede llegar a desprender un electrn de valencia, con lo que habr dos electrones libres. Este proceso har aumentar el nmero de electrones libres y producir una avalancha, y aumentar excesivamente la conduccin, existiendo el peligro de destruccin por una elevada disipacin de potencia. A modo de conclusin, podemos decir que una unin pn acta como un buen conductor cuando se polariza en directo y como un buen aislante cuando se polariza inversamente. La unin pn y la luz

Cuando a una unin pn se le aplica energa luminosa, se produce un incremento de los pares electrn-hueco. Esto hace que el comportamiento sea diferente al hasta aqu explicado. Las aplicaciones que nos interesan son cuando la unin pn se polariza en inverso y en ausencia de polarizacin. Polarizacin inversa. Tambin existe una corriente inversa, pero su valor es proporcional a la intensidad luminosa que se recibe, y casi independiente de las variaciones de tensin que se apliquen. Ausencia de polarizacin. Sin aplicar ninguna polarizacin, esto es, sin alimentar mediante generador el semiconductor, conseguimos, al incidir energa luminosa, la aparicin de una tensin entre los terminales de una unin pn. Es decir, conseguimos transformar, mediante la unin pn, energa luminosa en elctrica a travs de una carga (resistencia). En esta propiedad se basa la fabricacin de clulas solares. EL DIODO El diodo (Figura 13) es el dispositivo ms sencillo construido con una unin pn. Tiene dos terminales, uno conectado a la unin p y otro conectado a la unin n, y un encapsulado que lo protege. Su comportamiento es idntico al de una unin pn.

Figura 13. Diodos. a) Estructura. b) Smbolo. c) Encapsulados. Smbolo elctrico Algunos dispositivos electrnicos son lineales; es decir, su corriente es directamente proporcional a su tensin. Un diodo es diferente. Debido a la barrera de potencial existente, no se comporta como lo hace una resistencia. Como se ver, la representacin de la corriente en funcin de la tensin para un diodo es una curva y, por tanto, no es lineal. La figura 13 muestra el smbolo elctrico de un diodo rectificador. El lado p se llama nodo y el lado n es el ctodo. El smbolo del diodo es una flecha que apunta del lado p al lado n, del nodo al ctodo. Por ello, la flecha del diodo recuerda que la corriente convencional circula con facilidad del lado p al lado n. Si se trabaja con el flujo de electrones, hay que tener en cuenta que stos fluyen en direccin opuesta a la de la flecha del diodo. Curva caracterstica

En la figura 14 se muestra uno de los circuitos ms sencillos con diodos. Esto nos permiti obtener valores de V e I con los que posteriormente dibujamos la grfica.

Figura 14. Polarizacin directa La expresin entre la corriente que circula por el diodo I y la tensin directa aplicada a ste Vd esta dada por la expresin:

I = I o (e

Vd ) VT

1)

Donde VT es una constante que varia con la temperatura y que para 300o K es de VT=0,0259 V Io es la corriente que circula con polarizacin inversa. La zona directa

Figura 15. Curva del diodo

Tensin umbral La figura 15 muestra la curva para un diodo de silicio con polarizacin directa. La grfica nos indica, en primer lugar, que la corriente es pequea para las primeras dcimas de voltio. A medida que nos acercamos a 0,7 V, los electrones libres comienzan a cruzar la unin en grandes cantidades. Para tensiones mayores de 0,7 V, el menor incremento en la tensin del diodo produce un gran aumento en la corriente. La tensin para la que la corriente empieza a aumentar rpidamente se llama tensin umbral del diodo.

Para un diodo de silicio, la tensin umbral puede aproximarse a la barrera de potencial, aproximadamente 0,7 V. Un diodo de germanio, por otra parte, tiene una tensin umbral de aproximadamente 0,3 V. Resistencia interna Para tensiones mayores que la tensin umbral, la corriente del diodo aumenta rpidamente. Esto quiere decir que aumentos pequeos en la tensin del diodo originarn grandes aumentos en su corriente. La causa es la siguiente: despus de superada la barrera de potencial, lo nico que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n. A la suma de estas resistencias se le llama resistencia interna del diodo. Es decir,

rB = rP + rN
El valor de la resistencia interna depende del nivel de dopado y del tamao de las zonas p y n. Normalmente, la resistencia interna de los diodos rectificadores es menor de 1 .

Mxima corriente directa Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo lo destruir. Basta acercarse al valor del calor mximo, aun cuando no se alcance, para acortar la vida del diodo y degradar otras propiedades. Por esta razn, la hoja de caractersticas que proporcionan los fabricantes especifica la corriente mxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus propiedades. La corriente mxima con polarizacin directa es una de las limitaciones dadas en una hoja de caractersticas. Esta corriente puede aparecer como IF(mx), IO, etc; dependiendo del fabricante. Por ejemplo un 1N456 tiene una corriente mxima de 135 mA. Este dato significa que puede conducir con seguridad una corriente continua con polarizacin directa igual a 135 mA.

Figura Ficha tcnica de un diodo tipico Resistencia para limitacin de corriente

16.

En la figura 14, la resistencia que aparece se conoce como resistencia limitadora de corriente. Cuanto mayor sea la resistencia, menor ser la corriente en el diodo. Como mnimo, la resistencia de limitacin de corriente tiene que mantener la corriente del diodo menor que la mxima corriente. La corriente por el diodo viene dada por VS - VD I= R Donde VS es la tensin de la fuente y VD es la tensin en el diodo.

La zona inversa Cuando un diodo se polariza en inverso, fluye una pequea corriente de fugas. Midiendo la tensin y la corriente del diodo puede trazarse la curva para la polarizacin inversa; ser ms o menos como la zona inversa de la figura 15. La corriente del diodo es muy pequea para todas las tensiones inversas menores que la tensin de ruptura o avalancha. En la ruptura la corriente aumenta rpidamente con pequeos incrementos de tensin. La figura 15 indica el valor de la corriente por el diodo en funcin de la tensin en sus terminales.

El diodo ideal Como hemos visto, un diodo rectificador conduce en la zona directa y no conduce en la zona inversa. En teora, un diodo rectificador se comporta como un conductor perfecto (resistencia cero) cuando tiene polarizacin directa, y lo hace como un aislante perfecto (resistencia infinita) cuando tiene polarizacin inversa. En la figura 17 se ofrece la grfica corriente-tensin de un diodo ideal. Refleja lo que se acaba de decir: resistencia cero con polarizacin directa y resistencia infinita con polarizacin inversa. A decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas caractersticas, pero es lo que los fabricantes haran si pudiesen. Slo existe un dispositivo real que acte como un diodo ideal. Se trata de un interruptor ya que ste tiene resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un diodo ideal acta como un interruptor que se cierra al tener polarizacin directa y se abre con polarizacin inversa. En la figura 17 se resume esta idea del interruptor.

Figura 17. Curva, funcionamiento y ejemplo de un diodo ideal La figura 18 contiene el grfico de la corriente en funcin de la tensin para una segunda aproximacin o circuito equivalente. Se puede ver que no hay corriente hasta que aparecen 0,7 V en el diodo. En este punto el diodo se activa. De ah en adelante slo aparecern 0,7 V en el diodo, independientemente del valor de la corriente. En el circuito equivalente, el diodo se representa por un interruptor en serie con una fuente de tensin de 0,7 V. Si la tensin de la fuente es por lo menos de 0,7 V, el interruptor cerrar. En ese caso, la tensin en el dispositivo ser de 0,7 V para cualquier valor de la corriente con polarizacin directa. Por otra parte, si la tensin de la fuente es menor de 0,7 V o si la tensin de la fuente es negativa (polaridad invertida), el interruptor se abre. Entonces la barrera de potencial no tiene ningn efecto y el diodo puede considerarse como un interruptor abierto.

Figura 18. Curva, comportamiento y ejemplo de circuito de la segunda aproximacin Una tercera representacion de un diodo incluye la resistencia interna r B. La figura 19 muestra el efecto que rB tiene sobre la curva del diodo. Despus de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensin aumenta lineal o proporcionalmente con los aumentos de la corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensin, al tener que incluirse la cada de tensin de rB a la tensin total del diodo. El circuito equivalente para la tercera aproximacin es un interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7 V y una resistencia rB. Cuando la tensin aplicada es mayor que 0, 7 V, el diodo conduce. La tensin total en el diodo es igual a VD = 0,7 + ID RB

Figura 19. Curva, aproximacin

circuito

equivalente

ejemplo

de

para

la

tercera