Introduccion A EMC IE 0809

Compatibilidad Electromagntica
2008-2009
Instrumentacin Electrnica
Compatibilidad electromagntica
Interferencias Electromagnticas en Sistemas Electrnicos BALCELLS F. , 1992, Marcombo. SEBASTIAN, JOS LUIS. Fundamentos de compatibilidad electromagntica. Ed. Addison-Wesley. 1999.
I t Instrumentacin El t i " M.A. Prez, J C Alvarez, J.C. Campo, F. J. t i Electrnica". M A P J.C. Al JC C F J Ferrero, G.J. Grillo. Thomson "Interferencias electromagnticas en sistemas electrnicos"Ramn Palls. Marcombo "Engineering Electromagnetic Compatibility : Principles, Measurements, Technologies, and Computer Models". Kodali, W. P. Wiley-IEEE Press Fundamentos de Compatibilidad Electromagntica., J.L.SEBASTIAN. , 1999., Addison-Wesley.,I Interferencias Electromagnticas en Sistemas Electrnicos BALCELLS F., , Electrnicos., F 1992, Marcombo. http://ewh.ieee.org/soc/emcs/
La documentacin de esta presentacin est extrada del curso de doctorado impartido por Jos Luis Aparicio Marzo, Profesor Titular de la Divisin de Ingeniera Electrnica de la Escuela Superior de Ingenieros Industriales de la Universidad Politcnica de Madrid
2008-2009 Instrumentacin Electrnica
1.1
Esquema bsico en EMC

Fuente de RUIDO MEDIO DE ACOPLAMIENTO RECEPTOR
MINIMIZAR Eleccin adecuada de componentes Eleccin y disposicin de las topologas de los circuitos Proteccin de contactos
MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE R d MASA
INSENSIBILIZAR FILTRADO APANTALLAMIENTO
TCNICAS BSICAS PARA PREVENIR EMI

Introduccin a EMC
2008-2009
1.2
Conceptos bsicos
DEFINICIN: (segn la normativa internacional recogida en el Informe Tcnico de la Comisin Electrotcnica Internacional 61000-1-1) : "la capacidad de cualquier aparato, equipo o sistema para funcionar de forma satisfactoria en su entorno electromagntico sin provocar perturbaciones electromagnticas l t ti i t b i l t ti sobre cualquier cosa de ese entorno". La compatibilidad electromagntica debe ocuparse de dos problemas diferentes, que dan lugar a dos ramas de la misma: Inmunidad o Susceptibilidad Electromagntica: Ese aparato, equipo o sistema debe ser capaz de operar adecuadamente en ese entorno sin ser interferido por otros EMI: No debe ser fuente de interferencias que afecten a otros equipos de ese entorno (emisiones electromagnticas).
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Conceptos bsicos
EMI EMS EMC
Electromagnetic Interference Electromagnetic S El i Susceptibility ibili Electromagnetic Compatibility
Conceptualmente EMC = EMI + EMS
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1.3
Conceptos bsicos
EMI
EMS
Fuente de Interferencia
Acoplamiento
Repector (Vctima)
Equipos elctricos Fuentes naturales
Cables Aire
Equipos elctricos
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Conceptos bsicos
EMI Electromagnetic Inteference
Las interferencias provocadas por un equipo, (radiadas o conducidas), pueden causar el mal funcionamiento de otros
EMI debe ser minimizado Las Normativas marcan los mximos niveles de interferencia permitidos
1.4
Conceptos bsicos
EMS Electromagnetic Susceptibility
Un equipo debe ser capaz de trabajar correctamente, ante perturbaciones provocadas por otros
EMS debe ser minimizada. (Maximizada la INMUNIDAD) Las Normativas marcan los niveles mnimos de interferencias bajo las cuales los equipos deben trabajar correctamente, incluso si son provocadas por ellos mismos
Conceptos bsicos
EMC : Electromagnetic Compatibility
Un equipo debe ser capaz de trabajar bajo interferencias (EMS), al mismo tiempo que no debe producirlas (EMI)
Ms vale prevenir que curar !! Los aspectos de Compatibilidad Electromagntica (EMC) deben tenerse en cuenta en el diseo de los equipos
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10
1.5
Conceptos bsicos
EMC debe considerarse desde los primeros pasos de un diseo
Diseo Elctrico
Rediseo
Simulacin
Diseo del LayLay-out

Rediseo con EMI
Medidas & Validacin
Modelado con ode ado co componentes
Prototipo
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Diseo Filtros EMI
Identificar fuentes de EMI

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MINIMIZAR Eleccin adecuada de componentes Eleccin y disposicin de las topologas de los circuitos Proteccin de contactos
MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE R d MASA

12
1.6

Fuentes de ruido
Ruido intrnseco (resistencias y semiconductores) Ruido extrnseco Perturbaciones naturales (EDS, descargas atmosfricas) Efecto no deseado del ruido. Cuando el ruido provoca un mal funcionamiento de un equipo, el ruido es interferencia El ruido NO PUEDE ELIMINARSE, slo puede REDUCIRSE
Interferencia Concepto bsico
Tcnicas bsicas de diseo en EMC

Minimizar las FUENTES DE RUIDO Minimizar los MEDIOS DE ACOPLAMIENTO Maximizar la INMUNIDAD DE EQUIPOS
13

Las soluciones para EMI no son nicas e incluso pueden ser CONTRADICTORIAS EMI no se caracteriza en el dominio del TIEMPO, sino en el de la FRECUENCIA Clasificacin de EMI en funcin de la frecuencia:
Perturbaciones de Baja Frecuencia < 10 kH: Bsicamente ruido conducido Perturbaciones en la Banda 10 kHz < f < 150 kH:Ruido conducido y radiado Perturbaciones en la Banda 150 kHz < f < 30 MHz:Ruido conducido y radiado Perturbaciones en la Banda 30 MHz < f < 300 MHz:Ruido radiado Perturbaciones en la Banda 300 MHz < f < 18 GHz:Ruido radiado
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1.7
Ensayos Condiciones d ensayo C di i de Instrumentacin de ensayo
Ensayos y normativa en EMC

Resultados de ensayo Margen de Frecuencias Niveles de Perturbacin (dB)
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Aproximaciones utilizadas en EMC

Todos los campos elctricos estn confinados en el interior de condensadores. O sea, un CAMPO ELCTRICO provoca ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
1
GRAN TENSIN
1 C12
CIRCUITO FSICO
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CIRCUITO ELCTRICO
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1.8

Todos los campos magnticos estn confinados en el interior de bobinas. o sea, un CAMPO MAGNTICO provoca ACOPLAMIENTO INDUCTIVO
Conductor con ALTA CORRIENTE
M12
1 1 2 2
CIRCUITO FSICO
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CIRCUITO ELCTRICO
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Las dimensiones de los circuitos son pequeas comparadas con la longitud de onda de la seal de ruido considerada. O sea, los circuitos y conductores NO SE COMPORTAN COMO LNEAS DE TRANSMISIN
Longitud de onda Velocidad luz 1/T = frecuencia
c f
= cT
Seal 1MHz = 300m Seal 300MHz = 1m
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1.9
Fuente de ruido
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MINIMIZAR Eleccin adecuada de componentes Eleccin y disposicin de las topologas de los p g circuitos Proteccin de contactos
MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE MASA
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1.10
Componentes
Los componentes elctricos reales cambian sus caractersticas con la frecuencia. Hay que elegirlos apropiadamente. Los componentes reales son: RESISTENCIAS CONDENSADORES BOBINAS CONDUCTORES, etc Presentan en la prctica comportamientos no ideales que pueden provocar mal funcionamiento del circuito donde estn trabajando e incluso PUEDEN COMPORTARSE COMO GENERADORES DE RUIDO RADIADO
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Componentes ideales
Resistencia
VARIABLES ELCTRICAS V=iR Los valores pueden cambiar instantneamente Respuesta en frecuencia
R
ENERGA Y POTENCIA
P = Vi =
V2 2 = i R R
Transforma energa elctrica en calor
R log f
0
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Rgimen senoidal permanente Pequea seal. Comportamiento lineal
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1.11
Componentes ideales
Bobina (Inductancia)
VARIABLES ELCTRICAS
L
ENERGA Y POTENCIA
di V =L dt
La intensidad no puede cambiar instantneamente Un cambio brusco de i requiere una v muy alta
1 E = Li2 2
Almacena energa elctrica en forma de flujo magntico La energa no puede cambiar instantneamente
Respuesta en frecuencia
Z
90
|jL|
Rgimen senoidal permanente (sin conds iniciales) Pequea seal. Comportamiento lineal
log f Pendiente: 20 dB/dec

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Componentes ideales
Condensador (Capacidad)
VARIABLES ELCTRICAS
C
ENERGA Y POTENCIA
La tensin no puede cambiar instantneamente Un cambio brusco de v requiere una i muy alta
dV i=C dt
Almacena energa elctrica en forma de campo elctrico La energa no puede cambiar instantneamente
1 E = CV 2 2
Respuesta en frecuencia
Pendiente: -20 dB/dec 1/| 1/|jC| log f

Rgimen senoidal permanente (sin conds iniciales) Pequea seal. Comportamiento lineal
-90
24
1.12
Resistencias reales
Circuito equivalente ms usual C
R
Resistivo Capacitivo Ind cti o Resisti o C Inductivo iti
Resistencias de carbn o metlicas

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Resistencias reales
Circuito equivalente de resistencias bobinadas (potencia)
R
Resistivo Inductivo C Capacitivo iti
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1.13
Consideraciones prcticas
RESISTENCIAS DE BAJA POTENCIA (1/8W1/2W) No presentan serios problemas pues su frecuencia de resonancia es muy alta normalmente (>100MHz) Si hemos de elegir un buen tipo, stos son los de PELCULA METLICA FINA RESISTENCIA DE POTENCIA Pueden presentar serios problemas, pues su frecuencia de resonancia es baja (100Hz 1kHz). Los mejores tipos son las C CEMENTADAS S HUIR!! en lo posible de las BOBINADAS
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Condensadores reales
Circuito equivalente ms usual
Capac t o Capacitivo
Inductivo
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1.14
Condensadores reales. Tipos y utilizacin

BAJA F BAJA F
TNTALO ELECTROLTICO PAPER K-CERAMIC MICAMICA-CERMICO MYLAR POLIESTIRENO
0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 103 104
MEDIA F
ALTA F
Tntalo
Mucha R Gran relacin capacidad/volumen
Electroltico AL
E generall mejor que llos d Tntalo En j de T t l Cuidado con la INDUCTANCIA
MEDIA F
Paper & Mylar
Fabricados hasta algn F Buenas prestaciones
K-Ceramic
Gran relacin capacidad/volumen
kHz
MHz
ALTA F
Mica y Poca R y L Cermicos Estables con el tiempo y la tensin Poliestireno

Bajsima R y L Los mejores para Instrumentacin Electrnica alta frecuencia
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Bobinas reales
Circuito equivalente ms usual C
R
Inductivo Capacitivo
Orden de magnitud para fr

Bobinas con ncleo de aire GHz Bobinas con ncleo de ferrita 10MHz Bobinas con ncleo de hierro 100kHz
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1.15
Bobinas reales. Bobinas y EMC

Las bobinas con NCLEO DE AIRE o con NCLEO MAGNTICO ABIERTO causan MS INTERFERENCIAS pues sus flujos se exitenden a mayor distancia que las de ncleo magntico cerrado. Las bobinas con NCLEO MAGNTICO CERRADO son las MS SUSCEPTIBLES de captar ruido externo. Le siguen las de ncleo magntico cerrado y las de ncleo de aire
+
GENERADOR Ncleo aire Ncleo Mag. Abierto Ncleo Mag. Cerrado
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VCTIMA Ncleo Mag. Cerrado Mag Ncleo Mag. Abierto Ncleo aire
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Conductores reales
Los conductores reales presentan, en general, una impedancia compleja de carcter INDUCTIVO L: Efecto del campo magntico creado por el Z = R + jL conductor en otros conductores y circuitos
d
L=
4h ln H / m d
h >1,5d
L=
I
D ln H / m d
I D
2D L = ln H /m d
En todas las expresiones puede tomarse aproximadamente o = 4 10-7 Hm-1
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1.16
Componentes
Los componentes elctricos reales cambian sus caractersticas con la frecuencia. Hay que elegir apropiadamente los componetes Condensadores Electrolticos Nunca se usan para desacoplar ya que su resistencia serie, que AUMENTA con LA FRECUENCIA, es alta e influye en el rizado Utilizacin a BAJAS FRECUENCIAS Condensadores de mica, cermicos o poliester Muy baja inductancia y resistencia serie Utilizacin como condensadores de desacoplo para circuitos impresos y en snubber para evitar resonancias Los elementos magnticos emplean generalmente nucleos magnticos (ms inductancia y confinan mejor las lneas de campo)
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Componentes
Patas de los componentes Acortarlas para evitar efectos de resonancia con otros condensadores parsitos j p (Componentes de p Utilizar tcnicas de montaje superficial ( menor tamao: el rea total de los bucles se reducen , se reduce el acoplamiento parsito) TRANSFORMADOR Un trafo bien diseado reduce drsticament los problemas de EMI A alta frecuencia pierde aislamiento galvnico debido a las capacidades parsitas Inductancias de dispersin no son despreciables a alta frecuencia La inductancia de dispersin asi como la inductancia equivalente del lay-out provoca sobreoscilaciones en los elementos conmutadores del circuito
34
1.17
Componentes
TRANSFORMADOR Material adecuado: evitar saturaciones y por lo tanto picos de corriente Devanado (inductancia de dispersin y efectos de sobretensin) Si se requiere entrehierro: El flujo disperso es inevitable Utilizar un anillo de material altamente permeable (hierro), rodeando las caras del trafo para confinar el campo magntico
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Ruido intrnseco
Concepto Caracterizacin del ruido intrnseco Clculo de los generadores de ruido Ti Tipos f d fundamentales d ruido i t t l de id intrnseco Ruido en resistencias Ruido en transistores bipolares Ruido en transistores FET Comparacin entre bipolares y FET Amplificadores operacionales Reglas de diseo para minimizar ruido intrnseco
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1.18
Concepto
Seal aleatoria de causas diversas producida en RESISTENCIAS y SEMICONDUCTORES
Aleatoria Al t i en AMPLITUD Aleatoria en FRECUENCIA
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Caracterizacin del ruido intrnseco

Generador RUIDO (UUT)
Fcil medir POTENCIA
Amplificador selectivo B=1Hz Resistencia de carga normalizada
Se puede medir fcilmente la POTENCIA DE RUIDO POR UNIDAD DE ANCHO DE BANDA a cualquier frecuencia
POTENCIA RUIDO/Hz = k V2 / Hz = k I2 / Hz
W
Normalmente se trabaja con la DENSIDAD ESPECTRAL
TENSIN v V Hz A Hz
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f
f1 f2 f3 f4 f5 f6 f7
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CORRIENTE I
1.19
Tipos fundamentales de ruido intrnseco

RUIDO BLANCO THERMAL NOISE JOHNSON NOISE Producido fundamentalmente en RESISTENCIAS por agitacin TRMICA de los portadores de carga. Tiene densidad espectral plana. RUIDO DE FLUCTUACIN SHOT NOISE Producido por movimientos aleatorios de los portadores de carga en SEMICONDUCTORES ATRAVESADOS POR UNA CORRIENTE CONTINUA. Se presenta como FUENTE DE CORRIENTE (Idc) con densidad espectral plana RUIDO ROSA 1/F NOISE CONTACT NOISE Producido por variacin de resistencia sobre todo en las UNIONES METAL-SEMICONDUCTOR y METAL-METAL. METAL SEMICONDUCTOR METAL METAL Tiene densidad espectral de la forma k/f PORCORN NOISE BURST NOISE Producido por defectos en los procesos de fabricacin debidos a impurezas metlicas en semiconductores. Tiene densidad espectral de la forma k / f n
2qI dc
f
k f
f
k fn
f
39
Ruido en resistencias
un ~
= 4kTR
un = 4kTRB
f1 B = f1 - f2
f2
V/ Hz
VRMS
A temperatura ambiente
un = 0,13 RB VRMS
k = 1.3810-23 J/K
(Constante de Boltzman)
40
1.20
Ruido en resistencias
Valores tpicos
Ancho banda B
R
1kHz
10kHz
100kHz
100 1k 10k 100k 1M
0,04V 0,127V 0,422V 1,272V 1 272V 4,022V
0,127V 0,422V 1,272V 4,022V 4 022V
0,422V 1,272V 4,022V 12,717V 12 717V
12,717V 40,216V
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Ruido en transistores bipolares

Ic
v = kT 2 V/ Hz qIc 2qIc A/ Hz hFE
Fuente de seal
Rs
un ~ in
i = kT
~ us
Polarizacin ptima:
q = 1.610-19 C
(Carga del electrn)
kT hFE Icopt = q Rs + rbb'

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rbb' 100 300
(Resistencia fsica de base)

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1.21
Ruido en transistores FET
Fuente de seal
Rs
un ~
v =
~ us
4kT V/ Hz gm
gm
Transconductancia
3/2
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Comparacin entre transistores bipolares y FET
RUIDO
FET Bipolar
FET
Rs
600
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6k
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1.22
Amplificadores operacionales
~ un in _ + f ESTRUCTURA NO INVERSORA
R2 R1 _ +
Ganancia seal Ganancia ruido
Ao = 1+ R2 R1
k f
ESTRUCTURA INVERSORA
R2 R1
_ +
Ganancia seal Ao = R2 R1 Ganancia ruido A = 1+ R2 n R1
An = 1+
R2 R1
Ao < An
A0 = An
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Reglas de diseo para minimizar ruido intrnseco Circuitos de baja seal: seal:
Disear con valores de resistencia R lo ms bajo posible, limitado por las impedancias mnimas adminisibles y consumos moderados. Hacer trabajar a los circuitos con el ancho de banda necesario, ni ms ni menos. En su defecto limitarlo con filtros PASO-BAJO y PASA BANDA. Utilizar transistores de bajo ruido: Bipolares: Alta hFE (baja rbb) FET: Alta gm (bajo Vp)
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1.23
Reglas de diseo para minimizar ruido intrnseco

Circuitos de baja seal: seal:
Para fuentes de seal con baja impedancia de salida, utilizar transistores y amplificadores operacionales de tecnologa BIPOLAR Para fuentes de seal con alta impedancia de salida, utilizar transistores y amplificadores operacionales con tecnologa UNIPOLAR CUIDADO!! con esto, pues desde otros puntos de vista que no sean el ruido intrnseco, normalmente es mejor un AO con tecnologa BIPOLAR En etapas de BAJA SEAL proporciona mejor relacin Seal/Ruido la estructura NO INVERSORA con AO que la estructura inversora
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1.24
Layout
EMI/EMC in Printed Circuit Board. A Literature Review. Luc B. Gravelle and Perry F. WilsonIEEE Transactions on Electromagnetic Comapatibility, VOL.34, NO.2, MAY 1992 Asegurar la integridad de la forma de onda de la corriente y el voltage Supresin de las emisiones radiadas y conducidas Suceptibilidad
Estructura de la placa Estructura Rutado Distribucin de las masas
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Estructura de la Placa
Objetivo: Colocar los componentes sensibles del sistema lo ms lejos posible de las fuentes de ruido Accin: Dividir por bloques funcionales el sistema EMI
POWER stage
Output
EMI
POWER Output stage
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1.25
Rutado
Objetivo: Reducir la inductancia de las conexiones Accin: Reducir al mnimo la longitud del conductor g Trayectoria de retorno paralela y cerca de la de ida Objetivo: Reducir el acoplamiento por difona capacitiva Accin: Aumentar la distancia entre los dos conductores Objetivo: Reducir las Obj i R d i l emisiones electromagnticas radiadas i i l i di d en el Lay-out de una fuente de alimentacin Accin: Reducir el rea de los bucles
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Masas
Todos los conductores tiene una impedancia finita que aumenta con la frecuencia Dos puntos de masas fsicamente separados no estn al mismo potencial a menos que no fluya entre ellos corrientes Hay que evitar trayectos de masa comunes a dos circuitos diferentes, con el fin de eliminar el acoplamiento en modo comn comn. La estructura de masa en forma de peine NO debe ser utilizada: Problema: las corrientes de retorno a fluir en un bucle ancho, contribuyen a un mayor acoplamiento por radiacin y a una mayor generacin de ruido de masa. Solucin: Puentear a intervalos las puas del peine REJILLA DE MASA: Objetivo: Elevar el nmero de trayectorias que puede seguir la corriente de retorno y por lo tanto reduce al mnimo la inductancia de masa para cualquier ruta de seal dada. Accin: Aadir cuantas pistas de masa sean necesarias para reducir al mximo los bucles que formen las pistas de seal ofensivas respecto a masa. Recomendacin: Se prefiere una pista de masa ancha a una estrecha, y en cualquier caso una estrecha a ninguna
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1.26
Masas: PLANO DE MASA

Objetivo: Proporcionar una masa de baja impedancia y un camino de retorno de alimentacin para reducir al mnimo el ruido de masa inductivo.
Reduce al mnimo las reas de los bucles radiantes y por tanto la radiacin emitida por la placa. Consigue la captacin mnima de los campos radiantes
Recomendacin: Utilizar una placa multicapas y destinar algunas de ellas a plano de masa, alimentacin, etc Los planos de masa y alimentacin por la parte exterior de la placa proporcionan una proteccin de campo elctrico a las pistas de caras interiores. Apantallan para los campos que viene del exterior, pero son p ,p poco p prcticos, al no tener acceso no se p , puede hacer modificaciones. No se deben colocar pistas o componentes crticos cerca del borde exterior del plano de masa (Debido al efecto pelicular)
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Masas: reglas de puesta a masa

Identificar los circuitos de altas di/dt (para las emisiones): relojes, buses de control, osciladores de alta potencia Identificar los circuitos sensibles (para la suceptibilidad): anlgicos de bajo nivel, datos digitales rpidos. Reducir al mnimo su inductancia de masa: Reduciendo al mnimo la longitud El rea encerrada Plano de masa Alejando los circuitos crticos del borde del plano Particin del sistema para controlar el flujo de corrientes en modo comn entre secciones
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1.27
Medios de acoplamientos de interferencias
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56
1.28
Hiptesis
Cables cortos comparados con longitud de onda L << El acoplamiento se puede representar por una capacidad y una inductancia discreta entre conductores
M12
= cT
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Acoplamiento de seales
Acoplamiento de seales
Acoplamiento capacitivo p p Campo elctrico E Acoplamiento inductivo Campo magntico H Acoplamiento por impedancia comn IxZ
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1.29
Acoplamiento Capacitivo
Esquema bsico de acoplamiento capacitivo
Fenmeno Fsico Modelo Elctrico
C12
C12
~
C1G U1
~
U1
R UN C1G C2G
C2G
Un =
j C12 R U1 j R (C12 + C2G ) + 1

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Influencia en el acoplamiento
Ganancia en frecuencia
|Un/U1|
Seal ruidosa en
crece con
C12V1 C12 + C2G
Acoplamiento (Capacidad C12) Frecuencia de la seal ()
Impedancia
C12
- tierra (R)
~ U1
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R C1G C2G
UN
60
1.30
Efecto de la pantalla en el acoplamiento capacitivo
SHIELD C1S C1G
C1S
P
CS2
~ U1
CSG CS2 R
C1G
CSG
Para que la pantalla sea efectiva Conexin a tierra debe ser de baja impedancia
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Pantalla a tierra
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Efecto del no total apantallamiento en el acoplamiento capacitivo
C12
SHIELD C1S C1G C12 CSG CS2
C1S
P
CS2
~ U1
C1G
CSG
El conductor se extiende ms all de la pantalla Es necesario minimizar la longitud que sobresale el conductor de la pantalla
Aunque la pantalla est q p a tierra, aparece una tensin inducida U n = j C12 R U1
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62
1.31
Acoplamiento capacitivo
Para reducir la interferencia electrosttica se debe apantallar poniendo a tierra 1 solo extremo Minimizar la longitud del extremo saliente del conductor sobre la pantalla
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Acoplamiento Inductivo
Conductores con corrientes variables
M
~u
M
un
VN =
~u
d dt
Vn
VN = jBA cos
Ruido magntico se puede representar como una fuente de tensin serie

64
1.32
Parmetros del acoplamiento inductivo
un = M
di = j M i dt
~u
M=
A cos 2 r
Area de espira receptor Permeabilidad
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ngulo entre ambos planos
Distancia entre planos 65
Efecto de la pantalla en el acoplamiento inductivo
R1 M1s M12
~
SHIELD
M12 R2
R1 u1
R2 un R
M1S
La pantalla no modifica propiedades magnticas del p p p g medio entre 1 y 2 La pantalla adquiere una tensin = jM1SI1 No influye en la tensin inducida en el conductor 2 Si se pone a tierra un extremo no cambia la situacin Si se ponen ambos extremos la corriente por la pantalla induce una 2 seal de ruido en el conductor 2
jM 1S I1
66
1.33
Conclusin
Baja Frecuencia Alta Frecuencia
NADA Ambos extremos a masa
VN
Efectividad de la pantalla Cable apantallado
RS LS
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FRECUENCIA 2008-2009 Instrumentacin Electrnica
Contradiccin
1 extremo a masa
2 extremos a masa
2008-2009
68
1.34
Solucin hbrida
Acoplamiento Capacitivo/Inductivo
Condensador
Baja Frecuencia Alta Frecuencia

2008-2009
Alta impedancia C Baja impedancia C

Pantalla a tierra en un solo 1 extremo Pantalla a tierra en ambos extremos

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Impedancia Comn
Acoplamiento por impedancia comn
Fuente
EQUIPO 2 EQUIPO 1
I1+I2 ZG2
I2 ZG1
I1
I1
El acoplamiento por impedancia comn se produce cuando las corrientes de dos circuitos diferentes circulan por una misma impedancia
Evitar Zcomn con alta L en circuitos con corrientes Alta Frecuencia!!

70
1.35
Impedancia Comn
Impedancia comn entre sistemas
Impedancia de lnea
EQUIPO A
Impedancia a tierra EQUIPO B
Acoplamiento DM (impedancia de lnea) (impedancia lnea) CM (impedancia a tierra) (impedancia tierra)

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Cableado, puesta a masa y tierra
2008-2009
72
1.36

2008-2009

73
Puesta a masa y tierra

La correcta puesta a masa y tierra, es uno de los principales medios para MINIMIZAR RUIDO Y SU ACOPLAMIENTO.
Hay 2 tipos de fundamentales de masa:

MASA DE SEGURIDAD (TIERRA)
MASA DE SEAL (ALIMENTACIN)
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1.37
Puesta a masa y tierra

Consideraciones de seguridad para evitar descargas elctricas obligan a tener el CHASIS de los equipos elctricos a TIERRA.
Tensin del chasis: Chasis u1 Z1
uc =
Z2 u1 Z1 + Z 2
Puede ser peligroso!!
Z2 Puesta a tierra
Si se pone el chasis a tierra:
Z2 = 0 0
uc = 0V
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Introduccin
Reglamentacin para 220V
Activo 220V~ Activo Tierra Equipo con chasis a tierra
Toma de red
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1.38
Introduccin
La MASA DE SEAL se suele definir como un punto, o un plano equipotencial, que sirve de referencia a todas las seales del circuito o sistema. De forma ms realista, debemos hablar de un CAMINO DE BAJA IMPEDANCIA para el RETORNO DE LAS CORRIENTES DE ALIMENTACIN Y DE SEAL.
Tipos de MASA DE SEAL: Masa unipunto Masa multipunto Masa hbrida

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Sistemas de masa unipunto y multipunto

Masa unipunto. Conexin SERIE
3
I1+I2+I3 I1+I2
2
I1
Acoplamiento de ruido por impedancia comn
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78
1.39

Masa unipunto. Conexin PARALELO o RADIAL
Mtodo de conexin adecuado para circuitos de BAJA FRECUENCIA (<1MHz)
Limitacin:
En alta frecuencia, la reactancia del cable de masa puede ser importante originando caidas de tensin y acoplamientos inductivos. En la prctica se aconseja: HILOS DE MASA MS CORTOS QUE /20 (/10 segn autores)
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Sistemas con MASA MULTIPUNTO
Mtodo de conexin adecuado para circuitos de ALTA FRECUENCIA (>10MHz)
SISTEMAS DIGITALES!!
Las conexiones entre cada circuito y el PLANO DE MASA deben ser lo ms cortas posibles para minimizar su impedancia. En ALTAS FRECUENCIAS, la impedancia comn del plano de masa puede reducirse PLATEANDO la superficie. Incrementar el grosor no tiene demasiado efecto, pues las corrientes circulan por la superficie debido al efecto SKIN.
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80
1.40
Consideraciones prcticas. Ejemplos

Campos de aplicacin: f < 1MHz Sistemas UNIPUNTO 1MHz < f < 10MHz:
l< /20 l> /20 UNIPUNTO MULTIPUNTO
F > 10MHz
Sistema MULTIPUNTO
Las masas multipunto generan LAZOS DE MASA, propensos a , acoplamiento magntico. Se debe minimizar el rea de estos lazos. Los circuito digitales deben ser SIEMPRE condiserados como circuitos de ALTA FRECUENCIA (trabajo en conmutacin) y su masa debe ser un PLANO DE MASA DE BAJA IMPEDANCIA o una masa en REJILLA.
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Consideraciones prcticas. Ejemplos

El hecho de que la masa de una tarjeta digital debe ser un sistema MULTIPUNTO (Plano de MASA o REJILLA) no significa forzosamente que la alimentacin de dicha tarjeta deba ser MULTIPUNTO, pudiendo ser UNIPUNTO. En general, en un sistema complejo, se requieren un mnimo de 3 masas de retorno: SIGNAL GROUND (Circuitos de baja seal) NOISY GROUND (R l motores, circuitos potencia) (Rels, t i it t i ) HARDWARE GROUND (Chasis, masa de seguridad o tierra)
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1.41
Ejemplo prctico: Tarjeta de circuito impreso (PCB) Plano de Masa en tarjetas multicapa
4 Capas
Signal Power Common g Signal
4 Capas
Signal Power Signal Common
Gran accesibilidad de circuitos Bajo apantallamiento para las lneas de seal

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Buen compromiso: Bajo crosstalk Buen apantallamiento

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Apantallamiento de cables
Reglas bsicas
La INTERFERENCIA ELECTROSTTICA se evita APANTALLANDO los conductores y poniendo la PANTALLA A MASA SLO EN UN LADO, lo cual asegura equipotencial nulo en toda la pantalla. Para interferencia electrosttica esto es bueno en BAJAS y ALTAS FRECUENCIAS.
us ~
Re
La pantalla con un solo lado a masa, no tiene ningn efecto sobre la interferencia MAGNTICA.
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1.42
Reglas bsicas
La pantalla con los DOS LADOS A MASA no tiene ningn efecto en BAJAS FRECUENCIAS sobre la interferencia MAGNTICA y puede provocar RUIDO POR LAZOS DE MASA.
LADO GENERADOR DE SEAL LADO AMPLIFICADOR
us ~
Lazo de masa
Re
La pantalla con los DOS LADOS A MASA p p protege de acoplamiento g p magntico y disminuye la radiacin en ALTA FRECUENCIA
rea reducida
us ~
Lazo de masa
Re
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Reglas bsicas
En general general:
BAJA FRECUENCIA: Pantallas con 1 lado a masa ALTA FRECUENCIA: Pantallas con 2 lados a masa
Para pantallas con 1 l d a masa, en qu l d se h P t ll lado lado hace l masa ? la
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1.43
Ruptura de lazos de masa

Situacin
Rc1 Resistencia de los cables Diferencia de tensin entre las dos tomas de masa Resistencia entre masas
Rc2
Rc1
Rc2 ug
Rg
Rg
ug
En estas condiciones ug aparece como RUIDO EN MODO DIFERENCIAL (se suma a la seal proporcionada por el circuito 1) Adems, el lazo de masa es susceptible de interferencia magntica.
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Situacin
IDM
IDM VDM Z ICM ICM Itotal ICM
Corrientes de modo diferencial (IDM) provocan ruido al retornar por Z

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Se generan corrientes de ruido de modo comn (ICM)

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1.44

Amplificador operacional:
Rc1
Rc2
+ _2
ug
Rg
RUPTURA DEL LAZO DE MASA ug pasa a ser RUIDO DE MODO COMN Cuanto mayor es la impedancia de entrada del amplificador dif lifi d diferencial, menos ruido d i l id de modo comn se introduce.
Transformador
Pantalla
Inconvenientes: Tamao Respuesta en frecuencia Continuidad para DC Precio
~
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ug
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Choques de modo comn
uN
us uB
ue
Si uN = uG ue = us
ug
Ncleo de ferrita
Margen de validez= 5MHz 30MHz

90
1.45

Circuitos balanceados
VN Circuito 1 VN Circuito 2
VG - Las tensiones de modo comn inducen las mismas corrientes en ambas mitades del circuito y las tensiones de ruido VN sern iguales pero de signo contrario. - Cuanto mejor el balance, mejor el rechazo de modo comn
91

Optoacopladores y fibra ptica
Optoacoplador Fibra ptica
ug
~
ug
Ampliamente utilizados en SISTEMAS DIGITALES
2008-2009
92
1.46
Resumen
A bajas frecuencias debe usarse un sistema de masa UNIPUNTO. A altas frecuencias y en circuitos digitales debe usarse un sistema de masa MULTIPUNTO. Ab j f baja frecuencia, un sistema d b t i i t debe tener un mnimo d 3 masas d i de de retorno y deben estar conectadas en un nico punto: Signal ground Noise ground Hardware ground El objetivo bsico de un buen sistema de puesta a masa es minimizar la tensin de ruido de las corrientes de retorno circulando a travs de una impedancia comn. Para el caso de un amplificador a masa y seal flotante, la pantalla del cable de entrada debe conectarse al terminal comn del amplificador.
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Resumen
Para el caso de un amplificador flotante y seal puesta a masa, la pantalla del cable de entrada debe conectarse al teminal comn de la fuente de seal. La pantalla de un amplificador de alta ganancia debe conectarse al terminal co del amplificador. comn de a p cado Cuando un circuito de seal es puesto a masa en ambos extremos, el lazo de masa formado, es susceptible de ruido por: CAMPOS MAGNTICOS DIFERENCIA DE POTENCIAL DE LAS MASAS Los mtodos de romper lazos de masa son: Transformadores de aislamiento Choques de modo comn Acopladores pticos Amplificadores diferenciales A altas frecuencias, la pantalla de los cables puede ponerse a masa en ms de un punto.
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1.47
Apantallamiento
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2008-2009

96
1.48
Conceptos bsicos
APANTALLAR GENERADOR
Vctima
APANTALLAR VCTIMA
Vctima
En general, es ms EFECTIVO APANTALLAR EL GENERADOR de ruido, aunque no siempre es posible
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Conceptos bsicos
El estudio del apantallamiento viene determinado por: Tipo de generador de ruido (campo elctrico o magntico) Medio de transmisin DISTANCIA E i Emisor-Vctima ( V ti (campo cercano o lejano) l j )
r Emisor Vctima
x = cT
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c f
Longitud de onda Velocidad luz 1/T = frecuencia

Seal 1MHz = 300m Seal 300MHz = 1m 98
1.49
Conceptos bsicos
Impedancia de onda:
Z
CAMPO ELCTRICO
Z=
E H
Zo= 377 (en el vaco)

CAMPO ELECTROMAGNTICO CAMPO MAGNTICO
Campo cercano
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Campo lejano
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Conceptos bsicos: campo cercano

Campos ELCTRICO y MAGNTICO no son proporcionales
Z=
Alta TENSIN Baja CORRIENTE ANTENA RECTA
Predomina el CAMPO ELCTRICO
E > 377 H 1 E 3 1 r Z 1 r H 2 r
Baja TENSIN Alta CORRIENTE ANTENA DE LAZO
Predomina el CAMPO MAGNTICO
Z=
E < 377 H 1 E 2 r Z r 1 H 3 r
100
2008-2009
1.50
Conceptos bsicos Campo cercano, campo lejano, impedancia de onda
Campo Cercano
r<
2 2
E H
Campo Lejano
r>
Impedancia de onda p
Z=
j Impedancia caracterstica Z0 = de un medio + j
2008-2009
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Conceptos bsicos
Mecanismos de atenuacin en pantallas Reflexin
Incidente Transmitida
Absorcin
Incidente Transmitida
Reflejada
En pantallas gruesas, hay efectos de mltiple reflexin en el interior de las mismas
La energa absorbida suele transformarse en corriente por la pantalla
S = Efectividad de atenuacin de una pantalla (dB)

102
1.51
Conceptos bsicos
Efectividad de una pantalla S = A + R + B (dB) A R B
Prdidas por absorcin (dB) Prdidas por reflexin (dB) Factor de correccin para pantallas finas
La efectividad depende del MATERIAL y GROSOR de la pantalla
2008-2009
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Efectividad de materiales
CAMPO LEJANO (ondas planas)
Baja frecuencia Alta frecuencia
Prdidas bsicamente por REFLEXIN Prdidas bsicamente por ABSORCIN Pantalla CONDUCTORA Pantalla MAGNTICA
CAMPO CERCANO
Campo elctrico
Baja f Alta f REFLEXIN ABSORCIN
Campo magntico
Alta y baja f
ABSORCIN
2008-2009
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1.52
Efectividad de materiales
CONDUCTORES MAGNTICOS
r pequea r grande
Ms prdidas por REFLEXIN
r grande r pequea
Ms prdidas porABSORCIN
De forma muy simplificada... PANTALLA REFLECTIVA PANTALLA ABSORBENTE Calidad de apantallamiento Material CONDUCTOR Material MAGNTICO EFECTIVIDAD
0 10 dB 10 30 dB 30 60 dB 60 90 dB >90 dB
CALIDAD
Mala Pobre Media Buena Excelente
105
2008-2009
Estudio de apantallamiento (Resumen)

Reglas bsicas
Proteger de ruido radiado es fcil, salvo el caso de CAMPO MAGNTICO (campo cercano) en BAJAS FRECUENCIAS Las pantallas CONDUCTORAS pueden utilizarse con gran efectividad para CAMPO LEJANO (a cualquier frecuencia) y CAMPO ELCTRICO (campo cercano) Las pantallas MAGNTICAS en general son mejores que las CONDUCTORAS y producen gran efectividad en la mayora de las situaciones sit aciones LA NICA MANERA DE PROTEGER CAMPO MAGNTICO EN CAMPO CERCANO es utilizar pantalla MAGNETICA DE ALTA .
106
1.53
Normativa y ensayos
2008-2009
107
Introduccin
Requisitos en EMC
Impuestos por el fabricante Para satisfacer al cliente Asegurar fiabilidad y calidad del producto Particular para cada sistema Impuesto por las diferentes normativas Controlar la polucin electromagntica Requisitos legales Cumplimiento de la normativa no implica ausencia de interferencias
Los requisitos de EMC no son slo las normativas de EMC!

108
1.54
Introduccin
Comprobacin del cumplimiento de una normativa, por ensayos realizados en una entidad no oficial a tales efectos. Ejemplo: Laboratorios y empresas que dispongan de instrumentacin adecuada adecuada.
Pre-Certificacin
Certificacin
Comprobacin del cumplimiento de una normativa, por ensayos realizados en una entidad oficial. Ejemplo: LCOE (Laboratorio Central Oficial de Electrotecnia)
Aprobacin oficial de un producto, que cumple unas normativas aplicables en el pas que se vende. La homologacin la realiza una agencia oficial. Ejemplo: Ministerio de Industria
Homologacin
2008-2009
109
Normativa
Normas generales de EMC
Directivas europeas: Directiva 2004/108/CE: Legislacin nacional: Trasposicin de directivas europeas: Real Decreto 1580/2006 Legislacin propia: Ministerio de Industria, Turismo y Comercio Contrato o pliego de condiciones del equipo en concreto Dnde buscar?
El Ministerio de Industria, Turismo y Comercio publicar en el BOE y en su pgina web las listas de normas armonizadas y organismos de control autorizados. Tambin se publican en el Diario Oficial de la Unin Europea. AENOR publica las normas en Espaa.
2008-2009
110
1.55
Normativa
La Compatibilidad Electromagntica trata dos aspectos fundamentales: Emisin Electromagntica (EMI) que caracteriza el poder perturbador asociado a un aparato a un sistema, y que se puede manifestar en forma radiada conducida, y cuyo anlisis y determinacin segn normas que ponen lmites mximos a no superar, contribuyen a alcanzar un uso racional del espectro radioelctrico, evitando el uso en los sistemas de radiocomunicaciones, de potencias excesivas que pueden tener como consecuencia un impacto ambiental. Susceptibilidad Electromagntica (EMS) Inmunidad Electromagntica, que caracteriza la habilidad de un aparato sistema, de funcionar correctamente dentro del entorno electromagntico para el cual ha sido diseado concebido, pudiendo acceder las perturbaciones desde dicho entorno, tanto en forma radiada como conducida. Las normas ponen distintos grados de severidad de acuerdo con los diferentes tipos de entornos y definen los criterios de aceptacin de funcionamiento correcto para distintos tipos y clases de aparatos sistemas. Marcado CE necesario para la comercializacin de productos en el mercado comn europeo.
111
Normativa: Normas armonizadas.

Directiva Europea 2004/108/CE (Real Decreto 1580/2006):
Por norma armonizada se entender la especificacin tcnica adoptada por un organismo de normalizacin europeo reconocido [] por la que se establece un procedimiento de informacin en materia de las normas y reglamentaciones tcnicas, con objeto de establecer un requisito europeo. El cumplimiento de una norma armonizada no es obligatorio. Es una gua de normas europea para un determinado campo de aplicacin. El cumplimiento por parte de los aparatos de las normas armonizadas pertinentes[] crear la presuncin de conformidad con los requisitos esenciales [Emisiones e Inmunidad] a los que dichas normas hagan referencia. La conformidad de un aparato con los requisitos esenciales [Emisiones e Inmunidad] se demostrar mediante un procedimiento establecido [control interno de fabricacin] o a travs del correspondiente organismo notificado [organismos acreditados por la Entidad Nacional de Acreditacin (ENAC) y el organismo competente de la correspondiente comunidad autnoma]. Es el fabricante quien decide si realiza l los ensayos o los solicita a un organismo autorizado externo. Un cliente pude pedir que los realice un organismo notificado. El fabricante asume la responsabilidad exclusiva y absoluta de la conformidad de su equipo [] tanto si lo ha diseado o fabricado l mismo como si se le considera fabricante por el hecho de que el equipo se comercializa por cuenta suya. La colocacin del marcado CE ser responsabilidad del fabricante una vez que ste haya comprobado el cumplimiento de la normativa. 112 2008-2009 Instrumentacin Electrnica
1.56
Normativa
Tipos aplicables de EMC Normas
Normativa general de EMC: IEC 61000 X-X, de lmites y ensayos y EN 50016 (CISPR 16), de mtodos y aparatos de medida Normativa particular de la aplicacin
Normativas particulares nacionales de contrato o pliego de condiciones (BS, UIC, NF, RATP, UNE, DIN, UNI) ( , , , , , , )
2008-2009
113
Normativa
Las Directivas establecen normas tcnicas EN basadas en normas internacionales CISPR IEC. Las normas EN referidas a emisin se basan, en general, en las siguientes: - CISPR 11: para equipamiento industrial, cientfico y mdico. - CISPR 14: para electrodomsticos, herramientas porttiles y equipos provistos con motores elctricos. - CISPR 15: para equipos de iluminacin. p q p g ) - CISPR 22: para equipos de Tecnologa de la Informacin y Comunicacin ( ITE, ETI TIC's). Todas ellas mencionan a su vez a la norma bsica CISPR 16, que determina las caractersticas tcnicas que deben tener las facilidades, el equipamiento y mtodos de medicin, utilizados por el Laboratorio de Ensayos para alcanzar reconocimiento internacional. Tambin se orienta sobre el clculo de las incertidumbres en las mediciones involucradas en los ensayos de EMC. Las normas EN referidas al tema de la Susceptibilidad Inmunidad Electromagntica, tienen en cuenta, en general, las siguientes normas bsicas: - IEC 61000-4-2: para Inmunidad a Descargas Electrostticas directas e indirectas, por aire o por contacto. - IEC 61000-4-3: para Inmunidad a Campos Radiados de Alta Frecuencia (la ltima versin de esta norma llega hasta 2,5 GHz ). 25 ) - IEC 61000-4-4: para Inmunidad a Transitorios Rpidos Elctricos en rfagas en lneas de alimentacin y acoplados capacitivamente a lneas de datos y de comunicacin y control. - IEC 61000-4-5: para Inmunidad a Onda de Choque de Tensin de 1,2/50 us. - IEC 61000-4-6: para Inmunidad a perturbaciones conducidas inducidas por campos radiados. - IEC 61000-4-8: para Inmunidad a Campos Magnticos Inducidos de 50 Hz. - IEC 61000-4-11: para Inmunidad a interrupciones breves ( microcortes ) y a pozos de tensin en la lnea de alimentacin. 2008-2009 Instrumentacin Electrnica
114
1.57
Normativas y entidades oficiales

Qu dicen las Normativas?
Pas de Aplicacin Pas en el que se debe cumplir esa norma Competencia de la Autoridad Reguladora de cada pas Campo de Aplicacin A qu equipos electrnicos afecta esa norma Procedimientos e instrumentos de medida Condiciones para realizar el test de EMC Requisitos de los equipos de medida de EMC Nivel de Perturbacin Amplitud de las perturbaciones en el dominio de la frecuencia
2008-2009
115

La gran pregunta.... Qu normas debemos cumplir? cumplir?
2008-2009
116
1.58

Diferentes Diferentes leyes en diferentes pases Evolucin de las normativas
Evolucin de las especificaciones tcnicas
Contactar Contactar con la Autoridad Reguladora Reguladora

117

Agencia Internacionales (Europa Agencias Internacionales (Europa) ISO
International Standards Organization Casi todos los pases Europeos
CEN
Comit European de Normalisation
IEC
International Electrotechnical Commission
CENELEC
Comit European de Normalisation Electrotechnique Normas EN y Documentos armonizados (HD)
CISPR
Comit International Spcial des Perturbacins Radiolctrique Slo normas de EMC 118
1.59
Ensayos
Medidas reales
Conocimiento e interpretacin correcta de la normativa (niveles, correcciones, aplicabilidad) Conocimiento y manejo correcto de la instrumentacin (configuracin, limitaciones, calibracin) Conocimiento de los ensayos y del entorno de medida y (Campo abierto, cmara semianecoica, ruido de fondo). Son ensayos Tipo.
2008-2009
119
Ejemplos de ensayos
Ensayos de Inmunidad
CONDUCIDAS
INMUNIDAD
RADIADAS
Descarga electrosttica Rfagas Impulsos (ondas de choque) Corrientes inyectadas Microcortes y fluctuaciones de red
IEC 61000-4-2 IEC 61000-4-4 IEC 61000-4-5 IEC 61000-4-6 IEC 61000-4-11
Campo radiado p IEC 61000-4-3 Campo magntico a frecuencia de red IEC 61000-4-8
2008-2009
120
1.60
Ejemplos de ensayos
Ensayos de Emisin
Producidas en redes de alimentacin IEC 61000 3 2 61000-3-2 por electrodomsticos y anlogos IEC 61000-3-3 EN 60555-2 Continuas (0,1530MHz) Continuas (30MHz 300MHz) Discontinuas 0,15 1000MHz
EMISIN
CONDUCIDAS
RADIADAS
CISPR 16 EN 55011 EN 55013 EN 55014 EN 55015 EN 55022
Carcter genrico Equipos industriales, cientificos y mdicos Aparatos de radio, televisin y asociados Electrodomsticos, herramientas porttiles y similares Lmparas, fluorescentes y luminarias Equipos de tecnologa de la informacin
2008-2009
121
Instalaciones e Instrumentacin
Campo abierto (Open Area Test Site)
2008-2009
122
1.61
Cmara anecoica/semianecoica anecoica/
2008-2009
123
TEM/GTEM
2008-2009
124
1.62
Instrumentacin tpica de medida de emisiones
El analizador d li d de espectros mide EMI Fuente de alimentacin (CC, red de CA...) LISN Analizador de espectros
Equipment Under Test (EUT)
2008-2009
125
Instrumentacin
Instrumentacin: S d de corriente Sonda d i t Sonda de tensin Analizador de espectro Antena Bilog Antena Bocina (Horn) Antena de lazo Generador de perturbaciones de RF Redes de acoplo/desacoplo Generador de seal de RF Amplificador de seal de RF Sonda de campo Isotrpica Generador de sobretensiones Software de ensayos y automatizacin de medidas
2008-2009
126
1.63
Sonda de corriente
Sonda de corriente Tektronix A621. De 5Hz hasta 50kHz
2008-2009
127
Sonda de tensin
Sonda de tensin pasiva Rohde & Schwarz ESH2-Z3 y accesorios. Atenuador ESH2Z31
2008-2009
128
1.64
Analizador de espectro
Analizador de espectro Agilent 35670A. Desde CC hasta 102,4kHZ 2008-2009 Instrumentacin Electrnica
129
Analizador de espectro Tektronix 2712. Desde 9kHz hasta 1,8GHz
2008-2009
130
1.65
Analizador de espectro Agilent E7405A. Desde 100Hz hasta 26,5GHz
2008-2009
131
Antena Bilog
Antena Bilog Schaffner CBL6143. Desde 30MHz hasta 3GHz 2008-2009 Instrumentacin Electrnica
132
1.66
Antena de Bocina (Horn) (Horn)
Antena de Bocina (Horn) EMCO 3115. Desde 1GHz hasta 18GHz
2008-2009
133
Antena de Lazo
Antena de Lazo Schwarzbeck Mess-Elektronik FMZB-1538. Desde 9kHz hasta 30MHz
2008-2009
134
1.67
Generador de perturbaciones de RF
Generador de pertubaciones de RF CDG 6000/75. Desde 150kHz hasta 230MHz, para norma EN 61000-4-6 (Inmunidad conducida). En la imagen con red de acoplo/desacoplo (CDN)
2008-2009
135
Generador de seal de RF
Generador de seal de RF Rohde & Schwarz SMY 02. Desde 9kHz hasta 2,08GHz.
2008-2009
136
1.68

Introduccion A EMC IE 0809

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Compatibilidad Electromagntica

Esquema bsico en EMC

MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE R d MASA

INSENSIBILIZAR FILTRADO APANTALLAMIENTO

TCNICAS BSICAS PARA PREVENIR EMI

Conceptualmente EMC = EMI + EMS

Equipos elctricos Fuentes naturales

Diseo del LayLay-out

Medidas & Validacin

Modelado con ode ado co componentes

Diseo Filtros EMI

Identificar fuentes de EMI

Esquema bsico en EMC

MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE R d MASA

INSENSIBILIZAR FILTRADO APANTALLAMIENTO

TCNICAS BSICAS PARA PREVENIR EMI

Esquema bsico en EMC

Interferencia Concepto bsico

Tcnicas bsicas de diseo en EMC

Esquema bsico en EMC

Esquema bsico en EMC

Ensayos Condiciones d ensayo C di i de Instrumentacin de ensayo

Ensayos y normativa en EMC

Aproximaciones utilizadas en EMC

Aproximaciones utilizadas en EMC

Aproximaciones utilizadas en EMC

Longitud de onda Velocidad luz 1/T = frecuencia

Seal 1MHz = 300m Seal 300MHz = 1m

Esquema bsico en EMC

MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE MASA

INSENSIBILIZAR FILTRADO APANTALLAMIENTO

TCNICAS BSICAS PARA PREVENIR EMI

Transforma energa elctrica en calor

Rgimen senoidal permanente Pequea seal. Comportamiento lineal

log f Pendiente: 20 dB/dec

Pendiente: -20 dB/dec 1/| 1/|jC| log f

Resistencias de carbn o metlicas

Condensadores reales. Tipos y utilizacin

Mucha R Gran relacin capacidad/volumen

Paper & Mylar

Fabricados hasta algn F Buenas prestaciones

Mica y Poca R y L Cermicos Estables con el tiempo y la tensin Poliestireno

Orden de magnitud para fr

Bobinas reales. Bobinas y EMC

En todas las expresiones puede tomarse aproximadamente o = 4 10-7 Hm-1

Aleatoria Al t i en AMPLITUD Aleatoria en FRECUENCIA

Caracterizacin del ruido intrnseco

Amplificador selectivo B=1Hz Resistencia de carga normalizada

Tipos fundamentales de ruido intrnseco

100 1k 10k 100k 1M

0,04V 0,127V 0,422V 1,272V 1 272V 4,022V

0,127V 0,422V 1,272V 4,022V 4 022V

0,422V 1,272V 4,022V 12,717V 12 717V

Ruido en transistores bipolares

kT hFE Icopt = q Rs + rbb'

rbb' 100 300

(Resistencia fsica de base)

Ruido en transistores FET

Comparacin entre transistores bipolares y FET

Ganancia seal Ao = R2 R1 Ganancia ruido A = 1+ R2 n R1

Reglas de diseo para minimizar ruido intrnseco

Esquema bsico en EMC

MINIMIZAR Correcto CABLEADO Correcta DISTRIBUCIN DE ALIMENTACIONES Ruptura de LAZOS DE MASA