Вы находитесь на странице: 1из 4

FACULTAD DE INGENIERA PROGRAMA DE INGENIERA ELECTRNICA

ASIGNATURA: CDIGO: CRDITOS: REA: SEMESTRE ACADMICO: HORAS TERICAS: HORAS LABORATORIO: PRERREQUISITOS: CORREQUISITOS PROFESORA:

Materiales para Electrnica I/Laboratorio 2460 3 Ingeniera Aplicada VI 4 Horas/Semana 2 Horas/Semana Circuitos III Electromagnetismo II/Prctica por Proyecto Ninguno LUZ PATRICIA NARANJO

SEM CL 1 1 2 3 2 4 5 3 6 7 4 8 9 5 10 11 6 12 13 7 14 15 Examen 1

TEORA Presentacin Acuerdo Pedaggico Introduccin a la Fsica moderna Leyes de conservacin Relatividad clsica y especial Transformaciones de Galileo y de Lorentz Efecto fotoelctrico, difraccin de rayos X efecto Compton Naturaleza ondulatoria de las partculas: Ondas de broglie, paquete de ondas y principio de incertidumbre Modelo del atomo de Bohr: Postulados, estados de la energa y series espectrales, atomos hidrogenoides. Ecuacin de Schrodinger: Radiacin de cuerpo negro, funciones de onda, Corriente de probabilidad, Ecuacin de Schrodinger independiente del tiempo, El hamiltoniano, operadores, valores promedio o esperados El pozo de potencial, solucin de las ecuaciones diferenciales, la partcula en una caja tridimensional. Aplicaciones a la ecuacin de Scrodinger. Oscilador armnico, oscilador armnico mecano-cuantico. Efecto tnel, potenciales peridicos y el modelo de kronnig-penney. Modelo de la mecnica cuntica, la teora de Scrodinger del tomo de hidrgeno. Nmeros cunticos.

HT HI 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1

LABORATORIO Presentacin Guas. Seleccin de subgrupos. 1. Taller preparacin Prctica No. 1 Variacin de la resistencia de un semiconductor con la temperatura.

HP HI 2 1

HTT 9

Practica 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Taller de preparacin practica P3 P3-Dependencia con la temperatura de la corriente de saturacin inversa de un diodo de unin p-n P2.Capacidad de la unin p - n. Su dependencia con el voltaje de polarizacin.

2 1 1 P4- Desviaciones del comportamiento ideal de un diodo de unin en directa. Determinacin de los ficientes de linealidad. 2 Taller de preparacin practica P4

EXAMEN 1 8 16 2 1

SEM CL 1 1 2 3 2 4 5 3 6 7 4 8 9 5 10 11 6 12 13

TEORA Presentacin Encuadre Pedaggico Teora Bsica de los Cristales Estructura cristalina. Arreglos peridicos. Concepto de red, base y celda unitaria. Simetras en los cristales. Operaciones de simetra. Vectores Base. Sistemas cristalinos fundamentales. Redes de Bravais. Celdas primitivas. ndices de Miller para planos y direcciones cristalinas. Estructuras cristalinas tpicas de los semiconductores (diamante, ZnS, etc). Celda de Wigner - Seitz. Concepto de red recproca. Zonas de Brilloin. Ejercicios de potencial Cristales. Teora Bsica de Semiconductores SEGUIMIENTO Modelos de semiconductores. Modelos de enlace y de bandas de energa. Distribuciones de estados y de portadores. Energa de Fermi. Funcin de distribucin de Fermi - Dirac. Boltzman ,Bose-Einstein Concentracin de portadores. Dopado. Conduccin intrnseca y extrnseca. Concentracin de portadores en equilibrio en semiconductor. Ecuacin de neutralidad de la carga. Clculo de la concentracin de portadores intrnseco y extrnseco. Continuidad Conduccin en los Semiconductores. Componentes de la corriente en semiconductores. Corriente de arrastre y de difusin. Movilidad y su relacin con la conductividad. Relaciones de Einstein. Procesos de recombinacin. Tiempo de vida de los portadores. Longitud media de difusin. Ecuaciones de estado. Mtodos grficos ejercicios EXAMEN 2

HT HI 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1

LABORATORIO Presentacin Guas. Seleccin de subgrupos. 1. Taller preparacin Prctica No. 1 Variacin de la resistencia de un semiconductor con la temperatura. Practica 1

HP HI 2 1

HTT 9

1 1 1 1 1 1 1 1 Taller de preparacin practica P4 2 1 9 P2.Capacidad de la unin p - n. Su dependencia con el voltaje de polarizacin. Taller de preparacin practica P3 P3-Dependencia con la temperatura de la corriente de saturacin inversa de un diodo de unin p-n

14

15

16

P4- Desviaciones del comportamiento ideal de un diodo de unin en directa. Determinacin de los ficientes de linealidad.

EVALUACIN La evaluacin es continua como sea posible preestablecida 2do CORTE semana Laboratorio1 15% Seguimiento1 15% Examen1 20% Nov.21 NOTA1>> 50% Seguimiento = promedio (quices+Ecaes+lecturas+tareas+participacin)

9. BIBLIOGRAFA Textos Gua: . Curso de Fsica Moderna. V. Acosta, C. L. Cowan, B.J. Graham. Harla-Mexico. 1975 Fsica Electrnica y Microelectrnica. Roberto Rosado. Editorial Paraninfo. Fundamentos de Semiconductores. R. F. Pierret. Segunda Edicin. Editorial AddisonWesley Iberoamericana. El diodo P - N de unin. G.W. Neudeck. Segunda Edicin. Editorial Addison-Wesley Iberoamericana El transistor bipolar de unin. G.W. Neudeck. Segunda Edicin. Editorial Addison-Wesley Iberoamericana Principles of Semiconductors Devices. S.M. Sze. Editorial Willey and Sons. Consulta Introduccin a la Fsica del Estado Slido. Charles Kittel. Editorial Revert. Semiconductors and Electronic Devices. Adir Bar - Lev. Editorial Prentice Hall. Fundamentos de Electrnica Fsica y Microelectrnica. Jos Mara Albella, Jos Manuel MartnezDuart. Addison.Wesley / UAMadrid. 1996. Microelectronics. Jacob Millman, Arwin Grabel. Mc Graw Hill International Editions. 1987. Integrated Electronics. Jacob Millman, Christos C. Halkias. Mc Graw Hill International Editions. 1972. Fsica del Estado Slido y de Semiconductores, McKelvy ,Limusa, Noriega 1992 . Lecturas Investigativas Lectura Investigativa 1: Diodos especiales: Zener, varactor, tnel y backward. Fundamentos de trabajo. Caractersticas volt-ampricas. Lectura Investigativa 2: Aplicaciones de los SCR. Semiconductores Orgnicos y cermicas semiconductoras, superconductores. Electromagnetismo en la nanotecnologa y sensorica. Using Mathcad in electromagnetic education, Transactions on Education, May 1996, No 2. Revistas del IEEE.

----------------------------------Representante Estudiantil

Вам также может понравиться