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4.

3 - Transistor MOSFET : O transistor bipolar um dispositivo de corrente controlada e, necessita de corrente de base para manter a corrente de coletor IC. Desde que IC depende de IB, o ganho torna-se altamente dependente da temperatura da juno do transistor. O transistor de potncia MOSFET um dispositivo de tenso controlada e, necessita apenas de uma pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento muito alta ( nanosegundos ). MOSFET s de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta frequncia. Estes transistores apresentam problemas de descargas eletrostticas, necessitando de cuidados especiais. Os MOSFET s podem ser divididos em dois tipos : a) - MOSFET de Depleo; b) - MOSFET de Intensificao.

4.4 - IGBT ( Insullated Gate Bipolar Transistor ) : O IGBT um componente controlado por tenso, semelhante ao MOSFET. Apresenta baixas perdas tanto no chaveamento quanto durante a conduo, apresentando caractersticas semelhantes ao MOSFET, tais como : facilidade de acionamento, capacidade e ruggedness . Em termos de velocidade, o IGBT mais rpido que o transistor bipolar mas, mais lento que o MOSFET. A especificao de corrente mxima para um IGBT de 400A em 1200V, e sua frequncia de chaveamento pode ser superior a 20kHz. Os IGBT s so utilizados em aplicaes de mdia potncia : acionamento de motores CA e CC; fontes de potncia; rels estticos; etc.
Fontes Chaveadas Ewaldo L. M. Mehl Universidade Federal do Paran, Departamento de Engenharia EltricaCentro Politcnico, Curitiba, Paran E-mail:

mehl@ufpr.br

C. Tecnologia de Interruptores de Potncia: Os interruptores eletrnicos disponveis para Eletrnica de Potncia podem ser classificados em quatro grandes grupos [6]:

Tiristores: Alm do tiristor convencional, tambmchamado SCR (silicon controlled rectifier ), h os tiristores bloqueados por gate(GTO gate turn-off thyristor ), tiristores de induo esttica (SITH static in induction thyristor ) e tiristores controlados por transistor tipo MOS (MCT MOS controlled thyristor ). Esses dispositivos tem caractersticas de chaveamento em baixa freqncia, no sendo utilizados em fontes chaveadas. Seu uso intenso, no entanto, nas fontes de potncia elevada.

Transistores bipolares (BJT bipolar junction transistor):apesar de terem sido fabricados transistores bipolares para correntes da ordem de centenas de ampres e tenses de bloqueio at 800 V,este tipo de componente praticamente no mais utilizado em fontes chaveadas. O principal problema deve-se a que o transistor bipolar um dispositivo controlado por corrente de base; a corrente de base tpica, quando o dispositivo opera como interruptor de potncia, um torno de 10% a 15 % da corrente do coletor. necessrio tambm aplicar uma corrente de base reversa, para permitir um bloqueio rpido. Com isso, o circuito de comando caro e complexo.

MOSFET (transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor metal-oxidesemiconductor field-effect transistor): Este dispositivo um interruptor com caractersticas de controle por um sinal de tenso aplicado no terminal de gatilho (gate).Com isso, a corrente necessria durante as comutaes(entrada em estado de conduo e bloqueio) bastante baixa, diminuindo consideravelmente a complexidade do circuito de comando. Alm disso o tempo de comutao menor que aquele observado nos transistores bipolares, fazendo com que seja possvel a operao em freqncias elevadas. O MOSFET rapidamente dominou o cenrio das fontes chaveadas e , atualmente, o principal componente para aplicaes industriais. Existe, no entanto, um problema associado sua operao em tenses mais elevadas, da ordem de1000 V. Ocorre que, para suportar tais tenses, os projetistas so obrigados a deslocar os terminais internos de dreno e fonte e obtm-se como conseqncia uma elevada resistncia eltrica durante a conduo, aumentando a dissipao. Como resultado, os MOSFETs limitam-se, para uso em fontes chaveadas, a tenses da ordem de 800 V.

IGBT (transistor bipolar com gatilho isolado isolated gate bipolar transistor): Para vencer as limitaes do transitor bipolar e do MOSFET, desenvolveu-se um tipo hbrido de transistor, que tem crescido de importncia no campo das fontes chaveadas. O IGBT basicamente um transistor bipolar que, no lugar do terminal de base, apresenta um eletrodo de gatilho (gate) semelhante a um MOSFET. Assim, seu disparo feito por nvel de tenso, permitindo o uso de circuitos de comando simples como os usados nos MOSFETs. No entanto,sua conduo semelhante a um transistor bipolar implica em uma baixa dissipao de conduo e permite que o dispositivo opere sob tenses superiores a 1000 V. Os primeiros IGBTs apresentados, no entanto, no permitiam freqncia de chaveamento superior a 15 kHz, tornando seu uso proibitivo em fontes chaveadas que ficassem expostas ao pblico,devido ao rudo audvel gerado. No entanto logo se tornaram disponveis IGBTs capazes de operarem em freqncias superiores a 20 kHz, permitindo seu amplo uso em fontes chaveadas. Existe ainda uma questo referente ao custo do IGBT, que ainda superior aos MOSFETs nos dispositivos de baixa e mdia potncia.Para fontes chaveadas de potncia mais elevada,porm, o IGBT constitui-se atualmente na melhor alternativa.

Alm dos citados, existem outros componentes tais como o IGCT( Integrated Gate Commutated Thyristor ),que so componentes especficos para aplicaes em potncia elevada, como para fornos industriais e trao eltrica, de menor importncia portanto para o campo das fontes chaveadas. Tambm o SIT Transistor de Induo Esttica (static induction transistor ), um componente que permite o chaveamento de altas correntes em altas freqncias, porm atualmente restrito a aplicaes fora da rea de fontes chaveadas, como amplificadores de udio,sistemas de VHF, UHF e microondas. D. Integrao de Componentes: Conforme se observou na Figura 5, uma fonte chaveada possui sempre uma srie de subcircuitos associados ao disparo do interruptor eletrnico e ao controle da tenso.Com a evoluo da tcnica de projeto de circuitos integrados e motivados pelo grande nmero de fontes chaveadas produzidas principalmente para microcomputadores, diversos fabricantes desenvolveram circuitos integrados especficos para uso nessas aplicaes.Na Figura 8 mostrase, a ttulo de exemplo, o circuito integrado UC1524 fabricado pela empresa UNITRODE.Este circuito integrado possui todos os elementos necessrios para a implementao de uma fonte chaveada

http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAHA0AK/tiristor

Prof. Mrio Lcio da Silva Martins Unidade I - 30 C. Tiristor de Desligamento pelo Gatilho (GTO) Um tiristor de desligamento pelo gatilho (do ingls Gate Turn-Off - GTO) pode ser disparado pela aplica o de um sinal positivo de gatilho. Entretanto, ele pode ser desligado por um sinal negativo de gatilho. Um GTO um dispositivo de reten o e pode ser construdo para faixa de tens o e corrente similares quelas de um SCR. As principais vantagens do GTO em rela o ao SCR s o: (1) a elimina o dos componentes de comuta o forada, para aplica es onde a comuta o natural no pode ser efetuada, resultando em reduo dos custos, do peso e do volume do circuito; e, (2) desligamento mais rpido permitindo operao do circuito em freqncias mais elevadas.

As caractersticas de um tiristor de induo esttica (do ingls Static Induction Thyristor -SITH) so similares quelas de um MOSFET. Um SITH normalmente disparado pela aplicao de tenso positiva no gatilho como os tiristores normais e, desligado pela aplicao negativa em seu gatilho. Um SITH tem velocidade de chaveamento (ou comutao) rpida e capacidade de suportar taxas de variao de corrente (di/dt) e tenso (dv/dt) muito elevadas. O tempo de chaveamento da ordem de 1 a 6 s. F. SCRs ativados por Luz (LASCR) Este dispositivo disparado por radiao direta de luz na pastilha de silcio. Os pares de eltron-lacuna criados devido radiao produzem a corrente de disparo. A estrutura do gatilho projetada para fornecer-lhe sensibilidade suficiente para realizar disparo a partir de fontes prticas de luz (por exemplo LEDs). Os LASCRs so utilizados em aplica es de tens es e correntes elevadas como emtransmisso de corrente contnua em alta tenso (do ingls High Voltage DC - HVDC) e compensao esttica de potncia reativa. Um LASCR oferece isolao eltrica total entre a fonte de disparo por luz e o dispositivo de potncia conectado ao conversor. O di/dt tpico de 250 A/s e o dv/dt pode ser to elevado quanto 2000 G. Tiristores controlados por FETs (FET-CTH) Um dispositivo tiristor controlado por FET (do ingls FET- Controlled Thyristor) combina um MOSFET e um tiristor em paralelo como mostrado na Figura 2. Se uma tenso suficiente, tipicamente 3V, for aplicada a porta do MOSFET, uma corrente de Aula 3: Chaves Semicondutoras de Potncia O tiristor Eletrnica Industrial

Prof. Mrio Lcio da Silva Martins Unidade I - 32 disparo para o tiristor ser gerada internamente. Com isto este dispositivo apresenta uma velocidade de chaveamento bem como di/dt e dv/dt elevados. Figura 2 Diagrama do tiristores controlado por FET. Este dispositivo pode ser disparado como tiristores convencionais, mas no pode ser desligado atravs do controle de porta. H. Tiristores controlados por MOS (MCT) Um tiristor controlado por MOS (do ingls MOS Controlled Thyristor) combina as caractersticas de um tiristor regenerativo de quatro camadas e uma estrutura de gatilho ou de porta MOS. O circuito equivalente mostrado na Figura 23. A estrutura npnp do MCT pode ser representada por um transistor npn (Q1) e um transistor pnp (Q2). A estrutura do gatilho MOS pode ser representada por um MOSFET de canal p (M1) e um de canal n (M2).Devido a sua estrutura npnp, o anodo serve como terminal de referncia em relao ao qual todos os sinais de gatilho so aplicados. Uma tenso de gatilho negativa VGA liga o MOSFET de canal p (M1) fornecendo corrente parta o transistor Q2, colocando o MCT em conduo. Um pulso positivo de gatilho VGA desvia a corrente de excitao da base de Q1, desligando o MCT. Para valores maiores do que os da corrente controlvel, o MCT deve ser bloqueado da mesma forma que um SCR comum. Caso o controle de gatilho seja aplicado nestas condi es, o dispositivo pode ser destrudo. Um MCT tem baixa queda de tenso direta durante a conduo; tempo de disparo e desligamento rpidos, tipicamente 0,4 s e 1,25 s, respectivamente; baixas perdas em comutao; baixacapacidade de bloqueio de tenso reversa; alta impedncia de entrada de gatilho, o que simplifica consideravelmente os circuitos de excitao. Aula 3: Chaves Semicondutoras de Potncia O tiristor Eletrnica Industrial

Prof. Mrio Lcio da Silva Martins Unidade I - 3 Figura 23 Diagrama do MCT. Aula 3: Chaves Semicondutoras de Potncia O tiristor Eletrnica Industrial Prof. Mrio Lcio da Silva Martins Unidade I - 34

HVT-JFET-PowerMOS-THY-GTO-IGBT (ART153) Escrito por Newton C. Braga

http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/1064-art153.html Uma outra denominao para este dispositivo SIT ou Static Induction Transistor j que a intensidade da corrente entre os eletrodos principais (fonte e dreno) determinada pela intensidade de um campo esttico na regio do canal por onde passa a corrente. O JFET Uma vantagem deste dispositivo que existe uma resistncia ohmica pura entre os terminais pelos quais deve circular a corrente principal. Isso significa uma capacidade maior de corrente j que no existem junes a serem percorridas. Como a corrente principal controlada por uma tenso, o controleexige uma potncia muito menor. Como o que se tem de fazer neste controle simplesmente carregar e descarregar os diodos formados pelas junes, o que pode ser feito de forma muito rpida, os dispositivos deste tipo so capazes de comutar com velocidadesmuito maiores do que os equivalentes bipolares. Um dificuldade construtiva para este dispositivo est no fato de que os eletrodos de controle (gate) devem ser colocados em aberturas prximas dos eletrodos de fonte e a capacidade/velocidade do dispositivo vai depender de sua quantidade. Assim, quanto mais regies alternadas forem colocadas conforme mostra a figura 4, maior ser a velocidade e a capacidade de corrente do dispositivo. Na prtica entretanto, este procedimento leva necessidade de se utilizartenses negativas elevadas para se obter a comutao. comum que dispositivos deste tipo sejam especificados para ter uma comutao com at 25 volts de tenso negativa aplicada comporta.

O TRANSISTOR MOS Quando uma tenso positiva aplicada ao eletodo de comporta este dispositivo r polarizado no sentido de haver a conduo de uma corrente entre a fonte e o dreno.

Para t r a apaci ade de corrente elevada o di positivo deve ter a estrutura ostrada na fi ura onde o eletrodo de controle at e) colocado praticamente junto do eletrodo de fonte na rande regi o ue caracteri a os dispositivos de pot ncia, conforme falamos na introduo Esta estrutura, denominada planar, permite a fabricao destes dispositivos com grandes capacidades de corr ente e com caractersticas bastante semel antes aos JFE s exceto pelo fato de ue a comporta isolada do material por uma fina camada de xido met lico. A comutao feita carregando -se e descarregando -se o capacitor formado pela regio de comporta e o m aterial semicondutor. omo o controle de correntes elevadas exige tambm reas maiores deste capacitor, existe uma corrente de carga e descarga a ser considerada. O dispositivo no comuta portanto apenas com tenso, mas exige tambm uma certa corrente. Deve-se notar ue este dispositivo no precisa de tenses negativas para comutar, mas a aplicao de uma tenso negativa no momento em ue ele precise ser desligado pode tornar esta operao mais rpida. As caractersticas de velocidade e elevada capacidade d e corrente deste tipo de dispositivo tem tornado este dispositivo o preferido nos projetos atuais de circuitos comutadores de pot ncia. Alm disso deve -se considerar a disponibilidade destes dispositivos a custo acessvel numa variedade muito grande de tip os. O O

ma variao do S R ue pode ser desligada por um sinal eltrico o G O ou Gate urn Off yristor ue tem a estrutura mostrada na figura 8.

rata-se de um tipo especial de tiristor em ue a estrutura foi dimensionada para fornecer maiores velocidade de comutao e ao mesmo tempo a incluso de um recurso ue permite reduzir o ganho de um dos transistores de realimentao por meios externos. Desta forma, aplicando -se uma tenso negati va base do transistor PNP possvel interromper a corrente de realimentao e desta forma desligar o dispositivo.

Infelizmente os G Os ainda no so feitos para controlar grandes pot ncias sendo portanto indicados para circuitos de pot ncia no elevadas especialmente em sistemas ressonantes j ue as perdas por desligamento ue ele apresenta so praticamente nulas.

O SI h O Static Induction hyristor um tipo de tiristor ue tambm chamado de F Field ontrolled hyristor) e ue consiste basicamente num JFE com uma camada adicional do tipo P conforme mostra a figura 9.

Infelizmente para obter as caractersticas ue levam ao uso prtico deste dispositivo ainda existem certas dificuldades industriais ue o tornam ainda indisponvel no mercado.

OI IGB significa Insulated Gate Bipolar ransistor ou ransistor Bipolar de comporta isolada. Sua estrutura e smbolo so mostrados na figura e conforme podemos ver ele consiste num "misto" de transistor bipolar com FE da, apenas de s er um componente ue possui "emissor" e "coletor" o eletrodo de controle no uma base mas sim um "gate" comporta).

Na operao normal, uma tenso positiva aplicada ao seu anodo A) em relao ao catodo K). uando a comporta G se encontra com t enso nula em relao ao catodo, no circula nenhuma corrente pelo anodo desde ue a tenso aplicada esteja abaixo do limite suportado pelo componente. uando a tenso de comporta atinge um certo valor mnimo os eltrons passam pela regio n da base do tra nsistor PNP fazendo com ue o transistor seja polarizado no sentido de conduzir. Isso faz com ue lacunas sejam injetadas do substrato para a regio n- do dispositivo. O excesso de eltrons e lacunas modula a condutividade da regio n- de alta condutividad e, ue rapidamente reduz a sua resist ncia no sentido de fazer o dispositivo conduzir intensamente a corrente. Na operao normal o resistor de derivao shunt Rs) mantm a corrente de emissor do transistor NPN muito baixa e com isso o ganho deste transis tor tambm baixo. No entanto, para correntes de anodo suficientemente intensas, uma injeo de corrente suficientemente intensa pode ocorrer no transistor NPN fazendo com seu ganho alfa aumente. Neste caso, o dispositivo de uatro camadas trava ocorrendo e nto uma perda de seu controle pela porta MOS. Neste caso, o dispositivo deve ser desligado por uma diminuio da corrente de anodo para um valor ue esteja abaixo do denominado valor de manuteno, como num tiristor tpico. mostramos as curva s caractersticas de um MOSFE e de um IGB para Na figura ue o leitor possa fazer comparaes.

Observe ue a no IGB temos tambm a tenso de offset de ,7 volt a partir do ponto de origem a partir de onde a curva mostra um aumento da corrente intenso. Esta tenso se deve justamente presena da juno entre a camada p+ e o a camada n do substrato. A curva do IGB mostrada na figura de um dispositivo ue opera com uma tenso volts e ue mostra ue a resist ncia em plena conduo, com um a de comporta de corrente de ampres de apenas , 8 ohms. Esta caracterstica de baixa resist ncia de conduo, da ordem de , ohm para A comum aos dispositivos tpicos ue usam pastilhas de x mm. correntes de Veja ue estes valores aproximam as caracter sticas destes dispositivos dos MOS FE s de pot ncias comuns.

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El t nica Indust ial


Aula05: Transistor Unijuno (UJT)
Fig1: Transistor unijuno Um dos terminais chamado de emissor (E) e de material tipo P. Entre as extremidades da barra existem dois terminais, a base 2 (B2) e a Base1 (B1). Entre essas extremidades o dispositivo apresenta uma resistncia hmica chamada resistncia interbases (RBB) cujo valor est compreendido entre 5K e 10K. Entre B2 e a juno existe uma resistncia Rb2 e entre a juno e B1 uma resistncia Rb1. A soma dessas duas resistncias igual a RBB= Rb1 + Rb2. O circuito equivalente e a polarizao do UJT esto indicados na Fig2.

(a)

(b)

Fig2: ( a ) Polarizao e ( b ) circuito equivalente do UJT Na Fig2b enquanto VE < 0,7 + VRb1 reversamente polarizado. o UJT estar cortado, pois o diodo est

Quando VE = 0,7 + L.VBB = VP = tenso no ponto de pico, o diodo fica polarizado diretamente e o UJT dispara. O termo disparo usado por analogia ao disparo de uma arma, significando uma mudana brusca de condio. A explicao fsica para o disparo dada pela realimentao positiva interna. Aps ter disparado, o UJT s voltar a cortar novamente quando a tenso de emissor cair abaixo de um valor crtico chamado tenso de vale, VV. Abaixo da tenso de vale a juno volta a ficar polarizada reversamente novamente. A Fig3 mostra a curva caracterstica de um UJT, indicando os principais pontos (ponto de pico e ponto de vale) e as tres regies de operao (Corte, saturao e regio de resistencia negativa).

Fig3: Curva caracterstica de entrada

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I S I U O E DE L DE EDUC O, CI CI E EC OLOGI

Cu s : El t m cnica

Laga t 20 0

1.

ansist

Unijun

O J um tipo de transistor ue exemplifica consideravelmente os circuitos osciladores,disparadores e temporizadores. O encapsulamento do J tem a forma de um transistor comum, entretanto, suas caractersticas eltricas so completamente diferentes. Ele um gerador de pulsos estreitos de alta pot ncia e de curta durao

   

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1.

Transist r Unijun

O J um tipo de transistor ue exemplifica consideravelmente os circuitos osciladores,disparadores e temporizadores. O encapsulamento do J tem a forma de um transistor comum, entretanto, suas caractersticas eltricas so completamente diferentes. Ele um gerador de pulsos estreitos de alta pot ncia e de curta durao. Assim, pode ser usado tanto em circuitos de chaveamento como em osciladores.

O J constitudo de uma barra de silcio do tipo N fig 1), fracamente dopado, com uma juno P. Possuindo trs terminais, o emissor E) ligado ao cristal P, e as bases B1 e B2) ligadas as extremidades do material N(fig 1.1) ue levemente dopado o ue implica numa elevada resistncia.

fig2.0 ircuito E uivalente fig2.1 Analogia de Funcionamento

act rsticas d circuit :

y Vdd- o diodo ue representa a


juno PN;

y y y

Vcc- enso de polarizao entre as base 1 e 2. (Os limites desta tenso especificados pelo fabricante); Vee- tenso aplicada ao emissor sendo ue Vcc deve ser maior ue Vee; RBB- a resistncia ue pode ser medida entre os terminais B1 e B2

(sendo constituda da soma de rb1 e rb2) esta resistncia possui valores entre 1. a 10 k . (Rbb= Rb1 + Rb2) Na Fig2.1 enquanto VE < 0,7 + V Rb1 o J estar cortado, pois o diodo est reversamente polarizado. uando VE = 0,7 + LVBB = VP = tenso no ponto de pico, o diodo fica polarizado diretamente e o J dispara. L(eta) a razo intrnseca de disparo,caracterstica fornecida pelo fabricante, dependendo da posio do emissor em relao s bases. Seu valor determina a relao entre o valor de Rb1 a Rb2. ipicamente o valor de est compreendido entre 0,5 e 0,8. Oscilad r d laxa c m U T

1.

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1.

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onstituio do J fig.1.1 Simbologia

1.

1.

C nstitui Int r na

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U T)

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Car

Fig .0 Oscilador de Relaxao O oscilador de relaxao um circuito em que a freqncia controlada pela carga e descarga de um capacitor atravs de um resistor. No circuito, o resistor R1 tem duas funes: fornecer pulsos de tenso de sada do oscilador e limitar a corrente de descarga do capacitor, protegendo o J . O R2 estabiliza termicamente o J por meio da variao de tens o. m a das principais aplicaes do J como oscilador de relaxao ou seja o perodo de oscilao do circuito pode dividir-se em dois intervalos. uando a alimentao ligada pela primeira vez, o capacitor se encontra descarregado, logo V o J estar cortado (IE=0).

Nessas condies o capacitor comea a se carregar atravs de R, tendendo a tenso nele para +V com constante de tempo X=R.C. uando VC = VP = VE = 0,7V+ X.V ; o J dispara fazendo o capacitor se descarregar atravs do J e da resistncia RB1. omo mostra (fig. .1) a figura a seguir:

Fig .1(A) Formas de Onda no

apacitor e (B) Forma de onda entre B1 e Emissor

uando V cair abaixo de VV (tenso crtica mnima do emissor) o J corta e repete.

volta a se carregar , e o ciclo se

A forma serrilhada da onda causada pela carga relativamente lenta do capacitor e sua descarga muito rpida. A forma de onda de sada corresponde a um pico de tenso provocado pela descarga rpida de atravs de R1.

Para testarmos este componente usaremos um multmetro digital na escala de Ohms.O ransistor unijuno um semicondutor de terminais. A maioria destes componentes tem a numerao 2N2646 de fabricao da Motorola.

1.

Testand um Transist r Unijun

GG

II

C S

F T

= VE = 0, portanto

Conhecendo os terminais fica fcil test-lo. Na Fig. 4.0 da temos o smbolo e na Fig. 4.1 temos a viso "por baixo" indicando a posio dos terminais (B1, B2 e Emissor). Fig. 4.0 Fig. 4.1 1. Com o multmetro na posio de Ohms medimos a resistncia entre B1 e B2, invertemos a posio e fazemos a mesma medida: O valor, nos dois casos deve ser praticamente o mesmo, uma resistncia muito alta. 2. Agora medimos a resistncia entre Emissor e B1, em seguida medimos Emissor e B2 (a ponta preta ( -) deve estar no Emissor para os dois casos). O valor encontrado deve ser praticamente o mesmo: uma alta resistncia.

1.

Transist r Unijun Programvel

O transistor unijuno programvel (PUT) um UJT no qual o valor de h (Razo Intrnseca de disparo) pode ser imposta atravs de resistores externos. A sua estrutur a anloga de um SCR, tendo, porm o gate na regio N prxima do anodo. A figura abaixo (Fig 5.0) mostra a estrutura ( A), o smbolo (B) e circuito equivalente (C) de um PUT.

Fig 5.0 (A) 7.1 uncionamento:

(B)

(C)

Para compreender o seu funcionamento consideremos o circuito com PUT da (Fig 6.0) e o seu equivalente EM Thevenin, (Fig 6.1). O funcionamento do circuito anlogo ao do oscilador de relaxao com UJT. Ligada a alimentao e estando o capacitor inicialmente descarregado ( VA = VC = 0 ) o PUT estar cortado ou seja, polarizado reversamente ). O capacitor C se carrega atravs de R. uando a tenso no capacitor ultrapassar a tenso de gate (V RB1) em cerca de 0,7V; 2 comea a conduzir disparando o PUT. Nesse instante C se descarregar atravs do PUT e de R L . uando a tenso de anodo (tenso no capacitor) cair abaixo da tenso de vale, o PUT voltar a cortar e C volta a se carregar novamente atravs de R.

Y b c

Realize o mesmo teste anterior s que desta vez a ponta vermelha (+) conectada ao emissor. O valor ser uma resistncia baixa tando emissor/B1 e emissor/B2. Foram usados para o teste modelos : 2N2646, NTE6401, ECG6401, 2N2647,NTE6409.

Fig 6.0 Fig 6.1 a Fig 6.1 obtemos:

Podemos verificar na Fig 6.1 que, se V A cortado.

Quando, porm VA=VTH + VBE o transistor ficar polarizado diretamente assim conduzindo. Nessas condies a realimentao positiva interna existente levar o PUT ao disparo. Aps ter disparado o PUT s voltar ao corte quando a tenso de anodo cair abaixo da tenso de vale V , anloga V tenso de manuteno no SC . Se fizermos uma analogia com o U T teremos no ponto de disparo:

VP=0, + .VCC

PUT: VA =VBE + VTH

Comparando as duas expresses conclumos que a relao intrnseca de disparo


B1

btendo a forma de onda no PUT:

do PUT pode ser ajustada externamente atravs de

r qp

ih

U T:

d t

y y y y
VTH + VBE o transistor no conduzir, nessas condies o PUT estar

B2.

1. C o m p a r a t i v o U T e P U T Apesar de sua semelh ana com o SCR, o PUT chamado transistor de unijuno, uma vez que o mesmo usado em circuitos onde poderiam ser usados UJTs convencionais. As caractersticas de ambos dispositivos so semelhantes, mas a tenso de disparo do PUT programvel, podendo ser fixada atravs da escolha de um divisor resistivo adequado. Alm disso, o PUT mais rpido e mais sensvel que o UJT e embora encontre aplicaes limitadas como elemento de controle de fase, em circuitos de tempo de longa durao, seu desempenho superior face sua menor corrente de pico no disparo.

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