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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS: TIRISTORES: Una familia de dispositivos conocidos como tiristores

se construye con cuatro capas semiconductoras (pnpn). Estos dispositivos actan como circuitos abiertos capaces de soportar cierto voltaje nominal hasta que son disparados. Cuando son disparados, se encienden y se convierten en trayectorias de baja resistencia para la corriente y permanecen as, incluso despus de que desaparece el disparo. La palabra tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminacin y otras cargas semejantes. En s, el tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica de potencia. El Triac por su parte no es sino la variante bidireccional. El trmino tiristor designa a toda una familia de elementos semiconductores cuyas caractersticas son similares. Dentro de esta gran familia cabe distinguir: Los tiristores propiamente dichos que son los elementos ms conocidos y se denominan SCR (silicon controlled rectifier). Los TRIAC que se derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionables. Los fototiristores o Tiristores Fotosensibles. Los tiristores bloqueables GCO. El Conmutador Unilateral de Silicio SUS (silicon unilateral switch). El Conmutador Bilateral de Silicio SBS. El Tiristor Tetrodo de dos elementos de mando o SCS. El diodo SHOCKLEY o diodo Tiristor. EL TIRISTOR SCR ESTRUCTURA Y SMBOLO El tiristor es un elemento semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N alternadamente dispuesta como se ve en la siguiente figura 2.2.1:

Figura 2.2.1 Estructura del SCR y smbolo del SCR Los dos terminales principales son el nodo y el ctodo y la circulacin entre ellos de corriente directa est controlada por un electrodo de mando llamado puerta. El SCR es un elemento unidireccional, una vez aplicada la seal de mando a la puerta, el dispositivo deja pasar una corriente la cual tiene un sentido nico. Este tiristor se lo conoce como SCR por sus siglas en ingls (silicon controlled rectifier). Este dispositivo cumple con varias misiones. Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional que realiza la funcin de un diodo. Interrupcin de corriente: usado como interruptor el SCR puede reemplazar a los contactos metlicos. Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso de conduccin del SCR permite gobernar la potencia o la corriente media a la salida. Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin con la corriente principal IAK se produce el fenmeno de amplificacin de corriente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL SCR: la estructura del SCR se puede entender mejor pensando que su estructura pnpn interna es un arreglo de 2-transistores, como se muestra en la fig.

Las capas pnp superiores actan como el transistor Q 1, y las capa npn inferiores actan como el transistor Q2. Una vez ms, los transistores comparten las dos capas intermedias. ACTIVACIN DEL SCR: Cuando la corriente de compuerta, IG , es cero, como se muestra en la fig. 6.10 a), el dispositivo acta como un diodo Shockley en el estado apagado. En este estado, la resistencia muy alta entre el nodo y el ctodo puede aproximarse a un interruptor abierto, como se indica. Cuando se aplica un pulso [disparo] de corriente positivo a la compuerta, los dos transistores se activan [el nodo debe ser ms positivo que el ctodo]. Esta accin se muestra en la fig. 6.10 b).

IB2 activa Q2, proporcionando un camino para que IB1 salga por el colector de Q2, as se activa Q1. La corriente de colector de Q1 proporciona corriente de base adicional para Q 2 de modo que Q2 permanezca en conduccin despus que se elimine el pulso de disparo de la compuerta. Esta accin regenerativa, Q2 mantiene la conduccin de saturacin de Q1 proporcionando un camino para IB1; a su vez, Q1 mantiene la conduccin de saturacin de Q2 proporcionando IB2. As, el dispositivo permanece activado [latches] una vez que est activado, como se muestra en la fig. 6.10 c).

En este estado, la resistencia muy baja entre el nodo y el ctodo puede ser aproximada a un interruptor cerrado, como se indica en la fig. 6.10. CURVA CARACTERSTICA DEL SCR (IAK vs VAK) Cuando es nula la tensin VAK lo es tambin la IA. Al crecer la tensin V en sentido directo (VF) se alcanza un valor mnimo Vd que provoca el cebado o conduccin del tiristor. El tiristor se hace entonces conductor y cae la tensin nodo-ctodo mientras aumenta la corriente IA, por lo mismo a esta corriente directa la llamaremos I F (F de forward). Si se polariza inversamente al tiristor aplicndole una tensin VR en sentido reverso aparece una corriente inversa de fuga IR hasta que alcanza un punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del elemento. El tiristor es conductor en el primer cuadrante, el disparo ha sido provocado por el incremento de tensin A-K. La aplicacin de una corriente de mando en la puerta desplaza como veremos hacia la izquierda al punto de disparo Dd, as:

Cuando la IG sea igual a cero el tiristor no se dispara hasta que alcanza el voltaje de disparo entre nodo y ctodo. A medida que aumenta la I G disminuye el valor de la tensin de disparo. Para prevenir posibles disparos espordicos del tiristor se puede conectar una resistencia en paralelo entre la compuerta y el ctodo.

Apagado del SCR.- Cuando la compuerta regresa a 0V despus que se ha quitado el pulso de disparo, el SCR no puede apagarse; permanece la regin de conduccin directa. La corriente de nodo debe caer por debajo del valor de la corriente de sustentacin, IH, para que ocurra el apagado. La corriente de sustentacin se indica en la fig. 6.11.

Hay dos mtodos bsicos para apagar un SCR: interrupcin de la corriente de nodo y conmutacin forzada. La corriente de nodo se puede interrumpir momentneamente con un arreglo de interruptores en serie o en paralelo, El conmutador en serie simplemente reduce la corriente de nodo a cero y determina el apagado del SCR. El interruptor en paralelo enruta una parte de la corriente total fuera del SCR, esto reduce la corriente del nodo a un valor menor que I H. El mtodo de conmutacin forzada bsicamente requiere que la corriente a travs del SCR momentneamente se fuerce en direccin opuesta a la conduccin directa de manera que la corriente directa neta se reduzca por debajo del valor de sustentacin. APLICACIONES DEL SCR El SCR tiene muchas aplicaciones en las reas de control de potencia y conmutacin. se tienen varias aplicaciones del SCR: para controlar corriente; control de potencia de media-onda; circuito bsico para control de fase; sistema de respaldo [backup] de iluminacin en caso de interrupciones de energa; circuito para proteccin de sobrevoltaje o crowbar. Control de Encendido-Apagado de Corriente.- La fig.6.14 muestra un circuito con SCR que permite que se conmute una corriente a una carga mediante el cierre momentneo del interruptor SW1 y que se quite la corriente de la carga mediante el cierre momentneo del interruptor SW2.

Asumiendo que el SCR inicialmente est apagado, el cierre momentneo de SW1 proporciona un pulso de corriente a la compuerta, as se activa el SCR de modo que conduce corriente a travs de RL. El SCR permanece en conduccin an despus de que el contacto momentneo de SW1 termine. Cuando se cierra momentneamente SW2, la corriente se desva del SCR a tierra, reduciendo su corriente de nodo por debajo del valor de sustentacin I H. Esto desactiva al SCR y as la corriente de carga se reduce a cero. Control de Potencia de Media-Onda.- Una aplicacin comn de los SCR es en el control de energa ac para lmparas tipo dimmer, calentadores elctricos, y motores elctricos. Cuando la entrada ac se hace negativa, el SCR se desactiva y no conduce otra vez hasta el punto de disparo en el prximo medio-ciclo positivo. El diodo evita que el voltaje ac negativo se aplique a la compuerta del SCR.

Sistema de iluminacin en caso de interrupciones de energa.- Otro ejemplo de aplicacin del SCR, es el circuito que mantiene la iluminacin utilizando una batera de reserva [backup] cuando hay una falla de energa.

Cuando hay una interrupcin de la energa ac, el capacitor se descarga a travs del lazo cerrado formado por D3, R1, y R3, haciendo al ctodo menos positivo que el nodo o la compuerta. Esta accin establece una condicin de disparo, y el SCR empieza a conducir. La corriente desde la batera circula por el SCR y la lmpara, as se mantiene la iluminacin, como se muestra en la fig. 6.17 b). Cuando se restablece la energa ac, el capacitor se recarga y el SCR se desactiva. La batera empieza a recargarse.

Circuito para Proteccin de Sobre-Voltaje o Crowbar.- La fig. 6.18 muestra un circuito para proteccin de sobre-voltaje simple, a veces llamado circuito crowbar, en una fuente de energa DC. El voltaje DC de salida del regulador es monitorizado por el diodo Zner D1 y el divisor de voltaje resistivo [R1 y R2]. El lmite superior del voltaje est establecido por el voltaje zner. Si se excede este voltaje, el zner conduce y el divisor de voltaje produce un voltaje de disparo del SCR. El voltaje de disparo activa al SCR, que est a travs del voltaje de la lnea. La corriente del SCR hace que el fusible se queme, as se desconecta el voltaje de lnea de la fuente de poder.

EL TRIAC

DEFINICIN: El triac es un elemento semiconductor de tres electrodos uno de los cuales es el mando (puerta) y los otros dos son los terminales principales de conduccin. El elemento puede pasar de un estado de bloqueo a un rgimen conductor en los dos sentidos de polarizacin (I y III cuadrantes) y volver al estado de bloqueo por inversin de la tensin o por disminucin de la corriente por debajo del valor I H. En la figura 2.3.1 se describe la curva caracterstica y su smbolo.

El triac es la versin unidireccional del SCR y se puede comparar a la asociacin de antiparalelo de dos tiristores tal como se indica en la figura 2.3.2

Pueden describirse cuatro cuadrantes de polarizacin para caracterizar el funcionamiento del triac tal como se detalla en la figura 2.3.3

El dispositivo puede pasar al estado conductor inmediatamente de las polaridades de puerta o de nodo. El disparo se efecta en los cuatro cuadrantes. ACTIVADO DEL TRIAC Si se aplica la tensin V1 al nodo A1, la tensin V2 al nodo A2 y la tensin VG a la puerta y si tomamos V1 como punto de referencia a tierra podemos definir cuatro cuadrantes de polarizacin, los cuales se indican en la siguiente tabla. CUADRANTE
I II III IV

V2
>0 >0 <0 <0

VG
>0 <0 <0 >0

NOTACIN SENSIBILIDAD
++ +--+ muy buena buena muy buena regular

a) Disparo en el primer cuadrante (+ +): el triac se dispara como un tiristor normal. La zona P1 es la puerta y la unin N1P1 inyecta portadores producindose el disparo del tiristor entre P2 y N1 (ver figura 2.3.4). La corriente IG mnima de disparo es

funcin de la reparticin de los circuitos entre N1 y P1 es decir del valor de la resistencia R colocada entre G-A1

b) Activado en el segundo cuadrante (+ -): la corriente de disparo circula de P1 a N4 y se activa el tiristor N4P1N2P2. Debido a la geometra del elemento la corriente principal de N4P1N2P2 polariza las bases P1N2 y el tiristor N1P1N2P2 bascula a su vez. Este ltimo normalmente de menor impedancia provoca la apertura de N4P1N2P2 (por IH) a menos que se mantenga la corriente de puerta. La corriente principal circula entre P2N1, como se indica en la figura 2.3.5

c) Activado en el tercer cuadrante (- -): la situacin aqu es un poco ms compleja, el potencial de P1 es superior al de N4, por ello la unin P1N4 tiene polarizacin directa e inyecta portadores. El tiristor que queremos activar es el formado por las capas N3P2N2P1, como se detalla en la figura 2.3.6

d) Disparo en el cuarto cuadrante (- +): el proceso de disparo es idntico que al tercer cuadrante siendo ahora la capa N1 la que juega el papel que anteriormente desempeaba N4. ELEMENTOS DE DISPARO: A continuacin se analizarn los diferentes componentes clsicos o especiales utilizados para el disparo de tiristores y triacs. a. EL DIAL (Diode Alternative Current): El diac es un elemento simtrico que no posee por tanto polaridad. Su estructura es muy simple ya que se obtiene por doble difusin de impurezas de tipo al del sustrato. La tensin de disparo se suele escoger cercana a los 30V. Es difcil obtener tensiones sensiblemente ms bajas con una resistencia negativa suficiente, mientras que el empleo de valores ms elevados reducira las posibilidades de control. A continuacin en las figuras 2.4.1 (a y b) se detallan su curva caracterstica y sus diferentes smbolos respectivamente.

APLICACIN: CONTROL DE FASE (FIGURA 2.4.2) Este circuito controla la potencia CA a la carga por medio de la conmutacin conduccincorte durante los semiciclos positivos y negativos de la seal senoidal de entrada. La ventaja de esta configuracin es que durante la parte negativa de la seal de entrada se producir el mismo efecto que el semiciclo positivo, ya que tanto el DIAC como el TRIAC pueden disparar en la direccin inversa. Al variar R puede controlarse el ngulo de conduccin.

b. EL DIODO SHOCKLEY: El diodo Shockley es un diodo PNPN de cuatro capas con solo dos terminales externos cuyo smbolo y curva caracterstica se muestran en la figura 2.4.3.

El dispositivo acta como un interruptor y permanece apagado hasta que el voltaje directo alcance cierto valor; entonces se activa y conduce. La conduccin contina hasta que la corriente se reduzca por debajo de un valor especfico. La estructura pnpn puede ser representada por un circuito equivalente que consiste de un transistor pnp y un transistor npn, como se indica en la fig. 6.2 a). Las capas superiores pnp forman en transistor Q1 y las capas inferiores npn forman el transistor Q2, con las dos capas intermedias compartidas por los dos transistores equivalentes. Se ve que la juntura base-emisor de Q1 corresponde a la juntura pn-1 en la fig. 6.1, la juntura base-emisor de Q2 corresponde a la juntura pn-3, y la juntura base-colector de Q1 y Q2 corresponde a la juntura pn-2.

Las caractersticas del diodo Shockley son exactamente iguales a las del SCR con IG=0 APLICACIN: Una aplicacin comn del diodo Shockley es un interruptor de disparo para el SCR como se indica en la figura 2.4.4

Cuando el circuito de la figura 2.4.4 se energiza, el voltaje en el capacitor empezar a cambiar hacia el voltaje de alimentacin, a la larga el voltaje en el capacitor ser lo suficientemente elevado como para disparar primero al diodo Shockley y despus al SCR. c. EL CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS) Destinado esencialmente al disparo de tiristores, el SUS (silicon unilateral switch) est constituido por un tiristor miniatura con puerta de nodo al que asocia entre puerta y ctodo un diodo de avalancha de baja tensin. En la figura 2.4.5 (a y b) se indican la curva caracterstica y el smbolo con su circuito equivalente respectivamente.

IH es la corriente de mantenimiento y para conservar su estado de conduccin el tiristor debe suministrar una corriente de nodo IA mnimo que recibe el nombre de IH. A continuacin se describen algunas caractersticas tpicas como son: *Tensin de disparo VS=6 a 10V *Corriente en el momento de disparo IS=0.5mA mx. *Tensin de mantenimiento VH=0.7V a 25C. *Corriente de mantenimiento IH=1.5mA mx. *VF=1.75V para IF=200 mA. *Tensin inversa pico VR=30V *Pico de los impulsos Vo=3.5V mx. d. EL CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

El SBS (silicon bilateral switch) se compone de dos SUS idnticos en antiparalelo. Funciona pues en los dos sentidos como su nombre lo indica y se palica sobre todo a control de los triacs. En la figura 2.4.6 (a y b) se indican el circuito equivalente y el smbolo con su circuito equivalente respectivamente.

Las especificaciones del SBS son idnticas al SUS, no obstante la tensin inversa VR pierde todo su significado. e. EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) El transistor unijuntura es un elemento compuesto por dos bases B1 y B2 entre las que va situada una resistencia de silicio tipo N. Esta resistencia se denomina de interbase (RBB) a 25C su valor est comprendido entre 4.7 y 9.1 K. A continuacin se detalla en la figura 2.4.7 (a y b) el smbolo y circuito equivalente del UJT.

FUNCIONAMIENTO: El UJT se polariza normalmente como se indica en la figura 2.4.9. La base 2 se lleva a una tensin positiva (VBB=5 a 30 V). Por la resistencia R B1RB2 circula una corriente igual a:

Mientras que el ctodo del diodo se encuentra a una tensin

Cuando VE es menor que VC el diodo tiene polarizacin inversa por lo que circula una corriente muy dbil de fuga IEBO. Cuando VE es superior a VC el diodo tiene polarizacin directa y circula una corriente I E que inyecta portadores minoritarios en la R1. Esta queda entonces modulada y disminuye su valor; la tensin VC disminuye tambin por consiguiente si VE es constante IE aumenta IO que contribuye an ms a disminuir R1. El fenmeno es acumulativo y se produce en cuanto I E supera el valor de la corriente de pico IP. La tensin VE de disparo de pico es igual a VP y viene dado por: VP=VBB+VD Donde VD es la cada en el diodo emisor cuando por l circula una corriente I P0.5 A a 25C

ANLISIS DEL UJT: El circuito equivalente: dos resistencias (una fija y otra variable) y un solo diodo. RS1 es una resistencia variable ya que su magnitud vara con la corriente I E, y puede cariar desde 5K a 50 para un cambio de IE de 0 a 50A.

RBB se encuentra en el intervalo de (4 a 10 K) ; esta relacin se cumple para IE=0 Donde es la razn de apagado intrnseca. Para potenciales VE>VC=VBB y considerando la cada del diodo V D(0.3-0.7) con lo cual el diodo se dispara y la corriente IE empezar a circular a travs de RB1, el potencial de disparo del emisor est por: VP=VBB+VD Donde si VP aumenta el VBB tambin aumenta ya que el VD y permanecen fijos. APLICACIN DEL UJT: Una aplicacin bastante comn del UJT es el disparo de otros dispositivos como el SCR cuyo circuito bsico de disparo lo indica en la figura 2.4.11.

Debe elegirse a R1 para asegurar que la lnea de carga determinado por R1 pase por la caracterstica del dispositivo en la regin de resistencia negativa como se muestra en la figura 2.4.12.

La lnea de carga determinada por R1 debe estar a la derecha del punto pico pero a la izquierda del punto valle. Puede establecerse una ecuacin para R1 que asegura una condicin de conduccin. Si consideramos el punto pico en el que: IR1=IP VE=VP

Condiciones para encendido y apagado.- En el oscilador de relajacin de la fig. 6.34, se deben cumplir ciertas condiciones para que el UJT se active y desactive de manera confiable. Primero, para asegurar que se active, R1 no debe limitar IE al puntopico menor que IP. Para asegurar esto, la cada de voltaje a travs de R1 en el punto-pico debera ser ms grande que IPR1. As, la condicin para encendido es

Para asegurar el apagado del UJT en el punto-valle, R1 debe ser bastante grande de modo que IE [en el punto-valle] pueda decrecer por debajo del valor especfico de IV. Esto significa que el voltaje a travs de R1 en el punto-valle debe ser menor que IVR1. As, la condicin para apagado es

As, para un apropiado encendido y apagado, R1 debe estar en el rango:

f. EL TRANSISTOR UNIN PROGRAMABLE: Se le llama as por sus caractersticas de un transistor de unin, pudindose ajustar los valores de , IPICO, IVALLE. De hecho el PUT es un tiristor planar del tipo de puerta doble.

FUNCIONAMIENTO DEL PUT: En la figura 2.4.16 (a y b) se muestra su caracterstica elctrica que es la representacin de la corriente de emisor vs la tensin de emisor y el circuito bsico de montaje del PUT con su esquema equivalente respectivamente.

La puerta de nodo GA est polarizada a la tensin VS mediante el divisor potencimetro R1-R2. Cuando la tensin de nodo VE es inferior a VS el diodo nodo-puerta de nodo tiene polarizacin inversa, slo circula por l una corriente de fuga inferior a 10 nA. Cuando la tensin de nodo VE supera a VS circula una corriente entre nodo-puerta de nodo que sirve para el disparo del tiristor. La corriente de nodo necesaria para el disparo es la corriente de pico I P, esta es tanto ms

dbil cuando mayor es la resistencia RG. Una vez en conduccin el tiristor la tensin de puerta de nodo es de alrededor de 0.5V, circulando por RG una corriente de:

Esta corriente es de sentido contrario a la de disparo, ms bien es una corriente de apertura para el tiristor. El ajuste de la resistencia RG y de la tensin VS permite determinar la IPICO, IV, . DIFERENTES TIPOS DE DISPARO DE TIRISTORES Y TRIACs. Se distinguen tres modalidades de disparo, segn la forma de la seal aplicada a la puerta, as: a. Corriente continua b. Corriente alterna c. Impulsos o trenes de onda. Disparo en corriente continua: Las condiciones de disparo en corriente continua vienen precisadas por un grfico tipo como el de la figura 2.5.1 (para la familia C35 de General Electric es decir 2N681).

C representa la tensin directa de pico mxima admisible VGF mientras que D indica la potencia de pico mxima.

El circuito de la figura 2.5.2 representa un circuito clsico de disparo. Si tomamos la recta de carga del circuito de disparo debe cortar la caracterstica de puerta en la regin marcada como zona preferente de cebado lo ms cerca posible a la curva D.

corresponde a PGAV=0.5W grficamente corresponde a RG(MX)=32 La potencia mxima disipada en la puerta si RG(MX) RG(MN)

La fuente de 6V ofrece todas las garantas para el funcionamiento Disparo en corriente alterna (CA): El circuito bsico es que se detalla en la figura 2.5.4

El voltaje inverso de puerta debe permanecer inferior al valor mximo admisible, lo que implica el empleo del diodo de proteccin D. Disparo por impulsos o trenes de ondas Disparo por impulso nico: En la prctica es conveniente tener en cuenta los siguientes principios para obtener resultados ptimos: 1. El circuito de puerta debe atacarse preferentemente con un generador de corriente. 2. La corriente de mando debe ser mayor que la especificada como mnimo, IGT=IPUERTA=valor mximo necesario para asegurar el activado de cualquier elemento. 3. El tiempo de subida debe ser lo ms corto posible de 0.1 a 1s. 4. La duracin del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por encima de la IGT.

a) Caso del tiristor: En el caso del tiristor el impulso debe ser positivo con relacin al ctodo. Cuando se usa alimentacin CA el impulso debe intervenir al menos una vez en cada perodo puesto que el tiristor se desactiva al trmino de la semionda positiva de la corriente de carga. Si se dispone de impulsos negativos y puede tolerarse la cada de tensin suplementaria de un diodo serie es posible controlar a un tiristor con un circuito como el siguiente que ese indica en la figura.

b) Caso del triac: Para el triac el impulso de disparo debe presentarse en cada semiperodo, pudiendo ser indistintamente de polaridad positiva o negativa. b.1) disparo por impulsos siempre positivos: se producen en el primero y cuarto cuadrantes, el inconveniente reside en la menor sensibilidad que presenta el elemento en el cuarto cuadrante. Esta forma de disparo es muy cmoda cuando se dispone de una fuente de mando suficientemente potente.

b.2) disparo de impulsos siempre negativos: hablamos del 2do y 3er cuadrante, donde el inconveniente es la corriente de enganche I L cuyo valor es el ms elevado en el 2do cuadrante. No es muy aconsejable este tipo de control cuando la carga es inductiva. b.3) disparo por impulsos alternados positivos y negativos: es recomendable en este caso el uso de impulsos positivos durante los semiciclos positivos y de impulsos negativos durante los semiciclos negativos de la tensin de alimentacin. Dispara en las condiciones ms favorables (1er y 3er cuadrante). CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES Y TRIACs CIRCUITO DE DISPARO RC. El circuito tpico utilizado se presenta en la figura 2.6.1

El condensador se carga a travs de la resistencia RS retardando el momento en el que se alcanza la tensin de disparo. La forma de onda de la seal de salida es entonces slo una fraccin de la semionda positiva reduciendo as el valor medio de la corriente (ver figura 2.6.1).

La temporizacin depende de: 1. La constante de tiempo RSC y 2. La pendiente de tensin del nodo. En este circuito el diodo 1 descarga el condensador durante el semiperodo negativo. Actuando sobre RS se puede variar el ngulo de conduccin con lo cual pueden ser un potencimetro y tendremos una variacin entre 0<<180 DISPARO POR UJT El transistor UJT se utiliza muy frecuentemente en el disparo de tiristores, pues permite realizar un excelente relajador con muy pocos componentes. El circuito bsico utilizado para el disparo de tiristores es como el de la figura 2.6.3

En este circuito el condensador C1 se carga a travs de R1 hasta que la tensin de emisor alcanza el nivel de VP, en este momento el UJT bascula y C1 se descarga por

RB1. Cuando la tensin de emisor cae a unos 2V, el emisor deja de conducir, el transistor de uniunin se bloquea y vuelve a empezar el ciclo. El perodo de oscilacin T, que es prcticamente independiente de la tensin de alimentacin y de la temperatura viene dado por:

Para un valor nominal aproximado la relacin intrnseca =0.63, tenemos que el perodo ser: T=R1C1 Generalmente se limita a R B1 a un valor de 100 aunque para ciertas aplicaciones pude tomar valores de 2k a 3k. R1 tiene una valor entre 3k a 3 M. El lmite superior de R1 est determinado de forma que la corriente de pico de emisor permanezca superior a IP a fin de que pueda bascular el UJT. La tensin de alimentacin debe situarse en una gama comprendida entre 10 y 35V; esta gama determinada por abajo por el mnimo valor aceptable de la seal de disparo obtenido y por arriba por la potencia mxima admisible por el UJT.

DETERMINACIN PRCTICA DEL CIRCUITO: Se lo realiza partiendo de familias de curvas relativas del UJT tipo 2N2647, los cuales indican la tensin de alimentacin V1, el C1 y la RB1

SINCRONIZACIN DEL UJT Se puede sincronizar un UJT mediante un impulso que reduzca la tensin interbase a la alimentacin y esto en cualquier momento del ciclo tal como se indica en la figura 2.6.6.

DISPARO MEDIANTE SUS Y SBS El SUS conmutador unilateral se usa para disparo de tiristores segn el esquema de la figura 2.6.7. El SUS proporciona impulsos de salida de amplitud superior a 3.5V capaces de disparar cualquier tipo de tiristor. Adems puede asegurarse la sincronizacin aplicando una seal positiva a la puerta.

El disparo por conmutador bilateral SBS que no es ms que la asociacin en antiparalelo de dos SUS, se basa en los mismos principios como nos indica la figura 2.6.8

La Puerta (G) queda disponible para una eventual sincronizacin. DISPARO POR DIAC

El disparo por DIAC se basa en los mismos principios de lo que se ha analizado anteriormente y su empleo resulta muy simple por lo que veremos cierto esquema de aplicacin el cual est representado en la figura 2.6.9.

El diac gobierna a un triac que alimenta en CA a la carga. La potencia que esta recibe vara efectivamente con el ngulo de conduccin impuesto por el potencimetro. En cuanto se conecta la tensin es decir en cuanto se presenta el primer semiperodo el condensador C empieza a cargarse a travs del potencimetro P y el resistor en serie R. Cuando alcanza en su carga la tensin de disparo del diac (alrededor de 30V) este ltimo hace conductor y el condensador se descarga sobre el circuito de puerta del triac que se dispara alimentando a la carga. Cuanto ms baja sea la resistencia en serie con el C (R+P) ms rpidamente se alcanzar la tensin de 30V y antes se disparar el triac. Inversamente sucede cuando aumenta la R en serie con el C. Para la figura 2.6.9.b el desfase que existe entre VRED y VC es debido a la constante de la RC. Si RC es elevado el disparo del triac se produce al final del semiperodo en el punto A. la descarga brusca del condensador permite que el

siguiente semiperodo negativo de carga empiece a partir de otro nivel diferente o sea el punto B. Si se hubiera seguido la curva de disparo se habra producido en C. La diferencia entre los puntos de disparo B y C constituye el fenmeno llamado de Histresis BIBLIOGRAFA: FLOYD, T; Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin, Editorial Pearson Educacin, 2008. SNCHEZ, T; Electrnica III; Quito-Ecuador; 1995. NOVILLO, C; Dispositivos Electrnicos; Quito-Ecuador; Febrero 2010.