1.

-Defina de manera objetiva Electrnica de potencia La electrnica de potencia es todo lo referente a la conversin y el control de la energa elctrica, al ser transformada de una forma hacia otra, por medio del uso de dispositivos activos y dispositivos pasivos. 2. Qu se entiende por Eficiencia del Uso de la Energa? En la electrnica de potencia las caractersticas principales son el rendimiento y la confiabilidad en el manejo de cantidades considerables de energa.?? 3. Cul es la principal aplicacin de la Electrnica de Potencia? Gracias a las nuevas tcnicas desarrolladas para la fabricacin de dispositivos basados en el silicio, la tecnologa de electrnica de potencia ha visto en la actualidad, una reduccin del volumen fsico en tres o cuatro veces el tamao original de sus primeros dispositivos. Aunque siempre existir una dependencia del nivel de potencia que se maneje. Los tiempos de encendido y apagado tambin han sido reducidos de la escala de los milisegundos, a la escala de los microsegundos en los niveles ms altos de potencia. Adems para niveles de potencia ms bajos se han alcanzado tiempos de conmutacin en nanosegundos. 4. Cules son las limitaciones, de trabajo, que encuentra la EDEPOT(Electrnica de Potencia) en frecuencia y potencia? Cuando tengamos un diodo de potencia en un circuito , normalmente trabajara en conmutacion, puede ser que sean circuitos en los que la frecuencia sea como la de la red,como por ejemplo rectificadores , reguladores de alterna ,... pero hay en otros circuitos que pueden trabajar a 1Khz o 100 Khz y van a ser circuitos por los cuales van a circular corrientes, y muchas veces las corrientes por los diodos van a depender del circuito en que encontremos el diodo. El tema de conmutacion es un fenomeno muy importante en la electronica de potencia porque como veremos mas adelante en las conmutaciones se disipa energia, se calienta el dispositivo por el hecho de conmutar , y cuantas veces conmute el dispositivo por segundo mas se va a calentar , es decir mayor sera la potencia que disipara , esta energia que perderemos , por lo tanto tendremos que analizar muy bien la conmutacion sobre todo en circuitos de alta frecuencia que conmuten muchas veces por segundo ,en circuitos de alta frecuencia la conmutacion es el aspecto mas critico y habra que ver si el diodo es capaz de conmutar a las frecuencias que se le exigen o no.

5. Cul es la funcin de la 3ra zona, en un dispositivo de EDEPOT?

Esta zona llamda n' pero con un dopado muy pequeo.Esto debido a que los dispositivos de potencia van a trabajar en circuitos en los cuales las tensiones son muy grandes(500V,1000V,2000V o incluso mayores) por lo tanto cunado los semi conductores estan en bloqueo tienen que aguantar esas tensiones inversas tan grandes y para el dispositivo sea capaz de soportar esas tensiones de bloqueo se le aade la zon n', introduciendo la zona n' conseguimos la mayoria de la tension caiga sobre esa zona y un porcentaje pequeo de la tension caiga en la zona p.Por lo tanto el objetivo de esa zona n' es soportar esas tensiones tan grandes de trabajo. 6. Explicar el concepto de modulacin de conductividad Cuando polarizamos un diodo en inversa tenemos una resistencia muy grande y cuando lo polarizamos en directa se tiene una resistencia pequea. Este fenmeno se llama modulacin de conductividad y se basa en que al polarizar un diodo en directa estamos inyectando portadores a la zona n- que por lo tanto harn que aumente la conductividad en esta zona, disminuyendo de esa manera su resistividad, pero si polarizamos el diodo en inversa conseguimos lo contrario, sustraemos los portadores de esta zona n- , aumentando de esa forma su resistividad. 7. describa el modelo del diodo de potencia

El diodo de potencia al igual que un diodo de seal polarizado en directa empieza a conducir a partir de cierta tensin y en inversa no conduce .Un diodo de potencia tiene las caractersticas en directa mucho ms lineal que un diodo de seal esto es debido a la resistencia q introduce la zona n- .Nosotros vamos a trabajar con un modelo V-I mas ideal en la que consideramos que el diodo es como una fuente de tensin constante mas una resistencia en serie

8. Diagrame un sistema de electrnica de potencia indicando la funcin de cada una de las partes

FUENTE: Es la que provee de energa elctrica a la entrada del circuito CONVERTIDOR DE ESTADO SOLIDO: se trata de circuitos que utilizan semiconductores. Es un circuito electrnico constituido por un conjunto de elementos estticos formando una red que constituye un equipo de conexin y transmisin entre un generador y una carga. Un convertidor esttico de potencia ideal permite la transferencia de energa elctrica del generador al receptor con un rendimiento unitario (sin prdidas). CIRCUITO DE CONTROL: procesa la informacin proporcionada por el circuito de potencia y genera las seales de excitacin que determinan el estado de los semiconductores, controlados con una fase y secuencia conveniente. CARGA: es el elemento final del circuito 9. Cual es la estrategia empleada para la transmisin de energa elctrica Los sistemas de transmisin de potencia estn construidos sobre la base del cambio de nivel de tensin y corriente. En la generacin, transmisin, distribucin y uso final de la energa se utilizan diferentes valores de tensin y corriente, con el objetivo de aprovechar la mayor cantidad de potencia elctrica, atenuando las prdidas en los conductores al transmitir y distribuir la potencia con altos niveles de voltaje y bajos niveles de corriente 10. Qu ventajas contempla el Modelado empleando Mat Lab Simulink? simulink es un programa extension de matlab cuya finalidad se de simular sistemas dinamicos y que aporta una linreria para el modelado de los mismos.Usando simulink se puede modelar y

simular la trauectoria que seguiria un proyectil hasta sistemas mas complejos tales como equipos electronicos de potencia , o accionamientos de control de velocidad de motores. Simulink tienes dos fases en su uso: definicion del modelo y analisis del modelo. Una sesion comienza por definir un modelo o por redefinir otro existente , por seguir con el analisis de este modelo. Las herramientas de analisis incluyen varios algoritmos de simulacion , herramientas para extraer modelos lineales de los sitemas o prara encontrar su posicion de equilibrio. Pode mos observar una simulacion en tiempo real mientras se esta ejecutando y al final podremois tener disponibles los resultados en el area de trabajo de matlab, cuando la simulacion este completa 11. deduzca la formula de la potencia total de total de un sistema trifsico

12. explicar el concepto de factor de potencia y como se elimina la potencia reactiva Se define factor de potencia, f.d.p., de un circuito de corriente alterna, como la relacin entre la potencia activa, P, y la potencia aparente, S, si las corrientes y tensiones son seales perfectamente sinusoidales. Si las corrientes y tensiones son seales perfectamente sinusoidales, el factor de potencia ser igual a cos o como el coseno del ngulo que forman los fasores de la intensidad y el voltaje, designndose en este caso como cos, siendo el valor de dicho ngulo. De acuerdo con el tringulo de potencias de la figura

El factor de potencia se puede conseguir en una forma prctica y econmica, instalando condensadores elctricos estticos o utilizando los motores sincrnicos disponible en su industria. Los condensadores mejoran el factor de potencia debido a que sus efectos son exactamente opuestos a los de las cargas reactivas, eliminando as el efecto de ellas.
13. Cul es la estrategia empleada para la eliminacin de la Potencia Reactiva?

CAPITULO 2 1. DESCRIBIR LOS PARMETROS EN CONDUCCIN DEL DIODO DE POTENCIA Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. 2. DESCRIBIR LOS PARMETROS EN BLOQUEO DEL DIODO DE POTENCIA

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. 3. ESTRUCTURE EL MODELO DE RECTIFICACIN MEDIANTE SIMULINK; DANDO DIFERENTES VALORES A LA FUENTE Y LA CARGA

4. CUALES SON LAS FORMAS DE ACTIVAR UN SCR Por puerta Por mdulo de tensin Por gradiente de tensin (dV/dt) Disparo por radiacin Disparo por temperatura 5. ESTRUCTURAR MEDIANTE SIMULINK UN MODELO DE RECTIFICACIN EMPLEANDO UN TIRISTOR. PRUEBE DIFERENTES VALORES DE LA FUENTE Y LA CARGA

6. HAGA UNA COMPARACIN A NIVEL ESTRUCTURAL Y FUNCIONAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA Y UN IGBT ESTRUCTURAL Y FUNCIONAL BJT El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Un transistor de unin bipolar

est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. IGBT El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, etc. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. 7. HAGA LA SIMULACIN FUNCIONAL MEDIANTE SIMULINK DEL IGBT. VARIE LOS PARMETROS DE LA FUENTE Y LA CARGA

8. Realice una descripcin estructural comparativa del IGBT vs BJT.

9. Empleando Simulink, disee el modelo para la simulacin del trabajo de un IGBT. 10. La mxima carga recomendada para un rectificador monofsico es: debido a que proporciona 11. Cul es la principal diferencia de las curvas de corriente y voltaje entre un rectificador monofsico y el trifsico?

12. Que ocasiona, en la corriente, la componente inductiva?

13. Calcular el FF y el RF de un rectificador trifsico para un valor de Vmax=169.831v

14. Qu entiende por Conmutacin Natural del SCR?

CAPTULOS IV CONVERSORES DE CORRIENTE DIRECTA A CORRIENTE ALTERNA 1) Indicar como se obtiene un voltaje variable en la salida de un convertidor.

Existen dos formas de obtener un voltaje variable en la salida del inversor. Una forma es la variacin del voltaje de entrada, manteniendo la ganancia constante. La otra forma es mantener el voltaje de entrada constante, pero se hace variar la ganancia del inversor, esto se logra con un control por modulacin de ancho de pulso o PWM por sus siglas en ingls (Pulse Width Modulation).

2) Cul es la razn del empleo de los diodos en antiparalelo con los transistores?

La mayora de las cargas tienen componentes inductivas, debido a esto, cuando el voltaje que se le aplica cambia de polaridad, la corriente no puede cambiar inmediatamente. Es en este instante cuando se hace necesaria la operacin de los diodos de retroalimentacin. Cuando comienzan a funcionar permiten que la corriente mantenga su direccin a travs de la carga, an despus que los transistores que estaban conduciendo la corriente en esa misma direccin ahora se encuentren bloquendola.

3) Para la siguiente onda explicar como se obtiene v(t):

Las seales 1 y 2 son los generadores PWM desfasados 180 grados El voltaje Vcd = 100V. La carga es de 100 ohms. Se ejecuta la simulacin por 0.08 segundos. Y resulta la seal cuadrada.

Y la ecuacin anterior resulta de la simplificacin de la serie de Fourier

Los trminos a eliminar son el a0 y el an. El primero de ellos es el valor promedio de la seal, tomando en cuenta la simetra respecto al eje X, el valor promedio es cero. Otra caracterstica importante en esta onda, es el hecho de ser una funcin impar, con este rasgo, se pueden eliminar todos los factores que incluyen coseno, esto quiere decir que el factor an es cero. Y bn resulta:

Por lo tanto el voltaje en la carga solo posee componentes armnicas impares y puede ser representado por:

4) Qu entiende por distorsin armnica y cmo se calcula?

La distorsin armnica total (THD). Esta distorsin es una medida del valor efectivo de la sumatoria de todas las componentes armnicas, comparado con el valor de la componente fundamental. Por ejemplo, una corriente con una distorsin armnica total del 20% significa que la corriente armnica total es igual al 20% del total de la corriente fundamental. Para calcular la distorsin armnica total se utiliza la ecuacin.

5) Para qu es til la FFT?

La transformada rpida de Fourier es til para analizar cualquier seal peridica. Este anlisis se utiliz en la corriente que circula por la carga del inversor mostrado en la figura 2 (de la pregunta 3), tomando en consideracin hasta la armnica nmero 30. La forma de onda de la corriente aparece en la figura 43.

6) Qu factores analiza la FFT?

Los factores ms importantes es el valor pico y el valor RMS de la componente fundamental, as como la distorsin total armnica.

Otro dato muy interesante es el factor armnico de las diferentes componentes, este factor indica la contribucin de cada armnica. Al revisar estos factores se puede notar que las componentes pares no tienen un porcentaje representativo, comparado con las componentes impares y la componente de corriente directa resulta ser despreciable. As como muestra la siguiente tabla:

7) Cul es la caracterstica principal de las cargas trifsicas? La demanda de cantidades considerables de potencia, generalmente mayores a 2 KW.

8) Cmo se logra implementar un inversor trifsico que proporcione un voltaje balanceado? Se conectan tres inversores monofsicos en paralelo a una misma fuente de corriente continua, los inversores monofsicos estn desfasados entre s 120 para lograr generar un voltaje trifsico balanceado.

9) Cmo se obtiene un inversor trifsico funcional? Se necesitan tres transformadores monofsicos, donde los devanados primarios deben estar aislados entre s y los devanados secundarios pueden estar conectados en estrella o en delta.

10) Por qu es conveniente la configuracin delta a la estrella, en los devanados secundarios de los transformadores? Para evitar las componentes armnicas mltiplos de tres.

11) Qu caracterstica importante presenta el Puente universal de Simulink? Que tiene incluidos los diodos de retroalimentacin dentro del mismo bloque. Estos diodos dan un camino a la corriente de las cargas con factores de potencia menores a 1.

12) Para las siguientes ondas explicar cmo se obtiene v(t)

Se parte de la ecuacin general de la serie de Fourier:

12.1 En la figura vemos que las tres ondas son las mismas solo que estn desfasadas entre s 120 asi que se puede tomar cualquiera de ellas ya adems para la conveniencia de los clculos, tambin se puede elegir la simetra de la onda, por lo tanto se decide desplazar 60 la onda de voltaje y as obtener una simetra par, en donde los trminos de la serie de Fourier entonces solo una serie en trminos de an: y son iguales a cero. Se tiene

Esta ltima expresin al reemplazarla en 12.1 da como resultado:

13)

Explicar la obtencin de 3.7

De la pregunta 12 se tiene:

Entonces resolviendo cada integral donde Vs=100: Primera integral:

se obtiene

Segunda integral:

se obtiene Tercera integral:

se obtiene Entonces an=

an= donde simplificando se obtiene que

14) Para , calcular el de, de lnea a lnea, en un inversor trifsico cuya salida se halla en configuracin estrella, calcular el de la componente fundamental. Con:

Se obtiene el valor mximo reemplazando los datos:

Vmax = 110.27 V Vrms = 0.7797Vmax = 77.97 V

15) Explique qu entiende por simetra par o impar? Una funcin par es simtrica respecto al eje vertical en el origen, es decir, f(-t) = f(t) Una funcin impar es anti simtrica respecto al eje vertical en el origen, es decir, f(-t) = -f(t)

16) Para , calcular el de, de lnea a neutro, en un inversor trifsico cuya salida se halla en configuracin estrella, calcular el de la componente fundamental. El valor del voltaje es:

Reemplazando los datos se tiene Vmax = 63.66 V y el Vrms = 0.7797Vmax = 45.01 V 17) En que factor no varan cuantitativamente las referencias de lnea a lnea y de lnea a neutro? En la distorsin armnica total