Instituto Tecnolgico de Tepic

Carrera:IngenieraMecatrnica Materia:Electrnica 1 Tema de investigacin:Proceso de fabricacin de los circuitos Integrados Profesor:Ingeniero Puga Castaeda Jos Abraham Alumno:Amador Berumen Thomas Edson Grado: 5to Grupo: A

Numero de control:09400831

Fabricacin de circuitos integrados

La fabricacin de los circuitos integrados es un proceso llevado a cabo con mucha dedicacin y esfuerzo, en el cual para completar la creacin de los mismos es necesario llevar su fabricacin por etapas, para con ello lograr un producto competente y de gran calidad para nosotros los consumidores Cada fabricante de mantiene sus procesos como secreto empresarial, pero la realidad es que no se diferencian mucho entre unos y otros, puesto que normalmente las tcnicas usadas son parecidas entre si Los circuitos integrados se pueden dividir en 2 los analgicos y los digitales pero a fin de cuentas, utilizan un mismo material como base, el cual es el silicio El silicio es un elemento abundante que existe naturalmente en forma de arena. Puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. Los pasos para la fabricacin de los circuitos integrados llevan todos ellos los mismos procedimientos bsicos, cada empresa puede llevar acabo la mayora de los procesos en distinto orden, pero todas ellas llegan a la obtencin de un producto competente para su distribucin y venta, a continuacin un ejemplo de proceso de fabricacin para con el ilustrarnos.

Preparacin de la oblea

La materia principal como antes mencionbamos es el silicio del cual se necesita que tenga una gran pureza, al cual se le da la forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1m a 2m de longitud Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros). Despus, se pasa a un proceso en el cual se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo. Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes. Para lograr tener mayor resistividad, se necesita alterar las propiedades elctricas del Silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio impurificada se designa como n-y una oblea levementepurificada se de tipo n+

Oxidacin
Con este proceso se busca la obtencin de Dixido de Silicio (SiO2). Para el proceso se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor (oxidacin hmeda). Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante.

Difusin
En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado.Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse como conductor.

Implantacin de iones
Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operacin del dispositivo.

Deposicin por medio de vapor qumico

Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para que acte como aislante trmico.

Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes para formar el circuito integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio.

Fotolitografa
Este proceso es usado para definir la forma de los distintitos circuitos integrados. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir con precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos.

Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados,. Despus de haber probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes). por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vaco o en una atmsfera inerte.