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UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS ELECTRONICA E INDUSTRIAL ELECTRONICA DE POTENCIA INTEGRANTES John Chicaiza Luis Hernndez.

Tema: Transistores de Potencia.

Introduccin Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley. Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.

En esta pequea investigacin nos centraremos principalmente en los transistores de potencia tipos de transistores de potencia y algunas de sus caractersticas para ello se nombrara pginas web relacionadas con este tema si se desea ampliar los conocimientos.

Introduction In power electronic devices, we can cite: the diodes and power transistors, thyristor, and other derivatives thereof, such as the triac, diac, or unilateral switch SUS, or UJT unijunction transistor, or programmable unijunction transistor PUT and Shockley diode. The most important consideration of these devices is the curve that relates us the intensity flowing through the voltage drop between the main electrodes. The basic component of the power circuit must meet the following requirements: Having two clearly defined states, a high impedance (block) and a low impedance (driving). Being able to control the passage from one

state to another with ease and low power. be able to withstand high currents and high voltages when in a state of blockade, with small falls of tension between the electrodes, when in conduction state. Both conditions enable it to handle large powers. Speed of operation to move from one state to another. In this small study we will focus mainly on the types of power transistors, power transistors and some of its features to be appointed this web pages related to this topic if you want to expand knowledge. Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Investigacin. El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caracterstica principal la capacidad de soportar altas tenciones e intensidades y por consecuencia las altas potencias que deber disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT.

Pequeas fugas. Alta potencia. Bajos tiempos de frecuencia para conseguir altas frecuencias de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada).

El IGBT.- Este tipo de transistor ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos. Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Una de las limitaciones ms importantes de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo. Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

La diferencia principal entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales. En conclusin de este articulo, destacamos tres cosas fundamentales:

http://www.directindustry.es/fabricanteindustrial/transistor-potencia-62287.html

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. Los Transitores de potencia son similares a los Transitores normales con la diferencia que poseen gran capacidad de discipacion de potencia debido a las altas tensiones e intensidades En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID. En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.

Referencias. http://www.uv.es/marinjl/electro/transistores .html http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec _basica/tema6/Paginas/Pagina6.htm

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