UNIVERSIDAD POLITCNICA DE VICTORIA

TRANSISTOR IGBT

Electrnica de Potencia Ingeniera Mecatrnica

Alumnos:
Roco Mariana Barrn Gonzlez

Carlos Emilio Aguilar Jasso

Arturo Vera

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los aos 80

Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET

La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C EL IGBT DE POTENCIA
MOSFET Bipolar

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida

Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo

EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor cada de tensin

Conduce ms corriente
Se calienta ms Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Encapsulados de IGBT
Mdulos de potencia TO 220

MTP
TO 247

EL IGBT DE POTENCIA

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura
Corriente mxima

Tensin colector-emisor en saturacin

EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensin Alta tensin

250 V
300 V

600 V
900 V 1200 V

(Poco usuales)

Caractersticas bsicas

EL IGBT DE POTENCIA

C
En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo

G E

Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS) Caractersticas trmicas

EL IGBT DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT

La base del bipolar no del accesible

La circuitera exterior no puede solucionar el problema de la eliminacin de los minoritarios de la base

EL IGBT DE POTENCIA

Esto da lugar a la llamada cola de corriente (current tail) Problema: aumento de prdidas de conmutacin

Cola de corriente

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente

Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas

Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido

Este tiempo es muy importante para definir las prdidas

Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones de un IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones de un IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Aplicaciones del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Ventajas de un IGBT

- El consumo de energa es sensiblemente bajo.

- El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco. - Una vida larga til.

EL IGBT DE POTENCIA

- No necesita tiempo de calentamiento. - Resistencia mecnica elevada.