Capteurs de pression et de force

quatrime partie (4/6) : autres capteurs

capteurs capacitifs capteurs variation d'inductance capteurs pizolectriques une solution assez lgante
pour des environnements svres une application des travaux de P. Curie une collection d'icnes pour visiter tout le site

Les capteurs jauges de contrainte reprsentent l'essentiel du march, mais d'autres principes sont aussi utiliss et parmi ceux-ci nous citerons ici les capteurs de type capacitif, ceux variation d'inductance mutuelle et les capteurs pizolectriques, et nous renverrons le lecteur au chapitre concernant les applications capteurs des fibres optiques pour avoir un aperu de ceux-ci dans le domaine de la mesure des pressions.

capteurs capacitifs
Une solution lgante imagine par certains constructeurs a t de transformer la dformation de la membrane sous l'effet d'une pression (ou d'une force) en une variation de capacit plutt qu'une variation de rsistance. En effet, il suffit de placer l'une des armatures d'un condensateur sur la membrane qui se dforme et l'autre sur une pice solidaire du corps d'preuve, mais non soumise la dformation, comme le montre le schma ci-dessous, pour raliser un condensateur plan dont la capacit est en relation directe avec la pression applique.

Fig. principe du capteur capacitif absolu (a) ou diffrentiel (b)

Il est clair qu'on peut imaginer des gomtries d'armatures permettant d'obtenir la meilleure linarit possible entre variation de capacit et variation de pression, que l'on peut mettre en oeuvre simultanment plusieurs condensateurs et donc faire un montage en pont peu sensible aux contraintes thermiques. L'intrt habituel du montage capacitif se retrouve videmment dans cette application, savoir qu'on intgrera gnralement ce condensateur variable dans un circuit oscillant et qu'en consquence la mesure de pression se ramnera une mesure de frquence. Et l'opportunit de disposer de deux oscillateurs semblables, l'un de frquence fixe et l'autre variant avec la pression, dont on exploite via un mlangeur la diffrence des frquences permet videmment une trs grande prcision puisqu'on rduit ainsi par soustraction l'importance des drives ventuelles de chaque oscillateur pris sparmment. La figure ci-dessous montre quelques prsentations de capteurs capacitifs commercialiss

Fig. Quelques capteurs capacitif s (documentation Keller, CH-Winterthur)

capteurs mutuelle inductance

Une autre possibilit a aussi t exploite dans certains environnements svres, c'est le capteur bas sur une variation d'inductance mutuelle. En effet il arrive que ni les jauges de contrainte ni les systmes capacitifs ne donnent satisfaction, c'est par exemple le cas dans certains environnements radioactifs (neutrons) o les particules bombardant le capteur dtruisent l'lment sensible trs rapidement. On sait que les colles assurant la fixation des jauges de contraintes, mais aussi les alliages constitutifs de ces jauges ou les couches minces servant d'armatures au condensateur sont en effet trs rapidement dtriores par les neutrons, et dans une moindre mesure par les rayonnements et de grande nergie. Dans ce cas l'emploi

d'une structure inductive peut se rvler plus fiable et surtout prsenter une dure de vie plus grande.

inductance

Fig. circuit magntique typique

Considrons un circuit magntique typique comportant un noyau demi-torique, entour d'un bobinage de n spires parcouru par un courant i, et referm par une pice magntique situe une distance d. Supposons que les deux matriaux magntiques ont des permabilits diffrentes. On sait qu'un tel circuit magntique est le sige d'une force magntomotrice dont l'expression est le produit du flux par la reluctance du circuit (par analogie avec la force lectromotrice d'un circuit lectrique parcouru par un courant i et possdant une rsistance r). on montre aisment que l'inductance L est en relation avec la reluctance du circuit puisque le flux s'exprime par

Les reluctances en srie s'ajoutent (comme les rsistances) les indices concernent A l'armature mobile, C le demi-tore et G la lame d'air d'paisseur d. Seule la lame d'air est susceptible de variation (puisque d peut varier) on peut donc ramener la reluctance totale la somme d'un terme constant et d'un terme variant avec d, soit il en rsulte immdiatement que l'expression de l'inductance varie avec d selon une relation que l'on

peut crire

capteur
On va exploiter cette ide dans divers capteurs comportant non un seul bobinage mais deux symtriques par rapport la position de rfrence de l'armature mobile. Cette armature sera dplace par l'action d'un piston, de gomtrie plus ou moins complexe, solidaire de la membrane du capteur : ainsi chacune des inductances variant en sens inverse, en fonction de d+x pour l'une et d-x pour l'autre, on pourra obtenir, via une connection lectrique adquate, une ddp fonction du dplacement donc de la pression.

Fig. principe d'un capteur inductance mutuelle.

Ces lments sont raliss avec des conducteurs massifs en cuivre donc videmment beaucoup moins sensibles au rayonnement ce qui explique leur dure de vie sensiblement accrue. L'inductance mutuelle tant directement fonction de L1 et L2 est lie au dplacement relatif, il en rsulte une variation d'impdance que l'on va ici encore exploiter dans un dispositif oscillant aussi bien que dans un simple montage en tension. La figure ci-dessous montre un exemple de ralisation pratique du coeur du capteur. La pice mobile en bleu coulisse au coeur du noyau de la bobine de gauche et son dplacement est li une membrane non reprsente sur la gauche. Notons que ce dplacement peut tre provoqu par une pression mais aussi par une force ou mme un dplacement quelconque d'une pice. C'est donc une structure utilisable aussi bien comme capteur de dpacement, de force ou de pression.

Fig. transducteur inductance mutuelle. Ici les deux bobinages sont monts en srie et traverss par le mme courant, mais au niveau du mesureur de tension on rcupre videmment une ddp diffrente de zro ds lors que la pice mobile n'est plus dans sa position de rfrence.

capteurs pizolectriques
Avertissement : tout d'abord une petite remarque, il ne faut pas confondre pizorsistance et pizolectricit. Tout matriau mtallique ou semi mtallique est pizorsistif, c'est dire que sa rsistivit varie lorsqu'il est soumis une contrainte mcanique qui induit un rapprochement ou un cartement des atomes constitutifs du matriau. Au repos la rpartition des atomes constitutifs d'un mtal polycristallin est statistiquement (c'est dire macroscopiquement) rgulire ce qui induit que la majeure partie de ses proprits physiques sont isotropes et que la rpartition des charges lectriques positives quilibre pratiquement en tout point celle des charges ngatives chaque atome constitutif tant lectriquement neutre: le matriau est globalement et localement neutre. Dans un matriau pizolectrique de type monocristallin l'quilibre lectrostatique provient du fait qu'il y a , au repos, une rpartition rgulire des charges ngatives lies des ions ngatifs (ions dont la position est fige structurellement) gnralement des atomes d'oxygne chargs deux fois moins (donc ayant complt leur dernire couche lectronique 8 lectrons) et des ions positifs (eux aussi figs) de type atome mtallique chargs plus (c'est dire ayant au contraire perdu leurs lectrons les plus priphriques au profit des atomes d'oxygne. Il s'agit donc d'un tout autre type de matriau s'apparentant un dilectrique particulier et ce matriau n'est plus localement neutre et une contrainte va induire non une variation de rsistivit mais une variation de la position des ions dont il rsultera un dsquilibre lectrostatique. Notons qu'en raison du positionnement rgulier des ions dans le monocristal celui-ci est d'une grande stabilit mais aussi d'une grande rigidit : contrainte gale un matriau pizolectrique va donc voir ses dimensions varier beaucoup moins qu'un matriau pizorsistif. On ne pourra donc pas esprer exploiter une variation de rsistivit d'un matriau pizolectrique mais seulement une ddp induite par le dsquilibre gomtrique des charges. Nous illustrons ceci plus en dtail cidessous.

la pizolectricit

La pizolectricit dcouverte par Jacques et Pierre Curie en 1880 dsigne la proprit qu'ont certains matriaux de dvelopper une charge lectrique proportionnelle la contrainte qui leur est applique, et inversement de se dformer en fonction du champ lectrique . Ce phnomne a donn lieu diverses applications selon que l'on privilgie l'effet direct ou l'effet inverse. L'application d'un champ lectrique variable induit une dformation variable et c'est typiquement l'application exploite dans les oscillateurs quartz. Ici c'est l'effet direct qui nous intresse, c'est dire la gnration d'une ddp entre les deux faces d'une lame pizolectrique soumise une contrainte. Pourquoi certains matriaux sont ils pizolectriques? La rponse est immdiate si l'on examine leur structure cristalline. Il s'agit toujours de matriaux dont les cristaux ne sont pas positionns alatoirement mais au contraire orients (en raison du processus de fabrication du matriau) et en outre ces cristaux ont une structure particulire. Nous allons illustrer cette caractristique dans le cas du quartz (qui est une varit cristalline de silice) en examinant un modle gomtrique simplifi de la structure de ce cristal. Ce modle pour des raisons pdagogiques est bidimensionnel alors que dans la ralit le cristal de quartz est tridimensionnel, mais la reprsentation en serait malaise.

Fig. modle structural de la silice La structure de base de la silice peut-tre schmatise par un modle hexagonal (a). Les atomes de silicium sont chargs positivement tandis que les atomes d'oxygne sont chargs ngativement. En ralit le systme est tridimensionnel (pyramidal) et chaque atome de silicium est li 2 autres atomes d'oxygne, symtriques par rapport au plan de la figure, de telle sorte que tous les angles soient de 120. Dans ce cas, le barycentre des charges positives et celui des charges ngatives sont confondus (dans le modle pdagogique bidimensionnel le triangle reliant les atomes de silicium est quilatral de mme que celui reliant les atomes d'oxygne et ils ont mme barycentre). Par contre si l'on exerce une pression sur le matriau (figure b) on voit alors que l'hexagone n'est plus rgulier et en consquence les barycentres des charges positives et ngatives ne sont plus confondus. C'est vrai pour l'ensemble de l'chantillon et il en rsulte l'apparition d'une charge ngative sur la face suprieure et positive sur la face infrieure (dans le cas illustr ici) c'est dire d'une ddp dont l'amplitude est effectivement reprsentative de l'amplitude de la contrainte. L'exploitation directe de cette ddp va permettre la ralisation de capteurs de pression intressants.

Les matriaux pizolectriques Le quartz est le plus connu, mais il n'est pas utilis en pratique en capteur pizolectrique de
force ou de pression. On lui prfre certains matriaux cramiques ferrolectriques tels le titanate de baryum (BaTiO3), le titanate zirconate de plomb (PZT) le titanate zirconate de lanthane et de plomb (PLZT) qui gnrent des ddp plus importantes, de mme que certains polymres ou composites tel le fluorure de polyvinylidne (PVDF). Les polymres ont des proprits pizo moins importantes que les cramiques, mais ils prsentent l'avantage de pouvoir tre raliss en films de grande surface donc d'tre destins certains types d'applications d'analyse des contraintes plutt que de capteur de pression classique, ou d'hydrophones (microphone en milieu aqueux). On a aussi rcemment ralis des matriaux composites cramiques-polymres qui associent les hautes performances des cramiques et la souplesse de mise en forme des polymres ainsi qu'une impdance rduite.

caractristiques d'une lame pizolectrique

Le schma quivalent d'une lame pizo tant figur ci-dessous montre une ractance voluant fortement autour de la frquence dite de rsonance (exploite pour les oscillateurs) et une ractance plus constante vers les plus hautes frquences (exploite dans les capteurs)

Fig. schma quivalent une lame pizolectrique et variation de sa ractance en fonction de la frquence au voisinage de la rsonance

Notons en outre que les cramiques pizolectriques ont un module d'Young trs lev, aussi pour obtenir un signal important il faut leur appliquer des contraintes trs leves, on va donc les utiliser prfrentiellement dans ces cas et donc les rserver soit aux capteurs pour trs grande pression, soit plutt aux capteurs de force industriels (pesage de charges de plusieurs tonnes).

capteur
La figure ci-dessous montre le principe de base d'un capteur de pression ralis l'aide d'un diaphragme pizolectrique utilis typiquement comme microphone (c'est dire capteur de pression acoustique). On a dispos en pratique de deux films pizo inverses, spars par un

diaphragme mtallique, ce qui accrot la sensibilit puisque l'un des lments sera comprim et l'autre au contraire en extension.

Fig. microphone pizolectrique Dans un tel capteur de pression la tension rcupre s'exprime par

relation dans laquelle d31 est la composante du coefficient de pizolectricit dans la direction 31 (eu gard l'orientation du film par raport aux axes cristallographiques), e la constante dilectrique du film, D le diamtre utile du capteur, h l'paisseur du film et n son coefficient de Poisson.

ex de capteur pizolectrique hermtiquement soud (doc.DJB) En raison de la haute impdance des matriaux pizolectriques, leur emploi comme capteurs implique la proximit de l'amplificateur, dont l'impdance d'entre doit videmment tre trs grande, afin de limiter l'influence des cbles de liaison. La tendance est d'ailleurs de plus en plus l'intgration de l'lectronique dans le boitier capteur comme on le voit sur la photo ci-dessous. Notons que cette obligation de proximit induit un effet pervers. En effet l'effet pizolectrique est peu sensible la temprature et de ce fait une jauge pizolectrique peut tre a priori utilise jusqu' des tempratures relativement leves puisque les cramiques utilises ont gnralement une stabilit chimique jusqu' des tempratures trs leves (souvent bien au del de 1000C). Cependant la prsence de l'lectronique, du fait de la limitation du silicium 200C environ, proximit immdiate de la membrane rduit quasi nant cet avantage des capteurs pizolectriques.

Fig. exemple de coupe d'un capteur de pression commercialis (Althen Sensortechnik, DKelkheim)

Conclusion
Il existe de nombreux moyens de mesurer une pression. La plupart d'entre eux sont d'ailleurs des procds gnralistes susceptibles de mesurer des dplacements, des forces et/ou des contraintes et parfois mme des niveaux ou des dbits. Le choix d'un procd plutt qu'un autre dpendra essentiellement de la plage de pression mesurer, des contraintes thermiques et des conditions environnementales du problme. Nous rappelons que quelques autres techniques et technologies figurent dans le chapitre 53 (technologies silicium et fibres optiques).

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