Eletrônica de Potencia - Unicamp

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao

Departamento de Sistemas e Controle de Energia

Eletrnica de
Potncia

Jos Antenor Pomilio

Publicao FEEC 01/98
Fevereiro de 1998
Revisado em Janeiro de 2002

ii
Apresentao

O texto que se segue foi elaborado para a disciplina "Eletrnica de Potncia"
ministrada nos cursos de ps-graduao em Engenharia Eltrica na Faculdade de Engenharia
Eltrica e de Computao da Universidade Estadual de Campinas.
Este um material que vem sofrendo freqentes atualizaes, em funo da constante
evoluo tecnolgica na rea da Eletrnica de Potncia, alm do que, o prprio texto pode
ainda conter eventuais erros, para os quais pedimos a colaborao dos estudantes e
profissionais que eventualmente fizerem uso do mesmo, enviando ao autor uma comunicao
sobre as falhas detectadas.
Os resultados experimentais includos no texto referem-se a trabalhos executados pelo
autor, juntamente com estudantes e outros pesquisadores e foram publicados em congressos e
revistas, conforme indicado nas referncias bibliogrficas.
Textos semelhantes foram, ou esto sendo produzidos referentes s disciplinas de
"Fontes Chaveadas" e Condicionamento de Energia Eltrica e Dispositivos FACTS.

Campinas, 21 de Janeiro de 2002

Jos Antenor Pomilio

Jos Antenor Pomilio Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor em
Engenharia Eltrica pela Universidade Estadual de Campinas - UNICAMP
(1983, 1986 e 1991, respectivamente). professor junto Faculdade de
Engenharia Eltrica e de Computao da UNICAMP desde 1984. Participou
do Grupo de Eletrnica de Potncia do Laboratrio Nacional de Luz
Sncrotron (CNPq) entre 1988 e 1993, sendo chefe do Grupo entre 1988 e
1991. Realizou um estgio de ps-doutoramento junto ao Departamento de
Engenharia Eltrica da Universidade de Pdua, Itlia, em 1993/94. Foi
Liaison da IEEE Power Electronics Society para a Regio 9 (Amrica
Latina) em 1998/1999. Foi eleito Member at Large do Comit de
Administrao da IEEE Power Electronics Society para o trinio 2000/2002.
Foi editor da Revista Eletrnica de Potncia (99/2000). presidente da
Sociedade Brasileira de Eletrnica de Potncia (2000-2002).

iii
Contedo

1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA
1.1 BREVE REVISO DA FSICA DE SEMICONDUTORES
1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas
1.1.2 Semicondutores dopados
1.1.3 Recombinao
1.1.4 Correntes de deriva e de difuso
1.2 DIODOS DE POTNCIA
1.3 DIODOS SCHOTTKY
1.4 TIRISTOR
1.4.1 Princpio de funcionamento
1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor
1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores
1.4.4 Circuitos de excitao do gate
1.4.5 Redes Amaciadoras
1.4.6 Associao em Paralelo de Tiristores
1.4.7 Associao em srie de tiristores
1.4.8 Sobre-tenso
1.4.9 Resfriamento
1.5 GTO - GATE TURN-OFF THYRISTOR
1.5.2 Parmetros bsicos do GTO
1.5.3 Condies do sinal de porta para chaveamento
1.5.4 Circuitos amaciadores (snubber)
1.5.5 Associaes em srie e em paralelo
1.6 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTNCIA (TBP)
1.6.2 Limites de tenso
1.6.3 rea de Operao Segura (AOS)
1.6.4 Regio de quase-saturao
1.6.5 Ganho de corrente
1.6.6 Caractersticas de chaveamento
1.6.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber"
1.6.8 Conexo Darlington
1.6.9 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento
1.7 MOSFET
1.7.1 Princpio de funcionamento (canal N)
1.7.2 rea de Operao Segura
1.7.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva
1.8 IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
1.9 ALGUNS CRITRIOS DE SELEO ENTRE TRANSISTORES
1.10 MCT - MOS-CONTROLLED THYRISTOR
1.10.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT
1.11 MATERIAIS EMERGENTES
1.12 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

iv
2. TCNICAS DE MODULAO DE POTNCIA
2.1 CONTROLE POR CICLOS INTEIROS
2.2 CONTROLE DE FASE
2.3 MODULAO POR ONDA QUADRADA
2.3.1 Modulao com onda quase-quadrada.
2.4 MODULAO MULTINVEL
2.5 MODULAO POR LARGURA DE PULSO - MLP
2.6 MODULAO EM FREQNCIA - MF
2.7 MODULAO POR LIMITES DE CORRENTE - MLC (HISTERESE)
2.8 MODULAO MLP COM FREQNCIA DE PORTADORA VARIVEL
2.9 ELIMINAO DE HARMNICAS
2.10 OUTRAS TCNICAS DE MODULAO
2.10.1 Controle One-cycle
2.10.2 Controle de carga
2.10.3 Modulao Delta
2.11 MODULAO VETORIAL
2.11.1 Saturao

3. CONVERSORES CA-CC - RETIFICADORES
3.1 RETIFICADORES NO CONTROLADOS
3.1.1 Retificadores no-controlados com entrada trifsica
3.2 FATOR DE POTNCIA
3.2.1 Definio de Fator de Potncia
3.2.2 Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta distoro da corrente
3.3 NORMAS IEC 1000-3-2: DISTRBIOS CAUSADOS POR EQUIPAMENTO
CONECTADO REDE PBLICA DE BAIXA TENSO
3.4 RETIFICADORES COM ALTO FATOR DE POTNCIA
3.4.1 Solues passivas
3.4.2 Solues ativas para retificadores com alto FP
3.5 COMUTAO
3.6 RETIFICADORES CONTROLADOS
3.6 ASSOCIAO DE RETIFICADORES
3.7 RETIFICADOR MLP
3.7.1 Equaes bsicas
3.7.2 Absoro de reativos
3.7.3 Controle da corrente CC

4. CONVERSORES CC-CC PARA ACIONAMENTO DE MQUINAS DE
CORRENTE CONTNUA
4.1 PRINCPIOS DE ACIONAMENTO DE MQUINAS DE CORRENTE CONTNUA
4.1.1 Equaes estticas
4.1.2 Equaes dinmicas
4.1.3 Quadrantes de operao
4.2 TOPOLOGIAS DE CONVERSORES PARA ACIONAMENTO DE MCC
4.2.1 Conversor Classe A
4.2.2 Conversor Classe B
4.2.3 Conversor Classe C
4.2.4 Conversor Classe D

v
4.2.5 Conversor Classe E

5. TOPOLOGIAS BSICAS DE FONTES CHAVEADAS
5.1 CONVERSOR ABAIXADOR DE TENSO (STEP-DOWN OU BUCK): VO<E
5.1.1 Modo de conduo contnua (MCC)
5.1.2 Modo de conduo descontnua (MCD)
5.1.3 Dimensionamento de L e de C
5.2 CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO (STEP-UP OU BOOST): VO>E
5.2.1 Modo de conduo contnua
5.2.2 Modo de conduo descontnua
5.3 CONVERSOR ABAIXADOR-ELEVADOR (BUCK-BOOST)
5.3.3 Clculo de L e de C
5.4 CONVERSOR `CUK
5.4.1 Dimensionamento de C1
5.4.2 Dimensionamento de L1
5.4.3 Clculo de L2
5.4.4 Clculo de Co (capacitor de sada)
5.5 CONVERSOR SEPIC
5.6 CONVERSOR ZETA
5.7 CONVERSORES COM ISOLAO
5.7.1 Conversor `Cuk
5.7.2 Conversores SEPIC e Zeta isolados
5.7.3 Conversor fly-back (derivado do abaixador-elevador)
5.7.4 Conversor forward (derivado do abaixador de tenso)
5.7.5 Conversor push-pull
5.8 CONSIDERAO SOBRE A MXIMA TENSO DE SADA NO CONVERSOR
ELEVADOR DE TENSO

6. CONVERSORES CC-CA COMO FONTES DE ALIMENTAO COM
FREQUNCIA FIXA
6.1 REQUISITOS DE QUALIDADE NA ALIMENTAO DE EQUIPAMENTOS
SENSVEIS
6.2 CLASSIFICAO DAS UPS
6.3 OUTRAS CARACTERSTICAS DE UPS
6.3.1 Forma de onda da sada
6.3.2 Isolao eltrica
6.3.3 Paralelismo
6.4 COMPONENTES DE UMA UPS ESTTICA
6.4.1 Retificador
6.4.2 Inversor
6.4.3 A chave esttica ou by-pass
6.5 RESULTADOS EXPERIMENTAIS
6.5.1 Linha prioritria
6.5.2 Inversor prioritrio

vi

7. CONVERSORES CC-CA PARA ACIONAMENTO DE MQUINA DE INDUO
TRIFSICA
7.1 MODELAMENTO DA MQUINA DE INDUO TRIFSICA
7.2 MTODOS DE CONTROLE DA VELOCIDADE DE MQUINA DE INDUO
7.2.1 Controle pela resistncia
7.2.2 Controle pela tenso de alimentao do estator
7.2.3 Controle pela variao da freqncia
7.2.4 Controle da tenso e da freqncia
7.2.5 Controle da corrente
7.3 INVERSORES DE TENSO
7.4 INVERSORES DE CORRENTE
7.4.1 Inversor a tiristores
7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO)

8. INVERSORES DE TENSO COM COMUTAO SUAVE
8.1 INVERSOR COM LINK CC RESSONANTE
8.2 INVERSOR COM LINK CC RESSONANTE COM LIMITAO DA SOBRE-
TENSO
8.3 INVERSOR MLP COM LINK QUASE-RESSONANTE
8.3.1 Princpio de operao
8.3.2 Dimensionamento dos componentes
8.4 INVERSOR COM POLO RESSONANTE AUXILIAR
8.4.1 Princpio de funcionamento do circuito auxiliar de comutao
8.5 INVERSOR/RETIFICADOR MLP COM COMUTAO ZVS COM CIRCUITO
AUXILIAR

9. INVERSORES E RETIFICADORES DE CORRENTE COM COMUTAO SUAVE
.
9.1 RETIFICADOR/INVERSOR COM LINK CC RESSONANTE EM SRIE
9.2 INVERSORES/RETIFICADORES MLP COM COMUTAO ZCS
9.3 INVERSORES/RETIFICADORES MLP COM COMUTAO ZVS
9.3.2 Funcionamento do circuito como inversor

10. CONVERSORES CA-CA: VARIADORES DE TENSO E CICLOCONVERSORES
10.1 VARIADORES DE TENSO
10.1.1 Controle Liga-Desliga
10.1.2 Controle de fase
10.2 CIRCUITOS MONOFSICOS
10.2.1 Carga Resistiva
10.2.2 Carga indutiva

vii
10.2.3 Carga RL
10.3 VARIADORES DE TENSO TRIFSICO
10.3.1 Carga resistiva
10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro)
10.3.3 Carga RL
10.4 EXEMPLO DE APLICAO
10.4.1 Linha sem compensao
10.4.2 CCT atuando e sada de carga
10.4.3 CCT atuando, sada de carga e atuao do RCT
10.5 CICLOCONVERSORES COM COMUTAO NATURAL
10.6 CONVERSOR EM MATRIZ

11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAO DE CALOR PARA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA
11.1 INTRODUO
11.2 CLCULO DA POTNCIA DISSIPADA
11.2.1 Diodos
11.2.2 Tiristores
11.2.3 Transistores
11.3 COMPORTAMENTO EM REGIME PERMANENTE: POTNCIA MDIA
11.3.1 Dissipador de calor
11.4 COMPORTAMENTO EM REGIME TRANSITRIO: POTNCIA DE PICO
11.5 CLCULO DE DISSIPADORES
11.6 FONTES DE CALOR DISTRIBUDAS
11.7 REFRIGERAO FORADA

Eletrnica de Potncia - Cap. 1 J. A. Pomilio
DSCE FEEC UNICAMP 2001
1-1
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

A figura 1.1 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando
limites (1994) para valores de tenso de bloqueio, corrente de conduo e freqncia de
comutao. Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnolgico e servem
como uma ilustrao para a verificao, numa primeira aproximao, das faixas de potncia
em que cada componente pode ser utilizado.

Tiristores
GTO
IGBT
MCT
TBP
MOSFET
Tenso
5kV
4kV
3kV
2kV
1kV
1kA 2kA 3kA
Corrente
Frequncia
1kHz
10kHz
100kHz
1MHz

Figura 1.1 Limites de operao de componentes semicondutores de potncia.
1.1 Breve Reviso da Fsica de Semicondutores

A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo
eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio. Em metais,
como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (eltrons) da ordem de 10
23
/cm
3
,
enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem
de 10
3
/cm
3
. Os chamados semicondutores, como o silcio, tem densidades intermedirias, na
faixa de 10
8
a 10
19
/cm
3
. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades so propriedades dos
materiais, enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adio de
impurezas de outros materiais, seja pela aplicao de campos eltricos em algumas
estruturas de semicondutores.

1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas
tomos de materias com 4 eltrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ou
ainda molculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligaes muito
1-2
estveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos
(ligao covalente), tem-se um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia, como ilustra a
figura 1.2.

eltrons
compartilhados
ncleos
atmicos

Figura 1.2 Estrutura cristalina de material semicondutor

Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273
o
C), algumas destas ligaes
so rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se
torna positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela
carga positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma
movimentao relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devida ao
deslocamento dos eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como
mostra a figura 1.3.

eltron
ligao
rompida
tomo
ionizado
movimento
da lacuna

Figura 1.3 Movimento de eltrons e lacunas em semicondutor

A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em um material
puro, a densidade de portadores aproximadamente dada por:

kT
qE
i
g
e C n

(1.1)

onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron (valor absoluto), E
g
a
banda de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k a constante de Boltzmann, T a
temperatura em Kelvin. Para o Si, temperatura ambiente (300K), n
i
10
10
/cm
3
.

1-3
1.1.2 Semicondutores dopados
Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3 (como o alumnio ou o
boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua camada de valncia estrutura dos
semicondutores, os tomos vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas
ou com excesso de eltrons, como mostra a figura 1.4.

Si
Si Si
Si
Si
Si Si Si
Bo
ligao
incompleta
Si
Si Si
Si
Si
Si Si Si
P
eltron
em excesso

Figura 1.4 Semicondutores dopados

Neste caso no tem-se mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um
nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da
tabela peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.
Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P.
Observe-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a
quantidade total de eltrons e prtons a mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, tem-se a
movimentao da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios,
sendo os eltrons os portadores minoritrios.
J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o
que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons,
enquanto os minoritrios so as lacunas.
As dopagens das impurezas (10
19
/cm
3
ou menos), tipicamente so feitas em nveis
muito menores que a densidade de tomos do material semicondutor (10
23
/cm
3
), de modo que
as propriedades de ionizao trmica no so afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de eltrons (p
o

e n
o
, respectivamente) igual ao valor n
i
2
dado pela equao (1.1), embora aqui p
o
n
o
.
Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas livres,
relativas s prprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a
concentrao de tomos de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de
portadores gerados por efeito trmico, de modo que, num material tipo P, p
o
N
a
, onde N
a

a densidade de impurezas aceitadoras de eltrons. J no material tipo N, n
o
N
d
, onde N
d

a densidade de impurezas doadoras de eltrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios proporcional ao
quadrado da densidade intrnseca, n
i
, e fortemente dependente da temperatura.

o
2
i
o
p
n
n ,
a o
N p (1.2)

o
2
i
o
n
n
p ,
d o
N n (1.3)
1-4
1.1.3 Recombinao
Uma vez que a quantidade n
i
determinada apenas por propriedades do material e pela
temperatura, necessrio que exista algum mecanismo que faa a recombinao do excesso
de portadores medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um eltron com uma
lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos eltrons pela impureza ionizada., ou,
adicionalmente, por imperfeies na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os
tomos adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes.
Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo mdio necessrio
para que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados pela consecusso de uma ligao
covalente. Em muitos casos pode-se considerar o tempo de vida de um portador como uma
constante do material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia, esta no
uma boa simplificao.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento no tempo de recombinao do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos
tempos de comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o transistor
bipolar e os tiristores.
J em situaes de alta dopagem (10
17
/cm
3
ou superior), a taxa de recombinao
aumenta,o que leva a um crescimento da queda de tenso sobre o dispositivo quando este est
em conduo.
Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta significantemente o
comportamento dos dispositivos de potncia, a obteno de mtodos que possam control-lo
importante. Um dos mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro,
uma vez que este elemento funciona como um centro de recombinao, uma vez que realiza
tal operao com grande facilidade. Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim, criar centros de
recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido devido sua maior controlabilidade (a
energia dos eltrons facilmente controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do
cristal se quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo de construo
do componente.

1.1.4 Correntes de deriva e de difuso
Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se
movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os eltrons seguiro em sentido
oposto. Esta corrente depende de um parmetro denominado mobilidade, que depende do
material e do tipo de portador. A mobilidade dos eltrons aproximadamente 3 vezes maior
do que a das lacunas para o Si em temperatura ambiente. A mobilidade diminui
aproximadamente com o quadrado do aumento da temperatura.
Outro fator de movimentao de portadores por difuso, quando existem regies
adjacentes em que h diferentes concentraes de portadores. O movimento aleatrio dos
portadores tende a equalizar sua disperso pelo meio, de modo que tende a haver uma
migrao de portadores das regies mais concentradas para as mais dispersas.
1.2 Diodos de Potncia

Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de
corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento,
em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de
1-5
maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior
comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.5 mostra,
simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na
regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que
a do restante do componente (devido concentrao de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no
anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram
para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a
barreira de potencial.

P N
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
+
+ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _
+
_ _
_ _
_ _
_ _
_ _
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
1 u
Potencial
0
+
_
Difuso
Juno metalrgica
Anodo Catodo

Figura 1.5 Estrutura bsica de um diodo semicondutor.

Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra
na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio
neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando,
basicamente, com a temperatura.
Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito
obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos
portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento
na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que
destri o componente.
Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da
barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de
0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial
positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio
permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico
na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga).
Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa
caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior
for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so
altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e
no semi-condutor.
1-6
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar
campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja
carga aquela presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+,
por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce
a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da
regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no
catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o
estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do
de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma
tenso v
i
ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns
aspectos da forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no
houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um
pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a
sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de
1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que
se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em V
on
se deve diminuio da
queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de
portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada
s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.

Anodo
Catodo
N+
N
_
P+ 10e19 cm-3
10e14 cm-3
10e19cm-3
10 u
Depende
250 u
substrato
da tenso

i
D
v
D
v
i
+Vr
-Vr
Qrr
t1
t2
t3
t4 t5
-Vr
i=Vr/R
Von
trr
dir/dt
Vfp
Vrp
dif/dt
vi
v
D
i
D
R

Figura 1.6 - Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de
diodo de potncia.

1-7
A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento
(retificador) em um circuito como o da figura 1.6, no qual a indutncia desprezvel, como se
nota na figura (a), pela inverso quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa
limitada pela resistncia presente no circuito. J na entrada em conduo, a tenso aplicada
ao circuito aparece instantaneamente sobre o prprio diodo, o que contribui para limitar o
crescimento da corrente. Quando esta tenso cai, a corrente vai assumindo seu valor de
regime.

(a) (b)
Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutaes de diodo: (a) desligamento;
(b) entrada em conduo.

Diodos rpidos possuem t
rr
da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos,
enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato
de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses
produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal
corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery,
nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula, como o caso dos
retificadores com filtro capacitivo, praticamente no se observa o fenmeno da recombinao
reversa.

1.3 Diodos Schottky

Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o
contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato
governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio
semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser
o resistivo, passando a haver tambm um efeito retificador.
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com
um semicondutor, como indicado na figura 1.8. O metal usualmente depositado sobre um
material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte
metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo
N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno.
1-8
Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em
trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que
no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a
barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+ tem uma dopagem relativamente
alta, a fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes
diodos de cerca de 100V.
A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas
quais as quedas sobre os retificadores so significativas.
Na figura 1.4.(b) tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do componente.
Note que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente se inverte a tenso
comea a crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no dispositivo.

Substrato tipo P
Tipo N
N+
Al
SiO2
Al
contato
hmico
contato
retificador

(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no desligamento

1.4 Tiristor

O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em
regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa
sequncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem
basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT
(Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo
bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n,
possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a
uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 1.9 ilustra
uma estrutura simplificada do dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro
diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver
conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da
barreira de potencial em J2.
1-9
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com
portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada porta
suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possuam energia cintica
suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo
anodo.

A
Anodo
A K
G
Gate G
K Catodo
Vcc Rc (carga)
Rg
Vg
Rg
Vg
CH
Rc
Vcc
P N- P N+
J1 J2 J3

Figura 1.9 - Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo.

Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial
diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na
ausncia da corrente de porta.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto
J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria a regies de alta
dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter
o estado de bloqueio do componente.
comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma
associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10.
Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a
saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos
transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o
processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor
superior ao limite I
L
, chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do
valor mnimo de manuteno (I
H
), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2.
Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre
anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos
sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o
desligamento.
Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao
reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento
dos GTOs, como se ver adiante.
1-10
P
N
P
N
P
N
A
K
G
A
K
G
Ia
Ik
T2
T1
Ib1
Ic2
Ig Ib2
Ic1

Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares
1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor
Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
conduo:

a) Tenso
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao
aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de
transio tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo
na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que penetram
na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente
em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel
iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos
vizinhos, provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal
fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito
similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de
corrente for atingido o limiar de I
L
, o dispositivo se manter em conduo. A figura. 1.11
mostra a caracterstica esttica de um SCR.

b) Ao da corrente positiva de porta
Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o
tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a
corrente Ig, como mostrados na figura 1.12.
O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os
componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada.
O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um
dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao.
A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de
qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura.
Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais
limites (tenso, corrente e potncia mximas).

c) Taxa de crescimento da tenso direta
Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando
que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver
desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:

1-11
( )
I
d C V
dt
C
dV
dt
V
dC
dt
j
j ak
j
ak
ak
j
=

= + (1.4)

Onde C
j
a capacitncia da juno.

Vak
Ia
Von
I
I
L
H
Vbo
Vbr
Ig2 > Ig1 > Ig=0

Figura 1.11 - Caracterstica esttica do tiristor.

Mxima tenso de gate
Mxima potncia
Instantnea de gate
Ig
Vgk
6V
0,5A 0
0
Igm
Vgm
Vgo
Limite de
baixa corrente
Limite de
alta corrente
Reta de carga
do circuito de acionamento

Figura 1.12 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.

Quando V
ak
cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente
que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se
que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (V
ak
> 0). A taxa de
crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas
junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de
conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.

d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada
dobra aproximadamente com o aumento de 8
o
C. Assim, a elevao da temperatura pode levar
a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
1-12

e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a
isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores
Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam
condies limites para sua operao. Alguns j foram apresentados e comentados
anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui.
Tenso direta de ruptura (V
BO
)
Mxima tenso reversa (V
BR
)
Mxima corrente de anodo (I
amax
): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou
instantneo.
Mxima temperatura de operao (T
jmax
): temperatura acima da qual, devido a um possvel
processo de avalanche, pode haver destruio do cristal.
Resistncia trmica (R
th
): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou
regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma
medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo.
Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num
determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo
dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo.
Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt).
Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do
processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao
redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a
superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito
rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um
excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura
semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada
fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo,
'interdigitando" o gate. A figura 1.13 ilustra este fenmeno.
Corrente de manuteno de conduo (I
H
): a mnima corrente de anodo necessria para
manter o tiristor em conduo.
Corrente de disparo (I
L
): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado
imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a
corrente de porta.
Tempo de disparo (t
on
): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e
atingir a plena conduo.
Tempo de desligamento (t
off
): o tempo necessrio para a transio entre o estado de
conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no
material semicondutor.
Corrente de recombinao reversa (I
rqm
): valor de pico da corrente reversa que ocorre
durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.

1-13
P
N-
P
N
N
A
K
G
Contato metlico
Catodo
G
P
N
N
P G
Gate interdigitado
Gate circular

Figura 1.13 - Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de
gate.

A figura 1.14 ilustra algumas destas caractersticas.

di/dt
dv/dt
Tenso direta de bloqueio
Corrente de fuga direta
Von
ton
toff
Corrente de fuga reversa
Tenso reversa de bloqueio
Irqm

Figura 1.14 Tenses e correntes caractersticas de tiristor.
1.4.4 Circuitos de excitao do gate
a) Conduo
Conforme foi visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de
uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada pela
figura 1.12. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que
fornea uma tenso Vgk de 6 V com impedncia de sada 12 ohms adequado. A durao do
sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir I
L
quando, ento, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto
ganho do dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas.

b) Comutao
Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode
dizer de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento que a corrente de
anodo fique abaixo do valor I
H
. Se isto ocorrer juntamente com a aplicao de uma tenso
reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente.
No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle,
sendo necessrio algum arranjo no nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.

1-14
b.1) Comutao Natural
utilizada em sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso
de entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor
diminudo abaixo de I
H
, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a
t
off
, no cresa a tenso direta V
ak
, o que poderia lev-lo novamente conduo.
A figura 1.15 mostra um circuito de um controlador de tenso CA, alimentando uma
carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a
tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.

vi(t)
i(t)
v
L
L
R
S1
S2

5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
200V
-200V
40A
-40A
200V
-200V
vi(t)
i(t)
vL(t)

Figura 1.15 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas.

b.2) Comutao por ressonncia da carga
Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria,
faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por
exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do
circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso
a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea
reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de
entrada pode ser tanto CA quanto CC. A figura 1.16 ilustra tal comportamento. Observe que
enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t), igual tenso de entrada. Quando a
corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso imposta pela carga ressonante.

b.3) Comutao forada
utilizada em circuitos com alimentao CC e nos quais no ocorre reverso no
sentido da corrente de anodo.
A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho
alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o.
Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se
topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs
tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorrem comutao natural ou
pela carga.

1-15
Carga
Ressonante
L
io(t)
vo(t)
Vcc
S1
0
i
o
v
o
Vcc

Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

A figura 1.18 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda
tpicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido
elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o
capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada.
Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo
Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual
permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da
tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente
se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser
fornecida atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao
mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.

Vcc
Lr
Cr
+
Vc
i
c
Lo
Ro
+
Vo
i
T
Sp
Sa
D1
D2
Df

200V
-200V
-60A
60A
0
v
C
v
o
i
T
i
C

Figura 1.18 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.

Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igula corrente da carga,
fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no
sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe
corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a
corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr,
D1, Lr, fonte e Df.

1-16
200V
-60A
60A
-200V
0
i
T
i
c
v
o
v
c
to
t1
t2 t3 t4 t5

Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutao.
1.4.5 Redes Amaciadoras
O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e
di/dt, conforme descrito anteriormente.

a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate
adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a
expanso da rea condutora.
Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente
de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia
dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso V
ak
ser
reduzida pela queda sobre a indutncia.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso
mais longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a
conduo do tiristor.

b) O problema do dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta V
ak
, usualmente feita pelo uso de
circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso V
ak
segue a dinmica
dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o
SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado
pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3
o
caso, o pico limitado por L, o que no traz
eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo
do tiristor para obter um I
a
>I
L
, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.
1-17
R
C
C
R1
R2
D
D
L
R
C

(a) (b) (c)
Figura 1.20 - Circuitos amaciadores para dv/dt.
1.4.6 Associao em Paralelo de Tiristores
Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os
limites de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no
entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes
componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga.
Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser
suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao
neste caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante o
chaveamento. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos
relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem
final.
Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no
que se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de difuso
cria uma regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma juno no-
uniforme, que leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e
sensibilidade ao disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante
definidas, implicando numa maior uniformidade nas caractersticas do tiristor. Conclui-se
assim que, quando se faz uma associao (srie ou paralela) destes dispositivos, prefervel
empregar componentes de construo epitaxial.
Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a
distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito,
dependendo, pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com a
caracterstica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual
desequilbrio de corrente provoca uma elevao de temperatura no SCR que, por sua vez,
melhora as condies de condutividade do componente, aumentando ainda mais o
desequilbrio, podendo lev-lo destruio.
Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma
montagem de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que
pode ser feito, por exemplo, pela montagem em um nico dissipador.
No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em
relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos
cilndricos tendem a apresentar um menor desequilbrio.
1.4.6.1 Estado estacionrio
Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras
providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores:
1-18

a) Impedncia srie
A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far
com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no
aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir
centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de
indutores lineares.

b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tenso
induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais
importantes caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para
permitir uma grande excurso do fluxo a cada ciclo.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
(a)
(b)
(c)

Figura 1.21 - Equalizao de corrente com reatores acoplados
1.4.6.2 Disparo
H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente
entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de
atraso (td) e a mnima tenso de disparo (Von
min
).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de
gate e a real conduo do tiristor.
A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo
com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da
caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso V
ak
, maior deve ser a corrente de
gate para levar o dispositivo conduo.
Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do
outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da carga,
o que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como Von
min
maior que a
queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que outro dispositivo no
consiga entrar em conduo.
1-19
Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada
atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de durao
maior que o tempo de atraso.
1.4.6.3 Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores
(especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito
amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea
a desligar.
1.4.6.4 Circuito de disparo
A corrente de gate deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando
para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, deve-
se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de gate, uma vez que influem
significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas
junes gate-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie
com o gate, para procurar equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de
disparo (I
L
) antes da retirada do pulso de gate, o que pode levar necessidade de circuitos
mais elaborados para fornecer a energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode
ser empregada.
1.4.7 Associao em srie de tiristores
Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor,
preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio
equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias
de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de
equalizao externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo.
A figura 1.22 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3
tiristores, nas vrias situaes de operao.
Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas
de bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor com
menor condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso. interessante, ento,
usar dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel.
Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso.
Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo
e comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente mais longo que o
dos outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a tenso. O estado V resulta
dos diferentes tempos de recombinao dos componentes. O primeiro a se recombinar
suportar toda a tenso.
1.4.7.1 Estado estacionrio
O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva
com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam
consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O projeto do valor da
resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.

1-20
T1
T2
T3
1200V
5mA 10mA 50A 10A 10mA 10mA
1000V
50V
150V
1200V
6V
5V
1.0V
1.1V
0.9V
0.9V
1.0V
0.8V
0.7V
0.7V
1200V
100V
900V
200V
+ + + +
+ +
Bloqueio
direto
Conduo
parcial
Conduo
direta
Conduo
reversa
Recuperao
reversa
parcial
Bloqueio
reverso
I II III IV V VI

Figura 1.22 - Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.
1.4.7.2 Disparo
Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer
uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar as
diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da conduo de todos os tiristores.
Para equalizar a tenso no estado V, um capacitor ligado entre anodo e catodo de
cada tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante
de tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado at que
todos se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo, uma vez que
realiza uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em conduo de todos os
dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente
injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um
resistor em srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor de C para,
com o mesmo RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de valor muito
elevado ser imposta uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar
disparo por dv/dt. Usa-se ento um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho
de carga para o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma
caracterstica suave de recombinao para evitar efeitos indesejveis associados s indutncias
parasitas das ligaes. Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutncia parasita. A
figura 1.23 ilustra tais circuitos de equalizao.

1-21
R C R C R C
D D D
Rs Rs Rs
Equalizao esttica
Equalizao
Dinmica

Figura 1.23 - Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.
1.4.7.4 Circuito de disparo
Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de
comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo
como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos, como mostra a figura
1.24.

a) Transformador de pulso
Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequncia,
mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de
microsegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo,
ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no
lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no
secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobretenses.
Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir cosideravelmente
entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com o gate para evitar que um
tiristor com menor impedncia de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um
capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente.

b) Acoplamento luminoso
O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias
eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so
usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o
emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as
fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do
receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o
perodo de conduo.

1-22
+Vcc
Pulsos
+V
Req
. .
Req
+
Pulsos

Figura 1.24 Circuitos de acionamento de pulso.
1.4.8 Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto
possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente
associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reaes na rede
(como excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser causadas tanto por aes
externas como por distribuio no homognea das tenses entre os dispositivos.
Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser
evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche
controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel restrio ao uso de
supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os varistores), que a falha em
um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais
supressores, provocando uma destruio em cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se
manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso
suportvel.
1.4.9 Resfriamento
As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido).
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma
constante de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos.
Tipicamente esta constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar.
A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo
especificado. Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de
suportar tenses no estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder
120
o
C.
O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema
deve por em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias
maneiras de implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna de ar
(com trocador de calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento
influenciada pelas condies ambientais e preferncias do usurio.
1-23

1.5 GTO - Gate Turn-Off Thyristor

O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco
desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos
semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje
ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez
que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.
O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos
tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear
atravs de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado,
quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais
portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N
adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo,
dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de
manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo.
A figura 1.25 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos
processos de entrada e sada de conduo do componente.
A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao
desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do
dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da
barreira de potencial na juno J2.

A K
G
P+ N- P N+
Rg
Vg
Vcc
Rg
P+ N- P N+
Rg
Vg
Vcc
Rg
J2
J1
J3
Regio de
Transio
Entrada em conduo
Desligamento
Figura 1.25 - Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.

1-24
Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no
entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO depende,
por exemplo, de fatores como:
facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado pelo uso de
dopantes com alta mobilidade
desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo
tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tenso quando
em conduo, comparado a um SCR de mesmas dimenses.
suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem
na camada de catodo
absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo muito
interdigitada, com grande rea de contato.
Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses
reversas.
Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas
uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta de
comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar tenses
reversas na juno J2.
A outra alternativa, mostrada na figura 1.26, introduzir regies n+ que penetrem na
regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de anodo.
Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO polarizado reversamente. No
entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao direta). Como a juno
J3 formada por regies muito dopadas, ela no consegue suportar tenses reversas elevadas.
Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tenso
reversa, ele deve ser associado em srie com um diodo, o qual bloquear a tenso.
anodo
metalizao do gate
metalizao do catodo placa de
contato do
catodo
p+ p+ p+
n+ n+
n-
p
n+ n+ n+
J1
J2
J3
Figura 1.26 - Estrutura interna de GTO rpido (sem bloqueio reverso)
1.5.2 Parmetros bsicos do GTO
Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora as grandezas
representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
1-25
V
drxm
- Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima
tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo,
aplicvel repetidamente ao GTO.
I
t
- Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular
continuamente pelo GTO.
I
tcm
- Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor
instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies.
I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um
pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo.
di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo.
V
grm
- Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel
aplicvel juno gate-catodo.
dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo.
I
H
- corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo
na ausncia de corrente de porta.
I
L
- corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo
com o desligamento da corrente de gate.
t
gt
- tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso V
ak
.
t
gq
- tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a
queda da corrente de anodo (t
gq
=t
s
+t
f
)
t
s
- tempo de armazenamento
1.5.3 Condies do sinal de porta para chaveamento
Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio
que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente
elevado. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (t
w1
) para que a tenso V
ak
caia
a seu valor de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo
o perodo de conduo, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir
o estado "ligado". A figura 1.27 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em
conduo e tambm para o desligamento.
Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas
centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores e,
ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de
modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se restabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de
crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o tempo
decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da corrente de anodo.
Quanto maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo
cresce rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser
mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo
controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso V
ak
cresce e o
GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser
mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que,
especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s, envolve a
manobra de elevadas correntes.
1-26
Ig
Vgk
Ifgm
Ifg
t
w1
t
r
t
gq
t
s
Irg
dIrg
dt
Vrg (tenso negativa
Vr
avalanche
do circuito de comando)

Figura 1.27 - Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.
1.5.4 Circuitos amaciadores (snubber)
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial
na juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada vez
menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao da taxa
de crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicar numa
reduo da potncia dissipada nesta transio.
O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na
figura 1.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se
carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma praticamente
linear. Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO entrar em conduo,
este capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mnimo
tempo em conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar tenso nula inicial no prximo
desligamento. A resistncia no pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente
injetado no GTO.

R C
D

Figura 1.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD.

A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R.
Especialmente em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode assumir
valores excessivos. Em tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a energia
acumulada no capacitor seja devolvida fonte ou carga .
A potncia a ser retirada do capacitor dada por:
1-27

p
C V
f
cap s
=

2
2
(1.5)

onde V a tenso de alimentao e f
s
a freqncia de chaveamento.
Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz
com um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
1.5.4.2 Entrada em conduo
A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve
interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da
superfcie em conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas
restritas.
O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO,
principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga
indutiva, dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu inevitvel
tempo de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se encontra conduzindo,
sobre ele tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico de potncia sobre o
componente. Este fato agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do
capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura 1.29 ilustra este comportamento.

Lcarga Df
Io
V
Ia
Vak
Ia
Vak
V
R
carga
Io
carga Df
V
Ls
Rs
Ds
Vak

Figura 1.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento.

Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessrio, com
o objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um
circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de
maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar
uma quantidade significativa de energia.
1.5.5 Associaes em srie e em paralelo
Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma
dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes casos
os procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.

1-28
1.6 Transistor Bipolar de Potncia (TBP)
A figura 1.30 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
N+ N- P N+
Vcc
Rc
Rb
Vb
C
B
E -
J1 J2
-
-
-

Figura 1.30 - Estrutura bsica de transistor bipolar

A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente
polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada.
No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta
camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia
cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento,
atrados pelo potencial positivo do coletor.
O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com
Ic pelo ganho de corrente do dispositivo.
Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas,
existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de
bloqueio do componente.
A figura 1.31 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As
bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico,
necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no
sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1
em baixas tenses (5 a 20V).
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o
que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo,
principalmente, os tempos de comutao do componente.

B
C
E
N+
N-
P
N+ 10e19 cm-3
10e16 cm-3
10e14 cm-3
10e19 cm-3
10 u
5 a 20 u
50 a 200 u
250 u (substrato)
C
B E

Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu smbolo
1-29
1.6.2 Limites de tenso
A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual,
tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os
quais dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme
se v nas figuras 1.32 e 1.33.
Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce
Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura.
O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tenso Vce, provoca-se
um fenmeno de avalanche em J2. Este acontecimento no danifica, necessariamente, o
dispositivo. Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas reas, o sobre-
aquecimento produzir ainda mais portadores e destruir o componente (segunda ruptura).
Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior,
elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao
interessante que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado desligado
deve ser acompanhado de uma polarizao negativa da base.

Ib>0
Vces
Ib=0
Vceo
Ic Ic
Ic
Vcbo
Ib<0

Figura 1.32 - Tipos de conexo do circuito de base e mximas tenses Vce.
1.6.3 rea de Operao Segura (AOS)
A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se
danificar. A figura 1.34 mostra uma forma tpica de AOS.
medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para
se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida
para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no
ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e
impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.

Ic
segunda ruptura
primeira ruptura
Vces Vceo Vcbo
Ib3
Ib2
Ib4
Ib1
Ib=0
Ib<0
Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Vce

Figura 1.33 - Caracterstica esttica de transistor bipolar.

1-30
log Vce
log Ic
Ic DC
Ic max
A
B
C
D
1 us
10 us
100 us

Figura 1.34 - Aspecto tpico de AOS de TBP
A: Mxima corrente contnua de coletor
B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
1.6.4 Regio de quase-saturao
Consideremos o circuito mostrado na figura 1.35, e as curvas estticas do TBP ali
indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida
que Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturao.
Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente,
pela presena da camada N- do coletor.
semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares
tambm ocorre estocagem de carga. A figura 1.36 mostra a distribuio de carga esttica no
interior do transistor para as diferentes regies de operao.
Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons
na regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo
lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que
esto migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto
representa um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do transistor.
Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de carga
espacial ocupa toda a regio N- chega-se, efetivamente, saturao.
claro que no desligamento toda esta carga ter que ser removida antes do efetivo
bloqueio do TBP, o que sinaliza a importncia do timo circuito de acionamento de base para
que o TBP possa operar numa situao que minimize a tempo de desligamento e a dissipao
de potncia (associada ao valor de Vce).

Vce
Ic
Vcc
Vcc/R
corte
regio ativa
saturao
quase-saturao
Ib
R
Vcc
Vce

Figura 1.35 - Regio de quase-saturao do TBP.

1-31
N+ N- P N+
Coletor Base Emissor
e-
base virtual
saturao
quase-
saturao
regio ativa

Figura 1.36 - Distribuio da carga esttica acumulada no TBP
1.6.5 Ganho de corrente
O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parmetros (Vce, Ic, temperatura),
sendo necessrio, no projeto, definir adequadamente o ponto de operao. A figura 1.37
mostra uma variao tpica do ganho.
Em baixas correntes, a recombinao dos portadores em trnsito leva a uma reduo
no ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenmeno da quase-saturao reduzindo o
ganho, como explicado anteriormente.
Para uma tenso Vce elevada, a largura da regio de transio de J2 que penetra na
camada de base maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um
aumento do ganho.

ganho de corrente
log Ic
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
Vce = 2V (125 C)

Figura 1.37 - Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da
temperatura e da corrente de coletor.
As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de
mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que
so dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos
considerando operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento
, geralmente, negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.

a) Carga resistiva
A figura 1.38 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se
refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos
tempos de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de
atraso.

td: tempo de atraso
1-32
Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser
reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.

tri: tempo de crescimento da corrente de coletor
Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende
da corrente de base. Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em
Vce.

ts: tempo de armazenamento
Intervalo necessrio para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no
coletor e na base

tfi: tempo de queda da corrente de coletor
Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da regio ativa, da
saturao para o corte. A reduo de Ic depende de fatores internos ao componente, como o
tempo de recombinao, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo).
Para obter um desligamento rpido deve-se evitar operar com o componente alm da
quase-saturao, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento.

b) Carga indutiva
Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.39 mostra formas de onda
tpicas com este tipo de carga.

b.1) Entrada em conduo
Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Aps td, Ic comea a
crescer, reduzindo Id (pois Io constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce comea a
diminuir. Alm disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo.

b.2) Bloqueio
Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP.
Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto
isto no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id
cresce (tfi).
Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic
de 10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.

1-33
100%
90%
10%
90%
10%
+Vcc
Vce(sat)
Tenso Vce
Corrente de coletor
Sinal de base
CARGA RESISTIVA
td=tdi
ton=ton(i)
tri
toff=toffi
ts=tsi
tfi
ton(v)
tdv
tfv
toff(v)
trv
tsv
90%
10%

Figura 1.38 - Caracterstica tpica de chaveamento de carga resistiva

Lcarga Df
Io
Vcc
Ic
Vce
Vb
Ic
Vce
td
tsv
tti
Io
Vcc
R
carga

Figura 1.39 - Formas de onda com carga indutiva
1.6.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber"
O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do TBP dentro da AOS,
especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas.

a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.40)
Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds),
desviando parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc.
Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada
por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs.
Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.41. Consideremos que Ic caia
linearmente e que Io aproximadamente constante. Sem o circuito amaciador, supondo
desprezvel a capacitncia entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia seu
1-34
desligamento, a corrente de coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua
derivada tendendo a diminuir. Isto produz uma tenso sobre a carga que leva o diodo de livre-
circulao conduo, de modo que a tenso Vce cresce praticamente para o valor da tenso
de alimentao. Com a incluso do circuito amaciador, o diodo Df s conduzir quando a
tenso no capacitor Cs atingir Vcc. Assim, considerando que Ic decai linearmente, a corrente
por Cs cresce linearmente e a tenso sobre ele tem uma forma quadrtica. Fazendo-se com que
Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu
valor sem circuito amaciador (supondo trv=0)
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo
ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima
corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel.

Vcc
Lcarga Df
Ic
Vcs Cs
Ds Rs
Vce
log Ic
log Vce Vcc
Io
Io
Cs
sem amaciador
R
carga

Figura 1.40 - Circuito amaciador de desligamento e trajetrias na AOS

Vce
Ic
P
tf
Ic.Vcc
Ic
Vcc
Vcc
Vce
P

Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador.

b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.42)
1-35
No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz
quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de
reduzir a taxa de crescimento de Ic.
Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos
associados entrada em conduo so menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de
baixo valor, pode ser substitudo pela prpria indutncia parasita do circuito.

carga
Df
Vcc
Ls
Rs Ds

Figura 1.42 - Circuito amaciador para entrada em conduo.
1.6.8 Conexo Darlington
Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes
Darlington (figura 1.43), que apresentam como principais caractersticas:
- ganho de corrente = 1(2+1)+2
- T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro,
fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo
a corrente de base de T2.

T1
T2

Figura 1.43 - Conexo Darlington.

Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as
perdas de chaveamento.
Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na
figura 1.44, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se
lembrar aqui que existem capacitncias associadas s junes dos transistores.
Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter
aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta,
circular pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir,
provocando um curto-circuito (momentneo) na fonte.
A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de
resistores, de modo que T4 no conduza.
Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para
coletor, para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal
diodo tem fundamental importncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a
funo do diodo de circulao.

1-36
carga
T1 T2
T3
T4
capacitncias parasitas
i i
A

Figura 1.44 - Conexo Darlington num circuito em ponte.

Usualmente associam-se aos transistores em conexo Darlington, outros componentes,
cujo papel garantir seu bom desempenho em condies adversas, como se v na figura 1.45.

Figura 1.45 - Conexo Darlington com componentes auxiliares.
1.6.9 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento
Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada, como mostra a figura 1.46.
As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1
permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP
operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa,
acelerando assim a retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturao, como mostrado na figura 1.47.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib
desviado por D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.

dib/dt
Ib1
Ib2
dib/dt
Ibr

Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.

1-37
D1
D2
D3

Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturao.
1.7 MOSFET

Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma
patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se
referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre
dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos
Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma
vez que no havia, ento, tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se
modificou nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes
importantes em termos de caractersticas de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia
MOS, foi possvel construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente
e tenso, em velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.

1.7.1 Princpio de funcionamento (canal N)
O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO
2
. A juno PN- define um diodo
entre Source e Drain, o qual conduz quando V
ds
<0. A operao como transistor ocorre quando
V
ds
>0. A figura 1.49 mostra a estrutura bsica do transistor.
Quando uma tenso V
gs
>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na
regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge
um certo limiar (V
th
), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na
regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a
passagem de corrente entre D e S. Elevando V
gs
, mais portadores so atrados, ampliando o
canal, reduzindo sua resistncia (R
ds
), permitindo o aumento de I
d
. Este comportamento
caracteriza a chamada "regio resistiva".
A passagem de I
d
pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu
afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga
regio N-. Um aumento de I
d
leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior
afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o
fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente I
d
se mantm constante para
qualquer V
ds
, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 1.50 mostra a caracterstica
esttica do MOSFET,
Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as
capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 10
12
ohms.
Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior
velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.

1-38

Fig. 1.48 - Pedido de patente de transistor FET

1-39
N+
N-
P
N+
SiO2
metal
S
D
G
+ + + + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - -
- - - - - - - -- - - --
-Id -Id
Vgs
Vdd
D
G
S
Smbolo

Figura 1.49 - Estrutura bsica de transistor MOSFET.

A mxima tenso V
ds
determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no
apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento
de I
d
. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes.
A tenso V
gs
limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de
isolao da camada de SiO
2
.

Id
Vds
Vdso
regio
resistiva
regio ativa
Vgs1
Vgs2
Vgs3
vgs3>Vgs2>Vgs1

Figura 1.50 - Caracterstica esttica do MOSFET.
1.7.2 rea de Operao Segura
A figura 1.51 mostra a AOS dos MOSFET. Para tenses elevadas ela mais ampla
que para um TBP equivalente, uma vez que no existe o fenmeno de segunda ruptura. Para
baixas tenses, entretanto, tem-se a limitao da resistncia de conduo.

A: Mxima corrente de dreno contnua
B: Limite da regio de resistncia constante
C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno)
D: Mxima tenso V
ds

1-40
log Vds
log Id
A
B
C
D
Id pico
Id cont
Vdso

Figura 1.51 - AOS para MOSFET.
1.7.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva
a) Entrada em conduo (figura 1.52)
Ao ser aplicada a tenso de acionamento (V
gg
), a capacitncia de entrada comea a se
carregar, com a corrente limitada por R
g
. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (V
th
),
aps t
d
, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto I
d
<Io, Df se mantm em conduo e
V
ds
=V
dd
. Quando I
d
=Io, Df desliga e V
ds
cai. Durante a reduo de V
ds
ocorre um aparente
aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a
variao de V
gs
se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se
mantm at que V
ds
caia, quando, ento, a tenso V
gs
volta a aumentar, at atingir V
gg
.

Vgg
Vgs
Id
Vds
CARGA INDUTIVA
Vth
td
V+
V+
Id=Io
Vds on
Vdd
Vds
Vgg
Rg
Vgs
Df
Io
Id
Cgd
Cgs
Cds

Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.

Na verdade, o que ocorre que, enquanto V
ds
se mantm elevado, a capacitncia que
drena corrente do circuito de acionamento apenas C
gs
. Quando Vds diminui, a capacitncia
dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e
dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de C
gs
, o que ocorre at que C
gd

esteja descarregado.
1-41
Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor
(Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitncias do
componente por:
Ciss = C
gs
+ C
gd
, com C
ds
curto-circuitada
C
rs
= C
gd

Coss ~ C
ds
+ C
gd

b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O
uso de uma tenso V
gg
negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitncia de entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.

Ciss
Coss
Crss
Cgs
Cds
Cgd
Vds (V) Vds (V) 0 10 20 30 40 0 10 20 30 40
1
2
3
4
C (nF)
0
1
2
3
4
C (nF)
0

Figura 1.53 - Capacitncias de transistor MOSFET
1.8 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em
conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento, em princpio semelhante dos
transistores bipolares, tem crescido nos ltimos anos, permitindo operao em dezenas de
kHz, nos componentes para correntes na faixa de algumas dezenas de Ampres.
A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+
que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 1.54.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a
regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas),
a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade
produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma
polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1
(polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no
suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal
que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas
regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes
no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

1-42
metal
SiO2
Coletor
P+
N+
N-
P
N+ N+
Gate (porta)
Emissor
J3
J2
J1
E
C
B

Figura 1.54 - Estrutura bsica de IGBT.
A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da
tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se
d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao
acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa
de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas
presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas
existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-,
possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.
1.9 Alguns critrios de seleo entre transistores

Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem
uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A.
J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Tais
limites, especialmente para os IGBTs tm se ampliado rapidamente em funo do intenso
trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado.
Como o acionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido
crescente, em detrimento dos TBP.
Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no
componente. Assim, aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados
MOSFETs. Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes podem responder
satisfatoriamente.
No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores
que as dos MOSFET.
Como regra bsica: em alta freqncia: MOSFET
em baixa freqncia: IGBT

1.10 MCT - Mos-Controlled Thyristor

MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de
potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso tpicas
1-43
dos tiristores, com um controle de entrada e de sada de conduo baseado em dispositivos
MOS. Isto , enquanto um GTO tem o gate controlado em corrente, o MCT opera com
comandos de tenso.
Os MCTs apresentam uma facilidade de comando muito superior aos GTOs.
Relembre-se o baixo ganho de corrente que um GTO apresenta no desligamento, exigindo um
circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os MCTs ainda (1995) no
atingiram nveis de tenso e de corrente comparveis aos dos GTOs, estando limitados a
valores da ordem de 2000V e 600A.
O fato do MCT ser construdo por milhares de pequenas clulas, muito menores do
que as clulas que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma rea semicondutora, a
capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO equivalente. Mas esta uma
limitao tecnolgica atual, associada capacidade de construirem-se maiores quantidades de
clulas com certeza de funcionamento correto.
Considerando o modelo de 2 transistores para um tiristor, um MCT pode ser
representado como mostrado na figura 1.55. Nesta figura tambm se mostra uma seco
transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em
paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha.
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo
do tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma
tenso negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET realiza
uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o componente conduo.
Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e
como todas elas entram em conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade
de suportar elevado di/dt.
O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da
corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o off-FET, o
que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate.
A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP (
possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os
transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao bloqueio
do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe.
O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de
tenso sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia.
Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o
off-FET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do anodo
(e do catodo).
Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de
poucas dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a
juno J1, e a juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem
capacidade de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio
simtrico, tambm sacrificando a velocidade de chaveamento.
O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de
evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis.
Na figura 1.56 mostra-se uma comparao entre a queda de tenso entre os terminais
principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e MOSFET).
Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido
sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so
1-44
consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no confronto
com outros componentes.

A
K
G
.
.
.
on-FET
off-FET
canal P
canal N
.
metal
A
K
SiO2
condutor
G G
n+
p-
n
p+
p p
n+ n+
on-FET
canal
on-FET
canal
off-FET
canal
off-FET
canal
A
K
G
ganho alto
ganho baixo

Figura 1.55 - Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma clula
e smbolo do componente.

Mantendo o off-FET operando durante o estado bloqueado, tem-se que a corrente de
fuga circula por tal componente auxiliar, resultando numa melhoria na capacidade de
bloqueio, mesmo em altas temperaturas. Devido a este desvio da corrente atravs do
MOSFET, o limite de temperatura est associado ao encapsulamento, e no a fenmenos de
perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que possvel oper-los em temperaturas bem
mais elevadas do que os outros componentes como, por exemplo, 250
o
C.
Devido elevada densidade de corrente, e conseqente alto limite de di/dt, suportvel
pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o desligamento,
podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e catodo, uma vez que sua
descarga sobre o MCT no momento de entrada em conduo deste, no problemtico.
1.10.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT
possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado
por um MOSFET de canal P, como mostrado na figura 1.57.
Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate,
desligando com uma tenso negativa. Como o anodo est em contato apenas com uma camada
P, este dispositivo capaz de sustentar tenses com polarizao reversa.
Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso
do que um MOSFET canal P.

1-45

P - M C T
N - I G B T
N - M O S F E T
0 0 , 5 1 1 , 5 2 2 , 5
T e n s o d e c o n d u o [ V ]
1 0 0 0
1 0 0
1 0
1
D e n s i d a d e
d e c o r r e n t e
[ A / c m ]
2

Figura 1.56 - Comparao entre componentes para 600V, com 1 s de tempo de desligamento,
desprezando a resistncia do encapsulamento.

A
K
G
.
.
.
on-FET
off-FET
canal N
canal P
.
metal
K
A
SiO2
condutor
G G
p+
n-
p
n+
n- n-
p+ p+
on-FET
canal
on-FET
canal
off-FET
canal
off-FET
canal
A
K
G

Figura 1.57 - Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula
e smbolo do componente.

Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar
uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em
contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais lenta
do que a que se tem em um N-MCT.
A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TB parasita no
conduza. Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo
MOSFET.
1.11 Materiais Emergentes

Silcio atualmente (1997) praticamente o nico material utilizado para a fabricao
de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que tem-se tecnologia
para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o
que ainda no possvel para outros materiais.
1-46
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao
silcio, mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios
fabricao de componentes de potncia.
Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possui um maior gap de energia,
sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam
menor corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez
que a mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor
resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores
majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico
de ruptura, ele poderia suportar maiores tenses.
A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se,
potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia.
Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais fazem-se intensas pesquisas. O gap de
energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando
a dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em
relao tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que
aumentada em uma ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes
materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de
campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores.
Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na
tabela 1.1 sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os
novos materiais. As tabelas 1.2 a 1.4 mostram as variaes de alguns parmetros. Tome-se os
valores do Si como referncia.

Tabela 1.1 Propriedades de materias semicondutores
Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante
Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5
Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
Mobilidade a 300K (cm
2
/V.s) 1400 8500 1000 600 2200
Campo eltrico mximo (V/cm) 3.10
5
4.10
5
4.10
6
4.10
6
1.10
7

Temperatura de fuso (C) 1415 1238 Sublima
>> 1800
Sublima
>>1800
Muda de
fase 2200*
* Diamante grafite

Nota-se (tabela 1.2) que as resistncias da regio de deriva so fortemente
influenciadas pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas
indicadas na tabela 1.1. A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor
cerca de 30000 vezes menor do que tem-se hoje num componente de Si. O impacto sobre a
reduo das perdas de conduo bvio.
Na tabela 1.3 tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de
dopagem e o comprimento da regio de deriva. Nota-se tambm aqui que os novos materiais
permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor
quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um
dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada
na regio de deriva e num comprimento de apenas 2m, ou seja, 50 vezes menos que um
componente equivalente de Si.
1-47
Na tabela 1.4 tem-se expressa a reduo no tempo de vida dos portadores no interior
da regio de deriva. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos
dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de
grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si.

Tabela 1.2 Resistncia hmica da regio de deriva
Material Si GaAs SiC Diamante
Resistncia relativa 1 6,4.10
-2
9,6.10
-3
3,7.10
-5

Tabela 1.3 Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta
suportar 1kV
Dopagem (cm
-3
) 1,3.10
14
5,7.10
14
1,1.10
16
1,5.10
17

Comprimento (m) 100 50 10 2

Tabela 1.4 Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura
de 1000V
Tempo de vida 1,2 s 0,11 s 40 ns 7 ns
Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais
se constituam-se, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo
estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os
demais materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em
dispositivos rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No
existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias
construo de componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no
possui um xido natural (como o SiO
2
), dificultando a formao de camadas isolantes e de
mscaras para os processos litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento
comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para este componente especfico o
aumento da tenso seja significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais,
quando comparadas com os outros materiais.
O estgio de desenvolvimento dos SiC ainda mais primitivo nos aspectos do
processamento do material para obter-se a pureza necessria, nas dimenses requeridas para
estas aplicaes de potncia.
Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de
monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a
estruturas policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos
ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.
1.12 Referncias Bibliogrficas

Grafham, D.R. e Golden, F.b., editors: SCR Manual. General Electric, 6o ed., 1979, USA.

Rice, L.R., editor: SCR Designers Handbook. Westinghouse Electric Co., 1970, USA

Hoft, R.G., editor: SCR Applications Handbook. International Rectifiers, 1977, USA

1-48
Tsuneto Sekiya, S. Furuhata, H. Shigekane, S. Kobayashi e S. Kobayashi: Advancing Power
Transistors and Their Applications to Electronic Power Converters, Fuji Electric Co.,
Ltd., 1981

Edwin S. Oxner: MOSPOWER Semiconductor, Power Conversion International,
Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982, Artigo Tcnico Siliconix TA82-2

B. Jayant Baliga: Evolution of MOS-Bipolar Power Semiconductos Technology,
Proceedings of the IEEE, vol 76, no. 4, Abril 1988, pp. 409-418

V. A. K. Temple: Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology, PCIM, Novembro
1989, pp. 12-15.

N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics - Converters,
Applications and Design, John Wiley & Sons, Inc., Second Ed., 1995

Bimal K. Bose Power Electronics - A Technology Review, Proceedings of the IEEE, vol 80,
no. 8, August 1992, pp. 1303-1334.

Detemmerman, B.: Parallel and Serie Connection of GTOs in Traction Applications. I
European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.

Hausles, M. e outros: Firing System and Overvoltage Protection for Thyristor Valves in Static
VAR Compensators. Brown Boveri Review, 4-1987, pp. 206-212

Miller, T.J.E.: Reactive Power Control in Electric Systems. John Wiley & Sons, 1982, USA

E. Duane Wolley: Gate Turn-off in p-n-p-n devices. IEEE Trans. On Electron Devices, vol.
ED-13, no.7, pp. 590-597, July 1966

Yasuhiko Ikeda: Gate Turn-Off Thyristors. Hitachi Review, vol 31, no. 4, pp 169-172, Agosto
1982

A. Woodworth: Understanding GTO data as an aid to circuit design. Electronic Components
and Applications, vol 3, no. 3, pp. 159166, Julho 1981

Steyn, C.G.; Van Wyk, J.D.: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power
Electronics Switches. I European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.

Edwin S. Oxner: Power Conversion International, Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982. Artigo
Tcnico Siliconix TA82-2 MOSPOWER Semiconductor

V. A. K. Temple: Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology. PCIM, Novembro
1989, pp. 12-15.

MCT User's Guide. Harris Semiconductors

Eletrnica de Potncia Cap. 2 J. A.Pomilio
2-1
2. TCNICAS DE MODULAO DE POTNCIA

Uma vez que as fontes de alimentao so, tipicamente, de valor constante, sejam elas
CA ou CC, caso seja preciso variar a tenso aplicada sobre uma carga, necessrio o emprego
de algum dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia transferida.
Se o controle deve ser feito sobre a tenso, o dispositivo deve ter uma posio em srie
entre a fonte e a carga, como indicado na figura 2.1.
Pode-se ter um atuador linear, sobre o qual tem-se uma queda de tenso proporcional
sua impedncia. Este tipo de controle da tenso tem como inconveniente a perda de energia
sobre a resistncia srie.
A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potncia por
meio de chaves. Obviamente esta no uma variao contnua. No entanto, dada a
caracterstica de armazenadores de energia presentes em quase todas as aplicaes, a prpria
carga atua como um filtro, extraindo o valor mdio da tenso instantnea aplicada sobre ela.
Como uma chave ideal apresenta apenas os estados de conduo (quando a tenso
sobre ela nula) e de bloqueio (quando a corrente por ela nula), no existe dissipao de
potncia sobre ela, garantindo a eficincia energtica do arranjo.
Na maior parte dos casos, a freqncia de comutao da chave muito maior do que a
constante de tempo da carga.

Vi
Carga
+ Vr -
+
Vo
-
+
Rr
Carga
+
o
S
Vi
+
v
Vi
Vo
Vr
t
Vo=Vi-Vr
Vi
t
v
o
Vo
Vo = v
o

(a) (b)
Figura 2.1 Reguladores de tenso srie (a) e chaveado (b),
supondo uma tenso de entrada CC.
2.1. Entrada CA: Controle por ciclos inteiros

O controle "ON-OFF" consiste em ligar e desligar a alimentao da carga sem se
importar com o instante de comutao. O intervalo de conduo e tambm o de bloqueio do
interruptor tipicamente de muitos ciclos da rede. A comutao no guarda nenhuma relao
com os cruzamentos com o zero da tenso da rede. Assim, pode-se ter um recorte nas
formas de onda, podendo produzir eventuais problemas de interferncias eletromagnticos
devido a valores elevados de di/dt e dv/dt nos elementos do circuito.
O chaveamento sncrono um tipo de controle "ON-OFF" utilizado para minimizar o
problema de interferncia eletromagntica. Considerando o emprego de tiristores como
2-2
elementos interruptores, a entrada em conduo pode se dar quando tenso for nula, e o
desligamento ocorre quanto a corrente se anula. Em caso de uma carga resistiva, ambas
comutaes se do com corrente e tenso nulas. Tambm neste caso a carga fica conectada
rede durante diversos semi-ciclos.
Neste sistema, escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de
alimentao. A preciso do ajuste da sada depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semi-ciclos. O ajuste da tenso aplicada
carga pode ter uma resoluo mnima de 1/120.
Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular de
freqncia fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal triangular estabelece a
base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura.
A potncia entregue carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 2.2 ilustra este
funcionamento.

Vc
Vrampa
Tenso sobre a carga

Figura 2.2 Operao de controle por ciclos inteiros.

Embora os problemas de IEM em alta freqncia sejam muito reduzidos, podem surgir
outros, decorrentes de flutuao na tenso da rede, devido s comutaes da carga.
A norma internacional IEC 1000-3-3 estabelece limites para flutuaes de tenso em
baixa freqncia, como mostra a figura 2.3. Dependendo da freqncia com que se d a
comutao da carga, existe um valor mximo admissvel de variao de tenso no ponto de
acoplamento comum. Por exemplo, uma carga que produza uma flutuao na tenso de 1,5 %
poderia alterar seu estado entre ligado e desligado no mximo 7 vezes por minuto.
Uma das maneiras de verificar se uma carga de uso domstico fere a tais limitaes
utilizando-se de uma impedncia tpica, definida pela norma, e mostrada na figura 2.4.
Conhecida a potncia da carga, sabe-se qual ser a variao da tenso medida por M. Este
um mtodo analtico. Existem mtodos experimentais, que esto relacionados com esta
norma, mas se atem ao fenmeno de cintilao luminosa (flicker), que relaciona a flutuao
da tenso variao da intensidade luminosa de uma lmpada incandescente.

2-3
d (%)
Nmero de comutaes por minuto

Figura 2.3 Relao entre a taxa de flutuao da tenso e o nmero de transies.

~
M
L
N
G
Ra
jXa
Rn jXn
EST
S

Figura 2.4 Impedncia tpica definida pela norma
onde:
EST- equipamento sob teste
M- equipamento de medida
S- fonte de energia consistindo de um gerador G e uma impedncia de referncia Z, com os
elementos:
Ra= 0,24 Xa= 0,15 a 50 Hz
Rn= 0,16 Xn= 0,10 a 50 Hz
2.2 Entrada CA: Controle de fase

Quando a tenso de alimentao alternada, mais usual o uso de tiristores como
interruptores, seja para um ajuste na prpria tenso CA, seja para a converso de uma tenso
CA em CC (retificao).
O modo mais comum de variar o valor de uma tenso CA por meio do chamado
Controle de Fase, no qual, dado um semi-ciclo da rede, a chave acionada em um
determinado ngulo, fazendo com que a carga esteja conectada entrada por um intervalo de
tempo menor ou igual a um semi-ciclo.
A ttulo de exemplo, tomemos o caso de um variador de tenso CA, alimentando uma
carga resistiva, cujo circuito e formas de onda esto mostrados na figura 2.5. Para uma carga
2-4
resistiva, o desligamento do SCR se dar no momento em que a corrente cai a zero.
Obviamente as formas de onda da tenso e da corrente na carga so as mesmas.
O valor da tenso eficaz aplicada carga resistiva :

( ) Vo Vi d Vi
ef
= = +
1 1
2 2
2
4
2
sin( )
sin( )
(2.1)
onde:
v
i
(t)=Vi . sin ()
= t
o ngulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero.

vi(t)
i(t)
v
o
S1
S2
Ro
.

0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
200V
100V
0V
-100V
-200V

Figura 2.5 Circuito e forma de onda de variador de tenso CA alimentando carga resistiva.

A figura 2.6 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de
disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves.

0.5
1
0 1 2
Tenso de sada
[rad]

Figura 2.6 Tenso de sada (sobre uma carga resistiva), normalizada em relao ao valor
eficaz da tenso de entrada.

A componente fundamental da corrente sobre a carga dada por:

[ ]
Vh Vi 1
2
2
2 1
2
2 2
2
=

+
sin( ) cos( )
( )
(2.2)

As componentes harmnicas da tenso na carga esto mostradas na figura 2.7 e so
dadas por:

2-5
[ ]
Vh
Vi k k
k k k k
k
k k
k
k k
k ( )
( )
cos( )
( )
cos( )
( )
cos ( )
( )
2 1
2
2 2 2 2
1
2 1
2
2 1
2
2 1
2 1
2 1
=
+

+

(2.3)

para k inteiro e maior que 1.
Como se observa, esta tcnica de modulao produz sada com amplo contedo
espectral e em baixa freqncia, o que dificulta uma eventual filtragem, caso necessrio,
devido aos elevados valores de indutncia e capacitncia necessrios. Resultados semelhantes
so obtidos com outros tipos de cargas e tambm em conversores CA-CC (retificadores), os
quais sero vistos com ateno em captulos posteriores.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Harmnica 1
Harmnica 3
Harmnica 5
Harmnica 7
Amplitude normalizada das harmnicas

Figura 2.7 Amplitude das harmnicas, normalizadas em relao amplitude da tenso de
entrada, para carga resistiva.
2.3 Entrada CC: Modulao por largura de pulso
Tomemos o circuito mostrado na figura 2.8 na qual se tem um circuito alimentado por
uma fonte CC e do qual se deseja obter na sada uma tenso CC mas de valor diferente (no
caso menor que a entrada). Tal topologia ser detalhadamente estudada na seqncia deste
curso.
E
T
D vo
L
C R Vo
E
Vo
vo
t
t
T

Figura 2.8 Conversor abaixador de tenso e forma de onda da tenso sobre o diodo.

Considerando chaves semicondutoras ideais, elas esto ou no estado bloqueado ou em
plena conduo. A tenso mdia de sada depende da relao entre o intervalo em que a chave
permanece fechada e o perodo de chaveamento. Define-se ciclo de trabalho (largura de pulso
ou razo cclica) como a relao entre o intervalo de conduo da chave e o perodo de
chaveamento.
Em Modulao por Largura de Pulso MLP (em ingls. Pulse Width Modulation
PWM) opera-se com freqncia constante, variando-se o tempo em que o interruptor
permanece conduzindo.
2-6
O sinal de comando obtido, geralmente, pela comparao de um sinal de controle
(modulante) com uma onda peridica (portadora) como, por exemplo, uma "dente-de-serra".
A figura 2.9 ilustra estas formas de onda.
Para que a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada seja linear, como
desejado, a portadora deve apresentar uma variao linear e, alm disso, a sua freqncia deve
ser, pelo menos, 10 vezes maior do que a modulante, de modo que seja relativamente fcil
filtrar o valor mdio do sinal modulado (MLP), recuperando, sobre a carga, uma tenso
contnua proporcional tenso de controle (v
c
).

vc
vp
vp
vc
vo
vo
-
+
Vo

Figura 2.9 Modulao por Largura de Pulso.

Na figura 2.10 tem-se o espectro de uma onda MLP, onde se observa a presena de uma
componente contnua que reproduz o sinal modulante. As demais componentes aparecem nos
mltiplos da freqncia da portadora sendo, em princpio, relativamente fceis de filtrar dada sua
alta freqncia.

0Hz 50KHz 100KHz 150KHz 200KHz

8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V

Figura 2.10 Espectro de sinal MLP.
2.4 Entrada CC: Inversores com comutao em baixa freqncia
Consideremos agora que se tem uma entrada CC. Tome-se o circuito de um inversor
(conversor CC-CA) monofsico mostrado na figura 2.11.
As leis de modulao so numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma
onda retangular, numa freqncia constante (eventualmente at zero - sinal CC), porm
ajustvel.
Uma tenso positiva aplicada carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3
desligados). A tenso negativa obtida complementarmente. O papel dos diodos associados
aos transistores garantir um caminho para a corrente caso a carga apresente caracterstica
2-7
indutiva. Note que a conduo dos diodos no afeta a forma da tenso desejada. Este tipo de
modulao no permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tenso de sada, a qual
poderia ser variada apenas se a tenso de entrada, E, fosse ajustvel.
O espectro de uma onda quadrada conhecido e apresenta todos os componentes
mpares, com decaimento de amplitude proporcional freqncia dos mesmos.

Ia
T3 T4 D3 D4
A
B
T1 T2
Carga
Monofsica
D1 D2
Vs
V
S
I
A
+E
-E
T1/T4
T2/T3
D1
D4
D2
D3
E

Figura 2.11 Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva).
2.4.1 Modulao com onda quase-quadrada.
Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tenso de sada e eliminar
algumas harmnicas a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantm um nvel de
tenso nulo sobre a carga durante parte do perodo, como mostrado na figura 2.12 com o
respectivo espectro.
Para obter este tipo de onda, uma possibilidade a seguinte: quando se deseja tenso
positiva na carga mantm-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tenso negativa
obtida complementarmente. Os intervalos de tenso nula so obtidos mantendo T1
conduzindo e desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrar em conduo. Quando T1
desligar D3 entra em conduo, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que
ocorre quando a corrente se inverte. O intervalo de tenso nula seguinte obtido com o
desligamento de T3 e a continuidade de conduo de T2.
Nota-se que esto presentes os mltiplos mpares da freqncia de chaveamento, o que
significa que a filtragem de tal sinal para a obteno apenas da fundamental exige um filtro
com freqncia de corte muito prxima da prpria freqncia desejada. Este espectro varia de
acordo com a largura do pulso. Para este caso particular no esto presentes os mltiplos da
terceira harmnica.
0Hz 1.0KHz 2.0KHz 3.0KHz 4.0KHz 5.0KHz 6.0KHz
Frequency
0A
1.5A
V
S
I
A
+V
-V
0 120 180 360 300
o
o o o
o
T1/T4
T2/T3
T1/D2
T2/D1
D2/D3
D1/D4

Figura 2.12 Forma de onda e espectro da onda quase-quadrada.
2-8
2.4.2 Modulao multinvel
Uma outra estratgia de modulao que produz reduzidas harmnicas a multinvel.
Neste caso, a tenso de sada produzida por diversos mdulos inversores conectados em
srie, cada um acionado no momento adequado, de modo a tentar reproduzir uma forma de
onda que se aproxime de uma senide (ou de uma outra forma desejada).
Na figura 2.13 tem-se um diagrama esquemtico do conversor multinvel que utiliza
diversos inversores de onda quase-quadrada para obter o sinal multinvel.

Inversor onda
quase-quadrada
Inversor onda
quase-quadrada
Inversor onda
quase-quadrada
Vo
V3
V2
V1
E
E
E
3E

Figura 2.13 Diagrama esquemtico de conversor multinvel.

Existem outras topologias que tambm permitem obter sinais deste tipo, sem recorrer
simples associao de conversores. Em 2.14 tem-se uma forma de onda deste tipo e o
respectivo espectro. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam
componentes espectrais em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda
senoidal devem ter uma freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas
apresentam-se em mltiplos da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser
muito grande, uma vez que as amplitudes das harmnicas so pequenas. Aumentando-se o
nmero de pulsos as primeiras harmnicas surgiro em freqncias mais elevadas. No caso de
N nveis, as componentes so de freqncias mltiplas de (2N+1).

1 11 13 23 25
ordem harmnica
Corrente Ica

Figura 2.14 Forma de onda e espectro de sinal multinvel.
2.5 Conversor CC-CA com Modulao por Largura de Pulso - MLP
Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqncia atravs de uma
2-9
modulao em alta freqncia.
De uma maneira analgica, possvel obter este tipo de modulao ao se comparar
uma tenso de referncia (que seja imagem da tenso de sada buscada), com um sinal
triangular simtrico, cuja freqncia determine a freqncia de chaveamento. A freqncia da
onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mnimo 10 vezes superior mxima
freqncia da onda de referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel do sinal de
referncia, agora modulado, na forma de onda sobre a carga, aps efetuada a adequada
filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa
da referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulao
por Largura de Pulso, denominada, em ingls, como Pulse Width Modulation - PWM.
A tenso de sada, que aplicada carga, formada por uma sucesso de ondas
retangulares de amplitude igual tenso de alimentao CC e durao varivel.
A figura 2.15 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma
tenso com 2 nveis, na freqncia da onda triangular.

Figura 2.15 Sinal MLP de 2 nveis.

possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo
de modulao apresenta um menor contedo harmnico, como mostram a figura 2.16. A
produo de um sinal de 3 nveis ligeiramente mais complicada para ser gerado
analogicamente. Uma maneira de faz-lo, para um inversor monofsico, de acordo com a
seguinte seqncia:
durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
o sinal MLP enviado a T4 e o mesmo sinal barrado enviado a T2.
no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo T3,
o sinal MLP enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
A recuperao da onda de referncia facilitada pela forma do espectro. Note-se que,
aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes nas vizinhanas da
freqncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqncia de corte acima da
freqncia da referncia perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 2.16 tem-se tambm as formas de onda filtradas
(filtro LC, 2mH, 20F). Uma reduo ainda mais efetiva das componentes de alta freqncia
obtida com o uso de filtro de ordem superior.
O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes
oscilatrias na freqncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de
transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro
da onda MLP no as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situaes em
que tais transitrios possam ser problemticos, com a inevitvel perda de eficincia do filtro.
Os menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinmica deste sistema
2-10
mais rpida que as obtidas com filtros aplicados s tcnicas de modulao anteriores.

10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
400V
-400V
400V
-400V

a) Formas de onda de tenso e de corrente em modulao MLP de 2 e de 3 nveis.
0Hz 5KHz 10KHz 15KHz 20KHz
200V
0V
200V
0V

Figura 2.16 b) Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis.
2.6 Modulao em freqncia - MF

Neste caso opera-se a partir de um pulso de largura fixa, cuja taxa de repetio
varivel. A figura 2.17 mostra um pulso de largura fixa modulado em freqncia.
Um pulso modulado em freqncia pode ser obtido, por exemplo, pelo uso de um
monoestvel acionado por meio de um VCO, cuja freqncia seja determinada pelo sinal de
controle.

t1 t2 t3
vo
Vo
0
E

Figura 2.17 Pulso de largura modulado em freqncia.
2-11
2.7 Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese)

Neste caso, so estabelecidos os limites mximo e mnimo da corrente, fazendo-se o
chaveamento em funo de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantneo da
corrente, em regime, mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o conversor
comporta-se como uma fonte de corrente.
Tanto a freqncia quanto a largura de pulso (tambm denominada de ciclo de
trabalho ou razo cclica) so variveis, dependendo dos parmetros do circuito e dos limites
impostos. A figura 2.18 mostra as formas de onda para este tipo de controlador.
MLC s possvel em malha fechada, pois necessrio medir instantaneamente a
varivel de sada. Por esta razo, a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada
direta. Este tipo de modulao usado, principalmente, em fontes com controle de corrente
e que tenha um elemento de filtro indutivo na sada.

vo
io
Imax
Imin
t
t
Io
mudana na carga
E
0

Figura 2.18 Formas de onda de corrente e de tenso instantneas com controlador MLC.

A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A referncia de
corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador integral). A figura
2.19 ilustra este sistema de controle. Na figura 2.20 v-se a forma de onda da tenso de sada,
aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a
freqncia no ser constante.
possvel obter um sinal MLC com freqncia fixa caso se adicione ao sinal de
entrada do comparador uma onda triangular cujas derivadas sejam maiores do que as do sinal
de corrente. Assim os limites reais da variao da corrente sero inferiores ao estabelecido
pelo comparador. Pode-se ainda variar a banda de histerese, buscando minimizar a variao
da freqncia.
Em princpio o controle por histerese pode ser aplicado tambm no controle de tenso,
desde que a fonte tenha um comportamento de fonte de corrente.

2-12
sinal sincronizador
io
comparador
com histerese
i*
sensor de
corrente
Inversor
V vo(t)

Figura 2.19 Controlador por histerese.

Figura 2.20 - esquerda: Sinal MLC (superior), entrada do comparador com histerese e
corrente resultante (inferior). direita: Espectro de sinal MLC (superior) e da corrente de
sada (inferior).
2-13
2.8 Modulao MLP com freqncia de portadora varivel

Uma alternativa, que tem como caracterstica o espalhamento do espectro, o uso de
uma freqncia de chaveamento no fixa, mas que varie, dentro de limites aceitveis, de uma
forma, idealmente, aleatria. Isto faz com que as componentes de alta freqncia do espectro
no estejam concentradas, mas apaream em torno da freqncia base, como se observa na
figura 2.21. Note-se que o nvel relativo referncia, neste caso uma senide, no sofre
alterao, uma vez que independe da freqncia de chaveamento. Na mesma figura (parte b)),
observa-se o sinal modulado e o que se obtm aps uma filtragem das componentes de alta
freqncia. Observe que, como a freqncia varia ao longo do perodo da referncia, tem-se
uma alterao na atenuao proporcionada pelo filtro, que se torna menor na medida em que
diminui a freqncia de comutao.
a)
b)
Figura 2.21 a) - Espectro de sinal MLP (referncia CC) com portadora de freqncia varivel.
b) - Sinal modulado em largura de pulso com variao da freqncia da portadora (superior);
referncia CA e sinal recuperado aps filtragem (inferior)
2.9 Eliminao de harmnicas

Considerando, a ttulo de exemplo, o caso da modulao por onda quadrada, mas sem
perda de generalidade, possvel eliminar uma dada harmnica se a cada de ciclo for
introduzida uma comutao adicional, como mostrado na figura 2.22.
Para uma amplitude unitria, a forma de onda da fig. 2.22 expressa por:

[ ] { } [ ] t ) 1 n 2 ( sin 1 ) 1 n 2 ( cos 2
) 1 n 2 (
4
) t ( v
1 n

=
=
(2.4)

2-14

v(t)
t
1
1

Figura 2.22 Modulao com eliminao de harmnica.

Note que se =0 tem-se a expresso da srie de Fourier de uma onda quadrada. Para
eliminar a 3
a
harmnica deve-se impor, no intervalo 0<</2 que:

0 1 ) 3 cos( 2 =
(2.5)

isto significa =/9, para qualquer valor de t. O impacto sobre a componente fundamental de
v(t) que ocorre uma reduo de seu valor eficaz para 88%, em relao ao valor de onda
quadrada.
possvel estender este mesmo enfoque para a eliminao de um nmero qualquer de
harmnicos. Uma expresso geral para v(t), considerando que existem h pulsos inseridos no
intervalo entre 0 e /2, :

[ ] [ ] t ) 1 n 2 ( sin ) 1 n 2 ( cos ) 1 ( 2 1
) 1 n 2 (
4
) 1 ( ) t ( v
h
1 k
k
k
1 n
h

+

=

=
=
(2.6)

A eliminao de h harmnicas de v(t) impe que os respectivos ngulos
1
,
,...
h

sejam razes de:

[ ]
2
1
) 1 n 2 cos ) 1 (
h
1 k
k
k
=
=
(2.7)

2.10 Outras tcnicas de modulao

Outras formas de controle tm sido pesquisadas com o intuito de melhorar a resposta
dinmica do sistema, aumentar a margem de estabilidade, rejeitar mais eficientemente
perturbaes, etc. Estas novas tcnicas utilizam, via de regra, mtodos no-lineares e
procuram aproveitar ao mximo as caractersticas tambm no-lineares dos conversores.
2.10.1 Controle One-cycle
O controle one-cycle permite o controle da tenso de um conversor com sada CC-
CC ciclo a ciclo, de modo que o sistema se torna praticamente imune a variaes na
alimentao e na carga. Opera com freqncia constante a modulao da largura de pulso,
mas o instante de comutao determinado por uma integrao da tenso que aplicada ao
estgio de sada do conversor.
2-15
A figura 2.23 mostra a estrutura bsica para um conversor CC-CC do tipo abaixador
de tenso (que ser estudado posteriormente).
Uma vez que, em regime, a tenso mdia numa indutncia nula, a tenso de sada,
Vo, igual tenso mdia sobre o diodo. A tenso sobre o diodo, no entanto, variar entre
praticamente zero (quando o componente conduz) e a tenso de alimentao, E. Seu valor
mdio a cada ciclo deve ser igual a Vo. Tal valor mdio a cada ciclo que obtido pela
integrao de tal tenso.
O sinal integrado comparado com a referncia. Enquanto no atingi-la, a chave
permanece ligada (tenso E aplicada sobre o diodo). Quando a tenso de referncia igualada
o capacitor do integrador descarregado e o comparador muda de estado, desligando o
transistor, at o incio do ciclo seguinte, determinado pelo clock.
Observe que qualquer variao na referncia, na tenso de entrada ou na carga afeta o
intervalo de tempo que o transistor permanece conduzindo, mas sempre de maneira a manter a
tenso mdia sobre o diodo igual ao valor determinado pela referncia.

+
Vo
comparador
vo
+
v*
integrador
referncia
+
clock
fc
clock
vo
E
E
v*
Q Q
S R
Rf
Ci
vi
vi

Figura 2.23 Controle one-cycle aplicado a conversor abaixador de tenso.
2.10.2 Modulao Delta
O sinal de referncia comparado diretamente com a sada modulada (e no a
filtrada). O sinal de erro integrado e a sada do integrador comparada com zero. A sada do
comparador amostrada a uma dada freqncia, fc, e o sinal de sada do
amostrador/segurador comanda a chave. A figura 2.24 mostra o sistema.
O estado da chave em cada intervalo entre 2 amostragens determinado pelo sinal da
integral do erro de tenso (no instante da amostragem). Deste modo os mnimos tempos de
abertura e de fechamento so iguais ao perodo de amostragem. A robustez do controlador
seu ponto forte. O problema que esta tcnica de controle intrinsecamente assncrona,
dificultando o projeto dos filtros.

2-16
+
Vo
comparador vo
v*
I
integrador
referncia
vo
S&H
clock
+
+
fc
E
clock
vo
E
v*
sinal
de
erro

Figura 2.24 - Controlador Delta.

2.11 Modulao Vetorial

Este tpico baseia-se no material do prof. S. Buso, utilizado no curso sobre Controle
Digital de Conversores de Potncia, e pode ser encontrado na ntegra em :
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.
Um inversor trifsico, como o mostrado na figura 2.25, pode produzir trs tenses
independentes, V
1
, V
2
e V
3
. Tais tenses podem apresentar apenas 2 nveis, dependendo de
quais interruptores estiverem conduzindo. Em relao ao ponto neutro, os valores mdios de
tais tenses podem variar entre +E/2 e -E/2, sendo E o valor da tenso no lado CC.
Se a fonte CC possuir um ponto mdio e a carga estiver a ele conectado (conexo
estrela com neutro), o potencial deste ponto no se altera. No entanto, se o neutro da carga
no estiver ligado, seu potencial variar, dependendo dos estados dos interruptores do
inversor.
Qualquer conjunto de trs tenses pode ser representado por um vetor no plano
definido por eixos abc, deslocados 120
um do outro, como mostra a figura 2.26.

Normalmente a informao sobre o valor da tenso de neutro perdida, pois se situaria no
eixo ortogonal ao plano abc.

-
E
+
v
1
v
2
v
3

Figura 2.25 - Inversor trifsico tipo fonte de tenso
2-17

V
1
V
2
V
3
V
a
c
b
V
3
V
2
V
1
V
3
V
2

Figura 2.26 - Representao de tenses instantneas no plano abc

possvel representar o mesmo vetor resultante no plano , o que se faz aplicando a
transformao indicada a seguir. O mesmo vetor no plano mostrado na figura 2.27. Esta
transformao vlida tambm para correntes.

3
2
1
V
V
V
2
3
2
3
0
2
1
2
1
1
V
V
(2.8)

A transformao inversa leva a:
=
=
2
V
V
2
3
3
2
V
2
V
V
2
3
3
2
V
V
3
2
V
3
2
1
(2.9)

V

V

V
1
V
2
V
3
V

V
1
V
2
V
3
V
a
b
c
2/3 V

Figura 2.27 - Vetor de tenso resultante no plano e transformao inversa

Os estados do inversor tambm podem ser representados por vetores, como o exemplo
mostrado na figura 2.28, para o estado chamado 100, no qual V
1
=E, V
2
=0 e V
3
=0.

2-18
-
E
+
100
V
V
1
V
2
V
3
101
V
110
V
010
V
011
V
001
V

Figura 2.28 - Representao dos estados do inversor no plano ( ou abc)

O vetor nulo, definido como os estados 111 ou 000, ou seja, quando os trs
interruptores superiores, ou os trs inferiores estivem simultaneamente fechados, so
representados pelo ponto na origem do plano.
A modulao vetorial realizada gerando, dentro de cada perodo de comutao, uma
seqncia de diferentes estados do inversor. Tal seqncia normalmente consiste de trs
vetores, um dos quais o vetor nulo. A soma das larguras de pulso relativas a cada estado
deve satisfazer restrio:

1
3 2 1
= + +
(2.10)

Para produzir na sada do inversor valores desejados de tenses mdias (calculadas no
perodo de comutao), deve-se obter o vetor resultante V*, como feito nas figuras 2.26
(plano abc) ou 2.27 (plano ). Verifica-se quais so os estados do inversor que so
adjacentes ao vetor V*. Tais estados, e o estado nulo, sero aqueles que devero ser ativados
para produzir as sadas desejadas. As projees de V* nos vetores adjacentes determinam as
respectivas razes cclicas, enquanto a durao do vetor nulo dada, quando possvel, por:

2 1 3
1 =
(2.11)

A figura 2.29 mostra o procedimento para definir os estados a serem utilizados, suas
respectivas larguras de pulso e os limites de V* que podem ser produzidos com esta tcnica,
que so os vetores contidos no hexgono.

V
100
V
110
V*
V
111

V
110

1
V
100

2
V*
V
100
V
110
V
111

3

V
100
V
110
V*
V
111

Figura 2.29 - Definio dos estados do inversor, respectivas larguras de pulso e seus limites

Diferentes estratgias podem ser utilizadas para gerar os vetores necessrios, como
mostra a figura 2.30. No caso (a), o estado V
1
=1 comum aos dois vetores, sendo mantido
fixo durante todo o perodo de comutao. As comutaes so realizadas nos ramos que
produzem V
2
e V
3.

2-19

(a)

V
100
V
110
V
111
V
100
V
110
V
111
V
1
V
2
V
3

3
T
1
T
2
T
T T
E
E
E

3
T
1
T
2
T

(b)

2
T
111
V
100
V
110
V
111
V
100
V
110
V
V
1
V
2
V
3

3
T
1
T
2
T
T T
E
E
E

3
T

1
T

(c)

2
T
V
100
V
110
V
111 100
V
110
V
V
1
V
2
V
3
3
T

1
T
2
T
T T
E
E
E
1
T
000
V

3
T/2
000
V
T/2

Figura 2.30 - Possveis realizaes para obter V* (exemplo da fig. 2.27)
2-20
No caso (b) tem-se uma estratgia que minimiza as comutaes, o que reduz as perdas
do conversor. Note que V
1
est sempre em 1, como no caso anterior. A diferena que cada
perodo adjacente espelhado, de modo a no ser preciso alterar o estado anterior dos
interruptores.
No caso (c) o estado nulo feito com o vetor 111 e com o vetor 000. Sua principal
caracterstica o fato dos pulsos de cada fase estarem centrados exatamente na passagem de
um ciclo de comutao para outro. Esta estratgia facilita a observao, por exemplo, do valor
da corrente de cada fase. Fazendo-se a observao precisamente neste instante tem-se uma
amostragem do valor mdio da corrente (supondo uma carga com caracterstica indutiva, que
normalmente ocorre), sem ser preciso qualquer tipo de processamento do valor amostrado.
Pelo fato de se estar distante dos momentos das comutaes, os eventuais rudos produzidos
pelo chaveamento tambm j tero sido amortecidos, como ilustra a figura 2.31.
A forma de onda obtida da estratgia (c) a mesma que se tem na modulao
analgica com onda triangular, usando um perodo 2T, como mostra a figura 2.32.
No entanto, apesar da simetria dos pulsos, o uso de modulao vetorial leva
produo inerente de uma terceira harmnica nas tenses de fase. Isto pode ser analisado
como se o ponto do vetor nulo no permanecesse no plano, mas se deslocasse ortogonalmente
a ele. Observe-se aqui que, sendo um sistema a trs fios, quando so definidas as tenses em
duas fases, a terceira est necessariamente definida.

T T
corrente
valor mdio
rudo

Figura 2.31 - Amostragem da corrente (carga indutiva) na estratgia (c)
V *
3
V *
1
V *
2

Figura 2.32 Modulao usando portadora triangular
2-21

A figura 2.33 ilustra o fato de que a existncia de um nvel comum s 3 fases (no
exemplo, um nvel CC), no afeta a tenso de linha, que se mantm simtrica e equilibrada. O
efeito da terceira harmnica semelhante, como se v na mesma figura. Ou seja, as tenses de
fase possuem a terceira harmnica, mas ela no se apresenta na tenso de linha, por ser de
modo comum.
Esta terceira harmnica, ao reduzir o pico da tenso, permite que a componente
fundamental associada a esta onda tenha um valor de pico de 1,15E, ou seja, maior do que
existiria sem a terceira harmnica! Este fato est mostrado na figura 2.33.

V
23
V
12
V
10
V
31
V
30
V
20
V
N0
V
N0
V
N0

V
10
V
23
V
12
V
31
V
30
V
20
V
N0

Figura 2.33 - Efeito de tenso de modo comum nas tenses de fase

O comportamento com modulao vetorial e com portadora triangular tornam-se
idnticos caso, nesta ltima, seja adicionada a cada largura de pulso uma componente dada
por:
( ) ( ) [ ]
3 2 1 3 2 1
, , min , , max
2
1
+
.

V
10
V
N0
E
1.15 E
E/2
0

Figura 2.34 - Efeito da presena de terceira harmnica na modulao vetorial

Sumariamente pode-se concluir que, em cada perodo de comutao, adicionando-se
uma mesma componente, constante ou varivel, a todas as trs referncias, tem-se
O valor instantneo da tenso de fase se altera;
O valor mdio da tenso de fase tambm se altera proporcionalmente;
O valor mdio da tenso entre fases no se altera;
Se no existe conexo do neutro (carga em Y), as tenses na carga no se alteram.

Outra estratgia bastante usada a chamada flat-top, na qual adicionado a cada
2-22
componente um valor de razo cclica de modo a requerer apenas dois estados. Isto se obtm
saturando a mxima (ou a mnima) largura de pulso em cada perodo de comutao, como
mostra a figura 2.35. Tambm neste caso obtm-se uma componente fundamental senoidal
(se for o caso) com amplitude 1,15 E. A reduo nos chaveamentos (diminuindo as perdas de
comutao) evidente.

V
N0
V
10
V
23
V
12
V
31
V
30
V
20
+E
+E
+E
+E
0
0
0
0

V
10
2E
V
10avg
0

Figura 2.35 Modulao vetorial com tcnica flat-top
2.11.1 Saturao
Quando o vetor de referncia V* excede os limites do hexgono (figura 2.29) deve-se
arbitrar alguma estratgia para, ainda assim, possibilitar o comando do conversor.
Uma possibilidade reduzir o mdulo de V*, mantendo seu ngulo, at ser atingido o
limite do hexgono, como mostra a figura 2.36. A implementao desta estratgia (em um
DSP, por exemplo), exige uma operao de diviso, o que nem sempre est disponvel, ou
suficientemente rpida. Uma outra alternativa manter a maior componente (j feita a
projeo de V* nos vetores adjacentes) e reduzir a menor componente at que a resultante
recaia no hexgono. Neste caso no h operaes aritmticas significativas, sendo de fcil
implementao. No entanto tem-se um erro de amplitude e de fase no vetor gerado.

V*
V*
sat

V*
V*
sat

Figura 2.36 - Estratgias de tratar saturao da referncia V*

Existem situaes em que uma das projees, por si s, j maior que a unidade, de
modo que as estratgias anteriores no podem ser aplicadas. Neste caso, escolhe-se o vetor
mais prximo de V* e este estado mantido por todo o perodo de comutao. O conversor
passa a ter um funcionamento de onda quase-quadrada. Esta situao ilustrada na figura
2.37. Na mesma figura mostram-se as regies de saturao leve e de saturao profunda.
2-23

V*
V=V'
V
*'
V*"

Saturao leve
Saturao profunda
(regio do crculo e externa)

Figura 2.37 - Saturao profunda (dir.) e limites de saturao (esq.)

O uso da segunda estratgia mostrada na figura 2.36 e desta ltima para a saturao
profunda tem a vantagem de permitir uma passagem suave de uma situao no-saturada
para a saturada, como mostra a figura 2.38.

0
0

Figura 2.38 - Passagem de modulao vetorial normal para saturada e com saturao
profunda: tenso MLP e corrente resultante em carga indutiva.

Francis Labrique e Joo Jos Esteves Santana: Electrnica de Potncia, Edio da Fundao
Calouste Gulbekian, Lisboa, 1991

Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 2nd Ed.
Prentice Hall International Editions, USA, 1993

N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: Power Electronics, Converters, Applications
ans Design, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994
2-24

K. M. Smedley and S. Cuk: One-Cycle Control of Switching Converters. Proc. of PESC
91, pp. 888-896.

E. Santi and S. Cuk: Modeling of One-Cycle Controlled Switching Converters. Proc. of
INTELEC 92, Washington, D.C., USA, Oct. 1992.

W. Tang and F. C. Lee: Charge Control: Modeling, Analysis and Design. Proc. of VPEC
Seminar, 1992, Blacksbourg, USA.

S. Buso: Digital Control of Power Converters. FEEC, UNICAMP, 1999.
http//www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.

J. Holtz et. Alli: On Continuous Control of PWM Inverters in the Overmodulation Range
Including the Six-Step Mode. Proc. of IEEE IECON, 1992, pp. 307-312.

H. W. van der Broeck et alli: Analysis and Realization of a Pulsewidth Modulator Based on
Voltage Space Vectors. IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 24, no. 1, Jan/Feb 1988,
pp. 142-150.
2-25

2. TCNICAS DE MODULAO DE POTNCIA.........................................................2-1
2.1 Controle por ciclos inteiros..........................................................................................2-1
2.2 Controle de fase...........................................................................................................2-3
2.3 Modulao por onda quadrada ....................................................................................2-5
2.3.1 Modulao com onda quase-quadrada. ...............................................................2-6
2.4 Modulao multinvel..................................................................................................2-6
2.5 Modulao por Largura de Pulso - MLP.....................................................................2-7
2.6 Modulao em freqncia - MF ..................................................................................2-9
2.7 Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese)................................................2-9
2.8 Modulao MLP com freqncia de portadora varivel ...........................................2-11
2.9 Eliminao de harmnicas.........................................................................................2-12
2.10 Outras tcnicas de modulao ...................................................................................2-13
2.10.1 Controle One-cycle ........................................................................................2-13
2.10.2 Controle de carga...............................................................................................2-14
2.10.3 Modulao Delta................................................................................................2-14
2.11 Modulao Vetorial ...................................................................................................2-14
2.11.1 Saturao ...........................................................................................................2-20
2.12 Referncias Bibliogrficas.........................................................................................2-22

Eletrnica de Potncia Cap. 3 J. A. Pomilio
3-1
3. CONVERSORES CA-CC - RETIFICADORES

Este captulo se inicia com uma reviso de alguns conceitos bsicos dos retificadores.
Este assunto j deve ter sido objeto de estudo em cursos de graduao, razo pela qual no se
faz uma anlise aprofundada dos mesmos. O foco deste tpico estudar novas estruturas de
retificadores e suas aplicaes.
O fornecimento de energia eltrica feito, essencialmente, a partir de uma rede de
distribuio em corrente alternada, devido, principalmente, facilidade de adaptao do nvel
de tenso por meio de transformadores.
Em muitas aplicaes, no entanto, a carga alimentada exige uma tenso contnua. A
converso CA-CC realizada por conversores chamados retificadores.
Os retificadores podem ser classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor
da tenso de sada (controlados x no controlados); de acordo com o nmero de fases da
tenso alternada de entrada (monofsico, trifsico, hexafsico, etc.); em funo do tipo de
conexo dos elementos retificadores (meia ponte x ponte completa).
Os retificadores no-controlados so aqueles que utilizam diodos como elementos de
retificao, enquanto os controlados utilizam tiristores ou transistores.
Usualmente topologias em meia ponte no so aplicadas. A principal razo que,
nesta conexo, a corrente mdia da entrada apresenta um nvel mdio diferente de zero. Tal
nvel contnuo pode levar elementos magnticos presentes no sistema (indutores e
transformadores) saturao, o que prejudicial ao sistema. Topologias em ponte completa
absorvem uma corrente mdia nula da rede, no afetando, assim, tais elementos magnticos.
A figura 3.1 mostra o circuito e as formas de onda com carga resistiva para um
retificador monofsico com topologia de meia-ponte, tambm chamado de meia-onda.

Vi=Vp.sen(wt) +
Vo
0V
Corrente mdia de entrada
Tenso de entrada
Vo

Figura 3.1 Topologia e formas de onda (com carga resistiva) de retificador monofsico no-
controlado, meia-onda.

3.1 Retificadores no controlados
A figura 3.2 mostra topologias de retificadores a diodo (no-controlados). Neste caso
no h possibilidade de controlar a tenso de sada devido ausncia de interruptores
controlveis. Tem-se os 3 tipos bsicos de carga: resistiva, capacitiva e indutiva.
Com carga resistiva (fig. 3.2.a) as formas de onda da tenso e da corrente na sada do
retificador e na carga so as mesmas, como mostrado na figura 3.3. A corrente de entrada
apresenta-se com a mesma forma e fase da tenso.
Um retificador com carga capacitiva (fig. 3.2.B) faz com que a tenso de sada
apresente-se alisada, elevando o seu valor mdio em relao carga resistiva. O capacitor
carrega-se com a tenso de pico da entrada (desprezando a queda nos diodos). Quando a
tenso de entrada se torna menor do que a tenso no capacitor os diodos ficam bloqueados e a
corrente de sada fornecida exclusivamente pelo capacitor, o qual vai se descarregando, at
3-2
que, novamente, a tenso de entrada fique maior, recarregando o capacitor. A forma de onda
da corrente de entrada muito diferente de uma senide, apresentando pulsos de corrente nos
momentos em que o capacitor recarregado, como mostrado na figura 3.4.
Para o retificador com carga indutiva (fig. 3.2.C), a carga se comporta como uma fonte
de corrente. Dependendo do valor da indutncia, a corrente de entrada pode apresentar-se
quase como uma corrente quadrada, como mostrado na figura 3.5. Para valores reduzidos de
indutncia, a corrente tende a uma forma que depende do tipo de componente sua jusante.
Se for apenas uma resistncia, tende a uma senide. Se for um capacitor, tende forma de
pulso, mas apresentando uma taxa de variao (di/dt) reduzida.

Vp.sin(wt)
+
Vo=Vr Vp.sin(wt)
+
Vo
(a) (b)
Vp.sin(wt)
+
Vo
+
Vr
(c)

Figura 3.2 Retificadores monofsicos no-controlados, de onda-completa.
200V
0V
-200V
200V
100V
0V
Tenso na sada
Tenso na entrada

Figura 3.3. Formas de onda para retificador com carga resistiva.

Corrente de entrada
Tenso de sada (Vo)
Tenso de entrada

Figura 3.4 Formas de onda para retificador monofsico no-controlado, onda completa, com
carga capacitiva.

3-3
indutivo dominante capacitivo dominante
resistivo dominante
Tenso de entrada
Corrente de entrada

Figura 3.5. Formas de onda no lado CA para retificador monofsico, onda-completa, no-
controlado, alimentando carga indutiva.
3.1.1 Retificadores no-controlados com entrada trifsica
Quando a potncia da carga alimentada se eleva, via de regra so utilizados
retificadores trifsicos, como mostra a figura 3.6, a fim de, distribuindo a corrente entra as 3
fases, evitar desequilbrios que poderiam ocorrer caso a corrente fosse consumida de apenas 1
ou 2 fases.
Neste caso a corrente fornecida, a cada intervalo de 60 graus, por apenas 2 das 3
fases. Podero conduzir aquelas fases que tiverem, em mdulo, as 2 maiores tenses. Ou seja,
a fase que for mais positiva, poder levar o diodo a ela conectado, na semi-ponte superior,
conduo. Na semi-ponte inferior poder conduzir o diodo conectado s fase com tenso mais
negativa. Pela fase com tenso intermediria no haver corrente.
A figura 3.7 mostra formas de onda tpicas considerando que o lado CC composto,
dominantemente, por uma carga resistiva, indutiva ou capacitiva. No primeiro caso a corrente
segue a mesma forma da tenso sobre a carga, ou seja, uma retificao de 6 pulsos. Quando
um filtro indutivo utilizado, tem-se um alisamento da corrente, de modo que a onda
apresenta-se praticamente retangular. J com um filtro capacitivo (mantendo ainda uma
pequena indutncia srie), tem-se os picos de corrente. Com o aumento da indutncia tem-se
uma reduo dos picos e, eventualmente, a corrente no chega a se anular.

+
Vo
+
Vr
Lo
Co

Figura 3.6 Retificador trifsico, onda completa, no controlado.

3-4
Tenso
carga dominante resistiva
carga dominante capacitiva
carga dominante indutiva

Figura 3.7 Formas de onda no lado CA para retificador trifsico, onda-completa, no-
controlado, alimentando diferentes tipos de carga.
3.4 Fator de Potncia
A atual regulamentao brasileira do fator de potncia estabelece que o mnimo fator
de potncia (FP) das unidades consumidoras de 0,92, com o clculo feito por mdia horria.
O consumo de reativos alm do permitido (0,425 VArh por cada Wh) cobrado do
consumidor. No intervalo entre 6 e 24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for
indutiva e das 0 s 6 horas, se for capacitiva.
3.4.1 Definio de Fator de Potncia
Fator de potncia definido como a relao entre a potncia ativa (P) e a potncia
aparente (S) consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas
que as ondas de tenso e corrente apresentem, desde que sejam peridicas (perodo T).

FP
P
S
T
v t i t dt
V I
i i
RMS RMS
= =

1
( ) ( )
(3.1)

Em um sistema com formas de onda senoidais, a equao anterior torna-se igual ao
cosseno da defasagem entre as ondas de tenso e de corrente:

FP
o sen
cos = (3.2)

Quando apenas a tenso de entrada for senoidal, o FP expresso por:

FP
I
I
V
RMS
o sen
cos =
1
1
(3.3)
onde I
1
o valor eficaz da componente fundamental e
1
a defasagem entre esta componente
da corrente e a onda de tenso.
Neste caso, a potncia ativa de entrada dada pela mdia do produto da tenso
(senoidal) por todas as componentes harmnicas da corrente (no-senoidal). Esta mdia nula
para todas as harmnicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo
cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Desta forma, o fator
de potncia expresso como a relao entre o valor eficaz da componente fundamental da
corrente e a corrente eficaz de entrada, multiplicado pelo cosseno da defasagem entre a tenso
e a primeira harmnica da corrente.
3-5
A relao entre as correntes chamada de fator de forma e o termo em cosseno
chamado de fator de deslocamento.
Por sua vez, o valor eficaz da corrente de entrada tambm pode ser expresso em
funo das componentes harmnicas:

I I I
RMS n
n
= +
=
1
2 2
2
(3.4)

Define-se a Taxa de Distoro Harmnica TDH (em ingls, THD - Total Harmonic
Distortion) como sendo a relao entre o valor eficaz das componentes harmnicas da
corrente e o da fundamental:

TDH
I
I
n
n
=
=
2
2
1
(3.5)

Assim, o FP pode ser rescrito como:

FP
TDH
=
+
cos
1
2
1
(3.6)

evidente a relao entre o FP e a distoro da corrente absorvida da linha. Neste
sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores mximos das
harmnicas de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de
alimentao.
3.4.2 Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta distoro da corrente
Consideremos aqui aspectos relacionados com o estgio de entrada de fontes de
alimentao. As tomadas da rede eltrica domstica ou industrial possuem uma corrente
eficaz mxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domsticas).
A figura 3.8 mostra uma forma de onda tpica de um circuito retificador alimentando
um filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distoro provocada na tenso de
entrada, devido impedncia da linha de alimentao. O espectro da corrente (figura 3.9)
mostra o elevado contedo harmnico.
Nota-se que o baixo fator de potncia da soluo convencional (filtro capacitivo) o
grande responsvel pela reduzida potncia ativa disponvel para a carga alimentada.
Consideremos os dados comparativos da tabela 3.I.
Suponhamos uma tenso de alimentao de 120 V, sendo possvel consumir 15 A de
uma dada tomada. A potncia aparente mxima disponvel de 1800 VA.

Tabela 3.I: COMPARAO DA POTNCIA ATIVA DE SADA
Convencional Com correo de FP
Potncia disponvel 1800 VA 1800 VA
Fator de potncia 0,6 1
Eficincia do corretor de fator de potncia 100% 95%
Eficincia da fonte 85% 85%
Potncia disponvel 918 W (51%) 1453 W (81%)

3-6
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro os seguintes fatos:
A mxima potncia ativa absorvvel da rede fortemente limitada pelo FP;
As harmnicas de corrente exigem um sobre-dimensionamento da instalao eltrica e dos
transformadores, alm de aumentar as perdas (efeito pelicular);
A componente de 3
a
harmnica da corrente, em sistema trifsico com neutro, pode ser
muito maior do que o normal;
Deformao da onda de tenso, devido ao pico da corrente, alm da distoro da forma de
onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos conectados mesma rede;
As componentes harmnicas podem excitar ressonncias no sistema de potncia, levando
a picos de tenso e de corrente, podendo danificar dispositivos conectados linha.

0
0
-
-

Figura 3.8 Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando
filtro capacitivo.
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz 1.4KHz1.6KH

10A
1.0A
100mA
10mA
1.0mA

Figura 3.9 Espectro da corrente.

3.5 Normas IEC 1000-3-2: Distrbios causados por equipamento conectado rede
pblica de baixa tenso
Esta norma (cuja verso anterior era designada de IEC555-2) refere-se s limitaes
das harmnicas de corrente injetadas na rede pblica de alimentao. Aplica-se a
equipamentos eltricos e eletrnicos que tenham uma corrente de entrada de at 16 A por
fase, conectado a uma rede pblica de baixa tenso alternada, de 50 ou 60 Hz, com tenso
fase-neutro entre 220 e 240 V. Para tenses inferiores, os limites no foram ainda
estabelecidos (1990). A Emensa 14, de janeiro de 2001 inseriu algumas alteraes nas
definies das classes e nos mtodos de medidas, devendo vigorar a partir de 2004.
Os equipamentos so classificados em 4 classes:

Classe A: Equipamentos com alimentao trifsica equilibrada e todos os demais no
includos nas classes seguintes.
3-7

Classe B: Ferramentas portteis.

Classe C: Dispositivos de iluminao, exceto reguladores de intensidade para lmpadas
incandescentes (dimmer).

Classe D: Equipamentos de TV, computadores pessoais e monitores de vdeo. A potncia
ativa de entrada deve ser igual ou inferior a 600W, medida esta feita obedecendo s condies
de ensaio estabelecidas na norma (que variam de acordo com o tipo de equipamento).

A Tabela 3.II indica os valores mximos para as harmnicas de corrente

Tabela 3.II: Limites para as Harmnicas de Corrente
Ordem da
Harmnica (n)

Classe A
Mxima corrente
[A]
Classe B
Mxima
corrente[A]
Classe C (>25W)
% da fundamental
Classe D
(de 75 W a 600 W)
[mA/W]
Harmnicas
mpares
3 2,30 3,45 30.FP 3,4
5 1,14 1,71 10 1,9
7 0,77 1,155 7 1,0
9 0,40 0,60 5 0,5
11 0,33 0,495 3 0,35
13 0,21 0,315 3 0,296
15<n<39 2,25/n 3,375/n 3 3,85/n
Harmnicas
Pares
2 1,08 1,62 2
4 0,43 0,645
6 0,3 0,45
8<n<40 1,83/n 2,76/n

FP: fator de potncia

3.6 Retificadores com alto fator de potncia
So apresentadas a seguir algumas possibilidades de melhoria no fator de potncia de
retificadores no-controlados. Tais circuitos, no entanto, no sero objetos de estudos mais
aprofundados, sendo indicados a ttulo de informao. Este item estudado detalhadamente
no curso de Fontes Chaveadas.
3.6.1 Solues passivas
Solues passivas para a correo do FP oferecem caractersticas como robustez, alta
confiabilidade, insensibilidade a surtos, operao silenciosa. No entanto, existem diversas
desvantagens, tais como:
So pesados e volumosos (em comparao com solues ativas);
Afetam as formas de onda na freqncia fundamental;
Alguns circuitos no podem operar numa larga faixa da tenso de entrada (90 a 240V);
No possibilitam regulao da tenso de sada;
A resposta dinmica pobre.
A principal vantagem, bvia, a no-presena de elementos ativos.
3-8
A colocao de um filtro indutivo na sada do retificador (sem capacitor) produz uma
melhoria significativa do FP uma vez que, idealmente, absorvida uma corrente quadrada da
rede, o que leva a um FP de 0,90. Como grandes indutncias so indesejveis, um filtro LC
pode permitir ainda o mesmo FP, mas com elementos significativamente menores.
Obviamente a presena do indutor em srie com o retificador reduz o valor de pico com que
se carrega o capacitor (cerca de 72% num projeto otimizado). A figura 3.10 mostra a estrutura
do filtro.

vac Carga

Figura 3.10 Filtro LC de sada

A figura 3.11 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo significativa no
contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda impulsiva". Note ainda a maior
amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido sua
defasagem em relao tenso da rede.

Frequency
20A
0A
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
50
-50
tenso
LC
C
C
LC

Fig. 3.11 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtros
capacitivo e LC.

Outra alternativa, e que no reduz significativamente a tenso disponvel para o
retificador, o uso de filtros LC paralelo, sintonizados (na 3
a
harmnica, por exemplo) na
entrada do retificador. Com tal circuito, mostrado na figura 3.12, no se permite que as
componentes selecionadas circulem pela rede. Obviamente necessrio oferecer um caminho
para elas, o que feito com a adio de um capacitor.
Com este mtodo, supondo ainda uma corrente quadrada na entrada do retificador,
chega-se a FP elevado (0,95). As harmnicas no bloqueadas pelo filtro sintonizado podero
ainda circular pela rede, mas encontraro um caminho alternativo pelo capacitor. A figura
3.13 mostra as formas de onda na entrada do retificador e na rede, bem como seus respectivos
espectros.

3-9
vac
Io

Figura 3.12 Filtro LC sintonizado de entrada.

0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz
Frequency
0A
12A
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
20A
-20A

Figura 3.13 Correntes na rede e na entrada do retificador e respectivos espectros.
3.6.2 Solues ativas para retificadores com alto FP
Os pr-reguladores de FP ativos empregam interruptores controlados associados a
elementos passivos.
Algumas topologias operam o interruptor na freqncia da rede (retificada), o que
implica no uso de indutores e capacitores dimensionados para baixa freqncia. Outras, por
trabalharem em alta freqncia, podem permitir reduo nos valores dos elementos de
filtragem.
3.6.2.1 Conversor Suga
A figura 3.14 mostra as formas de onda referentes a um conversor que comuta o
transistor na freqncia da rede. O interruptor acionado de modo a iniciar a corrente de linha
antecipadamente (em relao a quando aconteceria a carga do capacitor de sada).
O fator de potncia resultante se eleva de cerca de 0,6 para algo prximo a 0,9. A
TDH, no entanto, ainda elevada e os limites da norma IEC61000-3-2, podem no ser
atendidos, dependendo do valor da indutncia, da potncia de sada e do tempo de conduo
do transistor. Adicionalmente tem-se um pequeno efeito boost que pode elevar um pouco a
tenso de sada em relao ao valor que haveria caso se tivesse apenas o filtro LC.

3-10

0

V
ac
120Hz
.

Figura 3.14 Formas de onda e circuito com interruptor controlado na freqncia da rede
3.6.2.2 Conversor elevador de tenso (boost) como PFP
A figura 3.15 mostra o diagrama geral do circuito e do controle de um conversor
elevador de tenso operando como retificador de alto fator de potncia, com controle da
corrente mdia instantnea.
Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em funo de suas
vantagens estruturais como:
a presena do indutor na entrada bloqueia a propagao de variaes bruscas na tenso de
rede (spikes), alm de facilitar a obteno da forma desejada da corrente (senoidal);
energia armazenada mais eficientemente no capacitor de sada, o qual opera em alta
tenso (Vo>E), permitindo valores relativamente menores de capacitncia;
controle da forma de onda mantido para todo valor instantneo da tenso de entrada,
inclusive o zero;
como a corrente de entrada no interrompida (no modo de conduo contnua), as
exigncias de filtros de IEM so minimizadas.
A figura 3.16 mostra, esquematicamente, a ao de um controle MLP de modo a obter
uma corrente mdia (desprezando as componentes na freqncia de comutao) com a mesma
forma da tenso de entrada.
Comportamentos semelhantes podem ser obtidos com os conversores 'Cuk e SEPIC. O
conversor abaixador-elevador de tenso e o conversor Zeta tambm permitem implementar
retificadores com alto fator de potncia, mas quando operando no modo de conduo
descontnua.

V
ac
K
Regulador
de Tenso - PI
Vref
+
-
Iref
Vo
+
A
C
A.B
C
2
B
FPB
Compensador de corrente
erro

Figura 3.15 Circuito de controle de conversor elevador de tenso operando como retificador
de alto fator de potncia, com controle da corrente mdia instantnea.
3-11

Corrente de entrada (no indutor)
Corrente no interruptor

Figura 3.16 Formas de onda tpicas da corrente pelo indutor e no interruptor e resultado
experimental em conversor elevador de tenso

3.5 Comutao

Para qualquer tipo de retificador, nos instantes em que ocorre a transferncia de
corrente de um par de diodos para outro, caso exista alguma indutncia na conexo de
entrada, esta transio no pode ser instantnea.
Quando a alimentao feita por meio de transformadores, devido indutncia de
disperso dos mesmos, este fenmeno se acentua, embora ocorra sempre, uma vez que as
linhas de alimentao sempre apresentam alguma caracterstica indutiva. Em tais situaes,
durante alguns instantes esto em conduo simultnea o diodo que est entrando em
conduo e aquele que est sendo desligado. Isto significa, do ponto de vista da rede, um
curto-circuito aplicado aps as indutncias de entrada, Li. A tenso efetiva na entrada do
retificador ser a mdia das tenses presentes nas fases. Tal distoro mostrada na figura
3.17, num circuito trifsico alimentando carga indutiva. A soma das correntes pelas fases em
comutao igual corrente drenada pela carga. Quando termina o intervalo de comutao, a
tenso retorna sua forma normal (neste caso em que o di/dt em regime nulo).

+
Vo
+
Vr
Li
Lf
Vp.sin(wt)
Vi
Corrente de fase
Tenso de fase
intervalo de comutao

Figura 3.17 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga indutiva. Formas de
onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao.

Quando a carga capacitiva, as indutncias de entrada atuam no sentido de reduzir a
derivada inicial da corrente, como mostrado na figura 3.18. Neste caso, como a corrente
apresenta-se variando, as mesmas indutncias apresentaro uma queda de tenso, de modo
3-12
que a tenso Vi mostra-se significativamente distorcida. Note que a tenso Vi de linha igual
tenso presente no capacitor, fazendo com que tal tenso apresente um topo achatado.
Qualquer outro equipamento conectado nestes pontos ser, assim, alimentado por uma tenso
distorcida.
+
Vo
Li
Vi
Cf
0
tenso de sada
tenso de linha
tenso de fase
corrente

Figura 3.18 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga capacitiva e formas
de onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao e da distoro da tenso.

3.6 Retificadores Controlados
Os circuitos retificadores controlados constituem a principal aplicao dos tiristores em
conversores estticos. Possuem vasta aplicao industrial, no acionamento de motores de
corrente contnua, em estaes retificadoras para alimentao de redes de transmisso CC, no
acionamento de locomotivas, etc.
Analisaremos brevemente pontes retificadoras monofsicas, embora o estudo das pontes
trifsicas no seja substancialmente diferente. Para potncia superior a alguns kVA geralmente
se usam pontes trifsicas (ou mesmo hexafsicas). A Figura 3.19 mostra 3 estruturas de pontes
retificadores monofsicas.

vi(t)
+
-
vo(t)
T1
T2
T3
T4
(c)
vi(t)
+
-
vo(t)
T1
T2
D1
D2
(a)
+
+
vi(t)
+
-
vo(t)
T1 T2
D1
D2
(b)
+
vi(t)=Vp.sin(wt)
D3

Figura 3.19 - Pontes retificadoras monofsicas:
a) Semi-controlada assimtrica; b) Semi-controlada simtrica; c) Totalmente controlada.

A principal vantagem das pontes semi-controladas o uso de apenas 2 tiristores, sendo
indicadas quando o fluxo de energia ser apenas da fonte para a carga. Neste circuito a tenso de
sada, vo(t), pode assumir apenas valores (instantneos e mdios) positivos. Sempre que a tenso
de sada tender a se inverter haver um caminho interno que manter esta tenso em zero,
desconectando a carga da rede.
Quando a carga for resistiva, a forma de onda da corrente de linha ser a mesma da
tenso sobre a carga (obviamente sem a retificao). Com carga indutiva, a corrente ir se
3-13
alisando medida que aumenta a constante de tempo eltrica da carga, tendo, no limite, uma
forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma retangular.

a)Ponte semi-controlada assimtrica
Na ponte assimtrica, cujas formas de onda esto mostradas na figura 3.20, existe um
caminho de livre-circulao formado pelos diodos D1 e D3. Supondo a polaridade da tenso da
entrada como indicada em 3.19, o disparo de T1 conecta a entrada carga (suposta indutiva)
atravs do tiristor e D2. Quando a tenso de entrada se inverter, D1 entrar em conduo e T1
cortar. Enquanto, devido ao tempo de desligamento do tiristor, T1, D1 e D2 conduzirem, a fonte
estar curto-circuitada, com sua corrente sendo limitada pela impedncia da fonte. Quando T2
for disparado, D1 cortar.
O intervalo de conduo de cada SCR de (). Cada diodo conduz por (2). A
figura 3.14 mostra formas de onda para este conversor.

vo(t)
vg1(t)
vg2(t)
iT1(t)
iT2(t)
iD2(t)
iD1(t)
Corrente de entrada
0

Figura 3.20 - Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada assimtrica, com carga
altamente indutiva.

b) Ponte semi-controlada simtrica
Neste circuito no existe um caminho natural de livre-circulao, a qual deve ocorrer
sempre atravs de um SCR e um diodo.
Supondo vi(t) com a polaridade indicada, quando T1 for disparado, a corrente circular
por T1 e D3. Quando a tenso da fonte inverter a polaridade, D1 entrar em conduo e D2
bloquear. A tenso na carga ser nula pois T1 e D1 conduziro, supondo que a corrente no se
interrompa (carga indutiva). Quando T2 for disparado, T1 bloquear. Diodos e tiristores
conduzem, cada um por 180
o
.
Note que se T2 no for disparado, e supondo que T1 continue a conduzir, em funo da
elevada constante de tempo eltrica da carga, no prximo semiciclo positivo a fonte ser
novamente acoplada carga fornecendo-lhe mais corrente. Ou seja, a simples retirada dos pulsos
de disparo no garante o desacoplamento entre carga e fonte. Para que isso ocorra necessrio
diminuir o ngulo de disparo para que a corrente se torne descontnua e assim T1 corte.
Obviamente o mesmo comportamento pode ocorrer com respeito ao outro par de componentes.
Este comportamento ilustrado na figura 3.21.
Isto pode ser evitado pela incluso do diodo de livre-circulao D3, o qual entrar em
conduo quando a tenso se inverter, desligando T1 e D1. A vantagem da montagem
3-14
assimtrica que os catodos esto num mesmo potencial, de modo que os sinais de acionamento
podem estar num mesmo potencial.

vo(t)
vg1(t)
vg2(t)
Corrente de entrada
0

iT1(t)
iD2(t)
iD1(t)
iT2(t)

0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
200V
-200V
0
Corrente da carga RL
Tenso na carga
Pulsos de disparo

Figura 3.21 Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada simtrica, com carga
altamente indutiva. Funcionamento normal (superior) e efeito da supresso dos pulsos de
comando (inferior)

c) Ponte totalmente controlada
Seu principal uso no acionamento de motor de corrente contnua quando necessria
uma operao em dois quadrantes do plano tenso x corrente. Nestes circuitos no pode haver
inverso de polaridade na corrente, de modo que, mantida a polaridade da tenso E
g
, no
possvel a frenagem da mquina. A tenso sobre a carga pode se tornar negativa, desde que
exista um elemento indutivo que mantenha a circulao de corrente pelos tiristores, mesmo
quando reversamente polarizados. A energia retornada fonte nesta situao aquela acumulada
na indutncia de armadura. Formas de onda tpicas esto mostradas na figura 3.22.
Os pares de componentes T1 e T4, T2 e T3 devem ser disparados simultaneamente, a fim
de garantir um caminho para a corrente atravs da fonte.
No caso de corrente descontnua (corrente da carga vai a zero dentro de cada semi-ciclo
da rede), os tiristores desligaro quando a corrente cair abaixo da corrente de manuteno. No
caso de conduo contnua, o par de tiristores desligar quando a polaridade da fonte se inverter
e for disparado outro par de tiristores.
3-15
Assim, se houver inverso na polaridade da tenso de entrada mas no for acionado o
outro par de SCRs, a tenso nos terminais do retificador ser negativa.


200V
-200V
vo(t)
iT1(t)=iT4(t)
iT2(t)=iT3(t)
0A
0A
Io
Io

0
0A
+Io
-Io
vi(t)
i
i
(t)

Figura 3.22 Formas de onda para ponte totalmente controlada, monofsica, alimentando carga
indutiva.

A corrente de entrada apresenta-se como uma onda quadrada, com sua componente
fundamental defasada de um ngulo em relao tenso. Durante os intervalos em que a
corrente e tenso na entrada apresentam sinais opostos, h um fluxo de energia da carga para a
fonte. Em regime permanente e com carga passiva, no entanto, o fluxo de potncia sempre
da fonte para a carga, ou seja, o ngulo de disparo deve ser inferior a 90.
Quando se faz o acionamento de um motor CC, a carga comporta-se como um circuito
RL ao qual se adiciona uma fonte de tenso CC, que representa a fora contra-eletro-motriz
de armadura, como mostrado na figura 3.23. Em situaes em que a constante de tempo
pequena, ou ento a tenso E
g
elevada, possvel que a corrente se anule, fazendo com que
os tiristores comutem dentro de um semi-ciclo da rede. Em tal situao, como no h corrente,
a tenso vista nos terminais da mquina, vo(t), ser a prpria tenso de armadura. A tenso
vo(t) ser igual tenso de entrada (retificada) apenas enquanto os tiristores conduzirem.
Numa situao de conduo descontnua, para que seja possvel acionar os tiristores,
necessrio que no ngulo de disparo a tenso de entrada seja superior tenso E
g
, de modo
que os SCRs estejam diretamente polarizados. Isto significa que, medida que a mquina se
acelera, elevando o valor da tenso de armadura, existe um mnimo ngulo de disparo
possvel. Tal comportamento est ilustrado na figura 3.24. No caso (a), com tenso E
g
nula, o
acionamento pode ser feito com um pequeno ngulo de disparo. A corrente elevada e no se
anula dentro de cada semi-perodo. No caso (b), com tenso mais elevada, a conduo se
torna descontnua, desligando os tiristores dentro de cada semi-ciclo. Quanto a tenso de
armadura se torna maior do que a de entrada, no instante de disparo, perde-se o pulso, e os
tiristores no so ligados.

3-16
vi(t)
+
-
vo(t)
T1
T2
D1
D2
+
E
Ra
La
ia(t)
g

Figura 3.23 Retificador monofsico semi-controlado, acionando motor CC.

(a) (b)

(c)
Figura 3.24. Formas de onda de retificador semi-controlado, acionando motor CC, em diferentes
valores de E
g
(velocidade). De cima para baixo: v
T1
, i
D1,
i
a
, v
o
e v
i
.
3.6.1 Retificadores trifsicos
A figura 3.25 mostra circuitos de retificadores trifsicos. No caso a) tem-se um
retificador semicontrolado, enquanto em b) tem-se um retificador totalmente controlado.
Diferentemente do caso monofsico, no circuito trifsico no h o circuito simtrico.

+
Vo
+
v
o
(t)
Li
Lf
Vp.sin(wt)
D1
v
an
(t)

+
Vo
+
v
o
(t)
Li
Lf
Vp.sin(wt) T1
v
an
(t)

a) b)
Figura 3.25 Retificador trifsico semicontrolado (a) e controlado (b).
3-17

Tambm para estes retificadores, a verso semi-controlada no permite a inverso da
tenso instantnea no barramento CC. possvel a colocao de um diodo de roda livre que
entra em operao quando tal tenso se anula. Na ausncia do diodo a conduo se d pelo
ltimo tiristor acionado e pelo diodo do mesmo ramo.
A figura 3.26 mostra formas de onda para diferentes ngulos de disparo, sendo
desprezada a indutncia de entrada. Este ngulo definido a partir do ponto em que a tenso
da respectiva fase se torna a maior em valor absoluto ou, o que equivalente, quando a tenso
de linha se torna positiva. Nestas simulaes a carga uma fonte de corrente constante, razo
pela qual no h alterao na corrente com o ngulo de disparo.Para um ngulo nulo as
formas de onda so idnticas s do retificador a diodo. A faixa de controle vai de 0 a 60 graus.
Note-se que a conduo do diodo independe do ngulo de disparo (na ausncia do diodo de
livre-circulao). A forma de onda da corrente na rede assimtrica, dando origem a
componentes espectrais de ordem par, o que no desejvel.
A figura 3.27 mostra resultados anlogos, tambm sem indutncias de entrada, para
um retificador totalmente controlado. A carga um circuito RL (4 , 16 mH), de modo que a
corrente se altera medida que muda o ngulo de disparo e, conseqentemente, a tenso
mdia aplicada carga. Para um ngulo de 0 graus a forma de onda idntica a do retificador
a diodos. Na ausncia de um diodo de roda-livre a tenso instantnea aplicada no barramento
CC pode ser negativa, o que ocorre para um ngulo de disparo superior a 60 graus. Como no
h possibilidade de inverso no sentido da corrente, uma tenso negativa leva diminuio da
corrente at sua extino (em uma carga passiva).
A corrente da rede simtrica, apresentando apenas componentes espectrais de ordem
mpar, exceto os mltiplos da terceira, que no existem.
A tenso mdia no barramento CC dada por:

= cos V
2 3
V
RMS
linha o (3.7)

Uma corrente no lado CC de baixa ondulao reflete para o lado CA uma onda quase
quadrada, com conduo de 120 a cada 180, deslocada de um ngulo em relao tenso.
Neste caso pode-se determina o espectro da corrente em relao corrente da carga, I
o
. A
corrente eficaz no lado CA 81,6% da corrente no lado CC.
A componente fundamental
o 1 i
I 78 , 0 I =
, enquanto as harmnicas so dadas por:
n
I
I
1 i
ih
=
, onde n=6k+1, para k=1,2... (3.8)

Isto permite determinar que a distoro harmnica total da corrente de 31,08%.
O fator de deslocamento (ngulo entre a tenso e a componente fundamental da
corrente) igual a (cos ). O fator de potncia :

= cos
3
FP
(3.9)

3-18

-200
0
200
0
200
400

a) ngulo de disparo: 0 graus

- 2 0 0
0
20 0
0
20 0
40 0

b) ngulo de disparo: 30 graus

-200
0
200
-200
0
200
400

c) ngulo de disparo: 60 graus
Figura 3.26 Formas de onda de retificador trifsico semi-controlado.
De cima para baixo: tenso instantnea no barramento CC (v
o
(t)); Corrente no diodo D1; Tenso
da fase A (v
an
(t)); Corrente na fase A.

3-19

20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms 16.7ms
-200
0
200
0
200
400

a) ngulo de disparo: 30 graus

-200
0
200
-200
0
200
400

b) ngulo de disparo: 60 graus

-200
0
200
-200
0
200
400

c) ngulo de disparo: 75 graus
Figura 3.27 Formas de onda de retificador trifsico controlado.
De cima para baixo: tenso instantnea no barramento CC (v
o
(t)); Corrente no tiristor T1; Tenso
da fase A (v
an
(t)); Corrente na fase A.

3-20
3.6 Associao de Retificadores
Em determinadas situaes pode ser conveniente fazer-se uma associao de circuitos
retificadores. Isto se aplica a retificadores controlados ou no. A anlise que se segue, embora
tome por exemplo retificadores a diodo, pode ser estendida tambm para circuitos com
tiristores e mistos.
So essencialmente 3 as situaes em que so feitas associaes de retificadores:
Uma associao srie, como mostra a figura 3.28, normalmente empregada em situaes
em que se deseja uma tenso CC de sada elevada, que no poderia ser obtida com um
retificador nico;
Uma associao em paralelo, como mostra a figura 3.29, feita quando a carga exige uma
corrente que no poderia ser fornecida por um nico retificador;
Em ambos os casos, quando se deseja reduzir o contedo harmnico da corrente drenada
da rede.

Note-se em ambos circuitos mostrados que as tenses de entrada de cada um dos
retificadores no so as mesmas. Isto feito com o objetivo de melhorar a forma de onda da
corrente de entrada, como mostra a figura 3.30.
No exemplo, onde tm-se um retificador de 12 pulsos, cada um dos retificadores
alimentado por tenses de mesmo valor eficaz, mas com defasagem de 30
o
entre os sistemas
trifsicos. Isto faz com que a corrente da rede se apresente de uma forma multinvel. Neste
caso, tm-se 6 nveis e o respectivo espectro (mostrado na figura 3.31) mostra que s existem
harmnicos em freqncias de ordem 12k+1, ou seja, aps a fundamental, teremos as
componentes de ordem 11
a
, 13
a
, 23
a
, 25
a
, e assim por diante. Obviamente, dada a ordem
elevada e a amplitude reduzida, um eventual processo de filtragem exigiria elementos LC de
valor reduzido, comparado com retificadores de 6 pulsos.

+
Vo
Lo
+
Vr
-
+
Vr
-
Io

Figura 3.28 Associao em srie de retificadores no controlados. Circuito de 12 pulsos.

No circuito srie, a tenso CC total apresenta uma ondulao em 720Hz (da o nome
12 pulsos) e uma variao pico a pico de apenas 3% do valor CC. Aqui tambm, uma eventual
filtragem seria facilitada pela freqncia elevada e pela pequena amplitude das variaes.
Um caso tpico de aplicao da associao em srie de retificadores na transmisso
de energia em corrente contnua, em alta tenso (HVDC), como o caso da linha CC que
conecta Itaip a So Roque (SP), trazendo a energia comprada do Paraguai (originalmente em
50Hz). O sistema transmite, via dois cabos, que esto alimentados em +/- 600 kV,
3-21
transmitindo uma potncia de 6000MW. Neste caso tm-se retificadores controlados,
permitindo um controle do sistema, incluindo a absoro/fornecimento de reativos.
Numa associao em paralelo, importante que as tenses mdias de ambas as pontes
retificadoreas sejam as mesmas. Mesmo nesta situao, faz-se uso de um indutor (ou
transformador) chamado de interfase, sobre o qual tem-se a diferena instantnea das
tenses de cada um dos retificadores. A tenso mdia aplicada carga ser a mdia das duas
tenses retificadas e a corrente ser dividida na razo inversa das reatncias. Caso elas sejam
iguais, cada ponte fornecer metade da corrente total.

+
Vo
+
Vr
-
+
Vr
-
Io
Transformador de interfase

Figura 3.29 Associao em paralelo de retificadores no controlados. Circuito de 12 pulsos.

0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
600
400
200
0
-200
Tenso total
Tenso em cada retificador
Tenso de fase
Corrente de fase

Figura 3.30 Formas de onda de associao em srie de retificadores.

3-22
0A
11a 13a 23a 25a

Figura 3.31 Espectro da corrente na rede para retificador de 12 pulsos

3.7 Retificador MLP
Quando a ponte retificadora formada por interruptores controlados na entrada em
conduo e no desligamento, como transistores ou GTOs, possvel fazer-se um comando
adequando de tais componentes de modo a absorver da rede uma corrente senoidal, enquanto
se controla a tenso de sada (caso esta seja a varivel de interesse).
O lado CC pode se comportar como uma fonte de tenso, quando apresenta um filtro
capacitivo. Neste caso a conexo com a rede deve ser feita por meio de indutores no lado CA.
Se o barramento CC se comportar como uma fonte de corrente (tendo um indutor na sada do
retificador), a interface com o lado CA deve utilizar capacitores, que permitam acomodar
valores instantaneamente diferentes entre a corrente CC e a corrente no lado CA. Tal circuito
est mostrado na figura 3.32. possvel obter-se uma tenso CC neste circuito com o uso de
um filtro capacitivo. Uma vez que a tenso mdia sobre a indutncia nula, o valor mdio da
tenso v
o
(t) a prpria tenso de sada.
v
o
Lo
Io
S1 S2
S3
S4 S5
S6
va
vb
vc
ia
ib
ic
Co Ro
Vo

Figura 3.32 Topologia do conversor CA-CC trifsico, operando em MLP, com sada de
corrente.

A idia bsica comandar adequadamente os interruptores de modo que a corrente
mdia instantnea no lado CA tenha a mesma forma da tenso da respectiva fase e esteja em
fase com ela.
Na entrada do retificador, supondo desprezvel a ondulao da corrente pelo indutor,
as correntes instantneas pelas fases tm forma retangular, com amplitude dada pela corrente
3-23
CC e largura determinada pela lei de modulao dos interruptores, como ilustra a figura 3.33.
Simultaneamente haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que se 2 interruptores de
uma mesma semi-ponte conduzirem se colocaria em curto 2 das fases, como se pode concluir
da figura 3.32. No entanto, aps uma adequada filtragem das componentes de alta freqncia,
a corrente de sada, apresentar apenas o valor mdio que ter uma forma senoidal, se esta
tiver sido a forma do sinal de referncia usado para produzir os sinais de comando dos
intrerruptores.

+Io
-Io

Figura 3.32 Forma de onda instantnea das correntes no lado CA.

A figura 3.34 mostra as tenses de entrada e referncias de corrente a serem seguidas.
Consideremos, sem perda de validade para uma anlise geral, que as referncias de corrente
esto em fase com as tenses da rede. Em cada perodo da rede existem 6 intervalos, que se
iniciam nos cruzamentos das referncias de corrente. Cada intervalo corresponde a um modo
de funcionamento distinto.
Consideremos o intervalo (t
1
- t
2
). A referncia i
ra
a maior positiva e i
rb
a maior
negativa. Considerando que a corrente de sada Io perfeitamente contnua, o interruptor S1
pode ser acionado de acordo com uma lei de modulao senoidal, m
1
, de modo que a corrente
i
a
siga a referncia i
ra
em termos dos componentes de baixa freqncia do espectro.
Da mesma forma, uma lei de modulao m
5
pode ser adotada para S5, fazendo com
que i
b
siga a referncia i
rb
.

t1 t2 t3 t4 t5 t6
t7
va
ira
vb
irb
vc
irc
t1'

Figura 3.34 Tenses de entrada e referncia de corrente.

3-24
Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semi-ponte
negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma vez que elas
no alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c resultado
do fato que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6 conduzirem
simultaneamente, cria-se um caminho de livre-circulao para a corrente CC. A figura 3.35
mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da tenso instantnea
sobre o indutor CC, a qual apresenta um comportamento de 3 nveis. Uma vez que a
freqncia de chaveamento deve ser muito maior do que a freqncia da rede, pode-se
considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tenses da rede so constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t
1
<t<t
2
, no qual v
a
>v
b
, em
mdulo e, conseqentemente,
a
>
b
.

S 1
S 5
S 6
S 3
v
o

1
5
v a - v b
v a - v c

Figura 3.35 Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado CC.

3.7.1 Equaes bsicas
Seja x(t) uma funo lgica que descreve o estado de uma chave genrica S.
Correspondentemente, a lei de modulao m(t) pode ser definida como uma funo contnua
dada pelo contedo de baixa freqncia de x(t). Como x(t) assume apenas valores 0 e 1, m(t)
limitada entre 0 e 1.
O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo,
faz com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1:

i x x Io
i x x Io
i x x Io
a
b
c
=
=
=
( )
( )
( )
1 4
2 5
3 6
(3.10)

A tenso instantnea no lado CC :

v x x v x x v x x v
o a b c
= + + ( ) ( ) ( )
1 4 2 5 3 6
(3.11)

Desprezando as componentes de alta freqncia no espectro de x(t), as equaes (3.10)
e (3.11) podem ser rescritas como:

3-25
i m m Io
i m m Io
i m m Io
a
b
c
=
=
=
( )
( )
( )
1 4
2 5
3 6
(3.12)

v m m v m m v m m v
o a b c
= + + ( ) ( ) ( )
1 4 2 5 3 6
(3.13)

No intervalo t
1
- t
2
, dadas as amplitudes das tenses da rede, as seguintes condies
devem ser satisfeitas:

x
x
x x
x x
4
2
3 1
6 5
0
0
=
=
=
=
(3.14)

Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo
corrente em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente):

m M t
m m M t
m M t
m m M t
m m
o
o
1
3 1
5
6 5
4 2
1 1
120
1 1 120
0
=
= =
=
= = +
= =
sin( )
sin( )
sin( )
sin( )
(3.15)

onde M o ndice de modulao que determina a amplitude das correntes.

De (3.12) e (3.15) tem-se:

i Io M t
i Io M t
i Io M t
a
b
o
c
o
=
=
= +
sin( )
sin( )
sin( )
120
120
(3.16)

Assim, desde que a corrente do lado CC seja perfeitamente contnua, as correntes
desejadas sero obtidas no lado CA.
Procedendo analogamente para a expresso da tenso mdia do lado CC, e
considerando as tenses senoidais, simtricas e em fase com as referncias de corrente, a
tenso mdia do lado CC apresenta-se constante, sendo dada por:

[ ] v M v t v t v t
V M
o a b
o
c
o
p
= + + + =

sin( ) sin( ) sin( ) 120 120
3
2
(3.17)

onde V
p
a valor de pico das tenses CA (fase - neutro).
Ou seja, a tenso CC no afetada por componentes de baixa freqncia.
O ndice de modulao, M, determina tanto a amplitude da tenso mdia do lado CC
quanto a amplitude das correntes alternadas do lado ca.
3-26
Observe-se ainda que a sntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta,
ou seja,no preciso realimentar a corrente, preciso apenas que se disponha da referncia
adequada.
3.7.2 Absoro de reativos
Esta tcnica de controle pode ser estendida variando-se a fase entre a tenso ca e as
respectivas correntes, permitindo assim a circulao de uma quantidade controlvel de
potncia reativa.
Para este objetivo, as referncias de corrente, i
r
, devem estar defasadas das tenses de
uma fase adequada, . As equaes das correntes no sofrem alteraes, enquanto a tenso
CC passa a ser expressa por:

v
V M
o
p
=

3
2
cos (3.18)

Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado CC
nula, como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser sintetizada, desde
que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante prpria para a
implementao de filtros ativos de potncia.
A figura 3.36 mostra um resultado experimental de um conversor operando baseado
neste princpio. A corrente alternada sintetizada apresenta uma ondulao superposta, relativa
ressonncia do filtro de alta freqncia.

3.7.3 Controle da corrente CC
Numa situao de regime, para que no haja mudana na corrente CC, a tenso mdia
sobre o indutor deve ser nula. Como o indutor possui perdas, ou ainda, porque
transitoriamente houve uma absoro (ou entrega) de potncia ativa, possvel que ocorra
uma variao no nvel da corrente CC. O controle do conversor deve prever um modo de
manter, em regime, a corrente no valor Io desejado. Isto pode ser feito alterando a fase das
referncias de corrente. Se a defasagem entre tenso e corrente for 90
o
, o inversor s trabalha
com energia reativa. Se a fase for menor do que 90
o
, isto significa que o inversor est
entregando ao resto do sistema um pouco de potncia ativa, o que faz com que a corrente Io
tenda a diminuir (aparece uma tenso mdia positiva no lado CC). Fazendo com que a
defasagem seja maior do que 90
o
o inversor absorve potncia ativa do sistema, levando ao
crescimento da corrente Io. Uma vez atingido o valor Io desejado, o controle deve retornar
referncia de regime. O mesmo efeito pode ser obtido controlando-se a amplitude do sinal de
referncia em funo do erro da corrente CC.

3-27
i
a
v
a

Figura 3.36 Tenso (40V/div) e corrente (10A/div) de entrada. Horiz.: 4ms/div.

3.8 Referncias bibliogrficas
Crestani, M. Com uma terceira portaria, o novo fator de potncia j vale em abril.
Eletricidade Moderna, ano 22, n
o
239, fevereiro de 1994.

International Electrotechnical Comission: IEC 1000-3-2: Electromagnetic Compatibility
(EMC) Part 3: Limits Section 2: Limits for Harmonic Current Emissions (Equipment
input current < 16

A per phase). First edition 1995.

S. B. Dewan: Optimum Input and Output Filters for a Single-Phase Rectifier Power Supply.
IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-17, no. 3, May/June 1981

A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manlas: A Novel Passive Waveshaping Method for Single-
Phase Diode Rectifier. Proc. Of IECON 90, pp. 1041-1050

R. Gohr Jr. and A. J. Perin: Three-Phase Rectifier Filters Analysis. Proc. Of Brazilian
Power Electronics Conference, COBEP 91,Florianpolis - SC, pp. 281-283.

I. Suga, M. Kimata, Y. Ohnishi and R. Uchida: New Switching Method for Single-phase AC
to DC converter. IEEE PCC 93, Yokohama, Japan, 1993.

C. de S e Silva, Power factor correction with the UC3854, Unitrode Application Note U-
125, Unitrode Corporation, USA, 1986.

Mohan, Undeland & Robbins, Power Electronics, IEEE Press, 2
nd
Edition, 1995.

4-1
4. CONVERSORES CC-CC PARA ACIONAMENTO DE MQUINAS
DE CORRENTE CONTNUA

As aplicaes de mquinas de corrente contnua (MCC) so bastante variadas,
incluindo, por exemplo, a trao de veculos eltricos e o acionamento de mquinas
operatrizes.
4.1 Princpios de acionamento de mquinas de corrente contnua

Apresentam-se brevemente as equaes bsicas de uma mquina de corrente contnua,
atravs das quais possvel determinar os parmetros a serem ajustados quando se deseja
control-la.
A figura 4.1 mostra um diagrama esquemtico indicando o circuito eltrico da MCC.
O enrolamento de campo pode ser conectado de diferentes maneiras em relao ao
enrolamento de armadura: em srie (as correntes de campo e de armadura so iguais); em
paralelo (as tenses de campo e a tenso terminal, V
t
, de armadura so iguais) e independente.
Embora historicamente tenha se utilizado em grande escala a conexo srie para aplicaes
em trao, devido ao alto torque de partida que produz, com o advento dos conversores
eletrnicos de potncia passou-se a utilizar a excitao independente, em virtude da maior
flexibilidade que apresenta em termos do controle da MCC.

Vf
Lf Rf
La
Ra
V
i
a
+
-
E
g +
-
I
f
J
B
Tw
T
t

Figura 4.1 Circuito eltrico de MCC
4.1.1 Equaes estticas
Existem 2 equaes bsicas para a MCC que relacionam as grandezas eltricas s
mecnicas:

=
v g
K E (4.1)

a t
i K T = (4.2)

Onde:
E
g
: fora contra-eletro-motriz de armadura
4-2
K: constante determinada por caractersticas construtivas da MCC (normalmente K=K
v
=K
t
)
: fluxo de entreferro
: velocidade angular da mquina
i
a
: corrente de armadura
J: momento de inrcia incluindo a carga mecnica.
T: torque
B: atrito

Do circuito eltrico da figura 4.1 obtm-se que a tenso terminal da mquina dada
por:

) t ( i
dt
d
L ) t ( i R E ) t ( v
a a a a g t
+ + = (4.3)

Considerando apenas os valores mdios da tenso terminal e da corrente de armadura,
o termo relativo sua derivada torna-se nulo, de modo que se pode escrever de (4.1) e (4.3):

=

V R I
K
t a a
(4.4)

Assim, a velocidade de uma MCC pode ser controlada atravs de 3 variveis: a tenso
terminal, o fluxo de entreferro e a resistncia de armadura.
O controle pela resistncia de armadura era feito em sistemas de trao, com
resistncias de potncia conectadas em srie com a armadura (e com o campo, j que se
utilizava excitao srie). Tais resistncias iam sendo curto-circuitadas medida que se
desejava aumentar a tenso terminal de armadura e, consequentemente, aumentar a velocidade
da MCC. Era um controle essencialmente manual, comandado pelo operador do veculo.
O controle da velocidade pelo fluxo de entreferro utilizado em acionamentos
independentes, mas quando se deseja velocidade acima da velocidade base da mquina. Ou
seja, tipicamente opera-se com campo pleno (para maximizar o torque) e, ao ser atingida a
velocidade base, pelo enfraquecimento do campo pode-se ter uma maior velocidade, s custas
de uma diminuio no torque.
A figura 4.2 ilustra um perfil tpico de acionamento.
velocidade
potncia
torque
controle de
armadura
controle de
campo
velocidade
mxima
velocidade
base
torque
mximo

Figura 4.2. Controle de MCC pela armadura e pelo campo

4-3
Dada a elevada constante de tempo eltrica do enrolamento de campo (para
enrolamento independente), no possvel fazer variaes rpidas de velocidade por meio
deste controle. Esta uma alternativa com uso principalmente em trao, onde as exigncias
de resposta dinmica so menores.
Do ponto de vista de um melhor desempenho sistmico, o controle atravs da tenso
terminal o mais indicado, uma vez que permite ajustes relativamente rpidos (sempre
limitados pela dinmica eltrica e mecnica do sistema), alm de, adicionalmente, possibilitar
o controle do torque, atravs do controle da corrente de armadura. o mtodo geralmente
utilizado no acionamento de MCC em processos industriais.
4.1.2 Equaes dinmicas
O comportamento dinmico de um sistema dado por suas propriedades de
armazenamento de energia. No caso de MCC a energia pode ser acumulada, magneticamente,
nas indutncias da mquina e, mecanicamente, na massa girante.
Relacionada energia magntica, tem-se que ela armazenada nas indutncias de
campo e de armadura. Como, por construo, os campos produzidos por estes enrolamentos
esto a 90
o
eltricos um do outro, no h indutncia mtua entre eles, podendo-se consider-
los independentemente.
Considerando o fluxo de campo constante e excitado separadamente, tem-se o
diagrama de blocos mostrado na figura 4.3.

1
Ra + s.La
ia(s)
K.
T(s) 1
B + s.J
K.
(s)
-
+ t
Eg(s)
+
-
Tw(s)
Conversor
v (s)

Figura 4.3 Diagrama de blocos de MCC com excitao independente.

A equao do conjugado para o sistema mecnico dada por:

) t ( Tw ) t ( B ) t (
dt
d
J ) t ( i K ) t ( T
a
+ + = = (4.5)

Tw o torque exercido pela carga acoplada ao eixo da mquina. Sendo suposto o
sistema linear, pode-se, a partir do modelo da figura 4.3, obter por superposio uma
expresso para a velocidade da mquina:

) s ( Tw
) K ( ) sJ B )( sL R (
sL R
) s ( Vt
) K ( ) sJ B )( sL R (
K
) s (
2
a a
a a
2
a a

+ + +
+

+ + +

= (4.6)

Fazendo Tw(s)=0, a relao dinmica entre a velocidade e a tenso terminal :

( )( )
2
a a
) K ( sJ B sL R
K
) s ( Vt
) s (
+ + +

=
(4.6.a)

4-4
Fazendo Vt(s)=0 tem-se:

( )
( )( )
2
a a
a a
) K ( sJ B sL R
sL R
) s ( Tw
) s (
+ + +
+
=
(4.6.b)

Para ter-se uma viso mais clara sobre o comportamento dinmico da mquina cc,
consideremos que seu atrito viscoso seja desprezvel (B=0) e que a mquina esteja sem carga
mecnica, e que a constante de tempo mecnica seja muito maior que a eltrica, o que permite
escrever:

( ) + +
K ) 1 s ( s 1
1
) s ( Vt
) s (
a m
(4.7)

a
e
m
so, respectivamente, as constantes de tempo eltrica (de armadura) e
mecnica, cujos valores so dados por:

a
a
a
L
R
= (4.8)

( )
2
a
m
K
R J
= (4.9)

Dada a caracterstica de segunda ordem do sistema, pode-se obter os parmetros
relativos freqncia natural no-amortecida do sistema e ao coeficiente de amortecimento,
dados respectivamente por:

a m
n
1

(4.10)

a
2
1
(4.11)

Para mquinas de grande porte, usadas, em geral, em trao, a constante de tempo
eltrica muito menor do que a constante de tempo mecnica, de modo que o sistema, do
ponto de vista do acionamento, pode ser considerado como de primeira ordem, desprezando a
constante de tempo eltrica. Isto j no ocorre para mquinas de pequeno porte, como as
usadas em automao industrial, onde o sistema, via de regra, efetivamente considerado
como de segunda ordem.
4.1.3 Quadrantes de operao
Do ponto de vista do acionamento da MCC, pode-se definir, no plano torque x
velocidade, 4 regies de operao, como indicado na figura 4.4. Note-se que o mesmo plano
pode ser colocado em termos do valor mdio da corrente de armadura (I
a
) e da fora contra-
eletro-motriz de armadura, E
g
, caso se suponha constante o fluxo de entreferro.
4-5
No quadrante I tem-se torque e velocidade positivos, indicando, que a mquina est
operando como motor e girando num dado sentido. Em termos de trao, poder-se-ia dizer
que se est operando em trao para frente.
No quadrante III, tanto o torque quanto a velocidade so negativos, caracterizando uma
operao de acelerao em r.
J o quadrante II se caracteriza por um movimento em r (velocidade negativa) e
torque positivo, implicando, assim, numa frenagem.
No quadrante IV, tem-se velocidade positiva e torque negativo, ou seja, frenagem.
Tem-se um movimento de avano, mas com reduo da velocidade.
Sintetizando, tem-se a seguinte tabela:

Quadrante Torque
(I
a
)
Velocidade
(E
g
)
Sentido de
rotao
Variao da
velocidade
I >0 >0 avante acelera
II >0 <0 r freia
III <0 <0 r acelera
IV <0 >0 avante freia

Uma outra classificao usual para estes conversores , ao invs da velocidade,
considerar-se a polaridade da tenso mdia terminal:
Classe A: Operao no I quadrante
Classe B: Operao no IV quadrante
Classe C: Operao no I e IV quadrantes
Classe D: Operao nos I e II quadrantes
Classe E: Operao nos 4 quadrantes.
Note-se que no existe uma relao direta entre a polaridade da tenso terminal e o
sentido de rotao da MCC, uma vez que, transitoriamente, pode-se ter Vt com uma
polaridade e Eg com outra.
Assim, o plano Torque x Velocidade pode ser usado para definir aspectos de trao e
frenagem, mas o mesmo no ocorre com o plano Ia x Vt.

I
II III
IV
Torque
Velocidade angular
I
II III
IV
Vt
Ia

Figura 4.4 Regies de acionamento de MCC.

4.2 Topologias de conversores para acionamento de MCC

A grande maioria dos acionamentos feita utilizando-se conversores abaixadores de
tenso, ou seja, aqueles nos quais a tenso mdia aplicada carga menor do que a tenso de
alimentao do conversor. Conversores elevadores de tenso so usados quando se deseja
4-6
freiar a mquina, com envio de energia para a fonte (frenagem regenerativa). Tais conversores
so denominados chopper, em ingls. Em portugus recebem diferentes denominaes,
como: recortador, pulsador, chaveador, etc.
Diferentemente do que ocorre com as fontes chaveadas (tema do captulo 5), neste
caso no existe a preocupao com a filtragem da tenso antes de aplic-la carga. Assim, a
tenso terminal instantnea a prpria tenso sobre o diodo de circulao, enquanto a corrente
filtrada pela indutncia de armadura.
O comando usual por Modulao por Largura de Pulso, com uma freqncia de
chaveamento cujo perodo seja muito menor do que a constante de tempo eltrica da carga, a
fim de permitir uma reduzida ondulao na corrente e, portanto, no torque. Outra
possibilidade, usada quando se deseja um controle de torque mais preciso o controle por
MLC (histerese)
4.2.1 Conversor Classe A
A figura 4.5 mostra uma topologia de conversor que opera apenas no I quadrante.
Dada a caracterstica indutiva da carga, o uso do diodo de circulao (free-wheeling)
indispensvel.
Note-se que a corrente da carga pode circular apenas no sentido indicado na figura,
assim como a tenso de armadura no pode ser invertida em relao indicada, uma vez que o
diodo impede a existncia de tenses negativas aplicadas no terminal da MCC.
+
Eg
-
Ra
La
t
E
a
v
i

Figura 4.5 Conversor para I quadrante.

Em termos do comportamento da corrente de armadura, duas situaes so possveis: o
Modo de Conduo Contnua e o Modo de Conduo Descontnua, como mostrado na figura
4.6. Na hiptese de que a constante de tempo eltrica da mquina seja muito maior do que o
perodo de chaveamento, pode-se considerar que a corrente tem uma variao praticamente
linear. Na realidade a variao do tipo exponencial.
No primeiro caso a corrente de armadura no vai a zero dentro de cada ciclo de
chaveamento, o que significa que existe corrente circulando pelo diodo durante todo o tempo
em que o transistor permanece desligado, ou seja, uma tenso terminal nula. J em conduo
descontnua, a corrente de armadura vai a zero, fazendo com que o diodo deixe de conduzir.
Como no h corrente, no h queda de tenso sobre Ra e La, de modo que a tenso vista nos
terminais da MCC a prpria tenso de armadura, Eg.
A operao em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parmetros
do sistema. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso
terminal, em conduo contnua :

V E
t
T
E
t
= =
1
(4.12)
onde o ciclo de trabalho.
4-7

i
T
t
0 T=t2
Conduo contnua Conduo descontnua
I
Vt
E
E
Eg
0
tx
t2
a
i
i
v
D
t
1
Ia
Ia
0
I1
Io
I1
t
1

Figura 4.6. Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua

No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t
1
) a corrente expressa
por:

( )
i t Io e
E E
R
e
a
t
g
a
t
a a
( ) = +

1 (4.13)

No intervalo de decaimento da corrente, ou seja, entre t
1
e t
2
, tem-se:

i t I e
E
R
e
a
t t
g
a
t t
a a
( )
( ) ( )
=
1
1 1
1

(4.14)

Aproximaes (1
a
ordem) das equaes anteriores so dadas, respectivamente, por:

( )
i t Io
t
E E
R
t
a
a
g
a a
( ) =
+

1

(4.15)

i t I
t t
E
R
t t
a
a
g
a a
( )
( )
=

1
1 1
1

(4.16)

No modo de conduo descontnua, a corrente Io nula e t
2
<T. A tenso terminal
mdia :

V E E
t
T
t g
x
= + (4.17)

4-8
A durao do intervalo t
x
depende de vrios parmetros, sendo dada por:

t T t T
E E T
E E E T
x
g a
g a g
= =

+
2
1 ( )
( )
( )

(4.18)

Sendo
a
>>T, a equao anterior se simplifica para:

t
T
E
E
x
g
1 (4.19)

Fazendo-se t
2
=T obtm-se o ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de
conduo contnua para o modo de conduo descontnua, que dado pela raiz positiva da
equao:

2
1 0 +

=
E
E E T
E
E E T
a
g
g a
g
( ) ( )
(4.20)

Sendo
a

E
E
g
(4.21)

No caso crtico, substituindo (4.21) em (4.19), tem-se que t
x
=0. A figura 4.7 mostra o
valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e
o perodo de chaveamento.
Nas figuras 4.8 e 4.9 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para
diferentes tenses de armadura. Em 4.8, no modo descontnuo, a tenso terminal igual a Eg,
enquanto em 4.9, como a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal
sempre superior tenso Eg.
Em termos de um modelamento do conversor para uma anlise dinmica, se a
operao ocorrer no modo de conduo contnua, pode-se represent-lo por um ganho, o que
j no possvel no caso de conduo descontnua. Note-se que, nesta situao, o ganho
incremental (dVt/d) muito baixo, tendendo a zero para
a
>>T.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
/T=10 a
/T=1 a
crit
cond.
contnua
cond.
descontnua

Figura 4.7. Ciclo de trabalho crtico que delimita o modo de operao.
4-9

0
20
40
60
80
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
Eg/E=0,6
Eg/E=0,4
Eg/E=0,2

Figura 4.8. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para
a
/T=10.

0
20
40
60
80
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
Eg/E=0,6
Eg/E=0,4
Eg/E=0,2

Figura 4.9. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para
a
/T=1.

Em conduo contnua a ondulao da corrente dada por:

I
E
R
e e e
e
a
T T
T
T
a a a
a
=
+
1
1
1
( )
(4.22)

Utilizando as linearizaes apresentadas tem-se:

I
E T
R T
a a
=

2 1
2

( )
( )
(4.23)

A ondulao ser mxima para 50% de ciclo de trabalho, valendo:

I
E T
L
a
max
=

4
(4.24)

A corrente mdia :

I
E E
R
a
g
a
=

(4.25)
4-10
4.2.2 Conversor Classe B
Nesta situao, na qual a velocidade mantm seu sentido (portanto tambm o faz Eg) e
o torque (a corrente de armadura) se inverte, a topologia apresenta-se como mostrada na figura
4.10, onde o diodo e o transistor trocaram de posio, havendo uma inverso no sentido da
corrente de armadura e da fonte.
+
Eg
-
Ra
La
t
E
a
v
i
I
f
i
T

Figura 4.10. Conversor Classe B: operao no IV quadrante - frenagem avante.

Para que seja possvel corrente retornar fonte (supondo-a receptiva), necessrio
que a tenso terminal mdia tenha um valor maior do que a tenso da fonte. Isto pode ocorrer
se Eg>E ou ainda pela ao do prprio conversor.
O primeiro caso (Eg>E) ocorre, por exemplo, quando se faz controle de velocidade
atravs do enfraquecimento do campo. Ao se desejar freiar a MCC, eleva-se a corrente de
campo, aumentando Eg, possibilitando a transferncia de energia da mquina para a fonte. Isto
possvel at a velocidade base. Uma outra possibilidade a MCC girar, por ao de um
torque externo, acima da velocidade base (por exemplo, um veculo numa descida).
Nosso objetivo aqui, no entanto, analisar esta frenagem quando comandada pelo
conversor. As formas de onda mostradas na figura 4.11 referem-se operao nos modos de
conduo contnua e descontnua.

i
i
v
0
I
E
E
Eg
0
tx
t2
t
1
a
T
t
i
f
Ia
Ii
If
If
Eg
t
1

Figura 4.11 Formas de onda tpicas de conversor classe B.

Durante a conduo do transistor acumula-se energia na indutncia de armadura.
Quando este componente desligado, a continuidade da corrente por L
a
leva conduo do
4-11
diodo, fazendo com que a energia acumulada na indutncia e aquela retirada da MCC sejam
entregues fonte. Quanto maior for o ciclo de trabalho, maior ser a corrente e, portanto,
maior a energia retirada da mquina.
Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso

V E
t
= ( ) 1 (4.26)

1
) a corrente expressa
por:

i t Io e
E
R
e
a
t
g
a
t
a a
( ) = +

1 (4.27)

1
e t
2
, tem-se:

i t I e
E E
R
e
a
t t
g
a
t t
a a
( )
( ) ( )
=

1
1 1
1

(4.28)

Aproximaes (1
a

( )
i t Io
t
E
R
t
a
a
g
a a
( ) =
+ 1

(4.29)

i t I
t t
E E
R
t t
a
a
g
a a
( )
( )
=

1
1 1
1

(4.30)

No modo descontnuo a corrente Io nula e t
2
<T. A tenso terminal mdia :

V E t T E
t
T
t g
x
= + ( )
2
(4.31)

x

t T t T
E T
E T E
x
g a
g a a
= = +

2
1 ( )
( )

(4.32)

Sendo
a

t
T
E
E E
x
g

1 (4.33)

O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para o
modo de conduo descontnua dado pela raiz positiva da equao:
4-12

2
1 0 +

=
E
E T
E E
E T
a
g
g a
g
( )
(4.34)

Sendo
a

1
E
E
g
(4.35)

A figura 4.12 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre
a constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento.
Na figura 4.13 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes
tenses de armadura. No modo de conduo descontnua, a tenso terminal tende a Eg,
supondo a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal sempre inferior a esta
tenso.
Em conduo contnua, a corrente mdia de armadura :

I
Eg E
R
a
a
=
( ) 1
(4.36)

Em conduo descontnua a corrente mdia baixa, de modo que o torque frenante
produzido pequeno. Uma frenagem eficiente realizada operando-se com conduo
contnua.
Na hiptese em que a fonte de alimentao no seja receptiva ao retorno da energia
(como, por exemplo, um retificador a diodos), deve-se prever um meio de dissipar a energia
retirada da MCC. Em geral, isto feito sobre uma resistncia, caracterizando a chamada
frenagem dinmica.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
a/T=1
a/T=10

Figura 4.12. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe B.

4-13
20
40
60
80
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,2
Eg/E=0,4
Eg/E=0,6

Figura 4.13. Caracterstica de transferncia esttica de conversor Classe B (
a
/T=1).
4.2.3 Conversor Classe C
Neste caso pode-se operar tanto em trao quanto em frenagem, mas sem alterar o
sentido de rotao da mquina. O circuito mostrado na figura 4.14 realiza tal funo.
O conjunto T3/D3/Rd, usado caso se deseje fazer frenagem dinmica.
O acionamento do I quadrante feito aplicando-se o sinal de comando em T1, ficando
T2 e T3 desligados. O intervalo de circulao se d via D2 e D3.
A frenagem (IV quadrante) regenerativa feita mantendo-se T1 desligado e aplicando
o sinal de comando a T2, enquanto T3 mantido constantemente ligado. O intervalo de
circulao ocorre via D1 e T3.
A presena de T3 possibilita a realizao de frenagem dinmica, ou seja, dissipativa.
Neste caso, T1 mantido desligado (D1 no existe) e T2 ligado. O sinal de comando
aplicado a T3. Quando T3 desliga a corrente continua a circular pelo resistor Rd, dissipando a
a energia retirada da mquina.
+
Eg
-
Ra
La
t
E
a
v
i
Rd
T1
D1
T2
D2
T3
D3

Figura 4.14 Conversor Classe C, com frenagem dinmica.

Exceto para a operao com frenagem dinmica, as caractersticas estticas deste
conversor so uma unio das caractersticas descritas para os conversores classe A e B.
4.2.4 Conversor Classe D
Neste tipo de conversor no ocorre frenagem (ou seja, a corrente de armadura circula
sempre no mesmo sentido), mas a polaridade da tenso terminal pode ser alternada. A figura
4.15 mostra tal topologia. Uma aplicao tpica no acionamento de motores de passo, ou de
4-14
relutncia, quando se deseja apressar a extino da corrente aps o perodo de alimentao de
uma dada fase do motor.

E
T1
D3
D2
T4
La Ra
Eg
v
t
i
a

Figura 4.15 Conversor Classe D.

Tipicamente os transistores so acionados simultaneamente, aplicando uma tenso
terminal positiva MCC. Quando so desligados, a continuidade da corrente se d pela
conduo dos diodos, fazendo com que a tenso terminal se inverta. Note que, como no
ocorre inverso no sentido da corrente, no est havendo frenagem da mquina. O retorno de
energia para a fonte se d pela absoro da energia acumulada na indutncia de armadura e
no pela diminuio da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da mquina.
A figura 4.16 mostra as formas de onda tpicas para operao nos modos de conduo
contnua e descontnua. Observe que a tenso terminal varia entre +E e -E.
i
T
t
0 T=t2
I
Vt
E
E
Eg
0
tx
t2
a
i
i
v
D
t
1
Ia
Ia
0
I1
Io
I1
t
1
-E -E

Figura 4.16. Formas de onda do conversor Classe D.

A operao em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parmetros
do sistema. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso

V E
t
= ( ) 2 1 (4.37)

Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% ter-se-ia uma tenso terminal
negativa. Uma situao deste tipo poderia ocorrer em dois casos: transitoriamente, quando a
4-15
largura de pulso reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantm
contnua, levando os diodos a conduzirem por alguns ciclos completos; a outra hiptese a de
uma tenso de armadura com polaridade oposta indicada, o que poderia ocorrer, nesta
topologia, caso houvesse um torque externo levando a este movimento, ou uma inverso na
corrente de campo, uma vez que o conversor no permite um torque que conduza a MCC ao
outro sentido de rotao.
1
) a corrente dada por:

( )
i t Io e
E E
R
e
a
t
g
a
t
a a
( ) = +

1 (4.38)

1
e t
2
, tem-se:

i t I e
E E
R
e
a
t t
g
a
t t
a a
( )
( )
( ) ( )
=
+

1
1 1
1

(4.39)

Aproximaes (1
a

( )
i t Io
t
E E
R
t
a
a
g
a a
( ) =
1

(4.40)

i t I
t t
E E
R
t t
a
a
g
a a
( )
( )
( )
=

1
1 1
1

(4.41)

No modo de conduo descontnua a corrente Io nula e t
2
mdia :

V E
t
T
E
t
T
t g
x
=
+ 2
2
(4.42)

x

t T t T
E Eg T
E Eg T E Eg
x
a
a
= =

+ +
2
1 ( )
( )
( ) ( )

(4.43)

Sendo
a

t
T
E Eg
E Eg
x
+

+
1 1 (4.44)

O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para a
descontnua dado pela raiz positiva da equao:

4-16

2
2
1 0 +

+

=
E
E E T
E E
E E T
a
g
g a
g
( )
( )
( )
(4.41)

Sendo
a

+
E E
E
g
2
(4.42)


0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
a/T=10
a/T=1

Figura 4.17. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe D.

tenses de armadura, supondo a queda resistiva desprezvel, ou seja, o valor da tenso
terminal igual tenso Eg. Indicam-se apenas valores para tenso terminal positiva pois
esta a nica possibilidade de operao em regime proporcionada pelo conversor sob anlise.

0
20
40
60
80
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
Eg/E=0,4
Eg/E=0

Figura 4.18. Caracterstica esttica do conversor classe D para
a
>>T.

4.2.5 Conversor Classe E
Neste tipo de conversor possvel a operao nos quatro quadrantes do plano torque x
velocidade, ou seja, trao e frenagem avante e r. A figura 4.19 mostra tal topologia.
4-17

E
T1
D3
D2
T4
La Ra
Eg
D1
T3
T2
D4
ia
v
t

Figura 4.19 Conversor Classe E.

Diferentes possibilidades de comando dos transistores existem:
4.2.5.1 Comando simultneo
O par de transistores T1/T4 ou o par T2/T3 acionado simultaneamente. Quando um
par desligado, a continuidade da corrente se d pela conduo dos diodos em antiparalelo
com o outro par, fazendo com que a tenso terminal da MCC se inverta. Note que se no
ocorre inverso no sentido da corrente no est havendo frenagem da mquina. O retorno de
energia para a fonte se d pela absoro da energia acumulada na indutncia de armadura e
no pela diminuio da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da mquina. As
formas de onda so as mesmas mostradas na figura 4.16.
O acionamento no I e II quadrantes (torque positivo) feito aplicando-se o sinal de
comando a T1 e T4, ficando T2 e T3 desligados. O acionamento no III e IV quadrantes (torque
negativo) feito comandando-se T2 e T3.
As equaes e curvas vlidas para este conversor so as mesmas, para trao,
mostradas para o conversor Classe D, ou seja, desprezando as quedas de tenso nos
transistores e nos diodos, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :

V E
t
= ( ) 2 1 (4.43)

Quando o sistema entra no modo de conduo descontnua a corrente mdia tende a
um valor muito baixo e praticamente no h torque, de modo que a velocidade (e
consequentemente Eg) permanece praticamente constante.
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% tem-se uma tenso terminal
negativa. Uma situao deste tipo poderia ocorrer transitoriamente, quando a largura de pulso
fosse reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantm contnua, levando os
diodos a conduzirem por um intervalo de tempo maior do que o fazem os transistores. Neste
caso, como no h inverso no sentido da corrente de armadura e supondo Eg>0, o processo
continua sendo de trao e a energia entregue fonte aquela acumulada na indutncia de
armadura.
Uma outra hiptese a de uma tenso de armadura com polaridade oposta indicada,
ou seja, com a MCC girando no outro sentido de rotao ( r). Neste caso, mantida a
polaridade da corrente mdia de armadura, tem-se efetivamente um processo de frenagem.

4-18
-100
-60
-20
20
60
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,6
Eg/E=0,2
Eg/E=-0,2
Eg/E=-0,6
0
Eg/E=0
de T1 e T4
0.5
Trao
Frenagem se Eg<0
Acionamento

Figura 4.20. Caracterstica esttica (em trao, I quadrante e frenagem, II quadrante) do
conversor classe E para
a
>>T.

O acionamento de T2 e T3, deixando T1 e T4 desligados, permite a operao nos
quadrantes III e IV. Sempre considerando a polaridade indicada na figura 4.19, isto significa
uma corrente de armadura negativa. Para a polaridade da tenso de armadura indicada na
figura, ou seja, Eg>0, durante a conduo destes transistores a tenso terminal instantnea ser
negativa e a tenso da fonte se somar a Eg. Durante a conduo dos diodos a tenso sobre a
indutncia (desprezando a queda em R
a
) ser a diferena destas tenses. A figura 4.21 mostra
as formas de onda.
Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso

V E
t
= ( ) 1 2 (4.44)

Ter-se- frenagem regenerativa, com um fluxo de potncia da MCC para a fonte,
quando o intervalo de conduo dos diodos for superior ao dos transistores. Isto ocorrer para
um ciclo de trabalho inferior a 50%. Sempre supondo Eg>0, para >0,5, a energia retirada da
fonte maior do que a devolvida, ou seja, o que se tem uma frenagem dinmica com a
energia sendo dissipada sobre a resistncia de armadura!
No intervalo em que a corrente de armadura cresce em mdulo (entre 0 e t
1
) a corrente
expressa por:

( )
i t Io e
E E
R
e
a
t
g
a
t
a a
( ) = +
+

1 (4.45)

1
e t
2
, tem-se:

i t I e
E E
R
e
a
t t
g
a
t t
a a
( )
( )
( ) ( )
=
1
1 1
1

(4.46)

Aproximaes (1
a

4-19
( )
i t Io
t
E E
R
t
a
a
g
a a
( ) =
+
+
1

(4.47)

i t I
t t
E E
R
t t
a
a
g
a a
( )
( )
( )
=

1
1 1
1

(4.48)

i
T
t
0 T=t2
Vt
E
E
Eg
0 t2
a
i
i
v
D
t
1
I Ia
tx
Ia
0
I1
t
1
-E -E

Figura 4.21. Formas de onda do conversor Classe E, para frenagem.

No modo de conduo descontnua a corrente Io nula e t
2
mdia :

V E
t
T
E
t
T
t g
x
=
+
2
2 (4.49)

x

t T t T
E Eg T
E Eg T E Eg
x
a
a
= =
+
+ +
2
1 ( )
( )
( ) ( )

(4.50)

Sendo
a

t
T
E Eg
E Eg
x
+
+
1 1 (4.51)

O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para a
descontnua dado pela raiz positiva da equao:

4-20

2
2
1 0 +

+

+
=
E
E E T
E E
E E T
a
g
g a
g
( )
( )
( )
(4.52)

Sendo
a

E E
E
g
2
(4.53)

tenses de armadura, supondo a queda resistiva desprezvel, ou seja, o valor da tenso
terminal igual tenso Eg.
Se a tenso Eg for negativa, isto significa que a MCC est girando no sentido oposto.
Neste caso o comando de T2/T3 implica numa operao de trao r. Para <0,5, no
havendo inverso no sentido da corrente, continua-se num procedimento de trao, mas com
uma tenso terminal positiva, o que significa que est sendo retirada energia acumulada na
indutncia de armadura e entregando-a fonte. Este procedimento s possvel
transitoriamente.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
a/T=1
a/T=10

Figura 4.22. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe E, operando em frenagem.

100
75
50
25
0
25
50
75
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vt/E (%)
Eg/E=0,5
Eg/E=0
Eg/E=-0,5
Frenagem regenerativa
Se Eg>0
Trao r
Se Eg<0

Figura 4.23. Caracterstica esttica do conversor classe E para
a
>>T. Acionamento de T2/T3.
4-21
4.2.5.2 Comandos separados
Uma outra forma de comandar os transistores, e que determina diferentes formas de
onda para a tenso terminal descrita a seguir:
Para tenso terminal positiva mantm-se T1 (ou T4) sempre ligado, fazendo-se a
modulao sobre T4 (ou T1). O perodo de circulao ocorrer no atravs da fonte, mas
numa malha interna, formada, por exemplo, por T1 e D2, fazendo com que a tenso
terminal se anule. Tem-se para o conversor um comportamento igual ao Classe A, valendo,
inclusive, as mesmas equaes.
Para tenso terminal negativa mantm-se T2 (ou T3) sempre ligado, fazendo-se a
modulao sobre T3 (ou T2). O perodo de circulao ocorrer no atravs da fonte, mas
numa malha interna, formada, por exemplo, por T2 e D1.
Este acionamento no permite frenagem regenerativa, uma vez que a corrente que
circula pelos diodos no retorna para a fonte. A vantagem que, em trao, como o ciclo de
trabalho crtico menor do que no caso anterior, a corrente tende ao modo contnuo.
4.2.5.3 Deslocamento de fase
Neste tipo de acionamento os comandos para os pares T1/T4 e T2/T3 so
complementares, ou seja, quando se desliga um par se liga o outro. Isto garante a no
existncia de descontinuidade na corrente pois, quando ela tende a se anular (circulando pelos
diodos), os transistores acionados em antiparalelo permitiro sua reverso. O inconveniente
que, mesmo com a MCC parada (tenso mdia nula) os transistores esto sendo acionados
com ciclo de trabalho de 50%.
Para se ter uma tenso mdia positiva o intervalo de conduo de T1/T4 deve ser
maior do que o de T2/T3, e vice-versa, como indicado na figura 4.24.
As frenagens ocorrem naturalmente quando, para uma dada polaridade da tenso de
armadura se faz o acionamento (com largura de pulso maior que 50%) do par de transistores
que produz uma tenso terminal com polaridade oposta.

Ia
T1/T4
T2/T3
v
t
+E
-E
Ia

Figura 4.24 Formas de onda de Conversor Classe E, com acionamento por deslocamento de
fase.

4-22

Dewan, S. B.; Slemon, G. R. e Straughen, A.: Power Semiconductor Drives, John Wiley &
Sons, New York, USA, 1984.

N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: Power Electronics, Converters, Applications
ans Design, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994

Barton, T. H.: The Transfer Characteristics of a Chopper Drive. IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. IA-16, no. 4, Jul/Aug 1980, pp. 489-495

Schonek, J. : Pulsador Reversvel para a Alimentao de uma Mquina de Corrente Contnua
nos Quatro Quadrantes do Plano Torque velocidade. Anais do II Congresso Brasileiro de
Automtica, Florianpolis, SC, 1978.

Pomilio, J. A.: Frenagem Regenerativa de Mquina CC Acionada por Recortador:
Maximizao da Energia Regenerada. Dissertao de Mestrado, FEC - UNICAMP, 1986.

4-23

4. CONVERSORES CC-CC PARA ACIONAMENTO DE MQUINAS DE CORRENTE
CONTNUA .......................................................................................................................... 4-1
4.1 Princpios de acionamento de mquinas de corrente contnua .................................. 4-1
4.1.1 Equaes estticas ............................................................................................. 4-1
4.1.2 Equaes dinmicas........................................................................................... 4-3
4.1.3 Quadrantes de operao..................................................................................... 4-4
4.2 Topologias de conversores para acionamento de MCC............................................. 4-5
4.2.1 Conversor Classe A........................................................................................... 4-6
4.2.2 Conversor Classe B ......................................................................................... 4-10
4.2.3 Conversor Classe C ......................................................................................... 4-13
4.2.4 Conversor Classe D......................................................................................... 4-13
4.2.5 Conversor Classe E.......................................................................................... 4-16
4.3 Referncias Bibliogrficas....................................................................................... 4-22

5-1
5. TOPOLOGIAS BSICAS DE FONTES CHAVEADAS

Apresentam-se a seguir as estruturas circuitais bsicas que realizam a funo de, a
partir de uma fonte de tenso fixa na entrada, fornecer uma tenso de valor diferente e,
eventualmente varivel na sada. Neste caso, diferentemente do que se viu para os
conversores para acionamento de mquinas de corrente contnua, existe um filtro capacitivo
na sada, de modo a manter, sobre ele, a tenso estabilizada.
5.1 Conversor abaixador de tenso (step-down ou buck): Vo<E

A tenso de entrada (E) recortada pela chave T. Considere-se Vo constante. Assim, a
corrente pela carga (Ro) tem ondulao desprezvel, possuindo apenas um nvel contnuo. A
figura 5.1 mostra a topologia.
Com o transistor conduzindo (diodo cortado), transfere-se energia da fonte para o
indutor (cresce i
L
) e para o capacitor (quando i
L
>Vo/R).
Quando T desliga, o diodo conduz, dando continuidade corrente do indutor. A
energia armazenada em L entregue ao capacitor e carga. Enquanto o valor instantneo da
corrente pelo indutor for maior do que a corrente da carga, a diferena carrega o capacitor.
Quando a corrente for menor, o capacitor se descarrega, suprindo a diferena a fim de manter
constante a corrente da carga (j que estamos supondo constante a tenso Vo).

Vo
L
+
Ro
T
D
E
i
T
i
D
i
L
Io
v
D
Co

Figura 5.1 Conversor abaixador de tenso

Se a corrente pelo indutor no vai a zero durante a conduo do diodo, diz-se que o
circuito opera no modo de conduo contnua. Caso contrrio tem-se o modo descontnuo.
Via de regra prefere-se operar no modo de conduo contnua devido a haver neste caso uma
relao bem determinada entre a largura de pulso e a tenso mdia de sada. A figura 5.2
mostra as formas de onda tpicas de ambos os modos de operao.
5.1.1 Modo de conduo contnua (MCC)
Este modo de operao definido como aquele em que a corrente pelo diodo vai a
zero antes que o transistor seja religado. Em alguns conversores isto coincide com o fato da
corrente pelo indutor se anular, em outros, no.
A obteno da relao entrada/sada pode ser feita a partir do comportamento do
elemento que transfere energia da entrada para a sada. Sabe-se que a tenso mdia sobre uma
indutncia, em regime, nula, como mostrado na figura 5.3.

5-2

i
T
D
0
Io
Vo
E
0
t2
L
i
i
v
D
t
T
Io
E
Vo
tx
t
T
Io
I
omax
Figura 5.2 Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua

A1
A2
V1
V2
t1
v
L

Figura 5.3 Tenso sobre uma indutncia em regime.

A A
V t V t
1 2
1 1 2 1
=
= ( )
(5.1)

No caso do conversor abaixador, quanto T conduz, v
L
=E-Vo, e quando D conduz,
v
L
=-Vo

( ) ( ) E Vo t Vo t
Vo
E
t
T T
T
=
=

(5.2)
5.1.2 Modo de conduo descontnua (MCD)
O modelamento que se segue pressupe um comportamento de corrente constante na
sada. Caso a hiptese seja de resistncia constante ou de potncia constante, as equaes
resultantes so diversas daquelas ora apresentadas. Isto vlido tambm para os demais
conversores apresentados na seqncia.
5-3
A corrente do indutor ser descontnua quando seu valor mdio for inferior metade
de seu valor de pico (Io<I
o
/2). A condio limite dada por:

L 2
) Vo E (
L 2
t ) Vo E (
2
I
Io
T o
= (5.3)

Com a corrente sendo nula durante o intervalo tx, tem-se:

( ) ( ) E Vo t Vo t t
T T x
= (5.4)

Vo
E
t
x
=
1
(5.5)

Escrevendo em termos de variveis conhecidas, tem-se:

2
I
I
max
o
i

= (corrente mdia de entrada) (5.6)

L
t ) Vo E (
I
T
o
max

= (5.7)

Como a potncia de entrada suposta igual potncia de sada, chega-se a:

L Io 2
) Vo E (
Io 2
I
Io
Ii
E
Vo
2
o
max

=

= =

Vo
E
L I
E
i
=

1
2
2

(5.8)

Vo
E
L Io
E
=
+

1
2
2

(5.9)

Vamos definir o parmetro K, que se relaciona com a descontinuidade como sendo:

K
L Io
E
=

(5.10)

A relao sada/entrada pode ser rescrita como:

Vo
E
K
=
+
2
2
2
(5.11)

O ciclo de trabalho crtico, no qual h a passagem do modo de conduo contnua para
a descontnua dado por:

5-4
crit
K
=
1 1 8
2
(5.12)

A figura 5.4 mostra a caracterstica esttica do conversor para diferentes valores de K.
Na figura 5.5 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que a
conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da
garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo
sempre contnua e a tenso de sada no alterada pela corrente.

0
0.25
0.5
0.75
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
K=.01 K=.05
K=.1
Cond. contnua
Cond. descontnua
Vo/E

Figura 5.4 Caracterstica de controle do conversor abaixador de tenso nos modos de
conduo contnua e descontnua.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
=0,8
=0,6
=0,4
=0,2
Io
Vo/E
Cond. descontnua
Cond. contnua
E.
8L

Figura 5.5 Caracterstica de sada do conversor abaixador de tenso nos modos de conduo
contnua e descontnua.
Da condio limite entre o modo de conduo contnua e descontnua, tem-se:

I
E Vo
L
o
min
( )
=

2
(5.14)

Se se deseja operar sempre no modo de conduo contnua deve-se ter:

L
E
Io
min
( )
(min)
=

1
2

(5.15)

Quanto ao capacitor de sada, ele pode ser definido a partir da variao da tenso
admitida, lembrando-se que enquanto a corrente pelo indutor for maior que Io (corrente na
5-5
carga, suposta constante) o capacitor se carrega e, quando for menor, o capacitor se
descarrega, levando a uma variao de tenso Vo.

8
Io
2
Io
2 2
1
Q

=

= (5.16)

A variao da corrente :

Io
E Vo t
L
E
L
T
=

=
( ) ( ) 1
(5.17)

Substituindo (5.17) em (5.16) tem-se:

Vo
Q
Co
E
L Co
= =

2
1
8
( )
(5.18)

Logo,

Co
Vo
L Vo
=

( ) 1
8
2

(5.19)

Muitas vezes o limitante para a ondulao da tenso no a capacitncia, mas sim a
resistncia srie equivalente (R
se
) do capacitor. Tal resistncia produz uma queda de tenso
que se soma queda na capacitncia, podendo ser dominante. A reduo de Rse feita pela
colocao em paralelo de vrios capacitores.
5.2 Conversor elevador de tenso (step-up ou boost): Vo>E

Quando T ligado, a tenso E aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente
polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual ser enviada ao capacitor e carga
quando T desligar. A figura 5.6 mostra esta topologia. A corrente de sada, i
D
, sempre
descontnua, enquanto i
L
(corrente de entrada) pode ser contnua ou descontnua.
Tambm neste caso tem-se a operao no modo de conduo contnua ou descontnua.
As formas de onda so mostradas na figura 5.7.
Quando T conduz: v
L
=E (durante t
T
)
Quando D conduz: v
L
=-(Vo-E) (durante -t
T
)

Ii
E t
L
Vo E t
L
T T
=

=
( ) ( )
(5.20)

Vo
E
=
1
(5.21)

Embora para 1, Vo , na prtica os elementos parasitas e no ideais do
circuito (como as resistncias do indutor e da fonte) impedem o crescimento da tenso acima
5-6
de um certo limite, no qual as perdas nestes elementos resistivos se tornam maiores do que a
energia transferida pelo indutor para a sada.

E
Vo
+
L
T
D
Co
Ro
i
i
D
L
v
T
i
T
v
L
Io

Figura 5.6 Conversor elevador de tenso

i
i
v
0
I
E
Vo Vo
E
0
tx t2
t
T t
T
L
T
T
i
D
Ii
Ii
Io
Io

Figura 5.7 Formas de onda tpicas de conversor elevador de tenso.

Nota-se que a corrente de entrada a prpria corrente pelo indutor e que a corrente
mdia pelo diodo a corrente da carga (j que a corrente mdia pelo capacitor nula).
Quando T conduz: v
L
= E, (durante t
T
)
Quando D conduz: v
L
= -(Vo-E), durante (-t
T
-t
x
)

Vo E
tx
tx
=

1
1

(5.22)

Escrevendo em termos de variveis conhecidas, tem-se:

5-7
Vo E
E
L Io
= +

2 2
2

(5.23)


Vo
E K
= +
1
2
2
(5.24)


crit
K
=
1 1 8
2
(5.25)

Na figura 5.9 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que a
conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da
garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo

0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Vo/E
K=.01
K=.02
K=.05
cond. descontnua

Figura 5.8 Caracterstica esttica do conversor elevador de tenso nos modos de conduo
contnua e descontnua, para diferentes valores de K.

0
2
4
6
8
10
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io
Vo/E
E.
8.L
=.8
=.6
=.4
=.2
cond. contnua
cond.
descontnua

Figura 5.9 Caracterstica de sada do conversor elevador de tenso.
5-8
O limiar para a conduo descontnua dado por:

Ii
Ii E t
L
Vo
L
T
= =

2 2
1
2
( )
(5.26)

Io
Ii t E
L
T
=

( ) ( )

2
1
2
(5.27)

L
E
Io
min
( )
(min)
=

1
2
(5.28)

Para o clculo do capacitor deve-se
considerar a forma de onda da corrente de sada.
Admitindo-se a hiptese que o valor mnimo
instantneo atingido por esta corrente maior que a
corrente mdia de sada, Io, o capacitor se carrega
durante a conduo do diodo e fornece toda a
corrente de sada durante a conduo do transistor.

Co
Io
Vo
=
(max)

(5.29)
5.3 Conversor abaixador-elevador (buck-boost)

Neste conversor, a tenso de sada tem polaridade oposta da tenso de entrada. A
figura 5.10 mostra o circuito.
Quando T ligado, transfere-se energia da fonte para o indutor. O diodo no conduz e
o capacitor alimenta a carga. Quando T desliga, a continuidade da corrente do indutor se faz
pela conduo do diodo. A energia armazenada em L entregue ao capacitor e carga. Tanto
a corrente de entrada quanto a de sada so descontnuas. A figura 5.11. mostra as formas de
onda nos modos de conduo contnua e descontnua (no indutor).
+
Vo
E
T
D
L
Co
Ro
v
L
i
D
i
L
i
T
v
T
Io

Figura 5.10 Conversor abaixador-elevador de tenso
Io
i
D

5-9
Quando T conduz: v
L
=E, (durante t
T
)
Quando D conduz: v
L
=-Vo, (durante -t
T
)

E t
L
Vo t
L
T T
=
( )
(5.30)

Vo
E
=

1
(5.31)

i
D
T
T
0
I
E
E+Vo E+Vo
E
0
tx t2
L
i
i
v
t
T t
T
Io
Io

(a) (b)
Figura 5.11 Formas de onda do conversor abaixador-elevador de tenso operando em
conduo contnua (a) e descontnua (b).
Quando T conduz: v
L
= E, (durante t
T
)
Quando D conduz: v
L
= -Vo, durante (-t
T
-t
x
)

Vo
E
tx
=

1
(5.32)

A corrente mxima de entrada, que a corrente pelo transistor, ocorre ao final do intervalo de
conduo do transistor:

Ii
E t
L
T
max
=

(5.33)

Seu valor mdio :

5-10
Ii
Ii t
T
=

max
2
(5.34)

Do balano de potncia tem-se:

Ii
Io Vo
E
=

(5.35)

O que permite escrever:

Vo
E
L Io
=

2 2
2

(5.36)

Uma interessante caracterstica do conversor abaixador-elevador quando operando no
modo de conduo descontnua que ele funciona como uma fonte de potncia constante.

Po
E
L
=

2 2
2

(5.37)


Vo
E K
=
2
2
(5.38)


crit
K
=
1 1 8
2
(5.39)


0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Vo/E
K=.01
K=.02
K=.05
cond. descontnua

Figura 5.12 Caracterstica esttica do conversor abaixador-elevador de tenso nos modos de
conduo contnua e descontnua, para diferentes valores de K.

5-11
Na figura 5.13 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se
que a conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia
da garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo

0
2
4
6
8
10
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io
Vo/E
E.
8.L
=.8
=.6
=.4
=.2
cond. contnua
descontnua
cond.

Figura 5.13 Caracterstica de sada do conversor abaixador-elevador de tenso.
5.3.3 Clculo de L e de C
O limiar entre as situaes de conduo contnua e descontnua dado por:

Io
I t Vo t
L
Vo
L
L T T
=

( ) ( ) ( ) ( )

2
1
2
1
2
2
(5.40)

L
E
Io
min
( )
(min)
=

1
2
(5.41)

Quanto ao capacitor, como a forma de onda da corrente de sada a mesma do
conversor elevador de tenso, o clculo segue a mesma expresso.

Co
Io
Vo
=
(max)
(5.42)

5.4 Conversor `Cuk

Diferentemente dos conversores anteriores, no conversor `Cuk, cuja topologia
mostrada na figura 5.14, a transferncia de energia da fonte para a carga feita por meio de
um capacitor.
Como vantagem, existe o fato de que tanto a corrente de entrada quanto a de sada
poderem ser contnuas, devido presena dos indutores. Alm disso, ambos indutores esto
sujeitos ao mesmo valor instantneo de tenso, de modo que possvel constru-los num
mesmo ncleo. Este eventual acoplamento magntico permite, com projeto adequado,
eliminar a ondulao de corrente em um dos enrolamentos. Os interruptores devem suportar a
soma das tenses de entrada e sada.
A tenso de sada apresenta-se com polaridade invertida em relao tenso de
entrada.
5-12
E
L1 L2
T D
C1
Co
Ro
Vo
+
I I
V
C1
L1 L2
+

Figura 5.14 Conversor `Cuk

Em regime, como as tenses mdias sobre os indutores so nulas, tem-se: V
C1
=E+Vo.
Com o transistor desligado, i
L1
e i
L2
fluem pelo diodo. C
1
se carrega, recebendo
energia de L
1
. A energia armazenada em L
2
enviada sada.
Quando o transistor ligado, D desliga e i
L1
e i
L2
fluem por T. Como V
C1
>Vo, C1 se
descarrega, transferindo energia para L
2
e para a sada. L
1
acumula energia retirada da fonte.
A figura 5.15 mostra as formas de onda de corrente nos modos de conduo contnua
e descontnua. Note-se que no modo descontnuo a corrente pelos indutores no se anula, mas
sim ocorre uma inverso em uma das correntes, que ir se igualar outra. Na verdade, a
descontinuidade caracterizada pelo anulamento da corrente pelo diodo, fato que ocorre
tambm nas outras topologias j estudadas.

I1
I2
V1
t2 tx
i
L1
i
L2
v
C1
i
L1
i
L2
Ix
-Ix
t
T
t
T

Figura 5.15. Formas de onda do conversor `Cuk em conduo contnua e descontnua

Assumindo que i
L1
e i
L2
so constantes, e como a corrente mdia por um capacitor
nula (em regime), tem-se:

I t I t
L T L T 2 1
= ( ) (5.43)

5-13
I E I Vo
L L 1 2
= (5.44)

Vo
E
=

1
(5.45)

Uma vez que a caracterstica esttica do conversor `Cuk idntica ao do conversor
abaixador-elevador de tenso, as mesmas curvas caractersticas apresentadas anteriormente
so vlidas tambm para esta topologia. A diferena que a indutncia utilizada nas equaes
deve ser substituda por L
e
, onde
2 1
2 1
e
L L
L L
L
+
= .
5.4.1 Dimensionamento de C1
C1 deve ser tal que no se descarregue totalmente durante a conduo de T.
Considerando i
L1
e i
L2
constantes, a variao da tenso linear. A figura 5.16 mostra a tenso
no capacitor numa situao crtica.

v
C1
t t
T
V
C1
2V
C1

Figura 5.16. Tenso no capacitor intermedirio numa situao crtica.

V E Vo
C1
= + (5.46)

Na condio limite:

Io I C
E Vo
t
L
T
= =
+
2 1
2 ( )
(5.47)

C
Io
E
1
1
2
min
(max) ( )
=

(5.48)
5.4.2 Dimensionamento de L1
Considerando C1 grande o suficiente para que sua variao de tenso seja desprezvel,
L1 deve ser tal que no permita que i
L1
se anule. A figura 5.17 mostra a corrente por L1 numa
situao crtica.

E
L I
t
L
T
=
1
1max
(5.49)

5-14
E
E+Vo
+
L1
t
T

i
L1
I
L1max

Figura 5.17 Corrente por L1 em situao crtica.

Ii I
I
L
L
= =
1
1
2
max
(5.50)

Quando T conduz:

L
E t
Ii
T
1
2
=

(5.51)

L
E
Io
1
1
2
min
( )
(min)
=

(5.52)
5.4.3 Clculo de L2
Analogamente anlise anterior, obtm-se para L2:

L
E
Io
2
2
min
(min)
=

(5.53)
5.4.4 Clculo de Co (capacitor de sada)
Como a corrente de sada contnua, o dimensionamento de C idntico ao realizado
para o conversor abaixador de tenso

Co
E
L Vo
=

2
8 2
(5.54)
5.5 Conversor SEPIC

O conversor SEPIC (Single Ended Primary Inductance Converter) mostrado na
figura 5.18.
Possui uma caracterstica de transferncia do tipo abaixadora-elevadora de tenso.
Diferentemente do conversor `Cuk, a corrente de sada pulsada e no existe inverso na
polaridade da tenso de sada. Como no `Cuk, os interruptores ficam sujeitos a uma tenso
que a soma das tenses de entrada e de sada e a transferncia de energia da entrada para a
sada se faz via capacitor. Sua principal vantagem no circuito isolado quando a indutncia
L2 pode ser a prpria indutncia de magnetizao do transformador.

5-15
E
L1
L2
T
D
C1
Co
Ro
Vo
+

Figura 5.18 Topologia do conversor SEPIC.

O funcionamento no modo descontnuo tambm igual ao do conversor `Cuk, ou seja,
a corrente pelo diodo de sada se anula, de modo que as correntes pelas indutncias se tornam
iguais.
5.6 Conversor Zeta

O conversor Zeta, cuja topologia est mostrada na figura 5.19, tambm possui uma
caracterstica abaixadora-elevadora de tenso. Na verdade, a diferena entre este conversor, o
`Cuk e o SEPIC apenas a posio relativa dos componentes.
Aqui a corrente de entrada descontnua e a de sada continua. A transferncia de
energia se faz via capacitor. A indutncia L1 pode ser a prpria indutncia de magnetizao
na verso isolada. A operao no modo descontnuo tambm se caracteriza pela inverso do
sentido da corrente por uma das indutncias. A posio do interruptor permite uma natural
proteo contra sobrecorrentes.

E
L1
L2 T
D
C1
Co
Ro
Vo

Figura 5.19 Topologia do conversor Zeta.
5.7 Conversores com isolao

Em muitas aplicaes necessrio que a sada esteja eletricamente isolada da entrada,
fazendo-se uso de transformadores. Em alguns casos o uso desta isolao implica na alterao
do circuito para permitir um adequado funcionamento do transformador, ou seja, para evitar a
saturao do ncleo magntico. Relembre-se que no possvel interromper o fluxo
magntico produzido pela fora magneto-motriz aplicada aos enrolamentos.
5.7.1 Conversor `Cuk
Neste circuito a isolao se faz pela introduo de um transformador no circuito.
Utilizam-se 2 capacitores para a transferncia da energia da entrada para a sada. A figura
5.20 mostra o circuito.
5-16

E
L1
L2
C1
T
Co
Vo V1 V2
C2
N1 N2
D

Figura 5.20. Conversor `Cuk com isolao

A tenso de sada, no modo contnuo de conduo, dada por:

Vo
N
N
E
=

2
1 1

( )
(5.55)

O balano de carga deve se verificar para C1 e C2. Com N1=N2, C1=C2, tendo o
dobro do valor obtido pelo mtodo de clculo indicado anteriormente no circuito sem
isolao. Para outras relaes de transformao deve-se obedecer a N1.C1=N2.C2, ou
V1.C1=V2.C2.
Note que quando T conduz a tenso em N1 V
C1
=E (em N2 tem-se V
C1
.N2/N1).
Quando D conduz, a tenso em N2 V
C2
=Vo (em N1 tem-se V
C2
.N1/N2). A corrente pelos
enrolamentos no possui nvel contnuo e o dispositivo comporta-se, efetivamente, como um
transformador.
5.7.2 Conversores SEPIC e Zeta isolados
Apesar das diversas semelhanas entre os conversores `Cuk, SEPIC e Zeta, na verso
isolada tem-se uma mudana significativa quanto ao projeto do transformador. Note que no
SEPIC a corrente mdia pelo secundrio no nula, pois a prpria corrente mdia da
carga. Ou seja, o dispositivo magntico no se comporta efetivamente como uma
transformador. Isto significa que ele deve possuir um entreferro a fim de no saturar. Isto
aumenta o seu volume em relao ao transformador de um conversor Cuk para a mesma
potncia. O mesmo ocorre com o conversor Zeta, no qual a corrente contnua existe no
primrio. Entretanto, como j foi dito, estes elementos magnticos podem ser construdos de
modo que as indutncias Lp seja as prprias indutncias L2 (SEPIC) ou L1 (Zeta), de modo
que existam apenas dois elementos magnticos no conversor, enquanto no `Cuk sero trs.

E
L1
Ls
T
D
C1
Co
Ro
Vo
+
Lp
E
Lp
L2 T
D
C1
Co
Ro
Vo
Ls
+

(a) (b)
Figura 21 Conversores SEPIC (a) e Zeta (b) isolados.
5.7.3 Conversor fly-back (derivado do abaixador-elevador)
Assim como no conversor Zeta, o elemento magntico comporta-se como um indutor
bifilar e no como um transformador. Quando T conduz, armazena-se energia na indutncia
do "primrio" (no campo magntico) e o diodo fica reversamente polarizado. Quando T
5-17
desliga, para manter a continuidade do fluxo, o diodo entra em conduo, e a energia
acumulada no campo magntico enviada sada. A figura 5.22 mostra o circuito.
Note-se que as correntes mdias nos enrolamentos no so nulas, levando
necessidade de colocao de entreferro no "transformador".
A tenso de sada, no modo contnuo de conduo, dada por:

Vo
N
N
E
=

2
1 1

( )
(5.56)

E
T
D
Co Vo
N1 N2
L1

Figura 5.22 Conversor fly-back
5.7.4 Conversor forward (derivado do abaixador de tenso)
Quando T conduz, aplica-se E em N1. D1 fica diretamente polarizado e cresce a
corrente por L. Quando T desliga, a corrente do indutor de sada tem continuidade via D3.
Quanto ao transformador, necessrio um caminho que permita a circulao de uma corrente
que d continuidade ao fluxo magntico, de modo a absorver a energia acumulada no campo,
relativa indutncia de magnetizao. Isto se d pela conduo de D2. Durante este intervalo
(conduo de D2) aplica-se uma tenso negativa em N2, que se reflete em N3, e ocorre um
retorno de energia para a fonte. A figura 5.23 mostra o circuito.

E
D2
T
N1 N2 N3
D1
D3 Co
+
Vo
L

Figura 5.23 Conversor forward

Para garantir a desmagnetizao do ncleo a cada ciclo o conversor opera sempre no
modo descontnuo.
Existe um mximo ciclo de trabalho que garante a desmagnetizao do transformador
(tenso mdia nula), o qual depende da relao de espiras existente. A figura 5.24 mostra o
circuito equivalente no intervalo de desmagnetizao.
5-18
E
T
D
N1
N2
Vp
.
.
A1
A2
t
T

V
a
V
b
A1=A2
Vp

Figura 5.24 Forma de onda no enrolamento de primrio.

A tenso total nos enrolamentos N1 e N2, chamada de Vp, :

1 N
) 2 N 1 N ( E
V
a
+
=
2 N
) 2 N 1 N ( E
V
b
+
= (5.57)

Outra possibilidade, que prescinde do enrolamento de desmagnetizao, a
introduo de um diodo zener no secundrio, pelo qual circula a corrente no momento do
desligamento de T. Esta soluo, mostrada na figura 5.25, no entanto, provoca uma perda de
energia sobre o zener, alm de limitar o ciclo de trabalho em funo da tenso.
E
. .

Figura 5.25 Conversor forward com desmagnetizao por diodo zener.
5.7.5 Conversor push-pull
O conversor push-pull , na verdade, um arranjo de 2 conversores forward,
trabalhando em contra-fase, conforme mostrado na figura 5.26.
Quando T1 conduz (considerando as polaridades dos enrolamentos), nos secundrios
aparecem tenses como as indicadas na figura 5.27. Neste intervalo D1 no conduz e D2
conduz, mantendo nulo o fluxo no transformador (desconsiderando a magnetizao).
Note que no intervalo entre as condues dos transistores, os diodos D1 e D2
conduzem simultaneamente (no instante em que T1 desligado, o fluxo nulo garantido pela
conduo de ambos os diodos, cada um conduzindo metade da corrente), atuando como
diodos de livre-circulao e curto-circuitando o secundrio do transformador.
A tenso de sada dada por:

Vo
E
n
=
2
(5.58)
5-19
T1
D1
D2
T2
I c2 I D2
E
V1=E
I c1 I D1
E/n
E/n
L
Co
+
Ro
.
. .
. .
. .
.
. .
Vce1
n:1
i
o
Vo

Figura 5.26 Conversor push-pull.

O ciclo de trabalho deve ser menor que 0,5 de modo a evitar a conduo simultnea
dos transistores. n a relao de espiras do transformador.
Os transistores devem suportar uma tenso com o dobro do valor da tenso de entrada.
Outro problema deste circuito refere-se possibilidade de saturao do transformador caso a
conduo dos transistores no seja idntica (o que garante uma tenso mdia nula aplicada ao
primrio). A figura 5.27 mostra algumas formas de onda do conversor.

V1
+E
-E
Ic1
Vce1
Io
i
o
E
2E
1
2
I
D1
T1/D2
D1/D2 T2/D1 D1/D2

Figura 5.27 Formas de onda do conversor push-pull.
5.7.5.1 Conversor em meia-ponte
Uma alterao no circuito que permite contornar ambos inconvenientes do conversor
push-pull leva ao conversor com topologia em 1/2 ponte, mostrado na figura 5.28. Neste
caso cria-se um ponto mdio na alimentao, por meio de um divisor capacitivo, o que faz
com que os transistores tenham que suportar 50% da tenso do caso anterior, embora a
corrente seja o dobro. O uso de um capacitor de desacoplamento garante uma tenso mdia
5-20
nula no primrio do transformador. Este capacitor deve ser escolhido de modo a evitar
ressonncia com o indutor de sada e, ainda, para que sobre ele no recaia uma tenso maior
que um pequeno percentual da tenso de alimentao (durante a conduo de cada transistor).

.
.
.
L
T1
Vo
+
Co
.
.
.
.
T2
.
.
.
.
.
.
E/2
E/2

Figura 5.28 Conversor em meia-ponte
5.7.5.2 Conversor em ponte completa
Pode-se obter o mesmo desempenho do conversor em 1/2 ponte, sem o problema da
maior corrente pelo transistor, com o conversor em ponte completa. O preo o uso de 4
transistores, como mostrado na figura 5.29.
.
.
.
L
T2
Vo
+
Co
.
.
.
.
T4
.
.
.
.
.
T1
T3
. .
.
.
.
.
.
E

Figura 5.29 Conversor em ponte completa.
5.8 Considerao sobre a mxima tenso de sada no conversor elevador de tenso

Pelas funes indicadas anteriormente, tanto para o conversor elevador de tenso
quanto para o abaixador-elevador (e para o `Cuk, SEPIC e Zeta), quando o ciclo de trabalho
tende unidade, a tenso de sada tende a infinito. Nos circuitos reais, no entanto, isto no
ocorre, uma vez que as componentes resistivas presentes nos componentes, especialmente nas
5-21
chaves, na fonte de entrada e nos indutores, produzem perdas. Tais perdas, medida que
aumenta a tenso de sada e, consequentemente, a corrente, tornam-se mais elevadas,
reduzindo a eficincia do conversor. As curvas de Vo x se alteram e passam a apresentar um
ponto de mximo, o qual depende das perdas do circuito.
A figura 5.30 mostra a curva da tenso de sada normalizada em funo da largura do
pulso para o conversor elevador de tenso.
Se considerarmos as perdas relativas ao indutor e fonte de entrada, podemos
redesenhar o circuito como mostrado na figura 5.31.
Para tal circuito, a tenso disponvel para alimentao do conversor se torna (E-V
r
),
podendo-se prosseguir a anlise a partir desta nova tenso de entrada. A hiptese que a
ondulao da corrente pelo indutor desprezvel, de modo a se poder supor V
r
constante.
O objetivo obter uma nova expresso para Vo, em funo apenas do ciclo de
trabalho e das resistncias de carga e de entrada. O resultado est mostrado na figura 5.32.

20
40
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Vo( ) d
d

Figura 5.30 Caracterstica esttica de conversor elevador de tenso no modo contnuo.

E E-Vr
Vr
Vo
Co
Ii
Io
+
R
L
Ro
L

Figura 5.31 Conversor elevador de tenso considerando a resistncia do indutor.

Vo
E Vr
=

1
(5.59)

Vr R Ii
Vo Ro Io
L
=
=
(5.60)

Io Ii = ( ) 1 (5.61)

5-22
Vr
R Io R Vo
Ro
L L
=

=

1 1 ( )
(5.62)

Vo
E
R Vo
Ro E R Vo
Ro
L
L
=

( )
( )
1
1 1 1
2

(5.63)

Vo
E
R
Ro
L
=

+
1
1
2
( )
(5.64)

0
2
4
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vo( ) d
d

Figura 5.32 Caracterstica esttica de conversor elevador de tenso, no modo contnuo,
considerando as perdas devido ao indutor.


N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics: Converters, Applications
and Design. John Wiley & Sons, 2
nd
Edition, 1994.

G. Chryssis: High Frequency Switching Power Supplies: Theory and design. McGraw-Hill,
New York, 1984.

R. D. Middlebrook and S. `Cuk: Advances in Switched-Mode Power Conversion,
TESLAco, Pasadena, USA, 1981.

E. R. Hnatek: Design of Solid State Power Supplies. Van Nostrand Reinhold, New York,
3
rd
Edition, 1989.

5-23

5. TOPOLOGIAS BSICAS DE FONTES CHAVEADAS............................................. 5-1
5.1 Conversor abaixador de tenso (step-down ou buck): Vo<E.................................. 5-1
5.1.1 Modo de conduo contnua (MCC).................................................................... 5-1
5.1.2 Modo de conduo descontnua (MCD) .............................................................. 5-2
5.1.3 Dimensionamento de L e de C............................................................................. 5-4
5.2 Conversor elevador de tenso (step-up ou boost): Vo>E........................................ 5-5
5.2.1 Modo de conduo contnua ................................................................................ 5-5
5.2.2 Modo de conduo descontnua........................................................................... 5-6
5.2.3 Dimensionamento de L e de C............................................................................. 5-8
5.3 Conversor abaixador-elevador (buck-boost) ........................................................... 5-8
5.3.1 Modo de conduo contnua ................................................................................ 5-9
5.3.2 Modo de conduo descontnua........................................................................... 5-9
5.3.3 Clculo de L e de C............................................................................................ 5-11
5.4 Conversor `Cuk ..................................................................................................... 5-11
5.4.1 Dimensionamento de C1.................................................................................... 5-13
5.4.2 Dimensionamento de L1.................................................................................... 5-13
5.4.3 Clculo de L2..................................................................................................... 5-14
5.4.4 Clculo de Co (capacitor de sada) .................................................................... 5-14
5.5 Conversor SEPIC .................................................................................................. 5-14
5.6 Conversor Zeta ...................................................................................................... 5-15
5.7 Conversores com isolao..................................................................................... 5-15
5.7.1 Conversor `Cuk.................................................................................................. 5-15
5.7.2 Conversores SEPIC e Zeta isolados................................................................... 5-16
5.7.3 Conversor fly-back (derivado do abaixador-elevador) ...................................... 5-16
5.7.4 Conversor forward (derivado do abaixador de tenso) .................................. 5-17
5.7.5 Conversor push-pull ....................................................................................... 5-18
5.8 Considerao sobre a mxima tenso de sada no conversor elevador de tenso . 5-20
5.9 Referncias Bibliogrficas..................................................................................... 5-22

DSCE FEEC UNICAMP 2001 6-1
6. CONVERSORES CC-CA COMO FONTES DE ALIMENTAO
COM FREQUNCIA FIXA

Sero estudados neste captulo os conversores CC-CA que fornecem em suas sadas
tenses com freqncia fixa, para aplicao como fonte de tenso, especialmente em fontes de
alimentao ininterrupta (chamadas de no-break ou UPS - Uninterruptible Power
Supplies, em ingls).
Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia eltrica no pode ser interrompido
deve prever uma fonte de emergncia para supri-lo. Quando a potncia instalada muito
grande tem-se, em geral, um sistema de acionamento imediato, alimentado a partir de baterias,
e um sistema motor-gerador que, por necessitar de alguns minutos para estar em condies
ideais de operao, no pode ser usado de imediato. Tal arranjo usado, por exemplo, em
centrais telefnicas, hospitais, etc.
Quando as cargas crticas so distribudas, como no caso de microcomputadores,
podem-se usar UPSs modulares, de acionamento imediato, e capazes de manter a operao do
equipamento por um tempo suficiente para que no sejam perdidas operaes que estavam em
curso (tipicamente os tempos so da ordem de dezenas de minutos).
Alm disso, os sistemas mais modernos devem ter a capacidade de trocar informaes
com os computadores, de forma a otimizar seu funcionamento, mas isto no ser tema deste
curso.
Interessam aqui as topologias empregadas na realizao dos conversores de potncia
que, a partir de uma fonte CC produzem uma sada alternada, seja ela senoidal ou no.
6.1 Requisitos de qualidade na alimentao de equipamentos sensveis

Especialmente para os equipamentos de computao, so estabelecidos limites em
termos da qualidade da energia a ele suprida. No existem, ainda, padres industriais
reconhecidos. No entanto, graas ao de grandes usurios (especialmente militares), a
CBEMA (Computer Business Equipment Manufacturers Association) adotou as curvas
mostradas na figura 6.1. Estas curvas aparecem na norma IEEE 446 como prtica
recomendada para sistemas de alimentao de emergncia, em aplicaes industriais e
comerciais.
As curvas definem um envelope dentro do qual deve estar o valor da tenso suprida ao
equipamento. Ou seja, quando os limites forem violados, o sistema de alimentao
ininterrupta deve atuar, no sentido de manter a alimentao dentro de valores aceitveis.
Em outras palavras, se a tenso de alimentao estiver dentro dos limites no devem
ocorrer mal-funcionamentos do equipamento alimentado. Violaes dos limites podem, ento,
provocar falhas, que devem ser evitadas.
Via de regra, quem suporta a alimentao do equipamento na ocorrncia de falhas de
curta durao so as capacitncias das fontes de alimentao internas, de modo que,
eventualmente, mesmo violaes mais demoradas do que aquelas indicadas podem ser
suportadas.
Nota-se na figura 6.1 que, em regime, a tenso deve estar limitada a uma sobretenso
de 6% e uma subtenso de 13%. Quanto menor a durao da perturbao, maior a alterao
admitida, uma vez que os elementos armazenadores de energia internos ao equipamento
devem ser capazes de absorv-la. Assim, por exemplo, a tenso pode ir a zero por meio ciclo,
ou ainda haver um surto de tenso com 3 vezes o valor nominal (eficaz), desde que com
durao inferior a 100 s.

.001 .01 0.1 1 10 100 1000 ciclos
100u 1m 8.33m .1 .5
2 s
0%
-13%
-30%
-42%
-70%
+200%
+100%
+30%
+6%
100% Regime
Envelope de tolerncia de tenso
para equipamento computacional

Figura 6.1 Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional (adaptado da
norma IEEE 466).

Uma outra definio em termos da tenso suprida a Distoro Harmnica Total
(THD) que tem um limite de 5%. Alm disso, para alimentao trifsica, tolera-se um
desbalanceamento entre as fases de 3 a 6%. No que se refere freqncia, tem-se um desvio
mximo admissvel de +0,5Hz (em torno de 60Hz), com uma mxima taxa de variao de
1Hz/s.
6.2 Classificao das UPS

So definidas trs configuraes, indicadas, simplificadamente, na figura 6.2:
linha prioritria;
inversor prioritrio;
interativo com a linha.
Todas as estruturas contm um elemento armazenador de energia que , tipicamente,
um banco de baterias.
A configurao de linha prioritria possui um retificador, que fornece a carga para as
baterias, um inversor (conversor CC-CA) e uma chave que transfere automaticamente a
alimentao da carga da linha para o inversor, em caso de falha. Quando o inversor for
conectado carga deve faz-lo de modo a que sua tenso tenha a mesma amplitude e fase da
tenso esperada na linha. Como o inversor no realiza nenhuma funo de regulao da tenso
enquanto a alimentao provier da linha, alguns equipamentos podem possuir um
estabilizador de tenso a jusante da chave. A deteco da falha e a transferncia da
alimentao podem ser feitas em menos de 1/4 de ciclo, o que garante a alimentao do
equipamento crtico. Uma vez que este sistema no apresenta uma efetiva isolao e proteo
da carga contra distrbios na linha e dado que ele altera seu funcionamento exatamente
quando ocorre uma falha, tal estrutura utilizada principalmente para sistemas de baixos
custo e potncia, quando a operao no altamente crtica. Esta estrutura conhecida como
off-line.

Chave esttica
("by-pass")
Bateria
Retificador Inversor
Linha
Equipamento

(a) Linha Prioritria

Chave esttica
("by-pass")
Bateria
Linha
Equipamento

(b) Inversor Prioritrio

Bateria
Inversor
Linha Equipamento
Carregador
L
B A

(c) Interativo com a linha

Figura 6.2 Configuraes de UPS.

A configurao com inversor preferencial padro para equipamentos crticos, uma
vez que a carga alimentada por uma tenso controlada e estabilizada pelo inversor, estando
isolada (no necessariamente galvanicamente) da rede. Neste caso a alimentao provm
sempre do inversor, cuja alimentao CC vir da rede (atravs do retificador) ou da bateria,
em caso de falha. O conversor no altera sua operao na ocorrncia da falha e no existe
nenhuma descontinuidade na tenso suprida. Como o retificador deve suprir a carga, e no
apenas recarregar as baterias (como no caso anterior), ele dimensionado para a potncia do
equipamento alimentado. A presena da chave (by-pass) para, em caso de falha da UPS,
passar a alimentao rede em menos de 1/4 de ciclo. O inversor pode possuir ainda uma
limitao automtica de corrente contra sobrecargas. Esta estrutura conhecida como on-
line.
A configurao interativa com a linha possui apenas um conversor CC-CA. Este
sistema possui a vantagem (sobre a configurao linha preferencial) de permitir um
condicionamento da tenso aplicada carga. Normalmente o fluxo de potncia vai, atravs do
indutor L, da rede para a carga, e o conversor mantm as baterias carregadas. Em caso de
falha, a chave se abre e o inversor passa a alimentar o equipamento crtico. Quando existe
tenso na linha, o inversor produz uma tenso no ponto A com a mesma freqncia da linha,
mas com amplitude controlada. Se as tenses nos pontos A e B forem idnticas em freqncia,
fase e amplitude no haver corrente pelo indutor e toda energia da carga ser fornecida pelo
inversor. Alterando-se a fase da tenso no ponto A pode-se controlar o fluxo de corrente por
L. Assim , controlando a fase da tenso em A pode-se fazer com que provenha da linha toda a
energia ativa necessria para alimentar a carga, ficando a cargo do inversor fornecer a energia
no ativa (reativos e harmnicos). Neste caso, como o inversor no fornece potncia ativa, a
condio de carga das baterias no se altera. Adicionalmente, tem-se que a corrente absorvida
da linha senoidal e em fase com sua tenso, ou seja, o UPS opera como um compensador de
fator de potncia, independente da carga. Esta anlise supe uma carga com alta impedncia
de entrada, o que no verdade em situao muito usual em que a carga tem um
comportamento de fonte de tenso (retificador com filtro capacitivo).
O fato de no fazer uso de dupla converso, ou seja, o retificador no est inserido na
alimentao da carga, faz com que o rendimento do conjunto seja superior ao da estrutura
Inversor prioritrio, de modo a ser aplicvel em potncias mais elevadas.
6.3 Outras Caractersticas de UPS
6.3.1 Forma de onda da sada
A obteno de uma onda senoidal (em um conversor CC-CA) mais complexa do que
uma tenso de forma quadrada. Por este motivo, as UPS de baixa potncia e para cargas no
altamente crticas, podem fornecer uma tenso quadrada em sua sada e utilizam uma
configurao do tipo Linha preferencial. Como, normalmente, alimentam pequenos
computadores de uso pessoal, os quais tem um estgio de entrada com um retificador a diodos
e filtro capacitivo, o parmetro principal que a tenso possua o mesmo valor de pico da
tenso normal (rede). Comparativamente a uma onda senoidal, tal tenso apresentar um
maior valor eficaz, mas que no traz maiores conseqncias. Dado o espectro da onda
produzida, haver um maior aquecimento em transformadores e indutores eventualmente
presentes, mas que, dado o curto prazo de atuao da UPS, em geral no causam maiores
problemas.
Em sistemas de maior porte e criticidade so usados inversores com sada senoidal.
6.3.2 Isolao eltrica
A isolao eltrica entre entrada e sada necessria quando, por motivo de segurana
ou de norma, deve-se aterrar um dos terminais da sada.
Dois tipos de isolao podem ser utilizados: em baixa ou em alta freqncia. Como se
sabe, quanto maior a freqncia de operao, menores as dimenses do transformador, o que
tende a reduzir custo, volume e peso. No entanto, isolao em alta freqncia possvel
apenas em alguns pontos e para algumas topologias dos conversores CA-CC e CC-CA. J a
isolao em baixa freqncia pode ser colocada na entrada (rede) ou na sada da UPS.
6.3.3 Paralelismo
Conectar em paralelo duas ou mais UPSs necessrio quando se deseja ampliar a
potncia instalada ou aumentar a confiabilidade do sistema.
No primeiro caso, o fator determinante o econmico, quando mais barato utilizar
uma UPS adicional para alimentar um acrscimo de carga do que trocar todo o sistema j
existente.
No outro caso, para cargas muito crticas, a redundncia torna-se necessria.
As questes a serem consideradas so diversas:
deve-se garantir que as tenses de sada sejam idnticas e que as correntes sejam
igualmente distribudas;
em caso de falha de qualquer uma das UPS, as demais devem ser capazes de manter o
equipamento crtico em operao;
para manter a identidade das tenses, uma das UPS deve produzir a referncia para as
demais;
em caso de falha, uma outra deve assumir tal funo.
6.4 Componentes de uma UPS esttica
6.4.1 Retificador
O retificador, alm de produzir a tenso cc que alimenta o inversor tem tambm como
funo manter as baterias carregadas.
As baterias sero adequadamente carregadas desde que a tenso de sada do retificador
seja um pouco superior tenso nominal das baterias, de modo a suprir as perdas devidas s
quedas resistivas presentes. Tenses menores no permitiro um processo adequado de
recarga, enquanto tenses muito elevadas podem produzir correntes excessivas, levando
eletrlise.
Caso as baterias estejam muito descarregadas, possvel que o retificador tenha seu
limite de corrente atingido. Em tal caso, a recarga feita a corrente constante, at que a tenso
suba a nveis adequados.
Considerando adicionalmente a possibilidade de variao da tenso da linha, pode-se
concluir que o retificador deve ser do tipo controlado. A soluo mais simples e barata usar
um retificador a tiristores, com controle da tenso de sada atravs da variao do ngulo de
disparo, como mostrado na figura 6.3.

Baterias
Vr
Lf
Cf
Vo
+
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
300V
200V
100V
0V
Vr

Figura 6.3 Retificador controlado a tiristores com forma de onda de tenso tpica de sada.

Para sistemas de maior potncia, comum utilizar retificadores de 12 ou mesmo 24
pulsos, a fim de minimizar o contedo harmnico da corrente absorvida da linha. Tal
implementao, no entanto, exige a presena de um transformador na entrada do retificador.
A utilizao de uma ponte de diodos tem o inconveniente de no permitir ajustar o
valor da tenso de sada. Isto poderia ser feito, por exemplo, adicionando um conversor CC-
CC, operando em alta freqncia. A figura 6.4 mostra diferentes possibilidades de
implementao. No primeiro caso o recortador estabiliza tambm a tenso fornecida ao
inversor, devendo, assim, suportar toda a potncia da carga. No segundo caso ele controla
apenas a recarga das baterias, sendo, portanto, de muito menor potncia. O inversor dever ser
capaz de ajustar sua operao de modo que a variao na tenso CC (PRODUZIDA POR
VARIAES NA TENSO DA REDE) NO AFETE a tenso fornecida pela UPS.

Retificador
Recortador
MLP
Inversor Retificador Inversor
Recortador
MLP

Figura 6.4 Configuraes com retificador a diodos.

O recente desenvolvimento de retificadores com correo de fator de potncia, sejam
monofsicos ou trifsicos, vem permitir, aliado ao controle da tenso de sada, absorver uma
corrente senoidal e em fase com a tenso da rede, implicando num fator de potncia que tende
unidade. A figura 6.5 mostra possveis topologias para este tipo de circuito. No primeiro
caso tem-se um retificador trifsico no qual as chaves semicondutoras so transistores,
permitindo a aplicao de modulao por largura de pulso, o que possibilita absorver uma
corrente senoidal na rede. No outro caso tem-se um conversor tipo elevador de tenso, com
entrada monofsica. Um controle adequado do ciclo de trabalho permite, tambm aqui, a
absoro de uma corrente senoidal.

Vo
Vo

Figura 6.5 Retificador MLP e conversor elevador de tenso para correo de fator de potncia.
6.4.2 Inversor
O inversor o principal constituinte de uma UPS, uma vez que ele quem determina a
qualidade da energia fornecida carga.
Deve fornecer uma tenso alternada, com freqncia, forma e amplitude invariantes, a
despeito de eventuais alteraes na alimentao CC ou na carga.
A configurao bsica mostrada na figura 6.6, para um inversor trifsico. Uma sada
monofsica pode ser obtida utilizando-se apenas 2 ramos, ao invs de 3.

Vcc
Vca

Figura 6.6 Inversor trifsico.

6.4.2.1 Inversor com sada quadrada
Consideremos o circuito de um inversor monofsico como mostrado na figura 6.7.

As leis de modulao so numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda
retangular, na prpria freqncia de sada que se deseja. Em tal caso, uma tenso positiva
aplicada carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3 desligados). A tenso negativa
obtida complementarmente. O papel dos diodos garantir um caminho para a corrente em caso
de a carga apresentar caracterstica indutiva. Note que a conduo dos diodos no afeta a forma
da tenso desejada. Este tipo de modulao no permite o controle da amplitude nem do valor
eficaz da tenso de sada.

Ia
T3 T4 D3 D4
A
B
T1 T2
Carga
Monofsica
D1 D2
Vs
V
S
I
A
+E
-E
T1/T4
T2/T3
D1
D4
D2
D3
E

Figura 6.7. Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva).
6.4.2.2 Inversor com sada quase-quadrada.
Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tenso de sada e eliminar algumas
harmnicas a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantm um nvel de tenso nulo sobre
a carga durante parte do perodo, como mostrado na figura 6.8.
Para obter este tipo de onda, uma possibilidade a seguinte: quando se deseja tenso
positiva na carga mantm-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tenso negativa
obtida complementarmente. Os intervalos de tenso nula so obtidos mantendo T1 conduzindo e
desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrar em conduo. Quando T1 desligar D3 entra
em conduo, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que ocorre quando a
corrente se inverte. O intervalo de tenso nula seguinte obtido com o desligamento de T3 e a
continuidade de conduo de T2.
Nota-se que esto presentes os mltiplos mpares da freqncia de chaveamento, o que
significa que a filtragem de tal sinal para a obteno apenas da fundamental exige um filtro com
freqncia de corte muito prxima da prpria freqncia desejada. Este espectro varia de acordo
com a largura do pulso. Para este caso particular no esto presentes os mltiplos da terceira
harmnica.
V
S
I
A
+E
-E
0 120 180 360 300
o
o o o
o
T1/T4
T2/T3
T1/D2
T2/D1
D2/D3
D1/D4

Figura 6.8 Forma de onda quase-quadrada.
6.4.2.3 Inversor ferro-ressonante
A obteno de uma onda senoidal a partir de ondas quadradas possvel atravs de
filtragem. O tamanho do filtro determinado no apenas pela quantidade de harmnicas que
se quer minimizar, mas tambm pela freqncia de tais harmnicas. Quanto menores forem as
freqncias, maior ser o filtro (maiores valores de indutncia e capacitncia com conseqente
maior volume e peso).
Quanto menor for o filtro (menor impedncia) melhor ser a regulao de tenso na
sada, especialmente em situaes transitrias, uma vez que valores elevados de indutncia e
capacitncia produzem respostas lentas a perturbaes. Alm disso, as distores introduzidas
pela carga distorcero menos a tenso fornecida.
O conceito bsico do inversor ferro-ressonante sintonizar um filtro na freqncia
desejada na sada (50 ou 60Hz), de modo a eliminar as harmnicas. Adicionalmente o
conversor apresenta outras importantes caractersticas para uma UPS, quais sejam: regulao
da tenso de sada e limitao da corrente.
A figura 6.9 mostra o esquema bsico do conversor.
L
d
Cr Vi Vo

Figura 6.9 Estgio ferro-ressonante.

O capacitor Cr, associado indutncia de disperso, L
d
e, eventualmente, a uma
indutncia adicional, perfazem um circuito ressonante, sintonizado na freqncia desejada.
Mais de um caminho de fluxo magntico existe no ncleo do transformador, permitindo ao
secundrio saturar, enquanto o primrio opera na regio linear. Como resultado, o circuito de
sada apresenta-se limitado em tenso (devido saturao do secundrio), enquanto o
primrio (que no satura) mantm a caracterstica de limitao da corrente, devido
indutncia srie presente no circuito. A tenso de sada, devido saturao, apresenta-se como
uma senide truncada. Seu contedo harmnico, no entanto, menor do que o da onda
quadrada presente na entrada do transformador.
A principal vantagem deste tipo de UPS sua simplicidade, aliada a razoveis
caractersticas. Como desvantagem tem-se o volume e o peso caractersticos de um
transformador/filtro que deve operar na freqncia da rede.
6.4.2.4 Inversor multinvel
Uma outra estratgia de modulao que produz reduzidas harmnicas a multinvel.
Neste caso, a tenso de sada produzida por diversos mdulos inversores conectados em
srie, cada um acionado no momento adequado, de modo a tentar reproduzir uma forma de
onda que se aproxime de uma senide (ou de uma outra forma desejada).
Na figura 6.10 tem-se um diagrama esquemtico do conversor e em 6.11 tem-se uma
forma de onda deste tipo. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam
componentes espectrais em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda
senoidal devem ter uma freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas
apresentam-se em mltiplos da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser
muito grande, uma vez que as amplitudes das harmnicas so pequenas.

Inversor onda
quase-quadrada
Inversor onda
quase-quadrada
Inversor onda
quase-quadrada
Vo
V3
V2
V1
E
E
E
3E

Figura 6.10 Diagrama esquemtico de conversor multinvel.

0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz

1
0

1
-1

Figura 6.11. Forma de onda e espectro de sinal multinvel.
6.4.2.5 Inversor Modulao por Largura de Pulso - MLP
Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqncia atravs de uma
modulao em alta freqncia.
possvel obter este tipo de modulao ao comparar uma tenso de referncia (que seja
imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico cuja freqncia
determine a freqncia de chaveamento. A freqncia da onda triangular (chamada portadora)
deve ser, no mnimo 20 vezes superior mxima freqncia da onda de referncia, para que se
obtenha uma reproduo aceitvel da forma de onda sobre a carga, depois de efetuada a
filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da
referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulao por
Largura de Pulso.
A tenso de sada, que aplicada carga, formada por uma sucesso de ondas
retangulares de amplitude igual tenso de alimentao CC e durao varivel.
A figura 6.12 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma
tenso com 2 nveis, na freqncia da onda triangular.

Figura 6.12. Sinal MLP de 2 nveis.

possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulao apresenta um menor contedo harmnico. Um sinal de 3 nveis ligeiramente mais
complicado para ser gerado analogicamente.
Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3
inversores monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou um
arranjo chamado de semiponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 6.13.

Ponte completa
Semi-ponte

Figura 6.13. Topologias de inversor em ponte completa e em semiponte.

Em termos do conversor em semiponte, o sinal de comando enviado a cada ramo do
inversor do tipo 2 nveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim, a tenso
de fase apresenta-se em 2 nveis. No entanto, a tenso de linha (entre 2 fases) apresenta-se de 3
nveis.
6.4.3 A chave esttica ou by-pass
Como outro elemento eletrnico (ou eletromecnico) constituinte de uma UPS tem-se
a chave esttica, tambm chamada de by-pass. Sua funo permitir a comutao da tenso
de sada do inversor para a rede e vice-versa, em caso de falha. Pode ainda ter um papel de
isolar o inversor para fins de manuteno.
Basicamente existem 2 possibilidades de implementar tal chave: usando tiristores ou
rels eletromecnicos.
Solues de baixo custo usam, em geral, rels. Sua comutao deve ser rpida, de
modo a no interromper a alimentao por mais de 1/2 ciclo.
Quando a potncia cresce, o emprego de tiristores o usual. Uma preocupao, neste
caso, garantir que as tenses da UPS e da rede tenham a mesma fase e amplitude no
momento da comutao, para evitar a existncia de uma corrente que circule de uma fonte
para outra. Como o desligamento de um tiristor se d quando sua corrente vai a zero, este deve
ser o momento de inibir os pulsos que acionam o tiristor que conecta a UPS carga e de
acionar aquele que a conecta rede. A figura 6.18 mostra um arranjo tpico.

Carga
Inversor Rede
Circuito de
Acionamento
Circuito de
Acionamento
Detector de
Corrente zero

Figura 6.18. Sistema de acionamento de by-pass.

6.5 Resultados Experimentais

Os resultados mostrados a seguir foram obtidos em ensaios de equipamentos
comerciais, testados no Laboratrio de Condicionamento de Energia Eltrica da Faculdade de
Engenharia Eltrica e de Computao da Unicamp.
6.5.1 Linha prioritria

Observe-se na figura 6.19 que h um atraso na entrada em funcionamento do inversor,
e que o mesmo est dentro da especificao de operao em menos de ciclo.
A forma de onda da sada apresenta baixa distoro harmnica. O topo achatado deve-
se limitao de tenso do banco de baterias. A distoro harmnica total (THD) de 3,6%.
A carga alimentada, neste caso, resistiva e no valor nominal.
A figura 6.20 mostra a tenso na entrada e na sada no teste de rejeio a transitrio. A
perturbao produzida teve variao pico-a-pico de aproximadamente 120V e foi
integralmente sentida pela sada.
A regulao da tenso de sada feita pela variao de taps na entrada, como se
verifica na figura 6.21. Nota-se que quando ocorre a operao via baterias (96V) a tenso de
111,6V, ou seja, 7% abaixo da nominal. No intervalo em que est atuando o regulador tem-se
uma variao entre 7,7% a +10%.

Figura 6.19 Tenso de sada e a corrente da rede com carga resistiva na transio da
alimentao da rede para baterias.

Figura 6.20. Rejeio de transitrio na entrada.
100
110
120
130
140
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Tenso de sada (V)
.

Figura 6.21. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga
resistiva.

6.5.2 Inversor prioritrio

A figura 6.22 mostra que no existe transitrio na passagem da alimentao da rede
para as baterias. Note-se que a corrente de entrada se anula quando h falha na laimentao.
A figura 6.23 mostra a tenso na entrada e na sada no teste de rejeio a transitrio. A
perturbao produzida teve variao pico-a-pico de aproximadamente 150V e no foi sentida
pela sada.

Figura 6.22. Tenso de sada e corrente da rede com carga resistiva na transio da
alimentao da rede para baterias.


Figura 6.23. Rejeio de transitrio na entrada.
A regulao se mantm em toda faixa de experimentao, sem que o equipamento
tenha recorrido ao uso das baterias. A operao com baterias ocorre para tenso inferior a
92V.

117,4
117,5
117,6
117,7
117,8
117,9
118
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Tenso de sada (V)
.

Figura 6.24. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga
resistiva.


David C. Griffith: Uninterruptible Power Supplies, Marcel Dekker, Inc., NY, USA

R. Fratta ed I. Toigo: Sistemi di Continuit: Problematiche ed Applicazioni, in 11
o
Corso
Componenti e Sistemi Elettronici di Potenza, Tecnopolis, 21-25 Settembre 1992, Italia.


6. CONVERSORES CC-CA COMO FONTES DE ALIMENTAO COM
FREQUNCIA FIXA.......................................................................................................... 6-1
6.1 REQUISITOS DE QUALIDADE NA ALIMENTAO DE EQUIPAMENTOS SENSVEIS ........ 6-1
6.2 CLASSIFICAO DAS UPS....................................................................................... 6-2
6.3 OUTRAS CARACTERSTICAS DE UPS....................................................................... 6-4
6.3.1 Forma de onda da sada................................................................................ 6-4
6.3.2 Isolao eltrica ............................................................................................ 6-4
6.3.3 Paralelismo.................................................................................................... 6-5
6.4 COMPONENTES DE UMA UPS ESTTICA.................................................................. 6-5
6.4.1 Retificador ..................................................................................................... 6-5
6.4.2 Inversor.......................................................................................................... 6-7
6.4.3 A chave esttica ou by-pass .................................................................... 6-11
6.5 RESULTADOS EXPERIMENTAIS.............................................................................. 6-11
6.5.1 Linha prioritria.......................................................................................... 6-11
6.5.2 Inversor prioritrio...................................................................................... 6-13
6.6 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ............................................................................ 6-14

Eletrnica de Potncia J. A. Pomilio
DSCE FEEC - UNICAMP 2001 7-1
7. CONVERSORES CC-CA PARA ACIONAMENTO DE MQUINA DE
INDUO TRIFSICA

As mquinas de corrente alternada, especialmente a mquina de induo, so
construtivamente muito mais simples e robustas do que as mquinas de corrente contnua.
Apresentam menor massa (20 a 40% a menos), para uma mesma potncia, o que leva a um
custo menor de aquisio e manuteno do que as mquinas CC equivalentes.
Quando se trata de realizar um acionamento controlado, no entanto, os conversores e
sistemas de controle necessrios se tornam bem mais sofisticados do que aqueles utilizados
para as mquinas CC, o que faz necessrio analisar o custo global, e no apenas o relativo
mquina. Entretanto, o custo dos conversores e circuitos eletrnicos tem diminudo com o
passar o tempo, enquanto o custo de produo das mquinas tem tido uma variao muito
menos significativa. Por esta razo, o custo total do sistema mquina + acionamento tende
cada vez mais a ser vantajoso para a mquina CA.
Em termos de desempenho dinmico, novas tcnicas de controle, como o controle
vetorial, tm possibilitado s mquinas CA apresentarem comportamento similar ao das
mquinas CC, eliminando, tambm neste aspecto, as vantagens anteriores das mquinas de
corrente contnua.
Este captulo analisar as mquinas de induo trifsicas e os conversores CC-CA
utilizados em seu acionamento, uma vez que representam a grande maioria das aplicaes
industriais neste campo.
7.1 Modelamento da mquina de induo trifsica

Uma mquina de induo trifsica possui enrolamentos de estator nos quais aplicada
a tenso alternada de alimentao. O rotor pode ser composto por uma gaiola curto-circuitada
ou por enrolamentos que permitam circulao de corrente. De qualquer forma, por efeito
transformador, o campo magntico produzido pelos enrolamentos do estator induz correntes
no rotor, de modo que, da interao de ambos campos magnticos ser produzido o torque que
levar a mquina rotao.
Dada a caracterstica trifsica da alimentao do estator e distribuio espacial dos
enrolamentos, o campo produzido pelo estator girante, ou seja, sua resultante possui um
movimento rotacional. O campo produzido pelas correntes induzidas no rotor ter a mesma
caracterstica, procurando sempre acompanhar o campo girante do estator.
Se o rotor girar na mesma velocidade do campo girante, no haver corrente induzida,
uma vez que no haver variao de fluxo pelas espiras do rotor. No havendo corrente, no
haver torque. Desta anlise qualitativa pode-se concluir que a produo de torque no eixo da
mquina deriva do fato de que a velocidade do rotor ser sempre diferente do que a velocidade
do campo girante. A figura 7.1 ilustra a formao do campo girante.
A corrente induzida no rotor possui uma freqncia que a diferena das freqncias
angulares do campo girante e do rotor. Assim, na partida, com a mquina parada, as correntes
sero de 60Hz (supondo esta a freqncia de alimentao da mquina). medida que a
mquina ganha velocidade, tal freqncia vai caindo, at chegar, tipicamente, a poucos Hz,
quando atingir a velocidade de regime.
A velocidade angular do campo girante depende, alm da freqncia de alimentao,
do chamado nmero de plos da mquina. O nmero de plos indica quantos enrolamentos,
deslocados espacialmente (simetricamente) no estator, so alimentados pela mesma tenso de
fase. Assim, se 3 enrolamentos (1 para cada fase) estiverem dispostos num arco de 180 graus e
outros 3 enrolamentos ocuparem os outros 180 graus do permetro do estator, diz-se que esta
uma mquina de 4 plos (ou 2 pares de plos).

a
c
b
1.0
0
-1.0
a
b
c
d
e
f
b

a

c
a
b
c
d
f
g
N
S
Campo girante
Fluxos por fase

Figura 7.1 Formao de campo girante.

O campo girante possui 2 plos norte e 2 plos sul, distribudos simetricamente e
intercalados. A figura 7.2 ilustra tal situao. Dada a simetria circular das mquinas, tem-se
que o campo resultante, visto no entreferro da mquina, apresenta os plos resultantes
deslocados 90 graus (espacial) um do outro. Note-se , ainda, que a resultante no centro do
arranjo sempre nula. No entanto, o que importa o fluxo presente no entreferro.
A cada ciclo completo das tenses de alimentao (360 graus eltricos) corresponde
uma rotao de 180 graus no eixo.

a
c
b

S
a
b
c

N
S
N
a
c
b

S
a
b
c

N
S
N

Figura 7.2 Campo girante em mquina de 4 plos.

Sendo p o nmero de plos e a freqncia angular (em rd/s) das tenses de
alimentao da mquina, a velocidade de rotao do campo girante, chamada de velocidade
sncrona, dada por:

s
p
=
2
(7.1)

Para uma tenso de fase aplicada ao estator do tipo v t V t
s s
( ) sin( ) = 2 , o fluxo
concatenado com o rotor dado por:

( ) cos( ) t t t
m m s
= + (7.2)

A tenso induzida por fase nos enrolamentos do rotor (supondo rotor bobinado):

[ ] =
= t ) ( sin ) ( N
dt
d
N ) t ( e
m s m s m r r r
(7.3)

Esta equao pode ser rescrita como:

e t s E s t
r r s
( ) sin( ) = 2 (7.4)

N
r
o nmero de espiras de cada fase do rotor
m
a velocidade angular do rotor
a posio relativa do rotor
E
r
o valor eficaz da tenso induzida no rotor por fase (para velocidade do rotor igual a zero):
s m r
N
r
E =
s o escorregamento definido por:

s
m s
) (
s

= (7.5)

O modelo por fase de um motor de induo mostrado na figura 7.3.

Vs
+
jX
s
R
s
N
s
N
r
Es
+
Er
+
jX
r
'
R
r
'
s
I'
r
I
s
Vs
+
jX
s
R
s
Vm=Es
+
jX
r
R
r
s
I
r
I
s
jX
m
R
m
I
m
s.Er
+
js.X
r
'
R
r
'
I'
r
(a)
(b)

(c)
Figura 7.3 Modelos circuitais para motor de induo: a) circuito do rotor;
b) com rotor e estator separados, c) com rotor refletido ao lado do estator.

Utilizando o modelo do rotor, onde X
r
representa a indutncia de disperso (na

freqncia
s
) e R
r
a resistncia do enrolamento, obtm-se a corrente do rotor:

I
s E
R j s X
r
r
r r
'
' '
=

+
(7.5)

I
E
R
s
j X
r
r
r
r
'
'
'
=
+
(7.5.a)

O modelo do rotor pode, ento, ser modificado, a fim de que o escorregamento afete
apenas a resistncia do rotor, como se v na figura 7.3.b, onde se inclui tambm um circuito
equivalente para o estator.
Refletindo o lado do rotor para o do estator, tem-se o circuito equivalente mostrado em
7.3.c. Indica-se nesta figura a reatncia de magnetizao, X
m
e a resistncia relativa s perdas
no ferro da mquina, R
m
. A resistncia do enrolamento do estator R
s
e a reatncia de
disperso, X
s
.
As perdas no cobre podem ser estimadas por:

P I R
s s s
= 3
2
(7.6)

P I R
r r r
= 3
2
(7.7)

As perdas no material ferromagntico so estimadas por:

P
V
R
V
R
c
m
m
s
m
=

3 3
2 2
(7.8)

A potncia presente no entreferro da mquina, que aquela que se transfere para o
rotor, :

P I
R
s
g r
r
= 3
2
(7.9)

A potncia desenvolvida pela mquina (e que efetivamente produz o torque
eletromagntico) :

P P P P s
d g r g
= = ( ) 1 (7.10)

O torque desenvolvido :

T
P
P
d
d
m
g
s
= =

(7.11)

A potncia de entrada :

s s s g s c i
cos I V 3 P P P P = + + = (7.12)

onde
s
o ngulo entre I
s
e V
s
.
A potncia de sada a potncia desenvolvida subtrada das perdas mecnicas, P
x

(atrito e ventilao):

P P P
o d x
= (7.13)

A eficincia ser:

= =

+ +
P
P
P P
P P P
o
i
d x
c s g
(7.14)

Sendo P
g
>>(P
c
+P
s
) e P
d
>>P
x
, a eficincia , aproximadamente:

1 s (7.15)

Sendo, normalmente, R
m
muito grande e X
m
2
>>(R
s
2
+X
s
2
), o ramo relativo
magnetizao pode ser representado apenas pela reatncia e colocado na entrada do circuito,
como mostrado na figura 7.4.

Vs
+
jX
s
R
s
jX
r
R
r
s
= I
r
I
s
m
jX
I
m
I
s
Zi

Figura 7.4. Modelo simplificado, por fase, de motor de induo.

A impedncia de entrada do motor (com modelo simplificado) :

( ) ( )
( )
Z
X X X j X R R s
R R s j X X X
i
m s r m s r
s r m s r
=
+ + +
+ + + +
(7.16)

A defasagem entre tenso e corrente na entrada ser:

m
s
r
s r
m s r
s
r
R
R
s
X X
X X X
R
R
s
=
+
+
+
+ +
+

tan tan
1 1
(7.17)

Da figura 7.4, a corrente de rotor :

( )
I
V
R
R
s
X X
r
s
s
r
s r
=
+
|
\
|
+ +
1
]
1
2
2
1 2 /
(7.18)

Substituindo I
r
na expresso da potncia no entreferro e, esta, na expresso do torque
desenvolvido, tem-se:

( )
T
R V
s R
R
s
X X
d
r s
s s
r
s r
=

+
|
\
|
+ +
1
]
1
3
2
2
2
(7.19)

A figura 7.5 mostra uma curva torque - velocidade tpica para um motor alimentado a
partir de uma fonte de tenso senoidal de freqncia e amplitude fixas. Existem 3 regies de
operao:
trao (0<s<1)
regenerao (s<0)
reverso (1<s<2)

0
1 0.5 0 0.5 1 1.5 2
Td
s
Regenerao Trao Reverso
-s s
T
T
T
mm
s
mr
m m
0
2
m
s
s
s

Figura 7.5 Caracterstica torque-velocidade de mquina de induo.

Em trao, o rotor roda no mesmo sentido do campo girante e, medida que o
escorregamento aumenta (partindo do zero), o torque tambm aumenta, de maneira
praticamente linear, enquanto o fluxo de entreferro se mantm constante.
A corrente do rotor dependente da tenso nele induzida e de sua impedncia. A
variao da tenso induzida linear com o escorregamento, enquanto o da impedncia no o
. Para valores pequenos de s (at cerca de 10%, tipicamente), a reatncia do rotor pode ser
desconsiderada (s.X
r
, na equao 7.5). Sendo o rotor praticamente resistivo (e variando

minimamente), a corrente do rotor cresce de modo linear com o escorregamento, o mesmo
ocorrendo com a potncia. Dado que a velocidade praticamente constante (prxima a
s
), o
torque varia de forma praticamente linear com o aumento de s.
Quando as hipteses acima deixam de serem vlidas, ou seja, quando a reatncia do
rotor se torna significativa e a resistncia equivalente passa a diminuir de modo mais
marcante, tem-se uma reduo da potncia (seja pela diminuio da corrente, seja pela menor
frao de tenso aplicada parte resistiva), levando a menores potncia e torque.
A operao normal do motor se d na regio linear, uma vez que, se o torque de carga
exceder T
mm
, o motor, perdendo o seu torque, parar, levando a elevadas perdas no rotor,
devido s altas correntes induzidas.
Na regio de regenerao, o rotor e o campo girante movem-se no mesmo sentido, mas
a velocidade mecnica,
m
, maior do que a velocidade sncrona, levando a um
escorregamento negativo. Como a resistncia equivalente do rotor negativa, isto significa
que a mquina est operando como gerador, entregando potncia para o sistema ao qual est
conectado o estator. A caracterstica torque - velocidade similar quela da operao em
trao, mas com um valor de pico maior (uma vez que o numerador menor do que no caso
de trao).
No modo de reverso, o campo girante gira em sentido oposto ao rotor, levando a um
escorregamento maior do que 1. Isto pode ocorrer quando se faz a inverso na conexo de 2
fases do estator, provocando a mudana no sentido de rotao do campo. O torque produzido
(que tende a acompanhar o campo girante) se ope ao movimento do rotor, levando a uma
frenagem da mquina. O torque presente pequeno, mas as correntes so elevadas. A energia
retirada da massa girante dissipada internamente na mquina, levando ao seu aquecimento,
que pode ser excessivo. Tal modo de operao no normalmente recomendado.
O torque de partida, T
s
, obtido quando s=1. O escorregamento que d o mximo
torque obtido fazendo dT
d
/ds=0:

( )
[ ]
s
R
R X X
m
r
s s r
=
+ +
2
2
1 2 /
(7.20)

Substituindo estes valores na expresso do torque, obtm-se os mximos torques
possveis:

( )
T
V
R R X X
mm
s
s s s s r
=
+ + +
3
2
2
2
2
(7.21)

( )
T
V
R R X X
mr
s
s s s s r
=
+ + +
3
2
2
2
2
(7.22)

Para motores de potncia superior a 1kW, razovel supor que R
s
desprezvel em
relao s outras impedncias do circuito. Isto permite simplificar as expresses, conforme
indicado a seguir:

( )
T
R V
s
R
s
X X
d
r s
s
r
s r
=

|
\
|
+ +
1
]
1
3
2
2
2
(7.23)

( ) ( )
[ ]
T
R V
R X X
s
r s
s r s r
=

+ +
3
2
2 2
(7.24)

r s
r
m
X X
R
s
+
= (7.25)

( )
r s s
2
s
mr mm
X X 2
V 3
T T
+
= = (7.26)

Normalizando (7.23) e (7.24) em relao ao torque mximo:

T
T
s s
s s
d
mm
m
m
=

+
2
2 2
(7.27)

T
T
s
s
s
mm
m
m
=

+
2
1
2
(7.28)

Para s<1 e s
2
<<s
m
2
, o torque normalizado pode, ainda, ser aproximado por:

T
T
s
s s
d
mm m
s m
m s
= =

2
2

(7.29)

A relao linearizada entre torque e velocidade, nesta regio, :

m s
m d
mm
s T
T
=

1
2
(7.30)

A figura 7.6 mostra as curvas aproximadas (desprezando R
s
) e linearizada, na regio
de baixo escorregamento. Na figura 7.7 tem-se o comportamento do fator de potncia.
Na regio de operao em que o escorregamento menor do que s
m
, o motor opera de
modo estvel. Quanto menor a resistncia do rotor, menor ser o valor de s
m
e mais prxima
estar a velocidade mecnica da velocidade sncrona. Assim, nesta regio, o motor opera
praticamente a velocidade constante.

0
0.5
1
0.2 0.4 0.6 0.8
s
Td/Tmm aproximado por (7.27)
0
0.5
1
1.5
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
s
Td/Tmm
aproximao linear (7.29)

Figura 7.6 Caracterstica torque-escorregamento aproximada (desprezando R
s
) e linearizada.
0
0.5
1
0.05 0.1 0.15 0.2
FP
s

Figura 7.7 Fator de potncia do motor.
7.2 Mtodos de controle da velocidade de mquina de induo

Do ponto de vista do acionamento, a velocidade de um motor de induo pode ser
variada das seguintes maneiras
Controle da resistncia do rotor
Controle da tenso do estator
Controle da freqncia do estator
Controle da tenso e da freqncia do estator
Controle da corrente
7.2.1 Controle pela resistncia
Para uma mquina de rotor enrolado possvel, externamente, colocar resistncias que
se somem impedncia prpria do rotor, como mostrado na figura 7.9.a. A variao de Rx
permite mover a curva torque - velocidade da mquina, como mostrado na figura 7.8. Note
que, para um dado torque, o aumento da resistncia do rotor leva a uma diminuio na
velocidade mecnica. Este mtodo permite elevar o torque de partida e limitar a corrente de
partida. Obviamente este um mtodo de baixa eficincia devido dissipao de potncia
sobre as resistncias. O balanceamento entre as 3 fases fundamental para a boa operao da
mquina. Este tipo de acionamento foi usado especialmente em situaes que requeriam
grande nmero de partidas e paradas, alm de elevado torque. Os resistores podem ser
substitudos por um retificador trifsico que enxerga uma resistncia varivel, determinada,
por sua vez, pelo ciclo de trabalho do transistor de sada, como mostrado na figura 7.9.b.
Outros arranjos, utilizando retificadores controlados, permitem que, ao invs de
dissipar energia sobre a resistncia externa, se possa envi-la de volta para a rede. A relao
entre a tenso CC definida pelo retificador e a corrente I
d
refletem para os enrolamentos do
rotor a resistncia equivalente. Este arranjo mostrado na figura 7.9.c.

0
0.5
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8
m
Td/Tmm
Rr
5Rr
10Rr
s

Figura 7.8 Caracterstica torque - velocidade para diferentes valores de resistncia de rotor.

Estator
Rotor
Rx
Rx
Rx
Estator
Rotor
Retificador
R
Ld
(a)
(b)
Estator
Rotor
Retificador
Ld
(c)
Retificador
Controlado
Id
Vd Vdc Trafo Rede
Vdc
Id
Vd

Figura 7.9 Controle de velocidade por variao da resistncia da armadura.
7.2.2 Controle pela tenso de alimentao do estator
Da equao do torque v-se que ele proporcional ao quadrado da tenso aplicada ao
estator. Assim para um dado torque, uma reduo na tenso produz uma diminuio na
velocidade (um aumento no escorregamento), como mostrado na figura 7.10.
Este tipo de acionamento no aplicvel a cargas que necessitem de torque constante,
nem elevado conjugado de partida. A faixa de ajuste de velocidade relativamente estreita e
feita ao custo de uma reduo significativa do torque disponvel. Quando a curva do torque da
carga cruza a curva da mquina alm do ponto de torque mximo, no possvel o
acionamento. Motores construdos para este tipo de acionamento so denominados de classe
D e possuem elevada resistncia de rotor, de modo que a faixa de variao de velocidade se
torne maior e no seja muito severa a perda de torque em baixas velocidades.

0.2 0.4 0.6 0.8
0.5
1
wm
ws
Td Torque da carga
100% Vs
75% Vs
50% Vs

Figura 7.10. Caractersticas torque - velocidade para diferentes valores de tenso de
alimentao.

A tenso do estator pode ser variada por meio de um controlador de tenso CA,
formado por tiristores, operando com controle de fase. Sua simplicidade justifica seu uso em
sistemas de baixa performance e potncia, como ventiladores e bombas centrfugas, que
precisam de baixo torque de partida. Outra possibilidade o uso de um inversor trifsico,
operando com freqncia constante e tenso ajustvel, seja variando a tenso CC, por uso de
MLP. O fato de a tenso de partida ser reduzida permite uma limitao na corrente de partida.
A figura 7.11 mostra, esquematicamente, os acionamentos.

Inversor
Trifsico
estator estator
Rede
Controlador
CA Vcc

(a) (b)
Figura 7.11 Controle da tenso de estator por inversor (a) e controlador CA (b).
7.2.3 Controle pela variao da freqncia
Como se v na eq. 7.19, o torque e a velocidade de um motor de induo podem ser
variados controlando-se a freqncia da fonte de alimentao.
Nos valores nominais de tenso e freqncia, o fluxo de entreferro da mquina
tambm estar em seu valor nominal. Se a tenso for mantida constante e a freqncia
diminuda, o fluxo aumentar, levando saturao da mquina, alterando os parmetros da
mquina e a caracterstica torque - velocidade. Em baixas freqncias, com a queda no valor
das reatncias, as correntes tendem a se elevar demasiadamente. Este tipo de controle no
normalmente utilizado.
Se a freqncia for aumentada acima do valor nominal, fluxo e torque diminuem. Se a
velocidade sncrona freqncia nominal for denominada
b
(velocidade base), a velocidade
sncrona e o escorregamento em outras freqncias de excitao sero:

s b
b = (7.31)

b
m
b
m b
b
1
b
b
s

=

= (7.32)

A expresso para o torque ser:

( )
T
R V
s b R
R
s
b X b X
d
r s
b s
r
s r
=

+
|
\
|
+ +
1
]
1
3
2
2
2
(7.33)

As curvas tpicas de torque - velocidade para diferentes valores de b esto mostradas
na figura 7.12. Abaixo da velocidade base o torque deve ficar limitado ao seu valor nominal.
A elevao da freqncia permite aumentar a velocidade, s custas da perda do torque. Esta
caracterstica similar dos motores de corrente contnua quando se faz a elevao da
velocidade pelo mtodo do enfraquecimento do campo.
Uma alimentao deste tipo pode ser obtida por meio de um inversor que fornea uma
tenso constante (valor eficaz), variando apenas a freqncia.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.5 1 1.5 2 2.5
Td/Tm
b=1
b=1.5
b=2
b=2.5
m=
b
* b b>1

Figura 7.12 Caracterstica torque - velocidade com controle da freqncia.
7.2.4 Controle da tenso e da freqncia
Se a relao entre a tenso e a freqncia da alimentao do motor for mantida
constante, o fluxo de entreferro no se altera, de modo que o torque mximo no se altera. A
figura 7.13 mostra a caracterstica torque - velocidade para uma excitao deste tipo, para
velocidades abaixo da velocidade base.

0
0.167
0.333
0.5
0.667
0.833
1
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
T( ) , s 1
T( ) , s .8
T( ) , s .6
m
= b *
b
b<1

Figura 7.13 Caracterstica torque - velocidade com controle de tenso/freqncia.

Uma vez que a tenso nominal da mquina no deve ser excedida, este tipo de
acionamento aplica-se para velocidades abaixo da velocidade base. O acionador mais usual
do tipo inversor com controle MLP ou de onda quase-quadrada, que permita ajustar
simultaneamente tenso e freqncia. Um inversor de onda quadrada necessita de uma tenso
no barramento CC varivel. Para velocidades muito baixas pode-se ainda fazer uso de
cicloconversores (conversores CA-CA).
medida que a freqncia se reduz, o fluxo de entreferro tende a diminuir devido
queda de tenso na impedncia srie do estator, levando reduo na tenso aplicada sobre a
reatncia de magnetizao, o que conduz necessidade de se elevar a tenso em tais situaes
para se manter o torque.
7.2.5 Controle da corrente
O torque do motor de induo pode ser controlado variando-se a corrente do rotor. No
entanto, como se tem acesso corrente do estator, ela que pode ser objeto de controle direto.
A corrente e o torque produzido podem ser rescritos como:

( )
r s m
r
s
m i
r
X X X j
s
R
R
X jI
I
+ + + +
= (7.34)

( )
1
]
1
+ + +
|
\
|
+

=
2
r s m
2
r
s s
2
i m r
d
X X X
s
R
R s
) I X ( R 3
T (7.34.a)

O torque de partida (s=1) dado por:

( ) ( ) [ ]
2
r s m
2
r s s
2
i m r
s
X X X R R
) I X ( R 3
T
+ + + +

= (7.35)

O escorregamento para o torque mximo :

( )
s
R
R X X X
m
r
s m s r
=
+ + +
2
2
(7.36)

Desprezando o efeito da impedncia do estator, o torque mximo expresso por:

( )
T
L
L L
I
m
m
m r
i
=

+

3
2
2
2
(7.37)

A figura 7.14 mostra a caracterstica torque - velocidade para diferentes valores de
corrente de entrada.

0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
T
m
I1
I2
I3
I1>I2>I3

Figura 7.14 Caracterstica torque - velocidade com acionamento por controle de corrente.

O torque mximo praticamente independente da freqncia. Na partida (s=1) o valor
R
r
/s reduzido, de modo que a corrente que flui pela indutncia de magnetizao pequena,
produzindo um baixo fluxo e, consequentemente, um pequeno torque. medida que a
mquina se acelera o escorregamento diminui e aumentam a corrente de magnetizao, o
fluxo e o torque, caminhando no sentido da saturao do material ferromagntico.
A fim de evitar saturao, o motor normalmente acionado na regio instvel da curva
torque - velocidade, o que s possvel em malha fechada e com controle sobre a tenso
terminal da mquina (para impedir a sua saturao).
Uma corrente com valor eficaz constante pode ser suprida por inversores de corrente.
Tais inversores so obtidos tendo no barramento CC uma fonte de corrente contnua,
tipicamente realizada por um indutor, sobre o qual controlada a corrente. Tcnicas tipo MLP
so tambm possveis, desde que o inversor seja adaptado para tal situao. Isto significa que
as chaves devem permitir passagem de corrente em apenas um sentido, sendo capazes de
bloquear tenses com ambas polaridades. A figura 7.15 mostra as chaves semicondutores
utilizadas nos diferentes tipos de inversores.
I+ I-
V+
I+
V+
V-
Chave para
Inversor de tenso
Chave para
Inversor de corrente

Figura 7.15 Chaves semicondutoras para inversores de tenso e de corrente.
7.3 Inversores de tenso

As topologias dos inversores de tenso utilizadas no acionamento de mquinas
eltricas no possuem diferenas significativas em relao quelas j descritas para a
realizao de inversores de freqncia fixa. O que os diferencia o circuito de controle que
deve produzir, quando necessrio, um sinal de referncia com freqncia varivel.
7.4 Inversores de corrente
O uso de inversores de corrente ocorre principalmente em aplicaes de grande
potncia, nas quais no necessria uma rpida resposta dinmica, tais como: ventiladores e
bombas, guindastes, esteiras rolantes, acionamento de veculos pesados. Dada a alta potncia
envolvida, solues topolgicas que utilizam SCRs e GTOs (Gate Turn-Off Thyristors) so
interessantes. No primeiro caso (SCRs) como a alimentao em corrente contnua, faz-se
necessrio o uso de algum tipo de comutao forada para permitir o desligamento dos
tiristores. Com GTOs possvel utilizar tcnicas do tipo MLP.
A tenso observada na entrada das mquinas praticamente senoidal. Este fato indica
o uso destes conversores para o acionamento de mquinas eltricas (especialmente as de
construo mais antiga) cuja isolao da fiao, em funo do isolante utilizado, no admite
taxas de variao da tenso (dv/dt) muito elevadas.
Uma estrutura genrica para um sistema de acionamento de motores CA em corrente
mostrada na figura 7.16. O nvel da corrente CC sobre a indutncia de alisamento, L,
ajustado pelo retificador (conversor CA-CC) de entrada. A freqncia das correntes alternadas
na sada do inversor (conversor CC-CA) determinada pelo circuito de comando do inversor.
Este inversor pode possuir diferentes topologias, como se ver a seguir.
Esta estrutura permite, pelo ajuste adequado do ngulo de disparo da ponte
retificadora, a regenerao de energia, ou seja, a energia retirada do motor acionado pode
refluir para a rede, bastando para tanto que, momentaneamente, a tenso mdia na sada do
retificador seja negativa.

Controle de fase
Linha
Motor ca
L Icc
Vcc
Controle de frequncia

Figura 7.16 Estrutura bsica de sistema para acionamento em corrente de mquina ca.
7.4.1 Inversor a tiristores
A figura 7.17 mostra a topologia de um inversor de corrente trifsico utilizando SCRs.
A mquina representada por um circuito RL e uma tenso E, de forma senoidal. A operao
adequada do conversor exige que exista, a todo instante, pelo menos uma fase de cada
semiponte (superior e inferior) em conduo, para dar vazo corrente. Em caso de
necessidade, a chave auxiliar Sw propicia um caminho alternativo para a corrente. Os
capacitores utilizados so os responsveis pela comutao dos tiristores, como se ver na
seqncia.
A seqncia dos sinais de comando dos tiristores est indicada na figura 7.18, para um
dado sentido de rotao. Mostra-se tambm a forma das correntes no motor para conexes em
estrela e em tringulo.
Para analisar o funcionamento deste circuito, consideremos que, inicialmente, os
tiristores T1 e T2, bem como os diodos D1 e D2, estejam em conduo. A corrente flui pelas
fases A e C. A figura 7.19.a mostra esta situao topolgica. O capacitor C1 est carregado
com a polaridade indicada, C5 est carregado com a mesma tenso de C1, com a polaridade
indicada na figura 7.19a. C3 est descarregado.
No instante t1 cessa-se de enviar o sinal de acionamento para T1 e comanda-se a
entrada em conduo de T3. Para que T1 efetivamente desligue necessrio que sua corrente
v a zero. Com a conduo de T3, a corrente circula pelos capacitores como indicado na
figura 7.19.b, ou seja, descarregando C1 e C5 e carregando C3. Por C1 circula 2/3 da corrente,
enquanto por C3 e C5 (que aparecem em srie) circula o restante 1/3. A corrente da fase A
permanece inalterada e D1 segue conduzindo. A variao das tenses nos capacitores linear.
A tenso em C1 se inverte e quando o potencial do ponto b se torna maior do que em
B, o diodo D3 se torna diretamente polarizado, levando ao desligamento de D1. Como a carga
indutiva, a transferncia da corrente de uma fase para outra no instantnea, de modo que,
por alguns instantes a corrente coexiste em ambas as fases, embora sua soma seja constante,
como indicado na figura 7.19.c.
Neste intervalo, ocorre uma ressonncia entre as capacitncias do circuito e as
indutncias da carga, levando a uma elevao importante na tenso V
BA
acima do valor da
tenso produzida pela mquina (E). Estes picos de tenso so tpicos destes conversores e
devem ser considerados no dimensionamento dos elementos. Este intervalo termina com os
capacitores C1 e C3 carregados como mostrado na figura 7.19.d estando C5 com tenso nula.
A figura 7.20 mostra uma forma de onda tpica da tenso entre fases deste tipo de inversor.

Icc
Sw
T1
T3
T5
D1 D3 D5
-Vca+
C5
C3 C1
+Vab- +Vbc-
a
b
c
N D4 D6 D2
C4
C6
C2
T4
T6
T2
-Vtr+
+Vrs- +Vst-
B
E
A
E
C
E
R Ls

Figura 7.17 Topologia de um inversor de corrente trifsico utilizando SCRs

T1
T3
T5
T4
T6
T2
Conexo estrela
Conexo tringulo
Icc
-Icc
2
2/3 Icc
Comando dos tiristores
t1

Figura 7.18. Conduo dos tiristores e formas de corrente na carga.

T1
T3
T5
D1 D3 D5
+ -
C5
C3 C1
+ -
a
b
c
N D4 D6 D2
C4
C6
C2
T4
T6
T2
-Vtr+
+Vrs- +Vst-
B
E
A
E
C
E
R Ls
Icc
T1
T3
T5
D1 D3 D5
C5
C3 C1
+ -
+ -
a
b
c
N D4 D6 D2
C4
C6
C2
T4
T6
T2
-Vtr+
+Vrs- +Vst-
B
E
A
E
C
E
R Ls
Icc
+ -
T1
T3
T5
D1 D3 D5
C5
C3 C1
- + + -
a
b
c
N D4 D6 D2
C4
C6
C2
T4
T6
T2
-Vtr+
+Vrs- +Vst-
B
E
A
E
C
E
R Ls
Icc
T1
T3
T5
D1 D3 D5
C5
C3 C1
- +
+ -
a
b
c
N D4 D6 D2
C4
C6
C2
T4
T6
T2
-Vtr+
+Vrs- +Vst-
B
E
A
E
C
E
R Ls
Icc
+ -
V
BA
(c)
(d)
(a)
(b)

Figura 7.19. Estgios de operao do inversor fonte de corrente com tiristores.

Figura 7.20 Forma de onda tpica de tenso de linha para inversor de corrente a tiristores.
7.4.1.1 Funcionamento na partida
importante analisar tambm o comportamento do circuito no incio de operao,
quando todos os capacitores esto descarregados. A tenso E vale zero e no h queda sobre
as indutncias da carga (pois a corrente suposta constante)
Consideremos que T1 e T2 estejam conduzindo uma corrente ICC. Num primeiro
momento a corrente da semiponte superior circula por 2 caminhos:
T1, D1, fase A, fase C, D2, T2
T1, capacitores, D5, D2, T2
O capacitor C5 se carrega at o valor da tenso V
AC
=2.ICC.R, quando D5 deixa de
conduzir. Como os capacitores C1 e C3 esto conectados em srie, sobre cada um deles tem-
se a metade de tal tenso.
Quanto T3 acionado, a tenso sobre C1 polariza reversamente T1 e, com a corrente
passando a fluir por T3, T1 desligar. Ao mesmo tempo D3 entra em conduo e a corrente
vai se transferindo da fase A para a fase B. Assim, nesta primeira comutao no existe o
intervalo em que os capacitores se carregam linearmente (pois E=0). Quando o motor inicia a
girar, surge uma tenso induzida E e as prximas comutaes seguem a seqncia descrita
anteriormente.
A tenso sobre o capacitor C1 deve ser suficiente para manter T1 reversamente
polarizado durante o tempo necessrio para garantir seu desligamento (tipicamente, dezenas
de microsegundos). Ou seja, para uma dada corrente, h uma tenso mnima que permite o
funcionamento correto do conversor. Um aumento nesta tenso pode ser obtido se a corrente
ICC apresentar (nos primeiros ciclos) uma ondulao significativa, o que faz com que a
componente indutiva da carga tambm contribua com a tenso.
A figura 7.21 mostra uma estrutura em ponte dupla e que opera segundo o mesmo
princpio descrito. Neste caso, deve haver um circuito adicional para fazer uma pr-carga nos
capacitores. As polaridades marcadas nos capacitores indicam as polaridades necessrias para
a comutao dos tiristores em conduo. A figura ilustra um exemplo de comutao de T3,
quando T5 entra em conduo. Os tiristores auxiliares (T1a, T2a, etc.) servem para proceder
ao desligamento dos tiristores principais, atuando apenas durante as comutaes.
7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO)
Se a chave semicondutora permite desligamento comandado, como o caso dos
transistores e GTOs, pode-se aplicar tcnicas de modulao de largura de pulso, semelhana
do que se faz com os inversores de tenso. A figura 7.22 mostra uma topologia deste tipo.
O interruptor deve permitir passagem de corrente num nico sentido e ser capaz de
bloquear tenses com ambas polaridades. Deve-se garantir que haja sempre uma chave em
conduo em cada semiponte.
Como a impedncia da carga indutiva, necessria a colocao de capacitores na
sada do inversor de modo a acomodar as diferenas instantneas dos valores das correntes de
entrada e da carga. Tais capacitncias podem provocar ressonncias com as componentes
indutivas do circuito, devendo-se controlar a tenso sobre os capacitores.

E E E
A B C
T1
T4
T4a
T1a
T3a T3
T6 T6a
T5 T5a
T2 T2a
Icc
+ +
+

Figura 7.21 Inversor fonte de corrente trifsico em ponte dupla.

Icc
Carga
Cf

Figura 7.22 Inversor fonte de corrente MLP utilizando IGBT.

M. P. Kazmierkowiski and H. Tunia: Automatic Control of Converter-Fed Drives. Elsevier,
Amsterdam, 1994.

N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics: Converters, Applications
and Design. John Wiley & Sons, New York, 1994.

M. H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, Prentice Hall
International, Inc., Englewood Cliffs, 1993.

S. B. Dewan, G. R. Slemon and A. Straughen: Power Semiconductor Drives. John Wiley &
Sons., New York, 1984

7. CONVERSORES CC-CA PARA ACIONAMENTO DE MQUINA DE INDUO
TRIFSICA........................................................................................................................... 7-1
7.1 Modelamento da mquina de induo trifsica ......................................................... 7-1
7.2 Mtodos de controle da velocidade de mquina de induo ..................................... 7-9
7.2.1 Controle pela resistncia.................................................................................... 7-9
7.2.2 Controle pela tenso de alimentao do estator............................................... 7-10
7.2.3 Controle pela variao da freqncia............................................................... 7-11
7.2.4 Controle da tenso e da freqncia.................................................................. 7-12
7.2.5 Controle da corrente ........................................................................................ 7-13
7.3 Inversores de tenso................................................................................................. 7-14
7.4 Inversores de corrente.............................................................................................. 7-14
7.4.1 Inversor a tiristores .......................................................................................... 7-15
7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO) ......................................................................... 7-18
7.5 Referncias Bibliogrficas....................................................................................... 7-19

8. INVERSORES DE TENSO COM COMUTAO SUAVE

Nas topologias em que as chaves semicondutoras comutam a corrente total da carga a
cada ciclo, elas ficam sujeitas a picos de potncia que colaboram para o "stress" do
componente, reduzindo sua vida til. Alm disso, elevados valores de di/dt e dv/dt so
potenciais causadores de interferncia eletromagntica (IEM).
Quando se aumenta a freqncia de chaveamento, buscando reduzir o tamanho dos
elementos de filtragem e dos transformadores, as perdas de comutao se tornam mais
significativas sendo, em ltima anlise, as responsveis pela limitao da freqncia mxima
de operao dos conversores.
Por outro lado, caso a mudana de estado da chave ocorra quando tenso e/ou corrente
por ela seja nula, o chaveamento se faz sem dissipao de potncia.
A fim de eliminar ou minimizar as perdas que ocorrem nos chaveamentos dos
semicondutores, as quais, para freqncias elevadas limitam a aplicao dos semicondutores,
tm sido criados circuitos que, nas transies de estado das chaves, produzem uma situao de
tenso e/ou corrente nulas, minimizando, consequentemente, a potncia dissipada nestes
momentos. Estes processos so denominados de comutao suave (soft-commutation).
Quando a comutao se d com tenso nula nos terminais do interruptor, ela denominada de
ZVS (do ingls Zero Voltage Switching). Quando a comutao acontece com corrente nula,
chamada de ZCS (do ingls Zero Current Switching).
O uso de comutao forada (hard-commutation) em inversores, at um passado
recente, era limitado a freqncias em torno de 5kHz (para IGBTs e transistores bipolares), o
que trazia grande incmodo oriundo do rudo acstico, alm de pobres resultados em termos
de harmnicas de corrente sobre a carga. A elevao da freqncia era invivel por causa da
excessiva perda de potncia no chaveamento. Desta poca datam os primeiros circuitos para
comutao suave, objetivando elevar a freqncia no mnimo para 20kHz, eliminando os
efeitos audveis do chaveamento.
Melhorias na tecnologia de construo, especialmente dos IGBTs, torna possvel
oper-los nos dias de hoje a 20kHz sem necessidade de comutao suave. O interesse por
estas tcnicas se mantm, no entanto, pela possibilidade de se trabalhar sempre com menores
contedos harmnicos de corrente sobre a carga.
Por outro lado, em aplicaes de potncia mais elevada, nas quais GTO e SCR so os
nicos componentes possveis, as limitaes de freqncia ainda so muito severas, tornando
o uso de comutao suave muito importante.
Diferentes tcnicas de controle podem ser utilizadas, como se ver na seqncia,
sendo, no entanto, prefervel a Modulao por Largura de Pulso. Obviamente circuitos que
produzam mnimas sobre-tenso e sobre-corrente pelos interruptores so mais interessantes.

8.1 Inversor com Link CC Ressonante

Dentre as primeiras propostas para produo de comutaes suaves em inversores de
tenso est o circuito mostrado na figura 8.1.
Em relao topologia convencional, tem-se a adio de um circuito ressonante, L-C,
no lado CC do conversor. Este circuito ressonante, mediante um controle adequado do
interruptor S, permite manter uma oscilao que leva periodicamente a zero a tenso v
c
. Nos
instantes em que esta tenso se anula possvel ligar ou desligar os interruptores sem dissipar
potncia. A conduo de S permite armazenar a energia necessria em L de modo a garantir
que a tenso em C se anule.
O mesmo efeito de controle da energia armazenada na indutncia ressonante pode ser
feito com o comando adequado dos interruptores da ponte inversora, prescindindo assim da
chave adicional. As formas de onda da corrente pela indutncia e tenso v
c
esto mostradas na
figura 8.2.

E
+
v
c
C
L
i
L
carga
I
o
S
D

Figura 8.1. Inversor com link CC ressonante
i
L
v
C
Io
D S

Figura 8.2. Formas de onda do conversor

Consideremos que a carga tem uma caracterstica indutiva, como um motor de
induo. Quando a tenso se anula, como a corrente i
L
menor do que a corrente Io, o diodo
D conduz, suprindo a diferena da corrente. Durante a conduo de D enviado o sinal de
comando para S o qual entra em conduo quando a corrente do indutor se torna maior do que
a da carga. A corrente tem uma variao linear neste intervalo. O interruptor desligado (sob
tenso nula) quando a energia acumulada em L for suficiente para garantir que, no prximo
ciclo, a tenso volte a se anular.
Os inconvenientes desta estrutura so basicamente dois:
A tenso mxima sobre os interruptores apresenta picos com o dobro do valor da tenso
CC.
Sendo possvel realizar a comutao apenas nos instantes em que a tenso nula, este
conversor no se presta ao uso de MLP.
Como vantagem pode-se citar a sua grande simplicidade, sendo possvel aplic-la em
freqncias de at 100kHz (com IGBTs)
Como no se pode usar MLP, o controle feito por Modulao de Densidade de
Pulsos - MDP. Nesta tcnica, como mostra a figura 8.3., entregam-se carga "pacotes" de
energia que possuem uma durao constante (no caso igual ao perodo de ressonncia). A
quantidade destes "pacotes" em um certo perodo (relativo freqncia que se deseja na sada)
permite alterar o valor mdio da tenso sobre a carga. A polaridade determinada pela
conduo dos interruptores da semiponte superior (tenso positiva na sada) ou da semiponte
inferior (tenso negativa na sada). Assim, a variao da tenso discreta, enquanto em MLP
contnua.
A tcnica MDP tanto mais eficiente quanto maior a freqncia de ressonncia em
relao freqncia fundamental que se quer na sada. Estudos indicam que para uma dada
freqncia de ressonncia, o contedo espectral do sinal de sada equivalente ao de um
conversor MLP com freqncia de chaveamento 10 vezes menor. Ou seja, um conversor deste
tipo operando a 50kHz produz sobre a carga um contedo harmnico semelhante ao de um
conversor operando em MLP a 5kHz.

Figura 8.3. Sinal modulado em MDP e sua componente fundamental.

8.2 Inversor com Link CC Ressonante com limitao da sobre-tenso

Com a alterao indicada na figura 8.4 a sobre-tenso presente na alimentao do
inversor drasticamente limitada. Utiliza-se um interruptor auxiliar e um capacitor adicional
para limitar o pico de tenso a um valor pouco superior quele da alimentao CC. A figura
8.5. mostra as formas de onda no circuito ressonante.

E
+
V
c
C
L
i
L
carga
i
L
Cc
Sc
+
K.E

Figura 8.4. Circuito com limitao da sobre-tenso.

O capacitor Cc pr-carregado com uma tenso K.E, onde K varia tipicamente entre
0,2 e 0,4 (ou seja, com uma sobre-tenso de 20% a 40%). Quando a tenso no capacitor
ressonante atinge este nvel, o diodo em antiparalelo com o transistor Sc entra em conduo.
Cc muito maior que C, de modo que a tenso fica limitada. O controle adequado de Sc
permite controlar a tenso sobre Cc.
A tcnica de modulao MDP, ou seja, as comutaes s ocorrem em instantes
discretos.
Consideremos que antes de to o interruptor Sc est conduzindo. A tenso v
link
fica
limitada e a corrente da carga (suposta constante num curto intervalo de tempo) circula por Cc
(o qual, para no se descarregar muito deve ter um valor relativamente elevado). Em to Sc
desligado e a corrente de sada fornecida por C. Note-se que neste instante a corrente i
L

negativa e ser suprida tambm por C. No instante t1 a tenso sobre C se anula e inicia-se um
perodo de livre-circulao pelos diodos da ponte inversora. Nesta situao os interruptores
so desligados sob tenso e corrente nulas.
A corrente i
L
, que est crescendo linearmente entre t1 e t2, se torna maior do que a
corrente da carga em t2, iniciando a recarga do capacitor, de forma ressonante. Quando esta
tenso atinge o valor da tenso presente em Cc, em t3, o diodo em antiparalelo com Sc
conduz, limitando a tenso. O excesso de corrente i
L
em relao a I
s
recarrega Cc. Aps t3,
at T, a corrente varia linearmente. Entre t3 e t4 a conduo se faz pelo diodo, mas quando a
corrente pelo indutor se torna menor do que a corrente da carga, a corrente comea a circular
por Sc. Isto significa que este interruptor deve ter sido acionado ainda durante a conduo do
diodo. Aps t4 conduz Sc, o qual ser desligado em T, reiniciando o ciclo. O controle
adequando de Sc permite manter constante a tenso sobre Cc.

i
L
V
c
(1+K)E
Is
to t1
t2 t3 t4 T
Sc C
Diodos
C D(Sc)
Sc

Figura 8.5. Formas de onda no circuito ressonante.

8.3 Inversor MLP com Link Quase-ressonante

A principal limitao dos conversores precedentes a no possibilidade de uso de
MLP no acionamento da carga. Alm disso, a presena de indutor em srie com a
alimentao, considerando nveis relativamente elevados da corrente, produz perdas
significativas (que crescem com o quadrado da corrente), exigindo esforos para sua
refrigerao e reduzindo a eficincia do conversor.
Diversas outras topologias foram propostas com o objetivo de reduzir perdas e usar
MLP, sem um aumento excessivo na complexidade dos circuitos. A figura 8.6. mostra um
circuito que praticamente supera ambas restries apontadas.
Note-se a presena de capacitores em paralelo com os interruptores da ponte. Um
capacitor colocado em tal posio permite o desligamento do transistor sob tenso nula, em
qualquer momento. Esta tcnica conhecida por ZVS - Zero Voltage Switching.
A possibilidade de desligar qualquer chave a qualquer momento (embora o instante de
entrada em conduo seja determinado pelo link ressonante) garante a realizao de um
controle MLP.
Em srie com a alimentao tem-se um interruptor, cujas perdas em conduo crescem
com o valor da corrente (e no seu quadrado), permitindo menores perdas, alm de uma
proteo contra sobre-correntes.

E
carga RL
Ce
+
Ve
Lr
V
link
Sm
Dm
Sr Dr
i
s
i
L
T1
T2
Cs
Cs Cs
Cs Cs Cs
io
T3 T5
T4 T6

Figura 8.6. Inversor com link CC quase-ressonante
8.3.1 Princpio de operao
Como se trata de um inversor de tenso, tipicamente 2 interruptores de uma semiponte
e 1 interruptor da outra semiponte estaro conduzindo a cada instante, existindo ainda
intervalos de livre-circulao.
Consideremos as formas de onda mostradas na figura 8.7.
No intervalo anterior a to o interruptor S
m
(ou o diodo D
m
) esto conduzindo a corrente
da carga, i
o
, mantendo a tenso V
link
no valor da tenso de entrada. Os capacitores conectados
junto aos interruptores da ponte que no conduzem esto, assim, carregados com a tenso E.
A tenso no capacitor Ce (de alta capacitncia) mantida em aproximadamente E/2.
Em to, o interruptor Sr ligado (sob corrente nula). A corrente por Lr cresce
linearmente at atingir um nvel adequado, no instante t1. Neste momento S
m
desligado (sob
tenso nula, pois V
link
=E) e inicia-se uma ressonncia entre Lr e os capacitores de snubber,
Cs. A tenso v
link
se reduz at o zero (em t2), quando os diodos em antiparalelo com os
transistores entram em conduo. Nesta situao, quaisquer dos interruptores da ponte podem
ser ligados sob tenso nula. Por exemplo, ligam-se T1, T2, T4 e T6.
A corrente passa a decair linearmente, invertendo sua polaridade em t3, quando passa
a circular via Dr (permitindo desligar Sr sem perdas).
Quando a corrente i
L
atinge um valor adequado, igual soma das correntes positivas
da carga (em t4), alguns transistores da ponte, selecionados de acordo com a estratgia de
modulao, so desligados (por exemplo T2), causando o aumento da tenso v
link
de uma
forma ressonante at atingir a tenso E (em t5). O diodo D
m
passa a conduzir, limitando a
tenso. Aps t5 a corrente i
L
passa a ter uma variao linear, indo a zero. Durante a conduo
de D
m
d-se o comando para S
m
, o qual entra em conduo sob corrente nula, repetindo o
ciclo.
Como se nota, o instante de entrada em conduo dos transistores da ponte deve
ocorrer durante o intervalo em que a tenso v
link
nula e o seu desligamento pode ocorrer a
qualquer momento, garantindo um comando tipo MLP.

i
L
v
link
E
to t1 t2 t3 t4 t5
Ir1
Ir2
Sm Sm e Sr
Diodos
Sr
T1
T2
Ressonncia
Dm, Sm, Dr Sr
Dr
Dr
T1/T4/T6
T4
T6
T1/T4/T6

Figura 8.7. Formas de onda do inversor com link CC quase-ressonante
Os limites I
r1
e I
r2
devem ser mantidos nos mnimos possveis para reduzir as perdas no
circuito ressonante. O valor I
r1
pode ser obtido de:

I I I
E V E C
Lr
r m
e se
1 1 01
2
= + +
( )
(8.1)

onde I
01
o valor da corrente Io (soma das correntes positivas pelas fases da carga) no instante
t1, a qual suposta constante no intervalo (t2-t1). I
m1
uma margem que leva em conta as
perdas no circuito ressonante e tambm assegura uma corrente no indutor Lr que torne o
intervalo (t2-t1), no qual a tenso se reduz, curto o suficiente. Este mesmo parmetro usado
para manter constante a tenso Ve. C
se
a capacitncia equivalente com a qual se realiza a
ressonncia.

C C
se s
= 3 (8.2)

Como I
o1
normalmente positiva, I
r1
cresce com o aumento da carga.
O valor I
r2
deve satisfazer a duas exigncias: a corrente deve ser suficiente para
assegurar que a oscilao seja completa e que a tenso atinja o valor E; adicionalmente, o
balano de carga em Ce deve ser respeitado para manter sua tenso constante em regime.
Pode-se ainda garantir que a tenso v
link
atinja o valor E usando-se uma tenso V
e

maior do que E/2.
Caso o valor I
r2
seja menor do que a soma das correntes positivas da carga, a oscilao
no se inicia instantaneamente. Como a livre-circulao prossegue, a corrente i
L
continua a
crescer (negativamente), at igualar-se a Io, quando se inicia efetivamente a ressonncia.
Observe que o controle do circuito ressonante necessita do monitoramento da corrente
Io e da corrente i
L
.
O valor dos capacitores Cs escolhido em funo dos tempos de desligamento dos
transistores e da mxima corrente de carga.
O intervalo (t4-t2), no qual ocorre livre-circulao, dado aproximadamente por:

( ) t t
I Lr
Ve
r
4 2
2
1
=

(8.3)

Lr deve ser escolhido como um compromisso entre um mnimo pico de corrente (valor
mnimo) e um intervalo (t4-t2) suficientemente longo ( mxima corrente), que permita ao
comando ligar os transistores da ponte.
Em algumas situaes a corrente de carga pode assumir valores baixos, seja nos
cruzamentos com o zero, seja pela variao da carga propriamente dita.
Correntes baixas significam que o processo de descarga dos capacitores de snubber
(t2-t1) se far lentamente, afetando a forma de onda aplicada carga, que no ser mais uma
onda quadrada, mas ter uma das bordas muito suavizada. Obviamente o controle MLP fica
afetado.
Sintetizando, como vantagens deste circuito tm-se:
Controle MLP;
Reduo nas perdas do circuito ressonante;
Reduo na potncia reativa em circulao.
Com desvantagens cita-se:
Necessidade de monitorar a tenso Ve e as correntes i
L
e Io;
Distoro do controle MLP para baixas correntes de carga;
O instante de entrada em conduo dos transistores no livre.

8.4 Inversor com polo ressonante auxiliar
Esta estrutura pertence famlia dos conversores com polo ressonante.
Diferentemente dos esquemas precedentes, neste caso cada ramo do inversor possui seu
prprio circuito auxiliar para a realizao de comutao suave, de modo que cada ramo livre
para comutar a qualquer instante, permitindo o uso de modulao MLP.
A desvantagem o maior nmero de componentes ativos e passivos.
A figura 8.8. mostra o esquema para uma fase.
Os capacitores em paralelo com os interruptores S1 e S2, C1 e C2, permitem um
desligamento sob tenso nula, a qualquer momento. O funcionamento da estrutura deve ser tal
que, antes da conduo dos interruptores, os diodos em antiparalelo conduzam, descarregando
os capacitores de snubber.
A sobre-corrente presente no indutor ressonante tipicamente de 1,3 a 1,8 p.u.. A
atuao do circuito auxiliar deve se reduzir a um intervalo de 1/10 a 1/20 do ciclo de
chaveamento, o que significa que o valor RMS, apesar do maior pico de corrente, bastante
reduzido.

S2
ir
V
p
i
o
Cr/2
S1
Cr/2
SA1 SA2
E/2
E/2
C1
C2
Lr
DA2
DA1
D2
D1
Figura 8.8. Ramo de inversor com polo ressonante auxiliar.
8.4.1 Princpio de funcionamento do circuito auxiliar de comutao
A figura 8.9. mostra as formas de onda da tenso sobre um interruptor (S2, no caso) e
a corrente pelo indutor. A hiptese que a corrente da carga constante durante cada perodo
de chaveamento.
Suponhamos que inicialmente tem-se um intervalo de livre-circulao, com a corrente
da carga circulando por D2. Assim , v
p
zero e o capacitor C1 est carregado com a tenso
total da entrada, E.
No instante to a chave SA2 entra em conduo (juntamente com DA1) sob corrente
nula. A corrente por Lr cresce linearmente pois D2 continua a conduzir. Ao mesmo tempo
manda-se um sinal para ligar S2, o qual no conduz imediatamente porque o diodo D2 est
conduzindo. Quando a corrente i
r
se iguala corrente da carga, em t1, o diodo D2 desliga e S2
comea a conduzir (corrente nula), mantendo o crescimento linear da corrente por Lr acima do
valor da corrente de sada. A corrente por S2 a diferena entre i
r
e i
o
.
O atraso no desligamento de S2 permite um acmulo de energia em Lr o qual ir
facilitar o processo de comutao, compensando as perdas do circuito ressonante. Em t2, S2
desligado (sob tenso nula). E inicia-se a ressonncia entre Lr e Cr.
O excesso de corrente i
r
em relao corrente da carga ir carregar C2 e descarregar
C1. Em t3 a tenso v
p
se iguala tenso de entrada, E, de modo que C1 est descarregado e o
diodo D1 inicia a conduo da corrente (i
r
-i
o
). A corrente i
r
decai linearmente. Durante a
conduo deste diodo enviado sinal para ligar S1 o qual, assim que a corrente i
r
se tornar
menor do que a corrente absorvida pela carga, em t4, entra em conduo (sob corrente zero).
Quando a corrente por Lr se anula, em t5, a corrente da carga flui inteiramente por S1.
SA2 pode ser desligado sob corrente zero.
S1 permanece conduzindo pelo tempo determinado pela largura de pulso do sinal
MLP.
Em t6 o interruptor auxiliar SA1 ligado, a corrente i
r
se torna negativa, variando
linearmente enquanto S1 conduzir. Quando S1 desligado (sob tenso nula), inicia-se a
ressonncia entre Lr e Cr. C1 se carrega e C2 se descarrega. Controlando-se o atraso no
desligamento de S1 pode-se determinar a velocidade da transio de tenso. Quando v
p
se
anula, em t7, o diodo D2 volta a conduzir. Caso ainda exista corrente por Lr ela decair
linearmente at se anular, permitindo desligar SA1. Completa-se assim o ciclo.

S1
S2
SA1
SA2
i
r
I
o
v
p
0
E
to
t1
t2 t3
t4
t5 t6 t7 T
to-t1: D2, SA2, DA1
t1-t2: S2, SA2, DA1 t2-t3: Ressonncia, DA1, SA2 t3-t4: D1, SA2, DA1 t4-t5: S1, SA2, DA1
t5-t6: S1 t6-t7: Ressonncia, SA1, DA2
t7-T:D2

Figura 8.9. Formas de onda do inversor com polo ressonante auxiliar

8.5 Inversor/Retificador MLP com comutao ZVS com circuito auxiliar
Um outro enfoque para se obter comutao suave em topologias em ponte, estejam
elas operando como inversor ou retificador, pelo uso de um circuito auxiliar nico que nas
transies produzem uma tenso e/ou corrente nula pelo interruptor a ser ligado. Seu
funcionamento deve ser tal que seja garantida uma operao tipo MLP, ainda que dentro de
certos limites.
A figura 8.10. mostra um conversor que faz uso de um circuito auxiliar para permitir
uma entrada em conduo suave dos interruptores. O desligamento suave sempre obtido por
causa da presena dos capacitores em paralelo com as chaves. Uma estrutura trifsica tambm
possvel.
A fonte V
f
constituda, na verdade, por um capacitor e uma carga resistiva. Sua
funo apenas de oferecer um caminho para a absoro de alguma energia remanescente nos
indutores La e Lb quando o interruptor auxiliar Sa aberto. Idealmente, Sa deve comutar sob
corrente nula.
O retificador mostrado opera como fonte de tenso. As indutncias de entrada so de
valor muito mais elevado do que as indutncias La e Lb, de modo que, durante o intervalo de
comutao pode-se considerar constante a corrente de entrada.
A figura 8.11. mostra algumas formas de onda para este conversor.
O objetivo criar uma condio favorvel para a entrada em conduo dos
interruptores, uma vez que o desligamento sempre suave.
Suponhamos uma corrente i
1
positiva e constante durante o intervalo de comutao. A
corrente circula inicialmente por D1 e D4. No instante to entra em conduo a chave auxiliar,
S
a
, e so enviamos comandos para ligar S1 e S4.

S D
C
S D C S D
C
S D C
Vo
Vf
Sa
La
Lb
L1
L2
i
1
1 1
1
2 2
2
4 4
4
3 3 3
i
La
v
C1
v
C4
+ v
La
Figura 8.10. Inversor MLP com circuito auxiliar para comutao suave
A corrente por La e Lb cresce linearmente. A tenso sobre cada um destes indutores
Vo/2. Quando a corrente i
La
se torna maior do que i
1
, em t1, deixa de haver corrente por D1 e
D4 e a corrente passa a circular pelos transistores S1 e S4 (que entram em conduo sob
corrente nula). Quando a energia acumulada nos indutores for suficiente para produzir a
excurso necessria da tenso dos capacitores de "snubber", S1 e S4 so desligados (ZVS), em
t2.
Inicia-se um processo ressonante, com os capacitores C1 e C4 sendo carregados
enquanto C2 e C3 so descarregados. No instante t3 completa-se o intervalo ressonante, e v
C1

e v
C4
atingem a tenso Vo, enquanto os diodos D2 e D3 entram em conduo. Durante a
conduo destes diodos envia-se sinal de acionamento para S2 e S3.
i
La
v
La
v
C1
v
C4
to
t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7
Ii
Vo/2
-Vo/2
0
0
Vo
Vo
at to: D1 e D4 t0-t1: D1, D4, Sa t1-t2: Sa, S1, S4 t2-t3: Ressonncia: capacitores, Sa
t3-t4: Sa, D2, D3 t4-t6: S2, S3 t6-t7: C1, C3, S2
t8 t9
T
t7-t8: D1, S2 t8-t9: C2, C4, D1 t9-T: D1, D4
Sa
S1 e S4
S3
S2
Figura 8.11. Formas de onda do retificador com circuito auxiliar para comutao suave.

A tenso sobre La e Lb se inverte (para -Vo/2) e a corrente i
La
decai linearmente.
Quando i
La
se torna menor do que i
1
os diodos D2 e D3 deixam de conduzir, e a corrente
passa a circular por S2 e S3.
Em t4, Sa desligado. Caso a corrente por La ainda no tenha sido zerada, a energia
presente na indutncia descarregada sobre Vf. Aps t5 o circuito auxiliar no participa mais
do processo.
Em t6, S3 desligado (ZVS). A corrente i
1
provoca a descarga de C1, enquanto C3
vai sendo carregado. Quando, em t7, v
C1
se anula, o diodo D1 entra em conduo. A corrente
de entrada circula por D1 e S2. Em t8 S2 desligado (ZVS), C2 se carrega e C4 se descarrega.
Em t9 D4 entra em conduo, completando o ciclo.


D. M. Divan: "The Resonant DC Link Converter: A New Concept in Static Power
Conversion". IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Mar. 1989, pp. 317-325.

D. M. Divan and G. Skibinski: "Zero-Switching-Loss Inverters for High-Power Applications".
IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Jul. 1989, pp. 634-643.

L. Malesani, P. Tenti, P. Tomasin and V. Toigo: "High Efficiency Quasi Resonant DC Link
Converter for Full-Range PWM". Proc. of APEC '92, Boston, USA.

R. W. De Doncker and J. P. Lyons: The Auxiliary Resonant Commutated Pole Converter.
IEEE - IAS Annual Meeting, 1990, pp. 1228-1235 (accepted for T-IA).

V. Vlatkovic: A Zero-Voltage Transition, Three-Phase Rectifier/Inverter. VPEC, Current -
Summer, 1993, Virginia, USA, pp. 11-18.


8. INVERSORES DE TENSO COM COMUTAO SUAVE....................................... 8-1
8.1 Inversor com Link CC Ressonante........................................................................... 8-1
8.2 Inversor com Link CC Ressonante com limitao da sobre-tenso......................... 8-3
8.3 Inversor MLP com Link Quase-ressonante.............................................................. 8-4
8.3.1 Princpio de operao............................................................................................ 8-5
8.3.2 Dimensionamento dos componentes..................................................................... 8-6
8.4 Inversor com polo ressonante auxiliar...................................................................... 8-7
8.4.1 Princpio de funcionamento do circuito auxiliar de comutao............................ 8-8
8.5 Inversor/Retificador MLP com comutao ZVS com circuito auxiliar ................... 8-9
8.5.1 Princpio de funcionamento.................................................................................. 8-9
8.6 Referncias Bibliogrficas...................................................................................... 8-11

9. INVERSORES E RETIFICADORES DE CORRENTE COM
COMUTAO SUAVE

O estudo que se segue se aplica aos inversores de corrente (aqueles que tem como
entrada uma fonte de corrente CC) e aos retificadores com sada em corrente. Os circuitos
para a realizao de comutao suave empregados em ambas aplicaes so, na maioria das
vezes, os mesmos. Eventualmente um mesmo circuito pode permitir a realizao de
comutao suave em ambas as pontes (retificador/inversor) quando conectadas num arranjo
CA/CC/CA.
Tipicamente os inversores de corrente so aplicados no acionamento de grandes
mquinas de corrente alternada, especialmente as de construo mais antiga, cuja isolao no
suporta os elevados dv/dt produzidos por inversores de tenso. Devido alta potncia, em
geral se faz uso de GTOs.
Como caractersticas desejveis para estes circuitos de comutao suave pode-se citar:
Mnimo nmero de componentes adicionais, especialmente os ativos;
Comutao suave de todos os interruptores;
Independncia da corrente de sada e da tenso de entrada;
Funcionamento em MLP;
Mnima sobre-tenso em relao a um conversor MLP convencional.
9.1 Retificador/Inversor com Link CC ressonante em srie
O circuito mostrado na figura 9.1. o de um arranjo de retificador e inversor,
intermediado por um circuito ressonante que permite a comutao sob corrente nula dos
interruptores.
De maneira anloga ao que foi apresentado para os inversores de tenso com link
ressonante, o objetivo aqui produzir uma corrente pelos interruptores das pontes que se
anule periodicamente, de modo que ocorram comutaes no dissipativas.
i
Link
i
o
Carga RL
( )
retificador inversor La
Lb
Ca
Figura 9.1. Retificador e inversor com link CC ressonante srie
Como o desligamento se d sob corrente nula possvel, em princpio, o uso de
tiristores. Caso se deseje uma freqncia mais elevada no link deve-se utilizar GTOs, uma vez
que sua comutao, alm de mais rpida, pode ser auxiliada por uma adequada corrente de
gate.
A figura 9.2. mostra a forma da corrente sintetizada sobre a carga. O mtodo de
controle o de Modulao por Densidade de Pulsos - MDP.
A presena do indutor Lb permite um ajuste no nvel contnuo presente na corrente
i
Link
, uma vez que a corrente mdia pelo ramo LC nula.

t
i
o

Figura 9.2. Corrente de sada do inversor com controle MDP.
9.2 Inversores/Retificadores MLP com comutao ZCS
A operao em MLP pode ser obtida, no mais utilizando um link ressonante, mas
com um circuito auxiliar que garanta condies de comutao suave para os interruptores.
A figura 9.3. mostra um retificador com sada em corrente empregando um circuito
para comutao dos GTOs sob corrente nula. Um circuito anlogo, apenas com a inverso na
polaridade do circuito auxiliar pode ser usado para inversores.
Lr
Cr
+ -
S1
S6
S2 S3
S4 S5
Sa1
Sa2
D1
D2
Io
Vo Vr
Figura 9.3. Retificador/Inversor com circuito auxiliar para comutao ZCS

Foram adicionados ao circuito bsico 2 interruptores, 2 diodos e um conjunto
ressonante, Lr /Cr.
A limitao deste circuito, mas que tambm est presente em praticamente todas
solues deste tipo, a exigncia de uma mnima corrente de carga para garantir a comutao
suave.
A figura 9.4. mostra as formas de onda sobre o capacitor ressonante, os sinais de
comando de alguns interruptores e a forma da tenso de sada, Vo. Note-se a presena dos
picos de tenso na sada, e de significativa sobre-tenso, o que tambm so caractersticas
deste tipo de soluo. A figura 9.5 mostra um detalhe da comutao.

Vo
Vc
S1 e S6
Saux
(1+K)Vp
0
Vi
(1+K)Vp
-(1+K)Vp
0
Figura 9.4. Formas de onda da tenso no capacitor, dos sinais de comando e da tenso de sada
A idia bsica que o circuito auxiliar desvie a corrente de sada (suposta constante)
nos momentos das comutaes dos GTOs, de modo que estas ocorram sempre sob corrente
nula.
Seja Vp a mxima tenso instantnea entre fases. O capacitor Cr est inicialmente
carregado com uma tenso maior do que Vp, de modo que sempre seja possvel polarizar
reversamente os GTOs.
Consideremos que as tenses de entrada esto numa situao em que os interruptores
S1 e S6 devam conduzir. Como a entrada do retificador tem caracterstica de fonte de tenso,
apenas 1 interruptor de cada semiponte pode conduzir a cada intervalo.
Inicialmente S1 e S6 esto conduzindo. Por eles circula a corrente de sada. A tenso
Vo igual a Vi, ou seja, ao valor instantneo da tenso presente entre as fases conectadas a S1
e S6. Sobre Cr tem-se uma tenso (1+K).Vp, com K positivo.
Em to as chaves auxiliares so ligadas. A tenso de sada cresce instantaneamente para
(1+K).Vp. Inicia-se uma ressonncia entre Lr e Cr. A corrente de sada comea a circular pelo
circuito auxiliar, diminuindo a corrente fornecida pela ponte retificadora. Em t1 a corrente por
S1 e S6 se anula e eles desligam. O sinal de gate deve ser retirado aps este instante.
Entre t1 e t2 ocorre a descarga do capacitor Cr, a corrente constante. Quando a tenso
se anula, os diodos D1 e D2 ficam diretamente polarizados e entram em conduo.
Entre t2 e t3 conduzem Sa1, Sa2, D1 e D2, de modo que Cr permanece com tenso
nula e a corrente de carga dividida pelos 2 ramos do circuito auxiliar.
Em t3 as chaves auxiliares so abertas (sob tenso nula) e o capacitor comea a se
carregar. Embora a polaridade da tenso sobre Cr no se altere, a tenso vista na sada se
inverte, surgindo um pico negativo. A tenso cresce linearmente at que, em t4, S1 e S6 so
ligados novamente. O intervalo entre t3 e t4 deve ser tal que permita ao capacitor recuperar a
tenso (1+K).Vp.
A entrada em conduo dos interruptores da ponte sob corrente nula. Inicia-se uma
ressonncia entre Lr e Cr a qual se conclui quando por Lr circula a totalidade da corrente de
sada, em t5. Neste instante a corrente pelos diodos D1 e D2 nula e eles desligam. A tenso
de sada volta a assumir o valor da tenso presente na entrada do retificador.

Saux
S1 e S6
Vo
I
L
Io
Vi
0
0
to t1
t2
t3 t4 t5
(1+K)Vp
-(1+K)Vp
Figura 9.5. Detalhe de chaveamento
Seja Zo a impedncia do circuito ressonante:

Zo
Lr
Cr
= (9.1)

Para que a corrente absorvida da ponte se anule em t1 necessrio que a corrente
desviada pelo capacitor seja maior do que a corrente de carga:

( ) 1+
>
K Vp Vi
Zo
Io (9.2)

No caso limite em que a tenso de entrada mxima tem-se:

K Vp
Zo
Io
> (9.3)

O valor do capacitor deve garantir um dv/dt menor do que o mximo estabelecido para
os interruptores:

( )
MAX
max
dt
dv
Io
Cr > (9.4)

J o indutor deve limitar o di/dt mximo:

( )
Lr
K Vp Vp
di
dt
MAX
>
+ + ( ) 1
(9.5)

Uma outra condio que deve ser atendida que os interruptores da ponte devem ser
desligados quando toda a corrente de sada estiver fluindo pelo capacitor (ou seja, aps t1)
mas antes que a tenso v
C
caia abaixo de Vi, o que levaria novamente a haver corrente pela
ponte. Seja T
off
o tempo necessrio para o efetivo desligamento das chaves da ponte:

Vp K
T Io
Cr
off max
(9.6)

Para assegurar um desligamento sob tenso nula para as chaves auxiliares, deve-se
assegurar que Cr tenha se descarregado totalmente durante o intervalo entre t1 e t2. Assim,
define-se um mnimo tempo que estes interruptores devem permanecer em conduo, que
aproximadamente igual ao intervalo (t2-t1). Para correntes de sada pequenas este intervalo
pode tornar-se excessivamente longo:

min
min
Io
Vp ) K 1 ( Cr
) 1 t 2 t (
+
= (9.7)

9.3 Inversores/Retificadores MLP com comutao ZVS
O circuito mostrado na figura 9.6. coloca os elementos ressonantes em paralelo com a
ponte, de modo que a corrente de sada no circula continuamente pela indutncia, como
ocorre no circuito anterior. Alm disso o circuito apresenta pequena dependncia da corrente
de carga, permitindo seu uso numa larga faixa de variao da corrente de sada.
O desligamento dos interruptores sempre ZVS por causa dos capacitores de
snubber. A entrada em conduo tambm do tipo ZVS.
S1
S6
S2 S3
S4 S5
I
u
D1
D2
Cr
Lr
Sr
u1
u2
u3
i1
i2
i3
i
L
+
v
C
d
d
Figura 9.6. Topologia do conversor operando como retificador com sada em corrente

O retificador controlado por MLP. No caso das formas de onda mostradas na
seqncia, utiliza-se uma estratgia MLP que permite a sntese de uma corrente senoidal de
entrada ao mesmo tempo em que fornece a tenso mdia desejada na sada. A tenso de sada
do retificador apresenta-se com 3 nveis. A corrente de entrada do retificador uma seqncia
de pulsos de amplitude I
d
na freqncia de chaveamento. A forma senoidal obtida aps uma
adequada filtragem.
Transies de uma tenso mais alta para uma menor ocorrem naturalmente de maneira
suave, uma vez que o GTO que entra em conduo se encontra reversamente polarizado,
sendo necessrio que antes de sua efetiva entrada em conduo o respectivo capacitor se
descarregue.
Consideremos o intervalo indicado na figura 9.7., no qual a tenso u
i1
positiva e a
maior em mdulo.
0V
u
i1
u
i2
u
i3

Figura 9.7. Tenses de entrada do retificador

A figura 9.8. mostra a forma da tenso de sada, u
d
, durante este intervalo. O ciclo de
trabalho, nesta simulao, foi feito constante por facilidade. Note-se a existncia de corrente
pelas 3 fases em cada perodo de chaveamento. O pico negativo presente na tenso de sada
tem amplitude pouco superior mxima tenso entre fases, bem como a sobre-tenso positiva.
A figura 9.9. mostra os sinais de comando para os interruptores e um detalhe da
tenso de sada durante um perodo de chaveamento.
0
u
i1
-u
i2
u
i1
-u
i3
i1
i2
i3

T
0
0
0
u
d
Resonant
commutation
Figura 9.8. Tenso de sada e correntes de entrada durante o intervalo .

Consideremos a situao mostrada nas figuras 9.8. e 9.9. em que conduzem
inicialmente S1 e S5. A tenso na sada a mxima tenso de linha de entrada (u
i1
-u
i2
).
Quando S5 for desligado, S6 deve entrar em conduo. Como u
i2
est mais negativa que u
i3
, o
GTO relativo a S6 est com seu terminal de anodo mais negativo do que o terminal de catodo,
ou seja, est reversamente polarizado. A presena de um sinal de gate no o leva conduo.
O que ocorre com o desligamento de S5 que o capacitor C6 se descarrega (enquanto C5 se
carrega) com a passagem da corrente de sada at que, ao zerar sua tenso, permite a efetiva
entrada em conduo de S6.
O mesmo comportamento ocorre quando S6 desligado e S4 deve conduzir,
realizando o intervalo de livre-circulao.
Ou seja, transies de uma tenso maior para uma menor produzem naturalmente
comutaes suaves. O problema est na transio inversa, ou seja, na passagem para uma
tenso mais alta. Esta passagem se faz com o auxlio do circuito auxiliar, como descrito a
seguir.
0
S1 S5 S1 S6 S1 S4
u
d
S1
S5
S6
S4
T
Figura 9.9. Sinais de comando dos interruptores e tenso de sada durante perodo de
chaveamento.

Consideremos as formas de onda mostradas na figura 9.10. e que se referem ao final
do intervalo de livre-circulao mostrado na figura 9.9.
Consideremos, por facilidade, que a corrente de sada, I
d
, seja constante; que a tenso
de sada seja positiva e que o capacitor ressonante, Cr, esteja pr-carregado com uma tenso
negativa u
C
(0). S1 e S4 esto conduzindo para t<T0.
O processo de desligamento se inicia com a comutao de S1 em T0. Neste momento,
as tenses sobre S5 e S6 so negativas, iguais tenso de linha. A fim de inibir o aumento
desnecessrio destas tenses, S4 mantido em conduo at que se inicie o intervalo
ressonante.
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
-v*
u
(S5)
u
(S1)
0
-u
i
I
d
0
i
L
u
C
0
u
d
u
dp
+v*
u i
u
C
(0)
Figura 9.10. Formas de onda durante a comutao ressonante.
A comutao segue os seguintes intervalos:

Intervalo T0-T1 (Figura 9.11.a):
A corrente de carga I
d
comea a fluir atravs dos capacitores de snubber C1, C2 e C3,
produzindo uma reduo linear na tenso u
d
e nas tenses sobre as respectivas chaves.

Intervalo T1-T2 (Figura 9.11.b.)
O diodo D1 comea a conduzir quando a tenso u
d
se iguala tenso presente no
capacitor ressonante, u
C
(0). Note (fig. 9.10) que u
C
negativa. Como Cr muito maior do que
os capacitores de snubber, a taxa de crescimento da tenso de sada diminui. Uma tenso de
limiar, v*, com valor adequado ajustada com o objetivo de permitir, com a ocorrncia da
ressonncia, a contra-polarizao dos GTOs que devem entrar em conduo no incio do
prximo ciclo. Quando a tenso de sada atinge esta tenso, em T2, S4 aberta e Sr entra em
conduo, iniciando, de fato, a ressonncia.
Como a diferena entre a tenso inicial em Cr e a tenso de limiar pequena, o intervalo
(T2-T1) suficientemente curto, mesmo para baixas correntes de carga.
I
d
u
C
+
-
S1
S4
S2
S5
S3
S6
Sr
D1
D2
C1 C2 C3
C4 C5 C6
I
d
(a) (b)
Figura 9.11. Configurao do circuito nos intervalos (T0-T1) e (T1-T2)

Intervalo T2 a T4 (Figura 9.12.a.)
Enquanto a corrente por Lr no atinge a corrente Id, a tenso no capacitor continua a
diminuir. O pico negativo acontece em T3. A tenso comea a crescer. Em T4 ambos
interruptores que devem entrar em conduo (S1 e S5) encontram-se reversamente
polarizados e podem receber o sinal de acionamento.

I
d
I
L
I
d
I
L
(a) (b)

Intervalo T4 a T5 (Figura 9.12.b.)
Durante este intervalo, com ambos interruptores reversamente polarizados, envia-se o
sinal de acionamento. Assim que os respectivos capacitores descarregarem, os GTOs entram
em conduo. No exemplo, S1 o far em T5 e S5 em T6.
Intervalo T5-T6 (Figura 9.13.a.)
Quando i
L
se torna negativa, a oscilao ressonante continua devido presena do diodo
D2. Em T6 a tenso u
C
se torna menor do que a tenso entre fases de modo que D1 deixa de
conduzir. O comportamento da ressonncia se altera ligeiramente uma vez que os capacitores
de snubber deixam de participar dela. Em T5 a chave S1 entra efetivamente em conduo,
enquanto S5 s o far em T6.
Intervalo T6-T7 (Figura 9.13.b.)
A corrente da carga flui por S1 e S5. A ressonncia continua at que i
L
se anule. Neste
instante a tenso u
C
negativa, recuperando a tenso inicial. Completa-se assim o ciclo.
I
d
I
d
(a) (b)
Para que, na ressonncia, ocorra a polarizao reversa dos interruptores a tenso de
limiar deve obedecer a:

v U * (9.8)

onde U o valor de pico da tenso entre fases da entrada.
Os elementos do circuito ressonante so calculados a partir dos seguintes parmetros :
Mxima corrente de carga, I
dMax

Mnima corrente de carga que permita comutao suave, I
dmin

Mxima sobre-tenso na sada, u
dMax

Mnimo intervalo de polarizao reversa das chaves que devem entrar em conduo,

t
d
= T5-T4 (9.9)

Esta ltima condio determinada em funo do atraso previsto para o acionamento dos
GTOs devido ao processamento do sinal de comando.
O valor do pico de tenso na sada dado por:

u v Z I
dp o d
= + * ( )
2 2
(9.10)

Vamos definir algumas variveis auxiliares:

Impedncia ressonante:
Z
L
C
o
r
e
= (9.11)

Capacitncia equivalente:
C C C
e r s
= +
3
2
(9.12)

Os capacitores de snubber so calculados considerando o mximo dv/dt dos GTOs.

Freqncia de ressonncia:
o
r e
L C
=
1
.
(9.13)

Sobre-tenso com mnima corrente de sada:
m
dp d
u I
U
=
( )
min
(9.14)

Sobre-tenso com mxima corrente de sada:
M
dp d
u I
U
=
( )
max
(9.15)

O valor de Zo calculado considerando v*=U:

Z
U
I
o
d
M
=
max

2
1 (9.16)

Pode-se ento calcular
m
e determinar uma freqncia de ressonncia que satisfaa
eq. (9.9).

o
m
d
t
=

2
1
arcsin
(9.17)

Conhecidos Zo e
o
determinam-se os elementos do circuito ressonante.
As figuras 9.14 e 9.15 mostram resultados experimentais deste circuito, confirmando
as anlises anteriores.
u
d
u
s1
Figura 9.14. Tenso na sada e sobre S1 (100 V/div) Horiz.:(10 s/div)
i
L
u
C
Figura 9.15 Corrente no indutor L
r
(10 A/div), tenso no capacitor C
r
(100V/div)
Horiz.: 4s/div
9.3.2 Funcionamento do circuito como inversor
A figura 9.16. mostra as alteraes necessrias para o uso do circuito proposto em um
inversor de corrente.
A figura 9.17. mostra as formas de onda da tenso de entrada do inversor, u
d
, bem
como os sinais de acionamento dos interruptores que atuam num dado intervalo, no qual a
tenso negativa, significando um fluxo de potncia do motor para a fonte.
Note-se que agora as transies que naturalmente so no-dissipativas so aquelas de
uma tenso menor para uma maior, com o circuito auxiliar atuando na transio da tenso
mxima para a mnima.
S1
S6
S2
S3
S4
S5
u
D1
D2
Cr
Lr
Sr
e1
e2
e3
i1
i2
i3
i
L
+
v
C
carga
Lf
i
d
d
Figura 9.16. Inversor de corrente com circuito auxiliar para comutao ZVS

S5
S1
S3
S2
T
0
S1 S5 S3 S5 S2 S5
u
d
u"
d u'
d
Figura 9.17. Formas de onda dos sinais de comando e da tenso de entrada do inversor, numa
situao de fluxo de potncia da carga para o retificador.
Y. Murai and T. A. Lipo: "High-Frequency Series Resonant DC Link Power Conversion".
Proc. of IEEE-IAS Annual Meet., 1988, pp. 772-779.

G. Moschopoulos and G. Joos: "A Novel Soft-Switched PWM Current Source
Rectifier/Inverter". Proc. of PESC '94, Taiwan, June 1994, pp. 978-984.

J. A. Pomilio, L. Rossetto, P. Tenti and P. Tomasin: "Performance Improvement of Soft-
Switched PWM Rectifier with Inductive Load". IEEE Trans. on Power Electronics, January
1997.

D. Ciscato, L. Malesani, L. Rossetto, P. Tenti, G.L. Basile, M. Pasti and F. Voelker: "PWM
Rectifier with Low DC Voltage Ripple for Magnet Supply". IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. 28, no. 2, March/April 1992, pp. 414-420

S. Buso, L. Rossetto, P. Tenti, P. Tomasin and J. A. Pomilio: "Soft-Switched Current-Fed
PWM Inverter with Space Vector Modulation". Proc. of IEEE-IAS Annual Meeting, 1994.


9. INVERSORES E RETIFICADORES DE CORRENTE COM COMUTAO
SUAVE..9-1
9.1 RETIFICADOR/INVERSOR COM LINK CC RESSONANTE EM SRIE ................................ 9-1
9.2 INVERSORES/RETIFICADORES MLP COM COMUTAO ZCS...................................... 9-2
9.2.1 Princpio de funcionamento.................................................................................. 9-3
9.3 INVERSORES/RETIFICADORES MLP COM COMUTAO ZVS...................................... 9-5
9.3.2 Funcionamento do circuito como inversor.......................................................... 9-11
9.4 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS............................................................................... 9-12
9.5
10. CONVERSORES CA-CA: VARIADORES DE TENSO E
CICLOCONVERSORES

Neste captulo sero estudados dois tipos de conversores que, a partir de uma tenso
de entrada alternada, produzem na sada uma tenso tambm alternada mas de caractersticas
distintas, seja em valor eficaz, seja em freqncia, ou em ambas.
Quando se altera apenas o valor da tenso CA, temos os chamados Variadores de
Tenso, enquanto os cicloconversores permitem produzir sada com freqncia distinta
daquela presente na entrada.

10.1 Variadores de tenso
Em algumas aplicaes, alimentadas em corrente alternada (CA), nas quais deseja-se
alterar o valor da tenso (e da corrente) eficaz da carga, usual o emprego dos chamados
Variadores de Tenso, tambm designados como Gradadores (Barbi), Contatores Estticos
(Labrique e Santana), Controladores (Rashid; Sen).
Como aplicaes tpicas pode-se citar, dentre outras:
aquecimento (controle de temperatura);
reguladores de tenso;
controle de intensidade luminosa em lmpadas incandescentes;
acionamento de motores CA;
partida suave de motores de induo;
compensao de reativos em sistemas de potncia (RCT, CCT).

Os dispositivos semicondutores de potncia empregados em tais conversores so,
tipicamente, tiristores, uma vez que se pode contar com a ocorrncia de comutao natural.
Em aplicaes de baixa potncia pode-se fazer uso de TRIACs, enquanto para potncia mais
elevada utilizam-se 2 SCRs em antiparalelo, como mostra a figura 10.1.

carga
Vi.sin(wt)
carga
Vi.sin(wt)

Figura 10.1 - Variador de tenso CA (monofsico) com TRIAC e com SCR.

Dois tipos de controle so normalmente empregados: o controle liga-desliga e o
controle de fase.
10.1.1 Controle Liga-Desliga
Este tipo de controle usado em situaes em que a constante de tempo da carga
muito grande em relao ao perodo da rede CA, como em sistemas de aquecimento.
O controle consiste simplesmente em ligar e desligar a alimentao da carga (em geral
uma resistncia). O intervalo de conduo e tambm o de bloqueio do interruptor tipicamente
de muitos ciclos da rede.
Quando a carga do tipo resistiva, tanto o incio da conduo quanto seu final podem
ocorrer em situaes em que tenso e corrente so nulas (incio e final de cada semiciclo da rede)
tem-se, ento, o chamado controle por ciclos inteiros. Sua vantagem o de praticamente eliminar
problemas de Interferncia Eletromagntica (IEM) devido a baixos valores de di/dt e dv/dt
produzidos por este tipo de modulao.
Escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de alimentao. Dentro
do perodo escolhido, a durao do fornecimento de potncia carga varia desde um nmero
mximo inteiro de semiciclos at zero. A preciso do ajuste depende, assim, da base de tempo
utilizada. Por exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tenso
aplicada carga pode ter uma resoluo mnima de 1/120.
Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular, de
freqncia fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal dente de serra estabelece
a base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura.
A potncia entregue carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 10.2 ilustra este
funcionamento. Durante n ciclos a carga permanece conectada alimentao, enquanto fica
m desconectada.

Vc
Vrampa
Tenso sobre a carga
n m
T

Figura 10.2 - Operao de controle por ciclos inteiros.

A tenso eficaz aplicada carga (considerando o perodo T) dada por:

[ ]

+
=
2
0
2 2
i oef
) t ( d ) t ( sin V
) m n ( 2
n
V (10.1)

=
+
=
ef
i
V
m n
n
2
V
(10.2)

onde V
i
o valor de pico da tenso de entrada (senoidal); V
ef
o respectivo valor eficaz e a
relao entre o nmero de ciclos de alimentao da carga dividido pelo nmero total de ciclos
controlveis, podendo ser interpretada como a razo cclica do controlador.
Em termos do impacto deste tipo de controle sobre a qualidade da energia eltrica,
embora no se tenha problema de IEM, tem-se a produo de variao de tenso no
alimentador em virtude da carga estar ou no conectada. Isto pode, potencialmente, violar
normas que versam sobre este assunto (IEC 1000-3-3).
10.1.2 Controle de fase
No chamado Controle de Fase, em um dado semiciclo da rede, o interruptor (tiristor)
acionado em um determinado instante, fazendo com que a carga esteja conectada entrada
por um intervalo de tempo menor ou igual a um semiciclo. Os valores de tenso, corrente e
potncia na carga dependero, no apenas de ngulo de disparo, mas tambm do tipo de carga
alimentada, conforme se ver na seqncia.

10.2 Circuitos monofsicos
10.2.1 Carga Resistiva
Para um variador de tenso CA, cujo circuito e formas de onda esto mostrados na
figura 10.3 para uma carga resistiva, o desligamento do SCR se dar no momento em que a
corrente cai abaixo da corrente de manuteno do componente. Obviamente as formas de
onda da tenso e da corrente na carga so as mesmas.

vi(t)
i(t)
v
o
S1
S2
Ro

Tenso de entrada e pulsos de disparo

Tenso sobre a carga
Corrente na carga
ngulo de disparo

Figura 10.3 - Circuito e forma de onda de variador de tenso CA monofsico alimentando
carga resistiva.

O valor eficaz da tenso aplicada carga resistiva :

( ) Vo Vi d Vi
ef
= = +
1 1
2 2
2
4
2
sin( )
sin( )
(10.3)

onde: v
i
(t)=Vi . sin () e = t
o ngulo de disparo do SCR, em radianos, medido a partir do cruzamento da tenso com o
zero.
A figura 10.4 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de
disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves.
O fator de potncia dado pela relao entre a potncia ativa e a potncia aparente.
Como a carga resistiva, a potncia ativa aquela dissipada em R, dependendo, assim, do
valor eficaz da tenso de sada.
Como a corrente da fonte a mesma da carga, o fator de potncia simplesmente a
relao entre a tenso eficaz de sada e a tenso eficaz de entrada, ou seja, apresenta
exatamente o mesmo comportamento mostrado na figura 10.4.

0.5
1
0 1 2
Tenso de sada (ou Fator de Potncia)

[rad]

Figura 10.4 - Tenso de sada (sobre uma carga resistiva), normalizada em relao ao valor
eficaz da tenso de entrada.

A amplitude da componente fundamental da corrente sobre a carga dada por:

[ ]
Vh Vi 1
2
2
2 1
2
2 2
2
=

+
sin( ) cos( )
( )
(10.4)

A variao das componentes harmnica da tenso na carga est mostrada na figura
10.5 e sendo dada por:

[ ]
Vh
Vi k k
k k k k
k
k k
k
k k
k ( )
( )
cos( )
( )
cos( )
( )
cos ( )
( )
2 1
2
2 2 2 2
1
2 1
2
2 1
2
2 1
2 1
2 1
=
+

+

(10.5)

para k inteiro e maior que 1.

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Harmnica 1
Harmnica 3
Harmnica 5
Harmnica 7
Amplitude normalizada das harmnicas

Figura 10.5 - Amplitude das harmnicas (normalizada em relao amplitude da tenso de
entrada), para carga resistiva.

Na figura 10.6 tem-se, para um ngulo de disparo de 90
o
, o espectro da tenso (e da
corrente) na carga. Note que, normalizando em relao ao valor da tenso de entrada, os
valores coincidem com os previstos na figura 10.5.

Figura 10.6 Espectro da tenso sobre a carga (=90
o
).

10.2.2 Carga indutiva
A figura 10.7 mostra topologia e formas de onda tpicas em um variador de tenso,
para alimentao monofsica, tendo como carga uma indutncia pura. Esta configurao
tpica de um Reator Controlado por Tiristor (RCT).
A operao, neste caso, s possvel para ngulos de disparo entre 90
o
e 180
o
.
Observe que o aumento do ngulo de disparo implica numa reduo do valor eficaz da
corrente. Este efeito pode ser interpretado como um aumento da indutncia vista pela rede,
considerando apenas a componente fundamental da corrente, a qual est sempre 90
atrasada
da tenso. Ou seja, consegue-se uma indutncia (reatncia) varivel com o ngulo de
disparo.
Se o disparo ocorrer para um ngulo inferior a 90
o
, a corrente pelo indutor S1 no ter
se anulado quando ocorrer o pulso para S2, de modo que S2 no poder entrar em conduo.
Aps alguns instantes a corrente ir a zero, desligando S1, o qual, ao receber o novo pulso de
disparo, entrar novamente em conduo. Desta forma, ao invs de se ter uma corrente CA
sobre a indutncia, ela ser uma corrente unidirecional. A figura 10.8 ilustra este
comportamento.
Uma alternativa para garantir uma corrente bidirecional , ao invs de enviar apenas
um pulso de disparo, manter o sinal de comando at o final de cada semi-ciclo. Isto faz com
que o variador de tenso se comporte como um curto, mantendo uma corrente CA, mas sem
controle.
A corrente obedece seguinte expresso:

[ ]
i t
Vi
L
t ( ) cos( ) cos( ) =
(10.6)

O valor eficaz da tenso de sada :

Vo Vi
ef
=

+

sin( ) 2
2
(10.7)

vi(t)
i(t)
v
o
L
S1
S2

Figura 10.7 - Circuito e formas de onda de variador de tenso CA com carga indutiva.

Figura 10.8 Formas de onda para ngulo de disparo menor que 90
o
(pulso estreito).

A figura 10.9 mostra a variao do valor desta tenso (normalizado em relao
tenso de entrada), como funo do ngulo de disparo.
As amplitudes das componentes fundamental e harmnicas (mpares) so mostradas na
figura 10.10 e valem, respectivamente:

Vh
Vi
1
2 2
2
= +

sin( )
(10.8)

[ ]
) 1 k ( 2
) 1 k ( 2 sin
k 2
) k 2 ( sin Vi 2
Vh
) 1 k 2 (
(10.9)

0.5
1
0 1 2 3

Tenso eficaz de sada
/2
[rad]

Figura 10.9 Tenso de sada (valor eficaz), normalizada, para carga indutiva.

0
0.5
1
2 2.5 3
Componentes harmnicas normalizadas

1
a
3
a
5
a
7
a
/2

Figura 10.10 - Amplitude (normalizada) das harmnicas da tenso sobre uma carga indutiva.

10.2.3 Carga RL
Quando a carga alimentada possui caracterstica resistivo-indutiva existe tambm uma
limitao em termos do mnimo ngulo de conduo, o qual depende da impedncia da carga,
Z. A figura 10.11 mostra circuito e formas de onda tpicas.
Considerando uma situao de conduo descontnua (na qual a corrente por cada um
dos tiristores vai a zero dentro de um semiciclo), temos que em t1 o tiristor S1, que est
diretamente polarizado, acionado. A corrente cresce e, mesmo com a inverso da polaridade
da tenso de entrada, o SCR continua conduzindo, at que sua corrente caia abaixo do valor
de manuteno (em t2). O outro tiristor, S2, recebe o pulso de comando em t3, iniciando o
semiciclo negativo da corrente, a qual se extinguir em t4.

( ) Z R L = +
2
2
(10.10)

tg
L
R
1
(10.11)

vi(t)
i(t)
v
o
L
S1
S2
R

200V
-200V
40A
-40A
200V
-200V
vi(t)
i(t)
vL(t)
t1 t2 t3 t4

Figura 10.11 - Variador de tenso ca monofsico e carga RL.

O intervalo controlvel do circuito para ngulos de disparo na faixa . Para
ngulo menores que obtm-se corrente unidirecional (caso o pulso de disparo seja de curta
durao), ou conduo constante (caso o pulso de gate seja largo).
Supondo que a corrente inicial pelo indutor seja nula, a expresso para a corrente no
semiciclo positivo :

io t
Vi
Z
t e
t
tg
( ) sin( ) sin( )
( )
=
(10.12)
Z o valor obtido da eq. (10.10) para a freqncia da rede.
A corrente se anula para um ngulo de extino, , obtido pela soluo numrica de:

sin( ) sin( )
( )

e
tg
(10.13)

O SCR conduz por um ngulo =. A tenso eficaz de sada :

Vo
Vi
ef
= +
2
1 2
2
2
2

sin( ) sin( )
(10.14)
10.3 Variadores de tenso trifsico
A figura 10.12 mostra diferentes possibilidades de conexes de variadores de tenso e
cargas trifsicas.

Carga
(a)
Carga
N N
(b)
Carga
(c)
Carga
(d)

Figura 10.12 - Topologias de variadores de tenso trifsicos:
(a) Com carga em Y; (b) Com controlador em Y;
(c) Com variador e carga em ; (d) Com variador em .
10.3.1 Carga resistiva
Nos casos em que a conexo em Y, se o neutro (N) estiver conectado, cada fase
comporta-se como no caso monofsico apresentado anteriormente. Em situaes em que o
neutro no estiver ligado, podem ocorrer 2 casos:

a) Conduzem todas as 3 fases
A corrente em cada fase dada pela relao entre a tenso de cada fase e a respectiva
resistncia da carga.

b) Conduzem apenas 2 fases
A corrente presente nas fases em conduo dada pela relao entre a tenso de linha
e a associao em srie das cargas das respectivas fases.
Para um ngulo de disparo entre 0
e 60
o
, medidos, em cada fase, em relao ao incio
do semiciclo da tenso fase-neutro, tem-se a situao indicada na figura 10.13 (para um
ngulo de disparo de 42
o
), ou seja, conduo simultnea de 2 ou 3 tiristores. Para um ngulo
entre 60
e 90
, apenas 2 tiristores conduzem, cada um deles por um intervalo contnuo de

120
. Para ngulos entre 90
e 150
, conduzem 2 tiristores, mas existe um intervalo em que a

corrente se anula, como mostra a figura 10.14 para um ngulo de 108
o
.
Na situao mostrada na figura 10.14, como os tiristores deixam de conduzir antes que
se d o disparo da outra fase, o pulso de disparo de uma fase deve ser tambm enviado ao
tiristor da outra fase que deve conduzir, para que exista um caminho para a corrente.
Para ngulos de disparo maiores que 150
no existe conduo simultnea de 2

tiristores, de modo que no existe corrente por nenhuma das fases.

5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A

Figura 10.13 - Formas de onda de corrente em controlador trifsico em Y (disparo a 42
o
).

0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A

Figura 10.14 - Formas de onda de corrente em controlador trifsico em Y (disparo a 108
o
) .

Para tenses de linha com amplitude Vi, as tenses eficazes em cada fase da carga,
para cada intervalo so:

Para 0 60
3
1
6 4
2
8
1 2

= +
|
\
1
]
1

o
ef
Vo Vi
:
sin( )
/
(10.15)

Para 60
o o
ef
Vo Vi

= +

+
|
\
1
]
1
1

90
3
1
12
3 2
16
3 2
16
1 2
:
sin( ) cos( )
/
(10.16)

Para 90
o o
ef
Vo Vi

= + +
|
\
1
]
1
1

150
3
1 5
24 4
2
16
3 2
16
1 2
:
sin( ) cos( )
/
(10.17)

A conexo do variador de tenso em possvel quando se tem acesso aos terminais
das cargas. Uma vantagem que as correntes de fase so menores do que as correntes de
linha, o que reduz as exigncias relativas capacidade de corrente dos tiristores.
Para carga resistiva, a faixa de controle se estende de 0 a 180 graus. A tenso eficaz de
fase tem a mesma expresso do circuito monofsico, afinal, o controle feito sobre cada fase
individualmente. O ngulo de disparo medido em relao s tenses de linha.

Vo
Vi
ef
= +
|
\
1
]
1
2
1 2
2
1 2

sin( )
/
(10.18)

A figura 10.15 mostra formas de onda tpicas de uma corrente de fase e uma corrente
de linha resultante.
A corrente de fase possui, tipicamente, todos os harmnicos mpares. No entanto,
como a carga est em , as harmnicas mltiplas mpares da terceira harmnica no aparecem
na corrente de linha. Desta forma, a corrente de linha ser menor do que aquela obtida da
relao convencional de um circuito trifsico, ou seja, Ia Iab < 3 . A mesma figura mostra o
espectro das correntes, evidenciando a no existncia das harmnicas citadas.

-60A
60A
40A
-40A

50A
0A
40A
0A

Figura 10.15 - Formas de onda de corrente de fase (superior) e corrente de linha (inferior)
para conexo em . Espectro das correntes de fase (superior) e de linha.
10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro)
De modo anlogo ao que ocorre no caso monofsico, existem comportamentos
diferentes dependendo do ngulo de disparo dos tiristores.
Para ngulos menores que 90 graus, os SCRs conduzem continuamente, no havendo
controle sobre a carga.
Para ngulos entre 90 e 120 graus existem instantes em que 2 fases conduzem e outros
em que as 3 fases tm corrente. Pode-se determinar o ngulo no qual uma das fases deixa
de conduzir, levando o circuito ao estado em que apenas 2 fases operam. A figura 10.16
mostra a corrente em uma fase, para um ngulo de disparo de 108
o
.

Corrente de fase

Figura 10.16 - Corrente de fase para carga indutiva e disparo entre 90 e 120 graus.

Quando o ngulo de disparo est na faixa entre 120 e 150 graus existem apenas
intervalos em que conduzem 2 fases. A corrente se apresenta em pulsos simtricos que se
iniciam no ngulo e se anula no instante , simtrico em relao ao ngulo de 150
o
. A
figura 10.17 mostra as formas de onda da tenso e da corrente de fase. O segundo pulso
observado se deve ao fato de que a operao correta do circuito exige um pulso longo de gate
(com durao de 120 graus), possibilitando um caminho de retorno para a corrente de uma das
outras fases.
Para ngulos de disparo maiores que 150
o
no ocorre conduo.


Figura 10.17 - Tenso e corrente de fase, carga indutiva, para disparo entre 120 e 150
o

Na conexo em , com carga indutiva, repete-se o comportamento descrito
anteriormente de que cada fase opera como no caso monofsico. A corrente de linha tambm
no apresenta os mltiplos mpares da terceira harmnica.
10.3.3 Carga RL
De maneira anloga ao que foi descrito para o caso monofsico, a anlise de cargas RL
faz uso de mtodos numricos, devido impossibilidade de obteno de solues analticas. A
figura 10.18 mostra formas de onda tpicas, nas quais, para um dado ngulo de disparo tem-se
conduo de 2 ou de 3 fases, com o ngulo de anulamento da corrente sendo funo do ngulo
de disparo e do fator de potncia da carga.

10A
-10A
10A
-10A
10A
-10A

Figura 10.18 - Correntes de linha (conexo Y) em carga RL.

10.4 Exemplo de aplicao
Capacitor Chaveado a Tiristor (CCT) e Reator Controlado a Tiristor (RCT)
Consideremos o circuito mostrado na figura 10.19, no qual tem-se uma linha de
transmisso, na qual so inseridos, na metade de seu comprimento, um CCT e um RCT.
A conexo do capacitor se d com os tiristores funcionando como chaves estticas,
que permanecem continuamente em conduo. J para a conexo do indutor, faz-se um
controle do ngulo de disparo. Como carga indicam-se resistncias, as quais alteram o
carregamento da rede.

L1 (20mH) R1(.1 ) L2 (20mH) R2(.1 )
V1
C=100uF
L=100mH
Vm VL
40 40

Figura 10.19 Rede eltrica com compensadores de reativos.
10.4.1 Linha sem compensao
Neste caso no esto em funcionamento nem o CCT, nem o RCT. Como se observa na
figura 10.20, existe uma queda de tenso ao longo da linha. Alm disso, constata-se tambm
uma abertura angular entre as tenses terminais, devido ao carregamento da linha.

0s 50ms 100ms 150ms 200ms
0V
VL Vm V1

Figura 10.20 Tenses ao longo da linha, sem compensao.
10.4.2 CCT atuando e sada de carga
Inicialmente tem-se a carga total inserida no circuito (20). A colocao do capacitor
no circuito (80 ms) faz a tenso no centro da linha aumentar, tornando-se maior do que a
tenso na prpria entrada (sobre-compensao). Na carga tem-se uma tenso com amplitude
praticamente igual da entrada.
Em 150 ms, 50% da carga desconectada, elevando a tenso de sada. Na corrente,
observa-se uma correspondente reduo.
Nos transitrios de conexo do CCT e de sada da carga tm-se pequenas distores
devido s condies de tenso no capacitor e corrente nos indutores.
A figura 10.21 mostra as formas de onda de tenso e de corrente no circuito.

50ms 100ms 150ms 200ms
I(L1)
I(L2)
10A
-10A
V1 Vm VL

Figura 10.21 Formas de onda de tenso e de corrente com atuao do CCT e manobra de
carga.
10.4.3 CCT atuando, sada de carga e atuao do RCT
Neste caso, aps a desconexo de 50% da carga, o RCT entra em funcionamento de
modo a corrigir a elevao na tenso de sada.
A figura 10.22 mostra tal funcionamento, com a carga sendo desconectada em 100ms
e o RCT passando a atuar em 170ms. Note-se que a ao do RCT permite, ao consumir parte
da potncia reativa inserida no sistema pelo CCT, recuperar o valor desejado para a tenso na
carga.
A corrente distorcida produzida pelo RCT, ao circular pelo circuito, provoca
distores tambm nas tenses, como mostra a figura 10.23. A incluso de um filtro de
harmnicas (principalmente a 3
a
), permite uma substancial reduo na distoro que se
observa na tenso, como se v na figura 10.24.

50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms 20ms

200V
-200V
I(RCT))
I(L1)
I(L2)
10A
-10A
VL Vm V1

Figura 10.22 Formas de onda com CCT (fixo), desligamento de 50% da carga e atuao do
RCT.

250ms 260ms 270ms 280ms 290ms 300ms
200V
-200V
I(RCT) I(L1)
I(L2)
4.0A
-4.0A

Figura 10.23 - Detalhe da distoro harmnica introduzida pelo SVC

220ms 240ms 260ms 280ms 300ms 315ms
200V
-200V
I(L1)
I(L2)
10A
-10A
SEL>>
i(RCT)
I(filtro)

Figura 10.24 Formas de onda com atuao de filtro de 3
a
harmnica.
10.5 Cicloconversores com comutao natural
Cicloconversores so associaes de retificadores controlados (como os vistos no
captulo dos conversores CA-CC), de maneira que cada um dos retificadores produza, sobre a
carga, tenses com valores mdios opostos, como ilustra a figura 10.25, para o caso de
entradas trifsicas e sada monofsica.
Aplicao tpica deste tipo de circuito no acionamento de grandes motores CA
(induo ou sncrono), na faixa de centenas ou milhares de kVA, em baixas velocidades,
como ocorre em monhos, por exemplo, para fabricao de cimento. Dada a alta potncia
requerida, no possvel utilizar transistores. Uma vez que a aplicao exige freqncias
baixas sobre a carga, torna-se possvel utilizar tiristores com comutao natural.
Outra aplicao na alimentao ferroviria em 16 e 2/3 Hz, existente em alguns
trechos de ferrovias europias. Cicloconversores, com entrada em 50Hz, tem substitudo os
conversores rotativos anteriormente usados. Ainda no setor ferrovirio, h locomotivas diesel-
eltricas, cujos geradores (acionados por motores diesel) fornecem uma tenso em 400Hz.
Um cicloconversor reduz esta freqncia para fazer o acionamento de motores de induo
utilizados na trao, com freqncias at 50/60Hz.
O transformador que acopla os barramentos CC serve para, nas comutaes entre os
semiciclos limitar a corrente que eventualmente circularia entre os retificadores, por causa do
atraso na comutao dos tiristores em funo de se estar alimentando uma carga com
caracterstica indutiva. Dependendo da estratgia de comando dos conversores, ou do tipo de
carga alimentada, este transformador pode no ser necessrio, desde que se garanta que no
ocorrer conduo simultnea dos conversores.

+
Vo
+
Vr
-
Io
+
Vr
-

Figura 10.25 Cicloconversor com entrada trifsica e sada monofsica.
A figura 10.26 mostra forma de onda sobre a carga (resistiva) em um cicloconversor
com entrada e sada monofsicas. Observe que o ngulo de disparo vai se alterando de modo
que a tenso mdia na carga acompanhe uma variao senoidal. Neste caso tem-se uma
entrada em 50Hz e uma sada em 5 Hz.
A figura 10.27 mostra o espectro da tenso, podendo-se verificar a presena da
componente de 5 Hz e harmnicas significativas nos mltiplos de 100Hz (freqncia da rede
retificada). Ou seja, os elementos que devem ser filtrados encontram-se mais de uma dcada
acima da componente desejada, o que implica no uso de eventuais filtros de valor
relativamente reduzido.
No caso de uma carga RL (como um motor), a prpria indutncia da carga atua como
um elemento de filtragem, o que levar a uma reduo na ondulao da corrente. Por outro
lado, como se utilizam SCRs, os mesmos s desligam quando a corrente por eles se anula, de
modo que a tenso instantnea sobre a carga pode apresentar valores negativos, como se
observa na figura 10.28. A componente fundamental da corrente apresenta-se atrasada em
relao tenso, de modo que o fator de potncia menor do que um. Esta defasagem faz
com que existam intervalos de tempo, dentro de cada semiciclo da tenso na carga, em que
existe fluxo de energia da rede para a carga (quando tenso e corrente tm mesmas
polaridades) e intervalos em que a energia flui da carga para a rede (quando tenso e corrente
tm polaridades opostas).

Figura 10.26 Formas de onda sobre a carga (resistiva) em cicloconversor com entrada e sada
monofsicas.

Figura 10.27 Espectro da tenso mostrada na fig. 10.27

Figura 10.28 Formas de onda com carga indutiva.

No caso de cargas trifsicas, pode-se fazer uso de trs conversores como o mostrado
na figura 10.25. A forma de onda da tenso de linha, supondo uma carga com caracterstica
indutiva, apresenta-se como mostra a figura 10.29. Dado o fato da entrada ser trifsica, a
ondulao da tenso entre fases apresenta-se com uma freqncia 6 vezes maior que a da rede
CA, de modo que se espera uma ondulao na corrente significativamente menor do que
aquela mostrada na figura 10.28. Pode-se ainda utilizar um arranjo como o mostrado na figura
10.30, no qual utilizam-se apenas 18 SCRs, no entanto, a pulsao da tenso na carga ocorre
numa freqncia de apenas 3 vezes maior que a freqncia da rede.

Figura 10.29 Forma de onda de sada (1 fase) em cicloconversor com entrada trifsica.

Rede CA

Figura 10.30 Cicloconversor com entrada e sada trifsicas.
10.6 Conversor em Matriz
Desde que esta topologia foi proposta em 1980 por Venturini, tem recebido muita
ateno devido sua simplicidade conceitual. No entanto, sua efetiva aplicao tem sido
muito restrita devido implementao prtica, especialmente em termos das comutaes no-
ideais dos interruptores.
Como aspectos positivos tem-se:
A ausncia de elementos acumuladores de energia, pois no h indutores nem capacitores
no conversor, apenas interruptores.
Maior eficincia, quando comparado com um sistema composto por retificador e inversor,
no qual haveria 4 interruptores no caminho da corrente, contra 2 neste conversor.
Facilidade de operao em 4 quadrantes, com possibilidade de obter-se qualquer forma de
onda de tenso e de corrente na sada, e qualquer forma de corrente na entrada.
A grande limitao deste conversor, como citado, reside em problemas de comutaes
dos interruptores. Observe-se na figura 10.31, onde est ilustrado um conversor com entrada e
sada trifsicas, que a conduo de 2 interruptores de um mesmo ramo coloca em curto-
circuito a entrada. Devido ao fato de no se conhecer a priori a forma de onda das correntes,
principalmente da carga, e necessidade de se garantir um caminho para tais correntes (se
esta tiver um comportamento indutivo) a lgica de comando pode se tornar complexa e
dependente da observao de todas as tenses e correntes presentes na entrada e na sada.

a
b
c
r
s
t
Sra
Ssa
Sta
Srb
Ssb
Stb
Src
Ssc
Stc
G
D1 S1 S2 D2

Figura 10.31 Conversor em matriz, com entrada e sada trifsicas.

Os interruptores so bidirecionais em tenso e em corrente, o que significa que devem
ser capazes de conduzir e de bloquear em ambos sentidos. Uma vez que no existem tais
componentes, eles devem ser realizados a partir da associao de outros como, por exemplo,
dois MOSFETs, ou dois transistores e dois diodos, como tambm mostra a figura 10.31. Em
ambos arranjos ilustrados, o sinal de comando pode ser nico, entrando em conduo o
transistor que estiver diretamente polarizado.
O problema da comutao pode ser ilustrado pelo exemplo da figura 10.32, onde se
tem um conversor com entrada e sada monofsicas. Suponhamos que no momento analisado
tanto a tenso de entrada quanto a de sada estejam com as polaridades indicadas e que a
corrente da carga seja positiva. Ao ser ligada, a chave S
a
conduzir uma corrente positiva. No
momento do desligamento, deve ser ligada a chave S
b
de modo a dar continuidade corrente
(pois a carga tem caracterstica indutiva). Como as chaves no so ideais, os tempos de
comutao podem fazer com que duas situaes igualmente crticas surjam: se S
a
abrir antes
que S
b
entre em conduo, surgir um pico de tenso, devido no existncia de um caminho
para a corrente da carga. Por outro lado, se S
b
conduzir antes que S
a
tenha bloqueado, tem-se
um curto-circuito aplicado na fonte, levando a um surto de corrente. Ambas situaes so
potencialmente destrutivas para os componentes.
O esforo atual dos pesquisadores que atuam nesta rea o de implementar tcnicas de
comutao que garantam a operao segura deste conversor.
R
L
v
Sa
Sb
i
a
i
i
b
i
o
+
+
v
o

Figura 10.32 Conversor em matriz, com entrada e sada monofsicas.

Diferentemente do que ocorre nos cicloconversores, em que s possvel sintetizar
formas de onda na sada com freqncia abaixo da freqncia da entrada, neste caso, como
so utilizados interruptores totalmente controlveis (transistores ou GTOs), pode-se operar
tanto abaixo quanto acima da freqncia da entrada. Topologias alternativas, com sada
monofsica, ou com entrada e sada monofsicas tambm so possveis.
Francis Labrique e Joo Jos Esteves Santana: Electrnica de Potncia. Edio Fundao
Calouste Gulbekian Lisboa, 1991

P. C. Sem: Principles of Electric Machines and Power Electronics. John Wiley & Sons, 2
nd

Ed., 1997

Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Prentice
Hall, Inc., 2
nd
Ed., 1993

Ivo Barbi: Eletrnica de Potncia, Edio do Autor Florianpolis, 1997

S. M. Deckmann e J. A. Pomilio: Condicionamento de Energia Eltrica e Dispositivos
FACTS. Apostila, FEEC, UNICAMP, 1998.

M. Venturini: A new sine wave in, sine wave out, conversion technique eliminates reactive
elements. Proc. of Powercon 7, 1980.

J-H Youm e B-H Kwon: Switching technique for current controlled AC-to-AC converters.
IEEE Trans. on Industrial Electronics, vol. 46, no. 2, April 1999.


10. CONVERSORES CA-CA: VARIADORES DE TENSO E CICLOCONVERSORES. 10-1
10.1 Variadores de tenso..................................................................................................10-1
10.1.1 Controle Liga-Desliga .......................................................................................10-1
10.1.2 Controle de fase.................................................................................................10-3
10.2 Circuitos monofsicos ...............................................................................................10-3
10.2.1 Carga Resistiva..................................................................................................10-3
10.2.2 Carga indutiva....................................................................................................10-5
10.2.3 Carga RL............................................................................................................10-7
10.3 Variadores de tenso trifsico....................................................................................10-9
10.3.1 Carga resistiva ...................................................................................................10-9
10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro) ..................................................................10-12
10.3.3 Carga RL..........................................................................................................10-13
10.4 Exemplo de aplicao..............................................................................................10-13
10.4.1 Linha sem compensao..................................................................................10-13
10.4.2 CCT atuando e sada de carga .........................................................................10-14
10.4.3 CCT atuando, sada de carga e atuao do RCT .............................................10-15
10.5 Cicloconversores com comutao natural ...............................................................10-16
10.6 Conversor em Matriz...............................................................................................10-19
10.7 Referncias Bibliogrficas.......................................................................................10-20


11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAO DE CALOR
PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA

11.1 Introduo

A circulao de corrente eltrica por qualquer elemento provoca uma dissipao de
potncia igual ao produto do quadrado da corrente pela resistncia do circuito. Tal potncia
dissipada converte-se em calor (Efeito Joule). As relaes entre potncia e energia so
indicadas abaixo:
1 W = 0,239 cal/s
1 W.s = 1 J
1 cal = 4,187 J

O objetivo estabelecer critrios para o dimensionamento de sistemas de dissipao
do calor produzido por componentes eletrnicos, especialmente semicondutores de potncia
(diodos, transistores, tiristores, etc.), buscando a proteo de tais componentes, tendo como
meta fundamental a elevada confiabilidade dos equipamentos nos quais os dispositivos so
empregados. Deve-se tambm buscar volumes, massas e custos to reduzidos quanto
possveis.
11.2 Clculo da potncia dissipada

O clculo das potncias deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tenso e
corrente sobre o componente em questo.
Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os
valores da potncia mdia em cada sub-intervalo so calculados na seqncia.

0
V1 I1
Vo Io
Potncia
t0
t1 t2 t3
t4
t5
T
v
i
p=v.i

Figura 11.1 Exemplo de sinais de tenso, corrente e potncia para clculo de potncia mdia
dissipada.


a) Intervalo (t1-t0)

Io ) t ( i = (11.1)

1 V ) t ( v = (11.2)

=
1 t
0 t
dt 1 V Io
T
1
1 P (11.3)

( )
T
0 t 1 t 1 V Io
1 P

= (11.4)

b) Intervalo (t2-t1)

) 1 t 2 t (
) 1 t t ( ) Io 1 I (
Io ) t ( i

+ = (11.5)

Se Io << I1 e se colocar a referncia de tempo em t1, a equao (11.5) simplifica-se para:

t
tq
1 I
) t ( i = (11.6)
onde tq = t2-t1.

1 V ) t ( v =

+ =
) 1 t 2 t ( 2
) 1 t 2 t ( ) Io 1 I ( 1 V
1 t ) Io 1 I ( 1 V ) 1 t 2 t ( Io 1 V
T
1
2 P
2 2
(11.7)

Usando (11.6) ao invs de (11.5), tem-se:

T 2
tq 1 I 1 V
2 P

= (11.8)

c) Intervalo (t3 - t2)

i (t) = I1

) 2 t 3 t (
) 2 t t (
) 1 V Vo ( 1 V ) t ( v
+ = (11.9)

Sendo Vo << V1 e deslocando o incio da integrao para t = t2

=
td
t
1 1 V ) t ( v (11.10)
onde td = (t3 - t2)


+ =
) 2 t 3 t ( 2
) 2 t 3 t ( ) 1 V Vo ( 1 I
2 t ) 1 V Vo ( 1 I ) 2 t 3 t ( 1 V 1 I
T
1
3 P
2 2
(11.11)

Simplificadamente tem-se:

T 2
td 1 V 1 I
3 P

= (11.12)

d) Intervalo (t4 - t3)

i (t) = I1

v (t) = Vo

T
) 3 t 4 t (
Vo 1 I 4 P

= (11.13)

e) Intervalo (t5 - t4)

) 4 t 5 t (
) 4 t t (
) 1 I Io ( 1 I ) t ( i
+ = (11.14)

) 4 t 5 t (
) 4 t t (
) Vo 1 V ( Vo ) t ( v
+ = (11.15)

[ ]
+ =
tj 2
) 4 t 5 t (
4 t 1 I Vo 2 Vo Io 1 V 1 I tj Vo 1 I
T
1
5 P
2 2

)
`
1
]
1

) 4 t 5 t ( 4 t ) 4 t 5 t ( 4 t
3
) 4 t 5 t (
tj
) Vo 1 V ( ) 1 I Io (
2 2 2
3 3
2
(11.16)
onde tj= t5 - t4

Simplificadamente:

=
tj
t
1 1 I ) t ( i (11.17)
tj
t
1 V ) t ( v = (11.18)

Usando as equaes (11.18) e (11.17) tem-se:

T 6
tj
1 I 1 V 5 P
= (11.19)


A potncia mdia dissipada ser:

P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 (11.20)

Os picos de potncia no exemplo dado so:

1 I 1 V 1 Pp = , em t = t2 (11.21)

,
2
1 I
2
1 V
2 Pp = em t =
( ) t t 4 5
2
+
(11.22)

claro que as linearizaes das curvas de corrente e tenso por si s constituem uma
simplificao e, portanto, implicam em erros. O uso de bom senso, atuando de maneira
moderadamente conservativa fundamental para um clculo seguro.
Alguns osciloscpios digitais possuem a funo produto e at mesmo a sua integral,
facilitando o clculo (o valor integrado deve ser dividido pelo perodo de chaveamento). Este
o mtodo mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contnuos, a
potncia , obviamente, o produto dos valores de tenso e corrente. Na ausncia dos
equipamentos e/ou recursos citados, deve-se obter os sinais de tenso e corrente e aproxim-
los, em partes, por funes de fcil integrao.
11.2.1 Diodos
Usualmente a tenso de conduo dos diodos de potncia da ordem de 1 V, valor este
que aumenta quanto maior for a tenso do componente, devendo-se verificar o valor dos
manuais. O efeito da resistncia de conduo pode ser, em geral, desconsiderado. A
dissipao no estado bloqueado pode ser desprezada em funo de seu pequeno valor em
comparao com as perdas em conduo.
A figura 11.2 indica uma situao de aplicao tpica de diodos, qual seja, uma ponte
retificadora trifsica, operando, assim, em baixa freqncia de comutao. O fator dominante
aquele relativo s perdas em conduo. Para um clculo analtico aproximado da potncia
mdia, pode-se considerar a tenso de conduo constante (V
d
) e utilizar-se o valor mdio da
corrente. Como a freqncia de comutao baixa, as perdas relativas a este termo podem ser
desprezadas.
A corrente mdia pode ser estimada, conhecida a potncia consumida pela carga,
lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de
200V (valor eficaz), tem-se uma tenso retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de
150 , a corrente mdia pelo diodo ser de 0,66A. Para uma queda de tenso de 2 V, tem-se
uma potncia mdia de 1,32W.
J para a determinao da potncia de pico, como se deve conhecer o valor de pico da
corrente, uma estimativa analtica mais difcil, uma vez que a forma da corrente depende da
impedncia da linha trifsica e ainda de eventuais indutncias parasitas das conexes, que
podem alterar o valor do pico da corrente.
Alguns catlogos de diodos fornecem grficos indicando a potncia ou energia
dissipada pelo componente em funo da forma de onda da corrente.


0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms

400V
-10V

20A
-1A

20W
-0W
corrente
tenso
potncia
C
Carga

Figura 11.2. Tenso, potncia e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifsica com
filtro capacitivo.

A figura 11.3 mostra as formas de onda tpicas de um diodo. As perdas devido
recombinao reversa so, em geral, desprezadas, uma vez que durante o tempo de
decaimento da corrente a tenso baixa. Somente quando atingido o pico negativo da
corrente reversa que a tenso comea a crescer. Neste caso a potncia dissipada dada por:

f Vr Q Pr
rrn
= (11.25)

Q
rrn
: carga de recombinao reversa relativa ao intervalo t
5

Vr : tenso reversa
f : freqncia de repetio
Para a entrada em conduo, como o intervalo t
1
muito rpido, no se leva em
considerao a potncia a dissipada.

i
D
v
D
Qrr
t1
t2
t3
t4 t5
-Vr
i=Vr/R
Von
trr
dir/dt
Vfp
Vrp
dif/dt

Figura 11.3 Formas de onda tpicas de um diodo rpido.
11.2.2 Tiristores
Em geral os tiristores so empregados em circuitos conectados rede. Em funo do
tipo de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O clculo da potncia

mdia pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta uma
situao de pior caso (ngulo de conduo de 180
o
). A queda de tenso em conduo em
torno de 1,4 V, devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores
a) Em regime contnuo
Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua regio ativa, a potncia
por ele dissipada simplesmente o produto da corrente pela tenso. Caso os valores no sejam
constantes, a potncia mdia dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tenso
com valores RMS.

b) Em regime chaveado
Formas de ondas tpicas de tenso e corrente pelo componente esto indicadas na
figura 11.4. Os valores mdio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o
que foi indicado anteriormente, para formas de onda genricas. Note que, em relao s
formas de onda da figura 11.1, tem-se um agravante que a corrente de recombinao reversa
do diodo, que se soma corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de
potncia dissipada na entrada em conduo do transistor.

20.0us 30.0us 40.0us 50.0us 60.0us 66.5us

10KW
0W
200V
0V

100A
0A
corrente
tenso
Potncia
L
C
T
D

Figura 11.4. Formas de onda tpicas de potncia em um transistor utilizado em fonte chaveada
com carga indutiva.

No caso de transistores bipolares, a tenso de saturao est em torno de 0,4V
(verificar valor no manual) mas para conexo Darlington este valor cresce para cerca de 1,2V,
uma vez que o transistor no entra na regio de saturao. A corrente no estado bloqueado
pode, em geral, ser negligenciada para o clculo da potncia.
Um clculo preliminar da potncia dissipada no componente deve ser feito antes da
montagem do circuito a partir dos dados de manual. Com o funcionamento do equipamento
deve-se verificar as formas de onda reais e reconsiderar o dimensionamento do sistema de
dissipao.
Os manuais de transistores bipolares de potncia, em geral, indicam os tempos
caractersticos de chaveamento para cargas resistivas e indutivas, devendo-se empregar os
tempos mximos estipulados para o dimensionamento preliminar. Uma vez que o
desempenho do componente fortemente influenciado pelo circuito de acionamento da base,
pela carga e por componentes parasitas, um dimensionamento mais rigoroso s ser possvel
aps o funcionamento do equipamento.

Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rpido possvel embora isto
possa trazer problemas de interferncias e surgimento de picos de tenso e/ou corrente devido
aos elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou no) do
circuito. Medidas para reduo destes tempos ou tcnicas de chaveamento sem perdas podem
ser encontradas fartamente na bibliografia.
Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento pois seus tempos
de subida e queda da corrente de dreno so menores que os obtidos para a corrente de coletor
dos transistores bipolares, sendo indicados para aplicaes em freqncias elevadas. No
entanto possuem maiores perdas de conduo que os transistores bipolares equivalentes. Suas
perdas em conduo podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistncia
entre dreno e fonte (R
DS
) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No
entanto, como R
DS
se altera (cresce) com a elevao da temperatura necessrio, em projetos
mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o clculo
utilizando a tenso Vce e a corrente de coletor.
11.3 Comportamento em regime permanente: potncia mdia
Nos dispositivos semicondutores de potncia o calor decorrente do efeito Joule
produzido na pastilha semicondutora, fluindo da para ambientes mais frios, como o
encapsulamento do dispositivo e o ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o
gradiente de temperatura e as caractersticas trmicas dos meios e materiais envolvidos.
Define-se a grandeza resistncia trmica como uma medida da dificuldade do fluxo
de calor entre 2 meios:

( ) A h
1
P
T
Rt
= (11.26)

T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor
P: potncia mdia dissipada
h: coeficiente de transferncia de calor
A: rea envolvida na transferncia de calor
Em geral se faz uma analogia com um circuito eltrico, mostrado na figura 11.5, sendo
a potncia mdia representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes
indicados (juno, cpsula, ambiente) so anlogas s tenses nos respectivos ns, enquanto
as resistncias trmicas so as prprias resistncias do modelo.
P
Tj Tc Ta
Td
R
tjc
R
tca
R
tcd
R
tda

Figura 11.5. Equivalente eltrico para circuito trmico em regime permanente (incluindo
dissipador).

Via de regra a temperatura ambiente (Ta) considerada constante e o objetivo do
dimensionamento garantir que a temperatura da juno semicondutora (Tj) no ultrapasse
um dado valor mximo. As resistncias trmicas entre juno e cpsula (Rtjc) e entre cpsula

e ambiente (Rtca) so dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite
o valor da resistncia entre cpsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja
utilizado algum dissipador de baixa resistncia trmica.
A equao tpica do modelo :

Tj = Ta + P . (Rtjc + Rtca) (11.27)

Exemplo 1:
P = 20 W
Rtjc = 2
o
C/W
Rtca = 10
o
C/W
Ta = 40
o
C
Tjmax = 120
o
C

Tc = Ta + P . Rtca = 240
o
C
Tj = Tc + P . Rtjc = 280
o
C
11.3.1 Dissipador de calor
Pelos dados de exemplo 1 verifica-se que uma situao de tal tipo levaria destruio
do dispositivo, uma vez que seria ultrapassada a sua mxima temperatura de juno.
Considerando que no seja possvel reduzir a potncia mdia dissipada e que no h
como alterar as resistncias trmicas (a menos que se substitua o componente por algum de
outro tipo) e ainda que a temperatura ambiente no pode ser reduzida significativamente, a
alternativa para a proteo do semicondutor colocar um dispositivo de baixa resistncia
trmica entre o encapsulamento e o ambiente (entre a juno e o encapsulamento no
possvel faz-lo). A este elemento colocado junto ao encapsulamento se diz dissipador de
calor. Tal associao em paralelo de resistncias trmicas permite reduzir a resistncia
equivalente entre ambiente e encapsulamento e, assim, reduzir as temperaturas da cpsula e,
conseqentemente, da juno.
Desprezemos inicialmente a resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador (Rtcd).
No exemplo dado e usando o modelo, tem-se:

P ) Rteq Rtjc ( Ta max Tj + + = (11.28)

( )
) Rtda Rtca (
Rtda Rtca
Rteq
+
= (11.29)
Rteq = 2
o
C/W
Rtda = 2,5
o
C/W

As principais caractersticas de um dissipador esto relacionadas s suas dimenses e,
especialmente sua superfcie de contato com o ambiente, responsvel pela troca de calor e,
portanto, pelo valor de sua resistncia trmica. Em geral estes dispositivos so construdos em
alumnio dados sua boa condutividade trmica (condio indispensvel), baixo custo e peso.
O volume do dissipador se associa s caractersticas dinmicas dos fenmenos trmicos, como
se ver adiante. A figura 11.7 mostra perfis tpicos de dissipadores.
A utilizao de grande nmero de aletas para aumentar a rea de troca de calor. A
resistncia trmica para uma placa plana quadrada pode ser aproximadamente dada por:


A
C
650 C
W 4
3 , 3
Rtda
f
f
+
=

(11.30)

: condutncia trmica (a 77
o
C) [W/(
o
C.cm)]
W: espessura do dissipador [mm]
A: rea do dissipador [cm
2
]
Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie

Tabela 11.1 Valores de condutncia trmica para diferentes materiais:
Material (W/
o
C.cm)
Alumnio 2,08
Cobre 3,85
Lato 1,1
Ao 0,46
Mica 0,006
xido de berlio 2,10

O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical
horizontal por criar um efeito chamin. Dissipadores pretos so melhores irradiadores de
calor que aqueles com superfcie brilhante.

Tabela 11.2 Valores para Cf:
corpo brilhante corpo negro
Montagem vertical 0,85 0,43
Montagem horizontal 1,00 0,50

O valor efetivo da resistncia trmica do dissipador pode ser significativamente
reduzido por circulao forada de ar, como indicado na figura 11.6.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
R
v (m/s)
1

Figura 11.6 Variao relativa de Rtda com ventilao forada.


Figura 11.7 Perfis tpicos de dissipadores (Semikron Semicondutores)

Na montagem do componente semicondutor sobre o dissipador existe uma resistncia
trmica entre o encapsulamento e o corpo do dissipador, a qual determinada, principalmente,
pelo ar contido entre os corpos, devido s rugosidades e no alinhamento das superfcies. Este
fato pode ser minimizado pelo uso de pastas de silicone ou outro tipo de material que seja
bom condutor trmico e isolante eltrico. Caso seja necessrio isolar eletricamente o corpo do
componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que
apresentam uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador.

Tabela 11.3 Valores tpicos de resistncia trmica entre cpsula e dissipador

Tipo de cpsula Tipo de isolador Rtcd (
o
C/W)
c/ pasta s/ pasta
TO - 3 s/ isolador
teflon
mica
0,1
0,7 a 0,8
0,5 a 0,7
0,3
1,25 a 1,45
1,2 a 1,5
TO - 66 s/ isolador
mica
mylar
0,15 a 0,2
0,6 a 0,8
0,6 a 0,8
0,4 a 0,5
1,5 a 2,0
1,2 a 1,4
TO - 220AB s/ isolador
mica
0,3 a 0,5
2,0 a 2,5
1,5 a 2,0
4,0 a 6,0

Obs.: mica e mylar com espessura de 50 m a 100 m.

11.4 Comportamento em regime transitrio: potncia de pico
Quando a potncia dissipada no semicondutor consiste de pulsos de potncia preciso
verificar a proteo do componente no apenas em relao potncia mdia sobre ele mas
tambm em relao aos picos de dissipao.
Durante a ocorrncia do pico de potncia ocorre a elevao da temperatura da juno
embora no ocorra variao nas temperaturas do encapsulamento e do dissipador (que
dependem da potncia mdia) devido maior capacidade trmica da cpsula e especialmente
do dissipador. Tal capacidade trmica relaciona-se com o tipo de material utilizado e seu
volume. Na analogia eltrica utilizada anteriormente ela se comporta como uma capacitncia.
O clculo da temperatura da juno em tal regime transitrio feito utilizando uma
grandeza chamada impedncia trmica que leva em considerao a capacidade trmica da
juno. O valor da impedncia trmica, Ztjc, obtido de curvas normalizadas nos manuais de
componentes semicondutores de potncia. A figura 11.8 mostra uma curva tpica de
impedncia trmica, normalizada em relao resistncia trmica entre juno e cpsula.
Estas curvas tomam por base pulsos quadrados de potncia que, via de regra, no
ocorrem. Como se v na figura 11.9, os pulsos reais devem ser normalizados de maneira a que
o valor de pico e a energia (rea sob o pulso) se mantenham. Com o ciclo de trabalho obtido
pela diviso da largura do pico retangular pelo perodo de chaveamento seleciona-se a curva
adequada e se obtm o valor de Ztjc (normalizado ou no). Calculada a temperatura do
encapsulamento (a partir da potncia mdia) obtm-se o valor da temperatura da juno no
instante do pulso de potncia.


1 10
5
0 0.001 0.01 0.1 1
0.01
0.1
1
pulso nico
tp
=0.05
=0.1
=0.5
Zt/Rt

Figura 11.8. Curvas tpicas de impedncia trmica para picos de potncia.

Pp
tp
Pp
Pd(t)
Pj(t)
Pulso normalizado
A1
A2
A1=A2
t
t
T

Figura 11.9. Normalizao do pulso de potncia.

tp
Pp
Pd t dt =
1
0
( )
(11.31)

=
tp
T
(11.32)

Uma vez determinada a temperatura relativa potncia mdia pode-se calcular a
temperatura de pico que se tem na juno utilizando estes dados:

) , tp ( Z Pp Tc Tj
tjc p
+ = (11.33)


Exemplo 2:
Rtjc = 2
o
C/W
Rtca = 5
o
C/W
Rtcd = 2
o
C/W
Rtda = 3
o
C/W
Ztjc = 0,05
o
C/W
Tjmax = 150
o
C
Ta = 40
o
C
P = 20W
Pp = 1000W

( )
+ +
+
+ + =
Rtda Rtcd Rtca
Rtda Rtcd Rtca
Rtjc P Ta Tj (11.34)

Tj = 130
o
C (o componente est protegido em relao potncia mdia)

Tc = 90
o
C

Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140
o
C (11.35)

O componente tambm est protegido nos transitrios. Caso a temperatura calculada
da juno ultrapassasse o valor mximo seria necessrio recalcular o dissipador para que a
temperatura da cpsula fosse baixa o suficiente para permitir a elevao na juno decorrente
do pulso de potncia.

11.5 Clculo de dissipadores

Neste item indicam-se alguns critrios a serem adotados no dimensionamento de
dissipadores. Os valores de potncia sero dados como ponto de partida mas nas situaes
reais devero ter sido calculados a partir de dados de manual ou de observao das formas de
onda sobre o componente.
A temperatura de trabalho da juno deve ser 20% a 30% menor que seu valor mximo,
para permitir a proteo do componente sem superdimensionar o dissipador.
Para ambientes nos quais no se faa um controle rgido da temperatura deve-se usar uma
temperatura ambiente de 40
o
C (exceto se for possvel a ocorrncia de temperaturas ainda
mais elevadas).
Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se
elevar acima dos 40
o
C deve-se considerar sempre a mxima temperatura do ar com o qual
o dissipador troca calor. conveniente, falta de maiores informaes utilizar o valor de
40
o
C e verificar aps a entrada em operao do prottipo a verdadeira temperatura
ambiente.
Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e no
desconsiderar suas resistncias trmicas.
O emprego de pastas trmicas sempre recomendado e se deve considerar tambm sua
resistncia trmica.


Exemplo 3:
Rtjc = 1
o
C/W
Rtca = 35
o
C/W
Rtcd = 0,7
o
C/W (isolador e pasta)
Ztjc = 0,01
o
C/W
P = 20W
Pp = 5 kW
Tjmax = 150
o
C
Ta = 40
o
C

a) Clculo em regime permanente

Tj = 0,8 . Tjmax = 120
o
C
Tj = Ta + P . (Rtjc + Rteq)
Rteq = 3
o
C/W

( )
Rtda Rtcd Rtca
) Rtda Rtcd Rtca
Rteq
+ +
+
=

Rtda
max
= 2,58
o
C/W

O dissipador trmico selecionado deve possuir uma resistncia trmica inferior
calculada. Por exemplo:

Rtda = 2
o
C/W

Assim o novo Rteq ser 2,5
o
C/W.

b) Clculo em regime transitrio

Tc = Ta + Rteq
.
P = 90
o
C
Tjp = Tc + Ztjc
.
Pp = 140
o
C >120
o
C

Como, no transitrio ultrapassa-se o valor de Tj estabelecido preciso redimensionar o
dissipador, a partir de um valor admissvel para Tc.

Tc
max
= Tj - Ztjc . Pp (11.36)
Tc
max
= 70
o
C
Tc
max
= Ta + Rteq . P
Rteq = 1,5
o
C/W
Rtda = 0,86
o
C/W

Assim, para proteo do dispositivo contra a potncia mdia dissipada e os pulsos de
potncia nos transitrios, deve-se usar um dissipador com resistncia trmica de 0,8
o
C/W.
Outra possibilidade usar um dissipador com resistncia trmica maior mas fazendo uso de
ventilao forada.


11.6 Fontes de calor distribudas

Componentes idnticos so freqentemente montados prximos em placas, quando um
nico dispositivo no pode dissipar toda a potncia projetada, por exemplo, um conjunto de
transistores em paralelo em um regulador srie para alta corrente. Cada dispositivo dissipa
praticamente uma mesma frao da potncia total. A mxima temperatura ocorrer no centro
da placa, com uma distribuio parablica de temperatura, com o mnimo nas bordas. A
diferena de temperatura entre as bordas e qualquer ponto da placa dada por:

) X L (
KA 2
q
T
2 2
= (11.37)

L: distncia entre a borda e o centro da placa [cm]
K: condutividade trmica do material da placa [cal/s.cm.C]
A: seo transversal da placa [cm]
X: distncia, a partir do centro, onde se quer saber a temperatura [cm]
q: potncia distribuda entre o centro da placa e o ponto X [cal/s]
11.7 Refrigerao forada

Sistemas eletrnicos de alta potncia freqentemente utilizam refrigerao com
circulao forada de lquidos. Em geral os componentes so montados em placas metlicas
de cobre ou alumnio, atravs da qual circula o lquido refrigerante, normalmente por
condutores ocos soldados placa.
gua provavelmente o melhor lquido para resfriamento em termos de densidade,
viscosidade, condutividade trmica e calor especfico. Para operao de longa durao deve-se
prever uso de gua destilada e deionizada. Se a temperatura esperada puder cair abaixo do
ponto de solidificao ou acima do de ebulio deve-se adicionar outro lquido gua, como o
ethylene glycol o que tambm previne a corroso do cobre ou alumnio usado nos dutos.
O clculo do sistema de refrigerao relativamente elaborado, utilizando frmulas
aproximadas e indicadas nas referncias e que no sero tratadas aqui.
11.8 Referncias bibliogrficas

B.W.Williams: Power Electronics, Devices, Drives and Applications, MacMillan
Education, 1987

Ivo Barbi: Progress in the Development of High-Frequency nondissipative Commutation
power Converter Technologies, Power Electronics Seminar, Dec, 15-16, 1988, Florianpolis,
Brazil

P.L. Hower Power Semiconductors Devices: An Overview, Proc. IEEE, vol. 76, n
o
4, April
1988

R.D.King er alli: Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD
PWM Inverters, PCIM, August 1990

D.S.Steinberg: Cooling Techniques for Electronic Equipment, John Wiley & Sons, Inc.,
1980.


11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAO DE CALOR PARA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA.................................................. 11-1
11.1 Introduo................................................................................................................ 11-1
11.2 Clculo da potncia dissipada.................................................................................. 11-1
11.2.1 Diodos.............................................................................................................. 11-4
11.2.2 Tiristores.......................................................................................................... 11-5
11.2.3 Transistores...................................................................................................... 11-6
11.3 Comportamento em regime permanente: potncia mdia ....................................... 11-7
11.3.1 Dissipador de calor .......................................................................................... 11-8
11.4 Comportamento em regime transitrio: potncia de pico...................................... 11-11
11.5 Clculo de dissipadores ......................................................................................... 11-13
11.6 Fontes de calor distribudas ................................................................................... 11-15
11.7 Refrigerao forada.............................................................................................. 11-15
11.8 Referncias bibliogrficas ..................................................................................... 11-15

Eletrônica de Potencia - Unicamp

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UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao

um do outro, como mostra a figura 2.26.

representa a indutncia de disperso (na

, na equao 7.5). Sendo o rotor praticamente resistivo (e variando

Tenso de entrada e pulsos de disparo

Tenso de sada (ou Fator de Potncia)

Componentes harmnicas normalizadas

, apenas 2 tiristores conduzem, cada um deles por um intervalo contnuo de

. Para ngulos entre 90

, conduzem 2 tiristores, mas existe um intervalo em que a

no existe conduo simultnea de 2

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