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Colegio Piamarta Oracin y Trabajo Especialidad de Telecomunicaciones. Nivel: 3 Medio Mdulo 3.- Medicin y anlisis de componentes y circuitos electrnicos.

Profesora: M Anglica Araya Zamora Ficha de Estudio N1 Unidad: Diodos Contenidos: Diodo de Unin.
" Formacin del Material Semiconductor P y N".

Configuracin de la capa de valencia de los gases nobles: Estos tienen en su ultima rbita o capa de valencia 2 8 electrones. Son tambin denominados elementos estables ya que no se combinan con otro elementos de la naturaleza. Estos elementos son: Helio ( He ) posee 2 electrones en la capa de valencia. Argn ( Ar ) posee 8 electrones en la capa de valencia. Xenn ( Xe ) posee 8 electrones en la capa de valencia. Radn ( Rn ) posee 8 electrones en la capa de valencia. Kriptn ( Kr ) posee 8 electrones en la capa de valencia. Nen ( Ne ) posee 8 electrones en la capa de valencia. Todos los elementos de la naturaleza tienden a tener la configuracin de la capa de valencia de los Gases Nobles o Inertes para poder ser estables, por lo cual cuando se combinan entre s formando los compuestos, sta es la configuracin electrnica que adquieren, mediante distintos tipos de enlaces, siendo los bsicos: Enlace Inico o Electrovalente : Es cuando se combinan dos elementos uno de ellos entrega electrones y el otro los capta, dejando el compuesto molecular neutro. De esta forma logran tener en su capa de valencia la cantidad de electrones que poseen los gases nobles y llegando a ser compuestos estables. En el caso de la figura, el tomo que tena 9 electrones en la ltima capa (Sodio) cede un electrn ,quedando como un catin, al que tena slo 7 electrones (Cloro) el cual a su vez queda como anin , quedando ambos con 8 electrones y formando entre los dos un nuevo compuesto llamado Cloruro de Sodio, que es la sal comn que se utiliza para aderezar los alimentos.

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El enlace inico consiste en la unin de iones con cargas de signo contrario, mediante fuerzas de tipo electrosttico, formando grandes cristales de iones positivos y negativos, llamados cristales inicos 1. Cada tomo de sodio cede un electrn a un tomo de cloro y se convierten el tomo de sodio en ion positivo y el de cloro en ion negativo. Observa atentamente el dibujo. Na Na+ + 1eCl + 1e- Cl2. El proceso de cesin de un electrn del tomo de sodio al de cloro se repite con muchos pares de tomos de sodio y cloro, porque en una reaccin real intervienen incontables pares. 3. Una vez formados los iones, para aumentar las atracciones entre los iones de distinto signo y reducir al mnimo las repulsiones entre iones de igual signo, los iones Na+ y Cl- se colocan de forma ordenada, en una red cristalina. 4. Los iones situados en la red cristalina estn unidos por fuerzas de tipo electrosttico (fuerzas de Coulomb) que mantienen la estabilidad del compuesto.

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Enlace Covalente: Es cuando los electrones de valencia de la rbita exterior de un tomo se alinean con los electrones de valencia de los tomos adyacentes para formar pares de electrones compartidos. Por ejemplo, en la formacin de una molcula de agua vemos el enlace de dos tomos de Hidrogeno ( H ) con uno de Oxigeno ( O ). En este caso, se combinan 2 tomos de hidrgeno, los cuales tienen un solo electrn en la capa de valencia, con un tomo de oxgeno, el cual posee 6 electrones de valencia. Al unirse para adquirir una estructura estable, cada hidrgeno comparte un electrn con el oxgeno, y as adquieren una estructura estable con dos electrones. El oxgeno adquiere una estructura estable de ocho electrones, con los dos electrones que comparte con los hidrgenos.

Conceptos Previos.Todos los componentes electrnicos semiconductores ( diodos, transistores, circuitos integrados, microprocesadores, etc) estn fabricados en base al material P y N. De aqu la importancia de comprender cmo se hacen estos semiconductores para uso electrnico.
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Material Semiconductor Intrnseco ( Ge y Si ) : Un material semiconductor puro se dice que es intrnseco. En dicho material, hay pocos electrones disponibles para la conduccin, cuando la temperatura es baja, pues son pocos los que tienen energa suficiente para saltar a la banda de conduccin. Por lo tanto el material aparecer como un aislador con todos los electrones de valencia estrechamente ligado en enlace covalente. Con esta estructura no puede ser utilizado para ser controlado para uso en electrnica.

Red cristalina del semiconductor intrnseco de Silicio ( Si), formada por enlaces covalentes.

Elemento Tetravalente: El Silicio y el Germanio es un elemento Tetravalente ya que posee cuatro electrones en su ultima capa. Elemento Pentavalente: Los elementos Pentavalente tienen en su ultima capa cinco electrones, Ej: Arsnico ( As ). Elemento Trivalente: Poseen en su ultima capa tres electrones, Ej: Aluminio ( Al ). Aislantes: Estos elementos necesitan muy alta energa para ceder o captar electrones. Semiconductores: Materiales que necesitan una energa intermedia entre la que necesitan los aisladores y los conductores para ceder o captar electrones. Conductores: Necesitan muy poca energa para ceder o captar electrones. Formacin del Material Semiconductor Extrnseco: Los materiales intrnsecos Ge y Si se dopan (significa que se le agregan pequeas cantidades controladas),con impurezas para formar un material que electrnicamente sirva como semiconductor (material extrnseco), para esto se agrega un material pentavalente o un material trivalente.
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Los materiales que se utilizan comnmente para dopar son: Arsnico ( pentavalente ) y Aluminio ( trivalente ) . Formacin del Material Extrnseco Tipo N :

El material dopado con Arsnico es un material elctricamente neutro, ya que cada electrn de todos los tomos tienen en sus respectivos ncleos los protones que los neutralizan. El electrn que no asegura enlace, por su propia energa salta dentro de la estructura, quedando un centro de enlace de dopado con exceso de electrones que son los portadores mayoritarios. Formacin de Material Extrnseco tipo P:

El material dopado con Aluminio es un material elctricamente neutro, ya que cada electrn de todos los tomos tienen en sus respectivos ncleos los protones que los neutralizan. Para tratar de asegurar enlace en el hueco o laguna que queda, los electrones van saltando de un lugar a otro y se forma as lo que se llama conduccin par electrn-hueco .Los portadores mayoritarios son los huecos o lagunas. As tenemos entonces: Ge o Si + Pentavalente (As) = Material Extrnseco tipo N. Ge o Si + Trivalente (Al) = Material Extrnseco tipo P.

UNIN P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en da estn formados por los dos tipos de materiales en base a silicio ( P y N ) , unidos entre si. En el dibujo se le asigna el signo ( + ) a los huecos que corresponde a enlaces sin asegurar del material P y el signo ( - ) a los electrones que estn saltando entre la estructura del material N, tenemos que cada centro de enlace covalente que se muestra es elctricamente neutro.

Silicio tipo P y silicio tipo N separados. Se muestran solo los enlaces de las impurezas trivalentes y pentavalentes.

Cuando se ponen en contacto ambos tipos de materiales, se forma la Unin P-N. Cuando se efecta esta unin, los electrones y los huecos inmediatos a la unin se atraen, cruzan la unin y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIN P-N Segn este proceso inicial, la zona N prxima a la unin ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P prxima a la unin ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N prxima a la unin cargada positivamente, rechazar a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unin. Exactamente igual la zona P prxima a la unin impedir el paso de los electrones provenientes de la zona N Por tanto en la zona prxima a la unin aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travs de la unin, no pudiendo existir corriente. De esta forma se tiene un diodo de unin, el cual puede ser controlado electrnicamente actuando sobre la barrera de potencial interna de ste con una fuente de tensin ( voltaje ) externa.

ACTIVIDADES. En el cuaderno del mdulo N3 , resuelva el siguiente cuestionario: 1.- Cul es la configuracin electrnica de la capa de valencia de los gases nobles? 2.- Por qu los gases nobles se llaman elementos estables? 3.- Identifique la cantidad de electrones de valencia que poseen los 6 gases nobles de la tabla peridica de elementos. 4.- Al formar compuestos los diferentes elementos no estables Cul es la configuracin electrnica de la capa de valencia que adquieren y por qu? 5.- Por qu en el enlace inico, el compuesto que se forma es neutro? 6.- En el enlace inico electrovalente Qu tipo de fuerza interviene para formar para formar los cristales inicos? 7.- Por qu en el enlace inico se forma una red cristalina? 8.- En forma resumida, Cmo se realiza un enlace covalente? 9.- En la naturaleza no se encuentra un solo tomo de Hidrgeno por ser inestable al tener un solo electrn de valencia, por eso es que se encuentra una molcula de Hidrgeno ( H2 ). Haga un esquema del enlace covalente de esta molcula de Hidrgeno y explique cmo logra ser estable. 10.- Nombre tres componentes electrnicos que estn fabricados en base a material P y material N. 11.- Qu es un material semiconductor extrnseco? 12.- Por qu no se puede utilizar un semiconductor intrnseco en la fabricacin de componentes electrnicos? 13.- Explique cmo se realiza el enlace covalente que utiliza el Silicio para formar su red cristalina estable. 14.- Explique qu son los elementos pentavalentes, trivalentes y tetravalentes. 15.- Cules son los niveles de energa que necesitan los aislantes, conductores y semiconductores para mover electrones de su capa de valencia? 16.- En forma general Cmo se obtienen los materiales semiconductores extrnsecos? 17.- Qu tipo de impurezas se agregan al Si para formar material P y material N? 18.- Al agregar un material pentavalente al Si Cmo se forma el centro de enlace de dopado y qu tipo portador mayoritario hay en un material tipo N? Haga un esquema de dicho centro de dopado. 19.- Al agregar un material trivalente al Si Cmo se forma el centro de enlace de dopado y qu tipo portador mayoritario hay en un material tipo P? Haga un esquema de dicho centro de dopado. 20.- Explique por qu el material P y el material N son elctricamente neutros a pesar de que se les agregan impurezas como el Aluminio y Arsnico. 21.- Cuando se produce una unin P-N Por qu la zona cercana a la unin se carga elctricamente?, Qu polaridad hay en la zona de unin en el material P y en el material N? 22.- La barrera de potencial interna que se forma en la zona de unin Cmo influye en el paso de los portadores mayoritarios? 23.- Cmo se puede controlar electrnicamente un diodo de unin?