Tecnología electrónica: materiales, componentes y diseño

TECNOLOGA ELECTRONICA
Ing. Alfredo F. Covi -- Ing. Nestor Barros

2. EDICION
Ao 2004
TECNOLOGA ELECTRONICA
Ing. Alfredo F. Covi

Pofesor Titular de Tecnologa Electrnica Facultad Regional de Buenos Aires Facultad Regional Haedo Universidad Tecnolgica Nacional Universidad Nacional de la Matanza
Ing. Nestor Barros

Profesor Titular de Tecnologa Electronica Facultad Regional de Buenos Aires Facultad Regional Avellaneda Universidad Tecnolgica Nacional
2. EDICION
Ao 2004
PROLOGO La temtica que cubre todas las necesidades de la Tecnologa Electrnica: anterior, actual y futura, es muy vasta. Lo que se pretende es cubrir las necesidades tericas que requiere esta asignatura en las carreras de Ingeniera Electrnica, con una estructura acadmica adecuada, aunque en algunos pasajes nos veamos obligados a proporcionar datos de catalogo en forma abundante. Nos hemos basado en apuntes del Ing. Alberto Godel que nos legara, cuando dio forma a la estructura de la asignatura. Resulta materialmente imposible tratar dentro de 150 horas del curso lectivo una variedad tan grande de temas con el exigido nivel de especializacin profesional. De acuerdo a la experiencia recogida en el desempeo de la ctedra, y en particular como consecuencia del "Seminario de Perfeccionamiento Docente en Tecnologa" realizado en 1982 es que se genero el contenido sinttico del programa de Tecnologa Electrnica o de los Componentes Electrnicos que actualmente se aplica. Para evaluar su importancia, es necesario tener en cuenta que en muchos aspectos nuestra asignatura constituye una de las primeras experiencias esencialmente ingenieriles que enfrenta el alumno en su carrera. En efecto, el estudiante ha sido formado en disciplinas fundamentalmente analticas que lo han acostumbrado a plantearse y resolver problemas en condiciones idealizadas y que generalmente conducen a una nica solucin. Por el contrario, al estudiar Tecnologa y encarar el diseo o proyecto de dispositivos, el alumno se ve obligado a resolver los problemas de sntesis, con multiplicidad de opciones, criterios practicos, necesidades de optimizacion y limitaciones impuestas por la realidad, con un entrenamiento en materia de metodologa de trabajo estrictamente profesional. La importancia formativa de la asignatura puede verse en un ejemplo: Un inductor tiene N espiras (y no +N N), de un alambre de determinado dimetro d, que debe poder adquirirse en un comercio, y que debe entrar dentro de la "ventana" del ncleo. Si el alambre es fino, calienta excesivamente; si es demasiado grueso, su costo puede resultar prohibitivo. La tecnologa trata con elementos reales, problemas concretos y soluciones posibles, y el alumno debe aprender a encontrar los caminos que lo lleven a esas soluciones posibles con minimos costos de materiales y mano de obra, sin apartarse de los requisitos del proyecto. La informacin tecnolgica es sumamente fluida sobre todo con el advenimiento de nuevas tecnologas de internet, donde lo importante no es su almacenamiento sino su disponibilidad, luego el futuro profesional se familiariza con las tcnicas de adquisicin y manejo de informacin tcnica, uso de libros, revistas, catalogos, hojas tcnicas, tablas, graficos y normas. De las nuevas tecnologas hemos aportado los inductores y transformadores planares sin ncleo en alta frecuencia, que fueran experimentados en la Universidad de Hong Kong.
1 NDICE TEMTICO CAPITULO I (pag. 1 a 5) INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA (pag. 1 a 10)
I)- Algunos aspectos de la tecnologa; 1.1 Aspectos Economicos; 1.2 Aspectos de Desarrollo y Evolucion; 1.3 Aspectos de seguridad y Defensa - I-2 Temas que trata la tecnologa; 2.1 Estudio de Caracteristicas de Materiales; 2.2 Utilizacio de Esos Materiales en la Construccin de Dispositivos; 2.3 Anlisis del Comportamiento real de los Dispositivos.; 2.4 Proyecto y Construccin de Dispositivos y Sistemas; 2.5 Organizacin Tecnologia ( Normalizacin, Confiabilidad, Calidad) ; I-3) Normas y normalizacin; 3.1 Definicion de Norma; 3.2 Ventajas de la Normalizacion; 3.2.1 Establecimiento de especificaciones adecuadas; 3.2.2 Reduccin del numero de valores diferentes; 3.2.3 Intercambiabilidad; 3.2.4 Compatibilidad; 3.2.5 Uniformidad de criterios; 3.2.6 Basamento para la Calidad; 3.3 mbito de las Normas; 3.4 Evolucion de la Normalizaon; I-4) Especificaciones; 4.1 Valores Utilizados en las Especificaciones. CAPITULO II (pag. 1 a 22) FALLAS - CONFIABILIDAD CALIDAD
II-1) Fallas en equipos electrnicos;1.1 Definicion de Falla; 1.2 Fallas; Aleatorias o Catastroficas; 1.3 Fallas por Degradacion; 1.4 Fallas por Desgaste; 1.5 Fallas Independientes y Fallas Dependientes; II-2) Confiabilidad ; 2.1 Definicion de Confiabilidad; 2.2 Confiabilidad de Conjuntos de Elementos; 2.1.1 DisposicinFuncional Serie; 2.2.2 Disposicin Funcional Paralelo; 2.3 Algunos Aspectos Matemticos de la Confiabilidad; 2.3.1 Histograma de fallas; 2.3.2 Distribucin de frecuencia de fallas; 2.3.3 Probabilidad de falla; 2.3.4 Probabilidad de xito o Confiabilidad; 2.4 Regimen de Fallas F.R. ( Failure Rate ); 2.4.1 Clculo matemtico del F.R.; 2.4.2 El F.R. de conjuntos de elemento dispuestos funcionalmente en serie; 4.3 El F.R. de conjuntos de elemento dispuestos funcionalmente en paralelo.; II-3) Aplicaciones practicas de la confiabilidad; 3.1 Comportamiento Teorico y Real del Regimen de Fallas (F.R.); 3.2 Regimen de Fallas de Componenetes Electrnicos; 3.2.1 Valores bsicos de F.R. de componentes electrnicos; 3.2.2 Factores de ajuste para distintas condiciones de operacin; 3.2.3 Factores ambientales que afectan al F.R.; 3.2.4 Niveles de Calidad de componentes electrnicos; 3.3 Medidas para Obtener una Confiabilidad Elevada; 3.5 Ejemplo de Calculo de la Confiabilidad de un Circuito; 3.5 Ejemplo de Calculo de Confiabilidad para un.Sistema; II-4) Calidad; 4.1 Definiciones Relativas a Calidad; 4.1.1 Calidad; 4.1.2 Control de Calidad; 4.1.3 Aseguramiento de Calidad Garanta de Calidad; 4.1.4 Sistema de Calidad; 4.1.5 Gestin de Calidad; 4.1.6 Calidad Total; 4.2 Calidad y Costo; 4.3 Control de Calidad; 4.2.1 Los cuatro pasos del Control de Calidad. CAPITULO III (pag. 1 a 38) MATERIALES ELCTRICOS
III-1.1 Comportamiento de los Materiales Elctricos en Baja Frecuencia: Espectro de Resistividades;1.2 Comportamiento de los Materiales Elctricos en Alta Frecuencia. Tangente ; 1.2.1 Determinar tangente ; 1.2.2 Otra manera de obtener tg ; III-2) Materiales conductores; 2.0 Caracteristicas electricas de los materiales conductores; 2.1 Resistencia Especifica o Resistividad ; 2.1.1 Definicin de la resistividad; 2.1.2 Materiales conductores de baja resistividad ; 2.1.3 Materiales conductores de alta resistividad ; 2.2 Coeficiente de Variacin de la Resistencia con Temperatura;2.3 F.E.M. de Contacto ; 2.4 Otras Caractersticas de los Materiales Conductores; 2.4.1 Peso especfico ; 2.4.2 Coeficiente de conduccin del calor 2.4.3 Punto de fusin ; 2.4.4 Coeficiente de dilatacin lineal ; 2.4.5 Resistencia mecnica (a la traccin, a la compresin, dureza, etc.) ; 2.4.6 Soldabilidad ; 2.4.7 Resistencia a oxidacin y corrosin ; 2.4.8 Variacin de la resistencia de los conductores con la frecuencia; 2.4.8.1 Efecto pelicular; 2.4.8.2 Profundidad de penetracin; 2.4.8.3 Resistencia en C.A.; III-3) Materiales aislantes; 3.1 Distintos usos de un Aislante ; 3.1.1 Soporte; 3.1.2 Revestimiento de Conductores ; 3.1.3 Impregnacin; 3.1.3.1 Impregnacin a la Presion Atmosferica; 3.1.3.2 Impregnacin al Vacio; 3.1.4 Encapsulado; 3.1.5 Dielectrico; 3.1.6 Sustrato; 3.1.7 Clasificacion de los dielectricos por la temperatura; 3.1.7.1 Distintos tipos de dielectricos; 3.1.7.1.1 Caucho; 3.1.7.1.2 Ceras minerales; 3.1.7.1.3 Derivados de la celulosa; 3.1.7.1.4 Resinas termoplasticas; 3.1.7.2 Resinas termoendurecidas; 3.1.8 Baja constante dielectrica relativa; 3.1.9 Alta constante dielectrica relativa; 3.2 Caracteristicas electricas de los aislantes; 3.2.1 Resistividad de masa o volumtrica; 3.2.1.1 Resistividad volumtrica medida en la practica; 3.2.1.2 Relacion entre la corriente y la tensin; 3.2.2 Resistividad superficial; 3.2.2.1 Solubilidad de un aislante en agua; 3.2.2.2 Definicion de la resistividad superficial; 3.2.3 Rigidez dielectrica; 3.2.4 Constante dielectrica relativa; 3.2.4.1 Efecto de la polarizacion; 3.2.5 Perdidas dielectricas tangente ; 3.3 Caracteristicas varias de los materiales aislantes; 3.3.1 Resistencia a la traccin; 3.3.2 Temperatura mxima admisible; 3.3.3 Clases de los materiales aislantes segn el CEI; 3.3.4 Isotropia de los dielectricos; 3.3.5 Materiales anisotropicos; 3.4 Aislantes gaseosos; 3.4.1 Rigidez dielectrica de los gases; 3.4.2 Ley de PASCHEN. CAPITULO IV (PAG. 1 a 28) MATERIALES MAGNTICOS
a) Introduccin; b) Materiales paramagnticos; c) Materiales dimagnticos ; d) Magnetizacin: spin magnetico; e) Dominios magneticos; 1) Caractersticas de los materiales magnticos ; 1.1 Ciclo de Histeresis de un Material Magnetico.; 1.1.1 Curva virgen de magnetizacin; ; 1.1.2 Induccin de saturacin Bs ; 1.1.3 Induccin remanente Br ; 1.1.4 Intensidad de campo coercitivo o fuerza coercitiva Hc; 1.1.5 Lazo de histresis cclico ;
2 1.2) Clasificacin de los materiales magnticos segn la forma del lazo de histresis ; 2) Materiales magnticos blandos ; 2.1 Permeabilidad magnetica; 2.1.1 Permeabilidad absoluta ; 2.1.2 Permeabilidad diferencia l (d) ; 2.1.2.1 Permeabilidad inicial (i) ; 2.1.3 Permeabilidad mxima (mx) ; 2.1.4 Permeabilidad incremental () ; 2.1.5 Permeabilidad de corriente continua o esttica (cc) ; 2.2) Induccin de saturacin Bs ; 2.3) Perdidas en materiales magnticos ; 2.3.1 Perdidas por histresis, Formula de Steinmetz; 2.3.2 Prdidas por corrientes parsitas o de Foucault ; 2.3.3 Perdidas residuales ; 2.4 Resistividad ; 2.5 Punto de curie ; 2.6 Efecto pelicular magntico ; 2.7 Anisotropa (falta de isotropia) ; 2.8) Caractersticas mecnicas ; 3) Materiales magnticos duros ; 3.1 Producto de energa especifica P.E.E. ; IV-4) Ncleos para inductores y transformadores ; 4.1) Ncleos laminados ; 4.1.1 Ncleos en anillo armados con tiras I ; 4.1.2 Ncleos E-I (o acorazados) ; 4.1.2.1 Laminacion sin desperdicio; 4.1.3 Nucleos Toroidales laminados ; 4.1.3.1 Ncleos toroidales de chapas planas apiladas ; 4.1.3.2 Ncleos toroidales de cinta arrollada ; 4.1.3.3 Ncleos acorazados (E - E) de cinta arrollada ; 4.1.4 Clculo aproximado de las prdidas en ncleos acorazados laminados ; 4.2) Ncleos de materiales no metlicos ferritas ; 4.2.1 Ncleos acorazados de ferrita (E - E) ; 4.2.2 Ncleos toroidales de ferrita (o de polvos aglomerados) ; 4.2.3 Ncleos en forma de cazoleta. IV-5) Ferritas 5.1 Ferritas magnticamente duras ; 5.2 Ferritas magnticamente blandas ; Grafico i vs. Frecuencias Bajas ; Grafico i vs. Frecuencias Altas ; tg / i vs. Frecuencias Bajas ; tg / i vs. Frecuencias Altas ; Grafico S' y S' vs. Frecuencia ; Tipos de Ferritas de Alta Frecuencia ; 5.3) Caractersticas principales de las ferritas ; 5.3.1 Coeficiente de temperatura ; 5.3.2 Factor de desacomodacin ; 5.3.3 Magnetostriccin ; 5.3.4 Factor de inductancia (CAl) ; 5.4) En inductores con ncleo ; Curvas ISO Q ; Curvas Q vs. Frecuencia e Inductancia. CAPITULO V (pag. 1 a 45) INDUCTORES
V-1) Inductancia e inductores ; 1.1) Algunas consideraciones sobre la inductancia ; 1.2) Caractersticas de los inductores ; 1.3) Modelos circuitales de un inductor ; 1.3.1 Circuito equivalente serie de un inductor ; 1.3.2 Circuito equivalente paralelo de un inductor ; 1.3.3 Equivalencia de los circuitos equivalentes serie y paralelo ; 1.3.3.1 Inductores de RF sin Ncleo, Definicin de Q ; 1.3.3.2 Circuito Equivalente de un Inductor de RF con Ncleo de Aire; 1.3.3.3 Determinar Qe serie equivalente y la capacidad distribuida; 1.3.3.4 Factor de Sintonia ; 1.3.3.5 Obtencion del valor de Cd; 1.3.3.6 Otra forma de planteo; 1.3.3.7 Obtencion de Qo y QL; a) Ancho de Banda por Variacin de Frecuencia ; b) Ancho de Banda por Variacion de Capacidad ; 3)Factor de Sobretension ; Formulas para obtener valores de cualquier tipo de dipolos para Q > 10. Sustitucin Serie ; Sustitucin Paralelo ; 1.3.4 Circuito Equivalente Para Alta Frecuencia ; 1.3.5 Variacin de la Inductancia Efectiva en Alta Frecuencia; 1.3.5.1 Frecuencia de autorresonancia f0 ; 1.3.5.2 Comportamiento del inductor por encima de la frecuencia de autorresonancia ; 1.2.5.3 Choques de R.F.; V-2) Prdidas en inductores ; 2.1 Efecto de proximidad ; 2.2 Comportamiento del Q de inductores sin ncleo con la frecuencia ; V-3) Formas constructivas mas comunes de los inductores de adiofrecuencia sin ncleo ;3.1 Solenoide monocapa ; 3.2 Inductores multicapa ; 3.2.1 Bobinado Universal Honeycomb ; 3.3 Inductores planos ; V-4) Verificacin (clculo) de los parmetros elctricos de inductores sin ncleo ; 4.1 Clculos en inductores monocapa ; 4.1.1 Clculo terico de la inductancia de un solenoide monocapa ; 4.1.1.1 Clculo Prctico de la Inductancia: Frmula de WHEELER ; 4.1.2 Clculo del Q de solenoides monocapa ; 4.1.2.1 Clculo prctico del Q de un solenoide monocapa - Mtodo de MEDHURST ; 4.1.2.2 Calculo de la Relacion Optima d / p ; 4.1.3 Capacitancia Distribuida de Solenoides Monocapa ; 4.1.3.1 Clculo Prctico de la Capacitancia Distribuida de Solenoides Monocapa ; 4.2 Clculos en solenoides multicapa ; 4.3 Clculos en inductores planos ; V-5) Proyecto de inductores sin ncleo ; 5.1 Proyecto de solenoides monocapa sin ncleo ; 5.1.1 Criterios generales para el diseo de solenoides de Q mximo ; 5.1.2 Procedimiento del proyecto de solenoides monocapa ; 5.2 Proyecto de solenoides multicapa; 5.2.1 Bobina Honey Comb formas constructivas; 5.2.2 Bobinado Bank; V-6) Aspectos complementarios ; 6.1 Conductores multifilamentados (LITZ) ; 6.2 Blindaje de inductores ; 6.2.1 Material y espesor del blindaje ; 6.2.2 Atenuacin del Campo Incidente a traves de una Pared ; 6.3.3 Forma y tamao del blindaje ; 6.3.4 Variacin de la inductancia por efecto del blindaje Frmula de Boggle ; Uso de Conductores: a) como Blindaje, b) como conductor. CAPITULO VI (pag. 1 a 23) INDUCTORES CON NCLEO FERROMAGNTICO
VI-1) Introduccin; 1.1 Ventajas del uso de ncleos ferromagnticos ; 1.2 Clasificacin de los ncleos segn el tipo de circuito magntico; a) Inductores con circuito magnetico abierto donde la/lh > 1; b) Inductores con circuito magnetico cerrado la/lh << 1; - 1.3 Resolucin del problema del inductor con ncleo ; 2) Resolucin de inductores con circuito magntico abierto ; 2.1 Concepto de permeabilidad efectiva ; Grafico ef vs. r ; 2.2 Correccin de la permeabilidad efectiva para casos reales ; 2.2.1 Correccin por diferentes dimetros ; 2.2.2 Correccin por diferentes longitudes ; 2.2.3 Correccin simultnea por diferentes dimetros y longitudes ; 2.3 Influencia del ncleo sobre el q de un inductor con circuito magntico abierto ; 2.4 Consideraciones sobre el material del ncleo en inductores de alta frecuencia 2.5 Utilizacin practica del ncleo ferromagntico en inductores de alta frecuencia - 2.6 Proyecto de inductores de r.f. con ncleo ferromagntico - 2.6.1 Datos e Incgnitas del Proyecto ; 3) Resolucin de inductores con circuito magntico cerrado ;
3 3.1 Anlisis del circuito magntico - 3.1.1 Ley de Hopkinson ; 3.1.2 Reluctancia en circuitos magnticos con entrehierro 3.1.3 Circuitos magnticos con varios tramos de entrehierro. CAPITULO VII (pag. 1 a 45) INDUCTORES DE BAJA FRECUENCIA
VII-1) Distintos tipos de inductores de baja frecuencia ; 1.1 Introduccin ; 1.2 Inductores de potencia de baja frecuencia 1.2.1 Inductores de Potencia Reactores ; 1.2.2 Inductores de filtro para rectificadores ; VII-2) Inductancia de un inductor con circuito magntico cerrado; 2.1 Resolucin Grafica de Circuitos Magneticos: Metodo de KARAPETOFF; 2.2 Ventajas del Metodo de Karapetoff ; 2.3 Relacion entre la Tensin y la Frecuencia Aplicados a un Inductor y la Induccin que se Establece en el Ncleo ; Grafico r vs. Bca y Hcc ; 2.3.1 Obtencin del a partir de la induccin alterna Bmx ; 2.3.2 Obtencin del por medio de la resolucin del circuito magntico ; 2.3.3 Obtencion de la permeabilidad; 2.3.4 Factor de Inductancia AL ; 2.3.5 El entrehierro: su influencia y efectos ; 2.3.6 Influencia sobre el valor de la inductancia ; 2.3.7 Entrehierro Mnimo Realizable ; 2.3.8 Apilado alternado: juntas ; 2.3.9 Calculo de la FMM para una junta; 2.3.9.1 Definicion de junta; VII-3) Clculo de las prdidas en inductores de baja frecuencia ; 3.1 Prdidas en el hierro ; 3.1.1 Ncleos excitados con CA solamente ; 3.1.2 Ncleos con excitacin de CC y CA superpuestas ; 3.2 Prdidas en el cobre ; 3.2.1 Arrollamientos en que circula solamente CA ; 3.2.2 Arrollamientos en que circulan CC y CA superpuestas ; 3.3 Prdidas totales ; 3.4 Determinacin de la sobre elevacin de temperatura ; 3.4.1 Temperatura de rgimen ; 3.4.2 Clculo de la sobre elevacin de temperatura: Mtodo de Montsinger Blume ; 3.4.3 Causas de la Variacin de la Inductancia en Inductor Ferromagnetico; A) Variacin de la Inductancia con la Tensin Aplicada ; B) Variacin de la Inductancia con la Corriente ; C) Variacin de la Inductancia con la Frecuencia: Alimentacin con generador de Tensin y de Corriente ; D) Variacin de la Inductancia con la C.C. ; E) Variacin de las Perdidas en un Inductor ; a) Variacin de las Perdidas con la Tensin a Frecuencia Constante ; b-1) Variacin de las Perdidas con la Frecuencia a Tensin Constante ; b-2) Variacin de las Perdidas con la Frecuencia a Corriente Constante ; VII-4) Verificacin (clculo) de inductores de baja frecuencia ; 4.1 Verificacin de inductores de b.f. sin circulacin de C.C ; 4.1.1 Determinacin de la per meabilidad ; 4.1.2 Determinacin de la inductancia ; 4.1.3 Determinacin de las prdidas en el hierro ; 4.1.4 Determinacin de las prdidas en el cobre; 4.1.5 Determinacin de las prdidas totales ; 4.1.6 Determinacin de la sobre elevacin de temperatura T. ; 4.1.7 Determinacin del factor Q ; 4.1.8 Determinacin de la tensin ( o corriente ) mxima admisible ; 4.2 Verificacin de inductores de B.F. con circulacin de C.C. ; 4.2.1 Determinacin de la inductancia L ; 4.2.2 Clculo de la resistencia del arrollamiento Rcc ; 4.2.3 Prdidas en el hierro ; 4.2.4 Prdidas en el cobre ; 4.2.5 Determinacin del Q ; 4.2.6 Determinacin de la sobre elevacin de temperatura T ; VII-5) Proyecto de inductores de baja frecuencia con ncleo laminado sin circulacin de C.C. ; 5.1 Desarrollo del proyecto ; 5.2 Consideraciones finales ; VII-6) Proyecto de inductores de baja frecuencia con circulacin de c.c. y c.a. superpuestas ; 6.1 Mtodo de HANNA ; 6.2 Desarrollo del proyecto. CAPITULO VIII (pag. 1 a 27) TRANSFORMADORES
VIII-1) Aplicaciones tpicas de los transformadores ; 1.1 Modificacin de los niveles de tensin, corriente e impedancia ; 1.1.1) Transformacin de tensiones ; 1.1.2 Transformacin de corrientes ; 1.1.3 Transformacin de impedancias ; 1.2 Posibilidad de diferentes potenciales de referencia en el primario y el secundario ; 1.2.1 Inversin de polaridad ; 1.2.2 Posibilidad de diferentes potenciales continuos de primario y secundario ; 1.2.3 Obtencin de seales de c.a. con resistencia interna a la c.c. despreciable ; 1.2.4 Adicin o substraccin de seales ; VIII-2) Transformadores ideales y transformadores reales ; 2.1 Caractersticas de un transformador ideal ; 2.2 Caractersticas de los transformadores reales ; 2.3 Clasificacin de los distintos tipos de transformadores ; 2.3.1 Transformadores de radio frecuencia. (sintonizados) ; 2.3.2 Transformadores de banda ancha ; 2.3.3 Transformadores de potencia ; 3) Circuito equivalente de transformadores reales ; 3.1 Circuito equivalente completo del transformador ; 4) Transformadores de radio frecuencia ; 4.1 Caractersticas de los transformadores de R.F. ; 4.2 Distintas clases de transformadores de R.F ; 4.3 Transformadores con secundario sintonizado ; 4.4 Transformadores con primario y secundario sintonizados (doble sintonizado) ; 4.5 Posibilidades constructivas. VIII-5 Inductores y Transformadores Planares. 5.1 Estructura basica y circuito equivalente; 5.2 Caracteristicas de los Transformadores planares sin ncleo; 5.3 Transformadores para transferencia de seales y potencia; 5.3.1 Impedancia mxima para transferencia de seales; 5.4 Transformador de potencia; 5.5 Campo electromagntico irradiado EMI; 5.6 Ejemplos de algunas aplicaciones: Ejemplo 1: Transformador entre el circuito driver y el circuito de banda ancha; Ejemplo 2: Transformador con varios secundarios para excitadores disparadores de un amplificador de potencia Toten-Pole; Ejemplo 3: Aislador de un amplifiocador de potencia de 1 MHz de banda ancha; Ejemplo 4: Transformador para transferencia de mxima potencia; Eleccin del espesor de la plaqueta para el diseo.
CAPITULO IX
(pag. 1 a 43)
TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA
IX-1) Circuito equivalente del transformador de banda ancha ; 1.1 Simplificacin del circuito equivalente ; 1.2 Distintos tipos de transformadores de banda ancha ; 2) Comportamiento de los transformadores con la frecuencia ; 2.1 Transformadores de salida ; 2.1.1 Respuesta en frecuencias medias ; 2.1.2 Respuesta en frecuencias bajas ; 2.1.3 Respuesta en frecuencias altas ; 2.1.4 Comportamiento del transformador con carga fuerte en todo el rango de frecuencias ;
4 2.2 Transformadores de acoplamiento ; 2.2.1 Respuesta en frecuencias medias ; 2.2.2 Respuesta en frecuencias bajas ; 2.2.3 Respuesta en frecuencias altas ; Expresin Habitual Normalizada de la Transferencia ; 3) Parmetros reactivos del transformador ; 3.1 Inductancia primaria ; 3.1.1 Inductancia primaria e inductancia de dispersin ; 3.1.2 Inductancia primaria: aspectos tecnolgicos ; 3.2 Inductancia de dispersin ; 3.2.1 Frmula de Fortescue ; 3.2.2 Bobinado bifilar 3.3 Capacidad distribuida - 3.3.1 Efectos que producen capacitancia distribuida ; 3.3.2 Clculo aproximado de la capacitancia distribuida ; 3.4 Parmetros que influyen en alta frecuencia; 3.5 Distintos tipos de distorsion: 1) Distorsion por modificacin del punto de trabajo del amplificador; 2) Distorsion por variacin de las caractersticas del transformador sobre la realimentacin; 3) Distorsion por alinealidad del ncleo; 3.1 Alimentacion de un inductor con un generador de corriente; 3.2 Alimentacion del inductor real; 3.3 Calculo de la magnitud de la distorsion; 3.4 Formula de PARTRIDGE: Coeficiente de distorsion Kd; 3.5 Verificacion de transformadores de banda ancha; 3.6 Proyecto de transformadores de banda ancha; IX-4 Transformador de pulsos ; 4.1 Analisis del frente anterior del pulso rectangular o exitacion Delta de Dirac; 4.2 Analisis del Tope; 4.3 Analisis del frente posterior; 4.4 Ensayo de transformadores de banda ancha: 1) a) Relacion de transformacin; 1)b) Impedancia reflejada; 2) Resistencia de los devanados; 3) Inductancia primaria; 4) Inductancia de dispersin; 5) Medicion de las deformaciones; 6) Capacidad equivalente; 7) Deformacin alineal. CAPITULO X (pag. 1 a 22) TRANSFORMADORES DE POTENCIA
X-1) Caractersticas de los transformadores de potencia ; 1.1 Circuito equivalente de un transformador de potencia 1.2 Rendimiento ; 1.3 Regulacin ; 2) Rgimen de potencia de un transformador ; 2.1 Relacin del producto de reas Area product ; 2.2 Potencia y tamao de un transformador ; 3) Proyecto de transformadores de potencia; 3.1 Otra forma de enfocar el proyecto; 3.2 Circuito equivalente y diagrama vectorial; 4) Transformadores que alimentan cargas no lineales; 4.1 Ensayo de transformadores de potencia; 5 Maquinas bobinadoras clsicas. CAPITULO XI (pag. 1 a 10) CAPACITORES
1 Definicion; 1.1 Relaciones fundamentales ; 1.2 Caractersticas reales de un capacitor ; a) Prdidas en el dielctrico ; b) Prdidas en los terminales de placa; c) Inductancia residual ; 1.3 Circuito equivalente ; 1.3.1 Diagrama vectorial ; 1.3.2 Factor de Potencia, Factor de Prdidas, Factor de Mrito ; 1.3.2.1 Factor de Potencia ; 1.3.2.2 ngulo de Prdidas; 1.3.2.3 Factor de Disipacin ; 1.3.2.4 Factor de mrito Q; 2 Comportamiento de un capacitor real en funcin de la frecuencia ; 2.1 Anlisis de la variacin de la tg con la frecuencia ; 3 Descripcin de un Capacitor ; 3.1 Elementos determinantes de la Capacidad ; 4 Caractersticas importantes de un Capacitor ; 4.1) Constante dielctrica ; 4.2) Absorcin dielctrica ; 4.3) Constante de Tiempo ; 4.4) Resistencia de aislamiento ; 4.5) Rigidez dielctrica; 4.6) Corriente alterna mxima. BIBLIOGRAFA (pag. 1 a 1 )
TABLAS Y GRAFICOS; (Anexos 1 a 45) Caratula; ANEXO 1 Grafico Curvas para ferritas con Al 250 nHy vs frec. En Cap.VI pag. 17 parrafo 3, y Cap. IV Ferritas pag. 18, parrafo 5.4 ; ANEXO 2 Grafico Curvas para ferritas con Al 160 nHy vs. Frec. Hasta 1 MHz y L, Capitulo VI pag. 17 parrafo 3, y Cap. IV Ferritas pag. 18 parrafo 5.4; ANEXO 3 Grafico / vs Temperatura, en Cap. IV Ferritas pag. 13 parrafo 5.3.1; ANEXO 4 Tablas factor de correccion para materiales magneticos hasta 15.000 Hz en Cap. IV pag. 25 parr. 4.1.4.1; ANEXO 5 idem hasta 250 Hz en Cap. IV pag. 25 parr. 4.1.4.1 y Cap. VII pag.37 parr 5.1; ANEXO 6 Grafico Bca vs FMM junta en Cap. VII pag. 14 parr. 2.3.9.1; ANEXO 7 Grafico de Medhurst para obtencin de , en Cap. V pag. 31 parr. 4.1.2.1; ANEXO 8 Grafico de Qn del ncleo de ferrita vs frec. Y r en Cap. VI fig. 2.5 y en pag. 15 parr. 2.6.1 ; ANEXO 9 Grafico ANEXO 10 Grafico ef vs r en Cap. VI pag 5 parr. 2.1, (ver anexo r o vs Bca y Hcc, en Cap. VII pag. 10 parr. 2.3.1 ; 19) ; ANEXO 11 Grafico de Motsinger Blume: Sobrelevacion de temperatura vs Pt / Sl, en Cap. VII pag 18 parr. 3.4.2 y pag. 37 parr. 5.1 paso 8 ; ANEXO 12 Grafico de Hanna (ver anexo 20) en Cap VII pag. 40 parr. 6.1 y pag. 42 parr. 6.1 fig. 6.3; ANEXO 13 (ver anexo 45)Grafico B-H sin escala logartmica para FeSi al 3,5% en Cap. IV pag. 5 parr. 1.1.1 ; ANEXO 14 Grafico r vs r, en Cap. VI pag. 22 parr. 3.1.2 caso (c); ANEXO 15 Grafico: B vs FMM junta (ver anexo 6) en Cap. VII pag. 14 parr. 2.3.9.1; ANEXO 16 (ver anexo 7) Grafico de = funcion de d/p y l / D , de Medhurst en Cap. V pag. 31 parr. 4.1.2.1 ; ANEXO 17 Grafico coeficiente de distorsion KD vs Bmax y Hcc en Cap. IX pag. 22 parr. 3.4; ANEXO 18 Grafico inductancia mutua Mo/espira vs d/D para el calculo de la separacin de devanados Honey Comb de un transformador, en Cap. VIII pag. 16 parr. 4.5 ; ANEXO 19 (ver anexo 10) Grafico ef vs r y l/D en Cap. VI pag. 5 parr. 2.1; ANEXO 20 (ver anexo 12) Grafico de Hanna corregido en Cap. VII pag. 40 parr. 6.1 y Cap. VII pag. 42 parr. 6.1 fig. 6.3 ; ANEXO 21 Grafico ISO Q en Cap. IV Ferritas pag. 17 parr. 5.4; ANEXO 22 Grafico L vs Peso total y Icc EN Cap. VII pag. 44 parr. 6.2; ANEXO 23 Tabla de Materiales magneticos y sus caractersticas en Cap. IV pag. 1 (a) y 2 parr.(c) y pag. 8 parr. 2; ANEXO 24 Grafico i vs Temperatura en alta frecuencia en Cap IV Ferritas pag. 12 parr. 5.3.1 fig. 5.4; ANEXO 25 Grafico vs Hcc, B en Cap. VII pag. 39 parr. 6; ANEXO 26 Grafico i vs Frecuencia, para frecuencias bajas, en Cap. IV Ferritas pag. 4 parr. 5.2; ANEXO 27 Grafico i vs Frecuencia, para alta frecuencia, en Cap. IV Ferritas pag. 5 parr. 5.2; ANEXO 28 Grafico i vs Temperatura, para Baja frecuencia, en Cap. IV Ferritas pag. 12 parr. 5.3.1 fig. 5.4 ; ANEXO 29
5 Grafico S S vs Frecuencia para el calculo de la permeabilidad compleja en las ferritas, en Cap. IV Ferritas pag. 9 fig. 5.3 parr. 5.2 ; ANEXO 30 (ver anexos 33; 42 y 43) Tabla de alambres de cobre, en Cap. III pag. 6 parr. 2.1.2 y en Cap. VII pag. 36 parr. 5.1 paso 3; ANEXO 31 (ver anexo 39 y 44) Tabla de algunas laminaciones y sus caractersticas, en Cap. VII pag. 1 parr. 1.1 y pag. 37 parr. 5.1 paso 4; ANEXO 32 ( ver anexos 4; 5; y 36) Tablas de factor de correccion Fc para el calculo de las perdidas hasta 15.000 Hz; ANEXO 33 (ver anexos 30; 42 y 43) Tablas de alambres de cobre; ANEXO 34 Tabla de capacitores, usos y caractersticas, en Cap. XI pag. 8 parr. 4; ANEXO 35 Tabla de inductores aplicaciones y caractersticas, en Cap. V pag. 25 parr. 3; ANEXO 36 Tablas para perdidas garantizadas Pg para 50 y 60 Hz y espesores de las chapas, en Cap. IV pag. 25 parr. 4.1.4.1 ; ANEXO 37 Grafico tg / i vs Frecuencia, para baja frecuencia, en Cap. IV Ferritas pag. 6 parr. 5.2; ANEXO 38 Grafico tg / i vs Frecuencia, para alta frecuencia, en Capitulo IV Ferritas pag. 7 parr. 5.2 ; ANEXO 39 (ver anexo 31; 44) Tabla de laminaciones para inductores y transformadores, en Cap. VII pag. 1 parr. 1.1 y pag. 37 parr. 5.1 paso 4 y Cap. IV pag. 22 parr. 4.1.2 y pag. 23 parr. 4.1.2.1; ANEXO 40 Grafico para el calculo de la reduccin de L de un solenoide por efecto del blindaje (Packman), en Cap. V pag. 43 parr. 6.3.4; ANEXO 41 (ver anexo 7 y 16) Grafico de Medhurst para el calculo de Q en un solenoide con ncleo aire (ver anexo 7 y 16), en Cap. V pag. 31 parr. 4.1.2.1; ANEXO 42 (ver anexo 30; 33 y 43) Tabla de alambres de cobre 1 / 2, en Cap. III pag. 6 parr. 2.1.2 y Cap. VII pag. 36 parr. 5.1 paso 3 ; ANEXO 43 (continuacin de anexo 42) Tabla de alambres de cobre 2 / 2; ANEXO 44 (ver anexo 31; 39) Tabla de laminaciones y sus carretes,; ANEXO 45 (ver anexo 13) Grafico curvas B H.
PROLOGO La temtica que cubre todas las necesidades de la Tecnologa Electrnica: anterior, actual y futura, es muy vasta. Lo que se pretende es cubrir las necesidades tericas que requiere esta asignatura en las carreras de Ingeniera Electrnica, con una estructura acadmica adecuada, aunque en algunos pasajes nos veamos obligados a proporcionar datos de catalogo en forma abundante. Nos hemos basado en apuntes del Ing. Alberto Godel que nos legara, cuando dio forma a la estructura de la asignatura. Resulta materialmente imposible tratar dentro de 150 horas del curso lectivo una variedad tan grande de temas con el exigido nivel de especializacin profesional. De acuerdo a la experiencia recogida en el desempeo de la ctedra, y en particular como consecuencia del "Seminario de Perfeccionamiento Docente en Tecnologa" realizado en 1982 es que se genero el contenido sinttico del programa de Tecnologa Electrnica o de los Componentes Electrnicos que actualmente se aplica. Para evaluar su importancia, es necesario tener en cuenta que en muchos aspectos nuestra asignatura constituye una de las primeras experiencias esencialmente ingenieriles que enfrenta el alumno en su carrera. En efecto, el estudiante ha sido formado en disciplinas fundamentalmente analticas que lo han acostumbrado a plantearse y resolver problemas en condiciones idealizadas y que generalmente conducen a una nica solucin. Por el contrario, al estudiar Tecnologa y encarar el diseo o proyecto de dispositivos, el alumno se ve obligado a resolver los problemas de sntesis, con multiplicidad de opciones, criterios practicos, necesidades de optimizacion y limitaciones impuestas por la realidad, con un entrenamiento en materia de metodologa de trabajo estrictamente profesional. La importancia formativa de la asignatura puede verse en un ejemplo: Un inductor tiene N espiras (y no +N N), de un alambre de determinado dimetro d, que debe poder adquirirse en un comercio, y que debe entrar dentro de la "ventana" del ncleo. Si el alambre es fino, calienta excesivamente; si es demasiado grueso, su costo puede resultar prohibitivo. La tecnologa trata con elementos reales, problemas concretos y soluciones posibles, y el alumno debe aprender a encontrar los caminos que lo lleven a esas soluciones posibles con minimos costos de materiales y mano de obra, sin apartarse de los requisitos del proyecto. La informacin tecnolgica es sumamente fluida sobre todo con el advenimiento de nuevas tecnologas de internet, donde lo importante no es su almacenamiento sino su disponibilidad, luego el futuro profesional se familiariza con las tcnicas de adquisicin y manejo de informacin tcnica, uso de libros, revistas, catalogos, hojas tcnicas, tablas, graficos y normas. De las nuevas tecnologas hemos aportado los inductores y transformadores planares sin ncleo en alta frecuencia, que fueran experimentados en la Universidad de Hong Kong.
Tecnologa Electronica
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TECNOLOGIA ELECTRONICA CAPITULO I INTRODUCCION A LA TECNOLOGIA 1) ALGUNOS ASPECTOS DE LA TECNOLOGIA La Tecnologa puede definirse como el estudio de los mtodos y procedimientos necesarios para transformar la materia prima en un producto industrial. Desde un punto de vista ms integral, la tecnologa participa en todos los productos que utiliza el hombre. Por lo tanto, abarca diferentes aspectos de la actividad humana. Mencionaremos tres de los principales aspectos de la tecnologa: a). Econmicos ; b). Desarrollo; c). Defensa 1.1) ASPECTOS ECONMICOS: La sociedad tiene mayor necesidad de la tecnologa y por ende aparece el factor econmico. El avance tecnolgico puede dar mejores servicios por igual precio. Contribuye al mejor uso de los materiales, uso de los desperdicios. 1.2) ASPECTOS DE DESARROLLO Y EVOLUCIN: El nivel de vida de la sociedad contempornea se halla estrechamente ligado al nivel y podero tecnolgico: vivienda, alimentacin , higiene, salud, ecologa, etc., son rubros en los cuales la tecnologa moderna hace aporte decisivos. Puede asegurarse que cada avance tecnolgico tiene como objeto o puede posibilitar una mejora en las condiciones de vida de la humanidad. 1.3) ASPECTOS DE SEGURIDAD Y DEFENSA: La defensa de las naciones descansa en la tecnologa y cuando mayor es el podero tecnolgico de un pas, mayor es su posibilidad de no ser agredido. 2) TEMAS QUE TRATA LA TECNOLOGA De acuerdo a la disciplina tecnolgica que se estudie, debern cubrirse diferentes temas. En particular, para la Tecnologa Electrnica, trataremos los siguientes temas: # Estudio de caractersticas de materiales # Utilizacin de esos materiales en dispositivos # Anlisis del comportamiento real de dispositivos # Proyecto y construccin de dispositivos caractersticas) (con mximo provecho de los materiales y sus
# Organizacin de la Tecnologa ( Normalizacin, Confiabilidad, Calidad ) 2.1) ESTUDIO DE CARACTERSTICAS DE MATERIALES Para llevar a cabo un trabajo de ingeniera se debe primeramente conocer los materiales a utilizar, analizarlos y seleccionarlos de manera de tener los mejores resultados, ademas el estudio de sus caractersticas debe sistematizarse para posibilitar el anlisis comparativo para una mejor utilizacin. Tambin es necesario considerar los aspectos econmicos, de disponibilidad, estratgicos y ecolgicos 2.2) UTILIZACIN DE ESOS MATERIALES EN LA CONSTRUCCIN DE DISPOSITIVOS El estudio realizado en 2.1 . posibilita el mejor aprovechamiento de las caractersticas de los materiales en la construccin de dispositivos o componentes de sistemas, as como destaca las caractersticas deseables en las materias primas para mejorar el comportamiento, facilitar la construccin, reducir el costo, disminuir la contaminacin ambiental, etc.
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2.3) ANLISIS DEL COMPORTAMIENTO REAL DE LOS DISPOSITIVOS En la mayora de los casos, los dispositivos reales tienen un comportamiento que difiere del terico, generalmente a causa de las limitaciones de tipo fsico causadas por caractersticas no ideales de los materiales, problemas de dimensiones ( las cosas reales no suelen ser ni infinitamente pequeas ni infinitamente grandes ), etc. El anlisis del comportamiento real de los dispositivos, y su modelizacin para posibilitar la generalizacin de las conclusiones obtenidas y poder as extrapolar clculos y proyectos, constituye un campo muy importante dentro de la tecnologa. Dentro de la tecnologa electrnica, un buen ejemplo es el caso de los inductores ( bobinas ). La Electrotecnia ensea el comportamiento de los elementos circuitales ideales, pero cuando se desea construirlos prcticamente se encuentra que los elementos reales se comportan de manera diferente. En un inductor, en teora, solamente produce almacenamiento de energa en forma de campo magntico - representable por el valor de la inductancia-. En la realidad, tambin se produce disipacin de energa, lo cual altera el funcionamiento del inductor por ende del circuito asociado, y adems, almacenamiento de energa en forma de campo elctrico lo cual es extremadamente importante en altas frecuencias. Por ejemplo, supongamos que se tiene un inductor; y se mide el comportamiento de ese inductor real con la frecuencia. En teora, en un inductor ideal la inductancia es constante y las prdidas son nulas. De la medicin podra obtenerse, sin embargo, una tabla de valores como la siguiente: INDUCTOR IDEAL INDUCTOR REAL FRECUENCIA [ Hz ] 10 100 1 000 10 000 100 000 L [ Hy ] 5 5 5 5 5 PERDIDAS [W] 0 0 0 0 0 L [ Hy ] 5 5 5 6 8 PERDIDAS [W] 2 3 5 8 12
Los valores de esta tabla muestran el comportamiento del inductor real dentro del rango de frecuencia en que se efectu la medicin, de modo que puede estudiarse el efecto que causan las caractersticas reales del inductor en el circuito asociado. Esto es til para un inductor dado, pero para generalizar conviene hallar un circuito equivalente , esto es, un modelo basado en elementos ideales que represente el comportamiento del elemento real lo ms aproximadamente posible. Un primer modelo podra ser el ilustrado en primer trmino. Con este modelo se obtiene un buen comportamiento en bajas o medias frecuencias, pero para frecuencias ms altas no es satisfactorio. Para mejorar la aproximacin, puede agregarse
un capacitor para tener en cuenta el almacenamiento de energa en forma de campo elctrico. Al analizar el comportamiento de este circuito equivalente con la frecuencia, se comprueba que se aproxima mas al funcionamiento del inductor real. La aproximacin puede mejorarse tanto como se desee agregando ms elementos al circuito equivalente, pero muchas veces no conviene complicar demasiado el circuito porque la solucin se hace demasiado complicada, por lo que su utilidad disminuye. Este es un caso tpico en el que hay que adoptar un solucin de compromiso: si el circuito equivalente es demasiado simple, no representa
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adecuadamente el comportamiento del elemento real ; si es excesivamente complicado, no es cmodo de usar. Mediante el uso de circuitos equivalentes es posible efectuar un anlisis sistemtico de las caractersticas reales de los elementos y de la influencia de los distintos parmetros que intervienen, y de esta forma tratar de perfeccionarlos, aprovechando al mximo las posibilidades de los materiales y las distintas variantes constructivas. 2.4) PROYECTO Y CONSTRUCCIN DE DISPOSITIVOS Y SISTEMAS Basndose en los puntos anteriores se trata de emplear los elementos en proyectos prcticos, los conocimientos adquiridos en 2.1, 2.2 y 2.3 nos capacitan para aprovechar al mximo las posibilidades de las materias primas y las diferentes posibilidades constructivas para as obtener productos de mejor calidad, mayor confiabilidad o menor costo. EL PROYECTO DEBE SER BIEN HECHO Proporcionar un producto que responda a los requerimientos , pero adems deben tenerse en cuenta los factores econmicos, utilizar elementos comunes, poseer facilidad constructiva, etc. El elemento debe tener una vida adecuada, no excesivamente grande porque seria antieconmico. Tratar de no utilizar una mano de obra demasiado especializada que encarezca el producto.Hay que tener en cuenta las condiciones ambientales, es decir el lugar y la forma de utilizacin del elemento por ejemplo un transistor para utilizar a bordo de un satlite debe ser necesariamente distinto de uno para usar en un radio comn. 2.5) ORGANIZACIN DE LA TECNOLOGA En la tecnologa moderna, con la produccin en serie y la utilizacin de sistema cada vez mas complicados, es indispensable considerar aspectos adicionales a lo que en una primera visin podran considerse estrictamente tcnicos. Es as que debemos tambin incluir temas relativos a la organizacin del conocimiento tecnolgico, tales como la Normalizacin, mediante la cual se estudia y genera un cuerpo de normas que cubre determinados aspectos de la fabricacin, especificacin y evaluacin de los materiales, dispositivos y sistemas. El estudio de las fallas y su disciplina derivada, la Confiabilidad, que permite estudiar, conocer y mejorar el comportamiento de los elementos y sistemas, es otro tema imprescindible en una concepcin actual de la tecnologa. Por ltimo, en esta breve resea de los temas de la Tecnologa, debemos mencionar la Calidad, moderna disciplina que apunta a englobar aspectos tcnicos, sociales, humansticos y econmicos, para mejorar los productos y servicios y , finalmente, la calidad de vida del hombre. 3) NORMAS Y NORMALIZACION En el mundo tecnolgico de hoy las normas y los sistemas de normalizacin cumplen un rol insustituble para el ordenamiento y mejoramiento de las distintas disciplinas tecnolgicas. 3.1) DEFINICIN DE NORMA Una norma puede definirse como un " documento tcnico, ordenador de una cierta actividad, conteniendo especificaciones, datos , recomendaciones, etc., generado con el consenso de los sectores interesados, accesible y de pblico conocimiento y emitido por un organismo reconocido y autorizado ". Varios son los puntos salientes de esta definicin: # Documento tcnico, ordenador de una cierta actividad: una norma es un documento, generalmente de carcter tcnico, destinado al ordenamiento de una actividad especfica. # Contiene especificaciones, datos, etc.: los contenidos de una norma pueden ser diversos, pero siempre son concretos: nmeros, caractersticas, definiciones, formas de un proceso , etc. # Generado con el consenso de los sectores involucrados: este punto es de capital importancia, y es lo que en muchos casos distingue una norma de otros documentos tcnicos, tales como especificaciones o reglamentos tcnicos. Los sectores involucrados son los usuarios y los diversos fabricantes o productores de los componentes y/o dispositivos. Los usuarios pueden ser otros fabricantes que utilizan los materiales o dispositivos.
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# Accesible y de pblico conocimiento: las normas deben ser pblicas y accesibles; estar disponibles en bibliotecas, instituciones normalizadoras, etc. Cualquier interesado debe poder conseguirlas en lugares conocidos. # Emitido por un organismo reconocido y autorizado: las normas son emitidas por organismos reconocidos por los sectores interesados y con autoridad en el mbito de esos sectores. Los organismos emisores pueden ser privados o pblicos, nacionales o internacionales, de acuerdo al mbito de aplicacin de las normas. 3.2) VENTAJAS DE LA NORMALIZACIN: Varias son las ventajas que pueden obtenerse como consecuencia de un sistema de normas orgnico, completo y actualizado: 3.2.1) ESTABLECIMIENTO DE ESPECIFICACIONES : En la actualidad, con la complejidad, sofisticacin y especializacin que caracterizan a la tcnica moderna, la realizacin de un proyecto se encuentra subdividida en muchas etapas y no es comn que un ingeniero tenga participacin en todas ellas. Por ejemplo, un ingeniero que se ocupa de la fabricacin de componentes elctricos o electrnicos rara vez participa del proyecto de sistemas que emplean esos mismos componentes. Esta situacin plantea problemas que slo pueden resolverse satisfactoriamente por medio de especificaciones amplias y completas de los distintos elementos, y que no puedan ser falseadas u oscurecidas. De esta forma, se crea un lenguaje claro, especifico y biunvoco, para todos los integrantes de la cadena de utilizacin de los elementos diseador, fabricante , vendedor y usuario. 3.2.2) REDUCCIN DEL NUMERO DE VALORES DIFERENTES: Los sistemas modernos pueden estar compuestos de un nmero muy grande de piezas o partes, cuya gran mayora no necesariamente deben ser diferentes entre si. Las ventajas econmicas resultantes de simplificar el numero de partes son muy grandes: reduccin de costos en la produccin, reduccin de stocks, facilidad de mantenimiento, etc. 3.2.3) INTERCAMBIABILIDAD: La fabricacin de partes de acuerdo a normas adecuadas, que facilitan un estricto control de calidad, posibilita la intercambiabilidad de piezas de distintas partidas o fabricantes, con las consiguientes ventajas econmicas, reduccin de tiempos muertos, disminucin de errores, etc. 3.2.4) COMPATIBILIDAD: Los sistemas modernos estn formados por subsistemas a que, aunque tengan diferente procedencia, deben ser totalmente compatibles entre s para asegurar el buen funcionamiento y la ausencia de interferencias. Esto se logra respetando normas que contemplan aspectos tales como compatibilidad electromagntica, compatibilidad fsica y mecnica, etc. 3.2.5) UNIFORMIDAD DE CRITERIOS: En muchas ocasiones, existen diferentes criterios con respecto a la solucin tcnica de un mismo problema. Aunque no pueda establecerse cual de ellos es el mejor, resulta generalmente conveniente la adopcin de un nico criterio, que puede ser tomado como referencia por las distintas partes. 3.2.6) BASAMENTO PARA LA CALIDAD: Como se ver ms adelante, para posibilitar el establecimiento de un Sistema de Calidad es imprescindible contar con una normalizacin completa y actualizada. 3.3) AMBITO DE LAS NORMAS Las normas pueden tener mbitos de aplicacin muy diferentes, de acuerdo a su naturaleza y origen. Un caso muy comn son las normas internas de una organizacin, de mbito restringido a la organizacin emisora por ejemplo, una empresa normaliza los cdigos de colores de cables o los nmeros de identificacin de
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terminales de un conector . Otro caso lo constituyen las normas municipales, por ejemplo, normas de instalaciones elctricas domiciliarias. En el otro extremo del espectro de posibilidades, estn las normas internacionales o las nacionales derivadas de normas internacionales, que pueden en algunos casos ser de cumplimiento muy estricto normas de seguridad elctrica, contra incendio, etc. 3.4) EVOLUCIN DE LA NORMALIZACIN Los pases mas adelantados industrialmente, han sido naturalmente pioneros en este sentido. En EE.UU., la primer norma fue creada en 1913 por el AIEE (American Institute of Electrical Engineers) y ya en 1918 se crea la American Standars Association (A.S.A.) con el objeto de coordinar las normas estadounidenses a nivel nacional. En el rea electrnica, se crearon posteriormente las normas o acuerdos R.E.T.M.A. ( en la actualidad E.I.A.) muy comunes en la industria de componentes electrnicos y aparatos de radio y televisin. Las normas militares ( MIL ), creadas a partir de la segunda guerra mundial con el objeto de proveer un adecuado control de los elementos y sistemas que deben ser sometidos a exigencias blicas o espaciales, tienen amplia difusin, no solamente en los ambientes militares, sino tambin en aplicaciones industriales, cientficos o similares de altas exigencias. Son normas extremadamente detalladas y completas, y son renovadas y perfeccionadas constantemente. Un caso muy interesante es el de las normas UL ( Underwriters Laboratories ), entidad privada creada por compaas de seguros, que se ocupa de normas relativas a la seguridad elctica y prevencin de incendios. Posee una gran autoridad debido a la importancia que en los EEUU reviste el tema de los seguros contra incendios. Especialmente en la industria elctrica, las normas alemanas VDE (Verband Deutscher Electrotechniker) son tambin muy conocidas y de gran influencia en las normas nacionales alemanas DIN ( Deutsches Institut fr Normung ). Estas a su vez han tenido considerable influencia sobre las normas internacionales C.E.I ( Comisin Electrotcnica International - International Electrical Commission, de la que Argentina forma parte ). En el campo internacional, la organizacin I.S.O. ( International Standards Organization ), integrada por ms de cien pases - entre ellos el nuestro- ha logrado desde hace tiempo un amplio reconocimiento. El gran impulso que en los ltimos aos ha tenido el comercio internacional tiene estrecha relacin con las normas de calidad ISO 9000 , que permiten a las empresas certificar sus sistemas de calidad, lo que repercute favorablemente en la calidad de sus productos y en la satisfaccin de sus clientes y usuarios. En nuestro pas, el Instituto Argentino de Racionalizacin de Materiales ( IRAM ), ente privado sin fines de lucro creado en 1935, es el organismo autorizado por ley para la preparacin y establecimiento de normas de vigencia nacional. El IRAM est afiliado a ISO y a CEI, y en muchas de sus normas se refleja la orientacin de esas instituciones. Dentro de la ingeniera elctrica y electrnica, las normas argentinas abarcan especialmente el campo de los materiales y maquinas elctricas. Solamente en aos recientes se comenzaron a cubrir algunos sectores de componentes y sistemas electrnicos, pero todava quedan muchos rubros por normalizar. Es de destacar que, lamentablemente, no existe dentro de nuestro pas la obligatoriedad de ajustarse a normas IRAM (solo algunas reparticiones oficiales tienen exigencias al respecto), lo cual permite la supervivencia de tcnicas y materiales de deficiente nivel de calidad. No cabe duda que en los aos futuros las crecientes exigencias internacionales con respecto a la calidad de sistemas y elementos, ejercern una fuerte presin hacia una mayor normalizacin de las actividades nacionales, que stas debern asimilar para mantener una competividad cada vez ms difcil. 4) ESPECIFICACIONES Una especificacin es un documento que define requerimientos ( conjunto de datos numricos y caractersticas ) que debe satisfacer un elemento o sistema ante condiciones de funcionamiento determinadas. El objeto de las especificaciones es conocer el comportamiento del elemento en ciertas condiciones que deben ser claramente determinadas. Las especificaciones deben ser completas, claras y tener un nico sentido para evitar confusiones. Una especificacin no abre juicio sobre la bondad ni calidad de un dado elemento, sino que proporciona valores numricos o datos concretos que deben ser cumplidos o superados. Las especificaciones deben poder ser verificables, esto es, comprobables por medicin, y por ende junto a la especificacin debe proporcionarse el procedimiento o norma de verificacin.
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4.1) VALORES UTILIZADOS EN LAS ESPECIFICACIONES: Para las especificaciones se suelen utilizar algunos valores caractersticos, cuyo significado es necesario interpretar correctamente para que la especificacin tenga sentido: 4.1.1) VALOR NOMINAL: Es el que el fabricante asigna al elemento y que est marcado sobre el mismo. Por ejemplo en un resistor 100, aunque luego ese resistror al ser medido tenga 97,3. 4.1.2) TOLERANCIA: Como resulta prcticamente imposible que el valor real sea exactamente igual al nominal, se hace necesario indicar una tolerancia, que se define como el apartamiento permisible que el valor real del elemento puede tener con respecto del valor nominal. La tolerancia se expresa generalmente en valores relativos del valor nominal, si bien en algunos casos se utilizan tolerancias absolutas. Por ejemplo: 100 10% ; o bien 100 10 . Aunque pueden darse casos en los que tolerancias menores correspondan a elementos de mayor calidad, no es correcto tomar a priori la tolerancia como indicador de la calidad del elemento. 4.1.3) SERIES DE VALORES: El escalonamiento de los valores nominales de un elemento no suele ser arbitrario, generalmente estn normalizados de manera de lograr un adecuado cubrimiento del rango deseado con mnimo nmero de valores diferentes. Por ejemplo, las series de valores de uso comn en electrnica se determinan con el criterio de lograr una diferencia relativa entre valores consecutivos: paso aproximadamente constante. Este paso est determinado por la tolerancia, de tal modo que el rango posible para los valores reales de un dado valor nominal se yuxtapone con los rangos de los valores nominales inmediatamente inferior y superior, respectivamente. En esta forma, se obtiene un cubrimiento del rango deseable con creciente precisin a medida que se reduce la tolerancia de los valores nominales individuales, sin incurrir en una exagerada e innecesaria proliferacin de los mismos. En el campo electrnico, son comunes tolerancias del 10 %, 5 % y 1%, y de acuerdo a ello se obtienen las series correspondientes. Por ejemplo, supongamos Vn = 10, con tolerancia 10 %.
Como puede apreciarse, al yuxtaponerse o sobreponerse los valores extremos de cada rango de valores reales , se obtiene un cubrimiento continuo de todo el rango que se desee. Haciendo consideraciones anlogas y redondeando los valores obtenidos, se completa la serie de valores correspondiente a una dcada. Aplicando el mismo criterio a los mltiplos y submltiplos, es posible cubrir el rango total deseado desde el valor ms pequeo hasta el ms elevado. Las series de valores normalizados mas difundidas en el campo comercial son las recomendadas por EIA, y posteriormente normalizadas por IEC, conocidas como E-6 ( 20 % ), de 6 valores por dcada; E-12 ( 10% ), de 10 valores por dcada y E-24 ( 5% ), de 24 valores por dcada , que se muestran en la tabla siguiente:
SERIE DE VALORES
20%
10%
5%
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10
10 12
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100
15
15 18
22
22 27
33
33 39
47
47 56
68
68 82
100
100
Como puede apreciarse, la serie del 10% contiene los valores de la serie del 20%, y la del 5 % contiene los valores correspondientes a la serie del 10 %. En aplicaciones industriales y/o militares se requieren generalmente tolerancias menores, utilizndose las series E-48 ( del 2% ), y E-96 ( del 1% ), y an las correspondientes a tolerancias del 0,5 %, 0,2 % y 0,1 %. Debe tenerse en cuenta que a medida que se reduce la tolerancia, el nmero de valores que integran la serie crece significativamente. 4.1.4) VALORES PREFERIDOS: Teniendo en cuenta esta ltima consideracin, muchas veces se indican valores preferidos dentro de las series normalizadas, por razones de disponibilidad, stock, etc., que deben utilizarse siempre que sea posible. De esta forma, pueden utilizarse componentes con tolerancia muy estrecha sin incurrir en una abundancia innecesaria de valores. 4.1.5) VALOR MXIMO DE UNA CARACTERSTICA:
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Algunas caractersticas que estn sujetas a considerable dispersin se especifican comnmente por un valor mximo (y/o mnimo), pudiendo tambin indicarse el valor tpico (el que se encuentra mas frecuentemente) que es de gran utilidad para el proyectista. Por ejemplo, en la produccin de transistores se suele tener una distribucin de los valores de ganancia de corriente ( ### ) de tipo gaussiano: En el caso de utilizar para el diseo el valor mnimo, que es lo que se hace en el llamado " diseo de peor caso " ( " worst case design " ), se est aprovechando poco eficientemente la mayora de los transistores; que tienen una ganancia mucho mayor; en cambio, si se disea para el valor tpico, se logra un mayor aprovechamiento del de los elementos de un lote normal, a costa de mayores ajustes o del descarte de los transistores de ms bajo.
4.1.6) VALORES MXIMOS ABSOLUTOS: Son aquellos que no pueden ser excedidos durante la utilizacin sin que se produzcan daos o perturbaciones en el elemento. Estos valores no deben ser superados en ningn caso. Algunas veces los valores mximos se hallan relacionados con alguna condicin ambiental, por ejemplo la temperatura. En ese caso se suele dar una indicacin del criterio para tener en cuenta esta dependencia: curvas de desclasificacin "derating " VALOR MAXIMO VS TEMPERATURA
VALOR MAXIMO VS TIEMPO En un resistor: La potencia maxima disipada en tiempos exactos y no mayores.
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POTENCIA MAXIMA EN CIRCUITOS DE PULSOS Un circuito exitado con un tren de pulsos de corta duracin y cuyos periodos muy superiores. Si bien se observa un pico de potencia en cada pulso, no es esta la magnitud de maxima importante. En el ciclo de trabajo interesa la potencia media, que debe tener una cota de mxima, la que exedida sobreleva la temperatura, provocando la destruccin. P
Potencia media Mxima Tiempo 4.1.7) VALORES MXIMOS DE PRUEBA Y DE TRABAJO: Cuando se trata de capacitores, por ejemplo, es comn indicar el valor de la tensin de prueba, que se aplica sobre un corto tiempo sobre el elemento. Este valor no debe ser confundido con el de trabajo, que es considerablemente, tres a cinco veces inferior.
= 3 a 5 .V T
Por consiguiente, tambin es comn hablar de valores mximos de trabajo, que son los utilizables dentro de la operacin normal por tiempos largos. 4.2) VERIFICACIN DE LAS ESPECIFICACIONES: Cuando se desea comprobar si un elemento es apto para su funcin, deben verificarse las especificaciones. Esto significa someter el elemento a una serie de pruebas y ensayos en los que se miden sus prestaciones y caractersticas en diferentes condiciones de operacin. Tambin es necesario considerar las distintas condiciones ambientales segn su uso; por ejemplo: temperatura, presin atmosfrica, humedad ambiente, radiacin, acidez o alcalinidad del medio, etc.. En algunos casos, es necesario someter al equipo, aparte de la evaluacin elctrica, a ensayos ambientales de distinto tipo. 4.4.1) PRUEBAS DE EVALUACIN: Las pruebas de evaluacin (vida til) se realizan sobre prototipos o sobre un nmero reducido de elementos de produccin; dado que son ensayos extensos y minuciosos, y en muchos casos destructivos (se prueba el elemento hasta su rotura). 4.4.2) PRUEBAS DE COMPROBACIN O ACEPTACIN: Las pruebas de comprobacin o aceptacin (prueba funcional), por el contrario, no son destructivas ( en el caso de que necesariamente deban ser destructivas por ejemplo, ensayos de fusibles, se hacen sobre muestras de un lote mayor ). Sirven para determinar si un elemento, y por extensin, un lote de elementos, verifica o no lo requerido por las especificaciones en cuanto a su funcionamiento. Si las pruebas son superadas, los elementos son aceptados, en caso contrario se tienen varias alternativas: repararlos o retrabajarlos, venderlos como de clase inferior, o descartarlos (rezagos ). 4.4.3) ENSAYOS AMBIENTALES: Adems de las pruebas funcionales o de evaluacin de caractersticas, en muchas ocasiones se realizan ensayos ambientales, durante los cuales se evala el comportamiento en ambientes diferentes de las condiciones de referencia, que suelen ser las de laboratorio: temperatura ambiente 25 C, presin atmosfrica a nivel del mar y
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humedad relativa moderada ( 50 a 70 %). Estos ensayos tienen generalmente dos objetivos: verificar el comportamiento en un rango ambiental extendido, lo cual es necesario para elementos que deban desempearse en condiciones extremas ( por ejemplo, equipos industriales, militares o espaciales ); y aumentar la probabilidad de falla por el funcionamiento en condiciones ms exigentes. En ocasiones, se realizan pruebas ambientales intensificadas y a tal fin se supone, por ejemplo, que es equivalente probar el elemento durante 10 000 horas entre 100 horas entre 0 y +50C -50 C y +150 C.
De esta forma, se pueden llegar a establecer relaciones entre las condiciones ambientales y la vida til, lo cul permite estimar el comportamiento de un aparato si se ve sometido a condiciones diferentes de las normales o de referencia.
Tecnologa Electronica Captulo II
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CAPITULO II
FALLAS - CONFIABILIDAD - CALIDAD
1) FALLAS EN EQUIPOS ELECTRNICOS: Las fallas en los equipos electrnicos tienen enorme importancia en el mundo tecnificado del presente. Pueden alcanzar cifras cuantiosas y causar prdidas de vidas humanas. Por consiguiente, su estudio y su prevencin son vitales en la tecnologa moderna. 1.1) DEFINICIN DE FALLA. Se produce una falla cuando el elemento o sistema es incapaz de cumplir adecuadamente lo prescripto por las especificaciones. Las especificaciones establecen limites numricos que deben ser cumplidos por los elementos. Si stos no pueden cumplir las especificaciones se encontraran en falla, pero no se considerara tcnicamente como una falla si el elemento tiene mermada su capacidad pero sin embargo se halla dentro de las especificaciones. Para analizar las fallas, y ms importante, buscar mtodos para evitarlas o reducirlas, es conveniente efectuar una clasificacin como se muestra en la Tabla 1: a) Fallas aleatorias o catastrficas b) Fallas por degradacin. ( tambin conocidas como paramtricas ) c) Fallas por desgaste 1.2) FALLAS ALEATORIAS O CATASTRFICAS Las fallas aleatorias tambin llamadas catastrficas por ser en muchos casos causantes de la destruccin total de un elemento son fallas que aparecen sbitamente, sin aviso previo, y sin que sea posible predecir su ocurrencia individual. Puede abarcar desde una disminucin repentina en la prestacin de un elemento hasta la destruccin completa del equipo. Como las fallas aleatorias no tienen una dependencia temporal individual, pero s a nivel de grandes nmeros, pueden aplicarse mtodos probabilsticos y estadsticos. Tambin es posible asociar este tipo de fallas a las condiciones ambientales como la temperatura y a las exigencias operativas como la tensin elctrica, por lo que, en ciertos casos, resulta posible utilizar tcnicas predictivas vlidas sobre gran nmero de elementos, para reducir los perjuicios resultantes de las fallas. Las fallas de aislacin en dispositivos electrnicos pertenecen a esta categora. Como son las causantes de la gran mayora de las fallas encontradas en equipos y sistemas electrnicos, se las estudiar ms adelante con mayor detalle. 1.3) FALLAS POR DEGRADACION Las fallas por degradacin, que tambin suelen llamarse paramtricas, se producen en los elementos o equipos electrnicos cuando una caracterstica o parmetro empieza a degradarse, disminuyendo gradualmente su prestacin hasta finalmente quedar por debajo de lo especificado y convertirse en falla. Tiene una dependencia temporal parcial, de modo que pueden desarrollarse mtodos para prevenirlas . Este tipo de fallas suele ser causado por procesos qumicos o fisicoqumicos, como corrosin o contaminacin, con fuerte influencia de las condiciones ambientales, como la temperatura y la humedad. Aunque la disminucin de la prestacin suele ser gradual, se considera una falla cuando la degradacin impida al elemento o equipo cumplir las especificaciones. 1.4) FALLAS POR DESGASTE Las fallas por desgaste son aqullas en que como lo dice su nombre son debidas al desgaste de un elemento mecnico. Como el desgaste es prcticamente proporcional al tiempo de uso, estas fallas tienen un fuerte dependencia temporal. Por consiguiente, resulta posible generar mtodos para su prevencin basados en mantenimiento y reemplazo preventivo, con los que las fallas en servicio, con sus costos asociados, pueden eliminarse casi completamente. .
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TABLA N 2.1 DISTINTOS TIPOS DE FALLAS Y SUS PRINCIPALES CARACTERSTICAS

TIPO DE FALLA ALEATORIAS DEGRADACIO N DESGASTE PROCESO TIPICO ELECTRICO (fallas de aislacin QUIMICOS O FISICOQUIMI. MECANICOS DEPENDENCIA POSIBILIDAD TEMPORAL DE PREVENCION NULA PARCIAL CASI TOTAL NULA PARCIAL CASI TOTAL METODOS DE ATAQUE EJEMPLOS TIPICOS CAPACITORESTRANSFORMADORESSEMICONDUCTORES SOLDADURAS - OXIDACIN DE CONEXIONES-CONTAMINACION DESGASTE DE EJES Y BUJES
ESTADISTICOS - DISMINUCION DE EXIGENCIAS AMBIENTALES CONTROL DE FUNCIONAMIENTO MARGINAL MANTENIMIENTO Y REMPLAZO PREVENTIVOS
1.5) FALLAS INDEPENDIENTES Y FALLAS DEPENDIENTES Otros tipos de fallas que se pueden mencionar son: a) Fallas Primarias o independientes; b) Fallas Secundarias o dependientes Las primarias son fallas en el elemento dispositivo, en cambio las segundarias se deben a una falla primaria de un componente que no ha sido separada o localizada, por ejemplo el desperfecto de un ventilador provoca el aumento de temperatura en los componentes y su posible avera. Esto muestra la importancia de una temprana deteccin de las fallas y su inmediata correccin. 2) CONFIABILIDAD: ESTUDIO SISTEMTICO DE LAS FALLAS Y DE LA FORMA DE REDUCIR SU OCURRENCIA: Algunos sistemas modernos utilizan millones de componentes. Si no se toman precauciones adecuadas, la ocurrencia de fallas en sus elementos ser tan frecuente que el sistema no llegar a funcionar eficientemente. Esta situacin se present en los ltimos aos de la dcada del 40, cuando la complejidad de los equipos electrnicos creca sin parar. La tecnologa en uso por esa poca era la valvular, que adoleca de limitaciones intrnsecas ( gran tamao, alta disipacin de potencia, tensiones de alimentacin elevadas ) que le impedan afrontar con xito las exigencias que implicaban sistemas de esa envergadura. Fu necesario el salto tecnolgico que posibilit el transistor y posteriormente la microelectrnica para que esos grandes sistemas funcionaran confiablemente. Un estudio realizado en ese entonces por la Marina de los Estados Unidos revel que solamente el 30% de los equipos electrnicos que posea se encontraba realmente operativo. Otros estudios llevados a cabo por grandes organizaciones arrojaron resultados parecidos. Se realizaron entonces reuniones tcnicas y cientficas para tratar de aunar esfuerzos tendientes a analizar el problema y encontrar el camino para mejorar el funcionamiento de los sistemas. De esos esfuerzos coordinados naci el estudio sistemtico de las fallas y de la forma de evitar su ocurrencia, actualmente conocido como "confiabilidad". Esta disciplina, que se basa en tcnicas estadsticas,ha posibilitado la reduccin de las fallas, tanto a nivel de los elementos individuales cuanto de los sistemas que emplean grandes agrupamientos de componentes. 2.1) DEFINICIN DE CONFIABILIDAD Se define la confiabilidad como la probabilidad que tiene un elemento de cumplir su misin durante un tiempo dado y en condiciones de funcionamiento determinadas. En esta definicin hay cuatro aspectos que deben ser destacados: # La confiabilidad es la probabilidad de correcto funcionamiento.de un elemento. Por lo tanto tiene un valor numrico entre cero y uno. Como es un valor estadstico, usualmente no se refiere al caso de elementos individuales sino a grandes cantidades o grupos de elementos. # Para que el elemento cumpla su misin no debe haber fallas y por lo tanto se deben cumplir las especificaciones. Por consiguiente debe haber una correcta especificacin de los requerimientos del elemento.
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# La duracin de la misin debe ser conocida. Veremos ms adelante que la confiabilidad siempre disminuye con el transcurso del tiempo. Por lo tanto, para hablar de confiabilidad es necesario precisar el tiempo. # Las condiciones de funcionamiento ambientales, de excitacin, de uso, etc. tienen gran influencia sobre la confiabilidad resultante, por lo que deben ser definidas con precisin. 2.2) CONFIABILIDAD DE CONJUNTOS DE ELEMENTOS Los sistemas modernos estn compuestos por muchos miles y an millones de elementos, para cada uno de los cuales se puede suponer un valor individual de la confiabilidad Ra, Rb, Rc, etc. La confiabilidad Rt del conjunto de esos elementos depende de la confiabilidad individual de cada uno de ellos y de la disposicin funcional con que esos elementos estn dispuestos para el caso de falla de uno o varios de ellos. Esta disposicin funcional desde el punto de vista de la confiabilidad que no tiene nada que ver con la disposicin circuital, puede ser bsicamente de dos formas: serie y paralelo. 2.1.1) DISPOSICION FUNCIONAL SERIE: Se dice que un conjunto de elementos est dispuesto funcionalmente en serie desde el punto de vista de la confiabilidad cuando la falla de uno cualquiera de esos elementos provoca la falla del conjunto. Es como en el caso de una cadena: si falla uno de los eslabones, falla el conjunto. Para calcular la confiabilidad Rt de un conjunto de elementos A, B y C , cada uno de los cuales tiene una confiabilidad individual Ra, Rb Rc, debemos considerar que la probabilidad de xito del conjunto est determinada por la probabilidad compuesta de las probabilidades de xito individuales. Se tendr entonces:
B T = Ra . Rb . Rc
Ra Rb Rc
Puede observarse que la disposicin funcional serie implica una reduccin de la confiabilidad total del sistema, ya que al ser las confiabilidades individuales menores que la unidad, la confiabilidad total resultante es siempre menor que la del elemento de menor confiabilidad. En la prctica, si en un sistema cada uno de los elementos que lo componen cumple una funcin esencial para el desempeo del conjunto, la disposicin funcional resultante es serie. Esto sucede en la gran mayora de los casos corrientes, que utilizan la menor cantidad posible de componentes, cada uno de los cuales, por lo tanto, posee una misin especfica necesaria para el funcionamiento del conjunto. Como se ver ms adelante, en sistemas de gran envergadura,que emplean muchos miles de componentes, deben adoptarse diversas medidas para evitar que la confiabilidad total se reduzca por debajo de lmites aceptables. 2.2.2) DISPOSICION FUNCIONAL PARALELO Se tiene esta disposicin funcional cuando cada uno de los elementos que componen el sistema puede, en forma individual, llevar a cabo la funcin del conjunto. De esta forma, para que el conjunto falle debern fallar todos los elementos que lo componen. Pfa
Pfb
Pfc
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Suponiendo que las fallas de los elementos son completamente independientes entre s, se tendr que la probabilidad de falla total Pft ser igual a la probabilidad compuesta de las probabilidades de falla individuales:
PT = Pa . Pb . Pc ..... Pn
Recordando que la confiabilidad es el complemento de la probabilidad de falla:
R T = 1 PT
( RT = 1 [(1 Ra)(1 Rb)(1 Rc)..........1 Rn)] . .

Puede apreciarse que la confiabilidad total de un conjunto de elementos dispuesto funcionalmente en paralelo es siempre mayor que la del elemento de mayor confiabilidad, o sea que el agrupamiento funcional paralelo aumenta la confiabilidad del conjunto. Si bien en la prctica no es sencillo implementar una disposicin funcional paralelo ideal, (dado que es generalmente dficil que la falla de un elemento no afecte los restantes ), el agrupamiento funcional en paralelo constituye uno de los recursos ms importantes para obtener sistemas de confiabilidad elevada , an empleando componentes de confiabilidad individual inferior. En sistemas grandes y complejos ( por ejemplo un satlite espacial ), que emplean un gran nmero de elementos, la aplicacin de confiabilidad paralelo resulta prcticamente obligatoria. 2.3) ALGUNOS ASPECTOS MATEMTICOS DE LA CONFIABILIDAD Si se desean realizar clculos de confiabilidad, ya sean comparativos entre diferentes configuraciones, o predictivos ante distintas condiciones de operacin, resulta necesario disponer de modelos matemticos que simulen el comportamiento real de los elementos. Estos modelos pueden generarse con muy variado nivel de complejidad, de acuerdo al grado de error aceptable y la disponibilidad de informacin estadstica sobre la naturaleza de las fallas registradas. Para el caso de productos electrnicos, en los que la experiencia indica que la mayora de las fallas son de tipo " aleatorio ", (es decir, de aparicin sbita y sin elementos de aviso que posibiliten su prevencin), el modelo matemtico ms empleado, por su sencillez y facilidad de uso, es el correspondiente a una distribucin de frecuencia de fallas exponencial decreciente. Su amplia difusin se encuentra justificada por los buenos resultados obtenidos con procedimientos de clculo que no requieren de un conocimiento matemtico especializado ni de cmputos engorrosos. Como se ver ms adelante, a partir de los datos de fallas es posible estudiar analticamente el comportamiento de las fallas y - lo que en muchos casos es ms interesante - estimar la confiabilidad de un sistema conociendo los datos de confiabilidad de sus componentes. Comenzaremos el estudio analizando la ocurrencia de fallas en una partida de componentes. Supongamos que se coloca en el mercado una partida de transformadores. La fbrica solicita a los compradores le informen las fallas producidas y las condiciones en que se presentaron. Representando grficamente los datos obtenidos se obtiene un histograma de fallas. 2.3.1) HISTOGRAMA DE FALLAS: El histograma es un grfico en el que se representa el numero de fallas producidas en intervalos t , obtenindose un diagrama de bastones como el que se muestra en la Figura.. 2.1 : Un histograma de este tipo, que presenta esta forma: nmero de fallas que descienden montonamente con el tiempo, es caracterstico de las fallas aleatorias que son las ms frecuentes en los dispositivos electrnicos. t = Intervalo de tiempo adoptado. Nf = Nmero de fallas. ------- Linea punteada : envolvente que une los puntos mximos centrales.
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En un sistema mecnico por ejemplo un neumtico de automotor no se obtiene un grfico semejante, pues en los primeros tiempos de vida las fallas son muy reducidas, pero ms adelante, cuando se aproxima el final de la vida til de los elementos, el nmero de fallas crece bruscamente, pasando por un mximo y finalmente descendiendo pues los neumticos que quedan son cada vez menos. En cambio, en los componentes electrnicos se verifica que la tasa de fallas: nmero de fallas con respecto a elementos en juego en un intervalo dado, es aproximadamente la misma al principio que transcurrido un cierto intervalo ( es independiente del tiempo ).
Esto produce entonces un histograma como el mostrado, en el que inicialmente las fallas son ms numerosas porque hay ms elementos en juego, para luego ir descendiendo a medida que el nmero de elementos que sobreviven se va reduciendo. El histograma es un grfico til y fcil de realizar, pero se logra ms flexibilidad y mayor utilidad si lo transformamos en una distribucin de frecuencia de fallas. 2.3.2) FUNCIN DISTRIBUCIN DE FRECUENCIA DE FALLAS: Para pasar a la funcin de distribucin de frecuencia de fallas, debemos hacer dos cosas: a) b) Normalizar las cantidades dividindolas por el nmero total de elementos Nt. Hacer tender el intervalo t a cero, convirtiendo el intervalo en un diferencial.
De esta forma obtenemos una funcin de distribucin que sera el lmite del histograma anterior cuando t 0 y el nmero de componentes tiende a infinito. Al obtener la distribucin de frecuencia de fallas, se tiene una funcin de gran utilidad , dado que como veremos ms adelante permite calcular fcilmente el nmero de fallas para cualquier intervalo temporal, as como la probabilidad de fallas en cualquier momento. Adems, al haber normalizado la curva, sta es comparable con otras distribuciones, independientemente del tamao del lote considerado, lo cul resulta muy til cuando se estudian procesos de fallas. Para fallas puramente aleatorias, la distribucin de frecuencia de fallas resulta una curva exponencial decreciente, como puede verse en la figura 2.2:
f =
1 dNf . Nt dt
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t 0
Nt
Si el tipo de fallas que se est estudiando es de naturaleza aleatoria como ocurre en la mayora de los componentes electrnicos, la funcin f estar dada por:
1 f = .e m
t m
Donde m es un paramentro que se denomina " tiempo medio de falla ". En algunos casos, " m " tambin es llamado " tiempo medio entre fallas ", conocido en ingls como " mean time between failures, - MTBF "El parmetro m resulta entonces de capital importancia, ya que determina el menor o mayor descenso de la funcin exponencial para un tiempo transcurrido. Para el caso de elementos electrnicos, m se expresa generalmente en horas, y su valor suele ser de decenas de miles a millones de horas (
10 4 a10 6 ).
m=
ti Nf
El tiempo medio de falla puede determinarse promediando los tiempos de falla de una gran cantidad de casos. El orden de magnitud en producciones masivas como un disco rgido es de 150.000 horas. 2.3.3) PROBABILIDAD DE FALLA Para dos tiempos cualesquiera t 1 y t 2 , la integral de un tramo de la curva ( rea bajo la misma) representa a la proporcin de elementos que han fallado entre t1 y t2 . Por lo tanto, integrando entre 0 y t obtenemos la proporcin de elementos que han fallado hasta el tiempo t . Esto es igual a la probabilidad de falla al tiempo t
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que llamamos P.
P =
f . dt =
1 m . e . dt = 1 e m m
Para el caso de fallas aleatorias, la integral resulta una funcin exponencial que nace de cero y tiende asintticamente a la unidad para tiempos infinitamente grandes, ( Fig. 2.3 ): Pf
t
Pf = f .dt
0
t1
t2
Fig. 2.3
Probabilidad de falla a un tiempo t
Este grfico nos da la probabilidad (Pf) que se produzca una falla al tiempo t, por lo tanto para un tiempo infinito se tiene una probabilidad de 1 ( o 100 % ), pues la falla se producir con certeza. Usando esta curva podemos determinar la cantidad probable de fallas hasta un tiempo t , haciendo sencillamente:
N de fallas = N total de elementos x Pf

2.3.4) PROBABILIDAD DE XITO O CONFIABILIDAD. Se ha determinado cunto vale la probabilidad de falla para un tiempo t . Ms interesante resulta la probabilidad de xito o confiabilidad , que simbolizamos por la letra R del ingls reliability. La confiabilidad puede obtenerse recordando que la suma de R ms Pf debe dar la unidad:
R = 1 - Pf = 1 - ( 1 - e -t/m ) = e -t/m
Podemos observar que la confiabilidad R es una funcin del tiempo que para t = 0 vale 1 , decreciendo con el tiempo para anularse inevitablemente para t = . Para fallas aleatorias, que es el caso que estamos analizando, la funcin que resulta es una exponencial decreciente con el tiempo Fig. 2.4 :
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R 1 R = 1 - Pf = -t/m e
1/e
R = e-t/m t=m t
Fig. 2.4 Confiabilidad R en funcin del tiempo para fallas aleatorias podemos apreciar que para tiempos reducidos ( mucho menores que el tiempo medio de falla m ) la confiabilidad es elevada, mientras que para tiempos grandes ( mucho mayores que m ) se reduce hasta aproximarse a cero para t tendiendo a .Aunque la forma particular de la curva depende del tipo de falla, la confiabilidad siempre disminuye con el tiempo, tendiendo inevitablemente a cero para tiempos grandes. 2.4) RGIMEN DE FALLAS " FR " ( FAILURE RATE ) Un parmetro muy importante en aplicaciones prcticas es el llamado " Rgimen de Fallas ", tambin conocido como " tasa de fallas ", que se suele representar por las letras FR, ( del ingls " failure rate" ). En algunas publicaciones tambin se lo representa por la letra griega . El FR es la relacin entre las fallas que se producen en la unidad de tiempo ( generalmente una hora ) con respecto a la cantidad de elementos en juego. Por eso tambin se lo llama tasa de fallas, ya que da idea de la cantidad relativa de fallas por unidad de tiempo. 2.4.1) CLCULO MATEMTICO DEL FR Matemticamente, se calcula el rgimen de fallas FR como la relacin entre las fallas encontradas entre t y t+h con respecto al nmero de fallas entre t e . " h " es el intervalo durante el cual se computan las fallas ( generalmente 1 hora ), mientras que el nmero de fallas que se producir entre t e es igual al nmero de elementos vivos al tiempo t , ya que todos morirn para t =. Partiendo de la distribucin de frecuencia de fallas " f " ( ver 2.3.2 ) , como puede apreciarse en la figura 2.5 , se tiene:
f d Nf f = ------Nt . d t
Fig. 2.5Determinacin del FR para fallas aleatorias
t+h
FR =
t
t+h
f .dt f .dt
La fig. 2.5 Representa la integracion del numerador de la ecuacin de F.R. El denominador tendria un intervalo t Si se considera:el intervalo h mucho menor que el tiempo medio de falla m :
h << m
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y se efecta el clculo de las integrales para la funcin de distribucin de frecuencia de fallas que corresponde al caso de fallas aleatorias :
t 1 - --m f = m .e
se obtiene una relacion de intervalos en la practica dado que m representa un valor infinito respecto de h, y resulta:
F.R. =
h 1 = m m
(pues se toma h igual a una unidad de tiempo)
Vemos entonces que el rgimen de fallas F.R. es aproximadamente igual a la inversa de m (tiempo medio de falla). Considerando que los tiempos medios de falla de los elementos electrnicos son tpicamente de millones de horas, resulta para los FR valores muy pequeos. Por lo tanto, es comn expresar los FR en
fallas por milln de horas o tambin en FITS , que son fallas por
109 horas.
2.4.2) EL FR DE CONJUNTOS DE ELEMENTO DISPUESTOS FUNCIONALMENTE EN SERIE

Los sistemas modernos estn compuestos por muchos miles y an millones de elementos, cada uno de los cuales posee un valor individual de la confiabilidad Ra, Rb, Rc, etc. Hemos visto que para calcular la confiabilidad Rt de un conjunto de elementos A, B y C , dispuestos funcionalmente en serie, la probabilidad de xito del conjunto Rt est determinada por la probabilidad compuesta de las probabilidades de xito individuales Ra, Rb, Rc, ....Se tendr entonces:
Rt = Ra . Rb . Rc
Si, como hemos visto, la confiabilidad de cada elemento es una funcin exponencial del rgimen de fallas individual:
Ra = et .FRa
Puede escribirse entonces:
Rb = e (t . FRb )
Rc = e (t . FRc )
Rt = e-(t . FRa . e-t . FRb . e-t . FRb)

Y sacando factor comn de los exponentes:
Rt = e-t . ( FRa+FRb+FRc.) = e-t . FRt

donde
FRt = FRa + FRb + FRc + .....+FRn
( si hay n elementos )
Puede observarse que el FR total de un conjunto de elementos dispuesto funcionalmente en serie es igual a la suma de los FR individuales. Tambin puede apreciarse que, como el FRtotal es mayor que el FR individual mayor, la disposicin funcional serie implica, necesariamente, una reduccin de la confiabilidad total del sistema, ya que la confiabilidad total resultante es siempre menor que la del elemento de menor confiabilidad. 2.4.3) EL FR DE CONJUNTOS DE ELEMENTO DISPUESTOS FUNCIONALMENTE EN PARALELO
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Recordemos que se tiene esta disposicin funcional cuando cada uno de los elementos que componen el sistema puede, en forma individual, llevar a cabo la funcin del conjunto. De esta forma, para que el conjunto falle debern fallar todos los elementos que lo componen. Suponiendo que las fallas de los elementos son completamente independientes entre s, se tendr que la probabilidad de falla total Pft ser igual a la probabilidad compuesta de las fallas individuales:
Pt = Pfa . Pfb . Pfc . .......

Recordando que la confiabilidad es el complemento de la probabilidad de falla:
Rt = 1-Pft = 1 - [ ( 1-Ra) .( 1-Rb ).( 1-Rc ) ]
Rt = e (t . FRt ) = 1 1 e t . FRa . 1 e t . FRb . 1 e t . FRc

Sacando logaritmos:
[(
)(
)(
)]
ln Rt = -t . FRt = ln { 1 - [ ( 1-e-t . FRa ).( 1-e-t . FRb ).( 1-e-t . FRc )] }

Se obtiene finalmente:
1 FRt = . ln 1 1 e t . FRa . 1 e t . FRb . 1 e t . FRc t
{ [(
)(
)(
)]}
Puede apreciarse que el FRt es una funcin de los FR individuales, pero desgraciadamente no es una funcin sencilla ya que no puede simplificarse por no ser el logaritmo distributivo con respecto a la resta. 3) APLICACIONES PRACTICAS DE LA CONFIABILIDAD 3.1) COMPORTAMIENTO TERICO Y REAL DEL RGIMEN DE FALLAS F.R. El rgimen de fallas F.R. de un elemento es un parmetro muy importante desde el punto de vista de su confiabilidad, que depende de la naturaleza de las fallas posibles en el elemento. Si se trata de fallas permanentes aleatorias, ya hemos visto que es un valor aproximadamente constante. Para la determinacin prctica de los F.R. tpicos de los distintos elementos utilizados en los circuitos y sistemas electrnicos, se efectan pruebas de evaluacin, ( en muchos casos destructivas ), sobre gran cantidad de muestras. Tambin se realizan pruebas intensificadas para abreviar la duracin de los ensayos. Con los resultados de estas pruebas se pueden obtener valores del rgimen de fallas de cada tipo de componentes. EJEMPLO ABREVIADO: Cmo podemos determinar que los resistores de pelcula metalica tienen FR = 0,02 fallas / 106 Hs? Metodo 1 : Probar durante 109 Hs resistor para que en 109Hs se obtengan 20 fallas, dado que: 0,02 fallas en 106 Hs 20 fallas cada 109 Hs. Metodo 2: a)Probar 100 resistores durante 107 Hs. b) Probar 100.000 rtesistores durante 104 Hs. Estos metodos son equivalentes pero no exactos.
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Metodo 3: El fabricante a travez de aos de produccin y experimentacin y mediante calculos precisos se obtienen resultados exactos., En la realidad se comprueba que el F.R. no es constante, sino que tiene un comportamiento como el de la figura 3.1:
Puede observarse que presenta tres zonas caractersticas: I) PERODO DE FALLAS PREMATURAS " MORTALIDAD INFANTIL " Inicialmente, el conjunto de elementos exhibe un alto rgimen de fallas, que decrece rpidamente para estabilizarse , una vez que los ejemplares dbiles o defectuosos han fallado. Este alto valor inicial del rgimen de fallas puede deberse a diversos factores: defectos de fabricacin, materiales defectuosos, daos de transporte, errores de instalacin, etc. Ejemplos tpicos de fallas tempranas son: # Soldaduras defectuosas # Fallas en el sellado de juntas # Conexiones incorrectas # Suciedad o contaminacin en superficies o en materiales # Impurezas qumicas en metales o aleaciones # Burbujas, rajaduras, puntos dbiles en aislaciones o recubrimientos protectores # Posicionamiento incorrecto de partes # Piezas mecnicas mal o insuficientemente ajustadas o soportadas Muchos de esos defectos iniciales pueden ser prevenidos mejorando el control de calidad durante la fabricacin. A veces, cambiando el diseo, los materiales, o los mtodos de produccin, se mejora la tolerancia del producto a esos defectos de fabricacin, pero fundamentalmente stos indican problemas en la "
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fabricabilidad " del producto o en el control sobre su proceso productivo. En muchos casos los fabricantes ( tambin puede ser realizado por el usuario ) efectan un "envejecimiento preventivo " ( por ejemplo, mediante ciclados trmicos o " burn-in " ) de sus productos, a veces en condiciones ambientales o de operacin intensificadas, de modo que los ejemplares que sobreviven a este perodo han eliminado o no poseen esas fallas de fabricacin y por lo tanto poseen un mayor nivel de confiabilidad. II) PERODO DE " VIDA UTIL " Una vez atravesado el perodo inicial, el producto alcanza su menor nivel del rgimen de fallas, que se mantiene relativamente constante, y que se caracteriza por la ocurrencia de fallas relacionadas con las solicitaciones a que se encuentra sometido el producto. El modelo matemtico generalmente empleado para expresar las fallas que se producen en este perodo, corresponde a una distribucin de frecuencia de fallas del tipo. exponencial decreciente. Este perodo, cuyas caractersticas estn determinadas por la relacin esfuerzo/resistencia del producto, es el ms importante desde el punto de vista de la confiabilidad. Por lo tanto, cambios en las condiciones ambientales (temperatura, humedad) o de operacin (tensin aplicada, potencia de salida, etc.) al modificar la relacin esfuerzo / resistencia producen significativas variaciones en el rgimen de fallas y por lo tanto en la confiabilidad del producto. III) PERODO DE ENVEJECIMIENTO O " DESGASTE "
El tercero y ltimo perodo en la vida de un producto se inicia cuando el rgimen de fallas comienza a aumentar sostenidamente. Las fallas, en este caso, se atribuyen primariamente al deterioro de la resistencia del elemento como consecuencia de la operacin y la exposicin a los agentes ambientales, que producen procesos de: - Corrosin u oxidacin - Ruptura de dielctricos o aumento de la corriente de fuga - Migracin inica de metales en vacio o en superficies - Desgaste por friccin o en piezas metlicas - Deformacin o aparicin de fisuras en plsticos
La optimizacin de la confiabilidad de un producto implica la consideracin de todas y cada una de las tres etapas de su vida. Las fallas prematuras pueden ser eliminadas mediante procedimientos sistemticos de control de calidad, seleccin y envejecimiento preventivo. Las fallas ocasionadas por esfuerzos, que caracterizan al perodo central de " vida til ", pueden ser minimizados por medio de adecuados mrgenes de seguridad durante el diseo. El perodo de desgaste puede ser postergado con procedimientos de mantenimiento preventivo y reemplazo anticipado de partes de corta vida. Esto indica que todos los factores mayores que influyen ( en general degradndola ) sobre la confiabilidad de un sistema deben ser tenidos en cuenta durante el diseo de modo de optimizar la misma.
3.2) RGIMEN DE FALLAS "F.R." DE COMPONENTES ELECTRONICOS El procedimiento convencional para establecer el rgimen de fallas de un determinado componente implica la recoleccin de datos de falla, determinacin de las condiciones de uso, tiempos de funcionamiento, etc., de tal manera de acumular una cantidad de horas-elemento lo suficientemente grande como para que el resultado posea significacin estadstica. De esta forma, es posible intentar una modelizacin matemtica que permita relacionar los factores de diseo y desarrollar coeficientes que posibiliten el ajuste de los resultados de acuerdo a las condiciones operativas, ambientales, de aplicacin, de esfuerzo, etc. 3.2.1) VALORES BSICOS DE FR DE COMPONENTES ELECTRNICOS Los fabricantes proporcionan valores tpicos del F.R. de sus productos. Estos datos son valores medios, para condiciones normales, y deben tomarse con criterio estadstico. A pesar de estas limitaciones, proporcionan
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informacin valiosa para estimar el comportamiento, desde el punto de vista de la confiabilidad, de un sistema. En la Tabla N 3.2 pueden apreciarse valores bsicos del FR para diversos componentes electrnicos de uso comn en circuitos de FRbase COMPONENTE distinto tipo [Fallas/106Hs] BATERIAS CAPACITORES: Cermicos ............................................ Mica ............................................ Papel ............................................ Plstico ............................................ Electrolticos de aluminio ......................................... Electrolticos de tantalio .......................................... CIRCUITOS INTEGRADOS ( bipolares y MOS ) Lineales ( < 12 transistores ) ............................. Lineales ( > 12 transistores ) ............................. Digitales ( <30 compuertas ) .............................. Digitales ( 30-200 compuertas ) ............................... Digitales ( >200 compuertas ) ............................... 1,500 0,015 0,005 0,025 0,005 0,070 0,015 0,035 0,100 0,005 0,015 0,025
TABLA N 3.2
RGIMEN DE FALLAS FR DE COMPONENTES ELECTRNICOS.
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TABLA N 3.2 RGIMEN DE FALLAS FR DE COMPONENTES ELECTRNICOS.( CONT. ) COMPONENTE CONECTORES Y CONEXIONES Conectores Mltiples ......................( cada pin ) ... Conectores Coaxiales ............................................ Uniones Soldadas ................. .......( c/u ).......... Uniones " Crimpeadas " ......................( c/u ).......... Uniones " wire-wrap " .....................( c/u ).......... Uniones Soldadas Impreso 2 caras ("thru-hole ") ( c/u ) Uniones Soldadas Impreso multicapa ( c/capa ) DIODOS Si ( seal ) Si ( potencia ) Zener LED INDUCTORES de R.F. de B.F. ........................................... ........................................... ........................................... ........................................... .............................................. .............................................. FRbase [Fallas/106Hs] 0,001 0,010 0,0005 0,001 0,0005 0,0002 0,0001 0,005 0,010 0,010 0,015 0,005 0,020 0,050 0,100 0,140 ............................................. ............................................. ............................................. ............................................. ............................................. 0,100 0,050 0,030 0,010 2,000 0,100 0,020 0,020 0,030 0,050 0,025 1,3 0,1
LLAVES Interruptores SPST y DPST .................................. Rotativas ............................................. RELAYS RESISTORES Alambre Composicin Carbn depositado Pelcula metlica Variables
TRANSFORMADORES Potencia ............................................. Pulsos ............................................. TRANSISTORES Si ( seal ) Si ( potencia ) Si ( R.F., potencia ) FET Potenciometro Fusible ............................................. ............................................. ............................................. .............................................
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3.2.2) FACTORES DE AJUSTE PARA DISTINTAS CONDICIONES DE OPERACIN

Los valores indicados como base para el rgimen de fallas corresponden a un uso en condiciones ambientales, de temperatura, de exigencia circuital, etc , consideradas normales. Si ese componente se pretende utilizar en circunstancias distintas de las consideradas normales, entonces es menester aplicar coeficientes que tengan en cuenta las solicitaciones o exigencias adicionales que influyen sobre el FR. Un ejemplo de esta metodologa lo ofrece la conocida norma americana MIL-HDBK-217, que en sus sucesivas versiones proporciona provee pautas para aplicar a la estimacin de los regmenes de falla individuales en distintas condiciones de aplicacin mediante la determinacin de una serie de factores de ajuste para cada caso particular. De acuerdo a este mtodo, el rgimen de fallas final FRp de una determinada parte o elemento se puede expresar en forma general como:
FRp = FRbase . e . a . q . ..... n

El FRbase es el FR bsico del elemento, referido a condiciones de operacin normalizadas, que puede obtenerse en distintas tablas ( por ejemplo, las que provee la norma MIL-217 ), y sobre el que deben aplicarse los diversos factores de ajuste para cada caso particular :
e :
factor de ajuste por condiciones ambientales: # Temperatura, # Humedad, exposicin a atmsfera agresiva, # Vibracines, etc.
factor que tiene en cuenta la aplicacin particular del elemento, as como todas aquellas condiciones que influencian la confiabilidad: consideraciones circuitales, cercana a lneas de entrada / salida, etc. considera las normas a que responde, controles de calidad durante la fabricacin, , envejecimiento preventivo, ciclados trmicos, seleccin ( "screening" ), etc. a que ha sido sometido, lugar de compra, almacenamiento, documentacin disponible, etc..
a :
q : factor de ajuste por la " calidad " del elemento:
n : factores adicionales para considerar situaciones particulares consideradas relevantes a efectos de

la confiabilidad. Todos estos factores de ajuste, conjuntamente con las definiciones correspondientes, se encuentran en las tablas de la mencionada norma MIL-217. 3.2.3) FACTORES AMBIENTALES QUE AFECTAN AL F. R. Los valores del rgimen de fallas que figuran en las tablas ( FR base ) corresponden a condiciones ambientales de referencia, generalmente consideradas como benignas . En muchos casos de la realidad las condiciones son apreciablemente ms severas, imponiendo solicitaciones que afectan significativamente al rgimen de fallas. Por ejemplo, en el uso de campo o campaa es comn que un equipo sea sometido a un trato rudo donde el equipo recibe golpes y sacudidas, con lo cual aparecen solicitaciones de tipo mecnico que pueden afectar considerablemente la vida til de los componentes. Ademas, las variaciones de temperatura ambiente son amplias. En el laboratorio o en aplicaciones benignas equivalentes se encuentran temperaturas promedio de 20 a 25 C , que excepcionalmente alcanzan valores de 15 a 30C ). En cambio, en aplicaciones industriales o de campo puede haber temperaturas que van desde algunos grados bajo cero a temperaturas superiores a 60C , con humedad elevada. Adems el trato a recibir por parte tanto del operador cuanto de personas accidentalmente prximas va a ser mucho mas duro que el correspondiente a condiciones normales de laboratorio. Si pasamos al uso en trailer o mvil, aparte de las condiciones de temperatura y humedad similares al uso de campo, tenemos vibraciones y "shocks " que facilitan la aparicin de fallas mecnicas.
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Para el uso en mvil martimo se tienen vibraciones intensas de frecuencia mas o menos fija determinadas por el sistema de propulsin del barco, con condiciones de humedad y salinidad del ambiente que son sumamente perjudiciales. En el uso aeronutico se tienen excitaciones de tipo mecnico, con frecuencias hasta de kilociclos.Por otra parte, la tecnologa aeronutica exige equipos miniaturizados y compactos, lo cual sumado a la presin inferior a la atmosfrica produce generalmente sobreelevaciones de temperatura elevadas. Los factores ambientales que se indican en la Tabla 3.3 son indicativos y no deben ser tomados a pies juntillas, siendo principalmente una gua para hacer una estimacin de la confiabilidad de un equipo o de un circuito.
TABLA N 3.3 FACTORES DE AJUSTE e ( POR CONDICIONES AMBIENTALES )

CONDICION Gb Gf Mt Mm Ma
e.
Condiciones ambientales
Terrestre, benigna : condiciones ambientales ptimas ( temperatura de 20 a 25 C, humedad moderada, ambiente limpio, etc ) , operadores capacitados, disponibilidad de mantenimiento . Terrestre, fija.: condiciones ambientales no ptimas, con temperatura y humedad que varan entre amplios lmites, ambientes sucios, operadores eventualmente poco capacitados, mantenimiento limitado. Mvil terrestre: condiciones similares a Gf con agregado de vibraciones y "shocks ". Mvil martimo. Condiciones similares a Gf, con el agregado de atmsfera agresiva ( salina ) y vibraciones mecnicas. Mvil aeronutico: condiciones ambientales y de operacin similares a Gf, con el agregado de baja presin atmosfrica y vibraciones de alta frecuencia.
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De todos modos, los resultados obtenidos sirven para tener una idea de lo que se puede esperar de un circuito, de modo que si no satisface los requerimientos se pueden hacer correcciones u otro diseo con criterio diferente.
3.2.4) NIVELES DE CALIDAD DE COMPONENTES ELECTRONICOS

El concepto de " calidad " resulta siempre muy difcil de reflejar cuantitativamente. Sin embargo, como en la prctica es posible encontrar elementos de calidad muy diversa, de acuerdo a los materiales empleados, procesos de fabricacin, controles de calidad, mtodos de almacenamiento, etc, y como estos distintos niveles de calidad tienen marcada influencia sobre la confiabilidad de esos elementos, resulta necesario tenerlos en cuenta mediante un factor q. Para establecer los niveles de calidad y sus correspondientes coeficientes q, las diferentes normas (en particular la MIL-217 ) establecen criterios y requisitos que deben cumplirse para asignar a cada tipo de componente un determinado factor de calidad. EL NIVEL DE CALIDAD I (el ms bajo) corresponde a componentes de tipo "comercial", que han sido adquiridos en negocios del ramo o distribuidores mayoristas no especializados. Se supone que slo responden a las especificaciones generales del tipo o producto, y que no han cumplimentado otros controles de calidad que los corrientes de produccin del fabricante. No han sido sometidos a ningn tipo de seleccin ("screening"), ni a envejecimiento preventivo.
EL NIVEL DE CALIDAD II se adjudica a elementos de tipo "industrial" o "profesional", y requiere, por

ejemplo, la adquisicin directa en el fabricante o sus distribuidores especializados; cumplimiento de especificaciones acordadas entre el fabricante y el usuario; controles de calidad indicados o supervisados por el usuario; envejecimiento acelerado (burn-in) con seleccin posterior con un AQL del orden del 1%; pudiendo incluir tambin el cumplimiento de procedimientos de ensayo o seleccin especificados por normas reconocidas de rigor adecuado.
EL NIVEL DE CALIDAD III se suele aplicar a elementos utilizados en aplicaciones espaciales, militares o
nucleares: tanto el proceso de fabricacin cuanto los mtodos de control y aseguramiento de la calidad, los ensayos de aceptacin, los ciclados trmicos, el envejecimiento preventivo ("burn-in"), el embalaje, transporte y almacenamiento, etc. deben cumplimentar estrictas normas que pueden exigir, por ejemplo, la inspeccion a un
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AQL de por lo menos el 0.1% . En algunos usos particulares de muy alta exigencia pueden considerarse niveles de calidad an superiores. Es indudable que el cumplimiento de tan estrictos requerimientos implica un costo que muy pocas aplicaciones pueden tolerar: se estima, generalmente, que cada salto de nivel de calidad significa un incremento de precio del orden de diez veces. La influencia del nivel de calidad sobre el rgimen de fallas de un determinado componente es generalmente significativa: cada salto de nivel representa una reduccin del FR de dos a diez veces, por lo cual elementos que poseen niveles de calidad elevados pueden ofrecer regmenes de falla cientos de veces inferiores a los correspondientes a elementos comunes, con el consiguiente incremento en su confiabilidad. TABLA N 3.4 FACTORES DE AJUSTE q POR CALIDAD DEL COMPONENTE
NIVEL
I II III
DENOMINACION
COMERCIAL INDUSTRIAL MILITAR
q
30 3 1
3.3)
MEDIDAS PARA OBTENER UNA CONFIABILIDAD ELEVADA:
La obtencin de valores elevados de la confiabilidad es una preocupacin contante en numerosas aplicaciones, tanto civiles cuanto militares, ya que del correcto funcionamiento de un sistema electrnico pueden depender bienes y vidas humanas. En todas las etapas de la vida de un producto hay medidas que pueden tomarse para contribuir positivamente a lograr una confiabilidad elevada. Entre estas medidas podemos mencionar: a) BUEN DISEO: el mtodo bsico para obtener un producto mas confiable consiste en disearlo en forma adecuada, teniendo en cuenta las condiciones ms desfavorables de trabajo,.usando conservadoramente los materiales y componentes y tomando adecuados mrgenes de seguridad. b) EMPLEO DE MATERIALES DE BUENA CALIDAD: La utilizacin de materiales y elementos producidos de acuerdo a procesos controlados y consagrados por la experiencia, suministrados por proveedores reconocidos, constituye otra de las bases para lograr mayor confiabilidad c) PROCESO PRODUCTIVO ADECUADO: todo el proceso productivo( instalaciones, mtodos, herramental, instrumental de medida y control ) debe ser acorde con el nivel de calidad y confiabilidad deseados. d) CONTROLES DE CALIDAD DURANTE LA PRODUCCIN: el control de calidad distribudo a lo largo del proceso productivo ( y no al final como se haca tradicionalmente ) posibilitan la reduccin de defectos que de otro modo quedaran ocultos hasta causar la falla. f) EMPLEO DE REDUNDANCIA: El uso de elementos dispuestos funcinalmente en paralelo ( redundancia ) constituye uno de los recursos ms efectivos para aumentar la confiabilidad g)ENVEJECIMIENTO ACELERADO: La puesta en funcionamiento en condiciones controlads e intensificadas de modo de forzar la aparicin de fallas prematuras, permite reducir la mortalidad infantil poniendo el producto en servicio cuando el rgimen de fallas ha alcanzado su valor mnimo. h) PRUEBAS DE FUNCIONAMIENTO MARGINAL : Los ensayos que se realizan con el objeto de detectar un funcionamiento marginal o una tendencia a la falla permiten combatir las fallas por degradacin, aumentando de ese modo la confiabilidad. i) MANTENIMIENTO PREVENTIVO: El mantenimiento ( y eventualmente reemplazo ) preventivo reduce la aparicin de fallas por desgaste o envejecimiento, mejorando la confiabilidad hacia el final de la vida til del producto. Puede apreciarse que los puntos a) hasta d), son recursos exclusivos del fabricante; los puntos f) y g) pueden ser efectuados tanto por el fabricante cuanto por el usuario, mientras que los h) e i) estn reservados para el usuario. Todos estos medios, correctamente utilizados, permiten mejorar la confiabilidad de un producto, aunque es indudable que la mayor influencia estar determinada por los puntos a) a d), ya que si el producto no
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ha sido generado desde el inicio teniendo en cuenta su confiabilidad, no ser posible agregrsela con posterioridad.
3.5)
EJEMPLO DE CLCULO DE LA CONFIABILIDAD DE UN CIRCUITO
Como ejemplo, se realizar a continuacin el clculo de la confiabilidad de un circuito amplificador sencillo, como se muestra en la figura 3.2:
-6 v 47k 4,7 M 10k 15k -3,3 Capacitor de tantalio Transistores de Si 910 Todos los resistores de pelcula metlica 100
10 Capacitor plstico
Fig. 3.2
Circuito del Amplificador
Uso del amplificador: laboratorio Vida deseada (tiempo de la misin), 10 000 Hs. Caractersticas de los componentes utilizados: Transistores: de silicio (2N363 y 2N708) Resistores: de pelcula metlica Capacitores: uno plstico y otro electroltico de tantalio PROCEDIMIENTO DE CLCULO DE LA CONFIABILIDAD DEL AMPLIFICADOR: a) Se confecciona una tabla en la que las columnas son: 1-Tipo de componente; 2- Nmero de cada tipo; 3- FRbase de cada tipo; 4- Factor de ajuste ambiental e; 5- Factor de ajuste por calidad q; 6-Producto de las columnas 2, 3, 4 y 5. Esa tabla debe contener una lnea para cada tipo de componente, y una lnea para el FR total ajustado por condicin ambiental y factor de calidad, que se obtiene sumando la columna 6 Columna 1 Columna 2 Columna 3 Columna 4 Columna 5 Columna 6 Producto de las Columnas TIPO DE CANTIDAD FRbase e q 2, 3, 4 y 5 COMPONENTE [Fallas/106Hs] Resistores de pelcula metlica. Capacitor de plstico Capacitor de tantalio Transistores Soldaduras FR Total del Circuito Nota: Los valores de F.R. dados son para un milln de horas. 6 1 1 2 22 0,0100 0,0050 0,0150 0,0200 0,0002 1 1 1 1 1 3 3 3 3 3 0,1800 0,0150 0,0450 0,1200 0,0042 0,3642
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b) Como consideramos el circuito para uso de laboratorio, se ha utilizado para el factor de ajuste ambiental ( columna 4 ) e = 1. c) Como consideramos que el circuito utiliza componentes industriales, se ha utilizado para el factor de ajuste por calidad ( columna 5 ) q = 3. d) El FR total corregido por factores ambientales y de calidad se obtiene como la suma de los valores de la columna 6, obtenindose:
F.R.total del circuito = 0,3642 fallas / 106 Hs 0,364 . 10-6 Hs

e) Calculo de la confiabilidad: nos interesa calcular la confiabilidad del circuito para un tiempo de uso de 10 000 Hs., (esto es, la probabilidad tiene el circuito de sobrevivir 10 000 Hs. sin tener ninguna falla ).
Rtotal = e-(t.Frtotal) = e-(10000 . 0,364 . 10-6 Hs) Rtotal = e-0,00364 0,9964 Rtotal = 0,9964 = 99.64 %
Por lo tanto, la probabilidad de que el amplificador sobreviva 10 000 Hs. sin fallas es del 99,64 %. f) COMENTARIO SOBRE EL RESULTADO OBTENIDO: Si bien un circuito sencillo como el considerado tiene una probabilidad del 99,64 % ( muy alta )de sobrevivir 10000 Hs.; si consideramos que en aplicaciones industriales es comn utilizar cientos y an miles de circuitos de esa complejidad, la confiabilidad de todos los circuitos funcionando simultneamente ser mucho menor. 3.5) EJEMPL0 DE CALCULO DE CONFIABILIDAD PARA UN SISTEMA Por ejemplo, para un sistema de 100 ( cien ) circuitos similares al del punto anterior se tendra ( se trata de disposicin funcional serie ) :
Rsistema = Rcirc. nmero de circuitos 0,9964 100 = 0,697 0,70 70%
Rsistema=
Es evidente que para este hipottico sistema la confiabilidad sera ms bien baja. Para mejorarla convendra utilizar, por ejemplo, componentes de nivel de calidad militar con lo que se obtendra una confiabilidad ms elevada. Veamos cuantoresultara la confiabilidad en ese caso: a) EL FR TOTAL DEL CIRCUITO , si utilizamos componentes de calidad militar ( q = 1 ), resultar una tercera parte del correspondiente al circuito con componentes industriales.
FRtot ( militar)
0,1213 fallas . 10-6 Hs
b) EL FR TOTAL DEL CONJUNTO de cien amplificadores ser:
FRsist.(militar) = 100 . FR circ. = 100 . 0,1213 fallas . 10-6 Hs FRsist. = 12,13 fallas . 10-6 Hs
c) LA CONFIABILIDAD DEL SISTEMA :
Rsist. (militar ) = e-t.FRsist = e-10 000 . 12,13 . 10-6 Hs Rsist. = e-0,1213 0,886 88,6 %
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Observamos que el nuevo valor de la confiabilidad del sistema ha subido al 88,6 %, lo que podra ser un valor aceptable para una misin de 10 000 Hs. 4) CALIDAD El concepto de calidad ha cobrado en los ltimos tiempos una gran importancia, especialmente en los mbitos empresarios, donde los Sistemas de Calidad y las normas ISO 9000 estn mostrando un vertiginoso desarrollo. 4.1) DEFINICIONES RELATIVAS A CALIDAD Si bien todos tenemos una idea intuitiva del significado de la palabra calidad, en el lenguaje corriente este trmino tiene muchas veces significados diferentes para personas diferentes. Existe tambin una cierta confusin respecto del significado de trminos relativos a la calidad, tales como "control de calidad", "aseguramiento de calidad", "sistema de calidad", "gestin de calidad", y "calidad total". Por lo tanto, conviene definirlos antes de seguir adelante, utilizando la norma IRAM-IACC-ISO E 8402 versin argentina de la norma ISO 8404, que se refiere al vocabulario relativo a la calidad. 4.1.1) DEFINICIN DE CALIDAD: La norma define a la Calidad como " el conjunto de caractersticas de un elemento que le confieren la aptitud para satisfacer las necesidades establecidas e implcitas del usuario ". Puede apreciarse que esta definicin separa el concepto de calidad con el de excelencia tcnica, entre los cuales se producen habitualmente errores de interpretacin que deben evitarse: un elemento de gran excelencia tcnica ( por ejemplo un auto de lujo ) puede no ser de calidad satisfactoria por tener plazos de entrega excesivos o problemas de atencin posventa. 4.1.2) CONTROL DE CALIDAD: La norma define al Control de Calidad como " tcnicas y actividades de carcter operativo utilizadas para satisfacer los requisitos de la calidad ". Por ejemplo, el Control de Calidad incluye la planificacin y realizacin de inspecciones y ensayos, el control de los procesos de fabricacin, elaboracin de reportes y registros estadsticos, etc.
4.1.3) ASEGURAMIENTO DE CALIDAD GARANTA DE CALIDAD

El Aseguramiento de Calidad es el "conjunto de actividades preestablecidas y sistemticas, aplicadas en el marco del sistema de calidad, que se ha demostrado que son necesarias para dar confianza adecuada de que una entidad satisfar los requisitos para la calidad ".El Aseguramiento de Calidad se refiere tanto a objetivos internos ( para dar confianza a la direccin del organismo ) como externos ( para dar confianza a los clientes o usuarios del organismo ) 4.1.4) SISTEMA DE CALIDAD: El Sistema de Calidad comprende " la organizacin, los procedimientos, los procesos y los recursos necesarios para implementar la Gestin de Calidad ". El Sistema de Calidad de un organismo est generalmente concebido para satisfacer las necesidades empresariales internas del mismo. Va ms all de los requisitos de un cliente en particular, el cual slo evala la parte del Sistema que le concierne 4.1.5) GESTIN DE CALIDAD: La Gestin de Calidad, por otra parte, es el " conjunto de las actividades de la funcin empresaria que determina la poltica de calidad, los objetivos y las responsabilidades y las implementa por medios tales como la planificacin, el control, el aseguramiento y el mejoramiento de la calidad, en el marco del sistema de calidad ". 4.1.6) CALIDAD TOTAL:
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Se suele denominar as a una " forma de gestin de un organismo, centrada en la calidad, basada en la participacin de todos sus miembros y que apunta al xito a largo plazo a travs de la satisfaccin del cliente y a proporcionar beneficios a todos los miembros del organismo y de la sociedad ". A nivel internacional, esta forma de gestin tambin es conocida como TQM ( Total Quality Management ), CWQC ( Company Wide Quality Control ), TQC ( Total Quality Control ), etc. 4.1) CALIDAD Y COSTO Los conceptos de calidad y costo estn fuertemente relacionados, si bien por funciones muy diferentes segn sea el punto de vista del observador. Por ejemplo, analicemos el costo de fabricacin de un cierto producto en funcin de la calidad. Si la calidad es nula o muy baja, el producto igual tendr un costo de fabricacin determinado: materias primas, mano de obra, costos fijos, etc. A medida que la calidad crece el costo aumentar, muy despacio al principio perofinalmente lo har vertiginosamente ( ciertos niveles de calidad pueden no ser alcanzables, an a costos infinitos ), como se muestra en la Fig. 4.1.
Figura 4.1 Curva Costo-Calidad

Si se rectificara la curva del costo, obtendramos una representacin de la rentabilidad mas adecuada. Rentabilidad
Maxima Rentabilidad
Calidad Desde el punto de vista del usuario de ese producto, el costo aceptable o precio que est dispuesto a pagar tiene una ley de variacin muy distinta. Nadie pagara nada por un producto de calidad nula, pero a medida que la calidad aumenta el precio admisible aumenta, rpidamente al principio pero alcanzando una saturacin para valores altos de la calidad. Por ejemplo, si una computadora tiene un nivel de errores muy satisfactorio, no se aceptara pagar un precio mucho mayor por otro modelo que tuviere, digamos, la mitad de errores. Si la curva de precio aceptable para el usuario tiene un rango en el cual supera la del costo de produccin, el negocio es
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rentable y puede llevarse adelante dentro de esos niveles de calidad; de lo contrario no es rentable y algo debe modificarse para posibilitar la rentabilidad. ( Por ejemplo, bajar costos de produccin mediante una mejor tecnologa de fabricacin, o aumentar el costo aceptable para el comprador mediante la concientizacin del mismo sobre virtudes del producto que puede no haber apreciado debidamente. Las leyes costo- calidad de cualquier producto, cualquiera sea su tipo, tienen una forma similar a las mostradas en la figura 4.1 4.2) CONTROL DE CALIDAD El "Control de Calidad "se define como el "conjunto de actividades y tcnicas operacionales que se usan para cumplir los requerimientos de calidad. Histricamente se ha asociado al control de calidad con las inspecciones al final del proceso de fabricacin o a las inspecciones de recepcin de mercaderas. Si bien esas actividades son ejemplos. efectivamente, de control de calidad, en la actualidad el concepto ha evolucionado considerablemente. 4.2.1) LOS CUATRO PASOS DEL CONTROL DE CALIDAD Todo proceso productivo puede clasificarse en cuatro pasos fundamentales: 1) 2) 3) 4) 5) Definir los Requerimientos Planificar la Ejecucin Ejecutar la tarea Comprobar los resultados Efectuar las correcciones necesarias
Capitulo III
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CAPITULO III
MATERIALES ELECTRICOS
1) MATERIALES ELCTRICOS: INTRODUCCION Los materiales elctricos, como se los conoce en el mundo tcnico, son aqullos que por sus distintas propiedades y caractersticas resultan apropiados para su utilizacin en diversas aplicaciones tecnolgicas. Como no existe un material elctrico ideal esto es, que satisfaga perfectamente todos los requerimientos para cada aplicacin particular existe un conjunto de caractersticas elctricas, fsicas, mecnicas y otras, que son especialmente relevantes para ese uso. Por lo tanto, el estudio de los materiales elctricos y el anlisis de sus principales caractersticas constituye un importante objetivo para la tecnologa. Desde el punto de vista tcnico, los materiales elctricos de utilizacin corriente se dividen en dos clases principales: a) Conductores; b) Aisladores. Una tercera clase sera la de los semiconductores, pero por su naturaleza muy particular no los consideraremos en este anlisis. Para poder discriminar entre conductores y aisladores se debe adoptar algn criterio. Cuando la frecuencia es baja, el criterio de diferenciacin ms conveniente es la resistencia especfica al paso de la corriente o resistividad. 1.1) COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES ELCTRICOS EN BAJA FRECUENCIA
1.1.1) ESPECTRO DE RESISTIVIDADES Si hacemos un espectro de todos los materiales disponibles desde el punto de vista de su resistividad, se comprueba que en un extremo, en una pequea gama que va de 1,6 x 10-6 hasta 100 x 10-6 .cm , se ubican los materiales que se definen tcnicamente como conductores: En el otro extremo, correspondiente a los materiales tcnicamente definidos como aisladores , el rango es muy grande, aproximadamente de 1012 a 1024 .cm. Puede apreciarse que entre los elementos que se pueden considerar buenos conductores y buenos aisladores, hay un enorme rango (10-4 a 1012 cm.). En este rango se encuentran muchos materiales , que desde el punto de vista tcnico no son ni buenos conductores ni buenos aisladores, y que por lo tanto no encuentran aplicacin en la tecnologa elctrica por sus desfavorables caractersticas: por ejemplo, el hormign, la madera, etc. En ese rango tambin se encuentran los materiales semiconductores, que no se han considerado en este anlisis, por su naturaleza muy particular. Debe destacarse el estrecho agrupamiento de la resistividad de los conductores menos de dos rdenes de magnitud en contraste con la enorme dispersin de la correspondiente a los materiales aisladores, que se encuentra distribuda sobre doce rdenes de magnitud. Ms adelante veremos que esto se debe a la naturaleza eminentemente aleatoria de la mayora de las propiedades de los aislantes, mientras que las caractersticas de los conductores responden a una enorme cantidad de pasos de procesos regulares y repetitivos. La gran brecha que existe entre los materiales tcnicamente aptos para ser utilizados como conductores , respecto de los aceptables como aisladores, indica que en la mayora de las aplicaciones las corrientes de fuga que pueden circular por los aislantes son totalmente despreciables frente a las corrientes principales que circulan por los conductores. Esto posibilita, por ejemplo, la transmisin de energa elctrica a grandes distancias con alto rendimiento econmico, lo que no sera posible si las resistividades respectivas de conductores y aisladores no estuvieran separadas por un rango tan amplio. 1.2) COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES ELCTRICOS EN ALTA FRECUENCIA. Cuando la frecuencia aumenta, las corrientes de desplazamiento, debidas a la polarizacin de los dielctricos, comienzan a ser significativas. Estas corrientes no responden a la ley de Ohm en el circuito, sino que constituyen reacomodamientos de cargas que se orientan y re-orientan de acuerdo a la tensin aplicada, y se agotan cuando los dielctricos se encuentran totalmente polarizados. En baja frecuencia, las
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corrientes de desplazamiento son despreciables frente a las corrientes de conduccin, pero a frecuencias suficientemente altas esa relacin se invierte, predominando las primeras. 1.2.1) DETERMINAR TANGENTE En alta frecuencia resulta necesario buscar otro criterio para la discriminacin entre conductores y aisladores. Para encontrar un criterio que tenga validez en alta frecuencia, debemos analizar la propagacin de una onda electromagntica sinusoidal en un medio que posee conductividad no nula. Utilizando las ecuacines de Maxwell, se tiene:
x
H = ( ' + j . ) . E x E = -j .
.H
Donde (conductividad), (permitividad) y (permeabilidad) dependen de las caractersticas del medio en el que se propaga la onda electromagntica. Para el vaco, por ejemplo, se tiene:
'= 0 ;
= 0 = 8,854.10-12 F/m ;
= 0 = 12,57.10-7 Hy/m
Analizando la primera ecuacin, que es la que trata de los parmetros elctricos del medio ' y , podemos escribir:
'+
j . = j . *
donde * = permitividad compleja. .Se tiene entonces:
* = j
r =
a)
' ' = 0r j 0 .
Constante dielctrica Relativa Permitividad Relativa.
Puede apreciarse que la permitividad compleja puede expresarse mediante dos trminos en cuadratura:
que tiene en cuenta la capacidad del medio de acumular energa elctrica
b)
' ( ) 0
que representa las caractersticas disipativas del medi
La conductividad ' engloba todos los aspectos disipativos en el material ( conductividad propia del material en bajas frecuencias, ionizacin, perdidas dielctricas, etc ).
' ' ' . t = 0 = = r 0 . r . .
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1.2.2) OTRA MANERA DE OBTENER tg :
Para clasificar los materiales en conductores y aisladores.
R R 1 j .C = = j. .Ce R + 1 1 + j. .C.R j. .C
j. .Ce = 1 + j. .C.R 1 = j. .C.1 + R j. .C.R
1 .l Ce = . . S .1 + S 0 r C = 0 . r . ;;; R = S l l S ;; l j. . 0 . r . . . l S 1 S 0 . r * .S S 1 = 0 . r j. = C = 0 . r . .1 j. l . 0 . r . . 0 . l l
= r ' j. r "
* r
;;
r '= r
;;
r "=
. 0 .
2 10 .(materiales : dielectri cos ) 1 tg = = . 0 . r . . 0 . r . 10 2.(materiales : conductores )
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La relacin obtenida es la " tangente de ngulo de prdidas ", siendo este ngulo () determinado por las componentes real e imaginaria de la permitividad compleja. La tangente del ngulo de prdidas constituye un buen criterio para discriminar entre conductores y aisladores en alta frecuencia, ya que nos indica la importancia relativa de las corrientes de conduccin y de desplazamiento. Si el ngulo de prdidas es muy pequeo ( tg < 10-2 ), se considera que el material es tcnicamente un aislador o dielctrico , mientras que si el ngulo de prdidas es grande ( tg < 102 ), se considera que el material es un conductor .Debe observarse que tg depende inversamente de la frecuencia, de all que muchos materiales se comporten como conductores en baja frecuencia y como dielctricos en alta frecuencia. Por ejemplo, el agua dulce es tcnicamente un conductor por debajo de 2000 Hz, mientras que puede considerarse un dielctrico por encima de 20 MHz. Tambin es importante sealar que la diferencia relativa entre conductores y aisladores es mucho menor en alta frecuencia cuatro rdenes de magnitud que en baja frecuencia, donde podemos recordar que es mayor de dieciseis rdenes de magnitud . Esta menor separacin relativa de las caractersticas primordiales de conductores y aislantes en altas frecuencias significa, entre otras cosas, que los materiales son menos "ideales " que a frecuencias bajas. Las consecuencias prcticas son numerosas: por ejemplo, en alta frecuencia no es posible construir lneas de transmisin de larga distancia sin sufrir prdidas en general inaceptables.
2) MATERIALES CONDUCTORES
La tecnologa moderna ofrece un amplio rango de aplicaciones para los materiales conductores, que se pueden clasificar de la siguiente forma: a) CONDUCCIN PTIMA DE ENERGA O SEALES ELCTRICAS. En esta categora tenemos, por ejemplo, los conductores que se utilizan para conducir la corriente elctrica; los cables de tranmisin de seales telefnicas o digitales, etc. En este caso conviene que la resistencia elctrica sea mnima, por lo que se requerirn materiales de baja resistividad. b) CONDUCCIN CONDICIONADA DE LA CORRIENTE ELCTRICA . Esta aplicacin, que es caracterstica de los circuitos elctricos, requiere materiales de resistividad media o alta. Frecuentemente, se asocia a este requerimiento que la resistencia se mantenga lo ms constante posible bajo coeficiente trmico. c) CONVERSON DE ENERGA ELCTRICA EN TRMICA calefaccin elctrica. Esta aplicacin requiere tambin materiales de media y alta resistividad, pero adicionalmente se exige que los materiales sean capaces de trabajar a elevadas temperaturas durante tiempos considerables sin gran deterioro. d) APLICACIONES VARIAS. Por ejemplo, sensores resistivos de temperatura, sensores termoelctricos de temperatura, emisores termoinicos, etc. Cada una de estas aplicaciones requiere de un conjunto de caractersticas que deben estudiarse especialmente para cada caso particular. Dentro de las caractersticas de los materiales elctricos, las ms importantes son por supuesto las elctricas, pero, como veremos ms adelante, tambin deben considerarse otras propiedades que en muchos casos, como el costo, pueden tener decisiva importancia.
2.0) CARACTERSTICAS ELCTRICAS DE LOS MATERIALES CONDUCTORES:

Las caractersticas elctricas ms relevantes desde el punto de vista tecnolgico son tres: a) Resistencia especfica o resistividad
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
b) Coeficiente de temperatura c) FEM. de contacto
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2.1)
RESISTENCIA ESPECFICA O RESISTIVIDAD:
Esta caracterstica define la mayor o menor facilidad con que un material conduce la corriente elctrica.
2.1.1) DEFINICIN DE LA RESISTIVIDAD

Para determinar la resistividad de un material hay que conocer la resistencia elctrica ( R ) , de un trozo de conductor de longitud (L) y seccion uniforme (S) . Aunque estrictamente la determinacin puede hacerse para cualquier forma de conductor, se acostumbra tomar para la determinacin la resistencia entre las caras opuestas de un cubo de dimensiones unitarias. De acuerdo al sistema mtrico decimal, la dimensin debera ser 1 metro, pero por razones prcticas se suele tomar 1 cm. A una temperatura dada la resistencia del conductor es directamente proporcional a una constante (que depende exclusivamente del material del conductor), a la longitud l , e inversamente proporcional a la seccion S . O sea:
R = .
l s
Si tomamos las dimensiones de la longitud en cm y de la seccion en cm2 , la resistividad resulta en:
.cm2 [ ] = = [.cm] cm
En muchos casos prcticos ( especialmente en electrotecnia ), es ms cmodo expresar las longitudes en metros y las secciones en mm2. Resulta entonces:
.mm 2 [ ] = m
Entre los valores expresados en ambas unidades se tiene la equivalencia numrica:
.mm2 = 10 4 .cm m
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2.1.2) MATERIALES CONDUCTORES DE BAJA RESISTIVIDAD: (ver anexo 33; 42 y 43)

Hemos visto en el espectro de resistividades que los valores correspondientes a los buenos conductores se encuentran muy concentrados, como podemos apreciar en la Tabla 2.1 Por ejemplo, si descartamos el Au que por razones econmicas slo se usa en casos especiales, entre los conductores utilizables se tiene al Ag, Cu y Al, entre los cuales la relacin de resistividad es muy pequea. Tomando el ms utilizado - cobre como referencia, la resistividad de la plata es 6% menor y la del aluminio es 60 % mayor. De modo que entre estos 3 elementos la relacin de resistividades no llega a 2 veces. En aplicaciones corrientes, el Cu ha sido el conductor tradicionalmente ms usado, principalmente por su facilidad de obtencion y procesamiento. La plata - Ag - no es conveniente por su alto precio. Para aplicaciones electrnicas generales no cabe duda que el cobre es el material ms adecuado, por su baja resistividad, gran ductibilidad y facilidad de soldaura con fundentes de bajo punto de fusin. La resistividad del Cobre utilizado en aplicaciones elctricas, a C:
2 = 0,01724 mm = 1,724 . 10-6 cm m Cu Se trata de Cu electroltico recocido normalizado, que es Cu con pureza industrial (no pureza qumica), obtenido por proceso electroltico y sometido a un tratamiento trmico adecuado para eliminar las tensiones que se producen durante el trafilado utilizado para lograr los alambres de pequeo dimetro de uso comn. En el Cu el valor de es muy afectado por la presencia de impurezas. Por ej., un contenido de impurezas del orden de 1% puede variar el valor de la resistividad en un porcentaje mucho mayor. Por eso, para asegurar que el valor de la resistividad se mantiene dentro de lmites estrechos, debe controlarse el contenido de impurezas del material. Otro material conductor de uso comn es el aluminio. Su resistividad es:
= 0,028
Al
2 mm m
2,8 . 10-6 cm
Al = Cu + 60%.Cu Cu
Cu 2,8 = = 1,624 1,6 Al 1,724
Si es :
RCU = R Al
l CU = l Al
S Al = S CU + 60%.S CU
Peso Especfico:
PeCU = 8,9
gramos cm3
Pe Al = 2,7
gra mos cm 3
PeCU 8,9 = = 3,296 3,3 Pe Al 2,7 Peso Al = 0,3.PesoCU

Puede observarse que el Al tiene aproximadamente un 60% ms de resistividad que el Cu . Esto, unido a que la metalurgia del Al es relativamente reciente, explica el predominio del uso del Cu como material para
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transmisin de energa y seales elctricas. Sin embargo, en la actualidad el aluminio est desplazando al cobre en muchas aplicaciones, por dos razones principales: menor peso especifico y menor costo. En efecto, la relacin de resistividades entre el aluminio y el cobre es 1,6 . Por lo tanto, para obtener la misma resistencia a igualdad de longitud, con un conductor de Al ser necesario utilizar una seccion 60 % mayor que con Cu. Sin embargo, debido a que el peso especifico del Al es 3,4 veces menor que el del Cu, en definitiva un conductor de aluminio pesa menos de la mitad que uno de cobre. En algunas aplicaciones, por ejemplo en lneas areas de transmisin de energa elctrica, el menor peso de un conductor de aluminio resulta muy ventajoso. En estos casos, se suelen utilizar cables de acero recubiertos por aluminio, con lo que se obtienen conductores de buena conductividad elctrica y elevada resistencia mecnica. Como el costo por kilogramo del aluminio es menor que el correspondiente al cobre, considerando su peso mucho menor las ventajas econmicas son importantes , particularmente en aqullas aplicaciones que emplean masivamentes materiales conductores. El inconveniente principal que tiene el Aluminio, especialmente desde el punto de vista de su uso en electrnica, es que no es soldable por soldaduras blandas (soldaduras de bajo punto de fusin). Esto obliga a utilizar uniones mecnicas, que en muchos casos resultan caras, voluminosas y poco confiables. TABLA 2.1) PRINCIPALES CARACTERSTICAS FSICAS DE MATERIALES CONDUCTORES METLICOS
RESISTIVID.
MATERIAL PLATA COBRE ORO ALUMINIO Ag Cu Au Al
[ Ohm . cm ]
COEF. TERM. PESO RESISTENC ESPECIFICO [ PPM /.K ] [ Gr / cm3 ]
TEMPERAT. DE FUSION [ C ]
CALOR ESPECIFICO [ Cal / gr.K ]
CONDUCTIV. TERMICA [Cal / cm.s.K]
1,59 x 10-6 1,72 x 10-6 2,44 x 10-6 2,82 x 10-6 5,49 x 10-6 5,70 x 10-6 5,90 x 10-6 7,80 x 10-6 7,60 x 10-6 9,00 x 10-6 10,3 x 10-6 10,5 x 10-6 11,5 x 10-6 13,5 x 10-6 21,0 x 10-6 71,0 x 10-6 6,40 x 10-6
3 800 3 930 3 400 3 900 4 500 4 000 3 700 6 000 3 800 4 300 5 000 3 000 4 200 3 100 3 900 4 000 2 000
10,5 8,9 19,3 2,7 19,3 10,2 7,1 8,9 8,7 7,3 7,8 21,4 7,3 16,6 11,4 7,8 8,6
961 1 083 1 063 657 3 380 2 620 420 1 455 321 157 1 535 1 770 232 2 977 327 1 510 900
0,056 0,092 0,030 0,220 0.033 0,063 0,093 0,106 0,055 0,058 0,108 0,032 0,054 0,034 0,031 0,140 -----
0,99 0,93 0,70 0,50 0,40 0,36 0,26 0,18 0,22 0,06 0,16 0,17 0,16 0,13 0,083 0,039 -------
TUNGSTENO Wo MOLIBDENO Mo ZINC NIQUEL CADMIO INDIO HIERRO PLATINO ESTAO TANTALIO PLOMO ACER. INOX. LATON Zn Ni Cd In Fe Pt Sb Ta Pb
2.1.3) MATERIALES CONDUCTORES DE ALTA RESISTIVIDAD
Si lo que se desea es construir resistores o sea dispositivos que tengan una determinada resistencia elctrica entre sus extremos, generalmente no conviene utilizar materiales de baja resistividad, como cobre o aluminio, porque para obtener el mismo valor de resistencia la longitud del conductor debera ser mucho
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mayor y el resistor resultara muy voluminoso. Por lo tanto, es ventajoso usar materiales que posean resistividad elevada, con lo cual el tamao puede reducirse. Como todos los metales puros presentan resistividades relativamente bajas ( ver tabla 2.1 ), se utilizan aleaciones de varios metales para lograr altas resistividades ( y simultneamente obtener un bajo coeficiente de variacin de la resistencia con la temperatura, como se ver en 2.2 ). Por ejemplo, la manganina ( aleacin de 86% Cu, 12 % Mn y 2% Ni ) es un material muy adecuado para ser usado en resistores de alta estabilidad, donde se precisa gran constancia del valor de la resistencia con respecto a la temperatura y al tiempo. ( Adems tiene un bajo potencial termoelctrico contra el Cu, por lo cual las fem parsitas son reducidas ). Existen varias familias de aleaciones de gran difusin comercial, cada una de las cuales presenta caractersticas atractivas para determinadas aplicacines, como se muestra en la Tabla .2.2. TABLA 2.2) CARACTERSTICAS DE MATERIALES CONDUCTORES DE ALTA RESISTIVIDAD
NOMBRE COMPOSICION % COMERC. RESISTIVIDAD COEFIC. TEMP. F.EM. VS Cu TEMP. MAX. TRAB. C [ PPM / C ] [ microV/C ] [ microOhm.cm ]
Nichrome Constantan Al-Cr-Fe
80 Ni, 20 Cr 60 Cu, 40 Ni 4 Al, 15 Cr, 80 Fe
110 48 - 50 42 - 48 110 - 130
100-400 10 - 30 5 - 10 30 - 100
40 - 50 1-2 -
1100 400 200 1200
Manganin 86 Cu, 12 Mn, 2 Ni
Por otra parte, para dispositivos que se utilizan para calentamiento elctrico conversin de energa elctrica en calor, se requieren materiales que presenten tambin un punto de fusin elevado. La Tabla 2.2 muestra aleaciones que permiten alcanzar temperaturas de trabajo de 1 000 a 1200 C. Para el caso de elementos destinados a iluminacin, donde para obtener buen rendimiento de conversin de la energa elctrica en energa luminosa se requiere alcanzar temperaturas muy elevadas, se utiliza el tungsteno, cuyo punto de fusin supera los 3000 C.
2.2) COEFICIENTE DE VARIACION DE LA RESISTENCIA CON TEMPERATURA:
Si tenemos un determinado elemento ( un resistor, un tramo de cable, el arrollamiento de un transformador, etc ), que a una temperatura To tiene una resistencia Ro, mientras que a otra temperatura T1 presenta una resistencia R1, en una primera aproximacin puede suponerse la variacin de resistencia entre esas dos temperaturas es lineal. ( Fig. 2.2 ). Se tendr entonces: Puede escribirse:
R1 = R0 [ 1 + (t1 t0 ) ] (2)
En la expresin anterior, es el llamado coeficiente de variacin de la resistencia con la temperatura, o ms generalmente coeficiente trmico ( en ingls thermal coefficient , TC ). El coeficiente as obtenido corresponde a la variacin de la resistencia del resistor con la temperatura, no a la variacin de la resistividad del material con que est construdo el resistor. Esto es as porque se ha medido la resistencia
1 .cm cm . = C .cm. C cm. C
entre dos puntos dados del elemento sin consideracin de las dimensiones del conductor, ni de su variacin con la temperatura. Si quisiramos obtener el coeficiente de variacin de la resistividad con la temperatura, deberamos considerar el cambio en la dimensiones y el coeficiente de dilatacin trmica. En donde: = Coeficiente de variacin de la resistencia con la temperatura.
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= Coeficiente de variacin de la Resistividad con la temperatura. = Coeficiente de dilatacin lineal con la temperatura.
En los metales el coeficiente trmico es positivo; y con un rango de valores relativamente reducido. Esto es particularmente vlido para los tres mejores conductores ( Ag , Cu y Al ), cuyos difieren entre s en menos del 3 %. Para el cobre Cu = 3930 PPM/C 0,4 % /C. O sea, cada C la resistencia vara aproximadamente un 0,4 %. Esta variacin puede ser significativa, ya que si la temperatura crece 50 C ( situacin muy frecuente ), la resistencia aumenta un 20 %, lo cual en muchas aplicaciones es importante. Para la plata y el aluminio se tienen valores muy semejantes. Para la mayoria de los conductores metlicos (Cu, Al, etc.) el coeficiente de temperatura es aproximadamente constante dentro de un rango de temperatura no excesivamente extenso ( menor de 200 C ). Esto significa que la relacin entre R y t se considera lineal, lo cual no es estrictamente cierto, pero en general, para los buenos conductores la aproximacion obtenida es suficiente. No sucede lo mismo para materiales conductores de alta resistividad, como por ejemplo la manganina. Este es un material en el cual el conocimiento la variacin de la resistencia con la tem peratura es sumamente importante, ya que es utilizado en la construccin de resistores de alta precisin. La manganina tiene una curva R = f(t) que muestra un mximo alrededor de 25 C. La posicin de este mximo y la convexidad de la curva en ese punto vara con la composicin de la manganina y con el tratamiento trmico aplicado. Esto quiere decir lo siguiente: 1) que no es vlido hacer una aproximacion lineal para R vs t. 2) que si se ha estimado la variacin de resistencia usando una aproximacin lineal, la variacin real muy posiblemente resultar menor. Este segundo punto no es casual, ya que entre las caractersticas buscadas de la manganina est la de conseguir un mximo alrededor de la temperatura ambiente. Como la mayoria de los resistores de alta precisin trabajan en un rango de temperatura reducido y prximo a la temperatura ambiente, de esa forma la variacin de resistencia se minimiza. Para la manganina no hay un valor tpico, pero se acepta como cota superior:
mang. = 10 x 10-6 /C
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2.3) F.E.M. DE CONTACTO:
Debido a que los diversos elementos poseen distintos potenciales electroqumicos, cuando se ponen en contacto dos metales diferentes ( por ejemplo al efectuar una conexin elctrica ), aparece en la juntura una diferencia de potencial que depende de las caractersticas de ambos metales y de la temperatura. Las FEM de contacto, como se las llama, si bien de ordinario suelen ser despreciables, en algunos casos pueden ser sumamente importantes, sobre todo si los dintintos metales se encuentran muy separados en la escala electroqumica.
Si se cierra el circuito, se tienen dos junturas que generan FEM de polaridades opuestas, de modo que si la temperatura es uniforme el efecto total es nulo. Si, por el contrario, las junturas se encuentran a temperaturas muy dispares, la diferencia de potencial resultante puede ser significativa ( decenas de mV ). Por ejemplo, si se desea medir diferencias de potencial muy pequeas, hay que tener cuidado con el material que se utiliza en las conexiones, porque la d.d.p. que se quiere medir puede ser del orden de las f.e.m. de contacto de los distintos elementos conductores, en cuyo caso aparecen en el circuito de medida potenciales que introducen un error que puede ser considerable. La f.e.m. de contacto puede ser sumamente perjudicial en el caso de los resistores derivadores (shunts) de los ampermetros. El material de todo el circuito es de Cu, menos el resistor derivador . Este resistor, idealmente, debera ser de manganina, bajo coeficiente de temperatura de la resistencia, as como reducida FEM de contacto con respecto al cobre. Si embargo, en la prctica a veces se construyen, por razones de costo, con constantan, que tambin tiene un coeficiente de temperatura muy bajo, pero que presenta un elevado potencial de contacto con respecto al Cu. Si por el resistor derivador circula una corriente apreciable, puede producirse un calentamiento significativo. En ese caso, si entre los dos extremos del shunt hay una diferencia de temperatura, las F.E.M. de contacto en las junturas no son iguales y por lo tanto no se cancelan totalmente, lo que d lugar a la introduccin en el circuito de medicin de una FEM que puede producir un error inadmisible.
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Esta f.e.m. puede llegar hasta 5 mV para una diferencia de temperatura del orden de 150 C . Si se piensa que la mayora de los resistores derivadores tienen una cada de potencial de 50 o 100 mV, estos 5 mV significaran un error demasiado grande.
2.4) OTRAS CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES CONDUCTORES:
Para la utilizacin de los materiales aislantes en usos elctricos o electrnicos, deben considerarse, adems de las elctricas, otras propiedades que son ms o menos relevantes de acuerdo a la aplicacin particular.
2.4.1) PESO ESPECFICO:
Si se tiene en cuenta la tendencia contempornea hacia la miniaturizacin y la portabilidad, es evidente que el aspecto peso adquiere suma importancia en materiales electrnicos. Adems, en dos ramas de la tecnologa electrnica: la tecnologa avinica y la tecnologa espacial, el factor peso reviste caractersticas de prioridad absoluta, sin importar costos ni otras consideraciones que son limitativas para el uso de materiales livianos en otras aplicaciones. Desde el punto de vista del peso especfico, el aluminio tiene marcada superioridad sobre otros materiales. Recordemos que su conductividad es la tercera en la escala slo superada por la plata y el cobre, poseyendo adems aceptables cualidades mecnicas y bajo costo.
2.4.2) COEFICIENTE DE CONDUCCIN DEL CALOR:
En muchos casos la conductividad trmica juega un rol muy importante en aplicaciones electrnicas, porque el calor generado en los componentes debe ser disipado de algn modo, en general conducindolo al exterior. Por ejemplo, en un resistor de pelcula metlica, dado su pequeo tamao el calor es disipado principalmente a travs de los terminales del resistor. Por lo tanto, la conductividad trmica del material del terminal es importante.
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K=
En donde :
P.l A.t
A = Area donde inside la potencia termica. en cm.
P = Potencia en watt l = Profundidad que se hallan separadas las reas a temperatura To y T1

T = T1 - To en C.
En general, los materiales que son buenos conductores del calor tambien lo son de la electricidad y viceversa. Tanto el cobre como el aluminio son buenos conductores del calor, como puede apreciarse en la Tabla 2.1. 2.4.3) PUNTO DE FUSIN: Esta caracterstica es importante cuando la temperatura de trabajo del conductor es muy elevada. Es evidente que la temperatura mxima de trabajo siempre tendr que ser bastante inferior a la de fusin, ya que a medida que nos acercamos al punto de fusin no slo se pierden las cualidades mecnicas del conductor sino que tambin se producen grandes variaciones de las propiedades elctricas. El punto de fusin de los metales empleados en las aleaciones para soldaduras blandas de bajo punto de fusin tambin juega un rol fundamental en la composicin de las mismas. Estas soldaduras son ampliamente utilizadas en electrnica, y sus propiedades, tanto elctricas cuanto trmicas y mecnicas tienen mucha significacin en la tecnologa constructiva. 2.4.4) COEFICIENTE DE DILATACIN LINEAL: Tiene importancia en todos los casos en que es necesario acoplar materiales diferentes. Por ejemplo, los terminales de salida de los semiconductores de potencia deben presentar un sellado perfecto con el encapsulado para evitar el ingreso de contaminantes. Si los materiales del terminal y del encapsulado tienen diferentes coeficientes de dilatacin, cuando la temperatura cambie aparecern tensiones mecnicas que pueden causar fisuras con prdida de hermeticidad. Existen diversos materiales -aleaciones, vidrios, cermicas - que poseen coeficientes de dilatacin lineal sumamente parecidos, con los que se consigue superar este problema. 2.4.5) RESISTENCIA MECNICA A LA TRACCIN, A LA COMPRESIN, DUREZA, ETC. Estas propiedades son importantes en aplicaciones donde la resistencia mecnica del conductor juega un rol significativo, como en el caso de las lineas areas de transmisin de energa elctrica, o cuando se usan los conductores como piezas estructurales. En el Cu y el Al , stas caractersticas son sumamente afectadas por el tratamiento mecnico y trmico durante el proceso de fabricacin. Por ejemplo, el Cu para poderlo trabajar mecnicamente debe ser sometido a un recocido, que lo ablanda y lo deja perfectamente trabajable. Cuando se lo trafila se endurece nuevamente, por lo que para poder trabajarlo otra vez hay que recocerlo nuevamente y as tantas veces como sea necesario para poder hacer un cambio importante en su dimensin.
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2.4.6) SOLDABILIDAD: Este aspecto es de particular relevancia en la utilizacin de materiales en aplicaciones elctronicas, en las cuales la mayor parte de las uniones circuitales se realizan por medio de soldaduras de bajo punto de fusin. Es muy importante que la soldadura pueda realizarse en forma sencilla y rpida, porque si el tiempo que se tarda en conseguir una unin es prolongado, el calentamiento producido puede ser sumamente perjudicial para el dispositivo que se est soldando. Los distintos materiales conductores tienen caractersticas de soldabilidad muy diversas. El Cu, por ejemplo, es excelente si est limpio y sin oxidacin superficial. Con el tiempo se cubre con una capa de xido de difcil soldabilidad, por lo que usualmente se lo recubre con Sn (puro o aleado con Pb ), con Ag o con Ni, todos los cuales son fcilmente soldables. El Al es muy difcilmente soldable por soldaduras de bajo punto de fusin, lo cual limita severamente su uso en electrnica. 2.4.7) RESISTENCIA A OXIDACIN Y CORROSIN: Esta caracterstica es siempre importante, pero reviste particular importancia en aquellas aplicaciones en las cuales el ambiente es agresivo, como ser ambientes industriales o marinos. Casi todos los materiales conductores son agredidos en mayor o menor grado por la atmsfera que los rodea. El Cu es de los ms sensibles, mientras que el Au , el CR y el Ni son muy resistentes. Hay materiales que en ambientes normales se pueden usar pero que en otros se deterioran rpidamente. Por ejemplo: el Cu y el Al en uso domstico no se deterioran y pueden ser usados sin proteccin, pero en ambientes salinos o agresivos se corroen rpidamente, en particular el Al. La mejor forma de proteger el Al es mediante el anodizado, pero para aplicaciones elctricas sto presenta el inconveniente que la capa superficial es aislante y debe ser removida antes de efectuar conexiones elctricas. El Fe es imposible de utilizar sin proteccin, por lo que se le aplican recubrimientos metlicos: zincado, cadmiado, etc. o pinturas adecuadas. Existen casos en que el elemento conductor debe trabajar forzosamente sin proteccin ( contactos de llaves y rels, conectores, etc. ). En esos casos hay que usar los materiales ms nobles: Ag , Au, y an algunos ms exticos como el Pd, que son muy poco atacables. Por ej.: los terminales de los circuitos impresos se revisten con Au o con Pd para obtener resistencias de contacto muy bajas y proteccin contra la oxidacin. Si se usa directamente Cu, la resistencia de contacto aumenta con el tiempo debido a la oxidacin superficial; adems, las pistas de Cu se desgastan rpidamente. 2.4.8) VARIACIN DE LA RESISTENCIA DE LOS CONDUCTORES CON LA FRECUENCIA: Si se efectan mediciones de la resistencia de un conductor a distintas frecuencias, se comprueba que la resistencia aumenta con la frecuencia. Este aumento se debe principalmente al " efecto pelicular ". En inductores y transformadores tambin aparece, aunque en menor grado, el "efecto de proximidad", de naturaleza similar al pelicular. Este tema ser tratado con mayor detalle en el Captulo 5 (Inductores).
2.4.8.1) EFECTO PELICULAR: Se lo llama as porque la corriente, a medida que la frecuencia aumenta, tiende a concentrarse en la periferia del conductor, abandonando la zona central. Para entender este efecto, si se hace un corte longitudinal en el conductor ( Fig. 2.4 ), se tiene:
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Este efecto se debe a que el campo magntico producido por la corriente que circula por el conductor induce corrientes parsitas i' en la masa del mismo. Estas corrientes, como se observa en la figura 2.4, tienden a reforzar la corriente principal en la periferia, mientras la debilitan hacia el centro del conductor. Si representamos la densidad de corriente en funcin de la distancia al centro del conductor, tendremos, para distintas frecuencias, un comportamiento como el de la figura 2.4.1: Puede apreciarse que para corriente continua es constante en toda la seccin del conductor. A medida que aumenta la frecuencia y se empieza a hacer notar el efecto pelicular, la densidad de corriente en el centro disminuye y aumenta en los bordes, para frecuencias muy grandes practicamente toda la corriente estar concentrada en la periferia del conductor; basndose en esta consideracin se puede definir la llamada profundidad de penetracin.
2.4.8.2) PROFUNDIDAD DE PENETRACIN ( ) Se define como Profundidad de Penetracin ( o sencillamente penetracin ) al espesor de la capa en que se supone se encuentra concentrada la corriente en alta frecuencia. Puede considerarse que en el conductor la corriente se concentra en una capa de espesor << d, como si fuera un tubo de espesor de pared ( Fig. N 2.4.2 ). Este tubo imaginario tendra a la corriente continua la misma resistencia que tiene el conductor macizo a la corriente alterna. Esta equivalencia, que parece una especulacin terica, se comprueba fehacientemente en la prctica, donde en aplicaciones de alta potencia en frecuencias elevadas se utilizan tubos en lugar de conductores macizos, aprovechndose el hueco central para la circulacin de fludo refrigerante.
Para la corriente alterna, la resistencia es la del tubo, por lo que si se conoce su clculo es sencillo:
R=
l d
para
<<d
La resistencia del tubo se calcula para la corriente continua porque se supone que en el mismo la densidad de corriente es uniforme, por lo que la resistencia del tubo ser igual a la del conductor macizo para la corriente alterna, porque esta ltima no penetra significativamente en el conductor ms all de la profundidad . Fig. N 2.4.2 Profundidad de penetracin en un conductor en alta frecuencia
En realidad, la corriente disminuye exponencialmente hacia el centro, pero para los usos prcticos se puede considerar que toda la corriente se concentra en la cscara de espesor .El valor de la penetracin puede calcularse por medio de la teora electromagntica, determinndose que es igual a:
=
Donde:
2 0 r w
o: Permeabilidad en el vaco = 4.10E-7 [ seg/m] = [Hy/m] r:
Permeabilidad relativa del material. Para la mayora de los metales, exceptuando los ferromagnticos, r 1.
w: Pulsacin = 2f
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: Resistividad (hay que tomarla en m para que las unidades sean coherentes). Para materiales de uso comn y caractersticas conocidas el clculo es sencillo. Por ejemplo, para el cobre, puede simplificarse la frmula:
cu =1,7 10 6 [cm]=1,7 10 8 [m] rcu =1 1,7 10 8 1 =500 =500 1,3 10 -4 f f 65 = [m m] f

Aplicando el resultado, para una frecuencia de 50 Hz la profundidad de penetracin en el cobre es de aproximadamente 9 mm, mientras que para una frecuencia de 1MHz la penetracin se reduce a slo 65 m menos de una dcima de mm.
2.4.8.3) RESISTENCIA EN C.A. Si se considera que <<d ( zona de alta frecuencia del conductor ) el clculo de la resistencia puede hacerse fcilmente como ha sido visto anteriormente, pero cuando no es mucho menor que el dimetro el asunto no es tan sencillo. Una forma de resolver el problema consiste en expresar la resistencia en CA en funcin de la resistencia en CC: Rca = f ( Rcc )
Esta funcin se puede expresar de la forma
Rca = Rcc ( 1 + F )
Siendo F una funcin de la profundidad de penetracin y del dimetro del conductor. En un conductor plano, F es una funcin exponencial decreciente, pero en un conductor cilndrico (como la mayora de los alambres y cables ) esta funcin es de clculo analtico muy complicado, de modo que conviene expresarla en forma grfica ( ver Fig. N 2.4.3 ):
La curva puede separarse en tres regiones: 1) REGIN DE BAJA FRECUENCIA, DONDE d/<2, la resistencia es igual que en C.C., luego (1+F)1. 2) REGIN DE TRANSICIN, PARA VALORES DE d/ ENTRE 2 y 5, ( 1+F ) vara entre 1 y 1,3.
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3) REGIN DE ALTA FRECUENCIA, SIENDO d/>5, la profundidad de penetracin es menor que el radio, la curva se convierte en una recta (1+F) = 0.25 d/ Un conductor determinado tiene una Rcc que vale l/s. Para calcular la resistencia en C.A. multiplicamos la Rcc por (1+F). Para las zonas alejadas de la zona de transicin, o sea cuando la penetracin es mucho menor que el dimetro, ( 1 + F ) = 0.25 d/.
R CA = R CC (1+ F) =
l1d s4
CU = 65 f
en mm. Resulta:
Supongamos que el conductor es de cobre, para el cual
R CA =
ld f ld f l f = 2 = s 4 65 65 d d 4 65 4
Puede observarse lo siguiente: para una longitud dada, mientras que en C.C. la resistencia de un conductor depende inversamente del cuadrado del dimetro, en C.A. depende de la inversa del dimetro. Esto explica porqu en frecuencias elevadas es necesario utilizar conductores de un dimetro mucho mayor que el que sera esperable de acuerdo a la corriente que circula. Este anlisis de la dependencia de la resistencia a la C.A. interesa mucho cuando se calculan inductores para radiofrecuencia, en los cuales hay que mantener al mnimo las prdidas en el inductor o lo que es lo mismo, la resistencia a la C.A. En algunos casos en los cuales se desea que un conductor posea muy bajas prdidas en alta frecuencia, se lo platea, con lo cual se mejoran dos aspectos: por una parte disminuye un poco (un 6% ) la Rca, pero lo que es ms significativo es que se protege al conductor de cobre de la oxidacin. De este modo, se evita que si la conduccin de la corriente es superficial pueda efectuarse por el cobre oxidado, que por tener una resistividad mucho mayor producira prdidas adicionales. En algunos equipos de alta frecuencia de potencia elevada, es necesario usar dimetros muy grandes, y dado que la parte interior no conduce corriente porque la penetracin es de fracciones de mm, se emplean conductores tubulares. Por ej.: en los inductores de los circuitos sintonizados de salida de los transmisores de po tencia elevada, siempre se usan tubos ( por el interior de los cuales se hace circular agua para enfriar).
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3) MATERIALES AISLANTES
Es posible clasificar a los materiales aislantes de acuerdo a sus principales caractersticas, en forma anloga a la efectuada para los materiales conductores. En este caso, sin embargo la clasificacin debe tener en cuenta las propiedades ms deseables de los materiales aislantes (que no son simplemente opuestas a las de los conductores, sino de naturaleza diferente ), as como las distintas aplicaciones de un aislante, que imponen particulares requerimientos sobre los materiales utilizados.
3.1) DISTINTOS USOS DE UN AISLANTE:
Los materiales aislantes tienen la misin principal de evitar el paso de la corriente elctrica, pero adems de ese requerimiento bsico las distintas aplicaciones necesitan de prestaciones especficas que condicionan decisivamente las carcteristicas deseables del aislante seleccionado. Por lo tanto, es necesario clasificar y analizar las distintas formas de uso, para entender mejor las principales caractersticas deseables en cada caso. Por ejemplo, en electrnica son frecuentes los siguientes usos:
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TIPOS DE USO .
# # # # # #
Soporte Revestimiento de conductores Impregnacin Encapsulado de componentes electrnicos Dielctrico Sustrato
3.1.1) SOPORTE:
En este tipo de aplicacin, los principales requerimientos son mecnicos, estando las caractersticas elctricas en un plano secundario en la mayoria de los casos y de acuerdo a la naturaleza del problema. Si por ejemplo el material esta destinado a soporte de un transmisin de energa de baja tensin, no ser necesario que tenga una resistividad muy elevada, porque las corrientes que pueden drenarse por el soporte no sern de importancia. Si, en cambio, el soporte est destinado a los cables de salida de un transmisor de radio, es evidente que necesitaremos caractersticas elctricas adecuadas para las altas frecuencia involucradas.
3.1.2) REVESTIMIENTO DE CONDUCTORES:
En este caso, los requerimientos dependen del tipo de conductores de que se trate, pero para conductores ordinarios de uso comn el revestimiento no tiene exigencias demasiado grandes: que sea fcil de procesar, de fabricacin sencilla, econmico, que tenga vida razonable en las condiciones normales de trabajo. Las caractersticas elctricas se encuentran generalmente subordinadas a razones de costo y facilidad de produccin.
3.1.3) IMPREGNACION:
Esta aplicacin requiere el empleo de aislantes lquidos, de elevada fluidez, que polimericen (fragen) por procesos qumicos o trmicos. Dado que el aislante se encuentra dentro del dispositivo que se impregna, sus caractersticas elctricas deben ser buenas, para no alterar el funcionamiento del dispositivo. Por ejemplo, es deseable que la constante dielctrica relativa sea pequea (para no aumentar las capacidades parsitas). Es importante que el impregnante sea qumicamente estable con respecto a los otros materiales usados en el resto del dispositivo, de otro modo se producirn reacciones que a corto o largo plazo producirn fallas. Tambin se requiere que el impregnante sea poco higroscpico, porque la absorsin de agua tiene generalmente consecuencias desfavorables. Los componentes que se contruyen por el mtodo del bobinado (transformadores, Inductores, Capacitores Tubulares, etc) generan internamente espacios de aires, donde se acumula humedad y esto hace que el dielctrico disminuya su calidad como tal, y donde el campo elctrico adquiere mayor intensidad. Esto se evita impregnndolos, usando para ello la tcnica adecuada, fundamentalmente en funcin de las tensiones de servicio. Por ello podemos dividir esta tcnica en dos: Impregnacin a la Presin Atmosfrica e Impregnacin al Vaco. 3.1.3.1) IMPREGNACIN A LA PRESIN ATMOSFRICA: Para componentes cuyas tensiones de servicio no sobrepasen la de la red ( 220 V =310Vp) pueden ser impregnados por Inmersin. Este mtodo consiste en calentar al horno a 100C el componente, hasta que el mimos en su totalidad llegue a esa temperatura ( En estos mtodos no se dan valores de tiempo, pues depende de sus masas fundamentalmente, hasta que el mismo en su totalidad llegue a esa temperatura). habr expulsado gran cantidad de humedad. Se lo sumerge en un continente con barniz de impregnacin ( baja constante dielctrica de la menor densidad posible) hasta que deje de burbujear. Se lo escurre y puede acelerarse el proceso de secado, en horno a 40, 60 C. Cuando los componentes son de baja tensin de servicio, entre 6 y 12 V aproximadamente ( ej. trafos para circuitos transistorizados), una vez terminados se los sumerge en parafina o similar y se los retira inmediatamente, es decir se los baa. La parafina o resina equivalente, se encuentran en estado lquido a los 60 aproximadamente. En ambos casos, se ha formado una proteccin externa que lo aisla del exterior.
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3.1.3.2) IMPREGNACIN AL VACO: La figura 1, es la de la evaporacin del agua en funcin de la presin. Para 5 mm de la columna mercurial, el agua se evapora a 0C.
Figura 2
Esto nos lleva a que si es necesaria una buena impregnacin, porque las tensiones en juego o el servicio lo requieren, para expulsar la humedad de los insterticios ms profundos, es necesario aplicar el mtodo de vaco. La fig. 2 muestra una instalacin tipo: el autoclave es un continente de acero inoxidable. Los tubos que lo conectan a otro aditamento, estn soldados con una terminacin exenta de porosidad, la tapa tiene un cierre cuidadosamente estudiado para que lo haga en forma hermtica, internamente se lo pule para minimizar las incrustaciones de barniz y agilizar la limpieza. Lo que se ve en el dibujo es una ganchera donde se han colocado bobinas medianas.
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REQUIERE: bomba de vaco rotativa y deshidratador, para que el aire hmedo( pues retira vapor de agua) llegue seco a la bomba. El deshidratador es de tipo industrial o de silicagel. Tanque de barniz, con barniz de impregancin, bomba elevadora, soplador de aire con un calefactor. Manmetro. Datos referentes a tiempos, mm de vaco, son experimentales y dependen del componente. OPERACIN: preparado el o los componentes, la ganchera va a un horno convencional a 100C, hasta que toda la masa est a esa temperatura. Se logra: retirar una parte de la humedad descargando el trabajo del autoclave y adems introduciendo el material caliente al autoclave se logra que , como toda evaporacin absorbe calor, el componente no llegue a congelar el agua de los intersticios que an queda. Todo cerrado hermtico, se abre el robinete A, se cierra al llegar el manmetro al punto deseado; se abre B y entra el barniz, que en estas condiciones se introduce hasta lo ms interno, se cierra B : se abre C y se vuelve al tanque el sobrante, se cierra C: se abren D y E y se hace circular una corriente de aire caliente que favorece el escurrimiento del sobrante: se abre nuevamente C y se retiran los restos de barniz. El proceso se concluye llevando la ganchera al horno con 40 -60 C, para terminar el secado.
3.1.4) ENCAPSULADO:
Si bien esta aplicacin pudiera parecer anloga a la impregnacin, en realidad la naturaleza del trabajo que debe cumplir no es el mismo. En la impregnacin el aislante est dentro del elemento, y por lo tanto interacta con sus partes activas, mientras que en el encapsulado el material est en el exterior del dispositivo ( si bien puede haber casos en los que el material se usa simultneamente para impregnar y encapsular ). El encapsulante, por lo tanto, debe formar un recubrimiento aislante y protector del dispositivo contra agresiones mecnicas y ambientales. Dado que se encuentra externo al dispositivo en s, generalmente sus caractersticas elctricas no necesitan ser sobresalientes, en cambio, los requerimientos mecnicos son grandes, as como debe poseer elevada impermeabilidad y gran estabilidad para el rango de temperatura esperado.
3.1.5) DIELCTRICO:
En electrnica, uno de los usos ms relevantes de los aislantes es el funcionamiento como dielctrico, esto es, como uno de los elementos vitales en los capacitores. Para comprender la importancia del dielctrico en el funcionamiento de los capacitores, basta recordar que se los suele denominar por el tipo de dielctrico empleado: capacitores de mica, de plstico, cermico, etc. Es evidente que en este caso, las propiedades elctricas sern de importancia fundamental, en particular la constante dielctrica, mientras que las otras caractersticas juegan un papel muchas veces secundario. De acuerdo al tipo de capacitor, por ejemplo, puede ser que las caractersticas mecnicas sean importantes en los capacitores con dielctrico slido o que no tengan ninguna relevancia, capacitores con dielctrico lquido o gaseoso.
3.1.6) SUSTRATO:
La tecnologa electrnica moderna utiliza frecuentemente los sustratos, denominndose as la base aislante sobre la que se depositan, en distintas formas, terminales, interconexiones, componentes, etc, para formar los circuitos electrnicos, ya sea discretos, caso de los circuitos impresos, ya sea microelectrnicos o monolticos, donde al sustrato se incorporan las regiones dopadas y los electrodos que forman las junturas semiconductoras y sus interconexiones. Especialmente en el caso de los sustratos microelectrnicos las exigencias sobre los materiales utilizados son particularmente rigurosas, porque no slo las caractersticas elctricas deben ser excepcionales sino tambin la pureza qumica, la ausencia de contaminantes y la estabilidad con la temperatura.
3.1.7) CLASIFICACIN DE LOS DIELCTRICOS POR LA TEMPERATURA: Es una clasificacin muy importante, que permite encudralos para que puedan trabajar sin deteriorarse rpidamente ( ej. en una norma puede leerse: " los dielctricos a usarse sern de clase B o mejor.) Se enumerarn algunos por clase: Clase O: hasta 90C; algodn, seda y papel y materiales orgnicos similares, sin impregnar. Clase A: hasta 105C, algodn, seda y papel impregnados o sumergidos en dielctricos lquidos; materiales
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prensados o estratificados, con relleno de celulosa, resinas fenlicas y otras resinas similares; las pelculas de los derivados de la celulosa; barnices y esmaltes aplicados a los conductores. Clase B: Hasta 130C, mica, amianto, fibra de vidrio, aglomerados con sustancias orgnicas. Clase H: hasta 180C, mica amianto, fibra de vidrio, aglomerados con compuestos de siliconas o similares, resinas y gomas de siliconas, PTFE (politetrafluoretileno). Clase C: sin lmite especificado de temperatura, mica cermica, vidrio, cuarzo y similares. 3.1.7.1) DISTINTOS TIPOS DE DIELCTRICOS: es muy amplia la cantidad actualmente en uso. La renovacin o cambio de uno por otro superior es muy rpida. Casi resulta un imposible realizar una enumeracin, no obstante, aunque el mismo sea necesariamente incompleto, se dar un listado, donde alguno de ellos tenga carcter histrico por haber sido ampliamente superado. 3.1.7.1.1) CAUCHO: Natural: ( ltex) y vulcanizado ( con azufre). Se lo us para el forrado de cables y fuertemente vulcanizado (Ebonita) para tableros de energa y continente de acumuladores. Hoy se encuentra fuera de uso. Sintticos: Se desarrollaron distintos tipos de caucho sintticos: isoprenobutileno (butilgoma), policloropreno (neoprene). Caucho de silicona: presente una elevada hidrorrepulsin superficial, resistente al ataque del ozono, en presencia de efluvios (efecto corona) ininflamable. Es actualmente el material ms adecuado para el aislamiento de conductores. 3.1.7.1.2) CERAS MINERALES: Parafina: derivado de la destilacin fraccionada del petrleo. Funde entre 44 y 88C ( segn el tipo). Hoy se la usa para impregnar con un bao los trafos para transistores (menos de 12 V.) Ozoquerita: amarilla, en yacimientos de carbn fsil, punto de fusin de 60 a 90 C, se la us para impregnar transformadores. Ceras Sintticas: Cloronaftalina ( Haloxxase, Aroclor) ; Clorodifenilos, Glud ( Glyco Wax, Gliceril) del glicoletileno. En general funden entre 60-80 C, son reemplazantes de la Parafina. 3.1.7.1.3) DERIVADOS DE LA CELULOSA: Celuloide, inflamable, reblandece a los 100C, se la us largo tiempo como adhesivo y fue la base del cine. Acetato de celulosa: ininflamable, reemplaz al celuloide, reblandece a 180C. Resinas sintticas: son la base de los dielctricos modernos, para usos en muy alta frecuencia casi todas ellas. Las subdividimos en Resinas termoplsticas y Resinas termoendurecidas o termofijas. Las primeras reblandecen y vuelven a su inicio, las segundas, polimerizan y su nuevo estado es irreversible. 3.1.7.1.4) RESINAS TERMOPLSTICAS: Polietileno: polimerizacin del gas etileno. Flexible, algo elstico, semiopalino. se emplea en la construccin de cables para R.F. A la intemperie, los rayos ultravioletas lo agrietan, por ello se lo usa con negro de humo ( antioxidante) en exteriores. DESIGNACIONES COMERCIALES.: Alkatene, ostalen, Marlex. Reblandece a los 115C. Poliestireno: resina dura, amorfa, transpareten, a 100C reblandece. Se la usa para fabricacin de capacitores. soluble en benceno, se hace un barniz para bobinas de RF. Se moldean piezas, con el agregado de polvo de mica o de slece. Designaciones comerciasl: Stiroflex, Trolitul. Cloruro de Polivinilo - Acetato de Vinilo: conocida como P.V.C.(polivinilacetal). Se la utiliza para el forrado de cables. Acrlicos: metacrilato de polimetilo. Transparente (aspecto de vidrio). Se moldea a 170 C. Buenas caractersticas elctricas, notable resistencia al arco elctirco y no agrieta con el tiempo. Se la encuentra en planchas y barras. Se moldean piezas y se producen barnices adhesivos. DESIGNACIONES COMERCIALES: Perspex, Plexiglas, Lucite, Diacon. Politetrafluoretileno: P.T.F.E. Blanca, reblandece a los 350C, estable entre -100 a +250C. No es soluble en disolventes. Excelentes cualidades elctricas. Designaciones comerciales: Teflon, fluon. Tereftalato de Polietileno: se obtiene por condensacin del glicoletileno y el cido tereftlico. Funde a 250C. Estable en sus caractersticas mecnicas de -20 a+80C. Se logran pelculas de micros de espesor y es la de mayor resistencia mecnica, se la usa como cinta de videotape. Asimismo, se la usa en reemplazo del papel y de la cartulina pressphan en aislaciones de bobinas y transformadores, obtenindose una notable
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reduccin de espacio por su alto valor de rigidez dielctrica. Designaciones comerciales: Terylene, Mylar, Melinex, Montivel. Polipropileno: se lo usa como dielctrico de capacitores. Tefzel: copolmero: tetrafluoretileno - etileno. estable entre +155C y -50C Tefln FEP: copolmero tetrafluoretileno -exafluorporpileno. Estable entre -70 C y +200 C. Junto con el Tefzel se los usa como dielctricos de cables coaxiles de frecuencias del orden de los 400 MHz. 3.1.7.2) RESINAS TERMOENDURECIDAS: Resinas Ferrlicas: la ms conocida resina de baquelita o resol. Se la usa para impregnar hojas de papel con calor y presin, se obtiene. cartulina y papel pressphan y el pertinax ( sustrato de circuitos impresos de baja frecuencia). Se hacen piezas moldeadas, mezclada con algn relleno (madera de pino molida, fibra de algodn, fibra de vidrio, etc.) La baquelita sometida a calor por accin de una descarga, carboniza y se vuelve conductora. Otras resinas. Amino-resinas, Ureaformaldehdo, Melamina Formaldehido, similares a la baquelita. Resinas Epoxdicas: Resina de condensacin (etonilnicas). Agregando endurecedor y carga Polvo de mica, se obtiene un material apto para encapsular bobinas, con carcatersticas elctricas inmejorables En la actualidad la tendencia es reemplazar los trafos refrigerados en bao de aceite, por los refrigerados al aire. Se encapsulan circuitos electrnicos para evitar copias. Asimismo ha causado una revolucin con los cementantes en fro. (Poxipol, etc.) RESUMEN: r = cte. dielctrica, en las resinas sintticas oscila entre 2 y 4 en baquelita 5. El f.d.p. es muy pequeo en el polietileno, poelstireno, P.T.F.E., oscila entre 0,0001 y 0,002, en otras resinas un valor medio oscila entre 0,002 y 0,005. Baquelita aproximadamente 0,03. Siliconas: compuestos en los que a los tomos de silicio se unen con tomos de oxgeno y grupos orgnicos, como el metilo, etilo o el fenilo. Poseen ptimas caractersticas elctricas, inalterables, entre -50 a+300C, antihigroscpica, qumicamente inerte. Aceites de Siliconas: incoloro, inodoro, distintos tipos de viscosidad. Optimo para aislamiento de transformadores y capacitores. Se barnizan los aisladores cermicos para aumentar la resistividad superficial. Tiene aplicaciones mecnicas, como lubricante. Cauchos de siliconas: estable entre -75 a +200C. Se lo usa en conductores como forrado de los mismos, generalmente con carga de mica en polvo. designacin comercial: Silastic. Resinas de siliconas: son especialmente utilizadas como cementantes. Se fabrican lminas y tubos con fibra de vidrio. Mezclada con una adecuada resina sinttica, se la usa para esmaltado. de conductores (soporta hasta 180C). Mezcla de Siliconas: compound. De aspecto graso, compuesta por aceite de siliconas y rellenos inorgnicos. se lo usa en cajas de conexin a la intemperie, recubrir arrollamientos sujetos a efluvios, para rellenar soportes de transistores. Aceites: Los minerales, de la destilacin fraccionada del petrleo. Los sintticos, en base a hidrocarburos clorados (Clorodifenilos y clorobencenos). Compiten actualmente con los de siliconas , de ms reciente desarrollo. Barnices: dos usos fundamentales: para recubrimiento de alambre de Cu, antiguamente se usaba el leo resinoso, reemplazado por los de tipo vinlicos, del cual, para calibres de alambres pequeos se usa el vinlico sinttico soldable, que permite realizar soldaduras blandas (a 300C) sin necesidad de retirar el barniz, pues se volatiliza. Para impregnacin son barnices sintticos, de secado al aire, (aunque el fabricante sugiere calentarlo a 40-60C, para evaporar ms rpidamente el solvente.), de baja densidad para que fluyan rpidamente, con baja constante dielctrica. Fibras textiles -Tejidos-Papel: Son elementos que se los usa impregnados o son base de dielctricos, a los que en funcin del servicio se le aplican distintos materiales (aceites, barnices, resinas, etc.) Mica: silicatos de aluminio y potasio. Se encuentra en las minas en bloques. Se la reduce a lminas que pueden llegar a 0,01 mm. Es buena conductora del calor y buen dielctrico. Bajas prdidas en RF (Tg: 0,0001) y su rigidez dielctrica del orden de 1000 KV/cm. Fue de gran uso para capacitores para RF, desplazada por los cermicos, excepto en capacitores para RF en etapas de potencia (Ej 10F, 10000 V, 20 A). En la actualidad, el polvo de mica (mica pulverizada o harina de mica) es ampliamente usada para carga de las resinas por sus propiedades dielctricas y de conduccin trmica. Otros usos: Micanita, lminas
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encoladas con alguna resina cementante, usada en los colectores de las mquinas elctricas. Micalex: mezcla de mica y vidrio fcilmente fundible. De color gris claro; se moldea para formar las piezas. Muy buen dielctrico de RF. Amianto: dielctrico natural. Su uso va perdiendo aplicaciones, aunque es casi imprescindible en usos donde la temperatura es elevada. Enrollando las fibras con resinas de siliconas, se forma el papel de amianto, que soporta temperaturas de hasta 200C. Vidrio: su base es la slice (bixido de silicio) y de acuerdo al uso, xidos de aluminio, boro, calcio, magnesio, potasio, sodio, bario, plomo, cinc. Punto de fusin entre 1400 y 1700C. El tipo "Pirex" soporta fuertes cambios repentinos de temperatura. Su uso es masivo en bulbos para vlvulas de vaco (hoy tubos de T.V. y monitores de P.C.), aisladores y fibra de vidrio (o lana de vidrio), base de planchas aislantes con resinas epoxdicas, mylard, etc. Datos generales promedio: Tg =0,005, rigidez dielctrica 1700 Kv/cm. Cermicos: podemos subdividirlos en: de baja cte. dielctrica y de alta cte. dielctrica. Una aplicacin muy popular son los cermicos -magnticos (ferritos), que se analizan en el captulo de materiales magnticos. 3.1.8) BAJA CONSTANTE DIELCTRICA RELATIVA r: Porcelana: aproximadamente 27% de slice, 23% de feldespato y 50% de caoln. Pulverizados, se mezclan se hace una pasta con agua, van a los moldes y a horno continuo que llega a 1400 C aproximadamente, donde se forma el material. La contraccin en los moldes es del 15 al 20%. Su uso en aisladores es su aplicacin masiva (aisladores de baja y alta tensin). La Esteatita, es una mezcla de silicato de magnesio mineral y caoln, con tcnica de elaboracin idem anterior, es un dielectrico usado en RF. 3.1.9) ALTA CONSTANTE DIELCTRICA RELATIVA r: con los materiales cermicos se super ampliamente las ctes. dielctricas conocidas ( no mayores que ocho). Con bixido de titanio se llega a E=1500. Estos materiales son la base de los capacitores cermicos. Las cermicas merecen un comentario en especial. En nuestra especialidad han logrado desplazar a los capacitores de mica para RF, que son de uso masivo ( como ya se hizo notar, los de mica se usan en alta potencia, pero no es un uso "masivo". En electrnica de entretenimiento los imanes fenomagnticos fueron desplazados por los cermicos magnticos Ferritos. Si agregamos algo no electrnico, en mecnica la cermica es hoy parte constitutiva de motores (estacionarios y mviles). Si las investigaciones hoy muy avanzadas, logran comercializar los conductores de "superconductividad", de base cermica, en gran escala, la cermica, barata y dcil, a los fines de reunir caractersticas especficas, podran transformar el presente siglo en los aspectos tecnolgicos, como el "siglo de la cermica". Recurdese que es el primer material que el hombre elabora dndole formas variadas.
3.2) CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS AISLANTES
En este punto trataremos las caractersticas elctricas de los materiales aislantes, que juegan un rol fundamental en las distintas aplicaciones mencionadas en 3.1. Puede observarse que esas propiedades de los aislantes, con excepcin de la resistividad volumtrica, cuya definicin es la misma para un aislador que para un conductor son completamente diferentes de las correspondientes a los conductores. Recordemos que el funcionamiento de un aislante no es simplemente opuesto al de un conductor, sino que en l intervienen procesos complejos, de naturaleza fuertemente aleatoria y excepcional, de extrema variabilidad y dependencia de factores ambientales, que no pueden ser ignorados si se desea obtener buenos resultados en las diferentes aplicaciones.
3.2.1) RESISTIVIDAD DE MASA O VOLUMETRICA
Est determinada por la conduccin elctrica a travs de la masa del aislante. Se define como la resistencia elctrica entre las caras opuestas de un cubo de 1 cm. de lado ( ver Fig. 3.1 ). Siendo s y unitarios, esa resistencia ser la resistividad. Se mide en cm. As como para la resistividad de los materiales conductores es posible dar valores precisos, con varias cifras significativas, para un aislante es absolutamente imposible dar
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1cm
I V R= s
= R s
Fig.3.1 Determinacin de la Resistividad de Masa de los Materiales Aislantes
un valor determinado de la resistividad, porque la resistencia de aislacin no tiene un valor definido y repetitivo. An realizando la medicin con el mayor cuidado, se obtienen valores distintos, variando con la temperatura, con el tiempo y hasta para la misma muestra en diferentes instantes. La resistencia tambien varia fuertemente con la humedad, dado que con el contenido de agua del 1 puede significar una variacin en la resistividad de 4 5 ordenes Ej: pasar de 1020 a 1015 .cm por la absorcin de agua. Idealmente, un material es aislante porque en su masa el nivel de energa de la banda de conduccin est separado del correspondiente a la banda de valencia por un salto de energa tan grande que no hay portadores ( electrones ) que puedan superarlo. Por lo tanto, para un aislante ideal, la corriente no podra circular, por lo que la resistividad resultante sera infinita.. En un aislante real, sin embargo, siempre existen algunas situaciones anmalas, iones, defectos de la estructura cristalina, impurezas, etc., que proveen en forma excepcional, caminos para la corriente de conduccin. Por lo tanto, en un aislante la conduccin elctrica posee una naturaleza fuertemente aleatoria y no repetitiva. As como en un conductor los portadores de corriente estn perfectamente libres para moverse, en un aislante los portadores estn fuertemente ligados y solamente se desplazan bajo la accin de un campo elctrico relativamente intenso. Generalmente, la relacin V-I no es lineal ( ver Fig. 3.3 ), por lo tanto no se cumple la ley de Ohm lo que es fundamental para poder definir una resistencia . 3.2.1.1) RESISTIVIDAD VOLUMTRICA MEDIDA EN LA PRACTICA: Como hemos definido tericamente es la resistencia de un cubo de 1 cm de lado. La medicin de valores tan elevados de resistencia obliga a tomar precauciones, para no incluir en la medicin la corriente superficial. La fig. 3.2 muestra el dispositivo que se usa. La probeta se coloca entre los dos electrodos metlicos, que se conectan a la fuente a travs de un pico-ampermetro, el aro de guarda que absorbe las corrientes superficiales tambin se conecta, como se indica, entonces tenemos:
V R= Iv
;;
l R = V . Sp
;;
R.Sp V .D 2 = . V = l Iv 4.e
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Figura N3.2 Dispositivo con Anillo de Guarda para la Resistencia de Masa

3.2.1.2) RELACION ENTRE LA CORRIENTE Y LA TENSION Si graficamos I = f ( V ), se tendr:
comportamiento real ( no lineal ) comportamiento lineal ( Ley de Ohm
Vr
V Tensin de ruptura
Fig. 3.3Relacin entre corriente y tensin en un aislante

Si se realiza el ensayo en diferentes momentos, se obtendrn diferentes curvas, porque cada curva representa el caso particular del aislante en un momento determinado. Si se representa la corriente I en funcin del tiempo, tomando como parmetro la tensin aplicada, en los primeros instantes se tendr una corriente relativamente grande que luego bajar a un valor ms o menos estable.
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I corriente total corriente de desplazamiento corriente de conduccin 0 t
Fig. 3.4 Comportamiento temporal de la coriente a travs de un aislante
Esto se debe a que en los primeros instantes predomina la corriente de desplazamiento, que luego es enmascarada por la corriente de conduccin . La corriente de desplazamiento se produce como consecuencia de la polarizacin del material aislante. Esta polarizacin tiene diferentes mecanismos, algunos tienen efecto en forma instantnea, mientras que otros toman un tiempo variables que pueden llegar hasta 106 seg. (varios das). La resistividad de masa est determinada por la corriente de conduccin, por lo que cuando se realiza su medicin debe evitarse en lo posible incluir en la corriente medida la corriente de desplazamiento . Esto se logra dando un tiempo suficiente para que la polarizacin se haya completado en forma prcticamente total.
3.2.2) RESISTIVIDAD SUPERFICIAL:
La resistencia superficial tiene en cuenta las corrientes que circulan por la superficie ( o muy cerca de la misma ). En algunos aislantes, o en los casos en que el material se encuentra sucio o mojado, estas corrientes pueden ser considerablemente mayores que las que circulan por la masa del aislante. Si se ha dicho que la resistencia de masa tiene gran varibilidad, para la resistencia superficial la indeterminacin es todava mayor. Esto se debe a que las corrientes superficiales dependen principalmente del estado de la superficie del aislante, tanto de su estado de pulimiento cuanto de su limpieza, adems de la posible absorcin de agua. Un aislante que a simple vista parece tener una superficie lisa, observado con suficiente aumento presenta ondulaciones o rugosidades que varan mucho de acuerdo al material, al tipo de procesamiento, y otros factores. Ahora bien, la corriente de fuga superficial tiene que seguir su recorrido por esas rugosidades, por lo que idealmente su camino puede ser largo y por ende de gran resistencia.
Zona que se observa con el microscopio
camino que sigue la corriente
Material aislante
Zona del material ampliada
Fig. 3.5 Circulacin de las corrientes superficiales
Si se deposita humedad o suciedad sobre las superficies, el camino de la corriente superficial se reduce enormemente, lo cual equivale a que la resistencia superficial se reduzca en proporcin similar. Esto explica la fuerte dependencia que muestra la circulacin de la corriente - y por lo tanto la resistencia superficial con cualquier clase de impurezas o de humedad que se deposite sobre la superficie considerada. Es interesante separar a los aislantes en tres categorias, segn su solubilidad en agua:
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3.2.2.1) SOLUBILIDAD DE UN AISLANTE EN AGUA a) AISLANTES INSOLUBLES EN AGUA: Estos materiales, especialmente aquellos que no son mojables, como la parafina y el poliestireno, son excelentes aislantes, con elevadsima resistividad superficial, que es casi independiente de la humedad ambiente. Existen otros materiales, que aunque insolubles, pueden ser mojados por agua, como algunas cermicas. En este caso, su resistencia de superficie depende de la humedad ambiente. b) AISLANTES PARCIALMENTE SOLUBLES EN AGUA: estos materiales, entre los que se encuentran los vidrios comunes, presentan una resistividad superficial ms bien baja, que depende grandemente de la humedad relativa ambiente. c) AISLANTE CON ESTRUCTURA POROSA: estos materiales, como el mrmol y la mayora de los plsticos, presentan baja resistividad en atmsferas hmedas. El acabado de la superficie tambien influye grandemente en la resistencia superficial. Por lo tanto, en piezas que deben presentar una elevada resistencia, no slo deben seleccionarse materiales con alta resistividad superficial, sino que tambin se las debe trabajar con el mximo cuidado para obtener gran lisura y no producir daos en la superficie. A pesar de estos factores de indefinicin, se puede dar algunos valores de la resistividad superficial, pero deben ser tomadas como cotas superiores, o valores centrales que sirven para comparar distintos elementos.
EJEMPLO:
Rayadura
Fig.3.6 Influencia de la terminacin de la superficie en la resistividad superficial
Si se quiere construir un soporte para dos terminales entre los cuales debe haber una resistencia de aislacin muy grande, el cuidado en la terminacin de la superficie es de la mxima importancia, porque si se producen rayaduras la resistencia de aislacin puede disminuir en un valor muy grande. Esto es debido a que el camino real de la corriente de fuga ser por los caminos punteados. (Dentro de la canaleta de la rayadura, la superficie es spera, muy propicia a que la humedad se acumule, por lo que su resistencia superficial ser mucho menor que la del resto del material).
3.2.2.2) DEFINICIN DE LA RESISTIVIDAD SUPERFICIAL
La resistividad superficial se define como la resistencia que se mide entre dos electrodos paralelos en forma de cuchilla, de ancho a , que se hincan ligeramente en el material. Los electrodos estn separados por una distancia l , que generalmente se toma igual al ancho de las cuchillas. De esta forma, la resistencia supeficial se determina sobre los lados opuestos de un cuadrado. ( Fig. 3.7 )
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Fig. 3.7 : Definicin de la Resistividad Superficial
En forma general, la resistencia de aislacin entre las cuchillas es igual a :
Raisl = .
l s
En la que , l, y s corresponden, respectivamente, a la resistividad del material, al largo o separacin entre las cuchillas y a la seccin por las que circulan las corrientes superficiales. La expresin anterior tambin puede escribirse:
Raisl = .
l a.e
Siendo e el espesor de la capa por donde circulan las corrientes superficiales. Este espesor no est definido, por lo que no es posible calcular la resistencia superficial de esta forma. Una forma de superar este inconveniente es hacer:
S =
siendo s la resistividad superficial
Reemplazando en la expresin de la resistencia de aislacin, nos queda:
Raisl = S .
Con lo cual la resistividad superficial s resulta:
l a
S = Raisl.
a l
[ ohm . cm / cm ]
Como la dimensin de la resistividad superficial es [ ohm . cm / cm ], simplificando dara [ ohm ], pero para evitar confusiones la unidad se expresa como [ ohm ] se dice " ohm cuadrado " , porque es la resistencia
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en ohms que se mide sobre los lados de un cuadrado. Como l y a son iguales por tratarse de un cuadrado, la dimensin de longitud se simplifica y s resulta independiente del tamao del cuadrado sobre el que se efecta la determinacin. Esta forma de definir la resistividad superficial es muy cmoda, resultando muy sencillo estimar la resistencia de aislacin de cualquier superficie por el simple mtodo de dividir la superficie en cuadrados y considera cuntos estn en paralelo y cuntos en serie.
Como los valores prcticos de la resistividad superficial son muy elevados, se suelen utilizar potencias de 10. Se dir as, por ejemplo, que la resistividad superficial de un determinado tipo de vidrio es de 1014 ohm .
3.2.3) RIGIDEZ DIELCTRICA
En la fig. 3.3 se muestra que si aumentamos la tensin aplicada a una pieza construda con un material aislante, llega un momento en que la corriente crece abruptamente, quedando limitada solamente por el circuito externo. Esta situacin se denomina ruptura dielctrica, y, en aislantes slidos, generalmente trae aparejados procesos irreversibles, de modo que el aislante queda arruinado, y con l el dispositivo que lo utiliza. La ruptura del dielctrico se produce cuando se aplica un campo elctrico elevado, de tal modo que algunos electrones aparecen en la banda de conduccin del dielctrico; siendo rpidamente acelerados por el gran campo elctrico aplicado. Estos electrones adquieren suficiente energa para ionizar a otros tomos, con lo cual aparecen nuevos electrones aptos para circular, dando as lugar a un proceso de avalancha que finalmente produce una corriente muy elevada, limitada solamente por el circuito externo y con consecuencias generalmente desastrosas. Los valores de la tensin de ruptura tienen gran variabilidad de una muestra a otra, causada por la naturaleza de excepcin del proceso de ruptura elctrica, en el cual intervienen defectos de la estructura cristalina del material, grado de humedad y presencia de contaminantes, temperatura, tiempo de aplicacin de la tensin, etc. La tensin de ruptura Vr es una caracterstica de una determinada pieza construda con un material aislante dado. No es, entonces, una caracterstica del material aislante en s mismo. Para definir la propiedad del material que se relaciona con el proceso de ruptura dielctrica en el mismo, debemos hablar de la rigidez dielctrica del material. DEFINICION La rigidez dielctrica se define como el campo elctrico que puede soportar sin que se produzca la ruptura del aislante. Por lo tanto, se trata de una diferencia de potencial a travs de una cierta distancia. Por consiguiente, se mide en [ Volt / mm ] o en [ KV / cm ]. La determinacin de la rigidez dielctrica es siempre aproximada, ya que depende, entre otros factores, del espesor de la muestra y de la forma de los electrodos. No obstante, existen normas que indican cmo debe realizarse el ensayo para lograr resultados con la menor dispersin posible. La enorme importancia que tienen los procesos de ruptura dielctrica, tanto desde el punto de la seguridad humana, cuanto de los daos y perjuicios ocasionados a materiales y elementos elctricos, motivan que esta caracterstica de los materiales aislantes revista la mayor importancia. Como por la anteriormente mencionada variabilidad de los procesos de ruptura es imposible proporcionar valores determinados de la rigidez dielctrica, los valores indicados son siempre indicativos y deben ser afectados de coeficientes de seguridad. Si bien no es posible seguir una regla fija en estos aspectos, son de utilizacin comn factores de seguridad de 3 a 10 y an mayores, si los requisitos de seguridad o confiabilidad son exigentes. OTRO CRITERIO PARA LA DETERMINACIN DEL VALOR DE LA RIGIDEZ DIELECTRICA La Tensin de Ruptura, es la que lo hace perforar y que generalmente se la toma como la menor luego de haber ensayado aproximadamente en el orden de diez probetas. La tensin de Rigidez Dielctrica ( Kv/cm) es menor que la de Ruptura ( 50 a 70% de ella). Al ensayo de Rigidez Dielctrica, se lo cataloga como destructivo, debido a que el dielctrico sufre un gran esfuerzo temporario, por ello, los fabricantes fijan en sus normas, que este ensayo debe realizarse solamente una vez, para no aumentar su fatiga.
3.2.4) CONSTANTE DIELCTRICA RELATIVA. ( r )
La constante dielctrica relativa o permitividad relativa de un material aislante se define como la relacin entre la permitividad del material y la permitividad del vaco 0 .
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r =
En un capacitor, la capacitancia es r veces ms grande que la que presentara un capacitor de las mismas dimensiones pero con el vaco como dielctrico:
C = Co . r
En la prctica, si en lugar del vaco se utiliza un dielctrico de aire u cualquier otro gas, los resultados son prcticamente los mismos, dado que los gases tienen contantes dielctricas relativas muy prximas a la unidad.
3.2.4.1) EFECTO DE LA POLARIZACIN:
La constante dielctrica relativa indica el grado de polarizacin del aislante. La polarizacin es un fenmeno que consiste en el desplazamiento finito de las cargas presentes en el aislante, dado que estan retenidas por sus ligaduras atomicas o moleculares. Existen varios mecanismos por los que se produce la polarizacin. POLARIZACION ELECTRNICA: El ms elemental es el de la polarizacin electrnica, que consiste en la deformacin de las rbitas electrnicas de los tomos constituyentes del material. Si bien el nmero de cargas que participan es muy grande, los desplazamientos son necesariamente muy reducidos una fraccin del dimetro de la rbita, por lo cual las energas involucradas son relativamente pequeas. Esto significa que la contribucin de la polarizacin electrnica al incremento de la constante dielctrica es escasa.
POLARIZACION IONICA: La polarizacin inica se produce en los dielctricos que, an siendo neutros, tienen una distribucin de cargas asimtrica. Cuando la polarizacin se produce, los desplazamientos son significativos comparables a las distancias atmicas, por lo que este tipo de polarizacin se traduce en variaciones de la constante dielctrica importantes. Un ejemplo de este mecanismo es la polarizacin del agua, que tiene una permitividad relativa cercana a 80.
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Otros mecanismos de polarizacin se producen en algunas cermicas que tienen estructuras moleculares fuertemente asimtricas desde el punto de vista elctrico, lo que se traduce en valores de la constante dielctrica relativa muy grandes, llegando a superar 10 000. Los distintos procesos de polarizacin, para completarse totalmente, requieren tiempos que van desde 10-15 segundos para la polarizacin electrnica hasta varias horas para los dielctricos con estructuras moleculares complejas. Esto reviste mucha importancia en el caso de los capacitores que trabajan a frecuencias elevadas, porque si el perodo de la tensin aplicada es comparable al tiempo requerido por la polarizacin, sta no se completa y su contribucin a la permitividad no se efectiviza, con lo cual la capacitancia del capacitor disminuye. El nmero de cargas que participan en los procesos de polarizacin es enorme varias cargas por tomo, por lo que este fenmeno no tiene el carcter de excepcin que manifiestan los dielctricos en la mayora de sus propiedades elctricas. Desde el punto de vista tcnico, esto significa que la constante dielctrica de los aislantes tiene valores definidos, repetitivos y fciles de determinar por ejemplo, midiendo el valor de un capacitor con y sin dielctrico. Por lo tanto, los capacitores prcticos pueden tener valores de capacitancia con tolerancias estrechas, que en muchos casos son inferiores al 0,1 %.
3.2.5) PRDIDAS DIELCTRICAS. TANGENTE .
Cuando un material aislante se somete a la accin de un campo elctrico de alta frecuencia, la polarizacin invierte su sentido en cada ciclo, es decir, muchas veces por segundo.
Cada vez que el material se polariza, almacena energa, que no es devuelta totalmente al despolarizarse. Parte de la energa entregada al material se transforma en calor, por distintos mecanismos de prdidas: corrientes de fuga, friccin viscosa en el desplazamiento de las cargas, ionizacin, etc.
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D = .E
D = Vector Desplazamiento, densidad de carga =
(Ver Fsica Electricidad Magnetismo Sears Ed. Aguilar pagina 210 ao 1959) Todos estos procesos de disipacin de energa suelen denominarse prdidas dielctricas, y revisten gran importancia en la operacin de dielctricos en altas frecuencias, dado que pueden significar, por ejemplo, calentamientos que afectan significativamente la vida de los aislantes, o prdidas inaceptables para el circuito, etc. Una forma habitual de cuantificar esta caracterstica consiste en definir el llamado "ngulo de prdidas ", o, lo que es equivalente, la " tangente ". El ngulo es el complemento del ngulo de fase entre la tensin y la corriente total. ( Fig. 3.8)
E
q A
Angulo de Fase Ir I Ic Angulo de Prdidas Ir
Fig.3.8Angulo de prdidas en un
dielctrico
La tangente es un parmetro usualmente utilizado para cuantificar la calidad del dielctrico de un capacitor. Se ver ms adelante que, como la mayora de las prdidas en un capacitor se producen en su dielctrico, el concepto de la tangente suele aplicarse al capacitor como un todo. Como se ha visto al comienzo de este captulo ( ver 1.2 ), la tangente depende de la frecuencia. En algunos capacitores, por ejemplo, las prdidas crecen abruptamente al llegar a ciertas frecuencias, al mismo tiempo que su capacitancia disminuye fuertemente. En casos como stos, el rango de frecuencia de utilizacin de los capacitores debe ser evaluado y conocido, para evitar un uso incorrecto de los mismos. Si bien las prdidas dielctricas se considera un efecto nocivo. Pero existen aplicaciones en las que se las aprovecha. Por ejemplo, puede sacarse partido del calor generado por las prdidas dielctricas para realizar soldaduras en materiales plsticos. Otra aplicacin corriente lo constituyen los familiares " hornos de microondas ", en
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los que el calor producido por las prdidas dielctricas en los alimentos se utiliza para la coccin de los mismos.
3.3) CARACTERISTICAS VARIAS DE LOS MATERIALES AISLANTES.
Los materiales aislantes poseen numerosas caractersticas que, aunque no son especficamente elctricas, repercuten significativamente en muchas aplicaciones prcticas de esos materiales. Por ejemplo, pueden mencionarse: Dureza Mecnicas CARACTERISTICAS FISICAS Temperatura mxima admisible Trmicas Coeficiente de dilatacin Conductividad trmica Variacin de caractersticas con humedad / temperatura CARACTERISTICAS VARIAS Vida til en funcin de la tensin aplicada Vida til en funcin de la temperatura. De acuerdo a la aplicacin particular de cada material aislante, esas propiedades revestirn mayor o menor importancia. Hay muchos casos en que una buena propiedad no elctrica, como por ejemplo, la capacidad de resistir la humedad, es ms relevante que una excepcional caracterstica elctrica en condiciones ideales pero que se deteriora rpidamente en presencia de humedad. Lo mismo se aplica a la influencia que sobre la vida til de un dielctrico tienen las condiciones de funcionamiento, ya sean ambientales cuanto a las solicitaciones elctricas que se le aplican. Hay aislantes cuyas buenas propiedades iniciales se deterioran rpidamente con el paso del tiempo, lo cual determina que su vida til sea reducida. Para una acertada eleccin de un material aislante, por lo tanto, es necesario efectuar un anlisis integral de las propiedades del material, en condiciones operativas reales, y considerando todos los factores que afectan su funcionamiento.
3.3.1) RESISTENCIA A LA TRACCIN
Elasticidad Resistencia a la traccin .
Se usa a veces como elemento de juicio para verificar las condiciones de envejecimiento de un dielctrico. En la mayora de los casos el envejecimiento por la accin del tiempo, o por condiciones ambientales rigurosas, se produce una disminucin de la resistencia a la traccin. Por ejemplo la aislacin de goma o ciertos plsticos de los conductores se resquebrajan. En ese caso la resistencia a la traccin se reduce notablemente, de modo que habiendo normas, en las que al determinar un valor de descalificacin, la resistencia a la traccin es determinante.
3.3.2) TEMPERATURA MXIMA ADMISIBLE
Supongamos un dielctrico utilizado para un capacitor de naturaleza plstica, para una temperatura se ablandar, hasta el grado de no mantener las condiciones mecnicas suficientes. De este modo enbtendemos que se debe determinar para cada material un lmite de temperatura mxima admisible. Adems tenemos el factor de vida til de un dielctrico en funcin de la temperatura, cuya variacin es de tipo exponencial. Se representan para distintos materiales el tiempo de vida til en horas para distintos materiales en funcin de la temperatura de trabajo. Estas curvas son adecuadas para la determinacin de la temperatura de trabajo y con ello definir una vida til determinada, con lo cual estamos asignando costos adecuados para la prestacin asignada.
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El algodn impregnado es un material muy comn en los bobinados tradicionales de inductors y transformadores. A una temperatura de 80 C tendra una vida til de 30.000 horas, y a 100 C se tienen 20.000 horas, vale decir que con una diferencia de 20C la vida til desciende 10.000 horas de vida til. Tambin se observa que a 200C el algodn impregnado tendra una vida de 5 horas. De este modo resulta sencillo acotar la vida til de un material, dando la temperatura de trabajo adecuada. En los transformadores e inductores la vida til est determinada por los aislantes.
3.3.3) CLASES DE LOS MATERIALES AISLANTES SEGN EL CEI COMIT ELECTROTCNICO INTERNACIONAL.
CLASE DE AISLANTE Y A E B F H C TEMPERATURA MAX. TRABAJO 90C 105C 128C 130C 163C 180C
> 180C
AISLANTES Algodn, seda y papel, sin impregnacin. Algodn, seda, papel impregnados. Materiales qumicamente simples o compuestos, para esta temperatura. Amianto, mica, fibra de vidrio, con la adicin de aglomerantes. Amianto, mica, fibra de vidrio con aglomerantes para esa temperatura. Elastmeros de siliconas, amianto, mica, fibra de vidrio con resinas de siliconas como aglomerantes. Mica, materiales cermicos, vidrio, cuarzo con o sin aglomerantes inorgnicos.
Partiendo de la base de estos datos, puede en algunos casos encapsularse con alguna resina, y de este modo trabajar a temperaturas mas elevadas, dado que mejora la transmisin del calor, de modo que as puede reducirse el tamao del componente. La mayora de los aislantes se deterioran sus caractersticas electricas con la temperatura elevada y la humedad. Por lo tanto se adoptan temperaturas adecuadas admisibles, o bien se adoptan protecciones para la temperatura y la humedad.
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Calor I 2 .R
LEY DE JOULE
La conductividad termica de los materiales es fundamental para la eficiencia en la transmisin del calor. En la fig. 2.4 se tiene un arrollamiento de un transformador, que est formado por conductores que tienen el ncleo central de Cu y una capa aislante. Es evidente que el calor se va a generar en el ncleo conductor en base a la ley de Joule que depende del cuadrado de la corriente I. Ese calor se disipar hacia el exterior, y para hacerlo tendr que pasar a traves del aislante. De acuerdo a la mayor o menor resistencia trmica que presente el aislante sera del mismo modo la sobre elevacin de temperatura del conductor y por lo tanto la temperatura de contacto con el conductor. En general se puede decir que cuanto mejor es un aislante desde el punto de vista elctrico, peor es desde el punto de vista de la conduccin del calor. Sin embargo en los ltimos tiempos han aparecido aislantes que tienen buenas caractersticas de conduccin trmica y se pueden usar como medio para extraer calor del interior de un dispositivo elctrico sin perjudicar sus caractersticas de aislacin. Por ejemplo hay algunas gomas, aceites de siliconas que tienn bastante buena conduccin del calor y una excelente condicin dielctrica. 3.3.4) ISOTROPA DE LOS DIELECTRICOS La mayora de los dielctricos istropos, que sus caractersticas son indepemndientes del `plano de corte del material que se lo estudia . Por ejemplo, una masa en la que tomamos un par de secciones que se le hacen, y estudiamos la resistencia de volumen, la constante dielctrica relativa y todas las caractersticas que hemos visto obteniendo una determinada serie de valores, si luego efectuamos otro corte segn otro par de planos no paralelos a los anteriores, podemos obtener el mismo juego de valores. Si un dielctrico es istropo, los valores tendran que ser en igualdad de condiciones, los mismos. 3.3.5) MATERIALES ANISOTRPICOS Puede haber casos especialmente en los dielctricos que tienen estructura cristalina, en los cuales a distintos planos de estudio corresponden diferentes valores de las caractersticas dielctricas. Esto es debido a la propia naturtaleza cristalina del material, que no es homognea.
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En el caso anisotropico se debe elegir la direccin unicamente valida de lo contrario no puede ser empleado. En casos que el material es istropo pero el procesamiento durante la fabricacin lo cristaliza y deviene en anisotropico. En otros casos, de acuerdo al procedimiento de maquinado se producir anisotropia de alguna caracterstica.
3.4) AISLANTES GASEOSOS
En general los gases, si no estn ionizados, son muy buenos aislantes porque al encontrarse en estado elctricamente estable, la cantidad de cargas que se encuentran libres es muy pequea, y por lo tanto la conduccin tambin es muy pequea, y por lo tanto la conduccin tambien es muy pequea. El aire es un aislante casi perfecto en condiciones normales: seco, limpio y a presin normal. Si los gases se encuentran sucios con partculas de holln en suspensin, la resistividad desciende significativamente y habr que estudiar el tipo de contaminacin.
3.4.1) RIGIDEZ DIELCTRICA DE LOS GASES
La rigidez dielctrica de un gas es un valor muy caracterstico de ese gas y funcin de la presin a la cual se encuentra el gas, as como de la forma de los electrodos con los cuales se hace la medicin. Uno de los metodos ms comunes para determinar la rigidez dielctrica de un gas, es medir la distancia entre dos esferas entre las cuales se aplica una d.d.p. que hace saltar el arco electrico. La medicion de la d.d.p. cuando se produce el arco elctrico se efecta acercando las esferas hasta la distancia en que salta la chispa. Conociendo determinadas caractersticas de la ley de salto de las chispas, se puede determinar la tensin V. Actualmente hay mtodos ms modernos para medir la d.d.p. Para un dimetro de esferas determinado hay una relacin consistente emntre la d.d.p. y la distancia, para condiciones ambientales constantes: presin, temperatura y humedad ambientre. Si se altera la forma de los electrodos variarn los valores obtenidos, para la relacin entre V y d. Para un electrodo plano o esfrico con un electrodo puntiforme.
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En el caso del electrodo puntiforme la distancia ser mayor. Esto se debe a que la intensidad de campo electrico en las proximidades de la punta es mayor, y por lo tanto el salto de la chispa se va a producir cuando la intensidad de campo electrico supere un determinado valor que es el mximo admisible para el gas.
3.4.2) LEY DE PASCHEN
Hay una relacin entre la tensin a la que salta la chispa, la presin a la que se encuentra el gas y la distancia entre los electrodos , que se conoce como Ley de PASCHEN. En esa ley estn relacionadas, en ordenadas la tensin y en absisas el producto P x d.
VRUPTURA = funcion( E ; ; l )
Siendo: E = Campo elctrico.
= Densidad Molecular.
l = Camino libre medio de las corientes intermoleculares.
Esta ley dice lo siguiente: si tenemos en un determinado recinto dos electrodos a una distancia d , para cada valor de presin habr una d.d.p. mnima que deberemos aplicar para que salte un arco. Mientras no se llegue a esa d.d.p. no se produce salto de chispa entre ambos electrodos. A medida que disminuye la presin, se reduce la ddp necesaria. Se llega a un punto en el cual la ddp es mnima. Si seguimos reduciendo an ms la presin, la ddp empieza a aumentar. Es fcil encontrar una explicacina este fenmeno: la tensin de ruptura de un gas es una funcin del Campo Elctrico, de la densidad molecular y del camino libre medio de las corrientes. A medida que vamos reduciendo la presin, aumentamos el camino libre medio para las molculas y por lo tanto aumentamos la posibilidad de que una molcula llegue a ascelerarse lo suficiente como para tener una energa tal que la reaccin en cascada. O sea que la molcula est suficientemente acelerada como para que choque a otra, le transmita bastante energa como para que una ionize a otra, y as sucesivamente. A medida que disminuye la presin de gas, disminuye la intensidad del campo elctrico necesario para conseguir la ionizacin en cadena. Pasando de una cierta presin para abajo, disminuye mucho la cantidad de molculas y entonces, si bien los iones tienen mucho camino para acelerarse, tienen poca probabilidad de chocar con otras molculas, por lo que para conseguir la descarga hay que aumentar nuevamente la ddp. Estas caractersticas son muy importantes cuando se hacen proyectos para campos destinados a trabajar a una presin diferente de la atmosfrica. Por ejemplo cuando se proyectan equipos para uso aerodinmico,
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hay que tener en cuenta que en algunos equipos electrnicos existen entre algunos puntos ddp elevados con resistencia a masa, o entre s, que pueden dar lugar a la aparicin de efecto corona , o salto de chispa, en distancia, que a presin atmosfrica serian perfectamente seguras. Cuando la ddp entre los electrodos es alterna se puede hacer un estudio parecido, con la diferencia de que la tensin necesaria para hacer saltar la chispa, producir efecto corona, es muchsimo menor. O sea , los gases son mucho ms fciles comenzar por campos electrmagnticos alternos que por campos electrostticos.
Tecnologa Electrnica
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CAPITULO IV a) INTRODUCCION
MATERIALES MAGNETICOS
Los materiales magnticos son utilizados muy intensamente dentro de la electrotecnia y la electrnica en la fabricacin de gran variedad de componentes o dispositivos, especialmente motores, transformadores e inductores con ncleo, y elementos de memoria. Dentro de la electrnica actual resulta difcil imaginar algn equipo o sistema que no use , en alguna de sus variantes, algn dispositivo construido con materiales magnticos. En la mayora de las aplicaciones, los materiales magnticos cumplen el rol fundamental de proveer un camino ms fcil para el flujo, gracias a su alta permeabilidad. Por lo tanto, su utilizacin es fundamental en las aplicaciones en que se utilizan circuitos magnticos. Otra importante familia de materiales magnticos la forman aqullos que son capaces de almacenar energa magntica, posibilitando la fabricacin de imanes y dispositivos de memoria. Todos los materiales se pueden clasificar, desde el punto de vista magntico, en paramagnticos, diamagnticos y ferromagnticos. Desde el punto de vista tcnico, los dos primeros, con su permeabilidad relativa r aproximadamente igual a 1, se consideran no magnticos ; mientras que los ferromagnticos, que poseen una permeabilidad mucho mayor que 1 ( tpicamente r vale alrededor de 5 000 , pudiendo llegar excepcionalmente a 100 000 ) constituyen los materiales magnticos propiamente dichos, que estudiaremos en detalle debido a la importancia de sus aplicaciones prcticas. b) MATERIALES PARAMAGNTICOS (ver anexo 23) Estos materiales poseen una permeabilidad magntica ligeramente mayor que 1, como por ejemplo el aluminio cuyo r = 1,000022. Del mismo modo tenemos el Zn ; Pt ; Mn ; Ca ; O y el Cloruro Frrico Fe Cl3. Si bien se los considera no magnticos, tiene algunas propiedades dinamicas frente a un campo magntico presente. Estas acciones dinmicas pueden visualizarse en tres experiencias de la fsica. 1ra EXPERIENCIA
El material de prueba se halla inmerso en un campo magntico intenso y uniforme, luego responde adquiriendo por induccin la polaridad opuesta en cada extremo. Dado que el campo es intenso y uniforme en el material no se produce ninguna accin dinmica puesto que se encuentra en equilibrio. 2a EXPERIENCIA En esta experiencia se emplea como muestra una cpsula de cristales de Cloruro Frrico. Si se la coloca en posicin 1 en donde el campo magntico es mas dbil , al liberarlo toma la posicin 2, dado que por su permeabilidad se dirige hacia las zonas de campo magntico mas intenso. Cualquiera de estos materiales paramagnticos tiene estas mismas cualidades dinmicas, que pueden sugerir el empleo en dispositivos como por ejemplo sensores para la deteccin de campos magnticos aparentemente ausentes. Si se empleara un material ferromagntico en esta circunstancia podra resultar perturbador, dado alterar ese espacio significativamente desde el punto de vista magntico.
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EXPERIENCIA 3
En esta experiencia se emplea un lquido: una solucin de cloruro frrico en vasos comunicantes. En la figura se representa el estado final del lquido. Si la pieza magntica no se encuentra, el liquido permanece en la posicin de la lnea de puntos de la izquierda. Al agregar el imn el lquido de la solucin toma el nivel de la figura, es decir que sube entre las piezas polares, buscando la zona de mayor intensidad de campo magntico.
c) MATERIALES DIAMAGNTICOS (ver anexo 23)

Del mismo modo que en el caso anterior, haremos tres experiencias similares al anterior material, con la finalidad de mostrar las acciones dinmicas que estos materiales pueden producir aunque estos materiales no sean magnticos. Estos materiales poseen una permeabilidad magntica ligeramente menor que la unidad como el bismuto en donde vale r =0,999824 . Los materiales comprendidos son el bronce, papel, vidrio, madera, hidrgeno, cloro, y helio. Por lo tanto estos materiales se los considera no magnticos EXPERIENCIA 1
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La muestra del material se encuentra inmersa en un campo magntico intenso uniforme y constante. Por sus caractersticas no es inducido magnticamente por lo tanto asume la polaridad de la pieza polar prxima de tal manera que cuando el campo se retira, se retira su estado magntico. No se produce accin dinmica alguna, pues no hay repulsin a igual polaridad dado que su estado magntico es dbil y el campo es uniforme e intenso a ambos lados y a lo largo de la pieza. EXPERIENCIA 2
Se coloca la muestra en la posicin 1 y se la libera, la que adoptara la posicin 2 rotando sobre su eje, en la bsqueda de las zonas donde el campo magntico caractersticas de no magntico.
EXPERIENCIA 3 Se ha colocado en esta experiencia, agua en los vasos comunicantes. Cuando colocamos en el imn el agua baja de nivel entre las piezas polares, alejndose del campo magntico intenso.
d)
MAGNETIZACIN: SPIN MAGNETICO
Todos los materiales estn constituidos por tomos que poseen "SPIN MAGNTICO ", ya que estn formados por cargas elctricas -electrones- que orbitan alrededor de un ncleo de protones. En consecuencia, todos manifiestan algn tipo de reaccin frente a un campo magntico externo.
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En la mayora de los casos - materiales diamagnticos y paramagnticos - esa reaccin es muy leve (tcnicamente despreciable), porque los spin magnticos individuales estn orientados en todas direcciones y por lo tanto tienden a cancelarse. Por otra parte, ciertos materiales poseen una estructura cristalina que presenta regiones en las que los spin magnticos de los tomos individuales estn alineados, de modo que su magnetizacin se refuerza. e) DOMINIOS MAGNETICOS Estas regiones -llamadas dominios -, alcanzan dimensiones macroscpicas importantes, de hasta unos 100 micrones ( una dcima de mm ). Los materiales que poseen estructura de dominios muestran importantes propiedades magnticas y se llaman ferromagnticos, porque fue en el hierro donde primero se descubri este fenmeno. El hierro, el nquel, el cobalto y aleaciones de stos y otros elementos constituyen entonces los materiales magnticos que tienen tanta importancia en la tecnologa electro-electrnica actual. 1) CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES MAGNTICOS Para una correcta utilizacin de los materiales magnticos, resulta necesario un buen conocimiento de sus propiedades, que como se ver tienen particularidades que deben ser explotadas o minimizadas para un resultado ptimo. El estudio de los materiales magnticos apunta a diversas caractersticas de inters desde el punto de vista tcnico, siendo la ms relevante la permeabilidad, conocida por la letra griega , que es la relacin entre la densidad de flujo o induccin B, y el campo magntico H. Debe destacarse una propiedad fundamental de esta caracterstica magntica: su variabilidad, dado que no slo es funcin de las propiedades del material, sino que tambin depende de la frecuencia, de la temperatura, de los tratamientos mecnicos y trmicos sufridos por el material, de la historia magntica previa y - muy importante- de la intensidad del campo magntico aplicado.
material frecuencia temperatur a tratamient o mecanico historia magntica previa H
B H
B = .H = 0 . r .H
Esta ltima dependencia hace que las relaciones entre las principales variables magnticas sean no lineales , a diferencia de lo que sucede en los materiales elctricos conductores, donde las relaciones entre las variables elctricas son funciones lineales LEY DE OHM -
0 = 4. .10 7
Hy Henry = 12,56 10 7 m m
r =
N flujo _ con _ ncleo = 0 flujo _ sin_ ncleo

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Unidades del campo H:
A.v = 0,01256 _ Oersted m
80.
A.v = 1.Oersted m
Como consecuencia, los circuitos magnticos son generalmente ms difciles de resolver que los circuitos elctricos, as como el margen de error es mucho mayor. Tanto la naturaleza alineal de las caractersticas cuanto su mayor error inherente, conducen a la utilizacin de mtodos grficos, tanto en la representacin de las caractersticas magnticas cuanto en la resolucin de los circuitos que emplean estos materiales. 1.1) CICLO DE HISTERESIS DE UN MATERIAL MAGNETICO La mayora de las caractersticas magnticas estn contenidas en el ciclo o lazo de histresis de un material magntico, que es la representacin grfica de la funcin B = f ( H ). Para una correcta representacin de esta funcin, los valores del campo deben ser inicialmente nulos, para incrementarse gradualmente hasta su mximo valor, para luego decrecerlo, pasar por cero, incrementarse hasta su mximo valor negativo, para finalmente volver a cero. Como cualquier estado magntico depende de sus estados anteriores ( histresis ), la excitacin debe crecer y decrecer siempre en forma montona, evitando idas y venidas. 1.1.1) CURVA VIRGEN DE MAGNETIZACIN Consideremos una muestra magnticamente virgen que no ha sido sometida nunca a un campo magntico. Por lo tanto, para un campo inicial nulo, la magnetizacin es igual a cero, as como la induccin o densidad de flujo. Si ahora se somete el material a un campo magntico de intensidad de campo H creciente, obtenindose los correlativos valores de B. Se observa que a medida que aumenta H, se produce un aumento de la induccin B, al principio lentamente, luego rpidamente, hasta llegar a una zona en la cual se aprecia una pronunciada disminucin de la derivada del crecimiento para finalmente entrar en una zona en la cual el incremento de B se hace constante y pequeo comparado con el incremento de la intensidad de campo H. La curva as obtenida se llama curva virgen de magnetizacin ( Fig. 1.1 ), en la cual puede apreciarse el crecimiento gradual de la induccin hasta llegar a la denominada regin de saturacin.
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Ver anexo 13 y 45 La curva de magnetizacin puede explicarse por la paulatina orientacin de los dominios magnticos, que inicialmente se encontraban desordenados, hasta llegar a la completa alineacin que trae aparejada la saturacin del material. ( Fig. 1.2 )
CAMPO NULO a)
CAMPO INTERMEDIO b)
CAMPO INTENSO c)
Fig. 1.2 Alineacin de los Dominios Magnticos para Distintos Valores del Campo Aplicado En la Fig. 1.2 pueden apreciarse tres estados de magnetizacin: a) Material virgen, campo aplicado nulo: los dominios se encuentran orientados al azar, observa magnetizacin. no se
b) Campo aplicado intermedio, se aprecia que mucho dominios se encuentran alineados con el mismo, la magnetizacin es apreciable. c) Campo intenso, todos los dominios estn orientados en el sentido del campo, el material est saturado. 1.1.2). INDUCCIN DE SATURACIN-Bs: Ver 2.2 Se alcanza la induccin de saturacin Bs cuando para un incremento de H prcticamente no hay incremento de B. Una vez que el material llega a la saturacin el crecimiento de la induccin para ulteriores aumentos del campo es muy leve. Al estar todos los dominios orientados en el sentido del campo, el material no contribuye para ulteriores aumentos del campo, que slo producen los incrementos de la induccin que tendran lugar si no existiera el material ferromagntico r = 1. En la mayora de las aplicaciones, conviene que la zona de trabajo se encuentre alejada de la saturacin, especialmente cuando se desea que el circuito magntico trabaje en forma aproximadamente lineal. En este caso debe evitarse que la induccin mxima se aproxime al valor de saturacin Bs. 1.1.3) INDUCCIN REMANENTE -Br: Si una vez alcanzada la saturacin se reduce el campo magntico aplicado, la induccin disminuye, pero no vuelve por el camino de ida, sino que lo hace por valores de B superiores a los anteriores. Esto se debe a que los dominios, as como se resisten a ser orientados, luego de haberlo hecho no cambian fcilmente su nueva orientacin. Si la excitacin se anula, la induccin no cae a cero, sino que queda en un valor conocido como induccin remanente Br o remanencia. Es el valor de la induccin que queda en el circuito magntico despus de quitar la excitacin H 0 , es decir sin tener ningn campo aplicado.
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Veremos ms adelante que esta caracterstica es aprovechada en algunas aplicaciones materiales magnticos duros, mientras que es indeseable para muchas otras materiales magnticos blandos. 1.1.4) INTENSIDAD DE CAMPO COERCITIVO O FUERZA COERCITIVA -Hc : Si ahora aplicamos un campo magntico antagnico, la induccin se reduce, hasta finalmente anularse para un valor de la intensidad de campo Hc llamada campo coercitivo o coercitividad. Por lo tanto, el campo o fuerza coercitiva es la excitacin antagnica que debe aplicarse para eliminar la induccin del material. De manera similar a lo que sucede con la induccin remanente, esta caracterstica tiene gran importancia en el caso de materiales utilizados en la fabricacin de imanes o dispositivos de memoria. 1.1.5) LAZO DE HISTRESIS CCLICO Si a partir del punto Hc donde se anula la induccin seguimos aumentando el campo aplicado, la induccin vuelve a crecer, ahora siguiendo el sentido del campo aplicado ( contrario al original), alcanzando finalmente la saturacin ( -Bs ) con sentido negativo. Si repetimos el proceso de reducir el campo aplicado, pasando por cero y luego aumentando para llegar nuevamente a la saturacin en el sentido original, la curva se cierra, obtenindose el llamado lazo o ciclo de histresis. Si el ciclo se repite varias veces, de modo de anular la influencia del estado virgen inicial, se obtiene una curva simtrica, llamada lazo de histresis cclico, que se muestra en la Fig. 1.1.3 , donde pueden apreciarse los distintos puntos de inters ( Bs, Br y Hc ), que se han definido en los pargrafos precedentes.
Fig.1.1.3 Lazo de histresis cclico y principales puntos de inters en el mismo
1.2) CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES MAGNTICOS SEGN LA FORMA DEL LAZO DE HISTRESIS: MATERIALES BLANDOS Y DUROS DESDE EL PUNTO DE VISTA MAGNTICO.
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El lazo de histresis tiene una forma caracterstica propia de cada material. Dentro de la variedad de formas que se encuentran en la prctica, pueden diferenciarse dos grandes categoras. ver Fig. 1.4 Fig. 1.4 Materiales blandos ( a ) y duros ( b ) desde el punto de vista magntico
B Bs Br Bs
Br Hc H
Hc H
a)
b)
a) MATERIALES MAGNTICAMENTE BLANDOS. Sus principales caractersticas son: # Lazo de histresis estrecho #Bajo valor de la induccin remanente Br # Pequeo valor del campo coercitivo Hc # Alto valor de la permeabilidad relativa r La forma tpica del lazo de histresis de un material magntico blando se muestra en la Fig.1.4-a. b) MATERIALES MAGNTICAMENTE DUROS Sus principales caractersticas son: # Lazo de histresis ancho en algunos casos, se los llama de " lazo de histresis cuadrado " # Alto valor de la induccin remanente Br. no siempre como en las ferrites. # Gran valor del campo coercitivo Hc Dada la gran importancia que reviste para la tecnologa electrnica el conocimiento operativo de las propiedades de ambas categoras de materiales magnticos, se los estudiar en detalle por separado. 2) MATERIALES MAGNTICOS BLANDOS (ver anexo 23) Estos materiales se utilizan principalmente para la fabricacin de ncleos ferromagnticos en inductores y transformadores, donde cumplen la funcin de canalizar y facilitar el flujo magntico. En estas aplicaciones, las principales caractersticas magnticas son: # Permeabilidad # Induccin de saturacin Bs # Prdidas magnticas # Resistividad
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# Punto de Curie # Anisotropa 2.1) PERMEABILIDAD MAGNETICA: Se denomina as a la relacin B / H. En la mayora de las aplicaciones de los materiales magnticamente blandos, esta relacin es la caracterstica ms relevante, ya que nos indica la mayor o menor aptitud del material para la conduccin del flujo magntico, ejerciendo fundamental influencia sobre la reluctancia de los circuitos magnticos que emplean esos materiales. De acuerdo a los valores de B y H que se tomen para la determinacin de la permeabilidad, resultan distintas acepciones de la misma: 2.1.1) PERMEABILIDAD ABSOLUTA : Se define la permeabilidad como la relacin entre la induccin magntica B tambin llamada " densidad de flujo " y la intensidad de campo magntico H :
B = 0 . r H
r : permeabilidad relativa
o : permeabilidad del vaco = 4. .10-7 Hy/m
En el uso tcnico, cuando se habla de permeabilidad, en la mayora de los casos en realidad se refiere a la permeabilidad relativa r , que indica cunto ms permeable es el material que el vaco. 2.1.2) PERMEABILIDAD DIFERENCIAL ( d): Se define como la derivada de B respecto de H
d =
curva en el punto deseado.
B H Hi
d es un valor variable que en cada punto de la curva toma un valor determinado, que es la pendiente de la
2.1.2.1) PERMEABILIDAD INICIAL ( i): Es la permeabilidad que se obtiene con intensidades de campo muy pequeas en cualquier punto de la curva.
i =
B H H 0
Este valor de permeabilidad es el que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia, donde el campo aplicado al material es necesariamente de bajo valor . La permeabilidad inicial suele ser significativamente ms baja que la mxima, por ejemplo, en un hierro silicio comn tiene un valor relativo de 600, mientras que la mxima es de 5 000. 2.1.3) PERMEABILIDAD MXIMA ( max): Es el valor mximo que toma la pendiente de una recta tangente a la curva que pasa por el origen Fig. 2.1(a) La permeabilidad mxima se suele obtener poco antes de que el material empiece a saturarse.
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Fig. 2.1(a) Permeabilidad mxima de un material ferromagntico
H
OTRA DEFINICIN: es el punto sobre la curva de magnetizacin por el que pasa una recta tangente de mxima pendiente como se ilustra en la Fig. 2.1(b). Esta versin podr ser ms adecuada, puesto que el punto A representa la zona de mxima linealidad.
Fig 2.1 (b) Permeabilidad Mxima 2.1.4) PERMEABILIDAD INCREMENTAL ( ) Se define as a la relacin entre el incremento de la induccin B y el incremento de la intensidad de campo H , para determinados valores de la pre magnetizacin continua Hcc y del incremento B ( puede ser tambin el incremento H ).
B = H Hcc; B
Cuando se da el valor de , para caracterizarlo correctamente es necesario indicar, adems, los valores de B o H y el valor de Hcc, dado que vara mucho con B ( o H ) y Hcc .
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Fig.2.2 Definicin de permeabilidad incremental La permeabilidad incremental es un dato de suma importancia en las aplicaciones de inductores por los que circulan corrientes alternas y continuas superpuestas. En esos casos, la corriente continua produce una premagnetizacin continua del material, mientras que la corriente alterna crea una variacin H ( o la tensin alterna un B ), determinando un cierto valor de . Como se ver ms adelante, la inductancia del inductor es proporcional a la permeabilidad incremental . Dada la importancia de la permeabilidad incremental, suelen darse curvas de en funcin de la induccin de alterna (Bca) para algunos materiales de uso comn, usando como parmetro la intensidad de campo de corriente continua Hcc. 2.1.5) PERMEABILIDAD DE CORRIENTE CONTINUA O ESTTICA ( cc):
cc se define como el cociente entre la induccin y el campo magntico en cualquier punto de la curva.
Bi = Hi
B Bi
Hi
Fig.2.4
Permeabilidad de C.C o esttica cc
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Fig.2.3 Permeabilidad incremental para material Fe-Si al 3,5%
cc es la pendiente de la recta que une el origen de coordenadas con el punto definido por Hi sobre la curva. El
valor de cc es variable segn el valor de Hi que se considere.
INDUCCION DE SATURACION Bs 2.2)
La induccin de saturacin Bs constituye una importante caracterstica de los materiales magnticos blandos. Estos materiales se utilizan en muchas aplicaciones donde el material debe trabajar en la zona aproximadamente lineal de su caracterstica B-H, o por lo menos sin entrar en la regin de saturacin. Por otra parte, para aplicaciones de potencia suele ser conveniente que la induccin de trabajo sea lo mayor posible, de modo de maximizar la potencia disponible, pero sin llegar a la saturacin. Como se ver ms adelante, los materiales magnticos metlicos presentan inducciones de saturacin entre 1 y 1,8 Tesla ( o Wb / m2 ), mientras que para las cermicas magnticas o ferritas se obtienen valores menores, de alrededor de 0,5 Tesla.
2.3) PERDIDAS EN MATERIALES MAGNETICOS
Cuando se coloca un material magntico en un campo magntico variable ( alterno ), se producen en el material prdidas ocasionadas por distintos mecanismos. En un primer anlisis, estas prdidas se puede separar en tres distintos tipos: a) b) Prdidas por histresis. Prdidas por corrientes parsitas o de Foucault .
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c)
Prdidas residuales.
2.3.1) PERDIDAS POR HISTRESIS:
Si un material magntico es sometido a un campo alterno, recorre un ciclo que lo hace atravesar distintos estados de energa magntica (expresado por el producto Bi . Hi ). Haciendo la integracin de la curva en un ciclo completo tendremos la diferencia entre la energa absorbida y la energa devuelta o sea, tendremos la energa gastada en hacer descubrir al material un ciclo completo. ENERGIA GASTADA Esa energa esta perfectamente determinada conociendo el lazo de histresis y el volumen del material. La energa perdida por histresis por ciclo y por unidad de volumen es proporcional a la superficie que encierra el lazo:
Ph joule = ciclo.m3 seg .m3

POTENCIA PERDIDA
(LazoHisteresis ).dH
Para conocer la potencia perdida, energa por unidad de tiempo, hay que multiplicar la energa por la frecuencia del campo alterno. Por lo tanto, la potencia disipada ser:
Wh = frecuencia . lazo de histresis . dH
[ Watt / m3 ]
El tratamiento analtico de esta integral es prcticamente imposible, ya que los lazos de histresis de los materiales no son expresables por una funcin matemticamente sencilla. Adems, distintos materiales tienen lazos de histresis muy diferentes. Lo que se hace en la prctica es determinar el ciclo de histresis e integrarlo grficamente. Otro mtodo consiste en hacer una medicin directa de la potencia perdida en la masa magntica y separar las perdidas por histeresis de las otras perdidas que tambin se producen en el material. Tambin existen frmulas aproximadas que dan el valor de las prdidas por histresis en funcin de la induccin y de la frecuencia, por ej. La FORMULA DE STEINMETZ:
Ph = K.f.( Bmax )
donde K y son parmetros del material, f es la frecuencia y Bmax es la induccin mxima. El exponente vara segn el material, generalmente se acepta = 1,6 a 2.
K es un coeficiente que depende del material.
Es importante tener en cuenta que la frecuencia tiene un exponente 1 , mientras que la induccin aparece con un exponente que varia entre 1.6 y 2. Esta dependencia permite, haciendo mediciones de prdidas a distintas frecuencias, separar las debidas a la histresis de las correspondientes a las corrientes parsitas.
2.3.2) PRDIDAS POR CORRIENTES PARSITAS O DE FOUCAULT:
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Supongamos tener una determinada masa de material a la cual sometemos a un campo magntico longitudinal. Como consecuencia de este campo, se generan en el material corrientes parsitas que, de acuerdo a la ley de Lentz, tratan de producir un campo magntico antagnico, Fig. 2.5 . Independientemente de las dimensiones que se consideren, estas corrientes sern proporcionales a la induccin alterna Bmax, a la frecuencia f , e inversamente proporcionales a la resistividad del volumen del material :
B. f
B B B
B B -B B B
Fig. 2.5 Corrientes parsitas en materiales magnticos
Las prdidas que provocan las corrientes parsitas se calculan como:
B. f Pcp = i 2 .R =
.R
Como, independientemente del lazo considerado, la resistencia R es proporcional a la resistividad finalmente resulta
B. f Pcp =
.l B2. f 2 w . s = K . m3
Donde K es un coeficiente de proporcionalidad que tiene en cuenta los aspectos dimensionales. Si bien en este anlisis las prdidas resultan en Watt por unidad de volumen, tambin es frecuente expresarlas en Watt por unidad de peso [ W / gr W / Kgr ]. Puede verse que mientras las prdidas por histresis son proporcionales a B y a la frecuencia, las prdidas por corrientes parsitas son proporcionales a B2 y a f2 e inversamente a . Como se ha mencionado anteriormente, esta diferente dependencia provee un mtodo para separar la dos fuentes de prdidas. El hecho de que las prdidas por corrientes parsitas dependan inversamente de la resistividad del material permite utilizar dos caminos para reducirlas: a) POR MEDIOS MACROSCPICOS O FSICOS, subdividiendo el material de modo de obstaculizar la circulacin de las corrientes parsitas. b) POR MEDIOS MICROSCPICOS O QUMICOS, agregando al material componentes que aumenten su resistividad. Ambos caminos se utilizan ampliamente en la prctica, a menudo combinados. Por ejemplo, en baja frecuencia los ncleos ms empleados son laminados, esto es, construdos con lminas dispuestas a lo largo del campo magntico. A medida que la frecuencia aumenta, es necesario hacer las lminas cada vez ms delgadas. Finalmente, para altas frecuencias, los ncleos metlicos deben ser pulverizados de finos granos de polvos metlicos . La alternativa qumica elevar la resistividad, es tambin muy frecuente. Por ejemplo, los ncleos laminados utilizados en transformadores de alimentacin, motores y tantos otros dispositivos elctricos de uso comn emplean aleaciones de hierro con hasta un 5% de silicio para aumentar la resistividad. Un factor muy
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importante es que las prdidas por corrientes parsitas crecen con el cuadrado de la frecuencia. Por lo tanto, si la frecuencia aumenta, siempre prevalecern por sobre las prdidas por histresis, que dependen linealmente de f. Esto significa que en altas frecuencias, las prdidas que tienen ms significacin son las debidas a las corrientes parsitas. Si la frecuencia es muy elevada, el recurso de la pulverizacin de los materiales magnticos metlicos no resulta suficiente para controlar las prdidas, por lo que es necesario utilizar materiales como las ferritas, que son cermicas magnticas que poseen una elevada resistividad intrnseca. De este modo se consiguen materiales magnticos aptos para trabajar a frecuencias de cientos o miles de MHz.
2.3.3) PERDIDAS RESIDUALES:
A bajos valores de induccin y frecuencia, de acuerdo a los anlisis anteriores las prdidas deberan prcticamente anularse, ya que tanto las debidas a la histresis cuanto a las corrientes parsitas dependen proporcionalmente de Bmax y de F ( si bien con distintos exponentes ). Sin embargo, las prdidas determinadas experimentalmente arrojan valores que no se pueden explicar por corrientes parsitas ni por efecto de histeresis. Estas prdidas adicionales se llaman residuales, y son especialmente significativas para valores bajos de induccin, para los cuales los otros tipos de perdidas son pequeas. En algunos casos en que los materiales trabajan a inducciones bajas, como las cermicas magnticas, los fabricantes suelen proporcionar expresiones aproximadas para evaluar las perdidas residuales.
2.4) RESISTIVIDAD:
Si bien la resistividad es una caracterstica elctrica del material, como se ha visto en el punto anterior, tiene mucha influencia sobre las prdidas por corrientes parsitas, lo que la convierte en una propiedad importante desde el punto de vista magntico. La mayoria de los materiales magnticos tradicionales son compuestos metlicos y por lo tanto buenos conductores. Desde el punto de vista de las prdidas por corrientes parsitas, sto no es conveniente, ya que conviene que la resistividad sea lo mas alta posible. En la aleacin Fe-Si que se utiliza normalmente, el Si cumple la funcin de elevar la resistividad del material, que, en funcin del porcentaje de Si, varia en forma aproximadamente lineal ( ver fig. 2.6 ):
Puede apreciarse que la resistividad aumenta en forma casi lineal con el porcentajes de Si. Porcentajes mayores del 5% no se usan corrientemente porque el material se vuelve quebradizo, muy duro y su tratamiento mecnico se hace dificultoso. En la actualidad son cada vez mas usados los ncleos de ferrita, aun en el dominio de las bajas frecuencias. Estos materiales, por ser cermicos, tienen una resistividad intrnseca muy elevada, no requiriendo la pulverizacin para reducir las prdidas. La mayoria de los ncleos magnticos metlicos tienen resistividad del orden del 10-5 a 10-4 .cm, mientras la resistividad de las ferritas esta de 1 a 106 . cm. Las prdidas por corrientes parsitas son correspondientemente mucho menores.
2.5) PUNTO DE CURIE:
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Se denomina punto de Curie a la temperatura en la cual el material deja de manifestar propiedades ferromagnticas. Si se aumenta la temperatura de un material, se aprecia que sus caractersticas magnticas se deterioran a medida que la temperatura crece. Esa disminucin es gradual, pero hay una temperatura generalmente en el orden de 150 para los materiales metlicos, y de 400 a 600 C para los materiales cermicos (ferritas), para la cual se pierden abruptamente las caractersticas magnticas. La temperatura de Curie es muy importante porque fija un tope mximo a la temperatura de trabajo y dado que en algunos casos no es un valor muy elevado (100 a 200 C), debe cuidarse que en ningn caso, y bajo ninguna condicin de operacin se aproxime a esa temperatura.
2.6) EFECTO PELICULAR MAGNTICO:
El anlisis de las prdidas por corrientes parsitas que se ha efectuado es totalmente vlido solamente para frecuencias relativamente bajas por el llamado " efecto pelicular magntico ".
B=
Este efecto, que responde al mismo mecanismo fsico que el efecto pelicular elctrico, tambin llamado " efecto skin ", se manifiesta en el hecho de que, cuando la frecuencia se eleva, la accin de las corrientes parsitas produce una redistribucin del campo magntico que lo debilita en el centro y lo refuerza en la periferia, limitando la penetracin de las lneas de campo en la masa metlica. En consecuencia, la zona perifrica tiene una densidad de flujo mayor, con lo que las prdidas ( que tienen una relacin no lineal con la induccin ), resultan relativamente mayores.
Este efecto de penetracin no completa es muy importante en altas frecuencias y tiene adems otra consecuencia: en muchos casos, lo ms importante no es el aumento de las prdidas sino que, al llevar el material a regiones de mayor induccin, se modifica el valor de la permeabilidad incremental.
B A
Por ejemplo, si se ha calculado el valor de la inductancia de un cierto inductor, utilizando para ello el valor de la permeabilidad correspondiente al punto de trabajo, cuando aumenta la frecuencia y empieza a pesar el efecto pelicular magntico, la permeabilidad se reduce, y por lo tanto la inductancia disminuye.
2.7) ANISOTROPIA ( FALTA DE ISOTROPA ):
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Debido a la naturaleza de los fenmenos magnticos, ntimamente relacionados con la estructura cristalina, es frecuente encontrar materiales magnticos que presentan orientaciones preferentes para las propiedades magnticas. Por ejemplo, en los materiales conocidos como "de grano orientado ", que son materiales laminados en fro, se comprueba que los materiales muestran caractersticas magnticas muy superiores en el sentido de la laminacin. Esta propiedad se trata de explotar al mximo, diseando los ncleos de tal forma que las lineas de campo magntico sigan los caminos correspondientes a las mejores caractersticas.
2.8) CARACTERSTICAS MECNICAS:
Adems de las caractersticas puramente magnticas, las propiedades mecnicas de los materiales revisten gran importancia prctica. Esto se debe a que los ncleos y circuitos magnticos que se construyen con estos materiales deben, en muchos casos, adoptar formas complicadas que obligan a un maquinado considerable. Si el material es difcil de trabajar, los costos crecen significativamente. En muchos casos es conveniente laminar el material, es decir, no hacer todo el ncleo de un bloque slido, sino formarlo apilando lminas o chapas, paralelas al sentido de circulacin del campo. La mayora de los ncleos para aplicaciones de potencia en baja frecuencia se construyen de esta forma. Para otros usos conviene construir ncleos en forma toroidal, o con forma de cazoleta, o de tipo varilla para poder introducirlos en el interior de un inductor de RF . De acuerdo al tipo de aplicacin tendremos una determinada forma del circuito magntico. Hay materiales que se adaptan mejor para ser llevado a esa forma particular que otros. En la mayoria de los casos los materiales magnticos metlicos son muy duros y por lo tanto difciles de trabajar. Ademas, los materiales magnticos son muy sensibles a la historia previa en lo que se refiere a tratamiento mecnico y trmico. Por eso, si a los materiales que tienen determinadas caractersticas se los somete a un proceso de temple o recocido, esas caractersticas magnticas cambian de manera significativa. En los materiales laminados hay una gran variacin de acuerdo al procedimiento de laminacin del material. Por ejemplo, los llamados materiales magnticos de grano orientado en general se laminan en fro, mientras que los materiales comunes son laminados en caliente, el trabajo por la laminadora es mucho mas fcil en caliente, pero las propiedades magnticas son inferiores. Hay otros materiales que una vez llevados a una determinada forma, si son limados o agujereados, pierden buena parte de sus propiedades magnticas, por lo que deben recibir tratamientos especiales. En el caso de las ferritas, que son materiales de extrema dureza y sumamente quebradizos, slo pueden conformarse por moldeado o extrusin antes de ser horneados. Dada su extrema dureza, cualquier maquinado posterior debe ser realizado por abrasin o rectificacin las superficies con piedras abrasivas especiales. Por lo tanto, estos mecanizados deben restringirse a cortes o retoques menores de algunas superficies.
3) MATERIALES MAGNTICOS DUROS:
Los materiales magnticos duros, como se ha visto en el punto 1.2 b), son aquellos que retienen tenazmente el estado de magnetizacin una vez que han sido imanados. Por sus propiedades, son aptos para la construccin de imanes permanentes y memorias magnticas, aplicaciones en las cuales es de mxima importancia tener altos valores de induccin remanente Br y fuerza coercitiva Hc. De acuerdo al tipo de aplicacin, tendr preponderancia una u otra caracterstica. Para el anlisis del comportamiento como imanes o elementos de memoria, se utiliza la informacin contenida en el 2 cuadrante del lazo de histresis, en el cual se muestra el comportamiento del material cuando debe devolver la energa almacenada durante el ciclo de magnetizacin. El anlisis que se efectuar corresponde al caso de los imanes permanentes, pero puede extenderse, con correcciones mnimas, al estudio de los materiales apropiados para su utilizacin como memorias magnticas.
3.1) PRODUCTO DE ENERGA ESPECIFICA (P.E.E.):
El tramo del lazo de histeresis comprendido en el 2 cuadrante nos permite evaluar el comportamiento de un imn, ya que indica los valores de la induccin que ese imn es capaz de proporcionar en presencia de un campo magntico antagnico desmagnetizante . El campo desmagnetizante puede ser un campo antagnico
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externo, o bien puede ser el efecto equivalente de un entrehierro en el cual, para producir una induccin dada, el imn debe " superar " un valor de la intensidad de campo determinada por la longitud del entrehierro. El producto Bi.Hi, en un punto cualquiera de la curva B - H, representa la energa magntica especfica por unidad de volumen proporcionada por el imn . Si en el cuadrante situado a la derecha del tramo del lazo situado en el 2 cuadrante se representa punto a punto el valor del producto B.H energa magntica especfica , se obtiene el grfico siguiente:
El mximo valor del producto B.H se llama " producto de energa especifica " energy-product . Su valor esta dado en joule/m3 , y constituye un parmetro adecuado para evaluar materiales magnticos para imanes. Un material que tiene un elevado P.E.E. posibilita, por ejemplo, construir motores de CC con mayor cupla y potencia en tamaos ms reducidos, lo cual tiene enorme importancia tecnolgica. La bsqueda de materiales magnticos duros con elevado producto de energa especfico ha sido constante en los ltimos aos, durante los cuales se han mejorado mucho las caractersticas de los materiales para esta aplicacin, como puede verse en la tabla de la siguiente pagina: Los aceros de bajo contenido de carbono, al W y al Co han sido incluidos como referencia, ya que son raramente utilizados en la actualidad, pero sirven para mostrar la gran mejora experimentada por los materiales ms modernos. El ALNICO III es uno de los materiales en los que se aprecia queel valor del campo coercitivo Hc ha tenido un gran aumento. Este material es istropo (no presenta direcciones preferenciales). El TICONAL G y el ALNICO VII son materiales de desarrollo ms reciente , con caractersticas sobresalientes, en especial el alto valor de Br. Son anistropos, caracterstica que debe ser tenida en cuenta al disear el circuito magntico. En el caso de la Ferrita de Bario, que es un material magntico cermico moderno, puede apreciarse que sus caractersticas son comparables a materiales metlicos de excelente calidad, pero tiene un costo mucho menor. Como se puede ver el progreso ha sido realmente impresionante, en especial, en lo que se refiere a las magnitudes de campo desmagnetizante que son capaces de soportar los imanes fabricados con aleacines modernas. El gran aumento en la resistencia a los campos demagnetizantes ha trado, como consecuencia, un cambio en la forma de los imanes. En los imanes tradicionales, como el campo antagnico que podan resistir era pequeo, era necesario hacerlos en forma delgada y larga (fig. 3.3.a).
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TABLA 3.1 CARACTERSTICAS DE MATERIALES MAGNTICOS PARA IMANES PERMANENTES MATERIAL
Br Wb/m2 0.9 1.0 0.75 0.90 0.80 1.35 1.35 0.43
Hc A.V/m 4.000 5.200 11.000 20.000 50.000 52.000 60.000 175.000
P.E.E. joule/m3 2.000 3.000 4.400 9.500 17.000 55.000 75.000 32.000
Acero 1% C Acero 6% W Acero 6% Co Acero 35% Co ALNICO III (1) TICONAL G (2) ALNICO VII (2) Ferrita de Bario
N
Fig. 3.3 Formas relativas de imanes antiguos ( a ) y modernos ( b )
S a
N S b
Esto se debe a que estos imanes, por tener un Hc pequeo, no pueden soportar un campo desmagnetizante elevado, ( la forma corta y ancha , fig. 3.3.b favorece la auto desmagnetizacion). En cambio, los materiales modernos poseen valores de fuerza coercitiva muy elevados, y en consecuencia, pueden soportar campos desmagnetizantes muy intensos. Por consiguiente, se pueden fabricar con formas de pequea longitud y gran seccin. El hecho que el imn propiamente dicho tenga esa forma no causa problemas, ya que la parte restante
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del circuito magntico se puede construir con piezas polares de un material de elevada permeabilidad, generalmente hierro dulce, que por ser mecnicamente blando puede mecanizarse fcilmente con cualquier forma. Ejemplo: Supongamos que queremos emplear un imn de este tipo en un altoparlante. El circuito magntico posee un ncleo cilndrico central y en el entrehierro se encuentra la bobina mvil, como se muestra en la Fig. 3.5:
N N S
Fig.3.4 Circuito magntico tpico de un altoparlante
IMAN
Las piezas polares son de hierro dulce, que es fcil de trabajar y por lo tanto se pueden tornear y llevar a la dimensin adecuada. En un parlante de buena calidad la tolerancia es pequea porque el entrehierro es del orden de un 1 mm. El imn tiene forma de pastilla cilndrica, y se cierra el circuito magntico como se muestra en la figura 3.5. De este modo, el imn slo necesita tener dos caras bien terminadas, que son las que estn en contacto con las piezas polares de hierro dulce. Se prefiere generalmente imanar una vez terminada la construccin, a ltimo momento, para diminuir al mximo las posibilidades de que en el proceso se capten limaduras como consecuencia del fuerte campo magntico. La tecnologa actual ofrece medios por los cuales un imn se puede magnetizar perfectamente en su ubicacin final. 4) NCLEOS PARA INDUCTORES Y TRANSFORMADORES En electrnica, la aplicacin ms frecuente de los materiales magnticos se encuentra en la fabricacin de ncleos de inductores y transformadores. Como se ver ms adelante, las ventajas de utilizar ncleos ferromagnticos para el guiado de las lneas de campo magntico son tan grandes que muchos componentes no pueden ser resueltos de otra forma. Como existe una gran variedad de aplicaciones, as como rangos de potencia y frecuencia muy diversos, se presenta una amplia gama de ncleos posibles, en forma, tamao, material, entrehierro, etc, teniendo cada caso ventajas, desventajas y caractersticas particulares. A continuacin se describirn en forma general los tipos principales. 4.1) NUCLEOS LAMINADOS
Este tipo de ncleos es el ms popular en frecuencias bajas, donde se lo emplea extensamente en transformadores de potencia baja y media hasta unos 1000 VA. La materia prima usualmente Fe con un porcentaje de Si entre el 3 y el 4% viene en dos formas: a) Hojas de 1 por 2 mts si es de procedencia norteamericana puede venir en 1,27 por 2,54 mts, con espesores variables, siendo uno de los ms comunes 0,35 mm. Se lo corta con guillotina en tiras de dimensiones adecuadas a su tamao final. b) Cintas arrolladas, con espesores tpicos de 0,05 a 0,20 mm. Para su maquinado final suele fraccionar previamente al tamao apropiado.
4.1.1) NCLEOS EN ANILLO ARMADOS CON TIRAS " I "
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se lo
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Una de las formas ms sencillas de realizar un ncleo laminado consiste en utilizar lminas o chapas de hierrosilicio, como se ha mencionado en 4.1.a.. Se lo corta con guillotina en trozos de forma rectangular de las dimensiones requeridas. Luego se lo arma como indica la Fig. 4.1:
lh a
Figura 4.1
Ncleo armado con tiras " I "
Se superponen chapas hasta obtener el apilado Ap necesario para lograr la seccin de hierro deseada:
Sh = a . Ap
La seccin del hierro Sh, conjuntamente con la longitud del camino magntico en el hierro lh tambin llamada " espira magntica " constituyen los parmetros significativos del circuito magntico. Puede apreciarse que en el circuito magntico existen cuatro cortes o "entrehierros ". Veremos ms adelante que este entrehierro juega un papel muy importante en el comportamiento del circuito magntico. A menos que se haga un circuito continuo, la presencia de uno o ms entrehierros es inevitable, aunque existen mtodos para minimizarlo hasta hacerlo prcticamente despreciable. Por ejemplo, alternando el orden con que se yuxtaponen las chapas, se logran ncleos entrelazados, que tienen un entrehierro efectivo mucho menor. Los ncleos en anillo con chapas laminadas no son convenientes en tamaos pequeos, pero constituyen la nica alternativa prctica en ncleos grandes con dimensiones a mayores de 5 cm, lh mayores de 1 m.
4.1.2) NCLEOS E-I O ACORAZADOS:
Este tipo de ncleo se usa ampliamente en baja frecuencia, para tamaos pequeos y medianos, debido a las varias ventajas que ofrece: # es compacto y de fcil montaje, #
la bobina se encuentra protegida por las partes exteriores de la E por ese motivo se lo llama "acorazado ",
# la bobina puede realizarse por separado y ser montada posteriormente en el ncleo Estos ncleos utilizan lminas ( chapas ) cortadas con matriz con formas de "E " e "I ".; Fig. 4.2 : En la jerga tcnica, estas chapas E-I se denominan " laminaciones " , estando disponibles en el comercio en dimensiones normalizadas. De las alternativas constructivas para ncleos de baja frecuencia, sta es la ms difundida y cmoda de usar.( ver anexo 39 y 44)
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Fig. 4.2 Ncleo acorazado ( E - I )
Cuando se utiliza la laminacin E-I , generalmente la bobina se coloca en la parte central. por lo que las lneas de campo siguen el camino indicado en la Fig. 4.3. , con una longitud media lh tambin llamada "espira magntica". Es como se tuvieran dos circuitos magnticos en paralelo, de modo que en realidad existe un nico camino en el hierro lh. Por otra parte, la seccin efectiva del ncleo Sh es igual al ancho de la rama central " a " por el apilado " Ap ": Sh = a . Ap En un ncleo laminado, esta seccin es la " seccin bruta "; la seccin neta o efectiva es un 5 a 10% menor, debido a la inevitable presencia de aire, barniz o materiales aislantes entre las chapas metlicas.
LINEA MEDIA DEL CAMPO MAGNETICO DE LONGITUD l h
Fig. 4.3 Circulacin de las lneas de campo en un ncleo acorazado
4.1.2.1) LAMINACION SIN DESPERDICIO El formato del ncleo acorazado posibilita un buen aprovechamiento de la chapa entera de la cual se cortan las laminaciones E-I. En efecto, dimensionando adecuadamente la laminacin, y haciendo el matrizado con la secuencia apropiada, se producen dos chapas "I" y dos "E " por corte. En particular, si se dimensionan las laminaciones como indica la figura 4.3:, se obtienen lo que se denomina " laminacin sin desperdicio ", que aprovecha totalmente la hoja en que se produce el material:
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4a a/2 a/2 3a a/2 a/2

Fig.4.3 Dimensiones relativas de una "laminacin sin desperdicio Ver anexo 39 y 44
a
a/2 a/2
3a
a : ancho de la rama central

Puede observarse que las tiras " I " salen de los huecos en las dos " E ", por lo que se obtienen dos juegos completo de laminacin E - I de un rectngulo de dimensiones 3 a por 4 a , sin tener ningn desperdicio de material, lo permite reducir costos. Si el material se corta de una chapa de grano orientado, en algunos tramos no estaremos aprovechando totalmente las caractersticas del material. La circulacin en las distintas ramas no pueden coincidir siempre con la direccin preferencial del grano orientado, pero alineando esta direccin con el lado mayor del rectngulo se logra coincidencia en tres de los cuatro sectores del camino magntico, lo cual es suficientemente ventajoso. Para obviar totalmente este problema sera menester usar otro tipo de laminacin que no sea la E-I, por ejemplo un ncleo cuadrado armado de 4 tiras, en el cual s se puede aprovechar la orientacin del grano del material. Sin embargo, es mucho ms trabajoso armar un ncleo con 4 tiras que uno acorazado. Adems, se pierden las ventajas de esa construccin, y el nmero de cortes en el circuito magntico ( uniones de las distintas chapas ) aumenta a 4 ( y no 2 como en la laminacin E-I ).
4.1.3) NCLEOS TOROIDALES LAMINADOS:
Los ncleos toroidales constituyen una solucin ptima desde el punto de vista magntico. Los toroides de seccin cuadrada, construdos con materiales laminados, son realizables en dos variantes:
4.1.3.1) NCLEOS TOROIDALES DE CHAPAS PLANAS APILADAS:
Estos ncleos, como todos los toroides, ( ver Fig. 4.4 ) # Configuracin magntica ideal # Mnimo flujo disperso idealmente nulo # Entrehierro nulo es una ventaja en ciertas aplicaciones Sin embargo, adolecen de serios inconvenientes prcticos: # Imposibilidad de realizar un entrehierro esto es decisivo en ciertas aplicaciones # Gran dificultad de bobinado: el arrollamiento debe realizarse " in situ " a diferencia de otras formas de ncleo, que permiten realizar la bobina separadamente y luego montarla en el ncleo . En baja frecuencia, donde los arrollamientos suelen tener muchas vueltas de alambre fino, el bobinado de toroides requiere mquinas especiales, con alto costo asociado. # El bobinado es externo, lo cual lo hace vulnerable
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# El conjunto presenta problemas de soporte, ya que el ncleo es poco accesible El balance entre ventajas e inconvenientes restringe su uso generalizado, limitndolo a aplicaciones especiales de baja frecuencia que priorizan su disposicin geomtrica (transformadores regulables ) o su bajo flujo disperso ( amplificadores de alta sensibilidad).
Fig. 4.4 Ncleos toroidales de chapas apiladas
4.1.3.2) NCLEOS TOROIDALES DE CINTA ARROLLADA:
Estos ncleos, realizados con cintas finas de 0,02 hasta 0,2 mm, como pueden apreciarse en la fig. 4.5, poseen ventajas adicionales a las sealadas anteriormente para los toroides en general: # El pequeo espesor de la cinta, unido a la utilizacin de materiales magnticos especiales, posibilita trabajar a frecuencias de hasta 100 Khz. # Si se usan materiales de grano orientado a lo largo de la cinta, se aprovechan totalmente sus propiedades # Es posible construir ncleos de este tipo en tamaos pequeos , y encapsularlos.
Fig. 4.5 Ncleos toroidales de cinta arrollada
Estas ventajas adicionales abren un campo de aplicaciones relativamente amplio en el cual este tipo de ncleo es competitivo con otras alternativas constructivas ( transformadores de potencia en frecuencias medias ). Un inconveniente adicional es su costo elevado, comparado, por ejemplo, con ncleos toroidales de ferrita.
4.1.3.3) NCLEOS ACORAZADOS ( E-E ) DE CINTA ARROLLADA:
Una solucin ingeniosa a algunos de los los inconvenientes de los ncleos toroidales se tiene con la utilizacin de los ncleos cuasi-toroidales de cinta arrollada en configuracin E-E. Estos ncleos se fabrican de la siguiente forma: se construye un ncleo doble (en cada seccin se arrolla la cinta sobre un mandril rectangular con cantos redondeados). Las cintas se impregnan con adhesivos epoxy, de modo de contituir un conjunto slido, Fig. 4.6:
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Fig. 4.6 Ncleos acorazados de cinta arrollada
Luego se corta con laser en la direccin a-a, y se lapidan las superficies para asegurar un ptimo contacto, obtenindose un un ncleo acorazado E-E , cuyas mitades se pueden separar para colocar el arrollamiento en la rama central. Esto posibilita utilizar un carretel normal que se bobina a mquina en forma convencional. Naturalmente, esta construccin favorece el uso de materiales de grano orientado, cuyas mejores cualidades se aprovechan plenamente.
4.1.4) CLCULO APROXIMADO DE LAS PRDIDAS EN NCLEOS ACORAZADOS LAMINADOS
Para los ncleos acorazados se emplean comunmente laminaciones realizadas con materiales de hierro silicio en proporciones varias, siendo el valor ms comn de aproximadamente 3,5%. Vimos anteriormente ( punto 2.3 ) que las prdidas magnticas se pueden dividir, bsicamente, en prdidas por histresis y prdidas por corrientes parsitas:
P = Ph + Pf
En la mayora de los casos no es demasiado importante discriminar entre ambos tipos de prdidas, especialmente si se trabaja a una frecuencia constante, (como es el caso de los transformadores de alimentacin ). Lo que interesa es la cifra de prdidas totales, que se calculan fcilmente con el mtodo que se presenta a continuacin:. 4.1.4.1) PERDIDAS GARANTIZADAS Los fabricantes suelen dar, para sus materiales, el valor de las prdidas totales a una induccin y una frecuencia de referencia. Esta cifra de prdidas se conoce vulgarmente como " prdidas garantizadas", y, a falta de una informacin ms fidedigna, se puede utilizar para estimar las prdidas que se producen en un ncleo. Generalmente los valores de prdidas se dan para una induccin de 1 Wb/m2 (104 Gauss) y una frecuencia de 50 o 60 Hz segn se trate de materiales de origen europeo o norteamericano, por kilogramo de material. Por lo tanto la cifra de prdidas garantizadas se expresa en W / Kgr. Si bien las prdidas garantizadas se dan para una induccin y una frecuencia de referencia, es posible aplicar un factor de correccin Fc para obtener las prdidas a otros valores de frecuencia y/o induccin: (ver anexo 4; 5; 36)
Ph ( fi , Bi ) = Pg (60 Hz, 1Wb/m2 ) . Fc . Peso [ Watt ]

En la cual : Pg : cifra de prdidas garantizadas por el fabricante del material, para la induccin y la frecuencia referencia Fc : factor adimencional de correccin que depende de Bi y fi . B i : induccin en Tesla o Webber / m2 a la que se desea calcular las prdidas. f i : frecuencia en Hz la que se desea calcular las prdidas. Peso : peso del ncleo en Kgr. de
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El valor tpico de Pg esta entre 1 y 3 Watts por Kg para 50 Hz y 1 Wb/m2 . Con algunos materiales se consiguen valores de 0,5 W/Kg (laminaciones de grano orientado) pero, en general, no es comn bajar de 1 W/Kg , y normalmente se est alrededor de 2 W/Kg. El factor de correccin se determina experimentalmente para cada material y espesor de laminacin, aunque para materiales del mismo tipo suele ser similar, y normalmente se encuentra en tablas o grficos. Debe tenerse en cuenta que Fc depende tambin de los valores de B y f de referencia, de modo que debe cuidarse de usar las tablas apropiadas a cada caso. Generalmente, la estimacin de las prdidas es vlida si la laminacin ha sido recocida despus del maquinado, de otra forma puede arrojar valores optimistas, ya que las prdidas reales pueden ser muchos mayores que las nominales. Un aspecto que debe considerarse es el armado del ncleo. Por ejemplo, la laminacin debe ser sin rebabas, porque de otro modo, al colocar las chapas adyacentes y prensarlas para armar el ncleo, pueden entrar en contacto electrico entre s, y de esa forma las prdidas por corrientes parsitas sern mucho mayores. Tambin debe tenerse en cuenta, cuando los ncleos tienen perforaciones para prensarlos, los tornillos utilizados deben aislarse por medio de vainas y arandelas de material no conductor, para evitar caminos para las corrientes parsitas inducidas . 4.2) NUCLEOS DE MATERIALES NO METALICOS FERRITAS O POLVOS AGLOMERADOS A frecuencias medias y altas el uso de ncleos metlicos se vuelve ms y ms problemtico ya que la laminacin no alcanza evitar las prdidas por corrientes parsitas. Se utilizan entonces materiales que poseen mayor resistividad intrnseca. Estos materiales de alta resistividad pueden ser compuestos de polvos aglomerados, o cermicas ferromagnticas llamadas ferritas.
Estos materiales son mecnicamente muy duros, por lo que las posibilidades de maquinado son reducidas. Por lo tanto, se utilizan otros mtodos constructivos, consistentes en prensar las piezas con la forma deseada y en un tamao ligeramente ms grande, ya que con el horneado se produce una contraccin del 10 al 20 % en sus dimensiones lineales. Una vez horneados, se trabajan las superficies que tienen requisitos de lisura o dimensiones crticas, generalmente este maquinado por su alto costo, se aplica solamente a las caras que deben enfrentarse. Las otras dimensiones se controlan cuidando el proceso, y especificando tolerancias generosas. Estos ncleos se fabrican en tres configuraciones principales:
4.2.1) NCLEOS ACORAZADOS DE FERRITA ( E - E )
Estos ncleos tienen configuracin acorazada, pero ambas piezas son iguales, con forma de " E " ( ver Fig. 4.7 ). Sus propiedades son similares a los ncleos acorazados laminados que ya se han estudiado, con la ventaja adicional que, de requerirse un entrehierro, ste puede practicarse solamente en la rama central ( Debe solicitrselo al adquirirlo, porque se realiza durante el lapidado de las superficies). De esta forma se reduce el flujo magntico disperso que siempre se produce en un entrehierro.
Fig. 4.7 Ncleos acorazados ferrita
( E - E ) de
Como estos ncleos son muy populares para algunas aplicaciones ( por ejemplo, para los transformadores de las fuentes conmutadas usadas en las computadoras personales ), sus tamaos y caractersticas se encuentran normalizados y son fabricadas por numerosas empresas proveedoras.
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4.2.2) NCLEOS TOROIDALES DE FERRITA
Estos ncleos son muy utilizados en frecuencias elevadas, por dos razones: su muy buen comportamiento magntico, y porque en altas frecuencias los arrollamientos emplean pocas espiras, con lo cual la dificultad de bobinar los ncleos toroidales se reduce grandemente. Fig. 4.8 El material magntico ms comn el la ferrita, con lo que pueden trabajar hasta frecuencias de cientos de MHZ, pero en algunas aplicaciones especiales se emplean polvos aglomerados.
Fig.4.8 Ncleos toroidales de ferrita
4.2.3) NCLEOS EN FORMA DE CAZOLETA:
Estos ncleos, que tienen gran difusin en frecuencias entre 100 KHz y 10 MHz, tienen, como su nombre lo indica, forma de pote o cazoleta. El cierre se puede efectuar de dos maneras: con una tapa plana, o mediante otra media cazoleta igual a la primera:
TAPA
MEDIA CAZOLETA
Fig. 4.9 Ncleos cazoleta o pote

Comparando la configuracin de una cazoleta con la de un toroide, se observa que las ubicaciones respectivas del material magntico (ncleo) y del arrollamiento se han intercambiado desde el punto de vista topolgico. De esta forma se conservan varias de las ventajas de los toroides, y eliminando algunas de las desventajas de los mismos: 1) La bobina es de forma convencional, lo cual permite arrollarla por separado y con mquinas comunes. 2)
El arrollamiento o sea el Cu, se encuentra totalmente encerrado por el material del toroide, que lgicamente es muy slido. Cuando se cierra la cazoleta con una tapa plana u otra mitad igual la bobina queda totalmente protegida de eventuales daos.
3) El montaje de la cazoleta no presenta problema, porque se puede hacer una brida y sujetarla con tornillos. 4) Introducir dentro del circuito magntico un entrehierro. En otras formas de ncleo, un entrehierro causa flujo disperso, lo cual puede ser muy inconveniente el alta frecuencia. . En cambio, en una cazoleta es posible lograr un flujo disperso exterior prcticamente nulo, si se ubica el entrehierro en el ncleo central, con lo que el posible campo disperso queda confinado por la parte exterior de la cazoleta.
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5) Una cazoleta se puede construir con entrehierro variable, lo cual proporciona un sencillo y cmodo elemento de ajuste del circuito magntico, til por ejemplo para variar el valor de la inductancia. Esto puede lograrse en forma muy simple: si en la rama central se practica un orificio pasante, se puede introducir un ncleo en forma de modificar el entrehierro a voluntad. Si el ncleo mvil se encuentra en la parte exterior su efecto es muy pequeo, mientras que si se coloca en el centro, puentea en forma bastante efectiva el entrehierro. Esta posibilidad de ajuste es muy valiosa, porque por ms cuidado que se ponga en disear y construir un dispositivo, siempre hay tolerancias que es necesario compensar. De acuerdo a la composicin, fabricacin y caractersticas del material, las cazoletas son apropiadas para diferentes rangos de frecuencia y distintas aplicaciones.
Los fabricantes de ncleos proporcionan los datos tcnicos de las cazoletas (tamaos y materiales ), adems de los principales parmetros dimensionales y elctricos .
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5)
FERRITAS
En la actualidad, los materiales magnticos que han tenido un desarrollo espectacular son las ferritas. Sus caractersticas van mejorando da a da y cada vez son mas empleadas en la tecnologa moderna por sus notables cualidades y su bajo costo. Por esta razn vamos a estudiar con detalle a estos materiales. Muchas diferentes tipos de ferritas son obtenidas para distintos tipos de aplicaciones. Entre los dispositivos que utilizan este material podemos citar a filtros, transformadores, inductores, transductores, llaves magnticas y elementos de memoria. La primera ferrita natural es la magntica o piedra imn (Fe3O4 ). Las propiedades de la magnetita natural son muy variables de acuerdo a su grado de pureza; su permeabilidad inicial (i ) varia del orden de 6 a 12 , y la resistividad es del orden de 102 a 104 .cm. Las magnetitas fabricadas por el hombre, o sea las ferritas comerciales tambin contienen bsicamente oxido de hierro pero en estos materiales hay ademas otros iones metlicos que regulan las propiedades magnticas. Estas sustancias adicionales tienen generalmente valencia 2. En estos materiales se obtienen permeabilidades iniciales i de 9 a 100 para frecuencias altas hasta 600 Mhz; y permeabilidades iniciales i de 1000 a 150.000 para frecuencias bajas hasta 3 Mhz Entre los elementos usados con este fin se encuentran el magnesio, cobre, manganeso, litio, cobalto, nquel, cadmio y zinc. Debidos a estos agregados tienen aproximadamente la misma estructura que el ion Fe2+ es posible hacer amplias sustituciones manteniendo la estructura cristalina tpica de la magnetita pura (estructura cubica). En comparacin con los materiales magnticos metlicos, las ferritas son inferiores con respecto a la permeabilidad inicial, densidad de flujo de saturacin, temperatura de Curie, esfuerzos mecnicos, etc. En contrapartida con estas desventajas, las ferritas dominan el campo de los ncleos usados para alta frecuencia. La razn para esto es muy simple: las ferritas tienen extremadamente alta resistividad. Las ferritas no se fabrican mediante procesos metalrgicos sino mediante procesos cermicos tpicos. El procedimiento mas frecuente usado consiste en calcinar inicialmente la mezcla; de esta forma los ingredientes reaccionan entre si y se crea el material deseado para la ferrita. Luego, el luego se somete a procesos que permiten moldearlo y hornearlo. La denominado "prensado en seco" (sinterizado). Entre las variables que mas afectan a las propiedades de las ferritas encontramos: pureza de los materiales empleados, distribucin del tamao de las particulares, presin usada para dar forma al producto, etc. El horneado es la operacin mas delicada para obtener las propiedades cermicas y magnticas deseadas. La temperatura de horneada esta comprendida entre 1200 y 1450 C y debe ser cuidadosamente regulada, lo mismo que el contenido de oxigeno de la atmsfera del horno. Con el mismo criterio aplicado anteriormente, las ferritas tambin puede ser clasificadas en dos grandes grupos: ferritas magnticamente blandas (Soft Magnetic Ferrites) y ferritas magnticamente duras (Hard Magnetic Ferrites). 5.1) FERRITAS MAGNTICAMENTE DURAS: En este campo no hay prcticamente variantes respecto a lo ya visto para los materiales magnticos duros. Como informacin damos una tabla actualizada de algunas ferritas utilizadas para este fin:
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FERRITAS DE BARIO PARA IMANES PERMANENTES MATERIAL Item Isotropico Codigo 02

Induccin Reman. Br (G) Fuerza Coercitiva Hc (Oe) Induccin Max. Bmax (G) (BH) max (106G.Oe) Br/Br.1/C (%/C) Hc/Hc.1/C (%/C) Tc (C) Densidad (g/cm3 ) L/L.1/C (10-5%/C)
o
Anisotropico-Proceso Humedo Codigo 06

4000 ~ 4300 1800 ~ 2200 1800 ~ 2200 3.6 ~ 4.0 -0.19 +0.48 450 5.0 ~ 5.2 1.0 ~ 2.0 > 105
Anisotropico-Proceso Seco Codigo 010

3300 ~ 3700 1800 ~ 2200 1900 ~ 2300 2.3 ~ 2.8 -0.19 +0.42 450 4.9 ~ 5.1 1.0 ~ 2.0 > 105
Codigo 07
3300 ~ 3700 2800 ~ 3200 3000 ~ 3500 2.5 ~ 3.0 -0.19 +0.35 450 4.5 ~ 4.7 1.0 ~ 2.0 > 106
2200 ~ 2400 1800 ~ 2000 3200 ~ 3900 1.0 ~ 1.3 -0.19 +0.22 450 4.9 ~ 5.0 1.0 ~ 1.5 > 105
(-cm)
Application
Motors
Speakers, comunications equipment, vacuum pumps, motors
Telephone sets
5.2) FERRITAS MAGNTICAMENTE BLANDAS: Estos materiales se caracterizan por tener relativamente alto valor de permeabilidad (en baja frecuencia) y principalmente muy bajo valor de fuerza coercitiva (Hc). Ademas el rea del lazo de histeresis es pequeo. El factor fundamental en la eleccin de un material determinado es el rango de frecuencia en el cual se desea trabajar.En la figura siguiente se puede ver el rango de frecuencias cubierto por los distintos tipos de ferritas comerciales.
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Otro parmetro importante son las perdidas producidas en el material a distintas frecuencias. Comnmente, a este factor los fabricantes lo denominan como tgs/i (factor que depende solamente del tipo del material). En las figuras que siguen, se muestran los valores de i y de tgs/ i en funcin de la frecuencia para ferritas comerciales del tipo Mn-Zn que son aptos para frecuencias bajas y se puede notar que el valor de i es bastante elevado en todos los casos. Se da tambin los grficos correspondientes a ferritas del tipo Ni-Zn aptas para altas frecuencias.
Fig 5.2 De la comparacin se nota que los materiales de alta frecuencia tienen un valor de i mas bajo pero tambin tienen perdidas (tgs) mucho menores.
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Captulo IV
Ver anexo 26
Ver anexo 27
5
Captulo IV
Captulo IV
Ver anexo 37
Captulo IV
Ver anexo 38
El factor tgs tiene en cuenta las perdidas por histeresis mas las perdidas por corrientes parsitas y las perdidas residuales: tgs = tgh + tge + tgr donde: tgh: factor de perdidas por histeresis. tge: factor de perdidas por corrientes parsitas. tgr: factor de perdidas residuales
tg = h1.
Ls Rs .I + C1. f + r1 = V .Ls
h1: coeficiente de perdidas por histeresis. C1: coeficiente de perdidas por corrientes parsitas. r1: coeficiente de perdidas residuales. I: corriente pico (en amperes). f: frecuencia (en Hertz). Ls: inductancia de la bobina con ncleo (en Hy). = 2. .f. Rs: resistencia de perdidas del ncleo. V: volumen del ncleo (en cm3 ). En los ncleos de ferrita es virtualmente imposible separar las perdidas por corrientes parsitas de las perdidas residuales. Otra forma, muy comn en la bibliografa europea, es estudiar el factor de perdidas definiendo lo que se denomina "permeabilidad compleja":
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Fig. 5.3 Valores de y " en funcin de la Frecuencia
= S ' S "
Ver anexo 29
Z = Rs + j Ls = j.. .Lo
Lo: inductancia de la bobina sin ncleo.
Ls Rs j. L0 .L0
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S ' =
Ls L0
tg =
S "=
Rs S " = S ' .Ls
RS .L0
En la figura siguiente se puede apreciar los datos suministrados por los fabricantes para un tipo determinado de material: En la siguiente tabla se resumen los datos de inters para distintos tipos de ferrites TIPOS DE FERRITES DE ALTA FRECUENCIA
ITEM SYMBOL AC iniytial permeability Efective saturation magnetic flux density Effective retentivity Effective coercivity uiac Bms Gauss UNIT 10L 10 _+20% 2000 (100 Oe) Brms Hcms Gauss Oerste d 700 10 <0.90 (20 MHz) X10-4 20L 20_+20% 2200 (100 Oe) 900 10 <0.80 (10 MHz) <1.10 (50 MHz) <1.90 (100 MHz) 2000 3000 <0.75 (10 MHz) 40L 40_+20% 2300 (50 Oe) 1400 8
Ni-Zn ferrites
Relative loss factor
tang/uiac
<1.80 (100 MHz) <10.00 (200 MHz)
Relative loss coeffient of uiac (50 KHz) Relative temperature coefficient of iac (0~60 C) Curie temperature Disaccommodation factor Electrical resistivity Density
h10 ur X10-6
2000
-150~150
-150~150
3~18
Tc DF p d
C X10-6 -cm g/cm3
>500 -50 1 x 106 4.4
>500 -50 1 x 106 4.3
>400 -30 3 x 105 4.5
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TIPOS DE FERRITES DE BAJA FRECUENCIA

ITEM SYMBOL UNIT AC iniytial permeability Efective saturation magnetic flux density Effective retentivity Effective coercivity uiac Bms (10 Oe) Brms Hcms Gauss Oerste d X10-6 1700 0.50 <20 900 0.30 <4.5 (100 KHz) 700 0.25 <1.7 (50 KHz) <2.3 (100 KHz) Relative loss coeffient of uiac (10 KHz) Relative temperature coefficient of uiac (0~60 C) Curie temperature Disaccommodation factor Electrical resistivity Density Tc DF d C X10-6 -cm g/cm3 >160 -60 4 x 103 4.6 >145 -3 200 4.8 >150 -5 700 4.7 >150 -5 700 4.7 ur X10-6 h10 <100 (50 KHz) 0~5.0 0.5~2.0 0.5~1.5 -0.6~0.6 <30 <15 700 0.25 <1.7 (50 KHz) <2.3 (100 KHz) <15 Gauss 801F 800_+20 % 4000 1800F 1800_+20% 3900 2001F 2000_+20% 4000 2002F 2000_+20% 4000
Mn-Zn ferrites
Relative loss factor
tang/uiac
(500 KHz)
5.3) CARACTERSTICAS PRINCIPALES DE LAS FERRITAS 5.3.1) COEFICIENTE DE TEMPERATURA: El i de las ferritas para baja frecuencia (alto i) es mas afectado por el cambio de temperatura que el i de las ferritas para alta frecuencia (bajo i). En las figuras que siguen se puede notar este efecto:
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Fig 5.4 i en Funcin de la Temperatura en Baja Frecuencia (ver anexo 28) y Alta Frecuencia (ver anexo 24) Se observa ademas, la diferencia notable de la temperatura de Curie de los distintos materiales. Se define como coeficiente de temperatura de la permeabilidad inicial de:
2 1 = 1
1= permeabilidad inicial a la temperatura T1 1= permeabilidad inicial a la temperatura T2
1 T - T 2 1
T > T 2 1
Los fabricantes, en general, dan el valor del coeficiente de temperatura relativo, definido como:

En la figura siguiente se da otro ejemplo de como se suele presentar la informacin: Se observa una disminucin apreciable en la variacin del 1 con la temperatura al agregar un entrehierro en el circuito magntico. El coeficiente de temperatura relativo con entrehierro se define como:
1 = 2 12 re e = 1 1 1 + 1a 1h
1 T - T 2 1
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FIGURA 5.5 (ver anexo 3)
e: permeabilidad afectiva longitud del entrehierro.; lh: longitud del circuito magntico. 5.3.2) FACTOR DE DESACOMODACIN:
inicial.;
1a:
Se denomina desacomodacin al factor que mide la variacin de permeabilidad inicial con el tiempo, bajo condiciones constantes de operacin, especialmente con referencia a la temperatura. Pruebas sobre un periodo de varios aos muestran que la permeabilidad de una ferrita decrece linealmente si el tiempo se grfica logartmicamente. El factor de desacomodacin D se define como:
D=
t1 t1
t2 t1. log 11
11: permeabilidad inicial al tiempo t1 ; e /1 podemos escribir:
12: permeabilidad inicial al tiempo t2
Dada que toda variacin de inductancia es reducida por el agregado de un entrehierro la relacin
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FIGURA 5.6 Normalmente los fabricantes dan el valor de DR. En la siguiente figura se puede observar lo comentado: 5.3.3) MAGNETOSTRICCION Se denomina as al cambio de longitud que sufre un ncleo bajo la influencia de un campo magntico. La mas grande variacin ocurre al llegar el ncleo a la saturacin:
l l
Este efecto puede producir en los transformadores de potencia vibraciones audibles muy molestas. Montajes especiales solucionan este problema. Sin embargo, en otras aplicaciones (p.e. generadores de ultrasonido) es la caracterstica buscada. 5.3.4) FACTOR DE INDUCTANCIA
Se define como:
L Al = 2 N
(10-9 Hy).
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L: valor de la inductancia con un determinado ncleo; N: numero de espiras de la bobina. En general se expresa en nHy
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FIGURA 5.7
El valor de Al es dependiente del material del ncleo, de la forma del mismo y fundamentalmente del entrehierro empleado. Para una determinada forma, cuando mas grande es el entrehierro menor ser el valor del Al, pero se consigue una gran estabilidad en la inductancia. En ncleos con entrehierro grande se puede especificar Al con gran exactitud (del orden del 3 %). Como ejemplo se dan los datos dados por un fabricantes de cazoletas en los cuales se pueden observar lo dicho anteriormente:
TIPO DE NUCLEO MATERIAL AL ( nH ) TOLERANCIA PERMEABILIDAD EFECTIVA
63.3 50.0 39.8 31.6 28.3 25.0 63.3 50.0 39.8 31.6 28.3 25.0 11.0
ENTREHIERRO TOTAL
250 400 630 1801F 1000 1250 FPA229-1-22 1600 250 400 630 2001F 1000 1250 1600 8300 -+5% -+25% -+3% +5% +3%
51.8 82.8 130 207 259 331 51.8 82.8 130 207 259 331
1.45 0.86 0.46 0.26 0.20 0.15 1.45 0.86 0.46 0.26 0.20 0.15 0
15
Captulo IV
16
5.4) EN INDUCTORES CON NCLEO
Las perdidas totales son:
tg total = tg bobina + tg ncleo

donde:
tg bobina = tg dc + tg prox + tg se + tg cap

perdidas debidas a la resistencia en c.c.
tg dc: tg se: tg cap: y
tg prox: perdidas debidas al efecto de aproximacin. perdidas debidas a corrientes parsitas. perdidas debidas a la capacidad parsita.
tg ncleo = tgh + tg p + tg r
tgh: perdidas por histeresis. tg p: perdidas por corrientes parsitas. tg r: perdidas residuales. Si en el circuito magntico del ncleo se adiciona un entrehierro, la tangente de perdidas resultante (tg g ) vale:
tg g =
tg = perdidas para ncleo sin entrehierro
e .tg i
e < i
e = permeabilidad efectiva inicial o sea que se puede lograr una disminucin de las perdidas en el ncleo, con un aumento real del Q obtenido.
Se puede demostrar que para una intensidad de campo muy pequea tgh 0 se logra el mximo Q total, cuando para un determinado valor de ###e y para una dada frecuencia se cumple que:
tgp + tgr = tgbobina

La obtencion de Q en forma analtica en inductores con ncleo es de gran complejidad no siendo de utilidad en la practica normal. Los fabricantes, como ayuda para el diseo, presentan esta informacin de distintas maneras. Pueden ser construidas curvas en la que aparece Q como parmetro, en ordenadas valores de L en absisas los valores de frecuencia. Se construye un juego de curvas para cada tipo de ncleo distinto, siendo estas curvas el resultado experimental del Q obtenido para distintas bobinas utilizando un determinado tipo de ncleo. Estas curvas se denominan de iso-Q y en el ejemplo que se muestra en la pagina siguiente vemos en la parte superior de la figura los Q y L obtenidos con alambre de cobre macizo. Las lineas horizontales marcan dos ejemplos tpicos; L = 4 mHy para una bobina de 500 vueltas de un alambre de 0,1 mm de dimetro y L = 1,8
mHy para una bobina de 100 vueltas con alambre de 0,2 mm de dimetro y un Q que va de 250 a 100 de
acuerdo a la frecuencia utilizada (Q menores de 100 no se grafican). En la parte inferior de la figura se muestra los datos obtenidos utilizando alambre de tipo Litz.
16
Captulo IV
17
CURVAS DE ISO-Q (ver anexo 21):
FIGURA 5.8
Otros fabricantes presentan esta informacin de la siguiente manera: Ver anexo 2

17
Captulo IV
18
Ver anexo 1 FIGURA 5.9

18
Catulo V
pgina
CAPITULO V
INDUCTORES
Un inductor es un dispositivo que ha sido construdo para tener un determinado valor de inductancia. La magnitud de esta inductancia debe ser adecuada a la funcin circuital que debe desempear el inductor. En este captulo haremos un anlisis general de las caractersticas de los inductores, para posibilitar su estudio, su clculo o verificacin y su proyecto. El anlisis de las caractersticas bsicas de los inductores que se realizar en primer lugar es totalmente general; por lo tanto, es aplicable a cualquier inductor, ya sea de frecuencias bajas, medias y altas, as como de baja y alta potencia. 1) INDUCTANCIA E INDUCTORES 1.1) ALGUNAS CONSIDERACIONES SOBRE LA INDUCTANCIA Cuando una corriente elctrica circula por un conductor genera un campo magntico que, a su vez, induce en el circuito una fuerza electromotriz que trata de oponerse a la que produce la corriente ( ley de LENZ ). La magnitud de esta fuerza electromotriz de auto induccin depende de la corriente, de su variacin temporal, y de una caracterstica propia del circuito por donde circula la corriente llamada coeficiente de auto induccin o inductancia " L ".
e = L.
dI dt
L = Inductancia del circuito. Se expresa en [Henry ], cuya dimensin es [ Volt . seg / Ampere ] Todos los circuitos poseen inductancia, en menor o mayor grado. Algunas veces es muy pequea, y sus efectos pasan inadvertidos. En otras ocasiones su valor es considerable, an cuando no se la haya introducido deliberadamente, y la energa electromagntica acumulada en el circuito:
Energa = 1/2 L I2
alcanza valores considerables, pudiendo causar daos muy importantes en los elementos del circuito, y an constituir un riesgo para la vida humana. Desde el punto de vista tcnico, la inductancia es una caracterstica de gran importancia, que se busca deliberadamente en los componentes construdos a ese efecto, llamados inductores. Estos dispositivos poseen mltiples aplicaciones: seleccin de frecuencias circuitos sintonizados y filtros, limitacin de corriente, generacin de altas tensiones, etc. Tambin es tcnicamente relevante el conocimiento de los factores que producen una inductancia significativa en los casos que tal circunstancia es indeseable inductancia residual o parsita, para posibilitar su minimizacin a valores tolerables. 1.2) CARACTERSTICAS DE LOS INDUCTORES: Un inductor debe presentar un dado valor de inductancia, que generalmente se desea que permanezca constante para variaciones de corriente, temperatura, frecuencia, etc. Como se ver ms adelante, un inductor presenta un comportamiento ptimo solamente dentro de una banda relativamente restringida de frecuencias ( a lo sumo dos dcadas ), por lo que el conocimiento de sus distintas caractersticas es vital para su correcto aprovechamiento. Si bien idealmente un inductor debe poseer solamente inductancia, los inductores reales presentan adems otras caractersticas ( generalmente no deseadas ), que afectan considerablemente su comportamiento, a tal punto que , en casos extremos, dejan de tener utilidad prctica. La principal limitacin de los inductores reales es que presentan prdidas. Distintos fenmenos, que sern analizados ms adelante, producen disipacin de energa, que a efectos del anlisis se representan por elementos resistivos en los que se producen prdidas equivalentes. A frecuencias elevadas aparece otro fenmeno: la acumulacin de energa en forma de campo elctrico empieza a tener significacin, lo que suele representarse por medio de capacitores equivalentes. El comportamiento de inductores reales puede ser analizado por medio de circuitos equivalentes, que son disposiciones circuitales de elementos ideales que se comportan, en condiciones determinadas, en forma similar al elemento real. Estos circuitos equivalentes pueden adquirir diferentes formas y configuraciones, desde las muy simples, que representan en forma bsica el comportamiento real, hasta otras ms elaboradas, que ofrecen menor margen de error como
2 pgina compensacin de su mayor complejidad. Las caractersticas fundamentales de un inductor, desde el punto de vista de su utilizacin tcnica, son bsicamente: Tecnologa Electronica Catulo V
# El valor de la inductancia del inductor ( L ), expresada en Henry o sus submltiplos (mili, micro o nanoHenry ). # El valor de la resistencia equivalente de prdidas, o lo que es similar, el factor de mrito o Q del inductor. # El rango de frecuencias de trabajo. Alternativamente, una informacin equivalente puede ser el valor de la capacitancia distribuda o la frecuencia de autoresonancia.
# La capacidad de manejo de corriente, tensin o potencia # Las dimensiones fsicas. 1.3) MODELOS CIRCUITALES DE UN INDUCTOR: En principio, desde el punto de vista circuital, para evaluar el comportamiento de un inductor a una determinada frecuencia lo que interesa conocer es su impedancia. Esta puede expresarse en distintas formas: con mdulo y fase, con L y R equivalente serie, o con componentes en paralelo. Con cualquiera de estos pares de valores puede definirse el valor de impedancia del inductor, Z. 1.3.1) CIRCUITO EQUIVALENTE SERIE DE UN INDUCTOR: En este modelo -muy usado en baja frecuencia-, la impedancia del inductor real se expresa por medio de un circuito equivalente serie, es decir que para un elemento real que manifiesta una impedancia Z, definida por Z ohms en mdulo, y grados en fase se lo asimila a un circuito ideal que tiene nicamente una componente reactiva jXl y en serie una componente real Rs , ambas absolutamente puras. ( Fig. 1.1 ):
Z =
(Z
)=
R + jX
Rs: Componente resistiva XL: Componente reactiva inductiva

I
V I a) XL
Z Rs
b)
FIG. 1.1 Circuito equivalente serie de un inductor real Estrictamente, no es cierto que este circuito equivalente tenga existencia real: lo que sucede es que el elemento ( a esa frecuencia ) se comporta como el circuito equivalente formado por los elementos ideales Ls y Rs. El circuito equivalente es vlido, a priori, slo para una determinada frecuencia. El rango de frecuencias en que la validez puede considerarse aceptable depende de las caractersticas particulares del elemento real. Por ejemplo, a frecuencias muy bajas, un inductor real puede ser representado adecuadamente mediante un circuito equivalente serie formado por un inductor y un resistor ideal. ambos ideales. de valor igual a la resistencia ( Fig. 1.1 ) Un factor que contribuye a la utilidad de este circuito equivalente es que la resistencia equivalente serie es, fundamentalmente, la resistencia de CC del arrollamiento del inductor real. A medida que la frecuencia aumenta, empiezan a aparecer otras prdidas en el inductor: prdidas por aumento de la resistencia efectiva debidas a los efectos pelicular y de proximidad; prdidas dielctricas en la aislacin del arrollamiento; si el inductor tiene ncleo ferromagntico, prdidas en el mismo debido a
3 pgina corrientes parsitas y a histresis. Estas prdidas de CA pueden representarse por medio de un resistor equivalente adicional Rsca , colocado en serie ( como se ve en laFig. 1.2.a), tal que: Tecnologa Electronica Catulo V
I 2 .Rsca = Pca
1.3.2) CIRCUITO EQUIVALENTE PARALELO DE UN INDUCTOR Otra forma de representar el comportamiento del inductor real es por medio de un circuito equivalente paralelo, formado por inductor Lp, en serie con la resistencia del arrollamiento Rcc, y este conjunto en paralelo con un resistor Rpca que representa la totalidad de las prdidas de CA que se producen en el inductor real ( Fig. 1.2.b ), o sea:
V2 = Pca Rpca
En algunos casos, la resistencia Rcc del arrollamiento se deja en serie con el inductor Lp porque de esa forma, la ubicacin de esta resistencia coincide con la interpretacin intuitiva del comportamiento del inductor. La resistencia Rcc suele ser significativa slo a bajas frecuencias, ya que a frecuencias mayores se hace despreciable frente a la resistencia Rpca que representa las otras prdidas de CA que van apareciendo.En realidad, como se ha sealado en el punto anterior, a frecuencias altas las prdidas totales se originan principalmente en el arrollamiento, pero no tanto por la resistencia a la C.C. en s misma, sino por los efectos pelicular y de proximidad, que son los causantes de la mayora de las prdidas que se producen en los inductores a frecuencias elevadas.En ambos circuitos equivalentes, las prdidas totales deben ser iguales.
4 pgina Esto tambin significa que, en cada caso, Rs y Rp deben disipar la potencia total de prdidas que se atribuye 2 2 Tecnologa Electronica Catulo V
al inductor, por lo tanto:
Pca = I .Rs =
V Rp
1.3.3)
EQUIVALENCIA DE LOS CIRCUITOS EQUIVALENTES SERIE Y PARALELO
Como los circuitos equivalentes serie y paralelo son representaciones del mismo inductor real, resulta interesante comparar los valores de los componentes de ambos circuitos. Por ejemplo, en la Fig. N 1.3., se desea calcular cunto valen los componentes del circuito paralelo Lp y Rp ( Fig. 1.3-b), suponiendo que es equivalente al circuito serie de la Fig. 1.3-a. Para ello se supone que ambos circuitos tienen, a una frecuencia dada, la misma impedancia. Para el circuito serie la impedancia vale: Zs = Rs + jwLs (1)
Mientras que para el circuito paralelo se tiene:
1 1 1 = + Zp Rp jwLp Rp + jwLp Yp = jwLpRp jwLpRp Zp = Rp + jwLp Yp =

Racionalizando y separando la parte real de la imaginaria:
w 2 RpLp 2 Rp 2 wLp Zp = +j 2 2 2 2 Rp + w Lp Rp + w 2 Lp 2
(2)
Como son representaciones de un mismo inductor real, ambos circuitos equivalentes deben tener el mismo valor de impedancia. Por lo tanto, se tiene que:
w 2 RpLp Rs = = Rp 2 + w 2 Lp 2
Catulo V 2
pgina
Rp Rp 2 +1 w 2 Lp 2
(3)
LpRp 2 Lp Ls = = 2 2 Rp 2 + w 2 Lp 2 w Lp +1 Rp 2
En un circuito paralelo el Q vale:
(4)
Q=
Rp wLp
(5) (6)
Rs =
Luego, las (3) y (4) se pueden escribir:
Rp 1 + Q2 Lp Ls = 1 1+ 2 Q
De esta forma relacionamos los valores de los elementos componentes de ambos circuitos equivalentes. Una importante simplificacin puede hacerse si el Q del inductor es mayor de 10 (como es comn en los inductores de R.F.). En ese caso, con un error menor que el 1%, resulta:
Rp Q2 Ls Lp Rs
(7) (8)
Puede apreciarse que si el Q es alto ( no necesita ser muy grande, alcanza que sea mayor de 10 ), las inductancias serie y paralelo son prcticamente iguales, mientras que las resistencias equivalentes de prdidas son muy diferentes. En efecto, si el Q tiende a infinito, Rs tiende a cero, mientras que Rp tiende a infinito ( para ambos circuitos equivalentes el efecto de las resistencias equivalentes de prdidas tiende a anularse ). En cambio, si el Q es bajo, se produce una diferenciacin entre los valores de las inductancias serie y paralelo, al mismo tiempo que los valores de las resistencias serie y paralelo se van aproximando para prcticamente igualarse si el Q tiende a cero. Veamos un ejemplo: suponiendo que Q=3 ( es un Q bajo, pero posible en baja frecuencia ), de acuerdo a (6) se tiene:
Ls =
Lp Lp = 0.9 Lp 1 1 1+ 2 1+ 9 Q
En este caso, como el Q es bajo la inductancia serie es 10% menor que la inductancia paralelo.
6 pgina Esto tiene importancia, porque normalmente los inductores no se individualizan por el valor de su impedancia (mdulo y ngulo de fase, lo cual permitira conocer los parmetros del inductor, independientemente del circuito equivalente usado para representarlo ), sino que generalmente se los identifica por su inductancia y su Q. Por lo tanto, tambin es necesario indicar si se trata de inductancia serie o paralelo, ya que si el Q es bajo no son iguales. Por ejemplo, se dice que un inductor tiene una inductancia de 10 Hy y un Q = 3 , pero resulta que esos 10 Hy podran ser 9 Hy, segn el circuito equivalente que se utilice. Si el inductor es de Q alto ( mayor que 10 ) esa diferencia se vuelve despreciable. Esto es lo que ocurre generalmente, ya que en la prctica los inductores suelen tener Q mucho mayores que 10. (En alta frecuencia se encuentran valores del Q de 100 y an mayores ). 1.3.3.1) INDUCTORES DE RF SIN NCLEO: DEFINICIN DE Q : Se define Q como la relacin entre la potencia Reactiva y la potencia Activa. Tecnologa Electronica Catulo V
PREACTIVA X L .I 2 X L Q= = = = tg p ACTIVA R R.I 2

Cuando XL = 0 Q = 0 se trata de un resistor ideal . ( =0) Cuando R = 0 Q = , se trata de un inductor ideal . ( = 90). Q-Factor de calidad o factor de mrito, varia entre 0 e Analogamente vale para impedancias con carcter capacitivo : En la pagina 4 se demuestra la equivalencia entre un circuito en serie y un circuito en paralelo , de una L y una R. Recordemos: Q =
X LS Rp = Rs X LP
Para Q 10
Rs =
Rp Q2
Rp = Rs.Q 2
Ls = Lp = L
Luego:
Q=
.L
Rs
Rp .L
y anlogamente
Q=
1 = .C.Rp .C.Rs
D=
1 Q
Factor de Prdidas Factor de disipacin
1.3.3.2) CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN INDUCTOR DE Rf CON NCLEO DE AIRE:
Catulo V
pgina
1.3.3.3) DETERMINAR : Qe = f (QL ; ) SERIE EQUIVALENTE Y LA CAPACIDAD DISTRIBUIDA Cd
Zab = Zab =
Zab = Zcd Zcd = Re+ j .Le (R + j .L ). 1 j .Cd Zab = 1 R + j .L + j .Cd R + j .L R + j .L Zab = = j .Cd .R 2 .L.Cd + 1 (1 2 .L.Cd ) + j .Cd .R (R + j .L ).[(1 2 .L.Cd ) j .Cd .R ]
(1 .L.Cd )
2
+ R 2 . 2 .Cd 2 +
(1 .L.Cd )
2
R
2
+ R 2 . 2 .Cd 2
(1 .L.Cd )
2
j .L 1 2 .L.Cd .R. .Cd 2

2
+`R 2 . 2 .Cd 2
Si consideramos que Q 10 resultan despreciables (R2.2.Cd2)
y (R..Cd2) y nos queda que:
Zab = Zcd = Re+ j .Le =
(1 .L.Cd )
2
+ j
(1 .L.Cd )
2
.L
Re =
De esta igualdad tenemos:
(1
R
2
.L.Cd
R 1 0
2
dado que es
1 = L.Cd
2 0
Catulo V
1.3.3.4) FACTOR DE DESINTONA es:
pgina
Re =
(1 )
2 2
Qe =
.Le
Re
.L (1 2 .L.Cd )
(1 .L.Cd )
2
2 = Q 1 .L.Cd = Q 1 = Q 1 2 0
Qe = Q. 1 2
2
1.3.3.5) OBTENCIN DEL VALOR DE Cd: Se agrega una capacidad C con el fin de sintonizar a L, que agregamos a las figuras que nos preceden.
1 0
1 L(C + Cd ) = 1 Cd = C + Cd Cd = 1 1 C + Cd C + Cd L.Cd
Luego reemplazando en Re, Le y Qe:
Cd Re = R1 + C
Cd Le = L1 + C
Qe =
Q Cd 1+ C
Catulo V
pgina
Si pasamos a resistencia equivalente paralelo:
Re PARALELO = Qe 2 . Re
Q2 Cd Re PARALELO = .R.1 + = RPARALELO Cd C 1+ C Re PARALELO = RPARALELO

Si sintonizamos con C a una frecuencia f1 con un valor C1 ; y para una frecuencia f2 = 2.f1 con un valor C2
1 2. .L(Cd + C1 ) 1 1 f1 = = 2.2. .L.(Cd + C2 ) 2. .L(Cd + C1 )

:
f1 =
f2 =
;;;;
1 2. .L(Cd + C2 )
1 1 = 2.(Cd + C2 ) (Cd + C1 )
Cd = C1 2.C2
1.3.3.6) OTRA FORMA DE PLANTEO : Un generador de E = Cte se carga con una L y luego la misma L con un capacitor C que puede ser su propia capacidad distribuida Cd, en paralelo con L .
Catulo V
pgina ;;;
10
IL =
E XL
;;
IL =
X Le =
E XL E
IC =
E XC
IT = I L I C
IT
IT < I L
Xe > X L
Le > L
1.3.3.7) OBTENCIN DE Q0 y QL 1) Haciendo un analisis del circuito planteado tenemos:
I=
E r 2 + (X L X C )
2
En bajas frecuencias A la frecuencia f0 A frecuencias Altas

2
XC > XL XC = XL XL < XC
Es resonancia : Io =E / r mxima corriente , Po=Io r1 mxima potencia. Cuando la reactancia equivalente es igual a r, =45 la corriente se reduce a un 70% de Io. Para f1 f0 y f0 f2 en ambas = 45 tenemos:
I1 2 =
P1-2 =Rx I1-22 = 0,5 Po,
E = 0,707.I 0 R. 2
P 2 = 10. log P 2 = 10. log 1 1
Entre los puntos de -3dB se define el ancho de banda pasante: f = f 2 -f1 El Q del circuito, visto del generador es igual a cero. No obstante, podemos definir un Qo de resonancia tal que:
1 = 3dB 2
ANCHO DE BANDA PASANTE: Analisis por variacin de f y luego de C , que son dos formas de 2) medir el Q en Laboratorio a falta de un Qmetro.
1 R 0 .C.R 1 1 1 Q .Q .L Qo = 0 = = = = L C Si por construccin rL r rL 1 1 rL + rC QL + QC + C + 0 .C.R + QL QC 0 .L 0 .L 0 .L del instrumento C es de muy buena calidad : Qc >> QL , luego Q0 QL Qo = =
R = RL + RC
r = rL + rC
0 .L
Catulo V
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11
a) ANCHO DE BANDA POR VARIACIN DE FRECUENCIA
f1.< f0 f2 > f0
Sumando:
f0
1 =r 1.C 1.L
f 0 2 .L
1 =r 2 .C
1 1 + 2 .L 1.L = 2.r 1.C 2 .C

1 1 1 + L.( 2 1 ) = 2.r C 1 2
Considerando:
f= f2 - f1 - w = w2 - w1. f1 x f2 f02 - W02 w1 x w2 .
1 . 2 + L. = 2.r C 0
Pero
woL = L.w + L.w = 2.r
1 W0.C
L = 1/ w02 c. L = 1 r w
2. L. w = 2.r Qo = Wo = fo w f
Luego :
WoL = Wo
b) ANCHO DE BANDA POR VARIACIN DE CAPACIDAD:
1 Para C1: .C .L = r 1
Para C2 :
.L
1 =r .C2
Catulo V
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12
Sumando ambas expresiones se tiene:
1 C2 C1 . = 2.r C2 .C1
1 1 1 1 1 = 2.r . = 2.r C1 C2 .C1 .C2 1 C . 2 = 2.r similar al caso anterior 10 C0
Q0 =
1 2.C0 = .C0 .r C
Q0 =
2.C0 C
3) FACTOR DE SOBRETENSIN:
VL = I.XL ;;;
Vc = I. Xc
En resonancia
VL = Io. X L =
VL = E.Q0
VC = I 0 . X C =
E . X L = E.Q0 r
VC = E.Q0
E . X C = E.Q0 r
Si para cualquier estado de carga, dentro del rango de frecuencia estipulado, se mantiene E constante, la cada de potencial en resonancia en los elementos reactivos pueden contrastarse en valores de Q. En el Qmetro, dicho voltmetro est sobre C ya que C y el voltmetro de Q son partes internas del instrumento y adems, como ya se dijo, por construccin C es un capacitor de muy bajas prdidas, resultando ms precisa la medicin. Qmetro: un diagrama de bloques, sera:
Catulo V
pgina
13
GENERADOR DE RF: unidad que entrega tensin variable entre 50 KHz y 50 MHz. Hay una unidad cuyo rango de frecuencia es de 50 MHz a 300 MHz. El generador es convencional y se compatibiliza con lo visto en Med. Electrnicas II. INTERFASE: Se encarga de mantener la tensin de inyeccin constante al circuito de medida, con una impedancia interna de 0,01r, a los fines de que no sea considerada (por despreciable) en las mediciones que se realicen. Su esquema bsico sera:
El voltmetro V mantiene la tensin constante. El siguiente divisor, est compuesto por una resistencia cuyo valor es del orden del M en serie con la de inyeccin. La impedancia interna de la interfase, es fcil ver que ser del orden de 0,01r. Asimismo, estado de carga diferentes, en el circuito de medida no afectarn a la corriente I y por lo tanto la tensin ser constante. Hay algo muy cmodo en este instrumento y es: si se contrasta V para medir en el voltmetro de Q, 250, si se inyecta V/2 , el circuito tendr que tener un Q de 500 para igualar la tensin del voltmetro de Q. Esto permite tener un multiplicador voltimtrico sin necesidad de conmutar nada en la unidad de medida. Podra agregarse en esta breve explicacin que la interfase de la unidad hasta 300 MHz tiene un divisor inductivo, una unidad nacional marca LEA tipo taller, tiene un divisor capacitivo. Histricamente, cuando no existan rectificadores de silicio, se usaba el mtodo de la termocupla. UNIDAD DE MEDIDA: Est compuesta por: dos bornes, llamados bornes inductivos, dos bornes llamados capacitivos, un capacitor variable de muy baja prdida ( 30 pf a 400 pf)con dial al frente, un capacitor vernier para ajustar + 5pf + 10pf, que puede ser realmente un pequeo capacitor en paralelo, o una desmultiplicacin muy pronunciada del principal, un voltmetro contrastado en valores de Q. Uso: para qu sirve un Qmetro, instrumento encuadrado dentro del mtodo de resonancia? Ejemplos: 1) MEDIR UNA Le: se coloca el inductor en BL, se fija una C y se barre f . En algn punto de f se visualiza una sobretension ( la de resonancia) se lee: C, f, y Q, se puede calcular Le, Rse, Rpe. Se hace notar, que si no se obtiene resonancia, se vuelve a la misma operacin con otra C. 2) MEDICIN DE UNA C 400pf: Se coloca un inductor auxiliar que se sintoniza con C mx (C1). Se introduce el capacitor en BC, se resintoniza bajando C (C2), luego : Cx= C1 -C2. y se podran obtener ms
Catulo V
pgina
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datos de Cx, acudiendo a las frmulas generales, como se ver. 3) MEDICIN DE UNA C >400 pf: El mismo instrumento trae un dispositivo que permite colocar Cx en serie con La y cortocircuitarlo, cuando se lo requiera. Con Cx cortocircuitado y C prximo a mnimo se mide en sintona (C1). Se abre la llave y se aumenta C hasta volver a sintona (C2). Luego: y valen las consideraciones del punto 2)
C1 =
Cx.C2 Cx + C2
Cx =
C1.C2 C2 C1
Con esta introduccin se puede objetivar que el mtodo sirve para medir cualquier tipo de dipolos, ya que su circuito equivalente a la f de medida, ser: Le, Re Ce, Re Re , muy rara vez Ce Le. Tngase presente, que si se introduce un dipolo, el Q cae, pero no se desintoniza, se est introduciendo una R. Las mediciones se clasifican en : sustitucin pararlelo (Ej. 2)) y sustitucin serie ( Ej. 3)). Si en el mtodo paralelo, hay que aumentar la capacidad para volver a resonancia, el dipolo tiene carcter inductivo, lo mismo ocurre si en el serie hay que disminuir capacidad, por ello, para comenzar con una impedancia incgnita, conviene colocar C a valores prximos a la mitad. Su amplia versatilidad (medir componentes dielctricos, antenas, impedancia , caracterstica y Constante de Atenuacin en lneas de Rf, etc.) es funcin del uso que se le de y entonces, resulta ms que til, necesario, interiorizarse del manual. FRMULAS PARA OBTENER VALORES DE CUALQUIER TIPO DE DIPOLOS (Q > 10):
L L
R1
C1
R1
Xx
R2
C2
SUSTITUCIN SERIE.
Q1 =
1 1.C1.R1
R1 =
1 Q1.1.C1
(1)
Q2 =
1 2 .C2 .(R1 + R2 )
R1 + R2 =
1 Q2 . 2 .C2
(2)
X QX = X R2
a) Q DE CARCTER CAPACITIVO
C 2 > C1 ..(a) C 2 < C1 ..(b)
X XCap =
1 = .C X
C2 .C1 C2 C1
CX =
C2 .C1 C2 C1
Catulo V
pgina
15
X XInd . = .LX =
C2 .C1 C1 C2
LX =
1 C1 C2 . 2 C2 .C1
(3)
C2 C1 QX = .C2 .C1.R2
1 Q1. .C1 +
C2 C1 R2 = .QX .C2 .C1

(C2 C1 )
= 1 Q2 .C2 .
Continuando con el desarrollo Serie, sumando las expresiones (1) y (3)
.QX .C2 .C1 (C 2 C1 ) Q .C Q2 .C 2 1 1 = = 1 1 Q X .C 2 .C1 Q2 .C 2 Q1 .C1 Q1 .Q2 .C 2 .C1

Despejamos QX y resulta:
QX =
CALCULO DE R2 Desarrollando la ecuacin (2) se tiene:
Q1.Q2 .(C2 C1 ) Q1.C1 Q2 .C2

Q1.1.C1 Q2 . 2 .C2 Q2Q1.1. 2 .C1.C2
R2 =
1 Q2 . 2 .C2
R1 =
1 Q2 . 2 .C2
1 Q1.1.C1
2 = 1 1 (Q .C Q2 .C 2 ) R2 = . 1 1 = Rs Q2 .Q1 .C 2 .C1
Sabiendo que: X En la que reemplazando la (3) y el valor obtenido de Rs se obtiene Rp
Rp = Q 2 .Rs
(C2 C1 )2 .Q1.Q2 Rp = (Q1.C1 Q2 .C2 ). .C1.C2 .Q1.Q2
SUSTITUCIN PARALELO:
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16
Q1 = .C1.R1
R1 =
Q1 .C1
(1)
Q2 =
Q2 R2 1 = = Q1 R1 + R2 1 + R1 R2
R1.R2 . .C1 R1 + R2
;
X C 2 // X X = X C1
1+
R1 Q1 = R2 Q2
R1 Q1 = 1 R2 Q2
R1 Q1 Q2 = (2) R2 Q2
a) C1 > C2 Q CAPACITIVO
QX =
R2 XX
C1 > C 2 (a ) C1 < C 2 (b)
1 1 = C X = C1 C2 .C X .(C1 C2 )
b) C1 < C2 Q INDUCTIVO
.LX =
1 .(C2 C1 )
LX =
1 2 .(C2 C1 )
QX = R2 . .(C2 C1 )
Reemplazando (1) y (3) en (2)
R2 =
QX .(C2 C1 )
(3)
Q1 .(C2 C1 ) Q1 Q2 = . .C1 QX QX
De la ecuacin (3) obtenemos:
QX =
Q1.Q2 .(C2 C1 ) C1.(Q1 Q2 )
R2 = Rp =
Q1.Q2 .(C2 C1 ) C1.(Q1 Q2 ). .(C2 C1 )

2
Rp =
Q1.Q2 .(Q1 Q2 ).C1
Rp Q1.Q2 .C1 .(Q1.Q2 ) Rs = = 2 2 2 QX C1.(Q1 Q2 ). .Q12 .Q2 .(C2 C1 )

2
Catulo V
Rs =
C1.(Q1 Q2 ) .(C2 C1 )2 .Q1.Q2
pgina
17
1.3.4) CIRCUITO EQUIVALENTE PARA ALTA FRECUENCIA. Veamos como el circuito equivalente que hemos considerado se puede perfeccionar para tener en cuenta la llamada Capacitancia Distribuida o parsita, que tiene mucha importancia en altas frecuencias. En un inductor real hay infinitos puntos entre los cuales existe una diferencia de potencial, por lo que inevitablemente se produce acumulacin de energa en forma de campo elctrico. En frecuencias bajas esta energa es despreciable frente a la energa magntica, pero a medida que la frecuencia crece se vuelve ms y ms importante. Idealmente, para representar esta acumulacin de energa elctrica hara falta utilizar infinitos capacitores, ya que hay infinitos puntos entre los que se acumula la energa. Aparece entonces el concepto de capacitancia distribuda . Si bien este concepto puede inclurse en cualquier circuito equivalente, la forma ms cmoda de aplicarlo es en el circuito paralelo. En un inductor real que se representa con su resistencia de prdidas en paralelo, aparece entre cada una de sus espiras y las adyacentes un efecto capacitivo,
como se muestra en la Fig. 1.5: Idealmente, se tendran infinitas capacitancias, porque realmente se tiene una capacitancia distribuida. Por lo tanto, la representacin exacta del efecto de acumulacin de energa elctrica es imposible, pero para la mayora de los usos prcticos este efecto puede ser adecuadamente representado por un nico capacitor Cd colocado entre los extremos del inductor, como se muestra en la Fig. 1.5. 1.3.5) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA EFECTIVA EN ALTA FRECUENCIA: Para un anlisis simple del circuito equivalente paralelo en alta frecuencia, puede considerarse que el capacitor Cd es ideal y por lo tanto sin prdidas, por lo que su inclusin no modifica los valores de la inductancia Lp y de la resistencia equivalente de prdidas Rp. Si se quiere determinar el valor de la parte reactiva formada por Lp y Cd :
1 wLp XcXL 1 wCd X= = = wLp 1 Xc + Xl 1 w 2 LpCd + wLp wCd
18 pgina Puede observarse que si anteriormente la reactancia del circuito vala solamente wLp, la adicin de la capacitancia distribuda implica considerar una nueva reactancia equivalente reactancia efectiva, que es igual al producto de la reactancia inductiva por un factor que depende de la capacitancia distribuida, la frecuencia y la inductancia. Esto es lo mismo que considerar que la inductancia efectiva Lp del nuevo circuito es es igual a: Tecnologa Electronica Catulo V
L p = Lp
1 1 w 2 LpCd
(9)
Como el denominador de la (9) siempre es menor que 1, la inductancia efectiva L'p es mayor que la original Lp > Lp . Esto quiere decir que uno de los efectos de la capacitancia distribuda es el aumento de la inductancia efectiva. 1.3.5.1) FRECUENCIA DE AUTORRESONANCIA fo A medida que la frecuencia sube, aumenta la inductancia efectiva, cada vez con mayor rapidez, hasta tender 2 a infinito cuando el denominador de la (9) se anula
1 .Lp.Cd = 0
Esto ocurre cuando las reactancias inductiva y capacitivas se compensan al llegar a la frecuencia de resonancia entre Lp y Cd . Esta frecuencia fo , llamada de autoresonancia del inductor, es un parmetro importante y caracterstico de cada inductor. Cuando el denominador de la ( 9 ) se anula, la frecuencia de autoresonancia fo es igual a:
fo =
1 2 . LpCd
Reemplazando en la frmula (9), es posible expresar la inductancia efectiva L'p de otra forma:
L p = Lp
f 1 fo
()
(10)
Si se representa la inductancia en funcin de la frecuencia, suponiendo que la inductancia de baja frecuencia es Lo , se obtiene un grfico del tipo de la Fig. 1.6, que muestra claramente que, para la frecuencia de resonancia, la inductancia efectiva tiende a infinito. En la mayora de los circuitos prcticos no es admisible un aumento grande de la inductancia efectiva. Por lo tanto, para evitar variaciones excesivas, se trata que la frecuencia de trabajo no se aproxime a la frecuencia de autorresonancia. Como criterio general, se intenta ubicar la fo diez veces por encima de la frecuencia de trabajo normal del inductor:
fo = 10 ft
De esta forma se evita que la variacin de la inductancia efectiva supere el 1% de la inductancia de baja frecuencia Lo ( y , como que se ver ms adelante, del Q del inductor, ya que el aumento de inductancia produce a su vez una reduccin en el Q efectivo ).En algunos casos resulta difcil o imposible cumplir con el critario anterior. Si se puede tolerar un mayor aumento de la inductancia efectiva, pueden utilizarse relaciones fo / ft de cinco ( y hasta cuatro en casos especiales ), con incrementos de la inductancia efectiva del 4 al 6%.
19 pgina 1.3.5.2) COMPORTAMIENTO DEL INDUCTOR POR ENCIMA DE LA FRECUENCIA DE AUTORRESONANCIA Tecnologa Electronica Catulo V
Si se aumenta la frecuencia aplicada al inductor por encima de fo, la expresin ( 10 ) arroja valores negativos. Esto significa que la reactancia es capacitiva ( la reactancia capacitiva predomina por sobre la inductiva ). Circuitalmente, el inductor se ha convertido efectivamente en un capacitor. Si bien en algunas raras aplicaciones puede aplicarse este efecto, generalmente es indeseable, porque el capacitor resultante es de valor variable y de bajo Q. Adems, como realmente el efecto de la capacitancia distribuda puede representarse slo imperfectamente por un nico capacitor en paralelo, en el inductor real se producen otras resonancias ( algunas en serie y otras en paralelo ) que hacen muy difcil prever su comportamiento para frecuencias superiores a la de resonancia. Estas resonancias espreas pueden eventualmente ser peligrosas para el inductor si ste maneja potencias importantes, como ocurre en los circuitos resonantes utilizados en amplificadores de RF de potencia. 1.2.5.3) CHOQUES DE R.F. (ver parrafo 5.2) Existe otra aplicacin de los inductores en la cual el objeto no es obtener un Q elevado, sino la impedancia mxima. Es el caso de los llamados choques de R.F.. Para lograr la mxima impedancia, se hace
trabajar el inductor cerca de la frecuencia de autoresonancia fo. A esa frecuencia, el inductor se comporta como un resistor de valor elevado, ya que la reactancia inductiva se compensa con la capacitiva, desapareciendo la componente reactiva (ver ms adelante multicapa Honey Comb). 2) PRDIDAS EN INDUCTORES En todo inductor real se produce disipacin de energa, es decir, se producen prdidas. Estas prdidas tienen distintos orgenes, entre los cuales podemos mencionar: a) Prdidas debidas a la resistencia del bobinado. Esta resistencia, que en baja frecuencia est constituda por la resistencia hmica del alambre del arrollamiento, es mucho mayor en alta frecuencia debido al efecto pelicular. Prdidas por corrientes parsitas inducidas en materiales conductores prximos al inductor:( blindaje, terminales, soportes, chasis, etc.).
b) Prdidas en el bobinado por efecto de proximidad. c)
d) Prdidas dielctricas en los materiales aislantes asociados al inductor ( soporte del arrollamiento, aislaciones, etc.).
Catulo V
pgina
20
e) Prdidas en el ncleo , si hay nucleo. f) Perdidas por Efecto Pelicular: Se producen en el conductor en alta frecuencia en un inductor o cualquier conductor rectilneo.(se ha estudiado en el Capitulo III). Considerando en un primer anlisis un inductor sin ncleo ferromagntico, por lo cual las prdidas en el ncleo no son tenidas en cuenta, las de mayor importancia en frecuencias elevadas son las debidas a los efectos pelicular y de proximidad, ya que las restantes, con un diseo adecuado y empleando los materiales apropiados, pueden reducirse a valores despreciables. Por lo tanto, se estudiarn con algn detalle las prdidas por efectos pelicular y de proximidad, que son las que ms interesan en el caso de los inductores sin ncleo. 2.1) EFECTO DE PROXIMIDAD Este efecto se produce como consecuencia de la influencia que sobre la corriente que circula por un conductor ejercen los campos magnticos generados por corrientes que recorren conductores prximos. En el caso de los inductores, reviste especial importancia la interaccin entre la corriente que recorre un inductor con los campos producidos por esa misma corriente en las restantes espiras del mismo. Supongamos un trozo de espira de una bobina. Analicemos que pasa sobre un plano que cotiene al eje del conductor Fig. 1.7 .
Debido al campo magntico perpendicular al corte que producen las otras espiras en la masa metlica del conductor parsitas se inducen corrientes i, que tratan de crear un campo magntico antagnico al campo productor H . Puede verse en la Fig. N 1.7 que a un lado del plano paralelo al campo las corrientes parsitas tienen el mismo sentido que la corriente principal, mientras que del otro lado tienen sentido contrario. Por lo tanto,las corrientes parsitas provocan una redistribucin de la densidad de corriente en el conductor. Esta redistribucin de la corriente dentro del conductor significa que la seccin del mismo se
21 pgina aprovecha en menor grado, lo cual equivale a un aumento de la resistencia equivalente del conductor. Excepto en algunos casos de geometra muy simple, las prdidas debidas al efecto de proximidad no pueden ser calculadas en forma sencilla, ya que para el clculo es necesario conocer la configuracin del campo magntico actuante sobre cada espira, lo que presenta grandes dificultades. Tecnologa Electronica Catulo V
Aunque no sea posible realizar una determinacin cuantitativa, es muy importante tener una idea cualitativa de su magnitud, as como de las variables constr uctivas de las que depende. El efecto de proximidad se incrementa si el bobinado se realiza muy apretado, de modo que para disminuirlo conviene dar un cierto espaciado a las espiras, como se ver ms adelante. El comportamiento del efecto de proximidad respecto de la frecuencia es, como dijimos, similar al del efecto pelicular, presentando las tres zonas: de baja frecuencia, donde su importancia es muy pequea; de transicin; y de alta frecuencia ( para d/ mayor que 5 ), donde es proporcional a f.. Tambin muestra la misma dependencia de la resistividad del material.
Estas analogas posibilitan estimaciones cualitativas del comportamiento del efecto de proximidad tomando como referencia el efecto pelicular, que es fcilmente calculable. Generalmente, el clculo prctico de las prdidas totales por efectos pelicular y de proximidad de un inductor se efecta en forma indirecta, por medio de frmulas aproximadas que nos permiten conocer el Q del inductor. Estas frmulas tienen adecuada validez en la zona de alta frecuencia, donde la profundidad de penetracin puede considerarse pequea con respecto al dimetro del conductor. 2.2) COMPORTAMIENTO DEL Q DE INDUCTORES SIN NCLEO CON LA FRECUENCIA: El factor de mrito Q de un inductor tiene gran influencia sobre las posibilidades de aplicacin del mismo, ya que en muchos casos determina la prestacin de los circuitos que utilizan el inductor. Por ejemplo, la ganancia de una etapa amplificadora de alta frecuencia est determinada por el Q del inductor utilizado. Tambin las caractersticas de un filtro selectivo de frecuencia dependen del Q de los inductores que lo componen. Si bien el Q de un inductor ya construdo puede medirse fcilmente si se dispone del instrumental necesario ( Qmetro , puente de alta frecuencia, etc ) , no puede hacerse lo mismo si el inductor est siendo proyectado, o si se desea conocer la dependencia entre los parmetros elctricos del inductor y las diferentes alternativas constructivas. Por lo tanto, es importante analizar el comportamiento del Q de los inductores con la frecuencia, desde las ms bajas hasta la mxima utilizable. A ese efecto, efectuaremos un anlisis simplificado de la dependencia del Q de los inductores sin ncleo con la frecuencia. Si bien, dada la complejidad del problema, el anlisis debe necesariamente restringirse a los efectos ms importantes, sirve para visualizar las causas del comportamiento del Q de un inductor cuando se vara la frecuencia de trabajo, y para determinar importantes criterios para la operacin y proyecto de los mismos. Para simplificar el anlisis, se dividir el rango total de frecuencias en cuatro zonas, en cada una de las cuales el Q tiene una dependencia determinada de la frecuencia. I) ZONA DE MUY BAJA FRECUENCIA: Consideremos un inductor representado por un circuito equivalente serie ( Fig. N 1.8 ). A frecuencias muy bajas ( f0 ) las nicas prdidas son las ocasionadas por la resistencia hmica del bobinado, y por lo tanto la resistencia equivalente es la resistencia a la c.c., Rcc. Se tendr entonces:
Catulo V
pgina
22
Q=
wL 2Lf = Rcc Rcc

Q = K1 . f
Puede verse que como L y Rcc son constantes, el Q es una funcin lineal de la frecuencia:
II) ZONA DE BAJAS FRECUENCIAS ( DE TRANSICIN ) Si la frecuencia se eleva, comienzan a insinuarse prdidas de CA, debidas a los efectos pelicular y de proximidad. En esta zona se produce la transicin entre una conduccin con ocupacin plena de la seccin del conductor d/ < 2 a una mayormente pelicular d/ < 5 . Puede estimarse que la resistencia de CA es:
Rca = Rcc ( 1 + K2 . f)
Donde ( 1+K2.f2 ) suele valer entre 1 y 1,5 , de acuerdo a las dimensiones, forma y separacin entre las espiras de la bobina. Se tiene entonces:
Q=
.L
R
Rcc.(1 + K 2 . f 2 )
.L
Como K2 >> 1, el comportamiento del Q con la frecuencia abandona la linealidad de la zona anterior pero muy moderadamente. III) ZONA DE ALTA FRECUENCIA D/>5, DISTRIBUCIN DE CORRIENTE NETAMENTE PELICULAR S se aumenta la frecuencia de tal modo que d/>5 ( distribucin de corriente netamente pelicular) los efectos pelicular y de proximidad se harn predominantes. Teniendo en cuenta que si d/>5, tanto el efecto pelicular cuanto el de proximidad son proporcionales a f se tiene:
R = Rcc . Ka f
Siendo Ka un factor que tiene en cuenta dimensiones y forma del inductor. Por lo tanto, el Q vale ahora:
Q=
wL 2 f L 2 L = = R R ccK 3 f RccK 3
Q = K3 . f
Vemos entonces que en esta zona , de la mayor importancia, ya que la mayora de los inductores de radio frecuencia trabajan en este rango de frecuencias, el Q es directamente proporcional a la raz cuadrada de la frecuencia. IV) ZONA DE MUY ALTA FRECUENCIA INFLUENCIA DE LA CAPACITANCIA DISTRIBUDA
23 pgina Si seguimos aumentando la frecuencia, la capacitancia distribuda de la bobina comienza a hacerse notar. Para analizar su influencia sobre el Q conviene pasar al circuito equivalente paralelo. Como en alta frecuencia el Q es elevado, no hay una diferencia apreciable entre los valores de Lserie y Lparalelo. Catulo V
Sabemos que para el circuito paralelo:
Q=
Rp wLp En un primer anlisis, la adicin de la capacitancia

Q = Q = wLp Q = Rp wL p Rp 1 1 w LpCd
2
distribuda no modifica la resistencia equivalente de prdidas Rp, mientras que se a visto que la inductancia
Rp (1 w 2 LpCd ) wLp
Lp aumenta a un valor Lp . Se tiene entonces:
Q = Q 1 w 2 LpCd
2 f Q = Q 1 fo
()
(10)
Resulta evidente que como el trmino entre corchetes es menor que la unidad, el Q modificado es menor que el Q original. Por lo tanto, un efecto de la capacitancia distribuda es disminuir el Q efectivo del inductor. La reduccin se va haciendo ms importante a medida que nos aproximamos a la frecuencia de autorresonancia fo, a la cual el Q se anula.
Esto es debido a que en autorresonancia las reactancias inductiva y capacitiva se compensan, quedando el inductor convertido en un elemento puramente resistivo por lo tanto, con Q = 0. En la Fig. N 1.9 se ha graficado el comportamiento tpico del Q en funcin de la frecuencia. En la figura se pueden apreciar las cuatro regiones:
REGIN I:
pgina FRECUENCIAS MUY BAJAS , slo interviene Rcc, el Q depende linealmente de la frecuencia.
Catulo V
24
REGIN II: FRECUENCIAS BAJAS, 2 < d/ < 5 ), los efectos pelicular y de proximidad se insinan, el Q deja de depender linealmente de la frecuencia. REGIN III: FRECUENCIAS ALTAS, d/ > 5, la conduccin es netamente pelicular), los efectos pelicular y de proximidad son predominantes, el Q es proporcional a f. Esta es la zona normal de trabajo de los inductores de alta frecuencia ( fo/100 < ft < f0/5 ) REGIN IV: FRECUENCIAS MUY ALTAS, fo/10 < f < fo ), predomina el efecto de la capacitancia distribuida Cd, el Q disminuye y se anula para f = fo. Para simplificar el anlisis, no se han tenido en cuenta las prdidas dielctricas que se producen en los materiales aislantes de soporte de la bobina, ni las prdidas por corrientes parsitas inducidas en materiales conductores prximos al inductor. En general, si en el inductor se emplean materiales de calidad apropiada y usando tcnicas contructivas adecuadas, estas prdidas adicionales sern pequeas frente a las prdidas producidas en el arrollamiento, por lo cual el ignorarlas no invalida el anlisis anterior. La importancia y extensin relativas de las cuatro regiones de la Fig. N 1.9 dependen del tipo de inductor y sus formas constructivas. Los solenoides, ampliamente utilizados en frecuencias elevadas, trabajan generalmente en la zona de unin de las regiones III y IV ( Q mximo y aproximadamente constante), pero en algunos casos, de acuerdo a las exigencias circuitales, pueden ser trabajados en zonas de Q creciente o decreciente con la frecuencia. Para los inductores multicapa, la regin II empieza ms temprano y la regin III es ms pequea porque como la capacidad distribuida es muy elevada, su influencia se hace notar a frecuencias mucho ms bajas. En la mayora de los casos conviene trabajar los inductores en las proximidades del Q mximo pero antes de que ste comience a disminuir, por lo que la frecuencia de autoresonancia fo debe encontrarse 10 veces por encima de la frecuencia de trabajo. Esto fija un lmite superior en el valor admisible de la capacidad distribuida Cd. En el caso de utilizarse un ncleo ferromagntico, el anlisis de la variacin del Q con la frecuencia que se ha efectuado no es totalmente vlido, pues las caractersticas del ncleo, que pueden ser dominantes, dependen de la frecuencia. Adems, debido a la insercin del ncleo, la distribucin del campo magntico se altera significativamente, de modo que las prdidas en el arrollamiento pueden aumentar fuertemente ( " prdidas de insersin " ). Ms adelante se realizar un anlisis aproximado del inductor con ncleo. Raramente se justifican anlisis ms elaborados, teniendo en cuenta lo trabajosos que resultan y los grandes errores que inevitablemente se cometen, frente a lo sencillo que resulta la determinacin experimental. El anlisis se ha efectuado utilizando el circuito equivalente serie para frecuencias bajas y altas, mientras que para la zona de muy altas frecuencias se ha empleado el circuito paralelo. Esto es razonablemente vlido si el Q es elevado, como ocurre generalmente en radio frecuencia. Es posible hacer el anlisis utilizando el circuito equivalente serie para todo el rango de frecuencias, pero las expresiones en la zona IV ( de muy altas frecuencias ) se haran ms complicadas. En cualquier caso, el resultado debera ser el mismo si el anlisis est bien hecho. Si la frecuencia de trabajo es menor de un de un dcimo de la de resonancia, la reduccin del Q es menor del 1%. Si se admite una variacin mayor, puede trabajarse hasta un quinto de la resonancia. Se ha visto ( ver punto 1.3.5 ) que para evitar variaciones significativas de la inductancia efectiva no debe trabajarse muy cerca de la autoresonancia. La reduccin del Q constituye otra razn para mantener la frecuencia de trabajo por debajo de un dcimo ( o un quinto ) de la frecuencia de autorresonancia. 3) FORMAS CONSTRUCTIVAS MAS COMUNES DE LOS INDUCTORES DE RADIOFRECUENCIA SIN NUCLEO (ver anexo 35) Se los llama " sin ncleo " ( o " con ncleo de aire " ), aunque eventualmente puedan incluir algn material aislante para soporte o aislacin. Este tipo de inductores ha sido desplazado por los inductores con ncleo ferromagntico en todas las aplicaciones excepto altas y muy altas frecuencias ( por arriba de 10 MHz ). Sin embargo, conviene empezar el estudio de los inductores prcticos con estos tipos constructivos, para ms adelante analizar la influencia que produce la aplicacin del ncleo en sus caractersticas y funcionamiento. 3.1) SOLENOIDE MONOCAPA:
25 pgina Este tipo constituye la forma ms sencilla en que se puede contruir un inductor. Consiste en un arrollamiento cilndrico de dimetro constante D, con una longitud total " l ", las espiras guardan entre s un paso " p ", y el dimetro del conductor es " d " . ( ver Fig. N 2 ) : Tecnologa Electronica Catulo V
p = l/N N: nmero de espiras
l
FIG. N 2 Solenoide monocapa: dimensiones principales El inductor monocapa puede tener espiras juntas, en cuyo caso p es practicamente igual a d debido al espesor de la aislacin, p (1,05 a 4) d, o sino puede ser con un paso mayor que el dimetro.. El solenoide tiene las ventajas de que la inductancia se puede calcular con buena aproximacin y que su capacitancia distribuda es mnima, dado que un extremo est bien alejado del otro, y que la distancia entre espiras puede hacerse grande. Adems, la separacin de las espiras se elige de modo que el efecto de proximidad sea pequeo, de modo que a frecuencias altas el Q obtenible es grande. Los solenoides monocapa encuentran su campo de aplicacin en radiofrecuencias mayores de 1 Mhz, ya que para frecuencias menores conviene usar otras alternativas constructivas, pudindose utilizar hasta frecuencias de algunos cientos de MHz, donde la longitud de onda se reduce a valores comparables con las dimensiones de los componentes o de las interconexiones entre los mismos. En muchos casos de inductores para frecuencias elevadas, a las cuales el conductor utilizado es grueso, el solenoide se construye arrollndolo sobre una forma que luego se retira, de modo que la bobina queda autosoportada. En esa forma se eliminan las prdidas dielctricas producidas por el material utilizado como soporte. En los solenoides que tengan inductancia muy constante, es conveniente obtener la mxima estabilidad en las dimensiones fsicas. Para esos casos, se lo bobina sobre formas cilndricas que tienen practicadas ranuras para guiar el alambre de modo de tener perfectamente determinadas sus dimensiones, Fig. 2.1 :
muesca alambre nervio
a)
b)
FIG. N 2.1 Solenoide monocapa : a) vista lateral; b) vista axial Si la forma es de un material que tiene un coeficiente de dilatacin pequeo, es evidente que las dimensiones fsicas no sufrirn una variacin significativa con los cambios de temperatura, con lo cual la inductancia mantendr un valor estable. En otros casos se utilizan nervios longitudinales ranurados, y el alambre se apoya slo en esos nervios. De esa forma se minimizan las prdidas dielctricas que se producen. Actualmente, con el advenimiento de los nclos de ferrite, el uso de los inductores sin ncleo se ha visto disminudo en forma considerable. Sin embargo, en aquellos casos en que el nivel de potencia es elevado, o es necesario asegurar una gran constancia de la inductancia con la temperatura o con la corriente, conviene usar solenoides con ncleo de aire, en los cuales, al no poseer elementos alineales, el valor de la
26 pgina inductancia es totalmente independiente de la corriente. En general, para el rango de frecuencia ( tpicamente mayor que 1 MHz ) en que se utilizan los solenoides, el alambre utilizado para el arrollamiento es slido . Tecnologa Electronica Catulo V
3.2)
INDUCTORES MULTICAPA
Cuando se desea obtener valores de inductancia mayores de algunas decenas de microhenrios, el tamao de un solenoide monocapa sin ncleo se vuelve generalmente demasiado grande para los usos prcticos, sobre todo si es necesario blindarlo. Puede entonces apelarse al recurso de bobinar una o ms capas sobre la primera, con lo que la inductancia aumenta considerablemente o, lo que es equivalente, para una inductancia dada el tamao es menor ( ver Fig. N 2.2 ):
Fig. N 2.2
Inductor multicapa con bobinado "a granel
Esta forma constructiva, llamada bobinado " a granel ", si bien es muy efectiva para conseguir inportantes aumentos en la inductancia especfica ( inductancia por unidad de volumen ), presenta el inconveniente de que debido a la cercana entre las espiras, tanto la capacitancia distribuida cuanto las prdidas por efecto de proximidad son muy grandes, de tal manera que, salvo a frecuencias muy bajas no mayores de 100 KHz, el Q es tan reducido que el inductor no es apropiado para muchas aplicaciones.
3.2.1) BOBINADO UNIVERSAL ( HONEY COMB )

Una forma de reducir la capacitancia distribuida y las prdidas por efecto de proximidad, conservando las ventajas del arrollamiento multicapa, es el llamado bobinado " universal o honeycomb " ( que en castellano significa " panel de abeja " ). Este tipo de arrollamiento se realiza con una mquina bobinadora que imprime al alambre un movimiento oscilatorio longitudinal al tiempo que lo enrrolla. De esta forma, en las capas adyacentes las espiras se van cruzando, y dejan de estar paralelas, por lo que la capacitancia distribuda y las prdidas por efecto de proximidad son mucho menores que en un bobinado a granel. Esto permite quel los inductores con bobinado universal o honeycomb sean utilizables hasta frecuencias de algunos MHz. Si bien la capacitancia parsita en este caso es mayor que en el caso de un solenoide monocapa, es mucho menor que para un multicapa bobinado a granel a espiras totalmente juntas. Existen diferentes tcnicas en la forma de hacer el bobinado, de acuerdo a las relaciones entre las distintas dimenciones y al ngulo de cruce que se da a las espiras. Tambin tienen importancia el tipo de aislacin y la tensin del alambre. Es evidente que en los inductores con bobinado universal no se puede usar alambre desnudo porque las espiras estn en contacto. Generalmente se usa alambre forrado con una o dos capas de algn material sinttico nylon o acetato. Como entre alambre y alambre hay una capa aisladora de bastante espesor, la bobina es " esponjosa ", lo cual redunda en una significativa disminucin tanto de la capacitancia distribuda cuanto del efecto de proximidad. (ver parrafo 5.2). (ver anexo 35)
3.3) INDUCTORES PLANOS (ver prrafo 4.3)

Una alternativa constructiva relativamente reciente es la correspondiente a los inductores planos o planares , construdos en su mayora con circuitos impresos o alguna de sus variantes tecnolgicas (tecnologas hbridas, etc ). Esta forma constructiva consiste en desarrollar el arrollamiento en forma de espiral, por ejemplo sobre una placa de circuito impreso ( ver Fig. N 2.3 ) :
Catulo V
pgina
De
27
De
Di
Di
a)
b)
Fig. N 2.3 Inductores planos realizados sobre circuito impreso Como puede apreciarse en la Fig. N 2.3, la espiral puede realizarse con arcos a) , o lneas rectas b) de acuerdo al espacio disponible, las facilidades de dibujo y la resolucin alcanzable con la tecnologa a utilizar. Por ejemplo, con circuitos impresos convencionales, los anchos de lneas mnimos realizables son de 0,25 a 0,3 mm ( 250 a 300 micrones ) , con separacin entre lneas de valores similares. En circuitos hbridos pueden lograrse lneas y separaciones de hasta 10 micrones, mientras con tecnologas microelectrnicas el lmite est en el orden del micrn. Si bien estos inductores son planos, las modernas tecnologas constructivas posibilitan fcilmente el apilamiento de numerosos elementos interconectados entre s, con lo cual pueden obtenerse valores elevados de inductancia en espacios pequeos. 4) VERIFICACION ( CALCULO ) DE LOS PARMETROS ELCTRICOS DE INDUCTORES SIN NUCLEO La determinacion de los parmetros elctricos de un inductor require relacionar sus caractersticas constructivas con los conceptos de la teora electromagntica. En general, el planteo a nivel terico no es difcil, pero el problema aparece cuando se intenta resolver las ecuaciones aplicndolas al caso prctico. En la prctica, el uso de los inductores requiere dos tipos diferentes de clculos: # EL CASO DE LA VERIFICACIN o clculo del inductor ( determinacin de los parmetros elctricos a partir de sus caractersticas constructivas ) # EL CASO DEL PROYECTO DEL INDUCTOR ( determinacin de las caractersticas constructivas a partir de la especificacin de los parmetros elctricos En ambas situaciones deben utilizarse mtodos y frmulas sencillas, con aproximacin suficiente para los requerimientos del caso. A continuacin se desarrollarn los clculos correspondientes a los casos de verificacin, dejando el proyecto para el punto siguiente. 4.1) CALCULOS EN INDUCTORES MONOCAPA Dentro de las dificultadas mencionadas anteriormente, el caso del solenoide monocapa constituye uno de los ms sencillos, dada la "claridad " de su disposicin y de las pocas variables geomtricas involucradas. El anlisis que se efectuar a continuacin es un buen ejemplo de la aplicacin de conceptos tericos a problemas ingenieriles, por lo que se lo desarrollar con el suficiente detalle para obtener resultados de inters ingenieril, realizando la evaluacin de los principales parmetros elctricos del inductor conjuntamente con las consideraciones tecnolgicas relevantes desde el punto de vista constructivo.
4.1.1) CLCULO TERICO DE LA INDUCTANCIA DE UN SOLENOIDE MONOCAPA.

De acuerdo a la teora electromagntica, la inductancia es igual al nmero de concatenaciones (nmero de espiras ) del flujo dividido por la corriente que lo produce:
Catulo V
L=
N . I
pgina
28
Como el flujo es igual a la fuerza magnetomotriz ( N.I ) sobre la reluctancia del circuito magntico, resulta:
N .I N . 2 N L= = I
Esta frmula es totalmente general y puede utilizarse en cualquier caso en que el nmero de concatenaciones y la reluctancia del circuito magntico estn definidos. Por ejemplo, esto simplifica considerablemente el clculo de la inductancia de inductores con ncleo, en los que la reluctancia puede definirse sencillamente, pero en los casos prcticos de inductores sin ncleo de alta frecuencia, la dificultad principal suele encontrarse en la determinacin de las dimensiones del circuito magntico, por lo que la reluctancia no es fcil de conocer. Para aplicar la frmula general de la inductancia a un solenoide monocapa, el clculo es simple para el caso ideal de una bobina de longitud muy grande con respecto al dimetro ( l/D infinitamente grande ) y bobinado con lo que se llama una " lmina de corriente " que puede ser de una o muchas espiras, pero de seccin rectangular y con espesor y separacin entre espiras practicamente despreciable. En ese caso se tiene:
l l = .S 0 .S
= o por no existir ncleo ferromagntico Si el inductor es infinitanente largo, la longitud del circuito magntico coincide con la longitud de la bobina, mientras que la seccin es la transversal de la misma Fig. N 2.4 Inductor solenoide monocapa ideal ( l/D >> 1, bobinado " lmina de corriente ")
A N 2 D 2 N 2 = l 4l = o r como r =1 L= = 0 = 4 10 7 D N l
2 2
Resulta finalmente
L = 10
2
[ Hy ]
para D y
l en [m].
Catulo V
pgina
29
l .D 2 0 . 4
l 4.l = 2 7 2 4. .10 7. .D 2 .10 .D
El clculo terico que se ha efectuado correspondera aproximadamente al caso real de un solenoide arrollado con una cinta chata, sin espaciar y de longitud mucho mayor que el dimetro. En general, los inductores reales no suelen corresponder a estas caractersticas. Cuando se considera un inductor real en el cual la longitud no es mucho mayor que el dametro, aparece un efecto de borde, por lo que el campo magntico deja de ser perfectamente paralelo y homogneo en el interior del inductor, de tal modo que las espiras exteriores concatenan menos flujo que las interiores ( Fig. N 2.5 ).
L=Lo Kn
Kn = f(l/D)
Lineas de Campo Magntico

FIG. N 2.5 Efecto de borde en bobinas cortas
Lneas de Campo
El cientfico japons Nagaoka calcul la reduccin de la inductancia debido a este efecto y determin un coeficiente ( que es conocido como " coeficiente de Nagaoka " ) que tiene en cuenta la relacin l/D. Este coeficiente es siempre menor que uno, ya que el efecto de borde produce una reduccin de la inductancia. Esa correccin va perdiendo importancia a medida que aumenta l/D, y para longitudes mayores que 10 D generalmente se puede despreciar en las aplicaciones tcnicas. En la mayora de los casos prcticos, la relacin l/D vale entre 1 y 2 , donde el coeficiente de Nagaoka vale entre 0,69 y 0,82 , por lo que su influencia no es muy significativa y su clculo no es difcil. Si no se dispone de la tabla con el coeficiente de Nagaoka o se desea agilizar el clculo, pueden utilizarse frmulas aproximadas, que tienen en cuenta el efecto de borde en forma simplificada. En la prctica hay adems otro efecto: un inductor real se construye con espiras de seccin circular, que generalmente estn espaciadas, de modo que la distribucin de corriente no corresponde a una lmina de corriente. Este efecto produce tambin una disminucin de la inductancia, que para los usos tcnicos suele ser despreciable menor del 1% si la relacin paso a dimetro es menor de 10, lo cual ocurre casi siempre . Existen tablas y frmulas que tienen en cuenta estos efectos y permiten calcular la inductancia con toda la aproximacin necesaria. Para los casos de aplicaciones tcnicas usuales, donde los errores admisibles son de algunos porcientos, se utilizan frmulas como la que se ver a continuacin.
4.1.1.1) CLCULO PRCTICO DE LA INDUCTANCIA: FRMULA DE WHEELER

Una frmula muy popular por su sencillez, y que proporciona buenos resultados si el inductor no es excesivamente corto ( l mayor que 0,3 D ), es la conocida frmula de Wheeler, que en su versin mtrica se expresa como:
Catulo V
pgina
30
N 2 .D 2 [Hy ] L = 0,01 l + 0,45.D

para l y D en cm. Si l> 0,3D, el error tpico de esta frmula es menor de un 5%, lo que para los usos prcticos resulta generalmente suficiente.
4.1.2) CLCULO DEL " Q " DE SOLENOIDES MONOCAPA.
En principio, el clculo del Q de un inductor requerira el siguiente procedimiento: 1) CALCULAR LA INDUCTANCIA . 2) Con la frecuencia de trabajo se calcula la REACTANCIA INDUCTIVA: XL = 2 f L 3) SE DETERMINA LA RESISTENCIA SERIE equivalente de prdidas Rs del inductor. 4) SE CALCULA EL Q = wL / Rs A las frecuencias de trabajo tpicas de los solenoides radiofrecuencias mayores de 1 MHz , se ha visto que la resistencia equivalente de prdidas depende principalmente de los efectos pelicular y de proximidad. En el supuesto de que dicho clculo fuera posible, una vez determinados XL y Rs, se podra calcular el Q. Puede apreciarse que este procedimiento es laborioso, y generalmente no se justifica, dado lo simple y rpido que resulta la medicin real si se dispone del instrumento adecuado ( Qmetro ). Es por ello que diversos autores han propuesto mtodos aproximados, los que dependiendo del rango de frecuencias y de la configuracin del inductor pueden dar resultados aceptables. A continuacin se ver uno de los ms sencillos.
4.1.2.1) CLCULO PRCTICO DEL Q DE UN SOLENOIDE MONOCAPA MTODO DE MEDHURST :
En la mayora de los casos prcticos, resulta extremadamente importante poder evaluar, aunque sea aproximadamente, el Q del inductor, ya sea el de un inductor existente, ya sea durante el proceso de diseo de uno que va a ser construdo. Un buen mtodo aproximado es el de Medhurst ( Medhurst, R.G. R.F. resistance and self-capacitance of single-layer solenoids, W.E., Feb. 1947 ), que arroja resultados aceptables para inductores que trabajan a una frecuencia en la que las prdidas pueden atribuirse principalmente al efecto pelicular y de proximidad ( zona III de la curva Q vs. f , Fig. N 2.7 ).El Q se calcula como:
Q = 75 D
donde D en [ cm] y f en [ Mhz]
El parmetro depende de las relacines l/D y d/p, y se puede obtener de la Fig. N 2.6:
Catulo V
pgina
31
Fig. 2.6 Determinacin de en funcin de d/p y l/D. Ver graficos Anexos 7 ; 16 y 41. El Q as obtenido es el determinado por las prdidas en el arrollamiento ; causadas por los efectos pelcular y de proximidad. Por los tanto , no se tiene en cuenta las prdidas dielctricas que puedan producirse en el soporte de la bobina o en la aislaron del arrollamiento. En general si los aislantes son de buena calidad y el ambiente no es excesivamente hmedo , las prdidas dielctricas no son importantes y pueden despreciarse. Una observacin interesante es que el Q es directamente proporcional al dimetro del inductor. Tambin puede apreciarse que los mayores valores de y por lo tanto del Q, se obtienen para valores de la relacin d/p de 0,5 a 0,8; dependiendo de la relacin l/D del inductor.
4.1.2.2) CLCULO DE LA RELACIN D/P OPTIMA

Segn R.G. Medhurst en su libro "RF Resistance and Self Capacitance of Single Layer Solenoide", da una ecuacin para la obtencin de la relacin ptima en funcin de la relacin l/D adoptada.
Catulo V
pgina
32
d l = 0,53 + 0,08. p D
Se ha sealado anteriormente que la frmula Q = 75. . D. f slo tiene validez en la regin III de la curva Q vs frecuencia. Por lo tanto, para que el error no sea muy grande, la frecuencia de autorresonancia fo debe estar suficientemente alejada por lo menos 5 a 10 veces mayor que la de trabajo fT . Si esto no se cumple, el efecto de la capacitancia distribuda ocasionar la disminucin del Q real del inductor, y el clculo con la frmula de Medhurst proporcionar valores de Q muy elevados. Otro aspecto que debe considerarse es que este mtodo no tiene en cuenta las prdidas dielctricas en el soporte sobre el cual se arrolla el inductor, ni tampoco las debidas a las corrientes parsitas inducidas en conductores prximos al inductor ( blindaje, chasis, terminales, etc. ), por lo que el resultado del clculo suele ser un poco optimista ( Q calculado mayor que el real ). Sin embargo, considerando que en un inductor construdo con buenos criterios tcnicos y materiales adecuados a la frecuencia de trabajo las prdidas antes mencionadas son prcticamente despreciables, el error cometido no es significativo.
4.1.3) CAPACITANCIA DISTRIBUIDA DE SOLENOIDES MONOCAPA

Como se ha visto anteriormente, la acumulacin de energa en forma de campo elctrico es inevitable en un inductor real, y puede ser adecuadamente representado por un nico capacitor colocado entre los extremos del inductor. El clculo analtico es casi imposible, de modo que se apela al uso de expresiones empricas o bacos. Como generalmente no es importante la determinacin exacta de la capacitancia distribuda, estos mtodos son adecuados. A continuacin se presenta una frmula de clculo cuyo uso ha sido consagrado por la experiencia prctica.
4.1.3.1) CLCULO PRCTICO DE LA CAPACITANCIA DISTRIBUDA DE SOLENOIDES MONOCAPA
El valor del capacitor distribudo depende fundamentalmente del dimetro D del solenoide, as como de la relacin l/D. El clculo analtico es casi imposible, de modo que se apela al uso de expresiones empricas o bacos. Como generalmente no es importante su determinacin exacta, estos mtodos son adecuados.
Welsby ( Theory and design of inductance coils, pag. 148), propone la siguiente frmula para inductores con un extremo conectado a tierra:
Cd = Kd . D
[ pF ] , para D en [ cm ]
l/D
Kd
0,3 0,60
0,5 0,50
1 0,46
2 0,50
4 0,72
6 0,92
Tabla N 4 Factor para el Clculo de la Capacitancia Distribuda Cd
Donde Kd e un coeficiente que depende de la relacin l/D, como puede apreciarse en la tabla N4 Puede observarse que para relacines l/D entre 0,5 y 2, el coeficiente Kd vale aproximadamente 0,5, con lo que resulta:
Catulo V
pgina
33
D 2
[ pF ], para D en [ cm ]
No debe olvidarse que esta determinacin es muy aproximada, por lo que los valores obtenidos deben ser considerados dentro de ese contexto.
4.2) CALCULOS EN SOLENOIDES MULTICAPA
Los solenoides multicapa sin ncleo son utilizados en el rango de frecuencias entre 0,1 y 2 MHz, si bien en la gran mayora de los casos se los emplea asociados con algn tipo de ncleo ferromagntico. Sin embargo, en muchos casos resulta necesario conocer la inductancia sin ncleo, por lo que se presentar una frmula para su clculo. El ataque terico del problema parte de la frmula general para la inductancia presentada en el punto 4.1.1:
N2 L=
En este caso el nmero de espiras N se considera conocido, por lo que la dificultad reside en la evaluacin de la reluctancia. Como el inductor no tiene ncleo, la distribucin del campo magntico en el espacio es compleja y fuertemente dependiente de las dimensiones fsicas. En general, este tipo de inductores son cortos ( relacin l/D cercana a 1 ), lo cual hace muy difcil expresar analticamente la distrubucin del campo en el espacio, y por lo tanto la reluctancia, sobre todo teniendo en cuenta los numerosos factores involucrados. El nico camino desde el punto de vista ingenieril consiste en el uso de frmulas empricas que hayan mostrado resultados satisfactorios en la prctica. Una de estas frmulas es la siguiente:
0,2 D 2 N 2 L= 7,6 D + 22,8 l + 25,4 s
Hy , cm
Las dimensiones respectivas pueden apreciarse en la Fig. N 2.7 :
Los resultados son aproximados, como para realizar una evaluacin preliminar, que puede ajustrse fcilmente con un medicin prctica. (ver prrafo 5.2 para el proyecto). Estas bobinas se deben montar sobre tubos de porcelana, cartn baquelizado o algn plstico: nylon, acrlico, PTFE "teflon", etc.
34 pgina Lamentablemente, no se dispone de frmulas aproximadas para el clculo del Q ni de la capacitancia distribuda para este tipo de solenoides. Tecnologa Electronica Catulo V
4.3)
CALCULOS EN INDUCTORES PLANOS
En los inductores planos descriptos en el punto 3.3, el clculo de la inductancia tiene un error considerable, dado que la determinacin de las dimensiones es bastante inexacta. Como estos inductores no pueden ser comprimidos o estirados para modificar su inductancia, los clculos deben ser efectuados con el mayor cuidado posible. La frmula aproximada para el clculo de la inductancia es, para inductores realizados con segmentos circulares o cuasi circulares Fig. N 2.8.a :
L=
(De + Di ) 1 .(De + Di ). N 2 . log 4. 80 (De Di )
El resultado es en [Hy ], para dimensiones en [ cm }

De De
Di
Di
a)
Fig. N 2.8 Inductores planos
b)
Si, por el contrario, tenemos un inductor realizado con trazas rectas ( Fig. N 2.8.b ), la inductancia vale:
L=
(De + Di ) 1 .(De + Di ). N 2 . log4. 72 (De Di )
En este caso, tambin el resultado es en [Hy ], para dimensiones en [ cm } Lamentablemente, no se dispone de frmulas para calcular la capacitancia distribuda y el Q. La experiencia muestra que la capacitancia distribuda es muy reducida, mientras que el Q en general es bajo, salvo que la frecuencia sea muy alta. En ese caso, la calidad del material donde se realiza el inductor ( circuito impreso ) debe ser adecuada para la frecuencia de trabajo. Estos devanados tienen aplicacin en los cdigos de barras para su habilitacin de un pas a otro, y para seguridad en la salida de un supermercado, atravezando el paso de entrada donde estn instalados los arcos detectores. Otra aplicacin muy reciente estn orientadas a los inductores y transformadores planares con y sin ncleo que trataremos en captulos siguientes.
5) PROYECTO DE INDUCTORES SIN NCLEO.
El proyecto de inductores es una operacin de sntesis, donde se dispone de un juego de especificaciones correspondientes a los valores deseados para los principales parmetros elctricos del inductor, limitaciones ambientales, restricciones de lugar, etc, juntamente con la excitacin que se le aplicar ( tensin, corriente, frecuencia - mnima y mxima - durante el funcionamiento. Como consecuencia del proyecto, se obtendrn las caractersticas y detalles constructivos de inductor: dimensiones, nmero de vueltas, tipo de alambre a utilizar en el arrollamiento, forma de construccin, etc. La forma de realizar el proyecto corresponde a un tpico diseo de ingeniera. Por un lado, se tienen los requerimientos; en el medio, se disponen de varias funciones matemticas tericas o empricas que relacionan las distintas variables en juego. Si el proyecto es
35 pgina factible, se dispone de un rango de soluciones con distinto grado de libertad para las distintas variables constructivas: dimetro, largo, nmero de espiras, dimetro del alamble del arrollamiento, etc. La prctica constructiva generalmente restringe los rangos de variabilidad, y un buen diseador generalmente conoce rpidamente muchos de los lmites de posibilidades de varias de las variables. Tecnologa Electronica Catulo V
Por otra parte, puede ocurrir que el proyecto no sea factible: esto es, que ninguna combinacin de las variables posibilite un resultado que satisfaga los requerimientos. En ese caso, se deber determinar si entre los requerimientos existen uno o varios que puedan modificarse para posibilitar una solucin, eventualmente con prestaciones menos favorables que las originales. El proyecto de inductores puede ser muy sencillo, con un proceso de desarrollo prcticamente automtico, o puede ser muy difcil, requiriendo grandes conocimientos ingenieriles y considerables pruebas y ensayos, dependiendo de los requerimientos y tecnologas disponibles.
5.1) PROYECTO DE SOLENOIDES MONOCAPA SIN NCLEO (ver anexo 35)
Este es uno de los proyectos ms sencillos, dado que rpidamente puede estimarse si el inductor es factible, y el desarrollo es muy directo. El criterio de optimizacin suele ser generalmente el obtener un inductor de mximo Q para un tamao dado o de mnimo tamao para un Q dado. Para arrancar, conviene analizar la informacin obtenida al estudiar el clculo de inductores:
5.1.1) CRITERIOS GENERALES PARA EL DISEO DE SOLENOIDES DE Q MXIMO:
Analizando la frmula de MEDHURST para el clculo del Q, pueden obtenerse algunos criterios que pueden aplicarse en el diseo de solenoides monocapa con mximo Q: 1) El dimetro del inductor debe ser lo mayor posible, de acuerdo al Q requerido, pero recordando que siempre debe quedar un espacio libre alrededor del inductor de por lo menos D/2 y preferiblemente D. 2) Observando el grfico que proporciona el factor , los valores mximos corresponden a relacines l/D entre 0,5 y 2. En general no es conveniente usar l/D mayor que 2 por dos razones: a) el aumenta poco, mientras que el tamao crece fuertemente y b) b) la capacitancia distribuda tambin aumente para l/D mayor que 2. 3) De acuerdo con la relacin l/D , el valor ptimo del dimetro del conductor vara de 0,5 p a 0,7 p. La adopcin de la relacin l/D es fundamental y debe ser efectuada lo antes posible. Afortunadamente, los valores de esta relacin y de la subordinada d/p no son crticos, lo que simplifica considerablemente el diseo de inductores.
pgina 5.1.2) PROCEDIMIENTO DEL PROYECTO DE SOLENOIDES MONOCAPA.

Tecnologa Electronica Catulo V
36
Los datos y requerimientos del inductor se pueden expresar como:

DATOS INCOGNITAS D Dimetro l
L Q mn ft Blindaje ( S, No )
Espacio mximo disponible
longitud
N Nmero de espiras
d dimetro alambre
Datos del Blindaje Datos de montaje
PASO 1 DETERMINACIN DEL DIMETRO OPTIMO DEL INDUCTOR D Para satisfacer el Q pedido, debemos hacer el inductor suficientemente grande; mientras que para cumplir con el tamao mximo y la frecuencia de trabajo ( que nos fija una frecuencia de autoresonancia 5 a 10 veces mayor, y por lo tanto una Cd mxima ), debemos hacer el inductor lo suficientemente pequeo. Por lo tanto, estamos ante una solucin de compromiso que deber satisfacer ( en caso de ser factible ) los distintos requerimientos del proyecto. Un proyectista con experiencia puede dar rpidamente las dimensiones aproximadas que tendr el inductor. Si no se posee esa experiencia, debemos acotar las dimensiones mnimas y mximas, para adoptar un tamao tentativo y luego verificar si se cumplen todos los requerimientos. Una de las posibles formas de acotar las dimensiones es la siguiente: Partiendo del Q mnimo solicitado, adoptando relaciones ptimas para las relaciones l/D y d/p , de acuerdo a lo indicado en el punto 5.1.1, por ejemplo, se adopta l/D entre 0,5 y 2 y d/p se toma entre 0,5 y 0,7. Esta ltima relacin puede ser calculada mediante la FRMULA DE MEDHURST que nos da el valor ptimo de esta relacin:
d l = 0,53 + 0,08. p D
Es posible entrar en alguna de las expresiones para el clculo del Q que se disponen ( frmula de Medhurst, o similar ) y por un procedimiento inverso, obtener el dimetro mnimo Dmn.
Fig. N 2.9
Rango de factibilidad en el proyecto de solenoides monocapa
37 pgina Este ser, entonces el dimetro mnimo que deber tener el inductor para satisfacer el Q requerido. Generalmente conviene adoptar un dimetro por lo menos 20% mayor para tener un margen de seguridad. Tecnologa Electronica Catulo V
D = Dmin + 20%.Dmin
Por otra parte, el dimetro mximo est acotado por la capacitancia distribuida mxima Cdmx, que con L determina la frecuencia de autoresonancia fo. Esta fo debe ser mayor que la frecuencia de trabajo ft por un margen de cinco o diez veces recordar lo visto en 1.3 1 y 2.5. Luego, conociendo fo, calculamos Cdmx, y de all obtenemos el dimetro mximo. Tambin del espacio disponible podemos obtener el dimetro mximo admisible, que no deber ser tan grande que el Q del inductor disminuya excesivamente por la proximidad de masas metlicas. Si se emplea blindaje, estas mismas consideraciones permitirn acotar el valor mximo permisible para el dimetro del inductor. Si el dimetro mximo as obtenido resulta mayor que el dimetro mnimo requerido por el Q, el inductor es realizable; caso contrario, el inductor no es factible, ya que el tamao no permite obtener el Q requerido. En caso de tener margen, conviene elegir un dimetro para el inductor que sea un 20 % mayor que el mnimo, para tener un margen de seguridad.
PASO 2 DETERMINACIN DE LA LONGITUD l
Una vez elegido el dimetro D, con la relacin l/D adoptada puede obtenerse la longitud l:
l = D . ( l/D )
PASO 3 DETERMINACIN DEL NMERO DE ESPIRAS N
Conociendo el dimetro D, la longitud l y siendo dato fundamental la inductancia L, puede calcularse el nmero de vueltas N, (por la frmula de Wheeler, por ejemplo ). En ese caso, resulta:
N=
10 . L[Hy ](l [cm] + 0,45.D[cm]) D
PASO 4 DETERMINACIN DEL PASO p Con el nmero de espiras N, se calcula el paso p como:
p = l/N
PASO 5 DETERMINACIN DEL DIMETRO PTIMO DEL CONDUCTOR d
Una vez obtenido el paso p, y habiendo adoptado una relacin d/p , puede obtenerse el dimetro del conductor d:
d = p . ( d/p )
con lo que el proyecto queda completado. Normalmente, conviene verificar el Q y la frecuencia de autoresonancia, lo que se efecta en la forma antes mencionada. En caso que la verificacin se cumpla satisfactoriamente, el proyecto del inductor es correcto.
5.2) PROYECTO DE SOLENOIDES MULTICAPA (ver anexo 35)
El proyecto de inductores multicapa, si bien responde a los lineamientos generales que se han considerado para los solenoides monocapa, es considerablemente ms complejo, dado que se tiene una variable ms en las dimensiones el alto del bobinado. La forma que produce las caractersticas ptimas desde el punto de vista del Q generalmente est prxima a una seccin de bobinado cuadrada. Recordando la conformacin tpica de estos inductores ( Fig. N 3 ), tenemos:
Catulo V
pgina
38
D s
l
FIG. N 3 Dimensiones de Inductores Multicapa
La seccin ptima del cobre debe ser cuadrada, y se tiene:
s = l D/2
Puede entonces adoptarse esta relacin como punto de partida. La seccin total del arrollamiento Scut correspondiente a las N espiras de alambre de seccin individual Scu , ser igual a :
Scut = N . Scu
Esta seccin total es la seccin neta. La seccin total real ser mayor, porque el alambre tiene aislacin , y adems incluye espacios de aire entre espiras, particularmente si se utiliza bobinado tipo "honeycomb ". La seccin total real ser entonces:
Stot real = N . Scu . Fo

Donde Fo es el " factor de ocupacin " del arrollamiento, que puede variar entre 0,70 y 0,85 . El valor exacto slo puede determinarse experimentalmente, porque depende de la aislacin del alambre utilizado y de las condiciones del bobinado. Esta superficie total real debe ser aproximadamente igual a la seccin transversal de la bobina:
Stot real s . l
La eleccin del alambre es mayormente una cuestin de experiencia ( o disponibilidad ). Recordando la frmula aproximada para la inductancia :
0,2 D 2 N 2 L= 7,6 D + 22,8 l + 25,4 s
Hy , cm
Deben realizarse algunos tanteos, con un alambre posible, para estimar el nmero de espiras N con el que puede lograrse la inductancia L en un inductor de dimensiones aceptables o por lo menos, con dimensiones que guarden relaciones cercanas a las ptimas.
5.2.1) BOBINA HONEY COMB FORMAS CONSTRUCTIVAS
El bobinado Nido de Abeja Honey Comb como vimos, el alambre se lo devana en zig-zag, emplendose una maquina automatica, la que es descripta en las figuras 1 a 4. Ellas muestran como se cruzan las espiras por ello el "guia de hilo" apoya sobre los conductores los son protegidos en especial el cable "Litz" mediante una terminacin de dos capas de "rayon".
Catulo V
pgina
39
5.2.2) BOBINADO BANK
40 pgina Es un sistema de bobinado practicado en un carrete que tambien puede dar buenos resultados en la Tecnologa Electronica Catulo V
disminucin de la Capacidad Distribuida Cd. Se ilustra en la figura 5. Como puede apreciarse en la figura 5, los alambres sufren una alternancia entre si, entre capas. Este devanado se realiza con otras maquinas no tan usuales. (ver Tecnologa Electrnica de Dr.Ing. M. Costa)
6) ASPECTOS COMPLEMENTARIOS 6.1) CONDUCTORES MULTIFILAMENTADOS ( LITZ )
Como en los inductores de alta frecuencia las prdidas debidas a los efectos pelicular y de proximidad son muy grandes, para reducirlas se apela a la utilizacin de conductores multi filamentados ( tambin conocidos como alambres " Litz " ). Estos conductores estn constitudos por varios alambres aislados entre s, retorcidos y trenzados de tal forma que al cabo de una cierta longitud, cada conductor ha ocupado sucesivamente todas las posiciones posibles. Los conductores se unen elctricamente en los extremos. ( Fig. N 6.1 ). De esta forma, la redistribucin de corrientes en los conductores causada por los efectos pelicular y de proximidad tiende a compensarse, con lo que se consigue una considerable disminucin en la resistencia a la C. A. Los conductores se aslan individualmente con barniz y todo el conjunto se forra con una o dos capas de un aislante adecuado ( nylon, acetato, etc.). El barniz utilizado en la aislacin individual debe ser fcil de eliminar al proceder a la soldadura, de otro modo sta resulta muy engorrosa. El nmero de conductores utilizado depende de la frecuencia de los resultados que se pretenden, pudiendo en algunos casos de inductores de especial calidad llegar al centenar. Para los usos ms corrientes se usa " Litz " de 4 a 168 hilos.
Fig. N 6.1 Conductores multifilamentados ( Alambre " Litz " )
Estos conductores se utilizan con xito en un rango de frecuencias que va desde unos 50 KHz hasta aproximadamente 2 MHZ. Para frecuencias ms elevadas la mejora que se obtienen con su empleo disminuye rpidamente y su mayor costo desaconseja su empleo.
6.2) BLINDAJE DE INDUCTORES.
Los inductores, cuando estn recorridos por corrientes elctricas, son emisores de campos magnticos. Asimismo, los campos electromagnticos externos inducen en un inductor fuerzas electromotrices. En circuitos de alta sensibilidad, como los correspondientes a receptores de alta frecuencia, las circunstancias anteriores pueden generar serios problemas. Para evitarlos, se apela frecuentemente al blindaje de los inductores, cuya misin es confinar los campos electromagnticos de cada inductor a la proximidad de los mismos, as como evitar que sean influenciados por campos externos. Un blindaje, por lo tanto, debe ser impermeable a los campos electromagnticos. Una de las formas en que puede conseguirse este efecto es
41 pgina rodeando al inductor con lminas de materiales conductores. Si recordamos que cuando un campo electromagntico variable incide sobre una superficie conductora penetra hasta una profundidad , podemos entender como la generacin de corrientes parsitas en un material conductor puede utilizarse para el blindaje de inductores. El blindaje debe dimensionarse adecuadamente a fin de lograr el efecto de blindaje deseado , minimizando al mismo tiempo las perturbaciones sobre el inductor. Tecnologa Electronica Catulo V
6.2.1) MATERIAL Y ESPESOR DEL BLINDAJE
El blindaje con el cual se rodea al inductor debe confeccionarse con un material conductor, para facilitar la generacin de corrientes parsitas en el mismo. El efecto de penetracin que tienen estas corrientes parsitas se puede calcular aproximadamente como vimos anteriormente al estudiar el efecto pelicular ( punto 2.2 ). En ese punto se vi que la profundidad de penetracin es:
2 0 r w
Puede apreciarse que cuanto menor sea la resistividad y mayor la permeabilidad del material, menor ser la penetracin de la onda electromagntica. El espesor del blindaje puede tomar los valores entre 5 a 10 veces el valor de la penetracin , la onda electromagntica se habr atenuado a niveles enteramente despreciables. En la Fig. N 6.2 se puede apreciar como se produce este fenmeno: A medida que la frecuencia aumenta, como la profundidad de penetracin es
1 , el espesor requerido se empieza a hacerse razonable para los metales comunes buenos f conductores pero no magnticos. Por ejemplo, para la frecuencia intermedia de un receptor 465 Khz , usando blindaje de aluminio, que la profundidad de penetracin es:
proporcional a
82 46,5 10
4
= 0,12 mm
42 pgina Tomando un factor 5, resulta un espesor del blindaje 0,5 mm, que es un valor perfectamente aceptable del orden del utilizado en los blindajes comerciales. Tecnologa Electronica Catulo V
Se puede demostrar que el espesor: e = 5. corresponde a una atenuacin de 40 dB del campo incidente con respecto al campo atenuado del otro lado de la pared del blindaje. Si usramos cobre, se requerira un espesor algo menor, pero el costo del Cu es mucho ms grande que el Al ; adems el Al es muy fcil de trabajar. Es interesante destacar que el efecto de blindaje, aunque atena un campo magntico, no est basado en una propiedad magntica del material. si bien es beneficioso que el material tenga alta permeabilidad ( r>>1 ), porque entonces la penetracin ser mucho menor, mejorando el efecto de blindaje.
6.2.2) ATENUACIN DEL CAMPO Eo A TRAVS DE UNA PARED
Un aspecto necesario de calcular es cuantificar el valor de la seal atenuada obtenida del otro lado de la pared de aluminio del blindaje, ante la insidencia de el campo elctrico de una seal externa no deseada. En
donde Eo = Campo Elctrico de la seal incidente externa no deseada. Ee = Campo Elctrico de la Seal atenuada
Ee = Eo .e
La seal incidente Eo se atenuar segn una funcin exponencial decreciente dando como resultante el campo electrico atenuado Ee y la relacin de atenuacin ser:
Ee =e Eo e
Es usual expresar esta relacin en dB que resulta:
Ee [dB] = 20. log Ee . Eo Eo
6.3.3) FORMA Y TAMAO DEL BLINDAJE
43 pgina La forma del blindaje tiene importancia, ya que interviene elctrica y mecnicamente con respecto al inductor. Si se coloca sobre un inductor un blindaje demasiado ajustado, tanto la inductancia L como el Q se vern afectados. Es necesario, pues, dejar un espacio d (fig. 6.2) mnimo entre las paredes del blindaje y la bobina, con el objeto de que las variaciones de inductancia y Q sean mnimas. Generalmente se compueba que si se deja en torno a la bobina una distancia mayor que un dimetro de la misma , la influencia es de poca importancia. Ahora bien, en algunos casos no es posible o resulta antieconmico utilizar blindajes tan grandes. Si se utiliza un blindaje ms chico, la inductancia se reduce, por lo que debe realizarse un reajuste en el valor de la inductancia para compensar la disminucin debida al efecto del blindaje. Estos reajustes deben realizarse experimentalmente, o puede apelarse al uso de frmulas aproximadas para el clculo del efecto a compensar, que para la mayora de los casos resultan satisfactorias. Tecnologa Electronica Catulo V
6.3.4) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA EFECTO DEL BLINDAJE FRMULA DE BOGGLE.
Una frmula para estimar la variacin de inductancia debida al efecto de blindaje es la de Boggle (Boggle A.C. " The effective inductance of screened coils journ. I.E.E., 87, 1940 ), Fig. N 6.3:
2 D DB L = L 1 0,8 D B - D 1+ l
( )
lB
DB
Fig. N 6.3 Reduccin de la Inductancia por Efecto del Blindaje- Frmula de Boggle
En la cual D y l son el dimetro y longitud del inductor, y DB y lB el dimetro y longitud del blindaje. Esta frmula es para blindajes cilndricos concntricos, pero puede utilizarse para blindajes cuadrados, considerndose que el efecto de uno de estos es equivalente al que produce un blindaje cilndrico de igual permetro. Una alternativa es el calculo de Packman como se ve en el Anexo 40. Hay dos problemas ( Problema 43 TP N 8) que se hacen en el curso, que nos ensean los siguientes conceptos a) que un material conductor obra de blindaje, atenuando un campo externo en 40 dB, siempre y cuando el espesor del material sea como mnimo cinco veces la penetracin a la frecuencia de trabajo. b) el segundo problema, (Problema 44 TP N 8) pide calcular la penetracin a distintas frecuencias 50 Hz ;500 KHz ; 1,2 MHz; 2 MHz; 500 MHz, en el Cu, Al, y (material magntico identificado como mumetal). A continuacin se transcribe el cuadro que se obtiene. 50Hz 500KHz 500MHz 9.2 mm 0.1mm 0,0092 mm 65
CU =
Al =
f
82 f
11.6mm 0,56 mm
0.116mm 0,0056 mm
0,0116 mm 0,00056 mm
m =
4 f
Catulo V
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Este cuadro nos objetiviza: a) CONCEPTO DE BLINDAJE: el Cu y el Al no pueden ser usados como blindajes en 50 Hz, pues 5 nos da un espesor de material no usable. Hay que ceirse a blindajes con materiales magnticos como el mu-metal, para usar chapas del orden de los 0,5 mm. Estos blindajes se los usa en los T.R.C., cuando se requiere que campos externos no modulen en brillo al tubo en el eje z, o en etapas de bajo nivel. Cuando remontamos a los 500 KHz, las cosas cambian, pues el Cu y el Al son aptos y entonces despreciamos el por lo caro y difcil de tratar mecnicamente. La razn por la cual los blindajes son mayoritariamente de Al es por su poder de embutido, logrndose blindajes mecanicamente "perfectos", pues la continuidad elctrica es total, lo que no ocurre con el Cu, que no admite embutido. El Al adems es ms barato y liviano. b) CONCEPTO DE CONDUCTOR: el Cu, con una penetracin de 9,2 mm a 50 Hz, para conductores de bajo calibre, como los que habitualmente usamos en electrnica, nos permiten usar las tablas de alambres de c.c., pues la densidad de corriente es constante ( concepto fundamental, pues la penetracin, es > que el radio del conductor). Asimismo, en electricidad industrial, donde las corrientes pueden adquirir valores grandes, por lo tanto las secciones de los conductores tambien lo seran, en donde no se puede hablar de penetracin dado que la frecuencia de trabajo es muy baja y el efecto no existe. USOS DE LOS CONDUCTORES: a) COMO BLINDAJE: 1) En frecuencias elevadas, se usan los blindajes para aislar un circuito de otro. Etapas doble o triple sintonizadas como puede ser una F.I., requiere que la bobina de cada etapa lleve blindaje, evitando el aislamiento entre ellas y la inestabilidad del circuito (tendencia a oscilar ); separacin de celdas en filtros, etc. Todos ellos son de Al casi exclusivamente. Recurdese que una bobina genera un campo al circular por ella una corriente, inclusive deben tenerse presente sus dimensiones a cierta frecuencia, porque si ellas son submltiplo de pueden irradiar. Asimismo genera una fen incluida entre sus extremos si un campo externo variable est presente. 2) En los laboratorios, donde se trabaja con valores pequeos de seales (por ej.: la sensibilidad de un receptor puede llegar a un cuarto de microvolt) es imprescindible contar con la llamada Jaula de Faraday que resulta ser un habitculo al que se le eliminaron los campos externos cubriendo totalmente (parte lateral, techo y piso) de tejido Cu o bronce (eventualmente Fe), en una o dos capas , referidos a una buena tierra. La alimentacin se introduce por un transformador separador y un filtro de lnea encargado de atenuar los espurios de red. Con este principio, pero con chapa de Cu, s aislan los estudios de radiodifusin, cuando en sus cercanas hay campos que los afecten. 3) Para determinados requerimientos como por ej. T.R.C. , sensibles a campos externos, etapas de audio de bajo nivel, etc., es imprescindible que el flujo que provoca la inductancia de dispersin de los trafos de alimentacin, quede circunscripto alrededor de l, sin que afecte a etapas sensibles a esos campos. Para ello se usa el blindaje magntico, que consta de un manto de Cu de 1.5 mm aproximadamente, alrededor del trafo como indica la figura, con la precaucin de que su continuidad elctrica sea total. 4) Cuando hace falta que los espurios de red no pasen al equipo o que las seales del equipo no pasen a integrar los espurios de red se usa el blindaje electrosttico. El mismo consta de una espira no cortocircuitada, entre primario y secundario, puesta a masa, como indica la figura. Esta espira del ancho de la bobina, puede ser de papel Espaa (Bronce laminado) o un arrollamiento de alambre de Cu, abierto en un extremo y referido a masa el otro. 5) Los cables de radiofrecuencia, cuando son coaxiles su blindaje es de malla de Cu, aunque en la actualidad cuando el contacto puede ser a presin, se usa Al en malla o en fleje superpuesto aproximadamente medio paso. Estos ltimos cables, son los que se usan en las instalaciones de T.V. por cable, entre otras aplicaciones
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b) COMO CONDUCTOR: 1) Hay una gama muy extensa de conductores para el transporte de energa elctrica. Desde el cable unifilar, recubierto en P.V.C., de 0,5mm2 o menos, hasta cables armados subterrneos. Dado que no es tema de la especialidad, se recomienda al que tenga necesidad de ello, consulte manuales comerciales, que los hay y muy buenos, en la oportunidad necesaria. 2) Alambres para bobinados: en nuestra especialidad y para trafos de potencias menores de 1kw y otros se usa casi generalmente alambre de Cu. En la actualidad, el barniz o esmalte que se usa es del tipo vinlico y para calibres pequeos sinttico soldable que evita roturas por pelado para soldar. 3) Para radiofrecuencia: El alambre o conductor llamado "Litz". Una aplicacin muy grande es la de los cables coaxiles. Existen folletos muy buenos que explican las caractersticas de dichos cables, que llegan a transportar energa de R.F. de magnitud de los KW.
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CAPITULO VI INDUCTORES CON NUCLEO FERROMAGNETICO 1 INTRODUCCION En el Cap. III se han estudiado los materiales magnticos blandos, que se caracterizan por el elevado valor de su permeabilidad relativa, que puede llegar a 105 . Utilizando ncleos construidos con estos materiales es posible canalizar el flujo magntico, de modo de aumentar la concatenacin del mismo por las espiras del inductor. Esto permite obtener diversas mejoras del comportamiento, as como ventajas constructivas y funcionales. Estas ventajas han determinado que el uso de inductores con ncleo sea la solucin ms comn en la actualidad, relegando el uso de inductores sin ncleo a aplicaciones relativamente especializadas, tales como inductores para frecuencias muy elevadas, inductores de potencia de R.F. o algunos casos particulares. Por otra parte, el constante perfeccionamiento de los materiales magnticos extiende cada vez ms su campo de aplicacin, tanto en frecuencia ( que llega a varios cientos de MHz ), como en potencia, donde los ferritos estn desplazando a los materiales ms tradicionales. 1.1 VENTAJAS DEL USO DE NCLEOS FERROMAGNTICOS La utilizacin de ncleos ferromagnticos ofrece varias ventajas, algunas de ellas decisivas en las aplicaciones de la tecnologa moderna. Tambin ha posibilitado la construccin y utilizacin de inductores en algunos usos que no seran posibles con inductores sin ncleo. Entre las principales ventajas podemos mencionar las siguientes: 1) La mayor permeabilidad del ncleo permite una mejor concatenacin de las lneas de campo por las espiras, lo cual se traduce en un aumento de la inductancia. El factor de aumento de la inductancia depende de la permeabilidad del ncleo, y de la forma y dimensiones del ncleo y de la bobina. En bajas frecuencias, el factor de aumento puede aproximarse a la permeabilidad relativa del material del ncleo llegando a miles de veces, mientras que en altas frecuencias los valores son ms moderados. Como generalmente lo que se busca es un dado valor de inductancia, el uso de un ncleo posibilita una importante reduccin del tamao de los inductores. 2) Ncleos de caractersticas apropiadas permite lograr un aumento del Q. Esto es particularmente notorio en los inductores de baja frecuencia, los cuales son prcticamente inutilizables sin ncleo. A medida que la frecuencia aumenta, esta ventaja va disminuyendo, hasta desaparecer para algunas decenas de Mhz. Sin embargo, los inductores con ncleo se siguen utilizando a esas y mayores frecuencias debido a algunas de sus otras ventajas. 3) Ncleos desplazables posibilitan el ajuste del valor de la inductancia. Esta ventaja posee importancia prctica, por la simplificacin que ofrece desde el punto de vista constructivo. Se refiere a el preajuste que se conoce como preset 4) La circuitos magnticos cerrados disminuyen la dispersin del campo magntico, reduciendo o eliminando la necesidad del blindaje de los inductores. Estas ventajas, en forma individual o colectiva, han posibilitado la enorme difusin que los inductores y los transformadores, presentan en la tecnologa electrnica actual. 1.2) CLASIFICACIN DE LOS NCLEOS SEGN EL TIPO DE CIRCUITO MAGNTICO Si se considera el circuito magntico de un inductor o transformador, de acuerdo al valor de la relacin
lh llamada relacin de entrehierro , en ingls gap ratio,

posible hacer la siguiente clasificacin:
la /
como puede apreciarse en la Fig. N1.1 es
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lh lh
FIG. N 1.1 Ncleos ferromagnticos. Las dos alternativas:
a)
b)
la
a) Circuito magntico abierto: la/lh > 1; b) Circuito magntico cerrado: la/lh << l Las dos alternativas de circuito magntico producen inductores con caractersticas muy diferentes, algunas ventajosas y otras desfavorables, por lo que se las estudiar con detalle. a) INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNTICO ABIERTO, DONDE la/lh > 1 La forma clsica de este tipo de inductor est constituida por un solenoide al que se le introduce un ncleo relativamente corto, de largo comparable al del inductor, ver Fig. N 1.1 a) . El camino magntico en el hierro lh -, por lo tanto, tiene una longitud comparable al recorrido en el aire la Este tipo de inductor se utiliza generalmente para frecuencias mayores de 1 Mhz. Es adecuado para obtener un Q elevado con ncleos de calidad mediana, y permiten lograr fcilmente variaciones de inductancia muy grandes sintona por permeabilidad con el ajuste de la posicin del ncleo. Se obtienen permeabilidades efectivas ( aumento de inductancia ) de 1 a 30. A diferencia de los inductores con ncleo cerrado, este tipo de inductor requiere blindaje, porque el ncleo no disminuye la dispersin de las lneas de campo magntico. b) INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNTICO CERRADO, donde la / lh << l. En este caso la longitud la del camino magntico en el aire entrehierro es pequea mucho menor que la del hierro, como puede apreciarse en la representacin esquemtica de este tipo de inductor en la Fig. N 1.1 b). Eventualmente, en el caso lmite el entrehierro desaparece totalmente, formando los circuitos magnticos totalmente cerrados. Este formato es el usual en inductores de baja frecuencia y debido al buen aprovechamiento del ncleo se obtienen valores de permeabilidad efectiva muy grandes, cercanas al r del material, resultando por lo tanto posible obtener inductancias de valor elevado. Las formas constructivas de estos inductores van desde los ncleos laminados apilados de formato E-I comunes en bajas frecuencias hasta 10 Khz, hasta los ncleos toroidales de ferrita para frecuencias hasta 100 Mhz, pasando por las cazoletas de ferrita o hierros pulverizados, que se utilizan en el rango 1 Khz a 10 Mhz. El tipo de circuito magntico condiciona definitivamente el comportamiento de un inductor. Como se ver ms adelante, tanto para resolverlo, cuanto para sus caractersticas y posibilidades, es fundamental el conocimiento de la clase de circuito magntico, ya que ciertos comportamientos son exclusivos de una u otra configuracin. 1.3 RESOLUCIN DEL PROBLEMA DEL INDUCTOR CON NCLEO. El problema consiste en determinar la inductancia L, y adicionalmente, el Q, la capacitancia distribuida Cd y dems caractersticas de un inductor de configuracin conocida. Esta determinacin, que como se ha visto es relativamente simple en el caso del inductor sin ncleo, por lo menos para las disposiciones sencillas ms comunes de la prctica, es en el caso general mucho ms complicada. Esto se debe a que es necesario encontrar la configuracin del campo magntico y su concatenacin con las espiras del inductor, con la dificultad adicional de que las caractersticas magnticas del material pueden no ser constantes sino que dependen de la excitacin magntica. El planteo terico del problema no es difcil, pero las dificultades del clculo matemtico y de la asignacin de valores a los parmetros que impone la realidad pueden ser formidables. Desde el punto de vista ingenieril, que requiere mtodos de clculo no excesivamente complicados, an a costa
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de un cierto error, la resolucin puramente analtica no tiene aplicacin ms que en algunos casos de geometra muy sencilla. Como se procede, entonces, en los casos comunes? Separaremos el problema en dos categoras bien definidas: a) INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNTICO ABIERTO ( la > lh ) En este caso la resolucin del problema electromagntico es particularmente difcil, dado que gran parte de la trayectoria del campo es a travs del aire y muy influenciado por la interface ncleo-aire. Adems, como las configuraciones posibles y la variacin en las dimensiones son prcticamente infinitas, las soluciones no son de aplicacin general. Desde el punto de vista ingenieril, que necesita de soluciones relativamente sencillas y acepta un error moderado, un mtodo frecuentemente utilizado para resolver este problema se basa en el concepto de permeabilidad efectiva, que es la relacin entre las inductancias con ncleo y sin ncleo para una bobina determinada. Este mtodo, que es simple, adems de ser de fcil medicin prctica, utiliza grficos y expresiones determinadas experimentalmente, permitiendo resolver fcilmente los casos de inters prctico con error aceptable. b) INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNTICO CERRADO ( la << lh ) Este caso tambin es tericamente complejo, pero aceptando algunas simplificaciones que generalmente no producen errores excesivos, es resoluble en forma analtica o cuasi-analtica en la mayora de los casos corrientes. En efecto, para los ncleos cuya seccin del ncleo Sh es constante y con entrehierro pequeo, puede despreciarse el flujo disperso y suponer que la densidad de flujo B se mantiene constante a lo largo de todo el camino magntico, con lo cual el problema se simplifica. Adems, este mtodo permite aplicar mtodos grficos, que son indicados en los casos en que la alinealidad de las caractersticas es significativa en baja frecuencia y cuando la potencia es importante. Conviene tambin tener en cuenta que la informacin de las caractersticas de los materiales magnticos suele obtenerse en forma grfica. 2) RESOLUCION DE INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNETICO ABIERTO Este tipo de inductores encuentra amplia difusin en equipos de radio y comunicaciones para frecuencias entre 1 Mhz y 500 Mhz, con la forma de ncleos cilndricos roscados que posibilitan el ajuste preciso del valor de la inductancia. 2.1) CONCEPTO DE PERMEABILIDAD EFECTIVA: Si se tiene un solenoide sin ncleo, su inductancia es Lsn. Si luego se introduce un ncleo que lo llena perfectamente, se supone que el dimetro del inductor tiende al del inductor y que las longitudes son iguales, ver Fig. 2.1, se obtiene la inductancia con ncleo Ln. Puede entonces definirse la permeabilidad efectiva del conjunto bobina-ncleo como:
ef =
Lcn Lsn
Lcn : inductancia con ncleo; Lsn : inductancia sin ncleo.
Dn
lN l
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FIG. N 2.1 Definicin de la permeabilidad efectiva ef para el caso ideal En el caso ideal, se tiene:
D = Dn l = lN
La permeabilidad efectiva de una bobina y un ncleo es funcin de las dimensiones y caractersticas de ambos D = Dn , la elementos, pero si las dimensiones de ncleo y bobina tienden a ser iguales l = lN y permeabilidad efectiva depende solamente de la permeabilidad relativa del ncleo y de la relacin l/D, sin importar las dimensiones individuales ni las caractersticas de la bobina.
ef =
Lcn Lsn
f ( r; l/D )
Esta funcin ha sido determinada experimentalmente y se presenta en al Fig. 2.2 Por lo tanto, para esas condiciones ideales la permeabilidad efectiva es funcin de las caractersticas del ncleo, no interviniendo caractersticas tales como dimensiones, nmero de espiras, paso y dimetro del arrollamiento, siempre que el dimetro del alambre sea mucho menor que el dimetro de la bobina Observando las curvas de la Fig. N2.2, puede apreciarse lo siguiente: 1) Un material de alta permeabilidad relativa r > 30 slo es bien aprovechado cuando se utiliza en ncleos largos. 2) El material tiene un r relativamente bajo r 5, la permeabilidad efectiva mxima se alcanza para D 4.
3) Si la relacin l / D = 1, la permeabilidad efectiva mxima es 3, y la permeabilidad relativa del material tiene poca importancia si es mayor que 10. Ver graficos en Anexos 10 y 19. Por lo tanto si se desean tener valores de ef grandes por ejemplo para sintona por permeabilidad es necesario utilizar ncleos y bobinas largos, y por supuesto, materiales de alta permeabilidad. Con ncleos cortos, ser imposible lograr el objetivo deseado, por ms elevada que sea la permeabilidad relativa del material utilizado.La permeabilidad efectiva, tal como se la ha definido para el caso ideal, es una caracterstica del ncleo, mientras que lo que corrientemente se denomina permeabilidad efectiva es una caracterstica conjunta de un cierto
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Fig.2.2
Permeabilidad efectiva terica o ideal ( para l = l y D = D ) (ver anexo 10 y 19)
ncleo colocado en una bobina en particular. Esto sucede porque la condicin de igualdad de dimensiones no es normalmente cumplida en la prctica, especialmente la igualdad de dimetros. En efecto, el ncleo debe desplazarse dentro de la forma de la bobina para ajustar la inductancia del inductor, por lo que su dimetro es inferior al de la bobina. Por lo tanto, lo que se suele llamar permeabilidad efectiva , si bien es un valor
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cmodo de usar y fcil de medir prcticamente, no es exactamente igual a la permeabilidad efectiva ideal tal como se ha definido y que aparece graficada en la Fig. N 2.2. 2.2) CORRECCION DE LA PERMEABILIDAD EFECTIVA PARA CASOS REALES Observemos los inductores con ncleo de la Fig. N 2.3. Es evidente que ninguno de esos inductores cumple con la condicin de que el ncleo tenga igual dimetro e igual longitud que la bobina. Por lo tanto, si se utiliza la curva de la Fig. N 2.2 para determinar la permeabilidad efectiva, se cometen errores: en exceso en el caso a), ya que la permeabilidad efectiva real es menor que la ideal; mientras que en el caso b) el error ser en defecto porque la permeabilidad efectiva real es mayor que la ideal. FIG N 2.3 Ejemplos de inductores en los que el ncleo no posee las mismas dimensiones que la bobina
a) b)
ef
(a )
= 2 efTEORICO
EF ( b ) = 4 efTEORICO
Vemos que en estos casos, la permeabilidad efectiva real depende de las caractersticas conjuntas del ncleo y la bobina. En la prctica, no obstante, es posible emplear las curvas del caso ideal aplicando un factor de correccin que tiene en cunta las diferencias entre el caso real y el ideal. 2.2.1) CORRECCIN POR DIFERENTES DIMETROS La bobina de la fig. 3 a) tiene un ncleo de menor dimetro que la bobina en que se halla colocado. Esto significa que el refuerzo del campo magntico resultar menor que el correspondiente al caso ideal de iguales dimetros, resultando una permeabilidad efectiva menor. Si el ncleo no tiene un dimetro mucho menor que el de la bobina, puede aplicarse una correccin en funcin de las reas de ncleo y bobina. Esto es, la permeabilidad efectiva corregida ser:
D ef * = ef . N D
D D
0 ,5 D
Esta correccin, por estar al cuadrado, tiene un fuerte efecto sobre la permeabilidad efectiva real. Por ejemplo, si el dimetro del ncleo es el 80% del de la bobina, la permeabilidad corregida ser slo el 64 % de la ideal. En la prctica frecuentemente se ignora esta correccin, con lo cual se comete un error sistemtico en los clculos realizados. Siempre debe tenerse en cuenta que el caso ideal sobre el que est construida la curva es difcil de encontrar en la realidad, sobre todo si el ncleo es desplazable para permitir el ajuste de la inductancia. 2.2.2) CORRECCIN POR DIFERENTES LONGITUDES En el caso de la bobina de la fig. 3 b), el ncleo es ms largo que la bobina, por lo que la permeabilidad efectiva real es mayor que la ideal. Existen aplicaciones donde el dimetro de la bobina y del ncleo son casi iguales por lo que no correspondera aplicar correccin por dimetro, que sera insignificante, pero la longitud del ncleo es mayor que la de la bobina, caso de las bobinas de antena de los radio receptores de ondas medias. En este caso se aplica una correccin emprica afectando con un exponente 1 / 3 a la relacin de longitudes, resultando una permeabilidad efectiva corregida igual a:
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ef * = ef .3
lN l
Esta compensacin, por responder a la raz cbica de la relacin de longitudes, tiene un efecto muy moderado. Por ejemplo, si el ncleo tiene doble longitud que la bobina, la permeabilidad efectiva aumenta slo un 26%. 2.2.3 CORRECCIN SIMULTNEA POR DIFERENTES DIMETROS Y LONGITUDES Este es el caso ms general, en el que tanto el dimetro cuanto el largo del ncleo difieren de los correspondientes a la bobina. Por ejemplo, en muchos casos se utiliza una forma o tubo aislante para soportar la bobina, que posee una rosca interna en la que se enrosca el ncleo, por lo que el dimetro de ste es apreciablemente menor que el de la bobina, tpicamente 70-80 % del dimetro de la bobina. Si esto coincide con que las longitudes de ncleo y bobina son diferentes, debe efectuarse una correccin simultnea por dimetro y por longitud. Puede aceptarse que la correccin total corresponde al producto de las correcciones parciales. Se utiliza entonces la expresin:
D l ef * = ef . N .3 N l D
En todos los casos en que se efecta una estimacin de la permeabilidad efectiva y se aplican las correcciones a un conjunto determinado de bobina y ncleo, debe tenerse en cuenta que los factores de correccin son aproximados, destinados a facilitar los clculos requeridos para el uso de este tipo de inductores con ncleo con la aproximacin aceptable para el uso ingenieril. 2.3) INFLUENCIA DEL NCLEO SOBRE EL Q DE UN INDUCTOR CON CIRCUITO MAGNTICO ABIERTO. Al introducir en una bobina un ncleo ferromagntico abierto de calidad adecuada a la frecuencia de trabajo, se produce un incremento, tanto de la inductancia como del Q. Para que esto ocurra, o por lo menos, para que el Q no disminuya, es fundamental que el ncleo posea caractersticas acordes con el tipo de inductor y la frecuencia de trabajo. De no cumplirse este requisito, puede ocurrir que la inductancia en lugar de aumentar disminuya, o que se produzca una cada substancial del Q, arruinando el inductor para la funcin deseada. Supongamos un inductor sin ncleo, que a la frecuencia f tiene una reactancia
X Lsn = .Lsn
y una resistencia equivalente de prdidas RSN ( Fig. N 2.4.a ). El Q de este inductor es:
Q SN =
.LSN
R SN
En el Cap. V se ha estudiado las prdidas de un inductor sin ncleo. Se ha visto que en alta frecuencia las prdidas ms importantes son las debidas a los efectos pelicular y de proximidad. Esta situacin se presenta en la Fig. N 2.4a, donde se muestra el circuito equivalente para el inductor sin ncleo.
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Si ahora se le introduce un ncleo ferromagntico, se tiene:
QCN =
.LCN
RCN
Si se considera el
Analizemos los nuevos componentes del circuito equivalente ( ver Fig. N 2.4.b ). numerador, y la permeabilidad efectiva de ese inductor y ese ncleo es ef, se tiene:
LCN = ef .LSN
con lo cual el numerador ha aumentado ef veces:
Q CN =
.LCN
RCN
ef . .LSN
RCN
Si ahora analizamos el denominador, la situacin es ms compleja, porque RCN est formada por diversos resistores que son representaciones de distintas prdidas que se producen en el inductor con ncleo:
RCN = RCC + RCApel + RCAprox + RINS + RN

Donde: RCC = resistencia hmica del arrollamiento RCApel = resistencia de alta frecuencia debida al efecto pelicular en el arrollamiento RCAprox = resistencia de alta frecuencia debida al efecto de proximidad en el arrollamiento
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RINS = resistencia adicional que aparece en el arrollamiento al insertar el ncleo RN = resistencia equivalente a las prdidas en el ncleo
De estas resistencias, las tres primeras existen en el inductor sin ncleo. Al introducir el ncleo; esas tres no se modifican, mientras que aparece una resistencia de insercin por el aumento del efecto de proximidad por la introduccin del ncleo y finalmente tenemos las prdidas propias del ncleo RN . Para evaluar como se modifica el QCN con respecto al QSN, se deben evaluar por separado el numerador y el denominador de las expresiones que determinan QSN y QCN . Si el aumento de Rcn con respecto a Rsn es inferior al aumento de LCN con relacin a LSN ( ef veces ), la introduccin del ncleo produce un aumento del Q ; si, por el contrario, el aumento de RCN con respecto a RSN es mayor que el aumento de LCN con relacin a LSN, el Q se reduce. El aumento de inductancia al colocar el ncleo vale ef veces. Se debe evaluar ahora cuanto aumentan las prdidas con la introduccin del ncleo. Las prdidas adicionales que aparecen al introducir un ncleo en una bobina son dos: a) PRDIDAS DE INSERCIN, que se producen en el arrollamiento por el incremento del efecto de proximidad debido al mayor flujo magntico posibilitado por el ncleo. Estas prdidas, si bien son debidas al efecto del ncleo, se producen en el arrollamiento de la bobina.
b)
PRDIDAS MAGNTICAS PROPIAS DEL NCLEO, que se representan por una resistencia equivalente RN .Ambos tipos de prdidas son muy difciles de evaluar cuantitativamente. Sin embargo, puede aceptarse que estas prdidas adicionales son funcin del ef del ncleo. Esto es debido a que las prdidas de insercin se deben al aumento del campo magntico, que es funcin de ef , mientras que las prdidas en un ncleo de alta frecuencia suelen ser funcin de la cantidad de material magnticamente activo, lo que tambin est RCN = RCC + RCApel + RCAprox + RINS + RN relacionada con el ef . Se tiene entonces:
Pero como
RCC + RCApel + RCAprox = Rsn , RINS + RN = K. f (ef ): RCN = RSN + K . f (ef )
Resultando finalmente el QCN igual a:
Q CN =
. L CN
R CN
ef . . L SN = R SN + K . f ( ef
Puede observarse que la resistencia propia de la bobina aumenta en un factor que depende grandemente de la permeabilidad efectiva del ncleo. O sea, esa RSN se transforma en una RCN que es funcin de la RSN y de ef. Cuanto mayor es el ef mayor es el aumento de la resistencia equivalente de prdidas de la bobina con ncleo. Pruebas efectuadas con diferentes ncleos y diferentes bobinas, permiten comprobar que el aumento de Q que se obtiene al introducir el ncleo en una bobina est determinado principalmente por la calidad de la bobina y en menor grado por la calidad del ncleo ( siempre y cuando ste sea de buena calidad). Por ejemplo, en una bobina en la cual QSN = 100, al introducir un ncleo, se tiene QCN = 150. Si el mismo ncleo se coloca en una bobina que tiene un QSN = 150, al introducir el ncleo se podra obtener QCN = 300. O sea, que: la inductancia de la bobina es la misma, la permeabilidad efectiva del ncleo tambin es la misma, sin embargo el Q ha aumentado en mayor proporcin, porque al ser la RSN de la bobina menor, la prdida adicional que se produce en el arrollamiento al introducir el ncleo, es ms pequea, y por lo tanto, el menor crecimiento de la RCN determina un mayor aumento del Q. El clculo de este tipo de variaciones y de las funciones que determinan las prdidas es muy complicado porque no se pueden dar reglas generales valederas para la gran variedad de
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combinaciones que se presentan en la prctica. El criterio que se debe tener en cuenta, cuando se disea un inductor con ncleo, es el siguiente: si bien el ncleo tiene importancia en el valor del QCN obtenido, el valor de ste ser determinado fundamentalmente por la calidad de la bobina, porque si el inductor est construido de tal forma que tiene elevadas prdidas (sin ncleo), cuando se introduce el ncleo las prdidas adicionales que se producirn en el arrollamiento sern proporcionalmente mayores y el Q no aumentar en la medida que lo hubiera hecho si la bobina fuera de mejor calidad. En la prctica, generalmente el resultado concreto es que al introducir un ncleo de caractersticas apropiadas en la bobina, aumentan simultneamente la inductancia y el Q. En la mayora de los casos, las prdidas de insercin, an siendo grandes, no alcanzan a contrarrestar el aumento de inductancia. De esta forma, aparte de la comodidad que significa poder ajustar la inductancia con el ncleo, se tiene la ventaja que resulta de la elevacin del Q cuando se usa un ncleo adecuado en un inductor de caractersticas apropiadas. 2.4) CONSIDERACIONES SOBRE EL MATERIAL DEL NCLEO EN INDUCTORES DE ALTA FRECUENCIA Se ha visto que la introduccin de un ncleo de material ferromagntico en un inductor, produce generalmente un aumento de la inductancia de la bobina. Esto no sucedera si se pretendiera utilizar el ncleo a una frecuencia superior a la que el ncleo puede trabajar. En ese caso, si la frecuencia es muy elevada, el ncleo no cumple con su funcin de facilitar el campo magntico. Ms an, las prdidas que se produciran en el ncleo podran ser tales que el efecto neto sera una disminucin de inductancia; porque el ncleo se comportara como un trozo de material conductor, provocando una disminucin de la inductancia. Antes de la produccin masiva de los ncleos de ferrita, con los cuales se puede trabajar en frecuencias de hasta cientos de Mhz, se utilizaban ncleos de bronce para modificar la inductancia, aprovechando las corrientes parsitas que se inducan en los ncleos conductores. Estas corrientes parsitas generaban un campo opuesto al del inductor, produciendo una disminucin de la inductancia. El efecto era leve, pero permita efectuar un ligero ajuste del valor de la misma. Con la aparicin de los ncleos de alta frecuencia, en especial los de ferrite, se puede conseguir el objeto buscado de ajustar el valor de la inductancia, pero al mismo tiempo obteniendo un aumento de la misma y, en muchos casos, del Q y adems el Coeficiente de acoplamiento K en los transformadores, y por ende la Inductancia Mutua M. En la mayora de los casos se puede establecer una relacin bastante directa entre la frecuencia de trabajo del ncleo y la permeabilidad efectiva ms adecuada para el mismo. Como regla general, en frecuencias ms elevadas se utilizan ncleos de permeabilidades efectivas menores. Esto es lgico si se piensa que para que un ncleo pueda funcionar a frecuencias ms elevadas sus prdidas por corrientes parsitas tienen que ser mucho menores dado que estas prdidas son proporcionales a la frecuencia al cuadrado. Entonces, a medida que aumenta la frecuencia, para que las prdidas no alcancen valores excesivamente grandes, es necesario reducir la concentracin de material magntico hacer ms pequeos los granos de los ncleos pulverizados, y ms grandes los espacios; lo cual trae aparejado una reduccin de la permeabilidad relativa del ncleo. Por otra parte se ha visto que la introduccin de un ncleo en una bobina trae aparejada la aparicin en la misma de las prdidas de insercin, que son ocasionadas por prdidas por efecto de proximidad adicionales causadas por el aumento de flujo que permite el ncleo. Como estas prdidas aumentan con la frecuencia, a medida que la misma crece es necesario reducir la permeabilidad efectiva del ncleo para que las prdidas de insercin no alcancen valores excesivo. Puede apreciarse entonces que el buen funcionamiento de un inductor de alta frecuencia requiere que tanto la bobina cunto el ncleo sean adecuados para la frecuencia de trabajo. A modo de ejemplo, en la Fig. N 2.5 se presenta un grfico en el que se muestran curvas caractersticas de distintos ferrites en funcin de la frecuencia. De esta forma resulta posible seleccionar el material adecuado a la frecuencia de trabajo. En este ejemplo, el factor de mrito representado en ordenadas corresponde al producto de la permeabilidad relativa r del material por el Q del ncleo Qn, equivalente a la inversa de la tangente del ngulo de prdidas ( tg n) del ncleo.
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factor de mrito r . Qn
5 2
r = 1000
5
10
r = 200 r = 125
4
10 5
r = 35 r = 7,5 frec
50 100Khz 200 500 1Mhz 2 5 10 20 50 100Mhz 200
2 3
10
Fig. N 2.5
Curvas Caractersticas de Ferrites en Funcin de la Frecuencia.(ver anexo 8)
2.5) UTILIZACIN PRACTICA DEL NCLEO FERROMAGNTICO EN INDUCTORES DE ALTA FRECUENCIA. La utilizacin en la prctica de inductores con circuito magntico abierto se hace comunmente utilizando algunas disposiciones tpicas, de acuerdo al tipo de aplicacin del inductor: I ) EL NCLEO SE UTILIZA PARA PRODUCIR UN PEQUEO AJUSTE 10 - 20 % en la inductancia del inductor. Con el ncleo en posicin externa, se tiene la inductancia mnima Lmn , y con el ncleo en posicin interna se logra la inductancia mxima Lmx . Por lo tanto, el inductor
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recorre todo el rango de inductancias entre Lmn y Lmx segn la posicin del ncleo. Una de las formas constructivas ms comunes consiste en inductores arrollados sobre una forma cuyo interior est roscado; el ncleo tiene tambin rosca y una ranura para ser accionado con un destornillador o con alguna herramienta especial. Por lo tanto, hacindolo girar se introduce el ncleo, en menor o mayor grado, logrando la variacin de la inductancia. ( Fig. N 2.6 ). Cuando el nico objeto deseado es producir un ajuste, generalmente se eligen el inductor y el ncleo de tal forma de tener un ef que no sea demasiado grande, del orden de 1,5. De esta forma se consigue, al introducir el ncleo, un aumento de inductancia del orden del 50%. En esas condiciones, es evidente que, como para llevar el ncleo a las posiciones extremas, hay que dar una cantidad considerable de vueltas, la resolucin o fineza con que se ajusta la inductancia es muy grande, lo que permite ajustar el valor de la inductancia con mucha precisin. Si el inductor se ha construido de tal forma que sus dimensiones mecnicas son bien determinadas, el valor de la inductancia es muy estable, porque la modificacin que produce el ncleo es pequea. Entonces, la inductancia queda determinada fundamentalmente por el arrollamiento de la bobina, mientras que la misin del ncleo es posibilitar el ajuste exacto del valor de inductancia. Por otra parte, como la modificacin de inductancia no es grande, la modificacin del Q del inductor tampoco es relevante. II ) NCLEO QUE SE USA PARA LOGRAR UN AJUSTE MODERADO DEL VALOR DE L EN UN FACTOR 2 A 3 VECES. Adems, como consecuencia de la accin del ncleo, generalmente se obtiene un incremento del Q y/o reduccin del tamao. Como puede apreciarse en la Fig. N 2.7, al desplazar el ncleo se modifica la inductancia entre dos valores extremos: LSN, que se obtendra alejando totalmente el ncleo, y LCN, que se logra con el ncleo totalmente introducido. Por razones prcticas, y para absorber las inevitables tolerancias de fabricacin, el rango aprovechable de la inductancia queda limitado desde Lmn un 10 a 20 % mayor que LSN, hasta Lmx, un 10 a 20 % menor que LCN.
Para esta aplicacin se utilizan bobinas con ncleos roscados del tipo de la presentada en la figuraN 2.6 . La relacin longitud a dimetro del inductor estar determinada por el rango sobre el quese desea variar la inductancia, como se ver al estudiar el proyecto de este tipo de inductores. La forma constructiva de estos inductores es generalmente simple: la bobina se realiza sobre un tubo de nylon de soporte con rosca interna,
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puede presentar unos nervios o filetes longitudinales que son auto roscados por el ncleo, luego el ncleo est roscado para posibilitar su desplazamiento al ser girado. Por medio de la friccin o de un sellador adecuado se logra que el ncleo no se mueva una vez llevado a la posicin deseada. La rosca del ncleo corresponde a normas mtricas o en pulgadas, de acuerdo al origen. Las dimensiones de algunos tipos frecuentemente usados se indican en la Tabla 2.1. Tabla N 2.1 DIMETROS TPICOS DE NCLEOS Y BOBINAS DE R. F. DIAMETRO DE DIAMETRO DE DIAMETRO DE NUCLEO NUCLEO BOBINA [ Pulgadas ] (mm) [ mm ] [ mm ] 1/8 ( 3,17 mm ) 5/32 ( 3,97 mm ) 3/16 ( 4,76 mm ) 1/4 ( 6,35 mm ) 5/16 ( 7,94 mm ) 3/8 ( 9,52 mm ) 3,00 4,00 5,00 6,00 8,00 10,00 4,0 - 4,5 5,0 - 5,5 6,0 - 6,5 7,5 - 8,0 9,5 - 10,0 12,0 - 13,0
Como hemos visto, la utilizacin correcta de un ncleo ferromagntico de material adecuado permite incrementar apreciablemente el valor de Q obtenible en una bobina, o reducir el tamao de la misma. III) VARIACIN GRANDE DE LA INDUCTANCIA L = 10.L , con el objeto de utilizar esta variacin como control de sintona. Esta aplicacin es conocida como sintona por permeabilidad y utilizada en los receptores de radiodifusin para automviles y en sintonizadores de televisin. En este caso, mediante el uso de ncleos largos, con los cuales se consigue una permeabilidad efectiva ef grande, se pueden lograr variaciones de la inductancia considerables hasta ms de
10 veces. En algunas de estas aplicaciones, se requiere lograr estas grandes variaciones de inductancia con un Q elevado y no demasiado variable. Para ello, es necesario apelar a tcnicas especiales de construccin de los arrollamientos de los inductores, por ejemplo, el bobinado progresivo , en el cual el paso es variable. De esta forma se puede obtener, adems, que la variacin de la inductancia en funcin de la posicin del ncleo siga la ley que resulte ms apropiada para el tipo de utilizacin. 2.6) DISEO DE INDUCTORES DE R.F. CON NUCLEO FERROMAGNETICO. Se ha visto que los inductores de RF con ncleo pueden realizarse en distintas formas constructivas, de acuerdo a la funcin del ncleo. Si bien el proyecto de cada una de esas categoras posee sus particularidades, en todos los casos se trata de inductores con circuito magntico abierto la > lh , en los cuales el rol fundamental lo
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juega la bobina, que define la inductancia obtenible, el Q y el rango de frecuencia de trabajo, quedando para el ncleo el papel secundario de ajuste de la inductancia y un aumento moderado del Q. 2.6.1 DATOS E INCGNITAS DEL DISEO El diseo posee los siguientes datos e incgnitas: DATOS Lmn Lmx Qmn ft ( de trabajo ) Bobina: INCOGNITAS D l N d Ncleo: DN lN r del material
Como se viera oportunamente en el captulo anterior, el conjunto de los datos condiciona totalmente la solucin del diseo y por lo tanto los valores que corresponden a las incgnitas. Se ver que de acuerdo al tipo de inductor resulta un desarrollo particular de cada diseo. I) INDUCTORES EN LOS QUE SE DESEA UN PEQUEO AJUSTE L = 10 A 20% SIN VARIACIN DE Q En estos casos, el inductor debe poseer una gran estabilidad del valor de L, que debe ser ajustable en un 1020%. El ncleo en este caso tiene un papel muy secundario siendo su funcin el posibilitar la pequea variacin de L. Por lo tanto, el ef necesario es reducido, de 1,2 a 1,5. Esto se logra con relaciones longitud a dimetro reducidas ( l/D entre 1 y 2 ). El proyecto debe encararse entonces como en el caso de un inductor sin ncleo pero apuntando a obtener una inductancia sin ncleo que sea un 10 a 20% menor que la Lmn, a fin de que ste valor se alcance con el ncleo colocado. Como el ef es pequeo, el Q no sufre una variacin apreciable. Las caractersticas del ncleo no suelen ser importantes, utilizndose generalmente materiales de muy baja permeabilidad relativa r con lo que se posibilita un gran rango de frecuencias. II) INDUCTORES CON VARIACIN L= 2 A 3. L , CON AUMENTO DE Q. En este caso el ncleo tiene ms importancia dentro del proyecto, que debe ser encarado enfocando ambos elementos ( ncleo y bobina ) en forma simultnea. En especial, debe evaluarse desde el principio el ef que posibilite la variacin deseada de la inductancia. ( Fig. N 2.8 ):
RANGO DE VARIACION DE L
L LSN Lmn Fig. N 2.8 Lmx LCN Rango de variacin de inductancia
Como se ver, en este caso la relacin longitud / dimetro no puede adoptarse arbitrariamente, sino que resulta del ef requerido. Para ordenar el proyecto, se indican los pasos a seguir: Paso 1: DETERMINACIN DE LA PERMEABILIDAD EFECTIVA NECESARIA: Como puede observarse en las figuras N 2.7 y 2.8, el rango operativo de la inductancia se extiende desde Lmn hasta Lmx. Para evitar que las tolerancias de fabricacin, tanto en la bobina cuanto en el ncleo, impidan alcanzar efectivamente el rango de inductancia deseado, deben tomarse mrgenes de seguridad adecuados. Con estos criterios, pueden establecerse las siguientes relaciones:
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Lsn = 0,8 a 0,9 Lmn Lcn = 1,1 a 1,2 Lmx

Podemos entonces determinar la permeabilidad efectiva real ef* ( el asterisco es porque debe estar corregida por eventuales diferencias de dimetros y de longitudes de bobina y ncleo que resulta, a saber:
ef * =
LSN L max 1,1a1,2 L max = = 1,22a1,5 LCN 0,8a0,9 L min L min
Para estimar la permeabilidad efectiva terica ( que es la que se obtiene de la curva de la Fig.N 2.2 ), es necesario tener en cuenta las diferencias dimensionales entre bobina y ncleo. Si observamos la tabla 2.1, podemos apreciar que, tpicamente, la relacin DN / D oscila entre 0,7 y 0,8 . Por lo tanto, recordando la expresin para la correccin del ef por diferencia de dimetros:
ef* = ef .
( )
DN D
Podemos obtener una estimacin de la permeabilidad efectiva terica:
D ef = ef * . D N
= ef * .(1,2a1,4)2 ef * .(1,4a 2)
Podemos apreciar que la permeabilidad efectiva terica ( de la Fig. N 2.2 ) es tpicamente de un 40% a un 100 % mayor que la permeabilidad efectiva real del la bobina y el ncleo Si ahora se tiene en cuenta la relacin entre ef * y Lmn y Lmx, resulta:
ef ef * .(1,4a 2 ) (1,22a1,5).
L max .(1,4a 2 ) L min
Tenindose finalmente que la permeablidad efectiva terica necesaria es aproximadamente:
ef 1,7a3.
L max L min
El rango de 1,7 a 3 en el factor de proporcionalidad depende de la relacin de dimetros y de las tolerancias en los valores de LSN y LCN. En general, pueden usarse valores ms centrales ( 2 a 2,5 ), para los pasos iniciales, teniendo cuidado de verificar los resultados al final del proyecto. Paso 2: ADOPTAR UN MATERIAL PARA EL NCLEO, lo que se hace teniendo en cuenta la frecuencia de trabajo. En la Fig. N 2.5 (ver anexo 8) se han presentado algunos tipos de ferrites, con su r y el rango de frecuencias en el que resultan utilizables. Con ese grfico ( u otro similar ), o utilizando una tabla o catlogo de materiales magnticos de alta frecuencia, se elige el material del ncleo obtenindose la permeabilidad relativa correspondiente.
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Paso 3: DETERMINACIN DE LA RELACIN LONGITUD / DIMETRO DE LA BOBINA. Como se ha visto, en este caso la relacin longitud/dimetro no puede adoptarse arbitrariamente, sino que resulta del ef requerido. Para determinarla, se ingresa al grfico de la Fig. N 2.2, con la ef terica obtenida al final del Paso 1 y con la permeabilidad relativa del material del ncleo, obtenindose la relacin l/D mnima que posibilita lograr la permeabilidad efectiva necesaria. Paso 4: PROYECTO DEL INDUCTOR SIN NCLEO. Esta parte del proyecto se realiza en la misma forma que fuera descripta en el punto 5.1.2 del captulo 5 ( Proyecto de solenoides monocapa sin ncleo ), cuidando de tener en cuenta los siguientes aspectos: a) El valor de LSN adopta como: LSN = 0,8 a 0,9 Lmn b) El Q del inductor con ncleo depende de las caractersticas constructivas del inductor, del ncleo y de la frecuencia de trabajo ( el mnimo Q se obtiene para fmn ). Como regla general, puede esperarse un QCN del orden de un 20 a un 50% mayor que el QSN. Si embargo, como esto no puede asegurarse, un buena prctica ingenieril consiste en tomar un margen de seguridad, proyectando el inductor sin ncleo para el Q requerido para el inductor con ncleo. c) Para determinar el dimetro mximo, la frecuencia de autorresonacia debe calcularse con el valor ms desfavorable de la inductancia dentro del rango operativo, que corresponde a Lmx. Paso 5: VERIFICACIONES: Como en los pasos iniciales del proyecto se adoptan tentativamente varias relaciones, antes de cerrarlo debe verificarse que las suposiciones fueron correctas y que el valor final de la permeabilidad efectiva permite obtener el rango de inductancia requerido ( Lmn a Lmx ). III) INDUCTORES EN LOS QUE SE DESEA OBTENER GRAN VARIACIN DE L ( sintona por permeabilidad ). En este caso el inductor resuena con un capacitor de sintona ( fijo y externo ), por lo que la inductancia deber variar en la relacin:
Lmax f max = f Lmin min

fmn = 530 Khz; fmx = 1650 Khz .
Como ejemplo, para la Banda de Radiodifusin ( frecuencias medias), se tiene:
De lo cual resulta
L max = 10veces L min
Puede apreciarse que la inductancia operativa cubre un rango muy amplio ( 10 veces ). Siguiendo el procedimiento de proyecto indicado en el punto anterior, con los factores de seguridad adecuados para cumplir con Lmn y Lmx; y teniendo en cuenta que la relacin DN / D vale tpicamente de 0,85 a 0,90 ( por utilizarse ncleos y bobinas sin roscar), generalmente resultan valores de ef de 15 a 20
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Esto nos indica ( ver grfico que relaciona ef ; r y l / D , Fig. N 2.2 ) que necesitamos utilizar una bobina y ncleo en los que la relacin l / D sea grande ( generalmente l / D > 6 ). El procedimiento general del proyecto es el mismo que se ha visto en el punto anterior, debiendo prestarse mucha atencin a las verificaciones. 3) RESOLUCION DE INDUCTORES CON CIRCUITO MAGNETICO CERRADO Se ha visto en el captulo V que la inductancia de un inductor puede expresarse como la relacin entre el cuadrado del nmero de espiras y la reluctancia total del circuito magntico:
N2 L=
Esta frmula es totalmente general y puede utilizarse en cualquier caso en que el nmero de concatenaciones y la reluctancia del circuito magntico sean conocidos. Como el nmero de espiras es generalmente evidente, la dificultad puede presentarse por el lado de la reluctancia. Si sta es fcil de cuantificar, el problema es sencillo. Por lo tanto, como regla general, la determinacin de las caractersticas del inductor pasa previamente por la resolucin del circuito magntico formado por el ncleo. Como se ver en detalle ms adelante, los circuitos magnticos cerrados, si bien pueden tener formatos y caractersticas muy dispares, en gran mayora de casos presentan disposiciones tales que simplifican su resolucin. Es frecuente que los fabricantes de ncleos ferromagnticos, para aquellos tipos y formatos de ncleos que no permites una solucin sencilla, proporcionen para sus productos una caracterstica llamada factor de inductancia (ver anexo 1 y 2), tal que:
N2 L= = AL .N 2
donde AL se expresa en [ nHy / esp.2 ] Puede apreciarse que en realidad el factor de inductancia es igual a la inversa de la reluctancia. Este factor resulta muy cmodo para el clculo de la inductancia para ncleos como las cazoletas y los toroides, cuya geometra en algunos casos es complicada o difcil de apreciar por estar cubierta por algn recubrimiento. Se han definido como circuitos magnticos cerrados a aquellos en los que la << lh. Adems de esta condicin bsica, otras consideraciones del circuito magntico juegan un papel importante. Si la seccin de hierro Sh puede suponerse constante y si las dimensiones transversales del ncleo son pequeas con respecto a lh, puede aceptarse que la induccin B es aproximadamente constante a lo largo del camino magntico, lo cual permite plantear el problema en forma sencilla y resolverlo analticamente ( si la permeabilidad es constante y conocida) o por mtodos grficos ( si no puede considerarse constante, lo que ocurre en los circuitos magnticos no lineales ), con relativa facilidad. 3.1) ANLISIS DEL CIRCUITO MAGNTICO Se efectuar en primer lugar el anlisis para un circuito magntico sin entrehierro, en el que la seccin de hierro es Sh y la longitud del camino magntico en el hierro es lh. El circuito de la Fig. N 3.1 es cuadrado, pero el anlisis puede suponerse vlido para cualquier formato, siempre que lh >> a ( siendo a la dimensin transversal del ncleo ) y la seccin Sh se mantenga constante.
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lh
a << lh
Fig. N 3.1Circuito magntico totalmente cerrado ( sin entrehierro )
Ap
Sh = a . Ap = (constante)
En este circuito magntico el flujo que circula cuando se aplica una FMM ( fuerza magneto motriz ) es igual a:
= B.S
B = Densidad de Flujo Induccin
= .
S = Seccion de la espira.
S . N .I N .I = lh lh .S
3.1.1) LEY DE HOPKINSON Si al denominador de la expresin anterior se lo llama ( reluctancia):
lh .S
Y considerando que la excitacin del circuito magntico ( producto N.I ) es la FMM, se tiene la llamada ley de Hopkinson ( ley de Ohm para los circuitos magnticos ) que dice que el flujo es igual al cociente entre la fuerza magnetomotriz y la reluctancia:
N.I
Puede observarse que esta ley tiene similitud formal con la ley de Ohm en los circuitos elctricos: existe analoga entre corriente elctrica y flujo magntico; entre f.e.m. y fuerza magnetomotriz y entre resistencia elctrica y reluctancia magntica. La reluctancia, o dificultad que ofrece el circuito magntico al establecimiento del flujo, es proporcional a la longitud del circuito magntico e inversamente proporcional a la seccin y a la permeabilidad = o . r ), donde r es la permeabilidad relativa del material del ncleo. Recordemos que en la mayora de los materiales r 1 ( materiales no magnticos ), mientras que en los materiales ferromagnticos r >> 1 ( tpicamente entre 1 000 y 10 000 ). Es intersante hacer una acotacin con respecto a los circuitos magnticos y su analoga con los circuitos elctricos. En stos, la dispersin de
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corriente, fuera de los conductores, es prcticamente despreciable. Esto se debe a que la resistividad de los conductores es de 10 6 /cm , mientras que la de los materiales aislantes que los rodean est en el rango de 1012 a 10 20 ohm.cm , o sea, que entre el conductor y el aislador hay alrededor de veinte rdenes de diferencia en la conductividad. En cambio, en el caso magntico, la permeabilidad relativa es 1 para el medio exterior (no magntico ) y tpicamente 103 a 105 para el material del circuito magntico. Esto significa que la relacin de reluctancias es mucho menor que para el circuito elctrico ( de tres a cuatro rdenes de magnitud contra alrededor de veinte ), y por lo tanto es mucho ms probable que las lneas de campo salgan del ncleo y circulen por el exterior. Como es inevitable la existencia de flujos dispersos, an con ncleos perfectamente cerrados, en las aplicaciones prcticas se presentan frecuentemente diversos tipos de problemas causados por los campos dispersos. No hay solucin perfecta para esta situacin: el estudio de cada caso y la adopcin de medidas de compromiso son las mejores armas del ingeniero para reducir el problema a niveles aceptables. 3.1.2) RELUCTANCIA EN CIRCUITOS MAGNTICOS CON ENTREHIERRO. Los circuitos magnticos totalmente cerrados son poco frecuentes en las aplicaciones prcticas, debido a dos razones principales: * En la mayora de las configuraciones tpicas de los ncleos, la introduccin de un entrehierro resulta inevitable. Ms adelante se vern distintas alternativas para remediar este hecho. * En muchos casos el entrehierro cumple una funcin deseable; ms aun, en ocasiones es indispensable el uso de un entrehierro precisamente calibrado. ANALICEMOS QUE PASA CUANDO EN UN CIRCUITO MAGNTICO INTRODUCIMOS UN ENTREHIERRO. Supongamos que se practica un corte transversal en cualquier parte del circuito magntico, con una longitud del camino magntico en el aire l a que es pequea con respecto a l h. Fig. N 3.2 Tambin debe cumplirse que la es pequea comparada con a (dimensin transversal del ncleo).
lh
FIG.N 3.2Introduccin de un entrehierro en un circuito magntico cerrado
la << lh Ap
Sh = a . Ap = (constante)
Esta condicin es importante, porque permite considerar que el flujo disperso es relativamente pequeo y puede ser despreciado, dado que la mayora de las lneas de flujo siguen manteniendo el paralelismo ( Fig. 3.3.a ), por lo que la seccin efectiva del entrehierro Sa es aproximadamente igual a la seccin del hierro Sh ( la seccin se mantiene aproximadamente constante a lo largo del circuito magntico ). Si la longitud la es grande y del orden de la dimensin transversal a ( fig. N 3.3.b ), se produce una deformacin muy grande del campo, y la dispersin es grande. En este caso el anlisis simplificado no tiene mayor validez, porque la seccin del
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entrehierro ser mucho mayor que la seccin del hierro, la distribucin de las lneas de campo no ser homognea y el circuito no podr resolverse en forma sencilla. Por lo tanto, se considerar slo el caso en que la longitud la es muy pequea comparada con el resto del camino magntico.
la
la
a a a) entrehierro pequeo la << a b) entrehierro grande la a
Fig. N 3.3 Influencia de la longitud de entrehierro sobre la dispersin del campo Recordando las analogas entre los circuitos magnticos y los circuitos elctricos, la reluctancia total es igual a la reluctancia del hierro ms la reluctancia del aire:
T = H + A
T = lh 1 la . + 0 .S r lh
T =
lh
0 .S .
1 1
la lh
r '=
donde:
1 1
r
T =
la lh
lh 0 .S . r '
Este anlisis es muy importante por lo siguiente: hemos determinado que la reluctancia de un circuito magntico con entrehierro ( hierro con permeabilidad relativa r ms aire ) es igual a la de un circuito magntico
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homogneo de un material ficticio que posee una permeabilidad relativa aparente 'r . Esta permeabilidad aparente es funcin de la permeabilidad del hierro y de la relacin de longitudes la y lh relacin de entrehierro Esto es muy importante, porque permite considerar un circuito magntico discreto ( hierro y aire ) como si fuera homogneo. El efecto del entrehierro es disminuir la permeabilidad aparente del circuito magntico, pero al mismo tiempo, ste se vuelve ms estable. Es fcil comprobar que la variacin de la permeabilidad aparente 'r con respecto a variaciones de r es menor que la unidad. Es decir, si tenemos el ncleo sin entrehierro y hay un cambio en la permeabilidad, la reluctancia del circuito magntico variar en funcin directa, mientras que si tenemos un entrehierro, ste ejerce un efecto estabilizador sobre la permeabilidad relativa aparente del circuito magntico, y, frente a variaciones del r, la variacin de la reluctancia es mucho menor. Podemos considerar tres casos:
1
a) CASO QUE
<
la lh
predomina la influencia del entrehierro. En el caso lmite
materiales de muy alta permeabilidad, entrehierros grandes, resulta:
r ' =
1 1
la lh
1 lh la la lh
Puede observarse que la permeabilidad aparente del ncleo se vuelve independiente de la permeabilidad relativa del material del ncleo. Este efecto del entrehierro de independizar, o al menos minimizar, la dependencia de un circuito magntico de la permeabilidad del material que lo forma es de gran importancia prctica, dado que posibilita lograr gran estabilidad en los valores de la inductancia de los inductores con circuito magntico cerrado frente a las inevitables variaciones del r del material magntico. b) CASO QUE
>
la lh
predomina la influencia de la permeabilidad del material. En el caso lmite
de que el entrehierro sea muy reducido ( la 0 ), se tiene:
R ' =
1 1
la lh
1 r 1
Podemos ver que en este caso, la permeabilidad aparente tiende a la permeabilidad del material, ya que el entrehierro es prcticamente despreciable.
1
c) CASO QUE
la lh
la permeabilidad aparente depende de ambas relaciones , alcanzado valores
intermedios a los correspondientes a los casos a) y b)
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El anlisis efectuado muestra la gran importancia que posee la presencia de un entrehierro en un circuito magntico, ya que de acuerdo a la magnitud del mismo los valores de la permeabilidad aparente del ncleo pueden variarse dentro de rangos muy amplios, como puede apreciarse en la Fig. N 3.4 .
Ver grafico en Anexo 14.
'r
la / lh = 0 10.000 0.0001
1.000
0.001
100
0.01
10 10 100 1.000 10.000
r
100.000
Fig. N 3.4 Variacin de r en funcin de r , con
la como parmetro lh
3.1.3) CIRCUITOS MAGNTICOS CON VARIOS TRAMOS DE ENTREHIERRO
Analicemos qu pasa cuando en lugar de tener un slo entrehierro concentrado se tiene un ncleo formado por n secciones compuestas cada una por tramos de hierro de longitud lh y permeabilidad r y entrehierros parciales
de longitud la. Se considera que lh >> la. La reluctancia total en este caso es igual a n veces la reluctancia de cada un de los tramos compuestos por hierro y aire.
tot
= n ( Reluctancia de cada seccin) = n .(

la lh
H + A )
R = n lh + la S. S. 0
n: nmero de secciones de material ferromagntico
entrehierro
material ferromagntico de permeabilidad r
FIG. N 3.5 Ncleo con entrehierro mltiple
Ya se ha analizado el caso de un circuito magntico con un slo entrehierro; tenindolo en cuenta, la reluctancia total ser igual a:
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T = n.
l = n. ( lh + la ) n. Lh
lh 0 . r '.S
lh >> la
T =
0 . r '.S
l
h >>
La diferencia con el circuito anterior est en que en lugar de tomar lh ( longitud del hierro ) debe tomarse toda la longitud del circuito magntico. Esto generalmente no significa ninguna diferencia porque si
es
De esta forma se puede calcular la permeabilidad aparente de un ncleo compuesto por un nmero cualquiera de subdivisiones de entrehierro y material ferromagntico. El concepto ms significativo es que no importa la cantidad de subdivisiones sino la relacin de longitudes l a / l h. Incluso, las subdivisiones pueden ser desiguales, ya que no interesan los valores individuales de
h.
o de l
h , sino la relacin
a/
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CAPITULO VII 1.1 INTRODUCCION
INDUCTORES DE BAJA FRECUENCIA
1) DISTINTOS TIPOS DE INDUCTORES DE BAJA FRECUENCIA: Los inductores para bajas frecuencias, entendindose por tales las correspondientes al rango de 20 Hz hasta algunas decenas a veces hasta centenas de Khz, utilizan casi sin excepcin circuitos magnticos cerrados, con ncleos ferromagnticos de alta permeabilidad. En el Captulo IV, al estudiar los materiales magnticos blandos, se presentaron los distintos tipos de ncleos aptos para inductores de baja frecuencia: NCLEOS ACORAZADOS( E-I )METLICOS, utilizados para las frecuencias ms bajas: 20 -15 000 Hz y potencias medias y elevadas.(ver anexo 31; 39 y 44) NCLEOS ACORAZADOS E-I O E-E DE FERRITAS, para frecuencias medias 10 - 100 Khz y potencias bajas y medias NCLEOS TOROIDALES Y CAZOLETAS DE FERRITAS O POLVOS AGLOMERADOS, para frecuencias bajas y medias y potencias bajas. Algunos de estos inductores, en particular los de baja frecuencia, suelen manejar potencias considerables, siendo por lo tanto de voluminoso tamao. La mejor solucin tecnolgica para estos inductores consiste en un ncleo metlico laminado, generalmente de hierro-silicio al 3 a 4 %, ya que por razones de costo no suele justificarse el uso de materiales magnticos especiales. Entre las aplicaciones comunes de estos inductores pueden mencionarse reactores de potencia para limitacin de corriente e inductores de filtro de fuentes de alimentacin. Cuando las frecuencias son mayores, la opcin ms adecuada suelen ser los ncleos acorazados de ferritas, que se usan en inductores y transformadores de baja y media potencia para fuentes de alimentacin. Para los inductores utilizados como filtros en distintas aplicaciones circuitales de bajo nivel, conviene optar por toroides o cazoletas de ferritas o eventualmente de polvos aglomerados. 1.2) INDUCTORES DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA 1.2.1) INDUCTORES DE POTENCIA REACTORES Un ejemplo es el de los inductores que se utilizan para reducir la tensin que aparece sobre una resistencia ( Fig. N 1.1 ). Como el inductor tiene una impedancia fuertemente reactiva si el Q es elevado, la cada de tensin sobre el inductor puede ser grande sin que el consumo de potencia sea excesivo.
Fig. N 1.1
Inductor de Potencia (Reactor) limitador de corriente
En equipos para soldadura de arco, se suelen utilizar inductores en serie con los electrodos para limitar la corriente mxima y producir una cada de tensin sin que al mismo tiempo se tenga un gasto innecesario de energa. Si bien se puede aceptar que un inductor es principalmente reactivo, debido a su Q elevado, es indudable que un elemento real presenta prdidas en el hierro y en el cobre. Estas prdidas provocan una sobreelevacin de temperatura, que debe mantenerse dentro de lmites adecuados para evitar el deterioro del aislante utilizado. Otro aspecto a considerar es la variacin de la inductancia con las condiciones de operacin. Esta caracterstica es inevitable, ya que todos lo inductores con ncleo ferromagntico tienen una variacin de L con el punto de trabajo, ya que la caracterstica B-H es alineal. Sin embargo, se ha visto que mediante el uso de un entrehierro adecuado se produce una mejora de la estabilidad, por lo que este recurso es habitualmente utilizado. 1.2.2) INDUCTORES DE F I L T R O PARA RECTIFICADORES.
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En los filtros asociados a las fuentes de alimentacin de baja frecuencia 50 - 120 Hz y alta potencia, se utilizan frecuentemente inductores de valor elevado. La salida del proceso de rectificacin es una C.C. pulsante que tiene un alto contenido de armnicas, poco apropiado para la alimentacin de la mayora de los equipos electrnicos. Una forma muy comn de reducirlo es por medio de filtros constituidos por inductores y capacitores de valor elevado, como se muestra en la Fig. N1.2 .
El proyecto de estos inductores tiene como principal dificultad el hecho que sobre los mismos actan simultneamente la corriente alterna incluyendo sus armnicas y la corriente continua que se desea filtrar. Esta C.C. hace que el punto medio de trabajo en la curva B-H no sea cero, sino que se desplace en un valor Hcc premagnetizacin continua, Fig. N 1.3 . De acuerdo al valor de Hcc se tendrn distintos valores de permeabilidad incremental, por lo que el valor de L depende del valor de la C.C.
B Recta del entrehierro Bcc Curva del hierro
Hcc
Htcc
FIG N 1.3 Premagnetizacin filtro
de CC en un inductor de
2) INDUCTANCIA DE UN INDUCTOR CON CIRCUITO MAGNETICO CERRADO. En el captulo anterior se ha analizado el caso general de un inductor con circuito magntico cerrado la << lh en baja frecuencia resulta:
S .N 2 L = 0 . r '. lh
r ' =
1 1
la lh
entrehierro la / lh es conocida o de fcil medicin, la verdadera dificultad del clculo estriba en determinar el valor de la permeabilidad del material del ncleo. Como se ver a continuacin, existen diferentes alternativas para esa determinacin. Por lo tanto, para determinar el valor de r o del r si el circuito incluye un entrehierro es necesario, en el caso general, determinar el punto de trabajo magntico Bmx o Hh , segn corresponda. Esta determinacin puede ser sencilla si el inductor est excitado por tensin , o ms compleja si est alimentado por corriente , ya que en este caso debe resolverse el circuito magntico como se presenta a continuacin.
Puede apreciarse que la inductancia, para un ncleo dado y cierto nmero de espiras, depende solamente de la permeabilidad relativa del material r y de la relacin de entrehierro la / lh .Como la relacin de
Captulo VII
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2.1) RESOLUCIN KARAPETOFF
GRAFICA
DE
CIRCUITOS
MAGNTICOS: METODO DE
Se presenta a continuacin el mtodo de resolucin grfica de los circuitos magnticos de los inductores. Esta resolucin ofrece algunas dificultades porque los circuitos magnticos con ncleo son alineales. Esto es, la reluctancia del ncleo no es constante sino que depende de la induccin B, o de la intensidad de campo H a que se encuentra sometido el ncleo. En un circuito magntico el flujo es igual a la fuerza magnetomotriz FMM sobre la reluctancia: = FMM / R
lh
N la
FIG N A1.1 Circuito magntico cerrado Supongamos un circuito magntico cerrado Fig. N A.1.1 el cual posee un entrehierro de la lnea magntica media
la
y una longitud
frecuencia siempre es del circuito magntico. Se tiene tambin un arrollamiento por el que circula una corriente I ; arrollamiento tiene N espiras aparecer una FMM total igual al producto N.I:
lh . Conviene recordar que en los circuitos magnticos cerrados para baja lh >> la. Por lo tanto puede considerarse que lh l siendo l la longitud total
si este
FMM t = N . I
reluctancia en el aire la / o.s. Una condicin que debe cumplirse en el circuito magntico es que los flujos en el hierro y en el aire son iguales equivalente al primer lema de Kirchoff : La reluctancia total en este caso es igual a la suma de la reluctancia del hierro lh / .s ms la
a = h Esto es porque el circuito magntico tiene solamente una rama, no tiene bifurcaciones. Si as fuera, debera cumplirse que en cada nodo la suma de los flujos entrantes debe ser igual a la suma de los flujos salientes: = 0
Otra condicin que debe cumplirse es que la suma de las FMM fuerzas magneto motrices aplicadas a cada tramo es igual a la FMM total aplicada al circuito:
FMMt = FMMh + FMMa

Si representamos grficamente el comportamiento de los dos tramos del circuito magntico, vemos lo siguiente ( Fig. N A.1.2 ):
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FIG. N A.1.2 Representacin grfica del comportamiento del hierro y el aire Para el hierro, se tiene una curva como la que muestra el grfico, mientras que para el aire corresponde una lnea recta, el aire tiene un comportamiento lineal, ya que no se satura. El comportamiento de todo el circuito se representa por una curva compuesta que se construye sumando los valores de FMM del hierro y del aire para iguales valores de flujo . La reluctancia total en este caso es igual a la suma de la reluctancia del hierro lh / .s ms la reluctancia en el aire la / o.s . Para un determinado valor de , en el aire y en el hierro se producen, respectivamente, las FMMa y FMMh , cuya suma es la FMMt que se requiere para producir el flujo en todo el circuito magntico. Si se repite este razonamiento para varios valores de se obtienen distintos puntos, que unidos permiten obtener la caracterstica compuesta del circuito magntico. Esta caracterstica permite conocer el valor correspondiente de para una FMMt aplicada al circuito magntico. Tambin se pueden determinar las FMM en el aire y en el hierro. Esta es una forma poco cmoda de resolver el circuito magntico, porque para cualquier variacin del entrehierro o del ncelo magntico habra que volver a dibujar la caracterstica compuesta. Una forma ms prctica es utilizar el MTODO DE KARAPETOFF , en el que se trazan las dos curvas la del hierro y la del aire, pero invirtiendo la recta del aire, que se traza a partir del valor de FMMt. La caracterstica del aire forma una recta con una pendiente tal que:
= tg 1
1 Ra
donde Ra =
la 0 .S
En el punto de interseccin entre la recta del aire y la curva del hierro se tiene la solucin del circuito magntico, quedando determinados el , la FMMh y FMMa. ( Ver Fig. N A.1.3 )
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FIG. N A1.3 Resolucin del circuito magntico por el mtodo de Karapetoff 2.2) VENTAJAS DEL METODO 1) ELEGIR EL PUNTO DE TRABAJO : En vez de tener una caracterstica compuesta que depende del entrehierro, se utiliza la caracterstica normal del hierro, sobre la cual se puede, por ejemplo, elegir un punto de trabajo.
(1)
(2)
2) VISUALIZAR EL EFECTO DE UN CAMBIO DEL ENTREHIERRO, ya que slo se necesita trazar una nueva recta con la pendiente correspondiente al nuevo valor del entrehierro. 3) APRECIACIN DEL EFECTO DE MODIFICACIONES EN LA EXCITACIN DEL CIRCUITO, ya que basta trasladar la recta del aire en forma paralela hasta que pase por el nuevo FMMt.
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El nico inconveniente para el uso prctico es que este diagrama est dado en flujo y en fuerza magnetomotriz, mientras que habitualmente el diagrama del hierro tiene como variables a la induccin y la intensidad de campo ( B = f (H) ). Pero la conversin puede hacerse : el flujo es igual a B.S, y como para la mayora de los casos la seccin es la misma, se puede pasar rpidamente de a B
dividiendo (3) por S. Con respecto al eje de abscisas, para pasar de FMM a intensidades de campo H se debe dividir la correspondiente FMM por la distancia sobre la que est aplicada. Esto presenta un inconveniente, ya que las distancias no son iguales. La solucin adoptada es dividir todas las FMM por lh longitud del hierro, por las siguientes razones: # De esta forma se mantiene la escala de los grficos B-H correspondientes a los materiales utilizados, de modo que se pueden usar esas curvas para resolver los problemas # Para la excitacin total, resulta Ht = FMMt / lh , lo cual, desde el punto de vista numrico, es prcticamente equivalente. # La FMM en el aire dividida por la distancia en el hierro no tiene significado fsico, por lo cual este segmento se denomina intensidad de campo ficticia en el aire H . Si bien no tiene significacin fsica, numricamente es igual a:
Ha ' =
FMMa FMMa la la = . = Ha . lh la lh lh
Por lo tanto, si bien Ha no es una magnitud real, es igual al campo verdadero en el; aire Ha multiplicado por la relacin de entrehierro la/lh. El nuevo diagrama B-H del circuito magntico resulta entonces ( Fig. N A.1.4 ) : El valor Ht = FMMt / lh, si bien no es una variable magntica real, ya que no hay una intensidad de campo nica suma de las parciales, sera equivalente al valor de H que correspondera a un circuito magntico homogneo y de permeabilidad ' ( permeabilidad aparente ). Recta del entrehierro: para trazar la recta correspondiente al entrehierro, en principio se puede calcular su pendiente como l / Ra. Sin embargo, en la prctica las escalas de B y de H no suelen ser iguales, por lo que los mtodos geomtricos no son los ms apropiados. Generalmente resulta ms cmodo determinar el punto By donde la recta
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intersecciona el eje Y , correspondiente al valor de la induccin que se establecera si la nica reluctancia fuese la del entrehierro. Se calcula como:
Hh =
FMM h
B= / S By recta del entrehierro curva B-H del hierro B
lh para el aire la denominandose la Ha = Ha lh Ha = FMM a
Hh Hh H'a
Ht
Fig. N A.1.4 Resolucin del circuito magntico en el diagrama B-H
y = By. S =
FMMt FMMt 0 . S. FMMt = = la Ra la 0 .S
Resultando entonces-
By =
0 . FMMt la
Uniendo el punto Ht = N.I / lh con By queda trazada la recta del entrehierro, determinndose B de trabajo en la interseccin de la misma con la curva del material magntico. En esta forma se logra una construccin grfica cmoda ya que es fcil trazar nuevas rectas si se modifican el entrehierro o el valor de Ht, sin necesidad de alterar la curva B-H del hierro ni sus escalas. Tambin puede apreciarse fcilmente el efecto de la modificacin del valor del entrehierro. en efecto, es fcil ver que: EL ENTREHIERRO ES GRANDE, By es pequeo. El caso lmite para la tendiendo a infinito corresponde a una recta horizontal EL ENTREHIERRO ES PEQUEO, By resulta muy elevado. El caso lmite para la = 0 ( circuito magntico totalmente cerrado ) corresponde a una recta vertical En la Fig. N A.1.5 pueden apreciarse las rectas correspondientes a diferentes entrehierros:
aire
la=0
Fe
la
Hh Ht H
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Fig. NA.1.5 Rectas del entrehierro para diferentes valores de la 2.3)-- RELACION ENTRE LA TENSION Y LA FRECUENCIA APLICADOS A UN INDUCTOR Y LA INDUCCION QUE SE ESTABLECE EN EL NUCLEO Supongamos que se tiene un inductor alimentado por tensin, Fig. N A.2.1. Consideremos que la frecuencia es invariable; y que el inductor se encuentra alimentado por tensin. Debemos primeramente determinar la relacin entre la tensin aplicada y la induccin que se establecer en el ncleo. Sabemos que la f.e.m. de autoinduccin ser:
e=
B SN , N= t t
dado que = B.S
Si consideramos una variacin cosenoidal de B = Bmax . cos wt.
e=
B max cos wt S.N = B max .w.S.N.sen wt . t
Calculando ahora el valor eficaz de la tensin:
Eef =
en consecuencia:
Emax 1 = Bmax .2 . f .S . N = 2 .Bmax . f .S . N 2 2

E ef = 4,44 B max f . S. N
Expresin de gran importancia para el anlisis de inductores y transformadores, porque relaciona la tensin y frecuencia aplicadas con la induccin que se establece en el ncleo. Puede apreciarse que, ya que N y S son constantes, se cumple una relacin:
Eef Bmax . f,
Eef B max = de donde f
Podemos ver que una variacin de tensin aplicada a un inductor se traducir proporcionalmente en una variacin de induccin ( Fig. N A 2.1 ). Esta variacin a su vez provoca un cambio de la permeabilidad del ncleo. La relacin entre r y B es una relacin complicada, que suele darse en forma grfica. De la expresin anterior puede observarse que, si se deja constante la tensin y se vara la frecuencia, la induccin vara hiperblicamente con la frecuencia. Este comportamiento debe ser considerado con atencin, dado que en un inductor o transformador alimentado por tensin, cuando se reduce la frecuencia, la induccin aumenta. En ciertas condiciones, esto puede causar en el ncleo inducciones elevadas, llegando eventualmente a la saturacin del material. Ver Fig. N A.2.2
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Bmax
Eef
Fig. N A.2.1
Variacin de la induccin B con la tensin aplicada
Eca
f Fig. N A.2.2 Variacin de la Induccin con la Frecuencia Debe tenerse en cuenta que la relacin B = f ( Eca, f ) no depende del entrehierro, por lo que el valor que puede alcanzar la induccin Bmx slo est limitado por la capacidad de corriente de la fuente de tensin. Si el material se aproxima a la saturacin, el inductor o transformador tomar ms corriente, hasta que algo llegue a su lmite. Usualmente la limitacin se produce porque la fuente no puede suministrar la corriente requerida debido a su resistencia interna, pero tambin puede ser causada por un fusible que se abre o un conductor que se quema. La Fig. N 2.1 muestra la Permeabilidad relativa de las laminas de hierro - silicio con un 3,6% de Si de o,35 mm.de espesor , en funcin de la induccin maxima para distintos valores de la intensidad de magnetizacin en CC. 2.3.1) OBTENCIN DEL A PARTIR DE LA INDUCCIN ALTERNA Bmax En baja frecuencia, como se suele trabajar con inducciones bastante elevadas ( a veces cercanas al codo de la curva B-H ), la permeabilidad relativa r depende fuertemente del punto de trabajo magntico Bmax adems del material elegido, por supuesto. Suponiendo que no existe premagnetizacin de CC caso que se tratar ms adelante, la permeabilidad relativa depende de la induccin alterna BCA ( ver grfico correspondiente, r en funcin de BCA, para Hcc=0). La induccin Bmax presente en el circuito magntico
Bmax = Eca / 4,44 N . Sh . f
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Donde:
Eca: N: Sh: f:
tensin alterna eficaz sobre el inductor [ Volt ] nmero de espiras seccin del circuito magntico [ m2 ] frecuencia [ Hz ]
Una vez determinada la induccin Bmax, la permeabilidad r se obtiene del grfico r en funcin de Bmax correspondientes al material magntico. ( por ejemplo, Fig. N 2.1 )
Figura N 2.1 Permeabilidad Relativa en Funcin de la Induccin Ver Anexo 9
2.3.2) OBTENCIN DEL MAGNTICO
POR MEDIO DE LA RESOLUCIN DEL CIRCUITO
En los casos en que el inductor est alimentado por corriente, esto es, la corriente por el inductor est fijada por el circuito exterior, para encontrar el punto de trabajo magntico y poder determinar la permeabilidad es necesario resolver el circuito magntico. Como puede apreciarse en Resolucin de circuitos magnticos , una vez resuelto el circuito magntico la obtencin del valor de ( en cualquiera de sus variantes ) es muy simple. En efecto, suponiendo que se ha resuelto el circuito magntico, graficando la recta equivalente del entrehierro ( ver Fig. N 2.2 ), del mismo se obtiene la permeabilidad en sus diferentes acepciones. Tambin se puede determinar el valor de Bmx y como se indic en el punto anterior obtener la permeabilidad de las curvas r en funcin de Bmax. ( Fig. N 2.1 )
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2.3.3) OBTENCIN DE LA PERMEABILIDAD
=
r =
Bmax Hh
Bmax 0 .Hh
' =
Bmax Ht
r ' =
Bmax 0 .Ht
2.3.4) FACTOR DE INDUCTANCIA AL Es comn que los fabricantes de ncleos ferromagnticos, para aquellos tipos y formatos de ncleos que no permiten una solucin sencilla, proporcionen para sus productos una caracterstica llamada AL factor de inductancia , tal que: L = AL. N2 donde AL se expresa en [ nHy / esp.2 ]. Puede apreciarse que en realidad el factor de inductancia AL es igual a la inversa de la reluctancia, y engloba todos los factores constantes del ncleo. Este factor resulta muy cmodo para el clculo de la inductancia para ncleos como las cazoletas y los toroides, cuya geometra en algunos casos es complicada o difcil de apreciar por estar cubierta por algn recubrimiento. 2.3.5) EL ENTREHIERRO: SU INFLUENCIA Y EFECTOS
El entrehierro o corte del material magntico dentro de un circuito magntico ejerce una profunda influencia en el comportamiento del mismo. En algunos casos es indeseable, y se trata de eliminarlo o de reducir su efecto al mnimo posible. En otros casos es beneficioso, ya que evita la saturacin del ncleo o permite el ajuste de la inductancia o posibilita un mejor balance entre las prdidas en el hierro y en el cobre. 2.3.6) INFLUENCIA SOBRE EL VALOR DE LA INDUCTANCIA
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Como se ha visto en el captulo anterior, el entrehierro influye sobre el valor de la permeabilidad relativa aparente r . Cuando el entrehierro es muy pequeo, la influencia no es grande, pero a medida que la relacin la/lh se hace comparable con 1/r, el entrehierro pasa a ser el factor dominante.
= infinito r
la
Fig. N 2.3 Variacin de la inductancia con el entrehierro
S.N 2 L = 0 r lh
siendo r =
1 1
la lh
Consecuentemente, el valor de la inductancia de un inductor construido sobre un determinado ncleo depende del entrehierro que posee el circuito magntico, como puede apreciarse en la Fig. N 2.3. En el caso de que la / lh >> (1/r) caso que ocurre si el entrehierro es grande o la permeabilidad es muy elevada, la permeabilidad relativa aparente r tiende a:
= r
1 1 la + r lh
1 lh la la lh
Para ese caso ( la / lh >> 1/ r ), la inductancia vale:
L=
0. . . .Sh. N r lh
2
lh Sh. N 2 0 .Sh. N 2 la lh la
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puede apreciarse que, como consecuencia de utilizar un entrehierro importante, la inductancia tiende a independizarse de la permeabilidad del material. De esta forma pueden realizarse inductores en los cuales la inductancia es prcticamente constante, a costa de una menor inductancia de la que podra obtenerse si no se usara entrehierro, o si se requiere la misma inductancia, de un mayor tamao. 2.3.7) ENTREHIERRO MNIMO REALIZABLE: En un ncleo cerrado con chapas laminadas, el entrehierro, si se lo realiza en forma convencional esto es, las chapas E y las I por separado no puede reducirse indefinidamente, sino que, debido a imperfecciones imposibles de evitar, su valor nunca es menor de 0,1 mm, aproximadamente. Es importante tener en cuenta que en los ncleos laminados ms corrientes, formados por chapas E y chapas I ), hay dos tramos de aire: la suma de ambos forma el entrehierro total la ( ver Fig N 2.4 )
lh la/2 la/2 la/2 la/2 la/2
la/2
lh
Fig. N 2.4
Entrehierro total en ncleos laminados
Para la laminacin E-I, se la considera como dos ncleos C-I en paralelo: por lo tanto, en realidad hay dos cortes de las lneas de campo. 2.3.8) APILADO ALTERNADO: JUNTAS Cuando debe reducirse el entrehierro al mnimo, la forma tpica de lograrlo consiste en alternar las chapas al efectuar el apilado: en esta forma las lneas de campo no tienen necesidad de saltar directamente el entrehierro, sino que pueden puentearlo pasando por las chapas adyacentes.
Fig. N 2.5 Reduccin del entrehierro efectivo mediante laminaciones alternadas juntas 1 x 1 equivalente a 0,0125 mm De acuerdo al nmero de chapas utilizadas en cada alternancia, se tiene un entrehierro equivalente total del orden de: 1 x 1..........................0,0125 mm 4 x 4..........................0,025 mm 8 x 8..........................0,050 mm a tope.........................0,125 mm 2.3.9) CALCULO DE LA FMM PARA UNA JUNTA En realidad, el entrehierro equivalente de una junta no est formado exclusivamente por aire, sino que est compuesto por hierro y aire, por lo que tiene un comportamiento no lineal. Adems, en las chapas adyacentes al corte, se produce un aumento de la induccin que puede eventualmente llevar el material
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ferromagntico a la saturacin en esa zona. Es por esto que un procedimiento mas exacto consiste en calcular la FMM necesaria para estabnlecer una induccin dada a traves de una junta o un entrehierro. 2.3.9.1) DEFINICIN DE JUNTA
Por junta definimos al conjunto que resulta de alternar las chapas correspondientes a un corte del circuito magnetico. Por lo tanto las laminaciones comunes que tienen dos cortes al ser apiladas alternadas producen un ncleo con dos juntas. Teniendo en cuenta esta definicin para calcular el efecto del entrehierro total debemos duplicar los valores que proporciona el grafico FMM para una junta. (ver anexo 6) 3) CLCULO DE LAS PRDIDAS EN INDUCTORES DE BAJA FRECUENCIA En los inductores de baja frecuencia se producen prdidas de dos tipos: en el ncleo, que suelen llamarse prdidas en el hierro , y en el arrollamiento, llamadas prdidas en el cobre. 3.1) PRDIDAS EN EL HIERRO Como se ha visto en el captulo correspondiente a materiales magnticos, las prdidas que en ellos se producen en frecuencias bajas se deben principalmente a: a) Prdidas por corrientes parsitas b) Prdidas por histresis En general, desde el punto de vista tcnico interesa conocer el total de prdidas en el hierro, que se calcula a partir de la informacin proporcionada por los fabricantes del material magntico. 3.1.1) NCLEOS EXCITADOS CON CA SOLAMENTE Se ha visto en el Captulo IV que los fabricantes proporcionan para cada material un valor Pg, que es la prdida garantizada o nominal por unidad de peso generalmente Kgr, para condiciones de referencia, que suelen ser una induccin B de 1 wb/m y una frecuencia de 50 o 60 Hz (ver tabla de Prdidas Garantizadas ). Para otras condiciones distintas de las de referencia, se aplican factores de correccin contenidos en tablas, que posibilitan corregir las prdidas de modo de llevar la cifra correspondiente a los valores de referencia a cualquier otro valor de induccin y frecuencia. Por ejemplo, en la Tabla se d el factor de correccin tomando como valores de referencia B = 1 Wb/m2 ( 10 000 gauss ) y f = 60 Hz. Por lo tanto, la prdida corregida de un ncleo a induccin Bi y frecuencia fi resulta:
Ph a Bi, fi = Pg a Br y fr. Fc a Bi y fi. Peso
[W]
Donde: Ph a Bi y fi : Prdida corregida de un ncleo de peso P a induccin Bi y frecuencia fi
Pg a Br y fr Fc a Bi y fi Peso
Prdida garantizada a la induccin y frecuencis de referencia (Tablas en Anexo 36) Factor de correccin para Bi y fi. (Tabla Anexo 32) Peso del ncleo generalmente en Kgr
Tambin puede expresarse en funcin del volumen:
Ph = Pg . V. Peso
Pe = Peso especfico = 7,8 Kg/dm
El volumen se puede determinar aproximadamente en funcin de la longitud de la lnea magntica media (
lh ) multiplicada por la seccin:
Ph Pg . lh . Sh. Peso
Debe tenerse en cuenta que la determinacin de las prdidas en el hierro est siempre afectada de un error considerable, debido a la variabilidad de las caractersticas magnticas y al hecho de que los fabricantes en
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general proporcionan la informacin de sus materiales tomando las condiciones ms favorables, que no siempre corresponden a las del uso corriente. 3.1.2) NCLEOS CON EXCITACIN DE CC Y CA SUPERPUESTAS El clculo de las prdidas en el hierro cuando existe una premagnetizacin de corriente continua presenta dificultades significativas. Analicemos el problema para los dos principales tipos de prdidas: a) PRDIDAS POR CORRIENTES PARSITAS: la induccin continua Bcc no influye sobre estas prdidas. La induccin continua Bcc no induce corriente alguna. Se deben calcular exclusivamente para la induccin alterna Bca. b) PRDIDAS POR HISTRESIS: las prdidas por histresis, que dependen del rea del lazo, son mayores si existe premagnetizacin de corriente continua. Este efecto es difcil de evaluar, por lo que generalmente no se lo tiene en cuenta, utilizando por lo tanto la induccin alterna Bca para el clculo del factor de correccin Fc. El error cometido al no tener en cuenta las mayores prdidas por histresis frecuentemente no tiene gran importancia, ya que las prdidas en el hierro son normalmente reducidas, al ser funcin de la induccin alterna Bca, que es a su vez relativamente pequea tpicamente, 10% de Bcc). 3.2) PRDIDAS EN EL COBRE Las prdidas en el arrollamiento en un inductor de B.F. corresponden mayoritariamente a la resistencia hmica del bobinado, por lo tanto se tiene: Pcu = Ief. Rcc [W] Donde Ief es la corriente eficaz que circula por el arrollamiento. 3.2.1) ARROLLAMIENTOS EN QUE CIRCULA SOLAMENTE CA En el caso habitual, cuando la frecuencia de trabajo es relativamente baja no se consideran efectos de alta frecuencia como el pelicular y el de proximidad, que son mayoritarios en los inductores de alta frecuencia. No obstante, en el caso de inductores de bajo nivel de frecuencias superiores a unos 100 Khz, estas prdidas deberan ser analizadas para evaluar su importancia, particularmente si el alambre utilizado es de alto calibre. La resistencia Rcc se puede determinar por medicin o sino conociendo el nmero de espiras, la longitud de la espira media ( lm ) y el dimetro del conductor
2 Pcu = I ef . N . .
lm d2 4
Rcc = .
lm. N d2 4
donde .d/4 es la seccin del conductor Scu y la resistividad del material del alambre. 3.2.2) ARROLLAMIENTOS EN QUE CIRCULAN CC Y CA SUPERPUESTAS En este caso, las prdidas en el cobre interesan desde dos puntos de vista: a) PARA LA SOBREELEVACIN DE TEMPERATURA: en este caso, las prdidas en el cobre se deben tanto a la corriente continua Icc cuanto a la componente alterna Ica, por lo tanto, a los efectos trmicos debe considerarse el valor eficaz total:
2 2 Ief TOTAL = I CA + I CC
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Sin embargo, como Icc >> Ica ( tpicamente 10:1 ), Ieft resulta apenas ligeramente superior a Icc. Por lo tanto, las prdidas en el cobre que determinan el calentamiento se deben a la corriente continua, por lo que Pcc(trmico) Icc2 . Rcc suele aceptarse: b) PARA EL CLCULO DEL Q: alterna: 3.3) PRDIDAS TOTALES: La suma de las prdidas en el Cu y en el Fe nos da las prdidas totales: en este caso interesan solamente las prdidas debido a la corriente Pca(Q) Ica2 . Rcc
Pt = Ph + Pcu
El valor obtenido generalmente no es muy exacto, porque la cifra de prdidas garantizadas es generalmente optimista, y las prdidas reales en el Cu casi siempre son mayores debido a que se calculan a 25 C pero generalmente se trabaja a bastante ms temperatura. Tambin, si la frecuencia es elevada, aparecen los efectos pelicular y de proximidad, en el arrollamiento, mientras que en el ncleo se manifiesta el efecto pelicular magntico, que provoca una induccin real ms elevada que la que surge del clculo y por lo tanto mayores prdidas. De modo que, si se hace una medicin, las prdidas suelen resultar mayores que las que se obtienen por clculo. Si bien esto debe tenerse en cuenta, la ventaja del clculo reside en que permite efectuar una determinacin aproximada del Q y de la sobre elevacin de temperatura en forma sencilla y rpida, lo que posibilita la comparacin de diferentes alternativas. 3.4) DETERMINACIN DE LA SOBREELEVACIN DE TEMPERATURA Conociendo la potencia disipada en el inductor y las caractersticas del mismo es posible determinar la sobre elevacin de temperatura con respecto a la ambiente. 3.4.1) TEMPERATURA DE RGIMEN Cuando un inductor est alimentado elctricamente, se producen prdidas elctricas y magnticas en la masa del mismo. Estas prdidas se transforman en calor que produce una elevacin de la temperatura del inductor. Si ste estuviera aislado del ambiente condicin adiabtica, la temperatura del inductor aumentara en forma prcticamente lineal con el tiempo. Sin embargo, en el caso real el inductor transfiere calor al medio por medio de procesos fsicos que son dependientes de la diferencia de temperaturas de la superficie del inductor y el medio. A medida que el inductor se calienta, cede ms calor al ambiente. Finalmente, se alcanza una temperatura de rgimen a la cual el inductor transfiere al medio que lo rodea todo el calor que se genera en su interior ( ver Fig. N 3.1 ): El comportamiento de la temperatura superficial con el tiempo es muy similar a una exponencial, que tiende asintticamente a una temperatura que se alcanzara tericamente para un tiempo infinito. En la prctica, se acepta que para unas cuatro o cinco constantes de tiempo trmicas
se alcanza prcticamente el estado de equilibrio.
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Esta constante de tiempo depende bsicamente de la masa del componente, siendo para los inductores y transformadores de uso comn del orden de 15 a 30 minutos. Esto significa que un dispositivo tpico alcanza su temperatura de rgimen al cabo de una a dos horas de conectado. Existen tres procesos fsicos mediante los cuales el dispositivo intercambia calor con el medio en que se encuentra que se supone a temperatura ambiente Ta : 1) Conduccin 2) Conveccin 3) Radiacin
Las leyes fsicas por las que se rigen estos procesos trmicos son conocidas, de modo que es posible efectuar un clculo ajustado del intercambio de calor entre el inductor y el medio, pero, si bien las expresiones que ligan este intercambio de calor son analticamente sencillas, los coeficientes que aparecen son difciles de evaluar con precisin, dado que dependen de la forma del elemento, de la temperatura ambiente, etc. A menos que se ponga mucho cuidado en la evaluacin ( o medicin ) de los correspondientes coeficientes, el error resultante puede anular las ventajas del clculo preciso. Por ejemplo, para evaluar el calor cedido por conduccin, debe conocerse el vnculo trmico a la plataforma que acta como pozo o sumidero de calor. Ms an, el sumidero trmico debe poseer una masa trmica infinita, de otro modo se ver afectado por la cesin de calor, levantando su temperatura. Es por ello que, en la mayora de los casos, no se tiene en cuenta el proceso de conduccin, considerando solamente la cesin de calor por conveccin y radiacin. En la prctica, por lo tanto, se utilizan corrientemente mtodos simplificados que, aunque susceptibles de un error apreciable, permiten estimar la sobre elevacin de temperatura conociendo las dimensiones y caractersticas generales de un inductor o transformador. 3.4.2) CLCULO DE LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA: MTODO DE MONTSINGER ( BLUME ) El mtodo de Montsinger, que fuera editado por Blume en Transformer Engineering , es muy popular por su sencillez. Se basa en el hecho de que la potencia especfica intercambiada con el medio por radiacin y conveccin, por una superficie plana vertical de caractersticas determinadas es:
Pd = f (T , Ta ) Sl
Donde: Ta: temperatura ambiente T: sobre elevacin de temperatura de la superficie. Sl: superficie lateral de la cara disipadora [ Dm2 ]
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Pd: potencia disipada por la superficie
[W]
Para un rango limitado de T y para algunas superficies tpicas, es factible determinar f (T, Ta) y expresarla grficamente. El grfico de Montsinger/Blume ( ver Fig. N 3.2 y Anexo 11) nos proporciona, entonces, la relacin entre la sobre elevacin de temperatura T en funcin de la potencia disipada por unidad de rea, para distintas superficies y temperaturas ambientes. bien en el caso de un inductor o un transformador ordinario el rea lateral total comprende superficies que no son planas ni verticales, generalmente esto no se tiene en cuenta, considerando que hay compensacin por las superficies curvas que no se computan. Adems, en el clculo de sobre elevacin de temperatura generalmente no se tiene en cuenta la transferencia de calor por conduccin a la estructura sobre la cual se monta el inductor, lo que agrega un margen de seguridad adicional. Este mtodo nos permite obtener la temperatura superficial, ya que se conocen la temperatura ambiente y la sobre elevacin de temperatura. Lo que no se conoce es la temperatura interna, sobre todo teniendo en cuenta que la potencia total disipada es la suma de las prdidas en el cobre y en el hierro y por lo tanto las temperaturas en el cobre y en el hierro dependern de las respectivas prdidas. El clculo analtico de la temperatura interna y de la zona de mxima temperatura es complicado, ya que exige conocer las resistencias trmicas de los materiales empleados en la construccin del transformador y su distribucin. Normalmente, se admite que en inductores o transformadores tpicos la temperatura interna mxima es de 15 a 25C superior a la superficial. De este modo, la temperatura interna mxima es:
Tint max = Ta +T + Tint
Como el problema consiste en evitar que la temperatura interna mxima alcance valores excesivos, si por ejemplo la temperatura ambiente es de 50C, y se utilizan materiales aislantes de tipo ordinario temperatura de trabajo mxima de alrededor de 120 a 130 C, la sobre elevacin de temperatura del interior no debe ser mayor de 50 a 60C.
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Figura N: 3.2 Grfico de Montsinger / Blume Ver grafico Anexo 11.
T = Tint max - ( Ta + Tint ) = 130 C - ( 50C + 20C ) = 60 C

De otro modo, aunque la superficie tuviera una temperatura no excesiva, en la zona interna podran excederse los valores admisibles. 3.4.3) CAUSAS DE LA VARIACIN DE LA INDUCTANCIA EN INDUCTOR FERROMAGNETICO En un inductor con ncleo ferromagntico, la inductancia vale:
N 2 S L = 0 'r lh
(1)
Puede apreciarse que para un inductor ya construido y de dimensiones consideradas constantes, la nica variable es,
'r =
1 1
la lh
(2)
Si consideramos la relacin de entre hierro la / lh es constante, queda como nica variable la permeabilidad relativa r . Las causas de variacin de r son mltiples:
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Induccin, Frecuencia, Temperatura, Tensiones Mecnicas, Etc. Estudiaremos seguidamente las causas ms importantes de la variacin de permeabilidad del ncleo de un inductor y consecuentemente de su inductancia. a) Variacin con la Tensin b) Variacin con la Corriente. c) Variacin con la Frecuencia. d) Variacin con la Corriente Continua, A) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA CON LA TENSIN APLICADA Consideremos que la tensin es variable, y que el inductor se encuentra alimentado por tensin. Determinar la relacin entre la tensin aplicada y la induccin que se establecer en el ncleo. Sabemos que la Fem. de autoinduccin ser:
e=
= B S
d N dt
e=
Si consideramos una variacin cosenoidal de B,
dB S N dt
e=
e = B MAX N sen t
Calculando el valor eficaz de la tensin es,
d (B MAX cos t ) SN dt
B = B MAX cos t
E ef =
E MAX 2
1 2
BMAX S N sent = 2 BMAX f S N
Eef = 4,44 BMAX f S N
(3)
Expresin de gran importancia para el anlisis de inductores y transformadores, porque relaciona la tensin y frecuencia aplicadas con la induccin que se establece en el ncleo. La tensin aplicada es igual y de sentido contrario a la tensin inducida dada por la ecuacin (3) aunque la hemos escrito con signo positivo por comodidad. Se observa que tanto N y S son constantes en un inductor construido, de modo que se puede expresar que,
E ef B MAX f
B max
Eef ( 4) f
Podemos ver que una variacin de tensin aplicada a un inductor se traducir proporcionalmente en una variacin de induccin. Esta induccin a su vez provocara un cambio de la permeabilidad del ncleo. La relacin entre r y B es una relacin complicada, que suele darse en forma grafica, para un valor constante de intensidad de campo magntico de CC, si la hubiera. La expresin (2) en la que vemos que a causa del entre hierro, la variacin de 'r que es la que determina la inductancia es ms suave que la de r y se puede interpretar como que el entre hierro estabiliza la inductancia. Se tendr entonces una variacin de L en funcin de BMAX y por lo tanto de Eef. Recapitulando, E depende de Bmax (3) , BMAX depende de Eef (4) cuya variacin es una recta. Al variar Bmax varia r (segn grafico) es decir 'r y con ello varia L.
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B) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA CON LA CORRIENTE Sin hacer un anlisis exhaustivo vemos que la variacin de L en funcin de Ief ser parecida a la del caso anterior, dado que la induccin B depende no linealmente de la Corriente circulante.
I ef =
E ef XL
B 4,44 B MAX f N S N S = 0,707 MAX L 2 f L
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C) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA CON LA FRECUENCIA El anlisis que haremos debe subdividirse en dos casos: 1) E = Constante Alimentacin con un generador de tensin. 2) I = Constante Alimentacin con un generador de Corriente constante. 1) ALIMENTADO CON UN GENERADOR DE TENSIN E= CONSTANTE: La ecuacin (4) que dice,
BMAX
Eef f
1 f
1
r = funcion (B MAX ) = funcion f

Se puede ver que para,
Frecuencias Bajas
BMAX
Valor chico
Esto ultimo puede verse en las curvas B H del material. Tambin y ms claramente en el grafico r = funcin Bmax; Hcc). Frecuencia aumenta
f
Se puede ver el anlisis a travs de,
Eef
r =
Eef B 4,44 f N S = = = 4,44 0 f N S H 0 H 0 H
1 f f
A frecuencias altas aparece el " Efecto Pelicular Magntico " por el cual la Profundidad de Penetracin del campo magntico en el ncleo es,
= 500
f r
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Si se hace menor que la mitad del espesor de la laminacin del ncleo, por lo tanto este no es aprovechado totalmente y la seccin efectiva se reduce, por lo que la induccin B aumenta pues el flujo se mantiene constante, por lo cual decrece la inductancia L, (a la vez que se corre el punto de funcionamiento).
2) INDUCTOR ALIMENTADO CON UN GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE: Ief = constante Si la corriente eficaz es constante, tambin ser constante el campo H y del mismo modo BMAX, de modo que depende la inductancia L de r, que, en altas frecuencias tambin aparece el Efecto Pelicular Magntico. As es que aparece una frecuencia de corte, la que depender del material y del espesor de la laminacin. Por Ejemplo: para el Fe-Si comn, de espesor 0,35
mm, se produce a 2 a 4 KHz. Otro Ejemplo: para el Permalloy de alto , de espesor 0,35 mm, se produce el corte a 500 Hz. Por esta razn, los ncleos de Permalloy se laminan en espesores 0,05 a 0,08 mm y as resultan frecuencias de corte de 10 a 20 Khz. Fe-Si 0,35 mm fC = 2 a 4 Khz. Permalloy 0,35 mm fC = 500 Hz 0,05 a 0,08 mm fC = 10 a 20 KHz D) VARIACIN DE LA INDUCTANCIA CON LA CORRIENTE CONTINUA En este caso f = constante Se estudia el efecto que produce una corriente continua superpuesta a la tensin alterna sobre el inductor. Este es un caso comn en los inductores de filtro para fuentes de alimentacin, transformadores de modulacin, etc.
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Se supone en primera instancia que la variacin de B que produce la tensin alterna Eef comparada con la induccin de continua.
es pequea
Bca Bcc
( ver " Ingeniera Electrnica y de Radio " de Terman) En este caso, la inductancia queda determinada por la permeabilidad Incremental, que es funcin de Bca y Hcc. Para los distintos materiales, se proporcionan grficos de = f (Bca; Hcc). Estos grficos son de uso doble, es decir que se obtiene r para Hcc = 0 (sin CC), y con CC de modo que r ser en este caso permeabilidad incremental. Con este grafico se puede determinar y luego 'r (con entre hierro) el que ser mas constante que Esto es debido al efecto estabilizador del entre hierro. En definitiva se tendr una variacin de L aquel. como se ilustra.
Captulo VII
Es de destacar que si no se cumple que Bca < 0,1 Wb / m , no se obtendr un aumento de L con Bca, ya que Hca grande, todo aumento lo aproxima al punto de saturacin. El entre hierro juega en este tipo de inductor, un papel decisivo, dado que permite controlar la ubicacin del punto de trabajo de corriente continua, para que conjuntamente con el valor de Bca se obtenga el mayor valor de la. De esta forma hay un valor optimo de la relacin la / lh que permite obtener un mximo valor de la inductancia.
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E) VARIACIN DE LAS PERDIDAS EN UN INDUCTOR Las perdidas en el cobre en un inductor, como en el hierro, dependen de la tensin aplicada, y de la frecuencia. a) VARIACIN DE LAS PERDIDAS CON LA TENSIN A FRECUENCIA CONSTANTE: PERDIDAS EN EL COBRE Las perdidas en el cobre segn el circuito equivalente paralelo es,
Pcu =
PERDIDAS EN EL HIERRO Estn dadas por la expresin,
2 E ef
2 Ph = K 1 f B MAX + K 2 f 2 B MAX
correspondiendo el primer sumando a las perdidas por Histresis, mientras que el segundo a perdidas por corrientes parsitas. Esta expresin puede aproximarse, para frecuencia constante y rango limitado de B, a
Ph K B MAX
en donde = 1,6 a 1,8 y dada la dependencia de BMAX Eef
Ph = K2 Eef
PERDIDAS TOTALES
PT = PCU + Ph
PT =
2 E ef
+ K 2 E ef
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b) VARIACIN DE LAS PERDIDAS CON LA FRECUENCIA 1) Variacin de las Perdidas con la Frecuencia a Tensin Constante. 2) Variacin de las Perdidas con la Frecuencia a Corriente Constante b-1) VARIACIN DE LAS PERDIDAS CON LA FRECUENCIA A TENSIN CONSTANTE: PERDIDAS EN EL COBRE 2 CU ef CC
P = I R
Eef XL =
I ef =
Eef 2 f L
2
Eef PCU = 2 f L Rcc 1 PCU K 2 f

PERDIDAS EN EL HIERRO
Ph = PHISTERESIS + PCORR . PARASITAS
2 Ph = K 1 f B MAX + K 2 f 2 B MAX
como vemos en el primer sumando f esta a la primer potencia, y en el segundo f esta a la segunda potencia, de modo que en un plano de proporcionalidad diramos que f estara a una potencia n, mientras que la induccin mxima efectuando el mismo razonamiento podemos decir que BMAX. Estara a una potencia m. De modo que se podra resumir ambos sumandos como,
m Ph = K 3 f n B MAX
siendo y teniendo en cuenta que la induccin mxima era proporcional a BMAX 1 / f
n m
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m
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1 Ph = K 4 f n = K 4 f f
Hemos dicho que n < m luego la diferencia - ( n m ) vale decir que nos quedara,
(n m )
(n m ) es de signo negativo es decir que tiene que ser
Ph = K 4 f (nm) = K 4
PERDIDAS TOTALES
1 f (nm)
PT = PCU + Ph 1 1 PT = K 2 + K4 (nm) f f
En un inductor alimentado por un generador de tensin constante, las perdidas siempre disminuyen con la frecuencia b-2) VARIACIN DE LAS PERDIDAS CON LA FRECUENCIA A CORRIENTE CONSTANTE: PERDIDAS EN EL COBRE Estas perdidas sern constantes, P CU PERDIDAS EN EL HIERRO
2 = I ef Rcc = G
Ph = K f
Si la corriente eficaz es constante Ief = constante Tambin ser constante BMAX = constante
m B MAX
PERDIDAS TOTALES Para n = 1,6 a 1,8
Ph = K 1 f PT = G + K1 f n
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P PT Ief = constante Ph PCU= G
f Un inductor alimentado por un generador de Corriente Constante las perdidas aumentan con la Frecuencia. 4) VERIFICACION ( CALCULO ) DE INDUCTORES DE B.F. La verificacin consiste en la determinacin de las caractersticas elctricas y trmicas de un inductor ya construido o proyectado, del que se conocen todos sus detalles constructivos. Desde el punto de vista operativo, deben diferenciarse tres casos: a) Verificacin de inductores de b.f. sin circulacin de c.c. ncleo laminado. b) Verificacin de inductores de b.f. con circulacin de c.c. ncleo laminado. C) Verificacin de inductores de Bb. ncleo de ferrita. 4.1) VERIFICACION DE INDUCTORES DE B.F. SIN CIRCULACION DE C.C. Para realizar la verificacin deben conocerse los siguientes datos: Ncleo: a) b) c) d) Caractersticas del material del ncleo Tamao: laminacin ( con todas sus dimensiones) apilado ( Ap ) Entrehierro ( a )
Bobinado: Excitacin:
e) Nmero de espiras ( N ) f) Dimetro del conductor ( d ) g) Tensin aplicada sobre el inductor ( puede ser la corriente) h) Frecuencia de trabajo
Condiciones de trabajo: i) Temperatura ambiente ( Ta ). La verificacin consiste en la determinacin de las siguientes incgnitas: j) k) l) m) n) o) Inductancia Prdidas en el hierro Prdidas en el cobre Factor de mrito Q Sobre elevacin de temperatura Tensin ( o corriente) mxima sobre el inductor
4.1.1) DETERMINACIN DE LA PERMEABILIDAD Para calcular la inductancia L, debemos determinar primeramente la permeabilidad r o .
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Para ello, tenemos dos alternativas: a) El inductor est alimentado por tensin ( Eca es dato), la forma ms sencilla es calcular la induccin del circuito magntico, por medio de la relacin:
Eca = 4,44 . Bmax . Sh . N . f

Como conocemos Eca, Sh ( de la laminacin y el apilado), N y f, es factible determinar Bmax. Una vez calculado Bca , puede obtenerse la permeabilidad r de la curva vs Bca recordemos que al no haber Icc r de la expresin: debe tomarse la curva superior Hhcc = 0. Finalmente obtenemos
r =
1 1
la lh
b) El inductor est alimentado por corriente Ica es dato, se debe resolver el circuito magntico. Para ello resolvemos el circuito magntico. Se puede considerar que la corriente Ica es prcticamente igual a la corriente magnetizante, ya que se supone que el factor de potencia es reducido ( Q 10 ). Por lo tanto, en el grfico B-H ( Fig. N 4.1 ) se puede trazar la recta correspondiente al entrehierro la , y obtener la intensidad de campo total Ht.
Una vez resuelto el circuito magntico, se obtiene la permeabilidad aparente:
= o . r = Bmx / Ht
4.1.2) DETERMINACIN DE LA INDUCTANCIA Conocidas las dimensiones, el nmero de espiras N y la permeabilidad, se calcula L:
L = . N. Sh lh
[ Hy ], para dimensiones en [ m ]
4.1.3) DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL HIERRO.
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Para esta determinacin se utiliza la cifra de prdidas garantizadas por el fabricante del material magntico. Debemos tambin tener en cuenta el factor de correccin correspondiente a la frecuencia e induccin de trabajo. Las prdidas en el hierro valen: Ph = Pg . Fc . Peso 4.1.4) DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL COBRE. Es necesario calcular previamente la resistencia a la c.c. del arrollamiento:
Rcc =
lm. N lm. N = d 2 Scu 4
l m : longitud de espira media.
Las prdidas en el cobre valen:
Pcu = Ief . Rcc PT = Ph + Pcu
4.1.5) DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS TOTALES.
4.1.6 ) DETERMINACIN DE LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA T. La potencia total de prdidas, dividida por el rea lateral de la laminacin nos permite entrar en el grfico de Montsinger / Blume, para hallar la sobre elevacin de temperatura T. En muchas ocasiones en las que en el inductor se trabaja con seales de bajo nivel, la sobre elevacin de temperatura es despreciable, por lo que este punto puede omitirse. 4.1.7 DETERMINACIN DEL FACTOR Q
Q= El Q del circuito equivalente serie es:
X L 2fL = RS RS
RS = PT I ef
2
Conociendo las prdidas totales, se puede calcular la resistencia Rs como:
Otra alternativa para obtener el Q es por medio de la relacin entre potencias reactiva a activa:
Q=
X L Pr eact. Ica2 X L = = RS Pact Ph + Pcu
4.1.8 DETERMINACIN DE LA TENSIN O CORRIENTE MXIMA ADMISIBLE. La tensin mxima puede estar determinada por: a) Limitar la induccin mxima a valores inferiores a los de saturacin. b) La aislacin del arrollamiento. En el CASO A) debe primeramente adoptar un valor de la induccin que no debe ser excedido. Luego, con la expresin: Eef = 4,44. Bmx. N.S.f
Se calcula Eef . Puede verse que el caso ms desfavorable se tiene para la frecuencia ms baja.
En el CASO B), de acuerdo con el tipo y espesor de la aislacin se podr determinar la tensin mxima admisible.
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Si lo que interesa es el valor de la corriente mxima, la limitacin puede ser por dos causas: b1) INDUCCIN ES MUY ELEVADAS. b2) CORRIENTES QUE PUEDAN CAUSAR CALENTAMIENTO EN EL ARROLLAMIENTO. Caso b1), se procede a determinar la induccin mxima admisible y luego, en el grfico B-H, se determina el valor de Ht correspondiente, del cual se puede obtener Ief. Caso b2), se adopta un valor de la densidad de corriente admisible de 1,5 a 4 A/mm, de acuerdo al tipo y calidad del inductor. Luego se obtiene la corriente mxima multiplicando el adoptado por seccin del conductor. Tambin podra ser que la corriente, sin llegar a ser excesiva desde el punto de vista de la densidad de corriente, lo sea por el calentamiento de todo el arrollamiento. Esto se puede verificar por medio del grfico de Montsinger / Blume 4.2) VERIFICACION DE INDUCTORES DE B.F. CON CIRCULACION DE C.C. En este caso, los datos que se poseen son los mismos que para el caso visto anteriormente, con el agregado de la magnitud de la corriente continua Icc que circula por el inductor.
Los datos de la verificacin son los siguientes:

Ncleo a) Caractersticas del material del ncleo b) Tamao: laminacin con todas sus dimensiones c) apilado ( AP ) d) Entrehierro ( la ) Bobinado: Exitacin: e) Nmero de espiras ( N ) f) Dimetro del conductor ( d ) g) Corriente continua por el inductor ( Icc ) h) Tensin alterna sobre el inductor ( Eca ) i) Frecuencia de la tensin Eca ( f )
Condiciones de trabajo: j) Temperatura ambiente ( Ta ) Las incgnitas a determinar son las siguientes:
j) k) l) m) n) o) Inductancia ( L ) Resistencia hmica ( Rcc ) Prdidas en el cobre ( Pcu ) Prdidas en el hierro ( Ph ) Factor de mrito ( Q ) Sobre elevacin de temperatura
4.2.1) DETERMINACIN DE LA INDUCTANCIA L La principal dificultad para el clculo de la inductancia consiste en la determinacin de la permeabilidad incremental del material del ncleo, el cual est sometido a la premagnetizacin causada por la corriente continua Icc . Para hallar , debemos conocer Hhcc Intensidad de campo continua en el hierro, as como Bca Induccin alterna, de modo de poder entrar en el grfico que proporciona en funcin Bca y Hhcc ( Fig. N 4.2 ).
Para determinar Hhcc, debemos resolver el circuito magntico para el estado de magnetizacin continuo. Conocemos el valor Icc y N, luego obteniendo lh de la laminacin podemos calcular Htcc. Con el valor de la se puede trazar la recta correspondiente al entrehierro en el grfico B-H de la Fig. N 4.2, con lo que queda resuelto el circuito magntico, pudindose determinar la intensidad de campo en el hierro Hhcc.
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PERMEABILIDAD RELATIVA INCREMENTAL r
Para calcular Bca, usamos la relacin:
Bca = 4,44. Bca.S.N.f
ya que Bca, S, N y f son datos. En posesin de Bca y Hhcc, del grfico r vs. Bca ( Fig. N 4.3 ) determinamos la permeabilidad. Podemos ahora calcular la permeabilidad relativa aparente 'r con la expresin:
r ' =
1 1
r
Determinando L como:
la lh
N 2 .Sh L = 0 . r '. lh
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De esta forma se ha determinado la principal incgnita, ya que para las otras el procedimiento es prcticamente similar al visto para los inductores sin circulacin de c.c. 4.2.2) CLCULO DE LA RESISTENCIA DEL ARROLLAMIENTO Rcc: Esta resistencia tiene mucha importancia en este tipo de inductor, dado que determina la cada de tensin continua sobre mismo causada por la corriente continua que lo recorre. Es necesario calcular previamente la resistencia a la c.c. del arrollamiento:
Rcc =
lm. N lm. N = . Scu .d 2 4
l m : longitud de espira media del arrollamiento.
4.2.3) PRDIDAS EN EL HIERRO: Hemos visto ( 3.1.2 ) que en forma aproximada las prdidas en el hierro se calculan para la induccin alterna solamente, con el procedimiento sealado para inductores con CA solamente. El error cometido al no tener en cuenta las mayores prdidas por histresis casi nunca tiene importancia, especialmente desde el punto de vista trmico, donde las prdidas en el hierro son normalmente despreciables. Desde el punto de vista del Q eso no es cierto, por lo cual, si la determinacin del valor del Q es relevante, conviene tomar un factor de seguridad que compense el error correspondiente. 4.2.4) PRDIDAS EN EL COBRE: Las prdidas en el cobre interesan desde dos puntos de vista: a) Para la sobre elevacin de temperatura: en este caso, con poco error suele aceptarse:
Pcc(trmico) Icc2 . Rcc

b) Para el clculo del Q: en este caso interesan solamente las prdidas debido a la corriente alterna:
Pca(Q) Ica2 . Rcc
4.2.5) DETERMINACIN DEL Q: Debe tenerse en cuenta que para el Q se deben considerar las prdidas producidas exclusivamente en C.A.; Pcu-ca = Rcc . Ica por lo tanto, las prdidas en el cobre se calculan con el valor de Ica: Las prdidas totales son entonces: PTCA = Ph + Pcu-ca
Puede ahora calcularse la resistencia serie equivalente de prdidas:
PTCA Rca = 2 I CA
El Q resulta entonces:
Q=
.L
Rca
4.2.6) DETERMINACIN DE LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA T Este paso es idntico al efectuado para los inductores sin circulacin de CC: la potencia total de prdidas, que en este caso es:
Pt = Ph + Ieft2 . Rcc
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dividida por el rea lateral de la laminacin nos permite entrar en el grfico de Montsinger/Blume, para hallar la sobre elevacin de temperatura T. Debe recordarse que la gran mayora de las prdidas se concentra en las prdidas de CC en la resistencia del arrollamiento Rcc. 5.0) DISEO DE INDUCTORES DE B.F. CON NUCLEO LAMINADO SIN CIRCULACION DE C.C. El diseo de un inductor consiste en la determinacin de las caractersticas constructivas necesarias para asegurar el cumplimiento de las especificaciones elctricas, mecnicas y trmicas a un costo mnimo. Con los datos que se suministran habitualmente, no hay una solucin nica para el diseo ni tampoco un mtodo que presente ventajas decisivas, ya que la cantidad de variables y parmetros en juego excede ampliamente al de las relaciones que las ligan. Es en estos casos en que la experiencia del proyectista, y su conocimiento de los materiales disponibles y de los costos de fabricacin le permiten adoptar criterios de proyecto con los que sea posible arribar a una solucin rpida y exitosa. Sin embargo, en el caso de que no se posea esa experiencia, tambin es factible llegar a resultados aceptables, ya que no ptimos, si se siguen procedimientos como los que daremos a continuacin, que estn basados en criterios generales de probada eficiencia. DATOS DEL PROYECTO: Existen datos imprescindibles, como ser: L: Inductancia deseada ( puede ser el valor mnimo admisible). f: Frecuencia de trabajo ( puede darse un rango de frecuencia) Eef: Valor eficaz de la tensin sobre el inductor. (Puede darse alternativamente el valor de Ief). Otras magnitudes pueden o no ser especificadas en el proyecto, a saber: Vh: Volumen del hierro del inductor ( puede ser tamao mximo admisible) t: Sobre elevacin de temperatura. Q: Factor de mrito. Rcc Resistencia del arrollamiento.
El proyecto consiste en la determinacin de: Ncleo: tipo, material, tamao ( nmero de catlogo de la laminacin, Sh, Ap, etc) la : Entrehierro Bobina: N, d. Detalles constructivos del carrete y del armado del ncleo.
5.1) DESARROLLO DEL PROYECTO PASO 1.- DETERMINAR EL TIPO Y CARACTERSTICAS DEL NCLEO. La eleccin del material depende del uso que se dar al inductor y del costo y volumen deseado. Si los requerimientos no son grandes, convendr utilizar algn material comn ARMCO INTERMEDIATE TRANSFORMER, por ejemplo . En el caso de que existan restricciones de tamao o peso, la eleccin de una laminacin para el primer tanteo no es difcil. Si no se tiene lmite de tamao, conviene, en forma preliminar, elegir la laminacin por comparacin con otros diseos de caractersticas parecidas, o teniendo en cuenta los requerimientos trmicos. Una vez elegida una laminacin tratando de que sea de las llamadas sin desperdicio por su menor costo, debemos determinar la seccin y el apilado. Para ello tendremos en cuenta que la seccin cuadrada (Ap = a ) presenta ventajas, y que no es admisible que Ap sea menor 0,5.a, ni mayor que 2.a, ya que se presentan dificultades al bobinar debido a la desigual tensin del alambre. Adoptaremos en principio, por lo tanto, S = 0,95 . Ap . a Ap = a La seccin ser entonces: Hemos tomado 0,95 como factor de apilado, si se utilizara una laminacin muy rugosa convendr tomar 0,90.
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PASO 2.- DETERMINACIN DEL NMERO DE ESPIRAS N El nmero de espiras a utilizar tiene que cumplir dos condiciones: a) Proporcionar la inductancia L deseada b) Hacer que el ncleo trabaje a una induccin adecuada El nmero de espiras que resulta de a) no tiene ninguna relacin con el obtenido de b). Por lo tanto, deben calcularse ambos, para luego seleccionar el ms adecuado En general el mayor, como se ver ms adelante. 2.a) DETERMINACIN DEL NL ( para cumplir con la inductancia ): En este caso se adopta un valor posible de r que se pueda obtener en la prctica . Por ejemplo, con ncleos comunes, se puede obtener valores de r de 500 a 700. Ver grafico en Anexo 14. De la expresin de la inductancia:
N 2 .Sh L = 0 . r ' lh
se obtiene el nmero de espiras mnimo requerido por la inductancia, o sea NL . 2.b) DETERMINACIN DEL NB ( para cumplir con la induccin )
Es posible determinar el nmero de espiras NB que nos asegura que la induccin no ser superior al valor Eca = 4,44 . Bmx . Sh.N.f adoptado, partiendo de la relacin: De donde:
NB=
E ef 4,44 B maxSh. f
Debemos adoptar un valor de la induccin mxima, que deber ser siempre inferior al B de saturacin del material magntico que se utiliza. Si el inductor debe superar requerimientos especiales (tamao muy pequeo, gran linealidad, muy buena estabilidad del valor de la inductancia, factor de mrito Q muy elevado, etc) resulta ventajoso utilizar algn material que posea caractersticas especialmente adecuadas para la funcin requerida. En estos casos resultan insuperables las aleaciones especiales, con las que pueden lograrse ncleos de reducido tamao que compensan su mayor costo especfico. En los casos en que los requerimientos no sean de gran exigencia o que el nivel de potencia sea elevado lo que obliga al uso de ncleos de gran tamao, es conveniente el uso de materiales de tipo comn, en los que el costo es reducido. Puede utilizarse entonces aleaciones de Fe-Si de un contenido moderado de Si, alrededor del 3-4%, como por ejemplo el Armco Intermediate Transformer. De acuerdo a las caractersticas deseadas para el inductor, deber ser el valor adoptado para la induccin mxima: a) Si se desea linealidad, debe restringirse el Bmx a valores no superiores a 0,3 a 0,1 Wb/m b) Para la mxima linealidad y constancia del valor de la inductancia, el Bmx debe ser muy pequeo, del orden de 0,05 Wb/m c) Los requerimientos de linealidad no son importantes y debe asegurarse el mnimo costo o mxima inductancia por unidad de volumen, convendr adoptar valores de Bmx elevados; por ejemplo, para frecuencias de 50-60 Hz puede convenir la adopcin de valores cercanos al B de saturacin, es decir de 0,8 a 1,2 Wb/m. Debe tenerse en cuenta que a medida que nos aproximamos a la saturacin, las prdidas en el ncleo aumentan fuertemente. Los valores de induccin que hemos mencionado son para el material Armco Intermediate Transformer. Para otros materiales, debern tenerse en cuenta sus caractersticas, pues pueden ser totalmente diferentes.
Introduciendo el Bmx adoptado, se obtiene el NB, que nos asegura que la induccin no ser superior al valor adoptado.
2.c) ADOPCIN DE UN N DEFINITIVO
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De los dos valores de N obtenidos, debemos adoptar uno. Esto significa tomar un N que cumpla simultneamente con ambos requisitos ( inductancia e induccin ). Esto corresponde generalmente al mayor de los dos, dado: # Si el mayor es el de la inductancia, quiere decir que adoptndolo tendremos una menor induccin, lo que normalmente no es un inconveniente. # Si el mayor es el de la induccin, esto significa que adoptndolo tendremos la induccin deseada, mientras que la inductancia puede ser ajustada a su valor deseado por medio del entrehierro. En caso de haber procedido al inversa, o hubiramos excedido el valor de induccin adoptado, o el valor de inductancia no hubiera sido alcanzado, recordemos que el r de 500 a 700 es el mximo obtenible. El nmero de espiras finalmente adoptado se convierte entonces en el nominal y no debe ser modificado excepto un cambio general en el proyecto. PASO 3. DETERMINACIN DEL DIMETRO DEL CONDUCTOR. Este problema puede atacarse desde dos puntos de vista: a) EL INDUCTOR TRABAJA A UN NIVEL DE POTENCIA ELEVADO, el dimetro del conductor puede estar determinado por la densidad de corriente mxima admisible, para que el calentamiento no sea excesivo. La densidad de corriente se adoptar de 1,5 a 4 A/mm, correspondiente al valor ms pequeo para un proyecto ms conservador y ms costoso, con un menor calentamiento, mientras que el valor de ms elevado se utiliza en proyectos ms econmicos, con una mayor sobre elevacin de temperatura. Tendremos entonces:
Ief Ief = Scu .d 2 4
d=
4.Ica .
Debemos utilizar el valor ms elevado que puede tomar la corriente Ica, el cual se produce a frecuencia constante a la mayor tensin y a tensin constante a la menor frecuencia. b) EL INDUCTOR TRABAJA A BAJA POTENCIA, generalmente el dimetro del conductor est determinado por la resistencia hmica mxima admisible para el arrollamiento. Esta resistencia puede ser un dato del proyecto o puede estar fijada por el valor de las prdidas ( o el Q ). La lm.N lm.N Rcc = = resistencia Rcc es: S cu d 2 4
donde: l metro es la longitud de la espira media del arrollamiento = 0,017 mm/m = 1,7 10-6 cm pudiendo deducirse el dimetro d:
d= 4..lm.N .Rcc
Cuando en lugar de Rcc el dato sea el Q que debe tener el inductor, a veces es posible suponer que aproximadamente Ph Pcu y de all obtener el valor de Rcc. Una vez determinando el dimetro aproximado, debemos buscar en la tabla de alambres utilizados el dimetro comercial ms prximo, que ser el que se utilizar. (ver anexo 30; 33; 42 y 43) PASO 4: VERIFICACIN DE LA OCUPACIN DE LA VENTANA Es posible calcular la superficie total de cobre:
S cut = N.S cu = N..
d2 4
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37
Esta superficie total del cobre debe entrar en la ventana del ncleo, es decir, debe verificarse que el arrollamiento entra en la ventana de la laminacin. El procedimiento exacto consiste en calcular el nmero de capas, con su correspondiente aislacin y espesor del carrete, y verificar que la altura de la bobina no es superior a la dimensin b de la ventana. Como este clculo es engorroso, generalmente se utiliza una verificacin rpida aproximada. Para ello, se determina el factor de ocupacin de ventana , tambin llamado rendimiento de ventana v , que es igual a: v = Scut / Sv Si bien esta relacin depende del dimetro del alambre y de las caractersticas del bobinado, generalmente se admite que v debe estar comprendido entre el 25 y el 35%.
Si Scut < 0,25. Sv, la superficie de la ventana est mal aprovechada y se est desperdiciando hierro. Si Scut > 0,35. Sv; la bobina puede tener dificultades en entrar en la ventana. El valor de Sv se obtiene de la tabla de laminaciones o se calcula. La ocupacin de la ventana es un factor de gran importancia en el proyecto. Si la ventana es demasiado grande o demasiado pequea, debemos modificar el proyecto. Existen tres caminos posibles (ver anexo 31; 39 y 44)
a) elegir otra laminacin ms grande con mayor Sv; o con mayor Sh, con lo cual se reducir N y por ende Scut. b) aumentar Ap, con lo cual aumentar S y por lo tanto disminuir N; y c) aumentar , con lo cual la seccin del conductor se reducir Si el v resulta satisfactorio, podemos seguir adelante con el proyecto. PASO 5: DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL COBRE. Calcularemos ahora las prdidas en el cobre, para lo cual se necesita conocer la resistencia hmica del arrollamiento Rcc , que se calcula como:
Rcc =
.N .lm .d 2
4
Debe utilizarse el valor comercial de d que se ha adoptado de la tabla de alambres. Las prdidas en el cobre sern entonces:
Pcu = Ief . Rcc Ph = Pg . Fc . Peso hierro
PASO 6: DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL HIERRO: Estas prdidas se calculan por el mtodo simplificado: donde:
Pg : Prdidas garantizadas por el fabricante Fc : Factor de correcin para Bi y fi (ver anexo 4; 5 y 36)
PASO 7: DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS TOTALES Las prdidas totales estan dadas por:
PT = Pcu + Ph = Ief. Rcc + Ph
PASO 8: VERIFICACIN DE LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA Si el inductor trabaja a un rgimen de potencia elevado, ser necesario verificar la sobre elevacin de temperatura. Para ello, conociendo las prdidas totales PT y la superficie lateral de intercambio de calor Sl; se determina la potencia disipada por unidad de superficie y por medio de las curvas de Montsinger/Blume se puede determinar la sobreelevacin de temperatura t. De acuerdo a los materiales aislantes que se piensa utilizar en el diseo, se fijar el t admisible. En general, t no deber superar los 50C si se usan materiales de tipo corriente en la aislacin. (ver anexo 11)
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PASO 9: DETERMINACIN DEL Q
Q=
.L
Rs
Por lo tanto, debemos calcular la resistencia serie equivalente de prdidas: Rs = PT/ Ief PASO 10: AJUSTE DE ENTREHIERRO Si el Q resulta satisfactorio en general, el Q real ser inferior al calculado, debido a los errores inevitables en el clculo de las prdidas, y se ha optado en el Paso 2 por elegir el nmero de espiras por la induccin, slo resta determinar el entrehierro la.. Para ello, existen dos alternativas principales:
a) Con el N nominal, determinar el valor de de la expresin: r
N 2 .Sh L = 0 . r '. lh
a la induccin de
Con este valor de y el de la permeabilidad relativa r correspondiente r trabajo Bmax, se determina

la/lh
en
la
expresin:
'=
1 1
la lh
Como lh es dato del ncleo, resulta sencillo obtener la, con lo que queda completado el proyecto. b) Corriente Ica como dato, entonces es ms sencillo obtener la del circuito magntico. Para ello, se traza la recta del entrehierro uniendo el punto
Ht =
N .I ef . 2 lh
con el correspondiente al Bmax en la curva del material ( ver Fig. N 5.1 ). La prolongacin de la recta del entrehierro cota el eje B en el punto By, que es igual a :
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By = 0 .
N .I ef 2 la
la = 0 .
N .I ef . . 2 By
B By Bmax
Curva del Hierro
Fig. N 5.1
Recta del entrehierro
Circuito magntico para obtener la
Hh
Ht = N I lh
PASO 11: CARACTERSTICAS CONSTRUCTIVAS DE LA BOBINA: Las caractersticas constructivas de la bobina deben tener en cuenta solicitaciones elctricas y mecnicas. Si las tensiones de aislacin no son elevadas inferiores a 1000 volts, las consideraciones mecnicas determinan los espesores del material utilizado para la construccin del carrete. Es habitual utilizar cartn bakelizado de 1 a 2 mm de espesor. Si la seccin es cuadrada, para las laminaciones ms usadas se fabrican carretes de plstico que resultan ventajosos por su bajo precio y superior terminacin. (ver anexo 44)
5.2) CONSIDERACIONES FINALES:
Como hemos visto, en el proyecto se realizan varios clculos, la adopcin de algunos valores y la verificacin de los resultados. En el supuesto de que alguna de estas verificaciones no se cumpla, ser necesario rehacer total o parcialmente el proyecto. La experiencia es la mejor gua para indicar los valores que deben reemplazarse, pero un anlisis juicioso nos indica lo siguiente: a) Potencias grandes, valores de la inductancia o del Q elevados, generalmente estn asociados a inductores de gran tamao. Por lo tanto si alguna de estas magnitudes no se verifica, conviene intentar con un ncleo de mayor tamao. b) Mrgenes de seguridad para compensar las inevitables tolerancias de fabricacin. Por lo tanto, deben evitarse verificaciones o resultados marginales. c) Balance entre el ahorro de material y el mayor costo de ingeniera que significa un proyecto muy ajustado. De acuerdo con el nmero de unidades que deben fabricarse, se justificar o no una elaboracin muy cuidadosa, tendiente a que el proyecto sea ptimo. Si el nmero de unidades que deben fabricarse es muy pequeo, es probable que el costo global sea menor si se hace un proyecto sencillo y seguro aunque algunos materiales no se utilicen ptimamente. Por el contrario, si se trata de fabricaciones en series grandes, un ahorro de material, por pequeo que sea, resultar a la postre muy importante. Por lo tanto, es necesario que el proyecto sea ptimo, para lo una buena prctica consiste en la preparacin de prototipos con las soluciones ms prometedoras, los que luego de ser evaluados permiten seleccionar el diseo de mejor resultado.
6) DISENO DE INDUCTORES DE B.F CON CIRCULACION DE C.C Y C.A. SUPERPUESTAS
El diseo de inductores con premagnetizacin de C.C., si bien no presenta dificultades especiales, resulta en cambio muy laborioso ya que de ordinario es necesario realizar varias tentativas hasta determinar un juego de valores que permita arribar a una solucin satisfactoria. Ver grafico Anexo 25.
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Esto es debido al hecho de que en este caso la inductancia es proporcional a la permeabilidad incremental , que depende a su vez de la induccin alterna, de la intensidad de campo continua, y de la relacin de entrehierro la/ lh. Por lo tanto, debido a esta interdependencia de las variables del proyecto, la modificacin de una cualquiera de ellas obliga a recalcular nuevamente todo el sistema. Es por ello que se utilizan mtodos grficos que ayudan a obtener una solucin rpida y nica, con un mnimo de etapas.
("Electronic Designers' Handbook" LANDEE-DAVIS-ALBRECHT, pagina 14-5)

6.1) MTODO DE HANNA (ver anexo 12 y 20)
Uno de los mtodos ms populares es el de R.C. Hanna ( Design of reactances and transformers which carry direct current Trans. A.T.E.E. 46, (1927)1955), que se basa en la determinacin de los valores de la / lh que hacen mxima la energa especfica en un inductor.
N 2 .Sh 2 2 ' .I CC 2 L.I CC N .I CC 2 lh = = ' = '.H tCC Vol lh.Sh lh
HtCC =
N .I CC lh
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La permeabilidad en este caso vale = o . , siendo:
' =
1 1
la lh
2 L . Icc Vol 3 envolvente 1 Htcc 2
FIG N 6.1
Trazado de la curva de Hanna
Graficando L.Icc/V en funcin de Htcc para un valor dado de Bca induccin alterna y distintos valores de la relacin de entrehierro = la/ lh tendremos ( Fig. N 6.1 ). Trazando los valores de las distintas envolventes de la Fig. N 6.1, marcando sobre la envolvente los valores de relacin de entrehierro correspondiente a cada curva se obtiene la llamada Curva de Hanna
2 L Icc V ol
2 1
Htcc = N . Icc /lh
FIG N 6.2
Curva de Hanna a Bca = Constante
La curva de la Fig. N 6.2 indica los valores de entrehierro para los cuales la energa especfica en funcin de Htcc alcanza su valor mximo. De esta forma se est optimizando el diseo, ya que trabajando sobre la curva estamos aprovechando al mximo el ncleo ferromagntico. La curva de Hanna original estaba trazada para un nico valor de Bca. posteriormente, se la generaliz para tener en cuenta distintos valores de la induccin alterna, incluyendo un parmetro M que es igual al producto de Bca por Htcc:
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Eca.Icc M = Vol.
Donde:
Eca : Icc : Vol : :
Tensin alterna pico. [ V ] Corriente Continua [ A ] Volumen del ncleo [ m3 ] Pulsacin = 2 f
En la Fig. N 6.3 se puede apreciar la curva generalizada de Hanna. Ver Anexo 12 y 20
Fig. N 6.3 6.2)
Curvas generalizadas de Hanna (ver anexo 12 y 20)
DESARROLLO DEL PROYECTO
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El proyecto de un inductor con premagnetizacin continua parte de los siguientes datos: DATOS: L; Icc; INCOGNITAS:
Ncleo: Bobina: etc.
Eca;
f ; Rcc mxima; Qmn; T mx, para una cierta Ta. Entrehierro;
Tipo; Material; Tamao; Nmero de espiras N;
Dimetro del alambre d; Aislaciones, soporte, montaje, terminales,
PASO 1: DETERMINACIN DEL NCLEO La determinacin de las caractersticas del ncleo constituye el paso fundamental del proyecto. De acuerdo a la frecuencia de trabajo, se debe elegir el material del ncleo. Para bajas frecuencias, el material ms adecuado es el hierro-silicio ordinario, a un 3-4 % de dosificacin, para el cual se dispone de las correspondientes curvas de Hanna. Con respecto al tamao adecuado, depende de una serie de factores, principalmente la inductancia L, la corriente continua Icc , la resistencia mxima Rcc y la sobre elevacin de temperatura Tmx. Un proyectista con experiencia determina rpidamente un ncleo tentativo: si no se tiene esa experiencia, sern necesarios ms tanteos. No obstante, hay ciertas pautas que se pueden tener en cuenta: a) El tomar como referencia inductores ya construidos, en muchos casos permite ahorrar tiempo y esfuerzos.
b) A veces se puede disponer de tablas o grficos que proporcionan los pesos tpicos de inductores en funcin de la inductancia, la Icc y la resistencia hmica o la sobre elevacin de la temperatura.
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Conociendo el peso total, se podr calcular el del hierro, que constituye aproximadamente el 60% del total; luego debemos seleccionar una laminacin que para una seccin cuadrada tenga un peso coincidente. Ver grafico Anexo 22. c) Otra alternativa puede ser elegir un valor aproximado de energa magntica especfica, que se determina en base a los otros requerimientos del proyecto. Por ejemplo, si el diseo tiene severos requerimientos de resistencia hmica mxima, seguramente deber utilizar un ncleo grande, por lo cual el aprovechamiento del ncleo ser moderado o reducido. En ese caso, se entrar al grfico por un valor reducido de
L.Icc 2 Vol
Una vez elegida una laminacin y calculado el volumen, se tendr el valor de L.Icc/V, con lo cual habremos determinado la ordenada. PASO 2: DETERMINACIN DEL PARMETRO M: Debemos ahora calcular M =
Eca max . Icc V.
Con lo cual tendremos determinada una de las curvas diagonales. Ver Anexo 12.
L. Icc2 Vol L. Icc2 Vol = la / lh M=
Eca . Icc V. w
N . Icc / lh
Htcc
FIG N 6.3
Utilizacin de las curvas de Hanna
PASO 3: INGRESO A LA CURVA Y DETERMINACIN DE Htcc y = la / lh Con el valor de L.Icc/V ( del Paso 1 ) la curva M ( del Paso 2 ), se determina el punto de trabajo y se obtienen Htcc del eje de abscisas y la relacin de entrehierro de las curvas ms verticales. ( Ver Fig. N 6.3 ). Del valor de Htcc despejamos N y de obtenemos la . PASO 4: DETERMINACIN DEL DIMETRO DEL ALAMBRE Como en otros proyectos, es necesario adoptar un dimetro del alambre d que satisfaga los distintos requerimientos del diseo. Recordemos que el dimetro debe cumplir varias condiciones: # Que el conductor maneje la corriente Icc # Que el conductor tenga la resistencia Rcc # Que el bobinado entre en la ventana No importa en que orden, el dimetro d debe satisfacer todas las condiciones. Esto se realiza como se ha hecho en otros proyectos.
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PASO 5: DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL COBRE
Calcular la resistencia hmica del arrollamiento:
Rcc =
.N .lm .d 2
4
Las prdidas en el cobre valen:
Pcu = Ieft2 . Rcc Icc2. Rcc
Ya que la mayora de las prdidas estn causadas por la corriente continua. PASO 6: DETERMINACIN DE LAS PRDIDAS EN EL HIERRO Las prdidas en el hierro son mucho menores que las del cobre, y deben determinarse para la induccin Ph = Pg . Fc . Peso hierro alterna Bca, con la expresin: El clculo es anlogo al realizado en casos anteriores. PASO 7 DETERMINACIN DE LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA Este paso es idntico al efectuado para la verificacin de los inductores con circulacin de CC: la potencia Pt = Ph + Ieft2 . Rcc total de prdidas, que en este caso es: dividida por el rea lateral de la laminacin nos permite entrar en el grfico de Montsinger / Blume, para hallar la sobre elevacin de temperatura T. Debe recordarse que la gran mayora de las prdidas se concentra en las prdidas de CC en la resistencia del arrollamiento Rcc. PASO 8 DETERMINACIN DEL Q
El Q debe calcularse exclusivamente con las prdidas de CA, por lo tanto:
Ptot ca = Ica2 Rcc + Ph

La resistencia equivalente total de prdidas vale:
RsTOT =
PcaTOT Ica 2
Finalmente el Q se calcula como:
Q=
.L
RsTOT
PASO 9: VERIFICACIONES ADICIONALES Como en el proyecto se utilizan las curvas de Hanna, no hay realimentacin que nos indique que estamos en el buen camino. Por lo tanto, es conveniente verificar el circuito magntico y la inductancia, a fin de comprobar que no se ha cometido ningn error en alguno de los pasos del clculo, como asimismo la correccin del punto de trabajo continuo.
Capitulo VIII
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CAPITULO VIII
TRANSFORMADORES
Un transformador es un dispositivo que permite acoplar, por medios exclusivamente inductivos, dos o ms circuitos. El transformador ms elemental est constitudo por un arrollamiento primario y otro secundario. Entre las dos bobinas hay un acoplamiento inductivo que se caracteriza por el coeficiente de inductancia mutua M. Ese acoplamiento posibilita transferir energa del primario al secundario; lo cual es aprovechado en innumerables aplicaciones elctricas y electrnicas.
M P V1 I1 Z1 V2 I2 Z2 S
FIG. N 1.0 1)
Esquema bsico de un transformador
APLICACIONES TIPICAS DE LOS TRANSFORMADORES
En la tecnologa electrnica actual los transformadores, en sus diversas variantes, encuentran amplia difusin. Resulta difcil imaginar un circuito de cierta complejidad que no utilice por lo menos un transformador. A continuacin se ofrecern algunos ejemplos de aplicaciones tpicas. 1.1) MODIFICACIN DE LOS NIVELES DE TENSIN, CORRIENTE E IMPEDANCIA. Uno de los usos ms importantes de los transformadores se basa en su capacidad para modificar los niveles de tensin, corriente e impedancia del primario a valores diferentes en el secundario ( o viceversa ). Ms adelante se presentarn varias aplicaciones tpicas de los transformadores donde se aprovechan estas propiedades. 1.1.1) TRANSFORMACIN DE TENSINES: En la mayora de los transformadores se usa un ncleo ferromagntico de tipo cerrado, por lo que el acoplamiento magntico entre el primario y el secundario es muy fuerte, ( el coeficiente de acoplamiento tiende a 1 ). En este caso, se tienen las siguientes expresiones para las tensiones primaria y secundaria:
V1 = N1.
d1 dt
V2 = N 2.
d2 dt
V1 N1 = V2 N 2
Si el acoplamiento magntico es perfecto el flujo concatenado por el primario es el mismo que el concatenado por el secundario ( 1 = 2 ), por lo que dividiendo miembro a miembro resulta:
n=
(1)
Capitulo VIII
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N1: nmero de espiras del primario. N2: nmero de espiras del secundario. n : relacin de transformacin de tensiones del transformador, generalmente llamada simplemente " relacin de transformacin ". La relacin (1) es totalmente vlida slo cuando los tranformadores tienen un coeficiente de acoplamiento igual a 1, ( no hay reactancia de dispersin) y considerando el transformador como ideal, esto es, sin resistencia en los arrollamientos, ni prdidas en el ncleo. En la prctica los transformadores pueden construirse de tal forma que se aproximan mucho a ese lmite ideal. La mayora de los transformadores son de acoplamiento fuerte. La excepcin la constituyen los transformadores sintonizados, o de radiofrecuencia, en los cuales, como se ver ms adelante, el coeficiente de acoplamiento se hace deliberadamente bajo, de 0,01 a 0,3. La relacin de transformacin es una de las caracterstas ms importantes de los transformadores, dado que posibilita obtener tensiones secundarias de cualquier valor modificando adecuadamente el nmero de espiras del primario, del secundario o de ambos simultneamente, de modo de obtener la relacin de transformacin deseada. Existen innumerables aplicaciones prcticas de esta propiedad de los transformadores, a tal extremo que la vida tal como la conocemos en las naciones medianamente desarrolladas sera prcticamente imposible sin ellos, ya que la generacin, distribucin y utilizacin de la energa elctrica se realiza mayoritariamente en corriente alternada, posibilitada por la utilizacin de transformadores cada vez que se desea modificar la tensin de alimentacin. 1.1.2) TRANSFORMACIN DE CORRIENTES Si consideramos que en un transformador ideal no existen prdidas de ninguna naturaleza, las potencias primaria y secundaria son iguales. Se tiene entonces:
P1 = P2 I1 V2 ---- = ----I2 V1
;;
V1 . I1 = V2 . I2
Recordando que V2 / V1 es igual a N2 / Nv ( y por lo tanto igual a 1 / n ), se tiene:
I1 N2 1 ---- = ----- = ----I2 N1 n
(2)
Podemos apreciar que tambin es posible variar arbitrariamente la relacin de las corrientes primaria y secundaria, mediante la modificacin del nmero de espiras del primario, del secundario o de ambos simultneamente, de modo de obtener la relacin de transformacin deseada. Esta caracterstica de los transformadores se aplica en los llamados " transformadores de corriente", que se utilizan en la medicin de grandes corrientes, y tambin -por razones de seguridad- cuando las corrientes a medir corresponden a circuitos con tensiones elevadas. Otro ejemplo tpico de transformacin de corrientes es el de los transformadores para soldadura, que posibilitan generar las grandes intensidades requeridas en esa aplicacin. 1.1.3) TRANSFORMACIN DE IMPEDANCIAS Las impedancias primarias y secundarias son:
V1 Z1 = ---I1
V2 Z2 = ---I2
Capitulo VIII
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Recordando las relaciones obtenidas en ( 1 ) y ( 2 ), y dividiendo miembro a miembro , se obtienes la relacin de impedancias:
(3)
Z1 V1.I 2 N .N N = = 1 1 = 1 2 = n2 Z 2 V2 .I1 N 2 .N 2 N 2
La relacin (3) nos indica que la relacin de impedancias es igual al cuadrado de la relacin de transformacin. Esto significa que si en un transformador de relacin de transformacin n se aplica una impedancia Z2 sobre el secundario, se reflejar como una impedancia Z2 . n sobre el primario. Por lo tanto la transformacin de impedancias es muy poderosa, pudindose lograr fcilmente relaciones muy grandes 1.2) POSIBILIDAD DE DIFERENTES POTENCIALES DE REFERENCIA EN EL PRIMARIO Y EL SECUNDARIO. Debido a que existe un aislamiento elctrico ( idealmente perfecto ) entre el primario y el secundario, la circulacin de corriente entre ambos puede considerarse despreciable. Por lo tanto, los potenciales ( continuos o alternos ) de ambos arrollamientos entre s o con respecto a masa pueden ser cualesquiera ( por supuesto, compatibles con las aislaciones de cada uno ). Esta caracterstica posibilita numerosas aplicaciones, de las que se presentan algunas a continuacin. 1.2.1) INVERSIN DE POLARIDAD. Otra aplicacin importante de un transformador consiste en la posibilidad de invertir el sentido o la fase de la seal que se le inyecta. Si se aplica en el primario un pulso positivo ( con respecto a una determinada convencin de signos) se obtendr en el secundario un pulso positivo o negativo ( con respecto a la misma convencin de signos) de acuerdo al sentido de los arrollamientos.
FIG. N 1.1
Utilizacin de un transformador para invertir seales
Una consecuencia muy interesante de la inversin de polaridad consiste en la posibilidad de obtener simultaneamente salidas con polaridad positiva y negativa, respecto de un punto medio. ( Entrada desbalanceada y salidas balanceadas con respecto a masa). 1.2.2) POSIBILIDAD DE DIFERENTES POTENCIALES CONTINUOS DE PRIMARIO Y SECUNDARIO. Debido a la separacin elctrica entre primario y secundario, es posible colocarlos a diferentes potenciales de corriente continua respecto a masa. ( Fig. N 1.2 ). Esta es una aplicacin muy importante porque no hay otro dispositivo electrnico sencillo que sea capaz de cumplir la funcin de transferir energa ( de cualquier nivel ) de un circuito a otro sin acoplamiento elctrico. En infinidad de circuitos se aprovecha esta propiedad de los transformadores, por ejemplo para acoplar etapas cuyas respectivas entradas y salidas deben polarizarse individualmente con distintas tensiones, o disponiendo diferentes secundarios de un mismo transformador para alimentar distintos circuitos.
Capitulo VIII
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Ecc1
Ecc2
FIG. N 1.2
Transformador con diferentes potenciales continuos en el primario y el secundario
1.2.3) OBTENCIN DE SEALES DE C.A. CON RESISTENCIA INTERNA A LA C.C. DESPRECIABLE. Es posible construir un transformador de tal modo que la resistencia a la c.c. del arrollamiento secundario sea tan pequea como se desee. En esta forma se puede obtener una fuente de seal alterna con resistencia a la c.c. despreciable. Esta caracterstica de los transformadores resulta de gran utilidad en circuitos elctricos en los que es necesario alimentar un elemento activo ( vlvula o transistor ) a travs de una impedancia a la C.A. de valor determinado, pero manteniendo la cada de tensin contnua en un mnimo, a fin de evitar un gasto de potencia excesiva. 1.2.4) ADICIN O SUBSTRACCIN DE SEALES. Como los potenciales de primario y secundario, aunque sean alternos, pueden ser diferentes, mediante la utilizacin de ms de un transformador podemos sumar tensiones provenientes de distintas fuentes. Supongamos tener un transformador que proporciona una seal E'2 y otro transformador que da otra seal E2. Como los dos circuitos estn electricamente aislados, se los puede conectar en serie ( aditiva o sustractiva ) y obtener E'2 E''2..
Tambin es posible conectarlos en paralelo obtenindose adicin o substraccin de corrientes, pero esta aplicacin es ms restringida debido a que generalmente resulta necesario que las impedancias internas sean idnticas. Esta aplicacin est afectada por las inevitables capacitancias distribudas del primario y secundario, que pueden limitar su aplicacin en frecuencias o tensiones elevadas. 2) 2.1) TRANSFORMADORES IDEALES Y TRANSFORMADORES REALES. CARACTERISTICAS DE UN TRANSFORMADOR IDEAL
Un transformador ideal puede representarse as:
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Como el transformador es ideal, tiene las siguientes caractersticas: a) El acoplamiento magntico entre primario y secundario es perfecto: K = 1 b) La reluctancia del circuito magntico es nula: c) Los efectos capacitivos son nulos: d) Las prdidas en el arrollamiento primario son nulas e) Las prdidas en el arrollamiento secundario son nulas f) Las prdidas en el ncleo son nulas =0 Cd = 0 R1 = 0 R2 = 0 P fe = 0
Estas caractersticas producen, a su vez, importantes consecuencias en el comportamiento del transformador: # Como consecuencia de a), b) y c), el transformador ideal no depende de la frecuencia. Por lo tanto, su ancho de banda es infinito. # Como consecuencia de b), las inductancias del primario y del secundario son infinitas. Por lo tanto, no circulan corrientes magnetizantes. # Como consecuencia de d), e) y f), el transformador ideal no disipa potencia. Por lo tanto, no se calienta, y su capacidad de manejo de potencia es infinita. Asimismo, su rendimiento es igual al 100%. # Como su reluctancia es nula, por lo cual es perfectamente lineal, no produce distorsin, tanto en s mismo cuanto en los circuitos acoplados al primario y al secundario. 2.2) CARACTERSTICAS DE LOS TRANSFORMADORES REALES Obviamente, los transformadores reales no cumplen estrictamente ninguna de las caractersticas del transformador ideal. Sin embargo, la tecnologa moderna permite producir transformadores que tienen un desempeo satisfactorio en gran nmero de aplicaciones, a travs de la especializacin y optimizacin de las caractersticas para cada aplicacin particular. Esto significa que, si bien es imposible fabricar un transformador que se desempee adecuadamente en todas las aplicaciones posibles, si resulta factible optimizar sus parmetros para que funcione aceptablemente en cada una de ellas, y a un costo admisible. Esto tambin significa que se tienen diferentes familias o tipos de transformadores, cada una de ellas enfocadas a una aplicacin particular, con sus requerimientos especficos. As, por ejemplo, se tienen: # transformadores de potencia ( que no transforman potencia, sino que trabajan a un nivel de potencia relativamente elevado ) # transformadores de banda ancha, capaces de manejar seales cuyo espectro se extiende sobre varias dcadas de frecuencia # transformadores de pulsos, adecuados para trabajar con seales impulsivas
Capitulo VIII
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# transformadores sintonizados de alta frecuencia, que tienen una banda pasante deliberadamente angosta Cada una de estas clases o categoras poseen diferencias en su tamao, sus materiales, su diseo, su construccin y su operacin. En captulos posteriores se estudiarn los diferentes tipos a fin de lograr un conocimiento operativo de cada uno de ellos. 2.3) CLASIFICACION DE LOS DISTINTOS TIPOS DE TRANSFORMADORES De acuerdo a lo expresado en el punto anterior, haremos una clasificacin de los tres principales tipos o grupos de transformadores, indicando sus caractersticas ms relevantes. 2.3.1) TRANSFORMADORES DE RADIO FRECUENCIA SINTONIZADOS RF Caractersticas principales: El coeficiente de acoplamiento es generalmente menor de 0,3 y en muchos casos del orden de 0,01. Banda de frecuencias estrecha (sintonizados). Pueden tener: a) Primario sintonizado. b) Secundario sintonizado. c) Primario y secundario sintonizado. 2.3.2 ) TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA. Estos transformadores, destinados al manejo de seales, tienen como caracterstica fundamental, que su transferencia debe mantenerse constante sobre un ancho de banda de por lo menos varias dcadas. Considerando que las frecuencias de corte inferior y superior son f1 y f2, se tiene:
f2 -------f1
> 103
Siendo f1 y f2 las frecuencias de corte inferior y superior respectivamente. Otras caractersticas deseables son: a) Distorsin pequea. b) Rendimiento elevado. 2.3.3) TRANSFORMADORES DE POTENCIA. En un transformador, la ganancia de potencia siempre es menor que uno, por lo que en realidad no transforma potencia; se lo llama as porque este tipo de transformador trabaja a un nivel de potencia relativamente elevado. El objeto de este transformador es modificar los niveles de tensin y corriente de primario a secundario con un nivel de potencia relativamente elevado. Se trata de transferir esta potencia con el mejor rendimiento posible. Las caracteristicas de estos transformadores son entonces: a) Rendimiento elevado. b) Frecuencia constante o casi constante. c) Potencia elevada. d) Regulacin pequea e) Capaces de trabajar a temperaturas elevadas
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3)
CIRCUITO EQUIVALENTE DE TRANSFORMADORES REALES
Con el circuito equivalente de los transformadores se presentan los mismos problemas que cuando se quiere hacer un circuito equivalente para un dispositivo elctrico o electrnico cualquiera. Hacer un circuito equivalente significa construir un modelo con elementos puros y concentrados, lo ms sencillo posible, y que represente con la mayor exactitud las caractersticas del elemento real, pero que no sea tan complicado que su uso sea incmodo o engorroso. Por lo tanto conviene proceder de la siguiente forma: 1) Dibujar el circuito equivalente lo ms completo posible; o sea, tratando de incluir todos los factores que intervienen en el comportamiento del transformador. 2) Se lo simplifica para tratar de llegar a un circuito con el que sea cmodo operar, que represente las caractersticas del elemento real con la necesaria exactitud. Veamos ahora como incluir los elementos circuitales que proporcionan las caractersticas reales de un transformador. 3.1) CIRCUITO EQUIVALENTE COMPLETO DEL TRANSFORMADOR:
1) En la evaluacin del comportamiento de un transformador, tienen fundamental importancia las impedancias de los circuitos acoplados al mismo. Por lo tanto en el transformador, a diferencia de otros elementos, no tiene mucho sentido estudiar su comportamiento en forma aislada, porque muchas de sus caractersticas son determinadas por las impedancias del generador o la carga. Entonces, siempre que se estudia el comportamiento de un transformador se lo hace asociado a los circuitos de entrada y de salida. Incluimos entonces un generador E, con su resistencia interna Rg y la carga, que suponemos representada por la impedancia Zc. 2) El arrollamiento primario tiene una resistencia hmica R1. 3) Debemos tener en cuenta que entre primario y secundario el acoplamiento no es unitario, por lo que aparece una inductancia de dispersin LD1 una inductancia que no se encuentra acoplada con el secundario, sino que se encuentra solo del lado del primario. 4) La inductancia del primario Lp. Y la resistencia Rp en paralelo con Lp, que es la prdida que se atribuye al ncleo del transformador. 5) En el secundario tenemos anlogamente, una resistencia R2, una LD2 y la impedancia de carga Zc. 6) Entre el primario y el secundario podemos colocar un transformador ideal, de N1 espiras en el primario y de N2 espiras en el secunario, y con coeficiente de acoplamiento K = 1. 7) Generalmente se debe tener en cuenta la parte capacitiva del tranformador. El transformador ideal es un elemento puramente inductivo, pero en la prctica hay un efecto de capacitancia entre primario y secundario,
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como tambin capacitancias distribudas en los arrollamientos primario y secundario. Luego, caracterizamos esto con C1, C2, y C1-2. Este no es un circuito con el cual se pueda trabajar cmodamente. Veamos como se lo puede simplificar. Para el anlisis, puede suponerse que la relacin de transformacin n = N1 / N2 = 1. De este modo las tensiones, corrientes e impedancias del secundario pueden transferirse al primario sin modificacin de su valor. Como las tensiones que aparecen sobre N1 y N2 son iguales ( ya que N1 = N2 )podemos eliminar el transformador ideal, uniendo directamente el primario con el secundario Fig.N 3.2
Zc
E2
FIG N 3.2
Eliminacin del Transformador Ideal del Circuito Equivalente
Si se quiere convertir este circuito en el circuito de un transformador con relacin de transformacin distinta de 1, basta con multiplicar la tensin secundaria por n y las impedancias secundarias por n2. Esto significa que se reemplaza el transformador que tiene una relacin de transformacin n, por un transformador que tiene una relacin de transformacin de 1, pero que entrega una tensin secundaria E2.n sobre una impedancia Zc.n2. Si bien en el transformador real puede haber una separacin elctrica entre primario y secundario con diferentes potenciales de c.c. de primario y secundario, como en el funcionamiento del transformador esos potenciales no influyen, ( el transformador los ignora) cuando se hace el anlisis del circuito equivalente se suele suponer unidos el primario y el secundario, lo cual simplifica el tratamiento. 4) TRANSFORMADORES DE RADIO FRECUENCIA Los trataremos en forma superficial dado que el tratamiento analtico excede los lmites de nuestro curso, mientras que la parte constructiva es similar a la de los inductores de R.F. que se viera en el Captulo V. 4.1 CARACTERSTICAS DE LOS TRANSFORMADORES DE R.F. 1) En general tienen el primario y/o el secundario sintonizados a la frecuencia de trabajo. Luego, son transformadores de banda estrecha. Esta es una caracterstica fundamental que los diferencia de otros tipos de transformadores. 2) Otra caracterstica importante es: en la mayora de los casos el circuito magntico es abierto o a lo sumo semicerrado, pudiendo ser totalmente de aire. De modo que el coeficiente de acoplamiento K es mucho menor que 1 ( 0,001 a 0,3 ). 3) La frecuencia de trabajo es elevada ( desde 100 Khz, pudiendo llegar hasta 200 Mhz). A causa de estas caractersticas, el estudio de los transformadores de R.F. debe hacerse en forma diferente al de los transformadores de banda ancha y de potencia. 4.2 DISTINTAS CLASES DE TRANSFORMADORES DE R.F. Pueden distinguirse 3 clases principales: a) Secundario sintonizado. b) Primario sintonizado. c) Primario y secundario sintonizado.
Capitulo VIII
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Haremos el anlisis del transformador con secundario sintonizado, y con primario y secundario sintonizado. El anlisis del transformador con primario sintonizado es similar al del secundario sintonizado porque en un caso se transfiere el secundario al primario y en el otro el primario al secundario. Los procedimientos y curvas que se obtienen son anlogos. 4.3) TRANSFORMADORES CON SECUNDARIO SINTONIZADO. Para el anlisis deben plantearse las ecuaciones correspondientes a los circuitos acoplados E1 =I1.Z1 + j.w.M.I2
(1)
del tipo del tipo

M
Z11.I1 + Z12 .I 2 = E1
Z 21.I1 + Z 22 .I 2 = 0
0 = - j.w.M.I1 + Z2. I2 (2)
E1
I1
L1
L2
I2
E2
FIG N 4.1 Circuito Equivalente Secundario Sintonizado
En este circuito R2 representa la resistencia equivalente de prdidas del arrollamiento secundario, del capacitor secundario y de la carga que se pueda colocar. Este tipo de transformador trabaja en general con carga muy ligera, (la resistencia equivalente de prdidas mucho menor que la reactancia del secundario). Practicamente se puede considerar que se trabaja en vaco. Si la carga que se acopla fuera considerable, es necesario utilizar un circuito de adaptacin de impedancias para evitar que la carga reflejada sea excesiva. Eso se puede hacer tomando una derivacin en el secundario y cargando sobre esa derivacin, con lo cual la resistencia equivalente aumentar con el cuadrado de la relacin de derivacin. Otra posibilidad es dividir el capacitor C2 en dos capacitores en serie y cargar sobre uno de ellos, con lo cual tambin aumenta la resistencia equivalente. Al hallar el circuito equivalente del transformador referido al secundario, desarrollando las ecuaciones de mallas de los circuitos acoplados primario y secundario, se encuentra la tensin primaria transferida al secundario. De la ec. (1) obtenemos:
I1 =
E1 j .M .I 2 Z1
(3)
que reemplazamos en (2):
E j .M .I 2 + Z 22 .I 2 0 = j .M 1 Z1
(4)
.M
Z1
.E1 =
2 .M 2
Z1
.I 2 + Z 22 .I 2
(5)
E1 = j .M
La impedancia primaria
E1 Z1
(6)
Z1 = R1 + j. L1
aparece reflejada como:
Capitulo VIII
(.M )2 Z =
1
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Z1
(7)
El circuito equivalente transferido al secundario resulta:
Se supone que L2 y C2 estn en resonancia. Veamos cuanto vale Z1, o sea la impedancia primaria transferida al secundario.
( wM ) 2 Z 1 =
Z1
( wM ) 2
R1 + jwL1
( wM ) 2 ( R1 jwL1) =
R12 + w 2 L12
Z 1 =
( wM ) 2 R1
R12 + w 2 L12
( wM ) 2 jwL1 j
R12 + w 2 L12
Tenemos entonces:
(8)
R 1 =
( wM ) 2 R1
R12 + w 2 L12
Termino Resistivo
X 1 = -
( wM ) 2 wL1
R12 + w 2 L12
Termino Reactivo
El trmino reactivo, que en el primario es de signo positivo, en el secundario aparece como un signo negativo, o sea con reactancia de diferente signo, por lo tanto aparece disminuyendo el valor de la inductancia secundaria. El valor de esa disminucin est fuertemente influenciado por M. O sea, cuando aumentamos M, la inductancia negativa reflejada aumenta y por lo tanto disminuye el valor de L2. En la mayora de los casos en que se trabaja con este tipo de circuitos, el primario es un generador de muy alta resistencia interna. R1 >> w L1 Por lo tanto la impedancia Z1 es fuertemente resistiva y de valor elevado. Luego si R1 es grande, en el secundario el trmino R1 aparece como un valor pequeo. En ese caso, el circuito resonante formado en el secundario por L2, R2 y C2 no se ve afectado por la impedancia reflejada del primario, de modo que la respuesta en frecuencia mostrar una curva de resonancia convencional Fig. 4.3(a). Si aumentamos el acoplamiento, aumenta la tensin inducida en el secundario, pero tambin aumenta la impedancia reflejada por el primario inductivamente, Fig. 4.3(b) que se manifiesta por dos efectos: 1) El Q disminuye. 2) La frecuencia de resonancia se modifica.
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La modificacin relativa de la frecuencia fo depende de la inductancia.
La disminucin de la selectividad del circuito depende de las magnitudes relativas de R2 y de Z. Si R2 es grande, como consecuencia de tener un secundario con muchas prdidas, entonces el aumento de Z1 ser despreciable con respecto a R2 y, el efecto ms notable ser el aumento de la tensin inducida en el secundario, y la curva se desplazar hacia arriba. Llegar un momento en que el aumento de Z1 ser importante con respecto a R2 y entonces se notar una variacin de fo, conjuntamente con un ensanchamiento de la curva (disminucin del Q).
E1 ' =
j. .M .E1 Z1
(9) ;;
E2
;;
( .M ) Z '=
1
Z1
(10)
En el secundario se produce un aumento de inductancia por el carcter inductivo de M.
Q2 =
R2 .L2 + Z1 '
(11)
En el secundario entonces se hace mas inductivo adicionndose Z1' inductiva reducindose el Q. La impedancia secundaria queda:
Z 2 ' = .L2
( .M )2 +
Z1
(12)
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Z2 es la rama inductiva paralelo con la salida, de modo que su Q es paralelo como hemos visto. El generador ve una impedancia sintonia serie Zent, luego para esta condicion el Q es serie, de modo que al aumentar XL a XL y disminuir XC en XC, se produce un pequeo desplazamiento de f0 a f0 es decir desintonia. El valor adecuado para el acoplamiento depende de la desintona relativa admisible, que en general no es importante porque se puede corregir, y del valor de Q deseado. Por lo tanto, se ir acoplando para tener mayor tensin secundaria hasta el punto en el cual la selectividad obtenida es la deseada. En ese punto un ulterior aumento de M provocara un excesivo ensanchamiento de la curva de respuesta, con prdida de selectividad. 4.4) TRANSFORMADORES CON PRIMARIO Y SECUNDARIO SINTONIZADOS ( DOBLE SINTONIZADO)
M
L1
L2
E2
FIG N 4.4 Circuito Equivalente del Doble Sintonizado
Partiendo del circuito real ( Fig. 4.4) para el anlisis nos conviene un circuito con una sola malla en el primario. Luego transformando por Thevenin a la izquierda de la lna de puntos, de la figura 4.4 nos queda:
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M
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L1
L2
E2
FIG N 4.5 Circuito Equivalente con Thevenin Aplicado
y agrupando las resistencias del generador equivalente y de la bobina primaria con R1
I1 L1 L2
I2 E2
FIG N 4.6 Circuito Equivalente Reducido
Como no haremos un anlisis cuantitativo, no interesa la relacin entre los parmetros de primario de la Fig. 4.6 y los originales ( fig. 4.4 ) por otra parte fcilmene calculables. Si se hace una transferencia del primario al secundario similar a la del caso anterior, se tiene:
Pero ahora en Z1 se tiene un circuito resonante. Supongamos que las frecuencias de resonancia de primario y secundario son iguales a fo. La magnitud del circuito resonante reflejado (Z1) sobre el secundario depender fuertemente de M. Supongamos primero que M es muy pequeo y veamos que pasa. Estando en resonancia se transfiere del primario al secundario solamente la componente resistiva ( la componente reactiva se anula ). Si M es muy pequeo, el valor de la impedancia transferida Z1 es pequea comparada con la Z2 y por lo tanto lo que domina en el circuito es la impedancia del secundario Z2 de modo que el comportamiento del transformador estar dominado por la resonancia del secundario. ( Debemos tambin tener en cuenta que E1 tambin aumenta en resonancia). Si se aumenta el valor de M, aumenta la excitacin del circuito E1, y por lo tanto aumenta la salida. ( Tambin crece la impedancia reflejada Z1). Se puede seguir aumentando M hasta llegar a un valor de acoplamiento igual a:
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Kc =
1 Q 1Q 2
K=
M L1 L 2
Este valor es conocido como el K crtico. Para K crtico la interaccin entre los 2 circuitos es tal que curva E2/E2p en funcin de f muestra un tope chato, que para valores mayor de k se desdobla en dos picos. Pasado el Kc, por ms que se aumente K no aumenta la magnitud de la curva y la doble resonancia se produce a frecuencias cada vez ms separadas a medida que aumenta la interaccion entre dos circuitos resonantes. En la mayora de los casos, los anlisis estn hechos para Q1 = Q2 en cuyo caso el K crtico es: Kc = 1 / Q.
E2 E2p
1 K f fo
FIG N 4.8 Curvas Normalizadas Universales
Los grficos se dan en forma normalizada, como el de la figura 4.9 ( curvas universales de resonancia ), en donde se grafica la transferencia relativa con respeto a la transferencia en resonancia con acoplamiento crtico:.
A Ao K Kc
0,1 0,01 0,2 0,5 1 2 3 QAf f
FIG N 4.9 Curvas Universales de Resonancia Donde A / Ao = transferencia relativa. Los parmetros de las curvas dan los valores del K respecto al K crtico. Como en general interesa conocer la atenuacin en un rango muy grande, la ordenada suele ser logartmica. Ejemplo de empleo de la curva: se tienen los siguientes valores:
fo = 100 Khz;
Se desea conocer la atenuacin (
Q = 100 A/Ao)
K = 0,02 2KHz.
Q.f 2.100 = =2 f 100
para una desintona f =
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Kc = 1 / Q = 1 / 100 = 0,01
Luego, si K = 0,02, la relacin K / Kc = 0,02 / 0,01= 2 y de las curvas se tiene:
A / Ao = 1 / 3,3 = 0,3
A / Ao = 2 dB
En circuitos de comunicaciones se suele especificar el ancho de banda (BW) para una atenuacin de 0,707 (3 dB) que se considera aceptable para esos circuitos. Pero adems interesa la atenuacin o rechazo con respecto al canal adyacente, de modo que se toma la variacin de frecuencia para obtener una atenuacin de 40 dB ( 100 veces ). Un circuito puede tener un valor satisfactorio del ancho de banda, pero el flanco de la curva puede ser ms o menos abrupto. ( curvas 1 y 2 respectivamente de la Fig. 4.10 ). Entonces, la frecuencia para atenuacin de 40 dB puede estar alejado de la frecuencia central por una diferencia de frecuencia f1, o si la pendiente del flanco de la curva es menor, por una diferencia mucho ms grande f1.
A Ao 1 -3dB BW
-40dB Af1 Af1 Af
FIG N 4.10 Curva Universal Limite Interferente Si el primario y el secundario no se encuentran sintonizados a la misma frecuencia, y el Q de los dos circuitos es igual, Q1=Q2 , las curvas sern similares a las obtenidas en el caso fo1=fo2, salvo que fo1 y fo2 sean muy diferentes, caso en el que se puede producir doble pico para K muy bajo.
A Ao A Ao
f f
f f
Fig. N 4.11
Fig. N 4.12
Si los Q son diferentes tenemos una situacin diferente. De acuerdo a los Q del primario y del secundario, se produce una asimetra en la curva, ( por ejemplo Fig. 4.11 ) con uno de los picos ms alto que el otro ( el pico mayor corresponde a la frecuencia de resonancia del circuito de mayor Q ). Esto es para K mayor que el crtico. Si K es menor que el crtico se produce una asimetra en la curva pero no se nota el pico ( trazo punteado Fig. 4.11 ). Este tipo de asimetra es indeseable en las curvas de respuesta de los amplificadores de frecuencia intermedia, que tanto para radio como para video frecuencia emplean transformadores doble sintonizados,
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porque produce distorsin en la seal modulada. Por lo tanto, cuando se tienen primario y secundario de diferente Q hay que tratar de que las frecuencias de sintona sean iguales, para evitar asimetras. En la mayora de los transformadores doble sintonizados el K es algo mayor que el crtico, con lo cual se consigue una mejor caracterstica de respuesta, con una relacin pico-valle pequea, y el ancho de banda es mucho mejor que el obtenible para un circuito sintonizado simple ( Fig.4.12). Si el K es muy grande, los picos se separan demasiado , con un valle central excesivamente profundo. 4.5) POSIBILIDADES CONSTRUCTIVAS Hasta ahora hicimos el anlisis para transformadores con ncleo de aire, pero nada impide emplear transformadores con ncleo de ferrite, por ejemplo. Dadas las dos bobinas se colocan el primario y secundario a una cierta distancia, de modo que el K sea el valor deseado. El proyecto y construccin puede verse en la publicacin 31 de la Bibliografa en TP 13 Probl. 73. en donde la separacin entre devanados se obtiene mediante el grafico del anexo 18.
Si se emplea un ncleo ferromagntico se puede sintonizar el secundario variando L2. Pero como K y L2 estn relacionados, al variar L2 vara K, pero esta variacin no es grande:
K=
M L1 L 2
Si se sintoniza L2 introduciendo el ncleo por la parte inferior, la variacin de M ser muy pequea y por lo tanto toda variacin de K ser a travs de la variacin de L2. Si se sigue introduciendo el ncleo hasta la posicin 2, si bien el valor de L2 puede ser el mismo, el acoplamiento magntico entre el primario y el secundario se ve incrementado por la existencia del ncleo, con lo cual aumentar K. De modo que en general es una buena prctica tener la precaucin de que el ncleo se encuentre en la zona externa del inductor y no entre ambos inductores. En esa forma se consigue minimizar la variacin de M producida al ajustar la sintona. En el caso de primario y secundario sintonizado habr un ncleo por cada arrollamiento, que igualmente deben colocarse externamente. Las formas constructivas que pueden adoptar los transformadores de R.F. son similares a los de los inductores de R.F. Pueden utilizarse solenoides acoplados coaxialmente, o acoplados entrelazados; en realidad no es indispensable que esten sobre el mismo eje sino que estn prximos, pero ponindolos sobre el mismo eje se consigue controlar el acoplamiento con mayor facilidad. 5) INDUCTORES Y TRANSFORMADORES PLANARES
La razn del uso de un ncleo magntico es primordialmente proveer un alto grado de acoplamiento magntico, y una muy reducida inductancia de dispersin. Las bobinas con ncleo de aire son de uso para alta frecuencia. En este tipo de bobinas en un transformador trabajan con un factor de acoplamiento K = 0,8 a 1 a 1 MHz. Los parmetros en este caso de devanados no son muy fciles de manejar con precisin. Tampoco es fcil lograr alta produccin de bobinas con alto grado de control de calidad. Por todo ello es que el desarrollo e investigacin se enfoco hacia bobinados en circuitos impresos "planares" tanto para inductores como
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transformadores. El uso de devanados planares, elimina el alto costo de los devanados clsicos, y favorece a que la manufactura resulta con valores precisos de sus parmetros en toda la produccin en forma automatizada. La literatura sobre los materiales aislantes que hacen de sustrato o bien de los materiales magnticos como ncleos estructurales. Estos transformadores planares son de baja potencia, tpicamente menores 2 watt. Con la ayuda del circuito equivalente de alta frecuencia, se pueden desarrollar las caractersticas, ejemplos y aplicaciones de los transformadores planares. En este tipo de transformadores son sintonizados ya sea para ganancia de tensin, y con muy baja inductancia de dispersin, dado que cada espira, tal como esta devanado representa una ventaja. Se describirn las tcnicas de optimizacin en dos aspectos, 1) Condiciones de mnima potencia de entrada. 2) Condiciones de mxima transferencia de energa. 5.1) ESTRUCTURA BSICA Y CIRCUITO EQUIVALENTE La estructura es muy simple. Esencialmente el devanado del transformador se realiza en ambas caras de una plaqueta de circuito impreso. El tamao es muy pequeo en altura pues es impreso en la plaqueta y ocupa una superficie que puede rondar entre 10 x 10 mm y 36 x 36 mm, por lo menos lo experimentado por el IEEE. La comparacin con transformadores tradicionales, es ampliamente favorable en tamao reducido, al Transformador Planar. Es el caso del transformador tipificado como Tr6 empleado en el ejemplo, que mide 10 mm de dimetro con una traza de cobre de 0,22 mm x 0,025 mm con una separacin entre espiras de 0,28 mm, con 10 espiras en cada devanado.
El circuito equivalente es el general total que se usa normalmente para cualquier transformador,
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en donde, R 1 = es la resistencia del devanado primario. R'2 = es la resistencia del devanado secundario referida al primario. RL = es la resistencia de carga. LD1 = es la inductancia de dispersin del primario. LD2 = es la inductancia de dispersin del secundario. L'D2 = es la inductancia de dispersin del secundario referida al primario. Lp = es la inductancia del primario. C 1 = capacitancia distribuida del arrollamiento primario. C 2 = capacitancia distribuida del arrollamiento secundario. C 1-2 = capacitancia entre los arrollamientos primario y secundario. n = relacin de transformacin. La frecuencia de resonancia con el circuito descargado esta dada por,
f0 =
en donde,
1 2 Leq C eq
Leq = L' D 2 + LD1 // Lp
C eq = C ' 2 + C '1 2
C '2 = C L + C 2
como vemos en C'2 se tiene en cuenta la capacidad del devanado secundario referido al primario, mas la capacidad en la carga CL . Los valores de los parmetros medidos a 10 Mhz son los que estn indicados en el circuito equivalente. Si se desea otra frecuencia de resonancia se modifica el valor de C 2. Para particulares aplicaciones puede ser necesaria una determinada frecuencia de resonancia, por Ejemplo, si la frecuencia de operacin del transformador planar es de 10 Mhz, conectando un capacitor C2 = 680 pF dar al Transformador Planar Tr6 una frecuencia de operacin de aproximada de 9 Mhz. 5.2) CARACTERSTICAS DE LOS TRANSFORMADORES PLANARES SIN NCLEO La respuesta en frecuencia del Tr6 cargado con C2=680pF y carga fantasma de 2K, tanto en magnitud y fase se ilustran a continuacin,
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La ganancia en ordenadas se refiere a la ganancia de tensin, es decir tensin de salida respecto de la de entrada, V2 / V1. Observando la respuesta tpica en frecuencia se pueden destacar puntos que pueden servir para hacer operar al Transformador Planar sin Ncleo, de optima forma. 1) Se puede observar que la ganancia de tensin a bajas frecuencias de operacin es muy baja, digamos por debajo de los 200 Khz, prcticamente nula. A medida que la frecuencia se incrementa, aun ms lo hace la ganancia de tensin hasta llegar a un mximo a la frecuencia de resonancia. 2) La ganancia de tensin excede la unidad a las altas frecuencias digamos los 10 Mhz. 3) La ganancia de tensin cae a 0 a frecuencias muy superiores a la frecuencia de resonancia. La zona de frecuencias de trabajo estn por debajo de la frecuencia de resonancia. A partir de f0 /1,125 hasta f 0 / 1,5 es la zona operativa de frecuencias de acuerdo a la experimentacin. 4) Segn la zona de operatividad destacada en el punto anterior, se puede decir que en el punto de mxima frecuencia utilizable f 0 / 1,125 es cuando la reactancia magnetizante es grande, mientras que se tiene un cortocircuito en baja frecuencia. 5) Prxima y por debajo de la frecuencia de resonancia, la ganancia de tensin es mucho ms alta que el resto de la zona de operacin, se la denomina Regin de " Resonancia Parcial " con muy pequea rotacin de fase. En la zona de operacin comprendida entre 6 y 8,5 Mhz se tienen diversas aplicaciones en la electrnica moderna.
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A(dB)
8,5 9
f (MHz)
5.3) TRANSFORMADORES PARA TRANSFERENCIA DE SEALES Y POTENCIA 5.3.1) IMPEDANCIA MXIMA PARA TRANSFERENCIA DE SEALES:
Se emplean estos transformadores para transferencia de seales con el mnimo de potencia en juego. Es el caso del " Circuito de disparo para Electrnica de Potencia con MOSFET; y el Transistor Bipolar Aislado Disparado (Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT). El excitador del circuito de potencia, requiere que la seal de disparo sea transferida con mnima potencia gastada, y sobre todo para aquellas seales de entrada al transformador muy pequeas, con lo cual permite la transferencia de pequeas seales. La impedancia de entrada del Tr6 Transformador Planar sin Ncleo, se ilustra en funcin de la frecuencia, cuya observacin permite obtener las siguientes caractersticas, 1) La magnitud del pico de impedancia de 150 se da en los 8 Mhz. 2) La ganancia de tensin es de 1,8 en el punto de Mxima Impedancia de 150 en los 8 Mhz, vale decir que la seal es aumentada hasta un 80%. El uso de la " Tcnica de Resonancia Parcial " supone como un problema de baja ganancia, y su objetivo es poder hacer que la ganancia de tensin sea mayor que la unidad. 3) El transformador a la frecuencia de operacin a mnima potencia necesaria para la transferencia de seales, tiene diversas aplicaciones.
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5.4) TRANSFORMADOR DE POTENCIA Los transformadores planares pueden ser empleados para la transferencia de Potencia.
El prototipo ilustrado como Tr9 ha sido probado como conversor de CC-CC de 94 watt Se ha probado con diversas resistencias de cargas en un ancho de banda amplio, el cual su eficiencia excede el 90 %. 5.5) CAMPO ELECTROMAGNTICO IRRADIADO EMI Un malentendido comn es que el transformador planar produzca alta radiacin de EMI. Con un loop cuya radiacin es perpendicular al plano x-y, o sea = / 2 receptora del EMI, la " impedancia intrnseca " es,
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= 120 x = 377 en el espacio libre. Si la frecuencia de operacin es f C = 8 MHz cuya longitud de onda es,
c 3 10 8 = = = 37 , 5 m fC 8 10 6
la potencia radiada promedio del loop P es,
a fC P = 160 I c
6 2 0 4
EMI Y
a = radio del loop = 5 mm = 0,13 x 10-3 x
.
X
a 16 = 10 P = f ( f4 0 )
I 0 = 1 A y a = 5 mm resultara que la potencia radiada es, P = 4,86 x 10-11 watt despreciable valor de EMI Vale decir potencia emitida y captada por el loop, y decimos captada por el loop por el teorema de reciprocidad.
Para
La potencia radiada depende de, a) la corriente I0. b) la dimensin de la "estructura", que en este caso es el radio a. c) la frecuencia de operacin fC. La potencia radiada se incrementa con la frecuencia y la dimensin de la estructura radiante. Segn la teora de antenas, un buen loop radiador es aquel que tenga un radio relacionado con la longitud de onda de la seal radiada. Para el transformador Tr6 el radio externo del loop es 0,005 metros. Este radio es solamente 0,13 x 103 de la longitud de onda = 37,5 m. Como vimos el termino ( a / )4 es del orden de 10-16. Para una corriente I0 = 1A, la potencia radiad de un loop simple antena con un radio de 5mm es de P = 4 ,86 10 11 watt . 5.6) EJEMPLOS DE ALGUNAS APLICACIONES EJEMPLO 1 TRANSFORMADOR AISLADOR ENTRE EL CIRCUITO DRIVER Y EL CIRCUITO DE BANDA ANCHA La aislamiento requerida entre un circuito excitador y uno de Potencia, es debida a la baja tensin de control que debe estar aislada de la potencia. Se aprecian estas caractersticas, 1) Minima corriente necesaria,
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2) Permite un ancho rango de frecuencias para switching, con aislamiento del circuito drive y el circuito de medida o testeo con una resistencia inductiva de carga de 5 y 1,1 mHy como se ve en la figura: un circuito excitador disparado modulado empleando el transformador Tr6.
El circuito de potencia MOSFET tipo APT 5040 cuyas tensin es de 500 volt y 16 A. El secundario del transformador planar esta en paralelo con un capacitor de 680pF que como el Tr6 resuena a 9 Mhz. EJEMPLO 2 TRANSFORMADOR CON VARIOS SECUNDARIOS PARA EXCITADORES DISPARADORES DE UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA TOTEN-POLE
En la pagina anterior estn los devanados: el de la izquierda son los devanados bifilares del secundario, el de la derecha es el primario del transformador Planar sin Ncleo. Este tipo de transformador es utilizado comnmente en inversores de potencia de 1 Mhz, como en este ejemplo. EJEMPLO 3 AISLADOR DE UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE 1 MHZ DE BANDA ANCHA
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El aislador comercial de amplificadores tiene un ancho de banda de alrededor 120 Khz Debido a la ausencia de ncleo y sus limitaciones, el Transformador Planar sin Ncleo permite as mayor banda ancha hasta 1 Mhz. En la figura se muestra el circuito tpico del amplificador aislado. El transformador de Potencia habitual y el transformador de seal son reemplazados respectivamente por transformadores sin ncleo en T1 y en T2. Se muestra tambin la ganancia de tensin versus frecuencia en este ejemplo que alcanza a una frecuencia de corte de 1 Mhz.
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Se observa claramente que la frecuencia de corte esta ubicada en 1 Mhz. EJEMPLO 4 TRANSFORMADOR PARA TRANSFERENCIA DE MXIMA POTENCIA El Transformador Planar sin Ncleo, ha sido probado para aplicaciones en Conversores de Diferentes Potencias de salida desde 0,5 watt a 94 watts. El transformador Tr9 en fuentes de alimentacin conmutadas con potencias de salida de 94 watts. La mxima eficiencia excede el 95% y un mximo de eficiencia en la conversin de energa de alrededor del 84%.
Seal de Entrada en Modo Comn
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Recordemos que cada devanado tiene 10 espiras.
ELECCIN DEL ESPESOR DE LA PLAQUETA PARA EL DISEO La norma empleada es el standard FR4. Los espesores satandar son 0,4 mm; 0,6 mm; 0,8 mm; 1 mm; y 1,5 mm. Para los circuitos de potencia con MOSFET y IGBT se emplean plaquetas de 1,5 mm de espesor. Para las aplicaciones en conversores de potencia, se emplea 0,4 mm de espesor. Como se ve el espesor depende de las aplicaciones. El acoplamiento magntico entre primario y secundario depende del espesor de la plaqueta, es decir que se incrementa el acoplamiento si el espesor tiende a ser reducido. Para aplicaciones de baja potencia se usa 1,5 mm.
El precio depende del peso por pie cuadrado, como por ejemplo 1 onza / pie2 que equivale a 28,35gr /pie2. En este momento para aplicaciones de transferencia de potencia con plaquetas cuya lamina de cobre es de 85gr / pie2 Tambin se esta ensayando plaquetas flexibles delgadas. (Este articulo ha sido extractado y modificado para nuestras aplicaciones de, IEEE Circuits and Systems Society Newsletter, de setiembre y diciembre 20001http://www.nd.edu/~stjoseph/newscas )
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Capulo IX
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CAPITULO IX TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA Los transformadores de banda ancha tienen como misin fundamental la transmisin de seales que cubren un rango de frecuencia de varias dcadas. Si llamamos f1 y f2 a las frecuencias de corte inferior y superior, respectivamente, un transformador de banda ancha tiene:
f2 > 103 f1
Adems del requerimiento de que la transferencia, en amplitud y fase, sea esencialmente constante entre f1 y f2, es necesario que la distorsin provocada en y por el transformador se mantenga por debajo de valores que afecten la calidad o inteligibilidad de la seal. Debido al uso de materiales ferromagnticos ( que inevitablemente muestran caractersticas alineales) en el ncleo, la especificacin de distorsin mxima admisible es muchas veces difcil de cumplir. Otra caracterstica del transformador de banda ancha es que el acoplamiento debe ser muy fuerte, con valores de K muy prximos a 1, ya que como veremos ms adelante, la inductancia de dispersin afecta decisivamente la respuesta en alta frecuencia, limitando el ancho de banda. 1) CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR DE BANDA ANCHA Para estudiar el comportamiento de los transformadores con la frecuencia , se parte del circuito equivalente completo ( una vez eliminado el transformador ideal ), tal como se ha visto en el punto 3.1 del Cap. 8 .
Para realizar el anlisis, el circuito equivalente completo debe ser simplificado, ya que en la mayora de las aplicaciones no se justifica efectuarlo con un alto grado de detalle, siendo conveniente hacerlo en forma ms global donde puede apreciarse en cada caso los aspectos relevantes del comportamiento. 1.1) SIMPLIFICACION DEL CIRCUITO EQUIVALENTE El circuito equivalente completo es demasiado complicado. Veamos como se lo puede simplificar. Se han considerado tres capacitores, suponiendo la capacitancia distribuida representada por un capacitor sobre el primario C1, otro en el secundario C2, y un capacitor puente del primario al secundario C1-2. Tres capacitores, con los consiguientes polos asociados, resulta demasiado engorroso para el anlisis sencillo que requieren la mayora de los casos. Veamos como concentrarlos en un nico capacitor en el punto ms conveniente. Este
Capulo IX Pagina 2 punto puede ser en el primario o el secundario, de acuerdo al tipo de transformador. En principio lo ubicaremos en el secundario, sobre los terminales de salida. El capacitor C1 se transfiere al secundario, de modo que se suma a C2 . La capacitancia puente C1-2 normalmente es un valor que se puede hacer en el diseo todo lo pequeo que haga falta. Adems, de ser necesario, se puede colocar una pantalla electrosttica entre primario y secundario, de modo que el capacitor puente se convierte en dos capacitores sobre el primario y secundario, respectivamente, con lo que pasa a formar parte de C1 y de C2. Estos capacitores se transfieren o suman a C2, agrupando todos los efectos capacitivos en un nico capacitor C sobre el secundario. La inductancia de dispersin se puede representar por un nico inductor LD colocado del lado del primario. Por lo tanto, el circuito equivalente del transformador, despus de esta primera simplificacin, queda como se muestra en la Fig. N 1.2 :
En esta etapa de la simplificacin, el circuito equivalente completo comprende a) Los elementos resistivos del generador Rg, del primario R1 , y del secundario transferido al primario R2. b) La inductancia primaria Lp. c). La inductancia de dispersin total LD , ubicada sobre el primario. d) La capacitancia distribuda total C , colocada sobre el secundario, en la cual se consideran concentrados todos los efectos capacitivos del transformador. e) La resistencia de carga Rc transferida al primario. Estos elementos pueden, a su vez, ser agrupados o transferidos para simplificar an ms el circuito equivalente para casos particulares. Algunos pasos posibles son: La resistencia de prdidas en el ncleo Rp, si el nivel de potencia es alto, puede tener importancia y se la debe tener en cuenta. Una forma de hacerlo es considerndola formando parte de la resistencia de carga Rc. Si el nivel de potencia es bajo, las prdidas en el hierro son muy reducidas, por lo que Rp es muy elevada, siendo prcticamente despreciable. Las resistencias Rg y R1 pueden ser integradas en una resistencia R1,
R1 ' = Rg + R1
colocada a la entrada del transformador. La resistencia del arrollamiento secundario R2puede ser integrada a la resistencia de carga Rc, formando ambas la resistencia de salida Rs. Las inductancias de dispersin se pueden agrupar en una inductancia de dispersin total LD . Como es mucho menor que la inductancia primaria Lp, no tiene importancia en considerarla a la derecha o la izquierda de Lp. Estos agrupamientos o desplazamientos producen circuitos equivalentes muy simplificados son muy tiles para la apreciacin rpida del comportamiento de un determinado tipo de transformador. Por ejemplo, el circuito de la Fig. N 1.3 es frecuentemente utilizado para el anlisis de la respuesta en frecuencia de transformadores de banda ancha.
Capulo IX
Pagina
R1 = RG + R1
LD
Rs
E2
FIG N 1.3 1.2)
Ejemplo de circuito equivalente reducido de un transformador real
DISTINTOS TIPOS DE TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA:
Todos los transformadores de banda ancha no son iguales, ya que las aplicaciones son diversas. Para su mejor estudio, convienes clasificarlos en: a) TRANSFORMADORES DE SALIDA: ( tambin llamados transformadores con carga fuerte ). Son transformadores en los cuales la resistencia de carga Rc es de un valor muy bajo. Se utilizan tpicamente para acoplar los amplificadores a la carga, y ms comnmente, en audio frecuencia, para acoplar el amplificador al parlante. b) TRANSFORMADORES DE ACOPLAMIENTO: ( tambin llamados transformadores con carga dbil), en los cuales la impedancia de carga es muy grande, de modo que en muchos casos se los puede considerar sin carga. c) TRANSFORMADORES DE ENTRADA: tienen como caracterstica fundamental que trabajan a un nivel muy bajo, por lo tanto los problemas de blindaje y ruido son importantes. Se los suele analizar como si fueran transformadores de acoplamiento. 2) COMPORTAMIENTO DE LOS TRANSFOMADORES CON LA FRECUENCIA Para estudiar el comportamiento de los transformadores con la frecuencia , se utiliza el circuito equivalente simplificado visto en el punto 1.1 anterior . Para que el anlisis sea ms sencillo, es conveniente hacerlo adecundolo al tipo de transformador, segn se ha visto en la clasificacin del punto anterior, dado que cada variante permite simplificar el circuito equivalente en forma particular. 2.1) TRANSFORMADORES DE SALIDA: En estos transformadores, el nivel de potencia suele ser relativamente elevado, lo cual significa que la resistencia de carga Rc es baja. Partiendo del circuito equivalente completo simplificado que se ha deducido en el captulo anterior ( Fig. N 1.2 ) para el caso de que Rc sea pequea, se pueden hacer varias consideraciones con el objeto de simplificarlo an ms. Una de ellas es que la reactancia de la capacitancia equivalente, ( considerada sobre el secundario) es despreciable frente a Rc:
Xc >> R'c
Esta consideracin es generalmente vlida en todos los transformadores de salida, en los cuales podemos ignorar el efecto de las capacitancias distribudas. En estos transformadores la resistencia equivalente de prdidas en el ncleo Rp no es despreciable, ya que trabajan a un nivel elevado de induccin, pero para no tener en cuenta esta resistencia, que tiene la caracterstica de ser alineal, la consideramos comprendida dentro de la resistencia de carga. Para el anlisis de la respuesta con la frecuencia, es posible considerar Rg y R1 formando un nico resistor R'1 . Esto es cmodo porque en la mayora de los casos Rg es mucho mayor que R1... Queda entonces: R'1 = Rg + R1
Capulo IX Pagina 4 Otra simplificacin es considerar R2 formando parte de la carga lo que generalmente es aceptable ya que Rc
>> R2 . Se tiene entonces:
Rs = R2+Rc
El circuito equivalente reducido ( Fig.2.1 ) queda:
LD
Rs
E2
FIG N 2.1
Circuito Equivalente Transformador con Carga Fuerte
Reducido del
Para hacer el anlisis del comportamiento con la frecuencia conviene tomar como referencia la llamada zona de frecuencias medias cuyo valor central fm vale:
fm =
f1. f 2
Donde f1 y f2 son las frecuencias de corte inferior y superior, respectivamente. Dentro de esa zona se considera que la transferencia de un transformador de banda ancha no vara apreciablemente, ya que las frecuencias de corte inferior y superior estn alejadas de las frecuencias medias: 2.1.1) RESPUESTA EN FRECUENCIAS MEDIAS: Por lo tanto, para las frecuencias medias son vlidas las siguientes desigualdades:
f1 << fm << f2
XLp >> Rs
XLDT << R1
R1
De esta forma el circuito equivalente para frecuencias medias queda: ( Fig. N 2.2 )
Rs
E2
FIG N 2.2
Circuito Equivalente para Frecuencias Medias
Puede apreciarse que un transformador fuertemente cargado, a frecuencias medias, se comporta como un atenuador puramente resistivo. Si calculamos ahora E2 en funcin de E1:
Capulo IX
Pagina
E 2 ' = E1
Rs' R1 '+ Rs'
por lo tanto, la transferencia para frecuencias medias:
E m R 2 s = E1 R1 + R s
Puede apreciarse que en la zona de frecuencias medias la transferencia es constante. Esta es una caracterstica inherente a los transformadores de banda ancha, que por serlo poseen una amplia zona donde la respuesta es constante. 2.1.2) RESPUESTA EN FRECUENCIAS BAJAS: Para frecuencias bajas se deben revisar las desigualdades del punto 2.1.1. Puede apreciarse que :
wLD << R1 , , sigue siendo vlida, mientras que wLp no es mayor a Rs , por lo que la inductancia primaria no puede despreciarse. Entonces, el circuito equivalente para bajas frecuencia queda ( Fig. N 2.3.a):
Rs R1 E2 Rs Rs th R1 E2 R1 E2
a)
b)
c)
FIG N 2.3 Circuito Equivalente para Bajas Frecuencias Como interesa calcular la cada de tensin sobre Rs, teniendo en cuenta la influencia de Lp, transformamos el circuito en el de la Figura 2.3.b. y por ltimo, por Thvenin, obtenemos el de la Figura 2.3.c., donde aparece el generador equivalente ( E1Th ):
Rs E1Th = E1 . ----------R1 + Rs
La resistencia interna equivalente de Thvenin es el paralelo de R1 y Rs:
RTH =
R1 '.Rs' R1 '+ Rs'
Capulo IX
Pagina
En la Fig. N 2.4 se muestra el circuito equivalente, conjuntamente con la respuesta para bajas frecuencias:
jwL p E 1 .R s E = 2 s R 1 + R R 1 .R s + jwL p R1 + R s
E2
E b R s 2 = E1 R1 + R s
wL p R 1 .R s 2 2 + w Lp R1 + R s
2
FIG N 2.4
Respuesta en Bajas Frecuencia
Si ahora calculamos la transferencia a las bajas frecuencias, relativa a la transferencia a las frecuencias medias ( las frecuencias medias se toman como referencia cuando se normaliza):
E b 2 E1 E m 2 E1
1 R1R s R1 + R s +1 2 2 w Lp
Se tiene un circuito pasa alto cuyo comportamiento se muestra en la Fig. N 2.5 :
E b 2 E1 E m 2 E1
1 0,707
R1R s R1 + R s =1 w 2 Lp 2 f1 =
f
R1R s = wLp R1 + R s
R1R s 2( R 1 + R ) Lp s
f1
Fig.N 2.5
Respuesta en baja frecuencia. Frecuencia de Corte Inferior f1
Capulo IX Pagina 7 El valor de f1 ( frecuencia de corte inferior) se obtiene cuando la respuesta cae a 0,707 ( 3 dB ) del valor de frecuencias medias. Para frecuencias ms bajas, se tiene la cada con pendiente de 6db/octava, caracterstica de un circuito R-L. Si tenemos en cuenta que los elementos resistivos R1 y Rs que intervienen en el circuito equivalente estn mayoritariamente determinadas por el circuito externo, podemos observar que el elemento fundamental del transformador que determina la respuesta en bajas frecuencias es la inductancia del primario. Por lo tanto, si se quiere extender la respuesta de un transformador en baja frecuencia, el recurso principal es aumentar el valor de Lp.
2.1.3 RESPUESTA EN FRECUENCIAS ALTAS: Analizando las desigualdades del punto 2.1.1 para alta frecuencia, puede comprobarse que:
wLp >> Rs
sigue siendo vlido. Por lo tanto la inductancia de dispersin no puede despreciarse. El circuito equivalente para alta frecuencia queda entonces: ( fig. N 2.6):
E = E1 2
R s R 1 + R + jwL D s
R1
E 2 a = E1
Operando se tiene
R s
2
Rs
E2
(R 1 + R s )
E 2 a = E1
+ w LD
FIG N2.6
R s R1 + R s 1+
(R 1 + R s )
w LD
E 2 a E1 E2 m E1
= 1+
(R 1 + R s )
w LD
Se puede observar que el comportamiento es del tipo pasabajos ( R-L ), como se muestra en la Fig. N 2.7:
Capulo IX
Pagina
El valor de f 2 se obtiene cuando:

A Am 1 0,707
=1 w LD 2 ( R`1+ R`s)
2
w LD = ( Rs + R1)2
f2 f
w LD = Rs + R1
f2 = Rs + R1 LD 2
Fig. N 2.7 Respuesta en Alta Frecuencia del Transformador Fuertemente Cargado Para frecuencias medias el 2 trmino del subradical es despreciable y la respuesta resulta plana, a medida que aumenta la frecuencia comienza a caer y llega al valor 0,707 para la frecuencia de corte superior f2. Recordando que R1 y Rs dependen casi totalmente del circuito externo al transformador, se observa que la respuesta en alta frecuencia depende fundamentalmente de la inductancia de dispersin LD . 2.1.4) COMPORTAMIENTO DEL TRANSFORMADOR CON CARGA FUERTE EN TODO EL RANGO DE FRECUENCIAS Si graficamos el comportamiento del transformador con carga fuerte en todo el rango de frecuencias, obtenemos el grfico de la Fig. N 2.8 :
A/Am 1 0,707
90 45 -45 90
f1
10f1
f2/10
f2
Fig. N 2.8 Frecuencias
Comportamiento del Transformador de Salida con Carga Fuerte en todo el Rango de
En la figura se ha incorporado el diagrama de fase, donde puede apreciarse que la rotacin de fase es nula en toda la zona de frecuencias medias. Para frecuencias bajas empieza a crecer, valiendo 45 para f1 y teniendo a 90 a medida que la frecuencia se aproxima a cero. Para frecuencias altas, vale -45 para f2 y tiende a -90 cuando la frecuencia f se aproxima a infinito.
Capulo IX Pagina 9 El valor de rotacin de fase es muy importante cuando se utiliza el transformador dentro del lazo de realimentacin de un amplificador, donde la variacin de fase de la tensin secundaria, que es realimentada, puede producir inestabilidad en el circuito.
2.2)
TRANSFORMADORES DE ACOPLAMIENTO:
Los transformadores de acoplamiento se caracterizan porque su resistencia de carga es muy elevada, de modo que generalmente se puede suponer que trabajan en vacio. Los fundamentos de esta consideracin vienen de la poca de los circuitos que empleaban vlvulas termoinicas, en los que la impedancia de entrada es casi infinita. Con circuitos de transistores, no es vlido para transistores bipolares, pero s lo es para transistores de efecto de campo. En cualquier forma, el caso del transformador sin carga es el caso lmite opuesto al transformador con carga fuerte: el efecto de la capacitancia distribuda queda plenamente evidenciado y el anlisis es ms simple. En general, en la realidad, los transformadores se comportan como un caso intermedio entre transformadores de salida ( la impedancia de carga es baja ) y los transformadores de acoplamiento ( la impedancia de carga es prcticamente infinita). De acuerdo al tipo de circuito, se deber hacer el anlisis considerando el grado de carga que impone la etapa siguiente al transformador. Para el anlisis se parte del circuito equivalente reducido del transformador de la Fig. N 1.2 , que se reproduce en la Fig. N 2.9 :
FIG N 2.9
Circuito Equivalente Completo Simplificado del Transformador
Veamos como simplificarlo, para poder proceder a su anlisis. Decimos que normalmente se lo puede considerar a circuito abierto, de modo que eliminamos la resistencia de carga Rc . Como hemos eliminado Rc deja de tener importancia la resistencia del secundario R2,, por lo que se la puede ignorar. Tambin unimos Rg y R1 en una sola resistencia R1. En un transformador inter-etapa, el nivel de potencia a que se opera es bajo ( la potencia en juego es casi nula). Por lo tanto, la induccin mxima no suele ser elevada, y podemos considerar que las prdidas en el ncleo son pequeas, de modo que eliminamos Rp. El circuito resultante para el transformador de acoplamiento es el de la Fig. N 2.10. Observamos que no puede despreciarse el efecto de la capacitancia distribuida, considerada concentrada en C sobre el secundario.
R1
FIG N 2.10 Circuito Equivalente Simplificado para el Transformador de Acoplamiento
E2
Capulo IX
Pagina
10
2.2.1) RESPUESTA EN FRECUENCIAS MEDIAS: Para las frecuencias medias se cumple, que: R1
>> w LD
R1 << w Lp
R1 << 1 / wc
Queda entonces el siguiente circuito ( Fig. N 2.11 )
R1
E1 = E 2
E2
E 2 =1 E1 m
FIG N 2.11Circuito Equivalente para Frecuencias Medias del Transformador de Acoplamiento Puede observarse que el circuito equivalente es igual al del transformador de salida, pero considerando la resistencia de carga prcticamente infinita, de modo que no hay atenuacin. 2.2.2) RESPUESTA EN FRECUENCIAS BAJAS: A las frecuencias bajas LDT y C siguen siendo despreciables ( de la fig. 2.10 ).
R1 >> w LD
Pero en este caso no se cumple que R1
R1 << 1 / wc << wLp.
El circuito equivalente resulta ( Fig. N 2.12 ):

R1
E2
FIG N 2.12 Circuito equivalente para Bajas Frecuencias del Transformador de Acoplamiento
Capulo IX
Pagina
La tensin E2 ser igual a:
11
E 2b
j .Lp = E1 R1 '+ j. .Lp
Y hallando el mdulo de la relacin E2/E1 para frecuencias bajas ser:
E wLp 2 b= 2 E1 R1 + w 2 Lp 2 E 2 b= E1 1 R 1+ 2 1 2 w Lp
2
Quiere decir que a medida que la frecuencia se reduce, el trmino R1 / w Lp va creciendo, y la respuesta disminuye. Para R1 = w Lp o sea que (R1 / w Lp) = 1; se tiene la frecuencia de corte inferior f1. Puede observarse que se tiene un circuito pasa altos, anlogo al obtenido para el transformador con carga fuerte, pero en el cual la resistencia es solamente R1. Por debajo de la frecuencia de corte inferior f1 la transferencia cae a razn de 6 dB/oct. Si se representa el comportamiento: ( Fig. N 2.13 ) , se tiene:
E b 2 E1 E m 2 E1
1 0,707
R1 =1 w Lp f1 =
f
R 1 = wLp
R1 2 R 1 Lp
f1
FIG N 2.13 Respuesta en Baja Frecuencia del Transformador de Acoplamiento Tambin en este caso el comportamiento de baja frecuencia depende fundamentalmente de la inductancia primaria Lp.
Capulo IX
Pagina
2.2.3)
RESPUESTA EN ALTAS FRECUENCIAS:
12
A frecuencias elevadas w Lp tiene una impedancia elevada y puede ser despreciada:
R1 << w Lp
Pero en cambio, no se cumple que en cuenta. Tampoco se cumple que despreciada.
R1 << w LD , por lo que la inductancia de dispersin debe ser tenida R1 << 1 / wc Por lo tanto, la capacitancia distribuda no puede ser
El circuito equivalente queda ( Fig. N 2.14 )

R1
E2
FIG N 2.14 Circuito equivalente para altas frecuencias del transformador con carga dbil Puede apreciarse que se tiene un circuito R-L-C cuya respuesta vale :
E 2 a ' = E1 .
jXc R1 '+( X L X C )
E 2 a = E1 E 2 a = E1
xc R1 + (x L xc )
2 2
Expresando la respuesta en mdulo:
1 R1 xc
2 2
xL + 1 xc
Si la reactancia capacitiva Xc es igual a la reactancia inductiva XL , el circuito es resonante, con una frecuencia natural:
Capulo IX
Pagina
f0 =
1 2. .L D .Cd
13
Para la frecuencia fo , XL = Xc , y la respuesta queda determinada por el Q del circuito L-C-R. El Q del circuito vale:
E2 ' E1 a E2 ' E1 m
Xc =Q R1 '
Si el Q es mayor que 1, el circuito es oscilatorio, y la respuesta tiene un pico para fo. Esto quiere decir que la respuesta en altas frecuencias puede tener un mximo dependiendo del Q. Por lo tanto, la componente resistiva R1 juega un papel muy importante. Si R1 es pequea, resulta un Q grande, en ese caso la respuesta tendr un pico a la frecuencia fo. Por el contrario, si R1 aumenta, el Q disminuye, por lo que la respuesta tendr un pico menor y si R1 es suficientemente grande la respuesta descender sin mostrar un pico, como puede observarse en la Fig. N 2.15:
E2 a E1 E2 m E1 1
R1 f fo
FIG N 2.15 Comportamiento en Alta Frecuencia de un Transformador con Carga Dbil Pasada la frecuencia de resonancia, la respuesta cae con una pendiente de 12 dB/oct. Quiere decir que si bien este efecto se puede usar para extender algo la banda pasante, la mayor planicidad se ve acompaada de un flanco ms abrupto. En la mayora de los casos un pico excesivo no es tolerable, por lo cual Q=Xc / R1 debe ser mantenido por debajo de 1,5 a 2 . En el caso de que la resistencia de entrada R1 tenga un valor insuficiente para limitar el Q a un valor razonable, el circuito debe ser cargado externamente. Esto se realiza , por lo comn, por medio de un resistor en serie con un capacitor, para que el circuito de amortiguamente acte en las
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 14 proximidades de la frecuencia de autoresonacia fo. Un problema particular se presenta con la rotacin de fase en las proximidades de fo, donde alcanza un valor de 180. Esto es especialmente nocivo si el transformador forma parte de un circuito realimentado negativamente caso muy comn en amplificadores de alta calidad. En ese caso, la rotacin de fase del transformador puede invertir la realimentacin, convirtindola de negativa en positiva, con la consiguiente posibilidad de oscilacin. Esta situacin debe ser analizada con detalle, dado que el transformador puede convertirse en el elemento limitador de la realimentacin negativa aplicable al circuito.
La solucin integral del problema reside en disminuir lo ms posible los componentes reactivos (inductancia de dispersin y capacitancia distribuda ) de modo de elevar la frecuencia de autorresonancia hasta sacarla de la banda pasante del transformador. EXPRESIN HABITUAL NORMALIZADA DE LA TRANSFERENCIA En la prctica no se acostumbra usar en ordenadas E2, en voltios, sino en dB referido a una frecuencia media de 1 KHz. Para ello se considera que cada valor de ordenada responde a : DB = 20 Log E2 (a la frecuencia de trabajo) E2 (a la frecuencia de 1 KHz )
Se recuerda asimismo que en abscisas se usa escala logartmica para abarcar claramente el espectro de frecuencia. 3) PARAMETROS REACTIVOS DEL TRANSFORMADOR: En el circuito equivalente completo simplificado del transformador ( Fig. N 1.2 ) puede apreciarse que en el mismo participan tres elementos circuitales reactivos, a saber: a) b) c) La inductancia de magnetizacin o inductancia primaria Lp La inductancia de dispersin total LD La capacitancia distribuda C
Estos elementos reactivos son los responsables de que la respuesta en frecuencia del transformador sea limitada, y de que se produzca rotacin de fase entre las seales de entrada y de salida. Por lo tanto, su conocimiento es de primordial inters para el anlisis, diseo, construccin y operacin de los transformadores.
3.1)
INDUCTANCIA PRIMARIA
En un transformador ideal, cuyo ncleo tiene reluctancia nula, la inductancia del primario resulta infinita. Esto significa que la corriente magnetizante es nula. En un transformador real esto no ocurre, de modo que aparece una inductancia primaria por la cual circula la corriente magnetizante. Esta inductancia de magnetizacin es la responsable de la cada de la transferencia en baja frecuencia.
3.1.1) INDUCTANCIA PRIMARIA Lp E INDUCTANCIA DE DISPERSIN Ld
La inductancia total, medida desde los bornes del primario, es L1
LD = L1 (1-K)
FIG N 3.1
Inductancia Primaria Lp e Inductancia de Dispersin LD
L1
Capulo IX
Pagina
Recordando que K ( coeficiente de acoplamiento) vale:
15
K=
M L1.L2
En los transformadores de banda ancha, que necesariamente utilizan un ncleo ferromagntico cerrado; el acoplamiento es muy fuerte, de modo que:K 1 Valores tpicos K 0,99 a 0,999 Resulta entonces:
K. L1 L1 = Lp LD = ( 1 - K ) L1 ( 1 - K ) Lp
Mientras que la inductancia de dispersin tiene valores mucho ms reducidos:
Para los valores de K tpicos, la inductancia de dispersin vale:
LD 0,001 a 0,01 Lp
En el circuito equivalente se puede ver que la inductancia de dispersin total LD se puede determinar fcilmente midiendo la inductancia sobre los bornes primarios con el secundario en cortocircuito, ya que el error introducido por la inductancia primaria ( mucho ms grande ) en paralelo resulta despreciable. 3.1.2) INDUCTANCIA PRIMARIA: ASPECTOS TECNOLGICOS En captulos anteriores se han estudiado los inductores con circuito magntico cerrado. Un transformador de banda ancha tiene un primario que se comporta como uno de estos inductores. Recordemos la expresin correspondiente al valor de la inductancia de un inductor con circuito magntico cerrado:
N 2 .Sh L = 0 . r . lh
Para que el transformador tenga una buena respuesta en baja frecuencia, la inductancia primaria tiene que ser lo mayor posible; por lo tanto, el ncleo deber tener alta permeabilidad, gran seccin ( gran tamao ) y baja longitud de espira magntica. Por otra parte, el arrollamiento deber poseen gran nmero de espiras. Se ver ms adelante que , a excepcin de la permeabilidad magntica, las dems propiedades que hacen que un inductor tenga elevada inductancia tambien contribuyen a que se produzca un alto valor de inductancia de dispersin. Para que un transformador tenga un gran ancho de banda debe presentar gran Lp y baja LD. Por lo tanto, el mejor recurso para lograrlo consiste en utilizar ncleos de la mayor permeabilidad disponible, que permite obtener gran Lp sin afectar prcticamente la LD. 3.2) INDUCTANCIA DE DISPERSION La inductancia de dispersin aparece como consecuencia del imperfecto acoplamiento magntico del primario y el secundario. Esto a su vez responde al hecho que ambos arrollamientos no pueden ocupar simultneamente el mismo lugar en el espacio, por lo cual no se puede evitar que haya lneas de campo que pasan por el primario y no por el secundario y viceversa. Es interesante destacar el hecho que la permeabilidad del ncleo no afecta
apreciablemente la inductancia de dispersin, suponiendo que r
>> 1. La ventaja del uso de materiales de
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 16 alta permeabilidad se debe a que es posible reducir las dimensiones del transformador para lograr el mismo valor de la inductancia primaria, siendo esta reduccin de tamao lo que permite lograr una menor dispersin.
El clculo analtico de la inductancia de dispersin es engorroso de modo que se utilizan habitualmente frmulas empricas. 3.2.1) FRMULA DE FORTESCUE: Esta frmula proporciona el valor de la inductancia de dispersin total referida a uno de los arrollamientos ( usualmente el primario ).
LD =
4.N 2 .l m .(2.n D .s[cm] + b[cm]) 10 9 .n D .c

2
[Hy ]
Donde: N = nmero de espiras del arrollamiento que se toma como referencia.
lm = longitud de espira media [cm]

nD = nmero de dielctricos entre arrollamientos . Si hay un slo primario y un slo secundario, por ejemplo, corresponde nD = 1. s= b= c= separacin entre arrollamientos [cm] ancho de la ventana [cm] alto de la ventana [cm]
Puede verse que subdividiendo los arrollamientos en secciones, aumenta el nmero de dielctricos y colocndolos alternativamente, permite reducir la inductancia de dispersin. Esta prctica es muy efectiva, pero aumenta el costo y tambin la capacitancia distribuda. 3.2.2) BOBINADO BIFILAR El bobinado bifilar esto es, el bobinado simultneo de los dos arrollamientos primario y secundario ) es el mejor mtodo de lograr baja inductancia de dispersin, pero aumenta la capacitancia distribuda y tiene el
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 17 inconveniente que la relacin de transformacin es uno. Existe la posibilidad de realizar bobinados trifilares y cuatrifilares, as como fracciones entre nmeros enteros, uniendo apropiadamente los terminales correspondientes, pero las ventajas se pierden rpidamente al aumentar el nmero de particiones.
3.3)
CAPACITANCIA DISTRIBUIDA:
3.3.1) EFECTOS QUE PRODUCEN CAPACITANCIA DISTRIBUDA La capacitancia distribuida en un arrollamiento se produce como consecuencia de los siguientes efectos: a) Capacitancia entre espiras. b) Capacitancia entre capas. c) Capacitancia entre el arrollamiento y otros prximos. d) Capacitancia a masa. De estos efectos, el ms importante es el b), capacitancia entre capas ya que la capacitancia entre espiras es despreciable, dado su pequeo valor y a que para todo el bobinado quedan en serie, mientras que los efectos c) y d) son de pequeo valor comparados con la capacitancia entre capas. 3.3.2) CLCULO APROXIMADO DE LA CAPACITANCIA DISTRIBUIDA: El clculo de la capacitancia entre capas tiene caractersticas particulares, debido a que la diferencia de potencial no es constante a lo ancho de las capas, sino que crece linealmente desde un extremo al otro. Debido a esta caracterstica, la capacitancia real es un tercio de la capacitancia geomtrica. Si consideramos que entre dos capas separadas por un espesor de dielctrico e, que posee una constante dielctrica r , de longitud de espira media lm, y de ancho c, la capacitancia geomtrica CG es proporcional a:
1 C = .Cg 3
Cg =
r .lm.c
e
Considerando que se aplica la tensin E sobre un arrollamiento de Z capas, la capacitancia total efectiva ( 1/3 de la geomtrica ) ser capaz de almacenar una energa.
E 2 Cg 1 1 2 Wc = .C . E = (Z 1). 2 . 2 2 3 Z
de donde podemos deducir C:
Capulo IX
C =
4 (Z 1 ) . .Cg 2 3 Z
[pF]
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18
Reemplazando CG, y para dimensiones en [cm], resulta:
C = 0,12 . lm . r . (Z-1) . c e . Z
3.4) PARAMETROS QUE INFLUYEN EN ALTA FRECUENCIA
Para la mayora de los aislantes, la constante dielctrica relativa r vale alrededor de 2,5 - 3. En los anlisis del comportamiento en alta frecuencia del transformador de banda ancha, se ha visto que tienen fundamental importancia dos parmetros que inevitablemente, en mayor o menor grado, se presentan en la realizacin prctica del transformador: la inductancia de dispersin LD y la capacitancia distribuida C. Como se ha mostrado en los puntos 3.2 y 3.2, ambos parmetros estn relacionados por las caractersticas geomtricas y dimensionales del transformador, por lo que las medidas que se toman para reducir uno de ellos redundan generalmente en un aumento del restante. Por lo tanto, conviene analizar la dependencia de estos parmetros de las variables de proyecto a fin de adoptar los valores que proporcionen una solucin integral al problema. En general, cuando las resistencias del generador y de carga son bajas, la inductancia de dispersin ( que se encuentra en serie ) resulta ms perjudicial que la capacitancia distribuda ( que est en paralelo ), y viceversa. Como en todo diseo deben resolverse situaciones de compromiso, conviene tener en cuenta la consideracin anterior.
3.5) DISTINTOS TIPOS DE DISTORSIN Los tipos de distorsin provienen de causas tales como, 1) Modificacin del Punto de Trabajo del Amplificador 2) Distorsin debida a Variaciones de las Caractersticas del Transformador sobre la Realimentacin. 3) Distorsin por Alinealidad del Ncleo <<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<<
1) DISTORSIN POR MODIFICACIN DEL PUNTO DE TRABAJO DEL AMPLIFICADOR: Los transformadores de Banda Ancha de Audio experimentan modificaciones de las caractersticas, en las proximidades de la frecuencia de corte inferior y superior. Supongamos una etapa amplificadora con una impedancia de carga resistiva Rc. Si el transformador tiene una relacin de transformacin " n ", esa Rc aparecer sobre el primario como,
R ' c = Rc n 2
El transformador presentara al amplificador una resistencia,
R1T = R ' c + RT
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La recta de trabajo del transistor debido a la impedancia presentada por el transformador se elige de tal forma de optimizar el comportamiento del transistor. Esto significa obtener una mayor potencia de salida y menor distorsin del amplificador. Se juega con la ubicacin del punto de trabajo y con la impedancia para conseguir las condiciones optimas de funcionamiento del transistor.(recta " a ") A frecuencias medias no hay modificacin de la impedancia presentada por la carga y el transformador.
La reactancia de la inductancia primaria, que a frecuencias medias es despreciable , cuando vamos hacia las frecuencias bajas, va disminuyendo y a la frecuencia de corte inferior esta reactancia es comparable a la resistencia de carga. XL = Rc
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 20 Para frecuencias menores que 10 f1 y mayores que f2 / 10 decae la ganancia y comienza la rotacin de fase en ambos casos. Esto de por s produce modificacin de las condiciones del funcionamiento del amplificador, y generalmente aumenta la distorsin. Esta distorsin realmente no se produce en el transformador, sino que esta provocada por la variacin de las caractersticas del transformador sobre el amplificador. Si el transistor fuera perfectamente lineal, no habra distorsin por modificacin de caractersticas. La reactancia inductiva produce una modificacin del ngulo de fase de la impedancia presentada a la carga. Esto trae como consecuencia de que en lugar de una recta se tenga una elipse. A frecuencias altas el efecto es parecido, salvo que en lugar de la intervienen la inductancia de dispersin LD en serie y la capacitancia parsita C en paralelo. Es importante tener claro que la evaluacin de la distorsin depende de las caractersticas de distorsin de la etapa amplificadora previa.
2) DISTORSIN POR VARIACIN DE LAS CARACTERSTICAS DEL TRANSFORMADOR SOBRE LA REALIMENTACIN: La mayora de los amplificadores para obtener caractersticas constantes y menor distorsin, se utiliza realimentacin negativa. Si en el amplificador hay un transformador es evidente que la ganancia depende de la transferencia del transformador. Entonces, en los extremos de la banda de frecuencia, la variacin de Z y de transferencia del transformador produce una modificacin en las condiciones de realimentacin del amplificador Ih = corriente de las armnicas. 3) DISTORSIN POR ALINEALIDAD DEL NUCLEO 3.1) ALIMENTACIN DE UN INDUCTOR CON UN GENERADOR DE CORRIENTE: Si la fuente es de corriente constante I = constante
tendremos una corriente en fundamental sin armnicas, pero aparecer una cada de tensin sobre la inductancia.
E = E f + Eh
Ef = tensin en fundamental. Eh = tensin de las armnicas. 3.2) ALIMENTACIN DEL INDUCTOR REAL: El caso real de alimentacin es hbrido, la fuente no es de tensin constante ni de corriente constante, como ocurre en el plano ideal, por separado. En un transformador que consideramos tenga un generador de tensin
Capulo IX Pagina 21 constante, cuando la tensin primaria no tiene armnicos, tompoco lo tendr la tensin secundaria. Vale decir que si por algunas de las vas consideradas provienen armnicos, estos aparecern en el secundario. Este razonamiento es independiente del caso que la distorsin sea generada en el mismo ncleo.
3.3) CALCULO DE LA MAGNITUD DE LA DISTORSIN Este circuito es el equivalente para baja frecuencia del transformador. La reactancia del primario se la compara con la resistencia del circuito primario. Esta resistencia es el paralelo de la resistencia del generador y de la resistencia de carga. La tensin del generador Eg est exenta de tensin armnica, de modo que pero la corriente si las tiene La tensin sobre el primario del transformador, que ser la que determinara la tensin secundaria, tambin tiene armnicos, dado que en la cada de tensin sobre la resistencia R aparecen las armnicas de la corriente. Si R es grande, la cada de tensin y por ende la proporcin de armnicas en la tensin sobre Lp tambin sern grandes. En el circuito reducido de la figura, la tensin E2 ser igual a la tensin sobre Lp.
Eg = Ef I = If + Ih
E 2 = E2 f + E 2 h
como Eg no tiene armnicos, es evidente que E2h es igual a la cada de tensin de armonicas producida en R por la corriente de armonicas. Se tendr entonces, que la Distorsin es,
D=
Ih R I f 2 f L
siendo X Lf la reactancia del primario a la frecuencia fundamental,
L=
N 2 S
l
expresamos la distorsin en funcin de la distorsin de la corriente y de la relacin de la resistencia serie R y de la reactancia paralela. Es evidente que a frecuencias mas elevadas, como XL se hace ms grande, la distorsin disminuye rpidamente y de modo que se pueda considerar que a frecuencias medias la distorsin debida a este fenmeno es prcticamente inexistente. Este tipo de distorsin es solamente importante cuando X Lf se hace comparable a R. Se puede calcular la Distorsin teniendo en cuenta que,
= f (B MAX ; H CC )
Ih = f (B MAX ; H CC ) If
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Estas funciones son poco cmodas para ser tratadas analticamente, pero es posible obtenerlas grficamente para un material dado. En la FORMULA DE PARTRIDGE, ambas funciones estn combinadas en un nico coeficiente
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K D = f (B MAX ; H CC )
R // l h
3.4) FORMULA DE PARTRIDGE
D% = K D
R // 1 100 2 f N S 4 X Lp
KD = Coeficiente de Distorsin, tiene en cuenta Ih / If y . Esta formula es valida para frecuencias que estn por encima de la Frecuencia de Corte Inferior en donde es . (R// = Rg + R 1 // Rc ) < X Lp
Si la Resistencia Interna del Generador es muy pequea de modo que R // tambin es muy pequea, la distorsin que se produce por este fenmeno es prcticamente despreciable. Si la resistencia del Generador Rg fuera cero, resulta R // = R1 que se puede considerar muy pequea, de modo que la distorsin seria muy reducida. COEFICIENTE DE DISTORSION KD (ver anexo 17)
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En algunos textos puede aparecer Hcc expresado en Oersted cuya equivalencia es, 1 Oersted = 80 A.v/m
3.5) VERIFICACIN DE TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA La verificacin consiste en la evaluacin de las caractersticas elctricas, teniendo en cuenta como dato las caractersticas constructivas del transformador.
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INCGNITAS DATOS Lp inductancia del primario Laminacin N Ld inductancia de dispersin Material Cd capacidad distribuida Perdidas del Material f 1 frecuencia de corte inferior Apilado l a entre hierro f 2 frecuencia de corte superior N 1 numero de espiras del primario D% distorsin porcentual N 2 numero de espiras del secundario rendimiento d 1 dimetro del alambre secundario VMAX tensin mxima = f(DMAX;BW;tC) d 2 dimetro del alambre secundario IMAX corriente mxima =f(dem) Eg tensin del generador PMAX potencia mxima admisible = f(dem) Rg resistencia interna del generador Icc corriente continua PROCEDIMIENTO DE VERIFICACIN: Primeramente debemos construir el circuito equivalente correspondiente de acuerdo a la funcin transformador,
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Si la impedancia de carga Rc es baja puede no tomarse en cuenta la capacidad distribuida, mientras que cobra importancia cuando aquella es alta. Tambin la resistencia de perdidas Rp puede o no tenerse en cuenta, dependiendo del nivel de potencia con que se trabaja. La resistencia R 1 representa la del primario; la resistencia R'2 reflejada del secundario y L Dt la inductancia de dispersin total. 1) DETERMINACIN DE Lp: Se siguen los mismos pasos que los indicados para la determinacin de la inductancia de un inductor con ncleo, a la frecuencia de corte inferior f 1 , puesto que a esta frecuencia tiene importancia, no asi a frecuencias medias y altas. Si no se tiene el valor de f 1 se puede adoptar un valor y luego se efecta la verificacin. 2) DETERMINACIN DE L Dt : Mediante la Formula de Fortescue.
Ld [Hy ] =
4 N 12 l m [cm] (2 e[cm] + b[cm]) 10 9 2 c[cm]
3) DETERMINACIN DE LA CAPACIDAD DISTRIBUIDA: Segn la formula,
Cd [ pF ] = 0,12 K l m [cm]
c[cm] ( z 1) e[cm] z 2
4) DETERMINACIN DE LA RELACIN DE TRANSFORMACIN n : En base a la relacin entre el numero de espiras del primario N 1 y el numero de espiras del secundario N 2 que se dan como datos,
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n=
N1 N2
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5) DETERMINACIN DE R 1 y R 2 : Conociendo las longitudes de las respectivas espiras medias, el numero de espiras de los arrollamientos y los dimetros de los alambres.
6) RESISTENCIA TOTAL R T : Es igual a la suma de la resistencia primaria R 1 mas la resistencia secundaria reflejada al primario,
RT = R1 + n 2 R 2
Ya estamos en condiciones de completar los valores del circuito equivalente de la pagina 7 con lo que podemos evaluar el comportamiento del transformador. 7) DETERMINACIN DE LA FRECUENCIA DE CORTE INFERIOR f 1 : Recodando que para esta frecuencia resulta que la reactancia del primario, (o lo que es lo mismo el inductor) es igual a la resistencia paralelo.
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1 Lp =
R ' S (Rg + R1 ) = R // R ' S + Rg + R1
;;
f1 =
R // 2 Lp
8) DETERMINACIN DE LA FRECUENCIA DE CORTE SUPERIOR f 2 : Usamos el circuito equivalente de Alta Frecuencia, recordando que para esta frecuencia la reactancia de la Inductancia de Dispersin es igual a la Resistencia Serie,
2 L D = Rg + R1 + R' S
de donde se obtiene f 2.
R' S = R' 2 + R' C
;;
f2 =
Rg + R1 + R ' S 2 LD
Si la capacidad distribuida tuviera peso, habra que calcular la frecuencia de autoscilacion. 9) CALCULO DE LA DISTORSION D%: Se utiliza la Formula de PARTRIDGE,
D% = K D
R // 1 N 12 S f 1 4 X Lp l h R //
100
donde l h = longitud de la espira media magnetica en el ncleo y R// es la misma vista en el punto (7). El calculo se hace para la frecuencia de corte inferior, dado que es el caso mas desfavorable. Tambien se suelen trazar curvas de distorsion en funcion de la frecuencia empleando esta formula.
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10) CALCULO DEL RENDIMIENTO : Se define como la relacion entre la potencia disipada en la carga y la potencia total en juego,
=
Pp = potencia de perdidas a frecuencias medias, Pc = potencia en la carga, 2 Pp = I 2 ;;
Pc Pc = P Pc + Pp
Pc = I R' c
R SERIE = I 2 (Rg + R1 + R' s ) R' c = R' c + R SERIE
11) CALCULAR LA SOBRE ELEVACIN DE TEMPERATURA tC: Generalmente es despreciable, menos en los casos de transformadores de potencia. En los casos comunes de transmisin de audiofrecuencias, ya sea de voz o de musica, la seal se compone de picos de potencia relativamente grande pero con potencia media muy pequea. El transformador debe estar diseado para que con los picos elevados, su tamao va a ser bastante mayor que si fuera diseado para trabajar a esa pequea potencia media, y por lo tanto la sobre elevacin de temperatura sera despreciable. Esto puede no ser cierto si se trabaja en circuitos de control o a la salida de un generador de seales, donde la tensin aplicada al transformador es constante. En caso de tener que calcular la sobre elevacin de temperatura se procede de igual manera que para un inductor por el metodo de MOTSINGER-BLUME. 12) CALCULAR LA TENSIN, CORRIENTE O POTENCIA MXIMA: Las dos primeras estan generalmente limitadas por la distorsion admisibles, mientras que la potencia mxima puede estar limitada ademas por la sobre elevacin de temperatura. De acuerdo al caso se procedera como se indicara oportunamente para los inductores de baja frecuencia.
3.6) PROYECTO DE TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA Para este tipo de proyecto las relaciones basicas entre las distintas variables son insuficientes para poder atacar el problema con un metodo directo es uno de los casos tipicos donde la experiencia del proyectista tiene importancia. Daremos las lineas fundamentales que llevan a una soluciomn que contemple los requerimientos, sin pretender arribar a una solucion optima. El requerimiento de Ancho de Banda solo puede cumplirse si se dan determinadas caractersticas del transformador y esas caractersticas dependen a su vez del nivel de potencia, de los valores de impedancia de carga y la impedancia del generador, Puede darse el caso que el proyecto no sea factible si no se cumplen. En general puede considerarse que son elementos que hacen el proyecto mas sencillo factible tales como, a) Nivel de Potencia Media. b) Ancho de Banda no excesivamente grande. c) Impedancia del Generador Reducida. d) Exigencia de Distorsion Moderada. e) Ausencia de componente de CC en la corriente que circula por los Arrollamientos. f) Resistencia de Carga Reducida es decir Carga Fuerte. g) Relacion de Transformacin no demasiado distinta de la Unidad.
EJECUCIN DEL PROYECTO:
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DATOS Rc E2 Rg E1 Icc R 1T a frecuencia fm f1 f2 a frecuencias medias D%
INCGNITAS Material del Ncleo Perdidas del Ncleo Laminacion Apilado Entrehierro N1 d1 N2 d2 Aislaciones
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1) CIRCUITO EQUIVALENTE: Lo primero que debe hacerse es sintetizar un circuito equivalente que se comporte de acuerdo a los requerimientos de Ancho de Banda.
2) CALCULAR LA RELACION DE TRANSFORMACION:
R' c R1T
;;
R1T = R1 + R ' 2 + R ' c
;;
R ' c = R1T 2 R ' c = n Rc
n=
R1T
Rc
3) CALCULAR LA RESISTENCIA TOTAL DE LOS ARROLLAMIENTOS:
RT = R1T R' c
En esta expresin tenemos calculada la resistencia total de los arrollamientos, es decir la suma de la resistencia primaria R 1 y la resistencia del secundario reflejada al primario R'2. Podemos suponer que : R 1 R'2 de donde R 1 R'2 = RT / 2 con lo que podemos completar el circuito equivalente para frecuencias medias, que es totalmente resistivo. Debe tenerse en cuenta que no se consideran las perdidas en el hierro, que para las frecuencias medias siempre son pequeas.
4) INDUCTANCIA PRIMARIA Lp: Conociendo los para metros resistivos, el circuito para bajas frecuencias, se tendr una sola incgnita, que es la Inductancia Primaria Lp.
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La frecuencia de corte inferior se obtiene cuando la reactancia inductiva se iguala con la resistencia R// o bien resistencia de Thevenin, de donde obtenemos la Inductancia Primaria,
Lp =
R '1 R ' s 2 f 1 ( R '1 + R ' S )
5) INDUCTANCIA DE DISPERSIN LD : para altas frecuencias el circuito equivalente incluye la inductancia de dispersin total LDT y la Capacitancia Distribuida C, supuesta sobre los bornes secundarios. Si suponemos que la carga es fuerte Rc < Xc la frecuencia de corte superior f 2 ser cuando la reactancia de la inductancia de Dispersin sea igual a la resistencia serie total, de donde obtenemos su valor,
2 L DT = Rg + R1 + R' 2
L DT =
Rg + R1 + R ' 2 2 f 2
6) CAPACITANCIA DISTRIBUIDA C: En el caso de la capacitancia distribuida es menester verificar que el Q del circuito resonante formado por LDT
y C:
Xc 1,5 En realidad en el Q del circuito resonante tambin intervienen las resistencias R' c
colocadas en serie, pero en general la influencia de R'c es decisiva. La capacidad distribuida tiene importancia en transformadores de banda ancha de acoplamiento, es decir con impedancia de carga elevada en donde existe resonancia a la frecuencia de autoresonancia f 0. Esto no ocurre en transformadores de carga fuerte como los transformadores de banda ancha de salida.
7) PROYECTO DE Lp: Se calcula como un inductor de Baja Frecuencia con Ncleo Laminado con sin circulacin de CC. En este caso como transformador Lp ocupara la mitad de la ventana, es decir,
S CUT
S CUTotal 2
en donde el primer miembro es la Seccion Total del Cobre primario, mientras que el segundo miembro se refiere al cobre total primario + secundario. En el proyecto se obtiene: "el tamao"
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Material del Ncleo Laminacion Apilado de la Laminacion Entrehierro l a N 1 numero de espiras del primario, d 1 diametro del alambre de cobre del primario.
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8) NUMERO DE ESPIRAS DEL SECUNDARIO N 2: Conocido el numero de espiras del primario N 1 y la relacion de transformacin, que eventualmente puede ser n=1 N N2 = 1 n 9) DIMETRO DEL ALAMBRE DEL SECUNDARIO PARA BAJA POTENCIA d 2:
d2 =
4 lm 2 N 2 R2
En baja potencia tiene importancia la resistencia ohmica en base a la cual resolvemos. 10) DIMETRO DEL ALAMBRE DEL SECUNDARIO PARA ALTA POTENCIA: El dimetro secundario esta determinado por la Sobre elevacin de Temperatura Admisible y por lo tanto por la densidad de corriente. En ese caso se tiene,
I2 S CU
2
= 1, 5 a 4
A mm
d=
4 I2 S CU 2
= 0 , 25 a 0 , 35 Sv 2
11) VERIFICAR LA VENTANA DE LA LAMINACION: La experiencia dice que la ocupacin de la ventana por el cobre es,
S CUT
= N 2 S CU
La misma verificacin se hace para el primario cuando se calcula Lp. De todas formas se calcula del mismo modo,
S CUT 1 = N 1 S CU 1 = 0 , 25 a 0 ,35
SV 2
En ambos casos no es conveniente ocupar hasta el extremo superior puesto que se deben apilar dos devanados lo que hace ms difcil mecnicamente ubicar en esas condiciones los dos devanados con sus aislaciones. Esta relacin se cumple en particular para seccin cuadrada del ncleo.
12) CALCULAR LA INDUCTANCIA DE DISPERSIN TOTAL LDT: Se aplica la Formula de FORTESCUE, que responde a factores dimensionales y constructivos.
L DT [Hy ] =
en donde,
4 N 2 l m [cm] (2 e[cm] + b[cm]) 10 9 2 c[cm]
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= numero de aislaciones entre devanados. l m = longitud de la espira media de los dos devanados, y es el valor que dan las tablas de las laminaciones. Se expresa en cm. e = espesor de la aislacion que separa ambos devanados en cm. b = altura de la ventana, en cm. c = ancho de la ventana, en la misma direccin del ancho de la laminacin en cm. 13) VERIFICAR LA CAPACIDAD DISTRIBUIDA Cd: Esta capacidad se calcula en base a lo clculado es decir en funcin de los valores constructivos obtenidos,
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Cd [ pF ] =
0,12 l m [cm ] r ( z 1) c[cm ] e[cm ] z 2
en donde, z = numero de capas del devanado. r = constante dielctrica relativa que vale r = 2,5 a 3. e = espesor de la aislamiento entre capas en cm. c = ancho de la capa en cm.
14) CALCULAR LA DISTORSIN ARMNICA D: Mediante la Formula de Partridge, y en funcin de los valores obtenidos del proyecto,
D% = K D
f 1 [Hz ] N 12 S cm
l h [cm ] R //
en donde, KD = funcin ( BMAX; Hcc) grafico. R// = R's // ( Rg + R 1 ) Si todas las verificaciones son stisfactorias, el proyecto queda concluido. Los requerimientos de Ancho de Banda pueden obligar a emplear materiales de mejor calidad magntica, tambin arrollamientos divididos con el objeto de mini mizar los parmetros que afectan al comportamiento en alta frecuencia.
4) TRANSFORMADOR DE PULSOS
Las formas de onda caracterizadas por flancos abruptos, pendientes lineales y topes (magnitud mxima constante mientras dura el pulso) planos, contienen componentes que se extienden sobre una gama de frecuencias muy ancha, razn por la cual imponen requisitos muy severos a los circuitos que han de manejarlas. Si los circuitos que intervienen en la generacin o en la transmisin de esas formas de onda no reproducen todas las componentes significativas con las correctas relaciones de amplitud y de fase, la forma de onda se degrada. La restriccin del rango de frecuencias hace que las pendientes se suavicen y, en algunos casos, da lugar a la aparicin de sobre impulsos (overshoot) y oscilaciones espurias . El deterioro de la forma de un pulso es consecuencia de las diversas deficiencias circuitales.
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FIGURA 1 La porcion de la respuesta a un pulso o a una tensin repentina aplicada, representada por el crecimiento inicial y el subsiguiente sobreimpulso en la figura 1b, o no, se llama a menudo respuesta transitoria del dispositivo. Representa la capacidad del amplificador para reproducir variaciones repentinas de la amplitud de la seal aplicada. El hecho que la mxima velocidad posible de crecimiento y decrecimiento quede determinada por el ancho de banda del dispositivo, establece un limite al mas breve pulso que un dispositivo pueda reproducir a su salida. Un transformador de pulsos debe permitir la transferencia de un tren de pulsos rectangulares con mnima o nula distorsin armnica. El anlisis de Fourier determina que el pulso rectangular esta compuesto de la suma de las subfrecuencias impares respecto de la fundamental:
f (t ) =
4 1 1 . sent + .sen3t + sen5t.......... ..... 5 3
El ancho de banda para mantener la fidelidad debe ser para las aplicaciones siguientes es: Para Video
Para circuitos de RF:
1 1 BWV = . 2 tr 1 BWRF tr
Para FM:
BWFM =
1 .(m + 1) tr
En donde m = ndice de modulacin Los factores a considerar que son de importancia en los transformadores para pulsos se ponen en evidencia al considerar el circuito equivalente general simplificado.
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En donde Rg corresponde a la impedancia interna de la fuente pulsante a la cual est asociado al transformador, y corresponde a la tensin E1 de esa fuente. Durante el intervalo en que E1 esta creciendo o decreciendo rpidamente, el circuito equivalente adopta la forma que da a ver la figura 3, y la mxima velocidad posible de crecimiento o decrecimiento esta determinada por la constante de tiempo (R1' + RL') / L' ; el tiempo de crecimiento del 10 al 90 % es aproximadamente igual a dos veces esta constante.
R '+ R ' tr 2. 1 L L'

4.1) ANLISIS DEL FRENTE ANTERIOR DEL PULSO RECTANGULAR EXITACIN DELTA DE DIRAC
FIGURA 3 En donde R1' = Rg + R1 y llamamos a R1" = RL' + R2' ; R1' = n2. R1 ; RL' = n2. RL . Suponiendo que: E1 = 1 para t > 0 La respuesta es del tipo:
E2 = 1 e st
en donde s tiene dos soluciones dado que:
s=
de donde cada variable es:
2. 2. .D j. . 1 D2 T T
perodo de la seal
T = 2. . LDT .C.a
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RS ' a= R1 '+ RS '

T D= 4.
R' 1 s = 1 + 2 .L 2.RS '.C DT
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respuesta en banda media
R1 ' 1 L + R '.C S DT
2
amortiguamiento
reemplazando estas variables en la variable compleja s resulta:
R1 ' 1 R1 '+ RS ' + 2 .L L .C.R ' 2.RS '.C DT DT S
se obtendrn dos soluciones s1 y s2 Si representamos la funcin de la tensin de salida E2 se obtendrn seales como las que siguen para D= 0,2 D = 0,4 D = 0,6 D=1 D=2
FIGURA 4
E2 = 1 e st
Para t = 0 es E2 = 0 y para t = resulta E2 = 1 Si se acota la desviacin permitida en torno al valor de E2 en regimen permanente, sabiendo la definicin del tiempo de respuesta o rise time, de modo que establecemos un ringing aceptable del 10 %. De esta forma establecemos aquellos valores del amortiguamiento D que pueden definir un tiempo de respuesta. Observando el grafico nos quedan dos valores que responden a esta caracterstica.
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FIGURA 5 Para D = 1 resulta que el tiempo de crecimiento es tr = 0,53. T D = 0,6 " " " " " " tr = 0,27. T Como hemos visto tr debe ser pequeo, por lo tanto la inductancia de dispersin LDT y C deben reducirse como se observa en la expresin de D el que debe ser razonablemente elevado. Decimos razonablemente puesto que de ser muy elevado el tiempo de establecimiento de la seal es muy grande. Lo deseable es que tr sea chico para no deformar el flanco anterior del pulso rectangular. Para valores menores que D = 0,6 se produce un sobreinpulso que supera el ringing aceptable del 10%. De acuerdo a lo visto en los transformadores de banda ancha,.la inductancia de dispersin segn FORTESCUE referida al primario es:
4.N 2 .lm [cm].(2. D .e[cm] + b[cm]) [Henry] LD = 109.D .c[cm]
en donde : lm = Espira media del devanado primario. D = Numero de aislaciones entre devanados del primario y/o secundario. e = Espesor de la aislamiento entre devanados. b = Altura del devanado primario y/o secundario. c = Ancho del devanado dado por el ancho del carrete. N = Numero de espiras. Es evidente que se debe reducir el nmero de espiras, lo que afectar a la relacion de transformacin: n = En transformadores de pulsos para que tr sea reducido se puede tomar 0,1 < n < 10.
N1 . N2
FIGURA 6
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Hemos analizado el frente anterior de un pulso rectangular real.
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4.2) ANLISIS DEL TOPE Durante el desarrollo de la parte plana tope de la onda, el circuito equivalente de primer orden adopta la forma del de la figura 7
En donde
R"2 = R'2 + R'L y R'1 = Rg + R1
E2' = n2. E2
E2 e
Re q .t Lp
y para
Re q .t << 1 y suponiendo E1 = 1 resultar que la tensin de salida es Lp
E2 = E1
Re q Re q .t = 1 .t Lp Lp
Sise toma la flecha relativa a la duracin del pulso T, se tiene que:
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F% =
Por ejemplo, si se desea que F = 10% resultara:
Re q .T .100 Lp
Re q 0 ,1 = Lp T
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Esto es vlido si Lp es constante. Para ello se debe tambien analizar la posible saturacin es decir que B Bs
Lp = f ( r ') = f (B max )
de donde obtenemos
dB e = N .S . dt
Re q = R 2 ".R1 ' R 2 "+ R1 '
1 E.t B= .e.dt = N .S N .S 0
A fin de reducir la flecha al mnimo, la constante de tiempo Req / Lp donde debe ser del orden de 20 veces la duracin del pulso.
Re q R2 ".R '1 1 = . Lp R2 "+ R '1 Lp

Las capacitancias del circuito equivalente exacto de la figura 2 dan lugar a un sobre impulso y en casos exagerados, a oscilaciones. 4.3) ANLISIS DEL FRENTE POSTERIOR El circuito equivalente es igual que para el frente de la Figura 3, si se mantienen la resistencia de carga y del generador. Si no se mantienen resulta que R1' >> R2" y para este caso resulta:
trc = 2. . Lp.C
por lo tanto la reduccin de trc depende de C y Lp.
en donde
er = f ( Icc )
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 38 La presencia de corriente continua es la variable que produce la amplitud de la sobre tensin, de resolucin experimental. En conclusin, es evidente que las caractersticas deseadas en un transformador para pulsos son una muy baja inductancia de dispersin LD y una inductancia primaria Lp con un valor proporcional a la longitud de los pulsos que se desea transmitir (y en todo caso tan grande como sea posible), junto con la baja capacitancia distribuida. La relacin de la inductancia de dispersin a la inductancia del primario se mantiene baja en los transformadores prcticos acoplando recprocamente los arrollamientos primario y secundario tan estrechamente como lo permitan las exigencias de la aislacin de tensin y empleando un ncleo magntico de material de altsima permeabilidad, dispuesto a modo de laminaciones muy finas con el objeto de reducir a un minimo las corrientes parasitas inducidas durante las rapidas variaciones del flujo. La capacitancia se mantiene baja disponiendo los arrollamientos. Puede utilizarse tambien con ventajas material de ferrita para la frecuencia de trabajo como puede verificarse con los fabricantes.
4.4) ENSAYO DE TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA: Se detallan los ensayos a realizar: 1) Relacin de transformacin e Impedancia Reflejada. 2) Resistencia de los devanados. 3) Inductancia primaria 4) Inductancia de dispersin 5) Deformaciones lineales (de frecuencia y de fase). 6) Capacidad equivalente. 7) Deformaciones alineales. 8) Resistencia de aislamiento y rigidez dielctrica. 1) a) RELACIN DE TRANSFORMACIN: Se mide con trafo en vaco, tensin nominal, f = 1KH2, voltmetros de alta impedancia, fig. 1 n = V 1/ V2
Fig.1
V2
b) IMPEDANCIA REFLEJADA: fig. 2, tensin nominal, f= 1KH2, trafo cargado.
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V1 = I .R(conocida)
V2 = I. R(reflejada)
V1 R(conocida) = V2 R(reflejada)
R(reflejada) =
V1 .R(conocida) V2
Bloquea la Corriente Continua
Choque I
Rconocida V1 V V2
Fuente
Icc
L
Figura 3
A puente de C.A. Ld121

Figura 4
2) RESISTENCIA DE LOS DEVANADOS: idem trafo de potencia. 3) INDUCTANCIA PRIMARIA:
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 40 Se mide con el trafo en vaco , f = 50 Hz, pues influye en baja frecuencia, tensin nominal. Si por el trafo circula Icc, se la hace circular (Icc nominal), separndola del circuito a travs de los dos capacitores y la
continua entra al circuito a travs de un choque, cuya aditamentos se suprimen fig 3.
XL > 10XL ; V2 = I XL
si no hay Icc, todos estos
V1 = I .Reconocida
V1 R(conocida) = V2 2. . f .L
L =
V2 R(conocida) . V1 2. . f
XL Z, pues R.-<< XL
4) INDUCTANCIA DE DISPERSIN: Se mide desde el primario Ld121, con el secundario en cortocircuito. Dado que el inductor equivalente es con ncleo de aire (lineal) se mide en un puente de C.A. (1000 hz) fig 4. 5) MEDICIN DE LAS DEFORMACIONES
Las deformaciones lineales, son las que provocan los elementos reactivos lineales. Una seal senoidal, sale del cuadripolo como senoidal. la fig 2 da una idea al respecto. Si excitamos un cuadripolo con frecuencias senoidales de igual amplitud dentro del ancho de banda del cuadripolo, vemos que a la salida no guardan todas las misma amplitud. Esto implica que actuaron las reactancias de los parmetros por supuesto reactivos, que provocan una salida distinta a la de excitacin, entonces hay una deformacin. La curva que se obtiene, llamada curva de deformacin lineal de frecuencia (ms regularmente curva de frecuencia), tiene cadas en sus
Tecnologa Electrnica Capulo IX Pagina 41 extremos por causas ya vistas anteriormente. dems est decir que, actuando los elementos reactivos, se produce a su vez un corrimiento de fase, que se objetiviza en la fig. 2 , Deformacin lineal de fase. Las figuras 3 y 4, demuestran vectorialmente la razn porque es (+) a frecuencias bajas y (-) a frecuencias altas. Evidentemente cuando a una frecuencia la amplitud cae 3db de la de referencia (1KHz), la rotacin de fase es de 45.
Cuadro de Valores fig. 8 Vg = cte. 2y 2A Qo F (Hz) V 5(v) db +45 30 0,7VR - 3 0,7.2 A 1000 V 0 0 0 referencia
20000 0,7 VR -
3 -
0,7 2A -
-45 -
Capulo IX
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42
360 Eg = divisiones Y volt
2Y = arco.sen 2A
360 divisiones X grados
La medicin se realiza con el circuito de la figura 1, anotando en un cuadro de valores las mediciones (fig 8). A 1 KHz se ajustan los valores de Ve y Vs y se mide Vg. Manteniendo Vg cte se barren todas las frecuencias, anotando en cada caso VC y 2y, ya que 2A se mantuvo cte. Se calculan los dB y y se grfica como puede verse en la fig. 6 y la fig. 7. Este mtodo es el de trazado de la curva por puntos, hoy se usa tambin el mtodo dinmico o de barrido. por puntos puede medirse con osciloscopio de doble trazo, adems del de las Figuras de Lissajous expuesto.
FIGURA DOBLE N 6 Y 7
Capulo IX
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43
6) CAPACIDAD EQUIVALENTE:
Cuando ensayamos un trafo en vaco o bien un trafo con una impedancia de carga elevada, toma un rol importante la C equivalente, ya que Rc1 tiende a L se desprecia. En ese caso aparece un pico de resonancia, de Q bajo, entre Ld121 y C. Anotndose en el ensayo f0 y conociendo ya , Ld121se tiene que
C=
1 4. 2 . fo 2 .Ld121
7) DEFORMACIN ALINEAL: cuando excitando con una seal senoidal, la salida no es senoidal a la deformacin que aparece se la denomina alineal. Esto ocurre en los trafos por los ncleos de Fe. Se mide con un medidor de deformacin (Distorsmetro) o con analizador de espectro, colocando el instrumento sobre la carga Rc (fig. 1) y se la mide a tres niveles, a 1KHz y eventualmente a otras frecuencias. Se define esta deformacin as:
V22 + V32 + .........Vn2 .100 D% = V1

las V son los valores eficaces de las armonicas y de la fundamental. El medidor de deformacin mide la residual de armnicas juntas.
Capulo IX
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44
Tecnologa Electrnica CAPITULO X 1)
Capitulo 10 TRANSFORMADORES DE POTENCIA
Pagina
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSFORMADORES DE POTENCIA
Los transformadores de potencia se utilizan para obtener los distintos niveles de tensin y corriente, necesarios para alimentar los diferentes circuitos electrnicos, a partir de la tensin de red ( en la mayora de los casos, 220 V, 50 Hz). Adems, se aprovecha la caracterstica de aislacin elctrica entre primario y secundario para aumentar la seguridad de los equipos electrnicos. Estos transformadores trabajan a un nivel de potencias relativamente elevado, por lo tanto son consideraciones primordiales de su diseo el rendimiento y la sobre elevacin de temperatura. 1.1) CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRANSFORMADOR DE POTENCIA Se utiliza el circuito equivalente completo del transformador, en su versin simplificada, que se ha visto en el Cap. 8. De esta forma es posible evaluar diferentes alternativas, ya que en cada caso se puede simplificar el circuito equivalente para considerar los parmetros de inters pero eliminando los no relevantes a fin de facilitar el anlisis. En lo que sigue se utilizar un circuito equivalente adecuado para el anlisis del rendimiento y de la regulacin, que es frecuentemente utilizados, por su sencillez. En este circuito todos los parmetros reactivos se han eliminado, ya que desempean un papel nulo desde el punto de vista energtico y son generalmente de poca importancia frente a los parmetros resistivos de los bobinados del transformador. Tambin se ha eliminado la resistencia del generador, porque normalmente la resistencia propia de la lnea de alimentacin es despreciable. Queda entonces:
E1
E2
Fig. N1.1 En el cual:
Circuito Equivalente de un Transformador de Potencia
E1 = Tensin aplicada a los bornes del primario E2 = Tensin presente en los bornes del secundario R1 = resistencia propia del bobinado primario R2 = resistencia propia del bobinado secundario transferido al primario R2'= R2. n2 Rc = resistencia de carga transferida al primario Rc'= Rc. n2 Rph = resistencia equivalente de prdidas en el ncleo Generalmente el circuito se simplifica ms an trasladando Rp a la entrada y unificando R1 y R2 en un nico resistor Rt que representa la resistencia total de los arrollamientos, como se muestra en la Fig. N 1.2.
Capitulo 10
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E1
Rp
E2
Fig.N 1.2 Circuito Equivalente Simplificado del Transformador de Potencia Mediante este circuito equivalente es posible determinar el rendimiento, la regulacin y la tensin secundaria en carga ( en su clculo simplificado, despreciando la cada en la inductancia de dispersin, lo cual generalmente es aceptable ). Para tener idea de los valores de los elementos resistivos del circuito equivalente, en un transformador tpico, si la resistencia de carga reflejada al primario Rc vale 1, la resistencia total de los arrollamientos Rt vale 0,1, en tanto que la resistencia equivalente de prdidas en el ncleo Rp vale 10. 1.2) RENDIMIENTO
El rendimiento de un transformador de potencia debe ser elevado, ya que de otra forma las prdidas, y sus consecuencias el gasto de energa y el excesivo calentamiento resultaran inaceptables. El rendimiento mnimo admisible depende del nivel de potencia, de la aplicacin y del costo tolerable, pero en general vara desde un 70 % para transformadores pequeos ( 10 VA ) hasta un 95 % para modelos de mayor potencia ( 1 a 10 KVA ), pudiendo llegar a 98% para grandes transformadores de distribucin de energa elctrica. El rendimiento es, por definicin, el cociente entre las potencias secundaria y primaria, pero puede expresarse de diferentes formas:
Para evaluar los factores que determinan el rendimiento de un transformador de potencia de frecuencia de red de baja/media potencia del tipo utilizado en electrnica, se utiliza el circuito equivalente que se aprecia en la Fig. N 1.2 , considerando que el transformador de potencia trabaja generalmente en condiciones tales que sus parmetros reactivos son despreciables frente a los resistivos. En el circuito de la Fig. N 1.2 , se evalan en primer lugar las prdidas en el hierro y en el cobre. Despreciando como de segundo orden la cada en la resistencia del primario R1, es posible escribir las prdidas en el ncleo como:
E12 Ph = Rp
Despreciando como de segundo orden la corriente Ip correspondiente a las prdidas en el ncleo, que circula por la resistencia del primario R1, pueden expresarse las prdidas en los arrollamientos ( prdidas en el cobre ) como:
Pcu = I2. Rt = I2. ( R1 + R2 )
Capitulo 10
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En la que la corriente I ( despreciando Ip ) puede expresarse como:
I=
Por ltimo, la potencia secundaria es igual a:
E1 Rt + Rc'
P2 = I2 . Rc'
Con todos estoselementos podemos expresar el rendimiento como:
P2 = P2 + Pper
Reemplazando E1 por:
I 2 .Rc' E12 I .Rc'+ I .Rt + Rp

2 2
E1 = I . ( Rt + Rc )
=
y simplificando, queda:
(Rc'+ Rt )2 Rc'+ Rt +
Rp
Rc'
1 2 RT 2.RT .Rc' Rc' 2 RT Rc' + + + + Rc' Rp.Rc' Rp.Rc' Rp.Rc' Rc'
Dividiendo todo por Rc' y despreciando los trminos de orden superior es decir que si se reemplazan los valores relativos dados, esos terminos resultan numricamente despreciables resulta:
1 Rt Rc ' 1+ + Rc ' Rp
Puede apreciarse que el denominador tiene tres trminos: el segundo ( Rt / Rc' ) representa la relacin entre prdidas en el cobre y potencia secundaria, mientras que el tercero ( Rc'/ Rp ) representa la relacin entre prdidas en el hierro y potencia secundaria. Si graficamos el rendimiento en funcin de la resistencia de carga, obtenemos la fig.N 1.3 :
Capitulo 10
Pagina
Puede apreciarse que el rendimiento es mximo cuando Pcu = Pfe, lo cual, en principio, es una condicin deseable. Si embargo, a veces no es factible o tiene connotaciones contraproducentes , por lo que no siempre se la elige como condicin de trabajo. Ese mximo se produce cuando :
Rt Rc' = Rc' Rp
Por lo tanto, para mximo rendimiento la carga debe ser
Rc ' = Rt .Rp
En los transformadores de potencia de uso comn en electrnica ( esto es, de potencias de 10 hasta 1 000 Va, que trabajan con una frecuencia de red de 50 o 60 Hz ), la condicin de mximo rendimiento ( con igualacin de prdidas ) generalmente obliga a un sobredimensionamiento del ncleo del transformador que se traduce en mayores volumen, peso y costo. Esta alternativa raramente es aceptable desde el punto de vista tcnicoeconmico, por lo que los transformadores electrnicos se suelen disear para mnimo tamao para una potencia dada. En esos casos, las prdidas en el cobre, tpicamente suelen ser de 2 a 4 veces mayores que las del hierro:
Pcu = 2 a 4 Pfe
1.3) REGULACIN: La regulacin es una de las caractersticas ms importantes de los transformadores de potencia. Se define como la relacin entre la variacin de tensin entre las condiciones de vaco y carga nominal, con respecto a la tensin nominal. Por tensin nominal se entiende la correspondiente a la condicin de plena carga:
Capitulo 10
Pagina
E 20 ' E 2 ' E2 '
Donde E20 ' representa la tensin secundaria en vaco y E2 ' la tensin secundaria con carga nominal. En el circuito equivalente simplificado de la Fig. 1.2, que se usara para determinar el rendimiento, puede eliminarse la resistencia equivalente de prdidas Rp, porque al estar conectada a la entrada no interviene en la regulacin. Queda entonces el circuito de la Fig. N 1.4:
E1
E2
Fig. N 1.4 Circuito Equivalente para Determinar la Regulacin
Las condiciones de vaco y carga nominal corresponden a los circuitos equivalentes que se muestran en la Fig. N 1.5 :
Calculando la regulacin para las tensiones secundarias resultantes en cada caso, se tiene:
E20 ' E2 ' E20 ' = 1 E2 ' E2 '
Capitulo 10
E1 Rc' E1. R + Rc' T
1=
RT + Rc ' R 1= T Rc ' Rc '
Pagina
Puede apreciarse que la regulacin es directamente proporcional al cociente entre la resistencia total de los arrollamientos Rt con respecto a la resistencia de carga Rc'. Por lo tanto, para lograr una buena ( baja ) regulacin, se requiere que el transformador tenga arrollamientos de baja resistencia hmica.
2) RGIMEN DE POTENCIA DE UN TRANSFORMADOR
2.1)
RELACIN DEL PRODUCTO DE REAS ( area product )
Si analizamos el valor de la potencia aparente del transformador considerando que:
P1 = E1 . I1
Se puede escribir la tensin primaria como: Donde: Bmx : induccin mxima en el ncleo N1 : Sh : nmero de espiras del primario seccin del hierro
E1 = 4,44 . Bmx . N1 . Sh . f
f : frecuencia
Mientras que la corriente vale : Donde:
I 1 = Scu1 . =
Scut1 . N1
Scu1 = seccin del conductor primario

= densidad de corriente en el conductor primario
Scut1 = seccin de todo el arrollamiento primario Haciendo el producto miembro a miembro, la potencia primaria resulta:
P1= E1 I1 = 4,44 Bmx . Sh . f . SCut .

Reordenando los factores, se tiene:
P1 = 4.44 . f . Bmx . . Sh . SCut

En esa expresin, se tienen factores que son constantes o con posibilidades de variacin muy reducida ( para la mayora de los transformadores, f = constante, mientras que Bmx y son parmetros de proyecto de variacin limitada:
Capitulo 10
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B=0,8 a 1,2 Wb/m; = 1,5 a 3,5 A/mm).

En realidad, los nicos factores que pueden variarse libremente para lograr el nivel requerido de potencia son las secciones del hierro y del cobre. Podemos considerar entonces:
P1 Sh. Scut
Expresin de gran importancia para los transformadores de potencia, conocida como regla del producto de reas , en la que se muestra que el rgimen de potencia de un transformador es fundamentalmente proporcional al producto de las reas de hierro y de cobre. 2.2) POTENCIA Y TAMAO DE UN TRANSFORMADOR La potencia, por ser proporcional al producto de reas, es proporcional a la cuarta potencia de la dimensin lineal del transformador. Podemos considerar entonces:
P longitud4 = volumen 4/3

Esto indica, por lo tanto, que la potencia de un transformador crece con la potencia 4/3 del volumen ( del peso ). Por supuesto que el anlisis efectuado es muy simplificado, pero permite explicar la tendencia generalizada en la tecnologa elctrica a favor de la utilizacin de transformadores de gran tamao.
3) PROYECTO DE TRANSFORMADORES DE POTENCIA
Este tipo de proyecto, a diferencia de otros vistos anteriormente, puede ser llevado a cabo con facilidad, siguiendo un proceso que generalmente proporciona transformadores de caractersticas muy cercanas a las ptimas. Esto se debe a que es factible relacionar las variables de proyecto por medio de ecuaciones que fijan estrechos mrgenes de libertad para el proyectista, de modo que las soluciones mostrarn escasa diferencia entre si. Esto ha permitido que se intentaran exitosamente soluciones por medio de computadoras, que son especialmente adecuadas cuando el nmero de proyectos es grande. Para proyectos ocasionales, pueden seguirse varios procedimientos, de los cuales veremos uno de probada eficiencia.
DATOS INCOGNITAS
Alimentacin del Primario
E1 f1 E2a I2a E2b I2b E2C I22C
Nucleo
Tipo Material Tamao
Carga Secundaria
Arrollamiento Primario
N1 d1 N2a d2a N2b d2b
Arrollamientos Secundarios
minimo admisible maxima
Detalles Constructivos
Aislaciones
T maxima
Capitulo 10
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T Ta
E2a ; I2a E1 ; f E2b; I2b
Temperatura Ambiente
Fig. N 3.1 Esquema del Transformador a Proyectar
Otras especificaciones pueden ser la regulacin para cada uno de los secundarios, aspectos de tipo constructivo como ser: posicin de trabajo, si tiene terminales o chicotes, si va con tapas o en caja, tensin de aislacin de los arrollamientos entre si o respecto a masa, si lleva pantalla electrosttica, etc. Para el diseo del transformador, se siguen los siguientes pasos:
Paso 1 Potencia total secundaria
Se calcula la potencia total del secundario, como sumatoria de las potencias de todos los secundarios ( recordar que se trabaja con potencias aparentes ):
P2t = E2 .I2
Paso 2 Potencia Primaria
Se determina la potencia del primario P1. Para ello se toma, de acuerdo al tamao y tipo del transformador, un rendimiento que tpicamente tiene un valor de 0,8 para transformadores de 20 a 100 VA que son comunes en electrnica, entonces
P1 = P2 / P2 / 0.8 1.25 P2
Como regla general se puede decir que se debe adoptar un rendimiento mayor cuanto mayor sea la potencia del transformador.
Paso 3 Determinacin del Tamao del Ncleo
La determinacin del tamao del ncleo depende del tipo y de la frecuencia. Considerando transformadores comunes de baja frecuencia, que usan ncleos laminados acorazados, el problema es determinar el nmero de laminacin y la seccin Sh. El mtodo ms usual es por medio de la regla del producto de reas . Se haba visto que la potencia es proporcional al producto de reas:
P1 = K1. Sh . SCU
Ahora bien, considerando que se utiliza una laminacin comn, existe una relacin constante entre la seccin del hierro y la seccin del cobre, de modo que puede ponerse:
Capitulo 10
P1= K2 Sh2
Pagina
Invirtiendo la expresin, resulta:
Sh = K P1
Si se expresa la seccin en [ cm2 ] y la potencia en [ VA ] ,generalmente K vale entre 1,0 y 1,6, dependiendo de la frecuencia, y de los valores de la induccin Bmx y la densidad de corriente que se adopten para el transformador. El rango indicado para K corresponde a una frecuencia de 50 Hz y valores de induccin y densidad de corriente utilizados habitualmente en electrnica: induccin Bmx de 0,8 a 1,2 Wb/m y densidad de corriente entre 1,5 a 3,5 A/mm . Adems hay que tener en cuenta si el trabajo del transformador va a ser intermitente o continuo, ( como sucedera en un equipo industrial ). Tambin debe considerarse el grado de excelencia y la confiabilidad requeridos para el transformador: tomando K = 1,6 se obtendr un transformador de mejor calidad y confiabilidad que tomando K = 1,0 , por supuesto que a un costo mayor. El valor obtenido en el primer intento es un valor tentativo, luego se busca en la tabla una laminacin comercial ver Anexo 39, que tenga una seccin prxima. Para ello hay que tener en cuenta la cantidad de secundarios, porque si el nmero es grande, mayor va a ser la cantidad de capas aislantes y los terminales de salida, por lo que habr que elegir una seccin de ventana mayor. Anlogamente, si la tensin de aislacin debe ser elevada, el aislante ser ms grueso y la ventana tendr que ser mayor. Una vez seleccionada una laminacin, se tienen todas las dimensiones con las que se prosigue el clculo.
Paso 4 Espiras por Volt N / V
Un valor prctico para el proyecto es el nmero de espiras por volt ( Esp/V ) para los distintos arrollamientos; para ello se parte de la relacin
E = 4,44 Bmax N S f
obtenindose las Esp/V como:
Esp / V =
1 4,44Bmax. Sh. f
esp volt
El nmero de espiras por volt depende fundamentalmente de la seccin del ncleo: por ejemplo, para ncleos comunes en electrnica ( potencias de 10 a 1000 VA ) se obtienen valores de 1 a 12 espiras por volt. El valor de la induccin mxima debe adoptarse de acuerdo al material del ncleo: si por ejemplo se utiliza un hierro silicio comn ( de alrededor del 3-4 % de Si ), el valor de Bmx entre puede adoptarse entre 0,8 y 1,2 Wb / m2 ; si se utilizan materiales mejores ( y de mayor costo ) se puede llegar a Bmx de 1,5 a 1,8 Wb/m2.
Paso 5 Clculo del Nmero de Espiras de los Arrollamientos
Para calcular el nmero de espiras de cada arrollamiento se hace:
N1 = E1 ( Esp/V ) N2 = E2 (Esp/V)
Y as sucesivamente para todos los arrollamientos restantes.
Paso 6 Clculo de la Corriente Primaria I1:
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 La corriente primaria se determina a partir del rendimiento estimado:
Pagina
10
P1 I1 = E1
En algunos casos particulares conviene considerar el factor de potencia de la corriente primaria; que generalmente se puede despreciar. Si se quisiera hacerlo habra que calcular la corriente I1 compuesta por una corriente magnetizante que pasa por la inductancia del primario y otra activa reflejada por la carga que se debera calcular separadamente; pero en general se puede utilizar el valor obtenido por la frmula anterior.
Paso 7 Determinacin de las Secciones de los Conductores
Para la determinacin de las secciones de cobre de los distintos conductores , generalmente se utiliza el criterio de adoptar una densidad de corriente entre 1,5 a 3,5 A/mm, verificndose posteriormente la resistencia hmica y la ocupacin de ventana. Para ello se elige una densidad de corriente ubicada en el rango de de 1,5 a 3,5 A/mm, recordando que los alambres ms gruesos requieren densidades de corriente menores, mientras que los alambres finos aceptan mayores valores de . Adems, los valores estn limitados por la temperatura mxima admisible y por la regulacin, as como el tipo y uso del transformador. Una posibilidad es adoptar un valor intermedio y luego corregirlo si no se cumplieran las especificaciones. Para el clculo se tiene:
S Cu1
Paso 8 Verificaciones
I1 = 1
S Cu 2 =
I2 2
En principio el proyecto est completo, pero es necesario realizar distintas verificaciones para comprobar que las suposiciones adoptadas durante los pasos del proyecto fueron adecuadas. La primera verificacin para saber si el proyecto es factible es la de la ocupacin de la ventana. Esta verificacin es muy importante porque en los transformadores de potencia es muy fcil que la bobina no entre en la ventana. Para determinar el factor de ocupacin de ventana v se procede en la forma habitual:
V =
S CUT = SV
N .Scu = 0,25a0,35
i
SV
Si bien el rango indicado de 0,25 a 0,35 es el comnmente aceptado, debe tenerse en cuenta que si hay varias aislaciones, pantalla electrosttica entre primario y secundario para blindaje, o aislaciones para altas tensiones, hay que tomar el factor de ocupacin de ventana ms cercano a 0,25 ; incluso se puede llegar hasta 0,2 en algunos casos.
Paso 9 Clculo de la Resistencia de los Arrollamientos.
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 Pagina 11 El conocimiento de las resistencias de los arrollamientos es necesaria para varias de las verificaciones. Para el clculo se requiere conocer la longitud de la espira media ( dato de la laminacin ) , obtenindose:
R1 = .
lm1 .N 1 Scu1
R2 = .
lm 2 .N 2 Scu 2
Se entiende que ambas resistencias son a la temperatura final de funcionamiento, es decir:
Rf 1 = R1 .(1 + CU [Tf Ti ])
del mismo modo para R2 . Si bien en realidad las longitudes de espira media no son iguales ( el bobinado ms interior tiene menor lm ) , generalmente se utiliza el valor de tabla suponindose que se cancelan los errores.
Paso 10 Clculo de la Regulacin
Se calculan las cadas relativas de tensin debidas a las resistencias de los arrollamientos:
I 1 .R1 1 = E1
2 =
I 2 .R 2 E2
En general estos valor deben ser pequeos, tpicamente del 2 al 6% para cada arrollamiento. La regulacin total es la suma de las regulaciones de primario y secundario:
= 1 + 2
La regulacin total se define para slo uno de los secundarios, de modo que en caso de haber varios secundarios deber especificarse con respecto a cul se calcula. Si no est especificado, se suele tomar el secundario de mayor potencia.
Paso 11 Clculo de las Prdidas Totales.
Primeramente se calculan las prdidas en el hierro, conociendo las prdidas garantizadas, el factor de correccin de acuerdo a la induccin y a la frecuencia y el peso del ncleo ( de la tabla ):
Ph = Pg . Fc . Peso
[W]
Las prdidas totales en el cobre corresponden a la suma de las prdidas en cada arrollamiento
PCUT = I2 Rcc
Las prdidas totales del transformador son:
Capitulo 10
Pagina
12
Pt = Ph + PCUT
Paso 12 Clculo del Rendiniento
El rendimiento se calcula como:
P2 P2 + Pt
Si hay ms de un secundario, la potencia secundaria es la total correspondiendo a la suma de las potencias de los distintos secundarios.
Paso 13 Determinacin de la Sobreelevacin de Temperatura T
Para la estimacin de la sobreelevacin de temperatura se utiliza el ya conocido mtodo de Montsinger / Blume, para el que debe conocerse la relacin potencia disipada por superficie lateral Sl del ncleo. La potencia disipada es la potencia total de prdidas Pt. Una vez obtenida la relacin Pt / Sl , se obtiene la sobreelevacin de temperatura utilizando la tabla de Montsinger/Blume para la curva correspondiente a al temperatura ambiente Ta.
Paso 14 Correccin del Nmero de Espiras de los Arrollamientos:
Si todas las verificaciones anteriores han sido satisfactorias, el ltimo paso consiste en la correccin del nmero de espiras de los arrollamientos para compensar las cadas de tensin en las resistencias hmicas de los mismos, de modo de obtener las tensiones de salida nominales en la condicin de plena carga. Para ello es necesario disminuir las espiras primarias y aumentar las secundarias en funcin de las respectivas regulaciones:
N 1 = N 1 (1 1 ) N = N 2 (1 + 2 ) 2
Los nmeros de espiras obtenidos deben redondearse al nmero entero ms cercano.
Paso 15 Determinacin de las Aislaciones
Para el clculo de la aislacin deben tenerse en cuenta requerimientos elctricos y mecnicos. Generalmente se adopta una tensin de aislacin de 1000 a 2000 V/mm que corresponde a una aislante del tipo de papel impregnado; utilizando materiales plsticos modernos se puede reducir el espesor requerido. Desde el punto de vista mecnico, existen espesores mnimos que no pueden reducirse porque seran demasiado frgiles. Ahora bien, si la tensin no es elevada ( menos de 600 V ), para estimar el espesor predominan las consideraciones mecnicas, que requieren espesores mnimos del orden de o,1 mm . Si la tensin es elevada ( mayor de 600V ) entonces debe dimensionarse el espesor de acuerdo a la tensin que debe soportar.( considerar que el valor pico es 1,41 veces mayor). Tambin se debe tener en cuenta la sobreelevacin de temperatura admisible para el material aislante que se ha seleccionado.3.1) OTRA FORMA DE ENFOCAR EL PROYECTO Las pautas son las ya explicitadas previamente. Los datos y las incgnitas pueden verse en la pgina 7 , en la cual restara agregar en los datos el color de terminacin (muy importante. ver grficos de Blume). Con las caractersticas elctricas solicitadas en la columna datos, nos permite categorizarlo a priori en CB(Calidad Buena) CR(Calidad Regular) CMB(Calidad Muy Buena).
Capitulo 10
Pagina
13
Se tomar en consideracin un secundario solamente, si fuera ms de uno, la mecnica a seguir es la del libro. Se aclar previamente que se respetaba la nomenclatura del libro, por ello, conviene aclara que el dato E2 es la tensin en carga, o sea, cuando circula la corriente nominal y la llamamos V2. Pasos a Seguir: 1) Potencia Secundaria: P2 = V2 . I2. CMB - =0,85 2) Potencia Primaria: P1 = P2, para ello: CB- =0,80 CR - =0,75
3) Seccin del hierro (Sh): en base a los datos, tipo de bobinado, calidad del trafo, se elige el coeficiente de la frmula obtenida en el prrafo anterior:
Sh cm 2 = K P1 (w)
[ ]
De tabla de ncleos, el tipo de laminacin se elige para apilado cuadrado, sobreentendindose que ser la laminacin que de en ms o en menos aproximadamente la seccin Sh obtenida ( a veces conviene realizar dos proyectos simultneos, uno en ms y otro en menos). Puede ocurrir, que por razones de espacio, deba elegirse una laminacin menor, con mayor apilado, hasta completar Sh, sin exceder una altura mayor que 1,5 a, por razones constructivas de la bobina (Recurdese que a es el ancho de la rama central y el apilado (Ap), la altura, o sea que Ap <1,5 a. En estos casos, los datos del apilado cuadrado, son fcilmente trasladables al apilado elegido. Para el circuito magntico Snh = 0,95 Sh. Ahora bien, si la bobina se construye a granel, conviene hacer otra verificacin, tal como, ir a la tabla de carretes y verificar que existe un carrete para la laminacin y el apilado elegido. Si esto no ocurre quedan dos opciones : si la produccin es pequea ,hacer los carretes a mano con cartulina pressphan o si la produccin es grande adecuar el trabajo a una nueva laminacin con carrete standard. 4) Espiras por volt: E (v) = 4,44 . Bmax. Nx Snh .f
N 1 = E 4,44.B max .Sh. f
5) Espiras de cada arrollamiento :
N N1 = E1. E
N N 2 = V2 E
Se considera la tensin de vaco, aproximadamente 10% mayor que la de carga.

6) Corriente Primaria: 7) Calibre de los alambres:
I1 =
P 1 E1
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 Pagina En la tabla de alambres de Cu, ver Anexo 30 y 33, se entra por la corriente de C/devanado en funcin de
14
CMB, =2A/mm ; CB, = 3A/mm ; CR, = 4A/mm.

De hecho, se opta por el calibre ms prximo. Nuevamente queda a criterio del proyectista optar por el mayor o menor, o realizar proyectos simultneos. 8) Verificacin: Comprobar si la bobina entra en la ventana. CUT 1 1 2 2 La ocupacin de la ventana esta sujeta a la forma de bobinar como por ejemplo: bobinado en capas o a granel
Bobinado en Capas
= N .Scu + N .Scu
S CUT = 0,25a0,35.S V
La ocupacin de la ventana estara comprendida entre: Bobinado a Granel: La ocupacin de la ventana estara comprendida entre:
S CUT = 0,45a0,55.S V
Sv
= area de ventana, de tabla de las laminaciones. Ver Anexo 39.
Si supera la cota superior, no va a entrar en la ventana, si es menor que la cota menor, queda un espacio libre ponderable. En ambos casos hay que revisar el proyecto, pasible de una equivocacin operativa o bien redisear. 9) Resistencia de los Arrollamientos y Peso del Cu: R1 = 0,8 . lm . N1 . ( /m) 1 R2 = 1,2 . lm . N2. . ( /m) 2 A 20 C .
La espira media resulta ser la de la tabla de ncleos (lm), (ver Anexo 39) para el primario 0,8 lm y para el secundario 1,2 lm. Esto se debe a que lm de la tabla es para un devanado total ( ej. inductores de B.F.). Con igual criterio: Peso Cu1 = 0,8 . lm. N1 (.gr /m )1. Peso Cu2 = 1,2 . lm. N2(.gr /m )2. Obsrvese, que en la tabla de alambres (ver Anexo 30 y 33) hay dos columnas, una (gr /m) y otra ( /m ) a 20C y se entra por el calibre adoptado para cada devanado. 10) Prdidas en el Cu, Fe y .
Pcu = I1, R1 + I2 2 R2 (a 20 C). Pfe = Pg . Fc

fi Bi
. Peso
Pg Perdida garantizada ( W/Kg) a 10.000 gauss 50 60 Hz Fc Adeca la Pg al nivel de trabajo. Peso del ncleo en Kg ( Tabla de laminaciones )
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 Pagina Conviene iniciar el clculo con una laminacin de no muy buena calidad (2,2 W/kg. aproximadamente).
Calcular el Rendimiento:
15
P2 P2 + Pcu + Pfe
Si el rendimiento est por debajo del solicitado, mejorar la calidad del hierro (1,8 1,5 W/kg) o redisear. Si el rendimiento da mejor, seguir con el proyecto hasta los pasos finales, donde se verifica nuevamente, con mayor prdida en el Cu. 11) Superficie de Evacuacin del Calor Superficie Lateral: Se busca en la tabla de laminacin (Sl) 12) Clculo de la potencia calrica especfica:
P1 (w) = (Pfe + Pcu ) (W) . Sl(dm) Sl (dm)

13) Clculo de la sobreelevacin de temperatura y de la temperatura final: con 12), y los datos de color y tamb, entrando en el grfico de Blume, se obtiene t sobreelevacin de temperatura, comprobando si verifica con lo requerido.
ti ,es la temperatura del punto ms caliente, mayor a t entre 8 y 10 C en estos tipos de transformadores.
Es evidente que para evacuar el calor por el rea lateral, en el interior debe haber un punto ms caliente, para que el gradiente de temperatura permita que el calor por conduccin vaya al rea lateral. 14) Clculo de las resistencias a la temperatura de rgimen: RF1 = R1( 1+cu ( Tf - Ti ) ) RF2 = R2( 1+cu ( Tf - Ti ) ) Coeficiente de variacion termica = 0.0039 1/c 0.004 1/c +cu 0.4% / oc
Tfinal = Tamb+t + ti
15) Clculo de la correccin de espiras previo la cada de potencial en los devanados:
E1 = I 1 .R F 1
E1 N F 1 = N 1 .1 E1
V2 = I 2 .RF 2
V 2 N F 2 = N 2 .1 + V2
Puede tambin corregirse todo a la cada interna en el secundario. 16) Cculo de la regulacin:
N F1 E1 + V 2 . N F2 R% = E1
.100
Con la nueva prdida en el Cu (PCu), puede verificarse el rendimiento y sto puede obligar a retocar el proyecto o reproyectarlo.
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE Y DIAGRAMA VECTORIAL:
Pagina
16
Se muestra el ya muy conocido diagrama o circuito equivalente de un transformador. La diferencia que puede apreciarse es que se incluyen las capacidades de los devanados y entre ellos . Sus reactancias a las frecuencias industriales son despreciables por su alto valor, pero en los trafos de banda ancha,, a frecuencias mayores que las industriales pueden tomar valores que obligan a considerarlas. El diagrama vectorial, tambin es conocido y no contempla la influencia de los capacitores , por tratarse de frecuencias industriales ( 50 60 Hz )
C 12 Ld 1 It V1 C1 IPFe Rp fe R1
Io
Ld 2 I1 I E1 E2 I2
R2
V2
C2
T RAFO IDEAL
Capitulo 10
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4)
TRANSFORMADORES QUE ALIMENTAN CARGAS NO LINEALES
Los transformadores electrnicos se operan en muchos casos alimentando cargas formadas por circuitos no lineales, como por ejemplo rectificadores. El resultado es que los transformadores se ven mucho ms exigidos que si la carga fuera resistiva, para una misma potencia entregada a la salida del rectificador. En ese caso deben considerarse especialmente los valores eficaces de las corrientes que circulan por los arrollamientos. Para ello se utilizan as curvas de SCHADE o tablas equivalentes. Para el clculo de las tensiones alternas necesarias para excitar los rectificadores, la tabla proporciona los factores de acuerdo a los tipos de rectificador y circuito de filtro utilizado. 4.1) ENSAYO DE TRANSFORMADORES DE POTENCIA Realizaremos una breve descripcin de los mismos. Hay mtodos directos (MD) e indirectos (MI). La razn la fija el valor de la carga artificial para sus ensayos. Hasta aproximadamente 5 a 10KW, se pueden medir en laboratorio con carga artificial (MD), reemplazante de la real; para potencias mayores se usa el mtodo indirecto (MI), se lo suele usar a potencias mucho menores que la indicada como lmite aproximado, por razones de comodidad, ya que suele ocurrir que no se dispone de un juego en cantidad apreciable de cargas artificiales.
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Los mtodos son: 1) Relacin de Transformacin. 2) Reistencia de los Devanados. 3) Prdidas en el Fe. 4) Prdidas en el Cu: MD y MI. 5) Sobreelevacin de temperatura: MD y MI 6) Regulacin: MD y MI. 7) Rigidez Dielctrica y Resistencia de Aislamiento. 8) Clculo del Rendimiento, con los datos obtenidos.
1) Relacin de Transformacin: Fig. 1, trafo en vaco, tensin nominal, frecuencia nominal.
n = V1 / V2
2) Resistencia de los devanados: para estos transformadores, la penetracin es mayor que el radio del
conductor, por lo tanto se miden con .CC. Se usa el puente de Wheatstone o el doble de Thompson ( Kelvin). Se tiene presente la temperatura por si hay que corregir lo medido para compararlo con la del proyecto
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3) Prdidas en el Fe: Fig. 2, llave abierta. Tensin nominal, frecuencia nominal, lgicamente en vaco. 4) Prdidas en el Cu: MD, Fig 2, llave cerrada. Tensin nominal, frecuencia nominal, se ajusta la carga para la corriente nominal y se mide W1 y W2. Luego W1 - W2 = Prdidas totales: PT. Las prdidas totales menos las del Fe nos dan las del Cu: Pcu = PT -Pfe MI, fig. 3, frecuencia nominal y tensin, la necesaria para que circule por el secundario la corriente nominal. Pcu = W. Se debe destacar que, es de tener en cuenta, que la barra de cortocircuito tenga una resistencia menor (cuanto ms mejor) que el 10% de la resistencia secundaria y la primaria reflejada. Debe tenerse presente que se mide un valor de resistencia baja, en cuanto al mtodo de ensayo. 5)Sobreelevacin de temperatura: de los mtodos, recordemos el de variacin de resistencia con la temperatura. MD, fig 2. Ya conocemos el valor de la resistencia de inicio. por 2). Lo cargamos con la corriente nominal y peridicamente cortamos la carga y medimos las resistencias. Cuando una o dos veces se repite el mismo valor, estamos a la temperatura de rgimen. Esta medicin ltima (Rf) y la inicial (Ri) nos permite calcular la sobreelevacin de temperatura.
Rf = Ri [1+ ( Tf Ti )] cu o bien AL, segn el material que se use.
Rf Ri = T .Ri
MI, fig. 3. Una de las maneras de medirla, es cargando el trafo con las Pcu y las del Fe, ambas en los
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 Pagina 20 devanados. As, ajustadas las Pcu, se incrementa la tensin primaria hasta que el watmetro mida como potencia las Pcu +Pfe. La obtencin de t se realiza idnticamente como se lo hace en MD.
6) Regulacin: MD, fig 2. Con la llave abierta medimos V20, con la llave cerrada, medimos V2, luego la regulacin :
R% =
V20 V2 100 V2
Es de notar que este ensayo se hace luego del punto(5) , para que las resistencias acten con el valor a su temperatura de rgimen. Esto vale tambin para el MI.
MI, fig. 3. La mquina a la temperatura del rgimen, se ajusta la tensin de corto circuito para la corriente nominal, llammosla Vcc. La regulacin ser
R% = Vcc/V1 x 100
7) Rigidez dielctrica. Resistencia al aislamiento:
Ambas se miden a la temperatura de rgimen. La especificacin fija las tensiones a aplicar entre cada devanado y el otro y ncleo, el tiempo y el tipo (CA CC). Igualmente fijar las resistencias de aislamientos mnimas entre cada devanado y el otro y ncleo. a) Rigidez dielctrica: se aplica entre un devanado y el o los otros unidos a ncleo y a masa, la tensin especificada y su tiempo de duracin. No debe perforar. Debe tenerse presente que si se especifica CC y se posee fuente de CA, aplicar VCAPP = VCC 0,35
b) Resistencia de aislamiento: se mide con un meghmetro, sea electrnico o a manivela, cada vez que se abre
Tecnologa Electrnica Capitulo 10 Pagina 21 la carga para medir las resistencias. Vale lgicamente cuando se llega a la temperatura de rgimen, que igualmente ser la menor. Djase constancia que en esta breve explicacin se omiten algunos parmetros que pueden y resultan tiles o que pueden calcularse, como corriente de vaco , impedancia de vaco, impedancia de carga, sus ngulos de fase, etc.
8) Rendimiento
P UTIL
P UTIL + Pfe + Pcu
5) MAQUINAS BOBINADORAS CLASICAS Las bobinadoras, se van programando para agilizar la tarea del bobinado. Hoy hay en plaza transformadores planos, que los bobinados se realizan con la tcnica del circuito impreso y se apilan, logrndose mejores caractersticas elctricas. Mostramos a continuacin detalles conceptuales de aditamentos usados para bobinar, como complemento del acpite "tcnica constructiva". La fig. 1, muestra los basamentos de una mquina bobinadora. Por la polea, viene a travs de una correa la energa mecnica, generada por un motor elctrico con embrague, ubicado en la parte inferior, prximo al suelo, para comandar el embrague con un pie (as se evita el tironeo al comienzo). El juego de ruedas dentadas fijan la velocidad de V frente a F en forma tal que por vuelta de F se avance el dimetro del alambre (espiras conjuntas) . El carrito cambia de sentido segn se use D S los que dan movimiento a C y por ende a G. F es el eje donde se colocan los carretes a bobinar (a granel) o las bobinas con papel entre capas. A la derecha se ve a C preparado para poder bobinar cinco bobinas simultneas. La fig. 2 muestra un porta carrete. El eje donde se coloca el carrete, est montado sobre cojinetes, para que la salida del alambre ofrezca la mnima resistencia. X es un resorte antagnico que se ajusta para que el alambre tenga la tensin necesaria pero de cortarse el alambre, hace que actu el freno de cinta F. La fig. 3, es la forma que se usa para alambres de calibre menor a 0,1 mm. Usa el principio del huso textil. El alambre no ofrece resistencia a la salida y se evita el riesgo de que se corte. La fig. 4: se usa este dispositivo para bobinar alambres gruesos y de esta manera la velocidad de bobinado es ms rpida, ante la imposibilidad de bobinar mltiple en bobinadoras industriales alambres de grueso calibre.
Capitulo 10
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22
Tecnologa Electrnica CAPITULO XI
Capitulo 11 CAPACITORES
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1) DEFINICIN: Se define elctricamente como un capacitor, a un par de conductores capaces de manejar energa cuando existe entre ellos una diferencia de potencial. 1.1) RELACIONES FUNDAMENTALES La capacidad est determinada por la relacin entre la carga almacenada y la diferencia de potencial que origina dicho almacenamiento de carga donde [ Q ] coulomb; [ C ] faradios; [ V ] volts. Para un capacitor ideal, la energa que se gasta en su carga queda almacenada en su campo elctrico, y est dada por la relacin:
C=Q/V
1 1 1 Q2 2 w = QV = CV = 2 2 2 C
La corriente que circula por un capacitor cuando est sometido a una diferencia de potencial V ser:
I=C
v t
De modo que habr circulacin de corriente cuando la tensin V sea variable en el tiempo. Si se considera un capacitor ideal, y en sus terminales se aplica una diferencia de potencial V que vara sinusoidalmente en el tiempo:
v = v 0 e jwt v 0 e jwt v I=C =C = jw.C.v 0 e jwt t t I ef = jw.C.Vef

Dado que j es un girador de 90 se deduce de la expresin que la corriente est adelantada 90 respecto de la tensin, el diagrama vectorial correspondiente ser:
I = jwC
v 0 e jwt V 1 Zc = = = I jwCv 0 e jwt jwC

90 V
Tecnologa Electrnica Capitulo 11 Pagina 2 En el diagrama vectorial de un capacitor ideal se puede ver que no hay componente de I en fase con V (el ngulo es de 90 ), por lo tanto no hay energa disipada y toda la energa es almacenada en el campo elctrico. 1.2) CARACTERSTICAS REALES DE UN CAPACITOR En los capacitores reales cuando se suministra energa para cargarlo, parte de esa energa se disipa en forma de calor, la mayor parte de la misma est en el dielctrico pero tambin hay disipacin en los conductores y placas, este efecto se pone de manifiesto en el desfasaje que existe entre la tensin y la corriente que es menor que 90. a) PRDIDAS EN EL DIELCTRICO Se puede dividir en dos grupos, las de CONDUCCION y las de HISTERESIS DIELECTRICAS, en el circuito equivalente se las representa por una resistencia de valor elevado en paralelo ( Rp ) con la capacidad. b) PRDIDAS EN LOS TERMINALES DE PLACA Estas partes del capacitor estn realizadas con materiales conductores que poseen una determinada resistencia, la que vara con la frecuencia por efecto pelicular, adems de las resistencias de contacto, este tipo de prdidas se representan en el circuito equivalente por una resistencia de bajo valor en serie. (Rs ) c) INDUCTANCIA RESIDUAL Las corrientes que circulan por los conductores y placas dan origen a un campo magntico variable, esto se traduce en la existencia de una autoinduccin que es funcin de los terminales y la construccin del capacitor, se la representa en el circuito equivalente como una inductancia serie. ( L ) 1.3) CIRCUITO EQUIVALENTE Resumiendo los elementos antes citados, se llega al circuito equivalente de la figura:
La impedancia del circuito ser :
Z = R s + jwL +
1 G jwC = R s + jwL + 2 G + jwC G + w 2C2 wC jwL 2 2 2 G +w C
G + Z = R s + 2 2 2 G +w C
despreciando G frente a (wC) queda:
G Z = R s + 2 2 w C
Resistencia de prdidas
1 j wL wC
Reactancia efectiva
Capitulo 11
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El circuito equivalente queda reducido a:
Z = R T jX e G R T = R s + 2 wC) (
Considerando la reactancia equivalente:
1 Xe = wL wC
1 1 Xe = = wL wC e wC
se deduce :
C Ce = 1w2LC
1.3.1) DIAGRAMA VECTORIAL Como resultado del anlisis anterior, el diagrama vectorial de impedancias est formado del siguiente modo: Rs 1/w2 C2 Rp

wL 1/wC
Para mayor claridad del dibujo, en este diagrama se han exagerado las proporciones de los vectores resistivos e inductivos. 1.3.2) FACTOR DE POTENCIA - FACTOR DE PRDIDAS - FACTOR DE MRITO Considerando el diagrama vectorial tensin-corriente para un capacitor real.
I Rt I
-j 1/wCe
I=Z.V
Tecnologa Electrnica Capitulo 11 Pagina 4 1.3.2.1) FACTOR DE POTENCIA Se denomina as a la relacin de potencia real a aparente de un sistema, y se representa por el coseno del ngulo de fase que forman los vectores de tensin e intensidad.
Pr I 2 R T R T cos = = 2 = VI Z I Z
1.3.2.2) ANGULO DE PRDIDAS Se denomina as al ngulo que es el complemento del ngulo y est determinado por los vectores tensin total y cada de tensin sobre la componente reactiva. 1.3.2.3) FACTOR DE DISIPACIN Se d este nombre a la tangente del ngulo .
D = tg =
v R I.R T R T = = v X I.X T X T
1.3.2.4) FACTOR DE MRITO Q Es la relacin entre la potencia reactiva a potencia activa, y est dado por la relacin de la reactancia a la resistencia.
Q=
XT 1 = RT D
cuando es pequeo, tg sen si consideramos la potencia disipada P dado que es el complemento de puede ponerse
= Vi . cos
P = V.I.cos = V.I.sen = V.I.tg = V.I.D

para valores pequeos de ; cos tg pero slo numricamente, dado que conceptualmente son diferentes. 2) COMPORTAMIENTO DE UN CAPACITOR REAL EN FUNCIN DE LA FRECUENCIA Anteriormente se determin que:
Z = RT j
1 1 1 = R s + 2 2 j wL wCe w C R p wC
(1)
Considerando el trmino imaginario:
1 1 = wL wCe wC
Ce =
1 1 w wL wC
C 1 w 2 LC
(2)
De la (1) se deduce que para anular el trmino imaginario w, debe ser (3) si se reemplaza en la (2)
Capitulo 11
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Ce =
C w 1 w0
2
(4)
siendo
f0 =
w0 1 = 2 2 LC
la frecuencia de autoresonancia del capacitor. La frmula (4) permite analizar la variacin de la capacidad efectiva, y la (1) de la impedancia en funcin de la frecuencia.
a) CASO f << f0 b) CASO f = f0
De la (4) se deduce que Ce ser aproximadamente igual a C, a medida que w crece se produce un aumento de Ce. En la (1) se observa que el aumento de w tiende a disminuir el trmino real e imaginario disminuyendo por lo tanto el mdulo de Z. En la frmula (4) Ce tiende a , lo que equivale a una reactancia nula, que coincide con la anulacin del trmino imaginario de la (1). La impedancia Z en este punto es puramente resistiva, y pasa por su mnimo valor.
Z = RT = Rs +
c) CASO f > f0
1 1 = Rs + 2 / w 2C2 R p C Rp 0 / LC
Z = Rs +
L C.R p
En la (4) se observa un cambio de signo de Ce, denotando un comportamiento inductivo como se comportaba en la (1) con el cambio de signo de la componente imaginaria, el mdulo de Z vuelve a crecer de manera aproximadamente lineal con la frecuencia. En el grfico se dan las curvas de Ce y /Z/ en funcin de la frecuencia.
Ce /Z/ Ce /Z/ C Z = Rs + 1/CRp
Ce
Capitulo 11
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2.1) ANLISIS DE LA VARIACIN DE LA tg CON LA FRECUENCIA Considerando el circuito equivalente del capacitor, con sus dos componentes resistivas. El valor de tg x = Dx del conjunto est dado por:
Dx = tg x = w c R s +
1 wcRp
(1)
Graficando cada uno de los trminos se tiene la ley de variacin del conjunto como suma de ambas curvas:
D
Dx = wcRs + 1/wcRp
Dm wcRs Dm/2 1/wcRp wm w
Para determinar el valor de w para el cual Dx pasa por un mnimo se deriva la (1) respecto de w y se iguala a cero.
D x 1 = C.R s 2 =0 w w C.R p w2 = m 1 C2 R sR p (2)
C.R s =
1 w C.R p
2
fm =
1 2 C R s R p
Reemplazando el valor de wm dado por la expresin (2) en la (1) obtenemos el valor mnimo de Dx = tg x
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Dx min =
1 CR s + C RsR p
1 1 CR p C RsR p
Dx min =
Rs + Rp
Rs Rs =2 Rp Rp
(3)
Para valores de
1 w C RsR p
1 C RsR p
el trmino que predomina es el que contiene a Rp , a medida que f aumenta disminuye su influencia como se indica en el grfico correspondiente.
Para
es el trmino lineal wcRs el que predomina siendo la que determina el valor de D en la frecuencia elevada. Como ya se vi en el anlisis previo para Drs:Drp se observa el mnimo valor de Dx 3) DESCRIPCIN DE UN CAPACITOR Son muy variados los tipos constructivos de capacitores, pero generalizados se pueden resumir en: a) PARTES PRINCIPALES: Placa o armadura, dielctrico b) PARTES SECUNDARIAS: Terminales, montaje, encapsulado. Esquemticamente, realizando un corte:
terminales
soldaduras placas dielctrico
montaje encapsulado
3.1) ELEMENTOS DETERMINANTES DE LA CAPACIDAD Bsicamente un capacitor consiste en dos superficies conductoras, separadas por un material dielctrico; la caracterstica de capacidad queda determinada por tres factores fundamentales: a) Superficie de los conductores enfrentados b) Separacin entre las superficies conductoras c) Caractersticas fsicas del dielctrico
Tecnologa Electrnica Capitulo 11 Pagina Esto se puede reducir a una frmula sencilla para superficies planas enfrentadas.
C = 0K
donde: C = capacidad 0 = cte. dielctrica del vaco s = superficie de las placas d = separacin de las placas K = constante dielctrica relativa
s d
4) CARACTERSTICAS IMPORTANTES DE UN CAPACITOR Dependen principalmente del dielctrico, pero se ven afectadas por el montaje y encapsulado del mismo. Las principales caractersticas del dielctrico son (ver anexo 34) 1) Cte. dielctrica 2) absorcin dielctrica 3) corriente de fuga y cte. de tiempo 4) resistencia de aislacin 5) rigidez dielctrica 6) corriente alterna mxima Nos referimos brevemente a cada uno de estos items, dado que ya se trat en el captulo correspondiente a materiales dielctricos.
4.1) CONSTANTE DIELCTRICA K o permeabilidad dielctrica de un material, es la relacin entre la capacidad de un capacitor que tiene dicho material como dielctrico y la capacidad del mismo capacitor usando el vaco como dielctrico.
K = capacidad con dielctrico capacidad al vaco

4.2) ABSORCIN DIELCTRICA Este efecto se debe a la polarizacin de algunas molculas del material, lo que se traduce en una variacin de la capacidad, una vez que se someti al campo elctrico. 4.3) CONSTANTE DE TIEMPO Todo capacitor una vez cargado y desconectado del circuito, se descarga a travs de la resistencia de aislacin, la ley de variacin de la descarga en funcin del tiempo es una exponencial decreciente con una cte. de tiempo dada por el producto RC, siendo R la resistencia de aislacin y C la capacidad.
Capitulo 11
Pagina
E = E 0 e t / RC = RC se denomina cte. de tiempo
Eo
Para capacitores ideales, en tanto que en los reales se tienen resultados variables segn el dielctrico. Como dato ilustrativo daremos el orden de para distintos tipos de capacitores. Electroltico: segundos Mica minutos Poliestireno das 4.4) RESISTENCIA DE AISLACIN Todos los dielctricos tienen una conductividad finita, esto se debe a la ionizacin del material y condiciones ambientales, dado que interviene tambin la resistencia superficial adems de la volumtrica, aqu se desprende la necesidad de un buen sellado a fin de evitar que la humedad influya apreciablemente. La temperatura tambin afecta a la resistencia de aislacin, obtenindose curvas del siguiente tipo:
10
12
mica papel 10
7
20
60
100
t C
Una ley matemtica aproximada a dicha variacin es la siguiente:
Rt = R 0 .e k ( t to )
siendo R0 : resistencia a temperatura de referencia t0 Rt : resistencia a temperatura t. K: cte. que depende del tipo de material El efecto de variacin de R con la temperatura se pone de manifiesto, principalmente en capacitores de gran valor.
Tecnologa Electrnica Capitulo 11 Pagina 10 4.5) RIGIDEZ DIELCTRICA Se refiere a la tensin especfica de seguridad alejada de la ruptura por efecto del campo elctrico, este tema se halla vastamente tratado en el captulo correspondiente a dielctricos.
4.6) CORRIENTE ALTERNA MXIMA Est determinada por la disipacin admisible en el capacitor, la que a su vez est limitada por la temperatura ambiente. Considerando el circuito equivalente:
2 VRS P= = I2Rs Rs VRs V
2 RS
V2 1 R + 2 2 w C
2 s
Rs
por lo tanto:
2 VRS P= = Rs
V2 1 R + 2 2 w C
2 s
Rs
Hemos tomado Rs debido a que Rp aparece en paralelo con xc que presenta una reactancia mucho menor, por lo que la corriente alterna circula por Rs y C.
BIBLIOGRAFA DE "TECNOLOGA ELECTRONICA" 1- JOWETT La Confiabilidad de los Componentes Electrnicos. (Rede) 2 CALABRO Reliability, Principles and Practices. (Mc Graw Hill). 3 BOGORODITSKI-PASYNKOU Radio and Electronic Materials. (Iliffe). 4 ROSE-SHEPARD-WULFF Propiedades Electrnicas de los Materiales. (Lim Wiley) 5 COSTA Tecnologa Electrnica: Materiales, Componentes Electrnicos, Tcnica Constructiva. (Hoepli) 6 POLYDOROFF High Frequency Magnetic Materials.(Wiley). 7 M.I.T. Circuitos Magnticos (Reverte). 8 WELSBY The Theory and Design of Inductance Coils.(Mac Donald). 9 RCA Radiotron Designer's Handbook. 10 SNELLING Soft Ferrites. (Iliffe). 11 PACKMAN Vademcum de Radio Electricidad. (Arbo). 12 LEE Electronic Transformers. (Wiley). 13 GROSSNER Transformer for Electronics Circuits. (Mc Graw Hill). 14 WELLIARD Resistance and Resistors. 15 GARCIA GOMEZ CORDOBES Componentes Electrnicos. (Dosset). 16 FAPESA "Manuales y Publicaciones Tcnicas". 17 BROTHERSON Capacitors. (Van Nostrand). 18 DUNMER-NORDENBERG Fixed and Variable Capacitors. (Mc Graw Hill). 19 SHIERS Design and Construction of Electronic Equipment. (Prentice). 20 GODEL "Tecnologa Electrnica".(Ed.Rocamora). 21 GONZALEZ ADOLFO F. Resistores Normales- Resistores Especiales. (UTN F.R.Mendoza) 22 GONZALEZ ADOLFO F. Capacitores Normales y Especiales. (UTN F.R. Mendoza) 23 LOWDON ERIC Practical Transformer Design Handbook. (Mc Graw Hill). 1988 24 M.I.T. STAFF Magnetic Circuits an Transformers. (John Wiley & Sons.INC) 25 MAXELL JAMES CLERK "A treatise on Electricity and Magnetism" Vol.I y II(Dover Publications,Inc.) 26 Mc LYMAN, COLONEL WM.T. Transformer and Inductor Design Handbook (Marcel Dekker, Inc. N.Y.) 27 KOROS, LADISLAO ING. Clculo de Transformadores para Telecomunicaciones. (Publicaciones de la Facultad de Ciencias Fisicomatemticas de la Universidad Nacional de la Plata). 1945 28 S.Y.HUI-S.C.TANG-H.CHUNG Coreless Printed Circuit Board PCS Transformers. (IEEE Circuit and Systems Society Newsletter NY 7-00) 29 SIGNAL TRANSFORMER Using Planar Transformers in Low- Profile Swicht- Mode Power Supplies. (http://www.signaltransformer.com/signal/techlib/planar.cfin) 30 ROCA J.LUIS Confiabilidad de Sistemas Electrnicos (Editorial Nexus) 31 A.F.COVI Tecnologa Electrnica Materiales-Inductores-TransformadoresProyectos y Clculos. (Editorial Rocamora) 2002 32 SOBREVILLA M.S. "Circuitos Elctricos y Magneticos. 33 E. TUNCER B. TAEK LEE D.P. NEIKIRK "Interconnect Series Impedance Determination Using a Surface Ribbon Method" IEEE 3rd Topical Meeting on Electrical Performance of Electronic Packaging 2-4-94 University of Texas at Austin <http://weewave.mer.utexas.edu> 34 ALONSO FINN "Fisica Campos y Ondas" (Fondo Educativo Interamericano S.A.) 1972 35 SCOTT "Introduccin al Anlisis de Circuitos". Barcelona 1970 (Mc Graw Hill) 36 LANDEE-DAVIS-ALBRECHT "Electronic Designer Handbook ".USA 1970 (Mc Graw Hill) 37 COVI A.F. "Temas de Tecnologia Electronica-Inductores y Transformadores Planares sin Ncleo-Causas de la Variacin de la Inductancia en Inductor Ferromagntico.-Transformador de Banda Ancha: Distintos Tipos de Distorsin, Introduccin, Verificacin y Diseo. 2002 (Editorial Rocamora)

Tecnología electrónica: materiales, componentes y diseño

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TECNOLOGA ELECTRONICA

Ing. Alfredo F. Covi -- Ing. Nestor Barros

Ing. Alfredo F. Covi

Ing. Nestor Barros

1 NDICE TEMTICO CAPITULO I (pag. 1 a 5) INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA (pag. 1 a 10)

TRANSFORMADORES DE BANDA ANCHA

Tecnologa Electronica Captulo II

FALLAS - CONFIABILIDAD - CALIDAD

Tecnologa Electronica Captulo II

TABLA N 2.1 DISTINTOS TIPOS DE FALLAS Y SUS PRINCIPALES CARACTERSTICAS

Tecnologa Electronica Captulo II

Tecnologa Electronica Captulo II

( RT = 1 [(1 Ra)(1 Rb)(1 Rc)..........1 Rn)] . .

Tecnologa Electronica Captulo II

Tecnologa Electronica Captulo II

Tecnologa Electronica Captulo II

Probabilidad de falla a un tiempo t

N de fallas = N total de elementos x Pf

Tecnologa Electronica Captulo II

Tecnologa Electronica Captulo II

(pues se toma h igual a una unidad de tiempo)

2.4.2) EL FR DE CONJUNTOS DE ELEMENTO DISPUESTOS FUNCIONALMENTE EN SERIE

Rt = e-(t . FRa . e-t . FRb . e-t . FRb)

Rt = e-t . ( FRa+FRb+FRc.) = e-t . FRt

FRt = FRa + FRb + FRc + .....+FRn

Tecnologa Electronica Captulo II

Pt = Pfa . Pfb . Pfc . .......

Rt = 1-Pft = 1 - [ ( 1-Ra) .( 1-Rb ).( 1-Rc ) ]

Rt = e (t . FRt ) = 1 1 e t . FRa . 1 e t . FRb . 1 e t . FRc

ln Rt = -t . FRt = ln { 1 - [ ( 1-e-t . FRa ).( 1-e-t . FRb ).( 1-e-t . FRc )] }

1 FRt = . ln 1 1 e t . FRa . 1 e t . FRb . 1 e t . FRc t

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RGIMEN DE FALLAS FR DE COMPONENTES ELECTRNICOS.

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3.2.2) FACTORES DE AJUSTE PARA DISTINTAS CONDICIONES DE OPERACIN

FRp = FRbase . e . a . q . ..... n

q : factor de ajuste por la " calidad " del elemento:

n : factores adicionales para considerar situaciones particulares consideradas relevantes a efectos de

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TABLA N 3.3 FACTORES DE AJUSTE e ( POR CONDICIONES AMBIENTALES )

3.2.4) NIVELES DE CALIDAD DE COMPONENTES ELECTRONICOS

EL NIVEL DE CALIDAD II se adjudica a elementos de tipo "industrial" o "profesional", y requiere, por

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MEDIDAS PARA OBTENER UNA CONFIABILIDAD ELEVADA:

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EJEMPLO DE CLCULO DE LA CONFIABILIDAD DE UN CIRCUITO

Circuito del Amplificador

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F.R.total del circuito = 0,3642 fallas / 106 Hs 0,364 . 10-6 Hs

Rsistema = Rcirc. nmero de circuitos 0,9964 100 = 0,697 0,70 70%

0,1213 fallas . 10-6 Hs

b) EL FR TOTAL DEL CONJUNTO de cien amplificadores ser:

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4.1.3) ASEGURAMIENTO DE CALIDAD GARANTA DE CALIDAD

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Figura 4.1 Curva Costo-Calidad

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donde * = permitividad compleja. .Se tiene entonces:

Constante dielctrica Relativa Permitividad Relativa.

que tiene en cuenta la capacidad del medio de acumular energa elctrica