Relatrio Materiais Eltricos 201

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Relatrio de Materiais Eltricos
Prof. Carlos Renato Rambo EEL7051

Determinao de band gap em semicondutores

Alexandre Monteiro, Bruno Vieira, Vincius Arajo
1. Introduo
1.Semicondutores
Os

semicondutores

so

materiais

constituintes

dos

principais

componentes da eletrnica moderna. Os transistores, diodos, clulas

voltaicas, so exemplos desses componentes.
A

principal

peculiaridade

dos

semicondutores

est

na

sua

condutividade eltrica. Enquanto nos metais a condutividade diminui

com

temperatura,

nos

semicondutores

ocorre

oposto,

condutividade aumenta exponencialmente com a temperatura.

Os semicondutores elementares so formados pelo grupo IV da
tabela peridica. Sendo o Silcio e o Germnio os mais relevantes.
Existem alguns tipos especiais de ligas formadas por ons dos
elementos da Tabela 1 e mais alguns tipos de metais de transio
como o Ti, Mn, Fe e Nb.

A soluo de Schrdinger permite elucidar as chamadas bandas, que

so nveis discretos embora com energias muito prximas entre si,
podendo assim serem aproximados por um contnuo de energia. Nos
materiais semicondutores , as bandas so separadas por band gaps
que variam de 0,1 a 3,5 eV.

Relatrio Materiais Eltricos 201

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Os band gaps so determinados pela projeo, no eixo das abscissas,
do ponto de interseo entre retas extrapoladas a partir da curva de
(Ahv) por (hv). A a absorbncia, h constante de Planck e v a
frequncia.
1.1.

Objetivos do experimento

O objetivo do experimento encontrar atravs do espectrofotmetro

de UV-vis o band gap em semicondutores.
2. Desenvolvimento Experimental
Na bancada do laboratrio havia 1 soluo de semicondutor
desconhecido. Atravs do espectofotmetro de Uv-vis, foi medido a
transmitncia (T) para comprimentos de onda () variando de 200nm
a 600nm, com passos de 20nm. A seguir, na Tabela 2 constam os
valores medidos e os valores de (Ahv) e hv, onde A=-logT,
h=4,1356x10^-15 e v=c/ .
(nm
)
T
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380
400
420
440
460
480
500
520
540
560
580
600

0,244
0,262
0,26
0,259
0,257
0,255
0,257
0,253
0,249
0,248
0,246
0,246
0,244
0,242
0,242
0,239
0,239
0,239
0,237
0,239
0,238

A
v
(Ahv) hv
0,613 1,5E+15 3,800 6,204
0,582 1,36E+15 3,281 5,640
0,585 1,25E+15 3,024 5,170
0,587 1,15E+15 2,800 4,772
0,590 1,07E+15 2,615 4,431
0,593
1E+15 2,454 4,136
0,590 9,38E+14 2,288 3,877
0,597 8,82E+14 2,178 3,649
0,604 8,33E+14 2,081 3,446
0,606 7,89E+14 1,977 3,265
0,609 7,5E+14 1,889 3,102
0,609 7,14E+14 1,799 2,954
0,613 6,82E+14 1,727 2,820
0,616 6,52E+14 1,662 2,697
0,616 6,25E+14 1,593 2,585
0,622
6E+14 1,542 2,481
0,622 5,77E+14 1,483 2,386
0,622 5,56E+14 1,428 2,298
0,625 5,36E+14 1,385 2,216
0,622 5,17E+14 1,330 2,139
0,623
5E+14 1,289 2,068
Tabela 2

3. Resultados e discusso

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A Ilustrao 1 representa a curva (Ahv) por hv j com as retas

4,00
3,50
3,00
2,50
Curva
Tg1
Tg2

2,00
1,50
1,00
0,50
0,00
0,000
-0,50

2,000

4,000

6,000

extrapoladas.
Ilustrao 1

Para a ilustrao anterior foram utilizados os dados da tabela 3.

(Ahv)
hv
Reta 1
Reta 2
1,29
2,068
1,29
-0,02
1,33
2,139
1,33
0,05
1,39
2,216
1,37
0,12
1,43
2,298
1,41
0,20
1,48
2,386
1,46
0,28
1,54
2,481
1,52
0,36
1,59
2,585
1,57
0,46
1,66
2,697
1,64
0,56
1,73
2,820
1,70
0,68
1,80
2,954
1,78
0,80
1,89
3,102
1,86
0,94
1,98
3,265
1,95
1,09
2,08
3,446
2,05
1,25
2,18
3,649
2,16
1,44
2,29
3,877
2,29
1,65
2,45
4,136
2,43
1,89
2,61
4,431
2,60
2,16
2,80
4,772
2,79
2,47
3,02
5,170
3,01
2,84
3,28
5,638
3,27
3,27
3,80
6,204
3,58
3,79

8,000

Relatrio Materiais Eltricos 201

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Derivadas 0,554903 0,919885
Tabela 3

Pela ilustrao e anlise dos dados, constatamos que o Band Gap tem
coordenada 5,63 no eixo X.

4. Concluso
Ao termino desta experincia pudemos verificar na prtica um
procedimento para determinar o band gap em semicondutores. Este
procedimento se deu atravs do espectrofotmetro de UV-vis que
mediu

Transmitncia

dos

raios

em

uma

soluo

com

semicondutores.
5.Referncias
O material utilizado como referncia foi o roteiro desta experincia que foi
disponibilizado pelo professor.