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DISPARO CON OSCILADOR DE RELAJACION

JORGE LUIS BOLIVAR CARMONA LAURA MARCELA CARRANZA FERNANDEZ JULIETH FLOREZ SIMANCA RICARDO JOS MORALES MEJIA

PRESENTADO AL INGENIERO: FARID MELENDEZ PERTUZ LABORATORIO DE ELECTRONICA III

CORPORACION UNIVERSITARIA DE LA COSTA CUC FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA BARRANQUILLA 2011

INTRODUCCION

En este informe nos proponemos a profundizar en el estudio de este tema de vital importancia en el cual hablaremos sobre un tipo de conmutacin que se realiza por medio de un rectificador controlado de silicio (SCR), analizaremos su forma de disparo en DC y AC. Su funcionamiento detallado y las variables necesarias para determinar el disparo en un SCR, hallaremos la corriente de disparo, de mantenimiento y de enganche del dispositivo con el que trabajaremos, luego observaremos su comportamiento en corriente alterna y hallaremos la resistencia necesaria para disparar el SCR en un ngulo determinado de la onda.

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL: Realizar el montaje de un oscilador de relajacin con UJT, utilizndolo como circuito de disparo de un SCR.

OBJETIVOS ESPECIFICOS: Calcular los valores de las distintas resistencias del circuito del oscilador de relajacin que determinan la frecuencia y el voltaje del diente de sierra generado en la salida del UJT.

Realizar el montaje del oscilador de relajacin y de una fuente rectificadora que servir de alimentacin para este circuito de disparo. Analizar el comportamiento de una lmpara utilizada como carga del SCR alimentado con una seal AC y observar detalladamente su atenuacin a causa de la variacin de frecuencia del diente de sierra.

Observar y analizar el comportamiento de la carga (Lmpara) al ser alimentada con 110V de AC y al variar el potencimetro del circuito de disparo del TRIAC.

1.

EL UJT (Unijunction Transistor)

Figura 1. Encapsulado de un UJT 2N2646

El transistor de uni-unin o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 2-a) aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10Kestando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la figura 2-b) est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 2-c), cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entran en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 2-d).

Figura 2. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) Modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) smbolo

1.1 Funcionamiento de un UJT El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 3 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Figura 3. Caractersticas elctricas de un UJT

Regin de corte: En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Regin de resistencia negativa: Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Regin de saturacin: Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 3 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

1.2 OSCILADOR DE RELAJACION El oscilador de relajacin, es el corazn de la mayora de los circuitos temporizadores y osciladores con UJT. Cuando el UJT se dispara, la residencia interna rB1 cae casi a cero, permitiendo el flujo de un pulso de corriente de la placa superior del CE a R1. Esto causa la aparicin de un pico de voltaje en la terminal B1, al mismo tiempo que el positivo que aparece enB1 otro igual pero negativo aparece en B2. Esto sucede que la cada repentina de rB1causa una reduccin tambin repentina, en la resistencia total entre Vs y tierra, y el siguiente incremento de la corriente a travs de R2. Este incremento de la corriente causa una cada mayor entre R2, creando un pico negativo en la terminal B2.

Esta ecuacin es bastante exacta, siempre y cuando el UJT tenga una h cercana a 0.63, lo que generalmente es el caso, a medida que la h se desva por encima o por abajo, la ecuacin se vuelve menos exacta. Una forma intuitiva de percibir la ecuacin, es recordando que un circuito RC se carga hasta un 63 % de un cambio de voltaje en una constante de tiempo. Si h = 0.63 para poder disparar el UJT, CE debe cargarse aproximadamente el 63 % del Vs. Esto requiere un tiempo de carga de una constante de tiempo. Dado que el disparo y el apagado subsecuente son ambos muy pequeos en comparacin con el tiempo de carga, el periodo total de las oscilaciones es aproximadamente igual a RECE. La razn de una inactividad de un UJT, se mantiene bastante estable con los cambios de temperatura, variando menos del 10 % en el rango operativo de -50 C a +125 C en los UJT de alta calidad, los osciladores de relajacin pueden hacerse estables a la frecuencia con una variacin del 1 % sobre el mismo rango de temperatura si se ajusta adecuadamente la R2.

La accin es semejante a la del oscilador de relajacin de cuatro capas. El capacitor se carga en Vcc, pero tan pronto como su voltaje excede el voltaje de rechazo, el UJT se cierra. Esto descarga el capacitor hasta que ocurre el apagado por insuficiencia de corriente, tan pronto como el UJT se abre, el siguiente ciclo se inicia, por ello, tenemos una salida diente de sierra. Cuando es disparado por un SCR Esta vez un oscilador de relajacin implementado con un UJT, la carga puede ser un motor, una lmpara, un calentador o algn otro dispositivo, variando R1 (que en este caso sera un preset), podemos cambiar la constante de tiempo RC, y alterar el punto en el cual dispara el UJT. Esto no nos permite controlar el ngulo de conduccin del SCR, lo que significa que estamos controlado la corriente de la carga. Un circuito como ste implica control de media onda debido a que el SCR est apagado durante los semi-ciclos negativos.

Figura 4. Ejemplo de circuito de disparo de un SCR utilizando un oscilador de relajacin con UJT

En este ejemplo se us un capacitor de 200 micros para controlar el tiempo de encendido del foco, a 1 minuto aproximadamente, con la resistencia variable (preset) de 344 k.

MATERIALES Y EQUIPOS

1 UJT 2N2646 1 SCR 106D 4 Caimanes 1 Protoboard 1 Fuente DC 20V 1 Transformador de 11VRMS 60Hz 1 Osciloscopio 1 Punta de Osciloscopio 1 Sonda

1 Lmpara de 120V 100W


1 Potencimetro de 47k Resistencias de 47, 330, 6.2k, 47K 1 Multimetro Capacitores de 0.1 f, 100 f

DESARROLLO DE LA PRCTICA

Figura 3. Diagrama del circuito de disparo con UJT El fabricante del UJT proporciona los valores para los parmetros principales del dispositivo, Se desea controlar el ngulo de disparo del SCR de 10 a 170 elctricos, por lo tanto, el rango de frecuencia de oscilacin estar dado por:

, Donde a es el ngulo de disparo y T es el periodo de la seal alterna.

De acuerdo a lo anterior, la frecuencia de oscilacin del circuito tendr que estar dentro del rango de 127 a 2160 Hz. A partir de todos los datos anteriores, es posible calcular el rango de la resistencia de emisor vlido para el circuito:

Se sugiere la escogencia de un capacitor de 0.01F para CE, y a partir de la siguiente frmula se puede despejar el valor de la RE ptima

Con este valor de CE se calculan los valores de RE que permitirn la oscilacin en las frecuencias requeridas.

Para controlar fcilmente el rango de variacin de RE, se coloca un arreglo serie de una resistencia y un potencimetro de , para asegurar la cobertura del control del ngulo de disparo. De esta forma, en la figura 3 se tiene:

Los valores de R1 y R2 se obtienen mediante las expresiones empricas, y estn dados por:

y El efecto esperado en la lmpara debe ser una variacin de su intensidad luminosa a medida que se vara el potencimetro que, finalmente, vara la frecuencia del oscilador por relajacin.

MONTAJES Y CALCULOS

IMAGEN 1. 1

IMAGEN 1 .2

IMAGEN 1 .3

IMAGEN 1 .4

IMAGEN 1.1 = CIRCUITO CON MAYOR INTRENSIDAD IMAGEN 1.2: CIRCUITO CON INTENSIDAD MEDIA IMAGEN 1.3: CIRCUITO CON INTENSIDAD BAJA IMAGEN 1.4: CON INTENSIDAD MINIMA

CALCULOS DEL UJT =

=6,9K

=3.033v Vv=3.033V

CONCLUSIONES En el oscilador de relajacin despus de hacer los debidos clculos, se observ que el margen de error que hubo entre el voltaje real del UJT y el calculado fue muy pequeo; as mismo ocurri al calcular la resistencia de la compuerta del SCR, pero que finalmente alcanz para llegar a la corriente de disparo y poder controlar el ngulo de ste mismo. Teniendo en cuenta los mtodos de disparo vistos anteriormente, se resalta la eficiencia que tiene este circuito oscilador ante ellos, ya que los disparos no se limitan hasta los 90 de la seal senoidal sino hasta casi los 180 de sta que representa medio ciclo positivo. La potencia de la carga es controlada entre un intervalo de valores mucho mayores que el de los 90. Tambin se obtuvo el objetivo planteado en esta prctica el cual era controlar la Luminosidad del bombillo.

BIBLIOGRAFIA

http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html http://www.galeon.com/konnan2001/OSCILADOR.HTML