Nombre: Luis Angel Molina Guzmn

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Memoria Flash: La memoria flash es una tecnologa de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive. Fue Fujio Masuoka en 1984, quien invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si comercializ la primera memoria flash de uso comn. Cmo funciona? Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin. Memoria flash de tipo NOR En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica

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de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. Memorias flash de tipo NAND Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. Tarjetas SD: Secure Digital (SD) es un formato de tarjeta de memoria inventado por Panasonic. Se utiliza en dispositivos porttiles tales como cmaras fotogrficas digitales, PDA, telfonos mviles, computadoras porttiles e incluso videoconsolas (tanto de sobremesa como porttiles), entre muchos otros. Funcionamiento: Todas las tarjetas de memoria SD y SDIO necesitan soportar el antiguo modo SPI/MMC que soporta la interfaz de serie de cuatro cables ligeramente ms lenta (reloj, entrada serial, salida serial y seleccin de chip) que es compatible con los puertos SPI en muchos microcontroladores. Muchas cmaras digitales, reproductoras de audio digital y otros dispositivos porttiles, probablemente utilicen exclusivamente el modo MMC. La documentacin para este modo

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se puede comprar en MMCA por 500 USD; sin embargo, la documentacin parcial para SDIO es libre y existe documentacin libre disponible para tarjetas de memoria como parte de las hojas de especificacin de algunos fabricantes. El modo MMC no proporciona acceso a las caractersticas propietarias de cifrado de las tarjetas SD y la documentacin libre de SD no describe dichas caractersticas. La informacin del cifrado es utilizada primordialmente por los productores de medios y no es muy utilizada por los consumidores quienes tpicamente utilizan tarjetas SD para almacenar datos no protegidos. Existen 3 modos de transferencia soportados por SD: Modo SPI: entrada separada serial y salida serial. Modo un-bit SD: separa comandos, canales de datos y un formato propietario de transferencia. Modo cuatro-bit SD: utiliza terminales extra ms algunos terminales reasignados para soportar transferencias paralelas de cuatro bits. Las tarjetas de baja velocidad soportan tasas de transferencia de 0 a 400 Kbps y modo de trasferencia un-bit SD, mientras que las tarjetas de alta velocidad soportan tasas de transferencia de 0 a 100 Mbps en el modo de cuatro-bit, y de 0 a 25 Mbps en el modo unbit SD. MicroSD: Las tarjetas microSD o Transflash corresponden a un formato de tarjeta de memoria flash ms pequea que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada por la Asociacin de Tarjetas SD1 bajo el nombre de microSD en julio de 2005. Mide tan solo 15 11 1 milmetros, lo cual le da un rea de 165 mm. Esto es tres veces y media ms pequea que la miniSD, que era hasta la aparicin de las microSD el formato ms pequeo de tarjetas SD, y es alrededor de un dcimo del volumen de una SD card. Sus tasas de Transferencia no son muy altas, sin embargo, empresas como SanDisk han trabajado en ello, llegando a versiones que soportan velocidades de lectura de hasta 10 Mbit/s. Debido a que su coste como poco duplica el de una Secure Digital equivalente, su uso se cie a aplicaciones donde el tamao es crtico, como los telfonos mviles, sistemas GPS o tarjetas Flash para consolas de mano (como GameBoy Advance, Nintendo DS o Nintendo DSi). MiniSD: MiniSD es un formato de tarjeta de memoria. Presentada por primera vez por SanDisk en CeBIT 2003, el miniSD se uni a la Memory Stick Duo y xD-Picture Card en cuanto a dispositivos pequeos.

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La tarjeta miniSD fue adoptada en 2003 por la Asociacin de Tarjetas SD (SD Card Association) como una extensin de tamao ultrapequeo para el estndar de tarjeta SD. Dado que las nuevas tarjetas se disearon especialmente para ser usadas en telfonos mviles, estn envueltas por un adaptador miniSD que permite la compatibilidad con todos los dispositivos equipados con una ranura de tarjeta SD. Cdigo EBCDIC EBCDIC (Extended Binary Coded Decimal Interchange Code) es un cdigo estndar de 8 bits usado por computadoras mainframe IBM. IBM adapt el EBCDIC del cdigo de tarjetas perforadas en los aos 1960 y lo promulg como una tctica customercontrol cambiando el cdigo estndar ASCII. EBCDIC es un cdigo binario que representa caracteres alfanumricos, controles y signos de puntuacin. Cada carcter est compuesto por 8 bits = 1 byte, por eso EBCDIC define un total de 256 caracteres. Existen muchas versiones ("codepages") de EBCDIC con caracteres diferentes, respectivamente sucesiones diferentes de los mismos caracteres. Por ejemplo al menos hay 9 versiones nacionales de EBCDIC con Latn 1 caracteres con sucesiones diferentes. El siguiente es el cdigo CCSID 500, una variante de EBCDIC. Los caracteres 0x000x3F y 0xFF son de control, 0x40 es un espacio, 0x41 es no-saltar pgina y 0xCA es un guion suave.
40 50 60 70 80 90 A0 B0 C0 D0 E0 F0 0 1 2 & - / a b j k ~ s { AB } J K \ S 0 1 2 3 c l t C L T 3 4 d m u D M U 4 5 e n v E N V 5 6 f o w F O W 6 7 g p x G P X 7 8 h q y H Q Y 8 9 ` i r z I R Z 9 A [ ] : B . $ , # | C < * % @ D ( ) _ ' E + ; > = F ! ^ ? "

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SPI/MMC El Bus SPI (del ingls Serial Peripheral Interface) es un estndar de comunicaciones, usado principalmente para la transferencia de informacin entre circuitos integrados en equipos electrnicos. El bus de interfaz de perifricos serie o bus SPI es un estndar para controlar casi cualquier dispositivo electrnico digital que acepte un flujo de bits serie regulado por un reloj. Incluye una lnea de reloj, dato entrante, dato saliente y un pin de chip select, que conecta o desconecta la operacin del dispositivo con el que uno desea comunicarse. De esta forma, este estndar permite multiplexar las lneas de reloj. Muchos sistemas digitales tienen perifricos que necesitan existir pero no ser rpidos. La ventajas de un bus serie es que minimiza el nmero de conductores, pines y el tamao del circuito integrado. Esto reduce el coste de fabricar montar y probar la electrnica. Un bus de perifricos serie es la opcin ms flexible cuando se tiene tipos diferentes de perifricos serie. El hardware consiste en seales de reloj, data in, data out y chip select para cada circuito integrado que tiene que ser controlado. Casi cualquier dispositivo digital puede ser controlado con esta combinacin de seales. Los dispositivos se diferencian en un nmero predecible de formas. Unos leen el dato cuando el reloj sube otros cuando el reloj baja. Algunos lo leen en el flanco de subida del reloj y otros en el flanco de bajada. Escribir es casi siempre en la direccin opuesta de la direccin de movimiento del reloj. Algunos dispositivos tienen dos relojes. Uno para capturar o mostrar los datos y el otro para el dispositivo interno.