ThèseprovisoireFLafon V2010 12 07

Table des matires
Introduction gnrale
1.1 Bases de la CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 1.1.2 Dnition gnrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sources de perturbation 1.1.2.1 1.1.2.2 1.1.3 1.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
10 10 11 11 12 14 15 15 19
Sources naturelles
Sources articielles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Formulation d'un problme CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Orientation de nos travaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 1.2.2 Spcicits du domaine automobile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Positionnement de nos travaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modlisation des composants

2.1 Modlisation des composants passifs 2.1.1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
26 27 29 42 50 52 53 54 54 56 57 57 59 59 61 68 73 76 76
Caractristiques et modlisation des condensateurs . . . . . . . . . . 2.1.1.1 2.1.1.2 2.1.1.3 Condensateurs cramiques . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Condensateurs lectrolytiques . . . . . . . . . . . . . . . . . Condensateurs Tantales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2
Caractristiques et modlisation des rsistances . . . . . . . . . . . . 2.1.2.1 2.1.2.2 Eet de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Synthse - Modlisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.3
Caractristiques et modlisation des inductances 2.1.3.1 2.1.3.2 2.1.3.3
Ferrites CMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Eet thermique et non linarit . . . . . . . . . . . . . . . . Discussion sur la modlisation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.4
Construction des modles par la mesure 2.1.4.1 2.1.4.2 2.1.4.3 2.1.4.4
tat de l'art de la mesure d'impdance
Prcisions de mesure d'impdance l'analyseur de rseau Pratiques de l'extraction des modles
. . . . . . . . . . . .
Mthode alternative . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2
Modlisation de l'immunit des composants actifs . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 tat de l'art de la modlisation des composants . . . . . . . . . . . . 1
Table des matires

2.2.1.1 2.2.1.2 2.2.2 Modlisation de l'mission des composants - ICEM . . . . . Modlisation de l'immunit des composants . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
76 81 88 88 89 89 95
Dveloppement d'une structure de modle d'immunit 2.2.2.1 2.2.2.2 2.2.2.3 2.2.2.4 2.2.2.5
Contraintes poses et fonctions du modle d'immunit . . . Structure du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Extraction et caractristiques du PDN . . . . . . . . . . . . Extraction de la puissance transmise - cas gnral (IB) . . . Processus d'extraction et de validation du modle
. . . . . 104
2.2.3
Validation de la dmarche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 2.2.3.1 2.2.3.2 2.2.3.3 2.2.3.4 tude dtaille sur inverseur 74HCT14 . . . . . . . . . . . 104
Synthse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 Vers une approche semi empirique . . . . . . . . . . . . . . 117
Cas particulier des entres direntielles (IB) . . . . . . . . 120
Travaux au niveau du PCB

3.1
127
Dveloppement d'un PCB de test gnrique des CI . . . . . . . . . . . . . . 128 3.1.1 Schma gnrique appliqu sur chaque broche du composant . . . . . 128 3.1.1.1 3.1.1.2 3.1.1.3 3.1.1.4 3.1.2 Chemin d'injection pour la DPI. Bias Tee. . . . . . . . . . . . . . . . 129
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
Conguration en TLP Kit de calibrage
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
Ralisation de la carte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136 3.1.2.1 3.1.2.2 Adaptation des pistes 50
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
Ralisation physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
3.2
Modlisation des pistes sur PCB 3.2.1
Comportement des paramtres RLCG du PCB FR4 pour la modlisation 3.2.1.1 3.2.1.2 3.2.1.3 3.2.1.4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140 Rsistance R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
Inductance L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 Capacit C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146 Conductance G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
3.2.2
Techniques de modlisation des pistes sous Pspice . . . . . . . . . . . 150 3.2.2.1 3.2.2.2 3.2.2.3 3.2.2.4 Modle de ligne sans pertes (T) . . . . . . . . . . . . . . . . 151 Modle de ligne avec pertes (Tlossy) . . . . . . . . . . . . . 151 Modle dvelopp 1 - Branin Modle dvelopp 2 - Wheeler . . . . . . . . . . . . . . . . 152 . . . . . . . . . . . . . . . 153
3.2.3
Extraction des paramtres pour la modlisation . . . . . . . . . . . . 155 3.2.3.1 3.2.3.2 Approche thorique Limitations pratiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
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3.2.3.3 Technique d'extraction retenue pour la modlisation des pistes 3.2.4
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158 . . . . 160
Comparatif des modles pour l'exploitation des rsultats DPI 3.2.4.1 3.2.4.2 3.2.4.3 Mise en application des modles Comparatifs
. . . . . . . . . . . . . . . 161
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
Synthse sur la modlisation du chemin d'injection . . . . . 165 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
3.2.5 3.3
Modlisation sur produits
Impdance de mode commun 3.3.1 3.3.2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
tat de l'art . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171 Dimensionnement des lments 3.3.2.1 3.3.2.2 3.3.2.3 Capacit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
Inductance Rsistance
3.3.3 3.3.4
Inuence de la structure de la masse PCB . . . . . . . . . . . . . . . 185 Synthse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
Simulation au niveau quipement et systme

4.1 Modlisation des couplages 4.1.1
191
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
Modlisation du test BCI 4.1.1.1 4.1.1.2 4.1.1.3 4.1.1.4 4.1.1.5 4.1.1.6 Introduction
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
Modlisation de l'amplicateur . . . . . . . . . . . . . . . . 193 Modlisation de la batterie et du RSIL . . . . . . . . . . . 195
Modlisation du cblage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203 Modlisation de la pince d'injection . . . . . . . . . . . . . 209
Validations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
4.1.2
Modlisation du test d'immunit au champ rayonn . . . . . . . . . . 221 4.1.2.1 4.1.2.2 4.1.2.3 4.1.2.4 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
Modlisation - bases thoriques . . . . . . . . . . . . . . . . 222 tude sur le couplage sur 1 l . . . . . . . . . . . . . . . . 223 . . . . . . . . . 226
tude du couplage sur un faisceau complet
4.2
Cas d'tudes - Exploitations et validations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228 4.2.1 Cas d'tude 1 - Capteur eet Hall sur structure Lead Frame . . . . . 228 4.2.1.1 4.2.1.2 4.2.1.3 4.2.1.4 4.2.2 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228 . 229
Caractrisation et modlisation de l'immunit du capteur Simulation du test quipement
. . . . . . . . . . . . . . . . 231
Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
Cas d'tude 2 - tude de l'inuence des composants actifs Vs passifs sur la abilit des quipements 4.2.2.1 4.2.2.2 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
Prsentation du cas d'tude . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
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4.2.2.3 4.2.2.4 4.2.2.5 4.2.3 Rsultats
4
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
Quelques mots sur l'mission... . . . . . . . . . . . . . . . . 242 Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
tude de la susceptibilit d'un capteur capacitif . . . . . . . . . . . . 245 4.2.3.1 4.2.3.2 Prsentation de la dmarche de conception . . . . . . . . . 245
valuation de la susceptibilit du composant sur ses dirents accs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247
4.2.3.3
Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
Conclusions
255 259
A Synthse bibliographique sur les lignes de transmission

A.1
Caractristiques des lignes de transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259 A.1.1 quations fondamentales en frquentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 A.1.1.1 A.1.1.2 A.1.2 Facteur d'attnuation Facteur de phase
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263 . . . . . . . . . . . . . 263
Manipulations des quations A.1.2.1 A.1.2.2 A.1.2.3
Simplications en hautes frquences
Exploitation de mesures CO / CC pour caractriser la ligne 263 Calcul impdance ramene . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
B Modlisation et exploitation du gnrateur TLP

B.1 B.2 Principe et utilisation du gnrateur TLP Modlisation B.2.1 B.2.2
267
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269 Modlisation des blocs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270 B.2.2.1 B.2.2.2 B.2.2.3 Bloc d'alimentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
Bloc ligne de transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271 Bloc relais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
B.2.3 B.3
Validation du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
Optimisation de la conguration de mesure B.3.1 B.3.2
Phnomnes de rexions multiples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275 Mesures des courant / tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
B.4
Ralisation physique
C valuation de la mutuelle inductance entre deux condensateurs cramiques

C.1 C.2 Principe de la caractrisation Rsultats
283
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
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Remerciements
Dans la vie, les hommes sont tributaires les uns des autres. Il y a donc toujours quelqu'un maudire ou remercier. Madeleine Ferron
Au premier abord, la page des remerciements dans une thse semble souvent tre une formalit ou une obligation... Pourtant dans toutes les thses que j'aurais pu lire jusqu' aujourd'hui, j'ai toujours pris du plaisir lire ces pages, car elles retent souvent le fait qu'avant d'tre une aventure scientique c'est avant tout une aventure humaine... Et que derrire une thse il y a toujours une histoire, parfois longue avec des bonheurs mais aussi parfois des douleurs. Je vais donc, mon tour cette fois, raconter ici une partie de mon histoire humaine... Sur ces 3 annes de thse. Je vais tout d'abord remercier les personnes qui m'auront pouss progresser dans ma vie professionnelle et qui m'auront permis d'arriver jusque l. Parmi ces personnes, qui sont aussi devenues au l du temps des amis trs chers, il y a tout d'abord Olivier Maurice, mon pre CEM spirituel. Qu'il trouve ici toute l'expression de ma reconnaissance, pour son soutien de toujours, du temps de VALEO et au del, pour m'avoir pouss reprendre mes tudes et voluer comme jamais je n'aurais pu l'imaginer ou l'esprer il y a 15 ans. Merci pour son amiti, ses conseils et pour nos grandes discussions tenter de refaire le monde de la CEM. Merci aussi pour sa prsence dans les moments diciles que j'ai travers pendant ces dernires annes. Merci aussi un autre ami trs cher, Jean Luc Levant, qui aura t un exemple pour moi, en se lanant en premier dans l'aventure d'une thse en tant dj chez ATMEL depuis quelques dizaines ( ?) d'annes, et qui m'aura fait simplement me demander : et pourquoi pas moi aussi ? . Je le remercie de m'avoir pouss dans cette direction, pour son soutien et ses critiques toujours mesures avec son regard d'industriel averti. Merci pour son amiti et sa prsence dans les moments o l'on doute de tout, et o l'on se laisserait aller du ct obscure de la force... Ensuite, pour faire une thse, il faut avoir des encadrants, et je remercie de tout coeur Mohamed Ramdani mon co-directeur de thse, pour m'avoir spontanment propos de m'aider et de jouer ce rle dans cette aventure. Merci pour sa grande disponibilit, ses conseils... Et son th marocain au bord de la piscine ! Je sais que je n'ai pas t toujours facile suivre, alors encore plus merci de sa patience et de sa prsence. Merci Mhamed Drissi pour avoir accept d'encadrer cette thse et pour m'avoir oert un cadre de travail souple et adapt mon organisation professionnelle. Je le remercie de m'avoir accord sa conance et laiss si autonome au l de ces annes.
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Vouloir faire une thse est une chose... Que l'entreprise dans laquelle on est, accepte de vous laisser le temps de vous y consacrer est quelque chose d'une telle raret que je me dois de reconnatre la chance que j'ai eu d'avoir prs de moi des gens comme Franois de Daran mon responsable mais avant tout mon camarade de labo depuis 10 ans, qui aura appuy ma demande. Mon matre comme s'amuse dire mon ls... Merci de ta gentillesse, de ta conance et de ta comprhension dans les moments diciles o je n'tais plus moi mme et o tu auras juste t patient, sans juger, sans critiquer.... Merci aussi Marie Bourdais, ma DRH prfre, qui m'aura embauch, qui m'aura permis de reprendre mes tudes, et qui, il y a trois ans m'aura autoris me lancer dans l'aventure de la thse. Elle m'aura tant oert en opportunits de carrire et d'volutions au sein de VALEO, que je la remercie trs sincrement.
Le problme... mon problme est que j'ai t (d)form par un certain Olivier Maurice, et que je crois avoir pris beaucoup de traits de son caractre et de son comportement dans le travail. Olivier a toujours aim changer et discuter de ce qu'il faisait, ou avait simplement le plaisir de transmettre aux autres. Je pense avoir moi aussi hrit de cette attitude, et je pense avoir compris une chose essentielle. La CEM, tout comme d'autres domaines certainement, repose sur l'change entre les gens. On ne fait pas de CEM tout seul dans son coin, sinon on ne progresse pas. Je l'ai bien compris, et du coup ai beaucoup partag sur mon travail avec tellement de personnes, qui m'auront en retour toujours apport un petit quelque chose... Un encouragement, un conseil, une ide magique... Il va tre dicile de remercier toutes ces personnes qui ont crois mon chemin et celui de ma thse un moment donn ou un a un autre. Mais je vais et me dois d'essayer de remplir cette tche ! en esprant n'oublier et ne blesser personne...
Le sujet de ma thse est vaste, en partant du composant et en allant jusqu'au systme. Du coup chaque sujet je me suis tourn vers des collgues, confrres, amis, spcialistes de chaque domaine, pour avoir toujours un regard critique d'expert !
Alors dans le registre des composants, merci Mohamed encore une fois, ainsi qu' Richard Perdriau pour leur intrt, leur temps et conseils. Merci beaucoup Etienne Sicard, pour son intrt dans mes travaux et pour ses conseils. Merci Laurent Caves, mon expert Spice prfr qui m'aura aid dans les subtilits d'utilisation du logiciel. Merci mes collgues du labo, Renaud, Younes, Raed, Imad, Jeremy, Bruno pour leur prsence et aide au quotidien sur tant de petits sujets... peut tre anecdotiques pour eux sur le coup... mais je n'oublie pas.
Merci Marco Klingler de PSA pour son aide notamment pour la partie sur le cblage, pour avoir partag de son savoir dans ce domaine, et pour avoir mis ma disposition les faisceaux utiliss pour mes travaux. Merci Xavier Bunlon de Renault, pour sa gentillesse,
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Table des matires
son intrt dans mes travaux et pour nous avoir fait conance dans les tudes au niveau systme et vhicule que nous lui avons propos. Merci mes confrres du groupe UTE 47A, pour leurs commentaires et discussions parfois interminables sur ce qu'est un modle d'immunit ! Le conit reste une bonne chose qui permet de progresser, si on accepte de se remettre en question... Merci Christian Marot d'EADS en particulier sur ce point.
Dans l'organisation dans laquelle j'tais VALEO, il n'tait pas toujours facile de conserver le temps ncessaire la thse... toujours des projets en crise... et quelle crise que celle de 2009 o mon travail de thse commenait gnralement 8 heures le soir jusque parfois tard dans la nuit ! Durant cette dure priode j'aurais us quelques stagiaires et apprentie pour m'aider continuer avancer malgr la conjoncture. Merci ces petites mains... Et en particulier Sophie Rigour, mon apprentie qui aura suivi toute cette thse de trs prs durant ces trois annes et qui aura pris le relais sur tant de manips. Merci d'avoir fait autant lorsque je ne pouvais plus bouger, et d'avoir travaill d'arrache pied pour faire avancer les choses. Merci Pierre Pagnard pour son aide sur mes travaux relatifs aux tudes sur le cblage. Et thanks so much to Sjoerd Op't Land, one of the most fantastic trainee I ever had ! ! with this systematic question : But... why ? explain to me !. Il m'aura pouss dans mes plus profonds retranchements pour rpondre toutes ses interrogations existentielles, en cherchant comprendre tout ce que j'ai pu faire ou crire pour ma thse... Il m'aura vraiment pouss aller aux bouts des choses et me justier sur tant de points qui me paraissaient vidents, mais qui ne l'taient pas tant que a au nal. Merci enn Jrme, mon dernier stagiaire dans le cadre de cette thse, pour son travail sur la modlisation du couplage champ l. J'ai toujours pens qu'avoir des stagiaires et donner des cours taient des choses trs formatrices et enrichissantes... Ces personnes me l'ont bien prouv, et je les remercie aussi pour a.
Je sais que j'ai un style d'criture particulier... Avec souvent des phrases longues et avec une envie de toujours tre prcis et complet... Peut tre un peu trop je le pense, et je le sais. Alors je voudrais remercier les personnes qui auront accepter de faire partie de mon Jury de thse et qui auront eu la lourde tche de relire toutes ces pages de ce style personnel. Merci Franoise Paladian, et Christian Vollaire d'avoir accept d'tre rapporteurs, ainsi qu' Franck Leferink, examinateur, qui aura de plus fait l'eort de s'adapter au franais...
Au cours de cette aventure, aprs une rupture du tendon d'Achille (et lui je ne le remercie pas !) je me suis retrouv bloqu pendant presque 5 mois la maison. Durant cette priode trs dicile, je remercie tous mes proches et tout ceux qui m'ont soutenu, aid dans la vie quotidienne et russi me remotiver pour relever la tte et faire le maximum de ce que je pouvais distance. Merci ma maman, ma soeurette, et Sandra, qui aura ni par rver de rsonance magntique... j'espre ne pas l'avoir traumatise pour le restant de nos jours... et ne pas l'avoir trop eraye quand je me rveillais le matin en lui racontant
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Table des matires
mes rves sur la page 247 du bouquin de Tesche... Lorsque l'on croit toucher au but, il reste encore et toujours des corrections faire, des dossiers remplir, et je remercie aussi ces personnes pour leurs encouragements sur cette dernire ligne droite, ainsi que Sarah Zamia pour son aide prcieuse et grande discussion o chaque mot du rsum aura t pes et discut.
Merci Aurore, mon amie toujours prsente dans tous mes bonheurs et malheurs... Merci pour ses encouragements et ses nombreuses corrections.
Enn, il y en a qu'on oublie souvent mais qui m'auront aussi beaucoup apport, car la technique n'est pas la seule chose dont on a besoin pour avancer. Le regard et l'amour des enfants est aussi une arme puissante. Merci mon ston, er d'avoir un papa qui sera bientt Docteur, et qui aime bien ces jolies animations qu'on fait sous CST Microwave ! Une pense aussi pour ma petite lle Cathy... trop petite pour parler et pour comprendre tout cela (mme les animations CST...). Mais ces petits bonheurs, d'un sourire, d'un papa prononc, donnent aussi tant de baume au coeur quand les tches de la rdaction ou de la grande rexion recommencent.
Merci Quentin et Laura, futurs experts CEM en herbe de 6 et 9 ans, pour leur curiosit et petits mots d'enfants, tantt rconfortants, tantt stimulants.
Je ddie cette thse mes enfants, Cathy et Lo. Qu'ils me pardonnent pour le temps que je n'aurais pas pass avec eux... mme si je pense avoir toujours fait en sorte de ne jamais les ngliger du fait de cette montagne de travail qu'est une thse... Non ! pas pour a ! ! ! Et enn, je ddie aussi cette thse mon pre, parti trop tt, et qui aurait t er de moi... je pense. Et comme dirait ma Sandra : Et bah a, c'est fait !... Mais que vais je faire maintenant ? ? Ah oui ! une HDR ;-)... A suivre.
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Chapitre 1
Introduction gnrale
Le monde que nous avons cr est le rsultat de notre niveau de rexion, mais les problmes qu'il engendre ne sauraient tre rsolus ce mme niveau - Albert Einstein
1.1. Bases de la CEM
10
1.1 Bases de la CEM

1.1.1 Dnition gnrale
Nous repartirons ici de la dnition gnrale de ce qu'est la CEM, tel que dnie dans le dcret Franais :
"La compatibilit lectromagntique c'est l'aptitude d'un dispositif, d'un appareil ou d'un systme fonctionner dans son environnement lectromagntique, de faon satisfaisante et sans produire lui-mme des perturbations lectromagntiques de nature crer des troubles graves dans le fonctionnement des appareils ou des systmes situs dans son environnement".
La Figure 1.1 illustre assez bien le type de problmatique que la compatibilit lectromagntique se doit d'adresser et que nous allons aborder dans une certaine mesure.
Figure 1.1 Illustration d'un problme de CEM

Dans la dnition gnrale ressortent les deux aspects que regroupe la CEM, savoir les notions d'immunit et d'mission. L'immunit correspond l'aptitude d'un quipement rsister aux perturbations de l'environnement. L'mission correspond au fait qu'un quipement peut gnrer lui mme des perturbations vers l'environnement. Dans le cadre de cette thse nous nous focaliserons sur les aspects immunit, mme si nombre de techniques dveloppes dans le cadre de nos travaux seront tout autant utilisables pour des problmatiques d'mission. Se limiter aux aspects immunit reprsente encore un vaste domaine, que nous allons encore restreindre, aprs avoir pouss notre description de ce qu'est la CEM, et en particulier des direntes sources de perturbations que l'on peut rencontrer.
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11
1.1.2 Sources de perturbation

L'environnement lectromagntique est compos d'un ensemble consquent de sources varies qu'il est parfois dicile de catgoriser. Pour commencer rappelons que ds que l'on a entre deux lments de structure, une dirence de potentiel ou une circulation de courant, il y a cration d'un champ lectromagntique. Ces tensions / courants peuvent tre constants, ou varier avec le temps. Cela regroupe par consquent un vaste champ de sources que l'on peut rpartir comme propos Figure 1.2. Il y a d'un ct les sources de perturbations naturelles, et de l'autre les sources articielles.
Sources perturbations
Naturelles
Artificielles
Terrestres
- Champ magntostatique - Atmosphrique - Foudre -ESD -Bruit thermique
Extra-terrestres
Intentionnelles
Non intentionnelles
-Bruit numrique -Applications puissance -Lies aux sources intentionnelles - Machines
-Radiations cosmique -Soleil
-Systmes radio communication (TV, radio, GSM, CB) -Radars -HEMP (IEMN)
Figure 1.2 Caractrisation de l'environnement lectromagntique

1.1.2.1 Sources naturelles
Parmi les sources naturelles, il y a videmment le champ magntique terrestre. galement appel champ magnto-statique de part une constante de temps de l'ordre de 200 000 annes) [Degauque 07]. Son intensit est de l'ordre de 60 T aux ples et de 30 T l'quateur. Dans cette catgorie, les autres sources les plus connues et contraignantes sont videmment les phnomnes atmosphriques, la foudre, et les dcharges lectrostatiques (ESD ). La foudre, tout comme l'ESD, correspondent des transferts de charges entre deux corps des potentiels dirents. La foudre correspond des transferts de charges entre nuages ou entre un nuage et le sol. Ds que l'on dpasse des dirences de potentiel engendrant des champs proches au champ de claquage (environ 10
6 V/m), le transfert de
charges s'amorce pour rtablir l'quilibre. Les courants dont on parle ici sont de l'ordre de 80 kA pour les arcs entre nuages et jusqu' 300 kA, pour les phnomnes nuage / sol
1. Electro Static Discharge

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12
[Degauque 07]. Les temps de monte sont de l'ordre de la dizaine ou centaine de microsecondes. Dans le cas de l'ESD, le phnomne apparat entre deux corps conducteurs chargs des potentiels dirents, principalement par phnomnes de tribolectrication ou de charge par inuence. Ds que la charge accumule engendre un champ lectrique dpassant la rigidit dilectrique de l'air (de l'ordre de 1 3 kV/mm suivant le taux d'humidit), le transfert de charges s'amorce. Le courant de dcharge dpend fortement des corps en prsence (Un corps mtallique aura une faible rsistance, alors que le corps humain principal acteur dans l'apparition de phnomnes ESD, peut ramener des rsistances d'coulement de l'ordre de quelques k). Les impulsions produites par les personnes peuvent atteindre des courants de l'ordre de la vingtaine d'ampres, avec des temps de monte de l'ordre de la nanoseconde.
1.1.2.2
Sources articielles
Parmi les sources articielles, il y a d'une part tout ce qui est cr intentionnellement par l'homme, pour assurer des fonctions de radio communication ou de dtection radar. Parmi ces systmes, il y a videmment tout ce qui concerne la tlvision, la radio FM / AM, les radiocommunications GSM, les radars aronautiques ou maritimes etc. La liste de tous ces systmes est impressionnante et toutes les applications existantes se rpartissent sur un spectre de quelques Hz plusieurs dizaines, voire centaines de GHz. La particularit ici est que ce paysage volue rapidement, et que de nouvelles applications apparaissent tous les jours avec des niveaux de puissance plus ou moins levs... Cette volution permanente sera une des principales dicults, tant quelque part un frein la matrise de notre environnement. Tous ces systmes de communications reprsentent des sources de perturbations potentielles pour les quipements n'exploitant pas ces signaux (On parle ici d'quipement mais il peut s'agir de fonctions lmentaires d'un quipement, avec des problmes notamment d'auto compatibilit si l'on se situe dans le cas o l'metteur de la perturbation et le circuit potentiellement victime sont intgrs dans le mme quipement). Devant la densit de ces sources de perturbation, et des risques lis l'exposition des personnes aux champs lectromagntiques, des institutions organisent des campagnes de mesures travers toute la France et permet d'obtenir des ordres de grandeur sur les niveaux de champ que l'on peut rencontrer dans notre environnement [Car 09].
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Figure 1.3 Extrait du site www.cartoradio.fr

Rsultats des mesures ralises l'analyseur de spectre
Relev des mesures ralises sur toutes les frquences dont le niveau est suprieur au 1/1000me de la valeur limite fixe par le dcret du 3 mai 2002
Frquence (en MHz) 0,1300 0,1600 41,6000 42,1000 52,3000 53,2000 93,9000 100,4000 117,5000 120,5000 935,6000 937,2000 1 641,5000 1 668,7000 1 806,6000 1 811,4000 1 890,1000 1 890,7000 2 157,2000 2 414,4000 2 448,5000
Service
Ei= Champ lectrique efficace moyen (en V/m) 0,0546 0,0437 0,0079 0,0075 0,0074 0,0075 0,0053 0,0057 0,0105 0,0109 0,0381 0,1008 0,0060 0,0061 0,0073 0,0072 0,0247 0,0095 4,0755 0,2284 0,0826
Valeur limite (en V/m) 87,00 87,00 28,00 28,00 28,00 28,00 28,00 28,00 28,00 28,00 42,06 42,09 55,71 56,17 58,44 58,52 59,78 59,79 61,00 61,00 61,00
Niveau du Champ Electrique mesur par rapport la valeur limite fixe par le dcret du 3 mai 2002
HF HF PMR PMR TV TV FM FM PMR Balises PMR Balises GSM 900 GSM 900 Radars DAB Radars DAB GSM 1800 GSM 1800 DECT DECT UMTS Radars BLR-FH Radars BLR-FH
1594 fois infrieur 1993 fois infrieur 3551 fois infrieur 3712 fois infrieur 3763 fois infrieur 3712 fois infrieur 5302 fois infrieur 4932 fois infrieur 2659 fois infrieur 2563 fois infrieur 1104 fois infrieur 417 fois infrieur 9359 fois infrieur 9200 fois infrieur 8035 fois infrieur 8162 fois infrieur 2421 fois infrieur 6264 fois infrieur 15 fois infrieur 267 fois infrieur 739 fois infrieur
4,0849 V/m
28,00 V/m
est la valeur limite la plus faible fixe par le dcret du 3 mai 2002
Figure 1.4 Extrait mesures www.cartoradio.fr

Un autre cas particulier d'mission intentionnelle, concerne toutes les applications mdicales d'imagerie, tel que l'IRM (Imagerie Rsonance Magntique). Dans ce domaine, les intensits de champs magntiques utilises sont comprises entre 0,1 et 3 Tesla, avec des
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intensits suprieures 17 Tesla pour l'tude de spcimens murins
14
et petits animaux, et
jusqu' 11,7 Tesla pour les tudes pr-cliniques et cliniques sur l'homme. Enn, notons que des impulsions lectromagntiques peuvent tre utilises en tant qu'arme. Ce sera le cas en particulier de l'IEMN . Enn, les applications HPM
peuvent
galement tre utilises des ns militaires et en particulier pour des actions de dminage. Les sources non intentionnelles sont bien souvent drives des sources intentionnelles. Tout composant lectronique peut gnrer des missions parasites (nous en reparlerons dans la partie sur les composants), ou des perturbations correspondant au spectre d'harmoniques gnres par des signaux fonctionnels, tel que des PWM
pour des commandes de moteur
par exemple. Les commutations de machines, les systmes d'allumage etc. sont autant de sources d'missions parasites qui constituent notre environnement.
1.1.3 Formulation d'un problme CEM

Lorsque l'on a traiter un problme de CEM, on se raccroche systmatiquement une dcomposition de la problmatique en trois tapes (Figure 1.5).
Aspect Immunit Perturbation Couplage Victime
Aspect missions Sources Couplage Environnement
Figure 1.5 Formulation d'un problme CEM

Pour l'immunit, on considre que la perturbation interagit avec l'quipement (la victime), par un mcanisme de couplage. Pour l'mission, l'quipement est dsormais la source, et interagit avec l'environnement, de la mme manire par un mcanisme de couplage. Pour traiter un problme de CEM, on peut alors agir (suivant les possibilits), sur une seule, deux ou trois des tapes dnies. C'est ce que l'on appelle la rpartition de la contrainte CEM au sein d'un systme. Dans le cas o l'on dveloppe un systme intgrant la fois la source de perturbation et le circuit victime, il est possible par exemple :
De diminuer le niveau de la source de perturbation, en diminuant la frquence de fonctionnement d'un PWM ou simplement son amplitude par exemple, ou encore en
2. 3. 4. 5.
Espce de petite chauve souris trs utilise en recherche mdicale Impulsion Electro Magntique d'origine Nuclaire High Power Microwave Pulse Width Modulation
7 dcembre 2010
1.2. Orientation de nos travaux
15
couchant les fronts pour les plus hautes frquences. Toutes ces techniques, si elles peuvent tre mises en oeuvre, permettront de rduire la source de perturbation. De rduire le couplage entre perturbateur et victime, en jouant sur la distance entre ces deux lments en cas de couplage rayonn, en plaant les faisceaux plus proches de la carrosserie pour rduire les niveaux de perturbation coupls... De durcir la victime, en intgrant des ltrages permettant de protger l'quipement, ou d'utiliser des composants intrinsquement plus robustes aux perturbations lectromagntiques.
En fonction des situations, on peut donc intervenir un ou plusieurs niveaux. Cette dcomposition sera galement la base pour le dveloppement de la simulation, o des modles pourront tre dvelopps pour chacune de ces briques lmentaires. Ceci reprsente en quelques sortes le plan de notre thse.
1.2 Orientation de nos travaux

1.2.1 Spcicits du domaine automobile
Les spcicits du domaine automobile rsident dans le fait qu'un vhicule peut se dplacer a priori n'importe o, et que l'on peut embarquer dans l'habitacle n'importe quel type d'metteur (notamment des tlphones portables qui peuvent tre placs n'importe o dans l'environnement vhicule). Cela reprsente par consquent des environnements lectromagntiques potentiellement intenses et proches des quipements, que l'on doit prendre en compte dans le durcissement des produits, et expliquant en quelques sortes les exigences des cahiers des charges automobiles que l'on compare souvent aux exigences du domaine militaire (pour les aspects immunit et mission du moins). Pour donner des ordres de grandeur, on peut noter que du matriel grand public doit tenir 3 ou 10 V/m pour pouvoir tre homologu, alors que l'on demande aux applications automobiles de tenir des niveaux de 200 600 V/m (suivant les clients et gammes de frquences). Que l'on parle d'immunit ou d'mission, il faut bien comprendre quels sont les mcanismes qui peuvent intervenir au niveau d'un vhicule. Dans le cas d'mission, les sources de perturbations sont les quipements lectroniques avec en particulier les signaux fonctionnels, ayant les spectres les plus riches en basses frquences, ou bien les perturbations parasites provoques par les activits des circuits numriques pour les plus hautes frquences, avec en particulier la bande FM (70 - 108 MHz). Ces perturbations se propagent dans les cartes lectroniques, puis sur les cblages. Il y a alors cration de champs lectromagntiques qui vont se coupler sur les antennes du vhicule ou simplement se propager dans l'environnement avant d'interagir avec une autre structure. Le nombre de rcepteurs et d'antennes embarqus dans les vhicules a considrablement augment, en passant d'une seule antenne pour la radio FM il y a encore moins de 20 ans,
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16
plus d'une dizaine pour certains vhicules haut de gamme rcents, embarquant jusqu' 3 ou 4 antennes pour la rception radio, une antenne pour la tlvision, une pour le GPS, le GSM etc. La rglementation dnit les limites tolres des perturbations ramenes sur ces antennes ou vers l'extrieur du vhicule. Ce mcanisme est illustr Figure 1.6, et met en vidence que, en quelques sortes, la qualit CEM du systme nal repose en grande partie sur les performances CEM des composants utiliss et sur les techniques d'intgration (architecture, cblage etc.).
Norme 2004/104 CE par exemple Couplages entre cbles : se traduit par une tension mesure en pied dantenne : 6dBV max Courant ou tension crent des champs E [V/m] ou H [A/m] rayonns par le systme/faisceau + bruit collecteur des moteur DC Courant ou tension HF dans le PCB + commutation puissance
Transitoires de tension ou de courant
Figure 1.6 Du composant au vhicule - mission

De la mme manire pour l'immunit, les perturbations de l'environnement ou gnres par d'autres quipements, peuvent se coupler sur les cblages et se propager jusqu' l'quipement. Les perturbations se propagent alors jusqu'aux composants qui sont les lments sensibles. En tant perturbs, ces derniers peuvent provoquer les dysfonctionnements du systme.
Dans la nature soumis 1 V/m normal, 10V/m exceptionnel
Couplage champ cbles : se traduit par un courant ou Courant inject en mode commun dans le systme Dfini par le constructeur dans son CdC corrlation ?
Courant ou tension HF dans le PCB
Courant ou tension HF sur le composant
Figure 1.7 Du vhicule au composant - Immunit

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17
Une fois de plus il est intressant de noter ici le lien plus ou moins direct entre l'immunit du systme et les performances d'un composant. Il ne faut pas oublier non plus que les aspects mission ont plutt des impacts sur la qualit, (gne coute radio, qualit rception radio communication), alors que l'immunit peut engendrer des impacts sur la fonctionnalit des systmes, et donc en particulier sur la scurit lorsqu'il s'agit de fonctions scuritaires. Il nous a donc sembl plus important d'orienter nos travaux vers les aspects immunit, mme si nombre de techniques de modlisation seront communes aux deux domaines. Les exigences clients sont exprimes au travers de cahier des charges gnriques, qui s'appuient sur des mthodes d'essais normalises. Le lien entre le besoin vhicule et ce qui est dni dans ces spcications quipement est bien souvent bas sur des retours d'exprience, plus que sur des calculs ou des mesures spciques chaque cas. Nous ne dbattrons pas ici de ce point, et nos travaux se limiteront en la prdiction des performances CEM dans la conguration quipement, correspondant au premier objectif atteindre lors de la conception d'quipement lectronique. Nous pensons galement que nos travaux devront permettre la mise en place des briques lmentaires sur les techniques de modlisation, qui pourront tre r-utilises lorsque nous aborderons les aspects vhicule ou systme. Il existe un certain nombre de techniques d'essais pour caractriser les quipements automobiles. La plupart de ces mthodes sont standardises par l'ISO (International Organization for Standardization), et sont prsentes Figure 1.8.
ISO 11452-2 Chambre anchoque
ISO 11452-3 et 5 TEM / Stripline
ISO 11452-4 - BCI
ISO 11452-8 Champ magntique BF
ISO 11452-9 metteurs portables
ISO 11452-11 Chambre rverbrante
ISO 11452-7 Injection directe ISO 11452-10 conduction bande audio
Figure 1.8 Mthodes d'essais normalises ISO pour l'immunit quipement

Avril - 2010 3 I
Toutes ces mthodes ont leurs spcicits, des avantages et des inconvnients que nous ne discuterons pas ici, mais il est noter que la gamme de frquence sera une des caractristiques particulire chacune de ces mthodes. Dans le cadre de nos travaux nous
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18
ne nous intresserons qu'aux mthodes d'essais d'injection de courant BCI (Bulk Current Injection), et d'immunit au champ rayonn en cage semi anechode. Ces mthodes correspondent respectivement aux normes ISO 11452-4 [ISO 05] et ISO 11452-2 [ISO 04]. Ces techniques ont t retenues pour deux raisons essentielles : Ces mthodes sont les plus rfrences par les constructeurs automobiles, et en particulier par [Ford 03, PSA Peugeot Citron 08, Renault 09], pour ne citer que ceux-ci. Ces contraintes, lies la mthode d'injection des perturbation et la gamme de frquence, sont les plus dimensionnantes dans la conception des produits pour les aspects immunit, et en particulier jusqu' environ 1 GHz. Notre exprience aura permis d'identier que la plupart des anomalies ayant des consquences lourdes sur la conception sont gnralement observes en dessous de cette frquence.
Dans le cadre de cette thse, et an de couvrir ce besoin, nous nous xerons un objectif 1 GHz pour la validit des modles et techniques que nous dvelopperons. L'extension au del sera videmment envisage, lorsque l'investissement demand ne sera pas fondamentalement suprieur celui ncessaire pour atteindre cette limite.
10 kHz
100 kHz
1 MHz
10 MHz
100 MHz
1 GHz
10 GHz
11452-4
11452-3 11452-11 11452-5
11452-8 11452-2 11452-10
Figure 1.9 Couverture frquentielle des principales mthodes ISO

Avril - 2010 4 I
Ces mthodes d'essais ont principalement pour vocation de caractriser les quipements pour statuer sur un tat de conformit ou non. Dans une dmarche de dclinaison du besoin systme au niveau quipement, ces mthodes d'essais orent un premier lment de rponse, et dans la continuit, le besoin a galement t dclin au niveau du circuit intgr au travers de direntes mthodes d'essais. Ces mthodes sont standardises par l'IEC (International Electrotechnical Commission), pour reproduire dirents mcanismes de couplage au niveau du circuit (conduit ou rayonn en particulier). Ces mthodes sont prsentes la Figure 1.10.
7 dcembre 2010
Conclusions / Perspectives 1.2. Orientation de nos travaux

Mthodes de mesures normalises IEC 62132
IEC 62132-2 ed 1.0 2010 TEM GTEM Cell IEC 62132-3 ed 1.0 2007 Bulk Current Injection IEC 62132-4 ed 1.0 2006 Direct RF Power Injection
19
IEC 62132-5 ed 1.0 2005 Workbench Faraday Cage
Mthodes en cours d'tude:

IEC 62132-6 LIHA IEC 62132-7 Mode Stirred Chamber IEC 62132-8 IC Stripline IEC 62132-9 Champ proche
Figure 1.10 Mthodes de caractrisation normalises: de l'immunit des circuits intgrs T. Hubing EMC COMPO 07
"Component measurement should characterize the source in order to build models that can be used at system level. Otherwise they are mostly useless".
Que ce soit au niveau de l'quipement ouvalidation des composants Mais mthodes sont Orientes pour la caractrisation / au niveau du composant, ces qu'en est
il pour modles ??? avant tout adaptes l'extraction des donnes ncessaires la construction des peu l'extraction 2 Avril - 2010 pour la validation ou la comparaison, mais pas ou I
de donnes ncessaires la modlisation. Nous en rediscuterons au cours de cette thse, mais nous partageons ici le sentiment qu'avec le dveloppement des travaux de modlisation (composant et quipement) et le dveloppement des capacits de simulation, les techniques d'essais devraient aussi tre adaptes ce nouveau besoin [Hubing 07, Hubing 10].
1.2.2 Positionnement de nos travaux

Plusieurs travaux relatant de simulations au niveau systme ont t raliss, avec en particulier ceux de [Neumayer 03], et de [Steinmair 05]. Ces travaux reposent sur l'utilisation de plusieurs techniques de modlisation sur lesquelles nous nous appuierons galement pour nos travaux, en ce qui concerne les composants actifs et passifs. Ceci sera dvelopp dans le Chapitre 2. Il semble nanmoins que ces valuations exigent un niveau minimum d'information sur les structures des vhicules ou des circuits imprims mis en jeu. En eet, il est beaucoup fait rfrence dans ces travaux l'utilisation d'outils de simulation bass sur des mthodes numriques, tel que la mthode PEEC prims, la mthode
[A.E. Ruehli 74] pour les circuits im-
7 TLM
[Johns 71] pour le cblage, ou encore la MoM
[Harrington 67]
pour la prise en compte de la structure du vhicule. Plus rcemment [Bunlon 10] a dcrit les processus industriels de simulation au niveau vhicule. Cet article met en vidence que les techniques utilises donnent de bons niveaux de prdiction des niveaux de champs en dirents points de l'habitacle, ou des grandeurs lectriques induites dans un cblage. Les corrlations telles que celles de la Figure 1.11 sont alors prsentes dans [Bunlon 10] titre d'exemple.
6. Partial Element Equivalent Circuit 7. Transmission Line Modelling 8. Method of Moments

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non pas normaliss d'une quelconque manire. Le Parmi les sources d'cart entre mesure et simulation, nous procd de test classique par substitution aprs calibrage pouvons citer : en 4 points est reproduit en simulation, ce qui ncessite une Orientation de nos de l'antenne seule en simulation prliminaire travaux Mesure des courants par la pince une certaine 1.2. 20 niveau corrlation n'est prsence du sol. Nous pouvons ainsi prdire le niveau mme distancede du connecteur pas atteint sur raisons pour des l'ensemble des connecteurs. rel de champ propag au sein de la structure sous test. d'encombrement, simulation des courants rigoureusement l'extrmit du faisceau ; Incertitude globale de la chane de mesure ; Ralisation de la simulation pour une distribution uniforme de fils dans le faisceau, forcment diffrente de la distribution alatoire des fils dans une production de faisceaux ; Incertitude sur le positionnement exact du parcours 3D rel du cblage, l'intrusion de la pince en mesure ayant aussi lgrement dplac certains lments ; Incapacit actuelle inclure de faon 10] au niveau vhicule - Extrait de [Bunlon certaine,
est ncessaire d'avoir des niveaux de d-
Figure 6 : moyen d'essai CEM vhicule Renault (en bas gauche), et modles des antennes en MoM Un exemple de rsultat que nous avons obtenu est fourni en Figure 7. Il est important de souligner que les niveaux de champs compars mesure/simulation sur vhicule Figure 7 : corrlationsont bien des niveaux absolus, et non pas normaliss d'une quelconque manire. Le 1.11 Corrlation Simulation / Mesure Un procd de test classique par substitution aprs calibrage niveau de corrlation similaire a t obtenu en une en 4 points est reproduit dans l'ensemble de la caisse vingtaine de points situsen simulation, ce qui ncessite une simulation prliminaire de l'antenne seule en Il apparat galement dans cet article qu'il prsence du sol. Nous pouvons ainsi prdire le niveau
Figure
Figure 8 : courant mesur/simul sur vhicule
en
Parmi les sources d'cart entre mesurematriaux prsents dans le simulation, l'ensemble des et simulation, nous pouvonsvhicule, ainsi que l'ensemble des botiers prsents citer : Mesure des courants par la pince une certaine distance du connecteur pour des raisons
nition du maillage vhicule qui soient susants pour pouvoir raliser les simulations. De plus il apparat une frontire problmatique entre le systme et l'quipement, qui n'est ce jour pas pris en compte de manire systmatique. Au del de ces travaux, peu de choses ont t publies sur les techniques de modlisation et de simulation au niveau de l'quipement, des ns de conception amont. Cet objectif est particulier dans le sens o les valuations doivent alors se faire dans des phases o le niveau d'informations disponibles ne permet pas de drouler les processus de simulations dcrits dans les travaux que nous venons d'voquer. Cette dicult a t souleve notamment par [Egot 05a], qui a discut de l'intrt de la simulation amont versus la prcision des rsultats obtenus.
Schma
Routage
Prototype
Produit fini
Information sur l'quipement
Intrt de la simulation Incertitudes sur les simulations Identification Validation Des risques numrique
temps
Figure 1.12 Intrt de la simulation pour la conception

Dans ce contexte, l'objectif de nos travaux est de pouvoir prdire en conguration d'essai quipement les performances en immunit avant la conception de nos produits. Pour cela nous proposons de mettre en oeuvre une approche dite Bottom up, consistant
7 dcembre 2010
21
modliser les dirents lments constituant la mise en oeuvre d'un test quipement. Les lments de base de l'approche bottom up seront pour nous les composants actifs et passifs de la carte lectronique. Ces composants devront tre modliss pour prendre en compte leurs comportements sur la gamme de frquence vise, et face au type de perturbateur que nous avons retenu pour nos tudes. Ceci fera l'objet d'un premier Chapitre. Ces composants pourront alors tre intgrs dans un circuit imprim que nous devrons galement modliser. Ceci sera l'objet du Chapitre 3. Enn, les mthodes d'injection et mdiums de propagation des perturbations jusqu' la carte lectronique devront tre modliss et ceci sera dvelopp dans le Chapitre 4. Des exemples d'utilisation des direntes techniques que nous avons dveloppes seront alors prsentes galement dans ce dernier Chapitre. Parmi les exemples d'utilisation de ces techniques, nous pourrons en particulier apporter quelques lments de rexion sur le sujet de la abilit des composants et de l'impact sur la CEM.
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Chapitre 2
Modlisation des composants
Dans ce Chapitre nous allons dcrire les techniques de modlisation des composants passifs et actifs, et en particulier pour les besoins de prise en compte des problmatiques d'immunit. Les travaux sur les composants passifs consisteront tout d'abord en une synthse bibliographique, mettant en vidence la richesse des informations disponibles sur le sujet et que nous traduirons sous forme de modles spciques chaque famille de composants. Les techniques de mesures des composants seront alors discutes et en particulier en terme de lien existant entre la prcision sur les mesures et celle qui en dcoule sur les modles. Une technique originale que nous avons dveloppe pour la prise en compte de l'immunit des circuits intgrs sera alors prsente dans la deuxime partie de ce Chapitre.
On fait la science avec des faits, comme on fait une maison avec des pierres : mais une accumulation de faits n'est pas plus une science qu'un tas de pierres n'est une maison. - Henri Poincar
25
2.1. Modlisation des composants passifs
26
2.1 Modlisation des composants passifs

Dans tous les travaux de modlisation que nous allons raliser, nous allons devoir reprsenter dirents lments en intgrant dans leurs modles les comportements intervenant lorsque l'on travaille hautes frquences. La frquence sera sans aucun doute pour nos travaux, le paramtre dimensionnant toujours considrer pour la construction de nos modles, et sera une proprit conditionnelle pour juger de leur validit. Sur les dirents essais CEM raliss au niveau quipement ou vhicule nous avons vu que la gamme de frquence considrer peut s'tendre jusqu' quelques GHz, mais pour nos travaux de modlisation nous nous xons un objectif raisonnable 1 GHz. Sur la plupart des lments modliser, qu'il s'agisse de composants passifs, actifs, ou plus gnralement d'lments de structure (PCB, Lead frame,...), les eets parasites lmentaires pouvant apparatre sont illustrs Figure 2.1.
H
+ -
VHF E
IHF
f.e.m
Figure 2.1 lments parasites de base et origines

L'inductance d'un circuit lectrique est un coecient qui traduit le fait qu'un courant le traversant cre un champ magntique travers la section entoure par ce circuit. Il en rsulte un ux du champ magntique travers la section limite par ce circuit. L'inductance est gale au quotient du ux de ce champ magntique par l'intensit du courant traversant le circuit. De la mme manire, ds que l'on a deux lments de structure non connects entre eux, et placs des potentiels dirents, il en rsulte la cration d'un champ lectrique. L'interaction entre ces deux conducteurs peut alors tre reprsente par une capacit parasite de couplage. L'objectif consiste maintenant localiser sur les composants (au sens large) modliser ces lments parasites de base, et les dimensionner convenablement.
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2.1.1 Caractristiques et modlisation des condensateurs

Un condensateur est un composant passif qui stocke de l'nergie sous la forme de champ lectrostatique. La structure la plus simple est constitue de deux plaques spares par un dilectrique. Il existe plusieurs types de dilectriques, qui vont tre en grande partie l'origine des dirences de caractristiques des composants. En particulier, le dilectrique aura un impact trs important sur les plages de valeurs disponibles, l'ESR , la sensibilit la temprature, la tension de service etc. Direntes familles de composants peuvent donc tre utilises et le choix est en gnral orient par des critres fonctionnels et par les conditions d'environnement. Parmi les direntes familles nous nous focaliserons sur celles largement utilises dans le domaine automobile, soit en particulier les condensateurs : Cramique - Gnralement utiliss pour des ltrages au del du MHz. lectrolytique - Gnralement utiliss pour des ltrages basses frquences. Il s'agit de composants polariss qui sont caractriss par des courants de fuite gnralement importants (pouvant aller jusqu' la dizaine de A). Classis en sous-familles, les deux suivantes correspondent celles les plus utilises en automobile : Aluminium. Prsente une large gamme de valeurs, plutt leves, et sont orientes ltrages en trs basses frquences. Tantale. Gnralement utilises en basses - moyennes frquences, elles sont en gnral caractrises par des ESR plus faibles que les Aluminium. Ces composants sont particulirement sensibles aux transitoires et ondulations de courant, et doivent tre utiliss avec prcautions dans ces situations (risque de destruction des composants).
Figure 2.2 Mapping des technologies par valeurs et tension d'usage (source [TDK 09])
1. Equivalent Series Resistance
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Une dernire catgorie de condensateurs est galement utilise, il s'agit des condensateurs Film. Ces composants sont faiblement utiliss sur les PCB d'une part, et ce que nous dcrirons pour la modlisation des condensateurs lectrolytiques pourra tre r exploit pour ces composants le cas chant (avec en particulier les eets thermiques). Notons juste qu'ils peuvent tre bass sur l'utilisation de plusieurs dilectriques incluant le polyester, prolypopylne (pour ne citer que ceux utiliss en automobile). Tous les composants vont avoir des lments parasites impactant leurs comportements en hautes frquences, et les condensateurs sont particulirement instables du fait de ces lments. Par instable, on entend que ces lments parasites vont fortement impacter les comportements d'impdance avec la frquence, avec en particulier des phnomnes de rsonances. On trouve dans la littrature plusieurs suggestions pour la modlisation des condensateurs [Zumbahlen 08, Paul 06], ainsi que sur les sites des principaux fournisseurs de condensateurs [AVX 09, KEM 09, TDK 09, Mur 09]. Le modle la fois le plus simple mais le plus complet pour prendre en compte les eets importants en CEM propos par ces sources est donn la Figure 2.3
Rp
Rs
1
L
2
(ESR)
(ESL)
R_DA
C_DA
Absorption du Dielectrique
Figure 2.3 Modle quivalent du condensateur

La capacit nominale, C, est shunte par la rsistance Rp qui reprsente la rsistance d'isolement ou de fuite. Ce paramtre est gnralement non linaire avec la tension applique. Une seconde rsistance, Rs , apparat en srie avec la capacit et reprsente la rsistance des terminaisons et des plaques constituant la capacit. L'inductance, L, est l'inductance srie quivalente (ou ESL ), et reprsente l'inductance cre galement par les terminaisons et les plaques constituant la capacit. La dernire partie du modle (encadr de la Figure 2.3), permet de reproduire le phnomne d'absorption du dilectrique. Ce phnomne, galement connu en tant que hystresis du dilectrique, correspond une dcharge incomplte du condensateur qui est court circuit, et qui restitue une composante continue s'il est plac en circuit ouvert. Ce mcanisme
2. ESL : Equivalent Serie Inductance

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peut principalement engendrer des phnomnes de fautes, d'intgrit de signal. Cette partie n'est gnralement pas prise en compte dans la modlisation pour les besoins CEM (et cela sera galement le cas pour nos travaux). La rsistance quivalente srie (ou ESR) qui est obtenue par la mesure, correspond en ralit la contribution des trois rsistances dtailles. La dicult maintenant est que suivant les technologies de composants, certains de ces lments seront plus ou moins variables avec la frquence et/ou avec la temprature, et nous souhaitons que nos travaux de modlisation puissent prendre en compte ces comportements. Nous allons prsenter les dirents comportements notables connus sur ces dirents lments du modle, avant de dnir dans quelle mesure ces comportements doivent tre traduits sous la forme de modles.
2.1.1.1
Condensateurs cramiques
Ces composants sont gnralement utiliss en technologie CMS .
Caractristiques de la capacit C.
Les condensateurs cramiques seront de loin les
plus utiliss pour les besoins CEM. Ces composants de petites tailles sont disponibles sur de larges gammes de valeurs, et sont structurs comme prsent la Figure 2.4. Leurs tolrances initiales, pour les composants les plus usuels pour nos applications, sont de 10 % (code K) pour les X7R et de 5% (code J) pour le C0G. Ces dispersions sont gnralement supposes comme Gaussine.
Cramique Terminaison
Marge D'isolement de terminaison Marge D'isolement
lectrodes Dilectrique
Figure 2.4 Structure d'un condensateur cramique CMS

Les tailles de botiers sont gnralement donnes en inches, cependant certains fournisseurs restent attachs au systme mtrique. Les quivalences sont donnes dans le tableau 2.1. En mtrique, 0603 signie que L=0.6mm et W=0.3mm (Ctes de la Figure 2.4).
3. CMS : Composant Mont en Surface (SMD en Anglais)
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Table 2.1 Tailles des botiers CMS - quivalence inches / mtrique

Mtrique Inches 0603 0201 1005 0402 1608 0603 2012 0805 3216 1206 3225 1210 4532 ou 3245 1812 ou 1218 5750 2220
Dpendance avec la temprature.
Les cramiques utilises sont classes en trois
grandes familles qui sont dsignes par leurs caractristiques en temprature : les types I, II et III. Pour chaque famille il y a des sous-familles. La sous-famille la plus connue du type I est la
C0G (ou NPO). Pour les types II, les sous-familles les plus connues sont le
X7R, le Z5U et le Y5V. Ces deux dernires sont inadaptes l'environnement automobile.
Le type III est inadapt l'environnement automobile. Le premier type (Table 2.2), regroupe des composants gnralement pas ou peu sensibles aux conditions d'environnement (contrairement aux cramiques de type II que nous dtaillerons aprs). La permittivit des cramiques de type I est en gnral infrieur 500 avec en particulier une valeur comprise entre 10 et 100 pour le C0G. C0G signie que le composant a une drive de 0 30 ppm/C (soit de l'ordre de 0.2 % pour une plage de temprature de 60C autour de l'ambiante, ce qui est ngligeable). C'est le plus stable des condensateurs cramiques, malheureusement limit en plage de valeurs disponibles, du fait de sa faible permittivit.
Table 2.2 Codication des condensateurs de type I

1er car.
C B L A M P R S T V U
Drive en ppm/C ` Chire 2eme car. signicatif

0.0 0.3 0.8 0.9 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 5.6 7.5 0 1 2 3 4 6 7 8
Multiplicateur
-1 -10 -100 -1000 +1 +10 +100 +1000
` 3eme car.
Tolrance ppm/C
30 60 120 250 500 1000 2500
G H J K L M N
Les condensateurs de classe II (Voir tableau 2.3), sont moins performants, avec en particulier la techno X7R. X7R, voulant donc dire que la plage de temprature d'utilisation de cette techno est comprise entre -55C et +125C, et que sur cette plage de temprature la valeur du condensateur peut varier de 15%. La permittivit relative pour le X7R est comprise gnralement entre 2000 et 4000, alors que pour le Z5U la plage de valeur s'tend de 5000 20000. En pratique on n'observe pas sur les composants de telles variations, mais plutt des comportements comme celui de la Figure 2.5, avec des uctuations particulire-
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31
ment ngligeables autour de l'ambiante. Certaines analyses nes pourraient ncessiter de prendre ces aspects en compte, mais dans une dmarche de mise en place d'une mthodologie de modlisation, ce phnomne est sans aucun doute du deuxime ordre et pourra tre pris en compte de manire pire cas pour nos premires analyses.
Table 2.3 Codication des condensateurs de classe II

1 car. Z Y
er
Plage de temprature ` Minimum 2eme car. +10C 2 -30C 4 -55C 5 6
7
8 9
Maximum +45C +65C +85C +105C
+125C
+150C +200C
Variation de capacit 3 car. Variation A 1% B 1.5% C 2.2% D 3.3% E 4.7% F 7.5% P 10%
eme `
R
S T U V
15% 22% +22% 33% +22% 56% +22% 82%
Figure 2.5 volution de la capacit (X7R) avec la temprature (source [EPC 09])
Variation de la capacit avec la frquence.
Certains documents [Lagrange 96]
et spcications de composants font tat de variations de la valeur de la capacit avec la frquence. Ces variations restent gnralement faibles et du second ordre par rapport la dispersion des composants. Les mesures ralises sur les condensateurs cramiques ne permettent pas de mettre en vidence un impact notable. Nous ngligerons donc ce phnomne.
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2.1. Modlisation des composants passifs Eet du vieillissement.
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Lors du dimensionnement des composants, il peut tre
ncessaire d'anticiper les phnomnes de vieillissement des composants, puisque les valeurs des condensateurs vont en gnral diminuer avec le temps. Seuls les condensateurs de type II sont sensibles au temps. Le phnomne est d une rorganisation continue des domaines ferrolectriques, qui a comme consquence une dcroissance de la polarisation spontane, et par suite celle de la capacit [Lagrange 96]. Le vieillissement naturel peut s'exprimer suivant une relation logarithmique :
= 0 K.log(t)
Avec
(2.1)
0
K
permittivit au temps t Valeur initiale de la permittivit facteur exprim en % par dcade de temps
Le vieillissement est d'autant plus prononc que la permittivit initiale est leve. Les ordres de grandeur dnis dans [EIA-198-1F 02], et les principales caractristiques sont donnes Tableau 2.4 et reprsentes Figure 2.6.
Table 2.4 Vieillissement des condensateur - source [EIA-198-1F 02]

EIA-198-1 F Classe du Dilectrique Classe I Classe II Classe III Dilectrique NPO (C0G) X7R, X5R Y5V 1.5% Vitesse de vieillissement <0.1%
4%
par dcade d'heures
7% par dcade d'heures
DeltaC/C (%)
10
20
30 0.1 1 10 100 Temps (heures) 1 .10
1 .10
NPO X7R Z5U
Figure 2.6 Vieillissement des condensateurs cramiques

Eet de la tension de polarisation sur la capacit.
La tension de polarisation a
un impact sur la valeur de la capacit. Cela n'est cependant visible que sur les condensateurs
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100 50 0
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
% DISSIPAT
% VO
X7R
- 75 - 50 - 25 0 20 50 75 100 125 150 175 180 TEMPERATURE C
- 75 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 TEMPERATURE C
33
spcications des composants. Le comportement typique observ est donn Figure 2.7. 0.016 0.016 Pour les composants les plus utiliss sur les applications automobiles (25 et 50 V), on observe que au maximum de tension des variations peuvent tre observes de l'ordre de
0.008 0.008 15%. Maintenant, le dimensionnement des composants dans l'application tant fait en 100 V 50 V 0.012 0.012
DISSIPATION FACTOR
DISSIPATION FACTOR
TYPICAL PARAMETERS X7R TYPICAL PARAMETERS X7R DISSIPATION FACTOR VS. VOLTA DISSIPATION FACTOR VS. VOLTAGE 0.020 0.020 X7R, et pas sur les cramiques de type I. Ces donnes sont en gnral fournies dans les
prenant une marge, le composant est en gnral mis en oeuvre pour des tensions moiti
0.004 0 0.000 DC VOLTS APPLIED
200 V
500 V/630 V
100 200 300 400 500 0 10 20 moindre que ce seuil. Cela veut dire que 30 40 50 60de la valeurUN/V- la capacit ne dpassera DC VOLTS APPLIED la drive 70 80 90 100 de
60
donc pas les 5 % environ.

% CAPACITANCE CHANGE
TYPICAL PARAMETERS X7R VOLTAGE COEFFICIENT OF CAPACITANCE

5 0 5 - 10 - 15 - 20 - 25 - 30 0 10 20 30 40 50 60 70 80 DC VOLTS APPLIED 90 100 25 V RATED 50 V RATED 100 V RATED
TYPICAL PARAMETERS X7R MIN. INSULATION RESISTANCE VS. TEMP

INSULATION RESISTANCE (F)
10 000
1000
100
10 10
25 100 TEMPERATURE C
Figure 2.7 Variation de la Number: 45128 fonction deFor technical questions, contact: mlcc.specials@vishay.com capacit en la tension de polarisation [Vis 09] Document
Revision: 26-Feb-09
On peut se poser la question de savoir si ce phnomne intervient galement en hautes frquences. Pour des condensateurs de moins de 1 nF, on utilisera des condensateurs NPO, ce phnomne ne concernerait donc que les condensateurs X7R pour les valeurs suprieures ou gales 1 nF. Au del de 1 MHz on peut supposer que les impdances ramenes par ces condensateurs seront susamment faibles pour ne pas permettre d'induire des tensions signicatives aux bornes de ces condensateurs, et ce mme pour des injections de perturbation de type BCI au niveau systme. Nous ne prendrons donc en compte ce phnomne que li la tension de polarisation DC du composant, et avec un pire cas de l'ordre de 5 %.
Caractristiques de l'ESR. Comportement gnral de l'ESR.

En pratique il est dicile en mesure de di-
rencier les pertes des terminaisons et des plaques, des pertes par absorption dans le dilectrique. L'ESR regroupe en gnral ces deux informations, et engendre un comportement particulier en fonction de la frquence. De nombreuses rfrences discutent du comportement frquentiel de cette partie relle du condensateur [Kundert 08, Laerty 92]. Les comportements observs par exemple sur un condensateur X7R de 10 nF sont donns en Figure 2.8. A hautes frquences, la rsistance est domine par les pertes dans le conducteur (terminaisons et plaques). Elles augmentent alors gnralement en
f,
ce qui correspond
l'eet de peau. En basses frquences, la rsistance dcrot grossirement en
f 1 ,
et est
lie aux pertes dans le dilectrique. C'est ce que l'on appelle les pertes par absorption dans
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skin effect. At low frequencies, the resistance is dominated by losses in the dielectric: dielectric absorption. It decreases roughly in proportion to f 1. This is consistent with the empirical observation that the dissipation factor (tan D) for many capacitors is almost constant in their usable frequency range [23]. Resistance is related to dissipation factor by R = -------------2.1. Modlisation des composants passifs C
le dilectrique.
tan D
(1)
34
FIGURE 2.
Resistance (R) and reactance (X) of a 10 nF ceramic capacitor.
1k
100 |X| 10
Figure
f The traditional ESR measurement technique using HP4291A Impedance Analyze mount test fixture. The chip capacitors are placed on the surface of the electrodes and used to keep a contact pressure. The setup is calibrated and compensated using a small co of material before actual measurements are made. In the calibration and compensation tempt is made to compensate for the contact resistance. It is not possible to distinguish b resistance and capacitor ESR. Unfortunately, the compensation process often compensa thing that is being measured. It was : [Kundert 08]) 2.8 Impdance d'un condensateur 10 nF X7R (Source found that the measurement done this way under estim 3.0 Polar Dielectrics ESR value. 0.1 10 kHz 100 kHz 1 MHz 10 MHz 100 MHz 1 GHz
A better measurement technique is The permittivity of a dielectric varies with frequency as various mechanisms within the based on a low impedance test head connecte
l'ESR est inversement proportionnel auxfield impinges on a dielectricconnector is connected to the test head through an APC-7 conn nombres d'lectrodes internes. Les condensadielectric are excited [5]. As an electric ance Analyzer. An SMA material, the
teurs avec un grand nombre up with the field. This acts to solderedthe flux density anddes ESRbeen made on X7Rce NPO dielectric capac and increase down. Measurements have dipole moments d'lectrodes montrent gnralement therefore the plus faibles, and qui est donc galement li la valeur. Plusieurs sources [Roy 98, Togashi 07] conrment
tion themselves in such way as to SMA connector. The capacitor chip is placed on the S charge particles in that material will rearrangeis performed at theaend of theline their been in Figure for different size capacitors permittivity. This is shown for a polar material collected 3. Region (1) is in the range of(0603,0805,1206).
ces comportements et en particulier les statistiques de 4. The capacitorsfrom nominalare of values l'ex1. The X7R designation indicates that the capacitance deviates la more than 15% measured plotted in fig. no Figure 2.9, correspondant from 22pF-10F. The ESR meas over the 55 C to 125 C temperature range. technique is 2-3x et techno de condensateurs. Les traction de l'ESR la rsonance pour direntes valeurs times higher than the ESR measured by the standard industry techniqu rsistances des connections semblent donc agir au deuxime ordre. The Designers Guide Community
www.designers-guide.org
1700 603-npo 805-npo 603-x7r 805-x7r 1206-x7r
The collected data is used for a Linear Regression model (Log(m) vs pF) and the proje
SMD fixture. Soldered down capacitors represent the true behavior of capacitors soldered
3 of 19 ESR for caps
X7R
miliOhms
850
NPO
0 10 100 1000 10000 100000 1000000 10000000
pF
Soldered down components
Figure 2.9 volution de la valeur de l'ESR4.pour values for various caps. Fig ESR dirents condensateurs cramiques
[Roy 98, Togashi 07]
IV. Conclusion
The ESL (mounted inductance) and ESR of a capacitor are the two major factor ered when designing a power distribution system. The pad layout is the largest contribu can be controlled by Pour valuer and power planes. Spreading inductance can valuation de nos besoins pour la modlisation. careful design of vias la ncessit de placing the power and Gnd planes close to each other. A novel technique for ESR es pousser la modlisation des composants, et sented which better represents its true value on a digital board. The industry standard t en particulier la dpendance frquentielle de an SMD test fixture gives an ESR value that is 1/2 to 1/3 of the real ESR.
la valeur de l'ESR, prenons un cas simple d'un condensateur cramique 0603 de 10 nF. Les caractristiques du composant sont fournies par [TDK 08], et ont t extraites par une
V. References
[1] L. Smith, "Decoupling Capacitor Calculations for CMOS Circuits," Electrical Perfor
mesure avec la technique RF-IV, permettanttronics'aranchir des dicults d'extraction de de Packaging Conference, Nov. 1994. l'ESR. L'impdance et l'ESR de ce composant sont donns Figure 2.10.
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6
35
1 .10 1 .10 1 .10 Impdance et ESR (Ohms) 1 .10
100 10 1 0.1 0.01 10 100 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
ESR Module de l'impdance
Figure 2.10 Impdance et ESR d'un condensateur TDK 0603 X7R 10 nF

2 modles peuvent tre gnrs partir de ces donnes : Un modle bote noire qui reproduira rigoureusement ces comportements Un modle correspondant une extraction que l'on pourrait faire par une mesure l'analyseur de rseau. Ce modle (Figure 2.11) a en particulier une valeur d'ESR xe et correspondant une extraction au point de rsonance.
54e-3 1
0.71e-9 2
10e-9
Figure 2.11 Modle du condensateur cramique 0603 10 nF X7R TDK

Les dirences engendres par les deux modles sont values en prenant en compte deux critres. Le premier critre concerne l'impact sur la transmission de puissance, lorsque le condensateur est utilis en tant que capacit de couplage lors du test DPI Pour direntes congurations de charges (1
[IEC 06b].
1 k et l'impdance d'entre de la broche
12V d'un driver LIN), on estime les carts sur la puissance transmise cette charge pour les deux modles de condensateur. Les rsultats sont donns 2.12 et ne mettent pas en vidence d'carts de plus de 0.2 dB pour les direntes congurations. Le deuxime critre est sur l'utilisation de ce condensateur en tant que ltre sur le dcouplage d'un composant. En reprenant une injection de perturbation type DPI sur une charge (1
1 k et l'impdance d'entre de la broche 12V d'un driver LIN), on ajoute
maintenant notre condensateur en parallle sur l'entre du composant. En regardant le mme critre de puissance transmise la charge pour les direntes congurations, on obtient les rsultats de la Figure 2.13. Des carts de l'ordre de 1 2 dB sont observs, mais apparaissent au niveau de la
4. Direct Power Injection

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rsonance du condensateur. Entre le modle rigoureux et le modle de la Figure 2.11, il y a un lger dcalage sur la frquence de rsonance engendrant les carts observs sur cette tude. En dehors de ces points particuliers, les carts maximum constats sont de l'ordre de 0.5 dB.
0.2 Ecarts sur puissance transmise (dB)
0.15
0.1
0.05
0.05
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Ecarts pour charge circuit LIN Ecarts pour charge 1 Ohm Ecarts pour charge 1 kOhm
Figure 2.12 carts sur puissance transmise la charge avec ou sans ESR(f )
2
1 Ecarts sur puissance transmise (dB)
3 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Ecarts pour charge circuit LIN Ecarts pour charge 1 Ohm Ecarts pour charge 1 kOhm
Figure 2.13 carts sur puissance transmise la charge avec ou sans ESR(f )
Les carts engendrs par la prise en compte ou non de la variation de l'ESR avec la frquence pour les composants cramiques sont ngligeables et ne justient pas pour nos applications l'extraction ne de ces comportements. Cela permet de maintenir une utilisation valide de l'analyseur de rseau pour la modlisation des condensateurs cramiques, et base uniquement sur l'information du module de l'impdance.
Gnralisation - abaque des valeurs d'ESR.
Pour dirents fournisseurs met-
tant disposition les caractristiques de leurs condensateurs on peut tracer les volutions
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des ESR en fonction des tailles et technologies des composants usuels.
37
ESR @ Rsonance (Ohms)
0.1

11 10 9 8 7 6 1 .10 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads) 5 4
0.1
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
0.01 11 1 .10
1 .10
10
9 8 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads)
1 .10
1 .10
0402 NPO 0402 X7R 0603 NPO 0603 X7R 0805 NPO 0805 X7R 1206 X7R 2220 X7R
(a) Composants TDK [TDK 08]
(b) Composants AVX [AVX 03]
Figure 2.14 volution de l'ESR en fonction de la valeur des condensateurs

10 1

11 10 9 8 7 1 .10 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads) 6 5
0.1
0.1
0.01
0.01 12 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
12
1 .10
11
1 .10
10
9 8 7 1 .10 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads)
1 .10
1 .10
(a) Composants KEMET [KEMET 09]

sateurs
(b) Composants Murata [Murata 09]
Figure 2.15 volution de l'ESR en fonction de la valeur et de la technologie des condenSur les courbes obtenues Figures 2.14 et 2.15, on peut vrier les comportements discuts prcdemment.
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Il est intressant de noter plusieurs points sur l'observation de ces courbes :
38
Pour tous les fournisseurs tudis, les ESR des condensateurs NPO sont gnralement plus faibles que les condensateurs X7R. Des carts d'un facteur 4 10 sont constats entre ces technologies pour un mme fournisseur. Il n'y a que trs peu d'carts sur l'ESR entre des composants de mmes valeurs ayant des botiers dirents. Ceci ne sera donc clairement pas une solution pour avoir un ESR faible, mais facilitera en revanche notre travail de cration des modles. Pour une mme technologie et mme taille de botier, des carts minimes d'ESR peuvent tre observs entre les dirents fournisseurs. En ne considrant pas les composants d'entre de gamme ou de sortie de gamme (en gnral non recommands), on constate des carts de l'ordre de 3 4 entre les dirents fournisseurs. On peut cependant observer que pour certaines familles les comportements sont trs proches (Figure 2.16). Cela nous permet de proposer les courbes de tendances gnrales qui seront utiliser pour la modlisation des condensateurs, et valables pour les composants de 0402 2220. Cette synthse est prsente Figure 2.17.
10
10
1 ESR @ Rsonance (Ohms) 1 ESR @ Rsonance (Ohms)

10 9 8
0.1
0.1
0.01
0.01 11 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 Valeur condensateur (Farads)
1 .10
1 .10
10
1 .10
8 7 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads)
1 .10
1 .10
TDK AVX KEMET MURATA
TDK AVX KEMET MURATA
(a) Composants 0603 NPO
(b) Composants 0805 X7R
Figure 2.16 Comparaison des ESR pour dirents fournisseurs

L'ESR peut tre considr comme constant avec la temprature et avec la frquence. Seules la taille du botier et les valeurs des composants impacteront cet lment. La caractristique de la Figure 2.17 pour l'ESR (valide pour botiers 0402 2220) sera utilise pour nos modles.
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39
10
1 ESR @ Rsonance (Ohms) 1 .10
0.1
0.01
1 .10
12
1 .10
11
1 .10
10
9 8 7 1 .10 1 .10 1 .10 Valeur condensateur (Farads)
1 .10
1 .10
1 .10
Composants X7R Composants NPO
Figure 2.17 Abaque des ESR typique en fonction des valeurs de condensateurs
Notes sur les eets de la temprature sur l'ESR.
Bien que peu de sources aient
t trouves sur le sujet, on peut penser que la temprature aura galement un eet sur l'ESR des condensateurs cramiques (volution de la conductivit des terminaisons et des plaques et eets sur les proprits du dilectrique avec la temprature, intervenant sur les absorptions dans le dilectrique). Les seules donnes sur le sujet sont dans [KEMET 09, AVX 03], et donnent des tendances assez direntes sur ce phnomne. Pour [AVX 03], aucun eet n'est identi pour les NPO, et seulement des carts de 7 % sont dnis pour les X7R. Les carts valus par [KEMET 09] sont donns Figure 2.18, et annoncent des volutions jusqu' +240 % de l'ESR. Ces donnes mriteront d'tre valides et ne seront pour l'instant pas considres dans nos dispersions, du fait du manque d'informations probantes sur le sujet.
300
200 DeltaESR/ESR (%)
100
100
60
40
20
20 40 60 Temprature (C)
80
100
120
140
MLCC 0603 et 0805 NPO MLCC 0603 et 0805 X7R
Figure 2.18 volution de l'ESR avec la temprature (source [KEMET 09])

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2.1. Modlisation des composants passifs Caractristiques de l'ESL.
40
Les valeurs d'ESL sont gnralement mises disposi-
tion par les fournisseurs. Les valeurs proposes en particulier par [AVX 03, KEMET 09, TDK 08, Murata 09], ainsi que des mesures que nous avons pu raliser, nous ont permis de mettre en vidence une certaine stabilit des valeurs d'ESL pour un botier donn. Les valeurs typiques du tableau 2.5 peuvent ainsi tre proposes pour nos modlisations.
Table 2.5 Valeurs typique des ESL des condensateurs cramiques

Taille de botier 0402 0603 0805 1206 ESL Typique (nH) 0.5 0.6 0.8 1.2
Caractristiques de la rsistance d'isolement Rp.
Elle dpend de la temprature,
et est observe sur les condensateurs X7R et C0G. Malgr les fortes variations qui peuvent tre observes (Exemples Figure 2.19), cela n'a pas d'impact sur le comportement frquentiel, car la valeur de cet isolement reste extrmement leve devant l'impdance du condensateur. Cela aura donc un impact plutt fonctionnel (Courant de consommation par exemple), et nous ngligerons ce paramtre pour la suite.
Figure 2.19 volution de la rsistance d'isolement - Respectivement COG et X7R

Synthse - modlisation.
Dans tous les travaux de modlisation PCB que nous avons
tudis, qu'il s'agisse de l'mission ou de l'immunit, le modle de la Figure 2.3 est gnralement utilis pour les composants cramiques, en ne prenant en compte ni les dpendances frquentielles des paramtres du modle (et en particulier de l'ESR), ni l'absorption du dilectrique (cette information tant en partie prise en compte dans la rsistance s-
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41
rie). Ceci sera dtaill par ailleurs, mais citons titre d'exemple les rcents travaux de [Boyer 07a, Alaeldine 08b] pour l'immunit, et les travaux de [Levant 07b, Levant 07a] en particulier pour l'mission. Il ne s'agit pas d'une dmonstration en soit, mais ces approximations semblent satisfaire la plupart des utilisateurs. La rsistance parallle Rp du modle est en gnral xe une valeur arbitraire de 1 ou 10 M, car elle n'a aucune inuence sur le comportement HF du composant, mais demeure ncessaire pour des soucis de convergences sous Pspice. En terme de prcision, nous avons discut le fait que les composants gnralement utiliss ont des prcisions par dfaut de 10 % pour les X7R et de 5 % pour les NPO. En complment de ces dispersions, il faut prendre en compte les eets dont nous avons discut prcdemment. Les composants X7R ont des dispersions annonces de 15 % lies la temprature. Les eets lis au vieillissement peuvent engendrer des diminutions de la valeur du condensateur de l'ordre de 10 %. Enn, mme en appliquant une rgle de surdimensionnement (derating) sur les condensateurs concernant les tensions de polarisation, on peut galement s'attendre une diminution de la valeur de la capacit de l'ordre de 5 10 % pour les X7R. Ces dirents eets sont synthtiss dans le tableau 2.6.
Table 2.6 Synthse dispersions sur condensateurs cramiques

Dispersion Typique Eet de la temprature Eet du vieillissement Polarisation du composant Sur X7R 10 % 15 % - 10 % - 5 % Sur NPO 5 % env 0.2% / / Commentaire sur la dispersion Dispersions Gaussine Ngligeable pour le NPO Au bout de 10 000 heures En appliquant un derating de 50 %
Pour nos valuations nous pouvons prendre en compte dans les modles de composants ces dispersions, mais cela peut tre fait en deux tapes. Les eets de vieillissement et de polarisation sont des phnomnes relativement dterministes. Nous proposons donc dans un premier temps de ne considrer que la dispersion typique et les eets thermiques. Cela conduit une dispersion de 18 % (somme quadratique) sur la valeur du condensateur pour le X7R, et 5% pour le NPO. Les autres lments du modle quivalent du condensateur cramique seront supposs invariants avec la temprature. En prenant en compte en pire cas les autres eets, nous devrions considrer des dispersions de l'ordre de +18 % / - 25 %. Nous nous limiterons dans un premier temps aux dispersions pouvant seulement impacter les performances CEM pour les phases de validation d'un produit, c'est dire en dbut de vie. Sur la prise en compte des dispersions, il peut y avoir deux approches : On peut estimer que les cartes sur lesquelles les tests CEM sont gnralement pratiqus sont issues d'un cblage prototype. Cela implique que tous les composants d'une mme valeur proviendront d'une mme bobine, et donc d'un mme lot. D'un point de vue dispersion, on peut donc estimer que dans cette situation ces composants sont
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alors relativement lis et pourront prsenter les mmes dispersions.
42
Sur les cartes issues d'un cblage par machine CMS, il peut y avoir frquemment plusieurs bobines en parallle pour la mme valeur d'un composant. Dans ce cas les composants sont indpendants et les dispersions peuvent tre trs direntes entre ces mmes composants. Les deux cas peuvent tre pris en compte dans la modlisation du composant sous Pspice, seule la description dans le modle changera. Pour couvrir dans un premier temps le premier cas dcrit, nous avons tabli des modles prenant en compte une dispersion lie pour tous les composants de mme valeur. De plus nous estimons que la dispersion doit suivre une distribution Gaussine, et que les 18% pour les composants X7R, ou 5% pour les NPO, correspondent une tolrance 4. . Cela nous amne la Netlist :
Netlist Modle Pspice
Commentaires
.SUBCKT C_0603_470pF_X7R_18pc 1 4 C_C1 1 2 X7R470pF060318pc 470e-12 R_R1 1 2 1e9 R_R2 2 3 0.6 L_L1 3 4 0.6e-9 .ENDS .model X7R470pF060318pc CAP C=1 LOT/GAUSS={18/400}
Dispersion 18% avec lien dans le lot (LOT). A remplacer par DEV pour dnir une dispersion sans prendre en compte ce lien.
Il s'agit d'un composant 0603 X7R de 470 pF, faisant rfrence au .model dans lequel est dnie la dispersion Gaussine de 18% 4. . Comme les composants cramiques sont bien matriss et relativement standards, on peut se permettre dans la mthodologie de capitaliser les modles dans une bibliothque qui pourra tre utilise de manire totalement gnrique.
Rsistance parallle la capacit, uniquement pour convergence Spice ESR extrait de l'abaque Figure 2.17 ESL extrait de la table 2.5
2.1.1.2
Condensateurs lectrolytiques
Il existe plusieurs technologies lectrolytiques, mais nous ne nous attacherons ici qu'aux caractristiques des composants utiliss sur nos applications automobiles, savoir : Les condensateurs lectrolytiques aluminium liquide. Les principaux avantages de cette technologie sont l'tendue dans les gammes de tension et de capacit. Ses principaux inconvnients sont la rsistance srie quivalente et la tenue en frquence. Les condensateurs lectrolytiques tantale solide. Le principal avantage de cette technologie est son ecacit Capacit/Volume, (voir le
er
sur le tableau 2.7). Leurs
principaux inconvnients sont leurs courants de fuite et les limitations en tension.
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43
Table 2.7 Caractristiques des matriaux utiliss dans les condensateurs lectrolytiques
Matriaux
Tension de claquage kV/mm
paisseur e de claquage pour U=50V en m 20 1 1 1 0.3
r /e
Air Polypropylne Mylar Polyester Papier, imprgns Mica
1 2 3.2 4.6 6.8
2.5 45 44 50 158
0.05 2 3.2 4.6 22
Oxyde d'aluminium Pentoxyde de tantale

Titanate de Barium
8.4 28
5 16000
63 126
0.6
0.79 0.4
83
10 70
0.06 192
Les condensateurs aluminium sont constitus de deux feuilles d'aluminium spares par du papier. Le papier sert la fois de container pour l'lectrolyte (qui est stocke dans les pores du papier absorbant) et galement de sparateur prvenant des court-circuits, en ayant une rigidit dilectrique susante pour sparer les feuilles d'anode et de cathode.
Figure 2.20 Structure des condensateurs lectrolytique Aluminium (source [EPC 09])
Ces composants sont en gnral utiliss pour des valeurs suprieures au F, et ont du coup des caractristiques inadaptes des besoins de ltrages au del de quelques MHz, o les seuls comportements gnralement mesurs correspondent aux eets des lments parasites. Les problmatiques d'immunit gnralement traits en CEM dbutent cette frquence. Notons par contre que pour les aspects missions, les ltrages gnralement constitus pour les applications de puissance vont se baser sur une utilisation intensive de ce type de composant. Il conviendra donc de prendre en compte nement les observations suivantes pour traiter ces problmatiques. Nous allons retrouver sur les condensateurs lectrolytiques les mmes phnomnes que pour les composants cramiques. En particulier, on peut noter les variations de l'ESR avec la frquence et les sensibilits la temprature.
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2.1. Modlisation des composants passifs Caractristiques de la Capacit C.
44
La principale caractristique, importante pour
nos travaux et relative la capacit, concerne la prcision. Le tableau 2.8 donne les codes d'identication des tolrances normalises. Les composants gnralement utiliss pour nos applications ont des prcisions de l'ordre de 20 % Lettre Code Tolrance Capacit A Tolrances autre que celles dnies K M N Q 10 % 20 % 30 % - 10 % / + 30 % R S T V Y Z Lettre Code Tolrance Capacit - 20 % / + 30 % - 20 % / + 50 % - 10 % / + 50 % - 10 % / + 100 % 0 % / + 50 % - 20 % / + 80 %
Table 2.8 Tolrances des condensateurs lectrolytique

Caractristiques de l'ESR. Comportement frquentiel de l'ESR.
Nous avions tabli qu'il n'tait pas nces-
saire de prendre en compte la dpendance de l'ESR avec la frquence pour les condensateurs cramiques, mais ce n'est plus du tout le cas pour les lectrolytiques. Le fait est que l'ESR est en gnral plus lev que pour les cramiques et que par consquent, cet ESR est suprieur la partie complexe de l'impdance sur une large gamme de frquence (Figure 2.21a). Cette gamme de frquence correspondant souvent la plage d'intrt, il est ncessaire de prendre en compte cette uctuation, en tout cas au moins sur la gamme de frquence o l'ESR est suprieur la partie imaginaire de l'impdance.
3
1 .10
100 Impdance et ESR en Ohms
10
0.1 100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
Module de l'impdance ESR
(a) Condensateur Tantale 4.7 F [KEM 09]
(b) Condensateur Aluminium 1000 F [EPC 09]
Figure 2.21 Impdances et ESR de condensateurs Aluminium et Tantale

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45
Pour les aspects thermiques, on peut observer Figure 2.21b, que l'ESR de ces condensateurs est trs sensible la temprature.
Comportement thermique de l'ESR.
Les eets thermiques sont beaucoup plus
importants sur ces composants que sur les cramiques. En particulier lorsque la temprature diminue, la viscosit de l'lectrolyte diminue, et a pour eet la rduction de la conductivit. La temprature impacte la fois la valeur de la capacit, mais galement l'ESR, dans des proportions trs importantes.
(a) Eet sur la capacit
(b) Eet sur l'ESR
Figure 2.22 Impact typique de la temprature sur la capacit et l'ESR - Source [EPC 09]
Dans la plupart des composants lectrolytiques, l'ESR peut tre fortement dgrad avec la temprature. On peut observer des facteurs de 5 10 sur la valeur de l'ESR entre -55C et la temprature ambiante (Des coecients de temprature de plus de 10000 ppm/C sont voqus dans [Grant 06]). Dans les spcications des composants, on trouve de plus en plus d'informations relatives aux comportements thermiques des composants, mais ces donnes doivent tre interprtes prudemment. Par exemple dans les spcications de composants standards de [NCC 09, Mur 09], on peut trouver les informations typiques du tableau 2.9.
Table 2.9 Extrait d'une spcication d'un condensateur Aluminium 120 Hz

Rated Voltage (V) Z-25C / Z+20C Impedance ratio (max.) Z-40C / Z+20C Z-55C / Z+20C 6.3 2 3 8 10 2 3 4 16 2 3 4 25 2 3 3 35 2 3 3 50 2 3 3
Ces donnes ne sont pas directement exploitables car elles donnent des rapports d'impdance sans direncier l'ESR de la valeur de la capacit qui pourrait changer du fait
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46
de la temprature. D'autre part, la frquence d'extraction qui est en standard xe 120 Hz, on ne sait absolument pas quel est le comportement dominant du condensateur (Capacitif ou ESR). Certaines spcications fournissent les volutions de l'impdance (ou de l'ESR) avec la temprature. Ces caractristiques disponibles pour un condensateur usuel sur les applications automobiles sont donnes Figure 2.24. On observe en particulier que les variations de la valeur de la capacit sont faibles devant celles de l'ESR. La Figure 2.23a, donne l'allure de l'volution de l'ESR avec la temprature, qui n'est absolument pas un comportement linaire. La modlisation thermique devra par consquent bien reproduire ce comportement qui est tout fait reprsentatif de la technologie.
40
30
ESR (Ohms)
20
10
60
40
20
20 40 Temprature (C)
60
80
100
120
NCC - MVY 16V - 10 F
(a) Trac ESR de T 40 kHz
Figure 2.23 Donnes sur l'impdance Figure 2.24 Sensibilit la temprature des condensateurs Aluminium - Exemple ELNA
MVY 16V 10F Compte tenu du manque d'informations systmatiques sur le sujet, nous considrerons ces tendances ou les donnes des spcications au cas par cas, mais nous voyons bien ici la ncessit d'aller au del et que des moyens de caractrisations devraient tre dvelopps pour fournir les informations prcises pouvant tre trs dimensionnantes sur ce paramtre.
Caractristiques de l'ESL.
Il existe dirents types de connexions et de gomtrie
pour ces condensateurs, qui vont fortement impacter les inductances parasites de ces composants. En particulier, les composants traversants auront des inductances parasites plus importantes que les composants CMS. De la mme manire, les composants axiaux prsenteront des inductances plus fortes que les composants radiaux (de l'ordre de 40 % en moyenne).
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47
Table 2.10 Type de connexion des condensateurs Aluminium

A visser Traversant Axial Snap in Mont en surface Traversant radial
Il n'est pas possible de donner des valeurs systmatiques par type de botier, comme nous avons pu le proposer pour les cramiques. Il conviendra au cas par cas d'valuer l'ESL de ces condensateurs pour la construction des modles, soit en se basant sur la mesure, soit en s'appuyant sur les spcications du composant.
Synthse - modlisation.
Le modle gnral de la Figure 2.3 n'est pas susant pour
prendre en compte certaines des caractristiques que nous venons de dtailler. Nous avons identi en particulier que l'ESR tait dpendant de la frquence et que, contrairement aux cramiques, nous devions prendre en compte cette dpendance dans nos modles. La technique gnralement employe [Parler 02, Franklin ], est base sur la mise en cascade de plusieurs RC, comme prsent sur la Figure 2.25. Sur le rseau RC, chaque capacit une valeur constante relie la valeur nominale (Cnom ) du condensateur. La rpartition suggre est reprsente Figure 2.25, mais peut tre adapte en fonction du nombre de branches qui n'est pas g. Les rsistances sries R1 R5 sont dimensionnes empiriquement pour arriver l'ajustement entre mesure et simulation.
ESL
1 2
Rp
Cnom/32 R1 R2 R3 R4 R5 Cnom/16 Cnom/8 Cnom/4 Cnom/2
Rseau RC - C et ESR(f)
Figure 2.25 Schma quivalent pour les condensateurs lectrolytiques

Rappelons cependant que sur ce type de composant, pouvant tre de grandes dimensions, le modle gnral propos peut ne plus tre valable au del d'une certaine frquence. Cela est li des phnomnes de propagation par exemple, ainsi qu' des rsonances secondaires internes la structure. Cela est bien illustr dans [Parler 02], d'o est tir la Figure
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Impedance is the ratio (both magnitude and phase) of applied AC voltage to the resulting AC current flow. The voltage is applied to the terminals, and the current flows in from the positive terminal, through the positive tabs to areas on the anode foil where the tabs are attached. The current branches out
the series inductance. This ode separation area is so s is cancelled. Likewise, tall not have significantly mo Once the tabs enter the act
48
2.26, mettant en vidence l'aspect de distribution des lments parasites.
(b)
Figure
Figure 3. Typical anode fo in high capacitance distribu Edge of 100 m thick an Figure 2. Aluminum electrolytic capacitor construction deterrevealing the alumina dielec 2.26 Distribution des lments de structure et parasite dans un condensateur mines its impedance characteristics. with 200 n
Aluminium [Parler 02]
Sur le modle de la Figure 2.25, seule l'inductance parasite (ESL) peut tre considre
2 Presented at IEEE Industry Applications Society Conference, O
comme constante avec la temprature et avec la frquence. Les condensateurs typiquement utiliss ont des prcisions de 20 %. C'est ce que nous considrerons en premire approche pour la construction de nos modles. Nous avons pu identier que la temprature impactait surtout l'ESR de manire plus prononce que la capacit, et proposons de prendre en compte la dpendance thermique dans nos modles. Sous Pspice, il est possible de dnir de manire native la dpendance thermique de la rsistance avec la temprature. Cependant les lois comportementales sont limites et nous avons pu tablir que la loi exponentielle correspondait le mieux au comportement constat :
R = Rnom 1.01CT E.(T TN OM )

Avec RN OM CTE T TN OM valeur de la rsistance la temprature nominale Coecient thermique exponentiel (TCE en langage Spice) Temprature en C Temprature nominale
(2.2)
Dans le cas du condensateur lectrolytique NCC - MVY 16V - 10 F, les paramtres extraits permettent d'obtenir les rsultats de la Figure 2.27 (TN OM = 20 C, et CTE = -2.4).
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49
40
30
ESR (Ohms)
20
10
60
40
20
60
80
100
120
NCC - MVY 16V - 10 F Equation Pspice
Figure 2.27 Comparaison Spcication / Modle du comportement de l'ESR avec la

temprature Le modle lmentaire permettant de reproduire l'volution d'une rsistance avec la temprature suivant cette loi est donn ci dessous.
Commentaires
.SUBCKT Resistance_generique 1 2 R_R2 1 2 res_temp 3 .model res_temp RES TCE=-2.4 Tnom=20

Rsistance nominale de 3 Ohms, faisant rfrence un .model de rsistance Dnition du .model de rsistance, avec dpendance de la temprature suivant loi exponentielle (coecient CTE =2.4) et prcision de la temprature nominale pour laquelle R=3 Ohms
.ENDS
En synthtisant les dirents points et en les concatnant dans un modle, on tablit la Netlist suivante qui correspondra la structure gnrique de modle comportemental d'un condensateur lectrolytique.
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50
Commentaires
.SUBCKT Capa_Electro 1 2 PARAMS : CAP=47E-6 C_C1 C_C2 C_C3 C_C4 N15379 N15305 N15339 N15309 2 2 2 2 CPT CPT CPT CPT {CAP/32} {CAP/16} {CAP/8} {CAP/4}
Dnition en tant que paramtre (CAP) de la valeur nominale du condensateur, ici 47F Dnition des capacits rparties, s'appuyant sur le paramtre CAP
C_C5 N15429 2 CPT {CAP/2} R_R1 N15313 2 1e6

Dnition de la rsistance de fuite (Valeur par dfaut de 1M, car ngligeable pour les aspects CEM)
R_R2 R_R3 R_R4 R_R5
N15313 N15379 N15305 N15339
N15379 N15305 N15339 N15309
res_temp res_temp res_temp res_temp
108e-3 8.5e-6 49.9e-3 31.6e-3
Dnition des rsistances rparties d'ESR et rfrence au modle thermique
R_R6 N15309 N15429 res_temp 60.4e-3 L_L1 1 N15313 5e-9 .model res_temp RES R=1 TCE=-2.4 Tnom=20 .model CPT CAP C=1 LOT/GAUSS={20/400}
Dnition de l'inductance parasite (ESL) Dnition de la dpendance thermique de toutes les rsistances (Loi exponentielle avec coecient CTE et TNOM) Dnition de la dispersion 20% ( 4. ) sur les capacits (dnies en tant que LOT puisque la dispersion de chaque capacit doit tre la mme)
2.1.1.3 Condensateurs Tantales
La particularit de ce composant est que l'lectrolyte est en tat solide. La structure de ce composant est prsente Figure 2.28.
Figure 2.28 Structure d'un condensateur Tantale (Source [Lagrange 96])

Les condensateurs tantales vont prsenter les mmes comportements que les composants Aluminiums, et notamment les sensibilits la temprature. Du fait de sa conception et
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51
de sa taille en gnral plus petite que les condensateurs Aluminiums, les Tantales peuvent en gnral tre utiliss pour des ltrages aux alentours du MHz. En comparaison avec les composants Aluminiums, pour lesquels les spcications fournisseurs sont trs pauvres en donnes sur les comportements d'impdances avec la frquence, ce type de donne est gnralement largement disponible pour les Tantales [AVX 09, KEM 09, EPC 09]. En exploitant notamment les donnes mises disposition, on peut retracer les volutions typiques des ESR en fonction de la temprature (Figures 2.30 et 2.29).
10
100
Impdance (Ohms)
3 4 5 6 7 8
10
ESR (Ohms)
0.1 100
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
0.1 100
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
-55 C 25 C 85 C 125 C
-55 C 25 C 85 C 125 C
Figure 2.29 volution de Z et ESR typique avec la temprature - AVX - 22 F - 10V

100 100
Impdance (Ohms)
3 4 5 6 7 8 9
10 ESR (Ohms)
10
0.1 100
1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
0.1 100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
-55 C 25 C 125 C
-55 C 25 C 125 C
Figure 2.30 volution de Z et ESR typique avec la temprature - KEMET - 100 F 6 V De la mme manire que pour les condensateurs Aluminiums, les volutions observes pourront tre prises en compte dans nos modles. Cela permettra d'analyser les comportements de nos produits dans des situations pire cas. Notons que la sensibilit la temprature est bien moins importante que pour les composants Aluminiums, mme si
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cela reste non ngligeable (ici un facteur 2 entre -55C et la temprature ambiante).
52
Les techniques de modlisation seront au nal identiques que pour les lectrolytiques, avec cependant des paramtres quelque peu dirents.
2.1.2 Caractristiques et modlisation des rsistances

Il existe un nombre important de technologies disponibles pour les rsistances, dont les rsistances carbone, mtal, inductives, non inductives etc. Cependant dans nos applications automobiles, il n'y a rellement qu'un seul type qui sera largement utilis, il s'agit de la famille dite couche paisse (Thick lm). Nous nous limiterons donc la description de ces composants et leurs caractristiques nous semblant importantes pour la CEM.
Figure 2.31 Rsistances couche paisse (Thick Film)

Les composants typiques utiliss ont des dispersions de l'ordre de 1 % ou 5 %, le choix tant souvent dict par le cot (5 %), puis par les besoins fonctionnels (pouvant orienter le choix vers le 1 %). On trouve dans la littrature plusieurs suggestions pour la modlisation des rsistances tel que [Paul 06], ainsi que sur les sites des principaux fournisseurs [Yag 09, Roh 09]. Le modle la fois le plus simple mais le plus complet, pour prendre en compte les eets importants en CEM, et propos par ces sources est donn la Figure 2.32.
Cp
Lp
Figure 2.32 Modle quivalent de la rsistance

Ce modle est bas sur la rsistance propre du composant, R, court circuite par une capacit parasite parallle Cp . Cette capacit est principalement cre entre les terminaisons du composant qui sont galement l'origine de l'inductance Lp . En fonction des valeurs des rsistances, ce modle peut tre simpli, car il va en gnral dominer un seul des eets parasites dnis (Voir Figure 2.33), ceci restant vrai jusqu' quelques GHz pour les composants couche paisse de petites tailles monts sur PCB. Au del, les lments Lp et
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53
Cp parasites rentrent en rsonance et il convient donc de conserver les deux lments pour dcrire correctement le comportement frquentiel du composant.
1 .10
4
1 .10
Impdance (Ohms)
100
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Module - R=1 kOhms Module - R=1 Ohm
Figure
2.33 Comportement des impdances des rsistances de faible / forte valeur -
CMS 0603
Les valeurs retenues pour les composants usuels sont donnes tableau 2.11, et sont issues de mesures ralises sur un grand nombre de composants.
Table 2.11 lments parasites des rsistances usuelles

Botier 0603 0805 Lp 0.8 nH 0.8 nH Cp 0.09 pF 0.05 pF
2.1.2.1
Eet de la temprature
L'eet le plus important li la temprature et prendre en compte dans le dimensionnement des rsistances, est la tenue en puissance qui dcrot au del d'une certaine temprature. Ceci est gnralement renseign dans les spcications des composants, mais n'impactera pas le comportement HF des composants. Des drives de la valeur de la rsistance peuvent cependant tre observes avec la temprature. Ces variations sont gnralement faibles et dpendent de la valeur de la rsistance et de ses tolrances initiales. Les coecients en temprature typiques sont donns dans le tableau 2.12. Si on prend un exemple d'une rsistance ayant 200 ppm/C, et que cette rsistance est utilise sur une plage de temprature de T=25C 40C, cela conduit une dispersion supplmentaire sur la valeur de la rsistance qui devra tre de l'ordre de
200 ppm40 = 0.8 %.
En prenant en compte les plages de temprature typique pour les applications automobiles (-40 / +105C en pire cas), ainsi que les donnes du tableau 2.12, cela permettra d'estimer
7 dcembre 2010

les dispersions prendre en compte dans nos simulations sur ces composants.
54
Table 2.12 Coecient de temprature typique [Yag 09, Roh 09]

Tolrance sur la rsistance Plage de rsistances () 5 % 1 - 9.1 10 - 10M 1 % 0.5 % 10 - 10M 10 - 91 100 - 1M Coe. de temprature typ. (ppm/C) 200 / 400 100 / 200 100 100 50
2.1.2.2
Synthse - Modlisation
Le modle nal que l'on utilisera pour la modlisation des rsistances peut donc s'appuyer sur le schma quivalent de la Figure 2.32 avec les valeurs typiques de la table 2.11. Les prcisions que nous considrerons sont de 5.8 % pour les rsistances 5 % (en prenant en compte les aspects thermiques), et de 1.8 % pour les composants 1 %. La Netlist pour le cas d'une rsistance de 1k 5.8 % correspond :
Commentaires
.SUBCKT R_0603_1k_5_8pc 1 2 R_R1 1 3 Rdisperse 1k L_L1 3 2 0.8e-9 C_C1 1 3 0.09e-12 .ENDS .model Rdisperse RES R=1 LOT/GAUSS={5.8/400}
Dispersion 5.8 % 4. , avec lien dans le lot (LOT). A remplacer par DEV pour dnir une dispersion sans prendre en compte ce lien. Rsistance nominale de 1k, fait rfrence un .model pour dnir la dispersion Inductance parasite extrait de la table 2.11 Capacit parasite extrait de la table 2.11
2.1.3 Caractristiques et modlisation des inductances

Une inductance est un composant qui stocke de l'nergie sous la forme de champ magntique. Dans sa forme la plus simple, une inductance correspond une simple boucle ou un bobinage. Elle est directement proportionnelle au nombre de spires constituant le bobinage. Sa valeur est dpendante du rayon de la boucle, et des proprits magntiques du matriau entourant le bobinage. L'utilisation des inductances est relativement rare basses frquences, du fait des dimensions physiques de ces composants. Ils sont peu utiliss dans les applications automobiles si ce n'est comme lment de ltres pour les applications de puissance, et galement (mais beaucoup plus rarement) comme lment de ltrage en hautes frquences (ltrage d'alimentation de composants actifs notamment). Dans le premier cas, les composants sont gnralement de grandes dimensions et sont des composants
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55
traversants. Dans le deuxime cas, les composants sont gnralement en technologie CMS, de petites dimensions (quivalentes aux tailles des botiers des condensateurs cramiques). Il existe plusieurs familles d'inductances, dont le paramtre dterminant qui les direncieront est le coecient de qualit Q. Les valeurs typiques des coecients de qualit par grande famille d'inductances sont donnes Figure 2.13.
Q=
Avec XL R Partie imaginaire de l'impdance Rsistance
XL R
(2.3)
Table 2.13 Coecient de qualit des composants usuels

Famille Bobine air Ferrite bobine Inductances multi-couches CMS Coecient de qualit jusqu' 400 jusqu' 150 jusqu' 60
Plusieurs modles sont proposs dans la littrature [Paul 06, Zenker 01], ainsi que par les principaux fournisseurs [Mur 09, TDK 09, Wur 09, Coi 09]. Le modle gnrique le plus simple que l'on peut utiliser est donn Figure 2.34. Ce schma consiste en l'inductance proprement dite qui va tre court circuite en HF par une capacit parasite note Cp . Cette capacit est engendre la fois par les terminaisons du composant dans le cas des CMS en particulier, et par la proximit de spires successives, entre lesquelles une capacit parasite se forme. De proche en proche il y a alors cration d'une capacit parasite que l'on peut globaliser en parallle avec le composant. Rs reprsente la rsistance du conducteur, qui va voluer avec la frquence, du fait de l'eet de peau. La rsistance parallle Rp , traduit les pertes dans le noyau magntique, qui peut galement tre un paramtre variable avec la frquence suivant les matriaux utiliss.
Cp L
1 2
Rs
Rp
Figure 2.34 Modle quivalent gnrique d'une inductance / ferrite

Les pertes dans la bobine sont engendres par les pertes dans la rsistance DC ainsi que dans les lments dpendant de la frquence : Les pertes dans le noyau magntique
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56
Pertes additionnelles dans le conducteur lies l'eet de peau, ainsi qu'au courant de dplacement en hautes frquences Pertes par rayonnement Pertes ventuelles dans le blindage (quand utilis).
2.1.3.1
Ferrites CMS
Les Ferrites sont des cramiques non conductrices base d'Oxyde de Nickel de Zinc, de Manganse ou d'autres composants. Leur principale caractristique est qu'elles prsentent un comportement plutt rsistif, traduisant les pertes dans le matriau magntique utilis. Ce sont donc des composants faibles coecients de qualit. La structure interne de ce type de composant est donne Figure 2.35.
Figure 2.35 Structure interne de ferrites CMS (Sources [Mur 09, Wur 09])
Le comportement frquentiel extrait d'une mesure l'analyseur d'impdance permet de bien illustrer le comportement rsistif dominant en haute frquence des ferrites. La Figure 2.36 correspond l'impdance d'une ferrite CMS de [TDK 09].
Figure 2.36 Impdance R + jX typique d'une ferrite (ex : MMZ1608R300A de TDK)

En terme de dispersion, les seules donnes que l'on peut obtenir dans les spcications concernent les valeurs d'impdances en gnral 100 MHz et 1 GHz. Pour la plupart des composants, on observe gnralement des prcisions annonces de 20 % 100 MHz et allant jusqu' 40 % 1 GHz. Si l'utilisation de ce type de composant venait s'tendre, il conviendrait de prendre en compte ces carts dans nos modles et d'identier sur quel paramtre cette dispersion doit tre applique (Rp , Rs et/ou L)
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2.1. Modlisation des composants passifs 2.1.3.2 Eet thermique et non linarit
57
Une des caractristiques importante dans le choix d'une inductance est son aptitude ne pas saturer dans les conditions d'utilisation. Au del d'un certain courant traversant l'inductance, le matriau magntique sature et engendre une diminution de la valeur de l'inductance apparente. Gnralement les composants sont spcis jusqu' une valeur de courant maximal, correspondant une situation o la valeur de l'inductance a diminu de l'ordre de 10 %. Il convient donc de choisir les composants de manire s'autoriser ngliger ces eets dans la modlisation notamment. Les matriaux magntiques utiliss sont sensibles la temprature, et des tendances observes dans [Zenker 01] indiquent que des drives de 5 10 % sur l'impdance peuvent tre constates sur des ferrites CMS entre -40C et 80C. Ces donnes sont rarement mises disposition dans les spcications des composants, et il semble qu'une caractrisation exprimentale devienne ncessaire pour matriser ce paramtre. Pour nos travaux, compte tenu de l'utilisation ponctuelle de ce type de composants, et principalement pour des cartes spciques d'tude sur composants, nous ngligerons ces phnomnes.
2.1.3.3
Discussion sur la modlisation.
Il y a des cas o le modle propos la Figure 2.34 ne permettra pas de produire une rponse acceptable, notamment lorsque les variations de l'inductance avec la frquence sont importantes. Ce sera le cas par exemple de la ferrite Murata BLM18HK102SN1, dont le module d'impdance est donn Figure 2.37.
1 .10
4
Impdance (Ohms)
1 .10
100
10 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Figure 2.37 Module d'impdance de la ferrite Murata BLM18HK102SN1

L'application du modle gnrique dans ce cas ne peut donner que des rsultats moyens, que l'on peut juger susants ou pas, suivant les besoins d'utilisation (Figure 2.38).
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1 .10
4
3
58
1 .10
100
1 .10 Partie Relle (Ohms)
Partie Imaginaire(Ohms)
6 7 8 9
10
100
0.1
10
0.01
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Modle Mesure
Modle Mesure
Figure 2.38 Comparaison Mesure / Modle - Ferrite BLM18HK102SN1

Dans les cas o il serait ncessaire d'amliorer ces rsultats, des modles plus labors peuvent tre utiliss, permettant d'avoir des variations frquentielles des paramtres inductif et rsistif du composant. On trouve notamment dans [Mur 09], les structures de modles de la Figure 2.39, qui pourront tre utiliss, mais prsentant l'inconvnient d'tre plus complexes dimensionner. L'valuation des valeurs des dirents lments ne peut plus tre faite que par un processus d'identication des variables itratif, jusqu' obtenir la meilleure corrlation entre mesure et simulation. Les approches analytiques simples que nous avons proposes jusqu' prsent ne sont plus applicables.
Cp
Cp
R1 L1
1
C1
R2 L2
R3 L3
2 1 2
R4
R1 L1
1 2 1
R2 L2
2 1
R3 L3
2
R4
(a) Structure modle 1
(b) Structure modle 2
Figure 2.39 Modles labors d'inductances / ferrites [Mur 09]

Dans le cas de la ferrite Murata BLM18HK102SN1, une optimisation des valeurs du modle de la Figure 2.39b peut tre ralise en utilisant les fonctionnalits de l'Advance Analysis de Pspice. Cela permet d'obtenir les valeurs du tableau 2.14. Le comparatif entre ce modle et la mesure est donn Figure 2.40, et permet de mettre en vidence la nette amlioration de la reproduction des comportements.
Table 2.14 Paramtres du modle Figure 2.39b pour la ferrite Murata BLM18HK102SN1
R1 R2 R3 R4 C pF 88 3.2 0.21 0.58 L1 L2 H 4.16 12.5 L3
592 606
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1 .10
4
3
59
1 .10
Module Partie Imaginaire(Ohms)

6 7 8 9
100
100
10
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Modle Mesure
Modle Mesure
Figure 2.40 Comparaison Mesure / Modle Ferrite BLM18HK102SN1
2.1.4 Construction des modles par la mesure

2.1.4.1 tat de l'art de la mesure d'impdance
Les composants que nous venons de dcrire, ont des lments parasites qui vont impacter leurs comportements en hautes frquences. Ces lments parasites sont gnralement de faibles valeurs et on parlera par exemple de capacits parasites de l'ordre de 0.2 pF pour des rsistances CMS, ou d'inductances parasites de 0.5 nH pour des condensateurs. La question qui se pose donc naturellement est comment faire pour mesurer des tels lments et avec quelle prcision ?
Table 2.15 Synthse des Common impedance measurement methods techniques de mesure d'impdance [Agilent 06b] Table 2-1.
Advantages Disadvantages Applicable frequency range DC to 300 MHz Typical Agilent products None Common application Standard lab Bridge method High accuracy (0.1%typ.). Wide frequency coverage by using different types of bridges. Low cost. Good Q accuracy up to high Q. Need to be manually balanced. Narrow frequency coverage with a single instrument. Need to be tuned to resonance. Low impedance measurement accuracy. Operating frequency range is limited by transformer used in probe. Operating frequency range is limited by transformer used in test head. Recalibration required when the measurement frequency is changed. Narrow impedance measurement range.
Resonant method
10 kHz to 70 MHz
None
High Q device measurement. Grounded device measurement. RF component measurement. RF component measurement.
I-V method
Grounded device measurement. Suitable to probe type test needs. High accuracy (1% typ.) and wide impedance range at high frequencies. High frequency Range. Good accuracy when the unknown impedance is close to the characteristic impedance Wide frequency coverage from LF to HF. High accuracy over a wide impedance measurement range. Grounded device measurement
10 kHz to 100 MHz
None
RF I-V method
1 MHz to 3 GHz
4287A 4395A+43961A 4396B+43961A E4991A 8753E 4395A
Network analysis method
300 kHz and above
Auto balancing bridge method
Higher frequency ranges not available.
20 Hz to 110 MHz
E4980A 4284A 4294A 4294A+42941A (*1) 4294A+42942A (*1)
Generic component measurement (*1) Grounded device measurement
Note:
Agilent Technologies currently offers no instruments for the bridge method and the resonant method shaded in the above table.
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60
Plusieurs techniques existent et permettent de raliser des mesures d'impdance. Ces techniques ont t en particulier recenses et compares dans [Agilent 06b]. La synthse du tableau 2.15 nous semble intressante pour nous orienter vers les techniques envisageables par rapport nos besoins. De ce tableau, il ressort que sur la gamme de frquence que l'on souhaite couvrir avec notre tude (entre la centaine de kHz et 3 GHz), seuls l'analyseur de rseau vectoriel et la technique RF I-V semblent envisageables. La mthode RF I-V annonce des prcisions suprieures ce que l'on peut obtenir avec l'analyseur de rseau. Si on regarde cependant les donnes provenant de [Agilent 01], et donnes Figure 2.41, on constate qu'en adaptant la mise en oeuvre du composant, on devrait pouvoir atteindre plus ou moins les mmes performances avec le VNA
qu'avec la technique RF-IV. Par soucis de standardisation des
outils que nous allons utiliser, nous retiendrons le VNA comme technique de mesure des impdances des composants passifs. Il faut noter pour nir que la technique RF-IV est limite des mesures sur un seul port, ce qui est un inconvnient majeur pour l'tude de composants multi-ports.
Note: Measurement ranges shown in the graph do not include the limiting factors due to test fixture residuals, variance in test cable parameters and drift of the instrument. The practical impedance measurement ranges for S-parameter methods depend on the test port extension, the test fixture characteristics and the calibration method for eliminating the test-fixture induced errors.
Figure 13. Q measurement accuracy comparison
Figure
Figure 14. Basic impedance gammes of RF I-V method and network analysis 2.41 Comparaison des measurement rangesd'impdance mesurables 10% (source method at 10% accuracy
[Agilent 01])
Une dernire observation concerne cependant les dicults traiter des situations fort coecient de qualit. Le coecient de qualit, not Q, correspond au rapport de la partie imaginaire avec la partie relle de l'impdance. Certains composants vont prsenter des coecients extrmement levs, et ce sera le cas notamment pour les condensateurs. La question se poser concerne alors la capacit mesurer une partie relle trs petite lorsque la partie imaginaire est trs leve (ou inversement). Cette comptence sera certainement un des critres majeurs direnciant l'analyseur de rseau de la technique RF IV. En eet, on peut observer dans [Agilent 01], la caractristique donne Figure 2.42, correspondant la prcision de mesure dans un cas o Q=100.
5. Vector Network Analyzer - Analyseur de rseau Vectoriel
7 dcembre 2010
61
Note : The Q accuracy is compared for a 50 impedance with Q factor of 100. Q error is greater for impedance higher and lower than 50 .
Figure 2.42 Comparaison des prcisions sur la facteur Q

Figure 13. Q measurement accuracy comparison
Note: Measurement ranges shown in factors due to test fixture residuals, variance in test cable parameters and drift of the instrument. The practical Les donnes de la partie prcdente nous ont fourni des ordres de impedance measurementdes for grandeur et ranges S-parameter methods depend on the tendances qui nous auront permis de maintenir le choix de l'analyseur de rseau vectoriel test port extension, the test fixture characteristics and the calibration pour raliser nos mesures. Il convient maintenant de regarder plus dans le method for eliminating the test-fixture dtail les aspects induced errors.
2.1.4.2
the graph Prcisions de mesure d'impdance l'analyseur de rseau do not include the limiting
prcisions avec en particulier les incertitudes sur les parties relle et imaginaire troitement lies et contenant chacune des informations essentielles pour l'extraction des dirents lments parasites des composants. Les dicults de mesures d'impdances particulirement faibles ont dj t discutes dans [Novak 00, Agilent 07b]. Nous souhaitons dans cette partie gnraliser ces observations (basses et hautes impdances) et surtout les quantier method at 10% accuracy prcisment.
Figure 14. Basic impedance measurement ranges of RF I-V method and network analysis
Analyse premier niveau.
Dans les cas o seul le module de l'impdance extraite peut
sure la modlisation d'un composant, les aspects incertitudes peuvent tre considrs comme suit. Nous allons distinguer trois congurations possibles pour la mesure de l'impdance (mesure indirecte, car rappelons que l'analyseur mesure des rapports d'ondes, qui permettent de recalculer une impdance) : Mesure du coecient de rexion (S11 ) Mesure du coecient de transmission - composant srie (S21 srie) Mesure du coecient de transmission - composant parallle ou shunt (S21 parallle)
14
Exploitation de la Mesure du S11 .
A partir du coecient de rexion mesur,
l'impdance peut tre obtenue par la relation :
S11 =
Avec Z : Z0 : Impdance mesurer
Z Z0 Z + Z0
(2.4)
Impdance caractristique de rfrence (50
pour le VNA).
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Table 1-4 Corrected system performance with 3.5 mm device connector type, 85033E calibration kit
2.1. Modlisation des composants passifs 62 Network analyzer: E5071C Calibration kit: 85033E (3.5 mm, 50 ) Calibration: full 2-port En fonction de l'impdance, on peut tracer l'volution du paramtre S11 , Figure 2.43. On
peut d'ores et dj 10 Hz, no averaging applied to data, environmental temperature ou trs fortes, les carts IF bandwidth = observer que pour des impdances trs faibles
= seront C with < 1 C deviation from et qu'il temperature, isolation sur le S11 23 C 5 extrmement faibles, calibration sera dicile de distinguer deux impdances calibration not omitted
dans cette zone.
Specification (dB)
Description Directivity Source match Load match Reflection tracking Transmission tracking
1 9 to 300 kHz 46 43 0.5 46 0.006 0.034 0 S11
300 kHz to 10 MHz 46 43 46 0.006 0.034
10 MHz to 3 GHz 44 40 44 0.007 0.020
3 to 6 GHz 38 37 38 0.009 0.058
6 to 8.5 GHz 38 35 38 0.010 0.079
Transmission uncertainty (specification)

0.5
Magnitude
10
100
9 kHz to 300kHz 300 kHz to 10 MHz 10 MHz to 3 GHz 3 GHz to 6 GHz 6 GHz to 8.5 GHz
Phase
9 kHz to 300kHz 300 kHz to 10 MHz
0.01
0.1
Uncertainty (dB)
3 10 MHz to 3 GHz 4 5 10 100 1 .10 3 GHz.106 GHz 1 .10 1 to Impdance en Ohms
Uncertainty (degrees)
1 3 1 .10
1 .10
10
6 GHz to 8.5 GHz
Figure 2.43 volution du S11 en fonction de l'impdance mesurer

0.1
01
S11 = S11 = S22 = 0; Source En considrant le cas pratique power = 10 dBm de l'analyseur de rseau notreS22 = 0; Source power = 10 dBm les incerdisposition,
0.01
0.1
10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 titudes en module et phase du coecient de rexion sont donnes dans la spcication
Transmission coefficient (dB)
de l'appareil [Agilent 07a]. Ces caractristiques sont donnes Figure 2.44, an de xer les ordres de grandeur.
Relection uncertainty (specification)

Magnitude
0.05
10
9 kHz to 300kHz, 300 kHz to 10 MHz 10 MHz to 3 GHz 3 GHz to 6 GHz 6 GHz to 8.5 GHz
Phase
9 kHz to 300kHz, 300 kHz to 10 MHz 10 MHz to 3 GHz 3 GHz to 6 GHz 6 GHz to 8.5 GHz S21 = S12 = 0; Source power = 10 dBm
0.6 0.8 1
Uncertainty (linear)
0.04 0.03 0.02 0.01
8 6 4 2 0
S21 = S12 = 0; Source power = 10 dBm
0 0 0.2 0.4
0.2
0.4
0.6
0.8
Reflection coefficient (linear)
Reflection coefficient (linear)
Figure 2.44 Incertitudes sur la mesure du coecient de rexion - [Agilent 07a]

On voit que pour les cas des plus fortes dsadaptations, l'incertitude est de l'ordre de 0.02 (linaire). Cela nous permet d'estimer les impdances maximales que l'on peut raisonnablement esprer mesurer avec cette technique :
6
ZM IN = Z0 .
1 0.98 = 0.505 1 + 0.98
et
ZM AX = Z0 .
1 + 0.98 = 4.9 k 1 0.98
A partir de la spcication de la Figure 2.44, on peut tablir une quation de l'incertitude en fonction du coecient de rexion, et reproduire le comportement donn. L'exploitation de cette quation permet alors de calculer l'incertitude en %, en fonction de la valeur du module de l'impdance mesurer (Figure 2.45).
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100
63
Incertitude en %
10
1 0.1 1 10 100 Impdance mesurer en Ohms 1 .10
1 .10
Figure 2.45 Incertitude en fonction de l'impdance - Technique du S11

Exploitation de la Mesure du S21 composant srie.
Cette conguration de
mesure correspond un positionnement du composant comme reprsent la Figure 2.46. Les incertitudes du coecient de transmission donnes dans la spcication du VNA sont donnes Figure 2.47.
Table 1-4 Corrected system performance with 3.5 mm device connector type, 85033E calibration kit
Network analyzer: E5071C Composant mesurer Calibration kit: 85033E (3.5 mm, 50 ) Calibration: full 2-port
Z
IF bandwidth = 10 Hz, no averaging applied to data, environmental temperature 50 50 = 23 C 5 C with < 1 C deviation from calibration temperature, isolation calibration not omitted Specification (dB)
9 to Description 300 kHz Directivity 46 Port Source match 43 Load match 46 2.46 Conguration Reflection tracking 0.006 Transmission impdance srie tracking 0.034 300 kHz 10 MHz 3 to 6 to to 10 MHz to 3 GHz 0 6 GHz 8.5 GHz 46 44 38 38 1 - VNA Port 2 - VNA 43 40 37 35 46 44 38 38 pour une mesure de coecient de Transmission pour une 0.006 0.007 0.009 0.010 0.034 0.020 0.058 0.079
Figure
Transmission uncertainty (specification)

Magnitude
10
100
Phase
Uncertainty (dB)
10
0.1
01
0.01 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0.1 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Figure 2.47 Incertitudes sur la mesure du coecient de transmission - [Agilent 07a] Relection uncertainty (specification)
Dans cette conguration, les quations reliant l'impdance Z et le S21 sont : 10 0.05
Magnitude
Phase
Uncertainty (linear)
0.04 0.03 0.02 0.01
9 kHz to 300kHz, 300 kHz to 10 MHz 10 MHz to 3 GHz 3 GHz to 6 GHz 6 GHz to 8.5 GHz
Z=
2.Z0 . (1 S21 ) S21 6

4 2 0
9 kHz to 300kHz, 300 kHz to 10 MHz 10 MHz to 3 GHz 3 GHz to 6 GHz 6 GHz to 8.5 GHz S21 = S12 = 0; Source power = 10 dBm
(2.5)
7 dcembre 2010
64
S21 =
2.Z0 Z + 2.Z0
(2.6)
Cela permet d'valuer la prcision en fonction de la valeur de l'impdance (Figure 2.48).

1 .10
3
100 Incertitude en %
10
0.1 0.1 1 10
3 4 100 1 .10 1 .10 Impdance mesurer en Ohms
1 .10
1 .10
Figure 2.48 Incertitudes en % sur les impdances mesures partir du S21 composant
en srie
Exploitation de la Mesure du S21 composant parallle.
Dans les rfrences
cites prcdemment [Agilent 07b, Novak 00], il est mis en avant que pour des mesures de faibles impdances, de l'ordre du m, la mesure du coecient de transmission avec le composant en parallle serait la plus adapte. Voyons ce qu'il en est en considrant l'aspect incertitude. Cette conguration de mesure correspond un positionnement du composant comme reprsent la Figure 2.49.
Composant mesurer
50
50
Port 1 - VNA
Port 2 - VNA
Figure
2.49 Conguration pour une mesure de coecient de Transmission pour une
impdance parallle
Dans cette conguration les quations reliant l'impdance Z et le S21 sont :
Z=
Z0 .S21 2. (1 S21 ) 2.Z 2.Z + Z0
(2.7)
S21 =
(2.8)
Cela permet d'valuer la prcision en fonction de la valeur de l'impdance (Figure 2.50).
7 dcembre 2010

1 .10
3
65
10
0.1 3 1 .10
0.01
0.1
1 10 Impdance mesurer en Ohms
100
1 .10
1 .10
Figure 2.50 Incertitudes en % sur les impdances mesures partir du S21 composant
en parallle Une impdance de l'ordre du m engendre dans cette conguration un coecient de transmission de l'ordre de -80 dB. Cela correspond approximativement la dynamique d'un analyseur de rseau, et mme si les incertitudes obtenues restent trs acceptables, on estime qu'il s'agit l des valeurs limites possible d'extraire.
Synthse.
En fonction des impdances mesurer, on peut superposer les prcisions
attendues en fonction des congurations de mesure mise en oeuvre. Cette synthse sera trs utile pour orienter le choix de la conguration de mesure en fonction des composants mesurer. Il faut rajouter que plusieurs congurations peuvent potentiellement tre utilises pour extraire tous les lments parasites d'un composant (en fonction des gammes de frquence).
1 .10
3
10
0.1 3 1 .10
0.01
0.1
3 1 10 100 1 .10 Impdance mesurer en Ohms
1 .10
1 .10
1 .10
Incertitude sur mesure S11 Incertitude sur mesure S21 - Z parallle Incertitude sur mesure S21 - Z srie
Figure 2.51 Incertitudes en % sur les impdances mesures partir des techniques S 11 ,
S21
impdance srie et
S21
impdance parallle.
Pour des mesures de faibles impdances infrieures 50 de mesure du
et jusqu' 1 m, la mthode
S21 avec le composant en parallle est prfrable. Cela permet d'extraire

et jusqu' 1 M, la
des inductances de l'ordre de 0.1 nH 100 kHz. Pour des mesures de fortes impdances suprieures 50 mthode de mesure du
S21
avec le composant en srie est prfrable. Cela permet
7 dcembre 2010

d'extraire des capacits de l'ordre de 0.1 pF 100 kHz. Pour des impdances proches de 50
66
, le S11 est prfrable, mais n'ore pas rellement
de gain important, si ce n'est sur la mise en oeuvre. Notons que cette analyse ne prend pas en compte les erreurs qui peuvent tre engendres par la mise en oeuvre exprimentale. Cela permet de xer des premires ides quant l'utilisation du VNA pour les mesures d'impdances, et mritera d'tre poursuivi pour intgrer les aspects pratiques.
Analyse rigoureuse.
Comme indiqu dans les caractristiques de l'analyseur de rseau,
il y a une incertitude sur le module du paramtre S, mais aussi sur la phase (Figures 2.44 et 2.47). An d'apprcier les grandeurs extraites, il convient de prendre tous ces facteurs en compte.
Il devient dicile, si on s'intresse extraire
la fois la partie imaginaire et la partie relle d'une impdance, d'obtenir des rsultats prcis d'une part, mais surtout d'tablir des rgles simples pour nous aider dans les choix des congurations (lien avec partie prcdente). On montre par exemple sur les Figures 2.52a et 2.52b, comment voluent les incertitudes des parties relles et imaginaires lorsque l'on donne une valeur constante la partie relle et que l'on fait varier la partie imaginaire.
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
Incertitude en %
Incertitude en %
100
10
100
10
0.1
1 0.1
10 100 Impdance IMG en Ohms
1 .10
1 .10
0.01 0.1
10 100 Impdance IMG en Ohms
1 .10
1 .10
Incertitude partie RE Incertitude partie IMG
Incertitude partie RE Incertitude partie IMG
(a) Cas pour partie relle = 1

xe et partie imaginaire variable
(b) Cas pour partie relle = 100
Figure 2.52 Incertitudes sur partie relle et imaginaire de l'impdance - Partie relle
On voit clairement que les deux sont lies, et que globalement il est dicile d'extraire avec une bonne prcision une partie relle faible lorsque l'on a une forte partie imaginaire, et inversement. Cela sera typiquement la situation lors des mesures sur composants forts coecients de qualit, tel que les condensateurs. En exploitant cette approche, on peut en quelques sortes faire une cartographie de l'abaque de Smith, permettant ainsi instantanment, partir d'une mesure, d'valuer les incertitudes respectives des parties relles et imaginaires en fonction de l'emplacement sur l'abaque (Figure 2.53).
7 dcembre 2010
67
Prcision sur partie Relle Mesure de S11
Prcision sur partie Imaginaire Mesure de S11
> 100 % 50 - 100 % 10 - 50 % < 10 %

0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5
> 100 % 50 - 100 % 10 - 50 % < 10 %
(a) Sur la partie relle
(b) Sur la partie Imaginaire
Figure 2.53 Incertitudes partir du S11 , en fonction de la localisation sur l'abaque

En suivant la mme dmarche, et pour les
mesures du S21 dans les congurations srie et parallle, on peut galement tablir les cartographies des incertitudes. Ces comportements seront exploiter en temps rel pour l'extraction des lments parasites des composants.
1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
Partie imaginaire (Ohms)
1 .10
1 .10
1 .10
> 100 % 3 1 .10 50 - 100 % 10 - 50 % 100 < 10 %
> 100 % 50 - 100 % 10 - 50 % < 10 %
100 10 1 0.1 0.1
10 1 0.1 0.1
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Partie Relle (Ohms)
Partie Relle (Ohms)

Prcision sur partie Relle
Figure 2.54 Incertitudes partir d'une mesurePrcision21 -partie Imaginaire srie du S Composant sur
7 dcembre 2010
68
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
100 10 1 0.1 0.01

3
100
> 100 % 10 50 - 100 % 10 - 50 % 1 < 10 % > 100 % 50 - 100 % 10 - 50 % < 10 %
0.1 0.01
3
1 .10
1 .10
0.01
0.1
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
0.01
0.1
10
100
1 .10
1 .10
Partie Relle (Ohms)
Partie Relle (Ohms)

Prcision sur partie relle

Prcision sur partie Imaginaire
Figure 2.55 Incertitudes partir d'une mesure du S21 - Composant parallle

2.1.4.3 Pratiques de l'extraction des modles
Nous avons montr que le simple RLC srie (
Extraction pour un condensateur.
valeurs constantes) est susant pour modliser le comportement d'un condensateur cramique. L'quation gnrale de l'impdance peut alors tre exprime par :
Z = Rs + j.L. +
1 j.C.
(2.9)
L'extraction des paramtres est alors base sur les simplications de cette quation, en fonction des gammes de frquences. En basses frquences, si on se place bien avant la rsonance, on peut admettre que
|j.L.| et Rs
1 j.C.
. Cela permet d'extraire en basses
frquences la valeur de la capacit (bien que normalement connue, aux dispersions prs).
C=
1 . |Z|
(2.10)
A n'importe quelle frquence respectant les hypothses poses, on peut donc estimer la valeur de la capacit, et en particulier en choisissant une frquence o l'impdance engendre les incertitudes les plus faibles (en fonction de la technique utilise). A la rsonance, la partie imaginaire s'annulant, on peut donc extraire la valeur de Rs (ESR). A la rsonance on a :
Z = Rs 1 j.C.
(2.11)
Si on se positionne bien au del de la rsonance, on peut alors admettre cette fois ci que
|j.L.|
et
Rs .
Cela permet d'extraire en hautes frquences la valeur de
l'inductance :
L=
|Z|
(2.12)
7 dcembre 2010
69
Par l'analyseur de rseau, on peut donc extraire les dirents paramtres du modle simpli (RLC srie simple valeurs constantes). Compte tenu des comportements attendus, on sait orienter la conguration de mesure en fonction des valeurs des composants mesurer, an d'avoir la meilleure prcision :
Table 2.16 Extraction des valeurs du modle de 1 nF 0603 NP0

paramtre / technique S11 1.02 C L (ESL) R (ESR) rsonance Commentaire
0.02 nF
590
60
pH
0.07
0.6
C extrait pour
|Z| = 50
L extrait pour
|Z| = 4 |Z| = 2 |Z| = 3
A la rsonance Z=R S21 parallle 9.94
0.06
nF
440
pH
0.058
C extrait pour L extrait pour
0.002
9.92
S21 srie
0.07 nF
2.1 0.02 nH
A la rsonance Z=R Indni C extrait pour
|Z| = 1.6k
L - Dicult calibrage
En mettant en application les rsultats obtenus dans la partie 2.1.4.2, on peut extraire : A partir du S11 : C=1.02 nF et L=590 pH A partir du S21 parallle : R=0.058
Cette exprience met en vidence que au del de l'aspect purement thorique, l'aspect pratique peut galement engendrer des erreurs, et notamment lies aux dicults de calibrage. Le calibrage dans le plan pour les mesures de
S21
est dlicat (kit maison). Le
S11
reste
encore la technique la plus simple mettre en oeuvre pour contourner cette dicult. Les valeurs extraites sont susamment prcises si on se place des valeurs o l'impdance est proche de 50
Seule la valeur de l'ESR ncessite la mise en oeuvre d'une mesure du
S21
parallle. Tous les modles des condensateurs cramiques seront tablis avec cette dmarche an
de garantir la prcision des valeurs utilises. Comme nous l'avons vu, l'ESR varie avec la frquence [Togashi 07] et la valeur donne dans les spcications correspond en gnral la valeur extraite la rsonance. Bien qu'ayant montr que cette dpendance frquentielle ne soit pas ncessaire, nous souhaitons illustrer ici la dicult que consisterait son extraction l'analyseur de rseau. Ceci est voqu dans [Prabhakaran 02]. Par l'analyseur de rseau, aucune des techniques de mise en oeuvre du composant n'aura permis d'extraire une valeur borne sur toute la gamme de frquence pour la valeur de l'ESR. Pour un condensateur de 1 nF 0603 NPO, la meilleure mesure est obtenue pour une mesure en transmission avec le composant en parallle. Les rsultats sont donns Figure 2.56.
7 dcembre 2010

10
70
1 Parties Relle en Ohms
0.1
0.01
3
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
10
Mesure Incertitude + Incertitude Module de l'impdance
Figure 2.56 Extraction de l'ESR(f ) par mesure du S21 composant parallle

Ces donnes sont de plus en plus disponibles sur les sites des fournisseurs de composants, et en cas de besoin nous pourrons nous appuyer sur ces donnes [TDK 08, KEMET 09].
Extraction pour une rsistance.

l'quation gnrale :
L'impdance de la rsistance de la Figure 2.32 suit
Z = j.Lp . +
Lorsque
R 1 + j.R.Cp . Z = R,
(2.13)
0,
cette quation se simplie en
et permet d'extraire la valeur de
la rsistance (bien que normalement connue, aux dispersions prs). Ensuite deux cas peuvent tre considrs. Soit la rsistance est faible et l'eet parasite qui dominera sera l'inductance parasite, soit la rsistance est forte et l'eet parasite dominant sera la capacit. Dans le cas o la rsistance est faible, tant que l'on se situe avant la rsonance, on peut simplier l'quation 2.13 et crire que :
Z = j.Lp . + R
Et ds que
(2.14)
L.
(sur la portion de la courbe d'impdance ayant une croissance
tablie en + 20 dB/dcade), on peut exploiter n'importe quel point sur la courbe de mesure du module de l'impdance pour extraire l'inductance parasite :
Lp =
|Z|
(2.15)
Dans le cas o la rsistance est leve, c'est alors la capacit parasite qui dominera le comportement de l'impdance. Quand suit :
l'quation 2.13, peut tre simplie comme
7 dcembre 2010
71
Z = j.Lp . +
1 j.Cp . 1 j.Cp .
(2.16)
Et tant que l'on n'a pas pass la rsonance et que l'on est sur un comportement en -20 dB/ dcade bien tabli, on peut crire que peut tre extraite partir de :
|j.Lp .|
, et que la capacit parasite
Cp =
1 |Z| .
(2.17)
Dans les deux cas, an d'extraire le paramtre manquant (L'inductance dans le cas de la rsistance de forte valeur, la capacit dans l'autre cas), on peut simplement exploiter la frquence de rsonance,
f0 , si celle ci peut tre mesure (Sur les composants couche paisse,
ce phnomne arrive gnralement au del de la dizaine de GHz) :
f0 =
1 2.. Lp .Cp
(2.18)
En mettant en application les rsultats de notre analyse sur les incertitudes de mesures en fonction de la conguration de mesure mise en oeuvre, on peut caractriser un certain nombre de rsistances couramment utilises. En partant du principe que les lments parasites Lp et Cp sont lis des lments de structure, on peut estimer que ces lments ne dpendront pas de la valeur des composants, mais principalement des tailles de botiers. Cela correspond ce qui est observ par exemple pour les condensateurs cramiques CMS, prsentant des inductances parasites identiques pour toutes les valeurs d'un mme botier. Cette hypothse nous permettra de proposer des modles complets, mme si tous les lments ne peuvent tre extrait simultanment pour un mme composant (Il est impossible par exemple 3 GHz de mettre en vidence l'eet de l'inductance parasite d'une rsistance de forte valeur).
Extraction pour une inductance.
Pour les inductances fort coecient de qualit,
nous allons tre confronts des dicults d'extraction des impdances si on utilise l'analyseur de rseau (mme problmatique que pour les condensateurs cramiques). Pour les ferrites cela ne sera pas le cas et on obtient par la mesure, des rsultats gnralement exploitables pour la modlisation (Situation faible coecient de qualit). En premire approche, et comme nous l'avons fait pour les condensateurs et les rsistances, nous pouvons extraire les dirents lments du modle gnrique de la Figure 2.34, partir du module de l'impdance et en ne prenant pas en compte les variations frquentielles des lments du modle (L'inductance et les rsistances de pertes en particulier). L'quation gnrale de l'impdance est :
Z = RS +
j.L.Rp . Rp . (1 L.Cp . 2 ) + j.L.
(2.19)
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Si
72
0,
alors cette quation se simplie en
Z = Rs ,
ce qui signie que le paramtre
Rs peut tre extrait en basses frquences. La dicult ici rside sur le fait qu'il faut tre susamment bas en frquence pour permettre une telle simplication. Cela est identiable directement en vriant que l'impdance reste constante sur le dbut de bande. Si tel est le cas cela veut bien dire que c'est la rsistance qui domine et que l'extraction directe de Rs est possible. Dans le cas contraire, comme pour la Figure 2.57, on voit que l'on ne descend pas susamment bas en frquence pour tre dans ces conditions. On s'appuiera alors sur la valeur RDC gnralement donne dans les spcications des composants, ou mesurable avec des techniques conventionnelles (mesure 4 points par exemple). Ds que le module de l'impdance n'est plus constant, cela signie que le comportement inductif devient ecace. Cela arrive ds que
|j.L.| > Rs ,
et engendre au nal une
augmentation du module de l'impdance en +20 dB/dcade. En admettant que l'on a de plus
|j.L.|
1 j.Cp .
et que
Rp
|j.L.|,
on obtient nalement :
Z = j.L.
(2.20)
Et en prenant donc un point sur la portion de courbe croissante en +20 dB/dcade, on peut alors extraire la valeur de l'inductance.
L=
|Z|
(2.21)
A la rsonance entre l'inductance et la capacit parasite, qui apparat :
0 =
1 L.C
(2.22) Rp , on obtient nalement
L'quation 2.19 se simplie, et en admettant de plus que Rs
que en ce point Z=Rp . Au del de cette rsonance, l'impdance dcrot en -20 dB/dcade du fait de la capacit parasite. On peut donc crire que au del de la rsonance
j.L.
1 j.Cp .
, et ainsi obtenir la relation nous permettant d'extraire le dernier paramtre de notre modle :
Cp =
1 |Z| .
(2.23)
L'application de cette dmarche est ralise sur une ferrite (Rf : Murata BLM18HD102SN1) dont le module de l'impdance mesur et le modle quivalent tabli sont donns Figure 2.57. Dans le cas de ce composant, comme voqu prcdemment, la rsistance Rs correspond RDC donne dans la spcication du composant, puisqu'elle ne peut pas tre convenablement extraite 100 kHz.
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1 .10
4
73
1 .10 Impdance (Ohms)
Cp=0.2 pF
100
L=1.74 H
1 2
Rs= 1.8 Ohms
Rp=2.3 kOhms
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure
2.57 Module de l'impdance et modle quivalent de la ferrite Murata
BLM18HD102SN1
Les comparaisons entre la mesure et la simulation sont donnes Figure 2.58. Cela permet de mettre en vidence quelques limitations cette technique, mme si les rsultats sont tout fait acceptables. On peut en eet observer que l'inductance varie avec la frquence, ainsi que les pertes (la partie relle), et que le modle simple ne permet pas de reprsenter ces phnomnes.
4 4
1 .10
1 .10
1 .10 Partie Imaginaire(Ohms)

6 7 8 9 10
100
100
10
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Modle Mesure
Modle Mesure
Figure 2.58 Comparaison Mesure / Modle - Ferrite BLM18HD102SN1

2.1.4.4 Mthode alternative
Certains composants peuvent prsenter des structures et/ou des comportements frquentiels plus complexes, et il devient alors fastidieux de conserver des approches de modlisation manuelle des composants. Le simple fait de proposer un modle quivalent peut alors devenir trs dicile. Un exemple intressant concerne les ltres de mode commun. Le modle quivalent propos par [TDK 09] est donn Figure 2.59. Les valeurs des paramtres sont fonction de la rfrence du ltre, mais ce modle reste gnrique. Les valeurs de ces paramtres sont donnes dans le tableau 2.17.
7 dcembre 2010
74
{R8} {C1}
{R6}
{R1}
{R2}
{C2}
{R3}
{R4}
{R5}
{C2}
{R2}
{R1}
{R6}
2 {C3}
{L1} {R7}
K
{L2}
K
{C3}
{L3}
K
{L4}
K
{L5}
K K
{L2}
K
{L1} {K1} {R7}
{K1}
1
{K2}
2 1
{K3}
2 1
{K4}
2 1
{K5}
2 1
{K2}
2 2
{L1}
{L2}
{L3}
{L4}
{L5}
{L2}
{L1}1
{R6}
{R1}
{R2}
{C2}
{R3}
{R4}
{R5}
{C2}
{R2}
{R1}
{R6}
{C1} {R8}
Figure 2.59 Schma quivalent Filtre de mode Commun [TDK 09] Table 2.17 Valeurs des lments du modle gnrique
Part N ACT45B-110-2P ACT45B-220-2P ACT45B-510-2P ACT45B-101-2P C1
0.09 0.08 0.1 0.09
C2 pF
180 120 60 60
C3
5 5 6.8 4
L1
0.47 1 3.3 10.5
L2
4.5 6.8 17 25
L3 H
0.94 2 6.6 21
L4
0.94 2 6.6 21
L5
4.98 8.9 29.2 47
R1
10 9.5 9.5 13.75
R2
780 1000 2200 2600
R3
R4
4 3.8 3.8 5.5
R5
7500 9500 25000 32000
0.8 0.76 0.76 1.1
Part N ACT45B-110-2P ACT45B-220-2P ACT45B-510-2P ACT45B-101-2P
R6
R7
10 10 10 10
R8
1 1 1 1
K1
0.99596 0.998 0.99788 0.99914
K2
0.99838 0.99868 0.99903 0.99893
K3
0.99596 0.998 0.99788 0.99914
K4
0.99596 0.998 0.99788 0.99914
K5
0.99999 0.99999 0.99999 0.99999
0.18 0.34 0.39 0.73
On se rend bien compte en regardant ce modle de la complexit pour le gnrer d'une part et de la dicult optimiser ses lments. L'utilisation d'outils d'identication des variables par processus itratif (tel que l'Advance Analysis de Pspice) pour ce cas parat dlicat. En eet, le modle devrait tre optimis sur 19 paramtres et sur plusieurs critres (Impdance de mode commun et de mode direntiel). Nous mettons ici en vidence une limitation la modlisation manuelle des composants. Au del de ce point, lorsque ce type de modle est propos, on ne sait jamais quelle est la prcision que l'on peut esprer avoir et surtout sur quelle gamme de frquence ce modle peut tre valable. An de s'aranchir de la plupart de ces inconvnients / contraintes, on peut exploiter les chiers de paramtres S qui peuvent tre soit issus de mesures, soit directement fournis par
7 dcembre 2010
75
les fournisseurs de composants. C'est le cas des ltres de mode commun, pour lesquels les chiers de paramtres S sont disponibles sur [TDK 08]. Il se posera videmment la question de la prcision de ces mesures (avec en particulier le calibrage), mais en admettant que cela soit correct, la dicult maintenant est l'importation de ces donnes dans Pspice qui ne sait pas interprter ce format. Pour cela un outil de conversion est ncessaire. Il existe plusieurs outils orant une telle fonctionnalit, dont [Ide 09], base sur une description polynomiale des paramtres S, et retranscrite dans un format Spice sous la forme de sources contrles. Ces sources permettent de relier lectriquement tous les ports d'un modle en reproduisant les comportements des paramtres S. Quelques uns des paramtres S obtenus partir du modle ainsi gnr sont compars aux donnes d'entre Figure 2.60. La validit du modle dans ce cas est donc bien connue puisqu'elle correspond directement la bande de frquence sur laquelle les paramtres S sont dnis.
Scattering matrix entries 0.6 1 Scattering matrix entries 1 Scattering matrix entries
0.4 S(1,4), real (data) S(1,4), real (model) S(1,4), imag (data) S(1,4), imag (model)
0.2 0.5 0
0.5
S(2,3), real (data) S(2,3), real (model) S(2,3), imag (data) S(2,3), imag (model)
0.2 S(1,1), real (data) S(1,1), real (model) S(1,1), imag (data) S(1,1), imag (model) 0 0
0.4
0.6
0.8 6 10
10
10 10 Frequency [MHz]
10
10
0.5 6 10
10
10
10
0.5 6 10
10
10
10
Figure 2.60 Comparaison des paramtres S entre modle et source

Un ltre de mode commun est en gnral caractris par son attnuation en mode commun et en mode direntiel. Pour chacun de ces deux paramtres, on peut comparer les rsultats donns par le modle de la Figure 2.59, avec ceux obtenus par le modle issu des paramtres S. Ces rsultats sont donns Figure 2.61.
50
40
40
30
Attnuation (dB)
30
Attnuation (dB)
6 7 8 9 10
20
20
10
10
0 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10 5 1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
10
Modle - paramtres S Modle - Pspice
Modle - paramtres S Modle - Pspice
(a) Sur attnuation mode commun
(b) Sur attnuation mode direntiel
Figure 2.61 Comparatif modle Pspice / modle paramtres S

7 dcembre 2010
2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs
76
Ces rsultats montrent clairement la limitation de validit du modle Pspice, en montrant des carts de plus de 6 dB au del du GHz. Les avantages de cette technique sont : La vitesse de gnration d'un modle La prcision du modle directement lie la prcision des paramtres S, car l'ordre du polynme peut en thorie tre augment l'inni jusqu' avoir des erreurs sur le modle bien en dessous des prcisions de mesure que l'on peut escompter l'analyseur de rseau. La possibilit de pouvoir traiter n'importe quelle structure et comportement frquentiel complexe pouvant tre dicile voir impossible modliser manuellement. Ceci rejoint le premier point, sur la dure ncessaire la cration d'un modle. Les inconvnients de cette technique sont : La perte de la matrise de la structure physique du composant L'impossibilit de dnir des paramtres de dispersion. Celle ci n'est jamais spcie sous la forme de paramtres S, mais uniquement sur des paramtres physiques des composants (prcision sur les valeurs de rsistances ou de capacit...). Il ne semble donc pas possible de prendre en compte simplement ces paramtres avec cette technique de modlisation. L'impossibilit de dnir de dpendance avec la temprature. La seule possibilit pour la temprature consisterait en l'extraction de plusieurs matrices S pour chacune des conditions souhaites. Cette technique sera utilise pour les composants complexes, ainsi que pour certains lments de structure ne pouvant pas tre reprsents par des modles Pspice simples.
2.2 Modlisation de l'immunit des composants actifs

2.2.1 tat de l'art de la modlisation des composants
2.2.1.1 Modlisation de l'mission des composants - ICEM
Plusieurs travaux ont t raliss sur la modlisation de l'mission des composants. Ces travaux, et en particulier [Levant 07a, Levant 07b], ont permis d'aboutir la standardisation du modle ICEM
[IEC 08a]. Ce modle permet de reproduire le comportement en
missions conduites d'un composant actif, et en particulier des micro contrleurs. Nous allons dcrire ici brivement les caractristiques de ce modle, compte tenu du fait que les techniques de modlisation que nous allons dvelopper pour l'immunit sont largement inspires de cette approche. Le modle ICEM a comme objectif de reprsenter la source de perturbation, correspondant l'activit interne, et le rseau d'impdance impactant la propagation de ces perturbations vers l'extrieur du composant ou en interne entre deux blocs du composant.
6. ICEM : Integrated Circuit Emission Model - Modle d'mission des circuits intgrs
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Le modle ICEM est ainsi compos de deux composants principaux, que sont le IA et le PDN. Le IA correspond l'activit interne (Internal Activity) et est gnralement reprsent par une source de courant. Le PDN (Passive Distribution Network) correspond au rseau d'impdances quivalentes vues entre les broches du composant considres dans le modle.
PDN Example
IT[1] IT[3] ET[1] RVdd ET[0] RVss LVss CVdd IT[0] IT[2] IT[2] ET[1] ET[0] LVdd IT[0] IT[1] PDN Component IA Component
IA Example
IT[3]
PDN & IA ICEM Components
Figure 2.62 Structure du modle ICEM - extrait de [IEC 08a]

Un exemple de modle ICEM est donn Figure 2.63, et montre la simplicit de la structure. Il s'agit ici d'un composant ayant 3 paires d'alimentation, et on y retrouve une description du PDN principalement base sur des lments R, L et C lis au package et ramens par la puce. Il est intressant de noter que d'un composant particulirement complexe tel qu'un micro contrleur, compos de plusieurs milliers d'instances, on arrive une reprsentation base sur une dizaine de composants, et que cela est susant pour dcrire le comportement missif de ce circuit.
Core IA
CoreIA
CoreIA +
Core IA -
RicVcc21 1.43 VccCorePDN1 RicVss22 0.85 Kic2122 = 0.49 LicVcc21 = 3.98nH LiCVss22 = 3.98nH RicAVcc 1.66 CicAVcc 388pF RicGnd 0.47 CicVcc 3.15nF
RicVcc52 0.79 VccCorePDN2 RicVss53 0.62 Kic5253 = 0.49 LicVcc52 = 3.98nH LicVss53 = 3.98nH
VssCorePDN1
VssCorePDN2
ZDie
KicAVccGNd = 0.41 LicAVcc = 3.98nH LicGnd = 3.98nH
ZPack PDN
VccAnalPDN VssAnalPDN AnalIA AnalIA +
AnalIA
Anal IA
Figure 2.63 Exemple de modle ICEM - Source ATMEL

La construction du modle peut se faire suivant direntes mthodes, suivant en particulier le niveau d'information que l'on a sur la structure interne du composant. Un fondeur peut constituer un modle bas sur la connaissance de son design, en utilisant des mthodologies internes et des outils d'extraction spciques. En tant qu'quipementier, nous
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n'avons gnralement pas accs ces informations, et les circuits intgrs doivent tre considrs comme des botes noires. La technique alors employe pour construire le modle repose sur la caractrisation exprimentale. La premire tape de cette caractrisation vise produire le PDN du modle ICEM, et consiste mesurer les impdances vues entre les direntes broches impliques dans le modle. La technique gnralement employe repose sur l'utilisation de l'analyseur de rseau vectoriel, comme pour la caractrisation des composants passifs. Il est intressant de noter alors les comportements que l'on peut mesurer gnralement sur les composants, tels que ceux des Figures 2.64 et 2.65.
eg
L domine
50
Gnd53
XL
AVcc
Gnd
L
R domine
Gnd22
Figure 2.64 Mesure d'impdance entre deux broches de masse
C domine
L domine
eg
50
Vcc52 AVcc Gnd
XC
L
XL
R
R domine R
FR
Gnd22
Figure 2.65 Mesure d'impdance entre une broche d'alimentation et une masse
On observe que jusqu' 1 GHz (pour ce composant), les volutions des impdances avec la frquence sont extrmement simples, et qu'il est ais de produire des modles quivalents reproduisant ces rponses. Dans le cas de la Figure 2.64, le modle quivalent bas sur un simple R-L srie est, par exemple, susant pour reproduire le comportement mesur. De
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la mme manire un R-L-C srie permet de reproduire le comportement mesur entre une broche d'alimentation et une broche de masse. Ces comportements sont simples et observs de manire rcurrente sur ce type de broche. La dmarche pour construire un PDN est en gnral base sur ces attentes. C'est dire que l'on va s'attendre avoir un modle de la forme R-L entre deux broches de masse et un modle de la forme R-L-C entre une broche d'alimentation et la masse. Considrant de plus que certains de ces lments seront partags, car s'agissant d'lments parasites des broches communes, la proposition d'une structure peut en gnral tre faite assez rapidement. La dicult consiste alors raliser susamment de mesures pour extraire les direntes inconnues de notre modle. Pour des problmatiques jusqu' quelques centaines de MHz, des modles tel que celui prsent la Figure 2.63, permettent de bien reproduire les comportements mesurs. Dans certains cas, pour tendre la gamme de frquence ou pour considrer des composants plus gros, il faut complexier la structure, car des phnomnes de propagation peuvent alors fortement impacter les impdances qui ne sont alors plus aussi simples que celles des Figures 2.64 et 2.65. Des modles bass sur l'utilisation de lignes de transmission, ou d'autres techniques bases sur l'utilisation directe des paramtres S doivent alors tre envisages. La deuxime tape vise maintenant dimensionner la source de courant (l'IA) de notre modle. Cette tape est galement base sur la mesure. Il est cependant impossible d'aller mesurer ce courant en interne dans le composant. La dmarche va donc consister mesurer le courant en externe, dans une conguration totalement matrise, et puisque l'on connat le PDN (extrait prcdemment), on va pouvoir remonter au courant qui en interne a provoqu celui mesur en externe. Cette mthode inverse s'appuie en particulier sur les formes temporelles attendues. Une dmarche possible est illustre Figure 2.66.
Figure 2.66 Dmarche d'extraction du IA

Cela permet de passer ainsi du courant externe, la source interne. Un exemple est donn Figure 2.67.
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Figure 2.67 Extraction du courant interne IA

Le modle ICEM peut galement tre tabli en suivant une dmarche appele statistique ou semi-empirique. En fonction de certaines caractristiques du composant, il est possible d'en extraire les ordres de grandeur des lments du modle ICEM. En fonction des informations relatives la technologie et la surface de puce, il est possible en particulier d'valuer la source de courant du modle et la capacit totale ramene sur l'alimentation (capa Bulk).
Typical logic gate current and driver current for various technologies
Technology CMOS 1.2m 0.8m Year 1985 Supply (V) 5V Cell Density 2 (/mm ) 1500 Clock frequency (MHz) 4-50 Peak gate current (mA/gate) 1.1
Typical logic gate current4000 driver current4-90 various technologies and for 1990 5V 0.9
1993 Year 1995 1997 1985 1999 1990 2001 1993 1995 1997 1999 2001 5V Supply 5-3.3V (V) 5-2.5V 5V 3.3-2.0V 5V 2.5-1.2V 5V 5-3.3V 5-2.5V 7000 Cell Density 13000 2 (/mm ) 18000 1500 22000 4000 28500 7000 13000 18000 8-120 Clock frequency 16-300 (MHz) 40-450 4-50 100-900 4-90 150-1200 8-120 16-300 40-450 0.75 Peak gate current 0.6 (mA/gate) 0.4 1.1 0.3 0.9 0.2 0.75 0.6 0.4
0.5m Technology CMOS 0.35m 0.25m 1.2m 0.18m 0.8m 0.12m 0.5m 0.35m 0.25m 0.18m 0.12m
Figure 2.68 Donnes statistiques - Modlisation ICEM 1/2

3.3-2.0V 2.5-1.2V 22000 28500 100-900 0.3 150-1200 0.2
Figure 2.69 Donnes statistiques - Modlisation ICEM 2/2

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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs 2.2.1.2 Modlisation de l'immunit des composants
81
La modlisation de l'immunit des composants semble tre une tche d'une autre complexit, car le composant peut tre soumis des agresseurs ayant des caractristiques extrmement diverses. On peut en eet souhaiter avoir un modle permettant de reproduire les comportements face des phnomnes impulsionnels, ou en rgime harmonique, en ayant dans chacun de ces cas des amplitudes plus ou moins leves, tout en s'intressant des eets eux aussi divers, comme la destruction, ou la seule perturbation du composant avec l encore des critres varis. Le travail bibliographique prliminaire nos travaux nous aura permis d'identier que les structures des modles proposs dans la littrature sont fortement lies aux caractristiques des agresseurs que nous venons partiellement de lister. En complment de ces premires caractristiques, la gamme de frquence, les outils viss pour l'exploitation, le niveau des informations accessibles sur le design, et les outils de caractrisation exprimentaux sont galement des lments cls orientant les structures des modles. Dans la prsente partie, nous allons prsenter brivement les principales techniques satisfaisantes par rapport au type d'agresseur retenu pour notre tude, savoir des perturbations de type RF, gnralement en CW (non modules), et pour des amplitudes que l'on peut qualier de moyennes... nous reviendrons et prciserons ce que l'on entend par moyenne, mais il s'agira de perturbations qui au niveau du composant sont de l'ordre de quelques Watts de puissance incidente et n'engendrant que des phnomnes de perturbation (la destruction n'est pas l'objectif de nos travaux). trangement, les travaux sur la modlisation de l'immunit ont dbut vers les annes 60-70, mais n'ont jamais fait l'objet d'un travail de standardisation, comme a pu l'tre le modle ICEM. Nous allons prsenter quelques une des approches accessibles (au sens bibliographique du terme), an de pouvoir, en synthse, positionner la dmarche de modlisation des composants que nous avons dvelopp au sein de cette thse. En guise de prambule cette partie, nous souhaitons prsenter le mcanisme de dtection qui est en grande partie l'origine des mcanismes de perturbation des composants, et qui est illustr Figure 2.70, sur le schma de principe d'un simple dmodulateur. Le principe est qu'un perturbateur de forme sinusodal et de valeur moyenne nulle (correspondant au type de perturbations injectes lors des essais CEM quipements), va tre redress par un lment non linaire, tel que une diode srie, que le signal peut ainsi charger des lments capacitifs et engendrer l'apparition de composantes continues. Les circuits intgrs ont gnralement des bandes passantes limites quelques kHz, pour la plupart des composants utiliss sur les applications automobile, et ce phnomne explique comment une perturbation hors bande peut induire un dysfonctionnement d'un composant, en gnrant une composante in-band par mcanisme de dtection.
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Signal HF avec valeur moyenne = 0 Signal redress I=f(V2)

Sept-09
Composante DC
Figure 2.70 Principe de la dtection
Beaucoup de travaux traitant de la modlisation de l'immunit des composants tentent de reprsenter ce mcanisme. Nous les dcrirons ci aprs. Mais il est intressant de noter que le modle IBIS [IEC 01], qui ore une vision assez physique des structures des tages d'entre / sortie des composants logiques, intgre tous les lments ncessaires l'apparition de ce phnomne (Figure 2.71). Les lments non linaires de ce modle permettent de bien reproduire les eets de dmodulation apparaissant sur ce type d'interface. Le modle IBIS reste cependant insusant car incomplet pour prendre en compte tous les phnomnes hautes frquences, et c'est ce que proposent de complter les dirents modles que nous allons dcrire maintenant.
Figure 2.71 Structure du modle IBIS (tage de sortie)

Modles dynamiques.
Il s'agit en partie des travaux de [Maurice 95]. Le principe de ce
modle est de raliser une description physique des comportements des entres logiques des composants, en s'appuyant sur plusieurs blocs lmentaires prsents Figure 2.72. Leurs caractristiques sont extraites au travers de mesures d'impdance au VNA, ainsi que bases sur la caractrisation DPI. Le premier bloc de ce modle, appel ltrage des hautes frquences, permet de prdire le niveau des perturbations ramenes en entre du composant (Rete l'eet de l'impdance d'entre du composant et les eets du botier), et plus particulirement au point de la localisation de l'lment non linaire engendrant la dtection d'enveloppe. Le bloc dtection parasite, correspond aux lments non linaires (Diodes de
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protection ESD en particulier) dont la rponse la perturbation va dpendre du point de polarisation. La perturbation ainsi dtecte cre une composante continue, mettant un certain temps pour s'tablir, et qui s'additionne la tension de polarisation initiale. Le niveau de sortie est alors inject dans le bloc fonction logique, permettant de reproduire le comportement fonctionnel de la porte logique, du fait de la variation du niveau prsent sur son entre.
Figure 2.72 Structure du modle dynamique [Maurice 95]

Ce modle ncessite une caractrisation ne de chacun des blocs, qui doit nalement tre simul dans le domaine temporel. En terme de limitation, on peut noter que ce modle ne permet pas de reproduire le phnomne de propagation vers les autres broches du composant, en ne se focalisant qu'au niveau ramen sur l'entre perturbe. Enn ce modle est ddi aux entres logiques, et au phnomne de dtection sur cet tage d'entre, mais ne semble pas exploitable pour prdire des dysfonctionnements sur les blocs internes, et n'est donc pas a priori facilement transposable tout type de composant.
Modles neuronaux.
Il s'agit des travaux en particulier de [Chahine 08], plus largement
dvelopps dans [Chahine 07], et qui propose un modle comportemental bas sur un rseau de neurones. L'apprentissage de ce rseau est bas sur des caractrisations exprimentales du composant. Dans cette dmarche, les mesures consistent enregistrer les caractristiques temporelles des signaux perturbateurs en entre du composant, et dans le mme temps, celles des signaux des sorties du composant. Ceci est ralis plusieurs points de frquences, et pour chaque frquence, pour dirents niveaux de puissance incidente. Cette phase permet alors de construire une table reliant les signaux d'entre(s) (fonctionnels auxquels se superpose la perturbation), aux signaux de sortie(s) eux aussi correspondant un signal fonctionnel, ventuellement dform par la perturbation et sur lequel une perturbation
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Chapitre 3 : Modlisation de la susceptibilit conduite des circuits intgrs
84
transmise est galement superpose. Le rseau de neurones doit alors reproduire ces liens existants.
Figure 125 : comparaison mesure et simulation autour du niveau logique haut sur la bande [50 500] MHz
(m=0,8 de la et r = 0,99) pour pratiquement toutes Figure 2.73 Principe; b=0,065 caractrisation du composant les frquences dfaut de quelques points de frquence o la convergence nest pas totalement atteinte. Ceci va se traduire par la suite par un certain cart t applique avec susceptibilit. Dans le cadre de ces travaux, cette dmarche a au niveau des courbes de succs pour la prdiction de l'immunit d'un inverseur. Les simulations dans le domaine temporel recoupent
Nous remarquons une bonne corrlation entre les rsultats de la mesure et de la simulation
Par ailleurs, si nous faisons un zoom sur une frquence, par exemple la frquence de entre la mesure et la simulation par rseau
400MHz, nous trouvons une parfaite concordance Chapitre 3 : Modlisation de la susceptibilit conduite des circuits intgrs correctement les rsultats de mesure, tel que illustr Figure 2.74. comme le montre la Figure 126.
Figure Figure 125 : comparaison mesure et simulation autour du niveau logique haut sur la bande [50 - 126 Zoom sur la frquence de 400 MHz 2.74 Comparaison simulation / mesure sur la prdiction de l'immunit d'un 500] MHz modle neuronal
Figure
Remarque : Pour certaines valeurs de puissance, nous trouvons un lger dpassement du
rseau qui reste bien entendu ngligeable pour ce cas de figure, alors que dans dautres cas Nous remarquons une bonne corrlation entre les rsultats de la mesure et de la simulation rseau de neurones restent ceLes tapes de caractrisation permettant de gnrer le de figures, il peut avoir des consquences indsirables. (m=0,8 ; b=0,065 et r = 0,99) pour pratiquement toutes les frquences dfaut de quelques
pendant longues. On peut noter en particulier que gnralement le modle est extrait pour une conguration de charge donne, en terme d'impdance, et que le besoin d'intgrer cet lment comme un paramtre dans le rseau de neurones semble quelques peu rdhibitoire en terme du volume de caractrisations que cela ncessiterait.
145
points de frquence o la convergence nest pas totalement atteinte. Ceci va se traduire par la suite par un certain cart au niveau des courbes de susceptibilit.
Par ailleurs, si nous faisons un zoom sur une frquence,chahine par exemple la frquence de I. comme le montre la Figure 126.
400MHz, nous trouvons une parfaite concordance entre la mesure et la simulation par rseau
Modles description physique.
Ce que l'on entend par modle description phy-
sique regroupe en ralit les approches botes blanches, qui sont bases sur la connaissance ne du design et des structures internes au composant, et consistant simuler les comportements de ces blocs soumis des perturbations pour mettre en vidence leurs dysfonctionnements. Ces approches sont fondamentales pour la comprhension des mcanismes de dfaillance des composants, et permettent d'orienter les conceptions vers des solutions et techniques plus robustes. Parmi les travaux bass sur cette approche, on peut en particulier citer [Fiori 02].
Figure 126 Zoom sur la frquence de 400 MHz
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Remarque : Pour certaines valeurs de puissance, nous trouvons un lger dpassement du
85
In this paper the high immunity to tic interference (EMI) of complementary airs is highlighted. Furthermore, a new ry differential pair with a particularly high radio frequency interference (RFI) is e operation principle of this new structure and design criteria are provided. Such a been designed and employed as an input lded cascode operational amplifier and its ceptibility to RF interference has been
Figure 2.75 Modle d'une entre direntielle nMOS [Fiori 02] Figure 1. Single nMOS differential pair
Nous reviendrons ultrieurement sur ces travaux car ils permettent notamment d'tablir des liens fondamentaux et intressants entre les caractristiques lectriques des perturbations et l'immunit d'amplicateurs oprationnels en particulier. Ces rsultats permettent alors d'orienter et de justier les approches botes noires que l'on peut alors dvelopper. Dans le cas particulier de l'amplicateur, dont le schma considr par [Fiori 02] est donn Figure 2.75, il a pu alors tre tabli une relation trs intressante, donnant l'oset de la tension DC de sortie en fonction des tensions perturbatrices de mode commun et de mode direntiel. Nous r-exploiterons plus tard ce rsultat :
V OU T = F (j) Vdm Vcm cos (cmdm + G(j))

Modles drivs de ICEM et/ou d'IBIS.
(2.24)
Fort de leur exprience sur la modlisation
de l'mission avec le modle ICEM, nombre de laboratoires ont abord la problmatique de l'immunit en tentant de rutiliser les mmes techniques de modlisation. Parmi les premiers travaux bass sur ces techniques, on peut citer [Bareau 04]. Le principe est de rutiliser le PDN du modle ICEM, mais de remplacer la source de courant (IA) par une impdance quivalente (Figure 2.76). susceptibilit de l'ensemble du dispositif. Cette description peut tre divise en cinq blocs
indpendants reprsentatifs des diffrents lments physiques mis en uvre durant la mesure.
Figure 2.76 Modle d'immunit driv de ICEM

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Figure IV.33 : Schma lectrique de l'environnement de simulation.
Cette susceptibilit particulire ne dpend pas du micro-contrleur mais du rgulateur de
2.2. Modlisation de l'immunit modlis comme une source de tension continue parfaite, ce tension externe. Ce dernier est des composants actifs
qui n'est sans doute pas raliste.
Amplitude (dBm) 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 1 10
86
Simulation Agression sur l'alimentation
Mesure Agression sur l'alimentation
Lacunes du modle
100 1000 Frquence (MHz)
Figurela2.77 Rsultatslede prdiction obtenus par [Bareauest 04] Vue simplicit du modle et peu de points de simulation, la comparaison ci-dessus
Figure IV.36 : Comparaison mesure et simulation.
relativement encourageante. A dfaut d'une bonne corrlation avec la mesure sur toute la plage
La plupart des travaux raliss avec cette technique se sont gnralement concentrs exclusivement sur les perturbations par les alimentations des composants. Un critre de perturbation est x sur un niveau ramen sur l'alimentation en interne au composant (typiquement 20% de la tension d'alimentation fonctionnelle). Les prdictions de l'immunit avec cette technique ont donn des tendances intressantes (Figure 2.77), mais prsentant des lacunes que des travaux ultrieurs ont tent de corriger. Parmi ces travaux, citons ceux en particulier de [Boyer 07a] et de [Alaeldine 08a]. Au travers une modlisation plus ne des structures, et en particulier du substrat des micro contrleurs tudis, et avec la prise en compte d'lments non linaires, les rsultats de prdiction ont pu ainsi tre amliors.
Alexandre BOYER
Finalement, le modle complet de la figure 3-40 a t labor partir des lments dcrits prcdemment. La figure 3-41 prsente la comparaison entre la mesure et la simulation de limpdance dentre du chemin dinjection, qui prouve la validit du modle Chapitre 3 jusqu 2 GHz.
Alimentation externe Rseau dalimentation interne
Capacit
DPI
botier
Pistes+connecteur
Ccomp Modle buffer
Rsistance substrat
Figure
Figure 3-40 Modle de lentre agresse en DPI
2.78 Modle et exemple de corrlation simulation / Mesure - Extrait de
[Boyer 07a]
De manire plus rcente, [Ndoye 10b], a travaill sur la modlisation d'un rgulateur linaire, en renforant la prise en compte de ces lments non linaires. Malgr une amlioration progressive des rsultats et des qualits de prdiction, on constate que ces modles ne permettent pas systmatiquement l'obtention de rsultats corrects sur toute la gamme de frquence souhaite, et que la localisation et le dimensionnement des lments non linaires restent un point dlicat. En eet, leur positionnement reste souvent encore intuitif et/ou requiert un minimum de connaissance de la structure interne du composant.
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87
Figure 2.79 Prdiction de l'immunit sur le rgulateur linaire [Ndoye 10b]

Synthse.
Les modles peuvent tre classs en deux grandes catgories : La premire
correspondant des approches botes blanches, dcrivant prcisment les structures internes des composants, mais ncessitant une connaissance prcise du design. La deuxime catgorie correspond aux approches botes noires consistant en une reprsentation du comportement d'un composant sous une forme quivalente. Gnralement les techniques botes noires qui ont t dveloppes reposent sur l'exploitation de mesures (Impdance, non linarits, performances en immunit...), et des premires tentatives de standardiser ces approches ont t ralises au travers de la proposition de norme [IEC 09]. Dans cette norme il a t dni deux lments fondamentaux, sur lesquels nous nous appuierons galement dans l'approche que nous proposerons dans cette thse : Le PDN : reprsentant le comportement en impdances du composant, avec ventuellement des lments non linaires. Le IB, pour Internal Behavioural, correspondant un bloc comportemental permettant de soit reproduire un comportement fonctionnel (allures temporelles) lorsque le composant est soumis des perturbations, soit de simplement pouvoir statuer sur un tat perturb ou non du composant.
PDN RF Disturbances V0, I0 TPDN Residual disturbances V1, I1 TIB
IB
Behavioural output V2, I2
Passive elements
Active elements
Figure 2.80 Structure du modle ICIM-CI gnrique propos dans [IEC 09]
Bien que la proposition de norme permette de couvrir les direntes approches proposes ce jour d'un point de vue structure des modles, celles ci prsentent certaines incompatibilits avec nos contraintes industrielles. Cela nous aura motiv dvelopper une nouvelle technique dtaille dans la prochaine partie. Parmi ces incompatibilits nous
7 dcembre 2010

pouvons citer que :
88
La construction de ces modles reste des travaux trs consommateurs en temps et en ressources. Aucune des approches dveloppes ne propose rellement une mthodologie qui soit gnralisable et applicable directement sur n'importe quel type ou broche d'un composant. Cette contrainte rend dicilement accessible les tches de modlisation des personnes non expertes. En particulier la localisation et le dimensionnement des lments non linaires n'est ce jour pas susamment identie. Beaucoup de ces approches sont bases sur la reproduction des comportements, ncessitant la ralisation de simulation dans le domaine temporel. Les simulations temporelles tant relativement longues sous Pspice, le temps demand pour couvrir une large gamme de frquence nous semble incompatible avec les contraintes du monde industriel.
2.2.2 Dveloppement d'une structure de modle d'immunit

2.2.2.1 Contraintes poses et fonctions du modle d'immunit
Base sur l'analyse bibliographique et sur notre environnement industriel nous pouvons dnir les fonctions lmentaires attendues pour un modle d'immunit et dtailler les contraintes d'entre que nous nous sommes xes pour notre modle.
Contraintes.
Le modle doit pouvoir tre construit en se basant sur une mthodologie parfaitement dnie et accessible tout ingnieur CEM (Il ne doit pas s'agir d'un travail de recherche, mais bien de l'application simple d'une che d'instruction ou d'un processus dni). Les composants doivent tre considrs comme des botes noires. Cela signie que seules des caractrisations exprimentales doivent permettre l'extraction des donnes ncessaires la modlisation, et que, par consquent, aucune information relative au design et aux structures internes des composants ne doit tre ncessaire. Les mthodes exprimentales, et en particulier celle utilise pour la caractrisation de l'immunit, doivent reposer sur des techniques d'essais normalises. Le modle doit pouvoir tre gnr rapidement. Le modle doit pouvoir tre utilis directement dans le domaine frquentiel, an de permettre une utilisation et des valuations de risque au niveau quipement qui soient rapides (en particulier par rapport une approche temporelle dont nous avons dj discut prcdemment). Le modle doit tre compatible d'une description Pspice, an de s'adapter aux outils standards utiliss VALEO, et dj largement utilis pour les simulations CEM.
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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs Fonctions du modle

Le modle doit permettre :
89
De reproduire le comportement de propagation des perturbations au niveau et au travers du composant. Cela doit permettre en particulier d'estimer correctement les caractristiques lectriques des perturbations ramenes sur une entre du composant (notion d'impdance d'entre), ainsi que d'estimer les perturbations transmises sur d'autres broches, par une simple propagation au travers du composant (notion d'impdance de transfert, que l'on peut plutt appeler impdance de couplage pour viter toute confusion avec le mme terme utilis pour la caractrisation des cbles blinds). Ce sera le rle du PDN de notre modle Parmi les approches identies dans la bibliographie, les dmarches de modlisation permettent soit de reproduire un comportement (dformation des signaux fonctionnels par exemple), soit de simplement statuer sur le fait que le composant est dans un tat perturb ou non. Nous opterons sur cette deuxime approche, principalement lie la contrainte de vouloir rester dans le domaine frquentiel pour nos analyses. Cette fonctionnalit du modle est assimile au IB.
2.2.2.2
Structure du modle
An d'assurer les fonctions lmentaires dnies dans la partie prcdente, nous avons dcid de reprsenter la propagation en se basant sur une reprsentation en paramtres S du composant, considr comme une structure multi-ports. La matrice alors au PDN de notre modle d'immunit. An de statuer sur l'tat perturb ou non, nous avons choisi de nous attacher au critre de la puissance transmise au composant. Nous considrons alors que, un composant, est associ un certain niveau de puissance transmise, au del de laquelle le composant sera systmatiquement perturb. Cela sous-entend que l'environnement du composant n'intervient que sur la fonction de transfert des perturbations de l'extrieur jusqu'au composant lui mme. Cette information dnie sous forme de table, correspondra au IB de notre modle. Sur ces choix reposent des hypothses qu'il nous faudra dcrire, justier tant que possible et vrier pour valider nos modles. Ceci sera le sujet des parties suivantes.
[S]
correspondra
2.2.2.3
Extraction et caractristiques du PDN
Comme voqu prcdemment, nous proposons de reprsenter un composant sous la forme d'une matrice
[S], qui sera extraite pour un composant avec le VNA en conguration
petit signal. L'hypothse forte que l'on fait alors en choisissant ce mode de description, est que malgr l'amplitude des perturbations que l'on injecte, celles ci ne vont pas dclencher susamment les non linarits pour impacter signicativement les impdances vues de l'entre du composant. Nous admettons videmment que le fait que le composant soit perturb correspond l'apparition d'un phnomne non linaire, mais suggrons que tant que le composant n'est pas dans un tat perturb, ces eets n'auraient que trs peu d'impact
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sur les dirents paramtres S. Nous allons dans cette partie nous intresser au choix des broches prendre en compte pour la modlisation, dcrire la technique utilise pour l'extraction de ces paramtres, prciser les mthodes de transfert vers Pspice et argumenter sur les hypothses fortes poses.
Choix des broches
Chaque broche rfrence la masse du composant correspond
un port. De manire un peu brutale, il serait possible de prendre en compte l'intgralit du composant, et de gnrer une matrice dcrivant toutes les interactions. Cependant an de limiter la taille du modle au juste ncessaire pour traiter les problmes quipement, nous suggrons que le choix des broches considrer doit s'appuyer sur les principes suivants : Les perturbations tant principalement vhicules par les cblages jusqu' 1 GHz, seules les broches relies aux connecteurs (avec des ltrages plus ou moins labors) seront considrer en tant que broche perturbable, ou du moins d'accs signicatif des perturbations. Les signaux restants purement en interne sur une carte lectronique sont considrs comme non soumis aux perturbations, nanmoins, il faut galement identier les broches sur lesquelles la condition d'impdance pourrait impacter l'impdance ramene sur les broches accessibles. En eet, si on prend l'exemple d'un rgulateur linaire, la charge place sur la sortie 5 Volts du rgulateur va modier l'impdance ramene sur l'entre 12 Volts. Cette impdance impactant donc les caractristiques lectriques du perturbateur en entre du composant, pour une mme source, il convient de pouvoir le prendre en compte. En pratique, il n'est pas toujours vident d'identier les inuences dcrites prcdemment. Lors de l'extraction des paramtres S il conviendra donc de faire en sorte que, les broches non considres dans le modle, soient charges de la manire la plus reprsentative de l'application nale.
Mesures des paramtres S.
An de mesurer convenablement les paramtres S du
composant seul, et non de l'environnement d'interface, il convient de raliser un calibrage adapt (ou de raliser des oprations de de-embedding ncessitant des oprations de post traitements, et que nous n'aurons pas retenu pour cette simple raison). Nous le dcrirons dans le chapitre 3, mais ces mesures seront ralises sur un PCB de test gnrique ddi la caractrisation DPI et aux mesures des paramtres S. La particularit de ce PCB est la symtrie des motifs (pistes / topologie) placs sur chaque broche. An de ne mesurer que les paramtres S du composant, nous avons opt pour la ralisation d'un calibrage directement dans le plan de rfrence correspondant au plan de mise en place du composant (Figure 2.81). Le kit dvelopp pour raliser ce calibrage sera galement prsent dans le chapitre 3.
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Plan de rfrence
CI
Plan de rfrence Piste vers port de mesure
PCB FR4
Figure 2.81 Localisation du plan de rfrence pour extraction des paramtres S

La mesure des paramtres S doit par contre tre ralise pour une conguration petit signal, c'est dire pour des niveaux d'injection de puissance sur les ports du VNA qui soient bien infrieurs aux seuils de perturbations (ou plus exactement de non linarits). En rgle gnrale il conviendra, par consquent, de raliser ces mesures aprs la caractrisation DPI permettant d'identier le seuil de puissance admissible sur chaque port. Pour des composants particulirement sensibles, comme un transistor, ce point s'avrera fondamental pour correctement extraire les paramtres S.
Transfert sous Pspice.
Pspice n'admet pas de manire native les paramtres S, comme
le font les outils tel que ADS. Il existe cependant des outils permettant la transcription des paramtres S dans un langage Spice, bas sur une description polynomiale et sur l'utilisation de sources contrles permettant de dnir toutes les interactions et inter dpendances entre les ports. Parmi les outils disponibles pour raliser une telle fonction, [Ide 09] a t retenu, en particulier pour des questions de prcisions et de capacit reproduire des phnomnes trs ns. Cela ne sera pas dtaill dans cette thse, mais au travers de [Lafon 08a], nous avons montr des rsultats essentiels et susants pour nos travaux : Cet outil permet de produire des modles avec une prcision bien suprieure aux prcisions des mesures des paramtres S, tout en permettant une valuation de ces erreurs en temps rel. Cet outil est capable de reproduire des comportements trs complexes, bande troite, multi ples...
Discussion de l'hypothse de linarit.
Comme voqu prcdemment, l'utilisation
des paramtres S repose sur l'hypothse de la linarit des impdances du circuit, mme soumis des perturbations d'amplitudes proches du seuil de susceptibilit. An d'appuyer cette hypothse, nous pouvons poser quelques arguments et un dveloppement sur un cas d'tude pratique, qui sans tre des dmonstrations absolues, permettent d'envisager la vrication de cette hypothse dans une grande partie des cas que nous pourrions traiter. Le premier constat repose sur les caractristiques I/V des lments de protection placs sur les tages d'entre des circuits et qui pourraient eectivement impacter les impdances vues des entres du composant. Si on reprend le schma de la Figure 2.71, on constate que
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92
l'impdance mesure en entre du composant correspond en partie aux lments parasites ramens par le package, le bonding, et par l'impdance au point de fonctionnement des non linarits. Cette non linarit peut simplement tre vue en premire approche comme une rsistance quivalente au point de polarisation et satisfaisant sa caractristique I/V. Pour la plupart des composants, les rponses correspondent aux comportements de la Figure 2.82, tant caractriss en particulier par les tensions dit de dclenchement des protections, et correspondant la tension
V1 .
Avant ce point particulier, la rsistance
quivalente prsente, appele rsistance statique, est gnralement de forte valeur et n'aura donc pas d'impact sur l'impdance vue de l'entre du composant. Les composants ont gnralement des tensions de dclenchement de ces protections pour des niveaux bien suprieurs aux tensions de travail, an de ne pas impacter le fonctionnel. Les ordres de grandeur, suivant les composants et fonctions varient entre 20 et 50 Volts. En pire cas, une injection DPI ramne sur un circuit ouvert, une tension de 44 Volts pour une puissance incidente de 10 Watts... mais il s'agit d'un pire cas. On peut donc s'autoriser penser que les protections ESD ne seront pas franchement dclenches par les perturbations injectes, et que, ayant faire de la petite non linarit, les eets sur l'impdance devraient pouvoir tre ngligs.
R dynamique
R dynamique
(V1,I1) R "statique"
V
Structure avec "snapback" Structure "turn-on"
Figure 2.82 Comportements I/V typiques

An d'tayer cette suggestion, nous pouvons sur un cas particulier observer ceci en comparant les simulations avec et sans prise en compte de ces non linarits, tout en injectant direntes frquences des niveaux de perturbation proches des seuils de susceptibilit. Le composant retenu pour cette analyse est le circuit inverseur 74ACT04, en considrant l'injection sur l'entre logique, dans le schma de mise en oeuvre de la Figure 2.83. La sortie du composant est surveille au moyen d'un oscilloscope, et toute dviation de plus de 1 Volt de la valeur moyenne du signal de sortie correspond ici notre critre de susceptibilit.
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SMA DPI Input
10n
5V
vcc
10k
In1 Out1
SMA Monitoring Output
GND
0
Figure 2.83 Mise en oeuvre du circuit 74ACT04 - Injection DPI

Dans le cadre de l'essai DPI, ce composant a un seuil de susceptibilit faible, quasiment constant de 1 MHz jusqu' quelques centaines de MHz et de l'ordre de 0 5 dBm de puissance incidente (Figure 2.84).
15
Puissance incidente dfaur (dBm)
10
10 Frquence (MHz)
100
1 .10
Figure 2.84 Courbe susceptibilit DPI du 74ACT04

Ces donnes vont permettre le dimensionnement du gnrateur source modlisant le gnrateur RF (Figure 2.86). Le composant est modlis par deux sous-ensembles : le premier, appel Modle petit signal correspondant simplement au PDN de notre modle d'immunit, reprsent ici sous forme d'un schma quivalent, et non pas avec une bote noire de paramtres S. Le deuxime sous-ensemble correspond au modle des lments non linaires. Le dimensionnement et la construction de ce bloc reposent sur l'approche propose dans [Lafon 08d, Rigour 09]. Ces travaux dcrivent une technique pour l'extraction des caractristiques I/V de ces non linarits, base sur l'utilisation d'un gnrateur TLP (Transmission Line Pulse), puis de l'implmentation dans Pspice de ces comportements.
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La caractristique I-V extraite est donne Figure 2.85, et met en vidence quelques lments intressants.
2 Courant (Ampres)
15
10
10
15
20
25
Tension (Volts)
Figure 2.85 Courbe I-V extraite par la caractrisation TLP du 74ACT04

Le premier constat est que la caractristique n'est pas symtrique, et que dans le mcanisme de dtection cela aura un impact de premier ordre. Ensuite, on constate que les niveaux de dclenchement des protections sont faibles pour ce composant (-0.6 Volts et +10 Volts environ). Le modle nal pour le composant dans l'environnement de test est donn Figure 2.86.
Modle entre circuit
Modle Z petit signal Modle non linarit
IN+ OUT+ IN- OUT-
Modle amplificateur
50
Modle Condensateur
0
+ -
ETABLE
0
0
+ -
0.5
1
I
E 1e-6
VAMPL = 0.5 FREQ = 100e6

0
10e-9 0.05 1e-9
5e-9 10e-12
1e6
+ -
1e6
Figure 2.86 Modle d'analyse des eets des non linarits du 74HCT14 - Exemple 100
MHz Pour nos analyses, nous choisissons deux frquences particulires. La premire, 100 MHz, o l'impdance petit signal du composant est domine par la capacit parasite d'entre et donc globalement leve cette frquence. La deuxime 1 GHz, proche de la rsonance du RLC srie, et o l'impdance est relativement faible. Pour chacune de ces frquences les simulations sont ralises pour dirents niveaux d'injection, au seuil de susceptibilit, puis au dessus. La tension en entre du composant est alors notre vecteur de comparaison, permettant de percevoir d'ventuels changements de l'impdance d'entre du circuit. Les rsultats donns sur les Figures 2.87 et 2.88 montrent que avant la sus-
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ceptibilit, il n'y a pas de modication signicative des niveaux de tension en entre du composant, et que l'impdance vue de l'entre reste globalement linaire. Ds que l'on se situe au dessus de ce seuil de perturbation, on constate alors un impact li aux lments non linaires.
0.6
1.5
0.4 1
4 Tension entre (Volts) Tension entre (Volts) 0.5 Tension entre (Volts)
7 7 7 7 6
0.2
0.2
2 0.4 0.5 4
0.6 7 9.5 .10
9.6 .10
9.7 .10
9.8 .10 T(s)
9.9 .10
1 .10
1 7 9.5 .10
9.6 .10
9.7 .10
9.8 .10 T(s)
9.9 .10
1 .10
6 7 9.5 .10
9.6 .10
9.7 .10
9.8 .10 T(s)
9.9 .10
1 .10
Avec non linarits Sans non linarits
(a) Pour Pi=1 dBm (seuil susceptibilit)
(b) Pour Pi=7 dBm
(c) Pour Pi=21 dBm
Figure 2.87 Analyse de l'eet des non linarits 100 MHz

0.6 2 6
0.4
1.5 4 1
Tension entre (Volts)

7 7 7 7
0.2
0.5
0.2
0.5 0.4 2 1
0.6 7 9.95 .10
9.96 .10
9.97 .10
9.98 .10 T(s)
9.99 .10
1.5 7 9.95 .10
9.96 .10
9.97 .10
9.98 .10 T(s)
9.99 .10
4 7 9.95 .10
9.96 .10
9.97 .10
9.98 .10 T(s)
9.99 .10
(a) Pour Pi=13 dBm (seuil susceptibilit)
(b) Pour Pi=20 dBm
(c) Pour Pi=27 dBm
Figure 2.88 Analyse de l'eet des non linarits 1 GHz

Ces constats ne sont pas une dmonstration absolue, et l'hypothse de linarit devra tre vrie systmatiquement pour chaque composant caractris et modlis. Tout ceci apporte nanmoins un certain niveau de conance dans la validation de cette condition.
2.2.2.4
Extraction de la puissance transmise - cas gnral (IB)
Notre modle repose galement sur l'hypothse que la puissance transmise au composant est un critre lectrique pertinent et reli directement un tat de susceptibilit. Ce choix a t la consquence naturelle de la prise en compte de plusieurs lments de rexions. Les notions de courant et tension deviennent gnralement inadaptes si on manipule des impdances soit trs fortes, soit trs faibles. La puissance semble alors tre un
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critre plus gnral, tout en restant videmment li aux grandeurs prcdentes par l'impdance du dispositif. En RF, on distingue gnralement trois puissances considrer. La puissance incidente, provenant de la source et ne dpendant donc pas de la charge. Il n'y a donc dans cette puissance aucune information relative un quelconque comportement du composant. La puissance rchie, provient quant elle de la dsadaptation d'impdance entre la source et la charge. Cette puissance n'est donc pas non plus intressante vis vis du composant. Seule la puissance transmise semble intressante, puisqu'elle correspond rellement ce qui rentre dans le composant et est en quelques sortes la seule qui travaille et qui puisse provoquer par ce travail une dfaillance du composant. Certains travaux ont dj galement considr cette donne comme essentielle pour la modlisation de l'immunit des composants, et en particulier [Maurice 95]. Tout comme pour la linarit il s'agit d'une hypothse forte dans notre dmarche, qu'il conviendra de vrier systmatiquement
62132-4/FDIS IEC(E) 7
pour tout composant tudi et modle gnr.

even up to two magnitudes smaller than the dimension of the leadframe. For a frequency range below 1 GHz, this leadframe, as well as the structures on-chip, are not regarded as efficient antennas for the reception of unwanted RF energy. It is the cable harness and/or the traces of a la puissance transmise exprimentalement Thus, an IC the test DPI (Direct PoExtraction de printed circuit board which constitute efficient antennas. such cables.receives Le unwanted RF energy through the pins connected to the wires of Because of this, the electromagnetic immunity of an IC can be characterized by conducted RF disturbances (i.e. RF wer Injection), forward power) instead of field parameters asisla caractrisation des circuits intgrs dans est un test d'immunit ddi usually the case in module and/or system testing. in the range some intresser la The dimensions of the extraire chip are Nous allonsis prsentofnous centimetres or smaller. technique pour structures on cette puissance. The largest geometry found in an integrated circuit is the leadframe. The size of the leadframe
une gamme de frquence allant de 150 kHz 1 GHz, tel que dni dans la norme de rFor module and system tests, the forward power provided to a circuit by the cable harness or the traces principe consiste injecter des perturbations en rgime harmonique frence [IEC 06b]. Le on a printed circuit board (PCB) acting as antennas can be measured or estimated. This power is considered to be a forward power delivered to the circuit, no matter whether it will be reflected or absorbed. In fact it has been observed that many ICs are most susceptible to RF currents or applied RF voltages reach the highest possible values. To characterize the malfunction may be classified from A to D according to the performance classes defined in
directement sur les broches quite high reflections. This is dueauthe fact that in this case either injected d'un circuit intgr, to travers d'un condensateur de couplage the disturbances at (Figure 2.89). Le bon of an IC, the forward power composant est vri isdurant l'injection en s'apimmunity fonctionnement du needed to cause malfunction measured. The puyant sur desIEC 62132-1. dnis au pralable, qui sont en gnral lis la spcication du critres composant et Figure 1 shows the principal test hardware configuration with optional automatic control by son utilisation dans l'application.
the PC.
DC supply or signal generator 50 coax Directional coupler Test PCB DC Block Decoupling network
RF amplifier P for P refl
RF injection port DUT
RF generator RF Power meters
Optional: control PC DUT monitor
BUS
The frequency variable RF generator provides the RF disturbance that is amplified by the connected RF amplifier. The directional coupler and the RF power meters are used to measure the actual forward power injected into the device under test (DUT). At the RF injection port the Bien que initialement ddithe test caractrisation de The RF amplifier is decoupled by de validation RF power is delivered to la printed circuit board (PCB). composants des ns a DC block to avoid supplying DC into the amplifier output. The DC supply is prevented from getting RF power by a decoupling CEM, has a high RF impedance on the side that la plus propice ou de comparaisons de performancesnetwork that cette technique semble tre is connected to the RF injection path.
Figure 1 injection test Figure 2.89 SchmaArrangement of a direct test DPI set-up de principe du - Suivant [IEC 06b]
l'extraction d'informations caractrisant l'immunit des circuits intgrs, et qui soient
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97
exploitables dans une dmarche de modlisation des composants. Le choix que nous avons fait peut se justier avec plusieurs points : Sur la gamme de frquence vise (entre 1 MHz et 1 GHz), les couplages des champs rayonns agressant un systme, se font de manire dominante sur les faisceaux, voir sur le PCB. Cela est li aux rapports des dimensions de ces structures, par rapport aux longueurs d'ondes des agresseurs. Sauf cas particulier, les perturbations arrivent donc de manire conduites en entre des composants. Ds lors une mthode d'injection conduite semble plus propice pour reproduire les mcanismes de propagations apparaissant au niveau systme. La qualit des modles d'immunit issus de caractrisations exprimentales, dpendra de la qualit des informations extraites caractrisant le composant. Le test DPI, semble simple de ce point de vue, et nombre d'auteurs ont galement ralis le mme choix pour la caractrisation et la modlisation de l'immunit des composants, et en particulier [Alaeldine 08b, Boyer 07a, Chahine 08]. Le critre de puissance transmise peut tre utilis pour caractriser et produire les modles d'immunit des composants. Notre objectif est donc de matriser cette puissance, et la technique DPI, relativement simple modliser, semble la plus approprie considrer au niveau composant pour extraire cette donne. Le test DPI prvoit dans sa mise en oeuvre la possibilit d'utiliser un coupleur bi directionnel, permettant de mesurer les puissances incidente (Pi ) et rchie (Pr ). Il est alors possible d'en dduire une puissance transmise au dispositif sous test en considrant simplement la relation suivante :
Pt = Pi Pr
(2.25)
Cependant plusieurs questions manent de l'utilisation de cette technique. La premire interrogation concerne le lien entre la puissance transmise que l'on caractrise ici avec la puissance transmise eectivement au composant. Entre ces deux lments, on retrouve la piste du circuit imprim, le condensateur de couplage et le bias tee, comme illustr la Figure 2.90.
PCB To DC signal
1
Amplifier
50
Pi
Pr Trace
2
Bias Tee
Coupler
0
Coupling capacitor IC under test
Figure 2.90 Principe de mesure de la puissance transmise en essai DPI

Le deuxime point que l'on souhaite analyser concerne la prcision avec laquelle cette valeur va pouvoir tre extraite. Dans le cas d'une injection sur une impdance dsadapte
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98
(ce qui sera souvent le cas), on a une puissance rchie qui sera du mme ordre de grandeur que la puissance incidente (Exemple en basses frquences sur le cas de la Figure 2.91).
0.01
1 .10 P (Watts)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Puissance Rflechie Puissance Incidente Puissance Transmise
Figure 2.91: Comportement typique des puissances au niveau du coupleur
On peut alors se demander quelle est la limitation de cette technique si on considre que les puissances sont mesures au moyen de wattmtres auxquels sont associs des prcisions de mesure que nous discuterons plus tard. En s'appuyant sur la modlisation, on peut valuer les incidences de ces deux paramtres. Notre schma de simulation consiste en une modlisation ne du test DPI, ainsi que du PCB jusqu'au composant sous test. Des caractristiques typiques sont choisies pour le PCB (pistes de 22 mm en particulier) et plusieurs congurations sont tudies pour ce qui concerne le composant (conditions d'impdances). Ces techniques de modlisation seront dveloppes en dtail dans les Chapitres 3 et 4.
Coupling capacitor Amplifier

1 50 1Vac BRANIN_V3 1 REF 2 2 1n 0.5 1 1e-9 2
Branin's Model
0
Load model
Figure 2.92 Schma de simulation de l'injection DPI sur charge de 1

Notons simplement que sur le premier schma considr (Figure 2.92), la piste du PCB est modlise par un modle de Branin (Voir Chapitre 3), intgrant sans approximations tous les comportements de pertes et de dpendances frquentielles des coecients de la ligne. Le condensateur de couplage intgre ses lments parasites, tel que introduit dans ce chapitre. A l'emplacement du composant sous test, nous considrerons deux cas rels en
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99
intgrant leurs PDN (Broche 12V d'un transceiver LIN et broche 1A d'une porte logique 74HC08), et des impdances idales de 1
et de 1 k.
A partir de ce modle on peut alors valuer l'incertitude sur la puissance transmise qui serait value l'entre du PCB, en prenant en compte les prcisions annonces dans la spcication des appareils utiliss (Typiques en instrumentation de mesures de puissances sur banc de mesures CEM) [Rohde & Shwarz ]. Partant de l'quation 2.25, on peut alors crire :
Pt Pt = Pi Pi Pr Pr
La puissance incidente
(2.26)
Pi ,
est connue et impose dans notre simulation :
Pi =
e2 4.R
(2.27) simulant l'amplicateur de puis-
Avec e=1 V tant le gnrateur source charg 50
sance. La puissance transmise est elle aussi disponible par la simulation, en partant des tension (U) et courant (I) complexes, mesurs au point d'entre du PCB (Emplacement du coupleur) et en appliquant l'quation 2.28.
1 Pt = . U.I + U .I 2
(2.28)
A ce stade nous pouvons calculer les puissances incidentes et rchies, puis appliquer le calcul d'incertitude. Cela permet alors de borner la puissance transmise value par cette technique pour les direntes congurations de charges. Sur la charge de 1
la
puissance transmise thorique peut ainsi tre borne, du fait des incertitudes de mesures sur les puissances incidente et rchie (Figure 2.93). Ce cas est intressant car il met en vidence que en basses frquences, la puissance ne peut pas tre borne, car l'incertitude est suprieure la puissance transmise estimer.
0.01
Puissance Transmise (W)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Puissance transmise - Thorique PT - TOL 1 PT - TOL 2
Figure 2.93 Puissance transmise value par mesures au coupleur - Prise en compte des
incertitudes sur les mesures de puissance dans le cas de la charge de 1
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100
En reproduisant le mme travail sur les dirents composants, on peut tracer Figure 2.94 les enveloppes des incertitudes obtenues pour toutes les congurations de charge.
10
Uncertainty (dB)
10 6 1 .10
1 .107
1 .108 F(Hz)
1 .109
1 .1010
10
Figure 2.94 Synthse des
1 kOhm 1 kOhm Ohm 1 Ohm pin 12V LIN 1 Ohm 74HC08 12V LIN pin 12V LIN pin 74HC08 incertitudes 74HC08
sur la puissance transmise value au niveau du
coupleur pour direntes congurations de charges
On observe alors que dans plusieurs cas la puissance ne peut tout simplement pas tre extraite (en basses frquences) du fait de ces incertitudes. La tendance gnrale est cependant que en augmentant la frquence, l'incertitude globale tend diminuer. L'utilisation de ce modle permet galement d'valuer la dirence entre la puissance transmise au PCB avec celle eectivement transmise au composant sous test. La synthse de ces rsultats, toujours pour les mmes congurations, est donne Figure 2.95.
20
15 Uncertainty (dB)
10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 kOhm 1 Ohm 12V LIN 74HC08
Figure 2.95: Puissance transmise au PCB Vs au composant sous test - Synthse
Les erreurs avec cette technique peuvent tre de l'ordre de 5 dB jusqu' 1 GHz, mais augmentent rapidement au del.
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101
Un dernier lment important pouvant fausser nos rsultats est l'existence d'un Bias Tee, qu'il est dicile de dimensionner pour prsenter de manire large bande une haute impdance.
4
3 Uncertainty (dB)
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 kOhm 1 Ohm 12V LIN 74HC08
Figure 2.96: carts sur la puissance transmise lie la prsence du Bias Tee.
Partant de l'impdance du Bias Tee usuellement utilis sur le PCB de test gnrique que nous avons dvelopp, et qui sera dtaill dans le Chapitre 3, nous pouvons valuer les carts lis uniquement la prsence ou non de cet lment. Les rsultats sont donns Figure 2.96.
Extraction de la puissance transmise par approche mixte simulation / exprimentation

An d'amliorer ces rsultats, nous proposons une technique mixte pour la
dtermination de la puissance transmise au composant. Elle repose toujours sur la mesure de la puissance mais seulement de l'incidente, avec la mme technique et donc les mmes incertitudes. Au travers une modlisation du dispositif d'essai et du composant (par son PDN) nous pouvons alors obtenir par la simulation la puissance transmise au composant. A ceci prt qu'au modle du composant doit galement tre associ une prcision, directement lie la prcision des paramtres S lors de leurs mesures au VNA. De manire plus prcise, les erreurs considrer en premire approche sont lies aux mesures des coecients de rexions, donnant l'image des impdances vues des entres du composant. La puissance transmise peut alors tre calcule partir de :
Pt = 1 |S11 |2 .Pi
(2.29)
D'o l'on peut tablir l'incertitude sur la puissance transmise, en fonction de la prcision sur la puissance incidente (Pi ) et de la prcision sur la mesure du S11 ( |S11 |). Ce dernier
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102
paramtre est connu, et a dj t discut dans ce Chapitre en relation avec les mesures sur les composants passifs.
Pt = Pt .
2. |S11 | Pi + Pi 1 |S11 |2
(2.30)
L'application sur les mmes cas tests que prcdemment, permet d'obtenir les rsultats de la Figure 2.97. Nous observons des tendances proches de ce que nous avions pour la mthode purement exprimentale, avec en particulier des zones o la puissance ne peut pas tre borne du fait des incertitudes. Malgr le fait que cette technique ne rsolve pas tous les problmes, il est temps nanmoins d'en estimer les gains...
10
Uncertainty (dB)
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 kOhm 1 kOhm Ohm 1 Ohm pin 12V LIN 1 Ohm 74HC08 12V LIN pin 12V LIN pin 74HC08 Figure 2.97: Incertitudes sur la puissance transmise - Approche mixte 74HC08
Confrontation des approches - Conclusions sur l'extraction de la puissance transmise.

L'approche exprimentale induit un certain nombre de paramtres qui peuvent
tre sources d'incertitudes. Le tableau 2.18 synthtise nos observations, en dcoupant les rsultats sur trois gammes de frquences. En comparant ces rsultats aux erreurs estimes avec l'approche mixte, nous pouvons dresser le tableau de synthse 2.19. On peut constater que mme si elle ne rsout pas tous les problmes d'valuation de la puissance transmise, notre technique apporte un gain sur les prcisions.
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103
Table 2.18 Incertitudes par sources d'erreur - Approche exprimentale

Plage de frquence Incertitude par source Bias tee Dirence entre l'entre du PCB et l'entre du circuit Mesure de la puissance Transmise Total - + 14 dB - 5 dB + 5 +11 dB -8 -14 dB 4 12 dB + 8 dB + 2 dB 1 dB Basse (1 MHz 100 MHz) Moyenne (100 MHz -1 GHz) Haute (1 GHz - 3 GHz) 1 dB (Mais risque important) 2 10 dB
4 dB 2 dB
1 dB 2 8 dB
Table 2.19 Bilan des incertitudes pour les deux approches

Plage de frquence Basse (1 MHz Incertitude par source + 14 dB Approche exprimentale + 9dB Approche mixte 5 dB Gain avec la technique mixte (pire cas) 8 dB 10 dB + 3 dB - 8 dB 2 dB + 5 +11 dB -8 -14 dB 4 12 dB 100 MHz) Moyenne (100 MHz -1 GHz) Haute (1 GHz - 3 GHz)
En basses frquences il tait attendu de retrouver le mme phnomne, puisque l'analyseur de rseau repose sur le mme principe de mesure des puissances incidentes et rchies, pour en dduire le coecient de rexion. L'intrt majeur de notre technique sera vraisemblablement qu'elle est la seule permettant d'envisager l'extension de la gamme de frquence au-del du GHz. De plus ce sera la seule technique qui permettra de considrer les broches de composants exigeant des dcouplages pour les aspects fonctionnels. Seule l'approche mixte permettra alors de remonter la vritable puissance transmise au composant grce
7 dcembre 2010
104
la prise en compte de l'impdance ramene par ce dcouplage. Ce seront l les deux arguments principaux pour promouvoir cette technique : L'extension en frquence et la prise en compte de dcouplages ou de conditions de polarisation du composant quelle qu'elle soit.
2.2.2.5
Processus d'extraction et de validation du modle
Partant des discussions prcdentes, de la dnition de la structure et des hypothses de validit, nous pouvons proposer un processus gnral de construction du modle (Figure 2.98). Ceci correspond la synthse et la mthodologie gnrale d'extraction de notre modle d'immunit.
Dfinition du critre de dfaut

(base sur les exigences Systme)
Caractrisation DPI
(Pour chaque broche d'intrt Pour l'valuation de l'immunit Et accessible dans le systme)
Extraction paramtres S
(Avec un VNA, et Puissance Plus bas de 10 dB min que le rsultat DPI le plus faible)
Modlisation Spice De la mise en uvre DPI

(Modle CI issu des paramtres S simulation des fonctions de transfert)
Validation des fonctions de transfert

(A haut niveau de puissance Pour confirmer l'hypothse De linarit)
Validation de la prdiction De l'immunit

(base sur le critre de Puissance Transmise Vrifie dans 2 ou 3 Configurations ralistes)
Modle final
Figure 2.98 Processus de construction et de validation du modle
2.2.3 Validation de la dmarche

2.2.3.1 tude dtaille sur inverseur 74HCT14
Il s'agit d'une porte inverseuse avec trigger de Schmidt. Le composant est mis en oeuvre tel que reprsent Figure 2.99, an de permettre l'injection des perturbations DPI sur la
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105
broche d'entre 1A, et de surveiller l'tat de la sortie sur la sortie 1Y. Les dispositifs permettant l'injection DPI ou la mesure des paramtres S sont placs sur les broches 1A, 1Y et VCC, et correspondent la mise en parallle de deux condensateurs de 1 et 470 nF. Les motivations d'un tel choix, drivant des recommandations de la norme [IEC 06b], seront discutes dans la prochaine partie, ainsi que le dimensionnement des inductances et ferrites utilises sur l'alimentation, et constituant le bias tee. Pour ce cas d'tude, nous ne considrerons l'injection DPI que sur la broche 1A, mais le PDN de notre modle sera extrait pour les 3 broches 1A, 1Y et VCC, an de pouvoir tudier et valider la linarit des fonctions de transfert avec ces broches lorsque l'on injecte des niveaux de perturbation proche du seuil de susceptibilit.
SMA DPI + extraction [S] - 1A SMA Extraction [S] - VCC
470n 1n 470n 1n
5V
10k 10k
0
2 ferrites - BLM18HK102SN1
47H
1 2
1A 1Y
vcc
SMA Surveillance Output
470n
1n
GND
SMA Extraction [S] - 1Y
Figure 2.99 Conguration de mise en oeuvre du 74HCT14

Les tapes successives de notre processus de production du modle sont alors ralises, en mettant en oeuvre les direntes exprimentations sur le PCB de test gnrique que nous avons dvelopp dans le cadre de cette thse et que nous prsenterons de manire dtaille dans le Chapitre 3.
Dnition du critre de dfaut.
Nous xons ici un critre de dfaut arbitraire, puisque
ce cas d'tude n'est pas rattach une application particulire. Nous souhaitons dtecter les variations sur le signal de sortie de 500 mV, mais la dtection d'une telle drive avec un oscilloscope doit tre faite prudemment. En eet, il ne faut pas oublier que sur l'oscilloscope nous allons mesurer eectivement la drive de la valeur moyenne du signal, correspondant bien l'anomalie, mais auquel va ventuellement tre superpose une composante AC, simplement issue de la propagation de la perturbation sur ce point de mesure. Il ne faut pas, par consquent, raliser une dtection des dfauts en se basant sur la dnition d'une simple enveloppe de tolrance 500 mV autour du signal fonctionnel. Cela risquerait d'engendrer la dtection de phnomnes o la composante AC superpose serait suprieure 500 mV, alors qu'il ne s'agit pas rellement d'un dfaut. An de dtecter convenablement les dfauts, nous avons alors plusieurs options :
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106
Nous pouvons soit utiliser un ltre passe bas plac avant l'oscilloscope (ou en interne), et rendant alors ngligeable la composante AC. Nous pouvons dnir un critre supprimant l'eet de la composante AC, en mesurant la valeur moyenne du signal fonctionnel sur une fentre temporelle bien suprieure la priode du signal perturbateur. Notre choix se sera tourn vers cette deuxime technique, mais ne peut pas tre une solution systmatique, compte tenu du fait que dans certaines applications les signaux fonctionnels surveiller peuvent tre dynamiques, et peuvent tre soumis la dnition de tolrances direntes sur les amplitudes en fonction de leur tat, et la dnition de tolrances sur des caractristiques temporelles (temps de monte, Jitter...). Il conviendra donc au cas par cas de se poser la question de la bonne dnition du ou des critres de dfauts, pour bien prendre en compte cette superposition de composantes AC, non problmatiques, et des signaux fonctionnels.
Caractrisation DPI.
Dans ce cas d'tude, nous ne nous intresserons qu' la suscep-
tibilit de l'entre 1A du composant. Comme voqu prcdemment, ces caractrisations sont eectues pour plusieurs congurations. La premire, tant notre rfrence, correspond la situation o aucun ltrage n'est utilis sur l'entre sur laquelle on injecte. Il s'agit de la conguration qui permettra l'extraction de la puissance transmise de notre modle. Trois autres congurations seront galement testes, mais uniquement pour permettre la validation du caractre prdictif de notre modle. Ces congurations correspondent respectivement l'ajout de dcouplage de 10 nF ou de 100 pF sur l'entre 1A (correspondant au chemin d'injection), ainsi qu' l'ajout d'un condensateur de 10 nF sur la broche Vcc. Nous prsentons Figure 2.100, les rsultats obtenus pour ces direntes congurations.
40
40
P incidente dfaut (dBm)
30
P incidente dfaut (dBm)

7 8 9 10
30
20
20
10
10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Limite du test (Pmax gn / ampli) Injection 1A - Configuration de rfrence Injection 1A - 10 nF sur 1A
Limite du test (Pmax gn / ampli) Injection 1A - 100 pF sur 1A Injection 1A - 10 nF sur VCC
Figure 2.100 Rsultats de caractrisation DPI du 74HCT14

Extraction des paramtres S.
Chacune des broches 1A, VCC et 1Y rfrence la
masse est considre comme un port. La matrice 3x3 est extraite en utilisant le PCB de
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107
test gnrique, permettant de calibrer directement dans le plan de rfrence des broches du circuit. En pratique, n'ayant disposition qu'un VNA 2 ports, il convient de raliser 3 mesures an de pouvoir reconstruire la matrice complte 3x3. Le port non connect lors de chacune des mesures doit tre charg 50 Ohms. Ces mesures sont ralises pour un niveau infrieur au seuil de susceptibilit le plus bas dans la conguration sans ltrage, soit pour -10 dBm dans le cas prsent. Un modle bote noire Pspice est alors gnr en utilisant [Ide 09]. Les corrlations entre le modle et les paramtres S donns en entre sont excellentes. Des exemples sont fournis Figure 2.101.
Scattering matrix entries, magnitude (dB) 0 1 2 3 4 5 5 10 0 50 100 150 200 5 10
6 7 8 9 10
Scattering matrix entries, magnitude (dB) 0 5 10 15 20 S(2,3), data S(2,3), model
S(1,1), data S(1,1), model
10
10
10
10
10
10
25 5 10 100
10
10
10
10
10
10
Scattering matrix entries, phase (degrees)
Scattering matrix entries, phase (degrees)
S(1,1), data S(1,1), model
0 S(2,3), data S(2,3), model
100
10
10 10 Frequency [Hz]
10
10
200 5 10
10
10 10 Frequency [Hz]
10
10
10
Figure 2.101 Exemples de confrontation Modle / paramtres S d'entre

Modlisation Pspice de la mise en oeuvre.
Les techniques de modlisation du PCB
seront en particulier dveloppes dans le prochain chapitre. Les composants passifs sont modliss avec leurs lments parasites tel que dcrit dans ce prsent chapitre. Le modle de la mise en oeuvre pour l'injection DPI en conguration de rfrence est prsent Figure 2.102.
PCB - Partie connecte broche VCC
TD = {0.0033/1.27e8} Z0 = 34 0.05
1
0.8e-9
2
1n 0.03
Amplificateur Generateur
PCB - Partie connecte broche 1A Modele [S] 74HCT14
K_Linear COUPLING = 0.7

2 1
TD = {0.018/1.27e8} Z0 = 34 1e6
50
TD = {0.018/1.27e8} Z0 = 34 0.03
1n
2
0.8e-9
1
0.05
0 0.025 0.8e-9 470e-9
0 0
TD = {0.0033/1.27e8} Z0 = 34
RSIL + Batterie
DUT BAT
K_Linear COUPLING = 0.7

1 2
74HCT14_IDEM 0.3e-9 0 0
1A 1Y GND VCC
BLM18HK102SN1
BLM18HK102SN1
WE_47UH_IDEM 50
R_1
LISN_R_ext
R_2
0
0.447
0 470e-9 0.8e-9 0.025
GND
0 7e-14 TD = {0.036/1.27e8} TD = {0.0046/1.27e8} Z0 = 60 Z0 = 34 10k
0 0 TD = {0.0046/1.27e8} Z0 = 34
0 0 TD = {0.036/1.27e8} Z0 = 34
BATTERIE12V
0 0
TD = {0.0033/1.27e8} Z0 = 34
0.05
1
0.8e-9
2
1n 0.03
K_Linear COUPLING = 0.7 7e-14 10e3 0 0 0 0.025 0.8e-9 470e-9

2 1
TD = {0.018/1.27e8} Z0 = 34 1e6
PCB - Partie connecte broche 1Y
Figure 2.102 Schma quivalent de la mise en oeuvre du test DPI sur le 74HCT14
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VBAT
0.3e-12

Ce modle va maintenant permettre de :
108
Valider l'hypothse de linarit, en confrontant la simulation des fonctions de transfert bas sur notre modle linaire petit signal, avec les mesures eectues pour des niveaux de puissance proches du seuil de susceptibilit. Extraire la puissance transmise seuil provoquant les dfauts en accord avec les critres dnis prcdemment . Valider la qualit prdictive de notre modle dans les autres congurations que celle ayant servie la construction du modle.
Validation de l'hypothse de linarit.
Le S21 est extrait entre la broche 1A et
la broche 1Y, pour un niveau de 10 dBm la source. L'extraction de cette information par la simulation est simplement ralise en plaant un gnrateur 50 Ohms de 2 Volts l'emplacement du connecteur SMA 1A, et une rsistance 50 Ohms l'emplacement du connecteur SMA 1Y. Le module du S21 est alors simplement le module de la tension en dB mesure sur ce second point. Le S21 tant donn par :
S21 = 20. log
2Vs Ve
(2.31)
Le fait de xer Ve 2 Volts permet de simplier cette quation et d'obtenir directement cette valeur sous Pspice avec un simple marqueur dB magnitude of Voltage. An de valider cette hypothse de linarit le coecient de transmission est galement mesur entre 1AVCC puis entre 1Y-VCC. La confrontation simulation / mesure pour 1A-1Y est prsente Figure 2.103, et est reprsentative des rsultats obtenus pour les autres congurations non prsentes.
0
Coefficient de transmission (dB)
20
40
60
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure coefficient de transmission Simulation coefficient de transmission
Figure 2.103 Mesure / Simulation de la fonction de transfert entre 1A et 1Y

Les rsultats obtenus sont tout a fait acceptables et permettent de valider la fois les modlisations du circuit et du PCB, et l'hypothse de linarit jusqu'au seuil de suscep-
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109
tibilit. Les seuls carts signicatifs que l'on peut observer vers 1 GHz, ne sont pas lis une ventuelle non linarit, car ces rsultats ne sont pas modis lorsque l'on descend le niveau de puissance source du VNA.
Extraction de la puissance transmise seuil.
A partir du modle de la Figure 2.102,
on peut extraire les tensions et courant complexes pour une puissance incidente normalise de 0 dBm (gnrateur de tension de 0.447 Volts sur le schma). On obtient alors la puissance transmise partir de l'quation 2.29. Or les caractrisations DPI nous ont permis d'valuer pour quel niveau de puissance incidente le composant est rellement mis en dfaut. Une simple rgle de trois permet alors d'obtenir la puissance transmise seuil qui engendre un dfaut.
1
0.1 Puissance transmise seuil (Watts)
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 2.104 Puissance transmise seuil - Broche 1A du 74HCT14

Prdiction des rsultats - Validation du critre de puissance transmise seuil.
En rutilisant alors le schma de simulation gnral de la Figure 2.102, adapt aux autres congurations testes, il est alors possible de prdire les niveaux de puissance incidente appliquer au niveau du gnrateur pour toujours retrouver la mme puissance transmise seuil. Le choix de ces congurations est gnralement orient pour se rapprocher des conditions d'utilisation dans des applications typiques. Les prdictions ralises sont alors compares aux rsultats exprimentaux. La conguration prsente Figure 2.105 correspond la mise en place d'un condensateur sur l'alimentation du composant. On voit que cela ne modie pas l'immunit du circuit lorsque l'on injecte sur la broche 1A, et que notre modle permet de bien reproduire ce comportement.
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50
110
40
Seuil susceptibilit - Pi (dBm)
30
20
10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Prdiction rsultats DPI - 10 nF sur VCC (injection sur 1A) Rsultats DPI - 10 nF sur VCC (injection sur 1A) Limite du test (Pmax gn / ampli)
Figure 2.105 Prdiction Vs Mesures DPI - 10 nF ajout sur le VCC

Lorsque l'on rajoute des composants de ltrage sur le chemin d'injection, l'immunit est alors fortement impacte (Figure 2.106), avec des volutions sur les niveaux de susceptibilit pouvant atteindre jusqu' 40 dB. Malgr ces carts importants, on peut voir que le modle est apte prdire ces volutions de manire satisfaisante. A noter pour l'apprciation des rsultats que nos simulations n'intgrent pas les phnomnes de saturation de l'amplicateur, qui n'est plus linaire lorsque l'on se rapproche du niveau de puissance maximum. Sur la gamme 1 MHz - 1 GHz, partir de niveaux d'environ 10 dB en dessous de 42 dBm, ces eets non linaires commencent apparatre.
50
50
45 40 40 Seuil susceptibilit - Pi (dBm) Seuil susceptibilit - Pi (dBm) 1 .10

7
35
30
30
25
20
20 10 15
10 6 1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Prdiction rsultats DPI - 10 nF sur 1A Rsultats DPI - 10 nF sur 1A Limite du test (Pmax gn / ampli)
Prdiction rsultats DPI - 100 pF sur 1A Rsultats DPI - 100 pF sur 1A Limite du test (Pmax gn / ampli)
(a) 10 nF ajout sur broche 1A
(b) 10 nF ajout sur broche 1A
Figure 2.106 Prdiction Vs Mesures DPI

Ces rsultats permettent alors de valider le caractre prdictif de notre modle. La dernire tape est alors la simple combinaison du PDN (Modle produit par IdeM) avec la table dlivrant la puissance transmise seuil qui sera utilise comme rfrence.
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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs 2.2.3.2 Synthse des rsultats
111
L'approche bote noire que nous avons dveloppe ne peut tre valide en ne s'appuyant que sur un cas d'tude isol. An de valider la viabilit de notre technique, nous avons du tester cette mthodologie sur plusieurs composants et en particulier sur des familles et technologies varies. Nous ne prsenterons pas ici tous les rsultats obtenus, seulement quelques uns nous paraissant importants dans la dmarche de validation de notre technique. En particulier nous prsenterons les rsultats sur le transistor BC847, sur un driver de communication LIN et sur un capteur capacitif bas sur le principe d'un convertisseur Sigma - Delta.
Transistor BC 847.
Ce cas a t choisi du fait du caractre fortement non linaire d'un
transistor et suppos comme tant potentiellement incompatible avec nos hypothses de modlisation. Le composant a t mis en oeuvre suivant le schma de la Figure 2.107. La base du transistor est tire la masse (0 Volt) et on applique 5 Volts sur le collecteur, au travers de 10 k. En prlevant alors la tension au point identi SMA Monitoring, on peut alors dtecter les dclenchements intempestifs du transistor. Un critre de dfaut de 200 mV a t x sur ce point.
5V
BLM18HK102SN1 BLM18HK102SN1 10k WE_47UH 10k
00
SMA - Monitoring
1k 470n
0
1n
SMA - DPI Base
Figure 2.107 Schma de mise en oeuvre de la DPI sur le transistor BC847

Aprs caractrisation DPI, extraction des paramtres S, et modlisation de la carte de test, on peut alors procder aux validations des fonctions de transfert et de l'hypothse de linarit. Les rsultats pour le coecient de transmission entre base et collecteur sont donns Figure 2.108. On peut voir que malgr nos craintes, le rsultat est tout a fait acceptable jusqu' 3 GHz. On peut donc bien considrer une fois de plus que notre composant prsente un comportement linaire jusqu' son seuil de susceptibilit.
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10
112
20
30 S21 (dB)
40
50
60
70 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Simulation Measurement
Figure 2.108 Confrontation simulation / mesure coecient de transmission base - collecteur La prdiction de l'immunit pour ce composant donne galement des rsultats excellents, en particulier lis au fait que l'amplicateur n'est pas ncessaire pour caractriser ce composant, compte tenu de ses faibles niveaux de susceptibilit. Nous n'avons alors pas les eets de saturation de l'ampli que nous ne considrons pas en simulation. Les rsultats pour la prdiction de l'immunit lorsque l'on rajoute 1 nF sur la base du transistor sont donns Figure 2.109.
30
Immunity Level - Pi - RF gen. (dBm)
20
10
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Measurements - Reference configuration Predicted results with 100 pF decoupling capacitor Measured results with 100 pF decoupling capacitor
Figure 2.109 Prdiction de l'immunit pour le transistor BC847 - 1 nF sur la base

Ce composant a galement t test en conguration sature, et les mmes qualits de rsultats ont pu tre obtenues.
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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs Driver de communication LIN.
113
Le composant tudi est un driver LIN ATA6662 de
chez ATMEL. Le composant est mis en mode de communication dynamique, et les critres de dfaut retenus correspondent 5 s et 2.5 Volts sur le signal LIN. Ce signal est prlev au travers de 10 k sur la broche correspondante du composant.
SMA - INH Monitor
SMA - RX Monitor
5V
10k WE_47UH BLM18HK102SN1 BLM18HK102SN1
100k
10k 0
12V
WE_47UH
5V 12V
10k
RX
10k
INH vcc LIN GND

0
BLM18HK102SN1 BLM18HK102SN1
EN WK TX
1n
5V
SMA - DPI 12 V
10k WE_47UH BLM18HK102SN1 BLM18HK102SN1 1n 10k
SMA - LIN Monitor SMA - TX excitation SMA - DPI LIN
Figure 2.110 Schma de mise en oeuvre du composant

La validation des fonctions de transfert donne des rsultats acceptables, et en particulier pour la mesure entre les broches LIN et 12 Volts (Figure 2.111). On observe cependant un comportement particulier en mesure et non reproduit en simulation. Sur la mesure des oscillations apparaissent et sont imputables une dsadaptation de l'amplicateur utilis dans la chane de transmission. Nous injectons en eet sur des impdances fortement dsadaptes, ce qui engendre des puissances rchies importantes. Certains amplicateurs ne sont pas conus pour fonctionner convenablement dans de telles conditions, et cette puissance rchie va en quelques sortes perturber la sortie de l'amplicateur, et l'tat de polarisation des transistors RF tant l'origine de l'impdance 50
0
quivalente prsente.
10
20
S21 (dB)
30
40
50
60
70 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Simulation Mesure
Figure 2.111 Validation fonction de transfert

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114
En changeant la longueur du cble entre l'amplicateur et la carte de test on dcale ainsi ces rsonances, et les simulations en jouant sur ces paramtres permettent de bien retrouver ces comportements observs (Figure 2.112).
10
10
20 S21 (dB) S21 (dB)

7 8 9 10
20
30
30
40
40
50
50
60 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
60 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Zout = 10 Ohms Zout = 50 Ohms Zout = 100 Ohms
Longueur 1 m Longueur 2 m Longueur 4 m
(a) Eet de l'impdance de sortie
(b) Eet de la longueur du cble sous Zout = 100 Ohms
Figure 2.112 Simulation des eets de dsadaptation de la sortie de l'amplicateur

Cela permet en particulier d'identier que la tendance est plutt une augmentation de l'impdance de sortie. Ces observations et les simulations prsentes n'ont pas pour but de dvelopper des techniques de modlisation de ce phnomne, mais de justier certaines des observations pouvant tre faites dans le cadre de nos mesures, et devant tre considres pour apprcier correctement nos rsultats. La rduction de ce phnomne, si il devait tre jug problmatique, pourrait tre ralis en intercalant un attnuateur 3 ou 6 dB de puissance entre la sortie de l'amplicateur et l'entre de la carte sous test. Malgr cela, les prdictions de l'immunit sur ce composant ont pu donner des rsultats tout fait satisfaisants. Les rsultats sont donns Figure 2.113 pour l'injection sur la broche 12 Volts, avec direntes solutions de ltrage.
60
60
50 Seuil susceptibilit - Pi (dBm) Seuil susceptibilit - Pi (dBm)

7 8 9
50
40
40
30
30
20
20 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Rsultats DPI estims - 10 nF filtrage sur 12V Rsultats DPI rels - 10 nF filtrage sur 12 V Limite Test (amplificateur)
Rsultats DPI estims - 100 pF filtrage sur 12V Rsultats DPI rels - 100 pF filtrage sur 12 V Limite Test (amplificateur)
(a) Avec 10 nF en dcouplage sur le 12 V
(b) Avec 100 pF en dcouplage sur le 12 V
Figure 2.113 Prdiction de l'immunit sur driver LIN - Injection sur 12 Volts
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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs Capteur capacitif AD7150.
115
Le dernier cas que nous dtaillerons dans cette thse,
correspond un capteur capacitif, utilis pour des applications de dtection de prsence dans des applications vhicule. Le composant utilis (AD 7150) repose sur le principe d'un gnrateur excitant une lectrode capacitive en srie avec l'entre de lecture du circuit. Le niveau mesur permet alors au circuit de calculer la valeur de la capacit et de dtecter ses variations. Compte tenu des contraintes fonctionnelles, limitant les valeurs de capacits admises sur les direntes broches, la mise en oeuvre pour les tests DPI a d tre adapte, avec en particulier des capacits d'injection de 47 pF sur les points relis l'lectrode. Le schma utilis pour la mise en oeuvre de notre caractrisation est donn Figure 2.114.
SMA - DPI VCC
3.3V
1n
470n
GND
0
SDA SCL SMA - Monitor EXC1

EXC1
100k
vcc
1k
CIN1
SMA - DPI CIN1

0
1k
47pF
1pF
Electrode capacitance
47pF
SMA - DPI CIN1
Figure 2.114 Schma de caractrisation du composant AD7150

Les critres de dfauts pris en compte correspondent des uctuations de la valeur de la capacit au del des tolrances xes par l'application (non dtailles ici pour raison de condentialit). Les direntes tapes de caractrisation de modlisation et de validation ont t ralises, et nous pouvons prsenter quelques un des rsultats obtenus. Tout d'abord pour les fonctions de transfert, le comparatif mesure / simulation est donn Figure 2.115. Jusqu' 3 GHz les rsultats sont parfaitement valids.
0
Coefficient de transmission (dB)
20
40
60
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure coefficient de transmission Simulation coefficient de transmission
Figure 2.115 Confrontation simulation / mesure coecient de transmission CIN - EXC

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116
La particularit de ce composant concerne en fait les niveaux de puissances transmises seuils que l'on peut extraire grce notre technique. En eet, pour la broche CIN on peut constater que ce niveau de puissance est extrmement faible, et de l'ordre du nW (Figure 2.116). Nous savons que cette valeur est entache d'une incertitude trs leve (tel que dcrit dans la partie 2.2.2.4). Malgr cela, la prdiction dans d'autres congurations de l'immunit de cette broche fournie toujours des rsultats totalement satisfaisants (Figure 2.117).
0.1 0.01 Threshold active power (Watts) 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
3
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
CIN pin EXC pin
Figure 2.116 Puissances transmises seuils extraites pour CIN et EXC

Ces rsultats sont galement particuliers, dans le sens o le seuil de susceptibilit en basses frquences varie normment. Le composant prsente eectivement des susceptibilits trs bandes troites lies sa structure de ltre interne. Cela n'est pas l'objet de nos travaux mais est un exemple intressant qui permet d'illustrer que l'volution de l'immunit n'est pas forcment relie l'volution de l'impdance du composant. Nous reviendrons sur ce point dans la prochaine partie.
40
Seuil susceptibilit - Pi (dBm)
20
20
40 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Rsultats DPI rels - 47 pF filtrage sur CIN Rsultats DPI estims - 47 pF filtrage sur CIN Limite test (gnrateur)
Figure
2.117 Prdiction de l'immunit sur AD7150 - Injection sur CIN avec 47 pF
dcouplage
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2.2. Modlisation de l'immunit des composants actifs 2.2.3.3 Vers une approche semi empirique
117
volution typique de la puissance active seuil.
Sur une majorit des composants
que nous avons pu traiter dans le cadre de nos travaux, nous avons constat des comportements rcurrents sur l'volution de la puissance transmise seuil en fonction de la frquence (En dehors des broches d'alimentation des circuits). Si sur plusieurs composants on reprsente les courbes de la puissance transmise seuil, on peut observer un comportement gnralement constant en basse frquence, avant une augmentation linaire avec la frquence, mais avec une pente variable suivant les composants.
1
Threshold active power (Watts)
0.1
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
LIN transceiver - LIN pin LIN transceiver - 12V pin 74HC08 - 1A pin 74HC08 - Y0 pin 74HCT14 - 1A pin BC847 - Base
Figure 2.118 Courbes de tendances des Puissances transmises seuils

Nous pouvons proposer une expression gnrale permettant de dcrire ce comportement, de la forme :
Pa = P0 1 +
f f0
(2.32)
Avec P0 correspondant la puissance constante en basses frquences, partir de laquelle la puissance commence augmenter avec la pente
f0
la frquence
(en chelle lo-
garithmique). Des exemples sont donns en Figure 2.119. Ce comportement gnralement observ jusqu' 1 GHz sur tous les composants (or broches d'alimentation) permet d'envisager une rduction du nombre de caractrisations exprimentales DPI, o seuls 3 points permettraient en thorie d'extraire cette courbe. Dans une approche de pr valuation cette reprsentation peut tre largement susante pour raliser des premires valuations rapides. Comme voqu prcdemment, parmi les composants tudis, nous avons identi pour certains circuits que les broches d'alimentation peuvent prsenter des comportements qui ne
7 dcembre 2010
118
suivent pas ces tendances (Figure 2.120). L'approche empirique ne semble donc absolument pas envisageable pour ces accs.
0.1
10
0.1
0.01 1
0.01
1 .10
0.1 1 .10
3
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
0.01 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Threshold active power (Watts) Equation approximation
(a) 74HC08 - Broche 1A
(b) BC847 - Base
(c) Smart MOS - Vbat
Figure 2.119 Approximation de la puissance transmise seuil par la formulation 2.32
0.1 Puissance active seuil (Watts) Puissance active seuil (Watts)
0.01
0.1
1 .10
1 .10
0.01 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
(a) 74HCT14 - Broche Vcc
(b) AD7150 - Broche Vdd
Figure 2.120 Cas particuliers des accs d'alimentation de certains circuits

Lien avec les volutions de l'impdance.
Le lien entre les volutions de la puissance
active seuil et les volutions de l'impdance d'entre du composant a galement t analys, an d'estimer dans quelle mesure les deux donnes sont relies et pourraient ventuellement tre corrles l'une l'autre. Sur tous les cas tudis, nous avons tent de superposer les puissances seuils avec les courbes d'impdance. Bien que dans certains cas des liens semblent tre observs, ceux-ci ne sont pas systmatiques. Sur les exemples de la Figure 2.121, on voit que l'immunit augmente alors que l'impdance diminue. Les deux semblent alors troitement lis, mais pas forcement par une relation linaire. Nous pensons que l'impdance est un lment fondamental du modle d'immunit, car c'est cette grandeur qui conditionne les caractristiques des perturbations ramenes sur un composant. Mais les expriences que nous avons eu nous indiquent galement que au-del de cela, tablir un lien direct entre cette impdance et l'immunit semble irraliste.
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119
1 .10 1 .10
4 3
1 .10 1 .10 1 .10
5 4
100 10 1 0.1 0.01 1 .10

3
100 10 1 0.1 0.01

3 1 .10
4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Threshold active power (Watts) Impedance (Ohms)
(a) 74HCT14 - broche 1A
(b) LIN ATA 6662 - broche LIN
Figure 2.121 Lien de la puissance active seuil avec l'volution de l'impdance

Pour illustrer nos propos, nous pouvons montrer deux cas concrets. Le premier correspond deux drivers de communication LIN de fournisseurs dirents. Les impdances prsentes sur les broches LIN sont relativement identiques entre ces deux fournisseurs, cependant les courbes de susceptibilit, et les puissances transmises seuils sont trs direntes l'une de l'autre (la pente moyenne de l'volution de la puissance seuil est dirente entre les deux composants).
1 .10
1 .10
Threshold active power (Watts)
1 .10 Impedance (Ohms)
0.1
0.01
100
1 .10
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
LIN pin Impedance - ATA 6662 LIN pin Impedance - TPIC 1021
LIN pin active power - ATA 6662 LIN pin active power - TPIC 1021
(a) volution de l'impdance d'entre

drivers LIN
(b) volution de la puissance transmise seuil
Figure 2.122 Contre exemple de corrlation entre l'immunit et l'impdance - Cas des
La Figure 2.123 donne deux exemples montrant galement l'absence de corrlation absolue entre impdance et immunit. Dans le cas du 74HCT14, on voit que malgr l'apparition de plusieurs rsonances, le seuil de susceptibilit ne varie pas du tout en phase avec l'impdance. Sur le deuxime cas, du transistor BC847, on voit que jusqu' 1.5 GHz environ l'immunit augmente alors que l'impdance diminue, mais alors que l'impdance remonte au-del de cette frquence, l'immunit continue quant elle de crotre.
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120
1 .10
1 .10 1 .10
4 3
1 .10
100 100 10 1 10 0.1 1 0.01 1 .10 0.1 1 .10 0.01 6 1 .10 1 .10
4 3
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
(a) 74HCT14 - broche Vcc
(b) Transistor BC847 - Base
Figure 2.123 Contre exemple de corrlation entre l'immunit et l'impdance

Ces deux exemples nous invitent considrer prudemment l'envie de relier l'immunit l'impdance.
5 5 5 4 4 5 5 3 3 4 4 4 2 2 3 3 3 2 2 2
2.2.3.4
4 D D
VCC Cas particulier des entres direntielles (IB) VCC VCC R8
VCC
VCC R8 R8
R8 1k 1k 1k Sur 3 les composants entres direntielles, notre technique ne permet pas de prdire 2 R8
D D
1k
entres. Sur le cas d'tude 10k

90m
VCC
U1 R9 correctement l'immunitR9 ds lors que l'on envisage R9 des ltragesR9 direntiel entre les deux en 4 U1 in
5out
in
et tabli
R9 90m
5
R8 par 1k U1
[Opt'land 09].
in5 out
in out
in out
V5
0 alors correspond celui de

in 1 + 2 5 4 3
4
10k 4 V5
out X1
3
in R4 1 + 1 in 1 + in R4 + R9 out 3 out 1 + 3 3 out 10k 10k 10k R4 tre tudi 90m 3 90m in out de l'amplicateur1 oprationnel LM2902, 2 cela a pu X1 2 2 +90m X1 - X1 10k out V5 V5 LM2902/NS LM2902/NS LM2902/NS C1 2 3 V5 X1 10k 10k LM2902/NS C1 90m 2 471n X1 10k Le schma de mise en LM2902/NS et de caractrisation DPI utilis oeuvre 471n V5 C1 R10 471n 0 0 0 R10 loopmeter 50 loopmeter 0 loopmeter 0 la Figure 2.124. R10 50 0 loopmeter 0 0 R4 50 loopmeter
1k
U1
U1
U1
R4 C1 471n R10 50 10k C1 471n R10 50
R4 10k
in out
LM2902/NS
MMCX C1
R7 471n R10 50 C2 471n
10k
MMCX
00
in out
R5 R724k 100k
0
R7 R5 24k C2 C2
R7 100k C2 5V V4
R5 24k
R5 0 24k
R5 24k
C C
VCC loopmeter 100k 5V R8 1k V4 R5 24kU1 3
VCC R7 100k R8 5V 1k 4 V4 U1 C2 V4 471n R11 50
0
R9 10k
R7 100k 5V V4 90m C2 471n V5 R11 50
R9 in 10k 1 +
R11 5V 50 in 0 out
5V R6 1k
471n 471n
100k
R11 V4 50
470n 471n 1nVCC 471n X7R NP0 V1

R6 R11 R11 1k 50 12.5V 50 R4 10k
VCC R6 1k 12.5V R6 VCC 1k V1 R6 1k V1 12.5V 12.5V
VCC V1 12.5V
VC
90 mV 90m 2
in out
in out
R6 V5 LM2902/NS 1k
0
B B
0
B
0
B
0 0 0
0 R4 0 out VCC 0 X1 10k LM2902/NS C1 V1 471n 12.5V R10 50 loopmeter loopmeter 0

1 +
0
C1 471n R10 50
0 0
0 2 X1 -
0 0
0 0
MMCX
R7
C
R7 C2 471n R11 50 V4 100k C2 471n R11 50
R5 24k
R5 24k
100k 5V V4
VCC R6 1k R6 1k 12.5V V1
VCC V1
5V 5.5V
12V 12.5V
MMCX
A A
Figure 2.124 Schma de caractrisation du LM2902

Title <Title> Title <Title> Size A
5 5 3 4 4 4
Title
Title <Title>
Title <Title>
<Title>
5 5 5 4
Date: 4
3
Size Document Number Size Size Document Number Number Document Document Number A <Doc> A <Doc> <Doc> A <Doc> Size Document Number A <Doc> Date: Monday, September 21, 2009 Date: Date: Monday, September 21, 2009 21, 2009 Monday, September Sheet S Monday, September 21, 2009 3 3 3Sheet 2 2 2 2 Date: Monday, September 21, 2009 Sheet
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Title
<Title>
121
Ces travaux ont cependant permis de mettre en vidence plusieurs lments intressants et de mettre en place une technique se prsentant comme une extension de celle que nous avons dveloppe. [Opt'land 09] a mis en vidence le fait qu'un critre reli la puissance semble cependant galement appropri pour dcrire l'immunit de ce type de composant. Des caractrisations DPI avec deux critres dirents sur les tensions d'oset sur la sortie donnent les rsultats de la Figure 2.125. On voit alors que le fait d'augmenter le critre de dfaut sur cette tension d'un facteur x10 augmente l'immunit galement dans un facteur 10 (Sur la puissance incidente).
10 5 0 1,0E+06 -5 -10 -15 -20 -25 -30 Frequency (Hz) DPI+ measurement (clean, +/- 0.05V) DPI+ measurement (clean, +/- 0.5V) DPI- measurement (clean, +/- 0.05V) DPI- measurement (clean, +/- 0.5V)
Failure power (dBm)
1,0E+07
1,0E+08
1,0E+09
1,0E+10
Figure 2.125 Rsultats DPI sur le LM2902 - Injections sur entres + ou - pour critres
de dfauts 0.5 V ou 0.05 V L'utilisation de notre dmarche pour les prdictions de l'immunit avec des ltrages par rapport la masse donnent des rsultats corrects, alors que les rsultats avec la prise en compte de composants placs en direntiel n'est pas correct. Cela est prsent Figure 2.126.
40 30 20 10 0 1,0E+06 -10 -20 -30 Frequency (Hz) DPI- measurement (100pF gnd/-, +/- 0.05V) DPI- simulation (voltage criterion) (100pF gnd/-, +/- 0.05V)
50 40 30
Failure power (dBm)
Failure power (dBm)
20 10 0 1,0E+06 -10 -20 -30 Frequency (Hz) DPI+ measurement (100pF +/-, +/- 0.05V) DPI+ simulation (voltage criterion) (100pF +/-, +/- 0.05V)
1,0E+07
1,0E+08
1,0E+09
1,0E+10
1,0E+07
1,0E+08
1,0E+09
1,0E+10
(a) Filtrage 100 pF entre entre - et masse
(b) Filtrage 100 pF entre entres + et -
Figure 2.126 Rsultats de prdiction sur le LM2902

An de proposer un modle performant pour ce type de composant, [Opt'land 09] s'est alors tourn vers une approche bote grise, en s'appuyant sur les relations dcrivant les mcanismes de perturbation de ces composants, tablis en particulier par [Fiori 02]. Partant alors du principe que l'oset est fonction de l'quation 2.33, un banc d'essais
7 dcembre 2010
122
a t dvelopp [Land 10] pour extraire les inconnus de cette relation (F et H sont des constantes dpendantes de la frquence en de la frquence en ).
Vp1
et G une constante galement dpendante
Vout = VCM VDM (F. cos (CM DM + G) + H)
(2.33)
Ce banc permet alors de matriser les quantits de mode commun / mode direntiel ramenes en entre du circuit sous test, ainsi que la phase entre ces grandeurs. Le principe repose sur l'utilisation de modulateurs quadratiques tel que prsent Figure 2.127.
DPI+I
0
DPI+
90
DPI+Q
DPII
0
DPI
90
DPIQ
Figure 2.127 Banc d'injection DPI pour entres direntielles

L'exploitation de ces rsultats permet alors la production d'un modle comportemental, bas sur le PDN du composant (avec les mmes techniques d'extraction que prsentes prcdemment), et sur le bloc IB reproduisant le comportement de l'quation 2.33. Les prdictions obtenues sont alors grandement amliores (avec prise en compte des coecients FGH), mais un besoin important d'optimiser le banc de caractrisation pour extraire plus prcisment les grandeurs ncessaires la modlisation a t identi (au del de 100 MHz).
simulation (FGH) 15 10 5 simulation (FG) measurement
Failure power (dBm)
0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 1,00E+06
1,00E+07 Frequency (Hz)
1,00E+08
1,00E+09
Figure 2.128 Prdiction de l'immunit sur LM2902 - 100 pF entre + et 7 dcembre 2010
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7 dcembre 2010
Chapitre 3
Travaux au niveau du PCB
Le PCB est un lment cl de nos travaux, car il reprsente la fois un lment fondamental ncessaire la caractrisation des circuits intgrs (Chapitre prcdent), et correspond galement au coeur de mtier d'un quipementier automobile. Dans les deux cas il est ncessaire de savoir le modliser, mais avec, nous le verrons, des techniques direntes, en fonction des objectifs d'utilisation. Dans une premire partie, nous ferons la transition entre le monde du composant (trait dans le Chapitre 2) et le monde de l'quipement incarn par le circuit imprim, en prsentant les travaux de dveloppement d'une carte de test gnrique ddie la caractrisation des CI. Dans un deuxime temps, nous dcrirons les principales caractristiques des PCB FR4 pouvant inuencer les techniques de modlisation que nous pourrons alors dtailler. Enn, la frontire entre le PCB et le systme, nous aborderons en n de ce Chapitre les aspects d'impdance de mode commun. Lors de la mise en place d'une carte lectronique au-dessus d'un chssis, il va y avoir cration d'une impdance parasite entre le PCB et le chssis. Cette impdance de mode commun joue un rle fondamental sur la manire dont les perturbations seront vhicules du produit vers le systme ou inversement. Nous discuterons alors de mthodes proposes pour le dimensionnement prdictif de cet lment.
Dans les sciences, le chemin est plus important que le but. Les sciences n'ont pas de n. - Erwin Charga
127
3.1. Dveloppement d'un PCB de test gnrique des CI
128
3.1 Dveloppement d'un PCB de test gnrique des CI

L'utilisation d'un PCB pour mettre en oeuvre et tester un composant est ncessaire (pour les caractrisations DPI, extractions I/V ou autres types de caractrisations tel que les mesures des missions conduites...). La dicult est que si pour chaque composant, un PCB spcique doit tre produit, puis modlis, cela deviendrait une contrainte lourde en terme de cot, dlai (pour produire et faire fabriquer les cartes), et galement un risque de non qualit (risque d'erreur accru dans le processus manuel de modlisation). An de contourner ces points, nous avons tent de raliser une carte relativement gnrique et modulable, permettant d'adresser les composants de botier SO jusqu' 14 broches, voir d'autres botiers avec un peu de gymnastique... Ce type de botier reprsentant une grande majorit des composants usuels rencontrs sur nos applications, ce choix parat judicieux pour valider d'une part nos techniques de modlisation, et limiter les dveloppements ponctuels ncessaires la caractrisation d'autres composants. L'intrt vident de cette dmarche est qu'une fois le travail de modlisation du PCB ralis, les modles restent valables et rutilisables pour tous les futurs composants.
3.1.1 Schma gnrique appliqu sur chaque broche du composant

Sur chacune des broches du composant, le schma de la Figure 3.1 est appliqu.
Figure 3.1 Schma appliqu sur chaque broche du composant

Le principe de ce schma est de pouvoir s'adapter aux direntes congurations fonctionnelles des composants tester, ainsi que de permettre la ralisation des direntes mesures que nous pourrions vouloir faire. Nous envisageons donc d'utiliser un seul PCB pour les mesures des paramtres S, pour les tests DPI, et pour caractriser le composant en impulsion TLP. D'autres possibilits sont galement oertes par ce PCB, telle que la possibilit de faire des mesures 1 Ohm ou 150 Ohms (missions) [IEC 06a], mais cela dpasse le cadre de cette thse. Par rapport aux principaux objectifs prciss pour ce PCB,
7 dcembre 2010

nous pouvons dtailler ses principales caractristiques par bloc.
129
3.1.1.1
Chemin d'injection pour la DPI.
Sur la Figure 3.1, il est constitu par le connecteur RF1, C5 et la piste reliant ces instances. Les connecteurs utiliss pour les injections sont des connecteurs de type MMCX , slectionns pour leur faible encombrement, et leurs caractristiques large bande (jusqu' 6 GHz). Une piste qui sera conue pour tre adapte 50
connecte le condensateur de
couplage au connecteur puis la broche du composant, mais contrairement ce qui est recommand dans la norme [IEC 06b], la valeur que nous utiliserons ne sera pas 6.8 nF, mais une association de deux condensateurs en parallle, de 470 nF et de 1 nF. Ce choix a t motiv par un besoin d'avoir une impdance relativement faible sur le chemin d'injection et pour une gamme de frquence de 1 MHz 3 GHz. Pour la DPI ce besoin n'est pas cependant essentiel, et aura t principalement motiv par les besoins pour les mesures de paramtres S, o une impdance trop forte pour cette interface, ne permettrait pas de mesurer correctement les paramtres
[S].
L'impdance prsente par cette structure est
estime en s'appuyant sur les modles des composants lmentaires extraits Chapitre 2. La mutuelle inductance est value exprimentalement par une mesure avec les composants seuls, directement placs en extrmit d'un connecteur SMA. le modle nalement tabli est donn Figure 3.2. L'valuation de cette mutuelle inductance peut galement s'appuyer sur l'abaque tablie et prsente en Annexe C.
K K12 K_Linear COUPLING = 0.7

L2 = L1 L1 = L2 1n 2 0.8e-9 L1 L2 1 470e-9 0.8e-9 2 0.025 1 0.05
Figure 3.2 Schma quivalent des deux condensateurs d'injection

L'impdance de la structure des deux condensateurs seuls (sans piste d'interface) est nalement donne Figure 3.3, et compare l'impdance de la 6.8 nF de rfrence pour ce test.
1. Micro-Miniature CoaXial
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130
1 .10
100 Impdances en Ohms
10
0.1
0.01 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
470 nF // 1 nF 6.8 nF
Figure 3.3 Impdance des structures d'injection

On peut voir que cette association (et le choix de la valeur de 470 nF) a surtout un impact bnque en basses frquences. L'impdance est globalement infrieure 20 Ohms (infrieur 10 Ohms jusqu' 1 GHz). On peut considrer que cette structure est valide et sera retenue pour une mise en oeuvre systmatique. A noter cependant que certains CI n'accepteront pas d'avoir des valeurs de capacits aussi fortes sur leurs accs, sans impacter directement le fonctionnel du composant. Ce sera en particulier le cas des bus de communication, type LIN
ou CAN , ou des capteurs capacitifs, pour lesquels de telles
valeurs rendront tout simplement le composant non fonctionnel. Dans ce cas, les valeurs devront tre ajustes au cas par cas pour permettre les mesures des paramtres S et la caractrisation DPI, tout en maintenant le fonctionnel du composant.
3.1.1.2
Bias Tee.
Le Bias Tee (T de couplage en Franais) est un rseau 3 ports, qui permet de polariser un composant sans perturber le comportement HF vu par ce composant. Il consiste ainsi superposer une composante DC un signal RF (qui peut soit venir du port RF only, ou du composant (RF+DC)). Ce principe est illustr Figure 3.5.
Figure 3.4 Schma de principe d'un Bias Tee

2. LIN : Local Interconnect Network 3. Controller Area Network
7 dcembre 2010
131
Le rle du Bias Tee est multiple pour notre carte de test. Il correspond tout d'abord ce que l'on appelle le rseau de dcouplage dans la conguration du test DPI (que nous avons dcrit dans le Chapitre 2 et en particulier Figure 2.89). Son objectif est alors de ramener une impdance entre le point d'injection et le rseau (alimentation / fonctionnel), qui favorise la transmission des perturbations vers le composant tester et non pas vers les charges du composant. Il permet alors galement d'assurer un ltrage et une protection de ces charges. La norme [IEC 06b] recommande une valeur de 400
minimum, mais cette
valeur ne nous semble pas tre un objectif pertinent. Cette impdance devrait tre dnie en lien avec l'impdance d'entre du composant. Cela nous semble d'autant plus sujet discussion que sur une large gamme de frquence (de 1 MHz 3 GHz), cet objectif est galement trs dicile atteindre. L'autre objectif de ce Bias Tee est de permettre de prsenter une impdance plus leve que l'impdance du composant, an de ne pas intervenir lors de la mesure des paramtres S. Classiquement, il est recommand d'utiliser des rsistances de fortes valeurs, mais cela n'est pas toujours compatible avec le fonctionnel. Ds que le courant consomm devient trop important, la chute de tension amene par la rsistance peut devenir inacceptable pour le fonctionnel. La seule option est alors d'utiliser de l'inductance, qui permettra de ne pas impacter les comportements basses frquences (proche du DC). La dicult que nous avons alors rencontr est de pouvoir obtenir une haute impdance large bande. Pour arriver un tel objectif, cela ne peut se faire qu'en ralisant une association en srie de plusieurs inductances. L encore le dimensionnement est dlicat, car deux inductances en srie, peuvent engendrer des rsonances parasites LC srie (o C est la capacit parasite d'une des deux inductances), ramenant ainsi une basse impdance sur notre rseau. Aucune technique la fois simple et rigoureuse n'ayant t trouve pour dimensionner un tel rseau, nous nous sommes bass sur une approche empirique et itrative. L'utilisation de mesures exprimentales et de simulations nous auront alors permis de dimensionner le rseau de la Figure 3.5 (correspondant aux composants R20 - L23 - L4 - L19 - L15 - FL4 de la Figure 3.1). Partant du constat gnral que les impdances d'entres des CI ont tendance tre leves en basses frquences mais faibles au-del de quelques dizaines de MHz du fait des capacits parasites d'entre (li au botier notamment), ce dimensionnement nous a sembl satisfaisant pour la plupart de nos applications, et surtout correspondre au meilleur compromis trouv.
BLM18HK102SN1
BLM18HK102SN1 100 H - MURATA
100 H - MURATA 47 H - WE
BLM18HD102SN1D
Figure 3.5 Schma dimensionn pour le Bias Tee

L'impdance ramene par un tel rseau peut tre value en modlisant les composants avec les techniques dcrites dans le Chapitre 2, et en intgrant les lments parasites
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132
des pistes. La confrontation simulation / mesure ainsi obtenue est donne Figure 3.6. On peut observer en hautes frquences que globalement c'est le circuit imprim qui va xer l'impdance (faible), et en particulier la piste de moins de 1 mm de longueur place entre la broche d'entre du CI et le premier lment le plus proche constituant le Bias Tee.
1 .10
6
1 .10
Impdance (Ohms)
1 .10
1 .10
100
10 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Modle Mesure Capacit parasite PCB seul
Figure 3.6 Impdance ramen par le Bias Tee de la Figure

Sur le schma de la Figure 3.1, R11, R12 et le connecteur nomm DC1 servent polariser le composant, ou sortir un signal vers l'extrieur de la carte an d'tre surveill durant les essais DPI.
3.1.1.3
Conguration en TLP
Une autre fonctionnalit de cette carte est de pouvoir mettre en oeuvre des caractrisations au TLP. Nous voquons ici cette fonctionnalit, qui bien que n'tant pas au coeur de nos travaux, aura t mise en oeuvre pour extraire certaines donnes utilises dans la partie sur la modlisation de l'immunit des CI notamment. Le gnrateur TLP consiste en une ligne de transmission charge par une alimentation haute tension, et qui lors de la fermeture d'un relais en sortie de la ligne, gnre une impulsion de courte dure (deux fois le temps de propagation de la ligne choisie). Le dtail du principe de ce gnrateur ainsi que sa modlisation ne sont prsents en Annexe B. La sortie du gnrateur TLP peut alors tre connecte sur le connecteur SMA TPL1 du schma de la Figure 3.1. Le premier objectif de ce test est d'extraire des caractristiques I/V au niveau d'un composant. Pour dirents niveaux programms, on mesure durant l'impulsion de courte dure, la tension et le courant au niveau du composant sous test. Grce au fait que les impulsions soient de courtes dures, l'chauement induit est en g-
7 dcembre 2010
133
nral faible et permet d'explorer des comportements jusqu' plusieurs dizaines d'Ampres, sans dtruire le composant. An de mesurer le courant, une sonde peut tre place entre les plots TM4 et TM8. Un attnuateur srie constitu par les rsistances en T (R28 - R32 - R36), peut galement tre implant ou non, an de rduire les rexions multiples de l'impulsions gnre. An de mesurer la tension, on rutilise la partie du schma destine l'injection DPI. La capacit C5 est remplace par une rsistance ( de 1 k par exemple), grce au fait que les empreintes soient identiques. Avec les rsistances R4 et R16, on peut ainsi constituer un pont diviseur dont le niveau de sortie pourra tre mesur grce un oscilloscope connect sur RF1. Le dtail de l'utilisation de notre PCB pour les mesures au banc TLP est prsent en Annexe B.
3.1.1.4
Kit de calibrage
An de limiter le travail de modlisation, nous avons fait en sorte que toutes les pistes d'interface entre les broches du composant et les connecteurs RF_X, soient toutes rigoureusement de la mme longueur sur le routage. Les condensateurs placs en srie sont galement tous placs de manire rigoureusement identique sur toutes les pistes. Pour les mesures des paramtres S, nous avons choisi l'option de raliser une mesure que nous appellerons directe , o les lments d'interface sont pris en compte directement dans le calibrage. Cela ne sera videmment possible que si sur toutes les broches, cette interface est rigoureusement identique. An de permettre les mesures directes de paramtres S, la dnition d'un kit de calibrage [Agilent 06] aura t ncessaire pour tre renseigne dans l'analyseur de rseau. Ce kit est constitu des motifs CO, CC, 50 Ohms et Thru, qui ne sont pas des lments parfaits, mais dont les imperfections sont connues et renseignes dans l'analyseur de rseau. Pour chacune des congurations de charge, la structure dnir correspond la Figure 3.7.
Figure 3.7 Structure des lments renseigner dans un kit de calibrage

On considre que chaque terminaison correspond une impdance parasite, ramene
4. En opposition une mthode indirecte o des oprations de de-embedding auraient t ncessaires pour l'extraction de la matrice [S] propre au composant que l'on souhaite caractriser.
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134
par une ligne de transmission caractrise par son impdance et par ses pertes. Dans le cas qui nous intresse, le plan de rfrence se situe directement l'emplacement des lments parasites de terminaison. Cela simpliera donc le nombre d'lments renseigner pour le kit de calibrage. Les condensateurs srie sont galement intgrs dans les facteurs de correction correspondant aux interfaces avant le plan de rfrence. Les seuls lments que nous devons extraire et renseigner sont donc les lments d'extrmit.
Pour la rsistance.
(le 50
L'objectif est de concevoir une charge d'extrmit proche de 50
pur n'est pas une condition absolue pour la dnition du kit), base sur l'utilisation
de composants CMS. La contrainte majeure est que cette charge doit avoir une impdance constante sur la gamme de frquence sur laquelle nous voulons utiliser notre kit, soit jusqu' 3 GHz. Plusieurs combinaisons de composants CMS ont alors t tudies, an d'identier celle ramenant le moins d'lments parasites. Les modles des composants correspondent ceux extraits dans le Chapitre 2. Les impdances ramenes par les solutions suivantes ont t tudies : 1 rsistance de 50
2 rsistances en parallle de 100 2 rsistances en srie de 24.9

data :=
En prenant en compte les capacits parasites ramenes par le PCB, en complment des E:\..\ZdeF.txt lments parasites des composants, on abouti au comparatif de la Figure 3.8.
60
55 Impdance (Ohms)
50
45
40 6 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10
2 Rsistances 25 Ohms srie 1 Rsistance 50 Ohms 2 Rsistances 100 Ohms parallles
Figure 3.8 Comparatif des impdances des direntes structures permettant de former
50
Ces rsultats nous orientent naturellement vers une structure avec une seule rsistance
de 50
Il faut cependant faire attention minimiser la capacit parasite ramene par le
PCB. Le routage a t ralis en prenant en compte cet objectif (dgagement de masse dans la zone tel que prsent Figure 3.9).
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Zone de dgagement autour de la rsistance
135
Condensateur srie
Plan de rfrence
Figure 3.9 Gomtrie du motif 50 Ohms

Nous voyons ici qu'il est trs dicile de respecter la contrainte d'avoir une impdance xe sur toute la gamme de frquence. Le choix fait ici ne prtend pas tre une solution totalement valide, mais devrait permettre de limiter les erreurs faites avec cette technique. Pour la dnition dans l'analyseur de rseau, il ne faut pas oublier que les composants CMS utiliss sont donns avec des tolrances de 10 % gnralement. Il convient donc de renseigner dans le kit de calibrage la valeur exacte de cette rsistance qui peut tre mesure en continue avec une technique de mesure 4 points par exemple.
Pour les motifs CO et CC.
Habituellement les motifs CO et CC sont dnis comme
tant une ligne de transmission charge respectivement par une capacit ou par une inductance parasite. Ces lments parasites d'extrmit peuvent alors tre dnis comme dpendants de la frquence, suivant les expressions usuelles 3.1 et 3.2.
L = L0 + L1 .f + L2 .f 2 + L3 .f 3 C = C0 + C1 .f + C2 .f 2 + C3 .f 3
(3.1)
(3.2)
Dans le cas prsent, l'valuation de ces lments est dlicate, compte-tenu des caractristiques du PCB que nous dcrirons plus loin dans ce chapitre (et en particulier de la dpendance frquentielle de la permittivit). Souhaitant calibrer directement dans le plan correspondant l'extrmit de la piste, nous estimons en premire approche que jusqu' quelques GHz ces lments sont de toutes faons ngligeables. Ceci peut tre vri en mesurant aprs calibrage, les inductances et capacits rsiduelles mesures. Bien que cette mthode donne une vision globale, elle reste un indicateur intressant permettant de jauger notre technique de calibrage et la qualit de localisation de notre plan de phase. On obtient Figure 3.10 des valeurs d'inductance et de capacit relativement faibles (au-del des basses frquences o l'on identie aisment une limitation de mesure lie au bruit de fond). Ces valeurs sont bien en-dessous des valeurs typiques que l'on cherche extraire (de l'ordre du nH ou du pF). Ce rsultat semble tre satisfaisant.
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1 .10
8
136
1 .10
11
1 .10 Inductance (H)
1 .10 Capacit (F)
12
1 .10
10
1 .10
13
1 .10
11
1 .10
14
1 .10
12
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
15
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 3.10 Inductance et capacit rsiduelles aprs calibrage
3.1.2 Ralisation de la carte

3.1.2.1 Adaptation des pistes 50
.
les pistes utilises pour l'injection DPI et servant
Nous avons souhait adapter 50
d'interfaces avec le composant pour les mesures de paramtres S. Cela ne prsente que peu d'intrt pour la DPI, puisque dans tous les cas les rsultats sont post traits en utilisant les modles de ces pistes. Ds lors que l'on sait ainsi prendre en compte l'impdance relle de ces pistes, le fait qu'elles soient 50
ou non n'a pas d'incidence pour notre utilisation.
Par contre pour les mesures de paramtres S, il est prfrable de maintenir l'adaptation 50
entre le VNA et le composant mesurer, par soucis de prcision sur les mesures des
paramtres S. La dicult ici est que un PCB est un assemblage mcanique dont les caractristiques sont donnes avec certaines tolrances. En particuliers, les fournisseurs de PCB donnent des dimensions garanties 10 %, et ceci sera valable sur les isolements, largeur de piste et paisseur de dilectrique. La permittivit est galement variable, et n'ayant pas les proprits du FR4 spciquement utilis, on ne peut se baser que sur des tendances releves dans [IPC 96, Montrose 96] qui seront dtailles ultrieurement dans ce Chapitre (et notamment Figure 3.25). Par commodit pour le routage, nous avons choisi la structure de ligne coplanaire avec plan de masse. Avec cette structure, l'adaptation 50
peut tre obtenue pour direntes
gomtries. Nous avons tent d'orienter notre choix en estimant le meilleur compromis entre encombrement et dispersions sur cette valeur du fait des tolrances sur la gomtrie et la permittivit. Les formulations analytiques permettant l'valuation de l'impdance peuvent tre obtenues dans [Simons 01, Wadell 91].
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137
Figure 3.11 gomtrie de la ligne coplanaire avec plan de masse [Simons 01]
La permittivit eective est donne par :
1 + r . ef f =
K(k ) K(k1 ) K(k) K(k1 )
K(k ) K(k1 ) 1+ K(k) K(k1 ) 1 k 2 , k1 =

2 1 k1 ,
(3.3)
Avec
.a tanh a 2.h k = , k1 = .b b tanh 2.h
k =
et K(k) correspondant l'intgrale elliptique complte du premier ordre donn par :
1 K(k) =
0
dx (1 x2 ) (1 k 2 .x2 )
(3.4)
L'impdance caractristique est nalement donne par :
60. 1 Zc = . K(k1 ) ef f K(k) + K(k ) K(k1 )
(3.5)
En utilisant les gomtries des empilements correspondant une carte FR4, 4 couches standard (Figure 3.12), on peut calculer les impdances caractristiques, encombrements PCB (largeur de la piste + 2 fois l'isolement), et tolrances sur la valeur obtenue avec direntes largeurs de piste.
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6 couches 4 couches
17.5 / 35 m 10% 17.5 / 35 m 10%
138
240 m 10 %
35 m 10%
360 m 10 %
35 m 10%
290 m 10 %
35 m 10%
640 m 10 %
35 m 10%
360 m 10 %
17.5 / 35 m 10%
100 200 45 240 m 10 % 340 200 m 10% 26 35 310 510 17.5 290 m 15.3 data := 400 700 10 % 35 1000 500 m 10%12.89 550 125010 % 240 m 12.5 600 1600 12.2 17.5 / 35 m 10%
2000
Figure 3.12 Gomtrie et tolrances typiques des PCB FR4 en 4 ou 6 couches

encombrement en m (Largeur + 2.iso) Incertitude en Ohms (Sur 50 Ohms) 200 300 400 Largeur Piste ( m) 500 600 1500
Sur la Figure 3.13, on peut voir apparatre le lien vident entre l'encombrement et la tolrance sur la valeur de l'impdance. Plus la piste sera large, moins on sera sensible aux
1000
lments dispersifs, et plus l'impdance pourra avoir une valeur garantie. A l'inverse, une 100 200 45 piste trs ne 340 26 engendrer des incertitudes de l'ordre de 100 % sur la valeur de l'imp 200 peut 500 310 510 17.5 dance. Pour notre carte de test, nous avons estim qu'une largeur de piste de 500 m avec 400 700 15.3 data := un isolement de 250 500 1000 12.89 m tait le meilleur compromis, permettant de limiter l'encombrement 0 550 1250 12.5 100 200 300 400 500 600 600 1600 12.2 tout en garantissant la valeur de l'impdance dans une tolrance Largeur Piste ( m) acceptable.
2000 50
encombrement en m (Largeur + 2.iso)
1500
40
1000
30
500
20
0 100
10 100
200
300 400 Largeur Piste ( m)
500
600
Figure 3.13 Encombrement Vs tolrance sur l'impdance de pistes coplanaires

50 Incertitude en Ohms (Sur 50 Ohms)
3.1.2.2
40
Ralisation physique
La Figure 3.14 permet de mettre en vidence les nesses de la ralisation physique. Sur 30
la face Top sont disposes les pistes relies aux connecteurs RF (pour l'injection DPI et les
20 mesures des paramtres S). Toutes ces pistes sont exactement de la mme longueur et les
composants y sont placs de manire totalement symtrique. Sur la couche Bottom nous
10 n'avons plac 200 que les composants et les pistes ddis la polarisation ou l'extraction de 100 300 400 500 600
signaux fonctionnels. Les premiers lments des bias tee sont placs proches du circuit, et le routage des pistes au-del est donc de moindre criticit.
Largeur Piste ( m)
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139
(a) Face TOP
(b) Face BOTTOM
Figure 3.14 Routage de la carte de test composant gnrique

En-dessous de cette carte principale, le kit de calibrage est galement disponible, avec ou sans bias tee.
Figure 3.15 Ralisation physique du kit de calibrage

Des exemples de ralisations sont donns Figure 3.16 et permettent de mettre en vidence le caractre modulable de cette carte.
(a) Pour la caractrisation du LIN ATA6662
(b) Pour la caractrisation du transistor BC847
Figure 3.16 Cas de mise en oeuvre du PCB de test gnrique

7 dcembre 2010
3.2. Modlisation des pistes sur PCB
140
Bien que ces techniques de gnralisation et d'interfaage soient intressantes, il semble qu'il soit dicile de rellement pouvoir tendre cette approche tout type de composant et botier, et en particulier aux micro contrleurs avec des pitchs ns, qui ne permettront pas de sortie en frontal de toutes les pistes du mme ct. La gnralisation d'autres packages communs reste cependant envisageable et intressante tudier.
3.2 Modlisation des pistes sur PCB

3.2.1 Comportement des paramtres RLCG du PCB FR4 pour la modlisation
La technique envisage pour la modlisation des pistes sur PCB est d'exploiter les structures et modles de lignes de transmission. Les caractristiques des lignes sont directement lies aux paramtres RLCG et leurs comportements (volution frquentielle, dpendance thermique...). Avant d'envisager les aspects extraction des paramtres et prise en compte dans la modlisation, nous voulons mettre en avant les principaux phnomnes apparaissant sur ces paramtres dans le cas des PCB FR4.
3.2.1.1
Rsistance R
Le comportement frquentiel de la rsistance est relativement connu, et correspond une valeur constante en basses frquences jusqu' l'apparition de l'eet de peau. Au-del, la rsistance augmente en et l'volution en
f.
La frquence de transition entre le comportement constant
est donne par :
fskin =
Avec
4. .0 .t2
(3.6)
fskin
:
Frquence d'apparition de l'eet de peau (Hz) Rsistivit (
.m
) - Voir tableau 3.1
0 :
t :
Permabilit magntique de l'air = Epaisseur de la piste (m)
4..107
H/m
Cette quation est valable pour des structures PCB o l'paisseur des pistes, note t, est bien plus petite que la largeur. Cette frquence correspond au moment partir duquel l'paisseur de peau est du mme ordre de grandeur que l'paisseur du conducteur. On rappelle que l'paisseur de peau
est donne par la relation :
1 ...f
(3.7)
Si on nglige alors la rsistance du retour par le plan de masse, la rsistance en hautes frquences peut alors s'crire :
7 dcembre 2010
141
RHF = RDC .
f fskin
(3.8)
La rsistance totale peut alors tre crite comme tant grossirement la somme de cette rsistance HF avec la rsistance continue. Cette formulation donne des carts dans la zone de transition, mais qui seront ngligeables pour nos premires investigations. Pour des pistes typiquement utilises sur PCB, l'paisseur est de l'ordre de 35 40 m. Les largeurs des pistes sont dimensionnes par le concepteur lectronique et/ou CEM suivant les contraintes. Dans la plupart des cas, ces dimensions restent faibles (hors cas particuliers des applications de puissance), et comprises entre 300 et 600 m. Dans le cas des pistes ralises sur le PCB de test gnrique, que nous venons de prsenter dans ce Chapitre, des pistes 50
ont t construites avec des largeurs de 500 m. L'volution de
la rsistance peut tre estime partir des relations prcdentes.
RDC =
Avec
.l S
(3.9)
RDC
S : l :
Rsistance continue ( ) Surface du conducteur (m ) Longueur (m)
Les pistes PCB sont gnralement en Cuivre dont la rsistivit est donne dans le tableau 3.1. La rsistance en continue est donc de l'ordre de 0.9 est donne Figure 3.17.
/m, et l'volution avec la frquence
100
10 R(Ohm/m) 1 0.1 10 100 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
Figure 3.17 volution de la rsistance avec la frquence

Les conditions environnementales peuvent elles aussi impacter les caractristiques lectriques des pistes sur un PCB. On note par exemple l'inuence de la temprature sur la
7 dcembre 2010
142
rsistance et l'eet de peau d'une piste [Thierauf 04]. Bien que les eets thermiques ne soient pas considrs au premier plan dans nos travaux, cela reste un paramtre pouvant tre fondamental pour certaines applications (de puissance notamment), et que nous r exploiterons quelque peu dans les cas d'application de notre dernier Chapitre. Il conviendra donc de reprendre ces aspects le cas chant.
Table 3.1 Dpendance de la rsistance avec la temprature

Mtal Argent Cuivre Or Aluminium Laiton tain
(.m) - 25C 8 1.59 - 1.62 10 1.76 108 2.40 108 2.83 108 8 7 - 8 10 11.5 108
(.m)1 - 25C 7 6.17 - 6.29 10 5.68 107 4.17 107 3.57 107 1.43 107 8.70 107
Coecient thermique 0.0038 0.0043 0.0034 0.0039 - 0.0043 0.001 - 0.002 0.0042
1.4
1.3 Coefficient multiplicateur pour R
1.2
1.1
0.9
0.8
10
20
30
60
70
80
Figure 3.18 Dpendance de la rsistance avec la temprature

3.2.1.2 Inductance L
L'inductance est la somme des inductances interne et externe un conducteur. La portion du champ magntique interne au conducteur contribue la cration de l'inductance interne, alors que la portion externe contribue l'inductance externe. Gnralement l'eet de l'inductance interne est nglig, car trs petite devant les ordres de grandeur de l'inductance externe. Les dveloppements analytiques sur ce sujet restent trs limits et en gnral ne sont obtenus que pour le cas "simple" d'un conducteur cylindrique (cas du l). Compte tenu du fait que l'eet de peau correspond une non pntration des champs magntiques l'intrieur du conducteur, on peut considrer que l'inductance interne est un paramtre variable avec la frquence et qui aura tendance s'annuler en hautes frquences. L'inductance interne peut donc tre simplement exprime comme la dirence
7 dcembre 2010
143
de la valeur de l'inductance totale en basses et hautes frquences. Dans la pratique, les dveloppements analytiques ne sont en gnral valables que pour un conducteur isol. En particulier ci-dessous, l'expression de l'inductance interne d'un l rond n'est valable que dans le cas o le conducteur est isol :
Li,DC =
0 H/m 8.
(3.10)
Cette valeur n'est pas dpendante du diamtre du l et est donc une constante gale 50 nH/m. Puisque cette valeur va diminuer en fonction de l'paisseur de peau, ds que le rayon du l devient bien suprieur l'paisseur de peau, l'inductance interne est donne par la relation suivante :
Li,HF =
avec l'paisseur de peau donn par :
2. .Li,DC rW
(3.11)
=
Soit au nal en considrant particulire (air)),
1 ...f
(3.12)
r = 1
(le milieu n'ayant pas de proprit magntique
Li,HF =
Avec
1 . 4..rW
0 H/m ..f
(3.13)
rW
Rayon du conducteur (m)
100
Inductance interne (nH/m)
10
0.1 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Figure 3.19 volution de l'inductance interne avec la frquence

Pour des structures direntes, comme des pistes rectangulaires, peu d'expressions analytiques peuvent tre trouves dans la littrature. Des outils spciques devront alors tre utiliss pour valuer l'inductance interne, et notamment [FastHenry 08]. Dans le cas d'un
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144
l carr de 2 mm x 2 mm, on peut conrmer avec [FastHenry 08] les ordres de grandeur valus analytiquement pour le cas du l rond, et ainsi retrouver la valeur de 50 nH/m attendue.
1350 1340 R1 - Resistance (Ohms/m)

3 4 5 6 7 8 9 10
10
L1 - Inductance (nH/m)
1330 1320 1310 1300 1290 1280 100
0.1
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
Figure 3.20 Inductance interne et rsistance extraites par FastHenry - Cas l carr 2x2
mm En rajoutant un plan de masse 5 cm sous le l, on observe une volution intressante de l'inductance avec la frquence, qui ne correspond plus la simple variation due l'inductance interne obtenue prcdemment :
900
10
880 R1 - Resistance (Ohms/m)

3 4 5 6 7 8 9 10
L1 - Inductance (nH/m)
860
0.1
840
0.01 820
800 1 10 100 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
100
1 .10
1 .10
1 .10 1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
Figure 3.21 Inductance interne et rsistance extraites par FastHenry - Cas l carr 2x2
mm 50 mm au dessus d'un plan de masse Entre la basse frquence et la haute frquence il y a une variation de la valeur de l'inductance de l'ordre de 65 nH/m. Lie la proximit d'un plan de masse, la distribution des lignes de courant en surface du conducteur va tre modie, en ayant tendance engendrer une diminution de la surface de boucle cre par la circulation du courant (eet de proximit et chemin de moindre nergie). Nous pouvons ici mettre le postulat que cette variation d'inductance correspond galement l'inductance interne, mme si les phnomnes mis en jeu sont quelque peu dirents.
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145
Pour revenir maintenant au cas des circuits imprims, tudions le cas d'une piste coplanaire sur PCB, correspondant la structure de piste implmente sur le PCB de caractrisation des composants et dont on rappelle les caractristiques ci-dessous : paisseur de piste de 40 m Largeur piste = 500 m Dans le cas o la piste est sans plan de masse, les simulations avec [FastHenry 08], ou les approches analytiques [Choudhury 03], donnent la valeur de 35 nH/m. Le rsultat obtenu avec la prise en compte du plan de masse montre galement que l'inductance interne est beaucoup plus importante que celle estime sans plan de masse. On rappelle ci-dessous les proprits du plan de masse de notre PCB. Isolement = 250 m Hauteur au plan de masse = 360 m
1400
1 .10
12
1200 1 .10 Rsistance (Ohm/m) Inductance (nH/m) 1000

11
800
1 .10
10
600
1 .10 400
200 10 100 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
1 .10
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
6 1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
Piste sans plan de masse Piste avec plan de masse (CPW)
Piste sans plan de masse Piste avec plan de masse (CPW)
(a) Inductance
masse
(b) Rsistance
Figure 3.22 Inductance interne et rsistance d'une piste PCB - Avec ou sans plan de
Dans le cas de notre piste coplanaire avec plan de masse, la variation de l'inductance est de 433 nH/m, ce qui reprsente une variation de l'ordre de 100 % ! Si on se focalise sur la gamme de frquences entre 100 kHz et 1 GHz, l'volution est plus faible mais reste non ngligeable et de l'ordre de 200 nH/m. L'volution de cette valeur est eectivement observe (Figure 3.23) en exprimentation sur cette mme structure, malgr les dicults de mesure (dynamique de mesure et bruit de fond en basses frquences en particulier). On voit ici que l'volution de l'inductance sera donc dicile prdire puisque beaucoup de paramtres vont inuencer son comportement frquentiel et que l'utilisation d'outils de simulation, (tel que [FastHenry 08] par exemple) seront a priori indispensables pour estimer la dpendance frquentielle de ce paramtre.
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146
1 .10
L (H/m)
1 .10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
mesure Estim
Figure 3.23 Comparaison simulation / Mesure de l'volution de l'inductance

3.2.1.3 Capacit C
Un des lments qui va impacter directement les valeurs des capacits, est le dilectrique qui va tre utilis, et pour lequel plusieurs choses doivent tre notes en ce qui concerne le FR4. Les circuits imprims utiliss pour les applications automobiles sont essentiellement bass sur du FR4, dont les caractristiques lectriques doivent tre connues an de nous aider dans notre travail de modlisation. Le terme gnrique standard FR4 fait en ralit plus rfrence un niveau spcique de retard d'inammabilit qu' une composition chimique. Les fabricants de PCB FR4 utilisent en pratique dirents procds (laminate systems) an d'atteindre cette caractristique d'inammabilit, mais ces direntes compositions peuvent conduire des proprits lectriques et mcaniques direntes. Les rsines utilises et les conditions d'utilisation (pourcentage, densit, ajout de bres. . . ) vont donc impacter les valeurs de permittivit dans une certaine mesure. Nom courant N7000-1 P97 N8000 N5000 G200 N4000-6 Tg (C) 260 260 250 185 185 180
r /
loss tan 1 MHz 4.3 / 0.013 4.4 / 0.014 3.8 / 0.008 4.1 / 0.013 4.1 / 0.013 4.4 / 0.023
r /
loss tan 1 MHz 3.7 / 0.007 4.2 / 0.014 3.5 / 0.006 3.8 / 0.010 30.9 / 0.009 3.9 / 0.012
FR404
150
4.6 / 0.025
4.25 / 0.014
Table
3.2 permittivit pour dirents matriaux utiliss dans la conception de PCB
[Thierauf 04]
L'utilisation des bres en particulier, ayant gnralement une permittivit suprieure
7 dcembre 2010
147
la permittivit de l'epoxy, va impacter la permittivit globale. Des donnes sur le sujet donnant les relations entre le pourcentage de rsine et l'volution de la permittivit sont donnes dans [Thierauf 04]. Il faut galement noter que ces variations dans la conception du FR4 vont galement impacter l'angle de perte (et donc la conductance).
6
5.5
Permittivit
4.5
40
45
50
55 60 65 Pourcentage de rsine (%)
70
75
80
Figure 3.24 Relation entre proportion de rsine et permittivit - FR4

La permittivit du FR4 est galement un paramtre qui varie avec la frquence. Cela est visible dans le tableau 3.2 page prcdente, o la permittivit passe de 4.6 4.25 entre 1 MHz et 1 GHz. Des donnes pratiques prenant en compte galement les observations sur les constitutions du FR4 permettent de borner ce comportement [IPC 96]. Une quation usuellement utilise pour reproduire ce comportement est donne ci-dessous :
r = 4.97 0.257. log
f 107
(3.14)
5.5
Permittivit
4.5
0.1
10 F(MHz)
100
1 .10
(a) dpendance frquentielle de la permittivit [IPC 96]
(b) Rponse de l'q. 3.14 pour reproduire l'volution frquentielle de la permittivit du FR4
Figure 3.25 volution de la permittivit du FR4 avec la frquence

Connaissant l'inductance, la capacit peut tre obtenue en considrant la relation sui-
7 dcembre 2010

vante :
148
L.C = .
(3.15)
Dans le cas d'une piste coplanaire avec plan de masse sur PCB, on peut considrer que
= 0 = 4..107 ,
et que la permittivit est :
= 0 .ef f
(3.16)
Les formulations analytiques permettant de calculer la permittivit eective d'une ligne coplanaire en fonction de sa gomtrie et de la permittivit sont connues et ont t donnes au 3.1.2.1. En intgrant la dpendance frquentielle de la permittivit (eq. 3.14), on peut en dduire la capacit en fonction de la frquence :
1 .10
9
C (F/m)
1 .10
10
1 .10
11
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
mesure Estim
Figure 3.26 volution de la capacit de la ligne CPW

Des carts sont observs mais le comportement gnral obtenu semble correct et reste intressant. Notons que la valeur relle de la permittivit n'est pas connue pour le PCB utilis, et que cette comparaison n'est eectue qu' titre d'information.
3.2.1.4
Conductance G
On rappelle que le dilectrique qui est utilis pour sparer les plaques d'un condensateur va avoir une certaine rsistivit,
qui permet la conduction d'un courant (modlis comme
un courant de fuite). Ce courant s'additionne au courant de dplacement qui circule dans la capacit. Naturellement un condensateur avec un dilectrique de haute qualit aura un faible courant de conduction. Une caractristique importante quantiant ce phnomne est le "Loss tangent" ou communment appel "angle de perte" en franais . L'angle de perte
5. A noter la dirence entre la rfrence mathmatique en franais ou en anglais. . .

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149
galement appel le facteur de dissipation correspond en fait au rapport entre le courant de conduction et le courant de dplacement :
Loss tangent = tan () =
IConduction IDplacement e
(3.17)
En crivant que le courant de dplacement est de la forme :
IDplacement = e
V = 2..f.C.V Xc
(3.18)
Et que le courant de conduction lui est plutt de la forme :
IConduction =
V + G.V R
(3.19)
On peut en dduire la relation entre l'angle de perte et la conductance. La conductance est relie la valeur de la capacit par cet angle de perte par la relation :
G = 2..f.Cp . tan ()
(3.20)
Le rsultat de l'quation prcdente ne s'applique que dans un milieu homogne, et ne peut pas tre appliqu tel que dans le cas de ligne microstrip par exemple. Cette formule permettra alors d'obtenir un ordre de grandeur mais pas avec un grand niveau de prcision. Dans la littrature [Thierauf 04], on trouve des valeurs typiques pour des PCB FR4 donnes dans le tableau 3.3.
Table 3.3 Permittivit / tan ()

Substrat FR4 Epoxy FR4 FR226 FR370 FR408 1 MHz 3.6 / 0.032 4.8 / 0.015 4.5 / 0.019 4.4 / 0.012 3.6 / 0.009 3.5 / 0.009 4.3 / 0.025 Tg 140C - Souvent utilis en tant que FR4 Tg 170C - Souvent utilis en tant que FR4 FR4 - Tg 180C 1 GHz Commentaire
Pour le FR4, on constate que des valeurs direntes sont donnes pour 1 MHz et 1 GHz. Pour une piste sur PCB ayant une capacit linique de l'ordre de 300 pF/m, on obtient pour ces deux frquences, les valeurs suivantes de conductance, en appliquant l'quation 3.20 : G 1 MHz = G 1 GHz =
2.8.106 S/m 4.7.106 S/m
Entre 1 MHz et 1 GHz, on voit que la conductance a volu dans un rapport d'environ 1600. On retrouve un rsultat souvent donn dans la littrature, qui est que la conductance est un paramtre qui varie linairement avec la frquence. On voit que dans le cas du FR4
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150
cette approximation est totalement satisfaisante. Pour nos analyses nous considrerons ces ordres de grandeur et le comportement frquentiel suivant :
G = A.f
O A aura une valeur comprise entre
(3.21)
1011
et
1012
en typique pour du PCB FR4.
La conductance peut gnralement tre nglige. Eectivement, pour du FR4, et partir de 1MHz,
C.
est environ 40 fois plus grand que G 1 MHz, et bien au-dessus
d'un facteur 100 en hautes frquences. L'inuence de la conductance peut en gnral tre nglige jusqu' des frquences allant au-del de la dizaine de GHz, soit bien au-del de notre bande de frquence de travail pour nos tudes. Une autre manire utilise pour reprsenter et caractriser cet eet est l'introduction dans la permittivit d'une partie imaginaire :
r = r j.r
(3.22)
La partie relle de ce terme est ce que l'on considre comme tant simplement la permittivit relative. L'angle de perte est galement reli cette partie imaginaire de la permittivit par :
tan () =
r r
(3.23)
Tout comme nous l'avons remarqu pour la rsistance, les pertes par conductance varient galement avec la temprature et l'humidit. Les situations pires cas rencontres voquent des baisses de plus de 40% du
tan ()
entre 25C et 80C. D'autres expriences
lies l'humidit, montrent que aprs 200 heures d'exposition dans une ambiance 90 % d'humidit relative on observe une augmentation des pertes jusqu' 35%, avec une variation de la permittivit de seulement 10%. Ceci est bien sr li des eets mcaniques sur les matriaux du PCB.
3.2.2 Techniques de modlisation des pistes sous Pspice

Des modles de lignes sont disponibles dans la bibliothque ANALOG de Pspice et notamment les modles de lignes avec ou sans pertes. Les possibilits oertes par ces modles restent cependant quelque peu limites vis--vis des considrations physiques que nous avons dcrit prcdemment. Suivant les cas d'application et les besoins en prcisions, il faudra donc se poser la question de la ncessit de pousser la modlisation vers une des autres techniques galement dveloppes ci-dessous.
7 dcembre 2010
3.2. Modlisation des pistes sur PCB 3.2.2.1 Modle de ligne sans pertes (T)
151
Le modle de ligne sans pertes est simplement caractris par son impdance caractristique
Z0
et par son time delay (TD). Ces paramtres sont constants en fonction de
la frquence, et comme son nom l'indique, ce modle n'intgre pas de pertes. Rappelons simplement que le TD est calcul partir de la longueur de la ligne (L) et de la vitesse de propagation dans le support (v).
Td =
L v
(3.24)
Ce modle ne sera bien sr pas susant pour une modlisation ne ncessitant la prise en compte des pertes, ou la dpendance frquentielle de certains lments, mais est
Ideal line
intressant en ce qui concerne sa structure interne. On retrouve ici le modle de Branin

General form
[Branin 67], avec les sources
T<name> <A port (+) node> <A port (-) node> + <B port (+) node> <B port (-) node> + [model name] couples traduisant les solutions de + Z0=<value> [TD=<value>] [F=<value> [NL=<value>]] + IC= <near voltage > <near current > <far voltage > <far current >
l'quation de propagation
d'une ligne sans Description(Voir Annexe A). and (-) nodes are 1 and 2, and port Bs (+) pertes As shown below, port As (+)
and (-) nodes are 3 and 4, respectively. I1 Z0
delayed I3
-I3 Z0
delayed I1
delayed V3-V4
delayed V1-V2
Figure 3.27
3.2.2.2
Comments
For the ideal line, IC sets the initial guess for the voltage or current across the ports. The <near voltage> value is the voltage across A(+) and A(-) Structure interne du across B(+) and B(-). The de Pspice and the <far voltage> is the voltage modle TLine <near current> is the current through A(+) and A(-) and the <far current> is the current through B(+) and B(-). For the ideal case, Z0 is the characteristic impedance. The transmission
(Branin)
lines avec pertes (Tlossy) Modle de ligne length can be specied either by TD, a delay in seconds, or by F and
Ce modle est bas sur l'exploitation des paramtres RLCG de la ligne et de sa lonNote: Both Z0 (Z-zero) and ZO (Z-O) are accepted by the simulator.
NL, a frequency and a relative wavelength at F. NL has a default value of 0.25 (F is the quarter-wave frequency). Although TD and F are both shown as optional, one of the two must be specied.
gueur. Spice tablit pour la simulation, partir de ces paramtres, un modle en lments distribus (et non pas un modle de Branin). Un des points intressant noter est la possibilit d'avoir une dpendance frquentielle des paramtres R et G (Mais pas sur L et C). Attention cependant au fait que dans les expressions de R et de G, la dpendance frquentielle se fait en utilisant l'oprateur Laplace (s
= j. ).
An d'avoir une rsistance qui soit
bien une partie relle, il faut donc extraire la partie imaginaire de l'quation, comme dans l'exemple ci-dessous pour la rsistance et la conductance :
LOSSY
1Aac
0 0 0 0
C = 180e-12 G = {1e-11*(IMG(s)/(2*3.14))} L = 456e-9 R = {0.9+0.9*sqrt((IMG(s)/(2*3.14))/6e5)} LEN = 1
Figure 3.28 Modle Tlossy de Pspice

Cette technique ne permet pas de prendre en compte les variations des paramtres L
7 dcembre 2010
152
et C avec la frquence mais suivant les applications et les besoins, cette technique pourra tre susante.
3.2.2.3
Modle dvelopp 1 - Branin
En rutilisant les expressions gnrales du domaine frquentiel rappeles en Annexe A, on peut sous Spice tablir le modle quivalent de la Figure 3.29, bas sur l'utilisation de sources contrles. On refait ici le modle de Branin [Branin 67] qui est implment dans le modle de ligne sans pertes de Pspice.
Figure 3.29 Modle thorique de Branin [Paul 94, Branin 67]

Les expressions des gnrateurs sont donnes ci-dessous :
V (0, s) Z (s).I(0, s) = exp((s)). [V (L, s) Z (s).I(L, s)] C C V (L, s) Z (s).I(L, s) = exp((s)). [V (0, s) Z (s).I(0, s)]
C C
(3.25)
E (s) = exp((s)). [2.V (L, s) E (s)] 0 L E (s) = exp((s)). [2.V (0, s) E (s)] 0 L
Avec
(3.26)
= .l = ( + j.) .l, l
tant la longueur de la ligne. L'implmentation de ces
expressions sous Pspice se fait de la manire suivante :
VOS
R1 50
EOS
ELS
R2 50
VLS
Bloc N3
Bloc N2
Bloc N1
VLS VOS
E E EFREQ
EFREQ
E
+ -
E
+ -
OUT+ IN+ OUT- INV(%IN+, %IN-)
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
IN+ OUT+ IN- OUT-
V(%IN+, %IN-)
GAIN = 2
ELS
EOS
Figure 3.30 Implmentation sous Pspice du modle de Branin

Le modle est parfaitement symtrique, on peut donc se limiter la description d'une partie. On peut dcrire la fonction de chacun des blocs rfrencs sur la Figure 3.30 : Le Bloc N 1 : Prlve la tension Le Bloc N2 : Ralise l'opration
V (L, s), et la multiplie 2.V (L, s) EL (s).
par un facteur 2.
7 dcembre 2010
153
Le Bloc N3 : Est constitu d'un gnrateur EFREQ, intgrant la table du module
exp ((s)). Ce dernier bloc ralise alors l'opration nale exp((s)). [2.V (L, s) EL (s)] et rinjecte la tension rsultante dans la partie ciret phase du coecient cuit. R1 et R2 sont les impdances caractristiques de la ligne. On peut se limiter une valeur constante et relle de l'impdance caractristique, condition d'utiliser la ligne pour des frquences suprieures au MHz environ, o la partie imaginaire commence devenir ngligeable. Dans le cas plus gnral, les variations de l'impdance caractristique peuvent tre prises en compte avec un modle intgrant les variations frquentielles de l'impdance (Figure 3.31).
+ -
H 1e-6
EFREQ
OUT+ IN+ OUT- IN-
0
V(%IN+, %IN-)
Figure 3.31 Modle comportemental Spice pour la modlisation de l'impdance

En remplacement des rsistances R1 et R2 du modle de la Figure 3.30 page prcdente, ces blocs vont permettent de faire varier l'impdance caractristique en fonction de la frquence, grce la table dnie dans le gnrateur EFREQ.
3.2.2.4
Modle dvelopp 2 - Wheeler
Une technique intermdiaire ( ?) pour la modlisation consiste reprsenter la ligne en utilisant des lments distribus, et d'y intgrer le modle dit de Wheeler permettant de faire varier la rsistance et l'inductance avec la frquence. Dans ses travaux Wheeler propose de reprsenter ces comportements en utilisant le modle de la Figure 3.32, dcrit dans [Yen 82, Sen ]. Le principe est de mettre en parallle plusieurs RL srie, en ayant un dimensionnement cohrent des valeurs de R et de L de chacune des branches de manire : Retrouver en DC la valeur de la rsistance continue. Avoir en basses frquences une inductance quivalente correspondant l'inductance interne. Avoir une volution de la rsistance en racine de la frquence (eet de peau).
7 dcembre 2010
154
R1.x^n
L1/x^n
Lext
1 2
R1.x^2 R1.x R1
L1/x^2 L1/x L1
Avec x = 10
Figure 3.32 Modle quivalent de l'eet de peau [Yen 82, Sen ]

Dans le modle prsent, R1 et L1 sont obtenus en se rfrant la table 3.4, qui en fonction de
RDC , Lint
et du nombre de branches, donne les valeurs de R1 et L1 respectant
les direntes conditions dcrites prcdemment. Sur chaque branche R1 est alors multipli
par
10
et l'inductance divise par le mme coecient.
Table 3.4 Dimensionnement de R1 et L1 dans le modle de Wheeler

# de branches 1 2 3 4 5 6 R1 L1
RDC 1.32RDC 1.42RDC 1.45RDC 1.457RDC 1.461RDC
Lint 1.68Lint 1.94Lint 2.03Lint 2.06Lint 2.07Lint
Wheeler s'appuie sur l'inductance interne pour la construction de son modle, mais nous avons vu que la prise en compte de l'inductance interne calcule pour le conducteur isol, ne donne pas de rsultats corrects. Dans les publications sur le sujet l'inductance interne considre est gnralement celle du conducteur isol. Pour exploiter ce type de modlisation, nous pouvons proposer de considrer que dans le modle de Wheeler, l'inductance correspond l'inductance interne estime grce FastHenry [FastHenry 08] et intgrant donc les eets de proximit. L'avantage de ce modle vis--vis du prcdent, est qu'il sera fonctionnel pour les simulations temporelles. L'inconvnient est qu'il ne permet pas de reproduire tous les comportements de dpendances frquentielles des paramtres de la ligne (Variation de la conductance, de la capacit (dilectrique)). Un point noter galement est que dans le cas prsent l'inductance varie avec la frquence alors que la capacit sera xe. Cela va engendrer du coup une impdance caractristique qui variera avec la frquence. Dans les cas o l'on prend en compte les variations frquentielles des deux paramtres (inductance et capacit), on montre que l'impdance caractristique elle, n'est du coup pas impacte
7 dcembre 2010

signicativement (Moins de 1
155
entre 1 MHz et 10 GHz dans le cas de la ligne coplanaire du
PCB gnrique tudi). On peut donc se poser la question de la qualit du modle prsent par rapport un modle simple o les inductances et capacits sont xes (engendrant donc une impdance caractristique xe). La structure du modle sera par consquent simplement une mise en chane de modles RLC, pour lequel R est remplac par le modle de Wheeler, et L spar en une partie d'inductance externe et interne, comme prsent Figure 3.33 :
SUBPARAMETERS:
CLIN = 100e-12 Lint_LIN = 50e-9 Ltotal_LIN = 250e-9 RDC_LIN = 0.5 SectionLength = 0.5
paramtres par mtre

{1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*100*sqrt(10)}
1
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength/(100*sqrt(10))}
2
{1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*100}
1
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength/100}
2
1
2
{1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*10} {1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*sqrt(10)} {1.461*@RDC_LIN*@SectionLength}

1 2
1 2
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength/sqrt(10)}
1 2
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength}
1 2
{(@Ltotal_LIN-@Lint_LIN)*@SectionLength}
{@CLIN*@SectionLength}
Figure 3.33 Implmentation d'une cellule lmentaire sous Pspice

Une prochaine tape devra permettre de statuer sur la ncessit de pousser la modlisation jusqu' la technique prcdente, de voir si la prsente technique ne peut pas sur sur la qualit de prdiction et galement de vrier si la prise en compte d'un seul paramtre dpendant de la frquence n'est pas plus source d'erreur que d'amlioration. . .
3.2.3 Extraction des paramtres pour la modlisation

Les dtails de la thorie des lignes, dont nous allons rutiliser un certain nombre de formulations, sont prsents en Annexe A. Dans la partie 3.2.2, nous avons abord les techniques de modlisation des pistes. Cependant, ces modles auront besoin d'tre gnralement aliments avec les grandeurs lectriques caractrisants les lignes (typiquement les paramtres RLCG seront requis). Nous devons donc maintenant dnir comment extraire ces donnes ncessaires la modlisation.
3.2.3.1
Approche thorique
Une des techniques permettant l'extraction des paramtres RLCG pour une ligne de transmission est base sur les mesures des impdances ramenes en entre de la ligne pour des congurations de charge en circuit ouvert (CO) et court circuit (CC). L'expression gnrale de l'impdance d'une charge (ZL ), ramene en entre (ZIN ) d'une ligne de transmission d'impdance caractristique
Z0
est donne par :
7 dcembre 2010
156
ZIN = Z0 .
Avec
ZL + Z0 . tanh [( + j.) .l] Z0 + ZL . tanh [( + j.) .l]
(3.27)
et
tant respectivement les facteurs d'attnuation et de phase de la ligne, et l,
la longueur de la ligne. Dans les cas o l'impdance de charge est un CO ou un CC, cette expression peut tre simplie. en extrmit de ligne, alors
ZCC correspond l'impdance ramene par une charge CC que ZCO correspond au cas o la charge est un CO. ZCC = Z0 . tanh [( + j.) .l]
(3.28)
ZCO = Z0 . coth [( + j.) .l]
(3.29)
Dans le cas d'une ligne de longueur arbitraire, en CO / CC, l'impdance vue de l'entre est dtermine compltement par les coecients :
, , Z0 , l. A partir de deux mesures dans , , Z0 ,

l sont identiques dans les
ces congurations, on peut extraire en thorie l'intgralit des paramtres caractrisant la ligne.
ZCO
et
ZCC
tant mesurs la mme frquence,
deux quations.
Z0 =
ZCC .ZCO
(3.30)
Attention cependant, d'un point de vue pratique et mathmatique, la longueur de la ligne ne peut pas tre totalement arbitraire.
ZCO
et
ZCC
doivent avoir des valeurs
appropries et proches l'une de l'autre. Typiquement la longueur de ligne optimale pour respecter cette condition est 1/8 de la longueur d'onde (prcisions sur les mesures).
ZCC = tanh [( + j.) .l] ZCO ZCC 1 ZCO = . ln N epers/m 2.l ZCC 1 ZCO ZCC 1+ 1 ZCO phase angle of + 2.n. rad/m = . 2.l ZCC 1 ZCO 1+
(3.31)
(3.32)
(3.33)
Il y a une incertitude de 360 sur la valeur de la phase guider par rapport aux dimensions mises en jeu dans la structure analyser pour avoir un rsultat cohrent. Une fois que les paramtres ont t extraits, on peut utiliser les solutions inverses pour calculer les paramtres liniques de la ligne :
7 dcembre 2010
157
R = .R0 .X0
En exploitant
(3.34)
Z0 = R0 + j.X0 ,
on extrait :
L=
.X0 + .R0 .R0 + .X0 2 2 R0 + X0

1 .10
4
(3.35)
G=
(3.36)
C=
3.2.3.2 Limitations pratiques
.X0 + .X0 2 10 2 . R01 .+ X0

3
(3.37)
Rsistance (Ohms/m)
100
An de discuter des limitations pratiques, nous allons considrer le cas pratique des pistes 50
conues sur le PCB de test gnrique. Ce cas correspond une piste de 45.3
10
mm de longueur qui a pu tre mesure en CO et CC. Les rsultats obtenus aprs le post traitement dcrit dans la partie 3.2.3.1 sont donns5 Figure6 3.34.1 .107 1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
4 9 6
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10 Rsistance (Ohms/m)
Inductance (H/m) Capacit (F/m)
1 .10
10
100
10
1 .10 1 5 1 .10 1 .10

6
11
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
5 7 1 .10 1 .10 5 1 .10
1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
F (Hz) F (Hz)
1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
1 .10 1 .10
10 10
. .106 1110
10 1 0.1 Conductance (S/m) 0.01 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10

3 4 5 6 7 8
Inductance (H/m) Capacit (F/m)
1 .10
10
11 1 .10 7 1 .10 55 . .10 1110
6 . .10 1110
7 1 .10 1 .10
F (Hz) F (Hz)
8 1 .10 1 .10
1 .109 1 .10
. 1 .1010 1 10
10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
F (Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
10
Figure 3.34 Paramtres RLCG extraits partir de rsultats de mesures en CO et CC

10 1
Au del de 300 MHz, pour ce cas particulier, nous pouvons observer des comportements 0.1
Conductance (S/m) 0.01 1 .10 1 .10 1 .10
3 4 5
7 dcembre 2010
158
pour les paramtres RLCG qui ne correspondent pas aux volutions attendues que nous avons prsentes dans la partie 3.2.1. Nous sommes confronts ici une dicult majeure, qui est que les terminaisons des lignes ne peuvent pas tre des purs CO ou CC. Les quations d'impdances ramenes ne peuvent donc pas tre simplies tel que cela a t fait dans la partie 3.2.3.1. De mme les longueurs des pistes ne sont peut tre pas rigoureusement identiques, mais encore une fois, ceci est certainement galement li aux conditions d'extrmits. Il parat donc impossible de matriser ces paramtres avec susamment de prcision pour pousser dans cette voie. Nous allons donc proposer une technique alternative qui s'appuiera sur les a priori des comportements attendus. Ceci est dvelopp dans la section suivante.
3.2.3.3
Technique d'extraction retenue pour la modlisation des pistes
Au lieu d'extraire les paramtres RLCG de la ligne, on peut se "contenter" d'extraire les paramtres :
et Zc en fonction de la frquence, et ceci an de les injecter directement
dans un modle de Branin implment sous Pspice. Sur le cas pratique mesur dans la partie prcdente, on value les ordres de grandeur des dirents lments pour valuer les comportements attendus : C= 180 pF/m L= 460 nH/m R= 0.9 Ohms/m en DC et volution en
au-del de 1 MHz
11 .f G= 10
Si on compare les rsultats obtenus pour les ccients
1 .10
3
10
100 1 Alpha (Nepers/m) 10 beta (rad/m)

5 6 7 8 9 10
0.1
0.1 0.01 0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
10
Approximation thorique Comportement mesur
Figure 3.35 Coecients , mesurs et thoriques

On voit que les tendances sont respectes, et qu'un simple lissage permettra de supprimer les dfauts ponctuels sur ces deux paramtres, qui suivent bien les volutions thoriques attendues. Le comportement obtenu sur l'impdance caractristique semble galement correct jusqu' ce que les premires rsonances apparaissent. Par-contre, compte tenu du comportement stable attendu en haute frquence, une extrapolation des donnes devrait
7 dcembre 2010

pouvoir sure nos analyses.
3
159
1 .10
Impdance en Ohms
100
10 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 3.36 Impdance caractristique thorique compare l'extraction par la mesure

En modiant les paramtres dans le calcul thorique, on identie que le seul paramtre inuant sur le comportement BF de l'impdance est la rsistance : si on la xe gale 0 on trouve les rsultats suivants, avec une impdance caractristique limite une partie relle pure et constante sur toute la gamme de frquence (la partie imaginaire est ngligeable) :
1 .10
100
Impdance caractristique (Ohms)
100
Impdance caractristique (Ohms)

6 7 8 9 10
10
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
10
Module de l'impdance Partie relle - Partie imaginaire
Module de l'impdance Partie relle - Partie imaginaire
(a) Avec pertes (R et G)
(b) Sans pertes R (G seul)
(A noter que ici la partie imaginaire est ngative, reprsente en module).

On voit bien que seule la rsistance agit sur l'impdance caractristique en BF, et que la conductance peut tre nglige. Ensuite en hautes frquences, on voit que l'approximation HF (faibles pertes) peut tre exploite. L'impdance caractristique n'est plus qu'une partie relle. Cette impdance
Figure 3.37 Comportement de l'impdance caractristique
7 dcembre 2010
160
caractristique n'est donc plus dpendante que de L et de C mais nous avons vu que ces lments variaient avec la frquence. Il convient de se poser la question au cas par cas de quelle sera l'erreur qui sera ralise en haute frquence, si on est capable d'extraire l'impdance une frquence o les approximations HF sont valables mais pas sur toute la gamme de frquence nous intressant. D'aprs les mesures ralises sur le cas de la piste du PCB de caractrisation, on observe des tendances exploitables jusqu' une centaine de MHz. En prenant en compte les volutions de capacit et d'inductance values dans la partie prcdente avec FastHenry, on peut estimer l'impdance caractristique :
65
64 Impdance caractristique (Ohms)
63
62
61
60 7 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
10
Figure 3.38 volution de l'impdance caractristique avec la frquence

On voit que malgr les volutions de ces deux paramtres, il y a un eet de compensation, et que l'impdance caractristique ne varie pas signicativement (environ 1 Ohm). L'erreur commise jusqu' 10 GHz pour une extraction 100 MHz serait ici de l'ordre de 1.5 %. Nous allons considrer que cela est acceptable. A partir de ce constat on peut tablir la dmarche d'extraction nalement retenue pour modliser une ligne avec la meilleure prcision possible. 1. Mesures en CO / CC d'une ligne de longueur xe 2. valuation des quations lisses des paramtres
et extrapolation HF.
3. Calcul de l'impdance caractristique en basses frquences (R0 + jX0 ) partir de la mesure en CC (meilleure dynamique de mesure) 4. Extraction de la valeur constante de R0 (partie relle de l'impdance) en haute frquence
3.2.4 Comparatif des modles pour l'exploitation des rsultats DPI

Ce comparatif sera orient par rapport notre objectif qui est la prdiction de la puissance transmise un composant plac en extrmit de cette ligne, et dans le cadre d'une injection DPI. Nous reprendrons ici les caractristiques de la piste 50 gnrique ddi la caractrisation des composants.
du PCB
7 dcembre 2010
3.2. Modlisation des pistes sur PCB 3.2.4.1 Mise en application des modles
161
Tous les modles sont tablis partir des mesures en CO et CC ralises sur la ligne coplanaire de 45 mm et correspondent l'application des modles dvelopps dans la partie 3.2.2.
- Modle de ligne sans pertes T :

on value : L=456 nH/m C=180 pF/m. Le
En exploitant les mesures CO et CC 100 MHz,
Z0
est de 50
. La vitesse de propagation est de 1.1.108 m.s1
(extrait par la mesure
100 MHz).
1Aac
0 0 0 0
TD = {0.045/1.14e8} Z0 = 50
Figure 3.39 Modle T utilis pour l'tude comparative

- Modle de ligne TLossy :
Les inductances et capacits correspondent aux donnes
extraites pour le modle prcdent. On peut dans le modle TLossy prendre en compte les variations frquentielles de la rsistance et de la conductance. Pour la rsistance, RDC=0.9
et la frquence d'apparition de l'eet de peau est de l'ordre de 600 kHz. L'volution au-
del de cette frquence est en 10 dB/dcade. Pour la conductance, l'exploitation de la mesure conduit
1 .10
4
G = 1011 .f .
0.1
0.01 1 .10
3 3
1 .10 1 .10
R (Ohms/m)
100
G (S/m)
1 .10 1 .10
10 1 .10 1 .10
7
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure Estim
Mesure Estim
Figure 3.40 Caractristiques R et G du modle Tlossy compares la mesure

Le modle est alors celui que nous avons prsent Figure 3.28.
7 dcembre 2010
3.2. Modlisation des pistes sur PCB - Modle de Branin :
162
A partir des mesures sur la piste en CO et CC, les coecients
et
sont obtenus. Les courbes lisses sont extraites (Figure 3.41) et implmentes dans
le modle de Branin, pour la ligne tudie.

10 1 .10
3
100 1 Alpha (Nepers/m)
0.1
beta (rad/m)
5 6 7 8 9 10
10
0.01 0.1
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
0.01 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Comportement mesur Donnes lisses
Comportement mesur Donnes lisses
Figure 3.41 Coecients et du modle de Branin

Pour l'impdance caractristique, on utilise une table EFREQ pour reproduire les dpendances frquentielles des parties relles et imaginaires. On extrapole les comportements HF partir des volutions attendues obtenues dans le cadre de l'analyse thorique. Le rsultat obtenu est donn Figure 3.42.
100
100
10 Impdance Caractristique Impdance Caractristique

6 7 8 9 10
10
0.1
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
0.01 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Partie Relle - Mesure Approximation partie Relle
Partie Imaginaire - Mesure Approximation partie Imaginaire
(a) Partie Relle
(b) Partie Imaginaire
Figure 3.42 Impdance caractristique du modle compar la mesure

Note : La partie imaginaire est ngative et trace en module ici
La matrice nalement retenue donnant, frquence, partie relle et imaginaire de l'impdance est donne en 3.38.
7 dcembre 2010
163
ZM L =
105 106 107 1010
80 47 54 12 49 2 50 5.103

(3.38)
Le modle de Branin peut soit prendre en compte l'impdance caractristique constante (Not comme le modle de Branin 1 dans la suite du document) ou variable avec la frquence (Not comme le modle de Branin 2 dans la suite du document).
- Modle distribu avec Wheeler :
A partir de la caractrisation thorique, on value
la valeur de l'inductance interne 433 nH/m. D aux incertitudes sur la gomtrie de la structure, on observe un cart sur la valeur de l'inductance, notamment 100 MHz. En mesure, on obtient 383 nH/m, contre 363 nH/m thoriquement. En premire approximation, on peut rpercuter cet cart de 20 nH/m sur la valeur thorique attendue. On en dduit la valeur de Ltot considrer dans le modle de Wheeler : 787+20= 807 nH/m.
800
700 L1 - Inductance (nH/m)
600
500
400
300 10 100 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
Figure 3.43 volution de l'inductance interne implmente dans le modle de Wheeler

La rsistance considre est de l'ordre de 0.9
/m
en DC.
Wheeler 20 x cells
LENGTH = 0.045 LINT = 433E-9 RDC = 0.9 LTOT = 807e-9 CAP = 180E-12
p.u.l param
Figure 3.44 Modle bote noire du modle de Wheeler implment sous Pspice
3.2.4.2 Comparatifs
Nous allons valuer les carts des puissances transmises pour direntes congurations de charges, en utilisant les dirents modles tablis prcdemment. Plusieurs cas ont t
7 dcembre 2010

tudis : Charge de 1 Charge de 1
164
Charge composant rel (Broche 12V du TPIC 1021) Le schma quivalent suivant est utilis, correspondant la mise en uvre du test DPI.
Condensateur de couplage Amplificateur

BRANIN_V3
REF
50
1n
0.5
1e-9
1
Modle de la piste (Ici Branin)
Modle de charge
Figure 3.45 Modle quivalent simpli du test DPI

Toutes les valuations sont ralises pour une source 50
de 1 Volt, ce qui correspond
une puissance incidente de 5 mW. Les modles sont compars avec une approche relative, et en prenant en rfrence le modle de Branin 2. C'est ce modle qui devrait tre le plus proche du comportement rel, puisqu'il est constitu directement des rsultats de mesures, sans rel travail de modlisation pouvant engendrer des simplications. Les rsultats obtenus sont donns Figures 3.46, 3.47 et 3.48.
1 .10
3
Ecarts Pactive en dB (Ref=Branin - 2)

5 6 7 8 9 10
1 .10 P active (Watts)
1 .10
1 .10
0 1 .10
7
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Modle TLine Modle TLossy Modle Branin - 1 Modle Branin - 2 Modle Wheeler
Modle TLine Modle TLossy Modle Branin - 1 Modle Wheeler
Figure 3.46 Puissances transmises la charge de 1 - Comparatif des techniques de

modlisation des lignes
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3
165
1 .10
Ecarts Pactive en dB (Ref=Branin - 2) 1 .10

4 5 6 7 8 9 10
P active (Watts)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 3.47 Puissances transmises la charge de 1 k - Comparatif des techniques de

modlisation des lignes
0.01
1.5
Ecarts Pactive en dB (Ref=Branin - 2)

5 6 7 8 9 10
0.5
1 .10
0.5
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 3.48 Puissances transmises la charge 12V - LIN - Comparatif des techniques
de modlisation des lignes
Note : Le modle du 12V LIN est uniquement dni jusqu' 3 GHz
3.2.4.3
Synthse sur la modlisation du chemin d'injection
Pour la longueur de ligne mise en jeu (de l'ordre de 2 cm), on observe des carts sur les valuations de la puissance transmise la charge en fonction des modles de ligne utiliss. Les points suivants sont noter : Jusqu' 1 GHz, les dirents types de modlisation n'engendrent pas d'carts rellement signicatifs. Cela veut dire que pour un objectif de travail jusqu' cette frquence et pour des pistes de moins de 3 cm, l'eort pour la modlisation ne sera pas important, ni justi.
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166
Pour avoir un modle conduisant une prcision de l'ordre du dB sur la puissance, et an de monter en frquence (jusqu' quelques GHz), seuls les modles de Branin semblent acceptables. Les modles de ligne Tline et Tlossy ne permettent pas de traduire tous les phnomnes inuents ayant un impact sur l'valuation de la puissance active (Variation de l'inductance et de la capacit avec la frquence. . . ). Et comme on pouvait s'y attendre, le modle de ligne bas sur l'utilisation du modle de Wheeler n'est pas non plus acceptable, compte-tenu que seule l'inductance est dpendante de la frquence. Le Modle de Branin 1, ne prenant pas en compte les volutions de l'impdance caractristique avec la frquence, sera le modle retenir pour avoir une bonne prcision jusqu' quelques GHz. Les variations de l'impdance caractristique, ne semblent engendrer que des carts ngligeables sur la puissance, et leurs prises en compte ne feraient que complexier inutilement le modle. Ces rsultats sont intressants et montrent que la prcision sur l'estimation de la puissance sera essentiellement lie la prcision des impdances d'entre du composant, plus qu' la prcision du modle de la piste qui devrait intervenir au second ordre.
3.2.5 Modlisation sur produits

Dans le cas d'applications automobiles, les pistes sont gnralement places au-dessus d'un plan de masse, ou dfaut dans le coeur d'un maillage de masse. Malgr le caractre non rectiligne que peut avoir une piste, plusieurs auteurs ont pu tablir que cela n'avait pas d'inuence notable sur les comportements de propagation (jusqu' quelques GHz), et qu'un simple modle de ligne de transmission pouvait tre utilis pour reprsenter une piste mme avec plusieurs coudes. Ces structures ramnent des eets de renforcement de champ lectrique et/ou magntique, mais non majeurs nos frquences de travail [Marty 01]. Nous nous appuierons sur ce premier constat pour nos travaux. Nous avons dtaill dans la partie 3.2.2 plusieurs techniques de modlisation pour les pistes sur un circuit imprim. La dirence majeure entre ces techniques concerne principalement les prcisions des modles, sur les caractristiques de propagation et d'attnuation. Nous avons discut prcdemment de la modlisation des pistes du circuit imprim ddi la caractrisation des composants et dont la modlisation doit permettre d'estimer la puissance transmise un composant pour provoquer un dfaut. Etant dans une structure parfaitement dterministe, nous avions alors pu montrer que la prcision de la puissance calcule dpendait de la prcision du modle de la piste. Il tait alors justi d'utiliser au-del du GHz des modles complexes, tel que le modle de Branin, permettant de reproduire nement tous les phnomnes apparaissant sur la propagation et l'attnuation. Dans le cas des produits, l'approche doit tre dirente, et nous devons rappeler ici le contexte dans lequel nous nous situons. Notre objectif pour la modlisation des quipements est de
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167
pouvoir travailler en amont, alors que le produit n'existe pas encore. Nous devons alors faire des hypothses sur les gomtries et en particulier sur les longueurs des pistes mises en jeu. Du fait de cette situation, il est improbable d'esprer proposer un modle reproduisant rigoureusement un rsultat de mesure que l'on obtiendrait une fois que le produit existe. Dans la pratique il n'est en eet pas concevable lors de la conception des PCB, d'imposer des longueurs prcises pour les pistes. Les modles simples de ligne T et Tlossy devraient par consquent tre susants pour ces valuations amont. L'utilisation de modles de ligne de transmission (T et Tlossy) sur plusieurs cas d'applications typiques et reprsentatifs, donnent des rsultats satisfaisants que nous prsentons ci-dessous, et que nous allons discuter. Le premier cas de la Figure 3.49 correspond une structure PCB relativement riche en masse et permettant de raliser des structures bien matrises de lignes de transmission. Les confrontations simulation / mesure de l'impdance ramene en entre de la piste charge en CO sont alors excellentes. Il faut cependant noter que ds les premires rsonances, il semble ncessaire de prendre en compte les pertes dans le modle de ligne. Des valeurs par dfaut, telles que celles proposes dans la partie 3.2.4.1 semblent tout fait susantes.
1 .10
1 .10
Impdance ramene (Ohms)
1 .10
1 .10
Piste modlise
100
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure Simulation ligne T Simulation ligne TLossy
(a) Structure du PCB et de la piste tudie
(b) Comparaison simulation / mesure
Figure 3.49 Modlisation des pistes sur PCB - cas pratique 1

Dans les cas suivants prsents, o la structure de masse correspond un maillage de masse, plus ou moins optimis, nous observons que des modles de lignes permettent de reproduire prcisment les comportements, avec de bonnes prcisions gnralement jusqu' quelques centaines de MHz. Au-del, la prise en compte des pertes s'avre indispensable, mais on observe galement que mme jusqu' quelques GHz, un simple modle de ligne TLossy semble susant pour dcrire le comportement d'une piste dans une structure de masse grillage.
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168
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
100
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10

1 .10
6
1 .10
1 .10
1 .10
100
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10

1 .10
6
1 .10
1 .10
1 .10
100
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10

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169
Les tendances obtenues sont susantes et permettent de valider cette technique de modlisation pour les pistes sur applications. Il faut cependant noter que la prcision de ces corrlations s'appuie fondamentalement sur la cohrence entre les modles et la ralisation physique des produits. Une piste place sur un PCB totalement dpourvu de masse ne pourrait tout simplement pas tre modlise avec ces techniques. Les cas de masse grillage reprsentent la plus grande proportion des applications que nous dveloppons. Nous avons donc souhait aller plus loin dans notre analyse, pour cela un PCB spcique a t dvelopp (Figure 3.53).
Figure 3.53 PCB d'tude de l'impact de la structure de masse

Comme nous pouvons le voir, il est constitu de plusieurs pistes (numrotes de 1 4) places au-dessus d'un quadrillage de masse au pas de 1 cm. Chaque piste peut alors tre mesure en circuit ouvert et court circuit. A partir des comportements basses frquences, on en dduit une impdance caractristique thorique quivalente. Les mesures peuvent alors tre compares aux rsultats de simulation d'une ligne Tlossy, prsentant cette impdance caractristique et ayant la mme longueur physique. Les rsultats sont prsents pour les cas des pistes 1 et 4, respectivement Figures 3.54 et 3.55.
1 .10
1 .10
1 .10 1 .10 Impdance ramene (Ohms)

3
100
1 .10
1 .10
10
100
10 1 1
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure Simulation ligne TLossy
(a) Piste charge CC
(b) Piste charge CO
Figure 3.54 Comparaison simulation mesure - Piste 1

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3.3. Impdance de mode commun
170
1 .10
1 .10
1 .10 1 .10 Impdance ramene (Ohms)

3
100
1 .10
1 .10
10
100
10 1 1
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
(a) Piste charge CC
(b) Piste charge CO
Figure 3.55 Comparaison simulation mesure - Piste 4

Bien que prsentant des divergences au-del du GHz, ces techniques restent valables jusqu' cette frquence. En synthse, on peut noter que : Des pistes sur structure de masse riche (avec plan de masse et / ou bordure continue de masse) peuvent totalement tre modlises par des lignes de transmissions. La prise en compte des pertes est ncessaire au-del de la centaine de MHz (Cela tant toutefois li videmment la longueur de la piste). Les corrlations et la prcision des rsultats sont alors acceptables jusqu' plusieurs GHz. Les ordres de grandeur des impdances caractristiques mesures sur plusieurs applications sont alors comprises entre 70 et 90
Des pistes sur structure de masse grillage mais avec proximit des pistes du quadrillage peuvent tre modlises avec des lignes de transmission galement, avec les mmes remarques que pour le point prcdent, pour ce qui concerne les pertes. Les ordres de grandeur des impdances caractristiques sont alors plutt de 100 120
Des pistes sur structure de masse grillage, mais non uniforme, peuvent tre modlises par des lignes de transmission pertes galement mais uniquement jusqu' quelques centaines de MHz (800 MHz - 1 GHz). Cela reste en phase avec notre objectif de modlisation.
3.3 Impdance de mode commun

Si on analyse la mise en oeuvre des essais CEM au niveau quipement, ou les conditions d'installation des organes au niveau d'un vhicule, on peut observer que les cartes lectroniques sont rarement connectes de manire directe au chssis (ou plan de masse de rfrence). La mise la masse est gnralement faite au moyen d'un l, faisant partie du toron global, et pouvant atteindre des longueurs de plusieurs mtres. Les impdances ramenes par ces connexions peuvent tre relativement leves, et font que les quipements
7 dcembre 2010

sont bien souvent ottants par rapport au chssis.
171
Dans de telles situations, il va alors intervenir au premier ordre une impdance parasite se formant entre les deux structures de masse (masse carte et masse chssis). Nous ne parlons pas ici de capacit, car le comportement est lgrement plus complexe. Nous allons dans cette partie dterminer comment valuer ces lments pour les prendre en compte dans nos simulations quipement et systme.
3.3.1 tat de l'art

Si on mesure l'aide d'un analyseur de rseau vectoriel l'impdance de mode commun prsente entre une carte lectronique et le chssis, on trouve un comportement quivalent celui d'un RLC srie. La mesure peut tre ralise relativement simplement, pour des congurations o la hauteur est faible (Figure 3.56). Dans le cas contraire, les interconnexions deviennent dlicates raliser, et une telle situation ncessite un calibrage soign pour la mesure, voire la mise en oeuvre d'opration de de-embedding.
Figure 3.56 Mise en oeuvre de la mesure de l'impdance de mode commun

Le rsultat de mesure pour cette conguration est donn Figure 3.57. Cette impdance peut galement tre extraite par la simulation numrique , et on peut observer une trs bonne concordance entre les deux rsultats. Cela montre simplement que cette impdance de mode commun peut compltement tre caractrise soit par une mesure, soit par la simulation. Dans le cadre de nos travaux, nous nous appuierons donc sur les rsultats de simulation plutt que sur d'ventuels rsultats de mesures, trs dlicates raliser lorsque l'on se situe dans des congurations o le PCB devient loign de la masse. Dans ces conditions, les interfaces de mesures peuvent alors ramener des eets parasites diciles direncier et extraire d'une mesure brute.
6. Dans le cadre de ces travaux CST Microwave a t utilis
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4
172
1 .10
1 .10 Module de Z (Ohms)
100
10
0.1 6 1 .10
1 .10
Frquence ( Hz)
1 .10
1 .10
Mesure VNA (S11) Simulation 3D (CST)
Figure 3.57 Comparaison mesure / Simulation(3D - FITD) - Impdance de mode commun La capacit que l'on mesure dans cette conguration correspond au premier ordre la capacit parasite forme entre les deux plaques. Les lments R et L quivalents sont un peu plus complexes localiser, car en ralit ils proviennent de la contribution de plusieurs lments distribus, dont on a une vision globale lorsque l'on fait une mesure en un point. La structure de masse du PCB peut tre considre comme tant un maillage inductif tel que reprsent la Figure 3.58. La capacit parasite peut galement tre perue comme distribue aux points de connexions des inductances. Sur un point d'entre de la carte on a donc une multitude de circuits LC en parallle. La somme de ces contributions forment un LC quivalent correspondant celui que l'on mesure. La rsistance peut tre assimile aux pertes par rayonnement, mais nous reviendrons plus tard sur ce paramtre.
Masse PCB
Chssis
Note : Les mutuelles inductances et rsistances sries ne sont pas reprsentes
Figure 3.58 Rpartition de l'impdance de mode commun

Bien que distribue, nous nous limiterons en une vision locale de l'impdance de mode commun, tel que cela a t fait dans [Egot 05a]. Cette simplication du problme aura permis d'obtenir des rsultats satisfaisants sur l'analyse d'une conguration et d'une pro-
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blmatique trs proche de celles qui nous intressent [Egot 06b].
173
3.3.2 Dimensionnement des lments

3.3.2.1 Capacit
L'origine de cette capacit peut tre considre comme tant lie la contribution de trois phnomnes, reprsents la Figure 3.59.
Ci
PCB Cb
Cp Chssis
Figure 3.59 Origine de la capacit de mode commun

Sur cette reprsentation, on peut alors identier les capacits suivantes :
Cp Cb
: correspondant la capacit du condensateur plan, : correspondant aux eets de bords du condensateur plan et pouvant s'avrer
dominant lorsque la hauteur du plan de masse devient grande devant les dimensions du PCB.
Ci
: tant la capacit interne, existant mme en l'absence d'un conducteur de rf-
rence. Ce que l'on mesure et que l'on va donc chercher estimer correspond la somme des trois capacits.
CM C = Cp + Cb + Ci
(3.39)
Nous le dtaillerons plus loin, mais suivant les sources bibliographiques, certains auteurs peuvent regrouper une ou plusieurs des contributions dans une expression unique. Cela sera en particulier bien souvent le cas pour la prise en compte de la capacit du plan et de la capacit de bord, souvent regroupes dans une expression et un terme unique. Dans les cas o la distance entre les plaques est petite devant ses dimensions, on se situe dans des conditions o a simplement
CM C
Cb et Ci Cp . On se situe alors dans le cas d'application o l'on = Cp et revenant donc utiliser l'quation 3.40 pour son valuation. C = 0 .r . S h
(3.40)
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S h est la surface du plan de masse PCB est la hauteur par rapport au chssis permittivit du vide
174
0 r
1 36..109
permittivit relative du matriau entre les plaques Cette approximation est largement utilise pour le calcul de la capacit du condensateur
plaque, mais les hypothses et domaine de validit sont bien souvent oublis. Cette quation n'est valable que lorsque h est petit devant les dimensions de la plaque... et ceci n'est absolument pas le cas dans les congurations nous concernant, o typiquement les PCB peuvent avoir des dimensions de l'ordre de 10x10 cm et placs 5 cm au-dessus d'un plan de masse dans les congurations normalises d'essais CEM. An de prendre en compte ces spcicits, plusieurs techniques sont proposes, et notamment par [Charoy 00, Feynman 99, Cocquerelle 99]. Suivant les auteurs, les techniques pour prendre en compte cet eet peuvent varier. Pour [Charoy 00, Cocquerelle 99], la technique propose consiste considrer que la capacit totale est la somme de la capacit du condensateur plan et d'une capacit interne. Entre ces deux auteurs, les formulations proposes dirent lgrement. Pour [Cocquerelle 99], la capacit interne pour une carte carre de ct par la relation :
est donne
Ci =
.0 .r .a ln 2 + 1 31, 5.a.1012
(3.41)
Ci
(3.42)
Alors que [Charoy 00], propose une formulation plus gnrale pour une carte rectangulaire de diagonale D :
Ci
35.D.1012 3 8
(3.43)
Enn, [Feynman 99] propose de calculer la valeur du condensateur plan en augmentant ses dimensions virtuellement d'un facteur les eets de bords. de la hauteur au plan de masse, an d'intgrer
An d'valuer la validit de ces direntes propositions, nous avons extrait par la simulation 3D les rsultats attendus pour 4 congurations de cartes typiques de nos applications automobiles (PCB carrs de 5x5 cm de 10x10 cm de 20x20 cm et une carte rectangulaire de 5x15 cm), et pour des hauteurs comprises entre 1 cm et 20 cm. Ces mmes congurations ont t considres avec l'outil FastCap [K.Nabors 92], bas sur une mthode lments nis, et permettant de raliser les calculs de manire extrmement rapide compare la simulation numrique 3D Full-Wave. Les rsultats obtenus avec ces direntes approches sont compars, et en particulier pour les structures 10x10 et 5x15 (Figure 3.60). On constate tout d'abord que la simulation 3D et FastCap donnent des rsultats trs similaires. La simulation 3D sera ncessaire pour estimer la rsistance et l'inductance dont
7 dcembre 2010
175
les eets ne sont visibles qu'aux plus hautes frquences. FastCap restera la rfrence pour l'extraction des valeurs de capacit, et notamment pour la capacit interne, dicile estimer par la simulation 3D (eet parasite des ports discrets). Ensuite, on peut constater que aucune des techniques analytiques proposes ne donne de rsultat valide pour tous les cas de gure traits, et en particulier pour toute la plage de hauteur. Les propositions de [Charoy 00] et de [Cocquerelle 99] sont cependant les plus proches de la ralit.
14
14
12
12
capacit de mode commun (en pF)
capacit de mode commun (en pF) 0 2 4 6 8 10 12 hauteur h (en cm) 14 16 18 20
10
10
8 10 12 hauteur h (en cm)
14
16
18
20
Rsultats simulation 3D Formule condensateur plan Approche [Charoy] Approche [Cocquerelle] Approche [Feynman] Rsultats simulation FastCap
Rsultats simulation 3D Formule condensateur plan Approche [Charoy] Approche [Cocquerelle] Approche [Feynman] Rsultats simulation FastCap
(a) Cas PCB 10x10 cm
(b) Cas PCB 5x15 cm
Figure 3.60 Comparaison des techniques d'valuation de la capacit de mode commun

Base sur ces observations et sur un panel de rsultats obtenus avec FastCap, nous proposons une technique mixte pour valuer cette capacit, restant empirique, mais qui permettra un dimensionnement rapide sans recourir la simulation. Les courbes obtenues pour toutes les gomtries prsentent la mme volution avec la hauteur (h), et sont de la forme :
CM C = h
Avec
+ h
(3.44)
et
constantes propres chaque gomtrie. Nous pouvons estimer que le terme
correspond au condensateur plan (intgrant les eets de bord), et que la constante
n'est
autre que la capacit interne. Ces comportements sont prsents Figure 3.61. Nous allons maintenant dimensionner ces coecients en se raccrochant aux direntes propositions que nous avons prsentes prcdemment, ainsi qu'aux paramtres gomtriques des structures tudies.
7 dcembre 2010
176
Capacit
hauteur - h
Capacit totale Contribution condensateur plan Contribution capacit interne
Figure 3.61 volution typique de la capacit en fonction de la hauteur

Pour l'valuation du condensateur plan, si pour chaque hauteur donne on calcule le rapport de la valeur de la capacit avec la surface, on obtient une valeur constante. Cela signie que pour prendre en compte les eets de bord, un simple coecient sur la valeur de la surface serait le plus appropri. Nous pouvons ainsi tablir l'quation 3.45.
Cp = 0 .r .
1.1 S h
(3.45)
Le coecient 1.1 correspond une augmentation virtuelle de la surface permettant de prendre en compte les eets de bords. Pour l'valuation de la capacit interne, on peut reprsenter son volution en fonction de la diagonale et en fonction de la surface des cartes tudies (Figure 3.62).
14
14
12
12
10 Capacit interne (pF) Capacit interne (pF)
10
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 Diagonale (m)
0.3
0.35
0.4
0.45
0.02
0.04 0.06 Surface (m2)
0.08
0.1
(a) En fonction de la diagonale
(b) En fonction de la surface
Figure 3.62 volution de la capacit interne

7 dcembre 2010
177
On peut clairement observer que la rponse obtenue en fonction de la diagonale, est trs instable, et notamment pour les cas o la carte n'est pas carre (points vers 0.15 et 0.05 en particulier). Contrairement aux propositions de [Charoy 00, Cocquerelle 99], il semble que le lien avec la surface donne une rponse plus stable en fonction des gomtries, et c'est cette donne gomtrique sur laquelle nous nous appuierons pour l'valuation de la capacit interne. Ce comportement peut tre reproduit avec l'quation suivante :
15.7 S C i = 0 . + S
(3.46)
Bien qu'tablie empiriquement, nous avons extrait le terme de permabilit du vide et donn une dpendance en racine de la surface, pour que cette quation garde un caractre plus ou moins physique. La corrlation entre la simulation numrique (rfrence) et la valeur obtenue par l'application de cette quation est donne Figure 3.63.
14
12
10 Capacit interne (pF)
0.02
0.04 0.06 Surface (m2)
0.08
0.1
Mesure Equation tablie
Figure 3.63 Confrontation calcul et simulation FastCap de la capacit interne

Pour les circuits imprims de gomtrie 5x5 cm jusqu' 30x30 cm et pour des hauteurs comprises entre 1 cm et 20 cm, ces formulations donneront des rsultats ables et rapides. Sur les 4 principales structures tudies, on peut confronter les rsultats FastCap aux rsultats obtenus avec notre approche analytique. Les erreurs engendres par notre approche sont trs faibles, de l'ordre de 3 % maximum, pour les structures 20x20 et 15x5 cm, et de l'ordre de 8 % pour les structures 5x5 et 10x10 cm. Ceci est tout fait acceptable pour nos cas d'utilisation.
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178
16
4.5 Capacit de mode commun (pF) Capacit de mode commun (pF)
14
12
3.5
10
2.5
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1 0.12 hauteur (m)
0.14
0.16
0.18
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
Modle Simulation FastCap
(a) cas PCB 5x5 cm
(b) cas PCB 10x10 cm
Figure 3.64 Validation du modle 1/2
50
12
40 Capacit de mode commun (pF) Capacit de mode commun (pF)
10
30
20
10
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
(a) cas PCB 20x20 cm
(b) cas PCB 5x15 cm
Figure 3.65 Validation du modle 2/2

3.3.2.2 Inductance
Au-del de quelques centaines de MHz l'impdance de mode commun fait apparatre gnralement une rsonance, puis un comportement inductif (avec une augmentation de l'impdance en +20 dB/dcade), tel que sur la Figure 3.57. Le courant de dplacement circulant au travers de la capacit va eectivement gnrer du champ magntique et va donner naissance un eet inductif. La dicult ici est que cette circulation de courant n'est pas localise en un point et est mme trs dlicate identier, puisque les capacits ne sont pas uniformment rparties sur la surface et le contour du PCB. On peut cependant simplier ce problme si on considre le cas particulier d'une plaque sur laquelle on observe l'impdance vue au milieu d'un des bords. Dans ce cas particulier, du fait de la symtrie, les champs crs par des circulations de courant sur les cts s'annulent, et seule la contribution du courant se rebouclant en extrmit du plan engendre un eet inductif correspondant
7 dcembre 2010

celui que l'on mesure en entre de carte.
179
Figure 3.66 Compensation des champs

En supposant de plus que sur le ct oppos au point d'observation la capacit est uniformment distribue, on peut alors se raccrocher la gomtrie quivalente de la Figure 3.67, et calculer l'inductance en se basant sur l'quation d'Ampre.
H.dl = I
c
(3.47)
Hx =
I w
(3.48)
z I
l w d y
y x S
Figure 3.67 Gomtrie quivalente considre pour le calcul du ux

En intgrant le champ d'induction sur la surface S, on obtient alors le ux comme :
B.dS
z=0 y=0
(3.49)
=
L'inductance tant donne par :
.I.l.d w
(3.50)
L=
on obtient nalement :
(3.51)
L=
Avec
.l.d w
(3.52)
7 dcembre 2010
180
l d w
:
Permabilit du milieu ( Longueur du PCB Hauteur au plan de masse Largeur du PCB
= 0 .r )
: :
Dans les principaux cas que nous avons traits, les plaques sont carres et en posant l=w on voit que l'inductance ne dpend plus que de la hauteur de la plaque (d). C'est eectivement le comportement qui est observ sur les rsultats obtenus en simulation 3D et donns synthtiquement la Figure 3.68. Pour une hauteur donne, les valeurs d'inductances sont globalement identiques pour toutes les structures PCB tudies. L'quation de l'inductance dans les cas o l=w est simplement
L = .d,
et correspond
l'quation considre pour les calculs de la Figure 3.68. On observe que notre approche permet alors un dimensionnement correct des inductances pour toutes les gomtries carres. On observe galement que, trangement, la valeur de l'inductance pour le PCB de 5 x 15 cm est identique celle des PCB carrs, alors que l'quation 3.52 nous laisse attendre un rapport 1/3.
300
250
200 Inductance (nH)
150
100
50
0.05
0.1 hauteur (m)
0.15
0.2
PCB 10x10 cm PCB 5x5 cm PCB 20x20 cm PCB 5x15 cm Analytique
Figure 3.68 Approche analytique Vs Simulation 3D

Direntes techniques ont t values pour la prdiction de l'inductance pour le cas particulier d'un PCB de largeur 5 cm et dont on fait varier la longueur entre 5 et 30 cm : Calcul en appliquant
L = .d,
donnant des rsultats a priori acceptables mme pour
des structures non carres Calcul en appliquant l'quation 3.52, prenant en compte la longueur et la largeur du PCB Calcul en assimilant la structure une ligne microstrip [Wadell 91] et en appliquant :
7 dcembre 2010
181
ef f = r + 1 r + 1 h + 1 + 12. 2 2 W 60 ln Zc = ef f
1 2 + 0.04 1 W h
(3.53)
8h W + W 4h Z c . r L= c
(3.54)
(3.55)
Les rsultats obtenus avec ces direntes techniques sont donns la Figure 3.69. On observe que seule l'approximation
L = .d donne une tendance correcte, bien que la valeur
soit constante quelque soit la longueur du PCB. En eet, l'volution de l'inductance avec la longueur est lente, et fait que le rsultat reste nalement acceptable. Les autres techniques donnent soit des rsultats totalement faux, soit divergent rapidement de la rfrence lorsque la longueur augmente. En se xant ici une limite au domaine de validit d'un rapport 1/3 entre largeur et longueur du PCB, cette simple approximation permet un dimensionnement rapide avec une erreur de l'ordre de 10 %, ce qui est acceptable.
400
300
Inductance (nH)
200
100
10
15 20 Longueur du plan (cm)
25
30
35
rsultats rfrence (Simulation 3D) Calcul - Approche Microstripline Calcul - Equation complte Calcul - Equation simplifie
Figure 3.69 Comparaison des approches d'valuation de l'inductance

Les raisons de cette validit ne sont pas intuitives et pas videntes justier. Bien que nous n'irons pas beaucoup plus loin sur ce sujet, nous pouvons cependant donner ici quelques pistes et observations que nous avons pu faire et allant dans ce sens. Tout d'abord, nous avons estim que les courants transverses au point de rfrence vont gnrer des champs s'annulant deux deux, tel que expos Figure 3.66. Seule la longueur du PCB serait donc inuente. Maintenant si on regarde la distribution du courant sur une plaque, on se rend compte que le courant se diuse en ayant videmment tendance se rduire fortement lorsque l'on s'loigne du point d'observation, et qu'au-del d'une distance correspondant
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182
plus ou moins la largeur du PCB, ce courant tendance devenir ngligeable. Ce courant contribue alors peu la cration de l'inductance et tout se passe alors comme si nous avions un PCB de taille quivalente un carr de ct gal la largeur. Ceci peut tre observ Figure 3.70.
Figure 3.70 Distribution du courant 200 MHz sur le PCB de 5x15 cm

Nous avons galement voulu estimer l'erreur lie au point de connexion de masse, toujours considr au centre d'une arrte sur les direntes gomtries tudies. Il nous a sembl qu'il tait le plus judicieux de regarder comment volue l'inductance en fonction de ce point d'accroche sur la structure 5x15 cm. Par la simulation 3D, la caractristique de la Figure 3.71 peut ainsi tre extraite.
15 cm 5 cm Ligne d'accroche du point de masse 5 cm

80
x
75
Plan de masse
Inductance (nH)
70
65
60
6 8 10 X du point d'accroche (cm)
12
14
Figure 3.71 Inuence du point d'accroche sur l'inductance - Cas du PCB 5x15 cm
On voit que des carts jusqu' 25 % peuvent tre observs entre le centre et l'extrmit
7 dcembre 2010
183
de l'arrte de la carte, mais avec des volutions devenant plus rapides lorsque l'on se rapproche du bord de carte. Jusqu' 2 cm des bords, les carts sont infrieurs 10 % et peuvent donc tre considrs comme ngligeables. Dans la pratique, les points de connexion la masse seront rarement sur les extrmits de la carte, et on pourra donc se permettre de ngliger ce phnomne, tout en le considrant comme une condition dnissant le domaine de validit des techniques d'valuation que nous avons proposes.
3.3.2.3
Rsistance
La rsistance peut tre estime en considrant que la structure est quivalente une antenne Patch. On trouve alors dans la littrature des formulations analytiques permettant l'valuation de cette rsistance de rayonnement en fonction des caractristiques gomtriques et de la frquence de rsonance de l'antenne [Solbach 06]. Cette frquence de rsonance est obtenue comme tant simplement :
f0 =
1 2.. L.C
(3.56)
O L et C sont les lments extraits prcdemment. Le calcul de la rsistance de rayonnement est alors ralis suivant :
1 R = .790. 2
donne les rsultats donns Figures 3.72 et 3.73.
2
(3.57)
O L=2.h (h tant la hauteur de la plaque mtallique). L'application de cette quation
30
20
25 15 Rsistance (Ohme) Rsistance (Ohme) 0 0.05 0.1 hauteur (m) 0.15 0.2 20
15
10
10 5 5
0.05
0.1 hauteur (m)
0.15
0.2
Extraction simulation 3D Formulation analytique
(a) Cas PCB 5x5 cm
(b) Cas PCB 10x10 cm
Figure 3.72 Estimation de la rsistance
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184
10
5 8
Rsistance (Ohme)
Rsistance (Ohme) 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 hauteur (m) 0.07 0.08 0.09 0.1
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05 0.06 hauteur (m)
0.07
0.08
0.09
0.1
(a) Cas PCB 5x15 cm
(b) Cas PCB 20x20 cm
Figure 3.73 Estimation de la rsistance

On constate que pour les cartes de grandes dimensions, cette approche commence donner des rsultats divergeant de la rfrence. Mais ces rsultats nous semblent susamment satisfaisants pour valider la mthode. Par ailleurs, on peut galement montrer facilement que la rsistance que l'on obtient sur l'impdance de mode commun est bien lie la rsistance de rayonnement et non pas aux pertes ohmiques dans la structure de masse du PCB. Si on considre la structure de masse de 5x5 cm, correspondant la plus petite considre dans nos analyses, on peut estimer la rsistance d'un plan de Cuivre ayant 40 m d'paisseur.
RDC =
l S f,
(3.58)
soit RDC =400 . Sur cette gomtrie, l'eet de peau va engendrer une augmentation de la valeur de cette rsistance, en hautes frquences, avec une pente en d'une frquence donne par : et partir
fskin =
4. .0 .t2
(3.59)
Dans le cas prsent, cette frquence de transition se situe aux alentours de 10 MHz. Cela nous permet d'tablir la caractristique de la Figure 3.74. On peut alors observer que cette rsistance est entre 100 et 1000 fois plus faible que la rsistance de rayonnement ( la rsonance de l'antenne patch quivalent), et qu'elle peut juste titre tre nglige dans l'valuation de la rsistance de l'impdance de mode commun.
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0.01
185
R (Ohms)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure 3.74 Rsistance du plan du PCB 5x5 cm
3.3.3 Inuence de la structure de la masse PCB

Dans la pratique, les structures de masse sur circuits imprims automobiles sont rarement des plans complets mais plutt des grillages de masse, avec des pas typiques de 1 cm (tel que dj discut prcdemment). Nous avons voulu vrier si cela avait un impact sur les lments RLC caractrisant l'impdance de mode commun. Cela a t ralis par la simulation numrique, en comparant successivement les valeurs des lments extraits avec plan de masse complet ou avec un grillage de masse. Sur les dirents cas tudis, on constate que les carts sont gnralement ngligeables entre les deux structures. Les rsultats sont en particulier donns pour les structures 5x5 et 10x10 cm.
5 250 25
4.5
200
20
150
rsistance (Ohms) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 hauteur (m) 0.14 0.16 0.18
inductance (nH)
4 Capacit (pF)
15
3.5
100
10
3 50 5
2.5
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
Masse pleine Masse grillage
Figure 3.75 masse pleine Vs masse grillage - PCB 5x5 cm

16 300 20
14
250 15 rsistance (Ohms) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 hauteur (m) 0.14 0.16 0.18 inductance (nH)
12 Capacit (pF)
200
10
150
10
100 5
50
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
0.02
0.04
0.06
0.08
0.14
0.16
0.18
Figure 3.76 masse pleine Vs masse grillage - PCB 10x10 cm

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186
Malgr la structure en grille, on obtient exactement les mmes valeurs des lments RL-C. Cela pourrait tre surprenant en particulier pour la capacit, mais s'explique aisment ds que l'on considre les eets de bord, ayant tendance renforcer les capacits parasites au niveau des extrmits des plaques. Ce phnomne peut tre mis en vidence en regardant la rpartition du champ lectrique pour les deux structures Figure 3.77. On peut mettre en vidence que les champs (lis la densit de charge), sont les plus intenses aux extrmits du circuit imprim, et que le fait de l'vider ne modie pas cette rpartition.
(a) Masse pleine
(b) Masse grillage
Figure 3.77 Visualisation du champ lectrique autour du circuit imprim

Ce rsultat est fondamental, et nous permettra dans le processus de modlisation de ne pas se poser de questions sur la structure de masse pour extraire les valeurs des lments R-L-C, en ne s'appuyant que sur une structure de masse pleine hypothtique.
3.3.4 Synthse
Suite nos analyses nous avons tabli qu'une impdance de mode commun est gnralement quivalente un circuit RLC srie. Les meilleures techniques identies et proposes pour l'valuation de ces 3 lments sont synthtiss ci-aprs. La capacit est la somme de la capacit du condensateur plan, calcule avec un coecient de correction pour prendre en compte les eets de bords, et de la capacit interne dont nous avons tabli une quation empirique relie la surface :
1.1 S h 15.7 S C i = 0 . + S Cp = 0 .r .
Avec
(3.60)
(3.61)
h S
: :
hauteur du PCB par rapport au plan de masse Surface du PCB L'inductance est simplement obtenue par une quation indpendante des dimensions du PCB, en se donnant cependant des limites au domaine de validit (Le rapport
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longueur/largeur doit tre infrieur 3) :
187
L = 0 .h
(3.62)
La rsistance est value en considrant la structure comme une antenne patch. La rsistance de rayonnement est alors donne par :
1 R = .790. 2
Avec
2.h
2
(3.63)
Longueur d'onde la frquence de rsonance du LC srie
Pour des cartes positionnes des hauteurs entre 1 cm et 10 cm, de dimensions jusqu' 20x20 cm et pour des rapports longueur / largeur infrieurs 3, ces quations donnent des approximations tout fait correctes. Nous aurons galement valid que les structures de masse (pleine ou grillage) n'impactent pas ces rsultats.
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7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE
190
7 dcembre 2010
Chapitre 4
Simulation au niveau quipement et systme
Nous entendons par systme ici, la combinaison d'un quipement, d'un cblage et de ses charges, dans les congurations normalises des tests quipements. Nous allons dans ce Chapitre nous intresser la modlisation des couplages des perturbations et leur propagation du systme jusqu'au composant. Le but nal est de pouvoir prdire l'immunit au niveau quipement grce l'assemblage des modles et techniques que nous avons dvelopps. Les modlisations de deux tests majeurs mis en oeuvre pour tester les quipements automobiles seront dveloppes, savoir le test d'injection de courant BCI et le test d'immunit au champ rayonn. Dans un second temps des exemples d'exploitation des direntes techniques dveloppes tout au long de cette thse seront prsents. Nous exposerons ainsi quelques unes des possibilits et perspectives oertes.
La vritable science enseigne, par-dessus tout, douter et tre
ignorant. Miguel de Unamuno
191
4.1. Modlisation des couplages
192
4.1 Modlisation des couplages

4.1.1 Modlisation du test BCI
4.1.1.1 Introduction
Le test BCI est l'un des plus pratiqu et des plus dimensionnant pour les quipements automobiles. Cet essai s'appuie gnralement sur la norme [ISO 05], et le schma de principe du test est donn Figure 4.1. Suivant les constructeurs, quelques variantes peuvent tre constates sur la mise en oeuvre de l'essai. Parmi les paramtres importants, il y a notamment : Le positionnement de la pince d'injection sur le faisceau. La longueur du faisceau reliant l'quipement ses charges. La mthode d'asservissement (boucle ouverte ou boucle ferme). Les niveaux injects.
Pince d'injection
Pince de mesure
Batterie
RSIL / Charges
Courant de mode commun
quipement Sous test
Plan de masse
Figure 4.1 Schma de principe du test BCI

Les travaux que nous avons raliss pour la modlisation de l'essai BCI, s'appuient sur la dcomposition du test en sous lments que nous avons modliss partie par partie. Cela pr-suppose que chaque partie peut tre considre comme indpendante des autres et que les zones d'changes d'nergie sont parfaitement identies, exclusives, et prises en compte dans notre modlisation. Sur la gure 4.1, le dcoupage choisi pour la modlisation est le suivant : Batterie RSIL La pince d'injection La pince de mesure de courant Le faisceau L'quipement sous test
Nous avons jusqu' prsent dvelopp les techniques de modlisation de l'quipement (PCB, pistes, composants actifs et passifs, impdance de mode commun...). Nous devons maintenant nous intresser la modlisation des autres lments.
7 dcembre 2010
4.1. Modlisation des couplages 4.1.1.2 Modlisation de l'amplicateur
193
L'amplicateur est simplement une source ayant une impdance caractristique de 50
Durant les essais, l'amplicateur dlivre une puissance incidente la pince d'injection,
et cette puissance est directement lie au calibrage sur JIG (dispositif de calibrage impdance matrise). Le modle quivalent que nous allons utiliser est donn Figure 4.2.
50 1Vac 0Vdc IN+ OUT+ IN- OUTEFREQ V(%IN+, %IN-) Out_ampli
Figure 4.2 Modle quivalent de l'amplicateur

Ce modle est bas sur une source de tension variable avec la frquence, grce une table renseigne dans l'oprateur EFREQ, et relie la puissance incidente par :
e=
4.Pi .R ,
et
(4.1)
O R correspond l'impdance de la source, soit 50
Pi
la puissance incidente.
Suivant les mises en oeuvre de l'essai, en boucle ouverte ou boucle ferme, les puissances mises en jeu vont direr et nous devons dtailler quelque peu ici ces deux mthodes, et surtout les techniques pour les prendre en compte dans nos travaux de simulations et d'analyses. La mthode en boucle ouverte (ou encore appele substitution) consiste simplement reproduire le chier de calibrage, donnant la puissance incidente appliquer la pince, pour avoir un courant thorique donn sur le JIG. Au niveau de la simulation, la reproduction de cette mthode d'asservissement ne pose pas de dicults, et il sura d'appliquer avec le gnrateur de la Figure 4.2, la puissance dnie. Avec cette mthode, lorsque l'on travaille sur un quipement rel, l'impdance sur laquelle l'injection est ralise sera dirente des 100
imposs par le JIG. Le courant rellement inject sera par consquent infrieur ou
suprieur au courant thorique, mais il n'y aura pas d'interaction avec celui-ci. La mthode en boucle ferme (ou double asservissement), consiste mesurer le courant rellement inject dans le cblage et utiliser cette donne pour l'asservissement. A chaque frquence, la puissance incidente est augmente progressivement, soit jusqu' atteindre le courant de consigne dsir, soit jusqu' atteindre une limitation de la puissance qui est gnralement xe 4 fois la puissance de calibrage sur JIG (k=4). La dicult avec cette mise en oeuvre est que, suivant les frquences, on peut soit rentrer dans un mode d'asservissement sur le courant, soit se trouver avec une puissance plafonne. En terme de modlisation, il n'est pas possible dans le domaine frquentiel de dnir un tel algorithme
7 dcembre 2010
194
d'asservissement sous Pspice. Nous avons par consquent choisi de travailler comme suit pour nos simulations avec cette mthode : La simulation est ralise pour le niveau de puissance maximum que l'on peut potentiellement mettre en jeu durant l'essai BCI. Cela revient pour les gabarits 100, 200 et 300 mA, avec une limitation de puissance un coecient k=4, appliquer les puissances donnes en Figure 4.3. Durant la simulation, le courant de mode commun peut galement tre mesur en utilisant un marqueur de courant dans l'impdance de mode commun. Il est alors possible d'identier si le courant rel dpasse la consigne, et si dans ce cas la simulation surestime les niveaux de perturbations injects. La connaissance de toutes ces informations permet avec un post traitement simple de recalculer la puissance appliquer la pince, soit pour se limiter au courant de consigne, soit pour se limiter 4 fois la puissance de calibrage. C'est cette dmarche que nous utiliserons dans les cas d'application qui seront abords en dernire partie de ce Chapitre.
Figure 4.3 Puissances incidentes maximum potentiellement mises en jeu pour les gabarits 100, 200 et 300 mA en boucle ferme (k=4). Une limitation identie de ce modle, rside dans le fait que lors d'injection sur charge fortement dsadapte, la puissance rchie peut tre trs leve, et en quelques sortes perturber l'amplicateur qui perd alors son adaptation 50
sur la sortie. Suivant les classes
d'amplicateurs, ce phnomne peut apparatre ou pas (Exemple sur les amplicateurs classe A, ce dfaut n'apparat pas, contrairement des amplicateurs de classe AB). Pour la suite de notre tude, nous nous limiterons considrer une impdance xe de 50 ngligeant ce phnomne.
01. 1
01. 1
)zH( F
01. 1
Am 003 engisnoC Am 002 engisnoC Am 001 engisnoC
01. 1 0
08 02
P u i s s a 04 n c e i n c i d e 06 n t e ( W )
001
en
7 dcembre 2010
4.1. Modlisation des couplages 4.1.1.3 Modlisation de la batterie et du RSIL

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195
Le schma de principe du RSIL , qui est dni dans la norme [IEC 08b] est donn Figure 4.4.
CISPR 25 IEC:2008 65
5 H A P
0,1 F
Power supply
1 F
EUT
1 000
Measurement port
50
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See 6.1.2
IEC 389/08
Figure 4.4 Schma de principe du RSIL - Suivant [IEC 08b]

CISPR 25 CEI:2008
Figure E.2 Example of 5 H AN schematic
149
Annexe E (normative)
En complment ce schma de principe, des exigences sont dnies sur l'impdance Rseau fictif vue de l'entre (entre P et B), lorsque le point A est tir la masse. Cette caractristique,
L'impdance de charge du rseau fictif Z PB ( tolrance 20 %), dans la bande de frquences MHz, est reprsente la Figure galement extraitede mesureetde 0,108b], est donne Figure 4.5,Elle estdoit tre les de [IEC MHz 100E.2), l'accs mesure tant charg E.1. 50et et mesure entreet respecte 20 %. les bornes A B bornes P B (de la Figure par (de la Figure E.2) tant en court-circuit.
50
40
Impdance ()
30
20
10
0 0,1 2 3 5 1,0 2 3 5 10,0 (MHz) 2 3 5 100,0

IEC 388/08
Frquence
Figure 4.5 Caractristique d'impdance du RSIL - suivant [IEC 08b]

Figure E.1 Caractristiques d'impdance du rseau fictif
On peut noter en particulier, que cette caractristique n'est dnie que sur une bande de frquence allant de 0.1 100 MHz, alors que le RSIL peut tre utilis en dehors, pour les essais BCI notamment. On peut galement estimer que le critre sur le module de l'impdance n'est peut tre pas susant pour assurer une matrise des comportements issus d'interactions avec le cblage... Dans tous les cas, il convient de proposer un modle quivalent du RSIL, permettant de couvrir la gamme de frquence souhaite (jusqu' 400 MHz pour la BCI et 1 GHz pour l'immunit au champ rayonn que nous aborderons ultrieurement). Nous proposons d'tablir un modle bas sur l'observation et sur la modlisation des lments constituant le RSIL, en considrant la rfrence utilise dans nos laboratoires
1. Rseau Stabilis d'Impdance de ligne (LISN en anglais)

7 dcembre 2010
196
(Rohde & Schwarz ESH3-Z6 [RSI 06]). L'analyse visuelle permet tout d'abord d'identier que des composants additionnels sont rajouts par rapport au schma thorique (Figure 4.6). On observe notamment qu'un condensateur additionnel de 68 nF est plac en parallle avec la 1 F ct batterie (Photo de gauche sur la Figure 4.6). Plusieurs rsistances sont galement places en parallle sur l'inductance, et enn, un condensateur de 10 nF est rajout en parallle la 100 nF, ct quipement, avec une rsistance srie de 3.2 Ohms (Photo de droite sur la Figure 4.6).
Figure 4.6 Photos internes du RSIL tudi

Ces observations permettent d'tablir un schma de principe plus complet que celui dni dans la norme, et sera notre point de dpart pour la modlisation. En premire approche, on rajoute les dirents lments parasites attendus des composants passifs, ainsi que des lments de structure des interconnexions des composants. Un modle global peut ainsi tre propos, mais compte tenu du nombre important d'inconnus, il n'aura pas t possible de converger vers un modle robuste par de simples mesures de S11 en entre et de S21 . An d'apporter une meilleure matrise des comportements HF et d'avoir un modle global plus robuste, nous avons dcoup le RSIL en 3 sous parties pour lesquelles des mesures d'impdance ont t ralises, et qui auront permis d'tablir des modles plus rigoureux de chacune des parties. Les parties identies sont celles mises en avant sur les 3 photos de la Figure 4.6 : L'tage de sortie, ct batterie, constitu des deux condensateurs parallles de 68 nF et 1 F. L'inductance de 5 H avec les rsistances additionnelles en parallle. L'tage d'entre, ct quipement, constitu des deux condensateurs parallles de 10 nF et 100 nF, en srie avec la charge de 50
Modlisation de l'tage d'entre.
Aprs dmontage, l'tage d'entre peut tre mesur
en plaant un connecteur SMA comme sur la Figure 4.7.
7 dcembre 2010
197
Figure 4.7 Conguration de mesure de l'tage d'entre

Le schma quivalent suggr pour cette partie, correspond au schma de principe (lments en rouge du modle de la Figure 4.8), laquelle sont rajouts les lments parasites des composants ainsi que des interconnexions. L'impdance ramene au connecteur SMA est alors mesure pour deux congurations, une avec la charge 50
et l'autre en circuit
ouvert l'emplacement identi de la charge externe. Ces deux congurations permettent d'avoir une inuence plus importante et visible de certains lments parasites, et d'optimiser au nal les valeurs des lments de notre modle. Cette optimisation est ralise simultanment pour les deux congurations de mesure, ce qui permet une rpartition plus juste des lments parasites de notre modle. Les lments inconnus, dterminer, sont ceux dnis en tant que paramtres sur la Figure 4.8. En premire tape l'optimisation porte sur la phase, avec une optimisation sur les lments capacitifs et inductifs. Les valeurs des rsistances sont ensuite optimises sur le critre du module de l'impdance mesure en entre.
Traverse RSIL
{Rs}
IN50
Modle Etage d'entre

{Rs}
2
{Lp1}
1 2 1
{Lp2}
10n
1Aac {Cp1}
2
0.1e-6
1e6 {Lp4}
3.2
2
{Lp3}
0
PARAMETERS:
0
1
{ESR2}
Charge Externe 50 Ohms
Lp1 = 5.45e-9 Lp2 = 9.05e-9 Lp3 = 10.3e-9 Lp4 = 37.6e-9 Lp5 = 15.04e-9 Lp6 = 0.5e-9
ESR2 = 1.27 Rs = 0.1 Cp1 = 6.3e-12 Cp2 = 2.37e-12 Cp3 = 2.26e-12
{Lp6} 1e-12
0
0.1 {Cp3}
0
{Lp5} {Cp2}
0
50
0
50k
Figure 4.8 Schma quivalent tage d'entre du RSIL

Les comparaisons simulations / mesures sont donnes Figures 4.9 et 4.10, respectivement pour les congurations de charge en CO et 50
.
7 dcembre 2010
198
1 .10
100
1 .10
50 Module (Ohms) 1 .10

3
Phase en
6 7 8 9
100
10 50 1
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
100 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Figure 4.9 tage d'entre du RSIL en CO - Comparaison Simulation / Mesure

100 60
40
Module (Ohms)
20 Phase en
6 7 8 9
10
20
40
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
60 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Figure 4.10 tage d'entre du RSIL en 50 - Comparaison Simulation / Mesure

Modlisation de l'tage de sortie.
De la mme manire que pour l'tage d'entre,
des mesures ont t ralises sur l'tage de sortie, mont suivant la Figure 4.11. Le schma quivalent suggr, correspond l aussi au schma de principe de cet tage (lments en rouge sur la Figure 4.12), auquel sont rajouts les lments parasites des composants passifs ainsi que des interconnexions. Aprs optimisation, le schma tabli est donn Figure 4.12, avec les comparaisons simulations / mesures la Figure 4.13.
7 dcembre 2010
199
Figure 4.11 Conguration de mesure de l'tage de sortie

Traverse RSIL Modle Etage de Sortie
{Rs}
OUT
{Lp1}
1 2 1
{Lp2}
2
{Rs}
1Aac
68e-9
{Cp1} 1e-12 {ESR1}
1e-6
392k
{Lp4} 1.6e-12 1e6
2
{ESR2}
0 0
PARAMETERS:
14e-9
1
Lp1 = 4.8e-9 Lp2 = 4.94e-9 Lp3 = 20.7e-9 Lp4 = 24.9e-9 Cp1 = 7.19e-12 Rs = 0.005 ESR1 = 0.052 ESR2 = 0.310 {Lp3}
4
2
3.32
Figure 4.12 Schma quivalent de l'tage de sortie du RSIL

1 .10
4
100
1 .10
50 Module (Ohms) 100 Phase en

6 7 8 9
10
1 50 0.1
0.01 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
100 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Figure 4.13 tage de sortie du RSIL - Comparaison Simulation / Mesure

7 dcembre 2010
4.1. Modlisation des couplages Modlisation de l'inductance.
200
Il s'agit sans nul doute de l'lment le plus complexe
dans la modlisation du RSIL, qui compte-tenu de sa taille ne peut pas tre modlis comme un simple RLC parallle jusqu' 1 GHz. Compte tenu des dimensions (de l'ordre de 20 cm de longueur et de 7 cm de diamtre), on peut s'attendre avoir des phnomnes de propagation et de rsonances multiples de la structure. En suivant cependant la mme dmarche que pour les tages d'entre et de sortie, on peut proposer un modle quivalent permettant de reproduire les comportements mesurs. L'inductance est mesure seule dans le botier mtallique du RSIL pour direntes congurations : Mesure de l'impdance d'entre - Inductance en court circuit. Mesure de l'impdance d'entre - Inductance en circuit ouvert. Mesure du S21 - Inductance en srie.
En prenant en compte simultanment ces 3 critres, le modle est ajust jusqu' obtenir des corrlations simulations / mesures acceptables. Il faut noter que compte tenu de la complexit, les lments du modle ne peuvent pas tre raccrochs des lments physiques de structure. Le schma quivalent retenu est donn Figure 4.14, et fait apparatre que l'optimisation doit tre ralise sur les 15 paramtres identis.
Modle inductance
PARAMETERS:
{Rp1}
Lp1 = 4e-9 Lp2 = 20e-9 Lp3 = 127e-9 Lp4 = 10.3e-9
Rs = 0.005 Rp1 = 2.32k RS1 = 0.97 RS2 = 27 RS3 = 963
{Cp1}
22.6
1
{Lp3}
2
1130
Cp1 = 0.96e-12 Cp3 = 7e-12 Cp4 = 3.1e-12 Cp5 = 6.47e-12 Cp6 = 10e-12 Cp7 = 5.8e-12
Traverse RSIL
{Rs}
OUT3 1
Traverse RSIL
{Rs}
2
{Lp1}
2 1
{Lp2}
4.874e-6
1 2
0.1
{Rs}
1
{Lp2}
2 1
{Lp1}
2
{Rs}
1Aac {Cp5} {Cp3} {Cp4} {Cp6}

0
Les confrontations simulations / mesures pour les direntes congurations sont donnes Figures 4.15, 4.16 et 4.17.
{RS2}
0 0
2 2
{RS1}
0
{Cp7} {RS3} {Lp4}
{RS3}
{Lp4}
1
{Cp7}
1
Figure 4.14 Schma quivalent de l'inductance du RSIL
7 dcembre 2010
201
1 .10
100
1 .10 Module (Ohms)
50
Phase en
6 7 8 9
100
10
50
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
100 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Figure 4.15 Inductance du RSIL en CC - Comparaison Simulation / Mesure

1 .10
5
50
1 .10
Module (Ohms)
0 Phase en 50 10
6 7 8 9
1 .10
100
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
100 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Figure 4.16 Inductance du RSIL en CO - Comparaison Simulation / Mesure

0
10
S21 (dB)
20
30
40 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Figure 4.17 Inductance du RSIL - Mesure S21 - Comparaison Simulation / Mesure

Assemblage des modles.
Pour reconstituer le modle complet du RSIL, il faut tenir
compte du fait que les terminaisons (traverses) sont prises en compte dans toutes les mesures et qu'il faut donc ne les considrer qu'une fois lors de l'assemblage des modles de
7 dcembre 2010
202
chacune des parties. Le modle complet alors tabli pour le RSIL est donn Figure 4.18.
Modle inductance
2.32k
0.96e-12
22.6
1
127e-9
2
Traverse RSIL
0.1
2
Etage entre RSIL

0.1
1
1130
Etage sortie RSIL

10e-9
2
Traverse RSIL
0.005 4.94e-9
2 1 2
5.45e-9
1 2
9.05e-9
1
0.005
1
4.874e-6
2
0.1
0.005
1
15e-9
2
4.8e-9 0.005
1 R51 1e6
la mesure (Figure 4.19), et permet de valider notre modle. Malgr des carts sur la phase au-del de 700 MHz, les rsultats obtenus restent acceptables jusqu' 1 GHz. Notre modle aura nalement t valid principalement sur cette caractristique d'impdance ramene sur l'entre ct quipement, mme si il est important que les autres caractristiques soient convenablement reproduites pour certaines analyses en CEM, et notamment en missions conduites (non trait dans cette thse).
3
Module (Ohms)
Phase en
Figure 4.19 Impdance vue de l'entre du RSIL - Sortie en CC - Comparaison Simulation

/ Mesure
Modlisation de la batterie.
la mesure de son impdance l'aide d'un VNA, et sur la construction d'un modle quivalent permettant de reproduire l'impdance mesure. Pour nos tudes en immunit, seule l'impdance de la batterie joue un rle, et son aptitude dlivrer le courant ncessaire la fonctionnalit d'un produit ne nous importe pas ici. De plus, on peut remarquer que la batterie est place derrire les RSIL dans les congurations d'essais BCI et d'immunit au champ rayonn. Par consquent, on peut estimer que la nature de cette impdance ne
0.1e-6
0Adc 1Aac I1
6.3e-12
0 0
1e6 37.6e-9
10n
7e-12 3.1e-12 2.8e-12
1.6e-12
1e-6
392k
24.9e-9
68e-9
7.19e-12 1e-12
0
3.2
2
1.27
10.3e-9
1 2
27
2
0.97
14e-9 5.8e-12 963

1
0.31
0.052
2
13.2e-9
15.04e-9
2 1
0.1
2 1
963
13.2e-9
1
5.8e-12
1e6
1
20.7e-9
1
50
0 0
0.5e-9 2.37e-12 2.26e-12

0
50k
0
1e-12
0 0 0
3.32
Charge Externe 50 Ohms
Figure 4.18 Modle complet du RSIL

L'impdance d'entre mesure lorsque la sortie est court-circuite est alors compare
1 .10
100
50 100
10 50
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
100 5 1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
Le principe de modlisation de la batterie repose sur
7 dcembre 2010
203
va pas interagir signicativement sur l'impdance ramene du ct de l'quipement. Grce au modle du RSIL que nous venons de dvelopper, nous pouvons vrier ce point. Par la simulation, on peut extraire les impdances vues du ct de l'quipement lorsque le RSIL est mis en CO ou CC ct batterie. Ces rsultats sont donns Figure 4.20.
1 .10
3
Impdance vue ct quipement (Ohms)
100
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
Cas RSIL en CC ct batterie Cas RSIL en CO ct batterie
Figure 4.20 Impdance vue ct quipement du RSIL en fonction de l'impdance xe

ct batterie On constate bien que l'impdance de la batterie n'intervient pas ou peu, ce qui correspond dans une certaine mesure au rle mme du RSIL. Nous vrions cependant grce notre modle que ce rle est bien rempli jusqu' 1 GHz, malgr l'impact des lments parasites le constituant. Pour la modlisation de la batterie nous pourrons donc nous contenter de reprendre les modles tirs de la littrature, tel que celui prsent par [Poinsignon 03], qui se sera prt cet exercice de modlisation. Le modle propos que nous r-utiliserons pour nos travaux est donn Figure 4.21.
0.2uF
30e-3
2.5uH
Figure 4.21 Modle de batterie - Source [Poinsignon 03]

4.1.1.4 Modlisation du cblage
La base de la modlisation pour le cblage repose sur l'utilisation de lignes de transmission couples. Cependant cela ne peut se faire de manire basique, car les cblages que
7 dcembre 2010
204
l'on utilise, issus de processus de fabrication industriels, ne sont pas de simples structures laires parfaitement uniformes et assimilables des lignes de transmission. En eet, au sein d'un faisceau, les ls peuvent changer de positions les uns par rapport aux autres sur la longueur, en crant ainsi des non uniformits aectant leurs comportements lectriques (en propagation, rexion et diaphonie). An de crer des modles reprsentatifs de ces comportements, plusieurs techniques ont t proposes et tudies par [Castani 02]. Ces travaux seront pour notre thse une rfrence de laquelle nous sommes repartis pour le dveloppement d'un outil propritaire permettant la gnration de modles correspondant nos structures tudies. Le principe des techniques proposes par [Castani 02], consiste procder un dcoupage du faisceau en sections de faibles longueurs, sur lesquelles on peut alors assimiler la structure une ligne de transmission uniforme. Le chanage successif de toutes les sections permet alors de reconstruire un modle complet pour le faisceau. La dirence entre les techniques proposes rside dans la manire dont sont constitues les sections successives. On peut soit chaner des sections en positionnant les conducteurs de manire totalement alatoire, et sans cohrence avec les autres sections (prcdente et suivante). Soit le positionnement des conducteurs se fait de manire cohrente, an de reproduire une structure raliste. Les structures obtenues avec ces deux mthodes sont illustres Figure 4.22.
Figure 4.22 Exemples de gnrations de faisceaux avec techniques corrle et alatoire

[Castani 02] Dans sa thse, [Castani 02] semble tre en faveur de l'approche corrle, qui donnerait de meilleurs rsultats sur les comportements lectriques. Cependant cela n'est pas totalement dmontr dans ses travaux, et compte tenu de la complexit pour implmenter un algorithme de gnration corrle (en comparaison a une approche alatoire), nous avons souhait refaire quelques investigations sur ce sujet. Les rsultats prsents ci-dessous extraits de [Castani 02], illustrent assez bien nos propos. Ces courbes comparent successivement des mesures en rexion, transmission et en diaphonie entre un cble mesur et simul avec direntes techniques pour la modlisation.
7 dcembre 2010
205
Harness only uniform model
Harness only non uniform model Random distribution
C
Harness non uniform model + Connectors + G(f)
D
Harness non uniform model + Connectors + G(f)
Figure 4.23 Extraits des rsultats obtenus en fonction des techniques de modlisation
des faisceaux [Castani 02] Ces rsultats montrent bien tout d'abord qu'entre un modle uniforme et la mesure, il y a rapidement une divergence obligeant pousser la modlisation au-del de la simple structure uniforme (Cas Figure 4.23 - A). Cependant, on observe que le simple fait de prendre en compte une structure alatoire amliore dj grandement les rsultats, et que le gain obtenu en ralisant une structure corrle n'est pas signicatif de notre point de vue. Il n'y a en eet que trs peu d'carts entre les congurations C et D de la Figure 4.23. Les travaux que nous avons mens et que nous allons prsenter par la suite, ont galement t motivs par le fait que les faisceaux ne sont pas des structures dterministes. Deux faisceaux issus du mme processus de fabrication ne prsenteront pas tout fait les mmes caractristiques gomtriques (positionnement des ls les uns par rapport aux autres, torsade naturelle du cblage, espacements variables entre les conducteurs, etc.). L'tude de la modlisation des faisceaux doit donc reposer sur une approche quelque peu statistique des choses. Nous avons donc souhait valuer si sur un certain nombre d'chantillons de cblages, les proprits mesures correspondaient globalement aux rsultats obtenus avec des modles gnrs par une approche alatoire. Les principales caractristiques que nous avons tudies sont les coecients de rexion, de transmission sur un l, et les paramtres de diaphonie (tl et para). Nous avons utilis 30 faisceaux, correspondant ceux dvelopps dans le cadre des travaux de [Egot 05a]. Ces faisceaux sont composs de 10 ls chacun,
7 dcembre 2010

et sont issus d'un processus de fabrication industriel.
206
An de pouvoir comparer des mesures des simulations, nous avons d dnir une conguration permettant l'interface avec le dispositif de mesure (VNA), et qui puisse galement tre pris en compte dans la simulation. Des platines d'interface ont alors t dveloppes pour permettre la transition entre le VNA et le cble mesurer (Figure 4.24). Cette interface est constitue de 10 connecteurs MMCX (1 connecteur par l intgr dans le faisceau). Les liaisons entre le connecteur faisceau et les connecteurs MMCX sont ralises par l'intermdiaire de tiges en cuivre, donnant une certaine rigidit pour la structure et permettant d'obtenir une gomtrie parfaitement matrise. Cela ore ainsi la possibilit de la reproduire rigoureusement sous CST Microwave.
Connecteurs MMCX (autre face) Vers VNA ou charges
Tiges en Cuivre
Plaque r = 1.5
Connecteur faisceau
(a) Interface relle
(b) Interface modlise sous CST
Figure 4.24 Interface entre ports de mesure et le cble caractriser

L'interface a t modlise sous CST Microwave (Figure 4.24), de manire extraire la matrice [S] de la structure. En utilisant l'outil [Ide 09], comme dj voqu pour les composants, un modle bote noire de cette interface peut alors tre cre sous Pspice. Les rponses lectriques de la structure seule ont t valides par confrontations entre simulations et mesures. Pour raliser ces mesures, deux interfaces ont t directement relies entre elles, sans faisceau entre. Cela permet de s'interfacer avec le VNA notamment pour la ralisation des mesures en transmission. Quelques rsultats reprsentatifs sont donns Figure 4.25, et mettent en vidence une bonne prdiction des comportements lectriques principaux, avec des carts maximum observs de l'ordre de 2 dB, ce qui est tout fait satisfaisant de notre point de vue, et pour notre besoin.
7 dcembre 2010
207
10
2 20 S11 (dB) S21 (dB) 1 .10

7 1 .10 Frquence (Hz)
30
40 5 50
60 5 1 .10
1 .10
1 .10
7 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Mesure Simulation
Mesure Simulation
(a) Mesures en rexion (S11)
(b) Mesures en transmission (S21)
Figure 4.25 Rsultats de validation du modle de l'interface

Une fois l'interface dnie, caractrise et matrise, nous pouvons passer l'tude des faisceaux proprement dite. Ceux-ci sont mis en place tel qu'illustr Figure 4.26, et les direntes mesures sont ralises. Tous les ports inutiliss (autres que ceux en interface avec le VNA) ont t chargs 50
. Aprs rexions, il semble qu'il s'agisse l du choix le plus per-
tinent en terme d'impdance de terminaison des ls. En eet, on peut considrer que dans les applications relles, les ls sont gnralement connects un PCB. Les tages d'entres des applications se composent typiquement de condensateurs de dcouplage en entre des cartes (entre 10 et 100 nF gnralement), qui en srie avec l'impdance de mode commun, va imposer une condition relativement basse impdance au-del de quelques dizaines de MHz. Bass sur la littrature, et en particulier sur les observations de [Castani 02], on s'attend ce que les eets des non uniformits cblage ne soient eectivement visibles sur les paramtres lectriques que au-del de quelques dizaines de MHz galement. Par usage et commodit, le choix du 50
a donc t tout naturel, en tant relativement reprsentatif.

VNA
Interfaces faisceau - VNA
Faisceau en caractrisation
Figure 4.26 Banc d'essai et mise en oeuvre des mesures sur faisceaux
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208
Les modles des faisceaux sont quant eux gnrs par un outil propritaire que nous aurons appel ANUBiS (Algorithm for Non Uniform Beam Simulation). Cet outil repose sur l'utilisation d'un outil open source, TNT [TNT Software ], qui permet de gnrer les matrices [L] et [C] partir de la dnition d'une coupe 2D de la structure laire. Le calcul est ralis par la mthode BEM . A partir de ces matrices et d'un calcul manuel pour les rsistances, on peut alors constituer une section lmentaire de la ligne, en prenant en compte toutes les interactions capacitives et mutuelles inductances entre les ls. An de gnrer la non uniformit, ANUBIS va simplement chaner les sections lmentaires, en reliant de manire alatoire les ports de sortie d'une section avec les ports d'entre de la section suivante. Notre outil ne va donc pas jouer sur la gomtrie, et ne va s'appuyer que sur la dnition d'une seule coupe. C'est le brassage des conducteurs entre les sections qui va tre l'origine de la non uniformit. On peut ainsi gnrer plusieurs modles de faisceaux, qui assembls avec les structures de transitions prsentes prcdemment, permettent de crer le modle complet de la conguration de mesure prsente Figure 4.26. Sur une population d'environ 30 faisceaux simuls et mesurs, on peut alors comparer les enveloppes des dirents paramtres lectriques nous intressant (Figures 4.27 et 4.28). La comparaison des enveloppes permet de valider notre technique, les enveloppes simules et mesures tant tout--fait comparables. Nous pouvons donc proposer des modles simples gnrer, tout en tant susamment reprsentatifs des comportements lectriques des cblages rels. Dans un objectif d'valuation de risque sur nos applications, ce niveau de prcision semble tout--fait susant et les cblages pourront tre modliss en utilisant dsormais cette technique. Ces modles seront galement r-utiliss dans le cadre de la modlisation du couplage champ cble.
10
10
20 S11 (dB) S21 (dB) 30
10
20
40
30
50 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
40 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Mesure min Mesure max Simulation min Simulation max
(a) Coecient de rexion
(b) Coecient de transmission
Figure 4.27 Comparaison des enveloppes - Simulations Vs Mesures

2. Boundary Element Method
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209
10
10
20 S21 (dB) S21 (dB) 1 .10

20
30
30
40
40
50
50
60 5 1 .10
1 .10
1 .10
60 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
(a) Coecient de Tl-diaphonie
(b) Coecient de Para-diaphonie
Figure 4.28 Comparaison des enveloppes - Simulations Vs Mesures

4.1.1.5 Modlisation de la pince d'injection
Plusieurs travaux relatant de la modlisation de
tat de l'art de la modlisation.
la pince d'injection pour le test BCI ont dj t raliss, et en particulier [Grassi 05, Duval 03, Grassi 07, Orlandi 06, Deobarro 09]. Les performances ou les cas d'application de ces modles sont cependant limits et nous auront motivs dvelopper un autre modle. On peut noter en particulier que : [Duval 03] est l'une des premires propositions de modles, mais soure d'une part d'une limitation en frquence vers 230 MHz, d'un manque de prcision au-del de cette frquence, et est limite un seul l pour l'injection. On retrouve nanmoins dans ce modle, les bases et la structure qui constitueront le modle de [Grassi 05, Grassi 07], ainsi que le modle que nous dvelopperons.
Figure 4.29 Modle de la pince BCI - [Duval 03]

Pour [Grassi 05, Grassi 07], le modle est prcis jusqu' 500 MHz, mais est d'une
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210
part limit une injection sur un seul l (Orient pour injection sur cbles blinds), et a surtout une description avec des inductances et mutuelles dpendantes de la frquence que l'on ne sait pas implmenter simplement dans Pspice. Les modles dvelopps ici sont utiliss sous Matlab, et incompatibles Pspice.
Figure 4.30 Modle de la pince BCI - [Grassi 05, Grassi 07]

Le modle de [Orlandi 06], est compatible Pspice mais est orient pour des injections sur faisceau blind (1 seul cble dans la pince d'injection, et interaction avec les cbles dans le blindage par l'impdance de transfert). Pour [Deobarro 09], l'approche par paramtres
[S]
est utilise et consiste, partir
d'une mesure brute sur une structure bien dnie, de gnrer un modle bote noire dans Pspice, avec un outil du type [Ide 09]. Cette technique adoptant une approche polynomiale pour reproduire sous Pspice les comportements des paramtres
[S], ore [S]
de bon rsultats mais nous considrons qu'il y a plusieurs limitations fondamentales avec cette dmarche. La premire est le fait que les mesures des paramtres
intgrent des lments de connexion entre la partie rellement modliser et l'appareil de mesure, qui sont trs diciles extraire en pratique par les oprations de de-embedding. La seconde concerne les prcisions de mesure des paramtres
[S]
l'analyseur de rseau. Mme si nous resterons sur une dmarche base sur la modlisation partir des mesures de paramtres
[S], nous estimons que le travail manuel de
modlisation permettra de corriger dans une certaine mesure ces sources d'erreurs, grce une extrapolation des comportements. Un dernier commentaire concerne la transversalit des modles. Avec une approche base sur la mesure et la gnration d'un modle sous forme de bote noire, le modle est alors g et ne peut pas tre modi pour s'adapter des volutions de congurations telles que le changement du nombre de ls, les caractristiques des cbles (torsades notamment), la position de la pince d'injection sur le faisceau etc.
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211
Nous avons suite cette tude critique de la bibliographie, dni notre cahier des charges pour nos travaux de modlisation de la pince d'injection. les principales caractristiques / contraintes que l'on s'est x sont : D'avoir un modle valide jusqu' 400 MHz minimum, mais en tudiant une extension possible au GHz (an de couvrir les spcications de certains clients demandant la ralisation du test BCI jusqu' 1 GHz). De prendre en compte les injections multilaires. D'avoir un modle volutif / modulable (en fonction du nombre de ls et de la position de la pince sur le faisceau). Que le modle puisse tre implment dans Pspice.
Travail de modlisation de la pince.
Le point de dpart de nos travaux de mod-
lisation partiellement prsents dans [Lafon 07b, Lafon 08b], est l'analyse visuelle de la structure de la pince d'injection, an d'en proposer un modle quivalent proche de la physique. Le modle de pince tudi correspond celui utilis dans notre laboratoire (Pince FCC F140A), et les photos de la pince dmonte sont donnes en Figure 4.31.
Figure 4.31 Structure interne de la pince d'injection

De ces observations nous pouvons en tirer des informations fondamentales pour la constitution de notre modle : La pince a une armature mtallique totalement ferme, permettant d'estimer que le couplage avec les ls passant l'intrieur de la pince ne sera que magntique. Le couplage capacitif sera en eet limin par la connexion la masse de la carcasse mtallique de la pince. La pince peut donc simplement tre considre comme le primaire d'un transformateur, le secondaire tant constitu par le cblage passant dans la pince. La pince n'est constitue que d'une seule spire de 12 cm de longueur (dplie). En espace libre cela permettrait de n'envisager l'apparition de la propagation qu'au-del de 500 MHz. La modlisation de cette spire comme une simple cellule LC devrait donc permettre de sure couvrir la gamme de frquence vise. Le modle de dpart de la pince suggr (Figure 4.32), correspond donc globalement aux structures de [Duval 03, Grassi 07]. Les dirences principales tant que dans notre
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212
modle, les inductances sont constantes et que les rsistances (R3 et R1) sont dpendantes de la frquence. Ces rsistances sont censes traduire les pertes magntiques dans la ferrite (R1), ainsi que les pertes par eet de peau (R3).
R2
R1
L2
0
R3 C2 C1
L1
Connecteur N
Spire
Figure 4.32 Modle suggr de la pince d'injection

An de dimensionner les dirents lments de ce modle, une mesure du
S11
sur
la pince seule est ralise, et permet d'extraire l'impdance ramene en fonction de la frquence (Figure 4.33). A partir des comportements on peut valider tout d'abord la structure du modle propos, et extraire les valeurs des dirents lments. En basses frquences, on observe une croissance en 20 dB/dcade, reprsentative du comportement d'une inductance, et en prenant en compte un point sur la courbe on peut en dduire sa valeur. Ensuite, vers 30 MHz, on observe une rsonance, qui permet d'extraire la rsistance parallle faisant partie du modle de la spire, ainsi que la capacit parasite. Au del de 300 MHz, on retrouve nouveau un comportement inductif assimil l'inductance du connecteur, qui est son tour court circuit au-del de 600 MHz par une capacit parasite.
3
Impedance_mesure Impdance_simule
Figure 4.33 Impdance ramene en entre de pince - Mesure Vs Simulation

Les rsistances de notre modle sont ensuite ajustes en prenant en compte leurs dpendances frquentielles et en travaillant cette fois sur les volutions des parties relles et imaginaires de l'impdance (La prise en compte du module seul masque un certain nombre d'informations). Le modle nal ainsi tabli est donn Figure 4.34, et les comparaisons simulations / mesures en Figures 4.35 et 4.36.
01. 1
01. 1
01. 1
)zH(F
01. 1
01. 1
01. 1 1
001
01
01. 1
( O h m s ) I m p d a n c e
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213
LE5 R70 1k 4.3e-6
R2(f)
R55 1e-6 H13 H E13 OUT+ OUTEFREQ V(%IN+, %IN-) IN+ INC55
LS6 28.5nH
0
8.25pF
C56 2.9pF
+ -
R1(f)
R57
0
H14 H
+ -
1e-6
E14 OUT+ OUTEFREQ V(%IN+, %IN-) IN+ IN-
(0,0,0)(0.01Meg,0.01,0)(0.08Meg,0.001,0)(10Meg,0,0)(300Meg,0,0)(500Meg,1,0)(730Meg,100,0)
(0,0,0)(1Meg,220,0)(2Meg,250,0)(3Meg,250,0)(6Meg,195,0)(10Meg,220,0)(35.4Meg,355,0)
Figure 4.34 Schma dvelopp pour la pince d'injection

002
3
Partie Relle Mesure Partie Imaginaire Mesure
Figure 4.35 Comparaisons simulations / Mesures du modle de pince
GridZ Mesure Simulation
Figure 4.36 Comparaisons simulations / Mesures du modle de pince - Abaque de Smith

7 dcembre 2010
)zH( F
Partie Relle Mesure Partie Relle Simule
01. 1
01. 1
01. 1
01. 1
01. 1
01. 1 002
001 P a r t i e I m a g i 0 n a i r e ( O h m 001 s )
01. 1
01. 1
01. 1
)zH( F
01. 1
01. 1
01. 1
001 01 1.0 P a r t i e r e 1 l l e ( O h m s ) 10.0

3
01. 1 01. 1
214
Les rsultats obtenus sont corrects au moins jusqu' 700 MHz. Au-del des divergences sont constates sur la partie imaginaire de l'impdance ramene (galement visible sur l'abaque de Smith). Nous considrerons que ce modle est susant pour poursuivre notre travail. Le modle du primaire tant maintenant dvelopp, il nous faut tablir le modle du secondaire, et dimensionner le couplage entre ces deux parties. Pour cela, nous allons tout d'abord modliser le JIG partir de mesures l'analyseur de rseau sur la structure. Le JIG utilis est particulier et dvelopp spciquement pour cette tude. Il correspond un JIG traditionnel dans lequel le l central peut tre remplac par 1 4 ls termins par des connecteurs SMA. Le modle est dcoup en trois lments, extraits successivement : Le connecteur SMA est caractris et modlis seul (Mesure en CO et CC). La partie du l non coupl est extraite par une mesure sans la pince d'injection, puis en faisant le rapport entre la longueur du l non coupl avec la longueur totale. La partie du l coupl est extraite d'une mesure du l avec la pince en position (pince en CO), puis en enlevant les contributions des deux parties prcdentes. Au nal le modle du JIG pour un seul l est donn en Figure 4.37
Connecteurs SMA
Partie couple
1.2nH
32.4nH
5.13uH
32.4nH
1.2nH
0.97pF
1pF
0.8pF
0.8pF
1pF
0.97pF
Parties non couples
Figure 4.37 Modle du JIG - Structure 1 l

La dernire tape est maintenant de coupler le JIG la pince, et donc de dimensionner le coecient de couplage entre l'inductance de la spire de la pince et l'inductance du l passant dans la pince. Ce coecient est extrait pour une mesure en transmission (S21 ), en connectant le port 1 de l'analyseur de rseau en entre de la pince, le port 2 un des connecteurs SMA connect au l dans la pince, et en connectant l'autre extrmit de ce l en court circuit (choix arbitraire, puisque toutes les congurations de charges sont censes permettre d'extraire le mme coecient de couplage). Il s'agit de la conguration prsente en Figure 4.38, dans laquelle la charge correspond au court circuit. En partant du principe que le coecient de couplage devrait tre proche de 1 (transformateur idal au rapport 1 :1), on part de cette valeur en simulation et on l'ane jusqu' converger entre mesure et simulation.
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215
0 0
IN+ INV(%IN+, %IN-) R71 1k H H16 1e-6 R58 C63 EFREQ OUT+ E16 OUT+ -
PORT 1 - VNA
LS7 R72 50 V1 2 0Vdc C64 2.9pF 28.5nH H15 H
R56 1e-6 E15 OUT+ OUTEFREQ V(%IN+, %IN-)
0
8.25pF
+ -
IN+ INL5
0 0
4.3e-6
K K1
PORT 2 - VNA
VDB
K_Linear COUPLING = 0.9968 L1 = L5 L2 = L29 L29
Coefficient de couplage
Charge - CO - CC ou 50 Ohms
R73 50
1.2nH
32.4nH
5.13uH
32.4nH
1.2nH
R74 50
0.97pF
1pF
0.8pF
0.8pF
1pF
0.97pF
JIG
Figure 4.38 Conguration de mesure pour l'extraction du coecient de couplage entre

la pince et le JIG La valeur extraite dans cette conguration doit donc permettre de valider les autres congurations de charges, et en particulier les charges circuit ouvert et 50
Les rsultats
obtenus sont donns Figure 4.39, et valident notre modle pour ces congurations que nous qualions ici de premier niveau.
(a) Mesure avec charge = Court circuit (CC) (b) Mesure avec charge = Circuit Ouvert (CO)
0
(c) Mesure avec charge = 50 Ohms
Figure 4.39 Validation en conguration 1 l - Fonctions de transfert pour direntes

congurations de charge du l
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01. 1
01. 1
01. 1
)zH( F
01. 1
01. 1
noitalumis noitaunttA erusem noitaunttA
01. 1
01. 1
01. 1 051
01. 1
0 001 05 )zH( F S| 2 1| ( d B )
6
01. 1
01. 1
01. 1
01. 1
01. 1 05
01. 1
01
03 | S 2 1| ( d 02 B )
04
)zH( F
01. 1
01 . 1
01. 1 08
0 02 S| 2 04 1| ( d B ) 06
216
Dans le prochain paragraphe, nous allons tudier la validation de notre modle dans des congurations et suivant des critres plus proches des besoins du test quipement.
4.1.1.6
Validations
Validation des paramtres
[S] sur JIG multiports.
Les paramtres du modle ont
jusqu' prsent t extraits pour un seul l dans la pince. On se propose d'valuer la robustesse de notre modle dans le cas de plusieurs ls au secondaire, si on pose les hypothses / conditions suivantes : On suppose que le coecient de couplage entre la pince et chaque l est le mme que pour le cas de l'injection sur 1 seul l. Les couplages entre les ls (mutuelle et capacits) l'intrieur de la pince ont t extraits pour une conguration 2 ls. Pour la suite on suppose que pour N ls, ces couplages restent du mme ordre de grandeur. En pratique, on estime que audel de 10 ls, une telle approximation n'est plus raliste, cependant, comme le positionnement des ls les uns par rapport aux autres dans la pince n'est pas matris, et qu'il s'agit d'un paramtre statistique, le fait de considrer ce paramtre constant pourrait se retrouver comme tant un cas parmi cette statistique. Cette hypothse mriterait d'tre valide, mais ne peut tre envisage dans le cadre de cette thse. Pour la plupart des quipements sur lesquels nous travaillerons, cette limitation 10 ls permettra de couvrir dj un nombre de cas important.
Dans les cas de 2 4 ls, lorsque l'on mesure une fonction de transfert entre la pince et le niveau induit sur un des ls, les autres ls peuvent tre chargs de direntes manires. Ne pouvant pas couvrir au-del de 2 ls tous les cas possibles, on se limitera ici prsenter quelques rsultats reprsentatifs Figures 4.40 4.43, et permettant de valider globalement notre modle et ses approximations pour de l'injection multilaire.
20 |S21| (dB) |S21| (dB) 40
50
100
60 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
150 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
Attnuation mesure Attnuation simulation
(a) Mesure avec charge = Court circuit (CC)
(b) Mesure avec charge = Circuit Ouvert (CO)
Figure 4.40 Validation en conguration 2 ls - Charge deuxime l en CO / 50 Ohms

- Fonctions de transfert pour direntes congurations de charge du l (1/2)
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0
217
10
|S21| (dB)
20
30
40
50 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
(a) Mesure avec charge = 50 Ohms
Figure 4.41 Validation en conguration 2 ls - Charge deuxime l en CO / 50 Ohms

- Fonctions de transfert pour direntes congurations de charge du l (2/2)
20 50 |S21| (dB) |S21| (dB) 100 60 1 .10 1 .10 1 .10 F (Hz) 1 .10 1 .10 150 4 1 .10
40
80 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
(a) Mesure avec charge = Court circuit (CC)
(b) Mesure avec charge = Circuit Ouvert (CO)
Figure 4.42 Validation en conguration 4 ls - Charges autres ls en CO / 50 Ohms Fonctions de transfert pour direntes congurations de charge du l
20 |S21| (dB) 40 60 4 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
(a) Mesure avec charge = 50 Ohms
Figure 4.43 Validation en conguration 4 ls - Charges autres ls en CO / 50 Ohms Fonctions de transfert pour direntes congurations de charge du l
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4.1. Modlisation des couplages Linarit du modle.
218
Le modle qui a t tabli, est bas sur l'extraction de para-
mtres issus de mesures au VNA. Il s'agit donc de mesures dtes faible signal, et l'on peut se poser la question de la validit de notre modle lorsque des signaux de forts niveaux seront injects dans la pince. La pince repose sur l'utilisation d'une ferrite, qui comme tout matriau magntique va prsenter des proprits de saturation. An de valider notre modle d'une part, et cet aspect linarit, on se propose de simplement rejouer en simulation le chier de calibrage (Puissance incidente en fonction de la frquence) permettant d'obtenir un courant calibr de 100, 200 ou 300 mA sur JIG. Le schma de la Figure 4.44, correspondant l'injection pour 100 mA, est utilis pour extraire le courant mesur sur une charge 50
. Cette disposition correspond au set-up pour le calibrage du banc BCI. Le
modle de l'amplicateur reproduit simplement le chier de calibrage permettant exprimentalement d'obtenir le courant souhait. Le contenu de ce modle a t dtaill dans la partie 4.1.1.2.
Source amplificateur 50 Ohms Fichier de calibrage 100 mA sur JIG

U3 AMPLIFIER_SOURCE_BCI_100_MA
50 Ohms
GND
R3 50
PROBE_1_WIRES U4
R4 50
Figure 4.44 Schma Pspice pour validation du critre de linarit

Le modle dvelopp de la pince est intgr dans une bote noire dans Pspice, et charg par deux 50
correspondant aux charges prsentes pendant le calibrage sur JIG. Le
courant thorique devrait donc tre de 100, 200 ou 300 mA, suivant la conguration mise en oeuvre, et les rsultats obtenus en simulation Figure 4.45 valident notre modle, et le fait qu'il n'y a pas d'eet de saturation li au matriau magntique. Cette exprience permet de valider plusieurs points importants : Les courants sont correctement prdits dans une enveloppe de MHz (Figure 4.45). Les carts entre la simulation et la pratique sont exactement les mmes, quelque soit le niveau inject. Cela montre qu'il n'y a donc absolument aucun eet signicatif de saturation et de non linarit sur la pince utilise. En conclusion les carts observs sont donc lis, la prcision sur la puissance extraite pendant la phase de calibrage (en gnral une tolrance de 0.2 dB sur le courant est utilis lors du calibrage), ainsi qu'aux erreurs et approximations sur la modlisation.
GND
K=1
dB jusqu' 400
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219
(a) Courants obtenus en simulation pour les consignes(b) carts en dB pour chaque conguration entre cou100, 200 et 300 mA rants de consigne et rels
Figure 4.45 Rsultats de simulations du courant obtenu sur JIG en phase de calibrage
Prdiction du courant de mode commun en conguration quipement.
An
de valider les direntes techniques de modlisation que nous avons dveloppes dans ce chapitre, et en particulier leur assemblage, nous avons valu la capacit de prdiction du courant de mode commun dans une conguration relativement simple, mais susamment complexe pour mettre l'preuve les dirents modles. Notre conguration d'essai consiste en une injection sur un l de 1 mtre, reli d'un ct un RSIL court circuit au plan de masse ct batterie, et au plan de masse d'un PCB de 10 x 10 cm de l'autre ct. La pince d'injection est place 15 cm du RSIL et le courant de mode commun est mesur 5 cm de la carte.
Pince de mesure du courant
RSIL PCB 10x10 cm
Pince d'injection BCI
Figure 4.46 Conguration de la mesure du courant de mode commun

An de ne pas complexier le post traitement, on injecte en boucle ouverte un courant de 200 mA. C'est dire que la puissance qui est injecte (en substitution) correspond
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01. 1
01. 1
)zH( F
01. 1
01. 1 2
2 1 0 1
E c a r t s e n d B ( t h o r i q u e / s i m u l a t i o n )
9
01. 1
01. 1
)zH( F
01 . 1
01 . 1 0
4.0 3.0
r 2.0 n a t
1.0
( A ) C o u

celle ncessaire pour avoir exactement 200 mA sur JIG (boucle de 100
220
).
Le schma
quivalent, correspondant l'utilisation des dirents modles dvelopps jusqu' prsent, est donn Figure 4.47. Le l est simplement modlis avec une ligne de transmission sans pertes, dont les caractristiques ont t extraites par la mesure (Zc=240 m.s
et v=2.4x10
1 ).
OUT_AMPLI
Impdance de mode commun

LISN_RS_1GHz _ 2010 A (DUT) P 0 0 Z0 = 240 TD = {0.15/2.4e8} 0
GND I
50
0 Z0 = 240 TD = {0.85/2.6e8}
0 Z0 = 240
0 TD = {0.05/2.6e8}
6.23e-12 62e-9
2.84
RSIL court circuit
Fil portion 15 cm
Amplificateur et pince injection
Fil portion 90 cm
Figure 4.47 Schma quivalent Spice du dispositif de la Figure 4.46

La confrontation simulation / mesure est donne Figure 4.48 et permet de valider nos techniques de modlisation. Les rsultats sont satisfaisants et les carts obtenus ne semblent pas critiques compte tenu de la dispersion observe lors des mesures. En eet, si on reproduit plusieurs fois la mesure, on observe une dispersion sur les rsultats, et en particulier au del de 200 MHz. Ces eets sont relativement connus et sont lis plusieurs paramtres tel que le positionnement de la pince d'injection (centrage et angle vis--vis du l), stabilit de la mesure, positionnement de la pince de mesure, rexions sur les parois de la cage etc.
1
Courant de mode commun (A
0.1
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
Mesure Simulation
Figure 4.48 Confrontation simulation / mesure du courant de mode commun
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221
4.1.2 Modlisation du test d'immunit au champ rayonn

Le test d'immunit au champ rayonn, consiste illuminer par un champ lectromagntique un systme compos d'un cblage, d'un quipement et de ses charges (Figure 4.49). Cet essai est gnralement ralis dans une chambre semi anchode, en suivant la mise en place de ces dirents lments, tel que dni dans la norme de rfrence [ISO 04]. Ce standard prcise en particulier la longueur du cble (gnralement 1m50), sa disposition au-dessus du plan de masse (5 cm de hauteur et 10 cm du bord de table), et le positionnement de l'antenne (place 1 mtre et visant le milieu du faisceau). Tout comme pour la BCI que nous venons de dtailler, la mise en oeuvre de ce test a galement des variantes suivants les spcications clients. Ces variantes concernent en particulier les niveaux de champs demands, ainsi que le positionnement de l'antenne en face de l'quipement. Au-del de quelques centaines de MHz, les couplages deviennent dominants sur les structures de petites dimensions, et donc en particulier sur les PCB (en lien avec les longueurs d'ondes mises en jeu). An de favoriser ces couplages, les antennes, qui sont gnralement directives, sont dportes en face des quipements partir de frquences variant entre 800 MHz et 1 GHz. Il s'agit vraisemblablement d'une conguration trs dicile apprhender en terme de modlisation avec les techniques de simulations simples, telles que celles dveloppes jusqu' prsent. Ceci ne sera par consquent pas trait dans le cadre de cette thse, mais nous suggrons qu'une approche statistique des choses devrait tre ncessaire an de prendre en compte des architectures PCB typiques, et les niveaux de perturbations potentiels que l'on peut ramener sur ces dits PCB. Nous ne rentrerons pas dans ces dtails qui nous semblent du second ordre ici, et nous nous focaliserons sur les couplages dominants sur le cblage, jusqu' 1 GHz.
quipement Sous test Batterie RSIL / Charges
Plan de masse E k H
Antenne
Figure 4.49 Schma de principe du test d'immunit au champ lectrique

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222
Tout comme pour le test BCI, la modlisation de cet essai va s'appuyer sur une dcomposition en sous lments mis en oeuvre lors de ce test. Un certain nombre d'lments ont d'ores et dj t dvelopps dans la partie sur la BCI, et en particulier les techniques de modlisation des faisceaux, des RSIL... Nous ne reviendrons donc pas sur ces lments, pour nous focaliser exclusivement sur la prise en compte du couplage du champ sur le cblage.
4.1.2.2
Modlisation - bases thoriques
La modlisation de l'interaction d'une onde lectromagntique sur une ligne de transmission est un sujet largement dvelopp dans la littrature. Sans rentrer dans les dtails thoriques, rappelons simplement ici quelques donnes fondamentales sur lesquelles nous nous appuierons dans nos travaux. [Nucci 07] est un article de rfrence sur le sujet, car il propose une synthse trs complte et dtaille des direntes approches dveloppes. Les trois approches proposes correspondent celles connues sous les noms de Taylor [Taylor 65], de Rachidi [F.Rachidi 95] et d'Agrawal [Agrawal 80]. Le principe des formulations proposes consiste de partir des quations des tlgraphes (Annexe A), et de rajouter des termes sources correspondant aux eets des champs lectrique et / ou magntique (Interactions champ / structure bases sur les quations de Maxwell). Les formulations vont se direncier par les expressions des champs excitateurs considrs. Alors que Taylor prend en compte les champs lectrique et magntique, Rachidi ne s'appuie que sur le champ magntique (l'eet du champ lectrique reste pris en compte mais n'apparat pas de manire explicite dans les quations de couplage). Agrawal enn s'appuie sur le champ lectrique seul (avec prise en compte implicite du champ magntique).
I(x)
h 0
e L'dx E x(x,h)dx I(x+dx) + -
Ez (0, z)dz ZA 0 x x+dx L V (0)

S
+ V (x)
S
+ C'dx
S S V (x+dx) V (L)
h e Ez (L, 0
z)dz
ZB
Figure 3: Equivalent circuit of Figure 4.50 Circuit quivalent a lossless single-wire overhead line excited by ande transmission du couplage d'un champ sur une ligne electromagnetic Modle d'Agrawal field. Agrawal et al. model.
Ces interesting des consquences involves only electric field components of the exciting field It is alsochoix ont to note that this model majeures sur les modles et en particulier sur les
ex-
pressions des termes sources et des conditions as a source term in thenotera en particulier que and the exciting magnetic field does not appear explicitly aux limites. On coupling equations. les modles de Taylor et de Rachidi intgrent dans ces termes sources, des dpendances frquentielles, ainsi que des dpendances aux valeurs des paramtres liniques de la ligne (L ou C). Ces particularits rendent dicile leur implantation the Taylor outil models, has Another form of coupling equations, equivalent to the Agrawal et al. and to dans un et al. de simulation tel que Pspice. Notre[7]. In this model, tourn exciting magnetic field components appear explicitly been derived by Rachidi choix se sera only the vers le modle d'Agrawal, dont on prsente la structure functions in the equations: l'avantage d'avoir des termes sources uniquement dpenas forcing Figure 4.50, et qui a
2.3 Rachidi Model
dV ( x) dx dI s ( x)
j L' I s ( x )
0
e 1 h B x ( x, z )
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(25)
223
dants des amplitudes des composantes de champ Ex et Ez, ainsi que de la hauteur de la ligne (xe et connue). Bas sur notre exprience, les produits prsentent gnralement plus de sensibilits lorsque l'antenne de gnration du champ est en polarisation verticale. Ceci peut en particulier s'expliquer par le fait que le faisceau est proche du plan de masse ( 5 cm de hauteur), et que lie la condition aux limites Et=0, la composante de champ horizontale est gnralement attnue l'emplacement du faisceau dans sa conguration de mise en oeuvre normalise. Nous ne nous sommes intresss qu' la polarisation verticale dans le cadre de nos travaux. Le champ excitateur est donc uniquement Ez thoriquement, et la composante de champ Ex devrait donc tre nulle, ou du moins de faible amplitude. Cela nous conduit une simplication du modle de la Figure 4.50, o le terme source dpendant de Ex pourrait donc tre priori nglig. Nous en reparlerons ultrieurement, et allons dj observer les rsultats que l'on peut obtenir aprs de telles considrations et simplications.
4.1.2.3
tude sur le couplage sur 1 l
An de pouvoir mesurer les tensions induites sur un l, nous avons d dvelopper et caractriser des interfaces (armatures), comme cela a t fait lors de l'tude sur les faisceaux. Avant de s'intresser au couplage du champ, nous avons modlis cette interface sur ses aspects conduits, an de reproduire ses comportements en propagation et rexion.
Figure 4.51 Conguration de mesure du couplage du champ sur le l de 1m50

Entre l'extrmit de ces parois et la ligne de transmission, il y a une zone non uniforme, de transition, o la propagation ne se fait pas en mode TEM , et o la modlisation est donc dlicate. Cela peut tre visualis sous CST Microwave, Figure 4.52. Sur cette gure, correspondant une vue de face de la structure, l'armature est gauche, le l est sur la partie suprieure (en bleu) et le plan de masse de rfrence est sur la partie infrieur. La ligne est attaque par un port plac entre le l et l'armature ( gauche). Le champ
3. Transverse Electromagnetic Mode

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224
lectrique ne devient perpendiculaire l'axe de propagation et l'axe du l qu'au-del de quelques centimtres. C'est cette transition que nous devons modliser an de reproduire les comportements lectriques particuliers que l'on observe en hautes frquences (attnuation lie aux dsadaptations Figure 4.54)
Figure 4.52 Zone de transition du champ li aux armatures

La technique choisie pour modliser cette structure consiste la dcomposer en 3 parties : les deux armatures d'une part, et la ligne sur sa partie o la propagation se fait bien en mode TEM d'autre part. Les armatures sont modlises en s'appuyant sur la proposition faite dans [Grassi 07], qui aura t confronte cette mme problmatique, mais jusqu' une frquence de 500 MHz uniquement. Le modle que nous avons nalement tabli pour nos armatures est prsent Figure 4.53. Il correspond une adaptation du modle prsent dans [Grassi 07], optimis pour corrler convenablement ces comportements lectriques. Nous avons en particulier redistribu les lments parasites pour se rapprocher des distributions que nous laisse envisager la Figure 4.52.
Vers ligne
1 2 1 2 1 2
Vers ligne
1 2 1 2
Port Mesure
Port Mesure
5.8e-9 3.76e-12
1
63e-9
0.44e-12
0.09e-12
13e-9
2
1.3e-9
0
2
(a) Structure du modle propos par [Grassi 07]
(b) Notre modle
Figure 4.53 Modle des parois

Les rsultats nalement obtenus en propagation et rexion de la structure compose de deux parois et de la ligne de 1m50 sont prsents Figure 4.54.
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1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
5
4
Impdance entre (Ohms)
100
S21 (dB) 15 20 1 .10

10
10
0.1 5 1 .10
1 .10
1 .10
25 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Simulation Mesure
Simulation Mesure
(a) Impdance ramene, ligne en CO
(b) Transmission
Figure 4.54 Validation du modle des parois + l de 1m50

Dans un deuxime temps, on peut alors s'intresser au couplage du champ sur ce l, en ne prenant en compte que la composante Ez du champ. Les gnrateurs d'extrmits de la Figure 4.50 sont alors optimiss jusqu' obtenir les corrlations de la Figure 4.55.
100
10
10
10 Tension induite (Volts) Tension induite (Volts)
1 Tension induite (Volts) 1 .10 Frquence (Hz) 1 .10
0.1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.01 8 1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
Simulation Mesure
Simulation Mesure
Simulation Mesure
(a) Charge 50
(b) Charge CC
(c) Charge CO
Figure 4.55 Confrontation simulation / mesure - Couplage du champ sur 1 l

Bien que prsentant des carts avec la mesure, ces premiers rsultats nous semblent tout--fait acceptables compte tenu de l'eort de modlisation. Les rsultats semblent optimum dans cette conguration lorsque les gnrateurs sont paramtrs pour un champ quivalent de 100 V/m, au lieu des 200 V/m thorique. Nous voyons plusieurs raisons ce comportement, et en particulier le fait que l'antenne utilise est directive. Le champ thorique de 200 V/m que l'on a au point central du faisceau, dcrot sur les cts du fait de cette directivit. Le champ Ez n'est donc pas homogne, et ce qui semble tre important est rellement le champ sur les cts, qui compte tenu de la directivit sont eectivement d'amplitude moindre, et de l'ordre de la centaine de V/m. La deuxime raison importante tient au fait que le point d'talonnage du champ est dni comme tant 10 cm au dessus du plan de masse, alors que le faisceau lui est 5 cm. Cet cart peut galement expliquer nos observations.
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Nous observons cependant des carts entre mesures et simulations, qui bien que ne nous semblant pas critiques, mritent d'tre analyss dans une certaine mesure. Li l'eet du plan de masse (rsonances / diractions...), et la non perfection de la mise en polarisation verticale de l'antenne, nous observons une composante de champ E sur l'axe x (l'axe du faisceau). Ce champ peut tre mesur grce la sonde de champ servant l'talonnage, et nous conrmons l'existence d'une composante X du champ dont l'amplitude varie de 5 10 V/m sur la gamme de frquence. Les rsultats obtenus sont d'ores et dj acceptables et susants pour procder leur exploitation dans le cadre d'analyses au niveau quipement.
4.1.2.4
tude du couplage sur un faisceau complet
A partir des rsultats prcdents, nous pouvons avancer dans la dicult, en prenant en compte un faisceau complet compos de 10 ls. En reprenant la structure tudie pour les aspects conduits des cblages (Figure 4.26), nous pouvons rajouter dans la modlisation les termes sources uniquement lis la composante Ez du champ, comme nous venons de le voir pour le cas d'une structure a un seul l. La composante Ex est de nouveau nglige. Le dispositif est donc plac en cage de Faraday en face de l'antenne, tel que cela a dj t prsent en Figure 4.51. Sur chaque l la tension induite par un champ incident thorique de 200 V/m peut tre obtenue. Ces rsultats bruts sont donns Figure 4.56.
10
10
Tension induite (Volts)
0.1
0.1
0.01 8 1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
0.01 8 1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
(a) Mesures (5 ls)

10 ls illumin par 200 V/m
(b) Simulations (10 ls)
Figure 4.56 Rsultats de mesures et de simulation sur la tension induite - Cas faisceau
Comme on peut le constater, ces rsultats sont quelque peu disperss, cela tant li la non uniformit des faisceaux ( la fois en mesure et dans nos modles gnrs par ANUBIS). An de pouvoir comparer ces rsultats, nous prsentons en Figure 4.57 la comparaison entre les enveloppes MIN et MAX obtenues en mesures et en simulations.
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10
0.1
0.01 8 1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
Simulation Min Simulation Max Mesure Min Mesure Max
Figure 4.57 Comparaison des enveloppes Simulations / Mesures de la tension induite

pour une illumination 200 V/m Ces rsultats semblent tout--fait satisfaisants, et plusieurs points doivent tre relevs : Ces rsultats montrent que les eets des non uniformits des faisceaux ont un impact sur les niveaux de perturbations coupls et ramens en extrmit des cbles. L'tude du couplage champ faisceau doit donc avoir un caractre quelque peu statistique, ce que nous avons tent de faire sur un nombre d'chantillons et de mesures restant cependant modeste. Les rsultats de simulations englobent les rsultats de mesures. Dans une dmarche d'valuations de risques, ces tendances sont acceptables, car il vaut mieux sur estimer que sous estimer un risque. Du fait des non uniformits et dispersions, les niveaux induits peuvent uctuer d'un facteur 10. Bien qu'une approche statistique par simulation permette galement de retrouver cette dispersion, dans le cadre d'analyses au niveau quipement, nous ne pourrons pas nous permettre de jouer autant de simulation. La dmarche que nous retiendrons sera de travailler avec un modle unique d'un faisceau non uniforme, et de grer ces eets de dispersions par la prise en compte de marges. Ces marges seront par consquent d'un facteur 10, correspondant nos observations.
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4.2. Cas d'tudes - Exploitations et validations
228
4.2 Cas d'tudes - Exploitations et validations

Dans cette partie nous souhaitons prsenter quelques cas d'exploitations des direntes techniques que nous avons dveloppes. Ces cas reprsentent soit des validations pour nos travaux, soit des illustrations des capacits et perspectives d'utilisation oertes par les dirents outils que nous avons mis en place.
4.2.1 Cas d'tude 1 - Capteur eet Hall sur structure Lead Frame
Pour ce cas d'tude nous resterons volontairement vasifs sur les rfrences des composants utiliss, s'agissant d'applications relles VALEO, soumises condentialit. C'est surtout la dmarche qu'il nous importe d'illustrer ici, sur ce composant, en mettant en vidence les apports des techniques que nous avons dveloppes sur des cas pratiques.
4.2.1.1
Introduction
Ce cas d'tude est particulirement intressant car il traite d'une problmatique qui est souvent sujet polmique entre les quipementiers et les fournisseurs de circuits intgrs : la rpartition de la contrainte CEM. Dans certaines applications capteurs, les composants utiliss ne peuvent pas, pour des questions de cots, tre installs sur des PCB, et on voudrait pouvoir interfacer au moindre cot ces composants aux cblages. Dans de telles congurations, on demande par consquent ces composants de supporter toute la contrainte CEM, sans avoir de possibilits de ltrages externes qu'autoriseraient l'usage d'un PCB. Cela est par consquent trs svre et inhabituel pour le fondeur... d'o la polmique. Avant de se lancer dans une telle architecture, il aura t indispensable de vrier la viabilit d'une telle technique et d'estimer ce que cela reprsente rellement en terme de contraintes pour le composant. C'est ce que nous allons dcrire et discuter dans cette partie. Nous allons galement mettre en avant que l'utilisation de toutes les techniques que nous avons dveloppes au sein de cette thse peuvent tre exploites pour une approche de conception (dite bottom up), mais galement pour raliser une dclinaison des besoins du systme jusqu'au composant (spcication ou approche dite top down). Par la simulation, nous pouvons galement dterminer le besoin en terme de performances DPI pour un composant par exemple. Le cas d'tude est donc un capteur eet Hall, plac directement sur une structure lead frame (ou languette plie), tel que prsent Figure 4.58. Cette structure ne permet pas l'utilisation de composants CMS, et en particulier de condensateurs cramiques, gnralement ncessaires et utiliss pour assurer des fonctions de ltrages des perturbations hautes frquences. Les seuls composants envisageables sont des condensateurs traversants qui de plus, ne sont pas placs proches du circuit intgr, compte tenu des contraintes mcaniques.
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CI Capteur effet Hall
Connexions faisceau
Emplacements prvus pour condensateurs traversants
Figure 4.58 Capteur eet Hall mont sur structure Lead Frame
Nous allons dans cette section valuer la robustesse de ce capteur en conguration normalise d'essai quipement, et dterminer les niveaux ncessaires que devrait tenir ce type de composant pour permettre la conformit.
4.2.1.2
Caractrisation et modlisation de l'immunit du capteur
Le composant cible identi pour cette application peut tre caractris en DPI, an de procder ensuite sa modlisation. Sa mise en oeuvre est ralise sur un PCB de test ddi, prsent Figure 4.59, et ayant les mmes caractristiques / principes que le PCB gnrique dvelopp pour ce type d'exercice, et que nous avons prsent dans le Chapitre 3. Le composant est plac en face d'une roue dente, ce qui permet de le tester dans un mode dynamique, avec une succession d'tats de dtection et de non dtection. L'tage de sortie nous donne alors l'image de la bonne dtection du capteur, en dlivrant un signal en crneau dont les caractristiques sont directement lies la vitesse de rotation de cette roue dente.
Vers RSIL et alimentation Capteur sous test Connecteur SMA Surveillance signal fonctionnel 10k 3.3k
Point injection DPI
Rseau d'injection 1 nF // 470 nF
Bias Tee (Ferrites)
Roue dente
Vers RSIL et alimentation
Figure 4.59 Mise en oeuvre du capteur eet Hall

L'amplitude de ce signal passe de 0 Volt (dtection) 12 Volts (tension d'alimentation du pull up en cas de non dtection). Des critres sont alors xs pour valider le bon fonctionnement du composant dans ce mode dynamique, en amplitude ( 500 mV de
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230
tolrance autour d'un signal obtenu hors perturbation), et en Jitter ( 10 s). Ces critres correspondent ceux dnis par le projet. Il n'y aura donc pas dans ce cas d'interrogations quant la transversalit du modle, ces critres correspondant bien aux besoins des essais au niveau quipement. La caractrisation DPI permet alors d'tablir, pour une injection sur la broche d'alimentation, la courbe de susceptibilit de la Figure 4.60. Seules les informations relatives la broche d'alimentation seront dtailles dans ce cas d'tude, mais an de raliser une valuation complte, la broche de sortie du composant a galement t caractrise et soumise au processus de modlisation.
50 45 40 35 Pi ( dBm ) 30 25 20 15 10 5 0 1 10 F ( MHz ) 100 1000 Maximum injected level
Figure 4.60 Rsultat DPI sur la broche d'alimentation du capteur eet Hall
An d'extraire la puissance transmise seuil engendrant un dfaut, et constituant le IB de notre modle d'immunit, le PDN est extrait par la mesure au VNA, suivant les techniques que nous avons dveloppes au Chapitre 2.
10
P active (Watts)
0.1
0.01
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Figure 4.61 Puissance transmise seuil pour l'entre d'alimentation du capteur

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231
La conguration de mise en oeuvre du composant est alors galement modlise, suivant les techniques dveloppes dans les Chapitres 2 et 3. Il est alors possible d'extraire la puissance transmise seuil pour l'entre d'alimentation de notre capteur, sur la gamme de frquence de 1 MHz 1 GHz (Figure 4.61).
4.2.1.3
Simulation du test quipement

Le modle du capteur peut maintenant
valuation de la robustesse de l'application.
tre intgr dans la modlisation complte de mise en oeuvre du test BCI et d'immunit au champ rayonn. Les modles des dirents lments (pince d'injection, RSIL, faisceau etc.) sont ceux qui ont t dvelopps dans les parties prcdentes. La modlisation du test BCI pour ce cas d'tude est prsent Figure 4.62. Sur ce schma apparat en particulier l'impdance de mode commun qui devra tre paramtre suivant le support considr pour accueillir le composant sous test. L'utilisation d'un PCB ou d'une structure lead frame, va impacter les valeurs de ce paramtre. Nous reviendrons plus loin sur cet aspect intressant des choses.
Amplificateur - Pince d'injection et cblage Charges et RSIL LISN_RS_1GHz _ 2010
A (DUT) P
K=4
AMPLIFIER_SOURCE_BCI_200_MA
50 Ohms
Modle capteur
Sortie
GND
50
3.3k LISN_RS_1GHz _ 2010

A (DUT) P
C5 10e-12
0.09e-12
0
2
19e-12 12 5e-9 3fils_90cm_NU

1 2 3 4 32 33 34 212 213 214 6 7 8
I
0
50
GND
3fils_10cm_NU
GND
31
2 3 4
5 6 7
23 24 25
6 7 8
MPCB
GND
V-
VBAT
1e-12
LISN_RS_1GHz _ 2010
BATTERIE12V
(DUT) P
0 0 PROBE_3_WIRES
130e3
15e-12 3e-9
50
2
MPCB
15 1e-12 Alim 50e-9

1
V+
Impdance de mode commun
12
Figure 4.62 Modlisation de la mise en oeuvre du test BCI sur le capteur

Le mme schma peut tre ralis pour l'immunit au champ, en intgrant les gnrateurs de couplage tel que nous l'avons dvelopp dans le prsent chapitre. Nous ne nous attarderons pas cependant sur cet essai, car dans le cas du capteur nous n'avons pas valu de risque particulier durant cet essai. Les puissances transmises au composant tant bien infrieures la puissance transmise seuil que nous venons de dterminer. Ces rsultats sont vris par l'exprimentation, o aucun dfaut n'est eectivement apparu durant les essais d'immunit au champ rayonn. A partir du schma tabli pour la simulation BCI, nous pouvons maintenant valuer la puissance transmise au composant, pour une injection 200 mA (gabarit 200 mA en utilisant la mthode en boucle ferme, tel que dnie dans [PSA Peugeot Citron 08]). Cette puissance peut alors tre compare au seuil issu de la caractrisation du composant.
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232
Comme nous pouvons le voir en Figure 4.63, il y a plusieurs frquences o la limite est dpasse, et o le capteur devrait donc prsenter des dfauts en exprimentation.
10
0.1
P active (Watts)
0.01 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10

3
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Puissance transmise seuil (issue de la caractrisation DPI) Puissance transmise pendant le test BCI (gabarit 200 mA)
Figure 4.63 Puissance transmise au composant en essai BCI Vs Seuil d'apparition de

dfaut issu de la caractrisation DPI du composant Ces rsultats peuvent alors tre manipuls pour permettre une comparaison avec des rsultats exprimentaux. Nous avons choisi de comparer les puissances incidentes mettre en jeu en simulation pour atteindre la puissance transmise seuil, avec la puissance incidente mise en jeu exprimentalement pour produire des dfauts. Les rsultats obtenus sont prsents en Figure 4.64.
100
Puissance incidente (Watts)
10
0.1 6 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
Puissance incidente maxi mise en oeuvre en essai BCI Puissance incidente ncessaire pour provoquer un dfaut Experimentation - Puissance incidente dfaut
Figure 4.64 Prdiction de l'immunit en essai BCI Vs rsultats exprimentaux

Ces rsultats amnent plusieurs commentaires :
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On voit tout d'abord que des dfauts sont bien observs aux frquences au del de 180 MHz, o la puissance transmise dpasse le seuil de sensibilit du composant. Mme si certains dcalages en frquence peuvent tre observs sur les dfauts attendus, et mme si les amplitudes ne sont pas rigoureusement identiques entre mesure et simulation, ces rsultats nous semblent trs acceptables. Ils permettent bien de prdire des sensibilits de notre produit dans cette conguration. Alors que des dfauts taient attendus vers 80 MHz, l'exprimentation n'a pas conrm cette attente. Nous savons, puisque dmontr lors de la construction de nos dirents modles composant le test BCI, que les rsultats peuvent aisment varier jusqu' une dizaine de dB du fait des dispersions sur les comportements lectriques non dterministes des cbles. Nous n'avons pas dmontr que cette observation est lie ce phnomne, mais notons galement que le risque est ici surestim, ce qui est prfrable dans une phase de prdiction de risque. Rien ne permet cependant de statuer que cela soit une tendance systmatique. D'un point de vue produit, ces rsultats montrent que la sonde seule ne peut pas supporter le besoin quipement, et que des ltrages doivent tre rajouts pour durcir l'quipement. La prochaine tape de ces travaux est maintenant d'estimer si des condensateurs traversants, positionns sur la structure Lead Frame, et non pris en compte jusqu' maintenant, peuvent orir un gain susant pour notre application.
Au-del de cette valuation de risque, la mise en place d'un tel modle permet de raliser un certain nombre d'analyses intressantes, et en particulier d'identier l'inuence de paramtres tel que l'impdance de mode commun. On peut en eet se poser la question de savoir quel est l'impact d'un PCB, de sa taille, ou bien d'une structure Lead Frame sur les niveaux de perturbations ramens au niveau du composant, du fait de leurs impacts sur cette impdance de mode commun. Avec le modle mis en place Figure 4.62, on peut raliser une analyse paramtrique sur la valeur de la capacit constituant l'impdance de mode commun. Ces rsultats, pour 0.5 pF, 2 pF et 5 pF sont prsents en Figure 4.65. On voit clairement apparatre une tendance laquelle on pouvait s'attendre, o la puissance transmise augmente lorsque la valeur de la capacit de mode commun augmente. Nous nous attendions un tel rsultat, car c'est bien cette impdance qui permet la circulation du courant de mode commun lors de l'injection en BCI, et plus le courant est lev, plus on peut considrer que les perturbations ramenes au niveau du circuit seront galement leves. La mise en place de nos modles et nos travaux permettent de quantier plus prcisment cet impact, et dans le cas du capteur que nous tudions ici, cela permet de mettre en vidence que un PCB n'est pas une solution en soit ! Au contraire, le fait d'utiliser un PCB a tendance faire augmenter les niveaux de puissance transmise au composant. Ce n'est que parce que le PCB autorise l'utilisation de ltrages qu'il est en soit une solution intressante. Il s'agit d'une nuance pas toujours bien comprise par les personnes des projets qui peuvent voir dans un PCB une gomtrie plus saine...
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10 1 Puissance Transmise (Watts) 0.1 0.01 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10

3
1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
Impdance de mode commun C=0.5 pF Impdance de mode commun C=2 pF Impdance de mode commun C=5 pF
Figure 4.65 Inuence de l'impdance de mode commun sur la puissance transmise au

composant Enn, le modle va maintenant permettre d'estimer le gain et le statut lorsque l'on utilise des condensateurs traversants, tel que nous l'avons prsent Figure 4.58. Les modles des condensateurs correspondent ceux prsents dans le Chapitre 2, et la structure Lead Frame est en premire approche simplement modlise par un rseau d'inductances, dimensionnes en s'appuyant sur la gomtrie Figure 4.66, et sur une tendance de 0.9 nH/mm correspondant aux ordres de grandeur mesurs pour ce type de structure.
Modle Lead Frame + Condensateurs
Modle capteur
20e-9
1 1 2
Sortie
Condensateur 4.7 nF
5e-9
2 2
19e-12 12 5e-9
1 MPCB2 2
0.01 10e-9
1 1 2
4.7e-9
1
GND 1e-12 130e3
15e-9 6e-9
2
Condensateur 33 nF
0.01 33e-9
1 1
15e-12 3e-9 15
30e-9
2
Alim
Figure 4.66 Modle quivalent du composant avec la structure lead frame et condensateurs Si on observe et que l'on compare les puissances transmises au composant dans cette conguration, ou sans les condensateurs, on constate que leur eet n'est surtout visible que
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235
en basses frquences. Ces condensateurs, leurs valeurs et surtout leurs emplacements non optimiss ne permettent pas d'amliorer les rsultats BCI aux frquences que nous avions identies prcdemment comme problmatiques.
10 1 0.1 0.01
3 1 .10
P active (Watts)
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
4 5 6 7 8 9
10 11 12
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Puissance transmise seuil composant (Extrait DPI) Puissance transmise en essais BCI - AVEC condensateurs Puissance transmise en essais BCI - SANS condensateurs
Figure 4.67 Puissances transmises au composant en essai BCI avec ou sans les condensateurs sur la structure Lead Frame La courbe de susceptibilit exprime en puissance incidente ncessaire pour provoquer un dfaut peut tre extraite et compare l'exprimentation dans les mmes conditions (Figure 4.68).
100
Puissance incidente (Watts)
10
0.1 6 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
Puissance incidente maxi mise en oeuvre en essai BCI Puissance incidente ncessaire pour provoquer un dfaut Experimentation - Puissance incidente dfaut
Figure
4.68 Prdiction de l'immunit en essai BCI Vs rsultats exprimentaux sur
structure lead frame avec condensateurs
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236
Il est intressant de remarquer sur ces rsultats que la prsence des condensateurs a mme tendance dgrader sensiblement les rsultats aux frquences identies prcdemment comme problmatiques. La qualit de prdiction est tout fait acceptable et permet de valider nos techniques et mthodologie de prdiction.
Mise en avant de l'approche top down.
Les analyses prcdentes ont permis de
montrer la dicult, voire l'impossibilit de concevoir un capteur sans autoriser de ltrages externes sur un PCB. Cela peut nanmoins servir travailler dans l'autre direction, en nous permettant de mieux identier les niveaux de perturbations que verra le capteur dans cette conguration d'essai quipement, et d'en tablir une spcication pour de futurs dveloppements des circuits intgrs de cette catgorie. L'intrt de notre dmarche est qu'un fondeur est incapable de traduire un stress ou une contrainte pour sa conception lorsqu'on lui impose des contraintes au niveau quipement, tel que 200 mA en injection BCI. Ce besoin est en eet un besoin quipementier, mais grce la mise en place de nos modles, nous sommes capable de dnir ce que 200 mA en BCI signie en terme de contrainte DPI, qui est un essai plus interprtable en terme de contrainte au niveau du composant, et pour lequel le fondeur sait, dans une certaine mesure, dimensionner ses interfaces pour supporter de tels stress. En estimant par la simulation BCI la puissance transmise au capteur, on peut en dduire le niveau de puissance incidente qu'il faut en essai DPI pour avoir le mme niveau de puissance transmise. En intgrant des marges (notamment lies aux dispersions des cblages comme nous avons dj pu l'voquer, mais aussi marge de scurit), on peut tablir par exemple la spcication suivante pour cette famille de capteurs.
40
20 Pi (dBm)
20
40 1 .10
6
1 .10
1 .10 F(Hz)
1 .10
Puissance incidente en essai DPI pour retrouver Ptransmise BC I Spcification DPI pour le composant (approche Top down)
Figure 4.69 Spcication DPI tablie pour le capteur, issue de la simulation BCI quipement Cette spcication DPI est intressante, car elle permet de mettre en vidence que le
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237
besoin en basses frquences est faible, puisque l'injection en mode commun ralis par la BCI n'est pas ecace. On peut supposer que ltrer l'intrieur d'un CI en basses frquences est plus complexe qu' hautes frquences (du fait des dimensions et valeurs des ltrages), et que cette spcication est donc favorable dans la conception d'un circuit. En rponse cette spcication et en partenariat avec certains fondeurs, des solutions originales ont alors t proposes, consistant rajouter sur les broches du composant directement un surmoulage intgrant des condensateurs CMS. Cette solution est conomiquement trs intressante, car elle permet au fondeur de ne pas revoir fondamentalement la conception du CI capteur proprement dit, et permet l'quipementier de ne pas tre oblig d'utiliser un PCB pour intgrer de dcouplages.
Partie capteur
Partie condensateurs CMS
Figure 4.70 Exemple de sonde intgrant les condensateurs CMS

Ces solutions permettent de mieux satisfaire le besoin quipementier, en permettant galement de supprimer dnitivement les condensateurs placs sur le lead frame. Les marges oertes ne sont cependant pas exceptionnelles et la manipulation de ce type de composants reste une opration prsentant des risques CEM importants, que nous savons dsormais anticiper.
4.2.1.4
Conclusions
La mise en place de nos techniques de modlisation ont permis d'anticiper les problmes d'intgration des capteurs eet Hall sur des structures Lead Frame. Nous obtenons en eet grce nos modles et mthodologie de bonnes prdictions des performances CEM de notre produit dans des congurations d'essais normalises. La mise en place de ces modles permet d'identier les paramtres inuents, d'optimiser nos conceptions (ou bien d'identier des impossibilits techniques le cas chants). L'exploitation de la simulation permet galement de dcliner le besoin systme au niveau de composant et aura permis aux fondeurs de proposer des techniques originales pour atteindre les objectifs dnis. La CEM est dsormais un critre de choix pour les circuits intgrs, et la mise en place de notre dmarche permet d'identier quels composants prsentent des performances raisonnables et susantes par rapport nos besoins.
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238
4.2.2 Cas d'tude 2 - tude de l'inuence des composants actifs Vs passifs sur la abilit des quipements
Les eets de la dispersion, de la temprature et du vieillissement sur le comportement CEM des composants actifs et passifs est un sujet d'intrt relativement rcent, et dont les enjeux sont importants pour l'valuation de la abilit des systmes. Les premires expriences sur le sujet ont t ralises sur des circuits intgrs et ont permis en particulier de mettre en vidence des volutions sur les spectres d'mission ou sur les courbes de susceptibilit des composants. Parmi ces travaux pionniers dans le domaine on peut citer ceux de [Dienot 05] et de [Bendhia 07] en ce qui concerne les eets de la temprature sur l'mission, et ceux de [Li 09] pour les impacts du vieillissement sur l'immunit. Pour l'mission, [Dienot 05] a mis en vidence sur un circuit digital que le niveau d'mission avait gnralement tendance diminuer lorsque la temprature augmente. Jusqu' 20 dB de rduction de bruit ont t observs entre 24C et 110C. Les expriences basses tempratures sont limites, mais [Bendhia 07] aura mis en vidence une augmentation des niveaux d'mission lorsque la temprature diminue. Jusqu' 5 dB d'augmentation ont t observs lorsque la temprature diminue de l'ambiante -40C.
B. Radiated measurements
Conducted emission level (dBV) 50 30C -40C Around 8 dB difference Around 5 dB difference
study are th and the I/O

40C 115C
70 60
Emission (dBuV)
50 40 30 20 10 0
30 125C
10
-10 10 100 1000
1,00E+06
1,00E+07
1,00E+08
1,00E+09
Frequency (Hz)
(a) missions conduites
(b) missions rayonnes Figure 7. Noise measured above Port S (port switching) with a near-field
Three types have been active outp From a fre non-negligi amplitude v In radiated 20 dB in som From a s measuremen SPICE mod
Figure 4.71 volution des missions avec la temprature - Extraits de [Bendhia 07]
Les expriences ralises par [Li 09] sur le vieillissement acclr d'un composant BGA 65 nm ont permis de mettre en vidence des impacts la fois sur les comportements en mission et en immunit. En mission, les expriences menes (Figure 4.72) mettent en vidence des variations de l'ordre de 5 dB (Globalement une rduction des missions est observe). Pour l'immunit, les carts moyens sont de l'ordre de 2 dB avec des pics jusqu' 10 dB. Il semble s'agir, dans les comportements observs, de phnomnes de dcalage en frquence, engendrant tantt une rduction et tantt une augmentation de l'immunit dans ces ordres de grandeur ( Figure 4.73).
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components of a the batch has also been computed. The EMC board substrate 3and passive (for LTOL test) and the mean difference betweensameemission levels of fresh The 6th spectrum of the rd component components Figure 10 compares the emission level dispersion mounted on the board Casbeen chosen -toafter aging. For bothvalidations hastest) before and Exploitations etand aged components is computed to characterize the be bear the high (for HTOL d'tudes aging 4.2. 239 and after each 9 shows the impact of aging. Figure type of aging. distribution of the tests, emission level tends to decrease. emission level slippage over all the frequency range.
Fig. 10-a. Comparison between emission level dispers HTOL test)rd in power supply before and after aging. The Fig. 7. Emission spectrum of Impact component measured surobtained before and after LTOL[Li and HTOL 4.72 the 3 showvieillissement du that the immunity level descends afterLTOL 09] l'mission - Extraits Fig. 9. Comparison the aging impact ofde two figures before and after LTOL test
Figure
the two types of aging over certain range of frequencies.
Fig.12. Comparison between th HTOL for a DPI injection on inpu
Figure 4.73 Impact du vieillissement sur l'immunit - Extrait de [Li 09] Fig. 11-a. Comparison between immunity level before and after
LTOL aging test for a DPI injection on input of 4th component
Ces premires observations sont intressantes, mais nous suggrons que Fig. 13. Comparison cela devrait tre mis en perspective avec les comportements connus sur les
between th HTOL for En injection on the a DPI composants passifs.
eet, comme nous l'avons prsent dans le Chapitre 2, les composants passifs peuvent tre sujet driver en fonction de la temprature et / ou en fonction du vieillissement. La question que l'on se pose ici est de savoir quelle est la part de chacun des contributeurs (actifs et passifs) sur les performances CEM d'un quipement complet, en s'appuyant sur l'tat de l'art de ces connaissances. En lien avec cette tude, nous souhaitons estimer quelles devraient tre les marges considrer dans la conception de produits pour garantir, malgr ces eets, que les performances CEM soient toujours en accord avec un besoin spci. L'autre objectif est d'orienter les travaux futurs de caractrisation et de modlisation peut tre plutt vers les composants passifs ou actifs si nous mettons en vidence que l'un joue un rle prpondrant par rapport l'autre.
4.2.2.2
Prsentation du cas d'tude
On s'intresse ici l'volution des performances en immunit que pourrait prsenter un quipement automobile soumis un essai d'injection de courant BCI. Un cas d'tude simple
7 dcembre 2010
240
est alors dni an de pouvoir valuer par simulation les impacts du vieillissement, de la temprature et de la dispersion des composants passifs sur les performances globales de l'quipement. L'application imagine intgre deux fonctions cls frquemment rencontres sur les applications automobiles et d'intrt pour les tudes de l'immunit d'un produit, savoir : Un rgulateur de tension linaire 12 Volts / 5 Volts permettant d'alimenter en particulier sur une application, un micro contrleur ainsi que les autres circuits intgrs ncessitant cette tension d'alimentation. Une entre numrique d'un micro contrleur utilise pour une acquisition en tout ou rien. Dans les deux cas, entre le connecteur (point d'entre des perturbations) et les composants actifs, certains composants d'interface sont utiliss soit pour des raisons fonctionnelles, soit pour des besoins CEM typiques. Le schma que nous considrons alors pour les deux fonctions tudies est donn Figure 4.74, et fait apparatre les principaux composants (valeurs et technologies) utiliss pour l'application. Ce cas a galement t dimensionn pour intgrer les dirents composants passifs que nous avons prsent dans le Chapitre 2, avec leurs particularits respectives.
Voltage regulator 12 V Connector

100 nF 100 nF 220 F 100 nF 100 nF 22 F 22 nF 10 nF
Micro controller
VDD1 VDD2
Input
-A lu ta l s C ap am ic X7 R C er s s
C ap
C ap
ap
X7 R
X7 R
ol yt ic
am ic
am ic
El ec tr
C er
C er
Input Connector
100 nF 1 nF
C ap
Th
ic k
Fi lm
re s
is to
El ec tr
X7 R
am ic
C er
Figure 4.74 Schma du cas d'tude

Le PCB, son interaction avec le plan de masse et les lments de mise en oeuvre pour le test BCI (cblage, pince, RSIL...), sont alors modliss en utilisant les direntes techniques que nous avons dveloppes dans cette thse. Nous pouvons alors valuer les carts de puissance transmise chaque composant actif en fonction des caractristiques des composants passifs.
C er
am ic
X7 R
C ap
ol yt ic
ap
-T
an
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4.2. Cas d'tudes - Exploitations et validations 4.2.2.3 Rsultats
241
Eet du vieillissement.
Nous pouvons dans un premier temps ne prendre en compte
que les eets du vieillissements des composants passifs en estimant les carts de puissance transmise aux composants entre une premire simulation 10 heures, et les rsultats 100 000 heures. Le vieillissement va avoir comme eet de dcaler des frquences de rsonance principalement, et de par ce fait peut engendrer soit des dgradations soit des amliorations de l'immunit de l'quipement. Les courbes donnes Figure 4.75 font apparatre ces carts pour chacune des fonctions considres du produit.
20
Dgradation de l'immunit (dB)
Amlioration de l'immunit (dB)
15
10
0 6 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
8 6 1 .10
1 .10
Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
Entre 10 et 100 000 heures - Rgulateur de tension Entre 10 et 100 000 heures - Entre numrique
Entre 10 et 100 000 heures - Rgulateur de tension Entre 10 et 100 000 heures - Entre numrique
(a) Dgradation de l'immunit
(b) Amlioration de l'immunit
Figure 4.75 volution de l'immunit

Ces rsultats et en particulier ceux de la Figure 4.75a, montrent que la tendance gnrale est clairement une dgradation des performances en immunit du produit. Jusqu' 20 dB de dgradation peuvent tre attendus vers quelques dizaines de MHz. On observe galement un comportement intressant avec la frquence qui augmente. En eet, les impacts tendent s'amenuir avec la frquence. Ceci peut s'expliquer par le fait que hautes frquences, seuls les lments parasites des composants passifs interviennent et xent leurs conditions d'impdance, or ceux-ci ne sont pas sujet au vieillissement. Ce rsultat est par consquent trs intressant, car il permet d'identier que les eets du vieillissement des composants passifs auront surtout un impact dans les basses frquences (jusqu' quelques centaines de MHz), ayant sur les applications automobiles assez peu de composants dimensionns pour travailler au-del de ces frquences. Des amliorations de l'immunit ont galement pu tre observes, mais avec des ordres de grandeur assez faibles, de l'ordre de 6 dB, et sur des plages de frquence relativement troites.
Eet de la temprature et des tolrances sur les valeurs des composants.
De la
mme manire que pour le vieillissement, nous pouvons par la simulation valuer les impacts
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242
sur chacune des fonctions tudies. Les deux eets ont t pris en compte simultanment et les rsultats prsents correspondent aux enveloppes des volutions obtenues sur un millier de simulations (en mode Monte Carlo).
10
10
Ecarts du niveau de susceptibilit (dB)
Ecarts du niveau de susceptibilit (dB)

7 8 9
10
10 6 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
15 6 1 .10
1 .10
Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
Rgulateur de tension - Moins susceptible Rgulateur de tension - Plus susceptible
Entre logique - Moins susceptible Entre logique - Plus susceptible
(a) Fonction rgulateur de tension
(b) Fonction entre logique
Figure 4.76 volution de l'immunit du fait des tolrances et de la temprature

Sur ces deux fonctions jusqu' 8 dB d'cart peuvent tre observs, et il peut s'agir soit d'une amlioration, soit d'une dgradation. On observe galement une tendance gnrale l encore intressante : les impacts tendent diminuer avec la frquence. Pour les mmes raisons que voques prcdemment, cela est li au fait que hautes frquences ce sont uniquement les lments parasites qui interviennent et ces lments ne semblent pas sujets voluer signicativement avec la temprature ou ne semblent pas signicativement disperss (D'aprs notre tude bibliographique sur le sujet).
4.2.2.4
Quelques mots sur l'mission...
Bien que nos travaux soient avant tout orients sur l'immunit, nous pouvons rexploiter ces travaux de modlisation pour raliser le mme type d'analyse sur le comportement en missions conduites d'un quipement. En remplaant le modle du micro contrleur par un modle ICEM avec une source normalise, nous pouvons valuer les carts des niveaux d'mission, lis aux eets du vieillissement, de la dispersion et des eets thermiques. Les missions sont mesures en conduit sur la charge 50
des RSIL, tel que
dni dans la norme [IEC 08b]. Figures 4.77 et 4.78 sont prsentes respectivement les volutions lies, au vieillissement, ou la dispersion et la temprature.
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243
35
30 Augmentation du niveau d'mission (dB) Rduction du niveau d'mission (dB)
25
20
15
10
10
0 5 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
12 5 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
Entre 10 et 100 heures Entre 10 et 1 000 heures Entre 10 et 10 000 heures Entre 10 et 100 000 heures
Entre 10 et 100 heures Entre 10 et 1 000 heures Entre 10 et 10 000 heures Entre 10 et 100 000 heures
(a) Augmentation des niveaux d'mission
(b) Diminution des niveaux d'mission
Figure 4.77 Eets du vieillissement sur l'mission (Rfrence 10 heures de dure de vie)
15
10 Ecarts des niveaux d'missions (dB)
10
15 5 1 .10
1 .10
1 .10 Frquence (Hz)
1 .10
1 .10
Diminution du niveau d'mission Augmentation du niveau d'mission
Figure 4.78 Eets de la dispersion et de la temprature

Ces rsultats mettent en vidence des impacts trs importants du vieillissement (avec des dgradations jusqu' 30 dB observes) ainsi que des eets lis la dispersions et la temprature, o des carts allant jusqu' 15 dB (dgradation) sont observs. Tout comme pour l'immunit, on observe une fois de plus que ces eets ont tendance se rduire lorsque la frquence augmente, ce qui s'explique par le fait que hautes frquences, seuls les lments parasites interviennent et que ces derniers ne sont pas sujet varier avec le vieillissement, la temprature et ne sont que peu disperss. Une analyse plus pousse de ces rsultats permet d'identier que les carts en basses frquences (en dessous de 2 MHz) sont principalement lis aux eets thermiques, et en particulier sur les condensateurs
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244
lectrolytiques, que nous avions identis comme trs sensibles ces eets. Ces composants tant principalement utiliss pour des besoins en basses frquences (limits de part leur fortes inductances parasites et frquence de rsonance basse), il est normal de raliser un tel constat.
4.2.2.5
Conclusions
Les expriences sur les volutions des performances CEM des composants actifs du fait de la temprature, du vieillissement et de la dispersion sont assez limites, mais ces premiers rsultats compars aux tendances que nous avons values ici, nous permettent de poser quelques conclusions fondamentales pour ce sujet. Nous pouvons construire le tableau de synthse suivant, tentant de mettre en prol les impacts des composants passifs Vs actifs sur les performances CEM d'un quipement. Eets de la temprature et des dispersions * Actifs Immunit ? Passifs 8 dB
Eets du vieillissement Actifs 2 / 10 dB [Li 09] Passifs - 6 dB /
+ 20 dB
missions
- 20 dB (24-110C) [Dienot 05] + 5 dB (24 / -40C) [Bendhia 07]
10 dB
- 5 dB [Li 09]
-10 dB /
+ 30 dB
* : Au niveau des actifs aucune information n'est disponible sur les eets de la dispersion, les donnes prsentes ne correspondent donc qu'aux eets thermiques relats.
Table
4.1 Synthse des contributions des composants actifs et passifs sur les perfor-
mances CEM quipement, du fait de la temprature, du vieillissement et des dispersions.
Les composants passifs ont des impacts estims sur les performances en immunit d'un quipement, de l'ordre de 20 dB du fait du vieillissement, et de l'ordre de 10 dB du fait des tolrances et de la temprature. Au niveau d'une application, il apparat clairement que les composants passifs interviennent de manire dominante sur les volutions des performances CEM li aux aspects vieillissement. Mme si les tudes sur le sujet demeurent limites, il semble bien que les axes de recherche futurs devraient avant tout s'orienter vers les composants passifs. Les eets lis la temprature semblent galement prpondrants pour les composants passifs.
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245
Les eets des dispersions semblent assez faibles au niveau des actifs, mais l encore les caractrisations et les donnes disponibles dans la littrature demeurent limites. Dans tous les cas, il apparat que les eets observs ne sont pas ou peu lis aux lments parasites de structure et que de part ce fait, les impacts ne sont observs que en basses frquences, jusqu' quelques centaines de MHz. Au-del de ces frquences, mme les composants type condensateurs cramiques de l'ordre du nF ont dpass leur rsonance et il n'intervient plus alors que les eets des inductances parasites. Les ordres de grandeur que nous avons valus pourront tre intgrs dans les marges prendre lors de la conception des produits, si on souhaite prendre en compte les aspects abilit et thermique.
4.2.3 tude de la susceptibilit d'un capteur capacitif

Un autre cas intressant concerne une application de capteur capacitif, reposant sur l'utilisation du circuit AD7150 que nous avons caractris et modlis, tel que prsent au 2.2.3.2. Nous allons dans une premire partie dcrire la dmarche de conception dans notre contexte industriel d'un quipement reposant sur l'utilisation des modles que nous avons dvelopps. Nous discuterons ensuite de l'utilisation de la simulation dans un processus d'analyse de dfaut.
4.2.3.1
Prsentation de la dmarche de conception
La dmarche de conception CEM d'un quipement, pour la partie immunit en particulier, va reposer sur l'utilisation du schma lectrique. Cela correspond ce que nous avons prsent dans l'introduction gnrale, et o nous avons mis en vidence le fait que les apports de la simulation sont les plus importants lorsque celle-ci est ralise en amont dans la conception des produits. En eet, un tel stade il est encore possible d'interagir avec la conception du produit, en provisionnant des ltrages, en prcisant leurs conditions de mise en place sur le PCB etc. L'tape du dveloppement o nous estimons que nous avons susamment d'informations pour raliser nos analyses, tout en ayant encore susamment de latitude pour interagir sur la conception, correspond cette situation, o le schma est mis disposition. Nous allons, en premier lieu, nous appuyer sur ce schma pour raliser nos premires simulations et valuations des performances CEM d'un quipement. Pour modliser l'quipement, des hypothses de placement des dirents lments doivent tre faites, et en particulier en ce qui concerne des ltrages. La qualit de la prdiction qui sera alors faite dpendra en grande partie du ralisme des hypothses formules. L'identication de ces hypothses repose sur la connaissance du produit et de ce que l'on peut eectivement faire en terme de routage. Pour illustrer cette problmatique, on peut citer l'exemple d'un composant, tel un micro contrleur, qui aura un nombre important de condensateurs de dcouplage sur ses accs d'alimentation, entres numriques et analogiques. Les rgles de
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246
l'art , telles que celles que l'on peut lire dans [Montrose 96], voudraient que ces composants soient chaque fois placs au plus prs de l'entre protger. Mais sur un tel composant cette contrainte ne peut pas techniquement tre applique la lettre, pour des questions d'encombrement, et tous les ltrages ne peuvent donc pas tre placs au plus prs des entres concernes. Il convient donc en simulation de prendre en compte cet aspect pratique des choses, et de ne pas considrer que tous les composants seront au plus prs des broches ltrer. Le choix de ceux qui seront au plus prs ou non repose dans un premier temps sur une analyse critique et sur l'exprience. Ces choix seront alors valids ou non suivant les rsultats de simulation et performances values pour notre produit. L'objectif de nos simulations, en phase de conception, sera alors d'estimer si le fait de droger ces rgles de l'art amne une situation critique ou non, et l'inverse d'valuer si ces recommandations d'usage sont elles mmes susantes pour garantir la conformit du produit. Nous allons par consquent, grce aux outils et techniques de modlisation mis en place tre en mesure de : valuer la robustesse d'un produit, tel que initialement propos par l'quipe de concepteurs Hardware Optimiser les valeurs et positions des ltrages pour satisfaire au besoin, tout en garantissant des niveaux de marges acceptables Analyser la performance de techniques de routage en retenant les plus adaptes, rsultant du compromis entre les dirents mtiers mis en jeu (mcanique / thermique / CEM en particulier) tablir une spcication de routage justie, l'image des justicatifs de conception raliss pour la conception Hardware.
Il apparat dans cette dmarche qu'il est indispensable de garder la connaissance et la matrise de ralisation du routage de la carte lectronique. Comme nous l'avons dj mentionn, la cohrence entre ce qui sera simul et la ralit des choses est la cl de la russite ici. Cette dmarche de conception est mise en place depuis presque 10 annes au sein du dpartement CEM de VALEO, et est connue en interne sous le nom de CIPLV. Derrire cet acronyme se cache les 5 tapes fondamentales ncessaires pour assurer une conception correcte d'un produit : C : correspond l'analyse du Cahier des charges client, et doit permettre d'identier les exigences qui seront les plus dimensionnantes pour le produit. Ce sont ces exigences que nous considrerons pour la conception du produit. I : est l'Identication des risques, et correspond la ralisation des simulations proprement dites. L'objectif premier de cette tape est donc de rendre l'quipement robuste vis vis des contraintes identies, et de dnir la spcication de routage. Bien que cette activit existe depuis de nombreuses annes, les comptences dans cette phase ont t largement dveloppes grce nos travaux de thse et toutes
7 dcembre 2010

les techniques de modlisation que nous y aurons dveloppes.
247
P : consiste en la rdaction du Plan de test CEM. Ce document doit dcrire toutes les nesses de mise en oeuvre de l'quipement pour la ralisation des essais. Il va en particulier prciser tous les lments ncessaires la ralisation des essais qui ne sont pas dnis dans les cahiers des charges constructeurs. Ces informations sont galement fondamentales pour nos simulations, puisque nous allons en particulier y dnir les conditions de placement et de charges de l'quipement durant les essais, ainsi que les critres de dfauts et exigences associes. Cette tape n'est donc pas ralise de manire chronologique, mais en parallle avec le travail d'identication des risques. L : est le routage (Layout) proprement dit. Dans cette phase le PCB est ralis, en veillant au respect des contraintes dnies prcdemment. V : est l'tape de Validation, qui doit permettre de valider les qualits de prdiction et de conception qui ont t dployes.
4.2.3.2
valuation de la susceptibilit du composant sur ses dirents accs
Les analyses que nous allons prsenter auraient d tre ralises pendant les phases de conception amont du produit, mais dans le cas prsent les simulations ont t ralises pour aider la comprhension de la dfaillance durant les essais d'immunit au champ rayonn. Sur le composant, nous avons identi 3 entres potentiellement sensibles, qui ont t prises en compte dans la construction du modle d'immunit. Ces entres sont l'accs d'alimentation (VDD) et les broches CIN et EXC (Voir partie sur le dveloppement de ce modle au 2.2.3.2). Les modes principaux de propagation des perturbations jusqu'au composant ont t identis et ont t modliss : Couplage du champ directement sur les lectrodes (Figure 4.79), tant les lments fonctionnels constituants les capacits du capteur. Les gnrateurs de circuit ouvert, issus du couplage d'un champ de 200 V/m peuvent tre obtenus par la simulation 3D, pour les deux lectrodes, ou peuvent tre dtermins par la mesure.
lectrode 2 lectrode 1
Figure 4.79 Structures des lectrodes du capteur

Couplage du champ sur le faisceau et propagation jusqu'aux entres, au travers du rseau d'alimentation (intgrant le rgulateur) et par les impdances parasites. La
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248
modlisation de ce couplage s'appuie directement sur la modlisation champ faisceau que nous avons dveloppe dans ce Chapitre.
Le modle dvelopp intgrant le composant dans son environnement PCB et considrant le couplage du champ sur le faisceau, est donn en Figure 4.80. Sur ce schma, nous ne prsentons que la partie de l'accs d'alimentation, et la partie capteur sera dtaille ultrieurement. Les composants passifs intgrent leurs lments passifs, tel que tabli dans le Chapitre 2. Sur cette gure, chaque composant passif est identi en encadr pointill. Le rgulateur est modlis simplement par son PDN. Nous ne nous intressons pas ici son immunit, mais uniquement la manire dont il transfre les perturbations jusqu'au capteur. Compte-tenu de la faible taille de la carte supportant cette fonction, nous supposons que les pistes seront de petites tailles, et que leur prise en compte peut se faire en se limitant aux inductances parasites qu'elles induisent. En particulier une inductance de 1 nH est place entre le capteur et son condensateur de dcouplage (correspondant une longueur de piste d'environ 1 mm).
Modle faisceau + couplage champ faisceau

LISN_RS_1GHz _ 2010
Modle rgulateur de tension EMC_ICIM_AD7150_2_GHz 0.09e-12

GND 0 IN OUT 1 1
(DUT) P
20e-9
2 1
1e-9
2
Vdd EXC PA-Limit-Vdd PA-Limit-EXC CIN PA-Limit-CIN
5
50
5
MTL Model 3Wires 150 cm 1 GHz
90e-12 0.6e-9
3k
2 1
2.2e-6 3e-9
2.2e-6 3e-9
100e-9 0.6e-9
GND
0
LISN_RS_1GHz _ 2010
VBAT
GND
MPCB 5 0.5 1k
1 2 2 1
(DUT) P
5 1k
reference
0.05
0.05
0.04
MPCB
BATTERIE12V
0 50
MPCB MPCB
MPCB
MPCB
MPCB
2e-12 50e-9 Impdance de mode commun
12
0
Figure 4.80 Modle du couplage du champ sur le faisceau

Dans cette conguration, on peut observer que la marge entre le niveau de puissance transmise et le seuil est trs importante (Figure 4.81). Mme en dgradant le placement des composants, on peut estimer que cette fonction ne sera pas sensible par son accs d'alimentation. Les mmes tendances sont observes avec ce mcanisme de couplage sur les accs CIN et EXC. Si on tudie maintenant le couplage sur la partie lectrodes, on peut galement constater que dans la conguration idale correspondant au schma de la Figure 4.82, les rsultats n'orent plus les mmes marges. Le modle de la Figure 4.82 vient complter celui de la Figure 4.80, en intgrant en particulier les modles d'lectrodes et les gnrateurs dimensionns par la simulation numrique, issus du couplage du champ sur ces dernires.
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249
1 0.1 0.01 3 1 .10 .10 4 1 5 1 .10 6 1 .10 7 1 .10 8 1 .10 9 1 .10 10 1 .10 11 1 .10 12 1 .10 13 1 .10 14 1 .10 15 1 .10 16 1 .10 17 1 .10 18 1 .10 19 1 .10 20 1 .10 0
P active (Watts)
5 .10
1 .10 F(Hz)
9
1.5 .10
2 .10
Active power during test active power - limit
Figure 4.81 Puissance transmise l'accs VDD en essai d'immunit au champ rayonn
- Prise en compte du couplage sur le faisceau (200 V/m)
Modle Electrodes + couplage 3e-9

1 2
0.09e-12 10k
100e-12 5e-12 0.6e-9 10e-12 2 0.09e-12 20k 0.09e-12 20k

2
1e6
EMC_ICIM_AD7150_2_GHz
2
0.5 MPCB
1 2
5 MPCB
Vdd EXC PA-Limit-Vdd PA-Limit-EXC CIN PA-Limit-CIN
GND
3e-9
2
47e-12 0.6e-9
47e-12 0.6e-9
5e-12
1e6
MPCB
1
5 0.6 MPCB
0.6 MPCB
MPCB
Figure 4.82 Modle du couplage sur la partie lectrodes

Les puissances transmises CIN et EXC peuvent alors tre compares aux seuils de susceptibilit, Figure 4.83. Dans cette conguration, aucun dfaut n'est attendu, et en particulier sur la gamme de frquence au dessus du GHz. Ces simulations ont t ralises en prenant en compte des contraintes de routage diciles mais restant ralistes. Cependant sur certains PCB, des contraintes mcaniques particulires ne permettent pas de respecter ces prconisations. Sur un PCB 4 couches, le respect des contraintes et la cohrence avec ce que l'on considre pour la simulation peuvent tre obtenus. Sur un PCB 2 couches, compte tenu de la densit il est trs dicile, voire impossible, de respecter ces contraintes.
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P active (
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
8 9
10 11 12 13
14 1 .10 4.2. Cas d'tudes - Exploitations et validations . 6
1 10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10
250

0.1 0.01 1 .10 1 .10 P active (Watts) 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
6
0.01 1 .10 1 .10

3 4
3 4 5 6 7 8 9 10 11
5 1 .10
P active (Watts)
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
6 7 8 9
10 11 12 13 14
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10

0.1 0.01
3
(a) Broche CIN
(b) Broche EXC
Figure 4.83 Puissances transmises aux broches CIN et EXC du fait du couplage sur
1 .10
4 1 .10 l'lectrode
- Comparaison avec les puissances transmises seuils.
P active (Watts)
1 .10 1 .10
5 6
7 Deux versions de ce produit ont t ralises physiquement. Une premire sur un PCB 1 .10
1 10 4 couches, l'autre sur un 2 couches. Alors que le PCB 4 couches ne prsentait aucun dfaut
8 9
lors du .test d'immunit au champ rayonn, des dfauts ont t observs au-del du GHz 10
1 10
0.01
3
1 .10
11 1 .10 sur le PCB 2 couches. Du fait des contraintes de placement, plus importantes sur le PCB 6 7 8 9 10
1 .10
1 .10
2 couches, les Active power during test emplacements de certains ltrages ont d tre modis. Par la simulation
active power - limit
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
4
1 .10 F(Hz)
1 .10
1 .10
1 .10
P active (Watts)
nous pouvons mettre en vidence que ces dgradations sont susantes pour expliquer les
5
dfauts qui ont t observs. Sur le PCB problmatique, la rsistance en srie place entre
6
l'lectrode et le CI est situe relativement loin du circuit (environ 1 cm). Nous estimons que
7
cela autorise une contribution signicative du couplage sur la piste reliant cette rsistance
8
la broche d'entre du circuit. Le modle peut alors tre complt en rajoutant un gnrateur
9 6 7 8 9
1 plus sur [Agrawal 80].1 .10 1 .10 1 .10 de couplage dimensionn en s'appuyant une fois de.10 F(Hz)
1 .10
10

0.1 0.01 1 .10
1 .10 P active (Watts) 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
4
0.01 1 .10
3
3 4
5 1 .10
1 .10 1 .10
6 7 8
1 .10
8
9 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10
1 .10
10
1 .10
1 .10
1 .10 F(Hz)
8
1 .10
1 .10
10

0.1 0.01
3
(a) Broche CIN
(b) Broche EXC
Figure 4.84 Puissances transmises aux broches CIN et EXC du fait du couplage sur
1 .10
l'lectrode sur le PCB 2 couches (moins optimis)- Comparaison avec les puissances trans4 1 .10 mises seuils. 5 1 .10
1 .10 1 .10 1 .10 1 .10
6 7 8 9
P active (Watts)
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251
En prenant donc en compte les direntes dgradations de routage dans la modlisation (loignement de la rsistance, retour de masses des dcouplages plus longs et induisant de l'inductance parasite...), on peut alors aboutir aux rsultats de la Figure 4.84. Ces rsultats sont trs intressants pour plusieurs raisons : Tout d'abord ils sont en accord avec l'exprimentation, o un PCB convenablement rout (4 couches) ne prsente pas de dfauts au dessus du GHz, alors que le PCB 2 couches prsente des dfauts (du fait des contraintes qu'il impose sur le routage). L'origine des perturbations et la broche victime peuvent tre identies par la simulation. En l'occurrence ici, c'est le couplage sur les lectrodes et sur la piste reliant la rsistance srie l'entre CIN du CI qui sont l'origine de l'anomalie. Nous montrons ici une fois de plus que l'utilisation d'un PCB 4 couches n'est pas une solution en soit. Elle ne permet la conformit dans ce cas que grce la facilit de routage qu'elle ore. La preuve en est que sur un PCB 2 couches optimis, ces dfauts n'apparaissent plus.
4.2.3.3
Conclusions
Nous avons dans cette partie prsent la dmarche de conception d'un quipement, en s'appuyant sur les techniques de modlisation dveloppes au sein de cette thse. L'utilisation de la simulation va permettre de valider des propositions de ltrage et de routage, permettant ainsi l'tablissement d'une spcication de routage. Les simulations permettent de mettre en vidence les marges prsentes et de xer des niveaux de criticit pour la mise en application des consignes de routage. Cette notion de marge nous semble fondamentale pour la CEM. Il arrive frquemment dans les projets que un produit passe conforme un jour, et non conforme le lendemain. Cela illustre assez bien le fait que les marges ne sont pas connues ni matrises si on n'adopte pas une dmarche base sur la simulation comme ici. La simple dispersion lie la mise en place d'un cblage, nous l'avons vu, peut induire des carts de l'ordre de 10 dB sur la transmission des perturbations un quipement. Les composants ont eux aussi certainement des dispersions sur leurs performances CEM. Tout cela peut tre intgr dans une approche type rsistance contrainte, tel que cela est fait en mcanique, et qui devrait permettre de chirer prcisment les probabilits de dfaillance des quipements. Cela correspond ce que nous avons dj suggr dans [Lafon 07c] Mais notons encore une fois que la mise en application eective des prconisations de routage est la cl et un des points qui restera toujours dlicat et qui demandera toujours aux ingnieurs CEM d'tre aussi des spcialistes du routage, pour matriser cette cohrence ncessaire la bonne qualit de prdiction de nos simulations CEM.
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Chapitre 5
Conclusions
Si on commence avec des certitudes, on nit avec des doutes. Si on commence avec des doutes, on nit avec des certitudes. - Francis Bacon
Les travaux de cette thse sont des contributions la matrise de la CEM au niveau quipement. A chaque niveau, composants, PCB et mthodes d'essais, nous avons dvelopp des briques lmentaires et mthodologies, permettant au nal la prdiction de performances de l'immunit des quipements dvelopps en contexte industriel. Pour chacun de ces niveau, nous pouvons faire un bilan des travaux raliss et souligner les apports relatifs dans notre cadre industriel.
Au niveau du composant :
Les techniques de modlisations des composants passifs ont t dveloppes, en s'appuyant fortement sur la littrature, et en soulignant les aspects pratiques d'obtention des modles. Les aspects incertitudes ont ce titre t largement dvelopps, et des techniques ont t proposes pour les minimiser dans le cadre de la gnration des modles. An de pouvoir tudier leur impact au niveau quipement, les aspects tolrances, vieillissement et dpendance thermique ont t discuts et pris en compte dans nos modles lmentaires des composants usuels.
255
Chapitre 5. Conclusions
256
Un processus de caractrisation et une technique de modlisation de l'immunit des composants ont t dvelopps et valids sur un certain nombre de cas d'tude. L'approche choisie reposant sur une description type bote noire (compatible de nos contraintes industrielles), la validation de la technique ne peut se faire qu'au travers un nombre important de cas d'tude traits. A ce jour, compte tenu du nombre de composants et de familles couvertes, il semble bien que notre dmarche soit viable et prometteuse. Elle ouvre de plus un certain nombre de perspectives, et en particulier le possible dveloppement d'une approche semi empirique, base sur une statistique de rsultats plus consquents que ce que nous avons disposition aujourd'hui.
Les modles de composants passifs et actifs que nous avons dvelopps, sont aujourd'hui mis disposition aux quipes CEM Valeo, dans des bibliothques Pspice. Leur utilisation devient de plus en plus systmatique dans le cadre de la conception de tout projet lectronique au sein de VALEO. A l'avenir cette base va s'enrichir avec de nouveaux modles dvelopps suivant la mthodologie dveloppe au sein de cette thse, an de prendre en compte les composants utiliss sur les nouvelles applications.
Au niveau du PCB :
Un PCB de test gnrique a pu tre dvelopp et permet d'orir un support d'accueil tout nouveau composant (en botier SO) que l'on souhaite caractriser. La disponibilit et la totale matrise de cette carte (en terme de modlisation en particulier), permettent une utilisation et une extraction rapide des donnes ncessaires la modlisation des CI.
Plusieurs techniques de modlisation des pistes ont t prsentes. Ces direntes techniques ont t discutes en terme de prcisions qu'elles orent sur les cas d'applications nous intressant, ainsi qu'en terme d'extraction des paramtres constituant. Des techniques simples ont pu tre retenues pour les applications PCB, et en particulier pour les phases de prdiction de risque amont.
Enn, une dmarche a t propose et valide pour dimensionner les lments constituant l'impdance de mode commun, avec l'tablissement de relations permettant une valuation rapide de ces paramtres.
Au niveau quipement :
Les deux tests majeurs pratiqus dans la caractrisation des quipements, que sont la BCI et l'immunit au champ rayonn, ont t modliss. Les qualits de prdictions obtenus avec ces modles sont tout fait acceptables, et sont mis disposition dans les bibliothques de modles utiliss par les quipes ce conception CEM de Valeo.
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257
Un des points dlicats de la modlisation concernait le cblage, et nous avons pu mettre en vidence que pour nos besoins et applications, la prise en compte de structures de lignes de transmissions non uniformes alatoire est susante. Un outil propritaire (ANUBiS) a t dvelopp pour permettre la gnration automatis de ces modles, et permettant ainsi de produire des modles pour les gomtries usuelles rencontres dans le cadre des essais normatifs. La mise disposition de l'outil aux quipes CEM Valeo leur permettra de gnrer de manire autonome les modles pour des gomtries particulires n'tant pas disponibles dans la bibliothque propose, et qui intgre les gomtries les plus courantes. Les cas d'applications sur capteur eet Hall et sur capteur capacitif ont permis de valider les dmarches et modles dvelopps tout au long de cette thse. Les rsultats de prdictions ont pu tre corrls de manire tout a fait satisfaisante avec les rsultats exprimentaux. Au del de cet aspect validation, nous mettons aussi en vidence les possibilits oertes par ces techniques telles que : comprhension des mcanismes de perturbation des applications, dnition des spcications de routage justies par la simulation, dclinaison du besoin systme au composant et dnition de spcication composant, identication et matrise des marges d'immunit des produits dvelopps. Enn, les modles dvelopps permettent galement d'orienter certains travaux de recherche, en permettant d'valuer les niveau d'inuence des dirents paramtres constituant le modle d'une application. Nous avons pu valuer notamment, que les dispersions, le vieillissement et les eets thermiques, sur les composants actifs et passifs n'avaient pas le mme poids sur les performances CEM des quipements. En particulier, les composants passifs semblent intervenir au premier rang sur ces aspects, et nous suggrons que les axes de recherche devraient se focaliser en premier lieu sur cette famille de composants.
Perspectives :
Bien que ayant rpondu un certain nombre de besoins par la mise en place des modles et techniques dveloppes au sein de cette thse, beaucoup de suites et de perspectives peuvent tre envisages. On peut en particulier mentionner : L'amlioration du PCB de test gnrique, pour rpondre des besoins spciques de caractrisation en ESD et avec le gnrateur TLP. Des travaux sont actuellement en cours notamment pour intgrer dans ces PCB directement des sondes de courant par exemple. La gnralisation d'un PCB permettant de s'adapter d'autres types de botiers pour les circuits intgrs est galement l'tude. Avec une caractrisation d'un plus grand nombre de composants, nous pourrons galement dvelopper l'approche empirique base sur la statistique des rsultats que nous aurons. Ce point a dj t abord dans le Chapitre traitant des composants. Nos travaux ont surtout ports sur l'immunit. Des besoins sont galement exprims pour les aspects missions mais galement et surtout pour les aspects ESD,
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258
o les techniques de modlisation seront fondamentalement direntes, du fait des phnomnes fortement non linaires apparaissant. Les approches que nous avons dveloppes au niveau du composant, pourraient tre appliques au niveau de l'quipement. C'est cette ide que nous souhaitons aussi dvelopper maintenant au travers de l'tude du dveloppement d'un modle quipement, dont la structure pourraiit ressembler celle de notre modle de CI. Des premiers travaux ont dbuts dans cette direction dans le cadre du projet EMC-COMCEPT avec Renault, mais doivent tre poursuivis. Le dploiement et la formation des quipes Valeo sur les techniques dveloppes est une tche galement de longue haleine, qui s'talera vraisemblablement sur plusieurs annes encore aprs cette thse. Nous envisageons la ralisation d'un dmonstrateur plus complexe que les cas d'tude que nous avons prsent, pour valider notre dmarche galement sur des produits de plus grande complexit. L'objectif de ce dmonstrateur sera galement de servir de support pour les campagnes d'essais inter-laboratoires du groupe Valeo. Et tellement d'autres sujets... mais il faut bien savoir mettre un point nal tout ceci.
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Annexe A
Synthse bibliographique sur les lignes de transmission
L'objectif de cette annexe est de synthtiser la bibliographie relatant de la modlisation des structures de ligne de transmission en gnral. La plupart des quations gnrales relatives aux lignes de transmission sont extraites ou drives de [Chipman 68, Wadell 91, Paul 94].
A.1 Caractristiques des lignes de transmission

La reprsentation usuelle d'une ligne de transmission est base sur l'utilisation d'lments distribus RLCG, comme donn en Figure A.1.
z L.z R.z
I(z)
I(z+z)
V(z)
G.z
C.z
V(z +z)
I(z)
I(z+z)
z+z
Figure A.1 Schma quivalent d'une section lmentaire de ligne avec pertes
Dans le cas o la ligne est considre sans pertes, les rsistances R et conductance G sont supprimes. Les paramtres RLCG correspondent :
R : Rsistance srie totale de la ligne de transmission par unit de longueur. Inclue les
deux conducteurs de la ligne (chemin aller-retour). Si l'espace entre les conducteurs est rempli d'un matriau pertes magntiques, (c'est--dire qui converti l'nergie du 259
A.1. Caractristiques des lignes de transmission
260
champ magntique en chaleur dans une proportion du carr du champ magntique B dans le milieu), ces pertes seront reprsentes par une contribution dans la valeur de R dans le schma quivalent.
L : Inductance srie totale par unit de longueur, incluant l'inductance due au ux magntique interne et externe au conducteur de la ligne.
G : Conductance de shunt de la ligne de transmission. Il s'agit d'une reprsentation de

pertes qui sont proportionnelles au carr de la tension entre les conducteurs, ou au carr du champ lectrique dans le milieu. Usuellement G reprsente les pertes internes molculaires du dilectrique de matriau isolant, plutt que une circulation de courant de fuite.
C : Capacit de shunt de la ligne
A.1.1 quations fondamentales en frquentiel

Dans le domaine frquentiel, les quations fondamentales donnant les tensions et courants en tout point d'une ligne de transmission sont obtenues partir du schma quivalent donn en Figure A.1, et correspondant une longueur lmentaire de la ligne. Il s'agit ici de la reprsentation frquentielle du problme, conduisant :
V (z + z) V (z) = V (z) = R.z.I(z) j.L..z.I(z) I(z + z) I(z) = I(z) = G.z.V (z) j.C..z.V (z)
Si on divise ces quations par
(A.1)
et que l'on fait tendre
vers 0 on obtient :
dV (z) dz = (R + j.L.) .I(z) dI(z) = (G + j.C.) .V (z) dz

Les solutions de ces quations sont de la forme :
(A.2)
V (z) = V 1. exp (.z) + V 2. exp (.z) I(z) = I1. exp (.z) + I2. exp (.z)
(A.3)
Avec V1, I1 et V2, I2 correspondant aux conditions aux limites imposes la ligne (circuit externe).
est la constante de propagation de la ligne et est donn par :
(R + j.L.) (G + j.C.)
(A.4)
= + j.
(A.5)
7 dcembre 2010
261
Cette constante de propagation est un complexe, dont nous dtaillerons les proprits. Enn l'impdance caractristique est donne par :
Z=
V R + j.L. = = I + j.
R + j.L. G + j.C.
(A.6)
galement not sous la forme :
Z = R0 + j.X0
A.1.1.1 Facteur d'attnuation
(A.7)
est le facteur d'attnuation et est donn en Nepers/m. Il est galement appel
constante d'attnuation, bien que ce soit une grandeur dpendante de la frquence. Cette attnuation est lie aux pertes rsistives, et par conductance que nous dtaillerons plus loin dans ce document au travers de cas pratique sur PCB FR4. Les pertes rayonnes peuvent galement contribuer l'attnuation. La partie du signal qui est rayonn dans l'espace ou vers un autre conducteur n'est pas disponible au niveau de la charge. Ces pertes dpendent beaucoup de la structure physique, et les discontinuits tendent accrotre les pertes rayonnes. En gnral le design fait que ces pertes sont relativement ngligeables. Des quations sont disponibles dans la littrature pour certaines congurations [Wadell 91]. Dans le cas o ces pertes ne semblent pas ngligeables, nous pourrons nous y rfrer le cas chant. Cette attnuation peut galement tre exprime en dB. Le lien entre les Nepers et les dB est :
D(dB) = 20. log (exp ()) = 8.686.

On retrouve avec cette relation que 1 Neper = 8.686 dB On peut galement exprimer
(A.8)
et
en fonction des caractristiques du milieu, mais
cette relation n'est tablie et valable que pour des milieux homognes :
= + j. =
j...( + j..)
(A.9)
= .
. . 2
1+
2 2 .2
1 N eper/m
(A.10)
Pour des structures de lignes sur PCB on trouve plusieurs informations utiles sur ce sujet dans [Wadell 91]. Notamment le fait que cette attnuation est lie plusieurs phnomnes de pertes, dilectriques principalement mais aussi pertes rayonnes. Sur une structure de ligne sur PCB, les pertes dilectriques sont rduites par la partie arienne de la ligne et peuvent tre calcules en fonction de la permittivit eective dpendant de la structure de la ligne. Des quations relatives chaque type de structure
7 dcembre 2010
262
sont dveloppes galement dans [Wadell 91]. Au nal les pertes dilectriques peuvent tre obtenues par :
ef f 1 ef f ef f r .f.q. tan . ef f d = c0 q. tan =

A.1.1.2 Facteur de phase
(A.11)
(A.12)
est le facteur de phase de la ligne et est donn en rad/m. Il est galement appel
constante de propagation de phase ou encore coecient de propagation de phase. Il n'aecte pas les amplitudes des tenseurs V et I, mais seulement l'angle de phase. Le facteur de phase peut tre reli la longueur d'onde
par la relation suivante :
=
La vitesse de phase est alors :
2. 2. ou =
(A.13)
Vp =
(A.14)
La notion de vitesse de groupe s'applique lorsque la vitesse de phase n'est pas la mme pour toutes les composantes de Fourier d'un signal. Chaque composante sinusodale d'un signal peut se propager une vitesse dirente, et avoir une attnuation dirente (puisqu'elle est fonction de la frquence). On parle alors de dispersion sur le signal temporel qui va tre dform par ce phnomne. En rgime harmonique, cette question n'a pas vraiment lieu d'tre et implicitement cette notion de vitesse de groupe est prise en compte. On peut galement exprimer
et
en fonction des caractristiques du milieu :
= + j. =
j...( + j..)
(A.15)
= .
. . 2
1+
2 2 .2
+ 1 rad/m
(A.16)
Attention que dans l'expression prcdente, il s'agit des caractristiques du milieu de propagation et pas en particulier de la conductivit de la piste. Dans ce cas c'est donc bien la conductivit du matriau FR4 dont il est question et non pas celle du cuivre. Pour du PCB FR4, la vitesse de propagation est de l'ordre de plus loin que ce paramtre varie avec la frquence.
1.38.108 m.s1 ,
mais nous verrons
7 dcembre 2010
263
A.1.2 Manipulations des quations

A.1.2.1 Simplications en hautes frquences
En hautes frquences les expressions peuvent tre simplies, en considrant que les pertes sont faibles. En rcrivant l'expression de l'impdance et de la constante de propagation sous la forme :
+ j. = j.. L.C. 1 + Z0 =
R j.L.
1 2
1 2
G . 1+ j.C.
1 2
1 2
(A.17)
R L.C. 1 + j.L. L. R
et
G . 1+ j.C. 1,
(A.18)
On voit apparatre que lorsque
C.
ces expressions peuvent tre
simplies. A noter que ds que l'on trouve une frquence pour laquelle ces conditions sont respectes, cela sera vrai pour toutes les frquences suprieures. Ceci est li au fait que G, bien que voluant linairement avec la frquence est beaucoup trop faible pour impacter la propagation. D'autre part la rsistance voluant en racine de la frquence, son volution sera moins rapide que le
L. .
On en dduit alors les expressions qui pourront tre utilises pour extraire partir d'une mesure les caractristiques de la ligne pour les hautes frquences.
1 1 R + .G.Z0 HF = . 2 Z0 2 V pHF = HF = L C 1 L.C
(A.19)
(A.20)
Z0HF =
(A.21)
X0HF = 0
A.1.2.2 Exploitation de mesures CO / CC pour caractriser la ligne
(A.22)
Dans le cas d'une ligne de longueur arbitraire, en CO / CC, l'impdance vue de l'entre est dtermine compltement par les coecients :
, , Z0, l. A partir de deux mesures dans
ces congurations, on peut extraire en thorie l'intgralit des paramtres caractrisant la ligne. Les impdances ramenes en entre pour les deux congurations sont donnes par :
ZCC = Z0 . tanh [( + j.) .l]
(A.23)
ZCO = Z0 . coth [( + j.) .l]
(A.24)
7 dcembre 2010
264
Z0, l sont identiques dans les
ZCO
et
ZCC
tant mesurs la mme frquence,
, ,
deux quations.
Z0 =
ZCC .ZCO
(A.25)
Attention cependant que d'un point de vue pratique, la longueur de la ligne ne peut pas tre totalement arbitraire.
ZCO
et
ZCC
doivent avoir des valeurs appropries et proches
l'une de l'autre. Typiquement la longueur de ligne recommande pour respecter cette condition serait 1/8 de la longueur d'onde (prcisions sur les mesures).
ZCC = tanh [( + j.) .l] ZCO ZCC ZCO N epers/m ZCC 1 ZCO ZCC 1+ 1 ZCO + 2.n. rad/m phase angle of . = 2.l ZCC 1 ZCO 1 = . ln 2.l 1+
(A.26)
(A.27)
(A.28)
Il y a une incertitude de 360 sur la valeur de la phase. Certainement guider par rapport aux dimensions mises en jeu dans la structure analyser pour avoir un rsultat cohrent. Une fois que les paramtres ont t extraits, on peut utiliser les solutions inverses pour calculer les paramtres liniques de la ligne :
R = .R0 .X0
En exploitant
(A.29)
Z0 = R0 + j.X0 ,
on extrait :
L=
.X0 + .R0 .R0 + .X0 2 2 R0 + X0
(A.30)
G=
(A.31)
C=
.X0 + .X0 2 2 . R0 + X0
(A.32)
Nous discuterons dans une partie ultrieure de l'aspect pratique de l'utilisation de ces quations.
7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE A.1.2.3 Calcul impdance ramene
265
L'impdance ramene par :
ZI en entre d'une ligne charge par une impdance ZL
est donn
ZI = Zc .
ZL + ZC . tanh [( + j.) .l] ZC + ZL . tanh [( + j.) .l]
(A.33)
Cette quation correspond au cas gnral d'une ligne avec pertes. Celle-ci peut tre simpli dans le cas o la ligne a des pertes qui sont nulles.
ZI = Zc .
ZL + j.ZC . tan (.l) ZC + j.ZL . tan (.l)
(A.34)
Enn, deux cas particuliers sont intressants, et concernent des congurations de charge en CO ou CC, qui engendre une simplication de l'quation gnrale :
ZCC = Z0 . tanh [( + j.) .l]
(A.35)
ZCO = Z0 . coth [( + j.) .l]
(A.36)
Bibliographie
[Chipman 68] [Paul 94] Robert A. Chipman. Transmission lines. Mc Graw Hill, 1968. Clayton R. Paul. Analysis of multiconductor transmission lines. Wiley, 1994. [Wadell 91] Brian C. Wadell. Transmission line design handbook. Artech House, 1991.
7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE
266
7 dcembre 2010
Annexe B
Modlisation et exploitation du gnrateur TLP
Le gnrateur TLP (Transmission Line Pulse) est un outil adapt la caractrisation des composants (actifs ou passifs) qui permet l'extraction de grandeurs lectriques propres au composant (I/V et Wunsch & Bell [Wunsch 70]). Ces donnes sont en particulier utilises pour la modlisation des composants en rponse des impulsions de type ESD [Lafon 07f, Rigour 09], et nous rutiliserons certains de ces rsultats pour cette thse. L'objectif de cette annexe est de prsenter les travaux de modlisation du gnrateur TLP (Transmission Line Pulse), et l'utilisation de ce modle pour optimiser la conguration d'essai permettant la matrise des grandeurs lectriques ncessaires nos analyses.
B.1 Principe et utilisation du gnrateur TLP

Le banc TLP a t dvelopp par [Maloney 85], et consiste charger une ligne de transmission au travers une rsistance de forte valeur (gnralement plusieurs centaines de k). Une fois charge, un relais permet de connecter la ligne un lment sous test (composant, carte lectronique...), ce qui provoque la transmission des charges vers cet lment. Le principe est prsent Figure B.1.
Z0 = 50 TD = {Long/2e8}
1 2
To DUT
1e6
0 0
VHT
Figure B.1 Principe du gnrateur TLP

Les caractristiques de l'impulsion gnre sont en particulier qu'elle est de forme trap267
B.1. Principe et utilisation du gnrateur TLP
268
zodale, et d'une dure variable, lie la longueur de la ligne. Cette ligne est gnralement constitue d'un cble coaxial (RG58 en particulier pour le gnrateur Noise Laboratory INS410 que nous avons utilis), caractris par son temps de propagation (TD) donn par :
TD =
O 2.10
Longueur 2.108
(B.1)
8 correspond ici la vitesse de propagation dans le coaxial utilis (en m.s1 ), et
la longueur correspondant la longueur physique du cble. La dure de l'impulsion gnre par le TLP est alors 2T D . L'amplitude de l'impulsion mesure sur une charge de 50
est gale VHT/2, o VHT correspond la tension applique au gnrateur de la Figure B.1. Le gnrateur TLP doit permettre tout d'abord l'extraction de la caractristique I/V d'un composant. L'intrt est que les impulsions gnres tant de courtes dures, elles n'engendrent pas d'lvation importante de la temprature du composant menant sa destruction. Cela permet alors de raliser les extractions des caractristiques I/V pour des plages de courant en particulier pouvant aller jusqu' quelques ampres voir dizaines d'ampres, ce qui serait tout simplement impossible avec une caractrisation DC. Pendant la dure du pulse il faut alors mesurer simultanment les courant et tension aux bornes du composant et construire ainsi la courbe I/V en montant progressivement le niveau du gnrateur source. Notre principale proccupation ici est alors de garantir que l'on mesure convenablement ces grandeurs lectriques sur la fentre temporelle de l'impulsion (mesures en quasi statique pour une impulsion de 50 ns gnralement). Les comportements attendus sont reprsents Figure B.2, et mettent en vidence en particulier que sur les structures avec Snapback les gradients de courant peuvent tre importants, et motivent ce besoin de prcision pour nos mesures.
R dynamique
R dynamique
V
Structure avec "snapback" Structure "turn-on"
Figure B.2 Caractristiques I/V typiques des tages d'entre des circuits intgrs
La deuxime caractristique gnralement extraite, correspond au niveau de puissance
7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
269
ncessaire pour dtruire le composant en fonction de la dure de l'impulsion gnre. Cette caractristique ne sera pas utilise pour nos travaux mais notons simplement que pour obtenir des donnes exploitables il est ncessaire de matriser la largeur et l'amplitude de l'impulsion pour avoir une valeur prcise de la puissance engendrant la destruction du composant. Nous le verrons par la suite mais la principale dicult consiste en la prise en compte des rexions multiples pouvant apparatre.
B.2 Modlisation
B.2.1 Introduction
Si on utilise simplement le modle de la Figure B.1 et que l'on compare avec des rsultats exprimentaux pour des charges en sortie du gnrateur basse et haute impdances (Figure B.3), on met en vidence les limites de ce modle. La charge haute impdance correspond directement l'impdance d'entre de l'oscilloscope utilis pour faire la mesure. La charge basse impdance correspond la mise en place d'une rsistance CMS de 10 Ohms, en parallle avec l'entre de l'oscilloscope.
70
7.5
60
7
50 Amplitude (Volts)
Amplitude (Volts)
7 7 7 6 6
40
6.5
30
20
5.5
10
0 0 3.2 .10
5 0 1 .10
6.4 .10
9.6 .10 T (s)
1.28 .10
1.6 .10
2 .10
3 .10 T (s)
4 .10
5 .10
Simulation - Basic schematic Measurement
Simulation - Basic schematic Measurement
(a) Charge haute impdance
(b) Charge basse impdance
Figure B.3 Mesure compare la simulation base sur le schma de la Figure B.1
Ces rsultats mettent en vidence l'insusance du modle de base d'une part, et permettent de visualiser les phnomnes de rexions multiples. Ce premier modle n'est pas satisfaisant car il ne prend pas en compte les pertes de la ligne en particulier. Ces pertes sont l'origine de l'attnuation progressive de l'amplitude de l'impulsion au fur et mesure des rexions, et que l'on visualise en particulier ici dans le cas de la charge en haute impdance. L'autre phnomne que l'on observe sur la conguration basse impdance, est que la tension (et le courant) volue le long de l'impulsion. Cela est galement li aux pertes, et plus prcisment au fait que celles ci sont distribues sur toute la longueur de
7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
270
la ligne. Les charges accumules sur la ligne ne voient pas la mme valeur de la rsistance srie suivant qu'elles sont localises d'un ct ou de l'autre de la ligne (vis vis de la charge de sortie). Nous avons dvelopp un modle bas sur le dcoupage du gnrateur en blocs lmentaires, tel que dni Figure B.4. Bas sur des mesures l'analyseur de rseau (VNA) nous avons tabli des modles pour chacun de ces blocs, valables dans les domaines frquentiel et temporel. La gamme de frquence vise pour la modlisation est lie au temps de monte typique que l'on a sur le gnrateur TLP, tant ici de l'ordre de 2 ns, soit une bande passante de 150 MHz environ. Les direntes mesures seront ralises jusqu' 500 MHz pour couvrir largement ce besoin.
Transmission Line block
Z0 = 50 TD = {Long/2e8}
High DC Voltage Block

Z0 = 50 1e5
0 0
Relay Block
Z0 = 50
1 2
Z0 = 50 To DUT
0 0
VHT
Figure B.4 Dcomposition de la structure du gnrateur TLP pour la modlisation
B.2.2 Modlisation des blocs

B.2.2.1 Bloc d'alimentation
La premire partie est simplement constitue d'une alimentation DC haute tension, d'un rseau de rsistances et d'une ligne coaxiale relativement courte permettant la connexion vers la ligne principale du gnrateur (principale dans le sens o c'est ce second lment qui va xer la dure de l'impulsion et tre l'origine des eets de pertes et d'attnuations observs Figure B.3). Le modle ainsi dvelopp est bas sur une ligne pertes dont les lments ne sont pas dpendants de la frquence, mais optimiss pour obtenir une corrlation correcte entre la mesure et la simulation. Le modle et le comparatif simulation / mesure sont donns respectivement Figures B.5 et B.6.
LOSSY
1e5
0 0
VHT
R=5 C = 100e-12 G = 1e-6 L = 2.5e-7 LEN = 0.38
Figure B.5 Modle quivalent du bloc d'alimentation

7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
1 .10
5
271
1 .10
Impedance (Ohms)
1 .10
100
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10 Frequency (Hz)
1 .10
1 .10
Measurement Simulation
Figure B.6 Comparaison modle / mesure

B.2.2.2 Bloc ligne de transmission
Lorsque l'on ralise une mesure de l'impdance vue de l'entre de la ligne ddie la gnration des impulsions de 50 ns, on peut observer une volution intressante (Figure B.7). A chaque rsonance on obtient la valeur quivalente de la rsistance srie, et on constate que cette rsistance n'est pas constante mais volue avec une pente en 10 dB/dcade. Ceci correspond au phnomne d'eet de peau sur le conducteur interne du cble coaxial. Ce comportement est facilement descriptible dans le domaine frquentiel, mais plus dlicat dans le domaine temporel, et nous souhaitons avoir un modle reproduisant convenablement ce phnomne.
4
1 .10
100
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Measurement Pente en 10 dB/dec
Figure B.7 Mesure de l'impdance de la ligne 50 ns

7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
272
Pour cela nous allons utiliser la technique propose dans [Yen 82] et que nous avons dj dvelopp dans le chapitre 3. Rappelons simplement de manire synthtique que cette technique consiste placer une successions de circuits RL en parallle (Figure B.8). Le nombre de branches places en parallle xe le nombre de dcades o la pente sera en +10 dB/dcade. La table B.1 donne les valeurs de R1 et L1 dpendant du nombre de branches et des valeurs de l'inductance interne
Lint ,
et de la rsistance en continue
L1/x^n
RDC .
R1.x^n
Lext
1 2
R1.x^2 R1.x R1
L1/x^2 L1/x L1
Avec x = 10
Figure B.8 Modlisation de l'eet de peau dans le domaine temporel - [Yen 82] Table B.1 Dimensionnement de R1 et L1 dans le modle de la Figure B.8
# de branches 1 2 3 4 5 6 R1 L1
RDC 1.32RDC 1.42RDC 1.45RDC 1.457RDC 1.461RDC
Lint 1.68Lint 1.94Lint 2.03Lint 2.06Lint 2.07Lint
L'valuation de l'inductance interne est gnralement une tache dlicate, car si nous la dnissons comme tant la dirence entre la valeur de l'inductance en basses frquences et la valeur en hautes frquences, nous y intgrons en plus de l'eet de peau, les eets de proximit. Son valuation requiert, comme nous l'avons galement vu au Chapitre 3, l'utilisation de mthodes numriques, tel que [FastHenry 08]. Dans le cas prsent, ces eets sont uniformment rpartis sur le contour du conducteur interne du coaxial. On retrouve alors la valeur de l'inductance interne d'un simple l rond, donn par :
Lint =
Avec
0 H/m 8.
(B.2)
0 = 4..107 H/m Lint = 50 nH/m pour une ligne coaxiale. Ce modle est alors utilis en rempla-
Soit au nal
cement des lments R et L de la section lmentaire d'une ligne de transmission, sous sa reprsentation en lments distribus (Figure B.9). Cette section lmentaire correspond
7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
une longueur
273
permettant de respecter le critre de propagation en
/10, et dimensionne
le nombre de sections considrer pour modliser chaque ligne du gnrateur TLP.
z L.z R.z
I(z)
I(z+z)
V(z)
G.z
C.z
V(z +z)
I(z)
I(z+z)
z+z
Figure B.9 Section lmentaire d'une ligne de transmission

Plusieurs modles Pspice ont ainsi pu tre tablis pour les direntes lignes disponibles pour le gnrateur TLP. Le modle de la ligne 100 sections est prsent titre d'exemple Figure B.10.
Wheeler 100 x cells
LENGTH = 8.8 LINT = 50E-9 LTOT = 300E-9 p.u.l param RDC = 70E-3 CAP = 100E-12
Figure B.10 Modle Pspice tabli pour 100 sections et intgrant l'eet de peau
Ce modle paramtrable ne xe que le nombre de sections chanes et l'utilisateur doit composer et prendre en compte les donnes du tableau B.2 an de respecter le critre de propagation. Jusqu' 150 MHz (frquence xe en relation au temps de monte), nous devons limiter la longueur d'une section 13 cm. Les valeurs proposes par dfaut correspondent aux valeurs du cble RG58 utilis dans la construction de notre gnrateur TLP (RDC = 70 m/m, LT OT = 300
nH/m,
Cap = 100
pF/m
et Lint = 50
nH/m).
Table B.2 Paramtrage des modles gnrs

Ligne pour gnrer l'impulsion de 50 ns 100 ns 200 ns 400 ns 1 s Longueur Physique 3.8 m 8.8 m 18.5 m 38.6 m 97.5 m Nombre min de sections 30 67 142 300 750
7 dcembre 2010
B.2. Modlisation
274
Les calculs sont alors raliss en interne dans le modle, et correspondent pour une section, raliser les oprations de la Figure B.11.
SUBPARAMETERS:
CLIN = 100e-12 Lint_LIN = 50e-9 Ltotal_LIN = 250e-9 RDC_LIN = 0.5 SectionLength = 0.5
paramtres par mtre

1
2
{1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*100}
1
2
1
2
{1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*10} {1.461*@RDC_LIN*@SectionLength*sqrt(10)} {1.461*@RDC_LIN*@SectionLength}

1 2
1 2
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength/sqrt(10)}
1 2
{2.07*@Lint_LIN*@SectionLength}
1 2
{(@Ltotal_LIN-@Lint_LIN)*@SectionLength}
{@CLIN*@SectionLength}
Figure B.11 Implmentation d'une cellule lmentaire sous Pspice

Dans le domaine frquentiel, l'utilisation d'un tel modle permet alors d'obtenir des rsultats satisfaisants, et en particulier pour le cas prsent de la ligne 50 ns du gnrateur (Figure B.12).
1 .10
4
100
10
1 5 1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
Figure B.12 Comparaison simulation / Mesure de l'impdance d'entre de la ligne de

50 ns
B.2.2.3
Bloc relais
Les lignes de transmission connectes au relais sont modlises de la mme manire que pour le bloc d'alimentation, avec des lignes pertes. Le relais en lui mme est modlis avec un commutateur parfait (Sw_tClose).
7 dcembre 2010
B.3. Optimisation de la conguration de mesure
275
B.2.3 Validation du modle

An de vrier les apports des techniques de modlisation choisies, on peut comparer les rsultats de simulations obtenus partir du modle tabli, avec les rsultats de mesures pour les congurations de charges basse et haute impdances (correspondant aux rsultats prcdemment prsents Figure B.3). Ces comparatifs sont donns Figure B.13 et mettent en vidence une bonne corrlation validant notre modle.
50
40
7.5
30 Amplitude (V)
Amplitude (V)
20
6.5
10
5.5
10 7 2 .10
2 .10
4 .10
6 .10
8 .10 Time (s)
1 .10
1.2 .10
1.4 .10
5 7 1 .10
1 .10
2 .10 Time (s)
3 .10
4 .10
(a) Charge haute impdance
(b) Charge basse impdance
Figure B.13 Validation du modle tabli pour le gnrateur TLP
B.3 Optimisation de la conguration de mesure

Comme voqu prcdemment, le gnrateur TLP doit nous permettre l'extraction des caractristiques I/V et de Wunsch & Bell pour les composants tests, et nous avons mis en avant les consquences sur les grandeurs mesurer (prcisions / non intrusion des dispositifs de mesure et matrise des phnomnes de rexions). Nous allons dans cette partie prsenter ce qui a t dimensionn par la simulation et par l'exploitation de notre modle, puis mis en place en pratique.
B.3.1 Phnomnes de rexions multiples

A la Figure B.13 nous pouvons observer en particulier sur le cas o la charge est en haute impdance, que au lieu de n'avoir qu'une seule impulsion, on visualise une succession d'impulsions, issues de rexions successives. Lorsqu'une onde incidente est propage et arrive en extrmit de la ligne d'impdance caractristique Zc = 50
, elle rencontre l'entre
de l'oscilloscope (Z=1 M). Il y a alors une dsadaptation d'impdance, donnant naissance une onde rchie dont l'amplitude est lie au coecient de rexion :
Z Zc Z + Zc
(B.3)
7 dcembre 2010

Dans ce cas prsent
276
1.
Ce qui signie que l'intgralit de l'onde est rchie
et se propage dans la ligne de transmission en direction du gnrateur cette fois ci. Au niveau du gnrateur le mme phnomne apparat, puisque une rsistance de 100 k est utilise dans sa construction pour limiter le courant. Le coecient de rexion est de nouveau proche de 1 et l'onde est de nouveau rchie vers la charge. Ce phnomne de battement d'onde ne s'attnue que grce aux pertes dans la ligne et aux ondes transmises aux charges (insigniantes dans le cas prsent). En pratique l'impdance des circuits tests sera soit leve (dans la zone R statique), soit faible (dans la zone R dynamique), mais vraisemblablement pas de 50 Ohms. Ce phnomne de rexions est donc attendu dans les cas pratiques et il convient d'intercaler un attnuateur entre la sortie de la ligne et l'lment sous test pour les rduire. Cependant plusieurs contraintes doivent tre considres pour son dimensionnement : Il faut que l'attnuation des rexions soit susante pour que l'nergie contenue dans les pulses rchis puisse tre nglige dans nos calculs. L'attnuation ne doit pas tre trop forte, an de garder une dynamique susante sur le niveau en sortie de l'attnuateur, permettant la caractrisation des composants sur la plage souhaite. L'attnuateur sera construit sur le principe d'une structure en T, avec trois rsistances. Il faut que ces rsistances ne soient pas dtruites par les impulsions qui les traverseront. Pour plusieurs technologies de rsistances, les seuils de dgradation (drives de leur valeurs) en fonction de la largeur d'impulsion ont t dtermins. Ces caractrisations auront permis de mettre en vidence les carts de tenue importants entre les composants. Une synthse pour les rsistances de 27
est prsente Figure B.14. Malgr des bons
niveaux de tenue pour les CMS de puissance et les rsistances bobines, notre choix se sera tourn vers les rsistances traversantes. Les rsistances CMS de puissance sourent d'un encombrement important par rapport aux autres, et les rsistances bobines prsentent des inductances parasites problmatiques pour notre utilisation (de l'ordre de 300 nH mesurs sur les rsistances 27
).
7 dcembre 2010
Synthse conguration : mesure B.3. Optimisation de la des rsultatsdersistances

Caractrisation des rsistances
2000 1800 1600 1400 V TLP 1200 1000 800 600 400 200 0 200 400 600 800 1000 temps (ns)
27
277
TRANSVERSE 27
Limite de test CMS
Limite de test bobine
Courbe dgradation : CMS 1206 27
Figure B.14 Synthse de la tenue des rsistances 27 la caractrisation au TLP

Un attnuateur 10 dB semble par ailleurs tre un bon compromis pour les deux premires contraintes que nous avons exprimes. Celui ci est construit tel que reprsent Figure B.15.
Property of Valeo
14
2009
27
27 33
0
Figure B.15 Schma attnuateur 10 dB (structure en T)

La simulation permet de mettre en vidence le gain apport par cet attnuateur, en rduisant considrablement le niveau des rexions. Les rsultats sont en particulier donns Figure B.16 pour la conguration de charge haute impdance (entre directe de l'oscilloscope).
50
40
Amplitude (V)
30
20
10
0 0 5 .10
7 1 .10 Time (s)
1.5 .10
Without attenuator With attenuator
Figure B.16 Rduction des rexions par mise en place de l'attnuateur 10 dB

7 dcembre 2010
278
B.3.2 Mesures des courant / tension

An de construire la caractristique I/V, ces deux grandeurs doivent tre mesures simultanment pendant la dure o le pulse a un comportement relativement stable. Les mesures sont ralises dans un tat que l'on caractrise de quasi statique. La mesure du courant ne pose pas de dicults particulires, et est ralise avec une sonde place en srie avec la broche du composant que l'on caractrise. La seule contrainte ici, est plus sur les caractristiques techniques de la sonde en elle mme (bande passante et courant maximum tolr). La mesure de la tension est plus dlicate et est base sur l'extraction de la valeur attnue au moyen d'un pont diviseur. Cependant ce pont diviseur doit rpondre un certain nombre de contraintes : La rsistance de shunt quivalente prsente entre la broche du composant et la masse doit tre de forte valeur pour ne pas tre intrusive. Elle ne doit pas consommer un courant suprieur celui tir par le circuit sous test pendant les impulsions de faibles amplitudes. Cette contrainte est galement lie aux aspects purement fonctionnels du composant. Certains circuits, tels que les drivers de communication LIN, intgrent sur leurs broches de communication des pull-up de l'ordre de 30 k, ce qui signie que toute valeur de pull-down infrieure 300 k pourrait impacter l'tat de polarisation du composant. Nous pouvons par consquent nous xer un objectif de l'ordre de 900 k pour garantir l'aspect transverse de cette solution. Le pont diviseur ne doit pas avoir un facteur trop important an de conserver une dynamique de mesure satisfaisante pour l'oscilloscope. Plusieurs solutions ont t investigues, et en particulier la simple technique d'un pont diviseur 910 k / 9.1 k. Si on modlise ce pont diviseur et l'interface coaxiale le reliant l'entre de l'oscilloscope, on obtient alors le schma de la Figure B.17, qui permet de mettre en vidence une fois de plus des problmes lis des dsadaptations d'impdance trop fortes (Figure B.18).
Voltage divider Pulse to be measured 0.1e-12
Interface coaxial cable
Input Oscilloscope
V1 = 0 V2 = 100 TR = 5e-9 TF = 5e-9 PW = 50e-9 PER = 1

0
910k 0.1e-12 9.1k
Wheeler 50 x cells
1e6
10e-12
LENGTH = 1 LINT = 50E-9 p.u.l param RDC = 70E-3 LTOT = 300E-9 CAP = 100E-12
Figure B.17 Schma quivalent de la mesure de la tension base sur l'utilisation d'un
pont diviseur 910 k / 9.1 k.
7 dcembre 2010

120
279
100
80 Amplitude (V)
60
40
20
0 0 5 .10
1 .10 Time (s)
1.5 .10
Pulse to be measured Pulse measured x 101 (Voltage divider corrected)
Figure B.18 Niveau ramen en entre de l'oscilloscope avec le dispositif de la Figure

B.17 La solution nalement retenue, consiste n'utiliser qu'une rsistance srie de 1 k avec un condensateur srie de 100 nF plac juste avant l'entre de l'oscilloscope congur sur 50
en impdance d'entre (Figure B.19). La valeur de ce condensateur a t valu comme
devant tre suprieur 10 nF pour ne pas tre satur pendant la dure de transmission de l'impulsion. Cette disposition permet alors d'avoir une impdance trs leve en DC (rsistance de fuite du condensateur de plusieurs centaines de M), et d'avoir un pont diviseur 1 k / 50 orant un rapport raisonnable de 21 sur la tension mesurer.
Voltage divider Pulse to be measured 0.1e-12
Interface coaxial cable
Serial Capacitor (SMD)
Input Oscilloscope
100n
1
1e-9
2
0.05
V1 = 0 V2 = 100 TR = 5e-9 TF = 5e-9 PW = 50e-9 PER = 1

0
1k
Wheeler 50 x cells
50
LENGTH = 1 LINT = 50E-9 p.u.l param RDC = 70E-3 LTOT = 300E-9 CAP = 100E-12
Figure B.19 Schma quivalent de la mesure de la tension base sur l'utilisation de 1

k et 100 nF srie avec oscilloscope en entre 50
La Figure B.20 superpose l'impulsion source mesurer avec les niveaux obtenus par les techniques bases sur l'utilisation du pont diviseur 910 k / 9.1 k et sur l'utilisation du RC srie que nous venons d'introduire. Nous observons bien l'ecacit de la solution dveloppe, qui n'introduit qu'un dlai sur le pulse mesur, correspondant l'eet de la ligne de liaison entre le point de mesure et l'oscilloscope.
7 dcembre 2010
B.4. Ralisation physique

120
280
100
80 Amplitude (V)
60
40
20
0 0 5 .10
7 1 .10 Time (s)
1.5 .10
Pulse to be measured Pulse measured with voltage divider 910k / 9.1k Pulse measured with 1k - 100 nF series - Scope input 50 Ohms
Figure
B.20 Niveaux ramens en entre de l'oscilloscope validant la solution du RC
srie / oscilloscope 50
(Facteurs de corrections pris en compte)
B.4 Ralisation physique

La mise en oeuvre des techniques pour la mesure de la caractristique I/V en particulier, est base sur l'utilisation du PCB de test gnrique que nous avons dtaill Chapitre 3, et sur lequel l'emplacement de la sonde de courant est prvu, ainsi que l'emplacement de la rsistance srie de 1 k. La prsentation des dirents lments est nalement donn Figure B.21.
TLP output
10 dB attenuator To oscilloscope Serial 100 nF capacitor
Current probe 1k resistor
Integrated Circuit
Figure B.21 Mise en oeuvre de mesures au banc TLP
7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE
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7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE
282
7 dcembre 2010
Annexe C
valuation de la mutuelle inductance entre deux condensateurs cramiques
Lorsque deux condensateurs cramiques sont proches l'un de l'autre, il y a entre leurs inductances parasites, cration d'une mutuelle inductance qu'il peut tre ncessaire de prendre en compte ds lors qu'elle modie le comportement de l'impdance quivalente prsente par l'un ou l'autre des condensateurs. Connaissant les modles lmentaires des composants cramiques en botier 0603 notamment, et ayant pu identi que les valeurs des inductances parasites ne dpendent pas des valeurs des condensateurs, nous avons mis en place un dispositif permettant d'estimer la mutuelle inductance en fonction de la distance entre les composants. Ceci est simplement fait en ajustant dans la modlisation la valeur de la mutuelle inductance jusqu' corrler correctement entre la mesure et la simulation.
C.1 Principe de la caractrisation

Deux condensateurs de 1 nF et de 100 nF en botier 0603 sont placs cte cte sur une ligne de transmission reliant deux connecteurs SMA (Figure C.1). Une zone vers le milieu de cette piste a t non vernie, et permet de placer les composants l'un par rapport l'autre comme on le souhaite. La mesure du coecient de transmission est alors ralise en insrant ce dispositif entre les deux ports du VNA. On mesure alors le module du S21 , qui sera la grandeur nous intressant.
283
C.1. Principe de la caractrisation
284
Figure C.1 Dispositif pour l'valuation de la mutuelle inductance entre condensateurs

cramique La structure est alors modlise en prenant en compte les pistes entre chaque connecteur SMA et les condensateurs, ainsi que la piste entre les deux condensateurs. Les condensateurs sont modliss par leurs modles quivalents prsents dans le chapitre 2. La mutuelle inductance est alors ajuste jusqu' obtenir une corrlation acceptable entre mesure et simulation. Le schma utilis est prsent Figure C.2.
Modle du PCB de test

Piste SMA - Condo 1 nF Piste entre condos Piste SMA - Condo 100 nF
Z0 = 34 TD = {0.018/1.27e8}
Z0 = 34 TD = {0.0065/1.27e8}
Z0 = 34 TD = {0.0155/1.27e8}
50 2V
50
Condensateurs et mutuelle
1e-9 0 0.6e-9
100e-9 0.6e-9 0
COUPLING = {MUT}
2 2
0.05 0 0
0.033
Figure C.2 Schma quivalent de la conguration de mesure

Une analyse paramtrique dans cette conguration sur la valeur de la mutuelle permet de montrer que cette technique est susamment sensible pour valuer convenablement ce coecient.
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C.1. Principe de la caractrisation

0
285
20
S21 (dB)
40
60
80 6 1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Figure C.3 Analyse paramtrique sur la valeur de la mutuelle (entre 0.1 et 1 par pas
de 0.1) Dans le positionnement de la Figure C.4, l'optimisation de la valeur de la mutuelle conduit au rsultat de la Figure C.5.
3 mm
Figure C.4 Cas des condensateurs espacs de 3 mm
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C.2. Rsultats
286
20
S21 (dB)
40
60
80 6 1 .10
1 .10
1 .10 F (Hz)
1 .10
1 .10
10
Mesure Simulation
Figure
C.5 Confrontation simulation / mesure aprs optimisation de la valeur de la
mutuelle pour une distance de 3 mm entre les condensateurs
C.2 Rsultats
En eectuant les mesures pour 0.1, 0.5, 1, 2, 3 et 6.5 mm, on peut reconstruire l'abaque suivante :
0.8
0.6 Coefficient de mutuelle
0.4
0.2
0.01
0.1 1 Distance entre condensateurs (mm)
10
Figure C.6 Abaque de la mutuelle en fonction de la distance entre les condensateurs

7 dcembre 2010
BIBLIOGRAPHIE
287
Liste des publications sur la priode de thse

Contribution des ouvrages et revues
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7th International workshop on Electromagnetic compatibility of Integrated circuits - EMC COMPO 09 - Toulouse, 2009.
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Colloque CEM08
7 dcembre 2010

ThèseprovisoireFLafon V2010 12 07

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Table des matires

Formulation d'un problme CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Modlisation des composants

Caractristiques et modlisation des condensateurs . . . . . . . . . . 2.1.1.1 2.1.1.2 2.1.1.3 Condensateurs cramiques . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Condensateurs lectrolytiques . . . . . . . . . . . . . . . . . Condensateurs Tantales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Caractristiques et modlisation des rsistances . . . . . . . . . . . . 2.1.2.1 2.1.2.2 Eet de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Caractristiques et modlisation des inductances 2.1.3.1 2.1.3.2 2.1.3.3

Ferrites CMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Eet thermique et non linarit . . . . . . . . . . . . . . . . Discussion sur la modlisation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Construction des modles par la mesure 2.1.4.1 2.1.4.2 2.1.4.3 2.1.4.4

tat de l'art de la mesure d'impdance

Prcisions de mesure d'impdance l'analyseur de rseau Pratiques de l'extraction des modles

Table des matires

Contraintes poses et fonctions du modle d'immunit . . . Structure du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Cas particulier des entres direntielles (IB) . . . . . . . . 120

Travaux au niveau du PCB

Conguration en TLP Kit de calibrage

Ralisation de la carte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136 3.1.2.1 3.1.2.2 Adaptation des pistes 50

Ralisation physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140

Modlisation des pistes sur PCB 3.2.1

Inductance L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 Capacit C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146 Conductance G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148

Table des matires

Synthse sur la modlisation du chemin d'injection . . . . . 165 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166

Modlisation sur produits

Impdance de mode commun 3.3.1 3.3.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183

Inuence de la structure de la masse PCB . . . . . . . . . . . . . . . 185 Synthse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186

Simulation au niveau quipement et systme

Modlisation de l'amplicateur . . . . . . . . . . . . . . . . 193 Modlisation de la batterie et du RSIL . . . . . . . . . . . 195

Modlisation du cblage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203 Modlisation de la pince d'injection . . . . . . . . . . . . . 209

tude du couplage sur un faisceau complet

Caractrisation et modlisation de l'immunit du capteur Simulation du test quipement

Prsentation du cas d'tude . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239

Table des matires

Quelques mots sur l'mission... . . . . . . . . . . . . . . . . 242 Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244

valuation de la susceptibilit du composant sur ses dirents accs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247

A Synthse bibliographique sur les lignes de transmission

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263 . . . . . . . . . . . . . 263

Manipulations des quations A.1.2.1 A.1.2.2 A.1.2.3

Simplications en hautes frquences

B Modlisation et exploitation du gnrateur TLP

Bloc ligne de transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271 Bloc relais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274

Validation du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275

Optimisation de la conguration de mesure B.3.1 B.3.2

C valuation de la mutuelle inductance entre deux condensateurs cramiques

Table des matires

Table des matires

Table des matires

Table des matires

1.1. Bases de la CEM

1.1 Bases de la CEM

Figure 1.1  Illustration d'un problme de CEM

1.1. Bases de la CEM

1.1.2 Sources de perturbation

-Radiations cosmique -Soleil

Figure 1.2  Caractrisation de l'environnement lectromagntique

1. Electro Static Discharge

1.1. Bases de la CEM

1.1. Bases de la CEM

Figure 1.3  Extrait du site www.cartoradio.fr

Figure 1.4  Extrait mesures www.cartoradio.fr

1.1. Bases de la CEM

pour des commandes de moteur

1.1.3 Formulation d'un problme CEM

Caractristiques et modlisation des rsistances . . . . . . . . . . . . 2.1.2.1 2.1.2.2 Eet de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ferrites CMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Eet thermique et non linarit . . . . . . . . . . . . . . . . Discussion sur la modlisation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Cas particulier des entres direntielles (IB) . . . . . . . . 120

Conguration en TLP Kit de calibrage

Inuence de la structure de la masse PCB . . . . . . . . . . . . . . . 185 Synthse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186

Simulation au niveau quipement et systme

Modlisation de l'amplicateur . . . . . . . . . . . . . . . . 193 Modlisation de la batterie et du RSIL . . . . . . . . . . . 195

valuation de la susceptibilit du composant sur ses dirents accs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247

Simplications en hautes frquences

Optimisation de la conguration de mesure B.3.1 B.3.2

Figure 1.1 Illustration d'un problme de CEM

Figure 1.2 Caractrisation de l'environnement lectromagntique

Figure 1.3 Extrait du site www.cartoradio.fr

Figure 1.4 Extrait mesures www.cartoradio.fr

Figure 1.5 Formulation d'un problme CEM

Figure 1.6 Du composant au vhicule - mission

Figure 1.7 Du vhicule au composant - Immunit

Figure 1.8 Mthodes d'essais normalises ISO pour l'immunit quipement

Figure 1.9 Couverture frquentielle des principales mthodes ISO

Figure 1.12 Intrt de la simulation pour la conception

Figure 2.1 lments parasites de base et origines

Figure 2.3 Modle quivalent du condensateur

Figure 2.4 Structure d'un condensateur cramique CMS

Table 2.1 Tailles des botiers CMS - quivalence inches / mtrique

Table 2.2 Codication des condensateurs de type I

Drive en ppm/C ` Chire 2eme car. signicatif

Table 2.3 Codication des condensateurs de classe II

2.1. Modlisation des composants passifs Eet du vieillissement.