UNION P-N

UNION PN EN EQUILIBRIO Y POLARIZADA Se representa la formacin de bandas, la distribucin de carga y el campo en la zona de carga espacial en funcin de la polarizacin. Se muestra (rectngulo rojo-blanco-azul en la parte superior) y el diagrama de bandas estn dados para una polarizacin determinada que se ajusta utilizando la barra de desplazamiento de la esquina superior izquierda. Trabaja con los elementos qumicos Sodio (Na) que funciona como Positivo y Neodimio( Nd) que funciona como negativo . Las alturas de los rectngulos en las bandas de conduccin/valencia en el lado n/p respectivamente son proporcionales al logaritmo de la densidad de portadores mayoritarios. Las alturas de los rectngulos en las bandas de conduccin/valencia en el lado p/n varan en funcin de la posicin dentro de la muestra. La longitud para la cual la densidad de portadores alcanza el valor constante es igual a la longitud para la que existe corriente de recombinacin. La variacin de la densidad de portadores en este proceso se produce segn un descenso de tipo exponencial con un parmetro denominado longitud de difusin. La longitud de difusin es la distancia media que recorre un portador minoritario antes de recombinarse con un portador mayoritario, tpicamente es de pocos milmetros. El nmero de puntos azules (electrones) en E (es decir, coordenada-y), que se originan desde el rectngulo azul en la banda de conduccin de la regin neutra, es proporcional a ln[n(E)]. En realidad, el nmero debera ser directamente proporcional a n(E). Tambin se muestra el perfil de la densidad de carga especial y el campo elctrico en la zona de deplexin del diodo de unin-pn bajo la polarizacin aplicada

LEY DE SHOCKLEY

Representa la evolucin de la corriente en un diodo PN en funcin de la polarizacin, el dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura. Se puede observar el flujo de corriente en un diodo de unin-pn. Bajo polarizacin directa (lado-p es ms positivo que el lado-n, o el lado-n ms negativo que el lado-p), se inyectan huecos desde el lado-p (rojo), atravesando la regin neutral (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el lado-n (azul). Los huecos inyectados dentro del lado-n son portadores minoritarios. Cerca de la frontera de la regin neutral , la concentracin de huecos minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente.

CONMUTACION DEL DIODO

Ilustra la conmutacin de un diodo en un circuito donde la polarizacin pueda pasar desde directa a disrupcin pasando por corte. Se representa la evolucin en el tiempo de la corriente, la tensin en el diodo y la carga en las zonas neutras as como la anchura de la zona bipolar.

Al modificar los parmetros del circuito aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.