FAMILIAS LOGICAS CORPORACION UNIVERSITARIA DE COLOMBIA ELECTRONICA DIGITAL BOGOTA 2002 FAMILIA LGICA TTL Las caracteristicas de la tecnologa

utilizada, en la familia TTL (Transistor, Transistor Logic), condiciona los parmetros que se describen en sus hojas de caracteristicas segn el fabricante, (aunque es estandar), la resumir en slo algunas como que: Su tensin de alimentacin caracteristica se halla comprendida entre los 4'75V y los 5'25V como se ve un rango muy estrecho debido a esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0'2V y 0'8V para el estado L y los 2'4V y Vcc para el estado H. La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor baza, ciertamente esta caracteristica le hacer aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, SL, S, etc y ltimamente los TTL: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco mas de los 250Mhz. Esta familia es la primera que surge y an todava se utiliza en aplicaciones que requieren dispositivos SSI y MSI. El circuito lgico TTL bsico es la compuerta NAND. La familia TTL utiliza como componente principal el transistor bipolar. Como podemos ver en la figura, mediante un arreglo de estos transistores se logran crear distintos circuitos de lgica digital. OTRAS CARACTERISTICAS TTL Debemos tomar en cuenta otras caractersticas de la lgica TTL. Si dejamos una entrada sin conectar actuar exactamente como un 1 lgico aplicado a esa entrada, ya que el transistor no ser polarizado en forma directa. Cuando se presenta el caso de que no utilizamos una entrada la podemos dejar desconectada para que actue como un 1 lgico, pero lo ms conveniente sera conectarlas a +5V a travs de una resistencia de 1k para proteger de las corrientes a las entradas de la compuerta. Cuando dos o ms entradas de una compuerta TTL se interconectan para formar una entrada comn, esta tendr una factor de carga de entrada que es la suma de los factores de carga de cada entrada. Caractersticas de la familia TTL. La familia lgica transistortransistor ha sido una de las familias de CI ms utilizadas. Los CI de la serie 74 estndar ofrecen una combinacin de velocidad y disipacin de potencia adecuada a muchas aplicaciones. Los CI de esta serie incluyen una amplia variedad de compuertas, flipflops y multivibradores monoestables as como registros de corrimiento, contadores, decodificadores, memorias y circuitos aritmticos.

La familia 74 cuenta con varias series de dispositivos lgicos TTL(74, 74LS, 74S, etc.). Caractersticas de la serie TTL estndar Rango de voltajes de alimentacin y temperatura. Estas series utilizan una fuente de alimentacin (Vcc) con voltaje nominal de 5V. Funcionan de manera adecuada en temperaturas ambientales que van de 0 a 70C. Niveles de voltaje Los niveles de voltaje de salida de la familia 74 estndar son: Voltajes nominales mximos

Los voltajes aplicados a cualquier entrada de un CI no deben exceder los 5.5V. Existe tambin un mximo para el voltaje negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, que es de 0.5V. Esto se debe al uso de diodos de proteccin en paralelo en cada entrada de los CI TTL. Retado de propagacin La compuerta NAND TTL estndar tiene retardos de propagacin caractersticos de tPLH = 11 ns y tPHL = 7 ns, con lo que el retardo promedio es de tPD(prom) = 9 ns. Dentro de la familia TTL, existen otras series que ofrecen alternativas de caractersticas de velocidad y potencia. Dentro de ellas, estn: Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia Serie 74H, TTL de alta velocidad Serie 74S, TTL Schottky Serie 74LS (LSTTL), TTL Schottky de bajo consumo de potencia Serie 74AS (ASTTL), TTL Schottky avanzada Serie 74ALS, TTL avanzada Schottky de bajo consumo de potencia Tabla 1. Caractersticas representativas de las series TTL 74 Parmetros de funcionamiento Retardo de propagacin (ns) Disipacin de potencia (mW) 9 10 33 1 74L 6 23 74H 3 20 74S 9.5 2 74LS 1.7 8 74AS 4 1 2 74ALS

Producto velocidadpotencia (pJ) Mxima frecuencia de reloj (MHz) Factor de carga de la salida Parmetros de Voltaje VOH VOL VIH VIL

90 35 10 2.4 0.4 2.0

33 3 20 2.4 0.4 2.0 0.8

138 50 10 2.4 0.4 2.0 0.7

60 125 20 2.7 0.5 2.0 0.8

19 45 20 2.7 0.5 2.0 0.8

13.6 200 40 2.5 0.5 2.0 0.8

4.8 70 20 2.5 0.4 2.0 0.8

0.8

La serie TTL tambin puede caracterizarse por el tipo de salida con que cuenta: salida TTL de colector abierto salida TTL de tres estados FAMILIA CMOS Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000 que fue introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series CMOS. La serie 74C que su caracterstica principal es que es compatible terminal por terminal y funcin por funcin con los dispositivos TTL. Esto hace posibles remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente CMOS. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la velocidad de conmutacin. La serie 74HCT es tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL. Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT. Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces: VOL(max) = 0 V VOH(min) = VDD VIL(max) = 30%VDD VIH(min) = 70% VDD Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y tenemos que es de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser utlizados en medios con mucho ms ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todava mejores si aumentamos el valor de VDD ya que es un porcentaje de este. En lo que a la disipacin de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de slo 2.5 nW cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a slo 10 nW. Sin embargo tenemos que la disipacin de potencia sera baja mientras estemos trabajando con corriente directa. La potencia crece en proporcin con la frecuencia. Una compuerta CMOS tiene la misma potencia de disipacin en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz. Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande (1012 ) que casi no consume corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el nmero de entradas CMOS que se pueden 3

manejar con una sola salida CMOS. As pues, el factor de carga de CMOS depende del mximo retardo permisible en la propagacin. Comunmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias, para altas frecuencias el factor de carga disminuye. Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de alimentacin que se emplee, por ejemplo en una 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias ms elevadas. Hay otras caractersticas muy importante que tenemos que considerar siempre, las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, esto es por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas electrostticas y ruido que podran daar los dispositivos. Caractersticas de la familia CMOS. La tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura bsica MOS de un electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre un subestrato semiconductor. Los transistores de la tecnologa MOS son transistores de campo denominados MOSFET. La mayora de los CI digitales MOS se construyen exclusivamente con MOSFET. Caractersticas principales. voltaje de alimentacin Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la regulacin de voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con voltajes de 2 a 6 V. niveles de voltaje Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. VOL (max) VOH (min) VIL (max) VIH (min) 0V VDD 30% VDD 70% VDD

velocidad de operacin Una compuerta NAND NMOS comn tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se debe principalmente a la resistencia de salida relativamente alta (100k) y la carga capacitiva representada por las entradas de los circuitos lgicos manejados. margen de ruido Normalmente, los mrgenes de ruido NMOS estn alrededor de 1.5V cuando operan desde VDD = 5 V, y sern proporcionalmente mayores para valores ms grandes de VDD. factor de carga Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga son virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se observa un deterioro del factor de carga 4

siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor que en las familias TTL. consumo de potencia Los CI MOS consumen pequeas cantidades de potencia debido a las resistencias relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipacin de potencia del INVERSOR NMOS en sus dos estados de operacin. PD = 5V x 0.05nA = 0.25 nW PD = 5V x 50A = 0.25mW complejidad del proceso La lgica MOS es la familia lgica ms simple de fabricar ya que utiliza un solo elemento bsico, el transistor NMOS (o bien el PMOS), por lo que no requiere de otros elementos como diodos o resistencias (como el CI TTL). Susceptibilidad a la carga esttica Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por carga electrosttica. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequea carga electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. La mayora de los nuevos dispositivos CMOS estn protegidos contra dao por carga esttica mediante la inclusin en sus entradas de un diodo zener de proteccin. Estos diodos estn diseados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de entrada a niveles muy inferiores a los necesarios para hacer dao. Las principales series CMOS son: serie 4000/14000 serie 74C serie 74HC (CMOS de alta velocidad) serie 74HCT Diferencias entre las familias TTL y CMOS. En comparacin con las familias lgicas TTL, las familias lgicas MOS son ms lentas en cuanto a velocidad de operacin; requieren de mucho menos potencia; tienen un mejor manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un factor de carga ms elevado y requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems, debido a su alta densidad de integracin, los CI MOS estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala. (LSI memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores, as como VLSI). Por otro lado, la velocidad de operacin de los CI TTL los hace dominar las categoras SSI o MSI (compuertas, FF y contadores) FAMILIA ECL La familia ECL, lo que quiere decir Lgica Acoplada en Emisor (emmitercoupled logic) son unos circuitos integrados digitales los cuales usan transistores bipolares, pero a diferencia de los TTL en los ECL se evita la saturacin de los transistores, esto da lugar a un incremento en la velocidad total de conmutacin. La familia ECL opera bajo el principio de la conmutacin de corriente, por el cual una corriente de polarizacin fija menor que la corriente del colector de saturacin es conmutada del colector de un transistor al otro. Este tipo de configuraciones se les conoce tambin como la lgica de modo de corriente (CML; currentmode logic). 5

El circuito bsico para los ECL es principalmente la configuracin de amplificador diferencial. El funcionamiento de este amplificador es muy simple, se tiene una corriente fija IE que es producida por la fuenet VEE, esta corriente que pasa a travs de la resistencia de 1k permanece alrededor de 3 mA durante la operacin normal de la compuerta. Ahora bien, depende del nivel de voltaje en la base de los transistores de entrada para definir que transistor debe conducir, esto significa que la corriente cambiar entre el colector de Q1 y Q2 y el de Q3. Los niveles lgicos para la familia ECL son los siguientes: 0 lgico 1.7 V 1 lgico 0.8 V CARACTERSTICAS DE LA ECL La familia TTL utiliza transistores que operan en el modo saturado. Como resultado, su velocidad de conmutacin esta limitada por el retardo en el tiempo de almacenamiento asociado con un transistor que se conduce a saturacin. En cambio con el desarrollo de la ECL sa ha logrado mejorar las velocidades de conmutacin. La familia ECL no se usa tan comunmente como las familias TTL y MOS, excepto en aplicaciones de muy alta frecuencia donde su velocidad es superior. Sus mrgenes de ruido son relativamente bajos y tiene un elevado consumo de potencia son desventajas en comparacin con las otras familias lgicas En la familia ECL los transistores nunca se saturan, esto hace que la velocidad de conmutacin sea muy alta, el tiempo comn de retardo es de 2ns. Los mrgenes de ruido en el peor de los casos son de 250 mV. Esto hace a los ECL un poco inseguros para utilizarse en medios industriales de mucho trabajo. Tambin tenemos que tomar en cuenta la disipacin de potencia de una compuerta ECL que es de 40 mW, muy alta en comparacin a las otras familias. Otra desventaja es su voltaje de alimentacin negativo y niveles lgicos, que no son compatibles con las dems familias y esto dificulta el uso de las ECL en conjuncin con los circuitos TTL y MOS. El flujo de corriente total en el circuito ECL permanece constante, no importa su estado lgico esto ayuda a mantener un consumo de corriente invariables en el suministro de potencia del circuito. A continuacin se muestra una tabla donde se compara la familia ECL con la TTL: Familia Lgica tPD (ns) PD(mW) Margen de Ruido (mV) Frecuencia Mx (Mhz) 74 9 10 400 35 74AS 1.7 8 300 200 74ALS 4 1.2 400 70 74S 3 20 300 125 74LS 9.5 2 300 45 ECL 1 40 250 600 FAMILIA MOS Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente 6

con este tipo de transistores. El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del area del CI mientras que un BJT ocupa 50 mlesimos del area del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mucho mayor de elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares. La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas. Los CI digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, adems nos interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los BJT en la familia TTL. En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje que determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando VGS = 0 V, la resistencia del canal es muy alta de 1010 , o sea, que no existe un canal conductor entre la fuente y el drenaje ya que para propsitos prcticos esto es un circuito abierto. Mientra VGS sea cero o negativo el dispositivo permanecer apagado. Cuando VGS se hace positivo, en particular un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de 1.5 V, el MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia del canal entre la fuente y el drenaje es de 1 k. El MOSFET canal P opera exactamente igual excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para encender los PMOSFET, debe aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT. Los circuitos integrados PMOS y NMOS tiene una mayor densidad de integracin por lo que son ms econmicos que los CMOS. Los NMOS son ms comunmente utilizados que los PMOS, ya que son dos veces ms rpidos y tienen cerca de dos veces la densidad de integracin de los PMOS. En las siguientes figuras se muestran un inversor NMOS, una NAND NMOS y una NOR NMOS. En el circuito del inversor tenemos que Q1 siempre esta en el estado de encendido y actua como una resistencia de carga RENC = 100 k. El transistor Q2 cambiara a apagado o encendido en respuesta al voltaje de entrada VEN. Con VEN = 0 V, Q2 esta apagado con VEN = 5 V. Q2 esta encendido y el voltaje de salida esta en su nivel BAJO. En la compuerta NAND Q1 actua como una resistencia de carga, mientras que Q2 y Q3 son los interruptores controlados por las entradas A y B. Si A o B esta en su nivel BAJO (0V), el transistor esta apagado y X esta en su nivel ALTO (+5 V). Cuando A y B estan en 1 lgico, Q2 y Q3 estan encendidos de modo que X esta en un 0 lgico. La compuerta NOR utiliza Q2 y Q3 como interruptores paralelos con Q1. Cuando A o B esta en 1 lgico, el MOSFET correspondiente esta encendido, lo que provoca en la salida un nivel BAJO. Slo cuando ambas entradas estan en 0 V, Q2 y Q3 estan apagados y la salida es ALTA. CARACTERSTICAS DE LOS CIRCUITOS MOS Velocidad de Operacin 50 ns. Margen de Ruido 1.5 V

Factor de Carga 50 Consumo de Potencia 0.1 mW Como podemos ver los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital. La familia lgico MOS tiene una caracterstica que no se haba tomado en cuenta en las familias anteriormente estudiadas, la sensibilidad esttica. Esto es, que los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes perdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos los intrumentos a tierra fsica, conctarse a s mismo a tierra fsica, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS. CIRCUITOS LOGICOS MOS COMPLEMENTARIOS La familia CMOS utiliza MOSFET de canales P y N en el mismo circuito para obtener una mayor velocidad de operacin y un menor consumo de potencia. El problema de los CMOS es la elevada complejidad del proceso de fabricacin y su pequea densidad de integracin.. Sin embargo, la lgica CMOS tiene una mayor densidad de integracin y el proceso de fabricacin es ms simple que la familia TTL. En las figuras se representan los PMOSFET y los NMOSFET con unos bloques marcados con P y N respectivamente. El inversor CMOS tiene dos MOSFET en serie de modo que el dispositivo con canal P esta conectado a +VDD y el de canal N esta conectado a tierra. Cuando tenemos VENT = +VDD la compuerta de Q1 esta en 0V, esto quiere decir que Q1 esta apagado. La compuerta Q2 estar en +VDD, de esta manera Q2 esta encendido. En el caso donde VENT = 0 V, Q1 esta encendido y Q2 apagado produciendo un voltaje de salida de aproximadamente + VDD. La compuerta NAND esta formada por la adicin de un PMOSFET en paralelo con un NMOSFET en serie al inverosr bsico. Puede observarse entonces, que la nica vez que una salida BAJA ocurrir es cuando las entradas sean ambas ALTAS para encender los MOSFET de canal N. Para una compuerta NOR CMOS necesitamos agregar un PMOSFET en serie y un NMOSFET en paralelo al inversor bsico. Cuando tenemos un 0 lgico en cualquier entrada enciende PMOSFET y apaga NMOSFET, y viceversa para una entrada ALTA. BIBLIOGRAFA TOCCI, Ronald. Sistema Digitales: Principio y Aplicaciones. Ed. Prentice Hall. 5a ed. HAZEN, Mark. Experiencing electricity and Electronics. Ed. Saunders College. 7a ed. Corporacin Universitaria de Colombia