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SEMICONDUTORES
Eg ~ 1 eV
EF
E=0
Eltron pode saltar da banda de valncia para a banda de conduo por simples agitao trmica
Eltrons saltam da banda de valncia para a banda de conduo, gerando espaos vazios na banda de valncia
Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
BURACOS
Semicondutor Intrnseco
e-
(BC)
EF +
(BV)
N(buracos) = N(eltrons)
= Si
2 tipos de portadores de carga: Eltrons na banda de conduo (BC) Buracos na banda de valncia (BV)
Mrcia Russman Gallas (FIS01184) Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
SEMICONDUTORES: como varia a resistividade SEMICONDUTORES com o aumento da temperatura? Concentrao de portadores de
RESUMO:
Propriedade Metais (M) Semicondutores (S) Observaes
Portadores Eltrons de carga de conduo (n) Resistividade m Pequena = 2 ne Coeficiente d de >0 >0 temperatura dT diminui da com T resistividade 1 d n independe = dT de T Eltrons + Buracos Grande nM > nS
m = 2 ne
1 d = dT
carga (n) aumenta rapidamente com a temperatura (eltrons e buracos); Tempo de relaxao tem uma diminuio pequena frente ao aumento de (n)
M < S
d dT
<0 <0
= coeficiente de temperatura da
resistividade NEGATIVO!
M > 0 S < 0
Si = - 70 x 10-3 K-1
Dopagem de Semicondutores
Objetivo: aumentar a condutividade do SC pela adio de uma pequena quantidade de outro material, denominado de dopante Semicondutor Intrnseco
e-
eee+ e+ + eEF
EF + n(buracos) = n(eltrons)
b+
=B = Si
= Si
Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
Valncia do Si +4
e-
e+
e+
eEF
b+
b+
e-
=P = Si
Carrier Concentration vs. Fermi Level and the doping of donor and acceptor impurities.
A aplicao da teoria de bandas aos semicondutores do tipo n e tipo p mostra que nveis extras de energia so adicionados pelas impurezas. Tipo n: existem nveis de energia para os eltrons perto do topo do gap de energia, e estes eltrons podem ser fcilmente excitados para a banda de conduo. (tomos de impurezas: com 5 eltrons de valncia) Tipo p: buracos no fundo do gap de energia permitem que eltrons de valncia sejam excitados para este nvel, gerando buracos extras na banda de valncia. (tomos de impurezas: com 3 eltrons de valncia)
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- + - + - + +
Zona de depleo
+ +
Equilbrio: eltrons do material tipo-n preenchem os buracos do material tipo-p ao longo da juno entre as camadas, formando uma zona de depleo, onde temos cargas fixas e no h mais portadores de carga nesta regio.
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Zona de Depleo
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e buracos.
Como os pares de ons so gerados: lado n contm impurezas doadoras, quando o eltron passa para o lado p, esta impureza perde um eltron e vira um on positivo perto da juno, no lado n. No lado p, este eltron que passou, vai ocupar o buraco da impureza receptora e vai torn-la um ion negativo, perto da juno, mas no lado p. Estes ons acabam se atraindo e formando pares fixos, na juno, que chamada de zona de depleo!
Potencial de Contato Vo
Inibe corrente de difuso (gerada por portadores de carga majoritrios) No impede movimento dos portadores de carga minoritrios, que geram uma corrente chamada de corrente de deriva (sentido oposto a corrente de difuso) No equilbrio: ideriva = idifuso
V(x)
Vo
0 x
Smbolo do Diodo
Polarizao do Diodo
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo (+) da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo (-) em contato com o material tipo n. Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo (+) no material tipo n e o plo negativo (-) no material tipo p, dizemos que a juno est com polarizao inversa (reversa).
Polarizao do Diodo
Significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.
ideriva
Polarizao Direta
Vext subtraido de Vo Diminui a barreira para portadores majoritrios Aumenta idifuso do diminui, ideriva = constante
Polarizao Inversa
Vext somado a Vo Aumenta a barreira para portadores majoritrios Diminui idifuso do aumenta, ideriva = constante
Aplicao
Diodo Retificador
ideriva
idifuso
idireta
idifuso
iinversa ideriva
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POTNCIA DE UM DIODO
Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P =U*I No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 PMAX = 250mW 1N4001 IMAX = 1A Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).
Tipos de diodos
DIODO ZENER - um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura.
o Seu comportamento o de um diodo comum quando polarizado diretamente.
o Quando polarizado inversamente ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura.
Diodo Emissor de Luz Light-emitting diode (LED) LightComo a juno pn emite luz? Eltron no fundo da banda de conduo cai num buraco no topo da banda de valncia: processo de recombinao eltron+buraco.
e-
(BC)
Eg
+ (BV)
Energia liberada = Eg
garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX
Forma de calor: energia trmica, vibrao na estrutura Forma de radiao eltromagntica: luz Depende dos semicondutores utilizados: precisa de um grande nmero de recombinaes
Eg =
hc
LEDs comerciais: Ga-As-P proporo entre fsforo e arsnio ajusta a largura do gap (Eg) de modo a haver emisso no visvel
Mrcia Russman Gallas (FIS01184) Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
LEDs comerciais: Ga-As-P proporo entre fsforo e arsnio ajusta a largura do gap (Eg) de modo a haver emisso no visvel.
Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
SAMSUNG Electronics Develops Worlds First 40-inch a-Si-based OLED for Ultraslim, Ultra-sharp Large TVs 19 May 2005
Transistor de efeito de campo: FET eltrons vo de S para D: corrente IDS depende do campo eltrico produzido por uma tenso em G Diversos tipos de transistores: vamos discutir MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field - Effect Transistor)
Mrcia Russman Gallas (FIS01184)
OBS: comprimentos de onda de laser de diodo tem largura de linha bem menor que os comprimentos de onda de um LED
MOSFET
MOSFET
Opera somente em dois estados: lgica binria circuitos eltricos digitais IDS 0 (porta aberta) 1 IDS = 0 (porta fechada) 0 Comutao rpida entre ON e OFF Comprimento: 500 nm (extremamente pequeno!) Composio: estrutura bsica - substrato: semicondutor tipo p - monocristal de Si fracamente dopado - ilhas so criadas no substrato com alta dopagem tipo n (fonte e dreno) - ligao entre F e D atravs de uma camada estreita (canal) tipo n - fina camada de SiO2 depositada sobre o canal - uma camada de metal depositada sobre o xido para fazer o papel de porta - camadas metlicas sobre a fonte e o dreno
G S D
- eltrons se movem atravs do canal n de S D : corrente convencional IDS - liga-se uma fonte de tenso VGS entre porta (G) e fonte (S): terminal negativo (G) - isto cria um campo eltrico que repele os eltrons do canal n para p: alarga a zona de depleo diminui a largura de n (canal) diminui o nmero de portadores de carga aumenta a resistncia reduz IDS - para valores grandes de VGS , IDS = 0 portanto VGS pode ser usado para comutar o MOSFET em ON e OFF OBS: milhares de transistores e outros componentes eletrnicos, como capacitores, resistores formam um CHIP (basicamente material semicondutor); vrios CHIPS: circuitos integrados microeletrnica
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