1

El Amplicador Operacional Real: Parmetros y

especicaciones tcnicas
J. I Huircn
AbstractSe describen las caractersticas del Ampli-
cador Operacional real, el cual tiene ganancia nita, y de-
pende de la frecuencia. Este amplicador no tiene balance
perfecto, pues, presenta un error en corriente continua, el
cual se llama oset y es causado por V
io
, I
B
e I
io
. Las re-
sistencias de entrada y salida del dispositivo tienen valores
nitos. Cada AO es identicado mediante un cdigo que
especica su encapsulado y tipo.
Index TermsOp Amp IC, Amplicador Operacional.
I. Introduction
Para trabajar con AO reales se requiere tomar en cuenta
aspectos de tipo prctico, pues, aunque el modelo ideal
se asemeja bastante al real, ste no se comporta exacta-
mente igual al ideal. Se debe conocer esta diferencia, ya
que de ello depende el comportamiento nal de un circuito
diseado con un AO.
II. El AO Integrado (OP AMP IC)
El Amplicador Operacional (AO) integrado (CI) est
constituido bsicamente por dos etapas de ganancia de
voltaje (una entrada diferencial y una etapa de emisor
comn) seguida por una etapa de salida clase AB de baja
impedancia. Un diagrama simplicado de este circuito in-
tegrado es mostrado en la Fig. 1. Esta versin de un AO
integrado es equivalente a un AO de propsito general,
similar al LM101, jA 741, o versiones de AO mltiples [1].
Este circuito permite entender el funcionamiento interno
del CI.
R
B
Q
3
Q
5
Q
6
Q
7
Q
4
Q
1
Q
8
Q
2
Q
9 Q
10
C
c
v
out
Vcc
V
EE
v
in
+
_
Etapa de Entrada 2 Etapa Etapa de Salida
V+
Fig. 1. Diagrama interno de un AO.
La etapa de entrada conformada por Q
1
y Q
2
forman
un par diferencial con carga activa formada por Q
3
y Q
4
.
Documento preparado en el DIE, UFRO. 2003-2011.
La salida se toma desde el colector del transistor Q
4
. Por
otro lado, Q
10
proporciona un polarizacin adecuada para
el par diferencial.
En la mayora de los AO, la etapa intermedia (2
a
etapa)
proporciona una alta ganancia a travs de varios ampli-
cadores, en el circuito de la Fig. 1, dicha etapa esta for-
mada por Q
5
la cual es un circuito en emisor comn que
proporciona una alta impedancia de entrada a la primera
etapa (la que atena los efectos de carga). Adems, esta
etapa tiene un capacitor C
c
el cual es utilizado por el AO
para compensacin en frecuencia.
Finalmente, la etapa de salida est conformada por Q
7
y Q
8
, la que proporciona una alta ganancia de corriente a
una baja impedancia de salida.
Existen muchas variantes y mejoras al circuito mostrado,
como lo es, modicar el par diferencial y utilizar transis-
tores JFET en la entrada, que permite el incremento de
la resistencia de entrada del AO, adems, la incorporacin
de otras etapas de amplicacin interna, trasladadores de
nivel y circuitos de proteccin.
Cada AO posee rasgos particulares, los que se en-
cuentran especicados en las hojas de especicacin
(Datasheet) de los manuales (Data Book) proporcionados
por los fabricantes. Estas contienen caractersticas de los
AO para determinadas condiciones de operacin, indicados
en forma de tabla o en grcos en conjunto con aplicaciones
tpicas para el dispositivo.
III. Ganancia de lazo abierto
v
La diferencia ms signicativa entre el AO ideal y el real
es la ganancia de tensin en lazo abierto, tambin cono-
cida como ganancia diferencial. Mientras AO ideal tiene
ganancia innita, la ganancia AO real es nita y adems
disminuye a medida que aumenta la frecuencia de trabajo.
La ganancia de tensin se especica en decbeles.

v
=

o

d

v
j
dB
= 20 log

o

d
(1)
La ganancia es alta para entradas cuya frecuencia uc-
ta entre c.c. y 10 KHz aproximadamente, para luego em-
pezar a decaer. Esta frecuencia de corte vara de acuerdo
al tipo de AO, para el caso de la Fig. 2, la alta ganan-
cia se mantiene hasta los 100Hz, decayendo a medida que
aumenta la frecuencia.
IV. Errores de desplazamiento (Offset) de
tensin y corriente
El AO ideal es un dispositivo balanceado, es decir

o
= 0, si
+
=

(2)
2
f [H ]
100
80
60
40
20
[dB]
10
10
2 6
A
v
z
0
Fig. 2. Respuesta en frecuencia del AO.
En cambio, el AO real tiene un desajuste, debido a que
los transistores que lo componen, especialmente los tran-
sistores del amplicador diferencial de entrada (Q
1
y Q
2
),
no son exactamente pareados.
Esto implica que se producen desajustes en los valores de
, de los transitores, lo cual trae como consecuencia varia-
ciones en los valores de las corrientes de entrada. Como los
ujos de corrientes son distintos en los terminales de en-
trada, aparecen diferencias en las tensiones base emisor de
los transistores del par diferencial. Tambin una variacin
en las resistencias de colector, producir un desequilibrio.
El resultado nal es un desajuste entre los colectores del
amplicador diferencial, que se maniesta en un voltaje

o
de salida distinto de cero. El desbalance producido se
conoce como voltaje oset o voltaje de desplazamiento.
Para solucionar este problema, se requiere de la apli-
cacin de un voltaje de compensacin entre los terminales
de entrada, para balancear la salida del amplicador (an-
ulacin del voltaje de oset).
A parte de los desajustes propios de construccin de los
AO, existen otros tales como los producidos por varia-
ciones de temperatura y cambios en las tensiones de ali-
mentacin. Para medir y especicar la compensacin de
oset del AO,se proponen tres parmetros, el \
io
, 1
B
e 1
io
.
A. Tensin de desplazamiento (Oset) en la entrada (\
io
)
En el AO real si ambas entradas son conectadas a tierra,
la salida es distinta de cero, pues existe una pequea ten-
sin de desplazamiento. Esta tensin en la entrada, lla-
mada \
io
, se dene como la tensin de entrada necesaria
para que la salida sea igual a cero. Si este valor es distinto
de cero, el AO amplicar cualquier desplazamiento en la
entrada, provocando un error grande en corriente continua
en la salida.
o
v
_
+
_
+
_
+
A
V
i o
V
i o
Fig. 3. Modelacin del V
io
.
Este parmetro es independiente de la ganancia del AO,
y su polaridad puede ser positiva o negativa. El efecto del
TABLE I
Valores tpicos de V
io
para diferentes AO.
AO Vio
AO de propsito general 2 10[:\ ]
Entrada JFET 1 2[:\ ]
Instrumentacin 10 100 [j\ ]
voltaje \
io
, se modela como una fuente de tensin continua
en una de las entradas del AO ideal como se indica en la
Fig. 3 y sus valores tpicos de muestran el la Tabla ??.
B. Corriente de polarizacin de entrada (1
B
)
Las entradas del AO ideal no requieren corriente, sin em-
bargo, en el caso real ingresa una corriente de polarizacin
en cada terminal de entrada. Esta corriente 1
B
(la letra
1 corresponde a la abreviacin 1ia:) es la corriente de
base del transistor de entrada, que se dene como la semi-
suma de las corrientes de entradas individuales de un AO
balanceado de acuerdo a la ecuacin (3). La corriente de
polarizacin de entrada se puede modelar como dos fuentes
de corrientes como se indica en la Fig. 4.
1
B
=
1
+
B
+1

B
2
(3)
o
v
_
+
I +
B B
I
_
Fig. 4. Modelacin de I
B
.
TABLE II
Valores tpicos de I
B
para diferentes AO.
AO 1
B
AO de propsito general 2[j]
Entrada JFET 1[j]
Instrumentacin 3 6 [:]
C. Coecientes que varan con respecto a la temperatura
Tanto \
io
, 1
B
e 1
io
son dependientes de la temperatura,
es por eso que se denen tres coecientes que relacionan
su variacin con la variacin de temperatura.
Coeciente de temperatura de 1
B
,
I
B
T
o
Coeciente de temperatura de 1
io
,
Iio
T
o
Coeciente de temperatura de \
io
,
Vio
T
o
D. Modelo Considerando los efectos del oset
De acuerdo a lo planteado resulta conveniente para los
anlisis de circuitos con oset, usar el modelo de la Fig.5,
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS 3
el cual muestra un AO ideal con los efectos de \
io
e 1
B
.
Dada la linealidad del dispositivo, los efectos de las fuentes
en las salidas sern aditivos.
o
v
+
_
+
V
i o
I +
B
B
I
_
Fig. 5. Modelo completo de Oset en un AO ideal.
V. Parmetros relacionados con la respuesta en
frecuencia
El AO real no tiene ancho de banda (BW) innito. En
los AO reales, el ancho de banda comienza en la frecuen-
cia cero y llega hasta la frecuencia de corte superior )
c
(frecuencia a la cual la ganancia disminuye en 3dB), sta
depende del tipo de AO y de la ganancia de lazo cerrado.
f [H ]
[dB]
f
A
v
z
A
o
-20 dB/dec
c
A
v
=
A
v
= 0
f
t
Frecuencia a ganancia
unidad
Ganancia unidad
-3 dB
Fig. 6. Respuesta en frecuencia del AO (curva de lazo abierto)
La respuesta en frecuencia del AO en lazo abierto se in-
dica en la Fig. 6, donde
o
es la ganancia mxima tambin
llamada ganancia de corriente continua o ganancia en baja
frecuencia. Si el AO es realimentado, ya sea una congu-
racin inversora o no inversora, la ganancia disminuye y la
frecuencia de corte aumenta.
A. Producto Ganancia - Ancho de Banda (GBP)
Es el producto de la ganancia en lazo abierto disponible
y el ancho de banda a una frecuencia especca. En gran
parte de los AO (compensados internamente en frecuencia)
cuya respuesta en frecuencia cae con una pendiente de 20
dB/dec, el GBP se considera constante. Este parmetro
est ligado a la frecuencia a ganancia unidad ()
t
) y en
algunos casos son la misma cosa. Cuando se trabaja a
ganancia unitaria, el GBP es igual al ancho de banda.
TABLE III
GBP para distintos AO.
AO G11 [MHz]
LM 741 1
LF 351 4
LF 356 10
B. Rise Time (t
r
)
Es el tiempo que se demora la seal de salida en ir desde
10% hasta el 90% de su valor nal, bajo condiciones de
pequea seal y en lazo cerrado. Se dene en base a la re-
spuesta de una entrada escaln y se relaciona con el ancho
de banda a travs de (4).
1\ =
0.35
t
r
[H
z
] (4)
TABLE IV
tr para AO 741 y 351.
AO t
r
[j:] 1\ ['H.]
LM741 0.3 1.16
LF351 0.08 4.35
El t
r
est dado para ganancia unitaria, as el ancho de
banda calculado recibe el nombre de GBP o frecuencia
ganancia unitaria ()
t
).
C. Slew Rate (SR)
La respuesta debida a un escaln no es ideal. Si se quiere
llevar la salida entre dos extremos, la respuesta del ampli-
cador no es instantnea. La velocidad que toma la salida
en ir desde un extremo a otro es la que se conoce como
razn de cambio o slew rate y est medida en
V
s
.
TABLE V
SR para distintos AO.
AO o1 [
V
s
]
LM 741 0.3
LF 351 13
Comnmente el SR se relaciona con el ancho de banda
de potencia, )
p
, que se dene como la frecuencia a la cual
una seal senoidal de salida, a una tensin predeterminada,
comienza a distorsionarse. Si
o
= \ :c:2)
p
t, donde \ es
la amplitud mxima de salida, el ancho de banda de po-
tencia se dene como la habilidad para entregar el mximo
de voltaje de salida con incremento de frecuencia.
VI. Caracterstica Elctricas
Los fabricantes especican una serie de caractersticas
elctricas para los AO, que ayudan a determinar los ran-
gos mximos a los cuales pueden ser sometidos los ampli-
cadores y adems sus caractersticas de entrada y salida.
A. Relacin de rechazo en modo comn (CMRR)
Mide la habilidad de un AO para rechazar seales en
modo comn. Si la misma seal alimenta a la entrada in-
versora como a la no inversora de una conguracin difer-
encial, la salida
o
debiera ser cero, sin embargo, debido a
4
la componente en modo comn esto no ocurre. La capaci-
dad de atenuar esta componente es lo que se conoce como
CMRR y comnmente se expresa en decibeles (dB).
C'11 =

d

cm
C'11j
dB
= 20 log

cm

(5)
Donde,
d
, es la ganancia diferencial y
cm
es ganancia
en modo comn.
TABLE VI
CMRR para diferentes AO.
AO C'11[d1]
Propsito general 70
Entrada JFET 100
Instrumentacin 120
VII. Resistencia de entrada (r
in
)
Es la resistencia vista desde un terminal de entrada con
la otra entrada puesta a tierra. Esta vara para cada AO.
TABLE VII
r
in
para diferentes AO.
AO r
in
Propsito general (Entrada bipolar) 1 2 [']
Entrada JFET 10
12
[]
Instrumentacin (OP-07) 3.3 [']
A. Resistencia de salida (r
o
)
Es la resistencia vista desde el terminal de salida. Este
parmetro se dene bajo condiciones de pequea seal con
frecuencias por encima de algunos cientos de hertz.
TABLE VIII
ro para distintos AO.
AO r
o
Propsito general (Entrada bipolar) 75 []
Instrumentacin (OP-07) 60 []
B. Output voltage swing (V
o max
, V
op
)
Dependiendo de la resistencia de carga, este es el mximo
jca/ de salida en voltaje que el AO puede entregar sin
saturarse o recortar la seal.
VIII. Caracterstica Nominal mxima
A. Tensin de alimentacin (V
+
y V

)
Es la tensin de alimentacin mxima permitida que
puede aplicarse con seguridad al amplicador. Aunque se
TABLE IX
Vop para distintos AO.
AO Output Voltage swing [\ ]
Propsito general 14 (11 101)
Instrumentacin (OP-07) 13 (11 101)
designa como estandar 15 [\ ] de alimentacin, la mayora
de los AO integrados operan sobre un amplio rango de po-
tenciales, algunos van desde valores tan bajos como 1 [\ ],
y otros hasta 40 [\ ].
TABLE X
Voltajes de alimentacin para distintos AO.
AO \
cc
[o|t:]
Propsito general 18
Instrumentacin (OP-07) 22
B. Rango de Temperaturas de operacin (T
or
)
Es el rango de temperatura dentro del cual el dispositivo
funcionar con las especicaciones mostradas.
TABLE XI
Rangos de temperatura.
Tipo Especicacin Rango de Temperatura
Militar -55
o
C a +125
o
C
Industrial -25
o
C a + 85
o
C
Comercial 0
o
C a + 70
o
C
C. Tensin de entrada diferencial (\
id
)
Es la tensin mxima que puede aplicarse con seguridad
entre los terminales de entrada diferencial sin ujo excesivo
de corriente. Estos valores son variables, los AO con en-
trada cascodo pnp/npn soportan hasta 30 [\ ], similares
a los AO con entrada FET.
D. Voltaje de entrada en modo comn (\
cm
)
Es el rango de voltaje que se puede aplicar en ambas
entradas respecto a tierra.
E. Consumo de potencia (1
c
)
Es la potencia requerida para operar el AO o la potencia
consumida por el AO con propsitos de polarizacin. Se
especica para 15 [\ ].
F. Disipacin de Potencia (1
D
)
Es la potencia que un dispositivo particular es capaz de
disipar con seguridad en forma continua mientras opera
dentro de un rango de temperatura especco. Esta car-
acterstica vara de acuerdo al tipo de encapsulado. Por
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS 5
ejemplo, los encapsulados cermicos permiten una alta
disipacin de potencia, los metlicos permiten la siguiente
ms alta disipacin, en cambio los de plsticos tienen la
ms baja. Un valor tpico es de 500 [:\].
IX. Alimentacin y proteccin en los AO
A. Alimentacin de los AO
La mayora de los AO han sido diseados para operar
con dos fuentes de alimentacin simtricas, sin embargo,
tambin pueden operar con una nica fuente. Para apli-
caciones en las cuales existe una sola fuente (interface con
circuitos digitales), se han diseado AO especiales.
_
+
V+
v
o
v+
v
_ +
_
A
*
* Tipo 1/4 LM124, LM324
4
11
2
3
1
_
+
V-
V+
v
o
v
+
v
_
+
+
-
-
A*
* Tipo LM741/LF351/TL066
2
3
4
7
6
_
+
V+
v
o
v
+
v
_
+
_
A
*
* Tipo 1/2 TLC 272, TLC 277
8
4
1
2
3
(a)
(b)
(c)
Fig. 7. Alimentacin de un AO.
La notacin 1/2 TLC272 y 1/4 LM324 hace referencia a
los AO Mltiples, es decir, 1/2 TLC 272 indica que el CI
tiene dos AO en su interior.
B. Limitaciones de entrada
Las fallas en los AO en la etapa de entrada se producen
de dos formas: (a) excediendo las caractersticas nominales
de entrada diferencial; (b) excediendo caractersticas nom-
inales en modo comn. El parmetro ms susceptible es el
nominal de entrada diferencial.
Cuando se sobrepasan las caractersticas de entrada
diferencial ,en un AO de entrada no protegida el diodo
zener emisor-base de uno de los transistores de entrada
diferencial entrar en disrrupcin. Siempre que la diferen-
cia entre los dos terminales de entrada exceda los 7[\ ],
estos diodos emisor-base entrarn en disrrupcin y con-
ducen una corriente que solo estar limitada por una re-
sistencia externa. Si la impedancia que alimenta ambas
entradas es baja, la corriente puede elevarse hasta nive-
les destructivos. Las corrientes sobre 50[:] provocarn
daos permanentes.
La forma ms sencilla de proteger el AO es agregar dos
diodos como lo indica la Fig. 8. Estos diodos deben ser de
bajas prdidas tipo 1N458 o similares.
_
+
R
R
v
o
Fig. 8. Proteccin de entrada diferencial.
C. Latch-up
La salida del AO permanece ja en un determinado nivel
de tensin continua despus de haber retirado la seal de
entrada responsable. Si un AO entra en Latch-up es muy
posible que quede daado permanentemente. Esto se pro-
duce a menudo en etapas de seguidor de emisor.
Para evitar este problema se plantea esta conguracin
la que permite limitar la seal de entrada a la indicada por
el diodo zener. 1
1
y 1
2
son diodos de bajas prdidas y
1
3
y 1
4
pueden ser diodos zener de 10 12 [\ ].
_
+
R
R
v
o
D
D D
D
1
2
3
4
10K
10K

-15[v]
+15[v]
v
i
Fig. 9. Proteccin contra latch-up.
D. Proteccin contra cortocircuito a la salida
Los primeros AO no incorporaban limitacin de corri-
ente en la etapa de salida, aunque estos pueden sobrevivir
a cortocircuito de unos pocos segundos de duracin, un
cortocircuito prolongado a tierra o a \
cc
produce la de-
struccin del circuito. Una proteccin muy til contra cor-
tocircuitos es usar una resistencia de bajo valor en serie
con la salida, como se indica en la Fig. 10.
_
+
R
v
o
f
3
2
6
220
Fig. 10. Proteccin contra cortocircuito.
El resistor tiene un efecto mnimo en el funcionamiento
si se conecta dentro del lazo de realimentacin, excepto la
cada en la tensin de salida. Este evita la destruccin del
amplicador debido a un cortocircuito de la carga.
6
E. Proteccin de las tensiones de alimentacin
E.1 Inversin de Polaridad
Debido a la construccin interna, los CIs debe operar
siempre con la polaridad de las tensiones de alimentacin
especicada. Si alguna de las tensiones se invierte, aunque
slo sea un momento, uir una corriente destructiva a
travs de los diodos de aislamiento del CI, que estn polar-
izados normalmente en inversa. Pueden ser utilizadas las
conguraciones de la Fig. 11.
_
+
V-
V+
1N400x
A
_
+
V-
V+
1N400x
A
1N400x
+
+
7
4
C
2
C
1
_
+
A
4
7
Fig. 11. Proteccin de los AO.
E.2 Sobretensin
Los AO comerciales se especican generalmente para una
tensin total de operacin de 36 [\ ] (18 [\ ]). Estos
lmites de tensin NO deben ser sobrepasados ni siquiera
durante breves instantes. Para prevenir esto, se deber
utilizar un voltaje de bloqueo mediante un diodo zener en
los terminales de alimentacin.
_
+
V-
V+
A
100
V
z
Fig. 12. Proteccin contra sobre tensin.
La resistencia es opcional siempre que la alimentacin
lleve fusible o limitacin de corriente. Otra alternativa es
utilizar dos diodos zener, uno para cada terminal de ali-
mentacin, esto proporciona proteccin contra sobre ten-
sin e inversin de polaridad. El zener debe ser de 36 [\ ],
si la alimentacin de 18 [\ ] o de 43 [\ ] cuando la ali-
mentacin es de 22 [\ ].
X. Encapsulados y cdigos de identificacin
El AO se fabrica de un pequeo chip de silicio y se encap-
sula en una caja adecuada que puede ser de metal, plstico
o cermica.
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
8
1
2 3
4
5
6
17
18
7
(a) (b)
(c)
1
4
8
(d)
Fig. 13. (a) Encapsulado Metlico. (b) Encapsulado DIP (8 termi-
nales).(c) SOIC. (d) Encapsulado PLCC.
La Fig. 13 muestra los diferentes tipos de encapsulado.
El encapsulado DIP (Dual Inline Package - Encapusaldo
en doble lnea) de 8 pines (terminales) indicado en la Fig.
13b, puede ser cermico o plstico, mirado desde arriba
una muesca o punto identica el terminal 1. La distancia
entre terminales es de 0.1 pulgadas (2.5mm aprox).
Los AO encapsulados en componentes ms pequeos son
llamados de montaje supercial (SMT-Surface-Mounted
Technology), se distingue el encapsulado SOIC (Small-
Outline Integrated Circuit) cuya distancia entre terminales
es 0.05 pulgadas (1.27mm) . Los distintos formato se en-
cuentran indicados en la Tabla XII. El formato PLCC
(Plastic Lead Chip Carriers) o chip con encapsulado de
plstico se muestra en la Fig. 13d.
TABLE XII
Montaje superficial.
SMT Descripcin
SOIC Small outline integrated Circuit
PLCC Plastic Lead Chip Carriers
LCCC Leadless Ceramics Chip Carrier
A. Combinacin de Smbolos y Terminales
Se puede combinar en un slo dibujo el smbolo del AO
con el encapsulado (Fig. 14).
La abreviacin NC indica que no hay conexin. El com-
ponente se mira desde arriba. En el encapsulado DIP 14 la
numeracin de los pines es similar al DIP 8, con la nica
diferencia en que tiene 7 terminales por lado.
B. Cdigos De Identicacin
Cada tipo de AO tiene un cdigo de identicacin de
letra y nmero, que permite saber el fabricante, el tipo de
amplicador, de que calidad es y que encapsulado tiene.
No todos los fabricantes utilizan el mismo cdigo, pero
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS 7
_
+
1
2
3
4
5
6
7
8
+V
-V
Salida Entrada
Entrada
No Inversora
Inversora
Lengueta que ubica el terminal 8
Offset Null
Offset Null
_
+
1
7
2
3
4
5
6
8
No Inversora
Inversora
Salida
Entrada
Entrada
-V
+V
Offset Null
Offset Null
NC
La muesca o el punto indica el terminal 1
(a)
(b)
Fig. 14. (a) Encapsulado metlico de 8 terminales. (b) Encapsulado
mini DIP de 8 pines.
la mayora utiliza una identicacin que consta de cuatro
partes escritas en el orden indicado en la Fig. 15.
P. L. Num Cto S. L. Cod Esp Mil
Fig. 15. Especicacin de cdigo de los AO.
Donde:
P.L. (Prejo de Letras): Son dos letras que identican
al fabricante.
TABLE XIII
Identificacin de fabricante de AO [3].
Prejo Fabricante
AD Analog Device
LM National Semiconductor
MC Motorola
NE/SE Signetics
OP Precision Monolithics
LT Linear Technology
SG Silicon General
TL Texas Instrument
UA (jA) Fairchaild
CA RCA
Num. Cto.(Nmero del Circuito): Se compone de tres
a siete nmeros y letras que identican el tipo de AO
y su intervalo de temperatura.
TABLE XIV
Intervalo de temperatura.
Cdigo Intervalo de Temperatura
C Comercial
I Industrial
M Militar
S.L. (Sujo de Letras): Indica el tipo de encapsulado
que contiene al AO, puede ser de una o dos letras.
Example 1: jA 741CP, Amp. Op. de propsito general
Fairchild, con intervalo de temperatura comercial y encap-
sulado de plstico.
TABLE XV
Descripcin del sufijo.
Cdigo Descripcin
D De plstico, doble en linea SMT
J De cermica doble en linea
N, P De plstico DIP para insercin en receptculo
Example 2: OP037CP, Amp. Op. precisin, bajo ruido,
alta velocidad, temperatura comercial y encapsulado de
plstico.
Example 3: LF351D, Amp. Op. con entrada JFET para
montaje supercial (Linear Bi-FET)
XI. Conlusiones
El AO real tiene una ganancia de lazo abierto de aproxi-
madamente 100 dB, la cual decrece a medida que aumenta
la frecuencia, luego, el ancho de banda es nito, y depen-
der bsicamente de la ganancia realimentada de trabajo.
El AO tambin presenta errores de corriente continua, es
decir, si
+
=

, la salida es distinta de cero, esto se

conoce como oset, el cual se debe reducir o compensar
sobre todo para aplicaciones de alta ganancia. Las causas
de oset son \
io
, 1
B
e 1
io
.
Todos estos parmetros, ms los relacionados con las
caractersticas nominales del circuito integrado deben ser
considerados para su ptimo funcionamiento.
References
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