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Amplicadores de Potencia, Conceptos bsicos


J. I. Huircan
AbstractLos amplicadores de potencia son conver-
tidores que transforman la energa de la fuente en seal
de potencia de salida. Estos pueden ser tipo clase A, AB,
B y C. Los cuales tienen distintos parmetros de eciencia
y uso.
Index TermsPower Ampliers.
I. Introduction
Un amplicador de potencia convierte la potencia de una
fuente de corriente continua (Polarizacin V
CC
de un cir-
cuito con transitores) a potencia de salida en forma de
seal, lo cual es controlado usando una seal de entrada.
Si sobre la carga se desarrolla una gran cantidad de poten-
cia, el dispositivo deber manejar una gran excursin en
voltaje y corriente.
Los puntos de operacin deben estar en un rea per-
mitida de voltaje y corriente que asegure la mxima disi-
pacin, (SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar
los voltajes de ruptura y efectos trmicos permitidos en los
dispositivos de estado slido, las caractersticas no lineales
en el funcionamiento y usar los parmetros para gran seal
del dispositivo. La curva de la Fig. 1 muestra las carac-
teristicas de emisor y colector de un transistor delimitada
por el SOA, que est denido por la P
CEMAX
. [1].
CE
v
C
i
CE Max
V
CE Max
P
C Max
I
B
I =0
SOA
Fig. 1. Area Segura de Operacin del Transistor.
La corriente i
C
y el voltaje V
CE
no podrn sobrepasar
los mximos indicados.
II. Clasificacin de los amplificadores de
potencia
Existen cuatro clasicaciones bsicas de amplicadores
de potencia: A, AB, B y C. En clase A, el amplicador est
polarizado de tal forma que la corriente por el colector uye
durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase
Documento preprarado en el DIE, Universidad de la Frontera 2004.
AB, la polarizacin del amplicador es de tal forma que la
corriente de colector solamente uye para un lapso menor
a los 360
o
y mayor a los 180
o
de la onda correspondiente.
Para el funcionamiento en clase B, la corriente I
C
uir
solo durante 180
o
de la onda de entrada. Finalmente, para
funcionamiento en clase C, el dispositivo conducir durante
un periodo inferior a los 180
o
correspondiente a la onda
de entrada. La Fig. 2, muestra el comportamiento del
dispositivo en las distintas clases.
Clase A
i
C
Clase B
Cl ase AB
Clase C
v
BE
2

Conduccin >
Conduccin <
Fig. 2. Comportamiento para clase A, AB, B, C.
Los amplicadores tipo AB y B usan conguraciones
transistorizadas llamadas push-pull. Cada uno de estos
amplicadores posee caractersticas de eciencia y distor-
sin distintos, por lo cual, sus aplicacin ser a distintas
reas.
III. Relaciones bsicas en los amplificadores de
potencia
Para analizar los amplicadores de potencia se requiere
de ciertas cantidades y relaciones asociadas a su fun-
cionamiento y desempeo. Como el amplicador de pon-
tencia convierte la potencia de CC de la fuente de ali-
mentacin en una seal de potencia en la carga, la eciencia
de este proceso est dada por
=
P
L(CA)
P
CC
(1)
Donde es la eciencia , P
L(CA)
, es la potencia media de
seal en la carga y P
CC
, la potencia media de salida en la
fuente de alimentacin.
La potencia media disipada en el dispositivo de ampli-
cacin, considerando un transistor bipolar como disposi-
tivo de potencia, ser
P
CE
= P
CC
P
L
(2)
2
Donde P
CE
es la disipacin media de colector, P
L
es la
potencia total, es decir, P
L(CC)
ms P
L(CA)
en la carga.
Para la evaluacin de las distintas cantidades de poten-
cia, se usa la relacin bsica dada por (3), donde p es la
potencia instantnea, v e i son el voltaje y la corriente
instantneos.
p = vi (3)
Sean v e i formas de onda periodica, con componente
continua (la cual puede ser cero) y una componente de
corriente alterna, no necesariamente sinusoidal
v = V
dc
+v
ac
(4)
i = I
dc
+I
ac
(5)
Luego la potencia media en un periodo ser
P =
1
2
_
2
0
p d!t
= V
dc
I
dc
+
1
2
_
2
0
v
ac
i
ac
d!t (6)
" P
CC
" P
CA
Donde, P
CC
es la contribucin de la componente con-
tinua y P
CA
es la contribucin de la componente alterna a
la potencia media. Si las componentes de corriente alterna
son tipo sinusoidal, se tiene
v
ac
= V
m
cos !t (7)
i
ac
= I
m
cos !t (8)
Reemplazando en la ecuacin (6), se tiene
P = V
dc
I
dc
+
1
2
_
2
0
[(V
m
cos !t) (I
m
cos !t)] d!t
= V
dc
I
dc
+
V
m
I
m
2
_
2
0
_
cos
2
!t

d!t
= V
dc
I
dc
+
V
m
I
m
2
= V
dc
I
dc
+
V
m
I
m
2
(9)
Como 2 =
p
2
p
2; entonces
P = V
dc
I
dc
+
V
m
I
m
p
2
p
2
= V
dc
I
dc
+V
rms
I
rms
(10)
Cuando la seal de corriente peridica tiene componente
continua se expresa el valor rms de la forma de onda como
I
rms
=
_
I
2
DC
+I
2
1rms
+I
2
2rms
+::: +I
2
nrms
(11)
Donde I
DC
, es la componente continua de la seal, I
1rms
es el primer armnico de la seal, I
nrms
es el nsimo
armnico de la seal. Para el caso de una seal sinusoidal
con componente continua ser
I
rms
=
_
I
2
DC
+I
2
rms
IV. El amplificador Clase A
En operacin clase A, el amplicador reproduce toda la
seal de entrada, la corriente de colector es distinta de cero
todo el tiempo, lo cual se considera muy ineciente, ya que
para seal cero en la entrada, se tiene un I
CQ
> 0, luego
el transistor disipa potencia.
A. Amplicador Emisor comn
Sea la conguracin de emisor comn de la Fig. 3, la cual
funciona en clase A. Por simplicicidad se hace la resistencia
de emisor R
E
= 0. Se selecciona R
L
para mxima potencia
de salida, lo que implica que la recta de carga de CA debe
pasar por la curva P
CEMAX
.
v
i
R
B
R
L
V
CC
R
L
V
CC
(a) (b)
Fig. 3. Emisor Comn.
En la Fig. 4, se muestra las rectas de carga para dos
puntos Q del amplicador, las cuales se intersectan con la
curva P
CE
. Se observa que I
C2
ser la mxima corriente
permitida para i
C
y V
CE1
ser el mximo voltaje permitido
para v
CE
, para el transistor en cuestin. El ptimo elegido
ser el punto de reposo Q
1
, debido a que I
C1
< I
C2
, lo cual
implica una disminusin en la corriente de colector, lo que
trae consigo una disminusin en la distorsin y una menor
corriente de base requerida para obtener I
C1
.
CE
v
C
i
C
I
CE
V
CE Max
P
1
C
I
2
Q
2
Q
1
CE
V
1 2
Fig. 4. Distintos puntos Q.
Para que la realizacin sea factible, V
CE1
debe ser menor
que V
CEO
, as se tomar que V
CE1
= V
CC
. Lo cual puede
AMPLIFICADORES DE POTENCIA, CONCEPTOS BSICOS 3
no ser necesariamente efectivo para otras conguraciones
en clase A.
Para valores arbitrarios I
CMax
y V
CEMax
, el punto Q
estar dado por la tangente a la curva P
CEMax
, dado por
las coordenadas I
CQ
=
I
CMax
2
y V
CEQ
=
V
CEMax
2
como se
indica en la Fig. 5. Se asume que la seal de entrada puede
manejar el transistor entre el corte y la saturacin, de esta
forma para una variacin en la corriente de base, se tiene la
variacin en la corriente de colector, y una variacin en la
potencia. Note que la recta de carga de CA tiene la misma
pendiente que la recta de carga de CC.
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
V
CEMax
P
C Max
I
Q
1
CEQ
V
Fig. 5. Punto. Q para mxima excusin simtrica.
Trazando la onda de corriente i
C
, como se indica en la
Fig. 6,se obtiene la onda del v
CE
. Note que la excursin
ser simtrica.
CE
v
C
i
CQ
I
CEMax
V
CE Max
P
CMax
I
Q
CEQ
V
Fig. 6. Excursin de la corriente y el voltaje.
La Fig. 7, muestra las formas de onda a travs del
tiempo i
C
, v
CE
, p
CC
, P
CE
y P
L
.
La onda de potencia instantnea de la fuente p
CC
, estar
dada por el producto V
CC
i
C
y tiene la misma forma que
i
C
. P
CE
= i
c
v
CE
. Note que la forma de onda de P
CE
tiene una frecuencia el doble de las otras formas de onda.
A.1 Determinacin de la Eciencia
La potencia en la carga ser
P
L
= I
2
Crms
R
L
(12)
t
i

C
t
v

CE
I
CMax
I
CMax
2
I
CQ
V
CE Max
V
CE Max
2
V
CEQ
t
p

CC
P =V I
CC CQ CC
Fig. 7. Curvas de i
C
, v
CE
y p
CC
.
Luego de acuerdo a (11), considerando que la corriente
tiene componente continua y alterna, se tiene
P
L
=
_
_
_
I
2
CQ
+
_
I
Cmax
2
p
2
_
2
_
_
2
R
L
= I
2
CQ
R
L
+
I
2
Cmax
8
R
L
(13)
De la curva se determina I
CQ
=
I
CMax
2
=
V
CEMax
2R
L
=
V
CC
2R
L
, entonces
P
L
=
V
2
CC
4R
L
+
V
2
CC
8R
L
(14)
P
L(CC)
" " P
L(CA)
Por otro lado, la potencia promedio entregada por la
fuente ser
P
CC
= V
CC
I
CQ
=
V
2
CC
2R
L
(15)
Como la potencia disipada en el transistor debe ser la
potencia de la fuente menos la potencia en la carga (total,
es decir la CA y la CC), se tiene que
P
CE
= P
CC
P
L
=
V
2
CC
2R
L

_
V
2
CC
4R
L
+
V
2
CC
8R
L
_
=
V
2
CC
4R
L

V
2
CC
8R
L
(16)
Finalmente, la eciencia estar dada por
4
=
V
2
CC
8R
L
V
2
CC
2R
L
= 0:25 (17)
La eciencia de este amplicador es baja, 25%, esto de-
bido principalmente a que se mantiene una corriente de
reposo en la carga, la cual no es usada (desperdiciada).
B. Conguracin emisor comn con transformador de
acoplo
Sea el circuito de la Fig. 8a. Una forma de mejorar la
eciencia del amplicador clase A es usar el acoplo de la
carga mediante un transformador. Cmo es eso?
R
L
V
CC
R
L
V
CC
(a)
(b)
'
N
p
N
s
N
p
N
s
R =
L
'
R
L
2
2
Fig. 8. (a) Amplicador acoplado por transformador. (b) Equiva-
lente.
Para CC y CA se obtienen los circuitos equivalentes de
la Fig .9.
V
CC
R
L
i =
C
(a)
(b)
'
V =V
CEQ
v =
CE
CC
v
CE
R
L
'
V
CEQ
R
L
'
I
CQ +
+
_
Fig. 9. Equivalentes de CC y CA
Al considerar el acoplamiento la recta de carga en CC
pasa por V
CEQ
= V
CC
, pues R
CC
= 0, luego la recta de
carga de CA corta el eje del voltaje en un valor 2V
CC
.
Como consecuencia de esto, cuando no hay seal, no exis-
tir corriente por el colector.
B.1 Determinacin de la Eciencia
La potencia en la carga ser
P
L
= I
2
Crms
R
0
L
(18)
Como slo la carga recibe componente alterna, la corri-
ente efectiva ser la amplitud sobre
p
2; luego
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
V
CE Ma x
P
C Max
I
Q
CEQ
V
CC
=V
Fig. 10. Rectas de carga de CC y CA.
P
L
=
I
CMax
2
p
2
R
0
L
(19)
Debido a que V
CEQ
= V
CC
, se tiene que V
CEMax
=
2V
CC
, por lo tanto, de la curva se determina que I
CMax
=
V
CC
R
0
L
, as
P
L
= P
L(CA)
=
V
2
CC
2R
0
L
(20)
Dado que la potencia media de la fuente es P
CC
=
V
CC
I
CQ
, entonces
P
CC
= V
CC
I
CMax
2
= V
CC
V
CEMax
2R
0
L
(21)
=
V
2
CC
R
0
L
(22)
Finalmente, la eciencia de la conversin ser
=
P
L(CA)
P
CC
=
V
2
CC
2R
0
L
V
2
CC
R
0
L
= 0:5
Finalmente, la potencia disipada por el transistor ser
P
CE
= P
CC
P
L
=
V
2
CC
R
0
L

V
2
CC
2R
0
L
=
V
2
CC
2R
0
L
Note que solo existe P
L
= P
LCA
.
Example 1: Sea el amplicador clase A de la Fig.8, sa-
biendo que a la carga R
L
se le entrega una potencia de
2 [W] :Considere la realcin de transformacin n:1. Calcu-
lar:
La potencia de la fuente P
CC
I
CQ
para que el transistor trabaje en clase A:
Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene
0:5 =
P
L(CA)
P
CC
=
2 [W]
P
CC
P
CC
= 4 [W]
AMPLIFICADORES DE POTENCIA, CONCEPTOS BSICOS 5
Como P
L(CA)
=
V
2
CC
R
0
L
=
20
2
R
0
L
= 2 [W], entonces R
0
L
=
100 [] : Adems, como P
L
=
_
I
CQ
p
2
_
2
R
0
L
;
2 [W] =
_
I
CQ
p
2
_
2
100 []
I
CQ
= 0:2 [A]
C. Amplicador con resistencia de emisor
Una variacin del amplicador es considerar R
E
6= 0:
Para este caso se tiene el circuito de la Fig. 11.
R
L
V
CC
N
p
N
s
R
E
R
2
R
1
Fig. 11. Ampilcador con R
E
:
Para esta situacin se tiene que la recta de CC no es
del todo innita dado el valor de R
E
como se indica en la
Fig. 12. La recta de CA ser lvemente modicada. Sin
embargo, el rendimiento permanece igual.
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
V
CE Ma x
P
C Max
I
Q
CEQ
V
CC
=V
Recta de carga de CC
Recta de carga de CA
Fig. 12. Rectas de carga amplicador clase A modicado.
Example 2: Sea el amplicador de la Fig.13, determine
la potencia en la carga, la potencia entregada por la fuente
y la potencia disipada por el transistor. Considere la
relacin de transformacin n : 1, R
E
= 1 [] ; R
L
= 8 [] :
Para CC, se tiene
10 [V ] = I
CQ
1 [] +V
CEQ
Para CA,
v
CE
= i
C
R
0
L
v
CE
V
CEQ
= (i
C
I
CQ
) R
0
L
i
C
=
v
CE
R
0
L
+
V
CEQ
R
0
L
+I
CQ
R
L
+10[V]
n:1
R
E
R
2
R
1
C
E
Fig. 13. Amplicador con R
E
y C
E
.
La maxima excursin se dar cuando cuando
V
CEQ
= I
CQ
R
CA
= I
CQ
R
0
L
Luego reemplazando I
CQ
en la recta de carga de CC, se
tiene 10 [V ] =
V
CEQ
R
0
L
1 [] +V
CEQ
; as se obtiene
V
CEQ
=
10 [V ]
1[]
R
0
L
+ 1
=
10 [V ]
1
8
+ 1
= 8:88 [V ]
I
CQ
=
10 [V ]
1 [] +R
0
L
=
10 [V ]
8 [] + 1 []
= 1:11 [A]
Para el clculo de las potencias se tiene
P
L(CA)
= I
2
Crms
R
0
L
=
_
I
CQ
p
2
_
2
R
0
L
=
I
2
CQ
2
R
0
L
= 4:93 [W]
P
CC
= V
CC
I
CQ
= 10 [V ] 1:11 [A] = 11:11 [W]
La potencia disipada por el transistor ser
P
CE
=
V
2
CC
2R
0
L
= 6:25 [W]
V. El amplificador Clase B
En esta operacin, se usa un transistor para amplicar el
ciclo positivo de la seal de entrada, mientras un segundo
dispositivo se preocupa del ciclo negativo. La conguracin
se conoce como push-pull.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
+
Q
1
Q
2
Fig. 14. Amplicador clase B.
Se requieren dos transistores para producir la onda com-
pleta. Cada transistor se polariza en al punto de corte en
lugar del punto medio del intervalo de operacin.
Si el voltaje de entrada es positivo, de acuerdo a la conex-
in del transformador se tiene que Q
1
conduce y Q
2
est en
6
corte. Si el voltaje de entrada es negativo Q
1
no conduce
y Q
2
conduce. Esto permitir obtener la onda de salida de
acuerdo a la Fig.15.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
Q
1
Q
2
+
_
+
_
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
Q
1
Q
2
+
_
+
_
(a)
(b)
Fig. 15. Conduccin de los transistores.
La corriente de colector es cero cuando la seal de en-
trada es cero, por lo tanto el transistor no disipa potencia
en reposo. En CC, el V
CEQ
= V
CC
, y en CA, la variacin
de i
C
ser solo positiva, considerando que la recta de carga
es i
C
=
v
CE
R
0
L
+
V
CEQ
R
0
L
+ I
CQ
; de la curva se tiene que
I
CQ
= 0, luego para i
C
= 0, la recta corta en v
CE
= V
CC
,
de acuerdo a la Fig.16.
CE
v
C
i
CE Max
V
CE Ma x
P
C Max
I
Q
CC
V
CC
=V
C Max
I
2
2
Fig. 16. Rectas de Carga CA y CC del amplicador clase B.
Al considerar seal positiva en la base, el v
CE
disminuye
a partir de V
CC
como se muestra en la Fig.17.
De la curva dada en la Fig. 16, se obtiene
I
CMax
=
V
CEMax
R
0
L
=
V
CC
R
0
L
Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indi-
cada en (12). En este caso, cada transistor opera durante
un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo de la onda ser
CE
v
C
i
CEMax
V
CE Max
P
C Max
I
Q
CC
V
CC
=V
C Max
I
2
2
Esta curva corresponde a untransistor (Q1)
Fig. 17. Variacin en torno al punto de operacin
t
i

C
I
CMax
t
i

C
t
1
iC
2
I
CMax
I
CMax
I
CC
I
CC Promedio
Fig. 18. Curvas de corriente.
I
CMax
2
: As, la potencia total en la carga por cada transistor
ser
P
L
=
_
I
CMax
2
_
2
R
0
L
=
_
V
CC
2R
0
L
_
2
R
0
L
=
V
2
CC
4R
0
L
(23)
Luego, la potencia total en la carga suministrada por
ambos transistores
P
L(CA)
=
V
2
CC
2R
0
L
(24)
Para determinar la potencia entregada por la fuente
P
CC
, se requiere determinar la corriente media consum-
ida, la cual se llamar I
CC
. De acuerdo a la Fig. 18,
la onda de corriente producida sera la superposicin de
los dos semiciclos aportados por la conduccin de los dos
transistores.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA, CONCEPTOS BSICOS 7
I
CC
=
1

_

0
I
CMax
sin(!t) d!t
=
I
CMax

_

0
sin(!t) d!t =
I
CMax

2
=
2I
CMax

As se tiene que
P
CC
= V
CC
2I
CMax

= V
CC
2

V
CC
R
0
L
=
2V
2
CC
R
0
L
= 0:636
V
2
CC
R
0
L
(25)
Finalmente, se tiene el redimiento
=
V
2
CC
2R
0
L
2V
2
CC
R
0
L
=

4
= 0:785 (26)
Lo que corresponde a un 78.5% de eciencia en la con-
versin. Por otro lado, la potencia disipada por el colector
ser
P
CE
=
V
2
CC

2
R
0
L
A. Amplicador de Simetra Complementaria
Sea el circuito de la Fig. 19 que corresponde a un am-
plicador de simetria complementaria. La carga ser de
acoplamiento directo.
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
Fig. 19. Amplicador de simetra complementaria, con acoplamiento
directo.
Cuando la seal de entrada es positiva, el voltaje en
el emisor de Q
1
es levemente menor que en la entrada,
haciendo conducir este y dejando en corte Q
2
. Cuando el
voltaje de entrada es negativo, conduce Q
2
, quedando en
corte Q
1
, como se muestra en la Fig. 20.
El circuito de la Fig.21 ser un amplicador de simetra
complementaria con acoplamiento capacitivo. Para este
caso se tiene que la alimentacin de cada transistor es
V
CC
2
y la carga ser R
L
.
De esta forma a partir de las relaciones del clase B push-
pull, (24), (25) y (26) , reeemplazando V
CC
por
V
CC
2
y R
0
L
por R
L
, se puede determinar
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
+
_
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
+
_
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Fig. 20. Funcionamiento del simetra complementaria.
v
i
+V
CC
R
L
v
o
+
_
Fig. 21. Amplicador de simetra complementaria con acoplamiento
capacitivo.
P
CC
=
2V
2
CC
4R
L
P
L
=
V
2
CC
8R
L
P
CE
=
V
2
CC

2
4R
L
Luego el rendimiento ser
=
V
2
CC
8R
L
2V
2
CC
4R
L
=

4
= 0:785
Example 3: Sea el amplicador de simetra complemen-
taria que excita una carga de 10 [] : Si los transistores
tienen valores nominales de 1A, 40V y 4W, determine el
V
CC
que produce la maxima potencia en la carga para en-
trada sinusoidal.
v
i
+V
CC
10
8
VI. El problema de la distorsin
El problema de la conguracin es que la onda de salida
tiene distorsin debido a que los transistores no empiezan
a conducir inmediatamente , dado que la seal en la base
debe sobrepasar el umbral V
BE
: El semi-ciclo de la salida
no es una sinusoide perfecta.
t
v (t)

o
Fig. 22. Distorsin de la onda de salida.
Para el amplicador de la Fig.23 se considera que R
1
R
2
entregan un voltaje en la base en torno a V
BEON
. Lo cual
permite la conduccin del transistor al inicio de la onda de
entrada.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
R
1
R
2
+
Fig. 23. Disminucin de la distorsin.
Para este caso, la conduccin de ambos transistores ser
mayor a 180

; lo que hace que su funcionamiento sea lla-


mado Clase AB.
V
BB
=
R
1
R
1
+R
2
V
CC
I
B
=
V
BB
V
BE
R
1
jjR
2
VII. El amplificador Clase AB
Se dice que este amplicador posee un comportamiento
en clase A y clase B [2]. En este amplicador, el fun-
cionamiento del dispositivo de potencia es mayor a los
180

y menor a 360

: Sea el circuito de la Fig. 23, se


muestra una variacin propuesta en [2], la cual sustituye
el transformador en a entrada por dos seales provenientes
de una etapa anterior, la cual asegura el desfaces de las
ondas para la conduccin de uno u otro transistor.
VIII. Conclusiones
Se han planteado algunos conceptos bsicos de ampli-
cadores de potencia. Las magnitudes ms importantes a
considerar son la eciencia, la potencia en la carga y la
potencia disipada en el transistor.
References
[1] Cuttler, P. (1972). Linear Electronics Circuits, McGraw-Hill.
[2] Savant, Roden, Carpenter (1993). Diseo Electrnico. Addison-
Wesley.
[3] Rashid, M. (2000). Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Dis-
eo. Thomson.
[4] Cirovic, M, Harter, J.(1987) Electronics Devices, Circuits and
Systemas, Englewood Clis, N.J. : Prentice-Hall
[5] Dede, E, Espi, J (1983) Diseo de Circuitos y Sistemas Elec-
trnicos, Marcombo

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