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EL DIODO El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras

que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula. presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario. En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. 1.-DIODO DE UNION PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. 1.1 Formacin de la unin PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.

1.2 Polarizacin directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

1.3 Polarizacin inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles).

1.4 Caracterstica tensin-corriente La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN. En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). o Regin de corte en polarizacin inversa (PI). o Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta. 1.5 Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. 2. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. 3. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. 4. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en conduccin por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal 1.6 Principales caractersticas comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:
1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente

continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o o o

Corriente mxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico

1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak

Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los

fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.

EL TRANSISTOR BIPOLAR La Figura 1 muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Smbolo y tipos de transistor BJT Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada en la Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un componente simtrico. Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una resistencia variable. 1.1. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende. Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos equivalentes al y lgicos.

1.2.- TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida VOUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin respetando su forma de onda temporal. 2. PRINCIPIO DE OPERACION En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe sealar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son completamente anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos caractersticos de su funcionamiento. En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-Emisor (BE), y la unin Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la conjuncin de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente, el estado global del transistor depende de la polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones. Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente: Unin PI PD PD PI Unin PI PD PI PD Estado Corte Saturacin RAN RAI

Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma regin de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento en cada regin de operacin. 2.1 REGION DE CORTE Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el circuito de la Figura 5.

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte En el circuito de la Figura 5:


En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto. A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la Figura

Figura Modelo del

en corte para seales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de las dos uniones, y slo son vlidos para realizar una primera aproximacin al comportamiento de un circuito. EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1 SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V

Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN. En la Figura 8 a), como la tensin EC est aplicada al colector, la unin base-colector estar polarizada en inversa. A ambos lados de la unin se crear la zona de depleccin, que impide la corriente de portadores mayoritarios. No existir corriente de colector significativa, y el transistor se encontrar operando en la regin de corte. En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en directa, que se comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la zona N, y esta electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso as: el emisor

inyecta electrones en la base. Estos se recombinan con los huecos que provienen de la fuente de alimentacin y se crea una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego. La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en inversa. Los tres puntos caractersticos de esta regin de operacin son: 1. Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a que est polarizada en inversa. 2. La corriente de base es muy inferior a la de colector. 3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN. Conduccin a travs de la unin BC En el circuito de la Figura 9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular corriente a travs de esta ltima. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explic anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin. As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor. La corriente de base es muy inferior a la de colector

En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribucin de corrientes.

Figura 10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN. Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un electrn la atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN). La corriente de colector es proporcional a la corriente de base Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor. All donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un ion negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se

impedira la circulacin de corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector. Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente IB pequea), la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o bien ganancia esttica de corriente. Resumiendo. El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente. La corriente dbil se reproduce amplificada en un factor en .

Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos bsicos sealados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua. La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para que el est en RAN. Para los valores habituales de IB, la tensin VBE se sita en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas ocasiones se toma este valor para realizar un anlisis aproximado de los circuitos. EJEMPLO 2: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100.

SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unin BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensin de colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo que se verifica aproximadamente que: ; Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura : Anlisis del transistor en RAN El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el enunciado:

EB = 5 V EB = 7 V

IB 43 A 63 A

IC 4,3 mA 6,3 mA

IE 4,343 mA 6,363 mA

VBE 0,7 V 0,7 V

VCE 5,7 V 3,7 V

VBC -5 V -3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2 sugieren los siguientes comentarios:

La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la polarizacin de la unin BC es inversa. Como adems la corriente de la base es positiva queda comprobado que el transistor est operando en RAN. La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera difcil de detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximacin IC = IE. Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una variacin en la tensin VCE de 2 V. Este es el principio de la amplificacin analgica de seales.

Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE = 0 V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico, puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el trmino negativo disminuye el valor de la resta. Grficamente puede representarse este hecho como sigue (Figura 13):

Figura 13: Evolucin de las tensiones y corrientes en el ejemplo 2 Si RC fuera una bombilla, en el caso A estara apagada, mientras que en los casos B y C proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la luz ser mayor que en el B, puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu se pone de manifiesto claramente el funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C

y E es similar al de un potencimetro: modificando la seal de control convenientemente podemos variar la tensin de alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 V. 2.3 REGION DE SATURACION Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn aumenta la tensin EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBC disminuye. Llegar un momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC dejar de estar polarizada en inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser: VCE SAT = VBE ON - VBC ON Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas caractersticas. Normalmente la tensin VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos permanece prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin VCE SAT es tambin independiente de las corrientes IB IC. Con ello el transistor pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser controlada nicamente por el circuito externo. Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un modelo simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin. Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin VCE SAT nula, pero podra considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente del valor deseado entre el colector y el emisor. EJEMPLO 3: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es claramente superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la regin de saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el enunciado del problema: IB 143 A 193 A IC 10 mA 10 mA IE 10,14 mA 10,19 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 0 0 VBC 0,7 V 0,7 V

EB = 5 V EB = 7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es menor que el producto FIB. Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado. A modo de recapitulacin, la siguiente figura muestra la evolucin global de IC con respecto a EB, donde se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 16: Grfica

frente a

3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro

parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q). Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes. 3.1 CARACTERISTICA VBE-IB La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE. La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de la relacin . Por lo tanto, en el plano - , la representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para ). Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico. Para , la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra, para el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas. Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica Las diferencias son claras:

real.

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor. La regin de saturacin no aparece bruscamente para , sino que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos, con respecto a los transistores cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los terminales

del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la destruccin del transistor.

Corriente continua mxima de colector, : es la corriente mxima que puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao. Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas de la ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor es debida a los efectos de segundo orden. Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los terminales en la regin de saturacin. Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation): la potencia mxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao. es

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del transistor.