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R. Caram - 2
Vanadinita
Rutilo
Magnetita
R. Caram - 3
R. Caram - 4
[100]
[100]
R. Caram - 5
[110]
[110]
R. Caram - 6
EMPACOTAMENTO EM SLIDOS
Dois tipos de ligao: Direcionais e No-direcionais Direcionais: Covalentes e Dipolo-Dipolo Arranjo deve satisfazer os ngulos das ligaes direcionais Slidos Covalentes No-direcionais: Metlica, Inica, van der Walls Arranjo depende de aspectos geomtricos e da garantia de neutralidade eltrica Slidos Metlicos Slido Inicos
Metlicos Ex.: Pb, Ni Inicos Ex.: NaCl Covalentes/Moleculares Ex.: Diamante, Gelo
R. Caram - 7
SISTEMAS CRISTALINOS
Estruturas Cristalinas so formadas por unidades bsicas e repetitivas denominadas de Clulas Unitrias Clula Unitria - menor arranjo de tomos que pode representar um slido cristalino Existem 7 sistemas cristalinos bsicos que englobam todas as substncias cristalinas conhecidas
SISTEMAS
EIXOS
2 ngulos = 90 0 e 1 ngulo 90 0 Todos ngulos diferentes e nenhum igual a 90 2 ngulos = 90 e 1 ngulo = 120
0 0 0 R. Caram - 8 0
R. Caram - 9
CRISTAIS COMPACTOS
Cristais Cbicos Cbico simples (CS) Cbico de corpo centrado (CCC) Cbico de face centrada (CFC)
FATOR DE EMPACOTAMENTO
Fator de Empacotamento (F.E.): nvel de ocupao por tomos de uma estrutura cristalina,
F.E. =
N VA VC
N = Nmero de tomos que efetivamente ocupam a clula; VA = Volume do tomo (4/3..r3); r = Raio do tomo; VC = Volume da clula unitria.
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ESTRUTURA CS - Po
No de tomos dentro da clula unitria 1/8 de tomo em cada vrtice: 8x1/8=1 tomo Volume da clula
VC = a 3 = (2r )3 = 8r 3
Fator de Empacotamento
F .E . = 1 4 r3 3 = 0 , 52 3 8r
R. Caram - 13
4r 3 64 r 3 ) = = ( 3 3 3
Fator de Empacotamento
8 r3 F .E . = 3 = 0 , 68 3 64 r 3 3
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Fator de Empacotamento
16 r3 F .E . = 3 = 0 , 74 3 16 2 r
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ESTRUTURA HS
No de tomos dentro da clula unitria 1/6 de tomo nos vrtices e 1/2 nas faces: 12x1/6+1=3 tomos Volume da clula
V HS 6a2 3 a = 12 = S He H = 4 3 r3
Fator de Empacotamento
12 r3 F .E . = 3 = 0 , 60 3 12 3 r
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Fator de Empacotamento
24 r3 F .E . = 3 = 0 , 74 3 24 2 r
R. Caram - 17
SEQNCIA DE EMPILHAMENTO
Fator de Empacotamento das estruturas cbicas e hexagonais: CS - 052 CCC - 0,68 CFC - 0,74 HS - 0,60 HC - 0,74
HC CFC
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ESTRUTURA HC
HC
R. Caram - 19
ESTRUTURA CFC
CFC
R. Caram - 20
ALOTROPIA OU POLIMORFISMO
Fenmeno onde uma substncia apresenta variaes de arranjos cristalinos em diferentes condies Dos elementos qumicos conhecidos, 40 % apresentam variaes alotrpicas
METAL Ca Co Hf Fe Li Na Sr Tl Ti Y Zr ESTRUTURA NA TEMP. AMBIENTE CFC HC HC CCC CCC CCC CFC HC HC HC HC EM OUTRAS TEMPERATURAS CCC (>4470C) CFC (>4270C) CFC (>1.7420C) CFC (912-1.3940C) CCC (>1.3940C) HC (<-1930C) HC (<-2330C) CCC (>5570C) CCC (>2340C) CCC (>8830C) CCC (>1.4810C) CCC (>8720C)
R. Caram - 21
POLIMORFISMO DO Fe
Ferro Puro
1.500 1.400 1.300 1.200 1.100 1.000 900 Ferro
912 C
o
Lquido Ferro
1.539 C
1.394 C
Ferro
Temperatura oC
800 700 -
Ferro Lquido
768 C
Tempo
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Fe-C
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MARTENSITA
CFC
Carbono
TCC CFC
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POLIMORFISMO DO C
Carbono
DIAMANTE
GRAFITE
R. Caram - 25
EXERCCIO
TEMPERATURA AMBIENTE, O ESTRNCIO EXIBE ESTRUTURA CFC. AO SER AQUECIDO ACIMA DE 557 OC, ESSE ARRANJO ATMICO TRANSFORMA-SE EM CCC. DETERMINE A VARIAO DE VOLUME QUE ENVOLVE ESSA TRANSFORMAO ALOTRPICA. CONSIDERE QUE O RAIO ATMICO PERMANECE CONSTANTE. Antes da transformao:
VI = VCFC = a3 = (2 2 R ) = 16 2 R3 = 22,62 R3
3
Aps a transformao:
EXERCCIO
A VARIAO DE VOLUME DADA POR: 24,63 R3 22,62 R3 V = = 0,089 ou 8,9% 3 22,62 R OCORREU EXPANSO VOLUMTRICA EQUIVALENTE A: 8,9% DO VOLUME INICIAL.
T
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POLIMORFISMO DO Ti
Titnio Baixa densidade, boa resistncia mecnica, alta resistncia fadiga e corroso; Modificao do comportamento mecnico obtido com a adio de elementos de liga ao titnio; Elementos de liga podem mudar a estabilidade das estruturas cristalinas.
T
CCC ()
883 oC HC ()
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LIGAS DE Ti
Liga Ti-6Al-4V: definida como tipo +, boa conformabilidade mecnica, elevada resistncia fadiga e excelente resistncia corroso.
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ARTROPLASTIA DO QUADRIL
REQUISITOS DE IMPLANTES
Alta resistncia mecnica, elevada biocompatibilidade e alta resistncia corroso, implante ortopdico deve simular o comportamento elstico do tecido sseo prximo Mdulo de elasticidade a propriedade de maior interesse nesse caso: E osso: 10 - 40 GPa E ao inox: 200 GPa E Ti puro: 100 GPa E Ti-6Al-4V: 110 GPa E ligas : 50 GPa
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FA
FA FT
FR
FR
ao=rction + rnion
ao
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R. Caram - 35
R. Caram - 37
z
(0,0,1) (0,1,1) (1,1,1)
(0,-1,0) (1,0,0)
(0,0,0)
(0,1,0)
(0,0,0) (1,0,0)
(0,1,0) (1,1,0)
(0,0,-1)
COORDENADAS SO EXPRESSAS EM TERMOS DOS PARMETROS DE REDE DA CLULA CRISTALINA (NO SO USADAS UNIDADES cm OU )
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r c
r a
x
r c
r b
y
r a
x
r b
r v
y
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R. Caram - 40
R. Caram - 41
DETERMINAO DE DIREES
DA ORIGEM AT O PONTO EM QUESTO
[0 1 1]
[010]
y
[001]
[111] [100]
x
[100] [110]
x
[110]
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DIREES
R. Caram - 43
EXERCCIOS
DETERMINE AS DIREES A SEGUIR:
Cbico
b=1,5a c=0,5a
a
1/3
c y
k y i x
1/2
d x
1/2
g h
R. Caram - 44
x y z + + =1 a b c
EQUAO DO PLANO
ONDE a, b E c SO OS PONTOS DE INTERCEPTAO DO PLANO COM OS EIXOS x, y E Z. COMO a, b E c PODEM SER MENORES QUE 1 OU INFINITO NO CASO DO PLANO SER PARALELO A UM EIXO, ADOTASE O INVERSO DOS VALORES DE a, b E c:
R. Caram - 45
hx + ky + lz = 1
z c
EQUAO DO PLANO
I.M.:(hkl)
b a x y
R. Caram - 46
DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem origem (0,0,0); Planos paralelos so eqivalentes; Obteno dos pontos de interceptao do plano com os eixos x, y e z; Obteno dos inversos das interceptaes: h=1/a, k=1/b e l=1/c; Obteno do menor conjunto de nmeros inteiros; ndices obtidos devem ser apresentados entre parnteses: (hkl);
R. Caram - 47
DETERMINAO DE PLANOS
Plano a ser determinado no pode passar pela origem origem (0,0,0); ndices negativos so representados por uma barra sobre os mesmos: (h kl ) ; Em cristais, alguns planos podem ser equivalentes, o que resulta em uma famlia de planos. A notao empregada para representar uma famlia de planos {hkl}, que contm os planos (hkl ), (h kl ) , (h k l), (hk l ), (h k l) ...
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PLANOS
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EXERCCIO
DETERMINE OS I.M. NA ESTRUTURA CBICA, DO PLANO QUE PASSA PELAS POSIES ATMICAS (1,1,3/4); (1,1/2,1/4) E (0,1,0). PONTOS PERMITEM ESTABELECER O PLANO MOSTRADO. UMA LINHA UNINDO OS PONTOS (1,1,3/4) E (1,1/2,1/4) POSSIBILITA ENCONTRAR O PONTO (1,1/4,0). DESLOCANDO A ORIGEM, POSSVEL NOTAR QUE O PLANO INTERCEPTA O EIXO X EM X=1, O EIXO Y EM Y=-3/4 E O EIXO Z EM Z=3/4. ISSO CONDUZ AOS I.M.= (3 4 4 )
z
(1,1,3/4) (0,1,0)
y x
(1,1/4,0) (1,1/2,1/4)
R. Caram - 50
EXERCCIOS
DETERMINE OS NDICES DE MILLER DOS PLANOS A SEGUIR
z Cbico z Cbico z c=1,5a
a
1/2 1/3
c d y x
1/3 1/2
e
1/3
1/4
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RELAOES MATEMTICAS
NGULOS ENTRE DUAS DIREES SUPONHA DUAS DIREES REPRESENTADAS POR SEUS RESPECTIVOS VETORES:
r r r r (x1,y1,z1) A = x1a + y1b + z1c r r r r r r B = x 2 a + y 2b + z 2 c B-A r r r2 r2 r2 r r A B A = B + A 2 B A cos r r r2 r r A.B cos = r r (x2,y2,z2) A = A .A r A .B B (0,0,0) r 2 2 2 1/2 A = x1 + y1 + z1 r 2 2 2 1/2 x1x 2 + y1y 2 + z1z2 B = x 2 + y 2 + z2 cos = 2 (x1 + y12 + z12 )1/2 (x22 + y 22 + z22 )1/2 r r A.B = x1x 2 + y1y 2 + z1z2
( (
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EXERCCIO
DETERMINE O NGULO ENTRE AS DIREES [111] E [110].
cos = (x12 + y12 + z12 )1/2 (x 22 + y 22 + z22 )1/2 x1x 2 + y1y 2 + z1z2
2 6
IGUAL A:
35,2O
[111]
y
[110]
x
R. Caram - 53
RELAES MATEMTICAS
DIREO RESULTANTE DA INTERSECO DE DOIS PLANOS SUPONHA DOIS PLANOS A E B, REPRESENTADOS PELOS I.M. (h1 k1 l1) E (h2 k2 l2): INTERSECO DE A E B SER A DIREO C PRODUTOrVETORIAL DE A E B r r SER C: A B = C
r r A X B = hA hB r a r b kA kB r c lA lB
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z Plano A
r C
r r A B
y x Plano B
EXERCCIO
DETERMINE A DIREO DA INTERSECO DOS PLANOS (111) E (001). O produto vetorial entre os planos A e B produz o vetor (direo de interseco):
r r r r r r C = 1 1 1 = a(1 0) + b(0 1) + c(0 0) = a b 0 0 1 r r r a b c
R. Caram - 55
EXERCCIO
DETERMINE O PLANO QUE PASSA PELAS POSIES a: (1,01); b(1/2,1,0); c:(1,1/2,0)
R. Caram - 56
-a1
+a2
R. Caram - 57
IDENTIFICAO DE DIREES
a3
2 -1 -1
[ 1 2 1 0]
a2
a1
R. Caram - 58
IDENTIFICAO DE DIREES
a3
[0 1 10]
2 1 1 1 -1 -1 -1 -1 -1
[ 1 2 1 0]
a2
[1 1 00]
a1
R. Caram - 59
EXEMPLO DE DIREES
[0001]
+c
[ 1 2 1 0] [ 2 1 1 0]
[ 1 1 20]
+a3
-a1
-a2 -c +a1
a
+a2 -a3
R. Caram - 60
-a1
+a2
R. Caram - 61
EXEMPLO DE PLANOS
(0001)
+c
(01 1 0)
c +a3
(2 1 1 0)
-a1
+a2
R. Caram - 62
EXERCCIO
IDENTIFIQUE OS NDICES DE MILLER-BRAVAIS DOS PLANOS A E B E DAS DIREES C E D.
D c C B A
a3
a2
a1
R. Caram - 63
SOLUO
PLANO A: A1=1; A2=1; A3=-1/2 E C=1. INVERTENDO TAIS VALORES, POSSVEL OBTER 1; 1; -2 E 1, RESPECTIVAMENTE. LOGO, O PLANO A TEM NDICES (11 2 1) . PLANO B: A1=1; A2=-1; A3= E C=. INVERTENDO TAIS VALORES, POSSVEL OBTER 1; -1; 0 E 0, RESPECTIVAMENTE. LOGO, O PLANO A TEM NDICES (1 1 00 ) .
c C
B A
a3
a2
a1
R. Caram - 64
SOLUO
DIREO C TOMANDO-SE UMA DIREO PARALELA (QUE PASSA PELA ORIGEM), TEM-SE UM VETOR DA ORIGEM AT O PONTO DE COORDENADAS (1,-1,0,0). LOGO, A DIREO SER [1 1 00 ] DIREO D TOMANDO-SE UMA DIREO PARALELA (QUE PASSA PELA ORIGEM), TEM-SE UM VETOR DA ORIGEM AT O PONTO DE COORDENADAS (1,-2,1,1). LOGO, A DIREO SER [ 1 2 11 ]
c C
B A
a3
a2
a1
R. Caram - 65
DENSIDADE DE TOMOS
z
DENSIDADE LINEAR
1 1 + n de atomos 2 2 1 = = Dlinear = a a comprimento
o
(100) [100]
a DENSIDADE PLANAR
1 1 1 1 + + + n de atomos 4 4 4 4 1 = 2 = Dplanar = 2 rea a a
o
R. Caram - 66
EXERCCIO
A ESTRUTURA DO CDMIO TEMPERATURA AMBIENTE HC. CONSIDERANDO QUE SEUS PARMETROS DE REDE SO a=0,2973nm E c=0,5618nm, DETERMINE AS DENSIDADES ATMICAS: (A) NA DIREO [2 1 1 0] ; (B) NO PLANO (0001).
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SOLUO
DENSIDADE NA DIREO [2 1 1 0] OBTIDA DETERMINANDO-SE O NMERO DE TOMOS DENTRO DE UMA DISTNCIA CONHECIDA. TOMANDO-SE, NA DIREO MECIONADA, A DISTNCIA EQIVALENTE A UM PARMETRO DE REDE a, TEM-SE NMERO DE TOMOS = 2 X 1/2 = 1 TOMO DISTNCIA = 0,2973X10-9 m
1 1 + 1 n o de atomos 2 2 1 = = = 3,36 x10 9 tomos / m = Dlinear = 9 a a 0,2973 x10 m compriment o
R. Caram - 68
SOLUO
O PLANO (0001) DENOMINADO DE PLANO BASAL. A DENSIDADE DE TAL PLANO PODE SER OBTIDA ATRAVS DA RAZO ENTRE NMERO DE TOMOS PRESENTES EM UMA REA DETERMINADA E O VALOR DE TAL REA. TOMANDO-SE COMO REFERNCIA UM DOS TRINGULOS EQILTEROS DO PLANO HEXAGONAL, TEM-SE: NMERO DE TOMOS = 3 X 1/6 = 1/2 TOMO REA = 3,8X10-20 m2
1 1 1 + + n de atomos 6 6 6 = = 1,31x10 19 tomos/m 2 Dplanar = rea 3,8x10 -9 m
o
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EXERCCIO
DETEMINE A DENSIDADE DO FERRO TEMPERATURA AMBIENTE. DADOS: RAIO ATMICO: 0,123 nm MASSA ATMICA: 56 g/mol ESTRUTURA CCC
R. Caram - 70