CENTRO DE ESTUDIOS CIENTFICOS Y TECNOLGICOS N 7

CUAUHTMOC

DEFECTOS EN SISTEMAS CRISTALINOS

ALUMNO: RAYMUNDO SERRANO REYES

PROFESOR: ALBERTO CRUZ TRUJILLO

GRUPO: 3IVB

DEFECTOS CRISTALINOS
Los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc, el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material. Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones (fuente de Frank Read). El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las

propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos. Los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc, el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material. Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones (fuente de Frank Read).

El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos. Correlacin de las propiedades de la estructura en enlace qumico Se establece cuando un elemento aporta l solo el par electrnico a otro elemento que no posee electrones para poder enlazarse con el anterior. Este tipo de enlace se presenta cuando un tomo no metlico comparte un par de electrones con otros tomos. Para que se presente este tipo de enlace, se requiere que el tomo donador tenga un par de electrones en un orbital exterior y el tomo aceptor puede recibir ese par de electrones en su ltima capa de valencia. Este enlace es comn en los xidos no metlicos y en los iones complejos de los metales de transicin, as como el H 2 SO 4, NH3, SO2.