SCR.

1. DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, , rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

3. CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO. La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet: En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0, la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih). Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: - tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo, - intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

4. CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS. Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM - Tensin directa ...........................................................................: VT - Corriente directa media ...............................................................: ITAV : - Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS . - Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM - Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c 4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas: -Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: PGAV . - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT Entre los anteriores destacan:

- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. 4.2.1 rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF. Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

TRIAC.

Figura 1: Smbolo del TRIAC. En la Figura 1 se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (T2) y Terminal Principal 1 (T1) respectivamente. 2. ESTRUCTURA.

La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores. El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Figura 3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"( transistores conectados con realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el efecto de la seal de entrada).

La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada. Esto implica la perdida de un pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente esta en fase con la tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos terminales del componente.

DIAC
1. DEFINICIN.

El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo.

2.

ESTRUCTURA.