1 EL TIRISTOR O SCR El tiristor es un semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N alternativamente, dispuesto como se ve en la figura N 24 FIGURA N 24

Los dos terminales principales son el nodo, ctodo y la circulacin de corriente directa entre ellos esta controlado inicialmente por un electrodo de mando llamado puerta. El SCR es un elemento unidireccional, una vez aplicada la seal de mando a la puerta el dispositivo deja pasar una corriente que solo puede tener un nico sentido. SILICON CONTROLLED RECTIFIER (SCR). El dispositivo cumple varias funciones que podemos clasificar: 1.-Rectificacin.- Realiza la funcin de un diodo 2..-Interrupcin de corriente.- Usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los contactores electromecnicos. 3..-Regulacin.- La posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear el SCR para gobernar la potencia o la corriente media de salida 4..-Amplificacin.- Debido a que la corriente de mando puede ser muy dbil en comparacin con la corriente principal se produce un fenmeno de amplificacin en corriente o en potencia.En ciertas aplicaciones esta ganancia puede ser de utilidad.

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2 EL TIRISTOR BAJO TENSION (EN ESTADO DE BLOQUEO) FIGURA N 25

Si el nodo es positivo, el elemento esta polarizado directamente pero el diodo P1N2 bloquea la tensin directa aplicada. Si por el contrario el nodo es negativo, los diodos P2 N2 y P1 N1 tienen polarizacin inversa .Por ser dbil la tensin inversa de P1 N1 su papel es despreciable y es P2 N2 el que ha de limitar la corriente inversa de fuga El tiristor es equivalente a una combinacin de dos transistores un PNP y otro NPN como se Puede apreciar en la figura N 24 EL TIRISTOR BAJO TENSION DIRECTA FIGURA N 26

I A = I C1 + I C 2 + I FU I C1 = I A 1 I C 2 = 2 I A I A = 1 I A + 2 I A + I FU

IA =

I FU 1 (1 + 2 )

Donde I FU es la corriente de fuga en el estado de bloqueo directo. Si I FU es una corriente pequea, esto implica que es mucho menor a la unidad I A I FU Si IFU aumenta aumenta, 1 +2 (tiende a uno) y I A aumenta considerablemente y el SCR pasa del estado de bloqueo al de conduccin. Este tipo de cebado aumentando el voltaje aplicado entre nodo y ctodo del elemento no es aconsejable en la mayora de los casos.

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3 PRINCIPIO DE CEBADO POR PUERTA El cebado por puerta es el mtodo mas usual de disparo de SCR, el razonamiento es el siguiente: Una vez polarizado directamente el SCR, se inyecta un impulso de corriente positivo a la puerta del SCR. Entonces se tiene los valores: I C 2 = 2 I G = I B1 I C1 = 2 I G = I B1 1 1 Se considera dos casos: 1..-Si es menos que uno en cuyo caso el SCR no es encendido, no se ceba 1 2 2..-Si es mayor que uno, se inicia el proceso de amplificacin y el elemento bascula al 1 2 estado de conduccin En cuanto es producido el cebado, la realimentacin hace que los dos transistores conducen al estado de saturacin. COMO PUEDE CEBARSE UN TIRISTOR El SCR puede adoptar dos estados: a) De bloqueo cuando esta polarizado en sentido inverso b) De bloqueo de conduccin cuando la polarizacion es directa segn que este cebado o no. Este ultimo caso se usa la propiedad de de los transistores de silicio que la corriente Ie al crecer la ganancia crece o aumenta. Entonces el concepto es usar cualquier medio eficaz de producir este aumento (Ie) de la corriente. Los mtodos mas importantes son : El Voltaje Al aumentar la tensin directa entre nodo y ctodo del SCR, la corriente de fuga aumenta de tal manera que puede producir un brusco aumento de Ie y de esa manera cebar al SCR La derivada del Voltaje La unin PN presenta una cierta capacidad por lo tanto si se hace crecer bruscamente la tensin nodo ctodo del SCR, la capacidad del SCR se carga con una corriente igual a i = c dv y si esta corriente es lo suficiente grande el SCR se cebar dt La temperatura La corriente de fuga de un transistor de silicio aumenta al doble, aproximadamente cada 14 C (al aumentar la temperatura) cuando esta corriente alcanza un valor lo suficiente grande, el SCR es cebado El efecto Transistor. Esta es la forma clsica de controlar al SCR. En la puerta del SCR se inyecta la corriente suficiente para provocar el cebado del semiconductor. Explicado en la figura N 26. El efecto Fotoelctrico La energa usada es luz, esta energa crea pares de electrones-huecos.En este caso se emplea un fototiristor, que es un SCR con una ventana (lente transparente) que deja pasar la luz en la regin de puerta

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4 CURVA CARACTERISTICA DEL SCR FIGURA N 27

DEFINICION DE LOS PARAMETROS DEL SCR 1. CORRIENTE DIRECTA MEDIA IFVA Es la mxima corriente de conduccin promedio que el dispositivo puede conducir.En otras palabras es el valor promedio de los valores instantneos de corriente directa nodo ctodo que puede conducir el tiristor en un intervalo de tiempo T. 2. CORRIENTE MAXIMA NO REPETITIVA IFSM Es el valor pico de corriente que se alcanza en forma transitoria y no de modo peridica 3.CORRIENTE MAXIMA DE PUERTA (GATE) IGFS Es el valor mximo instantneo de corriente que se aplica a la puerta 4. TENSION DIRECTA DE DISPARO VD Es la tensin directa aplicada entre puerta y ctodo por encima de la cual se ceba el S.C.R. 5. TENSION INVERSA DE RUPTURA VRR Es el valor de voltaje cuya magnitud daa al semiconductor 6. TENSION PERIODICA INVERSA DE BLOQUEO VRRM El mximo voltaje inverso repetitivo que es permitido ser aplicado entre los terminales nodo y ctodo del SCR sin causar falla al semiconductor. 7. TENSION INVERSA TRANSISTORIA VRSM Este valor limita la tensin inversa ctodo nodo a la que puede someterse el SCR, durante un intervalo de tiempo 8. TENSION DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO VFDM Es la mxima tensin directa aplicada entre nodo y ctodo con el gate en flotacin sin que AUTOR: ING. LUIS RAMIREZ H.

5 el SCR sea activado. 9. POTENCIA TOTAL DISIPADA PTOT Se considera todas las corrientes directas, inversa, media (IFVA, IRR) de fuga, de mando IG. Su valor sirve para calcular el disipador de calor necesario en el montaje del semiconductor 10. POTENCIA DE PICO DE PUERTA PGFS Corresponde al valor mximo de potencia disipada en la unin puerta ctodo, en el caso de aplicarse una seal de disparo no continua. 11. CORRIENTE DE ENGANCHE IL Es la corriente IA mnima que hace bascular el SCR del estado de bloqueo al estado de conduccin .Su valor es por lo general de 2 a 3 veces la corriente de mantenimiento. 12. CORRIENTE DE MANTENIMIENTO IH Para conservar su estado de conduccin, por el SCR debe circular una corriente de nodo IA mnima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento. PROBLEMAS 1. Que condicin causara la corriente carga mayor en la figura N 28; un ngulo de retardo de disparo de 30 o un ngulo conduccin de 60 FIGURA N 28

2. Si el ngulo de conduccin de un SCR es de 90; se desea duplicar la corriente de carga promedio Que ngulo de conduccin nuevo ser necesario? (la fuente de voltaje es una onda senoidal. 3.- Para la Figura N 29 se desea que el retardo del desfasaje sea de 90 A que valor debe ajustarse R2 ? FIGURA N 29

4. Si RL = 40 ohmios Cunto energa promedio es consumida en el SCR para el caso del problema 3. La cada de tensin directa entre A y K en conduccin es 1.5V constante, considerar que la corriente de fuga es despreciable (la corriente de fuga en la mayora de los SCR de potencia es menor a 1 mA) AUTOR: ING. LUIS RAMIREZ H.

5. Para el circuito de la figura N 30, en el circuito de disparo se cumple: a) Enva un pulso de encendido a la puerta del S.C.R b) Seis (6) milisegundos despus enva un pulso a la base del transistor c) Se repite este ciclo a una frecuencia de 125 Hz. Se puede 1) Dibujar la forma de onda en la carga, donde: VAK=0,7V; Vsat de Q1 = 0.1V 2) Si RL = 12 Ohmios Cunta potencia promedio es entregada a la carga FIGURA N 30

6. Analizar los siguientes circuitos de control usando SCR. Dibujar la forma de onda en RL para cada circuito en el caso que el ngulo de conduccin sea de 135.

TIRISTOR 2N692 1)

CARACTERISTICAS TECNICAS

Voltaje pico repetitivo en el estado de bloque directo Estado de bloqueo inverso

VDRM VRRM

800V 800V

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7 2) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) 10) 11) 12) 13) 14) 15) Voltaje pico no repetitivo inverso Corriente eficaz en conduccin (Todo el ngulo de conduccin) Corriente promedio en conduccin (TC = 65 C Corriente pico no repetitivo (Un ciclo 60 Hz) Potencia pico de puerta Potencia promedio de puerta Corriente pico directa de puerta Voltaje pico de puerta directa Inverso Rango de operacin de la temperatura de la unin Rango de Temperatura de almacenamiento Resistencia trmica de Unin carcasa Corriente promedio del bloque directo o inverso Corriente pico de bloque directo o inverso Voltaje pico en conduccin ITM = 50.3 A, nodo de pulso 1msg Ciclo til 2% (Duty cicle) Corriente continua de puerta VAK = 12V , RL = 50 , TC = 25 C VAK = 12V , RL = 50 , TC = 65 C Voltaje de puerta continuo VAK = 12V RL = 50 , Tj = - 25 C VAK = 12V RL = 50 , Tj = - 65 C Corriente de mantenimiento VAK = 12V , puerta abierta VRSM IT(RMS) IT(AV) ITSM PGM PG(AV) IGM VFGM VRGM TG Tstg 960V 25 AMP 16 AMPS 150 AMPS 5 Watts 0.5 Watts 1.2 AMP 10 Voltios 5 Voltios - 65 a + 125 C - 65 + 150 C

Rojc ID (AV), IR(AV) IDRM, IRRM

2 c/w 2 mA 10A (Tj = 25 C) 20 mA (Tj = 125C) 2 Votios

VTM IGT 40 mA 80 mA VGR 2V 3V IH 7.3, 50 mA

16)

17)

18) 19)

Critica velocidad de subida del dv/dt voltaje para el estado off 30 v/useg 1.-El Triac: El triac es un semiconductor que tiene tres electrodos y trabaja como un interruptor electrnico, el cual es gobernado por la corriente que le llega al electrodo puerta (gate).Este semiconductor se usa generalmente con voltaje alterno para controlar el valor del voltaje eficaz que se desea que llegue a la AUTOR: ING. LUIS RAMIREZ H.

8 carga elctrica. Es decir se usa para el control de la energa elctrica en corriente alterna. Un TRIAC puede ser considerado como dos SCR en paralelos orientados en direcciones opuestas e integrados dentro de un chip semiconductor para proporcionar caractersticas bidireccionales simtricas, como se muestra en la Fig. 1. Los TRIAC tiene dos terminales principales: MT1 y MT2 y un Terminal de compuerta G. El comportamiento conmutativo es el mismo que el de dos SCR espalda a espalda y debido a su compleja estructura un TRIAC puede ser disparado por una seal de compuerta positiva o por una negativa, sin importar la polaridad de voltaje a travs d e los terminales principales. Los modos de disparo de la compuerta para el TRIAC estn descritos en la siguiente tabla. Las polaridades estn referidas a las del Terminal MT1. Cuadrante QI QII QIII Modo I+ IIII+ IIIFIGURA N 1 MT2 + + G + + -

Ya que la direccin de la corriente principal influye en la corriente de disparo, la sensibilidad del disparo, es mayor en los modos de disparo I+ e III-. 2.-Control De Fase: El control del triac se efecta en esta oportunidad usando un diac que es un dispositivo bidireccional de dos electrodos. Este dispositivo conduce cuando se supera el voltaje de umbral entre los electrodos.

CEBADO DEL TRIAC 1) EN EL PRIMER CUADRANTE ( I ) Disparo por corriente de puerta positiva VG >0 ; V2 > 0. Aqu la corriente de puerta

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9 para el encendido es dbil, asimismo la corriente de enganche (IL) necesaria es dbil Ejemplo (Ig = 5 mA ; IL = 20 mA) 2) EL SEGUNDO CUADRANTE (II) Disparo por corriente de puerta negativa ( VG < 0 y V2> 0 ) La corriente de puerta es medianamente de valor importante. Asimismo la corriente de enganche es grande . Ejemplo (Ig = 10 mA ; IL = 40 mA ) 3) EL TERCER CUADRANTE ( III) Disparo por corriente de puerta negativo ( Vg< 0 , V2 < 0 ) La corriente de puerta es medianamente grande y la corriente de enganche es dbil (Ejemplo Ig = 10 mA ; IL = 20 mA) EL CUARTO CUADRANTE ( IV ) Disparo por corriente de puerta positivo (Vg>; V2 <0. La corriente de puerta es grande y la corriente de enganche es medianamente grande Ejemplo Ig = 15 mA , IL = 30 mA

4)

DISPARO POR TRENES DE ONDA Es el funcionamiento en corriente alterna para tiristores y triacs con cargas inductivos la corriente en el elemento inductivo se desfase con el voltaje (cos de la carga aproximadamente). Puede ser que la corriente no se anule cuando el voltaje pasa por cero y por lo tanto el impulso de disparo que aparece en el siguiente semi ciclo encuentra el triac todava encendido. Esto se consigue : a) Ampliando la duracin de cada impulso b) Enviar trenes impulsos repetitivos hasta el termino de cada semionda GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIACS Los gobiernos o controles de tiristores y triac se puede clasificar en los siguientes modos : 1) Circuito de mando por todo o nada (ON / OFF) 2) Variadores de potencia por supresin de semiperiodos o de periodos enteros 3) Variadores de potencia por actuacin sobre el ngulo de conduccin INTERRUPTORES ALEATORIOS Son circuitos que permiten trabajar SCR o triac como interruptores. Es decir - Permanecen cerrados en tanto este presente una onda de cierre aplicado a la puerta del semiconductor - Se abre al desaparecer dicha orden. Esta funcin es igual a la de un rele electromecnico, de ah el nombre de rele Esttico MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors Es un transistor de efecto campo cuyo semiconductor lleva encima del oxido aislante una capa de metal conductor La ventaja de los mosfet de potencia se pueden enumerar : 1. 2. Impedancia de entrada esttica muy alta (10 Ohmios) a) Excitacin por voltaje de entrada b) Potencia de entrada baja Alta velocidad de conmutacin

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10 3. 4. 5. a) Mnimo tiempo de apagado Coeficiente de temperatura positiva de la resistencia en conduccin a) Fcil para la puesta en paralelo Alta inmunidad dv/dc Bajo costo

CARACTERISTICAS DE LOS PARAMETROS DE LOS MOSFET VELOCIDAD La alta velocidad de conmutacin permite ser eficiente en conmutaciones de frecuencias muy altas con reduccin en costos por peso y tamao de componentes reactivos. La velocidad de conmutacin es esencialmente independiente de la temperatura de operacin CARACTERISTICAS DE ENTRADA La puerta de un power mosfet es elctricamente aislado de la fuente y representa una impedancia DC mayor 40 megohmios. Los dispositivos son completamente polarizados al estado de conduccin con un voltaje de puerta de 10 voltios VOLTAJE ON El mnimo voltaje de conduccin (ON) de un mosfet de potencia es determinado por la resistencia de conduccin DS (ON) del dispositivo. Para dispositivo de bajo voltaje el valor rDS (ON) es bastante pequeo, pero para dispositivos de alto voltaje el valor DS (ON) es incrementado. El rDS (ON) tiene un coeficiente positivo con la temperatura. EJEMPLO DE VENTAJAS DE LOS MOSFETS CONVERTIDOR DE ALTO VOLTAJE (FLYBACK) La resistencia en conduccin rDS (ON) es mayor que la resistencia del transistor bipolar en conduccin. En la regin activa la pendiente de la curva del bipolar es mas parada que la pendiente del mosfet. Haciendo que el mosfet sea una mayor fuente de corriente RESISTENCIA ON (rDS (ON) Nos determina la cantidad de corriente (ID) que el dispositivo puede manejar sin exceder la potencia de disipacin. Cuando conmuta el mosfet de OFF a ON, la resistencia dreandor fuente cae a un valor muy alto a uno muy bajo (rDS (ON). Al aumentar la temperatura y al aumentar la corriente ID, la resistencia rDS (ON) aumenta TRANSCONDUCTANCIA Gfs Es un parmetro importante cuando el dispositivo trabaja en la zona activa o regin de corriente constante definido VOLTAJE DE UMBRAL VGS (th) Es el voltaje de puerta mas bajo en el cual una cantidad pequea de corriente de drenador Empieza a fluir (ID = 1 mA) CARACTERISTICAS DE PARAMETROS EN LA TEMPERATURA AUTOR: ING. LUIS RAMIREZ H.

11 1. 2. 3. 4. rDS (ON) varia linealmente con la temperatura rDS (ON) es mayor para dispositivos de alto voltaje que para los de bajo voltaje Las velocidades de conmutaciones son constantes con la variaciones de la temperatura Los transistores mosfet al incrementar la temperatura las perdidas dinmicas son bajas y permanecen constante, en cambio en los bipolares las perdidas por conmutacin son superiores y aumentan con el incremento de la temperatura de la unin IRF 350 MOSFET :VDSS VDGR VGS ID IDM PD VBR DSS IDSS IGSSF IGSSR VGS (th) rDS (ON) ID td (on) td (off) tr tf CANAL N 400V 400 V 20 V 15 A 60 A 150 W 400 VAC 0.25 mA 100 nA 100 nA 24V 0.3 Ohmios 15 AMP 35 nsg 150 nsg 65 nsg 75 nsg

TRANSISTOR :

Voltaje de drenador a fuente Voltaje drenador puerta Voltaje puerta fuente Corriente drenador continua Corriente drenador pulso Total de Potencia disipada TC = 25 C Voltaje de ruptura drenador fuente VGS = 0 , ID = 0.25 mA Corriente drenador con voltaje De puerta cero Corriente directa de fuga VGSF = 20 VDC, VDS = 0 Corriente inversa de fuga VGSR = 20 V VDS = 0 Voltaje de umbral de puerta VDS = VGS , ID = 0,25 mA Resistencia esttica drenador VGS = 10 V ID = 8 A Corriente en el drenador en el ( VGS = 10 V); VDS 4.5 VDC Tiempo de atraso en el encendido VDD = 25V , ID = 8 APK, Rg = 4.7 Tiempo de atraso del apagado Tiempo de subida Tiempo de cada Ancho de pulso t 300 usg Duty cycle 2 %

IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Es un transistor bipolar de puerta aislada

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12 En el mundo de los conmutadores de potencia constantemente se esta buscando un conmutador ideal. Un conmutador total debe tener las siguientes caractersticas : a) Resistencia infinita en el estado de apagado (OFF) b) Resistencia cero en el estado de conduccin (ON) c) Tiempo de conmutacin instantneos d) Potencia de entrada cero para operar En aplicaciones de conmutaciones real uno debe buscar el dispositivo que nos aproxime al conmutador ideal para esa aplicacin particular. El elegir involucra consideraciones tales como voltaje, corriente y frecuencia de conmutacin, circuito de disparo, cargas inductivas, efectos de la temperatura, etc. Cada dispositivo de conmutacin tiene sus ventajas y desventajas. El diseo justamente consiste en buscar un dispositivo de conmutacin para una aplicacin Para los conmutadores de estado solid, las tres caractersticas que son mas deseables son : a) Una mayor velocidad de conmutacin b) Circuito simple para el disparo del semiconductor (encendido) c) Bajas perdidas en conduccin (ON) En bajo voltaje, los transistores Mosfet tiene baja resistencia de conduccin (ON) y se acerca al conmutador ideal pero en alto voltaje estos dispositivos presenta lata resistencia al encendido con respecto a dispositivos de bajo voltaje. Esto limita la eficiencia de los mosfet. CARACTERISTICA IMPORTANTES DEL IGBT Semiconductor de potencia de alto voltaje Cada de tensin directa similar a los transistores bipolares Mantiene la alta impedancia de entrada y rpido encendido (turn-on) asociado con la puerta aislada de los mosfet 4. A pesar que la velocidad de encendido (turn-on) es bastante rpido, no as es el tiempo de apagado (la corriente disminuye en un tiempo aproximado de 4 sg. Es decir que el tiempo de bajada es muy lento. Esto origina que solo se use para aplicaciones de baja frecuencia. Suele ser menor a 10 KHZ Comparando el IGBT con el tiristor, el IGBT es mas rpido y tiene alta impedancia de entrada, mejor inmunidad al dv /dt y sobre todo capacidad de apagado (turn- off) por la puesta del semiconductor. Contrariamente los SCR tienen una cada directa ligeramente menor que los IGBT tambin la corriente accidental mxima, es decir la corriente aleatoria no repetitiva es mayor en los SCR que los IGBT Los transistores bipolares para manejar una corriente en el colector de 10 Amperios, requieren una corriente en la base por ejemplo de 2 Amperios mientras que los IGBT requiere una corriente de nano amperios en la puesta para mantener en conduccin al dispositivo. En conclusin los IGBT se usan para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y baja frecuencia IGBT SEMIKRON: SKM 25GAL 100D 1. 2. 3. 4. 5. VCES VCGR RGE = 20 K IC Tcase 70 C ICM Tcase 70 C VGES Ptot Tcase 25 C 1000V 1000V 25 AMP 50 AMP 20V 225 W 1. 2. 3.

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13 6. 7. 8 9. 10. IF Diodo Inverso Tcase 70 C IFM Tcase 70 C 25 AMP 50 AMP

ICES VGE = 0V T = 25 C 0.75 Ma VCE = 1000v IGES VGE = 20V, VCE = 0V 100 Na VCE Sat VGE = 15V, IC = 15A 3.5V Cies VGE = 0, VCE = 25V 8 PF F = 1 Mhz Td (on) VCC = 600v 60 ng IC = 25 A Tiempo de retardo Rgon = Rgoff = 3.3 Al cierre TJ = 125 C Tr Tiempo de subida 250 ng Tf Tiempo de bajada 300 ng Diodo Inverso UEC IF = 50 A 1,7V VGE = 0 (I = 125 C) RECTIFICADORES SEMIKRON DIODO SKN60F , SKR60F Tension Inversa de Pico VRRM Repetitiva Corriente Directa RMS IFRMS IFVA Trr Corriente Directa Promedio IFVA IFSM Corriente Directa Transistoria IR VF Rthjc Rthca 1200V 1200V 75 AMP (Tc = 85 750 nsg Tiempo de recuperacin inversa 60 AMP (Tc = 100 1 , f = 1000 Hz 1400 AM (Tc = 25 C

0.4 mA (T = 25 C) VR = VRRM 69 mA (T = 150C) VR = VRRM Tension Directa 1.75V (T = 25 C) IF = 150 A 0.5 C /W Resistencia trmica unin - encapsulado 0.25 C/W Resistencia Trmica ambiente encapsulado radiador

DIODO EN EL ESTADO DE BLOQUEO TENSION INVERSA DE TRABAJO : Puede ser separada por el diodo de forma continua sin peligro de calentamiento por avalancha TENSION INVERSA DE PICO REPETITIVO : Puede ser soportado en picos de 1 msg repetidos cada 10 mg por tiempo indefinido TENSION INVERSA DE PICO UNICO : Puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o mas, con duracin de pico de 10 msg TENSION DE RUPTURA Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez y con duracin de 10 mg o menos el diodo puede detenerse o al menos degradar sus caractersticas elctricas AUTOR: ING. LUIS RAMIREZ H.

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DIODOS EN EL ESTADO DE CONDUCCION INTENSIDAD MEDIA NOMINAL : Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo pueda soportar con la capsula mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente) INTENSIDAD DE PICO REPETITIVO. Puede ser soportada cada 20 mg por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1 mg a determinada temperatura de la capsula INTENSIDAD DE PICO UNICO Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o mas con duracin del pico de 10 msg ASOCIACION DE SEMICONDUCTORES Cuando las exigencias de tensin de un circuito de electrnica de potencia exceden las posibilidades de los semiconductores comercialmente disponibles, es necesario recurrir a la conexin serie de los componentes. Si exceden las posibilidades de intensidad, hay que recurrir a la conexin en paralelo CONEXIN SERIE En la conexin serie el diodo de menor intensidad de fuga tiende a soportar la mayor tensin inversa y viceversa con peligro de que en algn diodo se sobrepase la tensin inversa permitida. Una solucin sencilla consiste en conectar en paralelo con cada diodo una resistencia elevada R que tiende a igualar la resistencia equivalente del conjunto diodo-resistencia para ecualizar las tensiones soportadas.

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