Transistores O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo

o da eletrnica na dcada amplificadores e de 1960. So utilizados principalmente O termo como vem interruptores de sinais eltricos.

de transferresistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, fraco gerado pelo microfone em injetado num sinais eltricos circuito com as eletrnico mesmas (transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo se d o nome de ganho de sinal. Importncia O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios.

VMOS Transistores de Efeito de campo Transistores campo VMOS efeito ou FETs so uma forma de MOSFET de potncia e esses componentes eletrnicos so usados para uma variedade de aplicaes onde os poderes mdio so obrigatrios. Os ganhos VMOS FET seu nome do fato de que "Silicon Oxide Vertical Metal". A partir deste podese imaginar que o VMOS FET tem muitas semelhanas com tecnologia MOS, mas a estrutura organizada com um V-groove que tambm adiciona uma nova dimenso ao VMOS nome. Quando VMOS FETs foram introduzidas pela primeira vez que fora realizada bipolar tecnologia de semicondutores em muitos aspectos, tornando o design de amplificadores muito mais barato e mais fcil. Desde sua introduo VMOS FETs tornaram-se firmemente estabelecida como til poder MOSFET componentes eletrnicos que podem ser usados para uma variedade de aplicaes de potncia MOS variando de fonte chaveada para aplicaes atravs de amplificadores de RF de mdia potncia. Eles tambm so incorporados em muitos circuitos integrados, eles so capazes de mudar muito rapidamente.

VMOS estrutura FET VMOS FETs so capazes de superar muitos dos problemas que impediram FETs sendo usados em aplicaes de potncia. Sua nova estrutura permitiu poderes muito maiores para serem manipulados que era possvel anteriormente com transistores bipolares de um tamanho equivalente e custo. A razo para esta grande melhoria est na estrutura do dispositivo. Para mostrar as vantagens de um dispositivo MOS FET VMOS tradicionais. Aqui pode-se observar que o dreno ea fonte so separados pelo porto. A corrente flui horizontalmente entre a fonte eo dreno, controlada pelo potencial no porto. Como a corrente flui somente atravs de uma rea relativamente pequena, os valores de resistncia podem ser elevados reduzindo a eficincia do dispositivo. O FET VMOS usa uma estrutura diferente O ponto mais marcante sobre o novo dispositivo o groove V na estrutura que a chave para o funcionamento do dispositivo. Pode ser visto que a fonte est no topo do dispositivo, e o ralo permanece na parte inferior. Em vez de fluir

horizontalmente, como no padro FET, a corrente neste dispositivo flui verticalmente dando o dispositivo de seu nome - Vertical Metal Oxide Silicon, VMOS. Campo VMOS estrutura de transistor de efeito O dispositivo utiliza duas conexes para a fonte e, consequentemente, h uma rea muito grande atravs dos quais a corrente pode fluir. Isto reduz a resistncia ON do dispositivo que lhe permite lidar com potncias muito superiores FETs convencionais. O porto consiste em uma rea metalizada sobre o sulco V e este controla o fluxo de corrente na regio P. Como a porta fabricada, desta forma, significa que o dispositivo retm a resistncia de entrada excepcionalmente alta tpica da famlia de dispositivos MOS. A principal desvantagem do FET VMOS que a estrutura mais complicada do que um FET tradicional e isso torna um pouco mais caro.

Comparado ao MOSFET planar disponvel comercialmente, o VMOS tem valores de resistncia de canal menores e especificaes de corrente e potncia maiores. No VMOS, os nveis reduzidos de armazenamento de carga proporcionam perodos de chaveamento mais rpidos, quando comparados aqueles obtidos para construo planar convencional.