You are on page 1of 1

Esty Swandana 37511 MOSFET MOSFET memliki empat region aktif yang mengatur kerjanya, yaitu terminal Gate

(G), Drain (D), Source (S), dan Bulk/Substrate1. Source adalah terminal tempat pembawa muatan maypritas masu ke kanal untuk menyediakan arus melalui kanal. Drain adalah terminal arus meninggalakan kanal. Dan Gate adalah elektroda yang mengatur konduktasi antara Drain dan Source. Kemudian Substrate/Bulk umunya dihubungkan dengan Source2. Terapat dua jenis MOSFET, yaitu jenis depletion-mode dan jenis enhancement-mode3. Berikut ini merupakan keterangan mengenai perbedaan dan cara kerja kedua jenis MOSFET tersebut. 1. MOSFET Depletion-mode Gambar 1 menunjukkan struktur sebuah MOSFET Depletion-mode dengan substrate bertipe p (memiliki kelebihan hole). Pada sebuah kanal semikonduktor tipe n (memiliki kelebihan elektron) terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit celah. Dengan demikian diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain melalui celah sempit ini. Semakin negatif tegangan gate terhadap source, akan semakin kecil arus drain yang bisa lewat atau bahkan menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu karena lapisan deplesi (bagian berwarna kuning pada Gambar 1) telah menutup kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan source, arus akan mengalir. Karena lapisan deplesi mulai membuka. Sampai di sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode tidak berbeda dengan transistor JFET. PErbedaan antara MOSFET dan JFET adalaha bahwa MOSFET dapat bekerja hingga tegangan positif, di mana semakin positif VGS maka kanal akan semakin besar4. MOSFET Enhanchement-mode Perbedaan struktur yang mendasar terhadap MOSFET Depletion-mode adalah region p dibuat sampai menyentuh gate, seperti terlihat pada Gambar 2. Pada saat tegangan gate-source (VGS) bernilai negative atau sama dengan 0, arus tidak akan mengalir pada transistor karena tidak terbentuk kanal antara drain dan source. Namun ketika VGS adalah tegangan bernilai positif, maka elektron tertarik ke arah substrate p. Elektron-elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada substrate p. Karena potensial gate lebih positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi substrate yang berbatasan Gambar 2 dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2. Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer 5.
Gambar 1

2.

1 2

C. Hawkins and J. Segura, "Chapter 3 MOSFET TRANSISTORS," in Introduction to Digital Electronics, p. 1. S. K. Wijaya, "Bab IX, FET dan UJT," in Diktat Elektronika I, p. 181. 3 kardus: Cara Kerja Mosfet, March 8, 2011, http://kardus99.blogspot.com/2011/03/cara-kerja-mosfet.html. 4 Ibid. 5 Ibid.