Вы находитесь на странице: 1из 6

DIGITALES MEMORIAS - QUE SON Y PARA QUE SIRVEN?

Las memorias son una de las partes ms importantes de una computadora ya que de la velocidad con que se pueden transferir datos, de su capacidad y estructura interna, depende en gran medida el desempeo del microprocesador, pero: Qu es una memoria?. En este artculo trataremos de brindar detalles que le permitan obtener respuestas a sus preguntas. - INTRODUCCION Tal como se muestra en el cuadro 1, existen dos tipos de organizacin: - Memorias Fsicas y - Memorias Lgicas El usuario debe conocer perfectamente cada parte y para ello, es preciso que se remita al diagrama de la figura 1.

Los tipos de memoria semiconductora disponibles actualmente para los microprocesadores (uC) se resumen en el cuadro 1. En un uC se pueden almacenar 2 tipos de memoria: - Voltil - No Voltil La memoria voltil tiene la caracterstica de que pierde la informacin almacenada cuando se desactiva la fuente de poder (la celda de almacenamiento es un multivibrador biestable). La memoria no voltil retiene la informacin despus de que se desactiva la fuente de poder (la celda de almacenamiento es un dispositivo de conmutacin con un fusible como elemento programable). - MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM, POR SUS SIGLAS EN INGLES) Las RAM se clasifican como meorias voltiles. Hay 2 tipos de RAM, estticas y dinmicas. EN las RAM dinmicas la informacin se almacenaen forma de carga elctrica (capacitancia base-emisor de transistor MOS). Esta capacidad tiende a descargarse con el tiempo, por lo que es necesario tener circuitos para refrescar la informacin peridicamente. La RAM esttica no requiere circuitos de refresco ya que la informacin se almacena en un multivibrador tipo latch. Aunque la memoria dinmica requiere circuitera de refresco externa, es ms barata que la RAM esttica y consume menos energa. - MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM, SUS SIGLAS EN INGLES) Se calsifican en dos tipos: - Las programadas por el fabricante - Las programadas por el usuario Las ROM programadas durante el proceso de manufactura son muy confiables y cuando se producen en volmenes altos proporcionan el costo ms bajo por bit que cualquier memoria semiconductora. En las RAM, el tipo de acceso es independiente de la localizacin del dato, en este tipo de memoria, un arreglo de biestables contiene la informacin binaria (las celdas se conectan en paralelo a la lnea de salida del codificador de direccin). Se conectan tantas celdas en paralelo como bits tiene la palabra. Las RAM estticas tienen los siguientes inconvenientes: - Densidad limitada - Alto consumo de energa - Conforme se incrementa la densidad de la memora los circuitos sensores se vuelven ms complejos y requieren mayor energa Las RAM dinmicas son de tecnologa MOS y tienen la ventaja de que las celdas con de dimensiones menores a las bipolares y consumen poca energa, lo cual hace posible el que se puedan empaquetar muchas celdas en un circuito integrado. La desventaja de las RAM dinmicas con respecto a las estticas es la velocidad de acceso. Las ROM progamables por el usuario pueden ser de 2 tipos: 1. ROM Programable tipo fusible (PROM, por sus siglas en ingls) Estas se pueden programar una sola vez, despus de programadas, el patrn programado no puede ser alterado. 2. PROM borrables (EPROM, por sus siglas en ingls) Pueden ser programadas y reprogramadas por el usuario muchas veces siempre y cuando se respete la especificacin de programacin en cuanto a la amplitud y tiempo de duracin del pulso de programacin. Hay dos tipos de EPROM: a. uVEPROM la cual es borrada cuando se hace incidir un haz de luz ultravioleta de suficiente intensidad b. EAPROM (electrically alterable PROM) se borra amplicando un pulso en una patilla del IC. Este es mejor que las del insico anterior, ya que se borra el contenido de una localidad. En las del inciso anterior de borra toda la memoria. - ORGANIZACION INTERNA DE LAS MEMORIAS Existen dos tipos de arreglos:

- Lineal - Matricial La figura 2, muestra los bloques bsicos de un arreglo lineal.

Es un circuito que contiene 2 n lneas de salida y n lneas de entrada. Para cada combinacin entre las n lneas de entrada, se selecciona una y slo una lnea de salida. EJEMPLO: Veamos el desarrollo de una memoria cuyo arreglo es lineal y contiene 4 palabras de 4 bits por palabra. Este ejemplo es didctico.

De la tabla se obtienen las ecuaciones lgicas de la tabla 1. En diagrama en bloques resultante se muetra en la figura 3. El diagrama lgico que genera la tabla 2 se muestra en la figura 4.

En general, los decodificadores que contienen los circuitos integrados de memorias se expresan en la tabla 2.

- CELDAS DE ALMACENAMIENTO Estn organizadas en palabras, cada palabra corresponde a una lnea de salida del decodificador de direccin. El nmero de bits que contiene cada palabra es el nmero de celdas que se conecta en paralelo a cada lnea de salida del decodificador, como se muestra en la figura 4.

Funcionamiento de Mem flash(Pendrive etc) Flash, como tipo de EEPROM Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable elctricamente). que es, contiene un arreglo de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin.

Memoria flash de tipo NOR [editar]


En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND [editar]


Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de

soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND [editar]


Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.
y y y

y y y y

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

Вам также может понравиться