You are on page 1of 112

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Tema 1: T 1 Revisin de Fundamentos y Dispositivos Semiconductores. 1.1 Fsica de Semiconductores 1.2 Estructura, anlisis y caractersticas de dispositivos Diodo de unin pn. Transistor Bipolar de Unin Unin. Transistor MOSFET

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Tipos de materiales: M d l de Enlace. Ti d t i l Modelo d E l Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa. Portadores: concepto de hueco. Semiconductores intrnsecos. Concentracin de portadores en equilibrio. equilibrio Ley de accin de masas masas. Necesidad del dopado. Tipos de impurezas. Portadores en semiconductores uniformemente dopados. Ecuacin de neutralidad de carga. Concentracin de portadores en equilibrio y nivel de Fermi.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Bloque 1 FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Bl 1:

Descripcin:
Se estudia la fsica de los electrones en slidos, los tipos de materiales y los conceptos de masa efectiva y de hueco. Se describe brevemente los dos modelos que nos sirven para "visualizar" las caractersticas de los materiales: el llamado modelo de enlace y el llamado modelo de bandas de energa. Examinaremos las definiciones, los conceptos, la terminologa asociada y en definitiva todas las caractersticas fundamentales de ambos modelos y, definitiva, modelos. Se aborda el estudio de las propiedades de los semiconductores intrnsecos y extrnsecos en condiciones de "equilibrio". Se justifica la necesidad del dopado para la exploracin de los semiconductores. Se desarrollan los conceptos de densidad de estados ley de accin de masas y ecuacin estados, de neutralidad de carga. Se resuelve el problema de la determinacin del nivel de Fermi y de las concentraciones de portadores y su dependencia con la temperatura. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 3

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

Objetivos: Conocer el modelo de enlace en slidos slidos. Conocer el modelo de bandas de energa en slidos. Conocer los conceptos de masa efectiva, electrn (libre y ligado) y hueco. Conocer el concepto de semiconductor intrnseco en equilibrio. Conocer el concepto d d C l t de dopado y semiconductor extrnseco en d i d t t equilibrio.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Bibliografa: Bsica: [Pier89a], [Pier94a]: Este par de libros cubre perfectamente la materia de este tema tal y como proponemos aqui. Aborda el estudio de los modelos que describen los semiconductores con claridad y con un nivel adecuado para la asignatura. Referencias concretas y pormenorizadas para abordar, ampliar y matizar los apuntes de este tema. El segundo libro es un texto en espaol, sencillo en su lectura, que los alumnos agradecen y siempre consideran como libro de estudio estudio. [Sing94], [Shur90], [Yang88]: Estos libros aportan otra visin complementaria a los apuntes desarrollados de la asignatura, pero son bsicos e importantes para su comprensin y estudio.

Complementaria: [Bar93], [Stre90], [Sze81]: Referencias que ofrecen la posibilidad a los alumnos de abordar aspectos nuevos, que si bien no se tratan explcitamente en la asignatura, podran resultarles tiles en otras materias de la licenciatura referidas a la rama de electrnica. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 5

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace


Dos D modelos para visualizar l caractersticas de los materiales: d l i li las t ti d l t i l modelo de enlace. modelo de bandas de energa. Se emplean p p para explicar los mismos fenmenos pero desde dos perspectivas distintas: p p p p el modelo de enlace nos permite describir los aspectos espaciales de los sucesos que acontecen dentro del material. es ms intuitivo recurrir al modelo de bandas de energa si nos interesan las aspectos energticos de un determinado suceso. suceso Vamos a estudiar las definiciones, los conceptos, la terminologa asociada, y, en definitiva, todas las caractersticas fundamentales de ambos modelos. -Los dispositivos electrnicos de hoy en da usan materiales semiconductores. - Enfocaremos nuestra atencin en describir sus propiedades. -Existen varios tipos d materiales semiconductores: E i i i de i l i d elementales (columna IV de la Tabla Peridica): Si y Ge compuestos: (III-V:AsGa); (II-VI: AsIn); Aleaciones: AlxGa1-xAs -La disposicin de los tomos en los materiales influye en sus La propiedades. Nos centraremos en el estudio del Silicio (Si) que cristaliza en una estructura de diamante (cada tomo de Si est rodeado de otros cuatro tomos a la misma distancia espacial). 6

Celda Unitaria en la estructura de diamante.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace

Valores Discretos

Energas de enlace del electrn: h: constante de Planck o: permitividad del vaco. q: carga del electrn. mo: carga del electrn libre. n: nmero cuntico de energa (identificador de la rbita)

Modelo de Borh M d l d B h para el tomo de hidrgeno: la energa del g electrn est cuantizada.

El electrn en el tomo de H est confinado a cierta rbitas bien definidas tomo de Rutherford (tomo de H). Representacin idealizada: ncleo de carga positiva y H) una partcula negativa de carga mucho menor, el electrn, en rbita alrededor del ncleo. Se aprecian las tres primeras rbitas permitidas cada una con una energa de cuantizacin asociada.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace


Caractersticas energticas de un tomo de Si aislado

Nmero Atmico: 14
Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 8

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace


Caractersticas energticas de un tomo de Si aislado
(ocupan niveles energticos muy profundos)

permanecen sin perturbacin durante las reacciones qumicas en las interacciones normales entre t i t i l t tomos
"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l

Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 9

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace


Caractersticas energticas de un tomo de Si aislado
(energas superiores a las del "corazn del tomo") e- de valencia ocupan cuatro de los ocho estados permitidos en el nmero cuntico n=3

"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l

Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si

Fuerte F t participacin en las reacciones qumicas y en las interacciones normales entre tomos

Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 10

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace


Caractersticas energticas de un tomo de Si aislado
(energas superiores a las del "corazn del tomo") e- de valencia ocupan cuatro de los ocho estados permitidos en el nmero cuntico n=3

"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l

Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si

Fuerte F t participacin en las reacciones qumicas y en las interacciones normales entre tomos

Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de g ) energa).

Esto es lo que ocurrira con un tomo de Si que no interacta con otros tomos
Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 11

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Modelo de Enlace (enlace covalente) ( l l t )


Segn el modelo de enlace aplicado al Si, cada tomo de Si comparte con cada uno de sus p cuatro tomos vecinos un electrn de valencia, formndose enlaces covalentes.

Representacin bidimensional de estructuras cristalina: modelo de enlace enlace.

Los tomos de Si incorporados a la estructura cristalina de diamante presentan un enlace que implica una atraccin entre cada tomo y sus cuatro vecinos ms prximos.

Nos centraremos, por ahora, en semiconductores prcticamente puros ti t (nmero insignificante de impurezas: 1 tomo por cada 1010/ 3 en Si) d /cm
12

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.

En la vida diaria el tipo de portador que se encuentra ms comnmente es el electrn (la diaria, partcula subatmica responsable del transporte de carga en cables metlicos). Dentro del semiconductor, se vuelve a encontrar el mencionado electrn, pero hay tambin un segundo tipo de portador igualmente importante: el hueco.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

13

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.

Visualizacin segn el modelo de enlace

a) Cristal perfecto a T=0K b) Cristal imperfecto a T>0K


Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 14

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.

Visualizacin segn el modelo de enlace

a) Cristal perfecto a T=0K


Idealmente, a T=0K el semiconductor sera aislante: todos los e estaran eformando enlaces Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 15

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.

Visualizacin segn el modelo de enlace

El hecho de liberarse un e- deja un "hueco" (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina. Dentro del semiconductor encontramos el e- libre, pero tambin un segundo tipo de portador: el hueco (h+). los e y los h+ se pueden considerar como epartculas clsicas, en trminos conceptuales y matemticos, siempre que en las relaciones matemticas se sustituya y la masa de la partcula por la masa efectiva del portador. Si intrnseco: 5x1022 t/cm3 a) Cristal perfecto a T=0K 5x1022 e- de valencia/cm3 densidad de e- libres (Tamb)= 1010 ( ) t/cm3

Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 16

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.

Visualizacin segn el modelo de enlace

Sin embargo, en un semiconductor puro cada tomo puede contribuir con muy pocos e-, pocos enlaces se l rompen. No es fcil forzar el paso de corriente. La descripcin del movimiento del e etiene cierto carcter local.

Si intrnseco: 5x1022 t/cm3 a) Cristal perfecto a T=0K 5x1022 e- de valencia/cm3 densidad de e- libres (Tamb)= 1010 ( ) t/cm3

Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 17

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: movimiento de portadores

Tema 2

Visualizacin segn el modelo de enlace

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

18

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: movimiento de portadores

Tema 2

Visualizacin segn el modelo de enlace

La ruptura de un enlace Si-Si adems de , liberar un e-, tambin crea un "vaco" en la estructura de enlaces.

Enlace roto: nunca son totalmente libres


19

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: movimiento de portadores

Tema 2

Visualizacin segn el modelo de enlace

Se puede imaginar el desplazamiento de este "vaco" de g q un lugar a otro dentro de la red, como el resultado de que los electrones vecinos salten ocupando dicho vaco.
Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 20

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Modelo de Enlace: movimiento de portadores

Tema 2

Visualizacin segn el modelo de enlace

Se libera un e-. El h+ a su vez acta atrayendo a otros e- (de otros enlaces vecinos)=> p p Se produce un movimiento de partculas positivas ficticias (h+)

-La conduccin a T ordinaria puede t L d i di i d tener lugar a travs de dos modos cunticos distintos, describibles por medio de dos partculas clsicas: e d carga -q y masa eficaz me de fi h de carga +q y masa eficaz mh

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

21

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Intrnseco

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

22

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Intrnseco

DATOS:

n iT amb

Si

= 1010 / cm3

AsGa n = 2 106 / cm3 iT amb

Ge n = 2 1013 / cm3 iT amb

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

23

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) No se crean pares e-h!!

Se alteran las propiedades de los semiconductores puros y se controla la corriente elctrica

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

24

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas:

Para aumentar la concentracin de e- libres se le aaden al cristal de Silicio tomos de Fsforo, Arsnico Antimonio...

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

25

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas: Comportamiento del tomo Donador:

Cuatro de los cinco e- de valencia del P encajan perfectamente en la estructura de l d enlaces. El quinto e- de valencia del P no encaja y queda dbilmente ligado al tomo donador A temperatura ambiente este e- se libera con facilidad y puede entonces moverse dentro de la red (constituye un portador) El tomo donador queda cargado positivamente. positivamente No hay ruptura de enlaces entre tomos como resultado de la liberacin del 5 electrn: no aumenta la 5 concentracin de huecos.
Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 26

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas:

Para aumentar la concentracin de h+ se le aaden al cristal de Silicio tomos de Boro, Galio, Indio Aluminio...

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

27

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas: Comportamiento del tomo Aceptor: Elemento de la columna III de la Tabla Peridica, es decir, tres e- de valencia. No puede completar una de las uniones del semiconductor cuando sustituye al tomo de Si en la red cristalina cristalina. El tomo aceptor, "acepta" fcilmente un electrn de un enlace Si-Si cercano, completando su p p estructura de enlaces y p propia crendose un hueco que puede moverse por la red. El tomo aceptor queda cargado negativamente (acepta un electrn) pero no puede moverse. De nuevo, se produce un incremento de un p portador: no se liberan e- en el slo tipo de p proceso de creacin de huecos. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 28

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa

Tema 2

tomos H alejados (sin interactuar entre s) tienen estados energticos idnticos

N estados permitidos en la banda de conduccin N estados permitidos en la banda de valencia

dos estados energticos permitidos

un e- de valencia

Si hay N e- de valencia interactuando, los niveles ---> BANDAS Si puro N=4x5x1022 e-/cm3 Modelo de bandas de energa: desdoble de niveles en el tomo de Hidrgeno. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 29

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Tema 2

Si se colocan N tomos de en estrecha vecindad (Si cristalino), habr una modificacin en los estados energticos de los e- de valencia: l mitad exacta d estados permitidos la it d t de t d itid disminuye su energa la mitad exacta de estados permitidos aumenta su energa energ a ms an, la perturbacin produce una dispersin de las energas permitidas, formndose dos intervalos "bandas" de estados d energa permitidos, separados t d de itid d por un salto intermedio de energa (Eg), llamado "banda prohibida"
Desdoble de niveles en Bandas de Energa
En nerga del ele ectrn En nerga del ele ectrn E Energa del electrn e N tomos de Si aislados p s
6N estados p en total 2N estados s en t t l t d total (4N e- de valencia en total)

Versin simplificada:
4N estados permitidos 4N estados permitidos itid Casi vaco Eg Casi lleno EV Einferior Esuperior EC

N tomos de Si cristalino
Banda Conduccin

n=3

Banda Valencia

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

30

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa Estudio de aspectos energticos

Existe una relacin muy estrecha entre la anchura de la banda prohibida de un material, la cantidad de portadores disponibles y la naturaleza general del mismo. La mayor diferencia entre los materiales no radica en la naturaleza de las bandas de energa energa, sino en la anchura de la banda prohibida Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 31

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa Estudio de aspectos energticos

METALES: Banda prohibida muy estrecha o solapamiento entre BC y BV. Siempre hay gran cantidad de portadores: excelentes conductores de corriente.

SEMICONDUCTOR: Banda prohibida intermedia. A temperatura ambiente existen una moderada cantidad de portadores. Tienen una capacidad de transporte de corriente intermedia entre mala (aislante) y excelente (metal).

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

32

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Portadores en el Modelo de Bandas de Energa Para un semiconductor intrnseco:

portador

A T=0K: BANDA DE VALENCIA totalmente ocupada BANDA DE CONDUCCIN totalmente vaca

A T>0K: e- BANDA DE VALENCIA a BANDA DE CONDUCCIN e- f formado enlace a e- portador d l t d 33

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa
Semiconductor E S i d Extrnseco ( (comportamiento d d i de donadores y aceptores con el modelo d b d ) d l d l de bandas):

Tema 2

(Boro, III) )

(Fsforo, ) V)

Aceptores: aaden niveles electrnicos permitidos (Ea) dentro de la Banda Prohibida cerca de la Banda de Valencia

Donadores: aaden niveles electrnicos permitidos (Ed) dentro de la Banda Prohibida cerca de la Banda de Conduccin 34

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa
Semiconductor E S i d Extrnseco ( (comportamiento d d i de donadores y aceptores con el modelo d b d ) d l d l de bandas):

Tema 2

(Boro, III)

(Fsforo, V)

ESTADO FUNDAMENTAL
A T=0K: BV llena BC vaca Ea vaco impurezas aceptoras A T=0K: BV llena BC vaca Ed llena impurezas donadoras 35

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa

Basta B t con Tambiente para que se d el salto de e- de la BV al estado aceptor, Ea, sin dejar een la BC: Se crean h+ sin dejar e- libres Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 36

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa

e e- de la BV efecta una transicin a un emplazamiento de aceptador. A temperatura ambiente todos los emplazamientos de aceptadores estn ocupados con e- y se produce en el material un aumento importante de la concentracin de h+. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 37

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa

Basta B t con Tambiente para que se d el salto de e- del estado donador Ed, a la BC sin dejar h h+ en la BV: Se crean e- libres sin crearse h+ Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 38

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa

ee de un emplazamiento de donador efecta una transicin a la BC. A temperatura ambiente todos los emplazamientos de donadores estn vacos y se produce en el material un aumento importante de la concentracin de e-. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 39

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa

Tema 2

EJEMPLO: Germanio (Eg=0.68 eV)

T 2 Ley Emprica: L E i E g (T ) = E g (0) T +

dnde d d y son constantes dependientes del material. t t d di t d l t i l 40

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Terminologa de los portadores: Concentraciones de Equilibrio

nmero de portadores por unidad de volumen (/cm3)

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

41

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Terminologa de los portadores: Concentraciones de Equilibrio Caracteriza al material intrnseco

ni=ni(T)

Supone un lmite p en la densidad de portadores en el semiconductor extrnseco

Se cumple en un semiconductor uniformemente dopado (el nmero de impurezas es el mismo en cualquier punto del material) y en condiciones de equilibrio.

Carga neta nula en cualquier punto 42

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Hasta ahora nos hemos centrado en las propiedades de los portadores y en informacin cualitativa. Pero nos interesa el valor exacto de la concentracin de portadores dentro de los semiconductores dopados (informacin cuantitativa) Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV

Vimos que el nmero total de estados permitidos en cada banda era 4N siendo N el nmero d t i d l de tomos d l cristal del i t l

Pero no sabemos como se distribuyen en cuanto energa: cuntos estados h para una energa d d t d hay dada... Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 43

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV

Un anlisis basado en

(en condiciones de equilibrio)

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

44

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV

Un anlisis basado en

gC(EC)=0

gC(E) aumenta como la raz cuadrada de la energa para valores crecientes de la misma

gC(E) y gV(E): densidades de estados para una energa dada E en la BC y la BV.

(en son distintos debido a gC(E) y gV(E): condiciones de equilibrio) (en condiciones de equilibrio) la diferencia de las masas efectivas de los dos tipos de portadores
gV(EV)=0

gV(E) aumenta como la raz cuadrada de la energa para valores decrecientes de la misma

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

45

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Estadstica de Portadores

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

46

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Estadstica de Portadores
Si EEf-3KT => f(E)1- exp[(E-Ef)/KT]

Si E=Ef => f(Ef)=1/2 Ef-3KT 3KT Ef+3KT

La probabilidad de estados vacos, 1 f(E) d 1-f(E), decae exponencialmente a cero para energas decrecientes

Si EEf+3KT => f(E)exp[(-E-Ef)/KT]

1-f(E) representa la probabilidad de que un estado E est vaco

La probabilidad de estados ocupados, f(E), decae exponencialmente a cero para energas crecientes

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

47

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio BC BV

gC(E)dE: n de estados permitidos de BC/cm3 con energas comprendidas entre E y E+dE f(E): probabilidad de que un estado de energa permitido E est ocupado por un electrn gC(E)f(E)dE: n de e- de la BC/cm3 con energas comprendidas entre E y E+dE Integrando para todas las energas de la BC tendremos el n total de e en dicha banda en n eequilibrio Esto es genrico para un semiconductor Intrnseco y Extrnseco. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 48

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio BC BV

Vlido para cualquier posicionamiento imaginable del nivel de Fermi (salvo para Ef distanciado menos de 3KT de EC y EV)

Densidades de estados "equivalentes" en BC y BV

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

49

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio

BC

BV

Esto es genrico para un semiconductor Intrnseco y Extrnseco.


Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 50

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Semiconductor Intrnseco

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

51

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco tipo n
Ionizacin Total Equilibrio Semiconductor No Degenerado

Ley de Accin de Masas Neutralidad de Carga

Nd 1 2 ni2 2 no = + Nd + 4ni ,po = 2 2 no

Ef est por encima de Ei y esa anchura depende del valor

Nd

La caracterstica ND/NC<1 obliga siempre a que Ef est siempre por debajo de EC


Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 52

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Semiconductor Extrnseco tipo p
Ionizacin Total Equilibrio Semiconductor No Degenerado

Ley de Accin de Masas Neutralidad de Carga

Na 1 2 ni2 po = + Na + 4ni2 ,no = 2 2 po

Ef est por debajo de Ei y esa anchura depende del valor

KT ln

Na

Na ni

La caracterstica Na/NV<1 obliga siempre a que Ef est siempre por encima de EV Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 53

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T

Pero la concentracin de portadores depende de la temperatura: si aumentamos mucho T el semiconductor tiende a ser intrnseco. Ef vara con T y tiende a Ei al aumentar esta.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

54

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T

Grfica tpica de la concentracin d t i de portadores mayoritarios en funcin de la temperatura. Suponemos Si dopado con impurezas donadoras (P)

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

55

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T

T bajas: es muy improbable la excitacin banda a banda. cuando T es ligeramente mayor a 0K se "descongela" o libera algunos e- dbilmente ligados a la impureza donadora.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

56

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T

T moderadas: predomina la accin de las impurezas donadoras. an despreciable la excitacin banda a banda. todas las impurezas ionizadas (rango extrnseco de temperaturas) intervalo de funcionamiento normal de la mayor parte de los dispositivos. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 57

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T

T altas: mecanismo dominante: ede la BV excitados a travs de la banda prohibida a la BC (predomina la rotura de enlace Si-Si). l s e- excitados b nd a los xcit d s banda banda terminan por superar de un modo abrumador al n fijo de e- procedentes de las impurezas donadoras. regin intrnseca: n0 aumenta por encima de Nd tendiendo asintticamente a ni (si T>>)

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

58

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Problemas para afianzar la materia:

Tema 2

En este tema se proponen para afianzar conceptos ejercicios como este: Calcule cul es la mxima cantidad de dopado que podra admitirse en un semiconductor de

Arsenuro de Galio para que el semiconductor no sea degenerado. Datos: Densidad efectiva de estados : NC=4.7x1017 cm-3; NV= 7x1018 cm-3.
Conjunto de problemas de [Pier94a] pginas 53-55.

Ejemplos: Con base en el modelo de enlace para un semiconductor, indicar cmo se representara (a) un tomo que falta, (b) un electrn, (c) un hueco, (d) un donador, (e) un aceptador. Con base en el modelo de bandas de energa para un semiconductor, indicar cmo se representara (a) un electrn, (b) un hueco, (c) niveles donadores, (d) niveles aceptadores, (e) la congelacin de electrones portadores mayoritarios en los niveles donadores, al disminuir la temperatura hacia 0K (f) la congelacin de huecos portadores mayoritarios en los niveles 0K, aceptadores, al disminuir la temperatura hacia 0K, (g) la distribucin de energa de los portadores en las respectivas bandas, (h) un semiconductor intrnseco, (i) un semiconductor tipo n, (j) un semiconductor tipo p, (k) un semiconductor no degenerado, (l) un semiconductor degenerado.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

59

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES Procesos de generacin y recombinacin. Vida media de portadores. Dispersin y arrastre de electrones y huecos: movilidad y conductividad. p Transporte en campos elevados: portadores calientes. Transporte por dif i T t difusin. Transporte por arrastre y difusin: relaciones de Einstein. Ecuaciones de continuidad: longitud de difusin.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

60

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES

Descripcin:
Se examinan los semiconductores en situacin de no equilibrio para establecer las propiedades macroscpicas del transporte de carga y energa en semiconductores reales. Se estud a las consecuencias de la dispersin de po tado es y de gradiente de estudian as co secue c as a d spe s portadores del g ad e te concentracin en un semiconductor. Se analizan los mecanismos de transporte de carga p p g para bajos y altos campos j p elctricos, as como los procesos de generacin y recombinacin. Se determina la ecuacin de continuidad, de sumo inters para el estudio posterior de las respuestas transitorias de los diodos PN y los transistores bipolares.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

61

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES

Objetivos:
Explicar y analizar los procesos de transporte: fenmenos de arrastre y difusin en semiconductores en situacin de no equilibrio. Explicar y analizar los procesos de generacin-recombinacin directos e indirectos. Definir las ecuaciones de continuidad.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

62

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES

Bibliografa: Bsica:
[ [Pier89a], [Pier94a]: ], [ ] Este par de libros cubre p p perfectamente la materia de este tema tal y como proponemos aqui. Aborda el estudio de los modelos que describen los semiconductores con claridad y con un nivel adecuado para la asignatura. Referencias concretas y pormenorizadas para abordar, ampliar y matizar los apuntes de este tema. El segundo libro es un texto en espaol sencillo en su lectura que los alumnos agradecen y espaol, lectura, siempre consideran como libro de estudio. [ g ] [ [Sing94], [Shur90], [Yang88]: Estos libros aportan otra visin complementaria a los apuntes ] [ g ] p p p desarrollados de la asignatura, pero son bsicos e importantes para su comprensin y estudio.

Complementaria: [Bar93], [Stre90], [Sze81]: Referencias que ofrecen la posibilidad a los alumnos de abordar aspectos nuevos, que si bien no se tratan explcitamente en la asignatura, podran resultarles tiles en otras materias de la licenciatura referidas a la rama de electrnica. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 63

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Respuesta de Portadores

Hasta ahora: se modelaron los portadores en condiciones de equilibrio. b j estas condiciones se observa una corriente nula. bajo di i b i l Nuevos conceptos significativos : slo cuando un semiconductor es perturbado ti l d i d t t b d tiene l lugar l accin d l portadores y la i de los t d pueden fluir las corrientes en el sistema semiconductor.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

64

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Respuesta de Portadores: Procesos Recombinacin-Generacin

Formalmente

se rompe un enlace covalente pasa un e- de la BV a la BC

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

65

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Respuesta de Portadores: Procesos Recombinacin-Generacin

Formalmente

e- libre se coloca en su enlace cae un e- de la BC a la BV

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

66

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Respuesta de Portadores: Procesos Recombinacin-Generacin

G=G(T)

R=R(T,n,p)

Velocidad Neta de Recombinacin

U=R G U=R-G

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

67

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

El nmero de

Recombinaciones y de Generaciones es el mismo No hay cambio neto en

la concentracin de portadores

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

68

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

69

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

70

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

de e- en enlace a e- en la BC

de e- en BC a e- en enlace

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

71

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Hace f lt la colaboracin d una H falta l l b i de impureza o defecto del cristal que produce niveles permitidos en la banda prohibida

Centros R-G: tomos especiales de impurezas (Au, Fe y Co para el Si) o defectos de la red cristalina

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

72

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Directos

Expresin Velocidad Generacin

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

73

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Directos

Expresin Velocidad Generacin p

Expresin Velocidad Neta Recombinacin

concentracin de portadores en exceso (diferencia respecto de la situacin de equilibrio)

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

74

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Directos

Expresin Velocidad Generacin p

concentracin de portadores en exceso (diferencia respecto de la situacin de equilibrio)

concentracin de portadores minoritarios en exceso

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

75

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Directos

Expresin Velocidad Generacin p

concentracin de portadores en exceso (diferencia respecto de la situacin de equilibrio)

concentracin de portadores minoritarios en exceso

Tiempo Promedio que tarda un portador minoritario en Recombinarse Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 76

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Indirectos

Implican un tercer "participante" o participante intermediario y slo se producen en ciertos lugares dentro del semiconductor, Centros R-G "trampas". "t " Desde el punto de vista fsico, los centros R-G son tomos especiales de impurezas no intencionales (tales como oro, hierro y cobre para el Si) defectos de la red cristalina. La L concentracin d centros R G en t i de t R-G materiales de alta calidad suele ser normalmente pequea en comparacin con las concentraciones de impurezas as conc ntrac on s mpur zas aceptoras o donadoras.

Recombinacin en un centro R-G debido a la falta de un tomo

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

77

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Indirectos

de energa permitidos en las proximidades de la mitad de la banda prohibida (Et--->Eg/2)

La propiedad ms importante de los centros R-G es que introducen niveles


Recombinacin en un centro R-G debido a la falta de un tomo

Energa del electrn

EC

Et

EV

Esta ubicacin de Et distingue los centros R-G de los niveles donadores y aceptadores

Recombinacin Generacin Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 78

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Procesos Recombinacin-Generacin Indirectos

El valor de la vida media es por lo general, mayor es, general que en el caso de los procesos R-G Directos Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 79

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Fenmenos de Transporte

Existen dos procesos de transporte, dos tipos de perturbacin, con una respuesta neta de portadores y cuya consecuencia es el flujo de p p y f j corriente elctrica.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

80

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Fenmenos de Transporte

un permanente movimiento aleatorio de agitacin trmica superpuesto a ese movimiento ya hay una componente no nula de la l id d d l velocidad. La fuerza resultante sobre los portadores tiende a acelerar: los h+ en la direccin y sentido del campo h elctrico aplicado los e- en la direccin pero en sentido opuesto al campo elctrico aplicado.
movimiento de arrastre de los portadores est superpuesto al permanente movimiento de agitacin trmica

Respuesta de los portadores a un campo elctrico aplicado: aunque sigue existiendo

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

81

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Fenmenos de Transporte

Proceso por el cul los portadores tienden a redistribuirse como respuesta a un gradiente de

concentracin.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

82

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Fenmenos de Arrastre Objetivo: deducir una expresin analtica para la corriente que fluye dentro del semiconductor como resultado del desplazamiento por arrastre de los portadores.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

83

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Fenmenos de Arrastre tomos de impurezas ionizadas tomos neutros de la red agitados trmicamente

Dinmica d la Di i de l partcula

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

84

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Fenmenos de Arrastre tomos de impurezas ionizadas tomos neutros de la red agitados trmicamente

Dinmica d la Di i de l partcula

Vlido cuando no es muy grande y ese valor mximo depende del material. En Si a Tamb crtico~103V/cm

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

85

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Fenmenos de Arrastre tomos de impurezas ionizadas tomos neutros de la red agitados trmicamente

Dinmica d la Di i de l partcula

Juega un papel clave al caracterizar el funcionamiento de muchos dispositivos

Es un parmetro fundamental en la caracterizacin del transporte de portadores por arrastre.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

86

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Dependencias de la Movilidad

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

87

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

88

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas

sobre una posicin media con una amplitud que 3/2 depende de la temperatura): ~T-3/2

Si la concentracin de impurezas es baja el mecanismo dominante es la dispersin por la red cristalina. A medida que T aumenta, aumentan las colisiones con los tomos de la red (ya que estos vibran

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

89

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas

Si la concentracin de impurezas es alta, en funcin del rango de temperatura domina un mecanismo u otro: - con T bajas los portadores tienen poca energa b j sl s t d s ti cintica y el mecanismo dominante es la dispersin por impurezas ionizadas. A medida q que T aumenta las colisiones con las impurezas p son menos importantes y ~T3/2. - Pero para T altas domina la dispersin por los tomos de la red y ~T-3/2.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

90

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas

Si la concentracin de impurezas es alta, en funcin del rango de temperatura domina un mecanismo u otro: - con T bajas los portadores tienen poca energa b j sl s t d s ti cintica y el mecanismo dominante es la dispersin por impurezas ionizadas. A medida q que T aumenta las colisiones con las impurezas p son menos importantes y ~T3/2. - Pero para T altas domina la dispersin por los tomos de la red y ~T-3/2.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

91

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas

Si la concentracin de impurezas es alta, en funcin del rango de temperatura domina un mecanismo u otro: - con T bajas los portadores tienen poca energa b j sl s t d s ti cintica y el mecanismo dominante es la dispersin por impurezas ionizadas. A medida q que T aumenta las colisiones con las impurezas p son menos importantes y ~T3/2. - Pero para T altas domina la dispersin por los tomos de la red y ~T-3/2.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

92

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Para una T constante: - con dopados inferiores a un valor, las movilidades permanecen constante (se

desprecia la dispersin por impurezas ionizadas).

- para dopados superiores a un valor (~1015 at/cm3) las movilidades decrecen montonamente con el aumento del dopado (no se puede despreciar la dispersin por impurezas ionizadas).

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

93

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Para una T constante: - con dopados inferiores a un valor, las movilidades permanecen constante (se

desprecia la dispersin por impurezas ionizadas).

- para dopados superiores a un valor (~1015 at/cm3) las movilidades decrecen montonamente con el aumento del dopado (no se puede despreciar la dispersin por impurezas ionizadas).

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

94

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Tenemos que siempre que el tiempo entre colisiones q p q p sea independiente del campo elctrico, la velocidad de arrastre es linealmente independiente del campo elctrico y la constante de proporcionalidad es lo que definimos como movilidad: Velocidad de Arrastre

va=

Dependencia de la velocidad d arrastre l id d de t con el campo elctrico

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

95

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Tenemos que siempre que el tiempo entre colisiones q p q p sea independiente del campo elctrico, la velocidad de arrastre es linealmente independiente del campo elctrico y la constante de proporcionalidad es lo que definimos como movilidad: Velocidad de Arrastre

va=

Dependencia de la velocidad d arrastre l id d de t con el campo elctrico

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

96

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Corrientes de Arrastre

Densidad de corriente de arrastre: carga por

unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin del movimiento de portadores
huecos que estn en el volumen diferencial tA

La conductividad se define como la constante de proporcionalidad entre el campo elctrico aplicado a un material homogneo y la corriente total de partculas que por unidad de rea fluye en el mismo mismo.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

97

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Corrientes de Arrastre

Densidad de corriente de arrastre: carga por

unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin del movimiento de portadores
huecos que estn en el volumen diferencial tA

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

98

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Corrientes de Arrastre

Densidad de corriente de arrastre: carga por

unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin del movimiento de portadores
huecos que estn en el volumen diferencial tA

Los materiales se distinguen en: aislantes: <10-5 (xcm)-1 conductores: <10-5 (xcm)-1

En un rango intermedio estn los semiconductores

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

99

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Corrientes de Arrastre

Densidad de corriente de arrastre: carga por

unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin del movimiento de portadores
huecos que estn en el volumen diferencial tA

La resistividad, a nivel cualitativo, es una medida de la resistencia inherente del material a la circulacin del flujo de corriente. Es una resistencia "normalizada" que no depende de las dimensiones fsicas del material normalizada material.

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

100

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


La existencia de un campo elctrico hace que las p q bandas de energa dependan de la posicin:

Ec Ev E

Ec(x) Ev(x) E ( )

Curvatura de Bandas

Curvatura de Bandas en Semiconductores

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

101

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


La existencia de un campo elctrico hace que las p q bandas de energa dependan de la posicin:

Ec Ev E

Ec(x) Ev(x) E ( )

Curvatura de Bandas

Curvatura de Bandas en Semiconductores Vamos V m s a estudiar la relacin entre el Campo y Curvatura: st di l l in nt l C mp C t Con E>Eg se crean portadores mviles dentro del semiconductor. g E-Ec: energa cintica de los e Ev-E: energa cintica de los h+ Ec-Eref: energa potencial del ePara un potencial electrosttico: -qV=Ec-Eref P t i l l t tti V E E

(si no hay campo magntico, gradientes de temperaturas, etc...)


dV dx Vemos que el campo est relacionado con la pendiente de Ec,Ev y Ei:
Como

1 dEC 1 dEV 1 dEi = = q dx q dx q dx

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

102

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


El movimiento de portadores de carga debido a la p g difusin de lugar a corrientes elctricas: Corrientes de Difusin: p(x) n(x)

jpdif = qDpp jndif = qDnn


Dp y Dn son las constantes de difusin (cm2/s)

jp h+

jn e-

Relaciones de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin y la movilidad

Dp p

KT = q

Dn KT = q n

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

103

x x

x x

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Relaciones de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin y la movilidad Nd Dp Supongamos KT Ec = equilibrio y Ef p q semiconductor tipo n no Ei Dn KT uniformemente = Ev dopado q
n
x

Deduccin de la relacin de Einstein: Ley fundamental: en condiciones de equilibrio el nivel de Fermi dentro de un material

es invariante con la posicin, dEf/dx=0, es decir, Ef se encuentra al mismo nivel energtico para todo x En un semiconductor extrnseco tipo n uniformemente dopado, si Nd aumenta Ef-N -->Ec: E Ef Ec KT ln C
Nd

Se produce una curvatura de bandas como consecuencia natural de las variaciones espaciales en el dopado y en "condiciones de equilibrio se establece un campo elctrico no nulo en el condiciones equilibrio,

interior de un semiconductor no uniformemente dopado".


narratre t dif i ndifusion n n

Pero en equilibrio las corrientes totales de portadores dentro del semiconductor deben ser dn cero: Dn KT j + j = q n + qD = 0
dx
resolviendo... l i d

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

104

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


RESUMIENDO: Ecuacin general de TRANSPORTE Ecuacin de Continuidad Podemos predecir la corriente total que fluye en el dispositivo semiconductor si conocemos las concentraciones de los portadores.

jp = jpdif + jparr = qDp p + q p p jn = jndif + jnarr = qDn n + q n n

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

105

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


RESUMIENDO: Ecuacin general de TRANSPORTE Ecuacin de Continuidad Podemos predecir la corriente total que fluye en el dispositivo semiconductor si conocemos las concentraciones de los portadores.

jp = jpdif + jparr = qDp p + q p p jn = jndif + jnarr = qDn n + q n n

Prximo OBJETIVO: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores

Otros (iluminacin)

todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo: tiempo Fenmenos de transporte: arrastre y difusin. Generacin/recombinacin de pares e-h+

Dinmica de los portadores efecto combinado de

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

106

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Prximo OBJETIVO: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores

Otros (iluminacin)

todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo: F Fenmenos de t d transporte: arrastre y dif i . t t difusin Generacin/recombinacin de pares e-h+

Dinmica de los portadores efecto combinado de

Concentracin de huecos Dentro del volumen i fi i D d l l infinitesimal (A ) i l (Ax): Jp(x) Jp(x+x) (transporte). se dan procesos G-R en el tiempo. se crean portadores por iluminacin (GL).

Variacin de los h+ en el volumen infinitesimal:

Ip ( x ) Ip ( x + x ) p p p( x, t ) + [ volumen ] = [ volumen ] + [ volumen ] t R G t otros t q q


p( x, t ) p p A Jp ( x ) Jp ( x + x ) = [ ]+ + t A x q t R G q t otros

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

107

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Si hacemos X >dx el desarrollo en serie de Taylor y truncamos en el primer trmino: X-->dx, Jp ( x ) Jp ( x + x ) = Jp ( x ) + x Ecuaciones de CONTINUIDAD para huecos:

p 1 jp = + GL U dt d qd dx
Ecuaciones de CONTINUIDAD para electrones:

n 1 jn = + GL U dt q dx

Donde D nd

jp = qDp p + q p p jn = qDn n + q n n
U=Velocidad Neta de Generacin-Recombinacin trmica GL=Velocidad de Generacin Recombinacin por iluminacin Generacin-Recombinacin Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 108

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Resolver las Ecuaciones de Continuidad de manera general puede ser complejo complejo. Se estudian casos ms sencillos que simplifican el problema: 1) Bajo Nivel de Inyeccin:

Utipon = Utipop =

p p n n

2) Estado estacionario:

p n = = 0 jn + jp = cte dt dt
3) Campo Externo nulo o constante:

jparr p dx

4) Sin iluminacin: GL=0

jnarra = 0 dx

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

109

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Resolver las Ecuaciones de Continuidad de manera general puede ser complejo complejo. Se estudian casos ms sencillos que simplifican el problema: 1) Bajo Nivel de Inyeccin:

Utipon = Utipop

p p

2) Estado estacionario:

n = n

p n = = 0 jn + jp = cte dt dt
3) Campo Externo nulo o constante:

Ecuaciones asociadas al anlisis de dispositivos: Ecuaciones de Continuidad Densidades de Corriente Ecuacin de Poissn:

jparr p dx

+ = q[p n + Nd Na ] =

4) Sin iluminacin: GL=0

jnarra = 0 dx

=densidad de carga carga/cm3 carga, =constante dielctrica del semiconductor

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

110

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Problema 1: Resolver las Ecuaciones de Continuidad de una seccin de semiconductor tipo n Continuidad,

bajo las hiptesis siguientes:

1) Restringimos el anlisis a los portadores minoritarios 2) Bajo Nivel de Inyeccin 3) Estado estacionario 4) Campo Externo nulo o constante 5) Las concentraciones de equilibrio son constantes e independientes de la posicin 6) Sin iluminacin: GL=0
pn pn Dp = 2 dx p

pn = C1e

( x xn ) / Lp

+ C2 e

( x xn ) / Lp

Se introduce el concepto de Longitud de Difusin:

Lp =

Dp p

Distancia media a la que un hueco portador minoritario se puede difundir antes de recombinarse con un electrn portador mayoritario

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

111

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas


Problema 2: A una barra de semiconductor de rea A y longitud L dopada uniformemente con L, Nd impurezas donantes se le aplica un potencial V en sus extremos tal como se indica en la figura: a) Obtener la relacin I-V en estado estacionario, indicando las aproximaciones efectuadas. b) Se ilumina uniformemente la barra con un haz que genera Go pares /cm3xsg. Cmo sera la nueva relacin I-V?. (Suponer estado estacionario, bajo nivel de inyeccin y despreciar los efectos superficiales). c) Explicar los cambios en los apartados anteriores si el material fuera dopado con la misma cantidad de impurezas pero aceptoras

Nd

Resolviendo las ecuaciones de continuidad: sat

I R V

I = RV

R =

L ni2 ) qA( nNd + p Na


112

Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos