Tema 1

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas
Tema 1: T 1 Revisin de Fundamentos y Dispositivos Semiconductores. 1.1 Fsica de Semiconductores 1.2 Estructura, anlisis y caractersticas de dispositivos Diodo de unin pn. Transistor Bipolar de Unin Unin. Transistor MOSFET
Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos
Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Tipos de materiales: M d l de Enlace. Ti d t i l Modelo d E l Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa. Portadores: concepto de hueco. Semiconductores intrnsecos. Concentracin de portadores en equilibrio. equilibrio Ley de accin de masas masas. Necesidad del dopado. Tipos de impurezas. Portadores en semiconductores uniformemente dopados. Ecuacin de neutralidad de carga. Concentracin de portadores en equilibrio y nivel de Fermi.

Bloque 1 FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Bl 1:
Descripcin:
Se estudia la fsica de los electrones en slidos, los tipos de materiales y los conceptos de masa efectiva y de hueco. Se describe brevemente los dos modelos que nos sirven para "visualizar" las caractersticas de los materiales: el llamado modelo de enlace y el llamado modelo de bandas de energa. Examinaremos las definiciones, los conceptos, la terminologa asociada y en definitiva todas las caractersticas fundamentales de ambos modelos y, definitiva, modelos. Se aborda el estudio de las propiedades de los semiconductores intrnsecos y extrnsecos en condiciones de "equilibrio". Se justifica la necesidad del dopado para la exploracin de los semiconductores. Se desarrollan los conceptos de densidad de estados ley de accin de masas y ecuacin estados, de neutralidad de carga. Se resuelve el problema de la determinacin del nivel de Fermi y de las concentraciones de portadores y su dependencia con la temperatura. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 3
Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Objetivos: Conocer el modelo de enlace en slidos slidos. Conocer el modelo de bandas de energa en slidos. Conocer los conceptos de masa efectiva, electrn (libre y ligado) y hueco. Conocer el concepto de semiconductor intrnseco en equilibrio. Conocer el concepto d d C l t de dopado y semiconductor extrnseco en d i d t t equilibrio.

Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES Bibliografa: Bsica: [Pier89a], [Pier94a]: Este par de libros cubre perfectamente la materia de este tema tal y como proponemos aqui. Aborda el estudio de los modelos que describen los semiconductores con claridad y con un nivel adecuado para la asignatura. Referencias concretas y pormenorizadas para abordar, ampliar y matizar los apuntes de este tema. El segundo libro es un texto en espaol, sencillo en su lectura, que los alumnos agradecen y siempre consideran como libro de estudio estudio. [Sing94], [Shur90], [Yang88]: Estos libros aportan otra visin complementaria a los apuntes desarrollados de la asignatura, pero son bsicos e importantes para su comprensin y estudio.
Complementaria: [Bar93], [Stre90], [Sze81]: Referencias que ofrecen la posibilidad a los alumnos de abordar aspectos nuevos, que si bien no se tratan explcitamente en la asignatura, podran resultarles tiles en otras materias de la licenciatura referidas a la rama de electrnica. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 5
Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace

Dos D modelos para visualizar l caractersticas de los materiales: d l i li las t ti d l t i l modelo de enlace. modelo de bandas de energa. Se emplean p p para explicar los mismos fenmenos pero desde dos perspectivas distintas: p p p p el modelo de enlace nos permite describir los aspectos espaciales de los sucesos que acontecen dentro del material. es ms intuitivo recurrir al modelo de bandas de energa si nos interesan las aspectos energticos de un determinado suceso. suceso Vamos a estudiar las definiciones, los conceptos, la terminologa asociada, y, en definitiva, todas las caractersticas fundamentales de ambos modelos. -Los dispositivos electrnicos de hoy en da usan materiales semiconductores. - Enfocaremos nuestra atencin en describir sus propiedades. -Existen varios tipos d materiales semiconductores: E i i i de i l i d elementales (columna IV de la Tabla Peridica): Si y Ge compuestos: (III-V:AsGa); (II-VI: AsIn); Aleaciones: AlxGa1-xAs -La disposicin de los tomos en los materiales influye en sus La propiedades. Nos centraremos en el estudio del Silicio (Si) que cristaliza en una estructura de diamante (cada tomo de Si est rodeado de otros cuatro tomos a la misma distancia espacial). 6
Celda Unitaria en la estructura de diamante.
Valores Discretos
Energas de enlace del electrn: h: constante de Planck o: permitividad del vaco. q: carga del electrn. mo: carga del electrn libre. n: nmero cuntico de energa (identificador de la rbita)
Modelo de Borh M d l d B h para el tomo de hidrgeno: la energa del g electrn est cuantizada.
El electrn en el tomo de H est confinado a cierta rbitas bien definidas tomo de Rutherford (tomo de H). Representacin idealizada: ncleo de carga positiva y H) una partcula negativa de carga mucho menor, el electrn, en rbita alrededor del ncleo. Se aprecian las tres primeras rbitas permitidas cada una con una energa de cuantizacin asociada.

Caractersticas energticas de un tomo de Si aislado
Nmero Atmico: 14
Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 8

(ocupan niveles energticos muy profundos)
permanecen sin perturbacin durante las reacciones qumicas en las interacciones normales entre t i t i l t tomos
"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l
Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 9

(energas superiores a las del "corazn del tomo") e- de valencia ocupan cuatro de los ocho estados permitidos en el nmero cuntico n=3
Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si
Fuerte F t participacin en las reacciones qumicas y en las interacciones normales entre tomos
Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de energa). energa) Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 10

(energas superiores a las del "corazn del tomo") e- de valencia ocupan cuatro de los ocho estados permitidos en el nmero cuntico n=3
Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si
Fuerte F t participacin en las reacciones qumicas y en las interacciones normales entre tomos
Extrapolando el modelo de Bohr a tomos multielectrnicos, la energa de los electrones en los sistemas atmicos est limitada a un conjunto de valores restringidos (niveles "discretos" de g ) energa).
Esto es lo que ocurrira con un tomo de Si que no interacta con otros tomos
Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 11
Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Modelo de Enlace (enlace covalente) ( l l t )

Segn el modelo de enlace aplicado al Si, cada tomo de Si comparte con cada uno de sus p cuatro tomos vecinos un electrn de valencia, formndose enlaces covalentes.
Representacin bidimensional de estructuras cristalina: modelo de enlace enlace.
Los tomos de Si incorporados a la estructura cristalina de diamante presentan un enlace que implica una atraccin entre cada tomo y sus cuatro vecinos ms prximos.
Nos centraremos, por ahora, en semiconductores prcticamente puros ti t (nmero insignificante de impurezas: 1 tomo por cada 1010/ 3 en Si) d /cm
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Modelo de Enlace: PORTADORES PORTADORES: entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material dando lugar a corrientes elctricas.
En la vida diaria el tipo de portador que se encuentra ms comnmente es el electrn (la diaria, partcula subatmica responsable del transporte de carga en cables metlicos). Dentro del semiconductor, se vuelve a encontrar el mencionado electrn, pero hay tambin un segundo tipo de portador igualmente importante: el hueco.
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Visualizacin segn el modelo de enlace
a) Cristal perfecto a T=0K b) Cristal imperfecto a T>0K


a) Cristal perfecto a T=0K

Idealmente, a T=0K el semiconductor sera aislante: todos los e estaran eformando enlaces Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 15

El hecho de liberarse un e- deja un "hueco" (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina. Dentro del semiconductor encontramos el e- libre, pero tambin un segundo tipo de portador: el hueco (h+). los e y los h+ se pueden considerar como epartculas clsicas, en trminos conceptuales y matemticos, siempre que en las relaciones matemticas se sustituya y la masa de la partcula por la masa efectiva del portador. Si intrnseco: 5x1022 t/cm3 a) Cristal perfecto a T=0K 5x1022 e- de valencia/cm3 densidad de e- libres (Tamb)= 1010 ( ) t/cm3
Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 16

Sin embargo, en un semiconductor puro cada tomo puede contribuir con muy pocos e-, pocos enlaces se l rompen. No es fcil forzar el paso de corriente. La descripcin del movimiento del e etiene cierto carcter local.
Si intrnseco: 5x1022 t/cm3 a) Cristal perfecto a T=0K 5x1022 e- de valencia/cm3 densidad de e- libres (Tamb)= 1010 ( ) t/cm3
Si aumentamos la temperatura, algn enlace b) Cristal imperfecto a T>0K covalente se puede romper y quedar libre un electrn para moverse por la estructura cristalina Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 17

Modelo de Enlace: movimiento de portadores
Tema 2
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Tema 2
La ruptura de un enlace Si-Si adems de , liberar un e-, tambin crea un "vaco" en la estructura de enlaces.
Enlace roto: nunca son totalmente libres

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Tema 2
Se puede imaginar el desplazamiento de este "vaco" de g q un lugar a otro dentro de la red, como el resultado de que los electrones vecinos salten ocupando dicho vaco.

Tema 2
Se libera un e-. El h+ a su vez acta atrayendo a otros e- (de otros enlaces vecinos)=> p p Se produce un movimiento de partculas positivas ficticias (h+)
-La conduccin a T ordinaria puede t L d i di i d tener lugar a travs de dos modos cunticos distintos, describibles por medio de dos partculas clsicas: e d carga -q y masa eficaz me de fi h de carga +q y masa eficaz mh
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Semiconductor Intrnseco
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Semiconductor Intrnseco
DATOS:
n iT amb
Si
= 1010 / cm3
AsGa n = 2 106 / cm3 iT amb
Ge n = 2 1013 / cm3 iT amb
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Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) No se crean pares e-h!!
Se alteran las propiedades de los semiconductores puros y se controla la corriente elctrica
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Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas:
Para aumentar la concentracin de e- libres se le aaden al cristal de Silicio tomos de Fsforo, Arsnico Antimonio...
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Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas: Comportamiento del tomo Donador:
Cuatro de los cinco e- de valencia del P encajan perfectamente en la estructura de l d enlaces. El quinto e- de valencia del P no encaja y queda dbilmente ligado al tomo donador A temperatura ambiente este e- se libera con facilidad y puede entonces moverse dentro de la red (constituye un portador) El tomo donador queda cargado positivamente. positivamente No hay ruptura de enlaces entre tomos como resultado de la liberacin del 5 electrn: no aumenta la 5 concentracin de huecos.

Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas:
Para aumentar la concentracin de h+ se le aaden al cristal de Silicio tomos de Boro, Galio, Indio Aluminio...
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Semiconductor Extrnseco Dopado: Control de la concentracin de portadores. Dopar: Aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e- libres h+ (Proceso muy comn en la fabricacin de dispositivos semiconductores) Dos tipos de impurezas: Comportamiento del tomo Aceptor: Elemento de la columna III de la Tabla Peridica, es decir, tres e- de valencia. No puede completar una de las uniones del semiconductor cuando sustituye al tomo de Si en la red cristalina cristalina. El tomo aceptor, "acepta" fcilmente un electrn de un enlace Si-Si cercano, completando su p p estructura de enlaces y p propia crendose un hueco que puede moverse por la red. El tomo aceptor queda cargado negativamente (acepta un electrn) pero no puede moverse. De nuevo, se produce un incremento de un p portador: no se liberan e- en el slo tipo de p proceso de creacin de huecos. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 28

Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa
Tema 2
tomos H alejados (sin interactuar entre s) tienen estados energticos idnticos
N estados permitidos en la banda de conduccin N estados permitidos en la banda de valencia
dos estados energticos permitidos
un e- de valencia
Si hay N e- de valencia interactuando, los niveles ---> BANDAS Si puro N=4x5x1022 e-/cm3 Modelo de bandas de energa: desdoble de niveles en el tomo de Hidrgeno. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 29
Tema 2
Si se colocan N tomos de en estrecha vecindad (Si cristalino), habr una modificacin en los estados energticos de los e- de valencia: l mitad exacta d estados permitidos la it d t de t d itid disminuye su energa la mitad exacta de estados permitidos aumenta su energa energ a ms an, la perturbacin produce una dispersin de las energas permitidas, formndose dos intervalos "bandas" de estados d energa permitidos, separados t d de itid d por un salto intermedio de energa (Eg), llamado "banda prohibida"
Desdoble de niveles en Bandas de Energa
En nerga del ele ectrn En nerga del ele ectrn E Energa del electrn e N tomos de Si aislados p s
6N estados p en total 2N estados s en t t l t d total (4N e- de valencia en total)
Versin simplificada:
4N estados permitidos 4N estados permitidos itid Casi vaco Eg Casi lleno EV Einferior Esuperior EC
N tomos de Si cristalino
Banda Conduccin
n=3
Banda Valencia
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Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa Estudio de aspectos energticos
Existe una relacin muy estrecha entre la anchura de la banda prohibida de un material, la cantidad de portadores disponibles y la naturaleza general del mismo. La mayor diferencia entre los materiales no radica en la naturaleza de las bandas de energa energa, sino en la anchura de la banda prohibida Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 31

Tipos de materiales: Modelo de Bandas de Energa Estudio de aspectos energticos
METALES: Banda prohibida muy estrecha o solapamiento entre BC y BV. Siempre hay gran cantidad de portadores: excelentes conductores de corriente.
SEMICONDUCTOR: Banda prohibida intermedia. A temperatura ambiente existen una moderada cantidad de portadores. Tienen una capacidad de transporte de corriente intermedia entre mala (aislante) y excelente (metal).
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Portadores en el Modelo de Bandas de Energa Para un semiconductor intrnseco:
portador
A T=0K: BANDA DE VALENCIA totalmente ocupada BANDA DE CONDUCCIN totalmente vaca
A T>0K: e- BANDA DE VALENCIA a BANDA DE CONDUCCIN e- f formado enlace a e- portador d l t d 33

Impurezas en el Modelo de Bandas de Energa
Semiconductor E S i d Extrnseco ( (comportamiento d d i de donadores y aceptores con el modelo d b d ) d l d l de bandas):
Tema 2
(Boro, III) )
(Fsforo, ) V)
Aceptores: aaden niveles electrnicos permitidos (Ea) dentro de la Banda Prohibida cerca de la Banda de Valencia
Donadores: aaden niveles electrnicos permitidos (Ed) dentro de la Banda Prohibida cerca de la Banda de Conduccin 34

Semiconductor E S i d Extrnseco ( (comportamiento d d i de donadores y aceptores con el modelo d b d ) d l d l de bandas):
Tema 2
(Boro, III)
(Fsforo, V)
ESTADO FUNDAMENTAL
A T=0K: BV llena BC vaca Ea vaco impurezas aceptoras A T=0K: BV llena BC vaca Ed llena impurezas donadoras 35

Basta B t con Tambiente para que se d el salto de e- de la BV al estado aceptor, Ea, sin dejar een la BC: Se crean h+ sin dejar e- libres Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 36

e e- de la BV efecta una transicin a un emplazamiento de aceptador. A temperatura ambiente todos los emplazamientos de aceptadores estn ocupados con e- y se produce en el material un aumento importante de la concentracin de h+. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 37

Basta B t con Tambiente para que se d el salto de e- del estado donador Ed, a la BC sin dejar h h+ en la BV: Se crean e- libres sin crearse h+ Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 38

ee de un emplazamiento de donador efecta una transicin a la BC. A temperatura ambiente todos los emplazamientos de donadores estn vacos y se produce en el material un aumento importante de la concentracin de e-. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 39

Tema 2
EJEMPLO: Germanio (Eg=0.68 eV)
T 2 Ley Emprica: L E i E g (T ) = E g (0) T +
dnde d d y son constantes dependientes del material. t t d di t d l t i l 40

Terminologa de los portadores: Concentraciones de Equilibrio
nmero de portadores por unidad de volumen (/cm3)
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Terminologa de los portadores: Concentraciones de Equilibrio Caracteriza al material intrnseco
ni=ni(T)
Supone un lmite p en la densidad de portadores en el semiconductor extrnseco
Se cumple en un semiconductor uniformemente dopado (el nmero de impurezas es el mismo en cualquier punto del material) y en condiciones de equilibrio.
Carga neta nula en cualquier punto 42

Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Hasta ahora nos hemos centrado en las propiedades de los portadores y en informacin cualitativa. Pero nos interesa el valor exacto de la concentracin de portadores dentro de los semiconductores dopados (informacin cuantitativa) Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV
Vimos que el nmero total de estados permitidos en cada banda era 4N siendo N el nmero d t i d l de tomos d l cristal del i t l
Pero no sabemos como se distribuyen en cuanto energa: cuntos estados h para una energa d d t d hay dada... Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 43

Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV
Un anlisis basado en
(en condiciones de equilibrio)
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Concentraciones de Equilibrio: Densidad de Estados de Energa Nos preguntamos cul es la densidad de estados de energa permitidos en la BC y en la BV
Un anlisis basado en
gC(EC)=0
gC(E) aumenta como la raz cuadrada de la energa para valores crecientes de la misma
gC(E) y gV(E): densidades de estados para una energa dada E en la BC y la BV.
(en son distintos debido a gC(E) y gV(E): condiciones de equilibrio) (en condiciones de equilibrio) la diferencia de las masas efectivas de los dos tipos de portadores
gV(EV)=0
gV(E) aumenta como la raz cuadrada de la energa para valores decrecientes de la misma
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Concentraciones de Equilibrio: Estadstica de Portadores
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Concentraciones de Equilibrio: Estadstica de Portadores
Si EEf-3KT => f(E)1- exp[(E-Ef)/KT]
Si E=Ef => f(Ef)=1/2 Ef-3KT 3KT Ef+3KT
La probabilidad de estados vacos, 1 f(E) d 1-f(E), decae exponencialmente a cero para energas decrecientes
Si EEf+3KT => f(E)exp[(-E-Ef)/KT]
1-f(E) representa la probabilidad de que un estado E est vaco
La probabilidad de estados ocupados, f(E), decae exponencialmente a cero para energas crecientes
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Concentraciones de Equilibrio BC BV
gC(E)dE: n de estados permitidos de BC/cm3 con energas comprendidas entre E y E+dE f(E): probabilidad de que un estado de energa permitido E est ocupado por un electrn gC(E)f(E)dE: n de e- de la BC/cm3 con energas comprendidas entre E y E+dE Integrando para todas las energas de la BC tendremos el n total de e en dicha banda en n eequilibrio Esto es genrico para un semiconductor Intrnseco y Extrnseco. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 48

Concentraciones de Equilibrio BC BV
Vlido para cualquier posicionamiento imaginable del nivel de Fermi (salvo para Ef distanciado menos de 3KT de EC y EV)
Densidades de estados "equivalentes" en BC y BV
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Concentraciones de Equilibrio
BC
BV
Esto es genrico para un semiconductor Intrnseco y Extrnseco.


Concentraciones de Equilibrio: Semiconductor Intrnseco
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Semiconductor Extrnseco tipo n
Ionizacin Total Equilibrio Semiconductor No Degenerado
Ley de Accin de Masas Neutralidad de Carga
Nd 1 2 ni2 2 no = + Nd + 4ni ,po = 2 2 no
Ef est por encima de Ei y esa anchura depende del valor
Nd
La caracterstica ND/NC<1 obliga siempre a que Ef est siempre por debajo de EC


Semiconductor Extrnseco tipo p
Ionizacin Total Equilibrio Semiconductor No Degenerado
Ley de Accin de Masas Neutralidad de Carga
Na 1 2 ni2 po = + Na + 4ni2 ,no = 2 2 po
Ef est por debajo de Ei y esa anchura depende del valor
KT ln
Na
Na ni
La caracterstica Na/NV<1 obliga siempre a que Ef est siempre por encima de EV Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 53

Concentraciones de Equilibrio: Dependencia con T
Pero la concentracin de portadores depende de la temperatura: si aumentamos mucho T el semiconductor tiende a ser intrnseco. Ef vara con T y tiende a Ei al aumentar esta.
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Grfica tpica de la concentracin d t i de portadores mayoritarios en funcin de la temperatura. Suponemos Si dopado con impurezas donadoras (P)
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T bajas: es muy improbable la excitacin banda a banda. cuando T es ligeramente mayor a 0K se "descongela" o libera algunos e- dbilmente ligados a la impureza donadora.
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T moderadas: predomina la accin de las impurezas donadoras. an despreciable la excitacin banda a banda. todas las impurezas ionizadas (rango extrnseco de temperaturas) intervalo de funcionamiento normal de la mayor parte de los dispositivos. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 57

T altas: mecanismo dominante: ede la BV excitados a travs de la banda prohibida a la BC (predomina la rotura de enlace Si-Si). l s e- excitados b nd a los xcit d s banda banda terminan por superar de un modo abrumador al n fijo de e- procedentes de las impurezas donadoras. regin intrnseca: n0 aumenta por encima de Nd tendiendo asintticamente a ni (si T>>)
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Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Problemas para afianzar la materia:
Tema 2
En este tema se proponen para afianzar conceptos ejercicios como este: Calcule cul es la mxima cantidad de dopado que podra admitirse en un semiconductor de
Arsenuro de Galio para que el semiconductor no sea degenerado. Datos: Densidad efectiva de estados : NC=4.7x1017 cm-3; NV= 7x1018 cm-3.
Conjunto de problemas de [Pier94a] pginas 53-55.
Ejemplos: Con base en el modelo de enlace para un semiconductor, indicar cmo se representara (a) un tomo que falta, (b) un electrn, (c) un hueco, (d) un donador, (e) un aceptador. Con base en el modelo de bandas de energa para un semiconductor, indicar cmo se representara (a) un electrn, (b) un hueco, (c) niveles donadores, (d) niveles aceptadores, (e) la congelacin de electrones portadores mayoritarios en los niveles donadores, al disminuir la temperatura hacia 0K (f) la congelacin de huecos portadores mayoritarios en los niveles 0K, aceptadores, al disminuir la temperatura hacia 0K, (g) la distribucin de energa de los portadores en las respectivas bandas, (h) un semiconductor intrnseco, (i) un semiconductor tipo n, (j) un semiconductor tipo p, (k) un semiconductor no degenerado, (l) un semiconductor degenerado.
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Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES Procesos de generacin y recombinacin. Vida media de portadores. Dispersin y arrastre de electrones y huecos: movilidad y conductividad. p Transporte en campos elevados: portadores calientes. Transporte por dif i T t difusin. Transporte por arrastre y difusin: relaciones de Einstein. Ecuaciones de continuidad: longitud de difusin.
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Bloque 2: TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
Descripcin:
Se examinan los semiconductores en situacin de no equilibrio para establecer las propiedades macroscpicas del transporte de carga y energa en semiconductores reales. Se estud a las consecuencias de la dispersin de po tado es y de gradiente de estudian as co secue c as a d spe s portadores del g ad e te concentracin en un semiconductor. Se analizan los mecanismos de transporte de carga p p g para bajos y altos campos j p elctricos, as como los procesos de generacin y recombinacin. Se determina la ecuacin de continuidad, de sumo inters para el estudio posterior de las respuestas transitorias de los diodos PN y los transistores bipolares.
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Objetivos:
Explicar y analizar los procesos de transporte: fenmenos de arrastre y difusin en semiconductores en situacin de no equilibrio. Explicar y analizar los procesos de generacin-recombinacin directos e indirectos. Definir las ecuaciones de continuidad.
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Bibliografa: Bsica:
[ [Pier89a], [Pier94a]: ], [ ] Este par de libros cubre p p perfectamente la materia de este tema tal y como proponemos aqui. Aborda el estudio de los modelos que describen los semiconductores con claridad y con un nivel adecuado para la asignatura. Referencias concretas y pormenorizadas para abordar, ampliar y matizar los apuntes de este tema. El segundo libro es un texto en espaol sencillo en su lectura que los alumnos agradecen y espaol, lectura, siempre consideran como libro de estudio. [ g ] [ [Sing94], [Shur90], [Yang88]: Estos libros aportan otra visin complementaria a los apuntes ] [ g ] p p p desarrollados de la asignatura, pero son bsicos e importantes para su comprensin y estudio.
Complementaria: [Bar93], [Stre90], [Sze81]: Referencias que ofrecen la posibilidad a los alumnos de abordar aspectos nuevos, que si bien no se tratan explcitamente en la asignatura, podran resultarles tiles en otras materias de la licenciatura referidas a la rama de electrnica. Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 63

Respuesta de Portadores
Hasta ahora: se modelaron los portadores en condiciones de equilibrio. b j estas condiciones se observa una corriente nula. bajo di i b i l Nuevos conceptos significativos : slo cuando un semiconductor es perturbado ti l d i d t t b d tiene l lugar l accin d l portadores y la i de los t d pueden fluir las corrientes en el sistema semiconductor.
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Respuesta de Portadores: Procesos Recombinacin-Generacin
Formalmente
se rompe un enlace covalente pasa un e- de la BV a la BC
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Formalmente
e- libre se coloca en su enlace cae un e- de la BC a la BV
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G=G(T)
R=R(T,n,p)
Velocidad Neta de Recombinacin
U=R G U=R-G
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El nmero de
Recombinaciones y de Generaciones es el mismo No hay cambio neto en
la concentracin de portadores
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de e- en enlace a e- en la BC
de e- en BC a e- en enlace
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Hace f lt la colaboracin d una H falta l l b i de impureza o defecto del cristal que produce niveles permitidos en la banda prohibida
Centros R-G: tomos especiales de impurezas (Au, Fe y Co para el Si) o defectos de la red cristalina
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Procesos Recombinacin-Generacin Directos
Expresin Velocidad Generacin
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Expresin Velocidad Generacin p
Expresin Velocidad Neta Recombinacin
concentracin de portadores en exceso (diferencia respecto de la situacin de equilibrio)
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concentracin de portadores minoritarios en exceso
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concentracin de portadores minoritarios en exceso
Tiempo Promedio que tarda un portador minoritario en Recombinarse Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 76

Procesos Recombinacin-Generacin Indirectos
Implican un tercer "participante" o participante intermediario y slo se producen en ciertos lugares dentro del semiconductor, Centros R-G "trampas". "t " Desde el punto de vista fsico, los centros R-G son tomos especiales de impurezas no intencionales (tales como oro, hierro y cobre para el Si) defectos de la red cristalina. La L concentracin d centros R G en t i de t R-G materiales de alta calidad suele ser normalmente pequea en comparacin con las concentraciones de impurezas as conc ntrac on s mpur zas aceptoras o donadoras.
Recombinacin en un centro R-G debido a la falta de un tomo
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de energa permitidos en las proximidades de la mitad de la banda prohibida (Et--->Eg/2)
La propiedad ms importante de los centros R-G es que introducen niveles

Recombinacin en un centro R-G debido a la falta de un tomo
Energa del electrn
EC
Et
EV
Esta ubicacin de Et distingue los centros R-G de los niveles donadores y aceptadores
Recombinacin Generacin Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 78

El valor de la vida media es por lo general, mayor es, general que en el caso de los procesos R-G Directos Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 79
Fenmenos de Transporte
Existen dos procesos de transporte, dos tipos de perturbacin, con una respuesta neta de portadores y cuya consecuencia es el flujo de p p y f j corriente elctrica.
80
un permanente movimiento aleatorio de agitacin trmica superpuesto a ese movimiento ya hay una componente no nula de la l id d d l velocidad. La fuerza resultante sobre los portadores tiende a acelerar: los h+ en la direccin y sentido del campo h elctrico aplicado los e- en la direccin pero en sentido opuesto al campo elctrico aplicado.
movimiento de arrastre de los portadores est superpuesto al permanente movimiento de agitacin trmica
Respuesta de los portadores a un campo elctrico aplicado: aunque sigue existiendo
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Proceso por el cul los portadores tienden a redistribuirse como respuesta a un gradiente de
concentracin.
82

Fenmenos de Arrastre Objetivo: deducir una expresin analtica para la corriente que fluye dentro del semiconductor como resultado del desplazamiento por arrastre de los portadores.
83

Fenmenos de Arrastre tomos de impurezas ionizadas tomos neutros de la red agitados trmicamente
Dinmica d la Di i de l partcula
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Vlido cuando no es muy grande y ese valor mximo depende del material. En Si a Tamb crtico~103V/cm
85

Juega un papel clave al caracterizar el funcionamiento de muchos dispositivos
Es un parmetro fundamental en la caracterizacin del transporte de portadores por arrastre.
86

Dependencias de la Movilidad
87
La movilidad vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor. Los mecanismos que dominan la dispersin son: - dispersin por la red cristalina, en la que participan colisiones con los tomos de la red agitados trmicamente trmicamente. - dispersin por impurezas ionizadas.
Aumento de la concentracin c ncentracin de impurezas
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sobre una posicin media con una amplitud que 3/2 depende de la temperatura): ~T-3/2
Si la concentracin de impurezas es baja el mecanismo dominante es la dispersin por la red cristalina. A medida que T aumenta, aumentan las colisiones con los tomos de la red (ya que estos vibran
89
Si la concentracin de impurezas es alta, en funcin del rango de temperatura domina un mecanismo u otro: - con T bajas los portadores tienen poca energa b j sl s t d s ti cintica y el mecanismo dominante es la dispersin por impurezas ionizadas. A medida q que T aumenta las colisiones con las impurezas p son menos importantes y ~T3/2. - Pero para T altas domina la dispersin por los tomos de la red y ~T-3/2.
90
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Para una T constante: - con dopados inferiores a un valor, las movilidades permanecen constante (se
desprecia la dispersin por impurezas ionizadas).
- para dopados superiores a un valor (~1015 at/cm3) las movilidades decrecen montonamente con el aumento del dopado (no se puede despreciar la dispersin por impurezas ionizadas).
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Para una T constante: - con dopados inferiores a un valor, las movilidades permanecen constante (se
desprecia la dispersin por impurezas ionizadas).
- para dopados superiores a un valor (~1015 at/cm3) las movilidades decrecen montonamente con el aumento del dopado (no se puede despreciar la dispersin por impurezas ionizadas).
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Tenemos que siempre que el tiempo entre colisiones q p q p sea independiente del campo elctrico, la velocidad de arrastre es linealmente independiente del campo elctrico y la constante de proporcionalidad es lo que definimos como movilidad: Velocidad de Arrastre
va=
Dependencia de la velocidad d arrastre l id d de t con el campo elctrico
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Tenemos que siempre que el tiempo entre colisiones q p q p sea independiente del campo elctrico, la velocidad de arrastre es linealmente independiente del campo elctrico y la constante de proporcionalidad es lo que definimos como movilidad: Velocidad de Arrastre
va=
Dependencia de la velocidad d arrastre l id d de t con el campo elctrico
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Corrientes de Arrastre
Densidad de corriente de arrastre: carga por
unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin del movimiento de portadores
huecos que estn en el volumen diferencial tA
La conductividad se define como la constante de proporcionalidad entre el campo elctrico aplicado a un material homogneo y la corriente total de partculas que por unidad de rea fluye en el mismo mismo.
97

98

Los materiales se distinguen en: aislantes: <10-5 (xcm)-1 conductores: <10-5 (xcm)-1
En un rango intermedio estn los semiconductores
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La resistividad, a nivel cualitativo, es una medida de la resistencia inherente del material a la circulacin del flujo de corriente. Es una resistencia "normalizada" que no depende de las dimensiones fsicas del material normalizada material.
100

La existencia de un campo elctrico hace que las p q bandas de energa dependan de la posicin:
Ec Ev E
Ec(x) Ev(x) E ( )
Curvatura de Bandas
Curvatura de Bandas en Semiconductores
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La existencia de un campo elctrico hace que las p q bandas de energa dependan de la posicin:
Ec Ev E
Ec(x) Ev(x) E ( )
Curvatura de Bandas
Curvatura de Bandas en Semiconductores Vamos V m s a estudiar la relacin entre el Campo y Curvatura: st di l l in nt l C mp C t Con E>Eg se crean portadores mviles dentro del semiconductor. g E-Ec: energa cintica de los e Ev-E: energa cintica de los h+ Ec-Eref: energa potencial del ePara un potencial electrosttico: -qV=Ec-Eref P t i l l t tti V E E
(si no hay campo magntico, gradientes de temperaturas, etc...)

dV dx Vemos que el campo est relacionado con la pendiente de Ec,Ev y Ei:
Como
1 dEC 1 dEV 1 dEi = = q dx q dx q dx
102

El movimiento de portadores de carga debido a la p g difusin de lugar a corrientes elctricas: Corrientes de Difusin: p(x) n(x)
jpdif = qDpp jndif = qDnn

Dp y Dn son las constantes de difusin (cm2/s)
jp h+
jn e-
Relaciones de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin y la movilidad
Dp p
KT = q
Dn KT = q n
103
x x
x x

Relaciones de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin y la movilidad Nd Dp Supongamos KT Ec = equilibrio y Ef p q semiconductor tipo n no Ei Dn KT uniformemente = Ev dopado q
n
x
Deduccin de la relacin de Einstein: Ley fundamental: en condiciones de equilibrio el nivel de Fermi dentro de un material
es invariante con la posicin, dEf/dx=0, es decir, Ef se encuentra al mismo nivel energtico para todo x En un semiconductor extrnseco tipo n uniformemente dopado, si Nd aumenta Ef-N -->Ec: E Ef Ec KT ln C
Nd
Se produce una curvatura de bandas como consecuencia natural de las variaciones espaciales en el dopado y en "condiciones de equilibrio se establece un campo elctrico no nulo en el condiciones equilibrio,
interior de un semiconductor no uniformemente dopado".

narratre t dif i ndifusion n n
Pero en equilibrio las corrientes totales de portadores dentro del semiconductor deben ser dn cero: Dn KT j + j = q n + qD = 0
dx
resolviendo... l i d
104

RESUMIENDO: Ecuacin general de TRANSPORTE Ecuacin de Continuidad Podemos predecir la corriente total que fluye en el dispositivo semiconductor si conocemos las concentraciones de los portadores.
jp = jpdif + jparr = qDp p + q p p jn = jndif + jnarr = qDn n + q n n
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RESUMIENDO: Ecuacin general de TRANSPORTE Ecuacin de Continuidad Podemos predecir la corriente total que fluye en el dispositivo semiconductor si conocemos las concentraciones de los portadores.
jp = jpdif + jparr = qDp p + q p p jn = jndif + jnarr = qDn n + q n n
Prximo OBJETIVO: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores
Otros (iluminacin)
todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo: tiempo Fenmenos de transporte: arrastre y difusin. Generacin/recombinacin de pares e-h+
Dinmica de los portadores efecto combinado de
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Prximo OBJETIVO: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores
Otros (iluminacin)
todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo: F Fenmenos de t d transporte: arrastre y dif i . t t difusin Generacin/recombinacin de pares e-h+
Dinmica de los portadores efecto combinado de
Concentracin de huecos Dentro del volumen i fi i D d l l infinitesimal (A ) i l (Ax): Jp(x) Jp(x+x) (transporte). se dan procesos G-R en el tiempo. se crean portadores por iluminacin (GL).
Variacin de los h+ en el volumen infinitesimal:
Ip ( x ) Ip ( x + x ) p p p( x, t ) + [ volumen ] = [ volumen ] + [ volumen ] t R G t otros t q q

p( x, t ) p p A Jp ( x ) Jp ( x + x ) = [ ]+ + t A x q t R G q t otros
107

Si hacemos X >dx el desarrollo en serie de Taylor y truncamos en el primer trmino: X-->dx, Jp ( x ) Jp ( x + x ) = Jp ( x ) + x Ecuaciones de CONTINUIDAD para huecos:
p 1 jp = + GL U dt d qd dx
Ecuaciones de CONTINUIDAD para electrones:
n 1 jn = + GL U dt q dx
Donde D nd
jp = qDp p + q p p jn = qDn n + q n n
U=Velocidad Neta de Generacin-Recombinacin trmica GL=Velocidad de Generacin Recombinacin por iluminacin Generacin-Recombinacin Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos 108

Resolver las Ecuaciones de Continuidad de manera general puede ser complejo complejo. Se estudian casos ms sencillos que simplifican el problema: 1) Bajo Nivel de Inyeccin:
Utipon = Utipop =
p p n n
2) Estado estacionario:
p n = = 0 jn + jp = cte dt dt
3) Campo Externo nulo o constante:
jparr p dx
4) Sin iluminacin: GL=0
jnarra = 0 dx
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Resolver las Ecuaciones de Continuidad de manera general puede ser complejo complejo. Se estudian casos ms sencillos que simplifican el problema: 1) Bajo Nivel de Inyeccin:
Utipon = Utipop
p p
2) Estado estacionario:
n = n
p n = = 0 jn + jp = cte dt dt
3) Campo Externo nulo o constante:
Ecuaciones asociadas al anlisis de dispositivos: Ecuaciones de Continuidad Densidades de Corriente Ecuacin de Poissn:
jparr p dx
+ = q[p n + Nd Na ] =
4) Sin iluminacin: GL=0
jnarra = 0 dx
=densidad de carga carga/cm3 carga, =constante dielctrica del semiconductor
110

Problema 1: Resolver las Ecuaciones de Continuidad de una seccin de semiconductor tipo n Continuidad,
bajo las hiptesis siguientes:
1) Restringimos el anlisis a los portadores minoritarios 2) Bajo Nivel de Inyeccin 3) Estado estacionario 4) Campo Externo nulo o constante 5) Las concentraciones de equilibrio son constantes e independientes de la posicin 6) Sin iluminacin: GL=0
pn pn Dp = 2 dx p
pn = C1e
( x xn ) / Lp
+ C2 e
( x xn ) / Lp
Se introduce el concepto de Longitud de Difusin:
Lp =
Dp p
Distancia media a la que un hueco portador minoritario se puede difundir antes de recombinarse con un electrn portador mayoritario
111

Problema 2: A una barra de semiconductor de rea A y longitud L dopada uniformemente con L, Nd impurezas donantes se le aplica un potencial V en sus extremos tal como se indica en la figura: a) Obtener la relacin I-V en estado estacionario, indicando las aproximaciones efectuadas. b) Se ilumina uniformemente la barra con un haz que genera Go pares /cm3xsg. Cmo sera la nueva relacin I-V?. (Suponer estado estacionario, bajo nivel de inyeccin y despreciar los efectos superficiales). c) Explicar los cambios en los apartados anteriores si el material fuera dopado con la misma cantidad de impurezas pero aceptoras
Nd
Resolviendo las ecuaciones de continuidad: sat
I R V
I = RV
R =
L ni2 ) qA( nNd + p Na

112

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Mster: Microelectrnica: Diseo y Aplicaciones de Sistemas Micro/Nanomtricos

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Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

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Bloque 1: FSICA DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

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Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace

Celda Unitaria en la estructura de diamante.

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Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace

"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l

Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Tipos de materiales: Modelo de Enlace

"Corazn del tomo": conjunto de d 10 e- j t con el ncleo. junto l l

Representacin esquemtica de un tomo aislado de Si

Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas Modelo de Enlace (enlace covalente) ( l l t )

Representacin bidimensional de estructuras cristalina: modelo de enlace enlace.

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Visualizacin segn el modelo de enlace

a) Cristal perfecto a T=0K b) Cristal imperfecto a T>0K

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Visualizacin segn el modelo de enlace

a) Cristal perfecto a T=0K

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Visualizacin segn el modelo de enlace

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Visualizacin segn el modelo de enlace

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Enlace roto: nunca son totalmente libres

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Visualizacin segn el modelo de enlace

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AsGa n = 2 106 / cm3 iT amb

Ge n = 2 1013 / cm3 iT amb

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Asignatura: Dispositivos y Tecnologas micro/nanomtricas

Se alteran las propiedades de los semiconductores puros y se controla la corriente elctrica

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