REPUBLICA BOLIVARIA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA ED. SUPERIOR I.U.P. SANTIAGO MARIO CABIMAS EDO.

ZULIA Fsica II

INTEGRANTES: GUILBERT CARRASQUERO C.I: 23.875.724 MIGUEL NAVA C.I: 24.265.903 GUSTAVO MS Y RUB C.I: 23.463.016 DIANA MS Y RUB C.I: 23.463.012 JOS ROJAS C.I: 20.332.017 SECCION:D Cabimas, octubre del 2011

ESQUEMA Introduccin 1. Carga y materia 1.1 estructura atmica concepcin moderna 1.2 sistema discreto y continuos de carga 1.3 densidad de carga elctrica 2. ley de coulomb 2.1 unidades elctricas 2.2 aplicacin para sistemas discretos y sistemas continuos de carga 2.3 campo elctrico 2.4 intensidad de campo elctrico 2.5 lneas de campo de fuerza elctrica 2.6 materiales: conductores, aislantes, semiconductores y superconductores 3. flujo elctrico 3.1 ley de gauss 3.2 campo elctrico en una cavidad 3.3 apantallamiento electroesttico. Bibliografa

INTRODUCCION En 1911, el fsico holands Kammerlingh Onnes observ que la resistencia elctrica del mercurio adquira un valor de cero cuando ste se enfriaba a una temperatura cercana al cero absoluto (4.2 grados Kelvin o menos 269 grados Celsius). De este modo se descubri el fenmeno de la superconductividad. En 1933, Meissner y Ochsenfeld descubrieron que cuando se le aplica un campo magntico externo a un material superconductor, ste lo rechaza. La combinacin de estas propiedades (conductividad infinita y expulsin del campo magntico) caracterizan a los materiales superconductores. La doctora Elizabeth Chavira Martnez, investigadora del Instituto de Investigacin en Materiales de la UNAM, nos narra algunos de los episodios ms importantes de la ciencia de materiales que siguieron a estos descubrimientos. Durante las primeras dcadas de este siglo se lleg a pensar que la superconductividad quedara sujeta sin remedio a muy bajas temperaturas. Empero, a principio de los setenta se obtuvo un material superconductor (una aleacin de niobio 3-germanio) a una temperatura crtica de 23 grados Kelvin. La temperatura crtica, es aquella a la que un material se hace superconductor. En 1986, el fsico Karl Alex Mller, del laboratorio de IBM en Zurich, observ que un xido cermico, compuesto de bario, lantano y cobre tena una temperatura crtica de 30 grados Kelvin. Estaba en marcha la carrera por obtener superconductores de altas temperaturas. En 1987, el grupo del doctor Chu, en Estados Unidos, descubri un material de itrio-bariocobre-oxgeno que es superconductor a 93 grados Kelvin (menos 180 grados centgrados). Un gran paso, pues ya se poda prescindir del helio lquido, que es muy caro, para enfriar el material. La temperatura crtica haba superado los 77 grados Kelvin (menos 196 grados Celsius), punto de licuefaccin del nitrgeno, que es muy abundante. A principio de los ochenta el qumico francs Bernard Raveou sintetiz un compuesto de bismuto-estroncio-cobre-oxgeno. Posteriormente, otros investigadores notaron que al aumentar los planos de cobre-oxgeno de este compuesto aumentaba la temperatura crtica. Pero, como todo, esto tiene un lmite. Recientemente, el doctor Chu elabor un material que contiene mercurio sometido a altas presiones y report que su temperatura crtica es de 165 grados Kelvin (menos 108 grados centgrados). La ms alta hasta ahora en un material estable.

Los nuevos compuestos cermicos de alta temperatura crtica tienen una estructura cristalina del tipo de la perousquita. ``Estos compuestos tienen deficiencia de oxgenos (aniones) y esta deficiencia les da las propiedades superconductoras''.

1. CARGA Y MATERIA CARGA: es una propiedad intrnseca de algunas partculas subatmicas que se manifiesta mediante atracciones y repulsiones que determinan las interacciones electromagnticas entre ellas. La materia cargada elctricamente es influida por los campos electromagnticos, siendo a su vez, generadora de ellos. La interaccin entre carga y campo elctrico origina una de las cuatro interacciones fundamentales: la interaccin electromagntica. Desde el punto de vista del modelo estndar la carga elctrica es una medida de la capacidad de la partcula para intercambiar fotones.

MATERIA: es todo aquello que ocupa un lugar en el espacio, tiene una energa medible y est sujeto a cambios en el tiempo y a interacciones con aparatos de medida. En fsica y filosofa, materia es el trmino para referirse a los constituyentes de la realidad material objetiva, entendiendo por objetiva que pueda ser percibida de la misma forma por diversos sujetos. Se considera que es lo que forma la parte sensible de los objetos perceptibles o detectables por medios fsicos. Es decir es todo aquello que ocupa un sitio en el espacio, se puede tocar, se puede sentir, se puede medir, etc. Tambin se usa el trmino para designar al tema que compone una obra literaria, cientfica, poltica, etc. Esta distincin da lugar a la oposicin "materia-forma", considerando que una misma materia, como contenido o tema, puede ser tratado, expuesto, considerado, etc. de diversas formas: de estilo, de expresin, de enfoque o punto de vista. Se usa tambin para hablar de una asignatura o disciplina en la enseanza.

1.1 ESTRUCTURA ATMICA CONCEPCIN MODERNA ES todo aquello que ocupa un lugar en el espacio, tiene una energa medible y est sujeto a cambios en el tiempo y a interacciones con aparatos de medida. En fsica y filosofa, materia es el trmino para referirse a los constituyentes de la realidad material objetiva, entendiendo por objetiva que pueda ser percibida de la misma forma por diversos sujetos. Se considera que es lo que forma la parte sensible de los objetos perceptibles o detectables por medios fsicos. Es decir es todo aquello que ocupa un sitio en el espacio, se puede tocar, se puede sentir, se puede medir, etc. Tambin se usa el trmino para designar al tema que compone una obra literaria, cientfica, poltica, etc. Esta distincin da lugar a la oposicin "materia-forma", considerando que una misma materia, como contenido o tema, puede ser tratado, expuesto, considerado, etc. de diversas formas: de estilo, de expresin, de enfoque o punto de vista. Se usa tambin para hablar de una asignatura o disciplina en la enseanza.

1.2 SISTEMAS DISCRETOS Y CONTINUOS DE CARGA

Sistemas discretos son aqullos cuya configuracin geomtrica puede definirse a travs de un nmero finito de coordenadas generalizadas; tales son los sistemas que estn constituidos por subsistemas indeformables, es decir, por partculas y cuerpos rgidos, como los mostrados en la Figura 1.1.Sistemas continuos, en cambio, son aqullos cuya configuracin geomtrica no puede definrselo un nmero finito de coordenadas generalizadas; la caracterstica principal de los sistemas continuos es la presencia en ellos de elementos deformables, en los cuales se hace necesario el uso de funciones dela posicin y del tiempo o slo de la posicin, para definir la configuracin deformada de tales elementos. La Figura 1.2 muestra un sistema continuo constituido por una barra flexible; la posicin de un punto genrico S sobre el eje de la barra se define por su abscisa x en la configuracin no deformada de la barra; en la configuracin deformada la posicin de S se define por las componentes u(x) y v(x) de su desplazamiento .

1.3 DENSIDAD DE CARGA ELCTRICA.

A pesar de que las cargas elctricas son cuan tizadas y, por ende, mltiplos de una carga elemental, en ocasiones las cargas elctricas en un cuerpo estn tan cercanas entre s, que se puede suponer que estn distribuidas de manera uniforme por el cuerpo del cual forman parte. La caracterstica principal de estos cuerpos es que se los puede estudiar como si fueran continuos, lo que hace ms fcil, sin perder generalidad, su tratamiento. Se distinguen tres tipos de densidad de carga elctrica: lineal, superficial y volumtrica. Densidad de carga lineal Se usa en cuerpos lineales como, por ejemplo hilos.

Donde Q es la carga del cuerpo y L es la longitud. En el Sistema Internacional de Unidades (SI) se mide en C/m (culombios por metro). Densidad de carga superficial Se emplea para superficies, por ejemplo una plancha metlica delgada como el papel de aluminio.

Donde Q es la carga del cuerpo y S es la superficie. En el SI se mide en C/m2 (culombios por metro cuadrado). Densidad de carga volumtrica Se emplea para cuerpos que tienen volumen.

Donde Q es la carga del cuerpo y V el volumen. En el SI se mide en C/m3 (culombios por metro cbico). 1. LEY DE COULOMB El fsico francs Charles A. Coulomb (1736-1804) es famoso por la ley fsica que relaciona su nombre. Es as como la ley de Coulomb describe la relacin entre fuerza, carga y distancia. En 1785, Coulomb estableci la ley fundamental de la fuerza elctrica entre dos partculas cargadas estticamente. Dos cargas elctricas ejerce entre s una fuerza de atraccin o repulsin. Coulomb demostr que la fuerza que ejercen entre s dos cuerpos elctricamente, es directamente proporcional al producto de sus masas elctricas o cargas, e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que los separa.

Tal fuerza se aplica en los respectivos centros de las cargas y estn dirigidos a lo largo de la lnea que las une. Estas afirmaciones constituyen la ley de Coulomb que se representa por una expresin anloga a la ley gravitacional de Newton. 2.1 UNIDADES ELCTRICAS Es la unidad de carga elctrica en el sistema MKS y se define como la carga elctrica capaz de atraer o repeler a otra igual situada en el vaco y a la distancia de un metro y con la fuerza de K = 9 x 109 New. m2 /C2 Newtons. 1 coulomb = 3x109 statcoulomb

1 coulomb = 6X1018 electrones Submltiplos: mili nano pico coulomb coulomb coulomb mC nC pC = = = 10-3 C 10-9 C 10-12 C

micro coulomb m C = 10-6 C 2.2 APLICACIONES PARA SISTEMAS DISCRETOS Y SISTEMAS CONTINUOS DE CARGA El principio de superposicin de fuerzas se cumple para un sistema discreto de cargas: la fuerza neta ejercida sobre una carga por un sistema de cargas se determina por la suma de las fuerzas separadas ejercidas por cada carga del sistema. La fuerza resultante en una carga q debido a un sistema de cargas es obtenida agregando vectorialmente todas las fuerzas individuales que actan en ella. 2.3 CAMPO ELCTRICO Partiendo de la ley de Coulomb que expresa que la fuerza entre dos cargas en reposo relativo depende del cuadrado de la distancia, matemticamente es igual a:[1]

Donde es la permisividad elctrica del vaco tiene que ver con el sistema internacional, son las cargas que interactan, es la distancia entre ambas cargas, , es el vector de posicin relativa de la carga 2 respecto a la carga 1.

es el unitario en la direccin

. Ntese que en la frmula se est usando 0, esta es la

permitividad en el vaco. Para calcular la interaccin en otro medio es necesario cambiar la permitividad de dicho medio. ( = r.0) La ley anterior presupona que la posicin de una partcula en un instante dado, hace que su campo elctrico afecte en el mismo instante a cualquier otra carga. Ese tipo de interacciones en las que el efecto sobre el resto de partculas parece dependender slo de la posicin de la partcula causante sin importar la distancia entre las partculas se denomina en fsica accin a distancia. Si bien la nocin de accin a distancia fue aceptada inicialmente por el propio Newton, experimentos ms cuidados a lo largo del siglo XIX llevaron a desechar dicha nocin como no-realista. En ese contexto se pens que el campo elctrico no slo era un artificio matemtico sino un ente fsico que se propaga a una velocidad finita (la velocidad de la luz) hasta afectar a otras partculas. Esa idea conllevaba modificar la ley de Coulomb de acuerdo con los requerimientos de la teora de la relatividad y dotar de entidad fsica al campo elctrico.
[1]

As, el campo elctrico es una distorsin electromagntica que sufre el espacio debido a la

presencia de una carga. Considerando esto se puede obtener una expresin del campo elctrico cuando este slo depende de la distancia entre las cargas:

Donde claramente se tiene que del campo elctrico.

, la que es una de las definiciones ms conocidas acerca

2.4 INTENSIDAD DE CAMPO ELCTRICO El campo elctrico es un campo fsico que es representado mediante un modelo que describe la interaccin entre cuerpos y sistemas con propiedades de naturaleza elctrica.[1] Matemticamente se describe como un campo vectorial en el cual una carga elctrica puntual de valor q sufre los efectos de una fuerza elctrica dada por la siguiente ecuacin:

En los modelos relativistas actuales, el campo elctrico se incorpora, junto con el campo magntico, en campo tensorial cuadridimensional, denominado campo electromagntico F.[2] Los campos elctricos pueden tener su origen tanto en cargas elctricas como en campos magnticos variables. Las primeras descripciones de los fenmenos elctricos, como la ley de Coulomb, slo tenan en cuenta las cargas elctricas, pero las investigaciones de Michael Faraday y los estudios posteriores de James Clerk Maxwell permitieron establecer las leyes completas en las que tambin se tiene en cuenta la variacin del campo magntico. Esta definicin general indica que el campo no es directamente medible, sino que lo que es observable es su efecto sobre alguna carga colocada en su seno. La idea de campo elctrico

fue propuesta por Faraday al demostrar el principio de induccin electromagntica en el ao 1832. La unidad del campo elctrico en el SI es Newton por Culombio (N/C), Voltio por metro (V/m) o, en unidades bsicas, kgms3A1 y la ecuacin dimensional es MLT-3I-1.

2.5 LNEA DE CAMPO DE FUERZA ELCTRICA El campo elctrico es una cantidad vectorial. Una forma til de representar el campo elctrico es usando lneas de campo elctrico, tambin llamadas lneas de fuerza. Este concepto lo introdujo el fsico y qumico ingls Michael Faraday (1791-1867). El campo es dbil en los puntos en que las lneas estn ms separadas. Las lneas correspondientes a una sola carga se prolongan hasta el infinito, mientras que para dos o ms cargas opuestas las lneas emanan de una carga positiva y terminan en una carga negativa. Una ayuda conveniente para visualizar los patrones del campo elctrico es trazar lneas en la misma direccin que el vector de campo elctrico en varios puntos. Algunas lneas representativas del campo elctrico se aprecian por ejemplo, si se trata del campo elctrico creado por una carga positiva + q, las lneas de fuerza sern rectas radiales que parte de q y se pierden hacia el infinito. En cambio, el campo producido por una carga negativa - q tiene lneas de fuerzas radiales que proceden del infinito y terminan en la carga. Las lneas de fuerza del campo de dos cargas enfrentadas, + q y - q y nacen en la primera y terminan en la segunda, si bien algunas se alejan hasta distancias muy grandes. Tambin se pueden representar las lneas de fuerza de dos cargas positivas iguales. En un campo electroesttico no pueden existir lneas de fuerza cerradas. Si las lneas de fuerza son finitas, tienen siempre un comienzo y un extremo. 2.6 MATERIALES: conductores, aislantes, semiconductores y sper conductores. Conductores: Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores conductores elctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en estado de plasma. Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico o industrial, los mejores conductores son el oro y la plata, pero debido a su elevado precio, los materiales empleados habitualmente son el cobre (en forma de cables de uno o varios hilos), o el aluminio; metal que si bien tiene una conductividad elctrica del orden del 60% inferior es, sin embargo, un material tres veces ms ligero, por lo que su empleo est ms indicado en lneas areas de transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin1

Aislantes: El aislamiento elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que resiste el paso de la corriente a travs del elemento que recubre y lo mantiene en su trayectoria a lo largo del conductor. Dicho material se denomina aislante elctrico. La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que presentan gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas libres y que pueden moverse con facilidad. De acuerdo con la teora moderna de la materia (comprobada por resultados experimentales), los tomos de la materia estn constituidos por un ncleo cargado positivamente, alrededor del cual giran a gran velocidad cargas elctricas negativas. Estas cargas negativas, los electrones, son indivisibles e idnticas para toda la materia.

Semiconductores: es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Semiconductores intrnsecos: Es un cristal de silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Semiconductores extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material. Semiconductor tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. Semiconductor tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. Superconductores: Un superconductor tiene dos caractersticas esenciales. Por debajo de una temperatura crtica caracterstica (Tc), dependiente de la naturaleza y estructura del

material, los superconductores exhiben resistencia cero al flujo de electricidad y pueden expulsar el flujo magntico de su interior, dando lugar al fenmeno de levitacin magntica. El primer superconductor, mercurio, descubierto en 1911 por G. Holst y K. Onnes, slo lo era a temperaturas inferiores a 4.2 K (-268 °C) y a principios de 1986 el rcord de temperatura crtica estaba en 23 K correspondiente al compuesto Nb3Ge. La rata de crecimiento haba sido de 0.3 grados por ao y los superconductores a temperatura ambiente parecan inalcanzables. A finales de 1986 la comunidad cientfica internacional fu sorprendida cuando J. G. Berdnorz y K. A. Mller, del centro de investigaciones de la IBM en Zurich, observaron una Tc -35 K en el compuesto de xido de Cobre, Bario y Lantano (BaLaCuO) sintetizado con anterioridad (1983) por el grupo de B. Raveau y C. Michel en Francia. La euforia desatada por este descubrimiento condujo a que poco tiempo despus, se descubriera que la Tc poda seguir subiendo lo que llev al descubrimiento de nuevos materiales superconductores, con Tc por encima del punto de ebullicin del nitrgeno lquido (-77 K). Se despertaron entonces atrevidas esperanzas que fueron sofocadas relativamente pronto por varias dificultades tanto en el plano terico, donde los conocimientos acumulados sobre el estado superconductor hasta 1986 fueron incapaces de describir la superconductividad de alta Tc, como en lo referente a las aplicaciones, puesto que el estado superconductor se destruye al ser sometido a un campo magntico, cosa que debe hacerse en muchas de las aplicaciones concebibles.

2. FLUJO ELCTRICO
EL flujo elctrico, o flujo electrosttico, es una cantidad escalar que expresa una medida del campo elctrico que atraviesa una determinada superficie,[2] o expresado de otra forma, es la medida del nmero de lneas de campo elctrico que penetran una superficie. Su clculo para superficies cerradas se realiza aplicando la ley de Gauss. Por definicin el flujo elctrico parte de las cargas positivas y termina en las negativas, y en ausencia de las ltimas termina en el infinito.

3.1 LEY DE GAUSS

La ley de Gauss relaciona el flujo elctrico a travs de una superficie cerrada y la carga elctrica encerrada por esta superficie. De esta misma forma, tambin relaciona la divergencia del campo elctrico con la densidad de carga. Este teorema aplicado al campo elctrico creado por una carga puntual es equivalente a la ley de Coulomb de la interaccin electrosttica.

La ley de Gauss puede deducirse matemticamente a travs del uso del concepto de ngulo slido, que es un concepto muy similar a los factores de vista conocidos en la transferencia de calor por radiacin. El ngulo slido que es subtendido por A sobre una superficie esfrica, se define como:

Siendo r el radio de la esfera. Como el rea total de la esfera es 4r2 el ngulo slido para toda la esfera es:

la unidad de este ngulo es el estereorradin (sr) Si el rea A no es perpendicular a las lneas que salen del origen que subtiende a , se busca la proyeccin normal, que es:

Si se tiene una carga "q" rodeada por una superficie cualquiera, para calcular el flujo que atraviesa esta superficie es necesario encontrar para cada elemento de rea de la

superficie, para luego sumarlos. Como la superficie que puede estar rodeando a la carga puede ser tan compleja como quiera, es mejor encontrar una relacin sencilla para esta operacin:

De esta manera es el mismo ngulo slido subentendido por una superficie esfrica. como se mostr un poco ms arriba = 4 para cualquier esfera, de cualquier radio. de esta forma al sumar todos los flujos que atraviesan a la superficie queda:

Que es la forma integral de la ley de Gauss. La ley de Coulomb tambin puede deducirse a travs de Ley de Gauss.

3.2 CAMPO ELCTRICO EN UNA CAVIDAD

El campo elctrico dentro de un conductor en equilibrio (dentro del Metal) debe ser nulo o de lo contrario el campo forzara el movimiento de Los electrones de conduccin; la nica solucin electrosttica posible es Que el campo sea cero en todo punto del interior del conductor Eint 0 r (6.30) El interior de un conductor en equilibrio, fig.6.23, debe ser una regin a Potencial constante, es decir V no puede variar de un punto a otro al ser E 0 r , y tambin su superficie estar al mismo potencial que el interior. Vcond cte (6.31) Dentro de un conductor cargado en equilibrio, fig.6.24, aplicando la ley de Gauss a superficies gaussianas, que encierren un volumen muy pequeo, la densidad cbica de carga ha de ser nula en su interior, para no crear un campo elctrico. Por lo tanto, las cargas de un conductor cargado en equilibrio se encuentran todas en la superficie del conductor, en realidad en una regin, cuyo espesor es del orden de un dimetro atmico. Prcticamente podemos considerarlas en la superficie, con una densidad superficial e . Si e est uniformemente distribuida por la superficie 3.3 APANTALLAMIENTO ELECTROESTTICO ES fruto del solapamiento producido por los campos elctricos de partculas en movimiento siempre y cuando la velocidad sea menor de 50 kilmetros por hora si es mayor, sera similar a la de de un cohete que viaje a la luna con cargas opuestas. Se da especialmente en gases ionizados (plasma) o en metales. En astrofsica este fenmeno es especialmente importante ya que hace que la carga elctrica de los objetos astrofsicos se considere irrelevante. Tambin participa como potenciador de las reacciones de fusin en los ncleos de las estrellas llegando a aumentar su rendimiento en hasta un 20%. Los iones para fusionarse han de romper una barrera de potencial electromagntico. En un gas ionizado no slo hay iones sino que tambin vagan libremente los electrones producto de la ionizacin de los tomos neutros. Estas partculas generan sus propios campos de signo opuesto al de los ncleos desnudos. Estos campos se superponen y logran rebajar esa barrera de potencial facilitando as las reacciones de fusin. La seccin eficaz es el parmetro que mide la probabilidad de interaccin entre dos partculas. Para el caso de los iones estos tienen su propia seccin eficaz que puede verse incrementada

por la presencia del apantallamiento. As podemos matematizar dicho fenmeno mediant un factor llamado factor de apantallamiento. Este factor se multiplica a la seccin eficaz terica para dar un nuevo valor que tiene en cuenta el apantallamiento electrnico.

Donde k es la constante de Boltzmann y Eap la energa de apantallamiento que se calcula como sigue:

BIBLIOGRAFIA

http://html.rincondelvago.com/superconductores_1.html http://es.wikipedia.org/wiki/Carga_el%C3%A9ctrica