TIPOS DE LSER

Lser gaseoso. Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo un gas atmico, inico molecular con el conjunto idneo de niveles de energa. La estructura del nivel de energa de un gas de baja densidad se aproxima a la de un tomo aislado con transiciones entre niveles individuales quiz en algunos grupos de niveles muy prximos entre si. El medio est cerrado en un tubo cilndrico sellado en cada extremo por un espejo a fin de formar la cavidad ptica. El bombeo se lleva a cabo por medio de una descarga elctrica que se hace pasar a travs del gas. El lser de HeNe. El lser de HeNe fue el segundo sistema en funcionamiento demostrado, pero fue el primer lser gaseoso en funcionar y tambin fue el primero en producir un haz de salida continuo, es de uso comn por ejem., ptica general, holografa, topografa y procesamiento de imgenes. El medio activo es una mezcla gaseosa de helio y nen, en proporcin aproximada de 10:1,contenida en un tubo de cuarzo cerrado. Se crea una descarga brillante en el gas mediante la aplicacin de un alto voltaje de entre 1 y 10 kV entre un par de electrodos insertados en extremos opuestos del tubo (figura 17). Una vez encendido para mantener la descarga basta una corriente directa estable de entre 3 a 10 mA. La corriente elctrica que fluye produce excitacin de los tomos de He debido a colisiones con los electrones energizados. A su vez, los tomos excitados de He transfieren parte de esta energa, mediante colisiones atmicas, a los tomos de Ne, con lo que stos son elevados a sus niveles de excitacin superiores. (vase el diagrama de nivel de energa de la Fig. 18). En ste nivel se establece una inversin de poblaciones y puede llevarse a cabo el efecto lser a una longitud de onda de 632.8 nm. Es importante observar que los tomos de He proporcionan el medio para excitar los tomos de Ne; el efecto lser se lleva a cabo en los niveles del Ne.

Figura 17.- Lser HeNe

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El efecto lser contina en tanto sea posible mantener la inversin de poblaciones y sea emitido un haz continuo con potencias en el intervalo de 0.5 a 50 mW.

Figura 18.- Diagrama de energa HeNe La ganancia HeNe a esta longitud de onda es baja y slo es posible permitir pequeas prdidas de cavidad, lo que implica el empleo de espejos de alta calidad con bajas prdidas por dispersin y absorcin. Los anchos de lnea en los lser gaseosos son mucho ms bajos que en cualquier otro tipo de sistema lser. En particular, para el lser de HeNe los anchos de lnea suelen ser del orden de unos cuantos picmetros. En el lser de HeNe baratos de baja potencia, hasta aproximadamente 1 mW, los espejos estn fijos directamente al tubo de descarga. En las versiones de alta potencia, los espejos son externos al tubo de descarga y ste debe estar sellado con ventanas de ajuste. Estas ventanas estn inclinadas aun ngulo especfico con respecto al eje ptico, el ngulo de Brewster. Cuando se hace incidir luz no polarizada sobre una pieza de cristal o cuarzo inclinada a su ngulo de Brewster, slo son transmitidas las componentes de luz polarizada en el plano de la ventana. Las dems componentes son reflejadas y la luz emerge plenamente polarizada. Requisitos de potencia de bombeo para un lser de HeNe Los lser de baja potencia, como los de HeNe, suelen bombearse a partir de una fuente de CD de alta tensin a travs de los extremos de un tubo lleno de gas. Por lo general, para obtener larga duracin y rendimiento ptimo basta un circuito como el que se muestra en la figura 19, suponiendo que se tiene cuidado en la eleccin de los parmetros de operacin. La consideracin ms importante es la relacin negativa voltaje-corriente tpica de tales
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lser (figura 20). La pendiente negativa de esta curva indica el empleo de una resistencia autorreguladora (o de compensacin) a fin de obtener una resistencia positiva y evitar la sobrecarga de la fuente de alimentacin. Inicialmente, para producir suficiente ionizacin del gas, de modo que empiece el efecto lser, se requiere un alto voltaje aproximado de 8kV (Vinicio). La accin lser no puede sostenerse sino hasta que se alcanza una corriente especfica Ilser en la cual la resistencia positiva de la resistencia de compensacin equilibra la resistencia negativa de la columna de gas. La corriente a travs del tubo es incrementada a partir de este punto hasta que se alcanza la corriente ptima de operacin, ala cual la potencia de salida es mxima. El voltaje ptimo de operacin Vop para el tubo que se muestra es aproximadamente igual a 1800 V a una corriente ptima Iop igual a 7.5 mA. Los fabricantes recomiendan valores idneos para la resistencia de carga, de aproximadamente 50 a 100 k., as como puntos de operacin ptimos para el voltaje y la corriente.

Figura 19.- Suministro de potencia tpica para el lser de HeNe.

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Figura 20.- Caracterstica voltaje-corriente tpica para el lser de HeNe. Como se ver a continuacin, los lser de argn son inherentemente ms complicados debido a la necesidad de suministrar grandes cantidades de potencia de bombeo para ionizar inicialmente los tomos de argn y luego excitar los iones a los niveles de energa requeridos. El diseo de tales lser est ms all de los objetivos de este texto. El lser de iones de argn. A diferencia del lser de HeNe, en el que el efecto lser se lleva a cabo en especie atmica, el medio activo en el lser de argn es un plasma de iones excitados. Se crea una descarga elctrica en un tubo estrecho de argn gaseoso. Primero se ionizan los tomos del argn y luego son excitados por colisiones mltiples con los electrones en sus niveles de energa superiores (figura 21). Para ionizar los tomos del argn se requieren aproximadamente 16 eV y otros 20 eV para excitarlos hacia sus niveles lser superiores. Debido a la existencia de una banda de niveles superiores muy prximos entre si, varias transiciones lser ocurren simultneamente en la regin azul-verde del espectro, de las cuales la ms intensa se lleva acabo a 514 y 488 nm (figura 22). Debido a la alta energa necesaria para ionizar y excitar los tomos de argn se requieren densidades de corrientes muy altas, del orden de 1 A por mm2.

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Figura 21.- Diagrama de energa para el Argn.

Figura 22.- Espectro de salida del lser de argn (9 W de potencia radiante total). Un campo magntico rodea un tubo lser para ayudar a constreir la descarga gaseosa y mantener alta la densidad de corriente. El campo longitudinal incrementa la densidad de electrones en el plasma al restringir el movimiento de los electrones a una trayectoria helicoidal alrededor de las lneas de campo. Con esto se evita la prdida de electrones hacia las paredes. El tubo de descarga generalmente se fabrica de un material con baja conductividad trmica, como xido de berilio (BeO), grafito o una construccin de un tubo
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de metal-cermica. Para mantener bajas las temperaturas de ejecucin, la ltima generacin de lser de argn presenta discos metlicos insertados dentro del tubo para actuar como intercambiadores de calor. Los lser de argn emiten aproximadamente de 1 a 20 w de flujo distribuido entre casi todas las longitudes de onda de la accin lser. A las ms poderosas de tales longitudes de onda es posible obtener hasta 5 6 w. la lnea de 514 nm. Los lser de argn suelen utilizarse a una sola longitud de onda, en vez de en el modo de todas las lneas. La operacin en una sola longitud de onda se obtiene mediante la insercin de una componente selectora de longitud de onda, como un prisma, dentro de la cavidad. Al hacer girar el prisma se hace entrar en operacin cada longitud de onda en forma idnea. Una vez que el usuario ha elegido la operacin en una sola longitud de onda, a continuacin puede elegir pasar a operacin de frecuencia nica, que es esencial para aplicaciones que demandan una gran longitud de coherencia. Esto se lleva acabo mediante la insercin de una componente selectora de frecuencia, como un interfermetro. El espectro secuencial de pasar de la operacin de todas las lneas ala frecuencia nica, con su consecuente prdida de potencia de salida, se muestra en la figura 23. Algunas de las aplicaciones comunes de los lser de argn se dan en la holografa, ciruga ocular, espectroqumica, procesamiento de imgenes, procesamiento de semiconductores y finalmente, aunque no por ello menos importante en trminos de nmeros de lser suministrados, espectculos a base de la luz lser.

Figura 23.- Seleccin del modo longitudinal en un lser de argn. (a) Operacin en todas las lneas (potencia total 6 W); (b) Operacin nica (2 W); (c) Operacin en frecuencia nica (1 W).
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El lser de bixido de carbono. El tercer lser gaseoso que se analiza es fundamentalmente distinto a los otros dos. Los niveles de energa importantes se obtienen no por la distribucin de los electrones, sino que se deben al movimiento oscilatorio de toda la molcula de carbono en s. Esta molcula puede representarse como un arreglo lineal de tomos O-C-O que vibran cada uno con respecto a los dems. Varios diferentes modos de vibracin originan un conjunto de niveles de energa con transmisiones que se ubican en el infrarrojo profundo. La principal longitud de onda del CO2 es 10.6 m. Se obtienen salidas de potencia continuas hasta de varios kilo watts, por lo que este lser es la eleccin preferida para aplicaciones de procesamiento de materiales como corte, soldadura y recocido. A diferencia de casi todos los dems lser, el de CO2 presenta eficiencia apreciablemente alta, tpicamente de l0 a 25%. Para alcanzar las elevadas potencias requeridas de este lser, las longitudes de la cavidad pueden estirarse hasta 2, 3 o ms metros. Algunas variantes, como el atmosfrico excitado transversalmente (AET), en el cual la excitacin es aplicada a travs en lugar de a lo largo de la descarga, permiten la construccin de lser de CO2 ms compactos. Otras variantes, como los lser de CO2 de gua de ondas son capaces de producir cientos de miliwatts en un lser que mide no ms de 20 30 cm de longitud. Lser de estado slido. Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo no un gas, sino una varilla una plancha slida de aislante cristalino ligeramente impurificado. Es el constituyente impurificador lo que proporciona la estructura energtica requerida para producir el efecto lser. La red cristalina acta especialmente como material husped, aunque tambin modifica la estructura energtica global. Lser de rub. El lser de rub tiene un lugar histrico debido a que fue el primer lser cuyo funcionamiento se demostr. El medio activo es un cristal cilndrico de rub sinttico (Al2O3) no purificado, con aproximadamente 0.05% en peso de iones de cromo (Cr).Los extremos de la varilla son planos, paralelos y estn pulidos. Se requieren normas bastante rigurosas de calidad de plano y paralelismo, la calidad del plano en toda la cara no debe variar en mas de un cuarto de longitud de onda y ambas superficies deben ser paralelas entre s con una exactitud de unos cuantos segundos de arco. El bombeo se obtiene por energa ptica de un tubo de destellos. A menudo el rub y el tubo de destellos se colocan en los focos respectivos de un reflector elptico, para asegurar que se bombee a la varilla la mxima cantidad de luz posible. El rub absorbe la energa de bombeo en la regin azulverde del espectro y emite su energa lser principal a una longitud de onda de 694.3 nm. La absorcin de la luz verde eleva los iones de cromo a una banda ancha de niveles superiores a partir de los cules se relajan muy rpidamente al nivel superior de la

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transicin lser (figura 24). Este es un estado metaestable cuya duracin es de 3ms. Entre este estado y el estado fundamental se establece una inversin de poblaciones. La emisin radiante ocurre como un pulso corto de energa de duracin aprox. de 250s, Las energas comunes para los lser de rub varan desde unos cuantos milijoules hasta varios cientos de joules.

Figura 24 -. Lser de estado solido y Diagrama de energa de Rub

El lser de Nd-YAG Ahora, concediendo que el lser de rub es el lser de aislante impurificado de mayor uso, el material husped es un cristal de itrio-aluminio-granate (YAG) impurificado con iones de neodimio (Nd3+). La ventaja del lser de Nd-YAG sobre el de rub es su menor umbral y mayor ganancia. Las implicaciones de lo anterior son que el lser funciona ms fro, tiene una operacin ms eficiente, puede hacerse ms pequeo para una energa dada y se puede operar a velocidades de repeticin relativamente altas, hasta de 50 kHz.

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El bombeo ptico eleva los iones hacia el gran nmero de niveles de aproximadamente 2 eV, con relajamiento no radiativo hacia el nivel lser superior (figura 25). La emisin lser se lleva acabo a 1.064 m.

Figura 25.- Diagrama de energa para el Nd-YAG (Nd+3)

Conmutacin Q. El modo de operacin que acaba de describiese para los lser de estado slido se denomina funcionamiento libre. Existe un modo alternativo de operacin, de uso comn, denominado conmutacin Q (CQ) que permite la obtencin de potencias pico mucho ms altas para una energa de bombeo dada. En cl modo CQ, en la cavidad se coloca un obturador ptico, por lo general entre el espejo posterior y cl medio lser, a fin de impedir la realimentacin del espejo. De esta forma se incrementa la capacidad de la cavidad para almacenar energa, con respecto a su valor normal y, an cuando la inversin de poblaciones se est llevando a cabo, se evita el afecto lser. La capacidad de una cavidad resonante para almacenar energa suele definiese en trminos de su factor Q. La Q de una cavidad es una medida de cunta energa es posible almacenar en ella en contra de la prdida de potencia de esta. Una cavidad con una Q alta permite el almacenamiento de bastante energa. Los lser suelen tener factores Q de unos cuantos millones, en comparacin con los pocos cientos de los osciladores elctricos. La inversin de poblacin se llevar a cabo bastante por encima de su valor umbral normal. Cuando se abre el obturador, se lleva a cabo emisin de energa en un destello corto y brillante. De esta forma es posible obtener duraciones de pulso tan breves como del orden de unos cuantos nanosegundos, obtenindose potencias medias de megawatts y mayores. Para la conmutacin Q existen varios mecanismos. Uno de los mtodos ms sencillos, y de uso ms reciente, era la sustitucin del reflector total, el espejo posterior, por un espejo giratorio. La oscilacin lser es impedida hasta que el espejo se alinea con el eje ptico de la cavidad, en otras palabras, hasta que los espejos frontal y posterior se encuentran

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momentneamente paralelos entre s. Por consiguiente, se obtienen mejor control de la operacin y mayor flujo mediante el empleo de un colorante orgnico decolorable, como la criptocianina. El colorante (o tinte) es opaco inicialmente, y mantiene la oscilacin lser hasta que se alcanza cierto flujo y a partir de entonces el colorante se vuelve transparente y es posible llevar a cabo la accin lser. El valor particular del flujo umbral depende del tipo y espesor del colorante, as como de la longitud de onda de la luz lser. La principal desventaja del colorante es su duracin limitada y la variabilidad en la sincronizacin del inicio de la accin lser. Estas deficiencias son superadas gracias al empleo de una celda de Pockel. Cuando a travs de una celda de Pockel se establece un alto voltaje, se hace girar el plano de polarizacin del haz de luz. Entre haces de polarizaciones diferentes no es posible que se efecten oscilaciones de cavidad, por lo que suspende el efecto lser. Al eliminar el voltaje, el plano de polarizacin se invierte a su estado original y entonces se lleva a cabo la oscilacin. Bombeo de lmpara estroboscpica de lser de estado slido. El principal mtodo para suministrar energa de bombeo a un lser de estado slido es mediante la inundacin de radiacin ptica de banda ancha a partir de un tubo de descarga gaseosa. La energizacin se lleva a cabo descargando la energa almacenada de un capacitor cargado a travs de los extremos del tubo de descarga. El tipo de circuito que se utilice depende de la naturaleza de la aplicacin. Si solamente se requiere un pulso lser, por lo general basta una sola red RC a la que se aplica un alto voltaje. Para velocidades de repeticin rpidas hasta de l0 Hz, entonces una red LC crticamente amortiguada proporciona mejor control de las condiciones de carga y descarga. La energa descargada en el tubo de descarga est dada por: Wdescarga = CV2 / 2 en donde C es la capacitancia y V es el voltaje de carga. La activacin se lleva a cabo a partir de un pulso de alto voltaje aplicado a una bobina de alambre arrollada alrededor de una envolvente de cuarzo. En la figura 26 se muestra un circuito tpico.

Figura 26.- Circuito tpico de bombeo de lmpara estroboscpica. Una vez que se ha calculado cunta energa es necesaria descargar a travs del tubo de descarga, ahora se requiere calcular los parmetros del circuito con los que sea posible lograr lo anterior. Dado que la curva voltaje-corriente de un tubo de descarga no es lineal,
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para el clculo de parmetros idneos del circuito se utilizan procedimientos empricos de diseo. Lser de estado slido moderno. Los principios y procedimientos que acaban de describirse deben permitir el diseo y construccin de un lser sencillo, de Nd-YAG aunque por supuesto que los lser a la venta en el mercado son algo ms complicados. En la prctica, en vez de considerar varillas ms y ms largas y disear consecuentemente mayores bancos de capacitores, el diseo de un lser moderno es ms sutil. Por lo general, se construye una varilla lser primaria, denominada oscilador, que produce aproximadamente de l0 a 30 mJ. La salida del oscilador se sincroniza para llegar a una segunda varilla, el amplificador, exactamente cuando la energa del tubo de descarga haya creado una inversin de poblacin en sta. El pulso que llega estimula la emisin de fotones, lo que origina una salida amplificada aproximadamente igual a l joule. Etapas adicionales de amplificacin pueden agregarse segn sea necesario. Arreglos como el mencionado tambin permiten mejor control del perfil temporal y espacial del haz. Lser semiconductor. El lser semiconductor es en muchos sentidos la ltima fuente optoelectrnica. Al proporcionar alta potencia en un pequeo paquete a bajo costo, el diodo lser (para llamarlo por su nombre alternativo) se ha convertido en la fuente normal de las comunicaciones pticas y de aplicaciones de almacenamiento de alta densidad como el disco ptico. Para apreciar por completo su operacin, es necesario estudiar algo de los principios bsicos de los semiconductores, ya que se aplican a los diodos lser. El diodo lser. El primer diodo lser operacional consisti en un solo cristal de arseniuro de galio (GaAs), impurificado para formar una unin pn, y un potencial directo aplicado (figura 27). Se eligi el arseniuro de galio para en lugar de silicio debido a su banda prohibida directa. En materiales de banda prohibida directa, los electrones de conduccin pueden perder energa directamente por emisin de fotones. En materiales de banda prohibida indirecta, los electrones deben perder primero el exceso en cantidad de movimiento (mpetu) antes de emitir un fotn. Por consiguiente, los materiales de banda prohibida directa son mas eficientes para la produccin de luz.

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Figura 27.- Estructura de un diodo lser de homounin nica. A fin de crear una inversin de poblacin y mejorar la posibilidad de recombinacin se requieren altos niveles de impurificacin para asegurar que, en la regin de agotamiento, los estados llenos en la banda de conduccin estn directamente por encima de los estados vacos en la banda de valencia. Lo anterior se aplica solo a travs de una regin muy estrecha del rea de agotamiento, de aproximadamente 1nm de ancho, denominada capa activa. Para ganancia significativa, es necesaria alta densidad de corriente, del orden de varios cientos de amperes por milmetro cuadrado. El inicio del efecto lser se caracteriza por una corriente de inyeccin especifica denominada corriente umbral. Por debajo de ste umbral. (Iumbral), la emisin de luz es espontnea e incoherente. Los extremos del diodo estn hundidos y pulidos a fin de proporcionar la cavidad ptica. Los lados son speros, para impedir la prdida de luz. Los primeros lser tienen duraciones de slo unos cuntos cientos de horas y requieren enfriamiento a base de nitrgeno lquido para operacin eficiente. Las mejoras al funcionamiento de los diodos lser se presentaron con las modificaciones a la estructura sencilla de unin nica (homounin). Al rodear la capa activa con regiones de menor ndice de refraccin que la capa activa en s, la emisin lser fue confinada horizontalmente a esta estrecha regin de unin en la cual puede estimular mas fotones (figura 28). Este en un tipo de efecto de gua de ondas. Tales estructuras de heterounin nica (HU) pueden producir impulsos lser cortos con potencias pico bastante altas (hasta de unos cuantos watts) para corrientes de inyeccin en el intervalo de 1 a 40 amperes. Mejoras adicionales fueron posibles con el diodo de heterounin doble (HD). Al reducir mas la regin activa y emparedando una doble capa fue posible reducir las corrientes umbral a cientos de miliamperes y permitir operacin eficiente tanto en el modo por impulsos como en el modo continuo. Mejoras a la calidad del haz de salida fueron posibles con el lser de ndice guiado en el haz esta confinado tanto horizontal como verticalmente por capas de diferente ndice de refraccin. Los lser de ganancia guiada (o
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de banda) obtiene un comportamiento, semejante mediante la restriccin de del flujo de corriente a travs del diodo y por lo tanto de la emisin de luz, a una banda central. Las menores corrientes de inyeccin decenas de miliamperes, prolongan la vida de operacin. Compara esto con los pocos cientos de amperes necesarios para operar los diodos de homounin originales. Existen a disposicin diodos con un amplio intervalo de longitud de onda de emisin en el infrarrojo cercano, tpicamente 820nm, 850nm, 904nm, 1.3m, y 1.5m. Las diferentes longitudes de onda se obtienen mediante el empleo de un material semiconductor compuesto, como GaxAl1-xAs y haciendo variar la proporcin Ga:A1 de las concentraciones de impurificacin. Debido a que entre bandas anchas de energa ocurren transiciones pticas, el ancho de lnea de la luz emitida es mayor que para otros tipos de lser, y suele ser aproximadamente entre 5 y 10 nm. La pequea longitud de la cavidad ptica, del orden de los 500 m, aumenta la separacin del modo longitudinal hasta varios cientos de Giga hertz y, por consiguiente, disminuye las longitudes de coherencia hasta fracciones de milmetro. Debido a que la radiacin lser es emitida a partir de una delgada rea activa, la difraccin del haz origina divergencias ms altas. Adems, ya que el rea activa es varias veces ms ancha que su altura, la divergencia es mayor en el plano horizontal que en el plano vertical, originando un perfil espacial elptico. El perfil elptico vuelve ms engaoso el enfoque de un haz diodo lser que el de los perfiles circulares.

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Figura 28.- Estructuras de diodos lser

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Circuitos de activacin para diodo lser. Al disear circuitos de activacin para diodos lser debe tomarse en cuenta la baja resistencia del diodo cuando se opera con un voltaje directo a travs de l. Aqu la implicacin es que los diodos deben alimentares con una fuente de corriente, es decir, con una fuente que tenga alta resistencia interna. Tales condiciones pueden lograrse mediante la sustitucin del resistor de carga en un circuito de emisor comn completamente estabilizado por el diodo lser (figura 29). La corriente constante se obtiene al sustituir un diodo Zener en lugar de la resistencia, normalmente entre la base y tierra. La corriente a travs del diodo lser est dada por: ID = (VZ -VBE) / RE en donde Vz es el voltaje de ruptura del diodo Zener, VBE es el voltaje base-emisor y RE es la resistencia del emisor. Una disposicin alternativa es colocar el diodo en el emisor del circuito. Debido a que la corriente del emisor es determinada por el voltaje de la base, y por ello el voltaje Zener, esta disposicin ayuda a asegurarse en contra de variaciones del voltaje suministrado.

Figura 29.- Circuito de activacin para un diodo lser. El circuito de emisor comn completamente estabilizado tambin representa un punto de inicio idneo en caso de que el diodo vaya a ser activado en el modo por pulsos con la seal de modulacin acoplada capacitivamente a la base. El punto de operacin es determinado por la resistencia de emisor y por la cadena de polarizacin del potencimetro, R1 y R2 (figura 30) y debe elegirse a1rededor del punto medio de la caracterstica de salida potencia-corriente. En caso de que no se disponga de esta informacin, el punto de operacin debe elegirse a 1a mitad de 1a corriente umbral y la corriente directa pico.

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Figura 30.-Circuito de modulacin para un diodo lser.

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