Diapositiva 1

Para presentar los semiconductores, es til empezar revisando los conductores. Hay dos perspectivas desde las que se puede explorar la conduccin: 1) podemos centrarnos en los dispositivos y, por tanto, interesarnos en caractersticas del volumen de informacin (voltaje, resistencia, etc.), o 2) Podemos centrarnos en los materiales, tomando as un punto de vista microscpico, en trminos de campo elctrico, densidad de corriente, etc. Primero, consideraremos los materiales de los semiconductores, as que la segunda perspectiva es ms adecuada. Despus presentaremos dispositivos compuestos por semiconductores.

Diapositiva 2

Las propiedades elctricas CC de los materiales se pueden expresar en trminos de conductividad, que es lo contrario de resistividad y se expresa en Siemens (o mho/m). El grfico de la derecha muestra el rango de conductividades para materiales comunes. Aqu nos interesaremos principalmente en el silicio, que es muy mal conductor.

Diapositiva 3

Las propiedades de conduccin de un material puro se pueden relacionar directamente con la estructura de sus electrones. Como recordar de sus clases de qumica y fsica, la estructura del electrn se compone de una serie de niveles de energa que stos llenan sistemticamente. Un metal tiene una banda parcialmente llena de niveles de energa, lo que permite que los electrones se muevan libremente entre ellos y, por lo tanto, por todo el material. Un aislante tiene una banda completamente llena y, por lo tanto, una gran separacin energtica antes de la siguiente banda vaca ms baja. Los electrones slo se pueden mover si adquieren la energa necesaria para saltar hasta ese conjunto de niveles vacos. Cuanto mayor es la separacin energtica, ms difcil es que lo consigan y, por lo tanto, mejor es el aislante. Los semiconductores tienen bandas llenas, como los aislantes pero con una separacin de banda con los niveles vacos ms bajos relativamente pequea. As, algunos electrones pueden alcanzar la energa necesaria para tener movilidad. Por supuesto, la energa media de un electrn es una funcin de temperatura, y por lo tanto la conductividad es una funcin de temperatura.

Diapositiva 4

El silicio es un material excelente para su aplicacin como semiconductor. Al principio la conduccin es bastante baja para el silicio puro. No es cero, por lo comn se puede pensar en l como un conjunto de tomos con enlaces covalentes. Adems, se puede purificar mucho, para que cualquier impureza que se le aada intencionadamente pueda dominar fcilmente efectos no intencionados. Por ltimo, aunque el silicio puro es mal conductor, el dixido de silicio (cristal) es un excelente aislante. La mayor parte de las ventajas del uso del silicio estn vinculadas con el procesamiento extremadamente preciso que se ha desarrollado durante los ltimos 50 aos.

Diapositiva 5

La conductividad intrnseca del silicio se presenta en dos tipos: El movimiento de los electrones. Y el movimiento de los huecos (zonas vacas que aguardan un electrn). Como analoga, se puede pensar en los tomos como una fila de cubos, y en los electrones como pelotas metidas en ellos. Si hay muchos cubos vacos y slo unas pocas pelotas, se puede llevar un registro de la distribucin con slo apuntar la ubicacin de las pelotas. Por otra parte, si hay muchas pelotas y slo unos cuantos cubos vacos, ser ms eficaz tomar nota de qu cubos estn vacos que intentar llevar un registro de todas las pelotas. Sin embargo, en los dos casos son las pelotas las que se mueven. Ntese tambin que, dado que los electrones estn en movimiento, si no hay muchos huecos y se produce un movimiento aparente de uno de ellos, tendrn que moverse muchos electrones, por lo que no es de extraar que la movilidad de los huecos sea ms baja que la de los electrones. Es evidente que para comprender esto completamente es necesaria la mecnica cuntica, por lo que es mejor no fijar demasiado esta imagen, que slo se ha utilizado para explicar que el comportamiento es razonable.

Diapositiva 6

El verdadero poder del uso del silicio deriva del dopaje, que consiste en aadir pequeas cantidades de elementos que cambian drsticamente su conductividad. El silicio tiene cuatro electrones de valencia exteriores y por ello busca participar de cuatro enlaces covalentes. Dopando estos elementos que tienen ms o menos electrones de valencia, los electrones o los huecos (ausencia de electrones) sobrantes proporcionan un transportador para la conduccin. El fsforo y otros elementos del grupo V tienen cinco electrones de conduccin y por eso, cuando se aade al silicio como impureza introduce transportadores de electrones. Dichos materiales se conocen como "de tipo n", porque la mayora de los transportadores tienen carga negativa (un electrn).

Diapositiva 7

El boro y otros elementos del grupo III tienen slo electrones de valencia 3 y por ello, cuando se aaden al silicio introducen huecos (ausencia de electrn) transportadores. Estos elementos se llaman "de tipo p" porque el tipo de transportador efectivo parece estar cargado positivamente. Es importante reconocer que, aunque las impurezas aaden transportadores y por lo tanto varan de manera significativa la conductividad del material compuesto, no cambian la carga. Los dopantes se aaden como neutros y el material general permanece elctricamente neutro. Del mismo modo que un buen conductor (como, por ejemplo, el cobre) tambin es neutro.

Diapositiva 8

Desde el punto de vista de la fsica del estado slido, el efecto del dopaje consiste en introducir niveles de energa en la banda prohibida entre la banda de valencia llena del silicio y la banda de conduccin del nivel ms alto. Estos niveles donadores o aceptadores reducen de manera efectiva la banda prohibida y facilitan la conduccin. El trmino donador se debe a que en los materiales de tipo n cada tomo dopante dona un electrn. Del mismo modo, aceptador proviene del hecho de que en los materiales de tipo p cada tomo dopante acepta un electrn (o es un hueco).

Diapositiva 9

Este punto es pequeo, pero es necesario recordar que en los semiconductores dopados, es el transportador de impureza el que hace el trabajo. As, en materiales dopados de tipo n, se debe seguir a los electrones y en los materiales de tipo p, los huecos.

Diapositiva 10

Los puntos que se deben recordar son: La conductividad es una funcin de la concentracin del dopante. Los materiales dopados tienen ms o menos la conductividad del grafito (buenos conductores, ms o menos como una resistencia de valor bajo). Los materiales de tipo n y de tipo p tienen diferentes conductividades. Incluso en materiales fuertemente dopados, la proporcin del dopante se encuentra a niveles de partes por milln.

Diapositiva 11

Lo interesante de los semiconductores es cmo se comportan cuando se juntan dos o ms. Por si mismo, un semiconductor dopado no es ms que una resistencia elctrica y hay modos mucho ms fciles de crear una resistencia. El dispositivo que aparece arriba a la izquierda es una unin PN (un material dopado P se coloca junto a un material dopado N). As se forma un diodo. En la esquina inferior izquierda aparece la configuracin de los dopantes: cmo estaran los electrones y los huecos si se colocasen ambos materiales uno junto a otro, pero sin tocarse. Cuando se forma una unin PN, las cargas y los huecos que se encuentran en la interaccin se combinan y se aniquilan. Esto crea una zona de agotamiento alrededor de la unin en la que hay una falta neta de transportes. De nuevo, ntese que, dado que un electrn negativo se aniquila con un hueco positivo, la estructura de la red permanece neutral. La aniquilacin de transportes libera energa, lo que se puede utilizar para generar fotones de luz (como en el caso de los diodos electroluminiscentes o LED) y la luz tambin se puede utilizar para crear transportadores, como en el caso de los fotodiodos y los fototransistores. Esto se presentar ms adelante.

Diapositiva 12

La falta de transportes de carga en la interaccin de una unin PN significa que hay una separacin de carga en la unin (dado que los dopantes no se ven afectados en modo alguno por la aniquilacin de transportadores). La separacin de la carga introduce un campo elctrico a travs de la unin y este voltaje a. Ntese que, aunque hay una separacin de carga, no hay exceso de carga, por lo que el dispositivo es elctricamente neutro. El rea de un campo elctrico (o separacin de carga) se llama zona de agotamiento porque la aniquilacin de transportadores de carga crea en una zona en la unin en la que no hay transportadores. En dispositivos de silicio, la separacin de carga produce un voltaje de 0.7 V a travs de la interaccin. Este es el origen del voltaje necesario para encender un diodo. En los semiconductores de germanio, la separacin de la carga produce un voltaje de unin pequeo (0.2 V).

Diapositiva 13

La esencia de la accin de una unin PN polarizada directamente es que se pueden inyectar transportadores mayoritarios. As, a una unin PN con un voltaje positivo que la atraviesa se le inyectan electrones en la regin n y huecos en la regin p, por lo que, si el voltaje que cruza el dispositivo es suficiente para superar el voltaje de la unin, la corriente fluir. Cuando la polarizacin de una unin PN es directa, la corriente de difusin es mucho mayor que la corriente minoritaria, que se puede ignorar.

Diapositiva 14

En el caso de la polarizacin inversa, la unin pasa a estar an ms agotada de transportadores y la corriente importante es la corriente transportadora minoritaria (o corriente inversa de saturacin), que es pequea en comparacin con la corriente directa del caso de polarizacin directa, pero que hay que tenerla en mente para algunas aplicaciones. La corriente portadora minoritaria no se ve influenciada por el voltaje que atraviesa la unin, y es una mera propiedad del material. En el silicio es baja y en el germanio es de alrededor microamperio. Esta es la principal razn por al que el silicio se encuentra ms en diodos y transistores.

Diapositiva 15

Aqu ofrecemos una aproximacin sencilla a la corriente e un diodo de silicio. Los puntos ms importantes son: La curva IV depende de la temperatura. La corriente depende del voltaje exponencialmente.

Diapositiva 16

Cada dispositivo tiene unas caractersticas definitorias que la industria ha encontrado tiles al describirlas. Incluso en dispositivos tan sencillos como los diodos hay cientos de tipos que se han diseado especficamente para: Conmutacin Rectificacin Potencia Alta frecuencia Baja dispersin Normalmente, al elegir un diodo hay que conocer las tasas mximas de voltaje y corriente Adems, los diodos tienen una capacidad significativa, que se debe incluir en los diseos de alta frecuencia.

Diapositiva 17

La ficha tcnica de un diodo de uso general normal, obtenida en la pgina web de Fairchild, un buen lugar para encontrar fichas tcnicas. Todas las fichas tcnicas comienzan mostrando las distintas versiones del dispositivo y a continuacin, las tasas mximas seguidas de las especificaciones y, a veces, configuraciones de prueba.

Diapositiva 18

Diapositiva 19

Un problema que considerar para la seccin de repaso. Si un ohmmetro es suficiente para probar la funcin de un diodo, por qu muchos multmetros tienen configuraciones separadas para los diodos?

Diapositiva 20

Diapositiva 21

Problema para considerar en la clase de repaso. Con la separacin de carga que la atraviesa, la unin de un diodo parece un condensador cargado. Hemos visto que al puentear un condensador cargado, este suministra una gran fuente de energa:ocurre igual con un diodo? En otras palabras: si se puentea un diodo fluye la corriente?

Diapositiva 22

Diapositiva 23

Diapositiva 24

Diapositiva 25

Diapositiva 26

Diapositiva 27

Diapositiva 28

Diapositiva 29

Diapositiva 30

Diapositiva 31

Diapositiva 32

Diapositiva 33

Diapositiva 34

Diapositiva 35

Diapositiva 36