ESPEL, Capilla, Prdidas en los Semiconductores

PRDIDAS EN LOS SEMICONDUCTORES

Carlos Alberto Capilla Falcn
e-mail: carlos.1_5@hotmail.com RESUMEN: Los elementos rectificadores son sensibles a las sobretensiones transitorias que aparecen durante las conmutaciones, por lo que se han desarrollado circuitos electrnicos capaces de evitar el crecimiento muy rpido de la tensin en la juntura, y adems producir una mejora en el reparto de la tensin aplicada sobre elementos conectados en serie, teniendo en cuenta la dispersin de sus caractersticas internas. Debido a sus tiempos en transicin de estados de conmutacin los dispositivos producen prdidas, las cuales debido al estado en que se encuentren pueden considerarse despreciables. Adems estos dispositivos al estar sometidos a condiciones no ideales de trabajo, requieren tomarse debidas precauciones en el montaje y manipulacin del mismo.
PALABRAS CLAVE: Prdidas Estticas, Prdidas Dinmicas, Precauciones, Semiconductores de Potencia, Transistores,

3.1 PRDIDAS DINMICAS

Al producirse el paso de ON a OFF y viceversa en tiempo finito se producen situaciones simultaneas donde se obtiene valores altos de potencia U y corriente I.

1 INTRODUCCIN
Los semiconductores de potencia se han desarrollado durante las ltimas dcadas a una amplia gama de aplicaciones, debido a ello ha sido ineludible el continuo y vertiginoso desarrollo en la tecnologa de los semiconductores. Estos dispositivos han puesto en marcha una revolucin tranquila, en la cual estn perfeccionando soluciones electromecnicas mediante la adicin de la electrnica de potencia, o incluso sustituidas por completo por sistemas electrnicos de potencia.

2 PRDIDAS EN SEMICONDUCTORES

LOS

Figura 1: Prdidas en dispositivos de conmutacin En la Figura 1 se representa la evolucin de tensin e intensidad en un dispositivo al conmutar entre OFF y ON, viceversa y la potencia de prdidas asociada. Las prdidas debidas a la conmutacin son las ms elevadas en magnitud durante el tiempo de conmutacin, la prdida en conduccin es sustancialmente mayor que la prdida en bloqueo. Un modelo sencillo que permite estimar las prdidas en un dispositivo trabajando en conmutacin a frecuencia , con tiempos de conmutacin dados, tiempos de permanencia en On Ton, frecuencia de conmutacin f, tensin de estado off o trabajo U, cada de potencial interna en estado ON, Uon corriente de conduccin en ON o trabajo I y resistencia en estado ON, Ron es el dado por:  El factor a depende de las condiciones de conmutacin y del dispositivo y puede variar entre 2 y 6, siendo 2 un valor adecuado para estimaciones. Como puede observarse para reducir prdidas son deseables valores reducidos de cada de tensin y resistencia en conduccin, por una parte, y del tiempo de conmutacin ts por otra.

Un aspecto fundamental en el diseo de convertidores es la minimizacin de las prdidas de energa. Las prdidas en los dispositivos activos como transistores se pueden clasificar en: y y Estticas Dinmicas

3 PRDIDAS ESTTICAS
En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una cada de tensin directa o umbral Ud y una resistencia directa Rd. Las prdidas para una corriente Id pueden ser considerables y son:  En estado OFF se presenta una corriente de fuga Ii(valor que se puede tomar como cero en la mayora de los casos) y el dispositivo bloque una diferencia de potencial dada Ui, la prdida fundamental es el producto Ui.Ii si bien en la mayora de los dispositivos es de magnitud muy inferior a la prdida en estado ON y puede ser despreciada.

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Las prdidas en bloqueo se consideran despreciables. La frecuencia de trabajo se fija por un compromiso entre las ventajas que aporta una alta frecuencia en la reduccin de tamao y peso de componentes pasivos y el aumento de prdidas de conmutacin que provoca.

4.8 Colocar dos diodos y los transistores al final del

montaje. Pueden usarlos si son de buena calidad, que aseguren la sujecin firme de los terminales.

4.9 La soldadura deber realizarse despus de haber

efectuado un adecuado "cortocircuito trmico", para una suficiente disipacin del calor aplicado durante la soldadura. Estos cortocircuitos trmicos se realizarn tomando la patita a soldar entre las puntas de un par de pinzas metlicas a una distancia a mitad de camino entre el punto de aplicacin de la soldadura y la masa del transistor.

4 CUIDADOS Y PRECAUCIONES EN EL MANEJO DE TRANSISTORES.

4.1 En los transistores FET como consecuencia directa
de la alta impedancia, se debe tener cuidados especiales, debido a que algunas referencias se daan por cargas estticas, en donde una mnima carga esttica que circule por estas altas impedancias pueden dar origen a voltajes peligrosos. Por tal motivo, cuando nuevos traen sus terminales en cortocircuito mediante una espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe quitar hasta que estn soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.

4.10 La probabilidad de daos durante el proceso de

soldadura. es mucho ms notable en el caso de los componentes del tipo miniatura. Por ejemplo, si un resistor de composicin pequeo es soldado, a un circuito utilizando un soldador adecuado, pero dejando una longitud de menos de 1.5 cm para las patitas del componente, el valor de resistencia elctrica cambiar en ms del 20 por ciento, o sea en ms del valor mximo de tolerancia de fabricacin.

4.2 Una medida de proteccin para la sensibilidad a las

cargas estticas, es colocando diodos en inversa conectados a masa y a la alimentacin, que adems de brindar proteccin al dispositivo, reducen los transitorios.

5 CONCLUSIONES:
y Los dispositivos semiconductores poseen ventajas, pero al establecerse enfocados en unos parmetros pueden generar prdidas en otros aspectos como lo son los tiempos de conmutacin. Las corrientes de fuga producida en los procesos de conmutacin, es la principal causa de prdidas en semiconductores Las prdidas en los semiconductores pueden generarse tanto en estado de bloqueo como en funcionamiento. En los transistores se deben tomar precauciones, debido a su susceptibilidad a las cargas estticas, las cuales pueden daar referencias en el dispositivo y generar un mal funcionamiento. En el montaje de los transistores, se debe tomar en cuenta la temperatura mxima que soporta el dispositivo, por lo cual se recomienda utilizar soldadores de baja potencia durante el acoplamiento.

4.3 No deben emplearse los soldadores de gran

potencia, sino utilizar modelos de 40V de consumo como mximo. Sin embargo, pueden utilizarse soldadores de mayor potencia si los transistores se introducen en el circuito al final del armado, pero entonces habr que manipular el soldador indicado cuando se coloquen los dispositivos semiconductores en el circuito elctrico. y

4.4 La punta de cobre del soldador deber ser de

tamao muy fino, con el fin de concentrar la temperatura en la zona de trabajo y no correr el riesgo de daar los componentes contiguos, debido a que estos circuitos estn generalmente muy prximos entre s.

4.5 No es recomendable la utilizacin de soldadores del

tipo de calentamiento instantneo, dado que contienen en su interior un transformador de alimentacin que genera un campo magntico alterno a su alrededor, susceptible de afectar el funcionamiento del transistor.

6 REFERENCIAS:
[1]Rashid, H., (1995). Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Mxico: PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A. [2]http://personal.telefonica.terra.es/web/jqc/C6-0607-r01.pdf [3]Klein P.T, Elements of Power Electronics Oxford University Press, 1998 [4]http://construyasuvideorockola.com/recomend3.php [5]http://www.revolucionesindustriales.com/electronica/reparacio n/transistores.html

4.6 Antes de soldar, habr que limpiar bien las

superficies metlicas que se van a enfrentar; luego, habr que realizar una cuidadosa sujecin mecnica de la terminal del transistor.

4.7 Se recomienda la utilizacin de aleacin soldante

formada por 60 % de estao y 40 % de plomo, dado que es la que tiene el punto de fusin ms bajo.