Master Gnie des Matriaux, nergtique et Environnement

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historique Introduction: Description de Transistor MOS Fabrication dun transistor MOS Transistor MOS dans une technologie CMOS fonctionnement avantage

HISTORIQUE
En 1930, L. Lilienfeld de l'Universit de Leipzig dpose un brevet dans lequel il dcrit un lment qui ressemble au transistor MOS (Mtal Oxyde Semi-conducteur) actuel. Aujourd'hui le transistor MOS constitue, par sa simplicit de fabrication et ses petites dimensions, l'lment fondamental des circuits intgrs numriques large chelle (Complementary MOS), qui, elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intgrs

introduction
Le transistor MOS est un transistor effet de champ constitu d'un substrat semi-conducteur recouvert d'une couche d'oxyde sur laquelle est dpose l'lectrode de grille Les transistors MOS comporte deux types : le transistor MOS de type n ou simplement transistor nMOS et le transistor MOS de type p ou simplement transistor pMOS Lappellation MOS des transistors en question dcoule de leur abrviation anglaise MOSFET qui dsigne la fois la structure et le fonctionnement du dispositif: metal-oxyde-semiconductor field-effecttransistor

Description de Transistor MOS

La polarisation positive de la grille cre un "effet de champ" qui provoque une accumulation de charges ngatives (lectrons ) sous cette lectrode. Cela va former un canal "invers" de type N dans la zone P. Les lectrons concentrs sous la grille vont assurer la conduction entre la source et le drain. Dans un semi-conducteur dop P sont crs deux zones dops N. Une mtallisation est cres sur chacun constituant ainsi les broches appeles respectivement Drain et Source. Une troisime broche est cre, la Grille qui sera spare du semis conducteur par une couche isolante d'oxyde de silicium (SiO2

Description de Transistor MOS

Si nous polarisons ce cristal par une tension VGS positive, nous allons voir apparatre en regard de la mtallisation de grille des charges ngatives Ceci crera un canal de type N reliant le Drain la Source. De ce fait un courant lectrique pourra circuler du drain vers la source

Description de Transistor MOS

Si nous polarisons ce cristal par une tension VGS ngative, nous allons voir apparatre en regard de la mtallisation de grille des charges positives. Celles-ci vont renforcer le caractre P du cristal. La diode en inverse cre par la jonction PN entre le Drain et la Source empche la circulation d'un courant. Le transistor est bloqu. La largeur du canal sera contrl par la tension VGS . Plus celle-ci sera grande, plus le canal sera large, et donc plus le courant traversant le transistor pourra tre important.

Silicium P

Oxydation de champ

Oxyde

Silicium P

Masque 1 : Oxyde de grille

Silicium P

Gravure, oxydation de grille

Silicium P

Dpt de Mtal Mtal

Silicium P

Masque 2 : Grille

Silicium P

Attaque mtal et oxyde

Mtal

Silicium P

P P

P P P P

Implantation P P Rcuit
P

P P P

Mtal

Silicium P

Implantation Rcuit Mtal

P P

n+

n+

Silicium P

Mtal

n+

Zone disolation

n+

Silicium P

Dpt Mtallique Masque 3 : interconnexion

Mtal

n+

Zone disolation

n+

Silicium P

La figure suivant illustre la structure du transistor MOS dans une technologie CMOS((Complementary Metal Oxide Semiconductor, semi-conducteur mtal-oxyde complmentaire)

Coupe transistor et contacts

Coupe transistor MOS

Interconnexions mtalliques

La tension de la grille contrle le courant entre source et drain

 Cot technologique

Surface rduite Structure trs simple (plus de milliards transistors sur 1 puce) Isolation naturelle Composants vis--vis des composants voisins, Limitation du nombre d'tapes de fabrication

 Cot de conception:

Structure trs simple

Cot d'exploitation:

Consommation trs faible - En particulier pour les circuits CMOS

divers

Trs haute impdance d'entre. Possibilit de raliser des fonctions complexes - Moins de composants que les bipolaires - Exemple : les mmoires dynamiques

Dans cette exposer nous avons dfinie un transistor MOS, leur constituants ,ca fabrication ainsi que leur fonctionnement. La technologie de fabrication de transistor MOS est lun des technologie les plus important dans notre monde surtout dans la tlcommunication