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2.

TRANSISTOR MOSFET

2.1 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

2.1.1 INTRODUCCIÓN

A diferencia de un JFET, en el MOSFET de enriquecimiento inicialmente no existe


canal, por lo cual debe ser inducido mediante un campo eléctrico originado por la
tensión VGS aplicada.

Vamos a describir la estructura, funcionamiento y relación corriente/tensión de un


MOSFET de enriquecimiento de canal n MOSFET de enriquecimiento de canal n
(NMOS de enriquecimiento).

2.1.2 ESTRUCTURA

En la figura puede observarse su representación unidimensional y símbolo de circuito.

A continuación, vamos a realizar un análisis cualitativo del proceso de creación del


canal de conducción de corriente para distintos valores de VGS.

• VGS = 0
En ausencia de tensión aplicada a la puerta, no existe canal entre la fuente y
el drenador.

• VGS > 0
Los h+ son repelidos de la interfaz oxido-semiconductor dando lugar a una
zona de deplexión entre la fuente y el drenador cargada negativamente. La
anchura de esta zona será tanto mayor cuanto mayor sea la VGS aplicada. A
este respecto, existirá una VGS para la cual los e- que se han ido acumulando
en la interfaz oxido-semiconductor lleguen a ser tantos como el número de
impurezas aceptadoras, induciéndose un canal entre la fuente y el drenador.
La tensión a la que tiene lugar este fenómeno se denomina tensión umbral
VT.

• VGS > VT (VT >0)


Todo aumento posterior de la VGS por encima de la VT se traduce en un
aumento en la concentración de electrones en la zona de deplexión, la cual se
denomina “capa de inversión”.

En un MOSFET de enriquecimiento de canal n:


• VDS > 0
• VGS > VT > 0
• ID > 0 (entrante)
• IS < 0 (saliente)
Puesto que IG ≈ 0  ID ≈ -IS

Para un MOSFET de enriquecimiento de canal p (PMOS de enriquecimiento) basta con


cambiar el sentido de las inecuaciones.

2.1.3 FUNCIONAMIENTO

A continuación, vamos a realizar un análisis cualitativo del funcionamiento del


MOSFET de enriquecimiento de canal n para distintos valores de VGS y VDS.

• VGS < VT (VT >0)


En ausencia de tensión aplicada a la puerta, no existe canal entre la fuente y
el drenador, por lo que no hay circulación de corriente entre dichos
terminales cualquiera que sea la tensión VDS aplicada. CORTE

• VGS ≥ VT (VT >0)


Existe un canal (capa de inversión) de tipo n.

o VDS = 0  ID = 0 (figura 2a y pto. 0 de la figura 3). CORTE.

o VDS pequeñas  Empezará a circular una corriente ID que será pequeña.


La caída de tensión producida por ID a lo largo del canal también será
pequeña. En estas condiciones, ID α VDS, siendo la constante de
proporcionalidad la conductancia del canal (región comprendida entre el
pto. 0 y el pto. A de la figura 3). Por lo tanto, el canal de tipo n actúa
como una resistencia. ZONA ÓHMICA (REGIÓN LINEAL).

o VDS moderadas  La corriente ID aumenta. La caída óhmica de tensión a


lo largo del canal será apreciable, de manera que la zona próxima al
drenador de encuentra a mayor tensión que la zona próxima a la fuente.
Por lo tanto, la diferencia de tensión entre la puerta y la fuente no será
VGS, sino que será menor. Como consecuencia de esto, en la zona
próxima al drenador el canal se contrae (figura 2b y la región
comprendida entre el pto. A y el pto. B). Esto significa que la resistencia
del canal está aumentando y por ello la característica ID/VDS suaviza su
pendiente. ZONA ÓHMICA (REGIÓN GRADUAL).

o VDS = VDS,sat  Si seguimos aumentando VDS, llegará un momento en el


que el canal se haya contraido por completo en las proximidades del
drenador y, por lo tanto, la conexión entre la fuente y el drenador
desaparece: se dice que el canal se ha estrangulado (figura 2c). La
tensión VDS a la que se produce este fenómeno se denomina tensión de
drenador de saturación VDS,sat. En este caso, la pendiente de la
característica ID/VDS se hace cero (pto. B de la figura 3). SATURACIÓN

o VDS > VDS,sat  la porción estrangulada del canal avanza un poco hacia la
fuente (figura 2d) y la característica ID/VDS se satura, es decir, ID
permanece aproximadamente constante e igual al valor ID,sat (a partir del
pto. B de la figura 3). SATURACIÓN.

2.1.4 RELACIÓN CORRIENTE/TENSIÓN

ZONA ÓHMICA

[
I D = K ⋅ 2 ⋅ (VGS − VT ) ⋅ VDS − VDS
2
]
Comprobación: VGS − VDS > VT

El MOSFET trabajando en la zona óhmica actúa como una VDR: una resistencia
controlada por la tensión VGS.

ZONA DE SATURACIÓN

I D = K ⋅ (VGS − VT )
2

Comprobación: VGS − VDS < VT

Tal y como indica la ecuación, en la zona de saturación la corriente ID es independiente


del valor de VDS, actuando el transistor como una fuente de corriente constante
controlada por la tensión VGS.

LÍMITE ENTRE LA ZONA ÓHMICA Y LA DE SATURACIÓN

En el límite entre la zona óhmica y la de saturación se cumple que: VGS − VDS = VT

Por lo tanto, en la ecuación general nos queda la ecuación de la parábola frontera entre
las dos zonas:
2
I D = K ⋅ VDS
2.2 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

2.1.1 INTRODUCCIÓN

A diferencia de un MOSFET de enriquecimiento, en el MOSFET de empobrecimiento


inicialmente sí existe canal.

Dado que en un JFET también existe canal inicialmente, se suele considerar que los
JFET trabajan en modo empobrecimiento.

Vamos a describir la estructura, funcionamiento y relación corriente/tensión de un


MOSFET de empobrecimiento de canal n (NMOS de empobrecimiento).

2.1.2 ESTRUCTURA

En la figura puede observarse su representación unidimensional y símbolo de circuito.

A continuación, vamos a realizar un análisis cualitativo del mecanismo de modulación


del canal de conducción de corriente para distintos valores de VGS.

• VGS = 0
En ausencia de tensión aplicada a la puerta, existe un canal entre la fuente y
el drenador, difundido en el proceso de fabricación del transistor.

• VGS > 0
Los h+ son repelidos de la interfaz oxido-semiconductor, por lo que crece la
zona de deplexión entre la fuente y el drenador, es decir, aumenta de manera
uniforme la anchura del canal entre fuente y drenador. La anchura de esta
zona será tanto mayor cuanto mayor sea la VGS aplicada.

• VGS < 0
Los h+ son atraídos a la interfaz oxido-semiconductor, por lo que se reduce la
zona de deplexión entre la fuente y el drenador, es decir, disminuye de
manera uniforme la anchura del canal entre fuente y drenador. La anchura de
esta zona será tanto menor cuanto menor sea la VGS aplicada.

• VGS = VT (VT <0)


El canal se encuentra estrangulado de manera uniforme entre la fuente y el
drenador.

En un MOSFET de empobrecimiento de canal n:


• VDS > 0
• VGS > VT siendo VT < 0
• ID > 0 (entrante)
• IS < 0 (saliente)
Puesto que IG ≈ 0  ID ≈ -IS

Para un MOSFET de empobrecimiento o de canal p (PMOS de empobrecimiento) basta


con cambiar el sentido de las inecuaciones.

2.1.3 FUNCIONAMIENTO

A continuación, vamos a realizar un análisis cualitativo del funcionamiento del


MOSFET de empobrecimiento de canal n para distintos valores de VGS y VDS.

• VGS < VT (VT < 0)


El canal se encuentra estrangulado de manera uniforme entre la fuente y el
drenador, esto es, no existe canal entre la fuente y el drenador, por lo que no
hay circulación de corriente entre dichos terminales cualquiera que sea la
tensión VDS aplicada. CORTE

• VGS > VT (VT < 0 y VGS < 0 ó VGS > 0)


Existe un canal (capa de inversión) de tipo n.

o VDS = 0  ID = 0. CORTE.

o VDS pequeñas  Empezará a circular una corriente ID que será pequeña.


La caída de tensión producida por ID a lo largo del canal también será
pequeña. En estas condiciones, ID α VDS, siendo la constante de
proporcionalidad la conductancia del canal. Por lo tanto, el canal de tipo
n actúa como una resistencia. ZONA ÓHMICA (REGIÓN LINEAL).

o VDS moderadas  La corriente ID aumenta. La caída óhmica de tensión a


lo largo del canal será apreciable, de manera que la zona próxima al
drenador de encuentra a mayor tensión que la zona próxima a la fuente.
Por lo tanto, la diferencia de tensión entre la puerta y la fuente no será
VGS, sino que será menor. Como consecuencia de esto, en la zona
próxima al drenador el canal se contrae. Esto significa que la resistencia
del canal está aumentando y por ello la característica ID/VDS suaviza su
pendiente. ZONA ÓHMICA (REGIÓN GRADUAL).

o VDS = VDS,sat  Si seguimos aumentando VDS, llegará un momento en el


que el canal se haya contraido por completo en las proximidades del
drenador y, por lo tanto, la conexión entre la fuente y el drenador
desaparece: se dice que el canal se ha estrangulado. La tensión VDS a la
que se produce este fenómeno se denomina tensión de drenador de
saturación VDS,sat. En este caso, la pendiente de la característica ID/VDS se
hace cero (pto. B de la figura 3). SATURACIÓN

o VDS > VDS,sat  la porción estrangulada del canal avanza un poco hacia la
fuente (figura 2d) y la característica ID/VDS se satura, es decir, ID
permanece aproximadamente constante e igual al valor ID,sat.
SATURACIÓN.

2.1.4 RELACIÓN CORRIENTE/TENSIÓN

ZONA ÓHMICA

  V  VDS  VDS  
2

I D = I DS ⋅ 2 ⋅ 1 − GS  ⋅ −   
  VT  − VT  VT  

Comprobación:
VGS + VDS < VT modo empobrecimiento
VGS − VDS > VT modo enriquecimiento

El MOSFET trabajando en la zona óhmica actúa como una VDR: una resistencia
controlada por la tensión VGS.

ZONA DE SATURACIÓN

2
 V 
I D = I DS ⋅ 1 − GS 
 VT 

Comprobación:
VGS + VDS > VT modo empobrecimiento
VGS − VDS < VT modo enriquecimiento

Tal y como indica la ecuación, en la zona de saturación la corriente ID es independiente


del valor de VDS, actuando el transistor como una fuente de corriente constante
controlada por la tensión VGS.