Spectromtrie gamma fine

I - Introduction La spectromtrie gamma fine a pour but de mesurer lmission de photons gamma dans le domaine de 20 keV 10 MeV, avec une rsolution en nergie suffisante pour permettre lobservation de structures particulires dans le spectre en nergie (ex. raies spectrales ou formes spcifiques de continuum). Cest dans ce domaine en nergie que sont mis les photons de dsexcitation des noyaux datomes. De la mme faon que les transitions atomiques entre les niveaux d'nergie des lectrons donnent naissance des raies spectrales caractristiques de l'lment impliqu, dans les domaines optique et ultraviolet, les transitions nuclaires entre les niveaux d'nergie d'un noyau excit donnent naissance des raies spectrales des nergies de quelques dizaines de keV quelques MeV qui permettent d'identifier le noyau metteur. Les dtecteurs gamma qui ont la meilleure rsolution en nergie pour raliser les mesures spectroscopique les plus prcises sont des semi-conducteurs en germanium (Ge). Ils ont une rsolution en nergie de lordre de 0.2%. Le principe de fonctionnement dun dtecteur Ge est dcrit dans la section III.

II - Les processus d'interaction / matire Les photons , particules neutres, ne peuvent tre dtects que si ils interagissent avec la matire dun dtecteur en cdant tout ou partie de leur nergie un ou plusieurs lectrons du milieu. Le type d'interaction dpend du matriau travers et de lnergie du photon incident. Il peut se produire trois processus dinteraction dont loccurrence est rgie par des lois statistiques :

- Effet photolectrique : absorption totale du photon Lors d'un effet photolectrique, le photon initial disparat. Un lectron est ject d'une des couches lectroniques de l'atome. Cet lectron est souvent ject depuis la couche K de

l'atome, la plus profonde. Il emporte une nergie cintique Ee- qui est gale l'nergie du photon incident (E) diminue de l'nergie de liaison de l'lectron sur sa couche (EK). L'atome se retrouve ionis et le rarrangement lectronique instantan provoque soit un rayonnement X de fluorescence caractristique de l'atome (qui est gnralement absorb dans le Ge), soit, plus rarement, une mission d'un lectron Auger. Etat initial : un photon d'nergie E. Etat final : un lectron d'nergie cintique Ee- = E - EK, un photon X d'nergie EK.

Atome

X e-

Figure 4 : Schma de l'interaction photolectrique

- Effet Compton : choc lastique sur un lectron du cortge lectronique de l'atome. Lors d'une interaction Compton, le photon incident d'nergie E perd une partie de son nergie qui est transfre un des lectrons de l'atome. Le plus souvent, cette interaction se produit avec les lectrons des couches externes de l'atome (les moins lis) car ils sont les plus nombreux. On considre donc ces lectrons comme libres et initialement au repos.

Atome

'
Figure 5 : Schma de l'interaction Compton

Etat initial :

un photon d'nergie E , un lectron libre au repos.

Etat final :

un photon ' d'nergie E ' =

1+ (1 cos( )) (1 cos( )) . un lectron d'nergie Ee = E E ' = E 1+ (1 cos( ))

avec

= E m0 c 2

D'aprs ces relations, selon l'angle de diffusion, l'nergie transfre l'lectron peut prendre toutes les valeurs entre :

Ee = 0 2 Ee = Ec = E 1+ 2

pour une diffusion rasante (=0) et pour un choc frontal (=).

Dans ce dernier cas on dit que le photon "rtrodiffuse" et l'nergie maximale Ec sera appele "nergie de front Compton" dans le spectre obtenu. La section efficace de diffusion un angle est donn par la formule de Klein-Nishina (voir le TP sur l'effet Compton).

- Cration de paire : matrialisation du photon dans le champ d'un noyau en une paire lectron-positron. Le processus de cration de paire est compliqu par le fait que le positron n'est pas une particule stable. Une fois ralenti dans le matriau par collisions multiples, il va s'annihiler avec un lectron, son antiparticule, pour produire deux photons d'annihilation de 511 keV 180 l'un de l'autre. Le temps requis pour ralentir et annihiler ces positrons est court et les deux photons de 511 keV apparaissent en quasi concidence avec la matrialisation.

Atome

e e
-

Figure 6 : Schma de la cration de paire

Etat initial : Etat final :

un photon d'nergie E un lectron et un positron d'nergie cintique totale : E + E + = E 2m0c 2

e e

La cration de paires ne pourra donc avoir lieu que si E 2m0c . Remarque : dans cette formule on nglige l'nergie de recul prise par le noyau. Les trois types d'interaction dcrits peuvent se produire dans les dtecteur Ge utilis pour dtecter les photons . Seule la cration de paire possde un seuil en nergie et ne peut se produire que pour des photons dnergie suprieure deux fois l'nergie de masse d'un lectron (2 x 0.511 MeV =1.022 MeV). Limportance relative de ces trois types dinteractions dpend de la nature du dtecteur employ et de l'nergie du rayonnement .

- Influence de lenvironnement de lexprience Les photons des sources radioactives sont mis dans tout lespace. Ils peuvent induire dans leur environnement des effets qui seront mesurs en mme temps que le spectre direct de la source. Lorsque l'on ralise une exprience de spectromtrie , on tente de minimiser ces effets en loignant au maximum tout matriaux du dtecteur. Deux effets principaux se produisent :

a - Fluorescence des lments lourds entourant l'exprience Si dans l'environnement immdiat de l'exprience on trouve des lments lourds (Plomb, Cuivre, etc..) ceux-ci seront irradis par la source. Les interactions photolectrique qui ne vont pas manquer de se produire dans ces matriaux lourds vont engendrer un rayonnement de fluorescence X des nergies caractristiques (73 keV par exemple pour le Plomb). Ces photons X peuvent alors tomber dans le dtecteur provoquant des pics parasites. b - Rtrodiffusion dans l'environnement Les photons de la source peuvent interagir dans les matriaux entourant lexprience ou dans le support de source en subissant une diffusion Compton. Si le photon produit est correctement dirig, il peut ensuite tomber dans le dtecteur o il est absorb.

Or, si l'on reprsente l'nergie de ces photons diffuss en fonction de l'angle de diffusion (voir figure 7) on constate que, quelle que soit l'nergie du photon incident et pour une grande gamme d'angle de diffusion (au del de 120 environ), ces photons diffuss par l'environnement auront tous une nergie trs proche de l'nergie de rtrodiffusion 180.

1600

Energie du photon diffus (keV)

1.5 MeV

1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0 50 100 150 750 keV E = 500 keV 1 MeV

Angle de diffusion (degrs)

Figure 7 : Energie du photon diffus en fonction de l'angle de diffusion pour des nergie incidentes de 500, 750, 1000 et 1500 keV

III Les dtecteurs germanium (Ge). Le principe de la dtection des photons par un dtecteur Ge est schmatis sur la figure 8. Un photon cde une partie ou la totalit de son nergie un ou des lectrons du Ge par effet photolectrique ( + Ge Ge+ + e-), diffusion Compton ( + e- + e-) ou cration de paire e-e+ ( + Ge Ge + e+ + e-, si lnergie du photon est suprieure 2 mec2 = 1022 keV). Les lectrons vont par collisions crer des paires lectrons-trous dans le semi-conducteur. La quantit de charges obtenues est proportionnelle lnergie dpose par le photon.

+ h + h ee-

e-

e-

+HV
Figure 8: Description du principe de dtection des photons dans un dtecteur Ge. Dans ce cas, le photons fait dabord une diffusion Compton puis un effet photolectrique. Les h+ dsignent les trous produits par les lectrons issus des interactions du photon incident. Les charges sont rapidement collectes sur une capacit qui se dcharge travers une rsistance. La tension aux bornes de la rsistance produit donc une impulsion dont lintgrale est proportionnelle lnergie dpose par le photon. Ce signal est ensuite amplifie et mise en forme pour obtenir une impulsion dont la hauteur est proportionnelle lnergie dpose par le photon (voir figure 9). La hauteur de cette impulsion est ensuite convertie en valeur numrique appele numro de canal. On construit ainsi le spectre en comptant le nombre dvnements dans chaque canal. Pour avoir la rsolution en nergie la plus fine possible, il est indispensable de refroidir les dtecteurs Ge des tempratures infrieures ou de lordre de 100 K.

IV - Dispositif exprimental. Reprez les diffrents lments et les connexions de la chane dacquisition sur la table et sur la figure 9. Lentre du pramplificateur du dtecteur Ge est branche son alimentation. La sortie du pramplificateur (note E sur le botier) est connecte un tiroir damplification et de mise en forme de limpulsion. La sortie de lamplificateur est envoye sur une carte dacquisition qui convertit la hauteur de limpulsion en valeur numrique (numro de canal). Cette carte, pilote par lordinateur, compte le nombre dvnements dans chaque canal.

Figure 9: Schma de lexprience. Les traits gras reprsentent les alimentations. Oscilloscope

HT Diode Ge dans sa capsule

Amplificateur

Botier pramp. PC avec carte dacquisition

V - Procdures exprimentales et analyse des rsultats. - Rglage de la chane et calibration en nergie. Pour la calibration en nergie, utiliser la source de 57Co (raies 122 keV et 136 keV) et la raie de bruit de fond du 40K 1460.8 keV. - Identifier des structures (raies, front Compton, pic de rtrodiffusion, pics dchappements voir section II) dans les spectres du 137Cs, du 60Co et du 57Co. Analyser la forme des raies. - Mesure de lefficacit de pic et de la rsolution spectrale en fonction de lnergie. Pour cela placer les sources une distance fixe et connue du dtecteur. Tracer la rsolution et lefficacit en fonction de lnergie. Rappel: lefficacit de pic est le rapport du nombre de photons Nd dtects dans la raie sur le nombre N de photons incidents sur le dtecteur. On calculera N partir des activits des sources (voir la liste affiche) et de la configuration gomtrique (le diamtre du dtecteur Ge est 5.3 cm). - Mesurer lactivit du 22Na et du rapport de branchement +/CE. Mesurer la largeur de la raie 511 keV et comparer cette largeur avec celle de la raie 662 keV. - Faire une acquisition du bruit de fond. Ajouter un blindage en Pb et refaire lacquisition. Comparer les rsultats.