Unidades Tecnolgicas de Santander. Pimentel Daz, Carlos Daniel. TP.

TRANSISTORES DE POTENCIA
Pimentel Daz, Carlos Daniel. Unidades Tecnolgicas de Santander, carlosdpimenteld@gamil.com

Resumen El presente artculo, presenta una investigacin bsica sobre la teora de los transistores de potencia orientado especficamente a transistores de unin bipolar, MOSFET de potencia, SIT, IGBT: definiciones, tipos y caractersticas en general; que puede ser tenido en cuenta por cualquier rea que maneje este tipo. Para nuestro caso, el rea de la electrnica de potencia, el tema se presenta como tpico central y de bsico conocimiento tanto para el estudio de la asignatura, como para el mbito profesional y laboral; ya que el lector, sea profesional o estudiante, se encontrar con terminologa que le ser familiar y con conceptos de fcil entendimiento. El fin, contribucin o alcance ms inmediato de esta investigacin, es el pulir y aumentar nuestros conocimientos adquiridos previamente en los cursos de electrnica y electrnica de potencia, as como conocer los diferentes campos en donde es necesario aplicar este tipo de dispositivos.
ndice de Trminos. Transistores, BJT, MOSFET, SIT,

II. CONTENIDO TRANSISTORES DE POTENCIA El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inicio una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Dio origen a los circuitos integrados los cuales constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales, por tanto un transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones: - Deja pasar o cortar seales elctricas a partir de una pequea seal de mando. - Funciona como un elemento amplificador de seales. Los transistores de potencia se pueden clasificar, en cuatro categoras como son: 1. 2. 3. 4. Transistores bipolares de unin (BJT). Transistores de efecto de campo de metal oxido semiconductor (MOSFET). Transistores de induccin esttica (SIT). Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

IGBT.

I. INTRODUCCIN El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, entre otras. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de encendido y apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutacin, se operan en la regin de saturacin, y producen una pequea cada de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores y se emplean frecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales de voltaje y corriente son menores que las de los tiristores, y normalmente los transistores se emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia, por tanto se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT como interruptores ideales para explicar las tcnicas de conversin de potencia.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN (BJT) Historia. El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados. El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,

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dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. Un transistor bipolar se forma agregando una segunda regin p o n a un diodo de unin pn. Con dos regiones n y una p, se forman dos uniones, tenindose as un transistor NPN, como se muestra en la figura 1a. Con dos regiones p y una regin n, se forma lo que se llama transistor PNP, que se muestra en la figura 1b. Las tres terminales son colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones: la unin colector-base (CBJ) y la unin base-emisor (BEJ)

Figura 3. Diagrama de circuito y caractersticas de estrada de los BJT.

Figura 1. Transistores bipolares.

Hay tres regiones de operacin de un transistor: de corte, activacin y de saturacin. En la regin de corte, el transistor est abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones estn polarizadas inversamente. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unin colector-base (CBJ) est polarizada inversamente, y la unin colector-emisor (BEJ) tiene polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa. Las ecuaciones que relacionan a este tipo de transistor son:

Hay dos regiones n + para el emisor del transistor NPN de la figura 2a, y dos regiones p + para el emisor del transistor PNP de la figura 2b. Para un transistor NPN, la capa n del lado del emisor es ancha, la base p es angosta, y la capa n del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado. Para un transistor PNP, la capa p del lado del emisor es ancha, la base n es angosta y la capa p del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado. Las corrientes de base y de colector fluyen por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-ernisor en saturacin RCE(ENC).

Donde es la corriente de fuga de colector a emisor, con la base con circuito abierto, de las ecuaciones 1 y 2 tenemos:

(
Figura 2. Secciones transversales de un BJT.

CARACTERSTICAS DE ESTADO PERMANENTE En la figura 3 podemos observar el circuito para configuracin emisor, comn de un transistor NPN, y caractersticas tpicas de entrada de corriente de base funcin del voltaje base emior , que se utilizan aplicaciones de conmutacin. la las en en

Como

>>1, la corriente del colector se puede expresar

como:

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La corriente mxima del colector y la base en la regin activa se obtiene de la siguiente manera:

MOSFET DE POTENCIA Historia. Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del silicio. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y slo requiere una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta, y los tiempos de conmutacin son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en su manejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito. Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande de conmutacin, y bajas prdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, de 109 a 1011 O. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo en estado activo,

En la saturacin tenemos que la corriente del colector permanece casi constante por tanto:

El factor de amortiguamiento del factor de sobresaturacin de la relacin a es:

La disipacin de potencia en las dos uniones es:

APLICACIONES DE LOS BJT La aplicacin prctica ms importante para la que se usan los transistores es la mostrada en la figura 4 que muestra una etapa amplificadora en emisor comn: VENTAJAS La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
Figura 4. Modelo de un transistor BJT conectado como amplificador.

El transistor ha sido polarizado por medio de polarizacin por divisin de tensin. Como sabemos, un capacitor en altas frecuencias se comporta como un cortocircuito mientras que a bajas frecuencias la misma aumenta hasta comportarse como un circuito abierto para C.C.

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

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CARACTERSTICAS DE ESTADO PERMANENTE Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequea, del orden de los nanoamperios. La ganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje ID y la corriente de compuerta IG suele ser del orden de . Sin embargo, la ganancia de corriente no es un parmetro importante. La transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a las caractersticas de transferencia, y es un parmetro muy importante. En la figura 5 se muestran las caractersticas de transferencia de MOSFET de canal n y de canal p.

y en el caso normal es muy alta en la regin de estrechamiento, del orden de los megaohmios, y en la regin lineal es muy pequea, normalmente del orden de los miliohmios.

APLICACIONES La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

SIT El SIT es un dispositivo portador minoritario en el que el flujo de electrones de la fuente al drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metlicas. En consecuencia, el SIT tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y de corriente muy altas. En la figura 7 se puede observar la seccin trasversal de un SIT donde los electrones fluyen de la fuente al drenaje a travs de un punto ensillado de potencia electrosttica entre los electrodos de compuerta.

Figura 5. Caractersticas de transferencia de los MOSFET.

El modelo de estado permanente, igual para los MOSFET tipo decremental y tipo incremental, se ve en la figura 4.21.

Figura 7. Seccin transversal de un transistor de unin esttica (SIT). Figura 6. Modelo de interrupcin de estado estable para MOSFET.

La transconductancia gm se define como

CARACTERSTICAS DE FABRICACIN La fabricacin del SIT requiere un grabado anisotrpico de pared recta de zanjas de 2 3 m de profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en ingls) seguida por una deposicin de Metalizacin de Shottky en la zanja del fondo sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta oscilan en el orden de 0.5 1.5 m.

La resistencia de salida,

se define como:

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GENERALIDADES Para alcanzar operacin a altas frecuencias, es necesario escalar agresivamente la escala de la unin, anchar las zanjas, incrementar el dopado de la regin del canal y minimizar capacitancias parsitas. S el dopado y las dimensiones laterales son escogidas adecuadamente, la altura del potencial de barrera ser modulado por la compuerta y el drenaje.
Figura 8. Foto SEM de una gran rea experimental de un dispositivo SIT fabricado en el laboratorio. Los dedos de unin son 1m de ancho y 100 m de largo.

Debido a que la corriente se incrementa exponencialmente conforme el potencial de barrera es disminuido, las caractersticas de la salida del SIT son usualmente no saturadas o de manera de trodo. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en su proceso de manufacturacin pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas. IGBT Estos dispositivos relativamente nuevos estn diseados para aplicaciones de potencia, son muy similares en su estructura fsica a los MOSFETs de potencia, pero se asemejan ms a los transistores bipolares en su operacin elctrica. Pueden manejar corrientes y tensiones mucho ms elevadas que cualquiera tipo de transistor convencional. Es por ello que son muy utilizados en amplificadores de audio de alta potencia, controles de velocidad de grandes motores y otras aplicaciones similares.

CARACTERSTICAS DE FUNCIONAMIENTO Las caractersticas de un SIT son similares a las de un MOSFET. Por lo general, un SIT es activado al aplicarse un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y se desactiva al aplicarse un voltaje negativo a su compuerta. Las caractersticas experimentales estticas son ms pequeas en el SIT mostrado en la figura 3. El SIT tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente est limitada a 500 A.

Figura 9. Medidas de un SIT experimental. El voltaje de compuerta cambia desde cero (arriba de la curva) a 18 V (debajo de la curva) en cambios de 2V. La escala horizontal es de 20 V/div. El mximo voltaje de drenaje mostrado en la imagen es de 200V.

Figura 11.Transistor IGBT. En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los MOSFET, y pocas prdidas por conduccin en estado activo, como los BJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, Rvs, para que se comporte como la de un BJT. En la figura 12 se muestra la seccin transversal de la estructura de silicio de un IGBT, que es idntica a la de un MOSFET, a excepcin del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p +, causante de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n.

Figura 10.Grfica de corrientes a seal baja contra frecuencia es mostrada.

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el diseo de un circuito. Se deben examinar las caractersticas y especificaciones nominales de cada tipo de transistor para determinar su adecuacin a determinada aplicacin.

IV. CONCLUSIONES. El material con que estn hechos los transistores tiene la propiedad que pueden acelerar gradualmente el movimiento de los electrones por medio de una corriente elctrica. Si colocamos en el circuito del colector una elevada impedancia, se puede obtener en ella una tensin controlada por la corriente del emisor resultando, por tanto, un amplificador. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutacin, se operan en la regin de saturacin, y producen una pequea cada de voltaje en el estado de encendido. Se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT, como interruptores ideales para las tcnicas de conversin de potencia. CARACTERSTICAS El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias de energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Figura 12. Corte transversal de un IGBT.

El circuito equivalente se muestra en la figura 13a, que se puede simplificar al de la figura 13bc.

V.

REFERENCIAS

[1] Huhammad H, Rashid. Electrnica de potencia. Circuitos dispositivos y aplicaciones. Tercera Edicin. Mxico D.F. Editorial Pearson Prentice-Hall. Cap. 4. [2] MOSFET [en lnea] http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET < Junio 8 del 2011> [3] Transistores bipolares [en lnea] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_ bipolar <Junio 9 del 2011> [4] Teora del transistor bipolar de puerta [en lnea] http://www.automatismosmdq.com.ar/blog/2008/04/teora-del-transistor-bipolar-depuerta.html<Junio 9 del 2011> [5] Transistor IGBT [en lnea] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT <Junio 10 del 2011>

Elaborado por: Carlos Daniel Pimentel Daz. Tecnlogo en electrnica. Unidades Tecnolgicas de Santander. 2010

III. RECOMENDACIONES. Hay que tener en cuenta que el transistor es un dispositivo que acta como amplificador de corriente, por consiguiente debemos escoger bien los elementos a la hora de implementar

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