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UNIVERSITAT POLITCNICA DE CATALUNYA DEPARTAMENT DENGINYERIA ELECTRNICA
DESARROLLO Y CARACTERIZACIN DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS CON PELLETS CONSTITUIDOS POR NUEVOS MATERIALES Y GEOMETRAS NO ESTANDAR
Tesis doctoral presentada para la obtencin del ttulo de doctor Francisco Javier Villasevil Marco Director: Rafael Pindado Rico
NDICE
1. INTRODUCCIN 1.1. MOTIVACIN DE LA INVESTIGACIN 1.2. EVOLUCIN 1.3. ESTADO DEL ARTE 1.3.1. Nuevo efecto electrotrmico:Barrierless Electrothermal Effect 1.3.2. Importancia de la figura de mrito ZT 1.3.3. Elementos termoelctricos 1.3.4. Tendencias de investigacin actuales 1.3.5. Modelo de un termoelemento ideal 1.3.6. Propiedades termoelctricas en funcin de la temperatura 1.3.6.1. Coeficiente de Seebeck en funcin de la temperatura 1.3.6.2. Dependencia con la temperatura de la resistividad elctrica y la conductividad trmica de los termoelementos 1.3.6.3. Efectos trmicos no considerados en el caso ideal 1.3.7. Resistencias elctricas de contacto 1.3.8. Otros modelos 1.3.9. Resolucin del comportamiento de un par termoelctrico mediante analoga elctrica 1.4. OBJETIVOS DE LA TESIS 2. MODELOS DE LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA 2.1. INTRODUCCIN 2.2. CARACTERIZACIN BSICA DE LA CLULA TERMOELCTRICA 2.3. BALANCE ENERGTICO EN EL MATERIAL TERMOELECTRICO 2.4. CLULAS TERMOELCTRICAS DE VARIOS NIVELES 39 41 37 37 31 33 21 25 27 29 1 4 9 9 11 11 13 13 20 20
2.5. HERRAMIENTAS DESARROLLADAS PARA LA MEDIDA DE PARMETROS 2.6. RENDIMIENTO PTIMO EN FUNCIN DE LA FIGURA DE MRITO 2.7. MODELO DE LA ESTRUCTURA COMPLETA DE UN MDULO TERMOELCTRICO 2.7.1. El efecto Thomson en un medio isotrpico 2.7.2. Accin convectiva en la superficie de la estructura termoelctrica 2.8. MTODOS NUMRICOS 2.9. MODELO EN ELEMENTOS FINITOS 2.10. ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES TERMOELCTRICOS MEDIANTE EL MTODO DE LOS ELEMENTOS DE CONTORNO 2.11. MODELO ELCTRICO EN FRECUENCIA 2.11.1. Evolucin de las temperaturas 2.12. IMPORTANCIA DE LA GEOMETRA DEL SEMICONDUCTOR EN LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA 2.12.1. La simulacin en funcin de la geometra 2.13. CONCLUSIONES 3. ESTUDIOS SOBRE DE INFLUENCIA TANTO DEL MODELO COMO DE LA GEOMETRA Y EL MATERIAL DE LOS PELLET DEL SISTEMA TERMOELCTRICO 3.1. GENERALIDADES 3.2. ANLISIS COMPARATIVO DE DIFERENTES MODELOS SOBRE PLACAS TERMOELCTRICAS COMERCIALES 3.2.1. Modelos computacionales 3.2.2. Resultados obtenidos 3.2.3. Precisin del modelo y medida del tiempo de computacin 3.2.4. Conclusiones sobre la aplicacin de modelos 3.3. REFLEXIONES SOBRE LA APLICACIN DE LOS 77 78 80 85 86 87 77 70 73 76 60 62 66 45 48 49 51 54 43 42
MODELOS EN LA CARACTERIZACIN DEL COMPORTAMIENTO DE LOS MDULOS COMERCIALES 3.4. INFLUENCIA DE LA GEOMETRA DE LOS PELLET EN EL MDULO TERMOELCTRICO 3.4.1. Influencia de la geometra del pellet en el efecto irreversible 3.4.2. Influencia de la geometra del pellet en los efectos Peltier e irreversible 3.4.2.1. Influencia en la potencia trmica 3.4.2.2. Influencia en el rendimiento como refrigerador 3.4.3. Anlisis de la geometra del pellet 3.4.3.1. Geometra con volumen mnimo 3.4.3.2. Temperatura mxima en el interior del pellet 3.4.4. Estudio detallado de algunas geometras 3.4.4.1. Seccin transversal constante 3.4.4.2. Variacin lineal de la seccin transversal 3.4.4.3. Variacin cuadrtica de la seccin transversal 3.4.4.4. Variacin exponencial de la seccin transversal 3.4.4.5. Anlisis comparativo de las diferentes geometras 3.4.4.6. Conclusiones al anlisis comparativo de las diferentes geometras 3.5. INFLUENCIA DE LA DIFERENCIA DE LAS PROPIEDADES EN LOS PELLETS DE UN MDULO TERMOELCTRICO 3.5.1. Anlisis del funcionamiento del mdulo con diferentes pellets 3.5.1.1. Influencia de la regin de dopado en los pellets 3.5.1.2. Conclusiones de la influencia de las propiedades de los pellets 3.6. LA CONDUCCIN DE CALOR 3.6.1. Conduccin transitoria en tres dimensiones 3.6.2. Simulacin 3.7. CONCLUSIONES 118 118 124 126 131 113 113 116 112 95 95 96 97 98 100 101 102 103 107 108 109 91 92
4. DESARROLLO Y CARACTERIZACIN DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 270 A 450 K CON MATERIALES BASADOS EN (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y 4.1. GENERALIDADES 4.2. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LOS MATERIALES CONSIDERADOS 4.2.1. Propiedades termoelctricas del material Mp1 4.2.2. Propiedades termoelctricas del material Mp2 4.2.3. Propiedades termoelctricas del material Mn 4.3. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO lOS MATERIALES Mp1 Y Mn 4.3.1. Modelo 4.3.2. Condiciones de contorno 4.3.3. Estudio de la clula funcionando en modo Peltier 4.3.3.1. Resultados de la simulacin 4.3.3.2. Mediciones reales funcionando en modo Pelier 4.3.4. Estudio de la clula como generador 4.4. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO lOS MATERIALES Mp2 Y Mn 4.4.1. Modelo 4.4.2. Estudio de la clula en modo Peltier 4.4.2.1. Resultados de la simulacin 4.4.2.2. Mediciones reales funcionando en modo Peltier 4.4.3. Estudio de la clula como generador 4.5. IMGENES DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS 4.6. MEDIDAS DE LOS PARMETROS CARACTERSTICOS DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS 4.6.1. Parmetros del mdulo Mp1 + Mn. 4.6.2. Parmetros del mdulo Mp2 + Mn. 4.7. COMPARACIN ENTRE LAS DOS CLULAS FUNCIONANDO EN MODO SEEBECK 4.8. CONCLUSIONES 175 178 172 172 174 170 158 158 158 158 161 163 141 141 145 146 146 149 151 133 134 136 138 133
5. DISEO DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA EN FUNCIONAMIENTO COMO GENERADOR Y CON TIEMPO DE INERCIA BAJO CON MATERIALES BASADOS EN (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y PARA UNA APLICACIN INDUSTRIAL 5.1. GENERALIDADES 5.2. DESARROLLO DEL TEG (THERMO ELECTRIC GENERATOR) 5.2.1. Estructura 5.2.2. Modelado de la placa del nivel 2 5.2.3. Simulacin de la estructura 5.2.3.1. Resultados de la simulacin 5.2.3.2. Mediciones efectuadas sobre la clula. 5.2.4. Estructura completa de TEG 5.2.5. Simulacin de la estructura completa de TEG 5.2.5.1. Resultados de la simulacin 5.2.5.2. Grfico proporcionado por el fabricante 5.2.5.3. Mediciones efectuadas en nuestro laboratorio 5.3. INERCIA EN LA RESPUESTA DEL SISTEMA TERMOELCTRICO 5.3.1. Respuesta frecuencial de la clula termoelctrica en el control de bombeo 5.3.2. Rendimiento 5.3.3. Frecuencia lmite 5.4. INERCIA SISTEMA TEG 5.4.1. Medidas de la inercia del sistema TEG 5.4.1.1. Medidas realizadas a diferentes diseos de TEG 5.5. CONCLUSIONES 6. DISEO DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 300 A 650 K CON MATERIALES BASADOS EN Zn4Sb3 CoSb3 6.1. GENERALIDADES 6.2. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LOS MATERIALES CONSIDERADOS 6.2.1. Propiedades termoelctricas de la muestra de CoSb3 213 214 213 197 199 200 204 208 208 211 181 181 182 185 185 186 187 189 190 192 194 194 197
6.2.3. Propiedades termoelctricas de la muestra del material ZnSb3 6.3. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO lOS MATERIALES Zn4Sb3 Y CoSb3 6.3.1. Modelo 6.3.2. Condiciones de contorno 6.3.3. Estudio de la clula en modo Peltier 6.3.3.1. Resultados de la simulacin 6.3.3.2. Mediciones reales funcionando en modo Peltier 6.3.4. Estudio de la clula como generador 6.4. CARACTERIZACIN Y DESARROLLO DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 300 A 650 K CON MATERIALES BASADOS EN Zn4Sb3 CoSb3-xAsx 6.4.1. Modelado y simulacin de una estructura termoelctrica utilizando los materiales Zn4Sb3 y CoSb3-xAsx 6.4.2. Modelo 6.4.3. Estudio de la clula en modo Peltier 6.4.3.1. Resultados de la simulacin 6.4.3.2. Mediciones reales funcionando en modo Peltier 6.4.4. Estudio de la clula como generador 6.5. IMGENES DE LOS DOS MDULOS CONSTRUIDOS Y DE LA EVOLUCIN DEL CALOR EN SUS CARAS 6.6. MEDIDAS DE LOS PARMETROS CARACTERSTICOS DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS 6.6.1. Parmetros thermo-couples Zn4Sb3+CoSb3 6.6.2. Parmetros mdulo Zn4Sb3+CoSb3As 6.7. COMPARATIVA DE LAS DOS CLULAS CON MATERIALES SKUTTERUDITES FUNCIONANDO EN MODO SEEBECK 6.8. COMPARATIVA DE TODOS LOS MATERIALES TERMOELCTRICOS UTILIZADOS 6.9. COMPARATIVA DE LOS PARMETROS TERMOELCTRICOS DE TODOS LOS MDULOS Y LAS THERMO-COUPLES DE LOS MISMOS
217
219 219 222 223 223 226 228
233 235 235 235 235 239 241 246 249 249 251 252 256
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6.10. COEFFICIENT OF PERFORMANCE (COP) DE LAS DIFERENTES PLACAS CONSTRUIDAS 6.10.1. COP experimental de los diferentes mdulos 6.10.1.1. COP mdulo formado por materiales Mp1 y Mn 6.10.1.2. COP mdulo formado por materiales Mp2 y Mn 6.10.1.3. COP mdulo formado por materiales Zn4Sb3+CoSb3 6.10.1.4. COP mdulo formado por materiales Zn4Sb3+CoSb3As 6.10.1.5. COP mdulo multietapa formado por materiales Mp2 y Mn 6.11. CONCLUSIONES 7. CONCLUSIONES 7.1. CONCLUSIONES GENERALES 7.2. CUMPLIMIENTO DE OBJETIVOS 7.3. FUTURAS LNEAS DE TRABAJO 7.3.1. Caracterizacin y realizacin de prototipos de estructuras termoelctricas a altas temperaturas con materiales crecidos en nanotecnologa 7.3.2. Caracterizacin y realizacin de prototipos de estructuras termoelctricas con pellet de perfil no constante 7.3.3. Desarrollo y caracterizacin de nuevas estructuras dedicadas a aplicaciones industriales distintas a la refrigeracin 7.3.4. Caracterizacin y realizacin de prototipos de estructuras termoelctricas flexibles 7.3.5. Mejora de los sistemas de control de los sistemas termoelctricos 275 275 275 274 273 269 270 273 266 267 262 263 264 265 265 266
Captulo 1.Introduccin
CAPTULO 1 INTRODUCCIN
1.1. MOTIVACIN DE LA INVESTIGACIN.
Los dispositivos de enfriamiento juegan un papel muy importante en la vida cotidiana. Por citar una aplicacin imaginemos un enfermo con diabetes y que debe viajar con su insulina a un nivel de temperatura determinado, o su aplicacin en ciruga criognica en oncologa. Es por tanto, de inters muy relevante poder disponer de dispositivos compactos, as como de fcil trasporte y flexibilidad. Adems, sera muy interesante que estos dispositivos fueran de larga duracin y sin mantenimiento. La creacin de estos dispositivos es posible y su funcionamiento se basa en la aplicacin de fenmenos termoelctricos; y ms concretamente disponer de estos dispositivos depende de la evolucin de los mdulos termoelctricos. Los mdulos termoelctricos, se han mejorado y optimizado en determinados aspectos constructivos como son: las uniones soldadas; la utilizacin de buenos aislantes elctricos con buena conductividad trmica, mejora en la composicin de los termoelementos, etc. Los mdulos termoelctricos actuales no se pueden comparar con los primeros mdulos prcticamente construidos como prototipos de laboratorio en los aos 50 y 60 del siglo pasado [19] [20]. En un apartado de [21] se puede ver un resumen de los diferentes procesos constructivos en la fabricacin de mdulos termoelctricos, y cmo han evolucionado en las ltimas 4 dcadas desde la fabricacin prcticamente manual a la utilizacin de robots para mejorar la precisin y la calidad de las uniones soldadas cuando las secciones transversales de los termoelementos son muy pequeas [22]. Todas estas modificaciones han posibilitado una mejora en la eficiencia de los mdulos as como un abaratamiento de los costes de produccin y ha permitido a la tecnologa termoelctrica entrar en diferentes campos industriales comenzando a ser competitiva con respecto a otras tecnologas. Tanto es as que en los aos 50 o 60 del siglo pasado, las aplicaciones termoelctricas estaban restringidas al sector militar y aeroespacial debido al elevado coste de los materiales termoelctricos. Sin embargo, hoy en da su uso se ha extendido a otros muchos campos, sector sanitario, industrial, automvil, etc. De hecho hemos encontrado revisiones bastante completas de los diferentes campos de aplicacin de la termoelectricidad tanto en [23] como en [24]. Tambin se puede constatar esta extensin en la aplicacin termoelctrica en secciones de los libros [25] y [26], respectivamente, as como en [27] y [28]. El diseo de cualquier aplicacin termoelctrica conlleva, desde el punto de vista trmico, el estudio de dos grandes problemas muy relacionados entre s. Por un lado estara el estudio de los fenmenos termoelctricos en los semiconductores (efecto Seebeck, efecto Thomson y efecto Peltier) que debemos tener en cuenta en el diseo del mdulo termoelctrico; y por otro lado la influencia de los efectos irreversibles (efecto
Fourier y el efecto Joule) que aparecen siempre como consecuencia de establecerse un gradiente trmico y del potencial elctrico respectivamente en los termoelementos. La optimizacin de los mdulos termoelctricos ante unas determinadas condiciones de operacin, conlleva un estudio detallado del salto trmico, cargas trmicas a disipar, etc. As como el estudio de las condiciones geomtricas (espacio disponible, tamao de la aplicacin), y punto de trabajo (mxima eficiencia o mxima potencia frigorfica bombeada). Bajo estas condiciones se podra determinar cual es, para dicha aplicacin especfica, el tamao ptimo del termoelemento (seccin transversal y altura), distancia entre pares termoelctricos, dimensiones de los puentes elctricos, etc. La evolucin de los mdulos termoelctricos, as como los desarrollos alcanzados en ellos dependen esencialmente de dos factores, por una parte las propiedades termoelctricas de los materiales que lo constituyen, principalmente los semiconductores, y por otra parte la estructura externa a dichos semiconductores y que constituyen la arquitectura del mdulo. La figura de mrito Z es la mejor manera de medir el rendimiento del semiconductor; ya que relaciona parmetros intrnsecos del propio semiconductor como son el coeficiente de Seebeck, resistencia elctrica y conductividad trmica. Cuando se trata de evaluar la estructura completa se utiliza el coeficiente de rendimiento COP (Coefficient of Performance) que relaciona la potencia elctrica con la potencia calorfica del mdulo. Los mdulos termoelctricos se construyen mediante el ensamblaje de pares semiconductores de diferente dopaje unidos por un conductor, que normalmente es cobre, entre dos cermicas; stas deben ser un buen dielctrico y a la vez tener mucha dureza mecnica. Hoy da, en su construccin, generalmente es utilizado el BismutoTelurio que consigue Z elevadas hasta los 250 C. Para la cermica se utilizada almina (Al2O3) que tiene una buena conductividad trmica [1] [4] [15]. Muchos de los materiales que hoy se usan en la construccin de los mdulos termoelctricos fueron descubiertos hace mucho tiempo. Sin embargo, en los ltimos aos, se han obtenido resultados interesantes en sistemas compuestos y aleaciones, las cuales incluyen las skutterudites, clathrates y las half-Heusler. Tambin existen varios compuestos estructurados por capas basados en sistemas de telurio bismuto. Algunos de estos materiales parecen poseer las figuras de mrito ms grandes conocidas, por lo menos a temperaturas altas. Tambin en los ltimos aos se han estudiado sistemas de baja dimensionalidad, y los clculos realizados en estos sistemas muestran la figura de mrito Z puede alcanzar valores del orden de 20 unidades, an as quedan muchos sistemas por investigar [17]. Precisamente, el mayor inconveniente que impide la generalizacin del uso de la termoelectricidad es la eficiencia de los materiales empleados hasta ahora. A pesar de los grandes avances realizados y de la gran cantidad de trabajos que se estn realizando en la investigacin de nuevos materiales (ms del 75% de los artculos publicados en las conferencias estn dedicados a ese tema). Se han encontrado materiales con valores de zT por encima de la unidad, pero todava no se tienen materiales termoelctricos con figuras de mrito adimensionales que bordeen el valor 2.
En las aplicaciones en modo Peltier, el factor principal a tener en cuenta para la eleccin de un tipo u otro de mdulo es el rango de temperatura al cual deben trabajar los semiconductores, as como el poder de enfriamiento del mdulo a usar en la aplicacin. Las aplicaciones ms extendidas estn en un rango de hasta 50W, rango en el cual los fabricantes nutren el mercado de forma muy satisfactoria. En general el rendimiento (COP) es precisamente un factor que se debe mejorar. Cuando se utiliza la clula termoelctrica en modo Seebeck; es decir, como generador, el rea de utilizacin es ms restringida. Es muy importante maximizar la contribucin de cada termoelemento, es decir, una alta densidad de generacin termoelctrica. Para conseguir un aumento en el rendimiento es importante la geometra y las propiedades del semiconductor entre otros factores [18][100]. Adems, un buen anlisis de una aplicacin termoelctrica conlleva un estudio detallado de la transmisin de calor del foco fro al mdulo y del mdulo al foco caliente. Se debe tener en cuenta tanto el tipo de disipacin (conveccin natural o forzada, Heat Pipes, etc), como el tipo de refrigerante (agua, lquidos eutcticos, aire); ya que una mala transmisin del calor elevara el salto trmico de trabajo que debe aportar el mdulo termoelctrico, penalizando as su eficiencia. Aunque el nmero de publicaciones dedicadas a mejorar la transmisin de calor en otros campos es muy grande, la industria termoelctrica en general no ha sabido aprovechar muchas veces dichas innovaciones. Existen tambin diversos artculos [29], [30], [31], [32], [33], [34], en los que se presentan resultados sobre sistemas de disipacin aplicados a mdulos termoelctricos. Muchas veces, la mala utilizacin de esta tecnologa hace que sus eficiencias disminuyan haciendo todava menos viable aplicaciones potenciales que la empleen. Dentro de este conjunto de razones incluiramos: las condiciones de montaje (precisin aplicada a los mdulos, puentes trmicos, cualidades de las superficies de contacto, etc.). la falta de un estudio detallado de la transmisin de calor del foco fro al caliente. la utilizacin de mdulos termoelctricos comerciales con dimensiones estndar y que muchas veces no se ajustan de forma correcta a las necesidades de una aplicacin. A favor de los fabricantes de mdulos termoelctricos hay que decir que gracias a un gran nmero de trabajos de investigacin propios y a otros realizados por institutos y universidades, han resuelto grandes problemas en la fabricacin de los mdulos termoelctricos que disminuan su eficiencia y fiabilidad como son: la utilizacin de materiales de soldadura con bajo punto de fusin, problemas de difusividad entre termoelementos y puentes elctricos, tolerancias geomtricas, materiales de las placas cermicas, aplicacin de presin en los procesos de soldadura. Sin embargo, como hemos sealado, muchas veces no existe una gran conexin entre el diseo del mdulo termoelctrico y la aplicacin que se quiere realizar, desaprovechando las sinergias que existen entre ellos. Como se menciona [2], las directrices que deberan seguirse en el futuro en relacin con los diseos y desarrollos de equipos y sistemas basados tecnologa Peltier pasaran por; diseos con geometras especficas para cada tipo de aplicacin y diseos con dimensiones particulares para cada aplicacin. Esta idea sera 3
igualmente aplicable a los mdulos termoelctricos diseados especficamente para generacin; es decir, Seebeck. El anlisis de las ventajas e inconvenientes de la aplicacin hacen pensar que la termoelectricidad y ms concretamente la Ingeniera termoelctrica ira expandindose a medida que vayan surgiendo nuevos materiales, nuevos diseos y nuevas posibilidades de aplicacin. Se piensa que el desarrollo de un estudio por tcnicas numricas que tenga una buena conectividad con otros mtodos empleados en el estudio de sistemas de disipacin permitira analizar de forma exacta el comportamiento de un mdulo termoelctrico teniendo en cuenta la capacidad de disipacin del sistema. La posibilidad de desarrollar un estudio sobre el comportamiento de los mdulos termoelctricos cuyas conclusiones pueden tener una aplicacin prctica en un gran nmero de equipos industriales constituye el principal motivo de este trabajo de investigacin. La comunidad cientfica, intenta aumentar el factor de mrito por medio de la bsqueda de nuevos materiales, incluidos los sistemas de baja dimensionalidad como puntos cunticos y superredes. Slo unos pocos, realizan investigacin de los fenmenos termoelctricos sin utilizar nuevos materiales, buscando una mejor comprensin de los principios fsicos que rigen estos fenmenos [16]. No es descabellado pensar que ambas tendencias son perfectamente compatibles; nuevos materiales nos pueden aportar mejoras, pero tambin un profundo conocimiento de los principios fsicos que rigen el fenmeno termoelctrico que debe llevar a la aportacin de mejoras. As pues, es absolutamente necesaria la caracterizacin de una clula termoelctrica con precisin, ya funcione en modo Peltier o en modo Seebeck. En consecuencia, cuando se trata de modelar el semiconductor es necesario conocer la figura de mrito. Son variados los mtodos desarrollados para realizar estas medidas, pero deben ser considerados con cierto grado de precaucin [1] [2].
1.2. EVOLUCIN.
Existen en la naturaleza tres tipos de fenmenos termoelctricos: el efecto Seebeck, el Peltier y el Thomson (Lord Kelvin), de los cuales los dos primeros son, hasta ahora, los de mayor aplicacin. En 1821, Johann Seebeck descubri el efecto que hoy en da lleva su nombre, ste consiste en que al conectar dos alambres conductores de metales diferentes en forma de lazo y mantener las uniones a temperaturas diferentes surge una corriente elctrica. La observacin de este hecho experimental convirti a Seebeck en el descubridor de la termoelectricidad (que no es otra cosa que la conversin directa de calor en electricidad) a la que l llam termomagnetismo. La historia cuenta que Johann Seebeck no fue el primero en observar este efecto [1]. En Historia de la Fsica, su autor Mario Glozzi relata que en 1794 el italiano A. Volta descubri que al calentar el extremo de un conductor de acero o mantenerlo a distintas temperaturas, surge una corriente elctrica. El trabajo original de A. Volta consta de tres cartas dirigidas a Abbot Anton Mario Vassalle, profesor de Fsica de la 4
Universidad Real de Turn. En la primera de ellas, escrita el 10 de febrero de 1794, A. Volta cuenta al profesor que las piernas de las ranas son indicadores de electricidad muy sensibles. Volta hizo un circuito compuesto por dos recipientes con agua fra, puso la pierna de una rana junto con el extremo de un alambre de acero, mientras el otro lo mantuvo en agua caliente aproximadamente medio minuto, despus lo sumergi en el otro recipiente. Y para su sorpresa la pierna de la rana empez a contraerse! Repiti el experimento varias veces, hasta que el alambre de acero se enfri. Este experimento es una buena prueba de que Volta fue el primero en observar el fenmeno de la termoelectricidad, sin embargo pas inadvertido, y es muy probable que J. Seebeck no tuviera conocimiento del mismo. Una de las aplicaciones del efecto Seebeck es la creacin de fuentes de corriente elctrica en las cuales la energa trmica se convierte en energa elctrica. Tambin puede emplearse para la medicin precisa de temperaturas mediante un termopar, en el que una de las uniones se mantiene a una temperatura de referencia conocida (por ejemplo, un bao de hielo) y la otra se coloca en el lugar cuya temperatura quiere medirse. Las aplicaciones industriales de los termopares son muy comunes en el rango de 220C a +3300C. La sensibilidad tpica es del orden de 30 V/C. Debido a su bajo costo, facilidad de instalacin y resistencia mecnica, los termopares son los sensores para temperatura de mayor uso en las plantas industriales. Slo trece aos despus del descubrimiento de Seebeck, en la revista francesa Anales de Fsica y Qumica apareci un artculo de J. C. A. Peltier sobre las temperaturas anormales observadas en la unin de dos conductores distintos al pasar por ella una corriente elctrica. La esencia de este efecto, que lleva el nombre de Peltier y que bsicamente es el contrario del efecto Seebeck, consiste en que al pasar una corriente elctrica por un circuito en forma de lazo, que consta de dos alambres metlicos diferentes, una unin absorbe calor y la otra lo cede. De esta forma, la diferencia de temperaturas en las uniones de un circuito formado por dos materiales conductores distintos genera una corriente elctrica. La corriente elctrica que pasa por este circuito crea en la unin una diferencia de temperatura. Es interesante que Peltier no haya descubierto esta relacin, a pesar de que sus experimentos los realiz con un circuito termoelctrico. Peltier estaba interesado en la distribucin de la temperatura cerca de las uniones, por lo que la termoelectricidad slo jugaba el papel de fuente de corrientes elctricas dbiles. Las anomalas observadas por Peltier resultaron ser ms fuertes cuanto ms grandes eran las fuerzas termoelectromotrices, y principalmente aparecan en la unin de bismuto con antimonio. Peltier buscaba en sus experimentos la confirmacin de que la ley de Joule-Lenz (generacin de calor debido al paso de corriente elctrica por un conductor) slo era vlida para corrientes elctricas fuertes. Peltier pensaba que debido a las corrientes elctricas dbiles generadas por el termo elemento, slo se mostraban las propiedades particulares de los metales. Esta idea no pudo ser confirmada en la mayora de sus experimentos, y en las anomalas observadas en los contactos se mostraba la naturaleza de los metales, principalmente sus propiedades termoelctricas. Buscaba la explicacin en la dureza o suavidad del metal, en su conductividad elctrica, y si los hechos no coincidan con sus expectativas, entonces se negaba a creer en las mediciones. 5
Tuvieron que pasar varios aos durante los cuales Bequerel y otros cientficos intentaron explicar el sentido verdadero del efecto Peltier, hasta que en 1838 Lenz realiz un experimento sencillo que puso fin a toda duda. Lenz puso una gota de agua en la unin de dos alambres, uno de bismuto y el otro de antimonio. Esta gota de agua se congel al pasar una corriente elctrica en una direccin y se derriti al cambiarle el sentido (se sabe que en un gramo de agua slo se necesita ceder o absorber 80 caloras para que ste se congele o se derrita). Qued claro que en la unin de dos conductores distintos, se genera o se absorbe calor con slo cambiar el sentido de la corriente elctrica. En aquella poca los fenmenos termoelctricos no llamaron la atencin de los fsicos, quienes se encontraban ocupados con el estudio del electromagnetismo, lo cual llev a Faraday al descubrimiento de la induccin electromagntica. La Fsica iba por el camino de la generalizacin de las leyes de la teora de Maxwell, mientras que la Ingeniera iba por el de las mquinas electromagnticas. Pasaron 30 aos desde el descubrimiento de Seebeck, y con la aparicin de la termodinmica surgi el inters por todo tipo de transformacin de energa, dentro de dichas transformaciones se encontraba la de energa trmica y elctrica en los efectos Seebeck y Peltier. Precisamente este era el camino que segua W. Thomson (Lord Kelvin), uno de los fundadores de la termodinmica. El anlisis termodinmico que hizo de la termoelectricidad y del efecto Peltier lo llevaron no slo al establecimiento del enlace entre los dos efectos, sino al descubrimiento de un tercer efecto, que lleva su nombre y consiste en la generacin o absorcin extra de calor (adems del calor de Joule) al pasar una corriente por un conductor homogneo en el cual existe un gradiente de temperaturas. En 1885 Lord Rayleigh calcul (no del todo correcto) el coeficiente de eficiencia trmica de un generador termoelctrico. En 1909 E. Altenkirch propuso de nuevo el mismo clculo, slo que de forma correcta. En 1910, el mismo E. Altenkirch propuso el problema tcnico del calentamiento y enfriamiento termoelctrico. Sin embargo, en ese entonces los nicos conductores conocidos eran los metales, y resultaron econmicamente ineficientes. Surgieron algunos tipos de termoelectrogeneradores, pero no fue posible su distribucin debido a que su coeficiente de eficiencia trmica no pasaba del 0.6%, por lo que la termoelectricidad pas de nuevo a ser parte de los cursos de Fsica, junto con la luminiscencia y la piezoelectricidad. Por iniciativa de A. F. Ioffe [2], Yu. P. Maslokovets inici el estudio de la termoelectricidad en semiconductores y en 1940 emiti un comunicado sobre un termo elemento con coeficiente de eficiencia trmica de aproximadamente el 3%, cuyas ramas estaban hechas de sulfato de plomo, en donde adems, una de las ramas tena restos de azufre y la otra de plomo. Ambos crearon la primera batera industrial cuya fuente de energa era una lmpara de petrleo. La explicacin fsica de los efectos Seebeck y Peltier puede presentarse de la siguiente forma: la energa cintica del gas de electrones clsico crece de forma proporcional a la temperatura. Si a lo largo del conductor existe una cada de temperatura, entonces los electrones del extremo caliente reciben mayor energa y velocidad que los que se encuentran en el extremo fro. En un semiconductor, la 6
concentracin de electrones libres tambin crece con el aumento de la temperatura y consecuentemente habr mayor cantidad de electrones en el extremo caliente que en el extremo fro y el flujo de electrones del lado caliente al lado fro ser mayor que el flujo en sentido contrario. En el extremo fro se concentrar una mayor cantidad de cargas negativas, mientras que en el extremo caliente se tendr una mayor cantidad de cargas positivas. Este proceso de acumulacin de carga contina hasta que la diferencia de potencial que surge como consecuencia de esta acumulacin genera un flujo de electrones en direccin contraria e igual al primero, con lo que se establece el estado estacionario. La suma algebraica de estas diferencias de potenciales en el circuito da una componente de la fuerza termoelectromotriz. En consecuencia, la esencia del efecto Peltier se puede explicar debido a la presencia de una barrera potencial en la unin de los conductores, por lo que la energa cintica promedio de los electrones en ambos lados de la unin es diferente. Para una configuracin determinada de la barrera potencial y en dependencia de la direccin de la corriente elctrica, los portadores de carga disminuyen la energa cintica promedio, con lo que se obtiene un enfriamiento y calentamiento debido a este fenmeno termoelctrico. Otra interpretacin fsica del efecto Peltier es que la corriente elctrica que pasa a travs del material homogneo siempre es acompaada por un flujo de calor, al cual llamaremos flujo de calor de deriva [3]. Este flujo de calor es igual a q =j, en donde = T es el coeficiente Peltier, es el coeficiente Seebeck, T es la temperatura y j es el vector de la densidad de corriente elctrica. Cuando los coeficientes Peltier de ambos medios son diferentes, el flujo de calor de deriva que entra es diferente del flujo de calor de deriva que sale. Precisamente la diferencia entre estos flujos (1 - 2) da el calentamiento o el enfriamiento en la unin dependiendo de la relacin que existe entre los coeficientes y la direccin de la corriente elctrica. Para los semiconductores tipo n se tiene que n < 0, y para los semiconductores de tipo p se tiene que p > 0. Por lo que en el contacto entre dos semiconductores tipo n (1,2 < 0) se obtiene una distribucin de temperatura como se muestra en la fig. 1.1.
Figura 1.1. Distribucin de temperatura en el contacto entre dos semiconductores tipo n.
Si ahora se tiene un contacto tipo n-p entonces el efecto de enfriamiento ser mucho ms fuerte, como se observa en la figura 2.
Figura 1.2. Efecto de enfriamiento en un contacto tipo n-p . Si bien el efecto Peltier, como ya se ha comentado, es conocido desde 1834, su aplicacin prctica necesit del desarrollo de los semiconductores, pues stos resultan ser buenos conductores de la electricidad pero pobres conductores del calor. La circulacin de una corriente elctrica a travs de dos materiales semiconductores con diferente densidad de electrones libres, produce que se libere o se absorba energa. La transferencia de energa tiene lugar en forma de flujo calorfico entre las dos caras de los semiconductores [16]. El enfriamiento termoelctrico empez a ser factible a partir de los estudios de Telkes en los aos 30 y de Lofee en 1956. Los nuevos materiales semiconductores irrumpan en la escena produciendo rendimientos mucho ms altos. Telkes utiliz pares o soldaduras de PbS y ZnSb y Loffee descubri el uso de PbTe y PbSe [15]. Actualmente, se emplea fundamentalmente el bismuto-telurio como material semiconductor, fuertemente dopado para crear un exceso (tipo-n) o una deficiencia (tipo-p) de electrones. En adelante, todos los efectos relacionados con la aparicin de distribuciones de temperatura debida a un flujo de corriente los llamaremos efectos electrotrmicos. Por esta razn, consideramos que el efecto Peltier y el efecto que se presenta en el siguiente prrafo son fenmenos electrotrmicos en lugar de fenmenos termoelctricos [4]. Bajo esta definicin el efecto Seebeck es un efecto termoelctrico ya que el gradiente de temperatura conlleva a la aparicin de una corriente elctrica, mientras que el efecto Peltier es un efecto electrotrmico debido a que la corriente elctrica conlleva a la aparicin de un gradiente de temperatura.
1.3. ESTADO DEL ARTE. 1.3.1. NUEVO EFECTO Electrothermal Effect. ELECTROTRMICO: Barrierless
Un anlisis cuidadoso del modelo que explica los efectos electrotrmicos y sus interpretaciones fsicas nos indica la existencia de un efecto Barrierless Electrothermal Effect [5]. ste aparece cuando la conductividad trmica superficial es finita. La estructura que se presenta en la fig. 1.3, est formada por dos semiconductores tipo-n distintos (1,2 < 0).
Figura 1.3. Efecto termoelctrico en la barrera de potencial.
El flujo de calor de deriva Q1 que entra por la superficie x=0, no puede pasar en su totalidad debido a que la conductividad trmica superficial es finita, por lo que el rea a la derecha del contacto se calienta. Al otro lado del contacto, el flujo de calor de deriva Q2 sale de la interfase llevndose energa, la cual no puede ser compensada por el flujo de calor de deriva que pasa por la superficie de contacto x=0. En consecuencia, el lado derecho del contacto se calienta y el lado izquierdo se enfra. La existencia de este efecto se puede analizar desde el punto de vista del principio de Chatelier-Brown [6]. De acuerdo a este principio, los flujos de calor de deriva generados por el paso de corriente elctrica deben ser compensados por flujos de calor en direccin contraria. Debido a su naturaleza, los flujos de compensacin slo pueden ser flujos de difusin trmica Q = - T, en donde es la conductividad trmica. La distribucin espacial de la temperatura debida a la aparicin de los flujos de difusin trmica se muestra en la fig. 6, para una aproximacin lineal de la corriente elctrica y para valores 9
finitos de la conductividad trmica superficial. Si adems se tiene un contacto tipo np, el efecto es an mucho mayor, como se observa en la figura 1.4.
Figura 1.4. Efecto en unin n-p.
Pero cuando se estudia el paso de calor y corriente por un contacto tipo np es necesario tomar en cuenta la transformacin de electrones en huecos y de huecos a electrones en el contacto, es decir, se debe tomar en cuenta el fenmeno de la recombinacin [7]. La descripcin de los flujos de difusin-deriva se fundamenta en el trabajo de Einstein de 1905 sobre el movimiento browniano. La prediccin del nuevo efecto electrotrmico se hizo en el Departamento de Fsica del CINVESTAV como resultado del estudio de la termoelectricidad. Durante los ltimos doce aos se han obtenido resultados interesantes en esta lnea de investigacin. Se obtuvo un mtodo nuevo para calcular la fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares dentro de la aproximacin lineal, que toma en cuenta los portadores de carga fuera de equilibrio generados en la muestra despus de aplicar un campo de temperatura. Por primera vez se defini con precisin cules son los portadores de carga fuera de equilibrio y cmo debe escribirse la ecuacin de Poisson para tomarlos en cuenta. Tambin por vez primera se tom en cuenta el trmino proporcional al cambio de temperatura local producido por el gradiente de temperatura aplicado en la expresin para la recombinacin volumtrica para calcular la fuerza termoelectromotriz, dando por resultado que sta y la resistencia del semiconductor dependen no slo de los parmetros tradicionales como las conductividades elctricas de electrones y huecos, sino tambin de las tasas de recombinacin volumtrica y superficial [8-10]. Otro resultado importante y de incidencia directa es el papel que juega la recombinacin en el efecto de enfriamiento en el contacto [3].
10
1.3.2. IMPORTANCIA DE LA FIGURA DE MRITO Z.

La figura de mrito Z o su equivalente adimensional ZT no es el nico factor que determina la eleccin del material pero s es el ms importante [11]. Precisamente la figura de mrito determina la eficiencia de los dispositivos termoelctricos. Se define como la relacin Z=2 / , en donde es la conductividad elctrica. Es comn usar el trmino factor de potencia para designar 2 o 2T, ya que este trmino slo contiene las propiedades electrnicas, mientras que siempre contiene una contribucin grande de la red. La refrigeracin a temperatura ambiente es una de las aplicaciones termoelctricas ms comunes. Los materiales que se utilizan principalmente son las aleaciones de Bi2Te3 con Sb2Te3 y Bi2 Se3. stas tienen un valor de zT alrededor de la unidad. Se han encontrado materiales con valores de zT por encima de la unidad, pero todava no se tienen materiales con valores de zT mucho mayores. Uno de los principales problemas en la conversin de energa trmica o solar en energa elctrica es la baja eficiencia de los convertidores existentes basados en semiconductores. Principalmente porque una parte considerable del flujo de energa se lleva a cabo a travs del subsistema de fonones (oscilaciones trmicas de la red cristalina) los cuales no toman parte en la generacin de la fuerza electromotriz. Concretamente en un trabajo [12] se propuso usar la diferencia de temperaturas entre los portadores de carga y los fonones con el fin de aumentar la eficiencia de los convertidores fotoelctricos. En este caso se observa que se reduce la parte del flujo de calor que llevan los fonones. En los convertidores termoelctricos se puede reducir el flujo de energa hacia el subsistema de fonones incrementando la concentracin de portadores, slo que en este caso el aumento de la eficiencia est limitado por la disminucin de la potencia termoelctrica [11]. Una forma ms de disminuir el flujo de calor por medio del subsistema de fonones es con la aparicin del arrastre electrn-phonon13. En este caso la cada de temperatura en el sistema de electrones puede ser 1000 veces mayor a la cada de temperatura entre la fuente de calentamiento y la de enfriamiento [13]. Muchos de los materiales que hoy se usan para la refrigeracin y generacin termoelctrica fueron descubiertos hace mucho tiempo. Sin embargo, en los ltimos aos se han reportado resultados interesantes en sistemas compuestos y aleaciones, las cuales incluyen a las skutterudites, clathrates y aleaciones half-Heusler.
1.3.3. ELEMENTOS TERMOELCTRICOS.

Existen en el mercado dos tipos de placas: las llamadas placas de efecto Peltier o termoelctricas que se utilizan para enfriar y las placas de efecto Seebeck para generar corriente elctrica. Las placas de efecto Peltier son las ms empleadas debido a que su costo es cada vez menor y sus aplicaciones para el mercado del consumo se incrementan da a da. Las placas de efecto Seebeck son las de mayor costo. Prometen ser 11
importantes en un futuro no muy lejano y permiten recuperar energa de focos calientes, como por ejemplo, muros y techos en edificios o el de los tubos de escape en los automviles. Una placa termoelctrica est constituida por una serie de elementos semiconductores de tipo N y P que estn dispuestos sobre una superficie cermica, elctricamente en serie y trmicamente en paralelo.
Figura 1.5. Placa termoelctrica.
Existen tambin las placas multinivel con una estructura que se puede observar en la figura 1.6. Estas placas multinivel, permiten conseguir saltos trmicos importantes, pudiendo llegar incluso a diferencias de 130 C. Las potencias a disipar, a medida que se aumentan los gradientes de temperatura son cada vez menores, pero las ventajas de poder refrigerar puntualmente son muy importantes.
Figura1.6. Placa termoelctrica multinivel.
12
La refrigeracin por mtodos termoelctricos podra sustituir a los sistemas de refrigeracin actuales, eliminando el uso de clorofluorocarbonos, gases contaminantes que destruyen la capa de ozono. Adems del alto beneficio que lo anterior representa en trminos ecolgicos, la refrigeracin termoelctrica posee diversas ventajas: Produccin de fro y calor indistintamente invirtiendo la polaridad de la tensin aplicada. Ser totalmente silenciosa y no producir vibraciones. Fcil variacin de la potencia refrigerante, actuando sobre la tensin de alimentacin. No necesita mantenimiento. No posee elementos mviles. Puede funcionar en cualquier posicin.
1.3.4. TENDENCIAS DE INVESTIGACIN ACTUALES.

La comunidad cientfica intenta aumentar el factor de mrito por medio de la bsqueda de nuevos materiales, incluidos los sistemas de baja dimensionalidad como puntos cunticos y super-lattice. Slo unos pocos, realizan investigacin de los fenmenos termoelctricos sin utilizar nuevos materiales, buscando una mejor comprensin de los principios fsicos relacionados con estos fenmenos y como ya se ha comentado en el apartado anterior no es descabellado pensar que ambas tendencias son perfectamente compatibles; nuevos materiales nos pueden aportar mejoras, pero tambin un profundo conocimiento de los principios fsicos que rigen el fenmeno termoelctrico debe llevar a la aportacin de mejoras. As pues, es absolutamente necesaria la caracterizacin de una clula termoelctrica con precisin, ya funcione en modo Peltier o en modo Seebeck. El estudio de los fenmenos termoelctricos normalmente se ha llevado a cabo usando modelos analticos resultado de aplicar una serie de simplificaciones sobre las ecuaciones constitutivas de los materiales termoelctricos. Dichas simplificaciones hacen que determinados efectos no sean tenidos en cuenta pudiendo conducir a resultados no muy precisos. En los ltimos aos se han comenzado a realizar modelos utilizando mtodos numricos como los elementos finitos y condiciones de contorno que permiten tener en cuenta la mayor parte de las simplificaciones realizadas en los modelos analticos. En este estado del arte se hace referencia a diferentes modelos que permitiran contrastar los resultados con el que desarrolla esta investigacin..
1.3.5. MODELO DE UN TERMOELEMENTO IDEAL.

Como ya se ha comentado, la tcnica de clculo ms empleada en la industria termoelctrica es el uso de frmulas analticas que resultan de la resolucin de las ecuaciones que definen los fenmenos termoelctricos bajo una serie de hiptesis 13
simplificadoras. As, podemos obtener las ecuaciones que definen la transmisin de calor de un termoelemento a partir de las ecuaciones constitutivas de los materiales termoelctricos: j= 1
* V
* T
(1.1)
q = * T * j * T
(1.2)
y asumiendo la condicin de estado estacionario tenemos las ecuaciones de equilibrio: j = 0 q +j V = 0 (1.3) (1.4)
Figura 1.7. Modelo unidimensional de un termoelemento.
La primera consideracin que se va a realizar para resolver las dos ecuaciones de equilibrio es despreciar cualquier intercambio de calor en direccin perpendicular a la direccin del flujo de corriente, debido a que en las clulas termoelctricas los pellet tienen propiedades isotrpicas de conduccin de calor en la direccin de la corriente. Se trabaja por tanto con un modelo unidimensional. Las ecuaciones constitutivas de los materiales termoelctricos as como las ecuaciones de equilibrio vendran dadas por las siguientes expresiones: j= 1 V T * * x x (1.5)
q = *T * j *
T x
14
(1.6)
j / x = 0 q / x = -jV / x
(1.7) (1.8)
De la primera ecuacin de equilibrio (1.7), se deduce que la densidad de corriente elctrica tiene que ser constante en todo el dominio. Por conservacin de la carga y al considerar estado estacionario, el flujo de corriente elctrica es constante y por tanto podemos decir que: j = j0 * e x donde e x representa un vector unitario de la direccin del eje x. Teniendo en cuenta las ecuaciones (1.6) y (1.9) y sustituyendo en la ecuacin (1.5), se obtiene la siguiente expresin: (1.9)
T T 2 ( * T * j 0 * ) = * j 0 + * j 0 * x x x
(1.10)
La ecuacin anterior se puede reescribir tomando como variable la distribucin espacial de temperatura T(x) y por tanto:
T 2T 2 j 0 * ( * T ) + * j 0 * = * j0 2 x x x
(1.11)
Bajo la consideracin de propiedades constantes del material, la ecuacin (1.11) se reduce a: 2 T / x 2 = - ( / )j 0 2 2 T / x 2 = - C 0 Donde: C0 = (1.12)
2 *j 0
La ecuacin (1.12) tiene una solucin del tipo: T A ( x) = C 0 * x2 + C1 * x + C 2 2 (1.13)
El clculo de las constantes C1 y C2 viene determinado por las condiciones de contorno del problema. Si la temperatura de ambos extremos es conocida: T A ( x = 0) = T1 T A ( x = L) = T2
15
El valor de las constantes viene dado por las siguientes expresiones: C1 = L2 1 * (T2 T1 + C 0 * A ) LA 2
C 2 = T1 Y la distribucin de temperaturas a lo largo del termoelemento quedara expresada de la siguiente forma: x 1 (1.14) T A ( x) = T1 + * (T2 T1 ) + * A * j 0 * x * ( L A x) LA 2 A Ntese que la distribucin de las temperaturas en el interior del termoelemento se compone de un trmino lineal, que sera el que existira si no hubiese circulacin de corriente y un trmino cuadrtico debido al efecto Joule. Aplicando la ecuacin (1.5) se puede calcular la distribucin del flujo de calor en el interior del termoelemento. 1 A x 2 T1 + L * (T2 T1 ) + 2 * * j0 * x * ( L A x) q A ( x) = A * j0 * A A (1.15) T T 1 2 A * 2 1 + * A * j0 * ( L A 2 x) 2 A LA
Y por tanto el flujo de calor tanto en la seccin inicial del termoelemento como en la final se obtendra simplemente por sustitucin del valor de la coordenada x.
T T 1 q a (x = 0) = a j 0 T 1 - a L A j 0 2 - a 2 1 2 LA
T T 1 q a (x = L A ) = a j 0 T 2 - a L A j 0 2 - a 2 1 LA 2
(1.16)
(1.17)
Considerando que el termoelemento tiene una seccin transversal de valor constante y de valor AA y que la corriente elctrica que circulara por el termoelemento fuese I = j 0 * AA , la potencia calorfica absorbida en el extremo izquierdo del termoelemento y cedida en el extremo derecho seran:
A 1 L 2 Q AC = A IT 1 - A I - A A (T 2 -T 1 ) LA 2 A A 1 L 2 Q AH = A IT 2 - A I - A A (T 2 -T 1 ) LA 2 A
(1.18)
(1.19)
16
Los signos de las ecuaciones anteriores se corresponden a la figura (Fig. 1.7), correspondiente al modelo unidimensional de un termoelemento considerando la direccin de corriente en el mismo sentido del gradiente de temperaturas, considerando:

Positivos (+), sentido positivo del eje x, en x = 0, cuando el flujo de calor entra en el termoelemento, y en x =L cuando el flujo sale del mismo. Negativos (-), sentido negativo en el eje x, en x = 0 cuando el flujo sale del termoelemento, y en x=L cuando el flujo entra en el mismo.
Si consideramos ahora (Fig. 1.8), un par termoelctrico constituido por dos termoelementos, uno dopado tipo n y otro tipo p, unidos entre s por puentes elctricos ideales; es decir, considerando las resistencias trmica y elctrica nulas. Esta suposicin implica que la temperatura de los extremos de cada termoelemento va a coincidir con las temperaturas en las superficies exteriores de los puentes elctricos.
Figura 1.8. Par termoelctrico p-n.
Denominando foco fro donde el efecto Peltier produce flujo de calor desde el medio hacia el sistema (par termoelctrico) y para las variables asociadas a l, utilizaremos el subndice c. De igual forma se denomina foco caliente, a aquel en el que el efecto Peltier produce flujo de calor desde el sistema (par termoelctrico) hacia el medio y para las variables asociadas a el utilizaremos el subndice h. De acuerdo con la ecuacin (1.18), el calor total absorbido del foco fro ser:
Lp Lp L L 1 Q =Qpc +Q =(p n)*I *Tc *I 2 *(n * n +p * ) (n * n +p * )*T (1.20) c nc 2 An Ap A Ap n
17
Expresin que se puede reescribir como: 1 Qc = ( p n ) * I * Tc * I 2 * R K * T 2 (1.21)
Donde R representa la resistencia elctrica y K la conductancia trmica total del par termoelctrico, siendo T la diferencia de temperaturas entre la cara fra y la cara caliente. Lp L R = n n + p (1.22) An Ap K = n
Lp Ln +p An Ap
(1.23) (1.24)
T = T h - T c
En la ecuacin (1.21) quedan perfectamente diferenciados los efectos de las dos irreversibilidades que tienen lugar en los termoelementos. Por un lado el efecto joule, que cuando se consideran propiedades constantes del material se reparte por igual entre el foco fro y caliente, y por otro el efecto Fourier que se pone de manifiesto al existir un gradiente trmico entre el foco caliente y fro. El efecto Peltier es controlado por el coeficiente Peltier, definido como el producto del coeficiente de Seebeck del semiconductor y la temperatura absoluta de la unin. El efecto Peltier est relacionado con un efecto refrigerador cuando la corriente pasa de un semiconductor tipo n a un semiconductor de tipo p, y con efecto calefactor cuando la corriente pasa de un semiconductor tipo p a un tipo n.
Figura 1.9. Par termoelctrico funcionando como refrigerador.
18
Invirtiendo la polaridad de la corriente se invierte el sentido de la transferencia de calor.
Figura 1.10. Par termoelctrico funcionando como bomba de calor.
Las ecuaciones descritas anteriormente representan expresiones tradicionales que se utilizan en el mundo de la Ingeniera termoelctrica para realizar clculos analticos. La ecuacin (1.21) obtenida ya por Ioeffe, [19], representa la ecuacin bsica de cualquier clculo del comportamiento de un par termoelctrico, y tambin es referencia ms recientemente en [35], y [36]. Ahora bien, en su obtencin se han supuesto una serie de condiciones y tambin simplificaciones que son fuente de errores que en algunos casos pueden llegar a ser importantes:
Flujo elctrico unidimensional. Esta suposicin se puede considerar cierta en termoelementos de seccin constante y de propiedades isotrpicas. Flujo de calor unidimensional. Suposicin vlida en termoelementos de seccin constante cuando se desprecian las prdidas de calor a travs de las superficies laterales, es decir, cuando se consideran adiabticas. Hoy en da comienzan a aparecer en el mercado gamas de mdulos termoelctricos en los que los huecos entre termoelementos del par se rellenan con siliconas no conductoras que implican que esta suposicin sea cierta. La misin de estas siliconas conductoras a parte de servir como aislante trmico, es evitar fenmenos de condensaciones en el lado fro as como evitar que polvo u otras impurezas se acumulen con el tiempo.
19
Propiedades termoelctricas constantes de los materiales. Realizar esta suposicin implica despreciar el efecto Thomson. Esta suposicin puede ser fuente de error porque las propiedades termoelctricas de los materiales semiconductores son funcin de la temperatura. Suponer propiedades constantes de los materiales semiconductores solamente es admisible cuando el salto trmico entre caras del par termoelctrico sea bastante pequeo. Modelo que nicamente tiene en cuenta los dos termoelementos. Esta suposicin implica:
o Puentes elctricos ideales sin considerar su resistencia elctrica y su resistencia trmica, ni las resistencias de contacto en las uniones entre termoelementos y puentes elctricos. o Placas cermicas y materiales de unin a los pares termoelctricos ideales. Las cermicas introducen una resistencia trmica no despreciable que aumenta salto trmico entre las caras de cada termoelemento. o El flujo de calor de estas superficies cermicas y materiales de unin no se puede considerar unidimensional.
Diferentes investigadores, muchos de nuestro grupo europeo, han realizado una serie de trabajos en los que se han incluido modificaciones ms o menos complejas sobre las ecuaciones que rigen los fenmenos termoelctricos. Estos trabajos solucionan algunos de los problemas que plantean las simplificaciones aplicadas a la obtencin de las ecuaciones bsicas.
1.3.6. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS EN FUNCIN DE LA TEMPERATURA.

1.3.6.1. Coeficiente de Seebeck en funcin de la temperatura.
Aunque las frmulas anteriores representan una buena aproximacin a la hora de realizar diseos de aplicaciones termoelctricas, no es realista asumir que el coeficiente de Seebeck, la resistividad elctrica y la conductividad trmica de los termoelementos que constituyen el par termoelctrico sean independientes de la temperatura. Los errores que se comenten al asumir esta simplificacin pueden ser importantes sobre todo cuando los pares termoelctricos trabajan bajo saltos trmicos grandes. En este caso, y volviendo a trabajar con el modelo unidimensional, en el que las paredes laterales son adiabticas, la ecuacin a resolver para obtener la distribucin de las temperaturas a lo largo del termoelemento vendra dada por la siguiente expresin:
p ,n (T ) T I 2 * p ,n (T ) T + * + =0 p ,n (T ) * A p ,n * I * T * x x T x A p ,n
(1.25)
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Ecuacin diferencial de segundo orden con coeficientes no constantes, que no tiene solucin analtica. Una simplificacin que hizo Ioeffe en [19] y tambin empleada por Yu en [37] y Arenas en [2] es considerar los valores promedios tanto de conductividad trmica como de resistividad elctrica en el rango de temperaturas de trabajo. Esta aproximacin es aceptable si se tiene en cuenta que los efectos irreversibles que caracterizan estas propiedades son fenmenos volumtricos que tienen lugar a lo largo del termoelemento. De hecho Ioeffe en [19] propone el uso de valor promedio de producto en vez del producto del valor medio de las dos propiedades por separado. Ioeffe, Yu y Arenas referenciados en el prrafo anterior, muestran una forma de considerar de alguna manera la dependencia de coeficiente de Seebeck con la temperatura en los materiales termoelctricos. Realizar los clculos con el valor medio de coeficiente de Seebeck en el rango de temperaturas de trabajo de los termoelementos representa con mayor exactitud la influencia del efecto Thomson que la consideracin del valor del coeficiente de Seebeck a la temperatura que se encuentra la unin fra. Sin embargo, sigue siendo necesario considerar un valor constante para la conductividad trmica y resistividad elctrica.
1.3.6.2. Dependencia con la temperatura de la resistividad elctrica y la conductividad trmica de los termoelementos.
Buist, R.J. en [38] propone trabajar con las ecuaciones que definen el comportamiento de un termoelemento en las que se consideran constantes las propiedades termoelctricas por su sencillez. As para termoelemento genrico con coeficiente de Seebeck , resistividad elctrica y conductividad trmica de seccin transversal A y longitud L, la potencia frigorfica absorbida por el termoelemento en el foco fro vendra dada por la siguiente expresin:
1 L A Qc = * I * Tc * I 2 * * * * (Th Tc ) 2 A L
La potencia calorfica cedida en el foco caliente seria: 1 L A Qh = * I * Th * I 2 * * * * (Th Tc ) A L 2
(1.26)
(1.27)
De estas ecuaciones se puede despejar el valor de la temperatura en el foco fro en funcin de la potencia calorfica cedida al foco caliente.
Tc = Th L L 1 * ( * I * Th + * I 2 * * Qh A *A 2
(1.28)
21
As, la potencia elctrica consumida por el termoelemento sera: L Pe = * I * (Th Tc ) + I 2 * * A
(1.29)
Con las ecuaciones anteriores, y al considerar propiedades constantes de los materiales solamente se obtienen resultados prximos a los reales cuando se trabaja con saltos trmicos muy pequeos. La gran ventaja de las mismas es su sencillez. El mtodo que plantea Buist, es subdividir el termoelemento en pequeos segmentos y aplicar a cada uno de ellos las ecuaciones anteriores.
Figura 1.11. Subdivisin del isimo-elemento.
El Dr. Buist, director del grupo de investigacin en el cual participamos, propone usar como datos la temperatura del termoelemento en el foco caliente, Th , y la potencia calorfica cedida al foco caliente Qh . Tomando como datos estas variables, el clculo de la distribucin de la temperatura a lo largo del termoelemento se puede hacer desde la base, sin mayor dificultad, evaluando las propiedades termoelctricas del material en cada uno de los segmentos a la temperatura del lado caliente. En [38] se muestran los resultados sobre un termoelemento, que se dividi en 20 segmentos. Se fij la temperatura en el foco caliente en 27 C. Para una intensidad dada, se calcul la potencia que se absorbera en el foco fro Qcn , correspondiente al segmento
n. Como se supone que el mayor error entre considerar propiedades constantes y en funcin de la temperatura se produce cuando el salto trmico en el interior del termoelemento es mximo, el proceso de clculo se repite restando a la potencia calorfica inicial el valor Qcn . En dos o tres iteraciones el valor Qcn se aproxima lo
suficiente a cero. Adems se vari el valor de la corriente elctrica de forma paramtrica 22
hasta obtener la corriente que hace que la temperatura en el lado fro del termoelemento sea mnima. El autor supone que la carga trmica en el foco fro es nula, pero se podra aadir dicha carga trmica, o considerar el calor absorbido por radiacin o conveccin en las caras laterales de cada segmento, introduciendo as un nuevo trmino en el balance trmico y, en consecuencia, mejorar el modelo. Adems el autor del trabajo compara los resultados obtenidos con los resultados de tres modelos analticos clsicos en la literatura termoelctrica. El primero de ellos tiene la ventaja de que no necesita ninguna iteracin. En l se considera P ( Thot ) y consiste en utilizar las frmulas con propiedades constantes, evaluadas a la temperatura del foco caliente ( Th ). En teora este mtodo debera sobrestimar los resultados porque la figura de mrito de los materiales termoelctricos suele aumentar con la temperatura. El segundo trabajo, considera P ( Tavg ) y es muy similar al primero pero evala las propiedades a la temperatura media entre los extremos del termoelemento. Aunque parecido a la simplificacin propuesta por Ioeffe, no son soluciones iguales; ya que Ioeffe evaluaba el coeficiente de Seebeck a la temperatura media geomtrica. Este mtodo necesariamente es iterativo porque no se conoce la temperatura media de Tavg . El tercer mtodo es una forma un poco ms compleja de determinar las propiedades termoelctricas efectivas cada termoelemento. Se considera que Pavg , utiliza valores medios de las propiedades termoelctricas. Como la variacin del coeficiente de Seebeck depende del gradiente de temperaturas, el valor medio se calcula integrando el coeficiente de Seebeck entre las temperaturas del foco fro y foco caliente. El valor medio de la conductividad trmica y la resistividad elctrica, al ser funciones que dependen de la coordenada espacial se calcularon mediante la integral con respecto a la posicin a lo largo del termoelemento El primero de los mtodo analticos sobrestima el salto trmico mximo para intensidades bajas, pero subestimando el valor de salto trmico mximo comparando los resultados con el mtodo numrico propuesto. Esto se debe a que el mtodo numrico planteado incluye de forma intrnseca el efecto del coeficiente Thomson y comparando resultados con los obtenidos por el tercer mtodo analtico, se puede encontrar un aumento en el salto trmico mximo de hasta 4C y en consecuencia aumentando la intensidad mxima de trabajo del mdulo. Ninguno de los tres mtodos analticos se ajusta bien al mtodo numrico, cuando la corriente elctrica es elevada. El tercer mtodo analtico planteado ( Pavg ), ajusta de forma casi perfecta la distribucin de la potencia elctrica consumida a lo largo del termoelemento comparando con los resultados del mtodo numrico, lo que demuestra la viabilidad de utilizar los valores medios de la resistividad elctrica y la conductividad trmica integrando a lo largo de la posicin del termoelemento.
23
La ventaja de este mtodo es su sencillez al utilizar las frmulas analticas tradicionales, y permite, si se desea, considerar tanto el coeficiente de Seebeck, como la conductividad trmica y la resistividad elctrica como dependientes de la temperatura, y tambin considerar que los laterales de los termoelementos no sean adiabticos lateralmente, con lo cual ajustamos ms el clculo al fenmeno fsico real. Estas consideraciones se hacen en el presente trabajo de investigacin, con el fin de ajustar mejor el modelo. Lau, P.G. y Buist, R.J. han empleado esta misma tcnica para realizar el estudio de un par termoelctrico completo, incluyendo los puentes elctricos y las placas cermicas analizando tambin el transitorio trmico en [39]. Tambin ha sido estudiado por ellos el comportamiento del termoelemento trabajando como generador termoelctrico en [40]. Drabkin, I. y Dashevsky, Z. en [17] han estudiado el comportamiento de un termoelemento considerando propiedades en funcin de la temperatura. Estos autores sealan que, en la optimizacin del comportamiento de un termoelemento, no es tan importante la distribucin de las temperaturas en el interior del mismo como lo son las condiciones de contorno de los extremos. En el artculo proponen un modelo que utiliza una solucin aproximada de la distribucin de temperaturas en el interior del termoelemento y expresiones exactas para el clculo de la potencia absorbida y cedida en los extremos del mismo. Estos autores han utilizado esta tcnica para establecer criterios a la hora de seleccionar materiales termoelctricos en [16] y en el estudio de termoelementos segmentados en [15]; es decir, termoelementos cuya longitud esta optimizada de acuerdo al salto trmico en el que se va a trabajar. Un mtodo muy similar ha sido empleado por Whitlow, L.W. en [41] donde se analiza un termoelemento segmentado para mejora la eficiencia como generador termoelctrico cuando el par esta sometido a un gradiente de temperaturas muy grande. En los ltimos trabajos que hemos encontrado hasta la fecha, se analiza la distribucin de temperaturas en el interior de un termoelemento [42] y [43]. En estos dos artculos se plantea la resolucin de la ecuacin 1.10 considerando los coeficientes no constantes con la temperatura. Mller, E. y Seifert, W. utilizan el programa comercial Matemtica que permite la resolucin de la ecuacin diferencial con coeficientes no constantes pero solamente cuando las condiciones de contorno aplicadas al problema son de tipo mixto. En este caso, la dependencia con la temperatura de dichos coeficientes se introduce a travs expresiones polinmicas que se ajustan a datos experimentales de las mismas. Para muchos materiales termoelctricos polinomios de segundo o tercer orden reflejan bastante bien su comportamiento. Retomando la ecuacin (1.10):
T T 2 ( * T * j 0 * ) = * j 0 * j 0 * x x x
24
Y teniendo en cuenta las siguientes relaciones: / x = / T T / x / x = / T T / x Podemos obtener la siguiente ecuacin: (1.30) (1.31)
(T ) *
(T ) T 2 (T ) T 2 2 + * j0 * T * * = (T ) * j 0 2 T x T x x
(1.32)
Para la resolucin matemtica de la ecuacin anterior, era necesario fijar el flujo de calor y la temperatura en uno de los extremos pudindose aplicar un mtodo iterativo para llegar a la solucin. La diferencia entre trabajar con valores promedios o simular las propiedades en funcin de la temperatura fue que la temperatura en la cara fra era 3C inferior en el segundo caso debido a la absorcin de calor que se produce en el interior del termoelemento por efecto Thomson. La solucin de la ecuacin diferencial se comportaba de manera estable, probablemente porque el cambio en las propiedades en el rango de temperaturas de trabajo de cada termoelemento no es muy grande.
1.3.6.3. Efectos trmicos no considerados en el caso ideal.

Todos los trabajos que se han referenciado en este estado del arte hasta este punto estn centrados en modelos unidimensionales que caracterizan el comportamiento de un termoelemento resaltando la importancia de considerar propiedades no constantes de los termoelementos. Sin embargo, un mdulo termoelctrico tiene otros componentes que no suelen ser tenidos en cuenta pero que pueden llevar a cometer errores no despreciables. Existen dos problemas de carcter trmico: 1. Transmisin de calor en las interfases entre el par termoelctrico y los focos fro y caliente. 2. Transmisin de calor por efecto Peltier a travs de la silicona en el hueco que queda entre los termoelementos del par termoelctrico. Estos dos problemas estn ntimamente relacionados. Reducir la distancia entre los termoelementos, para disminuir el puente trmico a travs del aislamiento, lleva como consecuencia reducir el rea total del material que une el par termoelctrico con los focos fro y caliente y por tanto aumentar su resistencia trmica. En [26] se trata este problema de forma unidimensional bajo las siguientes condiciones:
25
Par termoelctrico con propiedades constantes, termoelementos tipo p y n idnticos en dimensiones y con las mismas propiedades termoelctricas. El espacio entre los termoelementos tiene una seccin transversal que es una fraccin (g), de la seccin transversal de los termoelementos y esta rellenado con un material aislante de conductividad trmica I .
La segunda condicin se impone debido a la necesidad de aislar elctricamente el par termoelctrico tanto del foco fro como del caliente para evitar posibles cortocircuitos con los mismos. Este aislante elctrico, que suele ser bien una silicona no conductora o placas cermicas de AIN o Al 2 O3 , tiene una conductancia trmica por unidad de rea del valor Kc. Si el par termoelctrico tiene una seccin transversal de valor A=An+Ap, la seccin transversal de las placas cermicas ser A*(1+g) y la conductancia trmica en cada una de esas interfases ser Kc*A(1+g). El salto trmico T en las caras del par termoelctrico se puede expresar como la suma del salto trmico entre el foco fro y el caliente T * ms la suma del incremento de temperatura que se producira debido a las placas cermicas: 1 Qc * ( 2 + )
T = T * +
k c * A * (1 + g )
(1.33)
Donde f es la eficiencia frigorfica del par termoelctrico definida como el cociente entre la potencia frigorfica absorbida del foco fro y la potencia elctrica consumida. Si los termoelementos pudiesen tener una longitud muy grande, el valor de g sera nulo, y al mismo tiempo, la diferencia de temperaturas entre los focos fro y caliente sera prcticamente igual al salto trmico entre los extremos del termoelemento, ya que al aumentar L, tambin se debe aumentar la seccin transversal de los termoelementos para mantener la esbeltez. La optimizacin del valor de g para una longitud de los termoelementos viene condicionada segn el punto de trabajo del par termoelctrico, segn se pretenda: Mximo salto trmico con carga trmica nula en el lado fro. Mxima potencia frigorfica. Se considera normalmente cuando se trabaja con saltos trmicos bajos. Mxima eficiencia frigorfica. Se considera normalmente cuando se trabaja con saltos trmicos elevados
El primer caso es el planteado en [26]. Bajo las condiciones de salto trmico mximo en un par termoelctrico ideal, la potencia calorfica cedida al foco caliente simplemente es la potencia consumida por dicho par.
26
Los resultados que se muestran en [26], trabajando con valores comunes en las propiedades de los materiales termoelctricos, as como en la conductividad trmica del aislante entre termoelementos y placas cermicas, confirman que para longitudes de termoelemento entre 2 y 3mm, el salto trmico real sera como mucho un 85% y un 90% del valor que alcanzara en un par termoelctrico ideal.
Esto demuestra la necesidad de incluir dentro del modelo tanto el material aislante entre termoelementos; as como las placas cermicas. No consideramos real, ni correcta la aplicacin de un modelo unidimensional; ya que la transmisin de calor se produce en tres dimensiones.
1.3.7. RESISTENCIAS ELCTRICAS DE CONTACTO.

La resistencia elctrica en la unin de los termoelementos con los puentes elctricos puede llegar a ser significativamente mayor que la resistencia elctrica volumtrica del termoelemento. Estas resistencias lo que hacen es aumentar la generacin de calor irreversible por efecto Joule tanto en la cara fra como en la caliente del termoelemento. En la cara fra se opone directamente al calor absorbido en la unin fra por efecto Peltier, y en la cara caliente, aumenta la cantidad de calor cedida a este foco caliente. Adems, ambos efectos producen un aumento en el consumo elctrico del par termoelctrico. La resistencia elctrica de contacto es normalmente inversamente proporcional a la seccin transversal del termoelemento, y por tanto su efecto se puede minimizar aumentando su seccin transversal. Ahora bien, como el valor que optimiza la eficiencia de un par termoelctrico es la esbeltez L/A, un aumento de seccin transversal implicara tambin un aumento en la longitud de los termoelementos para mantener dicha esbeltez ptima. Adems, uno de los parmetros a minimizar en los termoelementos es su volumen, ya que esto reducira el material utilizado en la fabricacin de los mdulos y por tanto su coste. Cuando existe una resistencia de contacto elevada, la reduccin de la longitud L de los termoelementos por debajo de un cierto valor puede perjudicar al funcionamiento de los termoelementos, necesitando un gran nmero de pares termoelctricos para obtener la misma potencia frigorfica. Parrot y Penn han estudiado la optimizacin de la potencia frigorfica para un volumen determinado de material termoelctrico de un termoelemento. Estos autores suponen que la resistencia elctrica de contacto del par termoelctrico es rc y que se reparte por igual entre el foco fro y el caliente. De esta forma por ejemplo, la potencia frigorfica absorbida en el foco fro del termoelemento vendra dada por la ecuacin (1.21) aadiendo la resistencia de contacto al trmino del efecto Joule. r 1 Qc = ( p n ) * I * Tc * I 2 * ( R + c ) K * T (1.34) 2 A
27
Con lo cual, la potencia elctrica consumida por dicho par termoelctrico, queda descrita como:
Pe = ( p n ) * I * (Th Tc ) + I 2 * ( R +
rc ) A
(1.35)
El efecto es el mismo que aadir un sumando a la resistencia volumtrica de los termoelementos: r R* = (R + c ) A Es decir, la resistividad efectiva del par termoelctrico sera:
r + c L
La optimizacin de la longitud de los termoelementos considerando la resistencia contacto se puede plantear para los puntos caractersticos de un par termoelctrico, potencia frigorfica mxima, o mxima eficiencia. En [21] se representa un resumen de los resultados obtenidos por Parrot y Penn. Estos autores definen una ratio como: rc *L Ellos, consideran que para trabajar con eficiencia mxima, el ratio definido debe tener un valor de 2,5, producindose entonces una optimizacin de la cantidad de material. Sin embargo para este valor de longitud del termoelemento, la eficiencia del par termoelctrico es aproximadamente un sptimo ms pequea que la que tendra un par termoelctrico de la misma longitud sin la resistencia de contacto. De hecho para un termoelemento con una longitud del orden de 2mm, el factor
rc
* L no debe de superar el valor 0.1, que supondra una reduccin con respecto a la eficiencia del par termoelctrico aproximada de un 5%.
Actualmente, las resistencias de contacto de los puentes elctricos unidos a termoelementos de aleaciones de bismuto y telurio tienen valores del orden de 10 9 m 2 . Las resistencias de contacto de las uniones de los diferentes componentes del par termoelctrico no deben confundirse con la propia resistencia elctrica que introducen los puentes elctricos. En general, dicha resistencia se considera despreciable porque la conductividad elctrica del cobre es elevada. Ahora bien, se debe actuar con mucha cautela; ya que cuando la seccin transversal de los puentes elctricos no es muy grande podra no ser despreciable.
28
1.3.8. OTROS MODELOS.

Uno de los modelos ms sencillos es el propuesto por Stockholm, J.G. en [44] en el que se resuelve un par termoelctrico considerando un intercambiador de calor en cada uno de los lados del mdulo termoelctrico.
Figura 1.12. Modelo propuesto por Stockholm, J.G.
La salida del modelo son la potencia frigorfica, potencia calorfica, elctrica y la temperatura en ambos lados del mdulo termoelctrico. El modelo matemtico consta de 6 ecuaciones con seis incgnitas obtenidas a travs del balance trmico. La base del modelo son las ecuaciones que definen el comportamiento de un par termoelctrico ideal y para simplificarlo se han impuesto las siguientes condiciones: El calor por efecto Joule que se produce en el interior de los termoelementos se reparte por igual entre el lado fro y el lado caliente. Este autor afirma que esta suposicin es correcta cuando las propiedades del material termoelctricos son funciones lineales de la temperatura. Los materiales termoelctricos tienen un pequeo trmino de segundo orden que por lo general es despreciable considerando el salto trmico bajo el que trabajan los termoelementos. Todos los termoelementos estn conectados elctricamente en serie y trmicamente en paralelo. Tienen la misma geometra, y propiedades diferencindose en el signo del coeficiente Seebeck. Las paredes laterales de los termoelementos son adiabticas. No se considera la resistencia trmica de las placas cermicas ni de los puentes elctricos. Dicho de otra manera, las temperaturas en los extremos de los termoelementos son iguales a la de las superficies de unin del mdulo termoelctrico a los disipadores respectivos.
29
El puente trmico entre las caras de los disipadores del foco fro y del foco caliente se expresa a travs de una conductividad trmica. Segn Stockholm, J.G., la experiencia prctica demuestra que estas prdidas se pueden aproximar utilizando las temperaturas medias de las bases de los disipadores. La temperatura de la base de un intercambiador de agua es la temperatura de la pared en contacto con el mdulo termoelctrico. En el caso de un disipador de aletas, la temperatura media de la base del disipador, que por lo general no es uniforme. El autor para modelar las propiedades termoelctricas de los pares termoelctricos utiliza unas expresiones polinmicas dadas por el fabricante de mdulos termoelctricos Melchor, obtenidas al ensayar mdulos termoelctricos completos, y que por tanto de alguna forma incluyen el efecto de las placas cermicas y puentes elctricos. Estas expresiones estn dadas en funcin de la temperatura media entre la cara fra y caliente del mdulo, T m . p(T m ) = ( 10,8497+0.0535*( T m -296,15)+62.810 6 ( T m -296.15) 2 )10 6 (T m )=(210,9019+0,34426(T m -296.15)-0,990410 3 ( T m -296.15) 2 )10 6 (T m ) = 1,65901-3,3210 ( T m -296,15)+41,310 ( T m -296,15)
3 6
2
(1.36) (1.37) (1.38)
En el modelo se establecen dos tipos de resistencia trmica entre los elementos disipadores y el mdulo termoelctrico: 1. Una resistencia trmica (designada con el nombre de RT B .), asociada a los fenmenos de conduccin trmica en la base de esos sistemas de disipacin. 2. Otra resistencia trmica (designada con el nombre RT h ) de tipo hidrulico entre el fluido refrigerado o calentado y el sistema de disipacin del foco fro o del foco caliente. Esta resistencia est asociada a los fenmenos de conveccin en la transmisin de calor. 3. Tambin se considera la resistencia trmica del aislante trmico que se sita entre los dos disipadores. Si se plantean los balances trmicos en cada una de las interfases del modelo se llega a un sistema lineal de ecuaciones que tiene como incgnitas las temperaturas en la cara caliente y fra del mdulo termoelctrico, las potencias frigorfica y calorfica, y las temperaturas en las bases de los disipadores. La resolucin del sistema se debe realizar de forma iterativa, evaluando en la primera iteracin las propiedades termoelctricas a la temperatura media entre el foco fro y el foco caliente, hasta ajustar la temperatura en las caras fra y caliente del mdulo termoelctrico. Con ello se pueden obtener de manera rpida resultados sobre las posibilidades de una determinada aplicacin termoelctrica. Ahora bien, puede que simplifique en demasa el modelo del mdulo termoelctrico, y en consecuencia provocar que sea imposible poder optimizar el tamao del mdulo y analizar la influencia de los fenmenos irreversibles en el mismo.
30
Modelos similares a ste pero ms completos han sido planteados por Kondratiev, D. en [45] y por Arenas, A. en [46]. Los dos trabajos estn centrados en analizar con ms detalle los diferentes componentes del par termoelctrico, considerando la influencia de los puentes elctricos y placas cermicas y en el caso de Arenas,A. el material de unin entre los diferentes elementos.
1.3.9. RESOLUCIN DEL COMPORTAMIENTO DE UN PAR TERMOELCTRICO MEDIANTE ANALOGA ELCTRICA.

Varios grupos de investigacin han estudiado el comportamiento de un par termoelctrico aprovechando la analoga existente entre los problemas elctrico y trmico. Ello ha permitido analizar dicho comportamiento resolviendo la malla elctrica equivalente. A partir de las ecuaciones que rigen el comportamiento de un mdulo termoelctrico se puede plantear un circuito elctrico en el que los nodos del mismo representan las temperaturas en las diferentes interfases del mdulo termoelctrico y en el que las fuentes de intensidad representan la potencia consumida por el par, la potencia calorfica extrada del foco fro, y cedida al foco caliente. Las resistencias elctricas representan las resistencias trmicas al paso del flujo de calor de cada uno de los elementos que componen el mdulo termoelctrico. Todo ello, da como resultado el esquema elctrico de la Figura 1.13.
Figura 1.13. Esquema elctrico equivalente de un mdulo termoelctrico.
En el esquema, la fuente de intensidad Q c , simboliza el calor absorbido del foco fro por efecto Peltier: Q c = - T c 31
La fuente de intensidad Q h , representa el calor cedido en la cara caliente del mdulo termoelctrico por efecto Peltier: Qh = Th Las fuentes de intensidad Q vh y Q vc simbolizan el aporte de calor que supone la friccin de los ventiladores instalados en el sistema de disipacin. Hay autores que estiman su valor en un 9% del calor absorbido en el foco fro. La fuente de intensidad P e representa la potencia elctrica consumida por el mdulo termoelctrico: P e= V I Las resistencias Rt fh , Rt fc y los condensadores C h , C c son funcin de los flujos de aire de los sistemas de disipacin en los focos caliente y fro; as como del calor especfico de los refrigerantes. Modelan la resistencia trmica que introducen dichos flujos de aire en estado estacionario y en el transitorio trmico del mdulo termoelctrico. Las resistencias elctricas Rt h y Rt c son funcin de la conductividad trmica de los termoelementos, la geometra de los termoelementos. Estas resistencias equivalentes, tambin deben incluir el efecto del aislamiento trmico entre termoelementos as como el efecto que introducen las placas cermicas del mdulo termoelctrico. Las resistencias elctricas Rt dh , y Rt dc modelan las resistencias trmicas que introducen los sistemas de disipacin, son funcin del rea que tienen para la transmisin de calor y del coeficiente de conveccin medio. El mtodo es aplicable an en el caso real en que las propiedades de los componentes no son constantes pero en las que la variacin con la temperatura es conocida o en problemas en que las condiciones de contorno son parte de la solucin; ahora bien, en estos casos el problema no tiene solucin analtica pero puede ser resuelto numricamente de esta forma. De hecho, la resolucin de mallas puede y debe ser realizada utilizando programas comerciales. Este sistema ha sido evaluado en diferentes pruebas y la desviacin de los resultados con respecto a soluciones analticas es despreciable y el mtodo converge de manera ms rpida que otros modelos analticos. El problema planteado en cada iteracin es un sistema lineal de ecuaciones. Las desviaciones respecto a la realidad se reducen tanto ms cuanto ms se disminuye el incremento temporal entre iteraciones sucesivas. Las bases de modelos de este tipo se muestran en [10]. Este mtodo ha sido estudiado en detalle por Gonzlez Vin J. G. y otros en [47], y se ha empleado en el estudio de diferentes aplicaciones prcticas como un 32
deshumidificador [48], un expositor de vinos [49], y un secadero de quesos [50]. Otros investigadores tambin han realizado trabajos similares en este campo, un modelo simplificado del explicado en esta propuesta, sin tener en cuenta el efecto de los disipadores lo encontramos en [11].
1.4. OBJETIVOS DE LA TESIS.

Con los materiales utilizados actualmente en la fabricacin de las clulas termoelctricas y con las geometras utilizadas, no es posible mejorar, en un rango determinado de temperaturas, caractersticas como la figura de mrito y el COP de estructuras. La comunidad cientfica intenta aumentar el factor de mrito por medio de la bsqueda de nuevos materiales, incluidos los sistemas de baja dimensionalidad como puntos cunticos y superredes. Slo unos pocos, realizan investigacin de los fenmenos termoelctricos sin utilizar nuevos materiales, buscando una mejor comprensin de los principios fsicos que rigen estos fenmenos [16]. Es posible contemplar, en la bsqueda de la mejora de los mdulos termoelctricos, las dos tendencias a la vez; es decir, buscar una mejor comprensin de los principios fsicos y a la vez ensayar nuevos materiales. Por esta razn este trabajo de investigacin propone tanto el estudio de la caracterizacin, ensayo y medidas tanto de mdulos con clulas de Te-Bi como de mdulos con nuevas clulas termoelctricas con pellets con diferente geometra y basados en nuevas tecnologas de materiales como son las Skutterudites basadas en el CoSb con tratamiento a base de nanotecnologa; y en ambos ensayar tanto nuevas estructuras como geometras. Con ello este trabajo de investigacin pretende aportar un estudio de la posible mejora de caractersticas fsicas y elctricas a nivel de mdulo termoelctrico; con el uso de pellets y estructuras con nueva geometra y construidos con nuevo materiales caracterizados en el seno del grupo de investigacin, as como dictaminar su propiedades en un rango de temperaturas. Por ello, el principal objetivo de la tesis es la caracterizacin de mdulos termoelctricos construidos con nuevos materiales caracterizados en el grupo de investigacin y con nuevas geometras, realizando un estudio tanto de sus caractersticas intrnsecas relacionadas con las propiedades termoelctricas de los materiales constituyentes de las thermo-coples y su geometra; como del comportamiento del mdulo funcionando tanto en modo Seebeck como en modo Peltier dentro de un rango de temperaturas. Ya se ha destacado la importancia de disponer de unas medidas lo ms precisas posibles y es por esta razn que se han construido herramientas diseadas para ese propsito, y se describen en anexos a esta memoria. Adems se ha dispuesto de las del grupo europeo en el cual colaboramos, especialmente las del DLR (German Aerospace Centre) y la empresa PANCO (Mlheim-Krlicher Germany).
33
En el camino de la consecucin de estos objetivos, en el captulo 2 se estudian diferentes modelos, haciendo hincapi al modelado en frecuencia, muy poco tratado por los investigadores en el modelado de clulas termoelctricas; as como en la influencia de la geometra de los pellet constituyentes de las thermo-couples de las clulas termoelctricas. Notando que los aspectos relacionados con la geometra del semiconductor y su interaccin en un modelo inicialmente unidimensional es tratado en la literatura mediante formas bsicas, y es necesario profundizar la influencia de la geometra tanto a nivel de thermo-couple como de la placa termoelctrica, en el captulo 3 se aporta un estudio de influencia de la geometra del pellet en los efectos Peltier e irreversibles; as como de la influencia de la diferencia de las propiedades en los pellets en el comportamiento y rendimiento del mdulo termoelctrico. Tambin en el camino de la caracterizacin de nuevos mdulos termoelctricos, y en el inicio del captulo 3 se hace un anlisis comparativo de diferentes modelos sobre placas termoelctricas comerciales, con el fin de determinar su bondad en la respuesta y poderlos aplicar con fiabilidad a las caracterizaciones que ms adelante se realizarn en el trabajo de investigacin. Los captulos 4, 5 y 6 constituyen el ncleo de la tesis, en cuanto al objetivo de caracterizar nuevas clulas o mdulos termoelctricos basadas en nuevos materiales caracterizados en el seno del grupo de investigacin y con thermo-couples con nuevas geometras. As en el captulo 4 se desarrollan y caracterizan dos estructuras termoelctricas en el rango de 270 a 450 K con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y, mostrando , tal como se desprende del estudio realizado en el captulo 3 la influencia de las propiedades de los pellet en el comportamiento del mdulo termoelctrico. El captulo 5, contina la tarea de caracterizacin, en este caso desarrollando el diseo de una estructura termoelctrica en funcionamiento como generador y con tiempo de inercia bajo con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y para una aplicacin industrial real. Mostrando la influencia de la geometra y tamao de los pellet en el comportamiento del mdulo. Ya se ha comentado que el comportamiento en frecuencia es muy poco tratado en el modelado de las estructuras termoelctricas, sin embargo hay aplicaciones que requieren un tratamiento en frecuencia y que estn relacionadas con la miniaturizacin de la clula y en su inercia en la respuesta. Este trabajo de investigacin, en su captulo 5 insiste en este estudio tanto por el motivo indicado anteriormente como porqu dicho estudio contribuye a una mejor caracterizacin de las placas termoelctricas y porqu el dispositivo termoelctrico diseado en este captulo tiene unas exigencias a nivel de inercia en la respuesta que no cumple ninguna placa comercial hasta el momento. Contina el captulo 6 con la caracterizacin y diseo de estructuras termoelctricas en el rango de 300 a 650 K con materiales basados en Zn4Sb3 CoSb3 , mostrando en su parte final un anlisis comparativo de la influencia tanto del tamao y geometra como de las propiedades termoelctricas de los materiales constituyentes de las thermo-couples. 34
Concluyendo la memoria, mostrando en el captulo7 las conclusiones de este trabajo, as como algunas perspectivas futuras sobre la caracterizacin de nuevas estructuras a altas temperaturas y exigencias especficas.
35
36
Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica
CAPTULO 2 MODELOS DE LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA

2.1. INTRODUCCIN.
En este captulo se muestran diferentes modelos de la estructura termoelctrica. El estudio unidireccional del flujo de calor permite establecer analogas elctricas que definen el comportamiento de la estructura como termo clula para as poder encontrar los parmetros tanto de la clula bsica como de una estructura termoelctrica. La adicin en el modelado de diferentes coeficientes que definen una serie de fenmenos fsicos que se dan en el comportamiento de la clula real da lugar a un modelo ms fidedigno; pero a su vez, conlleva un mayor grado de dificultad a la hora de su simulacin. Los aspectos relacionados con la geometra del semiconductor y su interaccin en un modelo inicialmente unidimensional es tratado en la literatura mediante formas bsicas. Los modelos continuos requieren en general la utilizacin de valores funcionales promediados de las caractersticas intrnsecas del material analizado, ya sea semiconductor, metal o cermica. El coeficiente de Seebeck, la conductividad elctrica y trmica requieren un estudio en funcin bsicamente de la temperatura; y encontrar un promediado vlido de estos valores es muy difcil y generalmente llevan a una desviacin en el comportamiento real. Los mtodos basados en elementos finitos necesitan que las condiciones de contorno de cada elemento con sus nodos sean encontradas con la mayor precisin. En este caso el nmero de elementos en que se divide el estudio suele marcar el grado de error del mtodo. El comportamiento en frecuencia es muy poco tratado en el modelado de las estructuras termoelctricas, sin embargo hay aplicaciones que requieren un tratamiento en frecuencia y que estn relacionadas con la miniaturizacin de la clula.
2.2. CARACTERIZACIN TERMOELCTRICA.
BSICA
DE
LA
CLULA
Considerada la gran importancia de buscar una mejor comprensin de los principios fsicos que rigen el funcionamiento, tanto a nivel de clula como a nivel de mdulo termoelctrico, es necesario obtener un modelo lo ms real posible del funcionamiento de la clula termoelctrica. 37
El problema del modelado ha sido tratado desde diferentes puntos de vista por muchos autores, y des de dos puntos de vista: uno en el cual se considera un valor medio de los valores de los parmetros de los materiales utilizados en la estructura de la clula, en funcin de las condiciones de trabajo (normalmente la diferencia de temperatura entre caras); y otro es el modelo de elementos finitos que conlleva la divisin de la estructura analizada en un nmero de partes finitas y considerando por separado cada parte enlazndolas con las condiciones de contorno. Los resultados obtenidos son similares y no garantizan una exactitud extrema en los resultados [51] [52]. Un modelo bsico utilizado, considerando los valores medios, en la descripcin de la clula termoelctrica es:
Figura 2.1.
El flujo de calor en un semiconductor se puede expresar segn la ley general de calor para las tres dimensiones como: (kT) T(I) + I 2 = 0 Donde: k T es la conductividad trmica es el coeficiente de Peltier es la resistividad elctrica es el Laplaciano de la temperatura 2.1)
que considerando una sola dimensin queda de la forma:

T 2 +I =0 kA IT x x x (2.2)
Cuando se considera el sistema estacionario de forma que la energa interna del sistema vale cero, la solucin de la expresin anterior se puede determinar en funcin del calor absorbido o cedido en las caras extremas del semiconductor, es decir,
38
( I k ) k
1 2 Th Q h 2 I R = ( I + k ) Tc Q + 1 I 2 R c 2 k
(2.3)
Donde: Qh es el flujo de calor cedido Qc es el flujo de calor absorbido R es la resistencia elctrica Th es la temperatura en el lado caliente Tc es la temperatura en el lado fro Este modelo, aunque no define otros fenmenos que se dan en la estructura termoelctrica como son el efecto Nernst dentro de un campo magntico, o el efecto Thomson, etc., ni tampoco contempla los diferentes fenmenos debido a la estructura que acoge y sirve como soporte a los semiconductores, s deja entrever la importancia de la geometra en valor de los diferentes parmetros. Podemos afirmar que en el desarrollo de un mdulo termoelctrico para obtener un mayor rendimiento debemos tener en cuenta: la geometra del termo - elemento, las propiedades del contacto con la estructura soporte y con la carga; as como el rgimen de temperatura o punto de trabajo. En consecuencia, podemos afirmar otra vez que es importante determinar un modelo lo ms real posible y con mayor motivo en el desarrollo y experimentacin con nuevos materiales y estructuras nuevas [53] [54] [55].
2.3. BALANCE ENERGTICO TERMOELCTRICO.
EN
EL
MATERIAL
La relacin entre los flujos trmicos y elctricos, as como los gradientes de temperatura y tensin que describen el fenmeno termoelctrico, pueden escribirse del siguiente modo: (2.4) (2.5) Expresiones que pueden ser escritas como: q = T + Tj (2.6)
donde el flujo de calor que queda definido como la suma de dos efectos: una conduccin de calor, descrita por la ecuacin de Fourier, y un flujo de corriente elctrica j que hace aumentar el calor.
39
El equilibrio en las ecuaciones anteriores se encuentra descrito por las siguientes leyes: a) j = I , donde I es el volumen de carga elctrica, y que en el material termoelctrico debe ser cero. b) La ley de conservacin de la energa. Si consideramos un volumen arbitrario de material termoelctrico rodeado de una superficie cerrada , entonces la energa entrante por debe ser igual que la energa saliente. La entrada y salida de energa es debida bsicamente a los siguientes factores: 1) Cuando se absorbe energa donde Q es el flujo de calor. 2) Prdidas trmicas
Qd ,
por unidad de tiempo,
qnd debidas al flujo de calor por unidad
de superficie saliente del volumen a travs de . 3) Prdidas elctricas
Vjnd
debidas al incremento del
potencial de las cargas que pasan a travs del volumen. En realidad es como una energa elctrica producida por el volumen , trabajando como un termogenerador. Considerando el teorema de la divergencia, el balance de energa es:
qd + jVd = Qd

(2.7)
Y dado que es un volumen arbitrario, la expresin anterior puede ser descrita como:
q + jV = Q
(2.8)
Al ser en los efectos de Joule y de Seebeck transformaciones internas de energa esta expresin. A nivel esquemtico, el balance energtico en un material termoelctrico, puede describirse como:
40
Figura 2.2.
Este trabajo de investigacin propone tanto el estudio de la caracterizacin de nuevas clulas termoelctricas con pellets con diferente geometra y basados en nuevas tecnologas de materiales como son las Skutterudites, as como el estudio de nuevas estructuras de los mdulos termoelctricos. Con este objetivo la tesis doctoral pretende aportar un estudio de la posible mejora de caractersticas fsicas y elctricas a nivel de estructura de mdulo termoelctrico; y tambin con el uso de pellets con nueva geometra y construidos con nuevo material Skutterudites. Con los materiales utilizados actualmente en la fabricacin de pellets (Te - Bi, etc) y con las geometras utilizadas, no es posible mejorar caractersticas como la figura de mrito y/o el COP de estructuras de mdulos termoelctricos.
2.4. CLULAS TERMOELCTRICAS DE VARIOS NIVELES.

Para obtener la mxima capacidad de bombeo trmico; es decir, para conseguir una gran diferencia de temperaturas se ha recurrido a menudo a la conexin de varias etapas de clulas termoelctricas en cascada. En la literatura concerniente a varios niveles de clula como la que se observa en la siguiente estructura,
Figura 2.3.
41
Los diferentes autores desarrollan expresiones que consideran el valor de los diferentes parmetros que caracterizan el semiconductor e incluso la superficie cermica entre etapas [56] [57], pero no incluyen un estudio de la forma del semiconductor a nivel geomtrico que en esta tesis se plantea como una mejora en el comportamiento trmico a nivel de semiconductor como consecuencia de una menor conductividad trmica y una disminucin de la resistencia elctrica. Tradicionalmente la resistencia elctrica entre contactos y las condiciones trmicas del entorno han sido considerados como los problemas ms importantes en el diseo para la consecucin de un alto rendimiento de las estructuras trmicas en cascada. El punto ms dbil en cuanto al rendimiento son las prdidas entre elementos de la conexin en cascada. Adems, cuando se utilizan semiconductores extremadamente cortos para compactar dicha estructura se corre el riesgo de tener una alta conductividad trmica entre caras de cada etapa. En el desarrollo de la tesis se propone la aplicacin de nuevos materiales para los pellets basados en nuevas aleaciones de que mejoran el comportamiento termoelctrico.
2.5. HERRAMIENTAS DESARROLLADAS PARA LA MEDIDA DE PARMETROS.

En la literatura sobre el tema se encuentran diferentes mtodos que permiten la obtencin directa o indirecta de los diferentes parmetros que se necesitan para caracterizar tanto los pellets como la estructura termoelctrica. Como ya se ha destacado, la medicin fsica lo ms fidedigna posible de los parmetros que constituyen la caracterizacin de los pellets y de la estructura termoelctrica son fundamentales en esta tesis y, en consecuencia, la instrumentacin usada es tambin fundamental en esta tesis. Por este motivo y en base a los conocimientos aportados por dichos autores y para una correcta interpretacin de los resultados tericos en esta tesis se han desarrollado mtodos para testear los diferentes mdulos termoelctricos. Para trazar las diferentes curvas de funcionamiento de la clula se ha construido un sistema de sensado formado por un bloque de hardware utilizando un microcontrolador como elemento de interface con un ordenador y un software propio de interpretacin de datos para las diferentes grficas. Adems se ha construido un medidor porttil del coeficiente de Seebeck basado tambin en microcontrolador [58] [59]. La medicin del coeficiente Seebeck se puede realizar de forma promediada mediante el estudio de la respuesta transitoria del sistema. El sistema de medicin debe ser capaz de generar una serie de pulsos de tensin que puedan excitar adecuadamente el mdulo termoelctrico. Una vez creada la diferencia de temperatura adecuada entre caras en dicho mdulo, la estructura debe conmutar para extraer la tensin de Seebeck que nos servir como base en la medicin del coeficiente de Seebeck. El diagrama funcional en bloques es el que se muestra seguidamente [60]:
42
Figura 2.4.
En cuanto a la conductividad trmica, tenemos dos opciones: una es aprovechar las expresiones del rgimen transitorio y otra medirla de forma indirecta aplicando un flujo de calor adecuadamente en el material a medir en rgimen estacionario. En la tesis se desea obtener una caracterizacin de nuevos mdulos termoelctricos construidos con pellets basados en nuevos materiales y con nuevas geometras. Para ello se ha diseado y construido instrumental adecuado para la obtencin de parmetros de manera precisa; en concreto se ha desarrollado un scaning Seebeck microprobe que es una herramienta para la determinacin de valores locales tanto de un ponto de la estructura como a nivel de un pellet semiconductor en alguna posicin sobre la superficie de muestra con resoluciones de m.
2.6. RENDIMIENTO PTIMO EN FUNCIN DE LA FIGURA DE MRITO.

Considerar el flujo total de calor en una estructura bsica termoelctrica en una dimensin no supone una simplificacin notable, ni un alejamiento de la realidad debido al carcter anisotrpico del fenmeno en los semiconductores que definen la estructura termoelctrica. As pues, podemos describir el flujo de calor de forma simple por las expresiones siguientes:
(2.9) (2.10) donde ITH y ITC es el flujo de calor en el lado caliente y fro respectivamente. 43
La siguiente figura representa un mtodo sencillo para la obtencin del rendimiento en funcin de la figura de mrito Z de la estructura unitaria de la termo clula.
Figura 2.5.
La fuerza electromotriz es la tensin de Seebeck menos las prdidas debido a la resistencia interna del convertidor.
out = T I R
(2.11)
As, el rendimiento ser el cociente entre la potencia elctrica de salida y el flujo trmico de entrada que es QH ; es decir:
= Pe m T I R T = = Q H T I R + T TH 1 + m T + (1 + m )2 1 H I 2 2 TH Z TH m= (2.12)
donde:
RL R cumple la relacin:
m opt =
y el rendimiento se hace ptimo en funcin de m cuando se
T + TC RL = 1+ Z H R 2
, teniendo en cuenta que Z es la figura de mrito y es 2 . R
funcin nicamente de parmetros intrnsecos del material semiconductor: Z =
Cuanto mayor sea la figura de mrito el rendimiento es mayor y entre otros factores se consigue disminuyendo la resistencia interna debida principalmente al semiconductor empleado.
44
2.7. MODELO DE LA ESTRUCTURA COMPLETA DE UN MDULO TERMOELCTRICO.

Si en lugar de considerar la unidad bsica, consideramos la estructura completa de una clula termoelctrica, atendiendo a su constitucin y a su filosofa de funcionamiento y atendiendo nicamente al fenmeno de conduccin trmica podemos considerar tambin el fenmeno unidimensional As pues, el modelo es tratado atendiendo a este carcter unidimensional que ya da la informacin esencial de la estructura trmica. El modelo est basado en los incrementos de temperatura entre interfaces de los diferentes materiales que constituyen la estructura trmica. En una primera aproximacin, se considera que los parmetros trmicos son constantes; aunque en la realidad dependen de la temperatura, de la geometra, etc. Adems se atiende nicamente al fenmeno de conduccin trmica y se considera que la estructura est inmersa en un medio isotrpico. En la estructura simple se considera que existen n semiconductores y en consecuencia otros tantos contactos metlicos entre semiconductores. Las dos cermicas acogen toda la estructura como se observa en la figura siguiente.
Figura 2.6.
Las ecuaciones lineales que definen la estructura trmica son: (2.13) (2.14) (2.15) (2.16) 45
(2.17) (2.18)
Donde:
k0 es la conductancia trmica en la superficie de la cermica en contacto con el medio exterior (aire). kCC es la conductancia trmica de la cermica en la cara fra. km es la conductancia trmica del metal que une los semiconductores. kS es la conductancia trmica del semiconductor utilizado. kCH es la conductancia trmica de la cermica en la cara caliente. es el coeficiente de Seebeck del semiconductor. T0 temperatura ambiente que rodea la estructura trmica. T1,2,3,4,5,6 temperaturas en las diferentes interfaces de la estructura. RS es la resistencia elctrica del semiconductor. Rm es la resistencia elctrica del metal utilizado para unir los semiconductores.
La analoga entre sistemas trmicos y elctricos permite desarrollar el modelo como un circuito elctrico de tal forma que el flujo de calor es anlogo a una corriente elctrica y la diferencia de temperatura a una diferencia de tensin. Teniendo en cuenta esta analoga trmico-elctrica las ecuaciones lineales desarrolladas dan lugar al siguiente circuito:
Figura 2.7.
El diagrama de bloques del sistema se puede desarrollar a partir de las relaciones anteriores,
46
Figura 2.8.
Trabajando a nivel de matrices el anlisis se obtiene:
kCC 0 0 0 0 (k0 + kCC) n n (QC + k0 T0 ) 0 0 0 kCC + km km kCC T 1 2 2 0 Rm T2 n 2 n 1 0 n kS 0 0 km n I + kS + km T 2 I RS + 2 2 2 3 = n 1 T4 n I2 R + Rm 0 0 n kS n I + kS + km 0 km 2 S 2 2 2 T5 0 n n T6 0 0 0 0 km kCH + km QH k0 T0 2 2 0 0 0 0 kCH (k0 + kCH)
Como se observa en el modelo existen fuentes de corriente dependientes de una temperatura y fuentes de corrientes independientes que conectan con el sistema elctrico 47
mediante la corriente I que en principio es considerada constante; la relacin con la tensin de alimentacin es segn el siguiente esquema,
Figura 2.9.
La figura (N), representa la forma ms sencilla de relacionar Vcc con I mediante la existencia de una resistencia equivalente de la clula y una fuerza electromotriz generada por el propio efecto Seebeck, de tal forma que con la tensin de Seebeck V = T = (T4 T3 ) .
I= VCC V RC
Si la tensin de alimentacin Vcc no es una constante, o bien se tienen en cuenta fenmenos no lineales en el comportamiento de la termo estructura; entonces se debe utilizar un modelo ms complejo que caracterice realmente todos los fenmenos que intervienen en el proceso. Este modelo ms complejo se desarrollar posteriormente.
2.7.1. EL EFECTO THOMSON EN UN MEDIO ISOTRPICO.

El efecto Thomson aparece cuando incide a la vez un gradiente de temperatura y una corriente elctrica en el mismo medio. Realmente representa una absorcin o aumento de calor adicional a Joule y Peltier, y es proporcional al producto escalar entre la corriente elctrica y el gradiente de temperatura. La cantidad de calor de Thomson que se obtiene por unidad de volumen y tiempo es: q T = T (T ) que en una dimensin y a corriente constante se expresa como: q T = T I T y en el caso de la estructura desarrollada queda: q T = T I (T4 T3 ) .
Se puede insertar dentro de la matriz de nudos de temperatura y queda de la siguiente forma:
48
kCC 0 0 0 0 (k0 + kCC) n n (QC + k0 T0 ) 0 0 0 kCC + km km kCC T 2 2 0 1 Rm T2 n 2 n 1 1 1 0 n kS + T I 0 0 km n I + kS + T I + km T 2 I RS + 2 2 2 2 2 3 = 1 1 n 1 T4 n I2 R + Rm 0 0 n kS n I + kS + T I + km km + T I 0 2 S 2 2 2 2 2 T5 0 n n T6 km kCH + km 0 0 0 0 QH k0 T0 2 2 (k0 + kCH) 0 0 0 0 kCH
Existe una dependencia del coeficiente de Thomson con el coeficiente de Seebeck, es decir, la segunda relacin de Thomson [61]:
T = T T
(2.19)
que llevada a la ecuacin de nudos donde aparece el efecto de Thomson, con lo cual queda:
(2.20)
(2.21)
2.7.2. ACCIN CONVECTIVA EN LA SUPERFICIE DE LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA.

Las condiciones de frontera sobre la estructura termoelctrica son principalmente de tres tipos: de temperatura especfica, de flujo de calor especificado (o aislamiento) y de conveccin. Analizamos la estructura considerando una de las caras; por ejemplo la cara caliente sometida a una corriente de aire a una temperatura T circulando en el exterior para ayudar a mantener esta cara considerada a una temperatura T6 tal como se indica en la siguiente figura.
49
Figura 2.10.
Considerando un enfoque funcional para la conduccin del calor Q con condiciones de frontera de conveccin dadas por:
(2.22) (2.23)
Igual a la energa potencial en el anlisis de esfuerzos, la solucin de este problema es equivalente a minimizar la forma de energa ,
=
X2 1
X1
T k x 2 x
X2
X1
Q h T x +
1 h (T6 T )2 2
(2.24)
El ltimo trmino en puede escribirse como:

1 1 2 T6 h T6 (h T ) T6 + h T 2 2
(2.25)
y el trmino
1 2 h T 2
es una constante que desaparece al minimizar la funcin .
Si se considera que T = T0 es posible expresar la ltima ecuacin de la estructura termoelctrica como:

k CH (T5 T6 ) (k 0 + h ) (T6 T0 ) Q H = 0
(2.26)
Entonces la ecuacin de nudos de temperatura es posible expresarla en funcin del coeficiente de conveccin h , variando el ltimo elemento de la matriz de tal forma que queda:
50
0 0 0 0 kCC (k0 + kCC) n n (QC + k0 T0 ) 0 0 0 kCC + km km T kCC 2 2 0 1 Rm T2 n 2 n 1 1 1 0 n kS + T I 0 0 km n I + kS + T I + km T 2 I RS + 2 2 2 2 2 3 = 1 1 1 T4 n I2 R + Rm n S 0 0 n kS n I + kS + T I + km km + T I 0 2 2 2 2 2 2 T5 0 n n T6 0 0 0 0 km kCH + km QH (k0 + h) T0 2 2 0 0 0 0 kCH (k0 + kCH + h)
Ciertamente no se considera una conveccin forzada sino natural en donde no se aade ningn elemento de intercambio de calor como es un radiador trmico.
2.8. MTODOS NUMRICOS.

Las tcnicas numricas no estn muy extendidas, por ahora, en el estudio de los fenmenos termoelctricos aunque s se utilizan para analizar otros aspectos de los mdulos termoelctricos. As por ejemplo, el mtodo numrico de los elementos finitos se utiliza para simular los sistemas de disipacin, como en [62] donde se ha modelado un sistema de aletas funcionando bajo condiciones de conveccin natural. Tambin se han desarrollado modelos numricos para el anlisis de tensiones trmicas que pueden aparecer en la unin de los diferentes materiales que componen el mdulo termoelctrico cuando este est sometido a un gradiente de temperaturas elevado. En [63] se ha utilizado el programa Nastran con este fin. En [64], donde se describe el proceso de fabricacin de un mdulo termoelctrico para generacin, tambin se menciona que se ha realizado un estudio por elementos finitos de las uniones entre los diferentes materiales que componen el mdulo termoelctrico. Aunque en [42] se menciona que hasta la fecha todava no se han llevado a cabo anlisis por mtodos numricos que estudien de forma completa el comportamiento de los mdulos termoelctricos, esto no es cierto, ya que Anatychuck, L. I en [65] calcula numricamente la distribucin de corriente elctrica en los diferentes componentes de un par termoelctrico bidimensional y Okumura,H. en [66] ha estudiado en dos dimensiones los efectos termogalvanomagnticos.; aunque en el artculo no se detalla el mtodo numrico empleado. Adems, Arenas, A. en el captulo 6 de [45] desarrolla un modelo en dos dimensiones por elementos finitos de un par termoelctrico incluyendo soldaduras, puentes elctricos y placas cermicas, que permite considerar las propiedades de cualquier material en funcin de la temperatura. En dicha tesis se ha utilizado el programa comercial ANSYS, que cuenta con las suficientes validaciones como para ofrecer garantas de su aplicabilidad al problema en estudio. Aunque este programa permite el estudio en dos o en tres dimensiones, en la tesis se han utilizado modelos en dos dimensiones , que, si bien no representan con total fidelidad los fenmenos reales, s suponen una buena aproximacin, ya que, fundamentalmente, es en dos dimensiones 51
como se desarrollan los flujos elctricos en las cadenas que conforman la clula y, tambin, en dos dimensiones se establecen los flujos trmicos en los termoelementos, elementos de soldadura y elementos puente; nicamente en las placas disipadoras se producirn flujos trmicos en tres dimensiones. ANSYS es el nombre comercial de un programa de clculo por elementos finitos para la resolucin de problemas lineales y no lineales mediante el algoritmo de NewtonRapson. Sus aplicaciones ms inmediatas y conocidas son las del anlisis estructural, trmico, elctrico y sus combinaciones, contando en estas aplicaciones con las suficientes validaciones como para considerarlo de suficiente fiabilidad en sus clculos.. Los estudios realizados en dicha tesis se han llevado a cabo con subrutinas escritas en el lenguaje citado, lo que ha permitido parametrizar los modelos geomtricos y realizar el estudio de numerosos casos de cargas y condiciones de contorno. Parte de estos resultados han sido publicados en [67]. La estructura del programa implementado para el estudio consta de una subrutina principal que controla la subrutina para la introduccin de datos as como la subrutina Peltier. Estos trabajos muestran las ventajas atribuibles a los mtodos numricos, ventajas que ya hemos mencionado; per es de resaltar otra buena caracterstica de estos modelos como es la posibilidad de resolucin cuando no es posible a nivel matemtico y tambin su utilidad para la creacin de modelos, fases de mallado, y obtencin de resultados. Su mayor inconveniente posiblemente sea el tiempo de computacin en la resolucin del modelo al ser un proceso iterativo teniendo en cada iteracin adems dos etapas, al introducirse el calor por efecto Peltier como una carga trmica ms. Otro trabajo que resuelve este inconveniente est descrito en [68], y sus resultados se han mostrado en [69]. En este caso utilizando la tcnica de los elementos finitos se ha desarrollado el elemento termoelctrico, utilizando el programa FEAP. Dicho programa est preparado para resolver cualquier tipo de problemas no lineales por elementos finitos. Est escrito en lenguaje Fortran 90 y se dispone del cdigo fuente, lo que permite que tenga una gran versatilidad y que pueda ser adaptado a las necesidades del usuario. Tiene prevista la inclusin de nuevos elementos para modelar problemas distintos a aquellos para los que originariamente estaba diseado. Este programa fue desarrollado por los profesores SIMO, J.C. y Taylor, L. del Departamento de Ingeniera Civil de la Universidad de California Berkeley. En cuanto a otro mtodo numrico como es el de los elementos de contorno, solo se ha encontrado una referencia en la que se haya analizado el problema termoelctrico utilizando el mtodo de los elementos de contorno. Kondo, S. en [70] estudi el comportamiento de un termoelemento de Cu 4 SnS 4 en dos dimensiones utilizando el mtodo de los elementos de contorno considerando propiedades constantes del material. Una de las conclusiones del artculo es la efectividad de este mtodo a la hora de analizar la distribucin de temperaturas del termoelemento, lo que demuestra la viabilidad de este mtodo para la resolucin del problema termoelctrico, aunque sin introducir una de las dos no linealidades del problema, la dependencia con la temperatura de las propiedades termoelctricas. El mtodo de los elementos de contorno (MEC) plantea una serie de ventajas con respecto al mtodo de los elementos finitos (MEF) que se enumeran a continuacin:
52
Slo requiere discretizar superficies lo que representa dos grandes ventajas: Buena conectividad con programas de CAD. Facilidad de construccin de modelos y su modificacin.
El mtodo de los elementos de contorno conduce a ecuaciones integrales de superficie, no de volumen, lo que facilita los clculos. Es posible la representacin de dominios abiertos de manera exacta y con gran facilidad. Permite utilizar elementos discontinuos que simplifican la adaptacin de tamaos de mallado. No es necesario mallar los planos de simetra. Permite la distincin de zonas segn materiales y aspecto, imponiendo condiciones de compatibilidad en las interfases lo que permite reducir el tamao de las matrices as como su densidad, por lo general son matrices llenas de ceros, lo que permite un mejor tratamiento computacional de las mismas. La precisin en los puntos internos depende del mallado del contorno. A diferencia del mtodo de los elementos finitos, no se calcula interpolando entre los nodos interiores. En principio, la precisin es mayor en el mtodo de los elementos de contorno que en el de los elementos finitos. Esta afirmacin se puede hacer con reservas, ya est un poco en funcin del tipo de problema que se analice. La justificacin cualitativa es que MEC slo introduce restricciones sobre el contorno, mientras que MEF condiciona tambin el volumen interior.
Ahora bien, el mtodo de los elementos de contorno tambin tiene algunos inconvenientes: Pocos cdigos comerciales disponibles aunque hay algunos cdigos de nivel acadmico y uso pblico, cuya validez ha sido ampliamente demostrada. Tratamiento de las no linealidades: que implica la resolucin de integrales de volumen. Hoy en da se propone el mtodo de la reciprocidad dual que evita integrales, as como el de Galerkin, si bien ste slo sirve en algunos casos. Este es uno de los inconvenientes que habra que solventar en la resolucin de los fenmenos termoelctricos ya que se presentan dos no linealidades: 53
Por un lado, las propiedades que definen el comportamiento de estos materiales son funcin no lineal de la temperatura. Por otro, uno de los trminos de la segunda ecuacin de equilibrio es no lineal.
Se piensa que todos los artculos mencionados representan una buena base para poder contrastar resultados con el mtodo de elementos de contorno. Como vemos, esta tcnica numrica de los elementos no ha sido utilizada en demasa en el campo de la termoelectricidad y creemos podra tener sus ventajas como ya se ha mencionado frente a otros mtodos numricos.
2.9. MODELO EN ELEMENTOS FINITOS.

El modelo en elementos finitos consiste en encontrar una distribucin espacial del potencial elctrico y de la temperatura en un volumen contenido en una superficie cerrada y con unas condiciones de contorno elctricas y trmicas. Las condiciones de contorno elctrico son: (2.27) (2.28) donde V es la parte de en cuyo interior se ha impuesto el potencial elctrico, mientras que j es el resto del contorno en donde se impone el flujo de corriente elctrica. Las condiciones de contorno trmico son: (2.29) (2.30) donde T es la parte de donde se ha impuesto la temperatura, mientras que q es el resto del contorno en donde se impone el flujo trmico. Aprovechando las ecuaciones de equilibrio descritas en el apartado 1.3 del captulo 1 es posible definir las funciones wV y wT que deben satisfacer las relaciones: (2.31) (2.32)
54
multiplicando por las ecuaciones de equilibrio (2,27) y (2,28) queda: (2.33) (2.34) e integrando por partes se obtiene: (2.35)
(2.36)
ahora solo hay que aplicar las condiciones de contorno (2.29)(2.30),
(2.37)
(2.38)
en esta forma de expresar las condiciones de contorno quedara encontrar funciones espaciales de V y de T que satisfagan (1.3) para arbitrarias funciones de wV y wT restringidas a (2.38) y que tomen los siguientes valores de contorno: (2.39) (2.40) Hasta el momento se est trabajando en el plano continuo, pero para aplicar elementos finitos es necesario discretizar el dominio de trabajo. En este caso se trata de dividir en elementos y nodos. Por cada nodo A se define una funcin espacial NA llamada funcin de forma que satisface la siguiente relacin:
N A (x B ) = AB
(2.41)
donde xB es la posicin del vector del nodo B.
55
Una funcin espacial f puede ser discretizada como una funcin lineal de funciones de forma.
f f h = fA NA
A
(2.42)
donde fh es la aproximacin discreta de f , es el conjunto de elementos que se unen a A y fA son coeficientes de discretizacin. En funcin de (2.42) es posible expresar: f h (x A ) = f A siendo los coeficientes fA los valores que la funcin discreta toma en los nodos. Aprovechando la formulacin anterior las funciones arbitrarias wV y wT se pueden aproximar como: (2.43)
(2.44)
(2.45) donde V y T son un conjunto de nodos correspondientes a V y T respectivamente. wV y wT son cero en V y T respectivamente y los coeficientes de discretizacin pueden ser escogidos de tal manera que cumplan: (2.46) (2.47)
Las funciones V y T se discretizan como: (2.48) (2.49) con
(2.50) (2.51)
56
(2.52) (2.53) Los coeficientes gV y gT son conocidos dentro de las condiciones de contorno, mientras que dV y dT son coeficientes desconocidos. Se pueden obtener las funciones espaciales h , h y h desarrollando la temperatura discreta Th : A partir de la expresin (2.42) se puede encontrar las funciones discretas del flujo de corriente y calor como: (2.54) (2.55)
Mediante el enfoque de Galerkin se obtiene las funciones espaciales en su forma discreta y se consigue sustituyendo las expresiones (2.54),(2.55) en (2.37) quedando:
(2.56) (2.57)
Esta expresin es una aproximacin y su resultado depende del nmero de elementos y nodos que se tomen. Una transformacin de la expresin (2.42) se consigue sustituyendo en (2.44),(2.45) las expresiones de (2.46),(2.47), es decir,
(2.58)
(2.59)
57
Ahora bien las ecuaciones (2.56) y (2.57) sern satisfechas por alguna funcin de wV y wT bajo las condiciones de (2.44) o su forma discreta (2.48) o lo que es lo mismo la ecuacin (2.58) debe ser satisfecha por algn valor de los coeficientes CVA y CTA . Por otra parte los parntesis de las expresiones (2.58),(2.59) pueden ser cero para un nodo A y en consecuencia se puede simplificar las expresiones (2.58),(2.59) en las siguientes:
(2.60) (2.61)
Y como se observa la ecuacin (2.61) es un sistema algebraico no lineal con el mismo nmero de ecuaciones que incgnitas. La resolucin de las expresiones (2.60),(2.61) se puede desarrollar mediante el mtodo de Newton-Raphson. Para cada incgnita dVA y dTA se obtiene un residuo elctrico RV y un residuo trmico RT que se puede llevar a la expresin (2.61) R VA = N A jh d N A Id + N A jC d = 0
j q
A - V
R TA = N A q h d + N A jh V h d N A Qd + N A q C d = 0 A - T (2.62-2.63) Cuando las componentes residuales sean cero entonces obtendremos las soluciones de dVA y dTA. El objetivo es encontrar los coeficientes que hagan cero los residuos. Para ello se necesita encontrar las derivadas de los residuos con respecto a las incgnitas y el vector de derivadas obtenidas la reordenaremos en forma de matriz que se llamar matriz tangente.
(2.64) (2.65)
(2.66)
58
(2.67)
y a partir de la expresin (2.67) se puede obtener el valor de las derivadas en funcin de las caractersticas intrnsecas del semiconductor,
(2.68)
(2.69) (2.70) (2.71)
Si dV y dT son vectores que contienen las incgnitas, (2.72) (2.73)
entonces es posible aplicar Newton-Raphson en un proceso iterativo para encontrar los valores de dV y dT. El proceso se puede describir de forma matricial del siguiente modo:
(2.74) siendo i la iteracin correspondiente.
59
2.10. ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES TERMOELCTRICOS MEDIANTE EL MTODO DE LOS ELEMENTOS DE CONTORNO.
Definidas las ecuaciones constitutivas de los materiales termoelctricos y las ecuaciones de equilibrio quedan establecido el problema de contorno a resolver. Dado un dominio tridimensional rodeado por un contorno , el problema consiste en hallar los campos de potencial elctricos (V) y temperaturas (T) cumplindose las siguientes ecuaciones de equilibrio:
j=0 q + j
V = 0 en
(2.75) (2.76)
Donde j y q vienen definidos por las ecuaciones constitutivas de los materiales termoelctricos:
j=-
1 p
V- 1 T p
1 p
T 1 T) p
(2.77)
q = -
V- (+ 2
(2.78)
Operando en (3.3):
jj = -
1 j p
V-/pj
T j
V= -pjj+j
(2.79)
y sustituyendo (3.5) y (3.4) en (3.2) se llega a: [ T+Tj]= pjj+j T (2.80)
Tras algunas operaciones, y considerando que: = (d/dT) = (d/dT) T T = (/T) T (2.81) (2.82)
donde es el coeficiente Thompson, se llega a:

2
T = -(p/)jj+(/)j
T-(1/)(d/dT)
(2.83)
b 1 = -(p/)jj b 2 = (/)j T-(1/)(d/dT)
60
La ecuacin (3.7) constituye la ecuacin a resolver por el MEC, e incluye el caso ms general de termoelectricidad. Como se ve, el trmino b 2 aparece vinculado al efecto Thompson y a la variacin de la conductividad trmica con la temperatura, mientras que el trmino b 1 slo depende de la corriente. En el caso de que no se considerase el efecto Thompson y que las propiedades trmicas y elctricas del termoelemento se considerasen constantes, la ecuacin (3.7) se reducira a una ecuacin lineal:
2
T = -(p/)jj As se pueden considerar dos tipos de condiciones de contorno:
(2.84)
- Condiciones de contorno de tipo elctrico: El contorno se divide en dos partes disjuntas ( v y j ) tales que: v j = v j = 0 *Condicin de contorno de tipo esencial: *Condicin de contorno de tipo natural: V= Vc en v jn = j c en j (2.85) (2.86)
siendo n el vector normal a j y de sentido saliente al dominio .
- Condiciones de contorno de tipo trmico:
El contorno se divide, de nuevo, en dos partes disjuntas ( T y q ) tales que: T q = T q = 0 y donde se deben de cumplir las siguientes condiciones: *Condicin de contorno de tipo esencial: *Condicin de contorno de tipo natural: T = T c en T qn = q c en q (2.87) (2.88)
siendo n el vector normal a j y de sentido saliente al dominio . Las condiciones de contorno ms habituales en el estudio de pares termoelctricos son las siguientes:
61
Bases de los termoelementos:
T = Tb j n = -(1/p) (V/n) - (/p) (T/n)

Contorno lateral de los termoelementos:
(2.89) (2.90)
j n = 0 = -(1/p) (V/n ) - (/p) (T/n) q n = 0 = - ( T/n) + T j n
(2.91) (2.92)
Como ya se ha mencionado, este problema ya ha sido resuelto utilizando tcnicas de elementos finitos. En la primera parte de la tesis se pretende solucionarlo mediante el empleo del mtodo de los elementos de contorno comparando los resultados con el mtodo de los elementos finitos y otras tcnicas analticas.
2.11. MODELO ELCTRICO EN FRECUENCIA.

Es importante conocer el funcionamiento de la estructura termoelctrica ante entradas de parmetros elctricos variables. El modelo elctrico del fenmeno trmico es interesante para el conocimiento de la evolucin de las variables de flujo de calor y temperatura a travs del sistema trmico. Para la evaluacin del tiempo de calentamiento o enfriamiento en cada punto es necesario conocer la inercia trmica o capacidad calorfica de un material. El calor Q recibido por un material es Q = C p m T donde Cp es la capacidad calorfica especfica y m es la masa. Si por simplificacin se supone que la temperatura vara poco entorno a una temperatura de trabajo se puede trabajar con una capacidad calorfica media. El flujo de calor
Q es entonces, t Q T = Cp m t t
(2.93)
De la expresin anterior podemos extraer que la capacidad elctrica equivalente tiene un valor de C p m = C eq tal como indica la siguiente figura,
Figura 2.11.
62
Las capacidades insertadas en la estructura de la clula permiten simular la evolucin de las temperaturas con respecto a un medio exterior, en este caso el medio ambiente; el cual se considera idealmente como isotrpico y sirve como referencia en la trayectoria de las variables estudiadas. En la figura siguiente se muestra las diferentes capacidades que se aaden para simular la evolucin de las temperaturas.
Figura 2.12.
El circuito elctrico equivalente a toda la estructura termoelctrica incluyendo el fenmeno de la variacin de las temperaturas internas se observa en el siguiente esquema ,
Figura 2.13.
63
Para estudiar el comportamiento en frecuencia de la impedancia equivalente del circuito, se transforma el circuito anterior de tal forma que se asle las fuentes de corriente como entradas del sistema del resto de elementos resistivos y capacitivos,
Figura 2.14.
Aplicando el teorema de Thvenin a ambas fuentes de corriente se puede determinar la expresin de la impedancia compleja equivalente,
Figura 2.15.
Las impedancias ZC y ZH tienen las siguientes expresiones desarrolladas a partir de los esquemas equivalentes con la transformada de Laplace,
(2.94) (2.95)
Aunque realmente dependen de la temperatura, por simplicidad se considera que ambas impedancias son iguales y tambin los parmetros que los caracterizan, tanto las capacidades como las resistencias trmicas, son iguales en la seccin fra y la caliente.
64
ZC = ZH = Zequiv1 y los coeficientes toman las siguientes expresiones,
(2.96)
(2.97) (2.98) (2.99) (2.100) (2.101) entonces la impedancia equivalente total Zequiv es,
Z equiv = R 5 + 2 Z equiv1
(2.102)
Los diagramas de Bode de amplitud y fase que se muestran en las siguientes figuras corresponden a la funcin de transferencia de la impedancia equivalente (Zequiv) y los valores utilizados para los parmetros estn relacionados con una clula estndar de 127 elementos.
Figura 2.16.
65
En los diagramas se observa un punto interesante: -el polo dominante se encuentra en las frecuencias altas con un valor de 8106 rad/sec, es decir, una frecuencia de 1,2MHz, y a partir de ese punto la impedancia baja con el aumento de frecuencia. Tal como indica la siguiente grfica de Nyquist, el sistema en lazo cerrado es completamente estable,
Figura 2.17.
2.11.1. EVOLUCIN DE LAS TEMPERATURAS.

La dinmica de la evolucin en el dominio de la frecuencia de las temperaturas T3 y T4 vendr dada por la expresin siguiente,
T3 ( s ) =
(Q
( s ) Qr ( s ) ) Z equiv1 ( s )
R5 + 2 Z equiv1 ( s )
(R5 + Z equiv1 ( s ) ) + Qr ( s ) Z equiv1 ( s )
(2.103)
siendo la respuesta en el tiempo, y=9.7e3*exp(-5*t)-4.8e3*exp((2-5*i)*t)+8.4e3*i*exp((2-5*i)*t)-4.8e3*exp((2+5*i)*t)8.4e3*i*exp((2+5*i)*t) (2.104) o lo que es lo mismo, y=1.27e3*exp(-5*t)+2.25e3*exp(3*t)*sin(5*t)-1.27e3*exp(3*t)*cos(5*t) (2.105)
66
y grficamente se observa en la siguiente figura el decremento de la amplitud relativa de la temperatura (T3(t)) hasta alcanzar su evolucin final,
Figura 2.18.
De igual manera se puede evaluar la evolucin de la temperatura (T4(t)) correspondiente a la parte caliente de la termo clula y en concreto en el interfice entre metal (cobre) y semiconductor, obtenindose la siguiente grfica que por haberse considerado de caractersticas completamente simtricas sin que afectasen a los parmetros internos de los materiales utilizados la temperatura tiene caractersticas as mismo simtricas,
Figura 2.19.
67
El conocimiento de todas las temperaturas y flujos del sistema conlleva la extensin del anlisis realizado para encontrar T3 y T4, sin embargo este trabajo puede ser ms compacto si se emplea el espacio de estado para su estudio. El sistema termoelctrico que constituye la clula tal y como se ha descrito en este anlisis tiene mltiples salidas y puede ser variable en el tiempo, en consecuencia, es til trabajar con el concepto de estado encontrando el conjunto ms pequeo que determinen el sistema termoelctrico. Aunque en este trabajo no se desarrolla en este apartado, si que parece oportuno implementar una introduccin mostrando el aspecto a nivel matricial del sistema a partir de la funcin de transferencia encontrada para evaluar la impedancia compleja y la temperatura de tal manera que ZC la podemos poner como,
a 2 b 1 s + s + T3 (s ) a s2 + b s +1 c c c ZC = = = d 2 e 1 Q f (s ) c s 3 + d s 2 + e s + 1 3 s + s + s + c c c
(2.106)
Para obtener una representacin de este sistema en espacio de estado en primer lugar se definen un conjunto de variables de estado,
x1 = T 0 Q
(2.107)
& & & x 2 = T 0 Q 1 Q = x1 1 Q && & && x 3 = T 0 Q 1 Q 2 Q = && 2 3 Q x
(2.108)
(2.109)
donde 0 , 1 , 2 y 3 se determinan mediante las siguientes expresiones,
(2.110) (2.111) (2.112) (2.113)
que garantizan la unicidad de la solucin de la ecuacin de estado.
68
Entonces, la ecuacin de estado del sistema planteado pasa a ser,

& x1 0 x = 0 & 2 1 x 3 & c 0 x1 1 1 x 2 + 2 [Q] d x 3 3 c
1 0 e c
(2.115)
y la ecuacin de salida es,

x1 a T = [1 0 0] x 2 + Q c x 3
(2.116)
En todo caso el flujo de calor a travs de un elemento semiconductor est dado por el "laplaciano" de la variacin de temperatura, es decir: T = 2 T / x 2 + 2 T / y 2 + 2 T / z 2 que si se expresa en una dimensin para simplificar, queda la expresin:
2 T( x, t ) 1 T( x, t ) = x 2 t
(2.117)
(2.118)
donde:
= k c
es la difusividad trmica .
k es la conductividad trmica. es la densidad. c es la capacidad especfica de calor. A partir de de la expresin anterior y considerando un flujo de calor constante en la clula termoelctrica es posible hacer una analoga entre la constante de tiempo de la estructura trmica con la constante de tiempo de un circuito elctrico. La constante elctrica equivalente del comportamiento visto anteriormente es :
4l 2 c 4l 2 = 2 2 k
R C =
(2.119)
69
donde: l es la longitud del semiconductor R es la resistencia elctrica equivalente C es la capacidad elctrica equivalente si se multiplica y divide por el rea transversal del mono-mdulo, quedara la siguiente expresin:
RC =
4 l2 c 4 l l A c 4 l m c = = 2 2 k 2 k A kA
(2.120)
pudindose identificar los trminos como: C=mc y
R=
l kA
2.12. IMPORTANCIA DE LA GEOMETRA DEL SEMICONDUCTOR EN LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA.

La geometra, el volumen, la superficie, la longitud de la mono-estructura (pellet) intervienen en la obtencin de un mayor rendimiento y potencia til. Las ecuaciones que rigen el flujo de calor en un semiconductor integrado en una clula termoelctrica son:
(2.121) (2.122)
70
y despreciando el efecto Thomson queda:
(2.123) (2.124)
La potencia elctrica total que absorbe el semiconductor es igual a la diferencia de flujo de calor en ambas caras. As, despreciando el efecto de la cermica y del conductor tendremos la siguiente relacin:
P = Qh Qc = (T ) I + R I 2
(2.125)
As pues, la potencia mxima se obtendr para una corriente concreta; sta se puede hallar del siguiente modo:
(T ) P(I) = 0 (T ) + 2 I R = 0 I = 2R I
Pmx (I)
y la potencia mxima es
3 2 (T ) 4 R
Pmx
I=
( T ) 2R
(2.126)
Luego se pone de manifiesto que la potencia obtenida depende de la resistencia equivalente (R) de la forma geomtrica que tome el semiconductor en la estructura termoelctrica. En general para cualquier geometra se puede poner que la R media (R ) tome el siguiente valor: R = l , siendo S la superficie media , es decir: S = V volumen y l la longitud del semiconductor. una curva que gira alrededor del eje x es: b 2 2 Volumenx = [f ( x )] x y sobre el eje y sera Volumen y = [f ( y)] y ; adems si se a a
b
, con V el
El
volumen
de
quiere expresar en funcin del plano Z=0 se tiene: Volumen = S(z)z

z1
z2
lo que llevara
a expresar la resistencia media del semiconductor como:
71
R =
l2 [f ( x )] x
b 2 a
o bien
R =
l2 [f ( y)] y
b 2 a
o bien
R =
l2
z2
z1
S(z)z
(2.127)
dependiendo del eje de coordenadas que se elija. Las expresiones anteriores posibilitan el poder expresar la potencia mxima desarrollada por la clula termoelctrica en funcin de un volumen de revolucin que generara geometras sin aristas,
3 2 (T ) b 2 [f ( x )] x a 4 l2
2
Pmx =
(2.128)
2 Por otra parte, la figura de mrito Z = es posible expresarla en funcin de la
geometra segn el desarrollo anterior, es decir,

Z= 2 l2 R [f ( x )] x
b 2 a
(2.129)
aunque hay que recordar que tanto , semiconductor que se utilice.
como
dependen intrnsicamente del
La distribucin de las cargas elctricas en la superficie exterior de los conductores y semiconductores no es homognea. En general, hay una mayor concentracin en las esquinas y en las puntas. Parece lgico evitar las formas esquinadas e intentar desarrollar formas generadas a partir de curvas de revolucin como por ejemplo elipsoides, hiperboloides y paraboloides entre otras. Es por ello que en esta misma tesis se profundiza en el estudio de este aspecto de la geometra.
Figura 2.20. 72
2.12.1. LA SIMULACIN EN FUNCIN DE LA GEOMETRA.

Para la optimizacin del pellet a partir de su geometra, es necesario estudiar las expresiones que permiten expresar la potencia mxima desarrollada por la clula termoelctrica en funcin de un volumen de revolucin.
Pmx = 3 2 (T ) b 2 [f ( x )] x a 4 l2
2
(2.130)
En un medio isotrpico la expresin para el flujo de calor a nivel volumtrico tiene la siguiente expresin para valorar el efecto Peltier:
q P = T ji ik x k T=cons tan te
(2.131)
donde ik son componentes del vector de Seebeck, ji es la densidad de corriente y xk son las coordenadas. Si vemos este efecto volumtrico desde el punto de vista de un cristal anisotrpico se observa el siguiente esquema:
Figura 2.21. Orientacin eje principal cristal.
En la figura la corriente j atraviesa el eje y1 con un ngulo con respecto al eje principal del cristal. El flujo de calor absorbido en el cristal por unidad de volumen se puede expresar como:
q P = q P1 + q P 2
(2.132)
donde,
q P1 = T 11 sin 2 + 22 cos 2 j1 y1
(2.133)
73
q P2 = T
y 2
11 22 sin 2j1 2
(2.134)
qP1 describe el efecto longitudinal de Peltier debido a la variacin en las componentes de Seebeck a travs de la direccin de la corriente. El efecto es anisitrpico; ya que depende de la orientacin cristalogrfica del cristal. qP2 describe el efecto transversal de Peltier que existe cuando hay una variacin de la componente perpendicular del vector de Seebeck. Cuando el ngulo es cero, o 180 el efecto es nulo. Un parmetro que es posible utilizar para determinar el vector Seebeck en un plano transversal de la figura que forma el semiconductor es precisamente su mdulo, es decir:
2 = 11 + 2 = m 22
(2.135)
Si contemplamos el volumen completo quedara:

mt = m Vol , entonces la potencia mxima desarrollada por la clula sera:
Pmx =
2 3 m (T ) b 2 [f ( x )] x a 4 l2 2 2
(2.136)
Pmx sera constante en una figura como el cilindro, pero en general habr que considerar un parmetro medio. Incluyendo parmetros correctores referentes a la geometra en las ecuaciones de flujo de calor, tendremos:
(2.137) (2.138)
donde g(x) es
l2 [f ( x )] x
b 2 a
como se vio en el anteriormente.
Vemos pues que la geometra de los pellets interviene de manera determinante. Normalmente la figura geomtrica utilizada es el prisma cuadrangular o rectangular con diferentes relaciones de longitud y rea por su facilidad de fabricacin. Esta forma no es la ms idnea ya que presenta desventajas tales como:
74
Mayor concentracin de dopante en las aristas lo que representar una mayor vibracin trmica y en consecuencia un mayor flujo de calor. Justamente interesa lo contrario, es decir, que en los espacios perimetrales del pellet exista la menor prdida de flujo de calor posible para que no haya influencia entre pellets. Menor rea perimetral que est relacionado con el flujo total superficial. Interesa menor flujo por las caras perimetrales de la figura que forma el pellet.
Figura 2.22.
En este trabajo de investigacin, interesa conocer y dictaminar el comportamiento de los pellets de forma cilndrica; ya que en varias investigaciones de nuestro grupo europeo se usa este tipo de pellets cilndricos y el objetivo principal del presente trabajo de investigacin es caracterizar placas termoelctricas en alguna de las cuales se usan este tipo de pellets. Teniendo en cuenta el efecto Peltier viene dado por la ecuacin,
q P2 = T 11 22 sin 2j1 y 2 2
(2.139)
Realmente lo que interesa es que el flujo transversal de calor sea el mnimo posible. Para que ste sea el mnimo posible se debe conseguir que sea 0 el ngulo formado con el eje cristalogrfico principal. Es decir, que el flujo transversal se anula cuando el material usado como semiconductor presenta propiedades isotrpicas. Es mucho ms sencillo conseguir propiedades isotrpicas en pellets que presenten configuraciones geomtricas simtricas de revolucin (ausencia de aristas), y el de ms sencilla fabricacin es el cilndrico. Adems se deben fabricar con materiales que consigan coeficiente de Seebeck mximo y una resistencia elctrica mnima; es decir una mnima resistividad.
75
2.13. CONCLUSIONES.
El estudio unidireccional del flujo de calor permite establecer analogas elctricas que definen el comportamiento de la estructura como termo clula para as poder encontrar los parmetros tanto de la clula bsica como de una estructura termoelctrica. La adicin en el modelado de diferentes parmetros que definen una serie de fenmenos fsicos que se dan en el comportamiento de la clula real da lugar a un modelo ms fidedigno; pero a su vez, conlleva un mayor grado de dificultad a la hora de su simulacin. Los aspectos relacionados con la geometra del semiconductor y su interaccin en un modelo inicialmente unidimensional es tratado en la literatura mediante formas bsicas, y es necesario profundizar la influencia de la geometra tanto a nivel de thermocouple como de la placa termoelctrica. Los modelos continuos requieren en general la utilizacin de valores funcionales promediados de las caractersticas intrnsecas del material analizado, ya sea semiconductor, metal o cermica. El coeficiente de Seebeck, la conductividad elctrica y trmica requieren un estudio en funcin bsicamente de la temperatura; y encontrar un promediado vlido de estos valores es muy difcil y generalmente llevan a una desviacin en el comportamiento real. Los mtodos basados en elementos finitos necesitan que las condiciones de contorno de cada elemento con sus nodos sean encontradas con la mayor precisin. En este caso el nmero de elementos en que se divide el estudio suele marcar el grado de error del mtodo. El comportamiento en frecuencia es muy poco tratado en el modelado de las estructuras termoelctricas, sin embargo hay aplicaciones que requieren un tratamiento en frecuencia y que estn relacionadas con la miniaturizacin de la clula. Este trabajo de investigacin insistir en este estudio tanto por el motivo indicado anteriormente como porqu dicho estudio contribuye a una mejor caracterizacin de las placas termoelctricas.
76
Captulo3. Estudios sobre de influencia tanto del modelo como de la geometra y el material de los pellet del sistema termoelctrico
CAPTULO 3 ESTUDIOS SOBRE DE INFLUENCIA TANTO DEL MODELO COMO DE LA GEOMETRA Y EL MATERIAL DE LOS PELLET DEL SISTEMA TERMOELCTRICO
3.1. GENERALIDADES.
Una vez vistos en los captulos C1 y C2 diferentes modelos; es inters de este trabajo de investigacin avanzar en la caracterizacin de la clula termoelctrica, no sin antes analizar cual o cuales de los modelos son los mas idneos, ponderando entre esfuerzo y resultados. Los costes de prototipo y experimentacin sern seguramente reducidos cuando el modelo se corresponda de forma lo ms precisa posible con el experimento real, de ah nuestro inters por analizar los modelos. As pues, en este captulo, se estudia dicho comportamiento y se dan algunas relaciones que pueden definir un buen diseo y contribuir, como ya se ha puesto de manifiesto, en su caracterizacin y modelado, as como su posterior diseo, fabricacin y testeado. Tambin, en este captulo, se profundiza en la influencia de la geometra, tanto a nivel de pellet como de toda la placa termoelctrica, con el fin de avanzar hacia diseos ptimos en diferentes campos de aplicacin y rangos de temperatura.
3.2. ANLISIS COMPARATIVO DE DIFERENTES MODELOS SOBRE PLACAS TERMOELCTRICAS COMERCIALES.

Documentos tales como [71] y [72] han usado el modelado en elementos finitos en el clculo de las caractersticas de mquinas termoelctricas en rgimen estacionario. De la misma manera, los documentos [73] y [74] han hecho uso de este mtodo para modelar las condiciones del transitorio del enfriamiento. Ya hemos visto que hay varios caminos para calcular las caractersticas de la generacin de energa utilizando uniones termoelctricas, tanto sea por esquemas promediados o usando elementos finitos. La ventaja de los esquemas promediados es que se obtiene una solucin inmediata de las ecuaciones analticas simplificadas. El mtodo de los elementos finitos requiere muchas iteraciones y, por tanto, ms tiempo para conseguir resultados. Sin embargo, cualquier ordenador de alta velocidad hace que esta diferencia de tiempo no sea importante; ahora bien, es muy complejo definir las condiciones de contorno ajustadas a la realidad. Para efectuar dicha evaluacin, se ha experimentado tanto con tcnicas de promediado, como de elementos finitos; y comparar este modelo con otras tcnicas de modelado. Adems es necesario resaltar que slo se investig el anlisis unidimensional 77
y excluyendo efectos como las resistencias de contacto, as como los efectos de las prdidas pasivas de calor de la radiacin y la conduccin del aire y la conveccin. Se ha actuado de esta manera debido a que, slo se buscaba una comparacin bsica de los mtodos de clculo y dems tales efectos pueden ser fcilmente incorporados en el momento de ser escogido un mtodo de los estudiados para dar un modelo que sea ms cercano a la realidad.
3.2.1. MODELOS COMPUTACIONALES.

Los tres modelos computacionales que se han tenido en cuenta en la experimentacin estn basados en las siguientes ecuaciones [75]: QH = I TH I 2 R + K T P = I 2 RL I = Voc / (R + RL) T = TH TC Voc = T R=L/A K=kA/L QH = P + QC Z = 2 k / En las cuales: QH: entrada de calor al generador termoelctrico : coeficiente de Seebeck k: conductividad trmica TH: temperatura de la cara caliente P: potencia de salida Voc: tensin de circuito abierto L: largo del pellet QC: calor residual Z: figura de mrito : resistividad elctrica I: corriente TC: temperatura de la cara fra RL: resistencia de carga A: rea del corte de seccin del pellet La figura 3.1 muestra una representacin tpica y esquemtica del generador termoelctrico considerado. (3.1) (3.2) (3.3) (3.4) (3.5) (3.6) (3.7) (3.8) (3.9)
78
Figura 3.1. Generador termoelctrico.
Los valores de los diferentes parmetros de la clula termoelctrica han sido medidos en un mdulo termoelctrico comercial de 127 uniones con pellets de dimensiones 1,4 x 1,4 x 1,15 mm.; extrapolando los valores intermedios en aquellos puntos donde no es posible acceder. Los modelos considerados son los siguientes:
Modelo 1: En este modelo se ha considerado el pellet dividido en muchas subsecciones o elementos. La ecuacin (3.1) se aplica de manera reiterativa a cada elemento, considerando el calor liberado por un elemento como el calor entrante al elemento siguiente. La potencia total de salida se considera como la suma de la potencia de salida de cada elemento, calculando dicha potencia como en la ecuacin (3.8). Los valores de los parmetros que definen las propiedades del material vienen implcitamente determinadas, como consecuencia de la distribucin de temperatura calculada para un flujo de calor dado. El flujo de calor QH en el pellet viene paramtricamente determinado por numerosas iteraciones hasta obtener la temperatura de la cara caliente deseada, asumiendo una temperatura de cara caliente dada. La figura 3.2, muestra un esquema de este modelo.
Figura 3.2. Esquema del modelo 1.
79
Modelo 2: Este modelo utiliza un promedio integral de las diferentes propiedades del material. Por ejemplo, el promedio del coeficiente Seebeck se obtiene por: TH 1 med = (T) dT TH TC TC
Modelo 3: Este modelo usa propiedades de material basadas en el promedio de TH y TC del pellet.
3.2.2. RESULTADOS OBTENIDOS.

En los modelos 2 y 3, la determinacin de la mxima eficiencia fue calculada para una RL ptima; calculada segn RL= (1 + Z THC ) R [5]. Sin embargo la Z se calcula de diferente manera: En el M2, Z se calcula a partir de las propiedades de la integral promedio, y en el M3 a partir de THC, obteniendo THC = (TH + TC) / 2. En el modelo 1 se utiliza una aproximacin ligeramente diferente; as, la RL considerada como ptima no lo es realmente si se determina del mismo modo que para los Modelos 2 y 3. En este caso, el ptimo se ha de determinar segn (R L1 + R L2 ) / 2. R L1 y considerando n Tmed = Ti / n. i =1 La Z se calcula con la temperatura Tmed . (1 + Z Tmed ) R, donde n R . R L2 viene determinada por (1 + Z i (Ti + Ti +1 )/2) i =1 n De hecho, no se deben deducir grandes diferencias; ya que se han detectado slo pequeas diferencias en la determinacin de RL. La siguiente tabla muestra la eficiencia resultante segn los diferentes mtodos empleados en el clculo de RL ptima. Los mtodos estn identificados en la tabla como: n R 1. R L2 = (1 + Z i (Ti + Ti +1 )/2) i =1 n 2. R L1 = 3. RL = (1 + Z Tmed ) R (1 + Z THC ) R
4. (R L1 + R L2 ) / 2
80
Mtodo eficiencia, % TH = 470 K TC = 300 K 1 5.608910 2 5.608913 3 5.608734 4 5.608904
eficiencia, % TH = 600 K TC = 300 K 5.727270 5.727227 5.724789 5.727281
Tabla 3.1. Eficiencia basada en el clculo de R L .

Con un T = 170 K, el tanto por ciento de diferencia entre el mtodo 3 y el 4 es de slo el 0.003 %. No obstante a un T = 300 K, esta diferencia es del 4.35 %. El esquema de promediado representado por el mtodo 3 es inadecuado, especialmente para T altos. La figura 3.3, muestra la mxima eficiencia determinada para cada modelo a diferentes TH y a una TC constante de 300 K. Para diferencias de temperatura altas, los 3 modelos dieron resultados idnticos. Sin embargo, el M3 dio una eficiencia significativamente baja a diferencias de temperaturas (T) altas.
8 7 6 5 4 3 2 1 0 300 350 400 450 500 550 600 Temperatura de la cara caliente (K)
Eficiencia (%)
Modelo 1 Modelo 2 Modelo 3
Figura 3.3. Mxima eficiencia (T C = 300 K).

La figura 3.4 muestra la mxima potencia obtenida para cada modelo para diferentes TH y con una TC constante fijada a 300 K. La mxima potencia se calcul haciendo RL = R. Los modelos estaban basados en 127 uniones con pellets de dimensiones 1.4 x 1.4 x1.15 mm. Para pequeas diferencias de temperatura, los modelos 2 y 3 dieron resultados precisos en comparacin con el M1. A grandes diferencias de temperatura, la variacin no fue tan grande como para el caso de la mxima eficiencia. No obstante, el modelo M1 dio una potencia de salida ms baja que la encontrada con los modelos de M2 y M3.
81
30 Potencia (watts) 25 20 15 10 5 0 300 350 400 450 500 550 600 Temperatura de la cara caliente (K) Modelo 1 Modelo 2 Modelo 3
Figura 3.4. Mxima potencia (T C = 300 K).

Las siguientes figuras muestran una comparativa de los valores intensidad, voltaje de carga, calor de entrada, eficiencia y potencia de salida; valores obtenidos por los tres modelos como funciones de la resistencia de carga, cogiendo T constantes. En la figura 3.5, se puede observar que con los mtodos 2 y 3 se calcul esencialmente la misma intensidad, mientras que con el M1 se obtiene un menor valor; en las ratios menores a 1,5.
6 Corriente (amperios) 5 4 3 2 1 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 0,25 0,75 1,25 1,75 2,25 2,75 3 Modelo 1 Modelo 2 Modelo 3
Ratio de resistencia (RL / R)
Figura 3.5. Efecto de la resistencia de carga en la intensidad. (T H = 500 K, T C = 300 K)

Por lo que se refiere a la tensin, como se muestra en la figura 3.6, los tres modelos se comportan de manera parecida en todo el ratio RL / R.
82
9 8 Tensin (volts) 7 6 5 4 3 2 1 0 Modelo 1 y 2 Modelo 3
0 25 0, 5 0, 75
1 25 1, 5 1, 75
0,
Figura 3.6. Efecto de la resistencia de carga en la tensin de carga. (T H = 500 K, T C = 300 K)
Por lo que se refiere al efecto de la resistencia de carga respecto a la entrada de calor, la figura 3.7 muestra claramente que el modelo M3 no da una exactitud suficiente, frente a los modelos M1 y M2.
280 Entrada de calor (watts) 260 240 220 200 180
0 25 0, 5 0, 75 1 25 1, 5 1, 75 0, 1, 2, 2 25 2, 5 2, 75 3
1,
2,
2 25 2, 5 2, 75
Modelo 1 y 2 Modelo 3
Figura 3.7. Efecto de la resistencia de carga en la entrada de calor. (T H = 500 K, T C = 300 K)
La figura 3.8, muestra que la ratio de resistencia ptima para la mxima eficiencia era la misma que en el modelo empleado para determinarla. No obstante, hay que tener en cuenta que los ratios de resistencia no eran exactamente los mismos. 83
8 7 Eficiencia (%) 6 5 4 3 2 1 0 Modelo 1 Modelo 2 Modelo 3
0,
Figura 3.8. Efecto de la resistencia de carga en la eficiencia. (T H = 500 K, T C = 300 K)
En la tabla 3.2 se muestra el valor de los ratios de cada uno de los tres modelos comparados. Mientras que los ratios ptimos de resistencia eran esencialmente los mismos, con el modelo M1 se calcularon eficiencias significativamente bajas respecto a los otros dos modelos.
1,
Model M1 M2 M3
RL / R 1.302465 1.291544 1.323389
Taula 3.2. Ratio de resistencia para una eficiencia ptima.
La figura 3.9 muestra que sea cual sea el modelo, el ratio de resistencia para la mxima potencia es aproximadamente la unidad, segn la forma cerrada que ya predice la ecuacin analtica. No obstante, esto no puede ser del todo cierto para todos los materiales y en todas las situaciones. Como se evidencia en la tabla 3.2, las ecuaciones de la forma cerrada, no definen exactamente el ptimo real. Sin embargo, el modelo M1, calcul un nivel de potencia inferior que los otros dos modelos.
84
2,
3,
16 Potencia de salida (watts) 14 12 10 8 6 4 2 0

0 1 2 3 5 5 5 0, 1, 2, 3, 5
Modelo 1 Modelo 2 Modelo 3
Figura 3.9. Efecto de la resistencia de carga en la potencia de salida. (T H = 500 K, T C = 300 K)
3.2.3. PRECISIN DEL MODELO Y MEDIDA DEL TIEMPO DE COMPUTACIN.

El modelo M1, utilizando 250 elementos, requera alrededor de 25 segundos en llegar a una solucin mientras que los otros dos modelos daban resultados prcticamente instantneos. Cuando las diferencias de temperatura son grandes parece justificado usar M1 an a costa de esta diferencia de tiempo; ya que este modelo M1, es por si mismo preciso segn el nmero de elementos usados en el modelo. Teniendo en cuenta esta relacin (Tiempo de clculo respecto a precisin), se han realizado experiencias que se reflejan en la tabla 3.3. En dicha tabla, se muestra las comparaciones usando 250 elementos y 251 para el clculo de la mxima eficiencia teniendo un salto trmico TH = 600 K y TC = 300 K, con 127 uniones y unas dimensiones de pellet de 1.4 x 1.4 x 1.5 mm. N de elementos Tensin de carga Corriente Entrada de Calor RL / R V A W 250 8.626976 2.651985 399.648 1.22129 251 8.626148 2.652296 399.654 1.22108 % de cambio 0.0095 0,012 0.0015 0.017 Taula 3.3. Comparativa de precisin interna del modelo M1. El uso de 250 elementos parece ser suficiente para disponer de un clculo suficientemente ajustado a la realidad.
85
3.2.4. CONCLUSIONES SOBRE LA APLICACIN DE LOS MODELOS.
El modelo M1 muestra marcadas diferencias en los resultados obtenidos en comparacin con los otros dos tipos de modelos. Las diferencias llegan a ser muy significativas cuando T aumenta. Hay tambin diferencias entre modelos para determinados ratios de resistencia ptimos para mxima eficiencia. Con los tres modelos se puede obtener una precisin razonable para determinar el ratio ptimo de resistencia. Las variaciones pueden ser mucho ms exageradas si las propiedades del material termoelctrico dependiente de la temperatura son altamente no lineales. En este caso, slo M1es suficientemente completo como para dar una solucin realmente ptima. El modelo M1, permite introducir aspectos como: la radiacin, la conveccin y las prdidas de calor por conduccin pasiva. Estos clculos de las prdidas seran fcilmente incluidos en una base elemento a elemento, cosa que no sera tan fcil con los otros dos modelos. M1 da la mxima precisin; puede hacer que el modelado complejo sea fcil, y puede calcular situaciones reales con un valor ptimo real. El anlisis de elementos finitos debe ser usado cuando se requiera la optimizacin crtica para determinar con precisin la naturaleza de los efectos termoelctricos en materiales, las propiedades de los cuales son altamente dependientes de la temperatura. Los esquemas promediados, por su verdadera naturaleza, pierden informacin de modelado, siendo entonces poco precisos.
As pues, vemos que la bondad de los modelos depende en cada caso y podramos decir que en el campo de la aplicacin industrial, se debera haber uso de un modelo determinado en funcin de las exigencias y/o necesidades de esta aplicacin. De hecho, en este trabajo de investigacin se utilizan distintos modelos de manera coherente y a partir de una ponderacin entre dificultad y resultados de aproximacin a la realidad. Para ello aplicaremos dichos modelos a nuestros diseos y compararemos su bondad de aplicacin en los mismos, tal como se ha hecho con mdulos comerciales.
86
3.3. REFLEXIONES SOBRE LA APLICACIN DE LOS MODELOS EN LA CARACTERIZACIN DEL COMPORTAMIENTO DE LOS MDULOS COMERCIALES.
Un mdulo termoelctrico comercial consiste en la unin de varios pares de semiconductores tipo p y tipo n conectados trmicamente en paralelo y elctricamente en serie para aumentar la tensin elctrica de operacin del mismo. Los semiconductores se conectan entre s a travs de buenos conductores elctricos como el cobre utilizando uniones soldadas con materiales con bajo punto de fusin para no daar los termoelementos durante el proceso de soldadura. Estos puentes elctricos tienen que estar aislados elctricamente del objeto a refrigerar para evitar cortocircuitos. Sin embargo, este material aislante elctrico debe de ser un buen conductor trmico para minimizar el salto trmico entre el par termoelctrico y el objeto. Un mdulo termoelctrico comercial consta de tres elementos principales: Termoelementos. Puentes elctricos. Placas cermicas, u otros materiales que sean a la vez buenos aislantes elctricos y buenos conductores trmicos.
Figura 3.10. Mdulo termoelctrico.

Para modelar correctamente hay que tener en cuenta un aspecto fundamental de los mdulos termoelctricos, y que muchas veces no se considera en los modelos de clculo, son las uniones soldadas entre los diferentes componentes. Como ya se ha comentado, los termoelementos se sueldan a los puentes elctricos mediante aleaciones con un punto de fusin relativamente bajo. Uno de los compuestos eutcticos ms utilizados es una aleacin de bismuto y estao (58% Bi y 42% Sn con punto de fusin 87
en 138C). En el caso de que el mdulo termoelctrico vaya a trabajar en un rango de temperaturas superior a 80C, se suelen emplear aleaciones con un punto de fusin ms elevado, como son las aleaciones de estao y plomo (63% Sn y 37% Pb, con punto de fusin en 183C). Es por ello importante tener en cuenta en el modelo el rango de temperaturas a las que trabaje el mdulo, y reafirma una vez ms el hecho de considerar que debera haber un diseo y modelo para cada aplicacin para sacar el mximo rendimiento de los mdulos. En consecuencia, el estudio de un par termoelctrico de manera precisa requiere tener en cuenta todos los componentes que lo constituyen as como las diferentes capas de unin entre los diferentes elementos, es decir, el material que se utiliza en la unin de los termoelementos con los puentes elctricos, y el material de unin entre los pares termoelctricos con las placas cermicas. La unin de los termoelementos a los puentes elctricos introduce una resistencia elctrica de contacto que aumenta las prdidas por efecto Joule y por tanto disminuye su eficacia. La influencia de esta resistencia elctrica de contacto se hace ms patente a medida que disminuye la longitud de los termoelementos al disminuir la resistencia volumtrica de los mismos. La unin de los puentes elctricos a las placas cermicas introduce una resistencia trmica de contacto, por lo tanto una unin deficiente (cosa bastante normal en muchos de los mdulos comerciales testeados) aumentar el salto trmico entre las caras de los termoelementos, originando tambin una disminucin en la eficacia del mdulo. De cara a definir la geometra de un mdulo termoelctrico hay que distinguir entre dos tipos de datos: generales y especficos. Dentro del primer grupo podran considerarse el nmero de pares termoelctricos, las dimensiones principales de los termoelementos (seccin transversal y altura), dimensiones del mdulo (longitud, altura y anchura). Datos que, cara a una simulacin del modelo, se encuentran accesibles en cualquier catlogo suministrado por los fabricantes. Dentro del grupo de datos ms especficos se encontraran por ejemplo el espesor de las placas cermicas, el espesor de los puentes elctricos, el espesor medio de las uniones soldadas la distancia de separacin entre los termoelementos de un mismo par termoelctrico, o la distancia de separacin entre cadenas termoelctricas. Este tipo de datos, con los que quedara perfectamente definida la geometra de los mdulos termoelctricos, se han obtenido en diversos trabajos y publicaciones, utilizando tcnicas visuales y de ingeniera inversa [76], el captulo cuatro de [45], y [77]. Con los datos suministrados en estas referencias y los apartados en catlogos, se podra definir perfectamente la geometra del modelo que se pretende analizar utilizando el mtodo de los elementos de contorno. En la Figura 3.11 se muestra un esquema de todos los elementos que constituyen un termoelemento constituyente del par termoelctrico.
88
Figura 3.11.Vista de los elementos constituyentes en un termoelemento.
Una herramienta de clculo de este tipo permite el estudio detallado de mdulos termoelctricos. Como se ha visto en el estado del arte, los modelos analticos utilizan una serie de simplificaciones que pueden conducir a resultados pocos precisos. Otra de las ventajas de un modelo de este tipo es su utilizacin conjunta con otro tipo de programas o ampliacin de ste que permitan simular los sistemas de disipacin. Esto permite optimizar el equipo completo y analizar otras variables del problema como son por ejemplo: dimensiones y materiales utilizados en el sistema de disipacin, caudales de aire, tipo de ventiladores utilizados, puentes trmicos, aislantes trmicos. Se ha demostrado que en la generacin de potencia trmica por efecto Peltier, tanto la potencia absorbida como la cedida slo dependen de las propiedades termoelctricas de los dos materiales que forman el par termoelctrico, de la corriente elctrica que circula y de sus temperaturas absolutas en los extremos, generndose esta potencia trmica en la superficie de unin de los dos materiales. Los efectos irreversibles producidos por los fenmenos Joule y Fourier son de carcter volumtrico, es decir, se producen en el seno del material, por lo que pueden resultar afectados por la geometra de los elementos termoelctricos, influyendo tambin a la distribucin de temperaturas en las superficies en que se produce el efecto Peltier y por tanto al valor de la propia potencia trmica debida a este efecto y, en definitiva, a la potencia trmica neta que es absorbida o cedida en los extremos de los materiales termoelctricos. Consecuentemente es inters de este trabajo de investigacin demostrar la posible influencia que la forma de la seccin transversal de los termoelementos puede tener en las potencias absorbidas y cedidas por efecto Peltier. Los estudios que se han hecho hasta la fecha en este sentido, han usado modelos unidimensionales, y existen algunos tipos de geometra donde puede conducir a resultados errneos. En algunos de estos estudios se han considerado adems fenmenos de conveccin en las caras 89
laterales de los termoelementos, aunque por lo general los modelos analticos desprecian este calor considerando los laterales de los termoelementos adiabticos. Hoy en da, existen gamas de mdulos termoelctricos comerciales aislados en los huecos entre termoelementos mediante siliconas especiales que no daan los termoelementos y que tienen tres objetivos: reducir las prdidas trmicas en las paredes laterales de los termoelementos, proteger los pares termoelctricos de agentes nocivos, y evitar posibles fenmenos de condensacin del aire en la zona fra que incluso podra derivar en la formacin de escarcha en la misma, provocando una disminucin de su eficacia, y una reduccin en los tiempos medios de vida por problemas de oxidacin. Thacher, E. F. en [78], mediante el empleo del clculo variacional, demostr que bajo las hiptesis de volumen constante del termoelemento y de superficies laterales adiabticas, la eficacia mxima de un termoelemento trabajando en el modo de generacin elctrica se consigue para secciones transversales constantes del termoelemento. Maday, C. J., y Huang, C. en [79], han estudiado la influencia de una geometra de seccin variable trapezoidal en un modelo con las siguientes simplificaciones: corriente elctrica constante, consideracin de un modelo unidimensional en temperaturas, rgimen estacionario, y que la seccin transversal de los termoelementos es una funcin conocida dependiente de la posicin. Adems consideran la conductividad trmica de los materiales constante con la temperatura, as como el coeficiente de transmisin de calor de las superficies laterales de los termoelementos, y que la resistividad elctrica de los termoelementos es una funcin lineal de la temperatura. Como conclusiones ms relevantes de este trabajo, en el mismo se cita que se aprecia un mejor comportamiento de los termoelementos cuando la seccin transversal mnima est en contacto con el lado caliente. No se muestra ninguna conclusin sobre el modelo con contraccin de seccin en la parte central. Tambin se indica en el artculo el posible beneficio que podra tener la refrigeracin por conveccin de las caras laterales de los termoelementos, que disipara el calor generado por efecto Joule en el interior de los termoelementos, cantidad de calor considerable cuando se trabaja con intensidades elevadas. En el captulo 8 de la tesis doctoral [45], se realiza un estudio minucioso de diferentes geometras de termoelementos considerando propiedades constantes de los materiales, utilizando un modelo unidimensional, y suponiendo que las superficies laterales de los termoelementos son adiabticas. Utilizando un mtodo diferente llega a la misma conclusin que Thacher, E.F.:El valor de la eficacia mxima es independiente de la forma de la seccin transversal y su variacin depende nica y exclusivamente de la esbeltez total del termoelemento, de las temperaturas y de las propiedades de los materiales, supuesto estas constantes, dicho de otra forma La eficacia mxima puede ser conseguida con cualquier seccin transversal con tal que la esbeltez del termoelemento sea igual a la que optimiza la eficacia. Como es evidente, el volumen de cada una de las geometras no tiene que ser el mismo, en un apartado posterior se demuestra que el volumen mnimo se obtiene con termoelementos de seccin transversal constante.
90
En esta misma tesis que estamos comentando, se introducen otra serie de factores de la geometra de los termoelementos denominados terciarios, que tienen que ver con los dems elementos que componen la clula termoelctrica. Estos factores pueden llegar a tener influencia directa o indirecta sobre la eficiencia frigorfica y las potencias trmicas intercambiadas entre el foco fro y el foco caliente. Al final del captulo 9 se citan las restricciones que plantea la utilizacin de un modelo unidimensional tanto trmico como elctrico, y que hacen que las conclusiones del mismo deban de ser consideradas con cautela. Salvo en el caso de seccin prismtica constante, donde el comportamiento del termoelemento s es unidimensional, en el resto de geometras la distribucin de potencias trmicas y corriente elctrica es tridimensional, y por tanto el modelo planteado no da una solucin exacta. Adems, en la zona de los termoelementos prxima a los puentes elctricos, se producir una modificacin de la distribucin de temperaturas y de la distribucin de corrientes, que contradicen otra suposicin del modelo, en la que se considera que los cambios en la geometra no afectarn a los valores de las potencias trmicas intercambiadas y de las eficiencias asociadas, si se mantena el valor de la esbeltez total. Por todo lo expuesto en los prrafos anteriores, se considera til y necesario, en nuestro trabajo, analizar la influencia de la geometra de los pellet en el funcionamiento de los mdulos termoelctricos.
3.4. INFLUENCIA DE LA GEOMETRA DE LOS PELLET EN EL MDULO TERMOELCTRICO.

El inters primordial de nuestro grupo de investigacin es el de mejorar el rendimiento de las clulas termoelctricas y ello comporta, entre otras cosas, el ensayo de nuevos materiales y consecuentemente la fabricacin de pellet de estos materiales; as como su ensayo y deduccin de conclusiones. Ello ha comportado la necesidad de fabricacin autnoma y rpida para no retardar innecesariamente las conclusiones. Estos pellet son fabricados a alta presin y la forma necesaria, por razones tcnicas de fabricacin, es la forma cilndrica. As pues; ya que se dispone de pellet de forma no estndar hasta el momento, es de inters el estudio de la posible influencia de esta geometra; para ello se define a(x) como la funcin que define la variacin de la seccin transversal del pellet respecto al eje donde se produce el gradiente de temperatura, y es de inters observar y cuantificar como esta a(x) ptima minimiza el efecto irreversible bajo unas mismas condiciones de funcionamiento; es decir, diferencia de temperatura (T), corriente elctrica (I) y propiedades y volumen del pellet. Adems, se ha considerado que: La corriente elctrica circula a lo largo de x.
91
Existe un gradiente de temperaturas en los extremos del pellet (Th=Tx=L y Tc=Tx=0). Las superficies laterales son consideradas adiabticas. El problema se considera en una nica dimensin (T(x)=T). El material es isotrpico con las propiedades termoelctricas constantes: , y .
As pues, se puede considerar un pellet, con geometra no estndar como el de la figura.
Figura 3.12. Esquema del pellet analizado
3.4.1. INFLUENCIA DE LA GEOMETRA DEL PELLET EN EL EFECTO IRREVERSIBLE.

La distribucin de temperaturas a lo largo del eje x, teniendo en cuenta los efectos Joule y Fourier, viene dada por la siguiente ecuacin diferencial:
d 2T 1 da dT I 2 + + =0 dx 2 a dx dx a 2
(3.10)
La ecuacin (1) puede ser expresada utilizando el cambio de variable =dT/dx:
( a ) x ( a )0 =
I 2 x dx 0 a
92
(3.11)
El parmetro geomtrico ms importante de un pellet es la relacin entre su longitud y su seccin, E=L/A, llamado a partir de ahora esbeltez. Este concepto se puede extender para el caso de un termoelemento con seccin transversal constante de la siguiente manera:
e = e ( x) =
x
dx a ( x)
(3.12)
y entonces:
de = dx a ( x) E = de
0 L
(3.13)
Utilizando (3.12), la ecuacin (3.11) puede ser rescrita como:
( a ) x ( a )0 =
I2 e
(3.14)
La potencia trmica entre dos secciones a(x) y a(x+dx) a temperaturas T y T+dT respectivamente es:
dT & Q = a = a dx
(3.15)
donde el producto a puede ser expresado como una funcin de la potencia trmica:
a =
siendo
& Q
(3.16)
( a )0 =
& Q
=
0
& Q0
i ( a )x =
& Q ( x)
(3.17)
y sustituyendo (3.17) en (3.11)
dT =
& Q I2 e dx + 0 de a a
(3.18)
As, integrando la ecuacin (3.18) se obtiene la distribucin de temperaturas a lo largo del pellet, y como a=a(x) es conocida, la ecuacin (3.12) puede ser sustituida en (3.18), obteniendo:
dT =
& Q I2 e de + 0 de
(3.19)
93
La ecuacin (3.19) se puede integrar entre e=0 (correspondiente a x=0, T=Tc) y e=E (correspondiente a x=L, T=Th) obteniendo:
& 1 Q Th = Tc E 2 I 2 + 0 2
(3.20)
y reordenando la ecuacin (3.20), se tiene

& Q0
T 1 + EI2 E 2
(3.21)
y sustituyendo (3.21) en (3.18) se obtiene:
dT =
I 2 2e E T dx + dx a aE 2
(3.22)
La distribucin de temperaturas como una funcin de e(x) se obtiene integrando la ecuacin (3.22) entre x=0 y x (distancia genrica):
I 2 e 2 e E T e + + Tc T = 2 E
(3.23)
Utilizando (3.15), la potencia trmica que atraviesa una seccin cualquiera sera:
2 & = I ( 2 e E ) T Q 2 E
(3.24)
En (3.24), el primer trmino representa la potencia trmica disipada por el efecto & & Joule ( QJ ), mientras que el segundo trmino se debe al efecto Fourier ( QF ). Desde & ahora, a la potencia expresada en (3.24) se le denominar Q ; ya que contiene los dos
JF
efectos. Cabe resaltar que tanto la distribucin de temperaturas como la potencia trmica, no dependen directamente de a(x), aunque est incluida en e(x). La potencia trmica intercambiada con el ambiente en x=0, donde e=0 es:
& QJF
x =0
I2
2
E T
(3.25)
Esta potencia trmica se minimiza cuando la geometra del pellet es: 1 2 T Eopt = I (3.26)
94
y la potencia trmica mnima, con esta geometra, en x=0 es:

& QJFmin
x =0
= I 2 T
(3.27)
La potencia trmica en x=L, donde e=E es:

& QJF
x= L
I2
2
E T
(3.28)
Esta funcin es creciente respecto a E. La potencia trmica en x=L incrementa con E debido al aumento en la generacin de potencia trmica debida al efecto Joule. Comparando las ecuaciones (3.25) y (3.28) se obtienen las siguientes conclusiones: La esbeltez total E es la nica variable geomtrica que influye en el valor de la potencia trmica en los extremos del pellet. La potencia trmica debida al efecto Fourier tiene el mismo valor y signo ( T E ) en ambos extremos (fluye al interior en x=L y al exterior en x=0). La potencia trmica por efecto Joule tiene el mismo valor ( I 2 2 E ) en ambos extremos, siendo la mitad del total de la potencia trmica generada por efecto Joule en el interior del pellet, independientemente de la geometra, haya o no una simetra respecto a los extremos del termoelemento. Cabe destacar que las propiedades termoelctricas de los pellets se consideran constantes con la temperatura, y el modelo considerado es unidimensional. Utilizando el valor E que optimiza la potencia trmica en x=0, se tiene que la potencia trmica en x=L es nula. En este caso la potencia trmica debida a los efectos Joule y Fourier alcanza el mismo valor absoluto pero con signos diferentes en x=L.
3.4.2. INFLUENCIA DE LA GEOMETRA DEL PELLET EN LOS EFECTOS PELTIER E IRREVERSIBLE.

En el par termoelctrico, el efecto Peltier siempre va unido al fenmeno irreversible; ello implica la necesidad de analizar la influencia de la geometra del pellet en el valor neto de la potencia trmica y en el rendimiento a la hora de enfriar.
3.4.2.1. Influencia en la potencia trmica.

La potencia trmica en los extremos del pellet, considerando el efecto Peltier, viene dada por las siguientes expresiones:
& & Qx =0 = QP & + QJF
x =0
x =0
= 0 I T0
I2
2 95
(3.29)
& & Qx = L = QP
x=L
& + QJF
x=L
= L I TL +
I2
2
(3.30)
& & Teniendo en cuenta que QP depende de E, Eopt optimiza adems Qx =0 siendo el mximo:
& Qmax
x =0
= I T0 I 2 T
(3.31)
& Por la misma razn, Qx = L no tiene ningn mximo ni mnimo respecto a E, como ya se ha comentado anteriormente.
3.4.2.2. Influencia en el rendimiento como refrigerador.

El rendimiento a la hora de enfriar en un pellet viene dado por:
& & Qx =0 Qx =0 = & & & W Qx = L Qx =0 I2 T E 2 = I ( L TL 0 T0 ) + I 2 E
0 I T0 E
(3.32)
Analizando la ecuacin (23) respecto a E, el valor que optimiza el rendimiento viene dado por: Emax =
T 1 1 + 1 + z Tm Tm I
(3.33)
Obtenindose el mximo rendimiento:
max =
T0 T
(1 +
T T 1 + z Tm 1 1 + T0 T0 z Tm 2 1 + 1 + z Tm 1 + Tm
(3.34)
Considerando las superficies laterales adiabticas, el mximo rendimiento es independiente de las funciones e(x) y a(x), siendo una funcin del total E. La conclusin principal obtenida en esta seccin es que el rendimiento mximo puede ser obtenido con cualquier geometra, la esbeltez de la cual se obtiene segn (3.33). Est claro que cada geometra tendr un volumen diferente. En la siguiente seccin se demostrar que el volumen mnimo correspondiente a a(x) es constante.
96
La relacin entre el valor E que optimiza la potencia de refrigeracin y su correspondiente rendimiento es independiente de la corriente elctrica, slo es funcin de las propiedades termoelctricas y de la temperatura en los extremos del pellet.
Eopt E
2 z T T 1 + 1 + z T0 + 2
(3.35)
3.4.3. ANLISIS DE LA GEOMETRA DEL PELLET.

Como lo que interesa es toda la placa termoelctrica, es necesario trabajar con la idea de optimizar la geometra del pellet teniendo en cuenta la interaccin entre los pellets y el resto de elementos que componen el mdulo termoelctrico. Por esta razn, es necesario considerar otros elementos referentes a la geometra del pellet que pueden influenciar, ya sea de manera directa o indirecta, en los valores de rendimiento y en la potencia trmica intercambiada entre las caras del mdulo. En consecuencia los factores a considerar, son:
Volumen del pellet. Su valor debe ser reducido, teniendo en cuenta la singularidad de los materiales utilizados, y lo complejo que resulta obtenerlos. Superficies de contacto entre los puentes elctricos. El efecto Peltier se produce en la superficie. El valor del rea influye en la temperatura y como consecuencia en la potencia trmica generada o absorbida por el efecto Peltier. Por lo tanto se generar una potencia trmica adicional generada en los puentes elctricos debido al efecto Joule, y que puede variar segn el diseo del pellet.
La resistencia mecnica de la estructura del pellet. No todas las configuraciones ni formas de los pellets son vlidas desde el punto de vista de obtener un mdulo termoelctrico robusto que soporte grandes esfuerzos mecnicos.
Coste y facilidad de fabricacin. Este coste puede verse afectado por la geometra, aunque depender del tamao de las series fabricadas. La distancia entre la fuente de calor y el disipador de calor. Esta distancia influye en el intercambio trmico a travs del material que asla el espacio libre entre los pellets. Temperatura mxima en el interior del pellet. Esta temperatura puede ser superior a la temperatura en sus extremos, pudiendo ser positiva o negativa, dependiendo del comportamiento de las propiedades del material (conductividad trmica y resistividad elctrica ) con la temperatura. Si d/dT<0 o d/dT<0,
97
un incremento en la temperatura mejorar las caractersticas termoelctricas del pellet, y como consecuencia, para una E fija, tendremos una corriente elctrica superior a: I opt =
1 2 T E
& que puede mantener e incluso mejorar el valor de Qcmax . El efecto contrario
puede producirse si d/dT<0 o d/dT<0.
3.4.3.1. Geometra con volumen mnimo.

Como el volumen infinitesimal viene definido por dv=a(x)dx, el volumen total del pellet sera:
V = a ( x ) dx
0 L
Utilizando el criterio establecido en la seccin anterior, la esbeltez total E y la longitud del pellet L son fijadas para reducir en lo posible la potencia trmica transferida desde la cara caliente a la fra a travs del material que rodea a los pellets. No obstante, las dos condiciones mencionadas pueden ser satisfechas por cualquier funcin a(x), obteniendo volmenes infinitos para un pellet. Es por tanto de inters deducir la funcin a(x) que minimiza el volumen total, y es la funcin que define el rea genrica de un pellet (continua, derivable y existente en 0 < a ( x ) < en el intervalo 0 x L ), ver figura 3.13.
Figura 3.13. Funciones genricas a(x) y u(x).
98
. La longitud L del pellet, E y el volumen total pueden ser expresados como:

E = u ( x ) dx
0 L
(3.36) (3.37)
V = a ( x ) dx
0
donde u(x)=1/a(x) Si U es la media de los valores de u(x) en el intervalo 0 x L ,

U=
1 L E u ( x ) dx = 0 L L
y x0=M es el valor de la abscisa donde u(M)=U, la lnea recta x=M se cruza con la funcin a(x) en el punto (M, A) de tal manera que A=a(M)=1/u(M)=1/U. Entonces, es posible definir las ecuaciones:
q ( x ) = a ( x ) A p ( x) = u ( x) U
y el volumen total del pellet es:

V = A + q ( x ) dx = A L + q ( x ) dx 0 0
L L
(3.38)
L L 1 1 1 L p ( x) q ( x ) dx = a ( x ) A dx = dx = dx 0 0 u x U 0 u ( x) ( ) U
(3.39)
Sustituyendo ahora la ecuacin (30) en (29) V = a ( x ) dx = A L

0
L
1 L p ( x) dx U 0 u ( x )
(3.40)
La integral del trmino de la derecha de (3.40) puede ser expresada como:
L L U p ( x) U dx = 1 dx dx = L 0 0 u ( x) u ( x) u ( x)
(3.41)
y utilizando la desigualdad de Cauchy-Schwartz tenemos:
U dx L i llavors u ( x)
p ( x) dx 0 u ( x)
(3.42)
99
y sustituyendo (3.42) en (3.40), se obtiene la expresin para el volumen del pellet:

V = a ( x ) dx A L
0
L
(3.43)
De lo que se deduce que V=AL es el valor mnimo de volumen de cualquier pellet de longitud L y esbeltez E. El volumen mnimo corresponde a p(x)=0. En este caso, a(x)=A, que es un pellet con seccin transversal constante. La condicin para el volumen mnimo viene dada por los valores de L y E, que es un pellet prismtico con seccin transversal constante (a(x)=L/E=A). Esta suposicin permite demostrar que A A , observar figura 2, siendo A
A=
1 L a ( x ) dx L 0
y el valor de A es igual a A cuando a(x)=A.
3.4.3.2. Temperatura mxima en el interior del pellet.

La distribucin de la temperatura a lo largo del pellet viene dada por la ecuacin diferencial (3.22). Igualando a cero dT/dx, el valor de la funcin e(x) que maximiza la temperatura en el interior del pellet sera:
eTmax = E T + 2 E I2
(3.44)
y la mxima temperatura:
Tmax E T T I 2 = Tc + + + E 2 2 E I 2 E 2
(3.45)
Analizando la ecuacin (3.45), la temperatura mxima del pellet depende de:

La temperatura en los extremos del pellet, Tc y Th ; es decir T. La corriente elctrica, I. El valor de la esbeltez, E. Las propiedades termoelctricas del material, y .
Entonces, los pellets geomtricamente diferentes tendrn la misma temperatura mxima si el resto de caractersticas (Tc, Th, I, E, y ) tienen el mismo valor, aunque la funcin e=e(x) sea diferente. Recordemos que L y E son fijos. El punto del interior del
100
pellet dnde la temperatura es mxima tendr el mismo valor que eTmax para cualquier geometra, aunque la coordenada x sea diferente.
Aunque, esto no es del todo cierto; ya que la geometra a=a(x) afecta a la distribucin de temperaturas a travs del termoelemento, y como consecuencia a su funcionamiento, teniendo en cuenta que las propiedades termoelctricas varan con la temperatura.
3.4.4. ESTUDIO DETALLADO DE ALGUNAS GEOMETRAS.

Aunque algunas de las caractersticas de funcionamiento del pellet son independientes con la geometra a(x), dependen totalmente del valor de E. Es provechoso, y adems en nuestro caso necesario, analizar el comportamiento de algunas geometras especficas, que pueden mejorar los resultados obtenidos con los pellets de secciones transversales constantes, teniendo en cuenta otros factores. Vamos a estudiar geometras que mantienen el volumen cercano al valor mnimo pero incrementando las reas en los extremos con el mismo valor de seccin L y E. Vamos a considerar las cuatro geometras siguientes:

Seccin transversal constante: a ( x) = A Variacin lineal de la seccin transversal: a ( x ) = A + H ( M x ) 0 x M + A + G ( x M ) M x L Variacin cuadrtica de la seccin transversal:
a ( x) = A + H ( M x)
2 0 x M
+ A + G ( x M )
2 M x L
Variacin exponencial de la seccin transversal: C M x B x M a ( x) = A + H ( ) + A+G ( )

0 x M
M x L
Los parmetros A, G y H deben ser positivos, 0 M L , y con valores tales como E y L, teniendo el mismo valor en todos los casos. En todas las geometras estudiadas se considera una contraccin localizada a una cierta distancia (M) desde el origen, tal y como muestra la figura 3.14.
Figura 1.14. Esquema del pellet con seccin transversal no constante.
101
Es necesario resear que:

La temperatura en la cara fra Tc=273 K y la temperatura en la cara caliente Th=293 K, con T=20 K. La longitud del pellet es de L=1.5 mm y E=0.765 mm1. La media de las propiedades termoelctricas utilizadas es =182 V/K, =1.52 W/mK, y =0.0198 mm.
Los pellets analizados trabajaban con tres valores de corriente elctrica:

la corriente que optimiza la potencia de refrigeracin, viene dada por I1= IQc max = 3.176 A. la corriente que optimiza el rendimiento de refrigeracin, ser I2= Imax1.597 A. I3= 2 IQc max = 6.352 A.
Debido a todas estas suposiciones, las potencias trmicas y el rendimiento de refrigeracin tomarn los mismos valores, tal como se observa en la tabla 3.4. I1= 3.176 A 0.1683 -0.0287 -0.0337 0.0986 0.1726 -0.0345 0.0344 0.1863 -0.0294 0.0683 1.0987 I2=1.597 A 0.0763 -0.0345 -0.0072 0.0299 0.0875 -0.0345 0.0074 0.0517 -0.0340 0.0172 1.4593 I3=6.352 A 0.3465 -0.0344 -0.1372 0.1451 0.3764 -0.0345 0.1328 0.4976 -0.0340 0.2941 0.4571
QPx=0 [W] QFx=0 [W] QJx=0 [W] Qx=0 [W] QPx=L [W] QFx=L [W] QJx=L [W] Qx=L [W] QF [W] QJ [W]
Tabla 3.4. Potencias trmicas en los extremos del pellet.
3.4.4.1. Seccin transversal constante.

En este caso, tenemos que a(x)=ax=0=ax=L=A=cte, la funcin e viene dada por e=x/A, y el volumen V=Ax. Considerando el pellet completo (x=L), e=L/A=E y V=AL, y teniendo en cuenta los valores fijados, tendremos A=1.96mm2 y V=3.136mm3. Aplicando la ecuacin (14), la distribucin de temperaturas a lo largo del pellet viene dada por: 102
I 2 2 x x2 x T ( x ) = Tc + E 2 + T 2 L L L
(3.46)
La diferencia de temperatura a lo largo del pellet, considerando las tres corrientes mencionadas, evoluciona tal y como se muestra en la figura 3.15. Observar que para I*, la mxima temperatura en el interior del pellet (Tmax=Tc+31.6 K) es ms grande que la temperatura en la cara caliente (Th=Tc+20 K).
35
30
25 Diferencia de temperatura [C]
20
15
10
I1 I2 I3
0.16
0.32
0.48
0.64 0.8 0.96 Distancia a lo largo del pel [mm]
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.15. Diferencia de temperaturas a lo largo del pellet (ThTc) para diferentes valores de corriente (Tc=273 K, seccin transversal constante).
3.4.4.2. Variacin lineal de la seccin transversal.

Esta geometra se modela segn.
a ( x ) = A + H ( M x ) 0 x M + A + G ( x M ) M x L
El inverso del factor geomtrico es:
(3.47)
E=
1 1 ln ( H M + A ) ln A + ln ( G ( L M ) + A ) ln A G H
(3.48)
103
Las secciones en los extremos de los pellets:

A0 = H M + A AL = A + G ( L M )
(3.49)
con los siguientes valores lmite:
A0 min = A para M = 0; AL
min
A0 max = A + H L para M = L; AL
max
= A para M = L;
= A + G L para M = 0;
El volumen del pellet viene dado por: 1 G 2 V = H M 2 + A L + ( L M ) 2 2 con los lmites siguientes:
(3.50)
Vmin = A L + L2 Vmax = A L +
H G2 + G H 2
2( H + G)
2
para M = L
G G+H
H L2 G L2 Vmax = A L + para M = L M = 0, 2 2
si H o G es mayor, respectivamente. Si H=G:
Vmin = A L + Vmax
G L2 L para M = y 4 2 2 GL = A L + en los dos extremos para M = 0 y M = L 2
Con estas relaciones geomtricas, la variacin de la seccin transversal del pellet para diferentes posiciones de contraccin (0<M<1.6 mm) cogiendo H=G=1 se muestra en la figura 3.16.
104
3 M=0 G=1 H/G=1 M=0.32 G=1 H/G=1 M=0.64 G=1 H/G=1 M=0.8 G=1 H/G=1 M=0.96 G=1 H/G=1 M=1.28 G=1 H/G=1 M=1.6 G=1 H/G=1
2.8
2.6
2.4
Seccin [mm2]
2.2
1.8
1.6
1.4
0.16
0.32
0.48
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.16. Seccin transversal del pellet cuando G=H=1 para diferentes posiciones de contraccin (variacin lineal).
3.32
3.3
3.28
3.26 Volumen [mm3]
3.24
3.22 Volumen (H/G=1)
3.2
3.18
3.16
0.16
0.32
0.48
0.64
0.8 Parmetro M [mm]
0.96
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.17. Volumen del pellet (variacin lineal).
105
En las siguientes figuras (de fig.7 a fig.9) se muestran las distribuciones de temperatura para las diferentes corrientes elctricas.
20
18
16
12
10
M=0 G=1 H/G=1 M=0.32 G=1 H/G=1 M=0.64 G=1 H/G=1 M=0.8 G=1 H/G=1 M=0.96 G=1 H/G=1 M=1.28 G=1 H/G=1 M=1.6 G=1 H/G=1
0.16
0.32
0.48
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.18. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, G=H=1, I Qc ) &
max
20
18
16
12
10
6 M/L=0 G=1 H/G=1 M/L=0.32 G=1 H/G=1 M/L=0.64 G=1 H/G=1 M/L=0.8 G=1 H/G=1 M/L=0.96 G=1 H/G=1 M/L=1.28 G=1 H/G=1 M/L=1.6 G=1 H/G=1 0 0.16 0.32 0.48 0.64 0.8 0.96 Distancia a lo largo del pel [mm] 1.12 1.28 1.44 1.6
Figura 3.19. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, G=H=1, I max )
106
35
30
20
15
10
M/L=0 G=1 H/G=1 M/L=0.32 G=1 H/G=1 M/L=0.64 G=1 H/G=1 M/L=0.8 G=1 H/G=1 M/L=0.96 G=1 H/G=1 M/L=1.28 G=1 H/G=1 M/L=1.6 G=1 H/G=1 0 0.16 0.32 0.48 0.64 0.8 0.96 Distancia a lo largo del pel [mm] 1.12 1.28 1.44 1.6
Figura 3.20. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, G=H=1, I*)
3.4.4.3. Variacin cuadrtica de la seccin transversal.

Considerando la variacin cuadrtica de la seccin transversal, la geometra se puede modelar mediante la siguiente ecuacin:
a ( x) = A + H ( M x)
2 0 x M
+ A + G ( x M )
2
M x L
(3.51)
Utilizando el mismo procedimiento que en la seccin anterior se obtienen los siguientes valores: 1 1 2 2 H M G (L M ) arctan arctan 1 1 A2 A2 + E= (3.52) 1 1 1 1 2 2 2 2 H A H A
A0 = H M 2 + A
AL = A + G ( L M )
(3.53)
107
min
A0 max = A + H L2 para M = L AL
max
= A para M = L;
= A + G L2 para M = 0
Tendremos una expresin del volumen: 1 G 3 V = H M 3 + A L + (L M ) 3 3 con,

H G GH
(3.54)
Vmin = A L + L3 Vmax = A L +
G H GH
3
3 (G H )
, para M = L
G GH GH
H L3 G L3 Vmax = A L + , para M = L y M = 0 3 3
si H G es ms grande, respectivamente. Si H=G:
G L3 L Vmin = A L + , para M = 12 2 3 GL Vmax = A L + en ambos extremos para M = 0 y M = L 3
3.4.4.4. Variacin exponencial de la seccin transversal.

En este caso, la geometra estudiada se modela mediante la siguiente ecuacin:
a ( x) = A + H
C ( M x )
0 x M
+ A+G
B( x M ) M x L
(3.55)
E=
1 1 B L M (1 H CM ) + 1 G ( ) A C ln H A B ln G
AL = A G B( L M )
(3.56)
A0 = A H C M
min
A0 max = A H CL para M = L AL
max
= A para M = L;
= A G BL para M = 0
V=
1 A B L M ( H CM 1) + G ( ) 1 C ln H B ln G 108
L ln G H C BC + B ln G CBC L lnln G 1 A B ln G ln H ln H + B H 1 + G 1 para M = L Vmin = C ln H C ln H + B ln G B ln G A A ( H CL 1) Vmax = ( G BL 1) para M = L M = 0 Vmax = C ln H B ln G
si H o G es ms grande, respectivamente. Si H=G:

Vmin = Vmax 2 A BL L G 2 1 para M = B ln G 2 A = ( G BL 1) en ambos extremos M = 0 y M = L B ln G
En este caso B=C=1, y G y H tienen el valor del nmero e = 2.718... Representando la variacin de la seccin de forma exponencial y cuadrtica se obtienen grficos similares a los de las figuras 5-9.
3.4.4.5. Anlisis comparativo de las diferentes geometras.

Los resultados de comparar las caractersticas ms importantes de las diferentes geometras se muestran en la figura 3.21, donde con L = 1.5mm E = 0.765mm1 Se contemplan las geometras: Constante Lineal (H = G = 1,M/L = 0.5) Cuadrtica (H = G = 1,M/L = 0.5) Exponencial (B = C = 1, G = H = 2.718)
109
4 Constante Lineal Cuadrtica Exponencial
3.9
3.8
3.7
Volumen [mm 3 ]
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
0.16
0.32
0.48
0.64
0.8 0.96 Parmetro M [mm]
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.21. Variacin del volumen del pellet respecto a M para diferentes geometras.
2.8
2.6
2.4
Seccin [mm 2]
2.2
1.8
1.6
1.4
0.16
0.32
0.48
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.22 Variacin de la seccin del pellet para diferentes geometras. 110
20
18
16
10
0.16
0.32
0.48
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.23. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, I Qc ) &
max
20
18
16
12
10
0.16
0.32
0.48
1.12
1.28
1.44
1.6
Figura 3.24. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, I max ) 111
35
30
25 Deferencia de temperatura [C]
20
15
10
Constante Lineal Cuadrtica Exponencial 0 0.16 0.32 0.48 0.64 0.8 0.96 Distancia a lo largo del pel [mm] 1.12 1.28 1.44 1.6
Figura 3.25. Diferencia de temperatura (Th Tc). (Variacin lineal, Tc = 273 K, I*)
3.4.4.6. Conclusiones del anlisis comparativo de las diferentes geometras.

De todos estos resultados, se puede concluir que:
o El volumen total del pellet se incrementa en un 1.26 %, 0.80 % y 5.37 %, respecto a la seccin transversal constante o Las secciones en los extremos de los pellets incrementan su valor en un 21.63 %, 22.43 % y 53.12 % respecto a la seccin transversal constante. o La diferencia de temperaturas llega al mximo incremento del 1.53 %, y del 2.87 %, 2.02 % y 5.69 % 1.04 % y 3.02 % cuando se aplica I Qc &
max
para I
max
o En todos los casos, la potencia trmica intercambiada y el rendimiento a la hora de refrigerar tienen el mismo valor.
112
o Del estudio se deducen las enormes posibilidades que tiene utilizar geometras diferentes a la seccin transversal constante. Por ejemplo, el uso de la seccin exponencial permite tener un 52. % ms de rea en los extremos del pellet usando nada ms un 5.12 % ms de material termoelctrico que con una seccin transversal constante. Este incremento de rea en los extremos del pellet puede favorecer la transmisin de calor en las lminas cermicas.
Tanto la corriente elctrica como la trmica han sido consideradas unidimensionales, con slo la componente x en el interior del termoelemento. Esto slo es exacto cuando la seccin es constante. En el resto de geometras, donde da(x)/dx 0, existen las componentes y y z de la densidad elctrica, y la corriente trmica puede variar con los resultados obtenidos. Al mismo tiempo, la existencia de puentes elctricos en los extremos del pellet producir en algunas secciones, y en particular en las ms cercanas a los extremos, modificaciones en la distribucin de la corriente elctrica y de la temperatura. Estas variaciones modificarn el factor E en la geometra del pellet, influenciando, en consecuencia, los valores de intercambio de potencia trmica y los rendimientos asociados. Para solucionar las restricciones mencionadas ms arriba, sera necesario utilizar modelos tridimensionales, aunque de hecho, se considera suficiente considerar dos dimensiones dadas las propiedades de los pellet de los mdulos termoelctricos.
3.5. INFLUENCIA DE LA DIFERENCIA DE LAS PROPIEDADES EN LOS PELLETS DE UN MDULO TERMOELCTRICO.

Considerada la importancia de la geometra de los pellet, tambin es necesario considerar la influencia de las propiedades de los materiales constituyentes de los diferentes pellet que constituyen la estructura del mdulo termoelctrico.
3.5.1. ANLISIS DEL FUNCIONAMIENTO DEL MDULO CON DIFERENTES PELLETS.

Es posible representar el balance de temperaturas para cada pellet como:
iT0i I I 2 Ri ki Ti = Qi
1 2
(3.57)
113
Donde:
i, es el nmero de pellet N, es el nmero total de pellet considerados i, el coeficiente de Seebeck Ri, la resistencia elctrica ki, la conductancia trmica Qi, la potencia calorfica absorbida I, la corriente elctrica Ti, la diferencia de temperaturas.
Qi puede tener signo positivo o negativo, segn si genera o absorbe calor, Qi tiene dos partes: Qi = Qexi + Qini, donde a su vez, Qexi es el calor que proviene de fuentes externas y Qini la carga calorfica de todos los pellets. Si se suman todas las ecuaciones generadas por (3.57) se obtiene:
T
i =1 i
N N 1 N I I 2 Ri ki Ti = Qini 0i 2 i =1 i =1 i =1
(3.58)
Todas las fuentes de calor internas se tienen en cuenta en la parte izquierda de (3.58), por lo tanto 1 2
Q
i =1
ini
= 0 . Si suponemos los pellets iguales podemos decir:
T0 I I 2 R k T = 0
(3.59)
donde =
, R= y k = son la media de los tres parmetros. De esta N N N manera, la ecuacin que describe el funcionamiento del mdulo termoelctrico es la misma que para un solo pellet, pero cambiando los valores correspondientes al pellet i 1 por su valor medio. Es necesario prestar atencin al valor de la conductancia . R Se tiene que i = + i , por lo tanto:
i =1 i =1 i =1 N i 2 1 2 R = 1 + i =1 N
(3.60)
114
siempre que R siempre Z R Z .
. Por tanto hay dos figuras de mrito: Z R =
2
Rk
y Z =
2
k
, y
Si consideramos que la diferencia entre las propiedades de los pellets influencia el funcionamiento del mdulo termoelctrico. Primero estudiaremos el caso en que los parmetros geomtricos son iguales pero los termoelctricos son diferentes. Tendremos los siguientes parmetros: 1, 1, k1 y 2, 2, k2. Adems en este caso: = 1 resistividad 0 =
1 + 2
2
, 0 =
01 + 02
2
, k0 =
k01 + k02 2
y la
s l s . Entonces k = k0 , R = 0 y = 0 , donde l es la 2 l s l longitud del pellet y s su seccin
01 02
Figura 3.26 Dependencia del coeficiente de Seebeck y la conductividad trmica con la conductividad elctrica.
En la figura se muestra la dependencia de k0(0) y (0). Como k0 tiene dependencia lineal respecto a 0, tenemos que k0 = k0 ( 0 ) . La dependencia de (0)
115
hace que > ( 0 ) y que Z =
2 0
k0
> Z 0 =
2 ( 0 ) 0 . De ah se llega a la k 0 ( 0 )
conclusin de que la figura de mrito Z , para el caso de pellets con propiedades diferentes, es ms grande que la figura de mrito de material termoelctrico con 0 . No obstante el rendimiento estar definido por Z R .
3.5.1.1. Influencia de la regin de dopado en los pellets.
Es sabido que la resistencia de contacto disminuye la figura de mrito de un refrigerador termoelctrico. Esto es cierto si la resistencia de contacto est entre un semiconductor y un metal. Pero probablemente la resistencia de contacto aparece como resultado de dopar un semiconductor cerca de un contacto. En la figura 3.27 se representa un modelo de resistencia de contacto ms real, donde existe una variacin de los parmetros termoelctricos si nos encontramos en la zona central del pellet o en sus extremos.
Figura 3.27 Distinta concentracin de dopado en las diferentes zonas en un pellet.
El sistema de ecuaciones es el siguiente:
1 IT0 I 2 R1 k1T1 = 0 1 IT1 + I 2 R1 k1T1 = 2 IT1 I 2 R2 k2 T2 2 IT2 + I 2 R2 k2 T2 = 1 IT2 I 2 R1 k1T3

R1 = l
, R2 = 1 2 1 2 1 2 1 2
1 2
(3.61)
(3.62)
(3.63)
1s
s s , k1 = 1 , k2 = 2 l l 2s
116
(3.64)
donde s es la seccin del pellet. T1, T2 y T3 se pueden calcular del sistema de ecuaciones anterior. El incremento total de temperatura en un pellet ser T = T1 + T2 + T3 . Tambin obtendremos la siguiente figura de mrito:
1+ 2 Z eff = Z 2
1 2l 21 L
2
2 1 2 2l 2l 2l 1 1 + 2 1 + 2 + Z1T0 1L 1 L 1L
(3.65)
Donde tendremos Zeff < Z2 si 1/L<<1 y usamos los parmetros termoelctricos mencionados en la figura 3.29. Para disminuir la resistencia de contacto se puede introducir una capa antidifusin, tal como muestra la figura 3.28
Figura 3.28. Distribucin de las zonas de dopado en el pellet con capa antidifusin en un extremo.
En este caso tendremos:

1 2l 1 + 21 L
2
Z eff = Z 2
2 2 2 1 2 l l 1 1 + 2 2 + 2 2 2 Z1T0 1 L 11 L 1L
(3.66)
117
De la ecuacin (3.66) podemos deducir que si 1 > 2 y la capa dopada esta cerca de la cara caliente tendremos Zeff > Z2.
3.5.1.2. Conclusiones de la influencia de las propiedades de los pellets.

Los resultados anteriores son vlidos para un pellet infinitamente grande, no para uno real. Si la conductancia trmica de las uniones es finita entonces tendremos que Ti y T0i son diferentes y no se cumple la ecuacin (3.59). Los diferentes puntos de las uniones tendrn temperaturas diferentes. El anlisis matemtico de cada caso es muy complejo y los resultados no justifican el esfuerzo realizado. Pero existe un mtodo que minimiza los efectos no deseados. Para ello es necesario disminuir el flujo trmico que va de un pellet a otro. En este caso, la distribucin estadstica dentro del pellet no sera correcta. La mejor opcin sera distribuir los pellets de tal manera que uno de un tipo tuviera el mayor nmero de vecinos del otro tipo (tipos n y p). En este caso disminuiran las prdidas por calor a lo largo de la unin. Adems hay que tener en cuenta que disponer de este tipo de pellet no es fcil debido a la dificultad de dopar contactos muy cercanos entre s.
3.6. LA CONDUCCIN DE CALOR.

Los problemas de conduccin transitoria que se estudian en este apartado se limitan a configuraciones especiales como son la placa, el paraleleppedo y el cilindro, con diversas situaciones de contorno. Estas formas se han escogido por ser las utilizadas en los pellet especiales usados en el presente trabajo de investigacin y para asegurarnos de que la temperatura del slido depende slo de una coordenada espacial y del tiempo. En ciertas aplicaciones el hecho de despreciar el efecto de borde (que es a lo que equivalen las simplificaciones anteriores de conduccin unidimensional), puede afectar a los resultados, por lo que en muchos casos prcticos no puede hacerse una simplificacin de este tipo y habr que considerar la conduccin transitoria en funcin de ms de una dimensin espacial. Bajo ciertas condiciones, la solucin de los problemas de conduccin transitoria en dos o tres dimensiones puede obtenerse por superposicin de las soluciones de problemas unidimensionales; aplicando este mtodo de superposicin al problema de conduccin transitoria en una barra larga rectangular, cuya seccin transversal tiene por dimensiones, A en la direccin del eje X, B en la del eje Y, y ser indefinida en la direccin de las Z, la conduccin tendr slo lugar en las direcciones de los ejes X e Y y, por lo que se ha reducido el problema a un caso bidimensional y transitorio por ser las temperaturas variables con el tiempo. Si se calienta la barra de forma que inicialmente la distribucin de temperaturas es, T = f(x,y), y en el instante, t = 0, la barra entra en contacto con un fluido convector, o con un foco trmico, a una temperatura, T F = 0, (o a cualquier otra, constante), con un 118
coeficiente de conveccin h c constante en todas las superficies, la ecuacin diferencial a resolver es: 2 T 2 T 1 T + = x 2 y 2 t con las condiciones de contorno: Para t = 0; T = f(x,y) en x = 0 y en x = A; Para t>0; en y = 0 y en y = B; h T T = c k y (3.69)
h T T = c k x
(3.67)
(3.68)
se toma signo positivo en x = 0 e y = 0 y signo negativo en x = A e y = B Si la funcin de distribucin de temperatura inicial, T = f(x,y), es tal que se puede descomponer en forma de producto de otras dos funciones, cada una de las cuales slo depende de una de las variables espaciales independientes, la condicin inicial puede sustituirse por: Para t = 0; T = f (x,y) = f1 (x) * f2 (y) y si esto es posible, la solucin de la ecuacin: 2 T 2 T 1 T = + x 2 y 2 t con las condiciones indicadas, se puede expresar como el producto de dos soluciones transitorias unidimensionales. Si representamos la solucin que se busca, T(x,y,t), por el producto:
T = Tx (x,t) * Ty (y,t) siendo Tx (x,t) funcin de x y del tiempo t, y Ty (y,t) funcin de y y de t. Al sustituir la ecuacin, T = Tx (x,t) * Ty (y,t), en la ecuacin diferencial de partida se obtiene: Ty 2 Tx 2 Ty 1 Tx Ty Ty = + Tx + Tx t t x 2 y 2 119 (3.70)
1 Tx 2 Tx Ty t x 2
1 Ty 2 Ty + Tx t y 2
=0
y las condiciones de contorno e inicial, se transforman en: Para, t = 0 ; T = T x * T y = f 1 (x) * f 2 (y)
en x = 0 y en x = A ; Ty Para t > 0 en y = 0 y en y = B ; Tx
h c Tx Ty Tx = k x
Ty y =
h c Tx Ty k
(3.71)
(3.72)
El examen de las ecuaciones anteriores pone de manifiesto que se satisfacen, si T x (x,t) y T y (y,t), son las soluciones de los dos problemas unidimensionales siguientes: 2 Tx 1 Tx = t x 2 Para t = 0; T x = f 1 (x)
Tx h c Tx = k x
h T Tx = c x k x
(3.73)
en x = 0; Para t > 0 en x = A;
(3.74)
(3.75)
2 Ty y 2
1 Ty t
(3.76)
Para, t = 0 ; T y = f 2 (y) en y = 0; Para t > 0 en y = B;

Ty y Ty y =
h c Ty k h c Ty k
(3.77)
(3.78)
120
Se observa que la solucin del problema de conduccin transitoria bidimensional se puede obtener como el producto de las soluciones de dos problemas unidimensionales, ms sencillos, de las ecuaciones anteriores, siempre que la distribucin inicial de la temperatura sea susceptible de expresarse en forma del producto: Para t = 0; T = f(x,y) = f 1 (x) * f 2 (y) Estas ecuaciones para placa plana finita son idnticas a las que regulan la conduccin transitoria de calor en la placa plana infinita. Por tanto, la solucin al problema de conduccin transitoria del calor en la barra rectangular se obtiene como el producto de las soluciones para dos placas infinitas cuya interseccin forma la barra en cuestin. En el caso de la barra rectangular calentada inicialmente a una temperatura uniforme, se pueden utilizar directamente tanto las soluciones analticas, como los resultados grficos de Heysler para placa plana, que se encuentre inicialmente a una temperatura uniforme. Los nmeros de Biot y de Fourier para cada una de las dos placas que forman la barra sern distintos, a menos que dicha barra sea de seccin transversal cuadrada. El principio de superposicin por producto que se acaba de exponer en la conduccin transitoria bidimensional en una barra rectangular se puede hacer extensivo a otros tipos de configuraciones. As, para un paraleleppedo de dimensiones finitas la solucin se puede obtener como el producto de las soluciones de tres placas infinitas, y para el cilindro circular como el producto de las soluciones para una placa infinita y para un cilindro circular de longitud infinita. Este principio de superposicin es slo aplicable a aquellos casos en los que la distribucin de temperatura inicial se pueda descomponer en producto de varias funciones, cada una de las cuales slo depende de una de las variables espaciales independientes. Los ejemplos que hemos abordado pueden aplicarse tanto a procesos con condicin de contorno isotrmica, como de conveccin. El empleo de grficos para determinar las soluciones de problemas en rgimen transitorio monodimensional, se puede ampliar a casos bidimensionales y tridimensionales; el mtodo consiste en la utilizacin de datos obtenidos para casos monodimensionales y combinarlos adecuadamente en forma de productos. Si, por ejemplo, se desea determinar la temperatura en el punto P del cilindro de longitud finita que se muestra en la Figura 3.29, dicho punto vendr localizado por dos coordenadas (x,r), siendo x una coordenada axial medida desde el centro del cilindro y r su posicin radial. La condicin inicial y las condiciones de contorno son las mismas que se aplican en el caso de grficos monodimensionales correspondientes a procesos transitorios.
121
Figura 3.29. Cilindro de longitud finita.
El cilindro se puede suponer se encuentra inicialmente, t = 0, a una temperatura uniforme T 0 ; en ese instante, toda la superficie se pone en contacto con un fluido, que es el medio exterior, el cual se encuentra a una temperatura ambiental constante T F . El coeficiente de transferencia de calor por conveccin entre la superficie del cilindro y el fluido h c , se puede suponer de valor constante. Por tratarse de un cilindro de longitud finita, la distribucin de temperaturas en rgimen bidimensional se puede considerar como el producto de las soluciones unidimensionales correspondientes a un cilindro infinito y a una placa infinita, siempre que la distribucin inicial de temperaturas se pueda descomponer en dos factores, cada uno de los cuales depende de una sola coordenada espacial, es decir: T(r, x, t) TF p (r, x, t) = = C(r)P(x) = 0 0 T0 TF (3.78)
en la que los smbolos C(r) y P(x) son las temperaturas adimensionales que corresponden, respectivamente, al cilindro infinito y a la placa infinita: C(r) = (r, t) 0 ; P(x) = (x, t) 0 (3.79)
La solucin para C(r) se obtiene de los grficos de temperaturas correspondientes al cilindro, mientras que la solucin de P(x) se obtiene de los grficos de temperaturas correspondientes a la placa plana infinita. Mediante un procedimiento anlogo al citado para el cilindro finito, se pueden obtener soluciones para otras geometras bidimensionales o tridimensionales, como el paraleleppedo representado en la Figura 3.30, interseccin de tres placas infinitas.
122
Figura 3.30. Paraleleppedo finito

La transferencia de calor, entonces, se puede definir como el movimiento de energa debido a una diferencia de temperaturas. Se pueden deducir, para ir profundizando, tres tipos de conduccin de calor: -
Conduccin: es la transferencia de calor por difusin en un medio estacionario debido a un gradiente de temperatura. El medio puede ser slido o lquido. Conveccin: es la transferencia de calor entre una superficie caliente cualquiera y un fluido fro en movimiento o entre una superficie fra y un fluido caliente en movimiento. La conveccin sucede en los fluidos (lquidos y gases). Radiacin: es la transferencia de calor a travs de las ondas electromagnticas entre dos superficies (A y B) con diferentes temperaturas TA y TB, siempre que la superficie A sea visible para un infinitamente pequeo observador desde la superficie B.
El modelo matemtico para la transferencia de calor por conduccin es la ecuacin del calor, [52]:
Cp
T ( k T ) = Q t
(3.80)
donde T es la temperatura, es la densidad, Cp es el calor especfico, k es la conductividad trmica y Q es la fuente de calor. Si la conductividad trmica es anisotrpica, la k pasa a ser:
k xx k = k yx k zx
k xy k yy k zy
k xz k yz k zz
(3.81)
Para el modelo de conduccin y conveccin a travs de un fluido, la ecuacin del calor tambin incluye un trmino convectivo:
Cp
T + ( k T + C pTu ) = Q t
(3.82)
123
donde u es el campo velocidad. Este campo puede estar formado por una expresin matemtica de variables independientes. El vector flujo de calor est definido por la expresin entre parntesis de la ecuacin anterior. Para la transferencia de calor por conduccin y conveccin la expresin est definida como:
q = k T + C pTu
(3.83)
donde q es el vector flujo de calor. Si la transferencia de calor se hace slo por conveccin la expresin del flujo de calor queda de la siguiente manera:
q = k T
(3.84)
3.6.1. CONDUCCIN TRANSITORIA EN TRES DIMENSIONES.

Las siguientes expresiones son las propuestas en [87]: a) Paraleleppedo de costados a, b y c con temperatura inicial uniforme T0 y condicin de contorno de conveccin.
t =0 0 x a 0 y b = 0 = T0 T f 0 z c t >0 x= y= z =0 = = =0 x y z
t >0 = A x y=b = B y z=c = C z x=a
124
cos ( n x ) cos ( m y ) cos ( p z ) e t ( x, y , z , t ) ... = 8 A B C 2 2 2 2 0 n =1 m =1 p =1 a ( n + A ) + A b ( m + B ) + B ...

2
(3.85)
...
... c ( p 2 + C 2 ) + C cos ( n x ) cos (m y ) cos ( p z )
hCx n tan ( n a ) = k = A hCy = B y 2 = n 2 + m 2 + p 2 con n , m y p races de m tan (mb ) = k hCz p tan ( p c ) = k = C
b) Cilindro de radio R y altura h con temperatura inicial uniforme T0 y condicin de contorno de conveccin t=0 0 r R = 0 = T0 T f 0 z h t>0 r=R = A r =0 z =0 r = B z=h r ( r , z, t ) 4 A B J 0 ( n r ) cos ( m z ) e t = 0 R n =1 m =1 ( n 2 + A2 ) J 0 ( n R ) H ( m 2 + B 2 ) + B cos (m h )
2
AJ 0 ( n R ) = n J1 ( n R ) 2 2 2 con n y m races de y = n + m m tan (m h ) = B
(3.87)
125
3.6.2. SIMULACIN.
A continuacin se muestran los resultados de la simulacin hecha mediante el mtodo de elementos finitos y de contorno de manera computacional. Se ha creado un sistema formado por un cilindro y un paraleleppedo con superficies de contacto y alturas iguales y por tanto de volumen idntico, y se ha fijado la temperatura en la cara superior de ambos a 20 C. El ambiente en el que estn sumergidos los dos cuerpos es aire a 40 C. A partir de la simulacin se determinar la evolucin de la temperatura en los dos cuerpos en funcin del tiempo. Temperatura inicial del sistema: 20 C. Temperatura de la cara superior del cilindro y del paraleleppedo: T0 = 20 C. Ambiente: aire a 40 C. Tiempo total de simulacin: 10 segundos.
Figura 3.31. Simulacin a los 0 segundos.
126
Figura 3.32. Simulacin a los 2,5 segundos.
Figura 3.33. Simulacin a los 5 segundos.
127
Figura 3.34. Simulacin a los 7,5 segundos
Figura 3.35. Simulacin a los 10 segundos
128
A continuacin se muestra la evolucin temporal de la temperatura media en el cilindro y en el paraleleppedo al cabo de 30 segundos. Hay que destacar que en las mismas condiciones la diferencia de temperaturas media entre los dos cuerpos es prcticamente nula, con lo cual podemos decir que el comportamiento en lo que se refiere a transmisin de calor de ambas geometras se puede considerar igual.
22,5 22 21,5 21 20,5 20 0 5 10 15 Tiempo [s] 20 25 30
Temperatura [C
T cilindro T paraleleppedo
Figura 3.36. Evolucin de las temperaturas medias en funcin del tiempo. Observando la siguiente figura llegamos a la misma conclusin. En la imagen inferior se muestra la evolucin temporal de la temperatura en la cara inferior (la opuesta a T0) de ambos cuerpos.
23,5 23 Temperatura [C 22,5 22 21,5 21 20,5 20 0 5 10 15 Tiempo [s] 20 25 30 T cilindro T paraleleppedo
Figura 3.37. Evolucin de las temperaturas medias en la cara inferior en funcin del tiempo.
129
En las siguientes imgenes se muestra la influencia del calor que desprenden las figuras (crculos y cuadrados) en el entorno que les rodea.
Figura 3.38. Evolucin de la temperatura en los pellets y entorno.
Figura 3.39. Evolucin tridimensional de la temperatura en los pellets y en el medio que los rodea.
130
Se puede apreciar que independientemente de la forma, ya sea cuadrada o cilndrica, sta afecta prcticamente de la misma manera al entorno, alcanzando la misma temperatura en los dos casos, afectando menos de lo que en un principio poda parecer el efecto puntas en los paraleleppedos. Los resultados de la simulacin han sido adems refrendados por imgenes obtenidas con una cmara termogrfica en nuestro laboratorio con diferentes placas y experimentos.
3.7. CONCLUSIONES
En este captulo, como su nombre indica, se han trabajado dos aspectos: por un lado la influencia del modelo y por otro de la geometra y el material de los pellet del sistema termoelctrico, con las conclusiones parciales descritas anteriormente. La influencia del modelo es de inters por la motivacin de escoger y adoptar un tipo de modelo que sea til para las caracterizaciones que posteriormente se realizan en el presente trabajo de investigacin. El estudio de la influencia de la geometra y el material de los pellet del sistema termoelctrico es imprescindible para la caracterizacin y desarrollo de los sistemas termoelctricos desarrollados en los captulos 4, 5 y 6; donde se utilizan pellet de tamaos y formas no estndar. Y se pude concluir que ambos estudios han sido de utilidad en el desarrollo y caracterizacin de estas nuevas placas termoelctricas. Haciendo referencia a las conclusiones sobre la aplicacin de modelos, cabe resaltar que. Los modelos ms simples muestra marcadas diferencias en los resultados obtenidos en comparacin con otros dos tipos de modelos ms completos, como pueden ser los modelos en elementos finitos. Las diferencias llegan a ser muy significativas cuando T aumenta. Hay tambin diferencias entre modelos para determinados ratios de resistencia ptimos para mxima eficiencia. Las variaciones pueden ser mucho muy notables si las propiedades del material termoelctrico dependiente de la temperatura son altamente no lineales. En este caso, slo modelos que puedan contemplar estas no linealidades son suficientemente completos como para dar una solucin realmente ptima. El modelo M1, analizado en este captulo, permite introducir aspectos como: la radiacin, la conveccin y las prdidas de calor por conduccin pasiva.
131
Estos clculos de las prdidas seran fcilmente incluidos en una base elemento a elemento, cosa que no sera tan fcil con otros modelos. Este modelo M1 da la mxima precisin; puede hacer que el modelado complejo sea fcil, y puede calcular situaciones reales con un valor ptimo real. El anlisis de elementos finitos debe ser usado cuando se requiera la optimizacin crtica para determinar con precisin la naturaleza de los efectos termoelctricos en materiales, las propiedades de los cuales son altamente dependientes de la temperatura. Los esquemas promediados, por su verdadera naturaleza, pierden informacin de modelado, siendo entonces poco precisos.
Por lo que se refiere al estudio de la geometra y propiedades de los pellet, cabe destacar:
o Las enormes posibilidades que tiene utilizar geometras diferentes a la seccin transversal constante. Por ejemplo, el uso de la seccin exponencial permite tener un 52. % ms de rea en los extremos del pellet usando nada ms un 5.12 % ms de material termoelctrico que con una seccin transversal constante. Este incremento de rea en los extremos del pellet puede favorecer la transmisin de calor en las lminas cermicas. o El valor de la eficacia mxima es independiente de la forma de la seccin transversal y su variacin depende nica y exclusivamente de la esbeltez total del termoelemento, de las temperaturas y de las propiedades de los materiales, considerando stas constantes. o El volumen mnimo para eficacia mxima se obtiene con termoelementos de seccin transversal constante. o La existencia de puentes elctricos en los extremos del pellet producir en algunas secciones, y en particular en las ms cercanas a los extremos, modificaciones en la distribucin de la corriente elctrica y de la temperatura. Estas variaciones modificarn el factor E en la geometra del pellet, influenciando, en consecuencia, los valores de intercambio de potencia trmica y los rendimientos asociados. o En el estudio y simulacin de la distribucin del calor se demuestra y observa la similitud del comportamiento de los pellets en forma de cilindro y paraleleppedo si las superficies de contacto y altura (por lo tanto volumen) son iguales.
132
Captulo 4. Desarrollo y caracterizacin de estructuras termoelctricas en el rango de 270 a 450K con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y
CAPTULO 4 DESARROLLO Y CARACTERIZACIN DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 270 A 450K CON MATERIALES BASADOS EN (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y
4.1. GENERALIDADES.
En este apartado se desarrollan, caracterizan y testean nuevas estructuras termoelctricas con materiales generados en el seno de nuestro grupo de investigacin europeo. Estos materiales son compuestos del tipo (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y. Estos compuestos muestran buenas propiedades termoelctricas en general, como materiales tipo n y tipo p en un rango de temperaturas entre los 270 y 450K, y han sido obtenidos mediante tcnicas de cristalizacin de Bridgeman [88]. Una vez obtenidos y caracterizados estos materiales, en el presente trabajo de investigacin se trata de desarrollar, caracterizar y testear placas termoelctricas con pellets construidos a base de estos materiales generados; para testear el comportamiento de los mismos como constituyentes de los pellets en estructuras termoelctricas y su aplicacin al uso comercial.
4.2 PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LOS MATERIALES CONSIDERADOS.

Se trata de desarrollar, caracterizar y testear placas termoelctricas con pellet construidos a base de materiales generados y caracterizados en el seno del grupo de investigacin. Los material que se van a utilizar son:
Mp1: Material tipo p (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 1 de (SbI3 , Te). Mp2: Material tipo p (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 2 de (SbI3 , Te). Mn: Material tipo n (Bi2Te3)0,8(Sb2Te3)0,1(Sb2Se3)0,1 con dopado de (SbI3).
Con ellos se pueden formar dos tipos de clulas; unas con pares Mp1 y Mn; y otra con pares Mp2 y Mn.
133
4.2.1. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DEL MATERIAL

Mp1.
Es de mucho inters y por tanto tratado por diversos autores [90][91][92], la medida de las propiedades termoelctricas de los materiales termoelctricos. Tambin en nuestro caso es imprescindible empezar por la determinacin de dichas propiedades antes de desarrollar y caracterizar mdulos termoelctricos con dichos materiales. Las propiedades termoelctricas del material tipo p, constituido por (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03, son las siguientes:
220 200 S ( V /K) 180 160 140 120 300
400 T (K)
500
600
Figura 4.1. Medidas de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 600 K.
1900 1700 1500 (S /c m ) 1300 1100 900 700 500 300 400 T (K) 500 600
Figura 4.2. Medidas de la evolucin de la conductividad elctrica en el rango de temperaturas de 300 a 600 K. 134
30 25 K 1 0 3 (W / c m K ) 20 15 10 5 300
400 T (K)
500
600
Figura 4.3. Medidas de la evolucin de k en el rango de temperaturas de 300 a 600 K. En esta figura 4.3, se observa como la conductividad trmica de la red en ese rango (lnea con puntos) es aproximadamente constante indicando la poca dependencia con la temperatura, que es una indicacin de que el fenmeno de difusin (scattering) [93] es predominante a esas temperaturas; mientras que la conductividad trmica total (lnea continua) aumenta con la disminucin de la temperatura en el rango entre 300 y 400K. Por lo que se refiere a la figura de mrito Z, observamos en la figura 4.4 que toma su valor mayor a una temperatura de 375 K siendo igual a Z=2,610-3 K-1.
3,5 3 2,5 Z 1 0 3 (K -1 ) 2 1,5 1 0,5 0 300 400 T (K) 500 600
Figura 4.4. Medidas de la evolucin de Z en el rango de temperaturas de 300 a 600 K. 135
Respecto a este material Mp1, los resultados generales de dichas propiedades termoelctricas a temperatura ambiente (300 K) son los que se exponen en la siguiente tabla: Tipo de conductividad 1 2 3 p p n S (V/K) 160 182 -176 (S/cm) 1900 1290 1710 Tabla 4.1. Esta muestra Mp1 tiene mayor concentracin de portadores comparada con la muestra Mp2 y consecuentemente, tendr una mayor conductividad elctrica y trmica. Ambas muestras estn caracterizadas por una conductividad trmica del cristal ms baja que el Bi2Te3 [89]. ktot10-3 (W/cm K) 19.3 15.2 19.0 kph10-3 (W/cm K) 9.6 8.8 10.4 Z10-3 (1/K) 2.4 2.8 2.8
4.2.2. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DEL MATERIAL Mp2

Esta muestra Mp2 se caracteriza por tener buenas propiedades termoelctricas en temperaturas cercanas a 300K. Adems se observa que la conductividad trmica tiene una dbil dependencia con la temperatura; lo cual no es de extraar ya que es un hecho propio de los semiconductores dopados fuertemente. En las siguientes grficas se observa la dependencia del coeficiente de Seebeck y de la conductividad elctrica para la muestra Mp2.
220 200 S ( V /K) 180 160 140 120 300
350 T (K)
400
Figura 4.5. Medidas en Mp2 de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 400 K.
136
1500 1300 (S /cm ) 1100 900 700 500 300
350 T (K)
400
Figura 4.6. Medidas en Mp2 de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 400 K.
30 25 k10 (W/mK) 20 15 10 5 300
350 T (K)
400
Figura 4.7. Medidas en Mp2 de la evolucin de k en el rango de temperaturas de 300 a 400 K.
137
3,5 3 2,5 Z103 (K-1) 2 1,5 1 0,5 0 300 350 T (K) 400
Figura 4.8. Medidas en Mp2 de la evolucin de Z en el rango de temperaturas de 300 a 400 K.
4.2.3. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DEL MATERIAL Mn.

Los resultados de la muestra Mn, correspondientes al material tipo n, se dan en las grficas siguientes. Igual que en los casos anteriores se muestra la dependencia del coeficiente de Seebeck, la conductividad elctrica, la conductividad trmica y la figura de mrito en funcin de la temperatura.
220 200 S (V/K) 180 160 140 120 300
400 T (K)
500
600
Figura 4.9. Medidas en Mn de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 600 K.
138
2000 1600 (S/cm ) 1200 800 400 300
400 T (K)
500
600
Figura 4.10. Medidas en Mn de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 600 K.
35
K10 3 (W /cm K )
25
15
5 300
400 T (K)
500
600
Figura 4.11. Medidas en Mn de la evolucin de K en el rango de temperaturas de 300 a 600 K. En esta figura 4.11 se observa (tal como suceda en los materiales p) como la K de la red en ese rango (lnea con puntos) es aproximadamente constante indicando la poca dependencia con la temperatura, que es una indicacin de que el fenmeno de difusin (scattering) es predominante a esas temperaturas; mientras que la total (lnea continua) aumenta con la disminucin de la temperatura en el rango entre 300 y 600 K.
139
3,5 3 2,5 Z 103 (K -1 ) 2 1,5 1 0,5 0 300 400 T (K) 500 600
Figura 4.12. Medidas en Mn de la evolucin de Z en el rango de temperaturas de 300 a 600 K.
Cabe resaltar que las caractersticas de S=f(T), =f(T) , =f(T) y ph=f(T) en esta muestra Mn, son similares a las descritas para la muestra Mp1 correspondiente a un material tipo p. La figura de mrito mxima encontrada es de Z=3,110-3 K-1 a 350K. Es interesante observar una representacin de la figura de mrito de forma adimensional, es decir el producto ZT, y comparar los resultados con el material tipo p y el material tipo n considerados en este apartado,
1,2 1 0,8 ZT 0,6 0,4 0,2 0 300 400 500 T (K) 600 Mp1 Mn Tendencia de Mp1 Tendencia de Mn
Figura 4.13. Medidas en Mn de la evolucin de Z en el rango de temperaturas de 300 a 600 K.
140
El mximo valor en ambos casos se ha dado en temperaturas cercanas a 400K cuyos valores son ZT=1,05 y 0,95 para las muestras Mp1 y Mn respectivamente. Se observa que las mejores propiedades termoelctricas corresponden al material de tipo n de composicin (Bi2Te3)0,8(Sb2Te3)0,1(Sb2Se3)0,1 dopado con SbI3 , crecido con tcnicas de Bridgeman. Su resistividad elctrica () es de 1,110-3 cm. Se pudo caracterizar su factor de mrito (Z) a un valor de 3,210-3 K-1 a 300K. La conductividad trmica del cristal es ph=1010-3 W/cm K, que comparndola con el kph del Bi2Te3 es menor que en un 40%. Para los materiales de tipo p, el mximo valor de la figura de mrito medido es Z=3,310-3 K-1 a 300K para una resistividad elctrica de = 1,110-3 cm, y la conductividad trmica del cristal de ph=9,510-3 W/cm K. La baja conductividad trmica en el cristal y la baja dependencia de sta con la variacin de temperatura dentro del rango especificado son debidas en gran medida por la adicin de Sb2Se3 en el compuesto que evita una contribucin bipolar en la conductividad trmica.
4.3. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO LOS MATERIALES Mp1 Y Mn.
En este apartado se desarrolla una placa termoelctrica con clulas formadas por parejas de materiales p y n correspondientes a Mp1 y Mn. Para su desarrollo adoptamos un modelo de elementos finitos. Este tipo de modelos ya se ha estudiado en los captulos C2 (apartado 2.9) y se ha justificado su eficiencia en C3 (apartado 3.2) como suficientemente ptimo en el modelado de sistemas comerciales. De hecho el mtodo descrito en dicho captulo 2, durante la presente investigacin se ha aplicado a placas fabricadas por Melcor y TE Technology; as como a otras muestras que han sido fabricadas en China para nuestra investigacin y el mtodo se ha comportado con una buena aproximacin a la placa real.
4.3.1. MODELO.
As pues, constatado el buen comportamiento de los modelos en elementos finitos en los mdulos termoelctricos comerciales, aplicaremos a nuestro diseo uno de estos modelos. El modelo de elementos finitos que se va a utilizar para el diseo y simulacin es un modelo de tres dimensiones y viene perfectamente detallado en [54]. Se ha escogido este nuevo modelo en elementos finitos con una doble finalidad; por un lado confirmar el buen comportamiento descrito, y por otro el hecho de que el modelo fue pensado para simular no linealidades y el comportamiento de los materiales en 3 dimensiones y en consecuencia debe ajustarse bien a las placas reales una vez construidas, con lo cual se contribuye en esta investigacin a constatar la fiabilidad del modelo al tiempo que se caracterizan nuevas placas con estos nuevos 141
materiales, cumpliendo as un doble inters del grupo de investigacin. El modelo se basa en ecuaciones diferenciales de segundo orden de equilibrio, las cuales se simplifican (integrales de primer orden) y se discretizan para aplicarlas en la teora de elementos finitos, obteniendo as un sistema de ecuaciones no lineales, las cuales solucionamos con el mtodo Newton-Raphson, de la misma manera que en el modelo descrito y validado en el captulo 2 Del mismo modo que el modelo del captulo 2 permita sustituir las caractersticas intrnsecas en las ecuaciones (2.68) a (2.71), para luego generar la matriz de iteraciones; este modelo en 3D permite sustituir las caractersticas intrnsecas de los semiconductores (Mp1 y Mn) que se utilizan en la constitucin de las parejas p/n. Se deben considerar tambin, adems de las caractersticas termoelctricas de los semiconductores, las propiedades del resto de elementos constitutivos del sistema termoelctrico, como son: el cobre, la cermica y las soldaduras para aproximarnos a la realidad. Cobre: con las siguientes propiedades independientes de la temperatura:
cu = 0 7 1 cu = 5.8110 m k = 386w / m cu Oxido de aluminio Al 2 O3 para la cermica. Aislante elctrico e intercambiador de calor con las caras. Sus propiedades se consideran independientes de la temperatura:
c = 0 c = 0 k = 35.3w / m c
SnPb soldaduras para las juntas entre termoelementos, conductores de cobre y cermica, tambin con propiedades constantes: s = 0 1 s = 170000m k = 48w / m s
Se asume en la simulacin que todas las parejas de termoelementos del pellet se comportan del mismo modo. Este hecho depende principalmente de la distribucin de temperaturas entre ambas caras del pellet. Si la temperatura en las caras es constante, todas las parejas de termoelementos trabajaran en las mismas condiciones. En consecuencia, se considera suficiente incluir solo una pareja de termoelementos.
142
El modelo incluye ambos elementos (p y n), el conductor de cobre esta conectando los termoelementos a la cara fra, la mitad de estos conductores de cobre se conectan a la cara caliente con el siguiente par (igual que la cara fra), la porcin de cermica es la que cubre a nuestro par de termoelementos. En la figura 4.14 se muestra el resultado del enmallado del modelo. Ha sido dividido en 11920 elementos 3D. En la parte superior se considera la cara fra y en la parte inferior la cara caliente. La corriente elctrica entra en el modelo por la parte inferior izquierda del conductor de cobre y lo abandona por la parte inferior derecha. El termoelemento situado a la izquierda es de tipo n y el otro de tipo p.
Figura 4.14. Esquema del modelo 3D. Se ha determinado construir una placa de 49 de parejas thermo-couple , con pellet de los materiales Mp1 y Mn considerados. Estos pellets tienen un dimensionado de 3mm x 1,5mm x 1,5mm, tal como se observa en la figura:
Figura 4.15. Tamao pellet. 143
El dimensionado total del sistema termoelctrico, con la distribucin de los 49 pares; es decir con 98 pellet, es la de las figuras 4.16 y 4.17.
pellet tipo N
pellet tipo P
Figura 4.16. Dimensionado en mm de la parte inferior. (Vista desde la cara interna con las pistas de cobre sobre la cermica)
Figura 4.17. Dimensionado en mm de la parte superior.

(Vista desde la cara interna con las pistas de cobre sobre la cermica)
144
4.3.2. CONDICIONES DE CONTORNO.

Las condiciones de contorno se han establecido de este modo: El contorno entero se supone abierto y por lo tanto no trmicamente aislado excepto las caras cermicas (superior e inferior) que se consideran a una temperatura constante. Por lo tanto se ha supuesto que existe conveccin en los termoelementos. Se supone todo el contorno elctricamente aislado, excepto los extremos de los conductores de cobre donde entra y sale la corriente elctrica. La parte simtricamente plana (plano trasero en la figura 4.14) se ha mantenido aislada elctricamente y trmicamente como condicin de simetra.
Por tanto nuestro modelo admite 3 parmetros de entrada, los cuales son: corriente elctrica a travs del modulo y las temperaturas de la cara caliente y la cara fra. Para algn tipo de parmetros fijados, el modelo calcula el voltaje y la temperatura en algn punto del dominio y desde estos se pueden obtener tanto la corriente como el flujo de calor. Desde esta distribucin espacial podemos obtener importantes parmetros operativos del pellet: el voltaje aplicado a la pareja, el calor extrado de la cara fra y el calor disipado en la cara caliente. Este ltimo parmetro no es independiente de los dems, porque el calor disipado en la cara caliente debe ser igual al calor absorbido por la cara fra ms la potencia elctrica consumida. Sin embargo, el calor disipado en la cara caliente dado por el modelo, ser un modo de comprobar que todo funciona correctamente. Para relacionar las condiciones de funcionamiento del pellet con los parmetros de nuestro modelo tomaremos las siguientes consideraciones: PARAMETROS DE ENTRADA: Corriente elctrica. Todas la parejas termoelctricas estn conectadas en serie. Eso significa que el total de corriente elctrica consumida por la clula va a travs ellas. Nuestro modelo incluye slo la mitad de estas parejas a causa de su simetra, por tanto la corriente elctrica aplicada al modelo ser la mitad de la corriente total del pellet, siendo I = 0,5 Ipel.
145
PARAMETROS DE SALIDA: Voltaje. El voltaje total aplicado a la clula es la suma del voltaje de todas las parejas, con lo cual Vpel = 49 V. Flujo calorfico. El calor intercambiado entre clula y las caras es la suma del calor para cada pareja de la misma. Nuestro modelo intercambia solo la mitad del calor por pareja. Este se aplica para el intercambio de calor entre ambas caras, con lo cual Qpel = 98 Q.
Los resultados obtenidos en las simulaciones, indicando ya los parmetros de la clula total se describen detalladamente en los apartados siguientes.
4.3.3. ESTUDIO DE LA CLULA FUNCIONANDO EN MODO PELTIER.

4.3.3.1. Resultados de la simulacin.
Con 250 elementos de iteracin, se han obtenido los resultados siguientes, considerando la clula termoelctrica funcionando en modo Peltier. En dichas simulaciones nos aparece el comportamiento terico de la clula, que posteriormente deberemos comparar con las mediciones hechas sobre la clula construida. La evolucin terica de T= f (t) para diferentes valores de intensidad de entrada I (1A, 1.5A, 2A, 2.5A y 3A), al cabo de 100 segundos; es la de las siguientes figuras.
Mp1n (I=1 A) terico

35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s] T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.18. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 1 A. 146
Cabe resaltar que en las figuras hay superposiciones de algunas temperaturas por la poca variacin de los resultados.
Mp1n (I=1,5 A) terico

40 35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s] T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.19. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I=1,5 A.
Mp1n (I=2 A) terico

Figura 4.20. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I=2 A.
147

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s]
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.21. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I=2,5 A.
Temperatura [C]
Mp1n (I=3 A) terico

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s]
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.22. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I=3A.
Temperatura [C]
148
4.3.3.2. Mediciones reales funcionando en modo Peltier.

La medicin sobre la clula construida se ha realizado con las mismas intensidades (1A, 1.5A, 2A, 2.5A y 3A), y obteniendo en este caso nicamente Th y Tc para cada valor de I.
Mp1n (I=1 A) real

35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s] Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
Figura 4.23. Mediciones de la evolucin de la temperatura entre caras caliente y fra. (Para I=1A)
Mp1n (I=1,5 A) real

40 35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s] Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
Figura 4.24. Mediciones de la evolucin de la temperatura entre caras caliente y fra. (Para I=1,5A) 149
Mp1n (I=2 A) real

Mp1n (I=2,5 A) real

45 40 Temperatura [C] 35 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s] Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
Figura 4.26. Mediciones de la evolucin de la temperatura entre caras caliente y fra. (Para I=2,5A)
150
Mp1n (I=3 A) real

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s]
Temperatura [C]
Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
4.3.4. ESTUDIO DE LA CELULA COMO GENERADOR.

Aplicando temperatura entre las caras caliente y fra de la clula, y para varios valores de carga RL se observa la tensin y corriente que se generan en ella:
1er caso: Th=150 C y Tc=50 C (dT=100 C)
Th=150 C Tc=50 C
2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
0 1, 5 3 4, 5 9 10 ,5 6 15 16 ,5 12 13 ,5 18 19 ,5 7, 5
Voltaje en la carga [V]
VL
Resistencia en la carga []
Figura 4.28. Evolucin de la tensin en bornes de la clula.
151
Th=150 C Tc=50 C
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 3 6 1,5 4,5 7,5 9 12 15 10,5 13,5 16,5 18 19,5 Intensidad en la carga [A]
IL
Figura 4.29. Evolucin de la intensidad en bornes de la clula.
Th=150 C Tc=50 C
Potencia en la carga [W] 0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 3 0 1, 5 4, 5 6 7, 5 9
PL
Figura 4.30. Evolucin de la potencia en funcin de la carga.
152
Th=150 C Tc=50 C
2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
14 18 10 12 16 20 6 0 2 4 8
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
Intensidad [A] Potencia [W]
Voltaje [V]
VL IL PL
Figura 4.31. Evolucin conjunta V, I y P en bornes de la clula.

2 caso: Th=175 C y Tc=50 C (dT=125 C=398 K)
Mirando las caractersticas de las propiedades termoelctricas de los materiales que se consideran en este apartado, se observa que es en el entorno de esta temperatura la figura de mrito Z tiene el valor ms alto. Por lo tanto debemos esperar en la simulacin la potencia mxima en la carga en este caso. Las evoluciones de V, I y P, en este caso, se muestran en las siguientes figuras.
Th=175 C Tc=50 C
2,5 Voltaje en la carga [V] 2 1,5 VL 1 0,5 0
0 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 3 6 1, 5 4, 5 7, 5 9
Figura 4.32. Evolucin de V en funcin de la carga. 153
Th=175 C Tc=50 C
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 3 1, 5 4, 5 6 7, 5
Intensidad en la carga [A]
IL
Figura 4.33. Evolucin de I en funcin de la carga.
Th=175 C Tc=50 C
0,5 0,45 0,4 0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 3 0 4, 5 6 1, 5 7, 5
Potencia en la carga [W]
PL
Figura 4.34. Evolucin de P en funcin de la carga.
154
Th=175 C Tc=50 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0
18 14 10 12 16 20 6 0 2 4 8
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
VL IL PL
Figura 4.35. Evolucin de I,V y P en funcin de la carga.
Th=175 C Tc=25 C
2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
0 1, 5 3 4, 5 9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 6 7, 5
VL
Figura 4.36. Evolucin de V en funcin de la carga.
155
Th=175 C Tc=25 C
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 3 1, 5 4, 5 6 7, 5
IL
Figura 4.37. Evolucin de I en funcin de la carga.
Th=175 C Tc=25 C
0,4 0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 3 0 4, 5 6 1, 5 7, 5
PL
Figura 4.38. Evolucin de P en funcin de la carga.
156
Th=175 C Tc=25 C
2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
14 18 10 12 16 20 0 2 4 6 8
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
Voltaje [V]
VL IL PL
Figura 4.39. Evolucin de I ,V y P en funcin de la carga.
Finalmente se puede observar la potencia frigorfica Qc en funcin de la corriente de alimentacin de la clula para varios incrementos de temperatura, fijando Th=25 C
Qc vs. I (Th=25 C)
Calor absorbido Qc [W] 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 Intensidad [A] dT=0 C dT=25 C dT=50 C dT=75 C
Figura 4.40. Evolucin de Qc en funcin de la intensidad.
157
4.4. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA

TERMOELCTRICA UTILIZANDO LOS MATERIALES Mp2 Y Mn. 4.4.1. MODELO.
Con el fin de comparar el comportamiento con la clula anterior, se adopta el mismo modelo, y se disea una placa con las mismas caractersticas. Solamente se cambia el tipo de material constituyente de los pellet.
4.4.2. ESTUDIO DE LA CLULA EN MODO PELTIER.

Del mismo modo que en la anterior clula, se establece la simulacin del funcionamiento de la clula termoelctrica como refrigerador. Obtenemos las temperaturas (T1 a T6) en las diferentes partes intermedias de la clula y en sus dos caras (caliente y fra), para diferentes valores de intensidad de entrada I (1A, 1.5A, 2A, 2.5A y 3A), al cabo de 100 segundos.
Mp2n (I=1 A) terico

35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s] T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.41. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 1 A.
158

Figura 4.42. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 1,5A.
Mp2n (I=2 A) terico

Figura 4.43. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 2A.
159

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s]
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.44. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 2,5A.
Temperatura [C]
Mp2n (I=3 A) terico

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tiempo [s]
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Figura 4.45. Evolucin temperatura entre caras caliente y fra para I = 3A.
Temperatura [C]
160

Una vez construida la clula se han realizado medidas con las mismas intensidades (1A, 1.5A, 2A, 2.5A y 3A), y obtenemos en este caso nicamente Th y Tc para cada valor de I.
Mp2n (I=1 A) real

35 Temperatura [C] 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s] Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
Mp2n (I=1,5 A) real

161
Mp2n (I=2 A) real

Mp2n (I=2,5 A) real

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s]
Temperatura [C]
162
Mp2n (I=3 A) real

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 Tiempo [s]
Temperatura [C]
4.4.3. ESTUDIO DE LA CLULA COMO GENERADOR.

Th=150 C Tc=50 C
0 3 9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 1, 5 4, 5 6 7, 5
163
Th=150 C Tc=50 C
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 3 1, 5 4, 5 6 7, 5
IL
Figura 4.52. Evolucin de la corriente en bornes de la clula.
Th=150 C Tc=50 C
Potencia en la carga [W] 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 9 10 ,5 0 3 6 1, 5 4, 5 7, 5
PL
Figura 4.53. Evolucin de la potencia en bornes de la clula.
164
Th=150 C Tc=50 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0
14 18 10 12 16 20 0 2 4 6 8
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
VL IL PL
Figura 4.54. Evolucin de V, I y P en bornes de la clula.
2 caso: Th=175 C y Tc=50 C (dT=125 C=398 K)
Th=175 C Tc=50 C
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 1, 5 3 4, 5 6 7, 5
Resistencia de carga []
Figura 4.55. Evolucin de V en bornes de la clula.
165
Th=175 C Tc=50 C
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 3 1, 5 4, 5 6 7, 5
IL
Figura 4.56. Evolucin de I en bornes de la clula.
Th=175 C Tc=50 C
0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 9 10 ,5 0 3 6 1, 5 4, 5 7, 5
PL
Figura 4.57. Evolucin de P en bornes de la clula.
166
Th=175 C Tc=50 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0
14 18 10 12 16 20 0 2 4 6 8
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
VL IL PL
Th=175 C Tc=25 C
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 1, 5 3 4, 5 6 7, 5
Figura 4.59. Evolucin de V en bornes de la clula.
167
Th=175 C Tc=25 C
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
9 10 ,5 12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 0 3 1, 5 4, 5 6 7, 5
IL
Figura 4.60. Evolucin de I en bornes de la clula.
Th=175 C Tc=25 C
12 13 ,5 15 16 ,5 18 19 ,5 9 10 ,5 0 3 6 1, 5 4, 5 7, 5
PL
Figura 4.61. Evolucin de P en bornes de la clula.
168
Th=175 C Tc=25 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0 1,5 4,5 7,5 0 3 6 9 10,5 13,5 16,5 19,5 12 15 18 1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
VL IL PL
Finalmente como en el caso anterior, se muestra la grfica de la potencia frigorfica Qc en funcin de la corriente de alimentacin de la clula para varios incrementos de temperatura, fijando Th=25 C.
Qc vs. I (Th=25 C)
1,4 Calor absorbido Qc [W 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 Intensidad [A] dT=0 C dT=25 C dT=50 C dT=75 C
Figura 4.63. Evolucin de Q en bornes de la clula.
169
4.5. IMGENES DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS.
Imagen 4.1. Vista lateral de la clula.
Imagen 4.2. Detalle de los pellets de la clula.
170
Imagen 4.3. Vista superior de la clula.
Imagen 4.4. Detalle de los pellets y su conexionado.
171
4.6. MEDIDAS DE LOS PARMETROS CARACTERSTICOS DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS.
En este apartado se exponen las medidas de los diferentes parmetros caractersticos de las dos placas termoelctricas desarrolladas; estas medidas han sido realizadas segn se expone en los anexos a esta memoria y con dispositivos de medida generados especficamente para ello, o bien, utilizando por nuestra parte equipos del DLR en Alemania o de la empresa Panco, tambin en Alemania.
Imagen 4.4. Uno de los mdulos en un momento de medidas en el laboratorio.
4.6.1. PARMETROS MDULO MP1 + MN.

Por lo que se refiere al mdulo termoelctrico con thermo-couples compuestas por los materiales Mp1 y Mn, tenemos:
MP1+MN
250 200 S [V/K] 150 100 50 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 4.64. Media de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 610 K. 172
Observamos un decaimiento en el nivel de S, a partir de 450 K, pero conserva unos buenos niveles en todo el rango de temperaturas considerado.
2000 1800 1600 1400 [S/cm] 1200 1000 800 600 400 200 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 4.65. Media de la evolucin de en la thermo-couple en el rango de temperaturas de 300 a 610 K.
3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 275
[W/mK]
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 4.66. Media de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 610 K.
Tanto en k como en , se observa un empeoramiento exponencial, con buenos valores dentro del rango de temperaturas considerado y mostrando en el lmite mximo de temperaturas una estabilizacin.
173
4.6.2. PARMETROS MDULO Mp2 + Mn. Mp2+Mn

250 200 S [V/K] 150 100 50 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 4.67. Media de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 610 K. Este mdulo presenta una mejor respuesta en el rango de temperaturas considerado; ya que tiene un valor S mucho ms estable en todo el intervalo.
3 2,5 [W/mK] 2 1,5 1 0,5 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 4.68. Media de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 610 K. Tambin, aunque siguiendo la tendencia del mdulo anterior, este tiene unos valores tanto de como de k mucho ms constantes dentro del intervalo considerado de temperaturas. 174
4.7 COMPARACIN ENTRE LAS DOS CLULAS FUNCIONANDO EN MODO SEEBECK.

En las siguientes figuras se muestran unas mejores caractersticas en el mdulo termoelctrico constituido por thermo-couples con los materiales Mp2 + Mn, respecto a la clula con el material Mp1 + Mn en todo el rango de temperaturas testeado, trabajando en modo Seebeck.
T = 100 C
VL
Voltage en la carga [V] 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn
Figura 4.69. Comparativa de la evolucin de la tensin en la carga.
IL
Intensidad en la carga [A 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn
Figura 4.70. Comparativa de la evolucin de la corriente en la carga.
175
PL
Potencia en la carga [W] 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn
Figura 4.71. Comparativa de la evolucin de la potencia en la carga.
T = 120 C
VL
176
IL
Intensidad en la carga [A] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn

PL
Potencia en la carga [W] 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga []
Mp1+Mn Mp2+Mn
Figura 4.74. Comparativa de la evolucin de la potencia en la carga. T = 130 C

VL
Figura 4.75. Comparativa de la evolucin de la tensin en la carga. 177
IL
Intensidad en la carga [A] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn
PL
Potencia en la carga [W] 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] Mp1+Mn Mp2+Mn
4.8. CONCLUSIONES.
En este captulo se han caracterizado dos clulas termoelctricas, debindose destacar unas mejores caractersticas termoelctricas en el mdulo con thermo-couples que contienen como material p el (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 2 de (SbI3Te), resultado que era de esperar debido a las mejores caractersticas termoelctricas que se obtuvieron en la caracterizacin de este material semiconductor respecto del otro material tipo p, en este mismo rango de temperaturas de 270 a 450 K.
178
Se puede deducir una relacin muy directa de las propiedades termoelctricas del mdulo con las del material constituyente de los pellet de las thermo-couple; confirmando las afirmaciones del captulo 3 de esta misma memoria en el estudio y anlisis de la influencia de las propiedades de los pellet en el mdulo termoelctrico. Las comparaciones de los resultados de las simulaciones, los resultados experimentales y las soluciones obtenidas muestran una correlacin muy buena, especialmente para el calor extrado desde la cara fra. Por otro lado, cabe sealar pequeas desviaciones en el voltaje debidas en gran medida a los no muy conocidos valores de la conductividad real y al grosor de las uniones de cobre del termoelemento en la fabricacin del mdulo. As pues, adems de caracterizar estas dos clulas, se ha comprobado la bondad del modelo en elementos finitos utilizado, ya que las aproximaciones a la realidad final son muy ajustadas. Y tal como se ha comentado en el prrafo anterior, se confirma la influencia decisiva del comportamiento del material en las propiedades termoelctricas de la clula en el rango de temperaturas considerado.
179
180
Captulo 5. Diseo de una estructura termoelctrica en funcionamiento como generador y con tiempo de inercia bajo con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y para una aplicacin industrial
CAPTULO 5 DISEO DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA EN FUNCIONAMIENTO COMO GENERADOR Y CON TIEMPO DE INERCIA BAJO CON MATERIALES BASADOS EN (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y PARA UNA APLICACIN INDUSTRIAL
5.1. GENERALIDADES.
Ya se ha comentado la tendencia de unos investigadores de avanzar en el desarrollo de nuevas estructuras considerando la utilizacin de nuevos materiales en la constitucin de los pellet que conforman la placa; mientras que otros profundizan en el estudio de los fenmenos termoelctricos y en la geometra de los pellet y placa termoelctrica. Tambin se ha comentado que para obtener diseos realmente ajustados a las exigencias de cada aplicacin, es necesario un diseo del sistema trmico atendiendo a estas necesidades especficas, huyendo de la utilizacin de placas comerciales estndar. Trabajando en este sentido, en el presente captulo, se describe cmo variando tanto la geometra de los pellet como del sistema termoelctrico, y a la vez utilizando materiales tipo p como el (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 por una parte y materiales de tipo n como el (Bi2Te3)0,8(Sb2Te3)0,1(Sb2Se3)0,1 por otra; se han construido las thermo-couples de un sistema termoelctrico para dedicarlo a una aplicacin industrial concreta con unas exigencias que no cumple ninguna placa termoelctrica comercial.. Como es imprescindible en cualquier diseo de aplicacin comercial, el sistema termoelctrico diseado y construido, ha superado altas exigencias, no slo a nivel termoelctrico, sino tambin las propias de los requerimientos de cualquier aplicacin industrial, tanto a nivel de fabricacin, como de instalacin, transporte, mantenimiento; etc. Estos aspectos industriales pueden visualizarse en uno de los anexos a esta memoria, desarrollndose en este apartado de la memoria slo aspectos propios de la investigacin.
5.2. DESARROLLO GENERATOR).
DEL
TEG
(THERMO
ELECTRIC
Visto el buen comportamiento de las clulas descritas y analizadas en el captulo anterior, se ha desarrollado una estructura termoelctrica de aplicacin industrial que se ha denominado TEG (thermo electric generator), que alcanza adems de unas exigencias termoelctricas concretas, unos tiempos de cambio entre un estado en donde existe un funcionamiento estacionario con una diferencia de temperatura determinada y otro estado con diferencia de temperatura nula con tiempo de inercia pequeo. Ello supone una alta exigencia a nivel de funcionamiento. 181
Algunos autores ya han tratado el tema de utilizar la clula termoelctrica como generador [94][99], sin embargo, en este caso se necesitan unas caractersticas especiales de respuesta en el tiempo [95][98].
5.2.1. ESTRUCTURA.
Para conseguir las prestaciones deseadas de tener un funcionamiento estacionario con una diferencia de temperatura determinada y otro estado con diferencia de temperatura nula con tiempo de inercia pequeo; se ha constituido una estructura de dos niveles, tal como se observa en la figura 5.1.
Nivel 1
Nivel 2
pista de cobre
pellet tipo N
pellet tipo P
Figura 5.1. Niveles 1 y 2.
El nivel 1 es la placa termoelctrica diseada, caracterizada, descrita y analizada en el captulo anterior, y compuesta por thermo-couples de los materiales Mp2 y Mn.
182
El nivel superior del sistema termoelctrico, se ha diseado y construido con el siguiente dimensionado:
Figura 5.2. Dimensionado en mm de la parte inferior del nivel 2. (Vista desde la cara interna con las pistas de cobre sobre la cermica)
183
Figura 5.3. Dimensionado en mm de la parte superior del nivel 2. (Vista desde la cara interna con las pistas de cobre sobre la cermica)
En este nivel 2, los pellet tienen, como se observa en la figura 5.6, una superficie de contacto de 6mm x 1,5mm y una altura de 1,5mm.
Figura 5.4. Dimensionado en mm del pellet en el nivel 2.
184
5.2.2. MODELADO DE LA PLACA DEL NIVEL 2.

Para el modelado y simulacin, previos a la fabricacin y posterior anlisis, se ha utilizado el mismo modelo en elementos finitos utilizado el captulo 4 de esta misma memoria para el diseo de la placa que se utiliza como nivel 1 del actual diseo. Para la aplicacin del modelo se dispone de las caractersticas termoelctricas de los materiales semiconductores (Mp2 y Mn) que se utilizan en la constitucin de las parejas p/n, tambin descritas en el captulo anterior Se deben considerar tambin, al igual que en el nivel 1 y aplicando los mismos valores que en dicho nivel, las caractersticas termoelctricas de los semiconductores, las propiedades del resto de elementos constitutivos del sistema termoelctrico, como son: el cobre, la cermica y las soldaduras para aproximarnos de la manera ms ajustada posible a la realidad. Cabe sealar que se han aplicado tambin todas las consideraciones descritas en el apartado (3.4.1.) del captulo 3 de esta memoria
5.2.3. SIMULACIN DE LA ESTRUCTURA.

Para el modelo se ha utilizado el mismo modelo en elementos finitos en tres dimensiones utilizado en la simulacin y diseo de las placas anteriores, cambiando ahora las condiciones de contorno; as para este caso las condiciones de contorno se han establecido de este modo: El contorno entero se supone cerrado y por lo tanto trmicamente aislado excepto las caras cermicas (superior e inferior) que se consideran a una temperatura constante. Por lo tanto se ha supuesto que no existe conveccin hacia el exterior en los termoelementos del contorno. Se supone todo el contorno elctricamente aislado, excepto los extremos de los conductores de cobre donde entra y sale la corriente elctrica. La parte simtricamente plana se ha mantenido aislada elctricamente y trmicamente como condicin de simetra.
Por tanto nuestro modelo admite 3 parmetros de entrada, los cuales son: corriente elctrica a travs del modulo y las temperaturas de la cara caliente y la cara fra.
185

En este apartado se simular el comportamiento de la clula termoelctrica correspondiente a este nivel dos.
Th=172 C Tc=62 C
Voltaje en la carga [V] 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Figura 5.5. Evolucin de la tensin en bornes del mdulo.
Th=172 C Tc=62 C
Intensidad en la carga [A] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Figura 5.6. Evolucin de la intensidad en bornes del mdulo.
186
Th=172 C Tc=62 C
Potencia en la carga [W] 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Th=172 C Tc=62 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga [] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 VL IL PL
5.2.3.2. Mediciones efectuadas sobre la clula.

En este apartado se mostrarn los resultados obtenidos en la carga al aplicar a la estructura termoelctrica 170 C en la cara caliente y 60 C en la cara fra de esta placa correspondiente al nivel 2.
187
2,5 Voltaje en la carga [V] 2 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga [] VL (simulado) VL (real)
Figura 5.9. Evolucin de la tensin (real y simulada) en bornes del mdulo.

1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
IL (simulado) IL (real)
Figura 5.10. Evolucin de la intensidad (real y simulada) en bornes del mdulo.

0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga [] PL (simulado) PL (real)
Figura 5.11. Evolucin de la potencia (real y simulada) en funcin del mdulo.
188
2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
VL (real) IL (real) PL (real) Polinmica (IL (real)) Polinmica (PL (real)) Polinmica (VL (real))
Voltaje [V]
Figura 5.12. Evolucin conjunta V, I, P reales y su tendencia.
5.2.4. ESTRUCTURA COMPLETA DE TEG.

El sistema TEG definitivo tiene una estructura de dos niveles, tal y como se ha reseado anteriormente, y est constituido por la unin de la placa desarrollada en el captulo 4 como nivel 1 y de la placa desarrollada en los apartados anteriores como nivel 2, tal y como se muestra en la siguiente figura 5.13.
Figura 5.13. Estructura total TEG.
189
5.2.5. SIMULACIN DE LA ESTRUCTURA COMPLETA DE TEG.

Para la simulacin se ha tenido en cuenta el dimensionado que se detalla a continuacin. El alzado visto desde la parte de contactos entre niveles es el siguiente:
Figura 5.14. Dimensionado en mm del alzado de TEG.
El dimensionado en planta, visto desde la parte superior, es el de la siguiente figura:
Figura 5.15. Dimensionado en mm de la planta de TEG.
190
El dimensionado de TEG visto desde el alzado lateral es el siguiente,
Figura 5.16. Dimensionado en mm del alzado lateral de TEG.
Se toman unas dimensiones de los semiconductores constitutivos de las thermocouple, del nivel 1 de 1,5mm x 1,5mm de superficie de contacto y una altura de 3mm, y con unas dimensiones de los semiconductores constitutivos de las thermo-couple del nivel 2 de 1,5mm x 6mm de superficie de contacto y una altura de 1,5mm. Este tamao de los pellet, con una superficie de contacto como la sealada, es para conseguir el nivel de corriente necesario con una placa de estas dimensiones. Cabe sealar que el tamao y volumen de todo el sistema TEG venan condicionados por las necesidades propias de la aplicacin. Tambin se han colocado unas barras de cobre, necesarias para rectificar las inercias de cambio entre los dos estados indicados anteriormente. El dimensionado de las barras de cobre es de 1,5mm x 16mm de superficie de contacto y una altura de 1,5mm. Todas las thermo-couples estn constituidas por los materiales descritos en el captulo 4 como Mp2 y Mn, de los cuales se conoce perfectamente sus caractersticas; as como de los materiales constitutivos de las placas como son cermica, contactos de cobre y soldadura que ya se han reseado en el captulo 4. Para el modelado se ha utilizado el mismo modelo en elementos finitos en tres dimensiones utilizado en la simulacin y diseo de las placas anteriores, ahora bien cambiando las condiciones de contorno; as para este caso las condiciones de contorno se han establecido de este modo:
191
El contorno entero se supone cerrado y por lo tanto trmicamente aislado excepto las caras cermicas (superior e inferior) que se consideran a una temperatura constante. Por lo tanto se ha supuesto que existe no conveccin hacia el exterior en los termoelementos del contorno. Se supone todo el contorno elctricamente aislado, excepto los extremos de los conductores de cobre donde entra y sale la corriente elctrica. La parte simtricamente plana se ha mantenido aislada elctricamente y trmicamente como condicin de simetra.
Por tanto nuestro modelo admite 3 parmetros de entrada, los cuales son: corriente elctrica a travs del modulo y las temperaturas de la cara caliente y la cara fra.

En este apartado se simular el comportamiento de la clula termoelctrica TEG, funcionando como generador.
Th=172 C Tc=62 C
Voltaje en la carga [V] 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Figura 5.17. Evolucin de la tensin en bornes del mdulo termoelctrico.
192
Th=172 C Tc=62 C
Intensidad en la carga [A] 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Figura 5.18. Evolucin de la intensidad en bornes del mdulo.
Th=172 C Tc=62 C
Potencia en la carga [W] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga []
Th=172 C Tc=62 C
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Resistencia en la carga [] 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 VL IL PL
Figura 5.20. Evolucin conjunta V, I y P. 193
5.2.5.2. Grfico proporcionado por el fabricante.

Una vez fabricado el dispositivo, el fabricante suministr el siguiente grfico del comportamiento del sistema termoelctrico.
Figura 5.21. Evolucin conjunta de VL, IL y PL proporcionada por el fabricante.
5.2.5.3. Mediciones efectuadas en nuestro laboratorio.

Aunque los datos suministrados por el fabricante deben ser suficientemente fiables, se han realizado de nuevo mediciones en varios mdulos, para confirmar su comportamiento; as pues, en este apartado se mostrarn los resultados obtenidos en la carga al aplicar a la estructura termoelctrica 170 C en la cara caliente y 60 C en la cara fra.
194
2,5 Voltaje en la carga [V] 2 1,5 1 0,5 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] VL (real) VL (simulado)
Figura 5.22. Evolucin de la tensin (real y simulada) en bornes del mdulo.

1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga [] IL (real) IL (simulado)
Figura 5.23. Evolucin de la intensidad (real y simulada) en bornes del mdulo.

1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga []
PL (real) PL (simulado)
Figura 5.24. Evolucin de la potencia (real y simulada) en funcin de la carga.
195
2,5 2 Voltaje [V] 1,5 1 0,5 0 0 5 10 15 20 Resistencia en la carga []
1,2
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
VL (real) IL (real) PL (real) IL (real) PL (real) VL (real)
Figura 5.25. Evolucin conjunta V, I, P reales y su tendencia en bornes de la clula.
De todas las grficas, incluidas las suministradas por el fabricante, se observa una muy buena aproximacin de los resultados de la simulacin dados por el modelo en elementos finitos aplicando las condiciones de contorno sealadas anteriormente. Lo cual confirma la suficiente aproximacin del modelo a la realidad. Cabe sealar que algunas placas se han fabricado sin cerrar el contorno exterior, con lo cual se ha producido un efecto de conveccin contrario al sealado en las condiciones de contorno. Ello se ha hecho as, para realizar algunas medidas en el interior de la placa y hacer algunos estudios sobre el efecto entre pellet. An en estas condiciones en las cuales ha habido una mayor separacin entre la simulacin y los resultados obtenidos, esta diferencia no ha sido excesiva; ello se debe muy probablemente a las propiedades isotrpicas de la estructura cristalina de los pellet, ya que aunque existe dispersin por conveccin lateral, es muy poca comparada con la direccin principal del eje de simetra. Una vez cubiertas las especificaciones de las necesidades termoelctricas a cubrir por el sistema TEG; se encontr que el sistema completo no cubra las exigencias en los tiempos de respuesta necesarios para la aplicacin a la que va destinado el sistema termoelctrico. Ello oblig a un estudio de los fenmenos de respuesta en frecuencia de la clula [95] [96], y a un desarrollo que se detalla en los siguientes apartados. Todo ello con el fin de conseguir las especificaciones de respuesta marcadas por las necesidades de la aplicacin industrial.
196
5.3. INERCIA EN TERMOELCTRICO.
LA
RESPUESTA
DEL
SISTEMA
En el diseo aparece un nuevo reto, como es el tiempo de respuesta que necesita el sistema termoelctrico para responder a las excitaciones al sistema. En este caso concreto, para conseguir las prestaciones deseadas debe tener un funcionamiento estacionario con una diferencia de temperatura determinada, y otro estado con diferencia de temperatura nula con tiempo de inercia pequeo. Es entonces interesante para progresar en la caracterizacin y modelado del sistema termoelctrico, el estudio del comportamiento de las clulas termoelctricas; ante entradas de seal variable. En concreto cuando se aplica un pulso trmico o un pulso elctrico el sistema trmico responde con cierta inercia; ya que, en algunas aplicaciones, como es la que nos ocupa, es muy importante la inercia en la respuesta de la placa termoelctrica. Adems este estudio contribuye a conocer las condiciones ptimas de funcionamiento. Por ejemplo, es interesante saber cual es la frecuencia mxima que puede tener la seal que se aplica para extraer un rendimiento mximo del mdulo termoelctrico. As, en el siguiente punto de la memoria, se estudia dicho comportamiento y se dan algunas relaciones que pueden definir un buen diseo y contribuir a su mejor caracterizacin.
5.3.1. RESPUESTA FRECUENCIAL DE LA TERMOELCTRICA EN EL CONTROL DE BOMBEO.
CLULA
El estudio de la respuesta del sistema termoelctrico puede desarrollarse desde dos puntos de vista: Aplicando a la termoclula un pulso de flujo de calor, obtenindose una respuesta en modo Seebeck Aplicando un pulso de tensin (corriente) elctrica, obtenindose una respuesta en modo Peltier.
El flujo de calor a travs de un elemento semiconductor est dado por el "laplaciano" de la variacin de temperatura, es decir: 2T 2T 2T + + x 2 y 2 z 2
T =
(5.1)
197
que si se expresa en una dimensin para simplificar, queda la expresin:

2 T ( x , t ) 1 T ( x , t ) = x 2 t
(5.2)
donde: k es la difusividad trmica . c k es la conductividad trmica. = es la densidad. c es la capacidad especfica de calor. Cuando se aplica un pulso trmico (a flujo de calor constante) en un semiconductor, tal como se indica en la siguiente figura:
Figura 5.26. Sistema de mono-mdulo ante un pulso trmico.
se obtiene segn [97] una expresin simplificada de la tensin de Seebeck dada por:
t t 8 4 1 8 4 1 Qo Qo l 1 + 2 e l 1 2 e E (t ) = + (t ) (5.3) k k
2 2
donde ( y) es la funcin de Heaviside, es decir,
1 si y > 0 ( y) = 0 si y 0
198
adems
1 =
l2
1, l, k y son caractersticas propias del semiconductor utilizado y el conocimiento de la fuerza electromotriz generada nos puede dar informacin de l. De todas formas tambin se puede ampliar este desarrollo comprobando cual sera el comportamiento de la clula unitaria termoelctrica sin ms que atender al siguiente esquema:
Figura 5.27. Sistema de thermo-couple en modo Seebeck.
Si se considera que el valor mximo de E se obtiene cuando han transcurrido unos cuatro 1 aproximadamente, tendremos: E max (t ) t = 4
t 2 Qo Qo 8 8 = 2 l 1 + 2 e 4 1 = 2 l 1 + 2 e _ k k
2
(5.4)
que se puede aproximar por: E max = 2 Qo l k (5.5)
En donde , k y 1 son valores medios de las caractersticas de los semiconductores.
5.3.2. RENDIMIENTO.
Colocando una carga RL en el sistema es posible conocer el rendimiento del sistema. En este caso, teniendo en cuenta las prdidas del circuito, la diferencia de potencial mxima en bornes de la carga es: Voutm = E max I R = (T1 T0 ) I R 199 (5.6)
donde T1 es la temperatura de la cara caliente justamente en el instante t= , es decir, cuando la fuerza electromotriz es mxima. La eficiencia del sistema actuando en modo Seebeck debe ser: = P (T T ) I R EmaxIR e 1 0 = = k Qcaliente T + k (T T ) I R 1 0 Emax 1 I R I 2 T + 1 I 2 (5.7)
Transformando la expresin anterior, se visualiza la rendimiento y :

T1 + I R 1 2
relacin entre el
k 1 I
= E max
= 4 1
= 2
Qo l k
(5.8)
Tambin se puede relacionar el flujo de calor Qo con la corriente que atraviesa el mono-mdulo y el rendimiento, segn:
T1 + I R 1 k 2 Qo = k 2l 1 I
(5.9)
Con (5.8) y (5.9) se pueden manejar los resultados anteriores de forma bidireccional, es decir, tratar el sistema tambin en modo Peltier.
5.3.3. FRECUENCIA LMITE.

La frecuencia de los pulsos de Q iniciales puede darnos informacin del comportamiento de la mono-clula y darnos informacin de la inercia de respuesta de la misma. El decrecimiento o descarga en modo Seebeck de la tensin se puede expresar como:
Qo 8 E( t ) = l 2 k
1 e 4 1 2
4 t1 e
2
(5.10)
200
y con =41 se tiene, aproximadamente, la evolucin de la tensin de Seebeck a partir de la extincin del pulso de calor o de tensin.
4 1 Qo 8 E( t ) = l 2 e k 2 t
(5.11)
y despejando el tiempo en esta expresin queda:

4 1 E( t ) t = 2 ln 8 Qo l 2 k
Ahora bien, si se impone que el tiempo final es cuando E(f) es el 5% de Emax, se puede expresar la anterior relacin como: 0,05 E 4 1 max t f = 2 ln Qo 8 l 2 k
(5.12)
y la frecuencia mxima de trabajo es Fmax = o bien:

Fmax = 1 0,05 E 4 1 max ln 2 8 Qo l 2 k
1 tf
(5.13)
La constante elctrica equivalente del comportamiento visto anteriormente es: 4 1 2 4 l2 c 4l2 = 2 2 k (5.14)
R C =
201
y si se multiplica y divide por el rea transversal del mono-mdulo quedara la siguiente expresin: 4 l2 c 4 l l A c 4 l m c RC = = = 2 2 k 2 k A kA Lo cual permite identificar los parmetros C como: C=mc (5.16) (5.15)
donde m es la masa de los semiconductores y c es la capacidad especfica de los mismos. Y la resistencia R, como: R= l kA (5.17)
Cuando la frecuencia es superior a la mxima, el poder de bombeo del sistema termoelctrico disminuye. Esta circunstancia puede servir para controlar la cantidad de flujo de calor en modo Peltier o la tensin generada en modo Seebeck.. En concreto la potencia instantnea en una carga RL en modo Seebeck en funcin de la tensin de Seebeck es: (E max ( t ) )2 PRL (t ) = (R + R )2 (R L ) L (5.18)
Aplicando McLaurin a la expresin (4.4) obtenemos de forma simplificada la expresin aproximada siguiente: E mx() = Qo 2 l k 4 1 (5.19)
Trabajando entorno a un pulso de duracin 1 , y suponiendo que el tiempo de subida es aproximadamente igual al tiempo de bajada, la frecuencia de trabajo ser: Qo 2 l 8 k 1 E max
F=
(5.20)
202
Entonces la potencia media en la carga (Pm) ser:

2 2
1 Pm = F PRL ( t )t = C t 2 t 2 0 0 4 2 Pm = C = C1 2 3 donde: RL 2 1 4 Qo l C1 = (R + R )2 3 k 4 1 L
2
(5.21)
(5.22)
En la siguiente figura se muestra la evolucin de la respuesta al pulso de calor o de tensin:
Figura 5.28. Respuesta al pulso.
203
Todas estas expresiones, permiten conocer la respuesta del sistema trmico en funcin de la frecuencia de trabajo de la seal que excita dicho sistema. En consecuencia, nos serviremos de ellas en el modelado y caracterizacin as como en el diseo y desarrollo de nuevas placas termoelctricas para aplicaciones especficas. De estas expresiones anteriores tambin se puede afirmar que es posible trabajar en modo Seebeck o en modo Peltier para conocer las caractersticas del sistema termoelctrico sin ms que conocer el rendimiento a mximo bombeo.
5.4. INERCIA SISTEMA TEG.

Como ya se ha reseado, en las distintas pruebas reales efectuadas, los parmetros termoelctricos se ajustaron correctamente; sin embargo, la inercia era muy grande respecto a lo deseado. A partir del estudio en respuesta del sistema descrito en el apartado anterior, y teniendo en cuenta que: Cuando la frecuencia es superior a la mxima el poder de bombeo del sistema termoelctrico disminuye. A nivel estructural se debe considerar que cuanta mayor distancia hay entre la cara caliente y fra de la clula menor ser la conductancia trmica y eso aumenta el rendimiento (semiconductores ms largos que en la clula operando como Peltier), pero existe un compromiso; ya que si aumenta demasiado la longitud de los semiconductores tambin lo hace el efecto Joule que provoca una disminucin de rendimiento; siempre hay una longitud ptima de funcionamiento, tal como se determina en el apartado 3.4 del captulo 3 de esta misma memoria.
Para conseguir una disminucin notable en el tiempo de paso entre estados se ha incorporado al sistema elementos conductores de cobre entre las caras del nivel 2 de la estructura termoelctrica; con lo cual el tiempo de desenganche disminuye al disminuir la diferencia de temperatura que hay en ambas caras por conduccin trmica, pero el tiempo de enganche tiende a empeorar, aunque finalmente ha sido posible encontrar un equilibrio con la colocacin de un refrigerador de aletas en una cara del sistema TEG y un heat pipe sobre la placa del nivel 2. La colocacin y tamao de las barras de cobre para conducir el calor se observan en la siguiente figura 5.29.
204
Figura 5.29. Detalle nivel 2 para mejorar inercia respuesta.
El heat pipe incorporado para conducir rpidamente el flujo de calor se ha colocado en la parte superior del sistema TEG, pegado a la cermica de la placa del nivel 2, tal como se observa en la figura 5.30.
Figura 5.30. Estructura termoelctrica completa del nivel 2.
205
El HP ha sido escogido a partir de las grficas de sus caractersticas, teniendo en cuenta que el heat pipe debe ser capaz de desalojar el calor que llega a la cara fra procedente bsicamente del flujo de calor procedente de la cara caliente.
Heatpipe comparison
180
160
140 HPCU1A HPCU2B HPSS10C HPSS12B HPSS1A HPSS8C HPSS9D HPSSAD HPSSBC HPSSCA
120
Tem p[C]
100
80
60
40
20
0
0 3 6 9 12 1, 0, 2, 5, 4, 1, 3, 4, 6, 7, 8, 9, 7, 11 10 10 12 13 13 14 15 2 2 8 6 4 6 8 4 6 2 8 4 6 ,8 ,4 ,2 ,6 ,2 ,8 ,4
Time[s]
Figura 5.31 Caractersticas de diferentes HP.
Figura 5.32 Cotas dimensionado HP.
206
Con lo cual el dimensionado total del sistema con la inclusin de un heat pipe y la barras de cobre para provocar una refrigeracin forzada y cuya inclusin viene justificada en el estudio de la inercia de TEG es el de la figura 5.33.
Figura 5.33. Dimensionado en mm de la estructura total TEG.
En la siguiente fotografa (Imagen 5.1) se observan detalles de la estructura del prototipo del nivel 2, con el heat pipe y disipador.
Imagen 5.1. Estructura prototipo nivel 2.

207
5.4.1. MEDIDAS DE LA INERCIA DEL SISTEMA TEG.

Una vez realizado el diseo, las placas fueron fabricadas por la empresa HAUAYU en (Pekin, China), siguiendo todas las instrucciones impuestas por este trabajo de investigacin. Una vez recibidas se realizaron las medidas del sistema real y su comparacin con los resultados de simulacin; hubo que rehacer el diseo hasta quedar finalmente como se muestra en el simulado y analizado en los apartados anteriores, y que en este caso se realiz con placas fabricadas por ANGEL (Zhenzen, China), por considerar que parte de las desviaciones anteriores entre simulacin y medidas reales se deban a malos contactos debidos al proceso de fabricacin. Adems, por exigencias de robustez y de facilidad de sustitucin en acciones de mantenimiento, se ha considerado necesario compactar y robustecer el diseo a nivel mecnico; siendo necesario comprobar la respuesta termoelctrica de los diferentes prototipos.
5.4.1.1. Medidas realizadas a diferentes diseos de TEG:

Los diseos probados son:
3A 3BA 3BB 3BC 3BD
Imagen 5. 2. Diferentes diseos TEG.
3A Disipador abierto negro, clulas diseo precedente, puente trmico exterior y buja montados sobre soporte. 3BA Disipador cerrado grande con aletas laterales, clulas y buja dentro del disipador. 3BB Disipador cerrado pequeo, clulas y buja dentro del disipador. 3BC Disipador cerrado grande con aletas laterales, clulas y buja dentro del disipador sellado. 3BD Disipador cerrado pequeo, clulas y buja dentro del disipador sellado.
208
Con estos diferentes diseos, se han obtenido en el laboratorio los resultados que indica la siguiente tabla.
Tiempo Tiempo enganche desenganche 3s 6s 3A 3s 23s 3BA 1s 30s 3BB 15s 1s 3BC 2s 3s 3BD Tabla 5.1. Tiempos enganche y desenganche de los 5 diseos. Diseo
Con las modificaciones introducidas, se ha conseguido disminuir el tiempo de inercia de 1min 30s a los indicados en la tabla. Los tiempos de enganche son suficientes en los diseos 3A, 3BA, 3BB y 3BD. Los tiempos denominados de desenganche son suficientemente buenos en 3A, 3BC y 3BD, figurando en rojo los tiempos fuera de tolerancia. De los valores de la tabla se concluye que: El sellado modifica notablemente el resultado sobre la clula (sistema TEG), que alimenta en la aplicacin real una vlvula milivoltios. Para eliminar el problema, es necesario cerrar la clula en su entorno antes del relleno o bien cambiar de material de relleno a un cemento cermico. Sorprende la diferencia de resultado entre 3BC y 3BD. La causa es difcil de determinar al encontrarse totalmente sellado. A la vista de estos ltimos ensayos y como consecuencia de todo lo reseado anteriormente, el diseo final del prototipo es el de la siguiente imagen 5.3.
Imagen 5.3. Prototipo TEG integrado en el radiador.
209
En dicho prototipo se han efectuado las medidas finales de la respuesta temporal del sistema TEG. La imagen 5.4 muestra un momento en la toma de medidas.
Imagen 5.4. Medidas en sistema TEG.
En la siguiente figura se muestra la evolucin temporal de la tensin y corriente en bornes de la vlvula conectada al sistema TEG.
Temperatura [C]
100 80 60 40 20 0 0 10 20 30 40 50 Tiempo [s]
0,05 0 -0,05 -0,1 -0,15
Voltage [V] Intensidad [A]
120
0,1
Th Tc Vval Ival
Figura 5.34. Voltaje e intensidad en la vlvula.
210
En la siguiente figura se muestra la evolucin temporal de la tensin y corriente en bornes de una carga de prueba conectada al sistema TEG.
Temperatura [C]
100 80 60 40 20 0 0 10 20 30 40 50 Tiempo [s]
0 -0,05 -0,1 -0,15 -0,2 -0,25
Voltage [V] Intensidad [A]
120
0,05
Th Tc VL IL
Figura 5.35. Voltaje e intensidad en la carga.
Imagen 5.4. Diferentes vistas del prototipo TEG sin radiador.
5.5. CONCLUSIONES.
Continuando con el trabajo de caracterizacin, en este captulo, se desarrolla un sistema termoelctrico para una aplicacin industrial funcionando como generador y con unas exigencias de respuesta que no cumple ningn mdulo comercial. En el captulo, usando el mismo modelo en elementos finitos, se dimensiona, simula y 211
construye un sistema termoelctrico en dos niveles, debindose hacer un esfuerzo de profundizacin en el estudio de la inercia en la respuesta del sistema. Los resultados obtenidos finalmente son un sistema termoelctrico que, una vez construido, cumple con todas las premisas de las especificaciones iniciales deseadas a nivel termoelctrico, con lo cual se puede afirmar que ha sido bien caracterizado y que el modelo usado en la simulacin se ha ajustado suficientemente a la realidad de los resultados obtenidos. El esfuerzo necesario dedicado a conseguir rebajar estos tiempos de respuesta ha provocado el desarrollado de expresiones de diseo que permiten conocer la respuesta del sistema trmico en funcin de la frecuencia de trabajo de la seal que excita dicho sistema. Siendo posible trabajar en modo Seebeck o en modo Peltier para conocer las caractersticas del sistema termoelctrico sin ms que conocer el rendimiento a mximo bombeo. Con lo cual se contribuye a uno de los objetivos de la tesis como es la de profundizar en los fenmenos fsicos que rigen el comportamiento de las clulas; y tambin contribuye al otro de los objetivos como es el de la caracterizacin de estos sistemas. Tambin este anlisis en frecuencia pone de manifiesto la posibilidad de "controlar" la potencia trmica en modo Peltier o la potencia elctrica de salida en modo Seebeck. Ello es muy interesante en aplicaciones determinadas, como por ejemplo en biomedicina. De los resultados obtenidos y de la experiencia que ha supuesto este desarrollo se puede afirmar que los aspectos a tener en cuenta en el diseo para que sea fiable son: Conseguir la uniformidad de las temperaturas en las diferentes superficies (reduce el stress en la fatiga por choques trmicos). Reducir al mximo la resistencia trmica entre la cermica y el disipador (mejora el flujo trmico). Realizar la soldadura de los cables de conexin a menor temperatura que las soldaduras de los pellets (se evita daar la unin de los pellets).
Tambin cabe resaltar que como resultado del estudio de la respuesta de la clula, en el proceso de pruebas se ha desarrollado un mtodo para predecir la fiabilidad de la clula. Se basa en un sistema que aplica un impulso de corriente y a partir de la respuesta se sabe si las uniones son dbiles o hay algn problema de calidad en la clula.
212
Captulo 6. Diseo de estructuras termoelctricas en el rango de 300 a 650 k con materiales basados en Zn4Sb3 CoSb3
CAPTULO 6 DISEO DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 300 A 650 K CON MATERIALES BASADOS EN Zn4Sb3 CoSb3
6.1. GENERALIDADES.
En este apartado se desarrollan, caracterizan y testean nuevas estructuras termoelctricas con materiales generados en el seno de nuestro grupo de investigacin. Estos materiales son compuestos del tipo Zn4Sb3 - CoSb3 [100][103][104]. Estos compuestos se comportan con buenas propiedades termoelctricas en general, como materiales tipo n y tipo p en un rango de temperaturas entre los 300 y 650 K, y han sido obtenidos mediante tcnicas de cristalizacin en nanotecnologa. Una vez obtenidos y caracterizados estos materiales, en el presente trabajo de investigacin se trata de desarrollar, caracterizar y testear placas termoelctricas con pellets construidos a base de estos materiales generados; para detectar el comportamiento de los mismos como constituyentes de los pellets en estructuras termoelctricas y su aplicacin al uso comercial.
6.2. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LOS MATERIALES CONSIDERADOS.

Estos materiales se obtienen en forma de polvo granulado, y sus propiedades termoelctricas dependen tanto de los elementos qumicos que los conforman como del tamao del grano obtenido. Para conseguir el CoSb3 granulado se utiliza una tcnica qumica ampliamente adoptada para conseguir un tamao de partcula inferior al nanmetro. El primer paso es la sntesis del material inicial con la correspondiente estequiometra del CoSB. En el proceso qumico intervienen los siguientes componentes: H+ - Co2+ - Sb3+ - Cl- - C2O42 - NH3 - H2O. Despus de la operacin de reduccin se obtiene el material en polvo. El polvo que se obtiene es recocido (anneling) en tubos de cuarzo en diferentes periodos de tiempo de 813K para obtener finalmente varias muestras de CoSb3 con diferentes tamaos de grano.
213
En la siguiente tabla se pueden observar datos sobre el granulado y la temperatura que se ha aplicado durante el proceso final. Tamao de partcula (nm) 143 216 459 771 1923 Densidad (g/cm3) 5,02 5,12 5,05 5,31 5,69
Muestra CoSb3 (1) CoSb3 (2) CoSb3 (3) CoSb3 (4) CoSb3 (conv)
Tratamiento Recocido 8 h a 813 K Recocido 16 h a 813 K Recocido 36 h a 813 K Recocido 60 h a 813 K Preparado a 813 K
Tabla 6.1. Propiedades de las diferentes muestras de CoSb3.
Como se observa en la ltima fila de la tabla hay informacin sobre un preparado convencional del CoSb3 mediante mtodos metalrgicos. El Co y el Sb se mezclaron en un tubo de cuarzo y la reaccin se desarrollo a 813 K de temperatura. Despus el polvo obtenido se compact en muestras de 8mm de dimetro para la evaluacin termoelctrica. La compactacin se realiza a una temperatura entre 673 y 773 K a una presin de 100 MPa durante 30 m en vaco. Para asegurar parmetros idnticos en dos muestras se preparan dos probetas de forma simultnea. Se prepararon tres series de muestras. Dos a ambas temperaturas lmite y otra a temperatura intermedia. Las micro estructuras fueron examinadas mediante SEM (Scanning Electron Microscopy). En este captulo, tal como se ha sealado, se caracterizarn mdulos termoelctricos con pellet constituidos por estos materiales [116], considerando en esta primera parte, thermo-couples construidas con CoSb3 (M1), que acta de pellet tipo n, y el Zn4Sb3, que acta como pellet de tipo p.
6.2.1. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LA MUESTRA DE CoSb3.

En las siguientes grficas se muestran las propiedades termoelctricas de la muestra de CoSb3, [109].
214
120 100 S [V/K] 80 60 40 20 0 300 350 400 450 T [K] 500 550 600 650
340 320 [S/cm] 300 280 260 240 220 200 300 350 400 450 T [K] 500 550 600 650
Figura 6.2. Medidas de la evolucin de en el rango de temperaturas de 325 a 625 K.
215
1,6 1,5 [W/mK] 1,4 1,3 1,2 1,1 1 300 350 400 450 T [K] 500 550 600 650
60 50 ZT10e-3 40 30 20 10 0 300 350 400 T [K] 450 500 550
Figura 6.4. Evolucin de ZT en el rango de temperaturas de 325 a 625 K.
En todas ellas se observa un buen comportamiento de este material en el rango de temperaturas considerado
216
6.2.3. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS DE LA MUESTRA DEL MATERIAL Zn4Sb3.

A continuacin, en las siguientes figuras, se muestran las propiedades termoelctricas del Zn4Sb3.
150 140 130 S [V/K] 120 110 100 90 80 250 300 350 T [K] 400 450 500
260 240 220 [S/cm] 200 180 160 140 120 250 300 350 T [K] 400 450 500
217
1,05 1 [W/mK] 0,95 0,9 0,85 0,8 0,75 250 300 350 T [K] 400 450 500
Figura 6.7. Medidas de la evolucin de k en el rango de temperaturas de 275 a 475 K.
0,5 0,45 ZT10e 3 0,4 0,35 0,3 0,25 0,2 250 300 350 T [K] 400 450 500
Figura 6.8. Evolucin de ZT en el rango de temperaturas de 275 a 475 K.
Se observa que este material no muestra muy buenas caractersticas a partir de 450K; as vemos como el factor de mrito decae rpidamente a partir de 450K, mientras que la k empieza an a temperaturas menores, lo cual hace pensar que la aportacin de este material como material tipo n en las thermo-couples que constituyen el mdulo termoelctrico contribuir a empeorar el comportamiento del mdulo total.
218
6.3. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO LOS MATERIALES Zn4Sb3 Y CoSb3.
En este apartado se desarrolla una placa termoelctrica con clulas formadas por parejas de materiales p y n correspondientes a los materiales Zn4Sb3 y CoSb3.. Para su desarrollo adoptamos un modelo de elementos finitos. Este tipo de modelos en elementos finitos ya se ha estudiado en los captulos C2 (apartado 2.9) y justificada su eficiencia en C3 (apartado 3.2) como suficientemente ptimo en la modelizacin de sistemas comerciales.
6.3.1. MODELO.
As pues, constatado el buen comportamiento de los modelos en elementos finitos en los mdulos termoelctricos comerciales, aplicaremos a nuestro diseo uno de estos modelos. El modelo de elementos finitos que se va a utilizar para el diseo y simulacin es un modelo de tres dimensiones y viene perfectamente detallado en [54]. Se ha escogido este modelo en elementos finitos, ya utilizado en los diseos desarrollados en los captulos 4 y 5, y como en aquellos casos con una doble finalidad: por un lado confirmar el buen comportamiento, y por otro el hecho de que el modelo fue pensado para simular no linealidades y el comportamiento de los materiales en 3 dimensiones. En consecuencia debe ajustarse bien a las placas reales una vez construidas, con lo cual se contribuye en esta investigacin a constatar la fiabilidad del modelo al tiempo que se caracterizan nuevas placas con estos nuevos materiales, cumpliendo as un doble inters del grupo de investigacin. El modelo se basa en ecuaciones diferenciales de segundo orden de equilibrio, las cuales se simplifican (integrales de primer orden) y se discretizan para aplicarlas en la teora de elementos finitos, obteniendo as un sistema de ecuaciones no lineales, las cuales solucionamos con el mtodo Newton-Raphson, de la misma manera que en el modelo descrito y validado en el captulo 2 Del mismo modo que el modelo del captulo 2 permita sustituir las caractersticas intrnsecas en las ecuaciones (2.68) a (2.71), para luego generar la matriz de iteraciones; este modelo en 3D permite sustituir las caractersticas intrnsecas de los semiconductores que se utilizan en la constitucin de las parejas p/n. Se deben considerar tambin, adems de las caractersticas termoelctricas de los semiconductores, las propiedades del resto de elementos constitutivos del sistema termoelctrico, como son: el cobre, la cermica y las soldaduras para aproximarnos a la realidad.
219
Cobre: con las siguientes propiedades independientes de la temperatura: cu = 0 7 1 cu = 5.8110 m k = 386w / m cu
Oxido de aluminio Al 2 O3 para la cermica. Aislante elctrico e intercambiador de calor con las caras. Sus propiedades se consideran independientes de la temperatura:
c = 0 c = 0 k = 35.3w / m c
PbSb soldaduras para las juntas entre termoelementos, conductores de cobre y cermica, tambin con propiedades constantes: s = 0 1 s = 166000m k = 46w / m s
Se asume en la simulacin que todas las parejas de termoelementos del pellet se comportan del mismo modo. Este hecho depende principalmente de la distribucin de temperaturas entre ambas caras del pellet. Si la temperatura en las caras es constante todas las parejas de termoelementos trabajaran en las mismas condiciones. En consecuencia, se considera suficiente incluir solo una pareja de termoelementos. El modelo incluye ambos elementos (p y n), el conductor de cobre esta conectando los termoelementos a la cara fra, la mitad de estos conductores de cobre se conectan la cara caliente con el siguiente par (igual que la cara fra), la porcin de cermica es la que cubre a nuestro par de termoelementos. El modelo ha sido dividido en 11920 elementos 3D. En la parte superior se considera la cara fra y en la parte inferior la cara caliente. La corriente elctrica entra en el modelo por la parte inferior izquierda del conductor de cobre y lo abandona por la parte inferior derecha. El termoelemento situado a la izquierda es de tipo n y el otro de tipo p. Se ha determinado construir una placa de 6 de parejas thermo-couple, con pellets cilndricos de los materiales Zn4Sb3 y CoSb3 considerados. Estos pellets tienen un dimensionado de 3 mm de altura por 2,5 mm de radio, tal y como se observa en la figura:
220
Figura 6.9. Tamao del pellet.
El dimensionado total del sistema termoelctrico, con la distribucin de los 6 pares; es decir con 12 pellet, es la de las figura 6.10.
14,5 5
12
12
49
1,25 0,5
Pellet tipo P Pellet tipo N
Figura 6.10. Dimensionado en mm de la parte inferior (izquierda) y de la parte superior (derecha). (Vista desde la cara interna con las pistas de cobre sobre la cermica)
221
43
6.3.2. CONDICIONES DE CONTORNO.

Las condiciones de contorno se han establecido de este modo:
El contorno entero se supone abierto y por lo tanto no trmicamente aislado excepto las caras cermicas (superior e inferior) que se consideran a una temperatura constante. Por lo tanto se ha supuesto que existe conveccin en los termoelementos. Se supone todo el contorno elctricamente aislado, excepto los extremos de los conductores de cobre donde entra y sale la corriente elctrica. La parte simtricamente plana (plano trasero en la figura 4.14) se ha mantenido aislada elctricamente y trmicamente como condicin de simetra.
Por tanto nuestro modelo admite 3 parmetros de entrada, los cuales son: corriente elctrica a travs del modulo y las temperaturas de la cara caliente y la cara fra. Para algn tipo de parmetros fijados el modelo calcula el voltaje y la temperatura en algn punto del dominio y desde estos se pueden obtener tanto la corriente como el flujo de calor. Desde esta distribucin espacial podemos obtener importantes parmetros operativos del pellet: el voltaje aplicado a la pareja, el calor extrado de la cara fra y el calor disipado en la cara caliente. Este ltimo parmetro no es independiente de los dems, porque el calor disipado en la cara caliente debe ser igual al calor absorbido por la cara fra ms la potencia elctrica consumida. Sin embargo el calor disipado en la cara caliente dado por el modelo, ser un modo de comprobar que todo funciona correctamente. Para relacionar las condiciones de funcionamiento del pellet con los parmetros de nuestro modelo tomaremos las siguientes consideraciones:
PARAMETROS DE ENTRADA: Corriente elctrica. Todas la parejas termoelctricas estn conectadas en serie. Eso significa que el total de corriente elctrica consumida por la clula va a travs ellas.
222
PARAMETROS DE SALIDA: Voltaje. El voltaje total aplicado a la clula es la suma del voltaje de todas las parejas, con lo cual Vpel = 12 Flujo calorfico. El calor intercambiado entre clula y las caras es la suma del calor para cada pareja de la misma.
Los resultados obtenidos en las simulaciones, indicando ya los parmetros de la clula total se describen detalladamente en los apartados siguientes.
6.3.3. ESTUDIO DE LA CLULA EN MODO PELTIER.

Con 250 elementos de iteracin, se han obtenido los resultados siguientes, considerando la clula termoelctrica en modo Peltier. En dichas simulaciones nos aparece el comportamiento terico de la clula, que posteriormente deberemos comparar con las mediciones hechas sobre la clula construida. La evolucin terica de T= f (t) para diferentes valores de intensidad de entrada I (1A y 2A), al cabo de unos 60 segundos es la de las siguientes figuras. Tamb = 300 K
Zn4Sb3-CoSb3 (I= 1A)
29 28,5 Temperatura [C] 28 27,5 27 26,5 26 25,5 25 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 T1 T2 T3 T4 T5 T6
223

29,5 29 28,5 28 27,5 27 26,5 26 25,5 25 24,5 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60
Temperatura [C]
Serie1 Serie2 Serie3 Serie4 Serie5 Serie6
Tamb = 500 K

230 Temperatura [C] 229 228 227 226 225 224 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 T1 T2 T3 T4 T5 T6
224

231 230 Temperatura [C] 229 228 227 226 225 224 223 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 Serie1 Serie2 Serie3 Serie4 Serie5 Serie6
Tamb = 600 K

332 331 330 329 328 327 326 325 324 323 322 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Temperatura [C]
225

334 Temperatura [C] 332 330 328 326 324 322 320 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 Serie1 Serie2 Serie3 Serie4 Serie5 Serie6

La medicin sobre la clula construida se ha realizado con las mismas intensidades (1A, 2A), y obteniendo en este caso nicamente Th y Tc para cada valor de I. Tamb = 300 K
Zn4Sb3-CoSb3 (I=1 A) real
28,5 Temperatura [C] 28 27,5 27 26,5 26 25,5 0 20 40 Tiempo [s] 60 Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
226

30 Temperatura [C] 29 28 27 26 25 24 23 0 20 40 Tiempo [s] 60 Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
Tamb = 600 K Para medir a estas altas temperaturas el mdulo construido se ha situado en una urna cerrada y a su vez sus dos caras superior e inferior en unas zonas estancas slo accesibles por las sondas de medida.

331 330 Temperatura [C] 329 328 327 326 325 324 323 0 20 40 Tiempo [s] 60 Th Tc Tendencia Th Tendencia Tc
227


Aplicando temperatura entre las caras caliente y fra de la clula, y para varios valores de carga RL se observa la tensin y corriente que se generan en ella:
1er caso: T = Th Tc = 300 K
T=300 K
Voltaje en la carga [V] 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0 VL
7, 2
2, 4
1, 8
0, 6
1, 2
3, 6
4, 2
4, 8
5, 4
228
6, 6
7, 8
T=300 K
Intensidad en la carga [A] 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
0 3 4 6 6 8 6 6 2 8 4 2 2 1, 4, 3, 0, 1, 2, 4, 7, 7, 5, 6, 8
IL
T=300 K
3 0 8 4 8 2 4 6 6 2 2 6 1, 4, 6 1, 0, 6, 7, 2, 4, 5, 3, 7, 8
PL
T=300 K
0,3 0,25 Voltaje [V] 0,2 0,15 0,1 0,05 0 0,25 Intensidad [A] Potencia [W] 0,2 0,15 0,1 0,05 0 VL IL PL
0,6
1,2
1,8
2,4
3,6
4,2
4,8
5,4
6,6
7,2
229
7,8
2 caso: T = Th Tc = 500 K
T=500 K
0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 6, 6 7, 2 7, 8 0 3 6
VL
T=500 K
Intensidad en la carga [A] 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
0 3 8 2 4 6 8 2 4 6 2 6 1, 4, 6 0, 6, 7, 2, 3, 4, 1, 5, 7, 8
IL
T=500 K
0 3 8 6 8 4 6 6 2 4 6 2 4, 2 1, 0, 1, 2, 3, 7, 5, 6, 4, 7, 8
PL
230
T=500 K
0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
3 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 6 6, 6 7, 2 7, 8
0,5 Intensidad [A] Potencia [W] 0,4 0,3 0,2 0,1 0 VL IL PL
Voltaje [V]
T=600 K
Voltaje en la carga [V] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
6, 6 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 7, 2 7, 8 0 3 6
VL
231
T=600 K
Intensidad en la carga [A] 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
3 0 8 8 2 4 6 2 6 6 2 1, 4 4, 6 3, 0, 1, 2, 6, 7, 4, 5, 7, 8
IL
T=600 K
0 3 8 6 8 4 6 6 2 4 6 2 4, 2 1, 0, 1, 2, 3, 7, 5, 6, 4, 7, 8
PL
T=600 K
1 Voltaje [V] 0,8 0,6 0,4 0,2 0
3 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 6 6, 6 7, 2 7, 8
0,6 0,4 0,3 0,2 0,1 0 Intensidad [A] Potencia [W] 0,5 VL IL PL
232
6.4. CARACTERIZACIN Y DESARROLLO DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS EN EL RANGO DE 300 A 650 K CON MATERIALES BASADOS EN Zn4Sb3 CoSb3-xAsx..
La siguiente caracterizacin y desarrollo de mdulos termoelctricos parte de materiales que se han caracterizado en colaboracin con la empresa de nuestro grupo de investigacin PANCO (Alemania) y que inicialmente se realiz en el JET Propulsion Laboratory. Se han estudiado soluciones de skutterudites basadas en compuestos del tipo CoSb3-xAsx para temperaturas entre 2K y 1000K. El proceso bsico est sustentado en la influencia del mecanismo de difusin de cargas en una red cristalina con propiedades elsticas. El objetivo es la disminucin de la conductividad trmica de red dejando intacta las propiedades elctricas. La sntesis del CoSb3-xAsx se prepara siguiendo unos pasos bien determinados: 1. Estequiometra adecuada de sus componentes utilizando una pulverizacin lo ms pura posible. 2. Recocido en presencia de nitrato de boro en un recipiente de cuarzo a 600C durante 24h. 3. Las muestras obtenidas fueron lentamente enfriadas a temperatura ambiente. 4. El material as obtenido se prensa a alta temperatura (600 C a 138 MPa) durante 1,5 horas formndose un lingote de 8mm de dimetro. Para la medida de de los parmetros termoelctricos se emplean muestras de 1 a 2 mm de grosor. Para la conductividad trmica a baja temperatura se emplea un criostato protegido ante la radiacin. El coeficiente de Seebeck y la resistividad elctrica se mide mediante Microprobe; dispositivo generado en el seno de nuestro grupo de trabajo para medir dicho coeficiente con un alto grado de precisin. La conductividad trmica a alta temperatura se determina mediante laser-flash. En las siguientes grficas se recogen las diferentes evoluciones del coeficiente de Seebeck, la resistividad elctrica y la conductividad trmica en funcin de la temperatura para el caso de x = 0,016 (CoSb2,984As0,016).
233
400 350 300 250 S [V/K] 200 150 100 50 0 -50 -100 0 200 400 600 800 1000 Temperatura [K]
1,00E+09 1,00E+08 1,00E+07 [m] 1,00E+06 1,00E+05 1,00E+04 1,00E+03 1,00E+02 1,00E+01 1,00E+00 0 200 400 600 800 1000 Temperatura [K]
234
30 25 20 15 10 5 0 0 100 200 300 400 Temperatura [K] 500 600 700 800
[W/mK]
Figura 6.35. Medidas de la evolucin de k en el rango de temperaturas de 0 a 700 K.
6.4.1. MODELADO Y SIMULACIN DE UNA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA UTILIZANDO LOS MATERIALES Zn4Sb3 Y CoSb3-xAsx..
En este apartado se realizar la simulacin y posterior medida de los parmetros termoelctricos de un mdulo construido con CoSb2,984As0,016, que acta de pellet tipo n, y el Zn4Sb3, que acta como pellet de tipo p.
6.4.2. MODELO.
Con el fin de comparar el comportamiento con la clula anterior, se adopta el mismo modelo, y se disea una placa con las mismas condiciones de contorno. Solamente se cambia el tipo de material constituyente de los pellet.
6.4.3. ESTUDIO DE LA CLULA EN MODO PELTIER. 6.4.3.1. Resultados de la simulacin.

Se han obtenido los resultados siguientes considerando la clula termoelctrica funcionando en modo Peltier. La evolucin terica de T= f (t) para diferentes valores de intensidad de entrada I (1A y 2A), al cabo de 60 segundos es la de las siguientes figuras.
235
Tamb = 300 K
Zn4Sb3-CoSb3-xAsx (I= 1A)

31 30 Temperatura [C] 29 28 27 26 25 24 23 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 T1 T2 T3 T4 T5 T6

34 Temperatura [C] 32 30 28 26 24 22 20 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60 T1 T2 T3 T4 T5 T6
236
Tamb = 500 K

232 231 230 229 228 227 226 225 224 223 222 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Temperatura [C]

237
Tamb = 600 K

332 331 330 329 328 327 326 325 324 323 322 0 10 20 30 Tiempo [s] 40 50 60
T1 T2 T3 T4 T5 T6
Temperatura [C]

238

Tamb = 300 K
Zn4Sb3-CoSb3-xAsx (I=1 A) real


239
Tamb = 600 K Las medidas a altas temperaturas se han realizado del mismo modo que en el mdulo anterior.

332 331 330 329 328 327 326 325 324 323 0 20 40 Tiempo [s] 60
Temperatura [C]

240

Una vez diseada y construida la placa, se aplica temperatura en la cara caliente y fra de la clula, y para varios valores de carga RL se mira la tensin y corriente que se generan en ella:
T=300 K
Voltaje en la carga [V] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 6, 6 7, 2 7, 8 0 3 6
VL
T=300 K
Intensidad en la carga [A] 0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
0 3 6 2 4 4 6 2 8 6 2 8 6 1, 4, 5, 2, 0, 1, 3, 4, 6, 7, 7, 8
IL
241
T=300 K
0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3 6 6, 6 4, 2 4, 8 5, 4 3, 6 7, 2 7, 8
PL
T=300 K
1 Voltaje [V] 0,8 0,6 0,4 0,2 0
3 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 6 6, 6 7, 2 7, 8
0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
VL IL PL
242
2 caso: T = Th Tc = 500 K
T=500 K
1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 6, 6 7, 2 7, 8 0 3 6
VL
T=500 K
Intensidad en la carga [A] 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
0 3 8 8 6 6 2 4 6 2 1, 4, 4 6 2 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 7, 8
IL
T=500 K
Potencia en la carga [W] 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0
0 3 6 2 8 8 2 4 6 6 2 4 6 1, 4, 7, 4, 1, 2, 0, 3, 5, 6, 7, 8
PL
243
T=500 K
1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
3 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 6 6, 6 7, 2 7, 8
0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0
Voltaje [V]
VL IL PL

T=600 K
1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
6, 6 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 7, 2 7, 8 0 3 6
VL

T=600 K
Intensidad en la carga [A] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
3 0 8 6 6 4 6 2 6 2 1, 8 4 2 4, 6, 2, 0, 1, 3, 4, 5, 7, 7, 8
IL
244
T=600 K
0 3 6 8 8 6 4 2 4 6 2 6 2 1, 4, 3, 2, 4, 5, 0, 1, 6, 7, 7, 8
PL
T=600 K
1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
3 3, 6 4, 2 4, 8 5, 4 0 0, 6 1, 2 1, 8 2, 4 6 6, 6 7, 2 7, 8
1 Intensidad [A] Potencia [W] 0,8 0,6 0,4 0,2 0 VL IL PL
Voltaje [V]
245
6.5. IMGENES DE LOS DOS MDULOS CONSTRUIDOS Y DE LA EVOLUCIN DEL CALOR EN SUS CARAS.
Los mdulos termoelctricos construidos y sobre los cuales se han realizado las medidas y en los cuales se observan los efectos de su trabajo a altas temperaturas, son los siguientes:
Imagen 6.1. Vista lateral de la clula.
Imagen 6.2. Vista superior de la clula.
Para soldar estos materiales al cobre que sirve de conductor entre ellos, se ha utilizado un compuesto de PbSb como material de aporte. La soldadura se ha realizado libre de oxgeno para que no se produzca oxidacin (en concreto se utiliza gas argn para crear el ambiente adecuado) y la temperatura de soldadura no es demasiado alta (unos 450 C) lo cual es interesante desde el punto de vista de no degradar los materiales a soldar.
246
Las siguientes figuras muestran la simulacin de la distribucin de temperaturas de esta clula termoelctrica de 6 thermo-couples y pellets cilndricos.
Figura 6.58. Estructura termoelctrica (detalle superior).
Figura 6.59. Evolucin de las temperaturas en la estructura termoelctrica. (Vista superior)
247
Figura 6.60. Estructura termoelctrica (detalle inferior).
Figura 6.61. Evolucin de las temperaturas en la estructura termoelctrica. (Vista inferior)
248
6.6. MEDIDAS DE LOS PARMETROS CARACTERSTICOS DE LOS DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS DESARROLLADOS.
En este apartado se exponen las medidas de los diferentes parmetros caractersticos de las dos placas termoelctricas desarrolladas en este captulo; cabe sealar que igual que las placas desarrolladas en los captulos 4 y 5, estas medidas han sido realizadas segn se expone en los anexos a esta memoria y con dispositivos de medida generados a especficamente para ello, o bien, utilizando por nuestra parte equipos del DLR en Alemania o de la empresa Panco, tambin en Alemania.
6.6.1. PARMETROS THERMO-COUPLES Zn4Sb3+CoSb3.

Por lo que se refiere al mdulo termoelctrico con thermo-couples compuestas por los materiales Zn4Sb3 y CoSb3, tenemos:
Zn4Sb3+CoSb3
160 140 120 S [V/K] 100 80 60 40 20 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Temperatura [K]
Figura 6.62. Media de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 610 K.
Vemos una tendencia constante a la subida del valor del coeficiente de Seebeck, por lo que se deduce un buen comportamiento del mdulo a temperaturas mucho mayores a las del rango considerado, con la salvedad de sus contactos con soldadura que deberan realizarse con otros materiales o considerar estas uniones realizadas con otras tecnologas que no fuera soldadura con aporte de material.
249
300 250 200 [S/cm] 150 100 50 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
La conductividad elctrica de este mdulo termoelctrico muestra unos valores bastante estables dentro del rango considerado; ahora bien siguiendo el hilo del comentario anterior, donde se predice un buen comportamiento del mdulo a muy altas temperaturas debera confirmarse la tendencia a la estabilidad de los valores de que se deduce a partir de los 625 K.
1,4 1,2 1 [W/mK] 0,8 0,6 0,4 0,2 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
La tendencia de los valores de , tambin es muy estable en el rango de temperaturas considerado.
250
6.6.2. PARMETROS MDULO Zn4Sb3+CoSb3As.

Por lo que se refiere al mdulo termoelctrico con thermo-couples compuestas por los materiales Zn4Sb3 y CoSb3, tenemos:
Zn4Sb3+CoSb3As
300 250 200 S [V/K] 150 100 50 0 275
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
Figura 6.65. Media de la evolucin de S en el rango de temperaturas de 300 a 610 K.
Tambin en este segundo mdulo, desarrollado en este captulo, se observa un tendencia estable en los valores de S, tal como se observa en la anterior figura 6.65.
400 350 300 [S/cm] 250 200 150 100 50 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Temperatura [K]
251
En la evolucin de la conductividad elctrica, se observa en la figura 6.66, una tendencia al crecimiento exponencial y se intuye un crecimiento an mayor para temperaturas mayores al rango considerado.
5 4,5 4 3,5 [W/mK] 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Temperatura [K]
Figura 6.67. Media de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 610 K
Se observa un valor prcticamente constante del valor de en el rango de temperaturas considerado, lo que implica un comportamiento estable dentro del rango de temperaturas considerado.
6.7. COMPARATIVA DE LAS DOS CLULAS CON MATERIALES SKUTTERUDITES FUNCIONANDO EN MODO SEEBECK.
En las siguientes figuras se observan unas mejores caractersticas de la clula termoelctrica con thermo-couples formadas por las parejas de materiales Zn4Sb3+CoSb3-xAsx, respecto a la clula formada por las parejas de materiales Zn4Sb3+CoSb3 en todo el rango de temperaturas considerado, funcionando en modo Seebeck..
252
T = 300 K
VL
Voltage en la carga [V] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
IL
0,35 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Intensidad en la carga [A]
Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
253
PL
Potencia en la carga [W] 0,06 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
T = 500 K
VL
1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Voltage en la carga [V]
254
IL
0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Intensidad en la carga [A]

PL
Potencia en la carga [W] 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
T = 600 K
VL
1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Voltage en la carga [V]
255
IL
Intensidad en la carga [A] 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
PL
Potencia en la carga [W] 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,05 0 0 2 4 6 8 Resistencia en la carga [] Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
6.8. COMPARATIVA DE TODOS TERMOELCTRICOS UTILIZADOS.
LOS
MATERIALES
En los siguientes grficos se muestran las propiedades termoelctricas de todos los materiales utilizados en este trabajo de investigacin en los captulos 4, 5 y el presente como materiales constituyentes de las thermo-couples de los diferentes mdulos termoelctricos desarrollados en este trabajo de investigacin.
256
4 3,5 3 Z10e3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Mp1 Mp2 Mn Zn4Sb3 CoSb3 CoSb3As
Temperatura [K]
. Figura 6.77. Media de la evolucin de Z de todos los pares de materiales en el rango de temperaturas de 300 a 610 K. En la figura 6.77, se observa, dentro del intervalo de temperaturas considerado:

Un factor Z superior para el CoSb3As, entre 300 y 450 K Algo menor, pero con igual tendencia evolutiva para los materiales de BiTe considerados como Mp1, Mp2 y Mn, tambin entre 300 y 450 K. Un valor mucho menor para los materiales CoSb3 y Zn4Sb3; aunque creciente a partir de 450 K. Una inflexin en el comportamiento a partir de 650 K, lo que hace predecir un buen comportamiento del mdulo termoelctrico compuesto por CoSb3 y Zn4Sb3 a temperaturas mayores a esta temperatura.
Se observa en la siguiente figura 6.78 un mejor coeficiente de Seebeck (S), en este rango de temperaturas, para el CoSb3As, y en menor manera para los compuestos BiTe denominados en este trabajo Mp2 y Mn . As mismo se observa para estos mismos materiales un decrecimiento creciente a partir de los 475K, cosa que explica el comportamiento de estos mdulos cuando estos materiales constituyen sus pellet y se les hace trabajar dentro o fuera de este rango. Para los materiales CoSb3 y Zn4Sb3 se observa un bajo valor del coeficiente S en este rango de temperaturas considerado; ahora bien, se observa al mismo tiempo que dicho coeficiente mejora para temperaturas mayores a 700 K, mostrndose como elementos substitutivos de todos los anteriores que precisamente muestran un declive al entrar en estas altas temperaturas.
257
400 350 300 S [v/K] 250 200 150 100 50 0 275 Mp1 Mp2 Mn Zn4Sb3 CoSb3 CoSb3As
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 275
Mp1 Mp2 Mn Zn4Sb3 CoSb3 CoSb3As
[S/cm]
375
475 Temperatura [K]
575
Figura 6.79. Medidas de la evolucin de en el rango de temperaturas de 300 a 610 K
Referente a la conductividad elctrica, dentro de este rango de temperaturas considerado, se observa que:

Los materiales Mp1, Mp2 y Mn, muestran un decrecimiento que se estabiliza en el lmite de temperaturas considerado. Los materiales CoSb3 y Zn4Sb3 muestran un comportamiento prcticamente constante. El CoSb3As, muestra un crecimiento exponencial, prcticamente inverso a los materiales de Bi Te.
258
9 8 7 [W/mK] 6 5 4 3 2 1 0 275 325 375 425 475 525 575 625 Mp1 Mp2 Mn Zn4Sb3 CoSb3 CoSb3As
Temperatura [K]
Por lo que se refiere a la , tambin se observa en este caso un comportamiento singular del CoSb3As, respecto a los otros materiales en este rango de temperaturas considerado entre 300 y 610 K. Estas diferencias en las propiedades, seguro que afectan a los mdulos desarrollados en el presente trabajo, es por ello que se dedica el siguiente apartado a comparar los parmetros termoelctricos de los mdulos desarrollados. Ello nos permite acabar de caracterizar dichas clulas y al mismo tiempo comparar su comportamiento en el rango de temperaturas considerado y adems intuir su comportamiento a mayores temperaturas que las consideradas en el presente trabajo de investigacin.
6.9. COMPARATIVA DE LOS PARMETROS TERMOELCTRICOS DE TODOS LOS MDULOS Y LAS THERMO-COUPLES DE LOS MISMOS.
En los siguientes grficos se muestran las propiedades termoelctricas de las thermo-couples de los diferentes mdulos construidos y analizados en el presente trabajo de investigacin; as se determinan los valores del coeficiente de Seebeck (S), la conductancia elctrica (), la conductancia trmica () de cada una de las thermocouples de los mdulos termoelctricos desarrollados en los captulos 4 y el presente captulo 6.
259
En todas las figuras se expresa esta comparativa indicando:

Mp1 + Mn, para referirse el primer mdulo termoelctrico, desarrollado en el captulo 4 y formado por thermo-couples constituidas por los materiales denominados precisamente como Mp1 y Mn en dicho captulo. Mp2 + Mn, para referirse el segundo mdulo termoelctrico, desarrollado en el captulo 4 y formado por thermo-couples constituidas por dichos materiales denominados precisamente como Mp2 y Mn en dicho captulo. Zn4Sb3 + CoSb3, para referirse el primer mdulo termoelctrico, desarrollado en este captulo 6 y formado por thermo-couples constituidas por estos materiales. Zn4Sb3 + CoSb3As, para referirse el segundo mdulo termoelctrico, desarrollado en este captulo 6 y formado por thermo-couples constituidas por estos materiales.
300 250 200 S [V/K] 150 100 50 0 275 Mp1+Mn Mp2+Mn Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
325
375
425
475
525
575
625
Temperatura [K]
En la figura anterior se puede observar cmo la clula con thermo-couples de Zn4Sb3+CoSb3 es la nica que al aumentar la temperatura tiene un coeficiente de Seebeck creciente, lo cual hace que sea idnea para trabajar a temperaturas por encima de los 600 K, que es donde conseguir su mayor rendimiento. Las estructuras termoelctricas basadas en (Bi2Te3)1-x-y(Sb2Te3)x(Sb2Se3)y (Mp1+Mn y Mp2+Mn) tienen un comportamiento parecido entre ellas, teniendo un coeficiente de Seebeck medio ligeramente superior la clula con thermo-couples del tipo Mp2+Mn que la formada por Mp1+Mn. El coeficiente de Seebeck va creciendo hasta los 400 K, y a partir de ah empieza otra vez a decrecer.
260
La clula con thermo-couples de skutterudites del tipo Zn4Sb3+CoSb3-xAsx presenta un comportamiento parecido a las basadas en (Bi2Te3)1-x-y(Sb2Te3)x(Sb2Se3)y en funcin de la temperatura, pero con valores bastante superiores de coeficiente de Seebeck, alcanzando un mximo en los 350 K de 245 V/K, mientras que los tipos basados en (Bi2Te3)1-x-y(Sb2Te3)x(Sb2Se3)y (Mp1+Mn y Mp2+Mn) se quedan en 225 V/K de valor mximo a 400 K.
2000 1800 1600 1400 [S/cm] 1200 1000 800 600 400 200 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Mp1+Mn Mp2+Mn Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
Temperatura [K]
Figura 6.82. Evolucin de en las thermo-couples en el rango de temperaturas de 300 a 610 K.
5 4,5 4 3,5 [W/mK] 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 275 325 375 425 475 525 575 625
Mp1+Mn Mp2+Mn Zn4Sb3+CoSb3 Zn4Sb3+CoSb3As
Temperatura [K]
De las clulas termoelctricas basadas en skutterudites (Zn4Sb3+CoSb3 y Zn4Sb3+CoSb3-xAsx) hay que decir que la conductividad trmica de las thermo-couples tiene una dbil dependencia con la temperatura, que es un hecho propio de los semiconductores fuertemente dopados. 261
6.10. COEFFICIENT OF PERFORMANCE DIFERENTES PLACAS CONSTRUIDAS.
(COP)
DE
LAS
En este apartado, se obtienen los diferentes COP de todas las placas desarrolladas en el presente trabajo de investigacin. Para obtener el COP (Coefficient of performance) de una clula termoelctrica funcionando como refrigerador debemos saber el calor que absorbe la estructura (Qc) y la potencia elctrica de salida del sistema (Pe).
COP = Qc Pe
Analticamente se puede considerar la siguiente expresin:

T m opt H TC Q TC COP = C = T T m +1 Pe H opt C = COP Carnot COPrelativo
(6.1)
donde,
TC COPCarnot = T T es la eficiencia de Carnot C H
y
T m opt H TC COPrelativo = con mopt, es la eficiencia relativa debida a las caractersticas m opt + 1 del material termoelctrico utilizado en la realizacin del termomdulo.
QC es el flujo de calor en la parte fra. Pe es la potencia elctrica de entrada. TH y TC son las temperaturas caliente y fra respectivamente. Tambin se puede definir el COP desde el punto de vista del flujo de calor en la parte caliente, es decir, QH cuya expresin vendra dada por,
262
T m opt C TH Q TH COP = H = T T m +1 Pe H C opt
= COP Carnot COPrelativo
(6.2)
6.10.1. COP EXPERIMENTAL DE LOS DIFERENTES MDULOS.

El clculo de Qc se hace de forma experimental, colocando una barra homognea de un material conocido sobre la cara de la cual se quiere hallar el COP (en nuestro caso la cara fra), cubriendo totalmente la cermica de la estructura termoelctrica, tal y como muestra la imagen inferior. Aplicando temperaturas diferentes en ambos extremos de la barra generamos un flujo de calor que penetra en nuestra clula termoelctrica, el cual conocemos, ya que:
Qc = barra L (T1 T2 )
Superfcie a T1
Longitud L
Qc
Superfcie a T2
Figura 6.84. Medicin prctica de Qc.
En el caso de querer calcular el COP de la cara caliente se realizara la misma operacin pero en la cara caliente.
263
Por otro lado, la potencia elctrica que consume la estructura termoelctrica cuando est funcionando es la siguiente.
Pe = S T I I 2 R
Por lo tanto tendremos que el COP es:

COP =
barra L (T1 T2 ) Qc = Pe S (Th Tc ) I I 2 R
El COP experimental que se obtiene cuando Tc es variable y Th es constante se observa en los siguientes grficos. Evidentemente cuanto ms alto es el salto trmico que se desea menor es el COP del monomdulo estudiado.
6.10.1.1 COP mdulo formado por materiales Mp1 y Mn.

El mdulo termoelctrico desarrollado en el captulo 4 con thermo-couples de los materiales Mp1 y Mn, es el de la figura:
Mp1+Mn
4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Intensidad [A]
COP
dT=0 dT=20 dT=40
Figura 6.85. COP Mp1+Mn.
264
6.10.1.2. COP mdulo formado por materiales Mp2 y Mn.

Mp2+Mn
4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Intensidad [A]
COP
dT=0 dT=20 dT=40
Figura 6.86. COP Mp2+Mn.
6.10.1.3. COP mdulo formado por materiales Zn4Sb3+CoSb3.

Zn4Sb3+CoSb3
4 3,5 3 2,5 COP 2 1,5 1 0,5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Intensidad [A] dT=0 dT=20 dT=40
Figura 6.87. COP Zn4Sb3+CoSb3..
265
6.10.1.4. COP mdulo formado por materiales Zn4Sb3+CoSb3As.

Zn4Sb3+CoSb3As
4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Intensidad [A]
COP
dT=0 dT=20 dT=40
Figura 6.88. COP Zn4Sb3+CoSb3As.
6.10.1.5. COP mdulo multietapa formado por materiales Mp2 y Mn.

Multietapa
6 5 4 COP 3 2 1 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Intensidad [A] dT=0 dT=20 dT=40
Figura 6.89. COP multietapa.
266
6.11. CONCLUSIONES.
Este captulo de la tesis se ha dedicado al desarrollo y caracterizacin en el rango de 300 a 650 K de mdulos termoelctricos con thermo-couples constituidas por materiales conseguidos mediante nanotecnologa, y a una posterior comparativa de todos los mdulos caracterizados en este trabajo de investigacin. Concretamente se han caracterizado dos mdulos con comportamiento diverso dentro del rango de temperaturas considerado. El proceso de caracterizacin se ha desarrollado siguiendo el mismo modelo y mtodo que en los captulos 4 y 5 ya que nos ha dado buenos resultados; y cuya aplicacin nos ha vuelto ha resultar suficientemente ajustada an cuando, como es el caso del trabajo de este captulo 6, se trabaja con thermo-couples con pellet de dimensin no estndar y de forma cilndrica. Esto ha sido posible gracias a los estudios realizados en el captulo 3 sobre la influencia de la geometra y el material de los pellet del sistema termoelctrico, y tambin gracias a la posibilidad de introducir en el modelo aspectos como por ejemplo la conveccin. Las comparaciones de los resultados de las simulaciones, los resultados experimentales y las soluciones obtenidas muestran una correlacin muy buena. Por otro lado, cabe sealar pequeas desviaciones en el voltaje debidas en gran medida a que no se conocen con precisin los valores de la conductividad real y el grosor de las uniones de cobre del termoelemento, en la fabricacin del mdulo. Como resultado de dichas comparaciones, se puede afirmar que la clula que contiene CoSb3As tiene mejores caractersticas termoelctricas en la en todo el rango de temperaturas. En este mismo captulo se realiza un anlisis comparativo entre los caracterizados con materiales de BiTe (Mp1, Mp2 y Mn), y los basados en CoSb3; constatando las influencias tanto del tamao y geometra del material las propiedades de dichos materiales en el comportamiento del mdulo en el temperaturas considerado. De las diferentes conclusiones realizadas en este captulo cabe destacar: Referente al parmetro Z de los materiales dentro del intervalo de temperaturas considerado, se observa:

mdulos Zn4Sb3 como de rango de
Un mejor factor Z para el CoSb3As, entre 300 y 450 K Un valor algo menor para los materiales de BiTe considerados como Mp1, Mp2 y Mn, tambin entre 300 y 450 K. Un valor mucho menor para los materiales CoSb3 y Zn4Sb3; aunque creciente a partir de 450 K. Una inflexin en el comportamiento a partir de 650 K, lo que hace predecir un buen comportamiento del mdulo termoelctrico compuesto por CoSb3 y Zn4Sb3 a temperaturas mayores a esta temperatura. 267
Por lo que se refiere al coeficiente de Seebeck, en este rango de temperaturas, se observa:
Unos valores ms altos para el material CoSb3As, y en menor manera para los compuestos BiTe denominados en este trabajo Mp2 y Mn. Observando un decrecimiento creciente a partir de los 475K, cosa que explica el comportamiento de los mdulos cuando estos materiales constituyen los pellet de estos mdulos y se les hace trabajar dentro o fuera de este rango. Unos valores menores para los materiales CoSb3 y Zn4Sb3 en este rango de temperaturas considerado; ahora bien, se observa al mismo tiempo que dicho coeficiente mejora para temperaturas mayores a 700 K, mostrndose como elementos substitutivos de todos los anteriores que precisamente muestran un declive al entrar en estas altas temperaturas.
Y finalmente, por lo que se refiere a los materiales, se observa un comportamiento singularmente bueno de los valores de k para el material CoSb3As, respecto al resto de materiales en este rango de temperaturas comprendido entre 300 y 610 K. Pasando al comportamiento tanto de los mdulos como de sus thermo-couples, hay que sealar:
Que la clula con thermo-couples de Zn4Sb3+CoSb3 es la nica que al aumentar la temperatura tiene un coeficiente de Seebeck creciente, lo cual hace que sea idnea para trabajar a temperaturas por encima de los 600 K, que es donde conseguir su mayor rendimiento. Que las estructuras termoelctricas basadas en los materiales (Bi2Te3)1-x-y(Sb2Te3)x(Sb2Se3)y (Mp1+Mn y Mp2+Mn) tienen un comportamiento parecido entre ellas, teniendo un coeficiente de Seebeck medio ligeramente superior la clula con thermo-couples del tipo Mp2+Mn que la formada por Mp1+Mn. El coeficiente de Seebeck va creciendo hasta los 400 K, y a partir de ah empieza otra vez a decrecer, lo cual determina su rango de aplicacin.
Se puede deducir una relacin muy directa de las propiedades termoelctricas del mdulo con las del material constituyente de los pellet de las thermo-couple; confirmando las afirmaciones del captulo 3 de esta misma memoria en el estudio y anlisis de la influencia de las propiedades de los pellet en el mdulo termoelctrico.
268
Captulo 7. Conclusiones
CAPTULO 7 CONCLUSIONES
7.1. CONCLUSIONES GENERALES.
El trabajo de investigacin realizado en esta tesis doctoral ha tenido como objetivo principal la caracterizacin de nuevas clulas termoelctricas a partir de la mejora de caractersticas fsicas y elctricas a nivel de mdulo termoelctrico; con el uso de pellets y estructuras con nueva geometra y construidos con nuevos materiales (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y crecidos con tcnicas de cristalizacin de Bridgeman [88], y materiales Zn4Sb3 - CoSb3 sintetizados con nanotecnologa. Estos materiales han sido caracterizados en el seno de nuestro grupo de investigacin europeo, caracterizacin en la cual este investigador ha participado de manera colateral trabajando en estrecha colaboracin muy directamente con el DLR (German Aerospace Centre) y la empresa PANCO (Mlheim-Krlicher Germany); siendo encargado a este investigador la tarea de caracterizacin de mdulos termoelctricos con thermo-couples formadas por dichos materiales. La lnea adoptada por este trabajo de investigacin diverge y converge a la vez de la que aparece de manera general en la bibliografa especializada, donde se muestran claramente dos tendencias, por un lado (la mayora) los que trabajan en la bsqueda de nuevos materiales y por otro (una minora) trabaja en la mejor aplicacin de los fenmenos termoelctricos. Se puede afirmar que diverge; ya que en el presente trabajo de investigacin se ha trabajado en la lnea de buscar una mejor comprensin y aplicacin de los principios fsicos que rigen estos fenmenos [16], a diferencia de la mayor parte la comunidad cientfica que intenta aumentar el factor de mrito por medio de la bsqueda de nuevos materiales, incluidos los sistemas de baja dimensionalidad como puntos cunticos y superredes. Y tambin se puede afirmar que converge; ya que globaliza en una sola investigacin la caracterizacin de nuevas clulas termoelctricas a partir de la mejora de caractersticas fsicas y elctricas a nivel de mdulo termoelctrico; con el uso de pellets y estructuras con nueva geometra y construidos con nuevos materiales. As mismo, se puede concluir que el presente trabajo de investigacin ha contribuido a la validacin de unos modelos que han sido aplicados en el diseo y simulacin de estructuras termoelctricas, que una vez construidas han mostrado una buena aproximacin a los resultados predichos por las simulaciones de estos modelos. Adems la bondad de comportamiento de los modelos aplicados y la profundizacin en el estudio de los fenmenos termoelctricos, como son inercia en la respuesta y el tratamiento en 3D, ha permitido la realizacin de un diseo de aplicacin industrial de un sistema termoelctrico para una empresa del grupo Fagor; diseo que en el momento de cierre de la presente memoria se encuentra sometido a las pruebas de estrs y robustez para determinar su definitiva adopcin y su posterior fabricacin industrial en serie. 269
7.2. CUMPLIMIENTO DE OBJETIVOS.

Uno de los objetivos de este trabajo de investigacin ha sido aportar un estudio de la posible mejora de caractersticas fsicas y elctricas a nivel de mdulo termoelctrico; con el uso de pellets y estructuras con nueva geometra y construidos con nuevo materiales caracterizados en el seno del grupo de investigacin y dictaminar su buen comportamiento en un rango de temperaturas. Este objetivo ha sido trabajado de manera sistemtica en varios de los captulos de la memoria; as en el captulo 1 en un primer repaso del estado del arte y en mayor manera en el captulo 2 se exponen y analizan diversos modelos de la estructura termoelctrica. El estudio de diversos modelos publicados por diferentes autores representa el punto de partida del presente trabajo de investigacin. El comportamiento en frecuencia es muy poco tratado por los diversos investigadores en el modelado de las estructuras termoelctricas, sin embargo hay aplicaciones que requieren un tratamiento en frecuencia y que estn relacionadas con la miniaturizacin de la clula. Hacia este estudio del comportamiento en frecuencia se han dirigido parte de los esfuerzos de este trabajo de investigacin y de este planteamiento aparece los artculos publicados en [95][96][105][112]. Estos aspectos de la inercia en la respuesta del sistema termoelctrico han sido tratados en este trabajo de investigacin en el captulo 2 con el modelo elctrico en frecuencia aportado y explicitado en el apartado 2.11. Este modelo en frecuencia junto con el estudio de la respuesta en frecuencia de la clula termoelctrica en el control de bombeo desarrollado en el captulo 5, apartado 5.3, han permitido el desarrollo del diseo de una estructura termoelctrica funcionando como generador y con tiempo de inercia bajo que no cumple ningn mdulo comercial hasta el momento. Este mdulo ha sido desarrollado con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y para una aplicacin industrial. Referente a la influencia de la geometra, se ha centrado buena parte del esfuerzo de este trabajo de investigacin en este sentido. As en el apartado 2.12., se trata de la importancia de la geometra del semiconductor en la estructura termoelctrica; profundizndose en el captulo 3, (concretamente en al apartado 3.4.), donde se trabajan los aspectos de la importancia de la geometra de los pellet en el mdulo termoelctrico en los efectos Peltier e irreversible. La conclusin principal obtenida en este apartado es que el rendimiento mximo puede ser obtenido con cualquier geometra, la esbeltez de la cual se obtiene segn (3.33). Adems se pone de manifiesto que cada geometra tendr un volumen diferente para su rendimiento mximo, y se demuestra que el volumen mnimo correspondiente a secciones constantes. Estas secciones constantes son las que se han adoptado en los desarrollos de los diferentes mdulos del presente trabajo. Tambin se concluye en el mismo captulo 3, que la relacin entre el valor de la esbeltez (E) que optimiza la potencia de refrigeracin y su correspondiente rendimiento es independiente de la corriente elctrica, slo es funcin de las propiedades termoelctricas y de la temperatura en los extremos del pellet.
270
Estas conclusiones respecto de la geometra han sido de aplicacin en los desarrollos de los mdulos termoelctricos expuestos en los captulos 4, 5 y 6. Por lo que se refiere al objetivo de caracterizacin de mdulos termoelctricos construidos con nuevos materiales caracterizados en el grupo de investigacin y con nuevas geometras, cabe resear que esta caracterizacin se ha realizado y se ha hecho con diversos materiales, con diferentes dimensionados y con diferentes geometras (tanto a nivel de thermo-couple como de mdulo termoelctrico); realizndose dichas caracterizaciones en diferentes rangos de temperatura. Trabajando en este sentido, en el captulo 4 se han desarrollado, caracterizado, construido y testeado dos estructuras termoelctricas en el rango de 270 a 450 K con materiales basados en (Bi2Te3)1-x-y (Sb2Te3)x (Sb2Se3)y que en su caracterizacin nos presentan unas buenas propiedades en este rango de temperaturas. La caracterizacin comienza con un estudio de las propiedades termoelctricas de los materiales semiconductores que van a constituir las thermo-couple, pasando seguidamente a la caracterizacin de los dos mdulos termoelctricos. Se han caracterizado dos mdulos, uno con thermo-couples formadas por material tipo p (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 1 de (SbI3, Te) y material tipo n (Bi2Te3)0,8(Sb2Te3)0,1(Sb2Se3)0,1 con dopado de (SbI3); y en otro mdulo termoelctrico utilizando el mismo material tipo n, pero con material tipo p (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 2 de (SbI3 , Te) para formar las diferentes thermo-couples. La caracterizacin de ambos mdulos termoelctricos, contina con la adopcin de un modelo en elementos finitos en tres dimensiones y se considera el dimensionado as como las condiciones de contorno para pasar a la simulacin tanto considerando su funcionamiento como bomba de calor y refrigerador como de generador, mostrando la simulacin de ambas estructuras un buen comportamiento en el rango de temperaturas considerado. Se sigue la caracterizacin con la construccin real de dichos mdulos termoelctricos y se efectan las medidas sobre los mismos, obtenindose unos resultados suficientemente ajustados entre simulacin y dispositivo real por lo cual se considera conseguida una buena caracterizacin de estos nuevos mdulos. De la caracterizacin se determinan unas mejores caractersticas termoelctricas en el mdulo con thermo-couples que contienen como material tipo p el (Bi2Te3)0,3(Sb2Te3)0,67(Sb2Se3)0,03 con dopado 2 de (SbI3, Te), resultado que era de esperar debido a las mejores caractersticas termoelctricas que se obtuvieron en la caracterizacin de este material semiconductor respecto del otro material tipo p en este mismo rango de temperaturas de 270 a 450 K; confirmando lo que ya se desprenda del estudio realizado en el captulo 3, sobre la influencia de las propiedades de los materiales constituyentes de las thermo-couples en el comportamiento del mdulo en un rango de temperaturas considerado. Continuando con el trabajo de caracterizacin, en el captulo 5, se desarrolla un sistema termoelctrico para una aplicacin industrial funcionando como generador y con unas exigencias de respuesta que no cumple ningn mdulo comercial. En este captulo usando el mismo modelo en elementos finitos se dimensiona, simula y construye un sistema termoelctrico en dos niveles, debindose hacer un esfuerzo de profundizacin en el estudio de la inercia en la respuesta del sistema y de la respuesta en frecuencia de la clula termoelctrica en el control de bombeo, como se detalla en el 271
apartado 5.3, de dicho captulo. Los resultados obtenidos finalmente son un sistema termoelctrico, con unos pellet de dimensiones no estndar, que ha sido bien caracterizado puesto que una vez construido cumple con todas las premisas de las especificaciones iniciales deseadas a nivel termoelctrico, con lo cual se puede afirmar la bondad de la caracterizacin y que el modelo usado en la simulacin se ha ajustado suficientemente a la realidad de los resultados obtenidos. Finalmente era de mucho inters del grupo de investigacin que el presente trabajo realizara la caracterizacin y desarrollo y de estructuras termoelctricas en el rango de 300 a 650 K usando materiales crecidos con nanotecnologa, donde las caractersticas termoelctricas de los materiales semiconductores dependen del tamao del grano en que queda constituido el material semiconductor. Con esta finalidad, el captulo 6 de esta tesis se ha dedicado al desarrollo y caracterizacin de mdulos termoelctricos con thermo-couples constituidas con materiales conseguidos con nanotecnologa. De hecho, como se expone en dicho captulo, se han caracterizado dos mdulos con comportamiento diverso dentro del rango de temperaturas considerado, desarrollndose el proceso de caracterizacin siguiendo el mismo modelo y mtodo que en los captulos 4 y 5 nos haban mostrado buenos resultados; y cuya aplicacin nos ha vuelto ha resultar suficientemente ajustada an cuando, como es el caso del trabajo de este captulo 6, se trabaja con thermo-couples con pellet de dimensin no estndar y de forma cilndrica. La adopcin de pellet cilndricos ha venido determinada por necesidades de fabricacin y han sido adoptados definitivamente una vez sacadas las conclusiones del captulo 3; con las cuales se sabe que:
o El valor de la eficacia mxima es independiente de la forma de la seccin transversal y su variacin depende nica y exclusivamente de la esbeltez total del termoelemento, de las temperaturas y de las propiedades de los materiales, considerando stas constantes. o El volumen mnimo para eficacia mxima se obtiene con termoelementos de seccin transversal constante.
En este mismo captulo 6 se realiza un anlisis comparativo entre los mdulos caracterizados con materiales de BiTe y los basados en Zn4Sb3 - CoSb3; constatando las influencias tanto del tamao y geometra del material como de las propiedades de dichos materiales en el comportamiento del mdulo en el rango de temperaturas considerado. Por lo reseado en los prrafos anteriores, referidos a trabajos de caracterizacin, creemos puede considerarse cumplido el objetivo principal de la presente tesis, como era la caracterizacin de mdulos termoelctricos construidos con nuevos materiales caracterizados en el seno del grupo de investigacin y con nuevas geometras. Adems, de manera colateral se ha conseguido la validacin de modelos que una vez han mostrado su bondad de comportamiento de manera reiterada pueden ser utilizados por otros investigadores, creemos que con la suficiente fiabilidad. As en el captulo 3, se ha realizado un anlisis comparativo de diferentes modelos sobre placas 272
termoelctricas comerciales, constatando la bondad y la relacin eficacia/esfuerzo en la aplicacin del mtodo. En el anlisis se determina la bondad de los mtodos en elementos finitos y se escoge para las caracterizaciones un modelo en tres dimensiones que aplicado en los captulos 4, 5 y 6, ha dado buenos resultados y por consiguiente muestra una buena adaptacin y fiabilidad para diferentes casusticas y caractersticas de los sistemas termoelctricos. Adems cabe resaltar que los resultados obtenidos con material del tipo CoSb3-XAsX, son sorprendentemente buenos en un rango de temperaturas ms propias del BiTe que no de este tipo de materiales conseguidos con nanotecnologas; y sin embargo los resultados de los mdulos construidos con los otros materiales obtenidos con nanotecnologa son bastante peores an en el rango de temperaturas estudiado y se intuye una mejora de su comportamiento a mayores temperaturas que no han sido ensayadas en este trabajo de investigacin. Por otro lado; como ya se constata al inicio de la tesis, es de resaltar la importancia de disponer de unas medidas lo ms precisas posibles, por esta razn a parte de disponer de los aparatos del Centro Aeroespacial Alemn, se han diseado y construido herramientas para ese propsito y que figuran detalladas en anexos a esta memoria.
7.3. FUTURAS LNEAS DE TRABAJO.

En este apartado se realizan algunas propuestas que daran continuidad, complementando y mejorando, las lneas de actuacin seguidas en esta tesis doctoral en el sentido de avanzar en la caracterizacin y desarrollo de nuevas estructuras termoelctricas.
7.3.1. CARACTERIZACIN Y REALIZACIN DE PROTOTIPOS DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS A ALTAS TEMPERATURAS CON MATERIALES CRECIDOS EN NANOTECNOLOGA.
A altas temperaturas estn demostradas las buenas propiedades termoelctricas de estos materiales. Concretamente los materiales Zn4Sb3 - CoSb3, utilizados en la presente investigacin, y los mdulos termoelctricos caracterizados y desarrollados en la presente tesis en el rango de temperaturas 300 a 650 K, muestran una tendencia a un muy buen comportamiento para temperaturas mayores a 650 K. Tendencia que sera interesante constatar en un posterior trabajo que complemente y ample el actual. Ahora bien, existen dificultades en obtener medidas de estas propiedades a altas temperaturas; sin embargo, es necesario y se debe seguir trabajando para poder caracterizar y desarrollar mdulos ptimos a muy altas temperaturas puesto que tienen aplicacin en el campo aeroespacial.
273
Adems, para estas altas temperaturas, debe seguir trabajndose tanto en las tcnicas como en los materiales de soldadura y a ser posible eliminar estas soldaduras de contacto. De hecho en la generacin de las placas de Zn4Sb3 - CoSb3, para soldar stos materiales al cobre que sirve de conductor entre ellos se ha utilizado un compuesto de PbSb como material de aporte. Adems la soldadura se ha realizado libre de oxgeno para que no se produzca oxidacin (en concreto se ha utilizado gas argn para crear el ambiente adecuado) y la temperatura de soldadura de unos 450 C, lo cual es interesante desde el punto de vista de no degradar los materiales a soldar. Otra opcin que no se ha contemplado, para no degradar el dopado de los materiales, en este experimento es la utilizacin de ultrasonidos para la soldadura. As pues, queda bastante camino por recorrer en la aplicacin a altas temperaturas, pero es necesario obtener caracterizaciones y modelos fiables para optimizar y desarrollar mdulos con un buen rendimiento a estas temperaturas.
7.3.2. CARACTERIZACIN Y REALIZACIN DE PROTOTIPOS DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS CON PELLET DE PERFIL NO CONSTANTE.
En el presente trabajo de investigacin, se ha analizado tanto la geometra como las propiedades de los pellet, y del estudio se deducen las enormes posibilidades que tiene utilizar geometras diferentes a la seccin transversal constante. Por ejemplo, el uso de la seccin exponencial permite tener un 52. % ms de rea en los extremos del pellet usando nada ms un 5.12 % ms de material termoelctrico que con una seccin transversal constante. Este incremento de rea en los extremos del pellet puede favorecer la transmisin de calor en las lminas cermicas. Al mismo tiempo, se ha observado la existencia de puentes elctricos en los extremos de los pellet, los cuales producirn en algunas secciones, y en particular en las ms cercanas a los extremos, modificaciones en la distribucin de la corriente elctrica y de la temperatura. Estas variaciones modificarn la relacin entre longitud y seccin del pellet y en consecuencia variaran los valores de intercambio de potencia trmica y los rendimientos asociados; valores que, en el caso de la presente investigacin, no se han visto afectados ya que la esbeltez de los pellet se ha mantenido constante. Sera pues interesante investigar con profundidad dicho fenmeno. As mismo el estudio de la influencia del cambio de propiedades en el seno del pellet se ha realizado, en el presente trabajo, considerando un pellet infinitamente grande, no para uno real. Si la conductancia trmica de las uniones es finita entonces tendremos que TiyT0i son diferentes y no se cumple la ecuacin (3.59). Los diferentes puntos de las uniones tendrn temperaturas diferentes. El anlisis matemtico de cada caso es muy complejo y los resultados no justifican el esfuerzo realizado. Pero existe un mtodo que minimiza los efectos no deseados. Para ello es necesario disminuir el flujo trmico que va de un pellet a otro. En este caso, la distribucin estadstica dentro del pellet no sera correcta. La mejor opcin sera distribuir los pellets de tal manera que uno de un tipo tuviera el mayor nmero de vecinos del otro tipo (tipos n y p). En este caso disminuiran las prdidas por calor a lo largo de la unin. Adems el construir
274
pellet con distinto dopado en su estructura presenta una gran dificultad; ya que es difcil dopar contactos muy cercanos entre s.
Es por ello interesante profundizar en el estudio de estos fenmenos y seguir caracterizando estructuras con thermo-couples con pellet de perfil no constante teniendo en cuenta las observaciones anteriores y dictaminando sobre los resultados obtenidos.
7.3.3. DESARROLLO Y CARACTERIZACIN DE NUEVAS ESTRUCTURAS DEDICADAS A APLICACIONES INDUSTRIALES DISTINTAS A LA REFRIGERACIN.
La mayora de aplicaciones de las clulas termoelctricas son en el campo de la refrigeracin. Sin embargo; pueden ser de aplicacin, previo diseos especficos, en muy diversos campos. En ente sentido, ya se ha descrito en el captulo 5 de esta memoria el desarrollo de una clula con unas caractersticas especficas para una aplicacin industrial completa [95][96][105][112][113]. As mismo, trabajando en este sentido han surgido diferentes publicaciones en el seno de nuestro grupo de investigacin, en diferentes aplicaciones industriales [102][107][110][111][115].
7.3.4. CARACTERIZACIN Y REALIZACIN DE PROTOTIPOS DE ESTRUCTURAS TERMOELCTRICAS FLEXIBLES.

Para algunas aplicaciones es interesante disponer de mdulos termoelctricos flexibles; ello obliga a construir placas termoelctricas donde se sustituye la cermica por un material denominado KAPTON y el cobre de contacto debe ser lo suficiente fino para permitir la flexibilidad pero sin permitir el agrietamiento de su superficie y los pellet con material en polvo deben ser pegados (no soldados) y luego efectuar un recocido para cristalizar dichos pellet. Por necesidades del DLR, el grupo de investigacin esta trabajando con este tipo de clulas pero sin resultados definitivos hasta el momento por la gran dificultad que supone el pegado y posterior recocido (anneling) que no soporta el material de pegado. Es pues necesario investigar tanto en materiales como en la caracterizacin, tanto de los pellet, como de los mdulos termoelctricos nacidos de esta tecnologa.
7.3.5. MEJORA DE LOS SISTEMAS DE CONTROL DE LOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS.

Uno de los campos donde se puede seguir trabajando para conseguir un mejor rendimiento y eficacia de los sistemas termoelctricos, es trabajar en la mejora del control de los mismos. En este sentido, nuestro grupo ha realizado trabajos publicados en [108][114][115][117].
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BIBLIOGRAFIA
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Anexo1
ANEXOS
En este apartado se anexa informacin de software y de dispositivos de medida [118] [119] [120] [121], diseados especficamente para el desarrollo del presente trabajo de investigacin. Tambin se anexa informacin de la aplicacin industrial diseada y reseada en el captulo 5.
Anexo1
Anexo1
Conexin del sistema completo
El conexionado de los diferentes elementos responde al siguiente esquema, en el que podemos observar los datos que han de ser adquiridos y enviados a la aplicacin.
Software PIC Th Tc Vp Esc Est 3 byte 3 byte 3 byte 1 byte 1 byte
Etapa de Sensado 22C < Th < 55C
Media y Desglose
PIC 16F876
Conversor A/D 10 bit
22C < Tc < 55C 0 < Vp < 1000mV
Transmisin ENVIO PUERTO SERIE RS-232 CONTROL TRANSFERENCIA Mdulo TE CONTROL DE TEMPERATURA PC Esquema del sistema completo de adquisicin.
Como se puede observar en el esquema, la etapa de sensado recoge los datos de los sensores ubicados en el mdulo termoelctrico. Estas lecturas pasan por el convertidor A/D y el PIC las recoge. La tensin Vp es proporcional a la diferencia de temperaturas en las caras del mdulo, producida por el control de temperatura que el PIC lleva a cabo en el sistema. El PIC realiza la media de los valores que va leyendo, para despus desglosar la informacin como se muestra en el esquema. Los 11 byte que conformarn una lectura completa son enviados a travs del puerto serie hacia el PC. Paralelamente a este envo de datos existe el control de transferencia, que nos permite asegurar la buena comunicacin entre el PC y el PIC. Una vez recuperados los valores, la aplicacin ejecutada en el PC los interpreta y procesa para obtener el resultado final: un estudio completo donde se ha calculado el coeficiente de Seebeck del mdulo termoelctrico de forma prctica.
Anexo1
Consulta del estudio correspondiente a la hoja de clculo seleccionada.
Compara el valor del coeficiente de Seebeck calculado en cada uno de los escalones con el valor terico evaluado en el mismo punto.
Abrir la hoja de caractersticas tcnicas del mdulo TE. Datos de los escalones: coeficiente calculado y tiempo de estabilizacin.
Hojas de clculo de estudios presentes en la base de datos
Aadir estudio a la base de datos: recoge loa datos de la hoja de clculo y aade una entrada en la base de datos. consulta posterior.
Eliminar registro
Moverse por los registros de la base de datos. Vista previa de los grficos del estudio. Mostrar los grficos del estudio en ventanas
Lista de las hojas de clculo del directorio del programa.
Anexo 2. Aplicacin Industrial
ANEXO 2 (APLICACIN TEG)

1. OBJETO.
Estas especificaciones tienen por objeto, fijar las caractersticas que debe cumplir el dispositivo TEG citado en el campo de aplicacin.
2. NORMAS APLICABLES.
El sistema deber de cumplir a dems de las presentas especificaciones las siguientes normas: ANSI Z21.20 Automatic Gas Ignition Systems And Components en aquellos apartados que le afecten. EN 125 Dispositivos de vigilancia de llama para aparatos que utilizan gas como combustible. PrEN 509 Aparatos decorativos con efectos de combustibles ardiendo que utilizan combustibles gaseosos.
3. CLASIFICACIN Y CARACTERSTICAS.
La funcin de ste componente es garantizar la seguridad termoelctrica y la alimentacin elctrica de las vlvulas a gas. Requerimientos elctricos: Nivel bsico: Deteccin llama Alim. Vlvula gas V9mV I300mA para 30m V0,75V I=150mA para 3
Nivel medio: Deteccin de llama V9mV I300mA para 30m Alim. Vlvula de gas V=5V I100mA para 50 Se define como un sistema formado por: .- base de sujecin. .- piloto/ODS .- buja de encendido .- autogenerador TEG (Thermo Electric Generator)
El detector de la llama heat pipe est casi perpendicular a la llama del piloto. El TEG tendr carcter de componente, es decir, ha de ser transportable y fcilmente montable (no admitido un proceso de soldadura para su incorporacin). No ha de requerir de un reglaje una vez montado.
5. MARCADO.
Marca del fabricante. Referencia nica de tipo. Fecha de fabricacin Sellos de homologacin. Presin mxima de uso.
Los marcados requeridos por la norma se grabarn bajo relieve sobre la base de sujecin.
6. CONSTRUCCIN.
Generales: El dispositivo no tiene que presentar ningn ngulo vivo o arista que pueden ser causantes de algn deterioro, herido o desperfecto de otras partes o dar lugar a un funcionamiento incorrecto. Todas las piezas deben estar limpias interior y exteriormente y no tienen que presentar ningn defecto.
6.1.
MATERIALES.
6.1.1. Caractersticas generales de los materiales. La calidad de los materiales, dimensiones utilizadas y la forma de unin de las distintas piezas deben ser tales que aseguren la construccin y caractersticas de funcionamiento. Las caractersticas de funcionamiento no deben alternarse de forma significativa durante el perodo de vida razonable cuando el dispositivo se instala y utiliza conforme a las instrucciones del constructor. En esas condiciones, todos los componentes deben
resistir las condiciones mecnicas, qumicas y trmicas a las cuales puede estar sometido en utilizacin. 6.1.2. Aleaciones de Zinc. Solo se admite la utilizacin de aleaciones de Zinc en la calidad Zn Al4 segn UNE 37 302 primera revisin a condicin, adems, de que: - La temperatura mxima declarada para las partes con ella realizada no sobrepasen los 80 C. - Las piezas realizadas en aleacin de Zinc no estn en contacto con el gas. 6.1.3. Condiciones de trabajo. Todas las piezas sern resistentes a la corrosin o estarn protegidas. Los materiales utilizados o sus compuestos no deben figurar en el listado de las sustancias peligrosas elaborado por Cp (sustancias segn legislacin en uso, segn requisitos cliente y segn legislacin futura). Los cables de conexin deben ser blindados y aguantar altas temperaturas (200C).
7. CARACTERSTICAS FUNCIONALES.
El dispositivo deber asegurar el encendido correcto del piloto y deber interrumpir totalmente la corriente gaseosa cuando por cualquier causa se apague el piloto. En el supuesto que el piloto funciona como ODS, el dispositivo debe interrumpir totalmente el flujo gaseoso cuando el nivel de CO2 de la atmsfera alcance un valor de 1,5%. Los dispositivos de control atmosfrico debern ser fabricados de forma que se evite el intercambio de componentes que pudieran negar o cambiar la accin de corte por el usuario. En las condiciones de ensayo el encendido y el funcionamiento del piloto deber realizarse sin desprendimiento, extincin retroceso de llama. La extincin controlada no debe de provocar retorno de llama.
7.2. Tensin y corriente.

Valores registrados en rgimen continuo de funcionamiento, es decir, trascurridos ms de 20 minutos desde su puesta en marcha. Clasificacin Bsico TEG1 Medio TEG2 Salida R= 30m Tpila R= 30m Tpila Tensin en vaco 9 mV 0,75 V 9 mV 5V Corriente nominal 300 mA 110 mA 300 mA 110 mA Carga 30m 3 30m 50
7.3. TIEMPO DE RESPUESTA.

El grupo magntico a de enganchar en menos de 5 seg. a partir del encendido de la llama del piloto/ODS, mientras permanezca encendida la llama el grupo se mantendr activo, y se provocar el desenganche cuando transcurran menos de 10 seg. desde la desaparicin de la llama. Estas mediciones se realizarn antes y despus del ensayo de fatiga del grupo magntico.
7.4. TIPOS DE GAS.

El sistema actuar correctamente cuando se utilicen los gases de la segunda familia (gas natural) y los de la tercera familia (propano, butano).
7.5. TEMPERATURAS.
Temperatura de almacenamiento: -15C a 60C Temperatura de trabajo: -10C a 110C. No debe deteriorse si durante su funcionamiento la temperatura lmite de uso se sita en el mnimo de 15C o en la mxima de 130C en el soporte.
7.6. CONEXIONADO ELCTRICO.

Se realizar: mediante cable blindado resistente a 200C.
7.7. RIGIDEZ DIELCTRICA.

Inmediatamente despus de una permanencia de 48 horas en la cmara de humedad a una temperatura de 402 C y una humedad relativa del 954% debern soportar los elementos aislantes una tensin superior a 500 volt, 60Hz durante un minuto.
7.8. DISTANCIAS SEGURIDAD

La distancia en aire y lneas de fuga entre terminales tiene que ser mayor que 6,4mm para evitar cortocircuitar las clulas.
8. ENSAYOS.
El dispositivo se instalar en el interior de la cmara estanca (> 0,76 m3). Si se ensayan varios a la vez hay que separarlos ms de 300 mm. y la toma de muestras de la atmsfera en el mismo plano y equidistante. Los dispositivos operarn durante 13 minutos con la puerta abierta y la ventilacin de la cmara en marcha, a continuacin se cerrar la puerta y se parar la ventilacin, durante el ensayo deber mantenerse la temperatura ambiente entre 23 y 29 C. La muestra de aire se va monitorizndose observndose el momento en el que se produce el corte del dispositivo. Asimismo se verificar la estabilidad de la llama y la combustin durante el tiempo (15 minutos) que la permanezca abierta, comprobndose que la combustin es buena y la llama estable, no producindose ni desprendimiento ni retrocesos de la misma. Lo mismo deber de comprobarse en el momento de extincin de la llama. 8.1. Esfuerzos Trmicos: El STEG deber soportar la fatiga de 100 choques de 1 hora a T 200C y 1 hora a -10C. Despus del ensayo las muestras funcionarn conforme con las caractersticas de funcionamiento de apartado 7. 8.2. Resistencia a la Oxidacin: Se someten los componentes a un ensayo de 14 das de duracin a una humedad relativa comprendida entre 93% y 97 % y a 40 C 2 C.
Despus de haber secado las partes durante 10 min un horno a una temperatura de 100C 5C, sus superficies no deben mostrar corrosin que pueda impedir satisfacer los apartados de Rigidez dielctrica. Se ignoran las trazas de corrosin en aristas vivas y una pelcula amarillenta que se elimine frotando. 8.3. Permanencia a temperatura: Los STEG debern soportar 720 horas de funcionamiento a 200C. Despus del ensayo, las muestras funcionarn conforme con las caractersticas de funcionamiento y continuacin se certificar su correcto funcionamiento. 8.4. Resistencia a la traccin de los cables de conexin en sentido axial: Fijado el STEG sobre una base, los cables de salida han de soportar sin roturas una fuerza de 100N, en el sentido del que salen, durante 1 minuto. 8.4. Resistencia a la traccin de los cables de conexin a 90: Fijado el STEG sobre una base, con los cables de salida a 90 han de soportar sin roturas una fuerza de 70N durante 1 minuto. 8.5. Resistencia al plegado de los cables de conexin: Los cables de conexin agarrados a 50mm desde su salida del TEG han de soportar sin roturas 10 operaciones de: plegado a 90 y retorno a la situacin de origen.
9. DURACIN Y FATIGA. El componente a de soportar cualquiera de las condiciones extremas a continuacin enunciadas: .- Horas de funcionamiento en continuo: 20.000 horas .- Ciclos consecutivos: 5.000 ciclos de 30 minutos con llama y 3 minutos a temperatura ambiente. .- En sobrecarga: 24h con ambas salidas en cortocircuito (R10m) mientras el piloto/ODS se encuentra encendido. Finalizado el ensayo correspondiente se verifica la potencia del STEG. El resultado se da por bueno si la prdida de potencia de salida respecto a la nominal es inferior al 10%.

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UNIVERSITAT POLITCNICA DE CATALUNYA DEPARTAMENT DENGINYERIA ELECTRNICA

219 219 222 223 223 226 228

Figura 1.1. Distribucin de temperatura en el contacto entre dos semiconductores tipo n.

Figura 1.3. Efecto termoelctrico en la barrera de potencial.

Figura 1.4. Efecto en unin n-p.

1.3.2. IMPORTANCIA DE LA FIGURA DE MRITO Z.

1.3.3. ELEMENTOS TERMOELCTRICOS.

Figura 1.5. Placa termoelctrica.

Figura1.6. Placa termoelctrica multinivel.

1.3.4. TENDENCIAS DE INVESTIGACIN ACTUALES.

1.3.5. MODELO DE UN TERMOELEMENTO IDEAL.

Figura 1.7. Modelo unidimensional de un termoelemento.

La ecuacin (1.12) tiene una solucin del tipo: T A ( x) = C 0 * x2 + C1 * x + C 2 2 (1.13)

Figura 1.8. Par termoelctrico p-n.

Lp Lp L L 1 Q =Qpc +Q =(p n)*I *Tc *I 2 *(n * n +p * ) (n * n +p * )*T (1.20) c nc 2 An Ap A Ap n

Expresin que se puede reescribir como: 1 Qc = ( p n ) * I * Tc * I 2 * R K * T 2 (1.21)

Figura 1.9. Par termoelctrico funcionando como refrigerador.

Invirtiendo la polaridad de la corriente se invierte el sentido de la transferencia de calor.

Figura 1.10. Par termoelctrico funcionando como bomba de calor.

1.3.6. PROPIEDADES TERMOELCTRICAS EN FUNCIN DE LA TEMPERATURA.

As, la potencia elctrica consumida por el termoelemento sera: L Pe = * I * (Th Tc ) + I 2 * * A

Figura 1.11. Subdivisin del isimo-elemento.

suficiente a cero. Adems se vari el valor de la corriente elctrica de forma paramtrica 22

1.3.6.3. Efectos trmicos no considerados en el caso ideal.

1.3.7. RESISTENCIAS ELCTRICAS DE CONTACTO.

1.3.8. OTROS MODELOS.

Figura 1.12. Modelo propuesto por Stockholm, J.G.

(1.36) (1.37) (1.38)

1.3.9. RESOLUCIN DEL COMPORTAMIENTO DE UN PAR TERMOELCTRICO MEDIANTE ANALOGA ELCTRICA.

Figura 1.13. Esquema elctrico equivalente de un mdulo termoelctrico.

1.4. OBJETIVOS DE LA TESIS.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

CAPTULO 2 MODELOS DE LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA

2.2. CARACTERIZACIN TERMOELCTRICA.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

que considerando una sola dimensin queda de la forma:

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.3. BALANCE ENERGTICO TERMOELCTRICO.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

por unidad de tiempo,

qnd debidas al flujo de calor por unidad

de superficie saliente del volumen a travs de . 3) Prdidas elctricas

debidas al incremento del

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.4. CLULAS TERMOELCTRICAS DE VARIOS NIVELES.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.5. HERRAMIENTAS DESARROLLADAS PARA LA MEDIDA DE PARMETROS.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.6. RENDIMIENTO PTIMO EN FUNCIN DE LA FIGURA DE MRITO.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

y el rendimiento se hace ptimo en funcin de m cuando se

, teniendo en cuenta que Z es la figura de mrito y es 2 . R

funcin nicamente de parmetros intrnsecos del material semiconductor: Z =

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.7. MODELO DE LA ESTRUCTURA COMPLETA DE UN MDULO TERMOELCTRICO.

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

Trabajando a nivel de matrices el anlisis se obtiene:

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.7.1. EL EFECTO THOMSON EN UN MEDIO ISOTRPICO.

Se puede insertar dentro de la matriz de nudos de temperatura y queda de la siguiente forma:

Captulo 2. Modelos de la estructura termoelctrica

2.7.2. ACCIN CONVECTIVA EN LA SUPERFICIE DE LA ESTRUCTURA TERMOELCTRICA.

Lp Lp L L 1 Q =Qpc +Q =(p n)I Tc I 2 (n * n +p * ) (n * n +p * )*T (1.20) c nc 2 An Ap A Ap n

siendo la respuesta en el tiempo, y=9.7e3exp(-5t)-4.8e3exp((2-5i)t)+8.4e3iexp((2-5i)t)-4.8e3exp((2+5i)t)8.4e3iexp((2+5i)t) (2.104) o lo que es lo mismo, y=1.27e3exp(-5t)+2.25e3exp(3t)sin(5t)-1.27e3exp(3t)cos(5t) (2.105)