FUNDACION PARA LA EDUCACION SUPERIOR SAN MATEO FACULTAD DE INGENIERIAS Y AFINES ELECTRNICA ANLOGA 2012 - 1

TRABAJO # 1 NOMBRE: DIEGO FERNANDO ARAGON GARCIA TEMA: Semiconductores. FECHA ENVIO: 19 de febrero 2012. FECHA DE ENTREGA: 22 de febrero 2012. Enviarlo va e-mail antes de la hora de clase. 1. La atraccin que experimenta hacia el ncleo electrn de valencia de un tomo de cobre es a) Ninguna b) Dbil c) Fuerte d) Imposible de describir 2. El semiconductor ms empleado es a) Cobre c) Silicio b) Germanio d) Ninguno de los anteriores 3. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de a) Enlace covalente b) Cristal c) Semiconductor d) Orbital de valencia 4. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por a) El dopaje b) Electrones libres c) Energa trmica d) Electrones de valencia 5. Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece un a) Enlace covalente c) Hueco b) Electrn libre d) Recombinacin. 6. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como a) Una batera c) Un aislante

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b) Un conductor

d) Un hilo de cobre

7. Cuntos huecos presenta un conductor? a) Muchos b) Ninguno c) Slo los producidos por la energa trmica d) El mismo nmero que de electrones libres 8. En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones libres es a) Igual al nmero de huecos b) Mayor que el nmero de huecos c) Menor que el nmero de huecos d) Ninguna de las anteriores 9. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene a) Algunos electrones libres y huecos b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ningn hueco 10. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta cuando la temperatura a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante d) Ninguna de las anteriores 11. Los huecos se comportan como a) tomos c) Cargas negativas b) Cristales d) Cargas positivas 12. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p? a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por la energa trmica d) El mismo nmero que de huecos 13. Si un semiconductor intrnseco tiene un billn de electrones libres a la temperatura ambiente, cuntos presentar a la temperatura de 75 OC? a) Menos de un billn b) Un billn c) Ms de un billn d) Imposible de contestar

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14. Los iones positivos son tomos que a) Han ganado un protn b) Han perdido un protn c) Han ganado un electrn d) Han perdido un electrn 15. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tip0 n? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos huecos 16. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos electrones libres 17. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de a) 0,3 V c) 1 V b) 0,7 V d) 2 mV por "C 18. Para producir una gran comente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensin aplicada debe superar a) OV c) 0,7 V b) 0,3 V d) 1V 19. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente a) Muy pequea b) Muy grande c) Cero d) En la regin de ruptura