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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

UNION P- N
APPLET N01 UNION P-N EN EQUILIBRIO Y POLARIZADA
Donde se representa la formacin de bandas, as como la distribucin de carga y el campo en la zona de carga espacial en funcin de la polarizacin. En la Figura, el esquema de la muestra (rectngulo rojo-blanco-azul en la parte superior) y el diagrama de bandas estn dados para una polarizacin determinada que se ajusta utilizando la barra de desplazamiento de la esquina superior izquierda. El diagrama de bandas muestra tanto los portadores mayoritarios como los minoritarios (electrones = rectngulo azul; huecos = rectngulo rojo). Justo en el borde de la zona de deplecin en el lado p (n), la altura de los rectngulos es igual a la altura del logaritmo de la densidad de portadores mayoritarios por encima de la banda de conduccin (valencia) en el lado n (p). La densidad de portadores va disminuyendo entonces conforme se ve en la muestra, al final se aproximar al logaritmo de la densidad de portadores minoritarios en equilibrio y permanece constante. La longitud para la cual la densidad de portadores alcanza el valor constante es igual a la longitud para la que existe corriente de recombinacin. La variacin de la densidad de portadores en este proceso se produce segn un descenso de tipo exponencial con un parmetro denominado longitud de difusin. La longitud de difusin es la distancia media que recorre un portador minoritario antes de recombinarse con un portador mayoritario .La escala vertical del diagrama de bandas de energa se utiliza tanto para energa como para potencial y la intensidad del color del rectngulo azul en la banda de conduccin y del rectngulo rojo en la banda de valencia es proporcional al logaritmo de la concentracin de portadores a esa energa (escala vertical en el diagrama de bandas).

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APPLET N02 LA LEY DE SHOCKLEY


Representacin de la evolucin de la corriente en un diodo P-N en funcin de la polarizacin, el dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura. En este applet se puede observar el flujo de corriente en un diodo de unin p- n. Bajo polarizacin directa (el lado p es ms positivo que el lado n, o el lado n ms negativo que el lado p), se inyectan huecos desde el lado p (rojo), atravesando la regin de deplexin (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el lado n (azul).Los huecos inyectados dentro del lado-n son portadores minoritarios. Cerca de la frontera de la zona de deplexin, la

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concentracin de huecos minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente. En la regin neutra hay dos procesos activos para los huecos minoritarios inyectados: (1)DIFUSIN (2) RECOMBINACIN DIFUSIN: Hay ms huecos cerca de la frontera de deplexin que en el interior de la regin n. Por lo tanto se produce una difusin trmica, resultando en un flujo neto de huecos (rojo) alejndose de esa frontera. RECOMBINACIN: La concentracin de huecos tender a recuperar su valor en equilibrio trmico, y entonces intentar librarse del exceso de huecos (p(x=0)). Este exceso de huecos sufre una recombinacin con los electrones que son los portadores mayoritarios que aniquilan los huecos y electrones formando pares (flujo vertical de puntos rojos). Algunos electrones perdidos (portadores mayoritarios) son rpidamente repuestos a travs del contacto hmico y el cable metlico del lado ms lejano de la regin tipo n. Este mismo argumento se aplica a los electrones minoritarios inyectados. El diagrama de en medio puede ser visto como un diagrama de bandas, pero la banda a travs de la regin de deplexin no se muestra aqu. Los procesos de difusin y recombinacin conjuntamente producen un perfil de concentracin exponencial para los huecos minoritarios, como puede verse en l la segunda grfica (parte inferior derecha en rojo). Para una determinada polarizacin directa constante, el nmero de huecos inyectados a travs de la unin por unidad de tiempo iguala al nmero de huecos perdidos por recombinacin, establecindose entonces una situacin estacionaria (es decir, constante en el tiempo).

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APPLET N03 CONMUTACION DEL DIODO


El applet ilustra la conmutacin de un diodo en un circuito donde la polarizacin pueda pasar desde directa a disrupcin pasando por corte. Se representa la evolucin en el tiempo de la corriente, la tensin en el diodo y la carga en las zonas neutras as como la anchura de la zona bipolar. Al modificar los parmetros del circuito aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), latensin inversa (V Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la

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tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo, pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales. Cuando se modifica los parmetros del diodo se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa.

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