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Gua de Ejercicios N9 Temas Complementarios - Resueltos Ejercicio N5 - Resolucin

ngulo de disparo td = 0: Otro ngulo td > 0:

vs t vSC s t vR t

vs t vSC s t vR t

La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce en td = 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la seal, ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga. b) En el semiciclo en el cual no circula corriente (el SCR no conduce), el SCR no disipa potencia. En el semiciclo en el cual circula corriente, la cada en el SCR es de 1 Volt, aproximadamente en forma continua. Durante ese intervalo de tiempo la corriente pico que circula es:

311V 1V = 0.62 A I= 500

Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es:

I ef =

1 0.62 A = 0.22 A 2 2

Por otro lado, la tensin eficaz en el SCR asociada con disipacin de potencia es 1V / 2 = 0.5 V Entonces la potencia disipada en el SCR durante el ciclo completo es igual a:

PSCR = 0.5V 0.22 A = 0.11W

El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente: Sin disipador tenemos:

PMAX =

Tj Ta 150 C 50 C = = 1.57W Rja 63.5 C / W

No se necesita disipador.

As resulta: PMAX > Pdisipada = 0.11 W

Verificacin: Tj = Ta + P Rja = 50 C + 0.31W 62 C / W = 69 C < TjMAX

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Ejercicio N6 - Resolucin
Dispositivo sin disipador externo

T j Temperatura de Juntura [C] T c Temperatura de carcasa [C] T a Temperatura ambiente [C] R jc Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W] Rca Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W] R ja = R jc + Rca Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]
Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos: Temperatura de juntura mxima: T
mx j

= 200C

Disipacin de potencia mxima: P mx = 6 W @ T a = 25 C

P mx = 117W @ T c = 25 C
Por lo tanto

R jc = R ja=

T mx T c j P @T c mx T mx T a j P @T a mx

200 25 C C = 1.50 177 W W 200 25 C C = 29.17 6 W W

C C = 27.67 W W

Rca = R ja R jc = ( 29.17 1.50 )

Graficando la potencia que puede disipar el dispositivo en funcin de la Tc y Ta resulta que la potencia disipada admitida se degrada linealmente.

La pendiente de la curva de degradacin de potencia es la inversa de la resistencia trmica.

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Puede el dispositivo, sin disipador externo, disipar P= 30 W con T a = 50 C ? NO Verificacin: Si P= 30 W , T a = 50 C , R ja= 29.17 W

T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C
mx Es mayor que T j !!

Dispositivo con disipador externo

Si P= 30 W

T a = 50 C T j = 200 C

R jc = 1.50

C C R ja= 29.17 W W
T mx = T mx P R jc c j T mx = 200C 30 1.5 C= 155 C c
(Cuidado que quema!!)

Tc Ta = P ( Rca || Rdis ) Rca || Rdis = Tc Ta 155 50 C C = = 3.5 P 30 W W

1 = Rdis

1 1 C Rca 3.5 W
C W

Rdis = 4

Verificando: T j = Ta + P Rca || Rdis + R jc = 50 C + 30W ( 4 || 27.67 +1.5 )

C = 199.8 C W

A simple modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se necesita una superficie de 2 aletas aproximadamente de 156 cm de acuerdo a la siguiente frmula emprica

50 cm C 50 2 Rdis = A en cm A= cm 156cm 2 A W 4

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Por ejemplo, equivaldra a 3 aletas de 26 cm por lado, o sea 5x5 cm aproximadamente. (Ojo! Depende fuertemente si hay ventilacin forzada y de la separacin entre aletas.) Si la temperatura ambiente se eleva a 75 C, qu ocurre? Calculo T j = Ta + P Rtotal = 75 C + 30W 5

C = 225 C W

El transistor puede sufrir una degradacin permanente de sus caractersticas si esta temperatura se mantiene por tiempo prolongado. Conclusin Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador. En general se elige un disipador con R menor a la calculada en un 30% aproximadamente, o sea, un factor de 0.7. Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W. En este caso el disipador tendra una superficie de aletas DOS veces mayor. Qu temperatura mxima de ambiente soportara en este caso? Resolver esto es tarea para ustedes