PEL1

WYKAD 4

Dr in. Piotr Madej Lato 2011/2012

1. Logarytmiczna miara transmitancji 2. Obwody ograniczajce pasmo czstotliwociowe 3. Tranzystor bipolarny, zasada pracy 4. Stany pracy: aktywny (wzmacnianie), zatkanie, nasycenie 5. Ukady pracy: WE, WC, WB (OE, OC, OB) 6. Charakterystyki tranzystora w ukadzie WE 7. Model maosygnaowy tranzystora bipolarnego 7a. Parametry maosygnaowe h, definicje i wartoci w WE 7b. Punkt pracy Q (ppQ), ograniczenia wyboru 8. Przykadowe dane katalogowe tranzystora npn maej mocy
1

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI I UKADW ELEKTRONICZNYCH W I-29, sala 211A b. A5

DANE DO KONTAKTU Z PROWADZ CYMI ZAJCIA, LATO 11/12

Prowadzcy konsultacje zajcia pokj, w s. 211A/A5 budynek Piotr Madej 208 A5 terminy konsultacji dzie, godziny wt 14 16 czw 13 15 wt 14 15 sob 11 13 gdy studia niestacjonarne, a w ZOD Legnica pn 12 13 wt 11 13 r 11 13 telefon w pracy 71320 3272 adres poczty elektronicznej piotr.madej@ pwr.wroc.pl

Andrzej Kawak

207 A5

71320 3747

andrzej.kalwak@ pwr.wroc.pl

Krzysztof Podlejski

207 A5

71320 2632

krzysztof.podlejski@ pwr.wroc.pl
2

Logarytmiczna (decybelowa) miara stosunku wielkoci

Nie wolno logarytmowa wartoci ujemnej oraz wymiarowej . Dla napi, prdw, wzmocnie napiciowych i prdowych, transimpedancji i transadmitancji

L[ dB] = 20 log
Przykady:

H2 H1
Uo , Eg

lub = 20 log

H ( ) H max
I o ( ) , I o max

lub = 20 log

H ( ) 1 jedn
k z ( ) 1

Uo Eg

= 20 log
[ dB ]

I o[ dB] = 20 log

k z[ dB] = 20 log

Dla mocy i wzmocnienia mocy (indeksP)

LP[dB] = 10 log
Przykady:

H P2 H P1

lub = 10 log

H P ( ) H P max

lub = 10 log

H P ( ) 1jedn

So Sg

= 10 log
[ dB ]

So , Sg

Po[ dB] = 10 log

Po ( ) , Po max

k P[ dB] = 10 log k P ( )

Obwody ograniczajce pasmo czstotliwociowe ukadu

A Obwd grnoprzepustowy

U2 R2 1 = E R1 + R2 1 j d 1 gdzie d = 2 f d = =

2f
1 C ( R1 + R2 )
R1

B Obwd dolnoprzepustowy U2 R2 1 = E R1 + R2 1 + j

g 1 1 gdzie g = 2 f g = = g C ( R1 R2 )

C R1

U2 E
[dB ] 0 -3 [ V/ V] max=1 2 -0,5
B/ d e k

U2 R2 E modu

U2 R2

Spadek o 3dB oznacza dla stosunku napi zmniejszenie do 2-0,5 czyli 70,7% maksymalnej warto ci, a dla mocy do 2-1 czyli do poowy! Kady dodatkowy taki obw d wprowadza kolejn zmian ch-ki fazy o 90o i nachylenia ch-ki moduu o 20dB/dek!
Charakterystyki aproksymacyjne!
4

k B/ d e -20 d

+ 20 d

+90o (+/2)

faza (argument )
10 1

fd

10 2

103

10 4

105 fg

f [Hz] logar .
-90o (-/ 2)

Przyrzd dwuzczowy tranzystor bipolarny. Struktura, elektrody, typ, oznaczenie.

C
n

npn C B E

ELEKTRODY: E emiter B baza C kolektor

C
p

pnp C B E

p n

B
ZCZA: baza emiter, baza kolektor.

n p

Przykady tranzystorw pojedynczych (dyskretnych) do montau przewlekanego i powierzchniowego

Ukady scalone z wieloma tranzystorami 5

Zasada pracy tranzystora bipolarnego

npn
U CB IB B

Stan normalny dla npn. UCE > UBE oba dodatnie; zcze B-E przewodzi, zcze B-C zatkane. IC
C n p U CE n e E IE

I E = IC + I B
zwykle I B << I E

0 DC
0 DC

IC A np. 200 IB A

ECE EBE

U BE

0 =

0 1 0

IC A np. 0,995 IE A

0 =

0 0 + 1

baza bardzo cienka: 0,11m

Jest jeszcze

I C ic = I B ib
2

np UC .+ B > 9, 0 35 V

Stany pracy tranzystora bipolarnego

aktywny normalny
+10V
BC zatkane

C
np.+10V

+0,65V

E
>0 V E 65 U B .+0,
np

UCE >0

w ukadach liniowych przetwornikw sygnau

BE przewodzi

nasycenia
np C . -0 B < ,5 0 0V

zatkania
n CB p. > +1 0 1V

0V
U

+0,15V
BC przewodzi

+10V
BC zatkane

C
np.+0,15V

C
np.+10V

-1V

UCE >0

B E

w ukadach nieliniowych o pracy dwustanowej

+0,65V

E
>0 V E 65 U B . +0,
np

BE przewodzi

BE zatkane

0V

UCE>0

w e ub e
ie

0 E V U B p . -1

0V

o w sp ln ym em iterze W E
ib ic uce wy

ii = ib , ui = ube

io = ic , uo = uce
o wsplnym kolektorze WC (wtrnik emiterowy)
ib ie uce ic

Ukady pracy tranzystora bipolarnego

ii = ib , ui = ucb
io = ie , uo = uce
we u cb

Oznaczono na rys. wielkoci przyrostowe, maosygnaowe, np. niewielkie sygnay przemienne. wy

o wsplnej bazie WB
ie ic ucb wy ib
8

ii = ie , ui = ube

io = ic , uo = ucb

we ub e

Stan zatkania. Prdy zerowe i resztkowe tranzystora.

IE = 0
UCB0 ICB0

IC = 0
IE B0 U E B0

I CE 0 > I CES > I CB 0

W tranz. Si rzdu pA i nA, w Ge rzdu nA i A. zaleno temperaturowa

IB = 0
ICE 0 U CE0
Napicia graniczne

UBE = 0
I CE S UCE S

I x Tj2
x j1

( ) 2 I (T )

T j 2 T j1 10 deg

1 ( T j 2 T j1 )0,069 deg

U CB0 U CES > U CE 0 >> U EB0 ( 5 9) V

3

Stan nasycenia.
Granica midzy stanem normalnym i nasycenia: UCB=0V. RC
<0 U
C B

I C max =
aby osign nasycenie

EC U CEsat EC RC RC

UCEsa t

IB

IC

EC

RCEsat =

U CEsat , np. 5 IC

Zestaw wszystkich charakterystyk w uk adzie WE tranzystora krzemowego, maej mocy.

UB

hFE 0

I B ( 2 5)

I C max 0 min
Opis tego stanu za pomoc UCEsat i RCEsat przy IC= i IC/IB=
10

11

Zaleno niektrych parametrw tranzystora od prdu i temperatury.

Przykad wykresw w katalogach elementw.

12

0 =

IC I i = C = c, IB I B ib

stosunek

0 max = 34 0 min

% + ( 0,5 2) , T deg U BEQ T ( 2,0 0,1)

Przy wikszych prdach mniejszy.

mV deg

gdy I C 0,5 20mA,

Prdy zerowe i resztkowe: zmiana 2x na 10deg !!!

U CEsat mV 0,2 T deg

PC max = PCM

j max a max j max 25 C

j max a max
Rth
j a

PCM PCmm Ptot przy 25 C

maks. temp. zczy jmax: Si 150220C Ge 90120C
13

Najprostszy schemat zastpczy czwrnika tranzystora w dowolnym ukadzie pracy, z tzw. parametrami mieszanymi, praca maosygnaowa!!!

u1 = h11i1 + h12u2 i2 = h21i1 + h22u2

Opis czwrnika macierzowy hybrydowy, uwaga na sens fizyczny parametrw opisowych!

liniowy model tranzystora w ppQ, z parametrami hij ig Rg ii i1 h11 1/ h22 i2 io RL

ui u1 h12u2 ri = h11 h21i 1

u2 uo

Uwaga; u nas na PEL ii i1 , io i2 !!!

ro = 1/h22

14

Przykad wybrania punktu pracy Q (ppQ) na charakterystykach WE

forward

output

Parametry maosygnaowe w wybranym punkcie pracy Q (ppQ) w ukadzie WE

input reverse

rbe hie h11e 11 k ru hre h12e 12

h fe h21e 21

Uwaga 0 = hFE = h21E

1 hoe h22e 22 rce

15

gp n
Q2 1 DC 2 Q1

PCmax gm

U CE0

Pole liniowej pracy na charakterystykach wyjciowych

n nasycenie z zatkanie gp granica prdu gn granica napicia gm granica mocy

ICmax
Q1 i Q2 punkty pracy 1 i 2 tzw. proste pracy zwizane z Q1 i Q2 1DC prosta dla prdu staego 1AC prosta dla prdu przemiennego

gn EC

1AC

I Cmin

16

unilateralny model tranzystora w WE ib ube B h21ei b h11e C 1/h22e ic uce

ube h11eib ic = h21eib + h22euce

( h21eib )
Kiedy tak mona?
17

Zaleno parametrw hije tranzystora od punktu pracy prdu kolektora

hie hre hfe hoe

A ppQ : I CQ 2 mA, U CEQ 10 V, 0 = 200 A T 26 mV h11e hie rbe 0 2,6 k I BQ I CQ V h12e hre 10 6 10 4 V A h21e h fe 0 h21E hFE = 200 A 1 I CQ 1 h22e hoe = 10 S rce U Y 0,1 M

UY tzw. potencja Earlyego,

npn, maa moc npn, dua moc 200 V 80 V 150 V 40 V
18

Bardzo przydatny slajd do zada!

pnp, maa moc pnp, dua moc